JP5812895B2 - 近接検出装置、近接検出方法、電子機器 - Google Patents

Description

本開示は、表示面に近接操作検出部が重畳配置された近接検出装置と、その近接検出方法、及び近接検出装置を備えた電子機器に関する。

特開２０１１−１３８１５４号公報 特開２００７−２６４３９３号公報

例えば液晶表示パネル等の表示面において、画面上への指やペン等での接触や接近を検出する近接検出部を設け、いわゆるタッチセンサ付き表示装置を構成することが広く知られている。
なお本明細書では、「タッチ」又は「近接」と言う言葉を用いるが、これらはいずれも「接触」と「接近」の両方を含む意味で用いることとする

タッチセンサ付き表示装置では、タッチ検出のため、透明電極として検出電極及び駆動電極を表示画面に重畳して配置するが、透明電極は完全な透明ではないところ、表示画像品質を保つために透明電極パターンの不可視化が要請される。
上記特許文献１には、不可視化を向上させる技術が開示されている。
また表示画像品質向上のためにプリズム配列と画素配列の干渉によるモアレを防止する技術が、上記特許文献２に開示されている。

タッチセンサ付き表示装置では、モアレの軽減が要請されるが、表示パネルの画素ピッチとタッチセンサ用の透明電極パターンピッチとの干渉によっても明暗模様（モアレ縞）が発生する。特に、パネル画素レイアウトにおいて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素にＷ（白）画素が加わった場合、白画素の影響で輝度明暗が強くなり、モアレ縞が強調される傾向にある。
さらにタッチセンサ特性（タッチ検出感度）、および透明電極の不可視化の維持や向上も要請される。

本開示では、パネル画素とタッチセンサ用透明電極パターンピッチとの干渉により発生するモアレ縞を軽減させながら、透明電極のタッチセンサ特性および不可視化を維持することを目的とする。

本開示の近接検出装置は、複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記透明電極を形成する導電膜パターンは、その線状パターンのピッチが、上記画素電極の一方向の配置ピッチ以下のピッチとされている近接操作検出部とを備える。
また本開示の電子機器は、以上の近接検出装置を備える。
また本開示の近接検出方法は、複数の画素電極が行列配置された表示画像面に対して重畳される位置に、近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面が形成された近接検出装置において、線状パターンのピッチが、上記画素電極の一方向の配置ピッチ以下のピッチとされた導電膜パターンによる上記透明電極を用いて近接操作を検出する。

本開示の他の近接検出装置は、複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記透明電極を形成する導電膜パターンには、斑点状の非導電部が形成されている近接操作検出部とを備える。
また本開示の電子機器は、以上の近接検出装置を備える。
また本開示の近接検出方法は、複数の画素電極が行列配置された表示画像面に対して重畳される位置に、近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面が形成された近接検出装置において、斑点状の非導電部が形成されている導電膜パターンによる上記透明電極を用いて近接操作を検出する。

本開示のさらに他の近接検出装置は、複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記透明電極を形成する導電膜パターンは、屈折線又は波状線が連続するパターンとされている近接操作検出部とを備える。
また本開示の電子機器は、以上の近接検出装置を備える。
また本開示の近接検出方法は、複数の画素電極が行列配置された表示画像面に対して重畳される位置に、近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面が形成された近接検出装置において、屈折線又は波状線が連続する導電膜パターンとされた上記透明電極を用いて近接操作を検出する。

以上の本開示では、透明電極を形成する導電膜パターンとしての線状パターンの狭ピッチ化、又は斑点状の非導電部の形成、又は屈折線又は波状線が連続するパターン化を行う。

本開示によれば、透明電極を形成する導電膜パターンとしての線状パターンの狭ピッチ化、又は斑点状の非導電部の形成、又は屈折線又は波状線が連続するパターン化により、モアレ軽減とともに、タッチ検出感度と不可視化の維持や向上を実現できる。

