CN104951116B - 触控装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种触控装置，包含至少一个感应单元，该感应单元包括一基板、多个触控电极结构及至少一个虚设电极组。所述触控电极结构相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘。该虚设电极组设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，其凹陷形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟且包括多个由该凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。

Description

触控装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种触控装置及其制造方法，特别是涉及一种通过镭射蚀刻技术制造的触控装置及采用镭射蚀刻技术的制造方法。
背景技术
触控技术已广泛应用于各种电子设备，例如中国台湾第I430160号专利，即提出一种触控屏幕面板及其制造方法。该触控屏幕面板包含触控电极、绝缘结构、导电线路等结构，于制作过程中所述结构是分别独立制作，且各自的制作过程均包含镀膜、光刻、蚀刻等制程。
然而，此种采用镀膜、光刻、蚀刻技术进行的制作方法，制程步骤过于繁复，不利于生产速度的提升及成本的降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种以简便制程技术制作且具有优良性能的触控装置。
本发明触控装置，包含至少一个感应单元，该感应单元包括一基板、多个触控电极结构及至少一个虚设电极组。所述触控电极结构相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘。所述虚设电极组设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，其凹陷形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟，并包括多个由其凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。
较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。
较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
较佳地，该虚设电极组的凹沟的弯折分别位在邻近所述触控电极结构的位置。
较佳地，该虚设电极组的凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折位在邻近所述触控电极结构的位置，该第二沟部的弯折位在所述触控电极结构之间。更佳地，该凹沟的第一沟部与第二沟部相互交错而呈交叉网状。
较佳地，该虚设电极组的凹沟的弯折呈弧形。
较佳地，该虚设电极组的凹沟形成多个弯折，且该凹沟的弯折分别位于邻近所述触控电极结构的位置。
较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
较佳地，该凹沟的弧形弯折的半径介于50微米至250微米之间。
较佳地，该凹沟的宽度介于15微米至40微米之间。
较佳地，该些触控电极结构是分别由一沟槽所界定。
本发明的另一目的，在提供一种触控装置的制造方法，该制造方法包含以下步骤：步骤(A)在一基板上制作一结构体；及步骤(B)对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成至少一条凹沟。该凹沟由该结构体的顶面贯穿至该基板，且延伸形成至少一个弯折，并由镭射依照一预定路径连续不断地蚀刻而制成。
较佳地，在该步骤(A)与该步骤(B)之间或在该步骤(B)之后还包含一步骤(C)：对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成两条相互间隔的沟槽，所述沟槽分别由该结构体的顶面贯穿至该基板，且分别形成一封闭形状，而对该结构体界定出两个触控电极结构；于步骤(B)该凹沟是形成在所述沟槽之间。
较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。
较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折，该凹沟的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽。