本開示の実施の形態に関わるタッチセンサ部の動作の説明図である。 実施の形態に関わるタッチセンサ部の動作の説明図である。 実施の形態に関わるタッチセンサ部の入出力波形の説明図である。 実施の形態の液晶表示装置の構造の説明図である。 実施の形態の液晶表示装置の画素の等価回路図である。 実施の形態の液晶表示装置の画素配置の説明図である。 第１の実施の形態の検出電極の導電膜パターンの説明図である。 第１の実施の形態の検出電極の導電膜の線状パターンピッチの説明図である。 第１の実施の形態の検出電極の導電膜の線状パターンピッチの説明図である。 第２の実施の形態の検出電極の導電膜パターンの説明図である。 第３の実施の形態の検出電極の導電膜パターンの説明図である。 第３の実施の形態の検出電極の導電膜の屈折線パターンピッチの説明図である。 第４の実施の形態の検出電極の導電膜パターンの説明図である。 第４の実施の形態の検出電極の導電膜の波状線パターンピッチの説明図である。 実施の形態の適用例の電子機器の説明図である。 実施の形態の適用例の電子機器の説明図である。 実施の形態の適用例の電子機器の説明図である。

以下、本開示の近接検出装置の実施の形態として、タッチセンサ機能を表示パネルに一体化して形成した、タッチセンサ付き液晶表示装置を説明する。説明は次の順序で行う。
＜１．タッチ検出の基本構成と動作＞
＜２．液晶表示装置の構成＞
＜３．第１の実施の形態の検出電極＞
＜４．第２の実施の形態の検出電極＞
＜５．第３の実施の形態の検出電極＞
＜６．第４の実施の形態の検出電極＞
＜７．変形例、適用例＞

＜１．タッチ検出の基本構成と動作＞

タッチセンサには検出電極と駆動電極が設けられる。例えば検出電極はパネル表面側で指等が近接する側に設けられるが、この検出電極に対し、よりパネル内部側に設けられ、検出のための静電容量を検出電極との間に形成するもう片方の電極が駆動電極である。
駆動電極は、タッチセンサ専用の駆動電極であってもよいが、より薄型化のために望ましい構成として、実施の形態の液晶表示装置では、駆動電極を、タッチセンサの走査駆動と画像表示装置のいわゆるＶＣＯＭ駆動とを同時に行う兼用電極とする例で説明する。
従って以下の説明において、液晶表示のためのコモン駆動信号ＶＣＯＭが印加される電極を対向電極と呼ぶが、この「対向電極」と、タッチセンサ駆動のための「駆動電極」は同じ電極を指し、後述の図４，図５等では「対向電極４３」、「駆動電極４３」と、同じ符号で表記する。

最初に、図１〜図３を参照して、本実施の形態の液晶表示装置におけるタッチ検出の基本を説明する。
図１Ａと図２Ａは、タッチセンサ部の等価回路図、図１Ｂと図２Ｂは、タッチセンサ部の構造図（概略断面図）である。ここで図１は、被検出物としての指がセンサに近接していない場合、図２がセンサに近接または接触している場合をそれぞれ示す。

図示するタッチセンサ部は、静電容量型タッチセンサであり、図１Ｂおよび図２Ｂに示すように容量素子からなる。具体的に、誘電体と、誘電体を挟んで対向配置する１対の電極、すなわち駆動電極Ｅ１および検出電極Ｅ２とから容量素子（静電容量）Ｃ１が形成されている。
図１Ａおよび図２Ａに示すように、容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１がＡＣパルス信号Ｓｇを発生する交流信号源Ｓに接続され、検出電極Ｅ２が電圧検出器ＤＥＴに接続される。このとき検出電極Ｅ２は抵抗Ｒを介して接地されることで、ＤＣレベルが電気的に固定される。

交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１に所定の周波数、例えば数［ｋＨｚ］〜数十［ｋＨｚ］程度のＡＣパルス信号Ｓｇを印加する。このＡＣパルス信号Ｓｇの波形図を図３Ｂに例示する。
すると検出電極Ｅ２に、図３Ａに示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ）が現れる。
なお、上記のとおり本実施の形態では、駆動電極Ｅ１が液晶駆動のための対向電極（画素電極に対向する、複数画素で共通の電極）に相当する例とする。対向電極は液晶駆動のため、いわゆるＶｃｏｍ反転駆動と称される交流駆動がなされる。よって、本実施の形態では、Ｖｃｏｍ反転駆動のためのコモン駆動信号Ｖｃｏｍを、駆動電極Ｅ１をタッチセンサのために駆動するＡＣパルス信号Ｓｇとしても用いる。

指を近接させていない図１に示す状態では、容量素子Ｃ１の駆動電極Ｅ１が交流駆動され、その充放電にともなって検出電極Ｅ２に交流の検出信号Ｖｄｅｔが出現する。以下、このときの検出信号を「初期検出信号Ｖｄｅｔ０」と表記する。
検出電極Ｅ２側はＤＣ接地されているが高周波的には接地されていないため交流の放電経路がなく、初期検出信号Ｖｄｅｔ０のパルス波高値は比較的大きい。ただし、ＡＣパルス信号Ｓｇが立ち上がってから時間が経過すると、初期検出信号Ｖｄｅｔ０のパルス波高値が損失のため徐々に低下している。
図３Ｃに、スケールとともに波形を拡大して示す。初期検出信号Ｖｄｅｔ０のパルス波高値は、初期値の２．８［Ｖ］から高周波ロスによって僅かな時間の経過で０．５［Ｖ］ほど、低下している。

この初期状態から、指が検出電極Ｅ２に接触、または、影響を及ぼす至近距離まで接近すると、図２Ａに示すように、検出電極Ｅ２に容量素子Ｃ２が接続された場合と等価な状態に回路状態が変化する。これは、高周波的に人体が、片側が接地された容量と等価になるからである。
この接触状態では、容量素子Ｃ１とＣ２を介した交流信号の放電経路が形成される。よって、容量素子Ｃ１とＣ２の充放電に伴って、容量素子Ｃ１，Ｃ２に、それぞれ交流電流が流れる。そのため、初期検出信号Ｖｄｅｔ０は、容量素子Ｃ１とＣ２の比等で決まる値に分圧され、パルス波高値が低下する。

図３Ａおよび図３Ｃに示す検出信号Ｖｄｅｔ１は、この指が接触したときに検出電極Ｅ２に出現する検出信号である。図３Ｃから、検出信号の低下量は０．５［Ｖ］〜０．８［Ｖ］程度であることが分かる。
図１および図２に示す電圧検出器ＤＥＴは、この検出信号の低下を、例えば閾値Ｖｔｈを用いて検出することにより、指の接触を検出する。

＜２．液晶表示装置の構成＞

実施の形態の液晶表示装置の構造を図４〜図６で説明する。
図４Ａ〜図４Ｃは、液晶表示装置１の電極と、その駆動や検出のための回路の配置に特化した平面図である。また、図４Ｄに、液晶表示装置１の概略的な断面構造を示す。図４Ｄは、例えば行方向（画素表示ライン方向）の６画素分の断面を表している。
また図５は、液晶表示装置１において行列方向にマトリクス状に形成される画素ＰＩＸの等価回路図である。
また図６は画素電極の配置状態を示している。

各画素ＰＩＸは、図５に示すように、画素のセレクト素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；thin film transistor、以下、ＴＦＴ２３と表記）と、液晶層６の等価容量Ｃ６と、保持容量（付加容量ともいう）Ｃｘとを有する。液晶層６を表す等価容量Ｃ６の一方側の電極は、画素ごとに分離されてマトリクス配置された画素電極２２であり、他方側の電極は複数の画素で共通な対向電極４３である。

ＴＦＴ２３のソースとドレインの一方に画素電極２２が接続され、ＴＦＴ２３のソースとドレインの他方に信号線ＳＩＧが接続されている。信号線ＳＩＧは不図示の信号線駆動回路に接続され、信号電圧を持つ映像信号が信号線ＳＩＧに信号線駆動回路から供給される。
対向電極４３には、コモン駆動信号Ｖｃｏｍが与えられる。コモン駆動信号Ｖｃｏｍは、中心電位を基準として正と負の電位を、１水平期間（１Ｈ）ごとに反転した信号である。
対向電極４３は複数の画素ＰＩＸで共通な電極であり、画素ごとの階調表示のための信号電圧に対し、基準電圧を付与するコモン駆動信号Ｖｃｏｍが印加される。
ＴＦＴ２３のゲートは行方向、即ち表示画面の横方向に並ぶ全ての画素ＰＩＸで電気的に共通化され、これにより走査線ＳＣＮが形成されている。走査線ＳＣＮには、不図示の走査線駆動回路から出力され、ＴＦＴ２３のゲートを開閉するためのゲートパルスが供給される。そのため走査線ＳＣＮはゲート線とも称させる。