较佳地，于该步骤(B)中该凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽，该第二沟部的弯折位在所述沟槽之间。
较佳地，于该步骤(B)中各条凹沟的该第一沟部与该第二沟部是由镭射连续地蚀刻而成，且该第一沟部与该第二沟部相互交错而呈交叉网状。
较佳地，于该步骤(B)该凹沟的弯折呈弧形。
较佳地，于该步骤(B)该凹沟形成多个呈弧形的弯折，且该凹沟的弯折处分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽。
较佳地，于该步骤(B)该凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
较佳地，于步骤(B)该镭射蚀刻的能量介于5瓦至13瓦之间。
较佳地，于步骤(B)该镭射蚀刻的深度介于200微米至1000微米之间。
较佳地，于步骤(B)该镭射对该结构体进行蚀刻的脉冲时间介于200微秒至1000微秒之间。
本发明的有益效果在于：本发明的触控装置是以镭射蚀刻方式制作，并于虚设电极组上由凹沟分隔为多个区域，具有良好的装置性能。本发明的制造方法采用镭射蚀刻技术，相较于使用一般光刻、蚀刻制程技术进行结构制作，能有效节省制程步骤、制程时间及成本。此外，本发明的制造方法透过对镭射行进路径、制程参数的适当设定，能进一步提升通过镭射蚀刻制作触控装置或各式装置的制程效能。
附图说明
图1是一示意图，说明本发明触控装置的较佳实施例；
图2是一俯视示意图，说明本发明触控装置的第一较佳实施例；
图3是沿图2的III-III方向的侧视示意图；
图4是一流程图，说明本发明触控装置的制造方法；
图5是一俯视示意图，说明第一实施例的触控装置的制作过程；
图6是沿图5的VI-VI方向的侧视示意图；
图7是一俯视示意图，说明延续图5的制作过程；
图8是沿图7的VIII-VIII方向的侧视示意图；
图9是一俯视示意图，说明延续图7的制作过程；
图10是一俯视示意图，说明本发明触控装置的第二较佳实施例；
图11是沿图10的XI-XI方向的侧视示意图；
图12是一俯视示意图，说明第二实施例的触控装置的制作过程；
图13是沿图12的XIII-XIII方向的侧视示意图；
图14是一俯视示意图，说明延续图12的制作过程；
图15是沿图14的XV-XV方向的侧视示意图；及
图16是一俯视示意图，说明延续图14的制作过程。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
参阅图1至图3，为本发明触控装置1的第一较佳实施例。此处，触控装置1是以双层触控电极结构为例进行说明，因此触控装置1包含两个相互间隔的感应单元2及一夹设于所述感应单元2之间的黏着层3，所述感应单元2可分别提供对应不同方向(例如X方向及Y方向)的触控感应信号。然而，在不同实施方式中，触控装置1也可以采用单层触控电极结构，此时触控装置1只需要设置单一感应单元2。
感应单元2包括一基板21、多个(此处以两个为例)触控电极结构22及至少一个(此处以一个为例，但也可以配合触控电极结构22而调整为多个)虚设电极组23。基板21具有电绝缘性及透光性，其材料可为乙烯对苯二甲酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚烯丙基、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二酯、玻璃等，并可由硬质材质或可挠性材质制作。
触控电极结构22相互间隔地设置于该基板21同一表面上且彼此电性绝缘，用于产生触控感应信号，其能通过氧化铟锡(indium tinoxide,ITO)、氧化铟锌(indiumzincoxide,IZO)、氧化镉锡(cadmiumtinoxide,CTO)、氧化铝锌(aluminumzincoxide,AZO)、氧化铟锡锌(indiumtin zincoxide,ITZO)、氧化锌(zincoxide)、氧化镉(cadmiumoxide,CdO)、氧化铪(hafniumoxide,HfO)、氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide,InGaZnO)、氧化铟镓锌镁(indiumgalliumzincmagnesiumoxide,InGaZnMgO)、氧化铟镓镁(indiumgalliummagnesiumoxide,InGaMgO)或氧化铟镓铝(indiumgallium aluminumoxide,InGaAlO)，纳米银线、纳米碳管、石墨烯等透明导电材质制作。其中，该些触控电极结构22的结构形状是分别由此等相互间隔并各自形成封闭形状（此处为长方形）的沟槽221所界定。值得注意的是，在其他实施方式中，沟槽221的形状可以根据触控电极结构22的结构形状的要求做出相应的改变。另外，沟槽221可以通过化学蚀刻、镭射蚀刻、机械蚀刻等方式形成，且不以特定加工方式为限。