図５に示すように、保持容量Ｃｘが等価容量Ｃ６と並列に接続されている。保持容量Ｃｘは、等価容量Ｃ６では蓄積容量が不足し、ＴＦＴ２３のリーク電流などによって書き込み電位が低下するのを防止するために設けられている。また、保持容量Ｃｘの追加はフリッカ防止や画面輝度の一様性向上にも役立っている。

図６は、画素電極２２の配置を示している。
図６に示すように、行方向（ｘ方向）の平行ストライプ状に配置された複数のゲート線（走査線ＳＣＮ：図５参照）と、列方向（ｙ方向）の平行ストライプ状に配置された複数の信号線ＳＩＧとが交差している。任意の２本の走査線ＳＣＮと任意の２本の信号線ＳＩＧに囲まれた矩形領域が（サブ）画素ＰＩＸを規定している。各画素ＰＩＸより僅かに小さい矩形孤立パターンに画素電極２２が形成されている。このように複数の画素電極２２は、行列状の平面配置となっている。

このような画素が配置された液晶表示装置１は、図４Ｄの断面構造（ｚ方向の構造）で見ると、断面に現れない箇所で図５に示すＴＦＴ２３が形成され画素の駆動信号（信号電圧）が供給される基板（以下、駆動基板２という）と、駆動基板２に対向して配置された対向基板４と、駆動基板２と対向基板４との間に配置された液晶層６とを備えている。

なお本例の液晶表示装置１は、液晶表示駆動のために、液晶層６を挟んで対向する画素電極２２と対向電極４３が設けられるとともに、タッチセンサ駆動のために検出電極４４と駆動電極（＝対向電極）４３が設けられる。
図４Ｄでは断面構造を見易くするために、対向電極（駆動電極）４３、画素電極２２および検出電極４４についてはハッチングを付すが、それ以外の部分（基板、絶縁膜および機能膜等）についてはハッチングを省略している。
表示機能を実現する部位として、駆動基板２、液晶層６、対向電極４３、カラーフィルタ４２で、請求項にいう表示部が形成される。
またタッチセンサ機能を実現する部位として、対向基板４（駆動電極４３、検出電極４４等）、検出部８、検出駆動走査部９により、請求項にいう近接操作検出部が形成される。

駆動基板２は、図５のＴＦＴ２３が形成された回路基板としてのＴＦＴ基板２１と、このＴＦＴ基板２１上にマトリクス配置された複数の画素電極２２とを有する。
ＴＦＴ基板２１の基板ボディ部はガラス等からなる。ＴＦＴ基板２１に、各画素電極２２を駆動するための図示しない表示ドライバ（信号線駆動回路、走査線駆動回路等）が形成されている。また、ＴＦＴ基板２１に、図５に示すＴＦＴ２３、ならびに、信号線ＳＩＧおよび走査線ＳＣＮ等の配線が形成されている。ＴＦＴ基板２１に、タッチ検出動作のための検出回路が形成されていてもよい。

対向基板４は、ガラス基板４１と、このガラス基板４１の一方の面に形成されたカラーフィルタ４２と、カラーフィルタ４２の上（液晶層６側）に形成された対向電極４３とを有する。
カラーフィルタ４２は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタ層を周期的に配列して構成したもので、画素ＰＩＸ（画素電極２２）ごとにＲ、Ｇ、Ｂの３色の１色が対応付けられている。なお、１色が対応付けられている画素をサブ画素といい、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色のサブ画素を画素という場合があるが、ここではサブ画素も画素ＰＩＸと表記する。
また、Ｒ、Ｇ、Ｂに加えて白（Ｗ）画素を設ける場合もあり、その場合、カラーフィルタ４２では４色に対応したフィルタ配置状態となる。

対向電極４３は、タッチ検出動作を行うタッチセンサの一部を構成するセンサ駆動電極としても兼用されるものであり、図１および図２における駆動電極Ｅ１に相当する。
対向電極（駆動電極）４３は、コンタクト導電柱７によってＴＦＴ基板２１と連結されている。このコンタクト導電柱７を介して、ＴＦＴ基板２１から対向電極４３に交流パルス波形のコモン駆動信号Ｖｃｏｍが印加されるようになっている。このコモン駆動信号Ｖｃｏｍは、図１および図２の駆動信号源Ｓから供給されるＡＣパルス信号Ｓｇに相当する。

ガラス基板４１の他方の面（表示面側）には、検出電極４４が形成され、さらに、検出電極４４の上には、保護層４５が形成されている。
検出電極４４は、タッチセンサの一部を構成するもので、図１および図２における検出電極Ｅ２に相当する。ガラス基板４１に、後述するタッチ検出動作を行う検出回路が形成されていてもよい。

液晶層６は、表示機能層であり、印加される電界の状態に応じて厚さ方向（電極の対向方向）を通過する光を変調する。液晶層６は、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）、ＶＡ（垂直配向）、ＥＣＢ（電界制御複屈折）等の各種モードの液晶材料が用いられる。

なお、液晶層６と駆動基板２との間、および液晶層６と対向基板４との間には、それぞれ配向膜が配設される。また、駆動基板２の反表示面側（即ち背面側）と対向基板４の表示面側には、それぞれ偏光板が配置される。これらの光学機能層は、図４で図示を省略している。

駆動電極４３と検出電極４４は、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、互いに直交する方向で分割されている。
図４Ａは駆動電極４３の配設状態、図４Ｂは検出電極４４の配設状態であり、図４Ｃは、これらを合わせて示したものである。

駆動電極４３は、図４Ａに示すように、画素配列の行または列、本例では列の方向（図のｙ方向）に分割されている。この分割の方向は、表示駆動における画素ラインの走査方向、すなわち不図示の走査線駆動回路が走査線ＳＣＮを順次活性化していく方向と対応する。
分割された駆動電極４３として所定数ｎ本の駆動電極４３＿１、４３＿２、・・・４３＿ｍ、・・・４３＿ｎが配置されている。ここで“ｍ”は“ｎ”より小さい２以上の整数である。
駆動電極４３＿１〜４３＿ｎは、行方向（ｘ方向）に伸びた比較的細い幅の帯形状を有し、互いに平行に配置されている。ここで、液晶表示装置に付加されるタッチセンサとして、駆動電極４３の幅（ｙ方向のサイズ）は液晶表示装置の画素サイズとは無関係に規定できる。駆動電極４３の幅を小さくすればするほど検出精度あるいは物体検出の解像度は高くなる。

ｎ分割された駆動電極４３＿１〜４３＿ｎは、ｍ（２≦ｍ＜ｎ）本単位が同時に駆動される。
同時駆動される駆動電極４３の束を、交流駆動電極ユニットＥＵと表記する。本実施の形態では、１つの交流駆動電極ユニットＥＵが包含する駆動電極の数は一定の数ｍとする。また、駆動電極の組み合わせを一部重複しつつ変えながら、交流駆動電極ユニットＥＵが列方位にステップ状にシフトする。
シフトの方向は図４Ａ〜図４Ｃのｙ方向であり、この方向を走査方向と言う。また、連続した駆動電極の束として選択される駆動電極の組み合わせを一方にずらす動作を走査と称する。

走査では、シフトごとに交流駆動電極ユニットＥＵとして選択される対向電極の組み合わせが変化する。
このとき、１回のシフトの前後で行われる連続する２回の選択で、１つ以上の駆動電極が重複して選択される。シフト量を駆動電極の数で表わすと、そのシフト量の範囲が１以上で（ｍ−１）以下の駆動電極数に対応する。