虚设电极组23(dummyelectrode)设置于基板21上且位于所述触控电极结构22之间，其可以透过相同或不同于触控电极结构22的材料制作，并包括多个形状、尺寸相异的虚设电极结构230。虚设电极结构230的作用主要在于电学方面以及光学方面，具体为：
1、电学方面
通过虚设电极结构230的设置，在触控情事发生时，能增加触控电极结构22产生的感应电容值，从而增加整体的触控电容值变化量，进而使得触控信号容易被后端IC（图中未示）识别，提高了触控侦测的精确度。因此，实际生产运用中，虚设电极结构230需要做到一定的尺寸规格才可以达到相应的增加触控电容值变化量的作用。
然而，如果虚设电极结构230的尺寸规格过大，又容易引发干扰信号，导致触控操作时产生的误操作问题，因此在实施上必须针对其尺寸设定适当的规格。
2、光学方面
通过虚设电极结构230的设置，消除了相邻设置的触控电极结构22之间的间隔由于不存在相应的材质，而引发的两者之间的对外界光线折射的差异。因此，实际生产运用中，虚设电极结构230需要做到一定的尺寸规格才可以达到减缓触控电极结构22在用户眼中的视觉明显程度。
然而，如果虚设电极组23的尺寸规格过大，其与相邻的触控电极结构22又容易引发短路问题。
综上，本实施例中，通过将虚设电极组23区分为多个不同区域的虚设电极结构230，以符合其电学方面与光学方面的要求。具体为，虚设电极组23处凹陷形成一条由其顶面贯穿至基板21的凹沟231(也就是图2、图5、图7、图9中较粗的黑线处)，凹沟231主要在相邻的触控电极结构22之间延伸并形成至少一个(此处以多个为例)弯折，将虚设电极组23区分为多个不同的区域，而分隔界定出尺寸、形状相异的虚设电极结构230。
本实施例中，根据制作感应单元2过程中的镭射蚀刻制程的性质，该虚设电极组23的凹沟231的基本延伸形状为分段的直线形(piecewiseline)，也就是说凹沟231可由其转折处区分为多个延伸方向不同的直线线段，且各个直线线段可以彼此相交或不相交，以界定出多种延伸形状。而在本实施例中，为了要界定适当尺寸规格的虚设电极结构230，基本延伸性质为分段直线形的凹沟231是由两个重叠交错的锯齿状沟部界定其形状。由于锯齿形状也是由多条分段直线所构成，因此其包含在分段直线形的实施范围之内。
参阅图2、图7、图9，具体来说，本实施例中，虚设电极组23的凹沟231区分为相互连接的一第一沟部232及一第二沟部233，第一沟部232、第二沟部233的延伸分布形状各为锯齿状，且两者各自形成多个呈锐角状的弯折。其中，第一沟部232的锐角弯折位在邻近所述触控电极结构22的位置，而第二沟部233的弯折则位在所述触控电极结构22之间，其中第一沟部232与第二沟部233形成交叉网状。前述所谓邻近包含靠近触控电极结构22或部分地延伸到触控电极结构22之中。据此，虚设电极组23由上述凹沟231的第一沟部232、第二沟部233区分为多个区域而界定出适当尺寸规格的虚设电极结构230后，能让虚设电极结构230呈现良好的电学特性及光学特性。特别的，当第一沟部232与第二沟部233相互交错而呈交叉网状时，虚设电极组23将被区分为多个大小不同，形状各异的区域，可以破坏外界光线的折射方向或反射方向的一致性，从而使得触控面板获得一个较好的视觉效果。但是，在不同的实施方式中，第一沟部232与第二沟部233可以配置为不相交，同样能进行虚设电极结构230的图案形状界定。此外，本实施例中，第一沟部232的弯折为部分地延伸到触控电极结构22之中，此实施态样能破坏触控电极结构22边缘的一致性，而增进虚设电极结构230所提供的光学效果。但在不同的实施方式中，凹沟231也可以不延伸到触控电极结构22之中，而不以前述内容为限。
以下参阅图4至图9，说明本实施例的触控装置1的制造方法。
步骤S01：本步骤要先在基板21上制作一结构体4。本实施例中，该结构体4是单层构造，使用如前述的透明导电材料制作，并可通过各式镀膜技术进行加工。但在不同的实施方式中，结构体4可以是复合层构造，并包含透明导电层、不透明导电层、绝缘层等构造，能由镭射一次性地进行蚀刻加工。
步骤S02：参阅图4、图5、图6，本步骤是通过镭射蚀刻技术，对结构体4施以镭射蚀刻，使结构体4凹陷形成多个(此处以两个为例)相互间隔的沟槽221。所述沟槽221分别由结构体4的顶面贯穿至基板21，且分别形成一封闭形状(此处为长方形)，先在结构体4上界定出两个用于产生触控感应信号的触控电极结构22。