このような駆動電極の交流駆動電極ユニットＥＵを単位とする交流駆動の動作と、そのシフト動作は検出駆動走査部９により行われる。
ここでシフト量を最小の駆動電極１個分とすると、検出精度や被検出物の解像度を最も高くできるため望ましい。以下、この望ましい最小のシフト量を前提とする。この前提の下における検出駆動走査部９の動作は、「ｍ本の駆動電極４３を同時に交流駆動する駆動信号源Ｓ（図１および図２参照）を列方向に移動して、選択する駆動電極４３を１つずつ変えながら列方向に走査する動作」に等しいとみなせる。図４Ａと図４Ｃで駆動信号源Ｓから矢印を引いているのは、この信号源の走査を模式的に示すものである。

これに対し図４Ｂに示すように検出電極４４は、駆動電極４３とは直交するｙ方向に長い平行ストライプ配置であって、ｘ方向に所定数ｋ個に分割された導電膜から形成されている。それぞれを検出電極４４＿１〜４４＿ｋとして示している。
このように配置されたｋ本の検出電極４４＿１〜４４＿ｋの一方端に、検出部８が接続されている。検出部８は、図１および図２に示す「検出回路」としての電圧検出器ＤＥＴを基本検出単位とする。
ｋ個の検出電極４４＿１〜４４＿ｋのそれぞれが、検出部８の対応する電圧検出器ＤＥＴに接続されている。よって、各検出線からの検出信号Ｖｄｅｔ（図３参照）が、電圧検出器ＤＥＴで検出可能となっている。

以上の図４Ａ〜図４Ｃに示した駆動電極４３及び検出電極４４の配列パターンは、図６に示したようにマトリクス状に配列される画素ＰＩＸにより形成される表示画像面に重畳的に配設されるものとなる。
駆動電極４３及び検出電極４４や、画素電極２２は、それぞれ透明電極とされ、例えばＩＴＯ、ＩＺＯ、或いは有機導電膜などで形成される。

＜３．第１の実施の形態の検出電極＞

以上の構成の液晶表示装置１における第１の実施の形態としての検出電極４４の導電膜パターンについて説明する。
まず図７Ａに、検出電極４４の導電膜パターンの例を示す。ここでは、図４に示した検出電極４４＿１〜４４＿ｋのうちの、或る２本の検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１の部分を示している。なお図示の都合上、検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１は、電極幅方向を拡大し、長手方向を縮小したものである。

図７Ａにおいて、着色した部分が導電膜ｅが形成されている部分であり、非着色の部分は導電膜が形成されていない部分（以下、スリットＳＬと呼ぶ）である。
そして図示のように、検出電極４４を形成する導電膜パターンとしては、上述の検出部８に電気的に接続されて実際に電極として機能する電極パターン部（つまり検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１となる部分）と、電極として機能しないが導電膜ｅが形成されているダミーパターン部ｄｍｐを有する。

１つの検出電極４４＿ｑとなる部分を図７Ｃに抽出して示している。図示のように１つの検出電極４４＿ｑは、ロの字状の導電膜とされる。検出電極４４＿１〜４４＿ｋのそれぞれは、このロの字状の導電膜として形成され、それぞれの端部が上述した検出部８の対応する電圧検出器ＤＥＴに接続されている。
そして検出電極４４＿ｑは、ロの字状の両側、つまり実際に図４Ｂのようにｙ方向に延伸される部分は、所要数のスリットＳＬが形成された導電膜パターンとなっている。図７Ｂには、ロの字状の導電膜パターンの一部にスリットＳＬが形成されている部分を拡大して示している。

また、ロの字状の内側と、隣り合うロの字状パターンの間に設けているダミーパターン部ｄｍｐにもスリットＳＬが形成されている。
ダミーパターン部ｄｍｐを設けていることや、検出電極４４＿１〜４４＿ｋ及びダミーパターン部ｄｍｐとなる導電膜ｅのパターンにスリットＳＬを設けることは次の理由による。