步骤S03：参阅图4、图7、图8、图9，本步骤是通过镭射蚀刻技术，主要在触控电极结构22之间的结构体4进行镭射蚀刻，而使该结构体4凹陷形成至少一条凹沟231。本实施例虚设电极组23被凹沟231区分为多块区域后，形成多个虚设电极结构230。本步骤对凹沟231的制作过程，是由镭射依照一预定路径连续不断地蚀刻而成。
如图7，为凹沟231的第一沟部232的制作过程示意。本实施例中，凹沟231的第一沟部232是从对应左边触控电极结构22顶侧的起始点P1开始，由镭射沿A1方向朝右下方进行蚀刻，并于弯折点P2转往A2方向朝左蚀刻至弯折点P3，再依序依照A3方向、A4方向、A5方向、A6方向进行蚀刻，且依序在弯折点P4、P5、P6处改变镭射蚀刻的行进方向以到达终点P7，而使得第一沟部232形成锯齿状延伸。要特别说明的是，此处关于上、下、左、右的方位描述是配合图式的说明，不代表实际加工过程的方向。此外，根据不同的需要，镭射蚀刻的行进路径、行进方向、起始点、转折点都能对应调整，不以此处的说明内容为限。
根据上述的路径设定方式，本步骤的镭射蚀刻行进路线可以连续进行不中断，因此能够节省制程所需的时间。此外，为了达到较佳的制程效果，本实施例是采用波长1064纳米且脉冲时间介于200微秒至1000微秒之间的镭射进行蚀刻，且将蚀刻后的凹沟231的宽度控制在15微米至40微米之间，并将对结构体4的蚀刻深度控制在200微米至1000微米之间。而且，根据结构体4的材质、厚度不同，镭射的能量可对应进行设定，例如当结构体4的材质为纳米银时，镭射的较佳蚀刻能量介于5瓦至10瓦之间；当结构体4的材质为银浆时，镭射的较佳蚀刻能量介于8瓦至13瓦之间。关于上述制程参数的设定，主要是考虑整体加工速度及成品的性能、良率。例如，若凹沟231的宽度小于15微米，则凹沟231两侧的结构体4容易形成短路，而影响触控装置1的性能。而蚀刻深度的控制，则反应在制造时间及成品完整性上，若镭射单次蚀刻深度小于200微米，则同处可能需要施以多次蚀刻处理，才能完成凹沟231的制作，而导致制造时间的增加；但如果镭射单次蚀刻深度大于1000微米，则有可能导致蚀刻深度控制不易，在镭射对结构体4进行蚀刻时，产生损伤基板21的风险。此外，根据镭射加工技术的特性，由于镭射束行进至各个弯折处时，其行进速度必须减缓，所以在弯折处会产生较长的蚀刻时间。因此，本实施例透过适度控制镭射的蚀刻能量及单发镭射脉冲的脉冲时间，能避免镭射在弯折处的因蚀刻时间过长或能量过强，而伤及结构体4底下的基板21。关于基板21的损伤认定标准，由于镭射蚀刻至基板21时会让基板21表面产生微小气泡，因此本实施例是以基板21是否产生气泡或由气泡的大小认定基板21是否受损。例如，当气泡的尺寸小于30微米时，由于该尺寸的气泡不易由肉眼察觉，因此可以判定为在合格的加工标准内。然而，此处界定的判定标准仅为本实施例的说明，并不以此为限。
另一方面，如图9，完成上述第一沟部232的制作过程后，前述雷射蚀刻程序还能接续进行，执行第二沟部233的制作。此处，第二沟部233是以第一沟部232完成后的终点P7作为起点，镭射接续地转往往A7方向朝右上方行进至弯折点P8，且随后沿A8、A9、A10方向，依序在弯折点P9、P10行进，并最后在终点P11处停止，而完成第二沟部233的制作，并将虚设电极组23切分为多个更小的区域。其中，第二沟部233的镭射蚀刻的制程参数与第一沟部232相同，而能达成最佳的制作质量。
要说明的是，本实施例中，由于第一沟部232与第二沟部233有部分位置相交，所以在步骤S03中，相交处的结构体4会受到两次镭射蚀刻处理。为了避免在第一沟部232、第二沟部233相交处的两次镭射蚀刻处理伤及该处的基板21，本实施例透过适当的镭射能量、镭射脉冲时间、镭射行进速度的控制，使得结构体4在受到两次镭射蚀刻后可以完全被清除，且底下的基板21的状态符合前述的受损判断标准。
因此，综合前述S01、S02、S03的制作步骤，本发明通过镭射对结构体4进行蚀刻，可简便地完成触控电极结构22及虚设电极组23的图形界定，相较于一般使用光刻、蚀刻制程的制作方式，可减少制作步骤，节省制程时间及成本。此外，本实施例还通过对镭射蚀刻的路线设定及制程参数设定，让镭射蚀刻的行进路线可连续进行，并可避免对基板21造成不必要的损伤，因此具有优良的制程功效。
要特别说明的是，本实施例的制作方式虽然是先进行触控电极结构22的镭射蚀刻程序(步骤S02)，再进行虚设电极组23的镭射蚀刻程序(步骤S03)，但由于上述过程中镭射蚀刻的路径都是依照一预定路径而执行，不必然存在执行上的先后关系。因此，在步骤S01后，也可以先执行步骤S03对虚设电极组23进行虚设电极结构230的结构界定，随后再执行步骤S02界定触控电极结构22。而另一方面，本实施例虽提出具体详细的镭射蚀刻行进程序及凹沟231的形状定义，但上述技术实施都能依需要而对应调整，不以本实施例提出的内容为限。
参阅图10、图11、图14、图16，为本发明触控装置1的第二实施例。此处，虚设电极组23的凹沟231虽然也是主要在触控电极结构22之间弯折延伸，但其延伸形状不同于第一实施例。
简要来说，本实施例中，虚设电极组23的凹沟231的弯折处是呈现弧形，与第一实施例的锐角有所不同。且进一步来说，上述凹沟231的弧形弯折可以呈现为如图14中第一沟部232的螺旋状的规则式弧形弯折，或是呈现如图16中第二沟部233的非规则性的弧形弯折。
以下参阅图4及相关图式，说明本实施例的触控装置1的制作方法。
步骤S01、S02：参阅图4、图12、图13，此等步骤类似第一实施例，在此不多赘述。
步骤S03：参阅图4、图14、图15、图16，本步骤是要在结构体4上，制作出由凹沟231区分为多个区域的虚设电极结构230。
首先，参阅14，本实施例制作第一沟部232时，是由左方的触控电极结构22顶侧的起始点R1开始，往B1方向朝弯折点R2以弧形曲线路径行进，随后，可依照B2-B12方向，依序通过弯折点R3-R12，最终行进至终点R13，而依照预定的路径，让第一沟部232的延伸分布呈现螺旋形状，并使其弯折处分别邻近界定所述触控电极结构22的沟槽221。在此过程中，由于镭射行进于弯折处都以弧形方式前进，此种行进方式较前述第一实施例的锐角直接弯折的方式，能维持较快的镭射行进速度，而减少制程所需的时间。且较佳地，上述弯折处的较佳半径尺寸介于50微米至250微米之间，若半径小于50微米，则该弯折处会形成类似锐角的弯折形状，使得镭射行经此处需减缓速度，且也可能因为减缓行进速度后导致蚀刻时间过长，而伤及底下的基板21。
接着，参阅图16，完成上述第一沟部232的制作之后，本实施例还连续进行凹沟231的第二沟部233的制作。此处，第二沟部233是从左方的触控电极结构22底侧的起始点R13开始，沿B13方向往右上方弯曲行进至弯折点R14，随后再由R14依序沿B14、B15方向，于通过弯折点R15后，最终于终点R16停止，而完成非规则状的第二沟部233的制作。在第二沟部233的制作过程中，镭射行进至各个弯折点时，仍是保持以弧形的方式弯折前进，因此可以保持一定的前进速度，有效控制制程时间并避免对基板21产生损伤。
类似于前述第一实施例，本实施例的步骤S02、S03的执行顺序可以视需要而对调，且凹沟231的延伸形状可视需要而设定为如第一沟部232的螺旋状或如第二沟部233的非规则弯曲曲线，只要保持在转折处以弧形方式前进的设定方式即可。
综合前述两个实施例，本发明的触控装置1是以镭射蚀刻方式制作，并于虚设电极组23上由凹沟231切割为多个区域，具有良好的装置性能。此外，本发明的制造方法采用镭射蚀刻技术，相较于使用一般光刻、蚀刻制程技术，能有效节省制程步骤、制程时间及成本。进一步来说，本发明的制造方法透过对镭射蚀刻行径路径、制程参数的适当设定，能进一步提升通过镭射蚀刻制作触控装置1或各式装置的效能。因此本发明的触控装置1及其制作方法，确实能达成本发明的目的。
惟以上所述者，仅为本发明的较佳实施例而已，不能以此限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求及专利说明书内容所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。

Claims (25)

1.一种触控装置，其特征在于，该触控装置包含：
至少一个感应单元，该感应单元包括
一基板，具有电绝缘性及透光性；
多个触控电极结构，相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘，该些触控电极结构是分别由一沟槽所界定；及
至少一个虚设电极组，设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，该虚设电极组形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟且包括多个由该凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的该些触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。
2.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折处的角度为锐角。
3.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
4.根据权利要求3所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的弯折分别位在邻近所述触控电极结构的位置。
5.根据权利要求3所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折位在邻近所述触控电极结构的位置，该第二沟部的弯折位在所述触控电极结构之间。
6.根据权利要求5所述的触控装置，其特征在于：该凹沟的第一沟部与第二沟部相互交错而呈交叉网状。
7.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的弯折呈弧形。
8.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟形成多个弯折，且该凹沟的弯折分别位于邻近所述触控电极结构的位置。
9.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
10.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于：该凹沟的弧形弯折的半径介于50微米至250微米之间。
11.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该凹沟的宽度介于15微米至40微米之间。
12.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该凹沟是形成在所述沟槽之间。
13.一种触控装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包含以下步骤：
步骤(A)在一基板上制作一结构体；
步骤(B)对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成至少一条凹沟，该凹沟由该结构体的顶面贯穿至该基板，且延伸形成至少一个弯折，并由镭射依照一预定路径连续不断地蚀刻而制成，以形成包括多个由该凹沟分隔界定的虚设电极结构的虚设电极组；及
在该步骤(A)与该步骤(B)之间或在该步骤(B)之后还包含一步骤(C)：对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成两条相互间隔的沟槽，所述沟槽分别由该结构体的顶面贯穿至该基板，且分别形成一封闭形状，而对该结构体界定出两个触控电极结构。
14.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：该凹沟是形成在所述沟槽之间。
15.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。
16.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
17.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折，该凹沟的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽。
18.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽，该第二沟部的弯折位在所述沟槽之间。
19.根据权利要求18所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟的该第一沟部与该第二沟部是由镭射连续地蚀刻而成，且该第一沟部与该第二沟部相互交错而呈交叉网状。
20.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)该凹沟的弯折呈弧形。
21.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)该凹沟形成多个呈弧形的弯折，且该凹沟的弯折分别邻近界定所述触控电极结构的沟槽。
22.根据权利要求20所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)该凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
23.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于步骤(B)该镭射蚀刻的能量介于5瓦至13瓦之间。
24.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于步骤(B)该镭射蚀刻的深度介于200微米至1000微米之间。
25.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于步骤(B)该镭射对该结构体进行蚀刻的脉冲时间介于200微秒至1000微秒之间。
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