まず検出電極４４は透明電極として形成されるが、完全な透明ではない。そこで、表示画像となる光の透過率を上げるために、導電膜ｅが存在しない部分を設けるようにしたい。
一方で、タッチ検出感度の観点から、ロの字状パターンの部分について抵抗値が上がることは好ましくない。つまりロの字状パターン部分に導電膜ｅが存在しない部分をやたらに設けることは、タッチ検出感度の観点から避ける方がよい。
これらを勘案すると、抵抗値をなるべく上げないように、ロの字状パターン部分に線状の導電膜ｅを形成しつつ、非導電部をつくることがよい。すると、ロの字状パターン部分は図７Ｃのように、導電膜ｅの存在しないスリットＳＬを形成して光透過率を上げ、かつ導電膜ｅの線状パターンを確保して電極として抵抗値を低く維持するものとしている。

さらに、図７Ｃのようなロの字状パターン部分のみを形成すると、検出電極４４＿１〜４４＿ｋの不可視化という点で不利となる。
つまり導電膜ｅが形成される検出電極４４＿１〜４４＿ｋの部分と、各検出電極間の非導電膜部分の差が視認されやすくなり、電極の不可視化が保てない。
そこで、ロの字状パターンの内側、及び検出電極４４＿１〜４４＿ｋの間隔部分に、ダミーパターン部ｄｍｐを形成する。このダミーパターン部ｄｍｐには、ロの字状パターン部分と同様にスリットＳＬを形成し、全体として、導電膜ｅ（検出電極４４＿１〜４４＿ｋの形成面全体）について、不可視化を向上させるようにしている。

図７のような検出電極４４＿１〜４４＿ｋの導電膜パターンにより、検出特性と不可視化の維持又は向上が可能となるが、さらに本実施の形態では、モアレ軽減を実現する。
図８Ａ、図８Ｂは、導電膜ｅの部分を、画素電極２２との配置位置関係について模式的に示したものである。
図示する導電膜ｅの部分は、図７Ａの検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１の部分（ロの字状パターン部分）、或いはダミーパターン部ｄｍｐの部分のいずれにも対応する部分として示している。つまりスリットＳＬによって分割された線状の導電膜ｅが形成された領域の一部を示している。
また画素電極２２については、Ｒ、Ｇ、Ｂの各サブピクセルの配置状態としてＲ、Ｇ、Ｂを付した破線で示している。

図８Ａは、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）の配置ピッチＰｇより大きいピッチとされている場合を示している。
例えば線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の配置ピッチＰｇの自然数倍（図では３倍）のピッチで分離配置されている。
ところがこの場合、駆動電極４３（又はダミーパターン部ｄｍｐ）を形成する導電膜ｅの線状パターンと、画素パターンとが干渉して、人の目に視認出来るモアレ縞として現れることがある。

そこで本実施の形態では、図８Ｂに示すように、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）のピッチＰｇ以下となるようにする。
駆動電極４３（又はダミーパターン部ｄｍｐ）を形成する導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅを、サブピクセルのピッチＰｇ以下に狭ピッチ化することで、モアレ縞がほぼ視認できなくすることができた。
なお、この場合、線状パターンのピッチＰｅを、サブピクセルのピッチＰｇ以下に狭ピッチ化するだけでなく、線状パターンのピッチが、サブピクセルのピッチＰｇの１／１、１／２、１／３・・・というように自然数で割った値とはならないようにすることが、さらにモアレ軽減の点で好ましい。
つまりモアレ縞を軽減するのは、導電膜ｅの線状パターンピッチを狭くし、人の導電膜ｅのパターンの視認性を低減させることと、画素電極パターンとの規則性を弱め、干渉を分散させることが有効である。

ところで、画素ＰＩＸとして、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色を設ける構成の場合、白画素の影響で輝度明暗が強くなり、モアレ縞がＲ、Ｇ、Ｂ３色の場合より強調される。
そこで、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色の場合にも本実施の形態の適用は好適である。
図９Ａ、図９Ｂは、上記図８と同様に、導電膜ｅの部分を、画素電極２２との関係で模式的に示している。
また画素電極２２としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの各サブピクセルの配置状態をＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗを付した破線で示している。

図９Ａは、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）のピッチＰｇより大きいピッチとされている場合である。
そして例えば線状パターンのピッチＰｅが、画素のピッチＰｇの自然数倍（図では３倍）のピッチで分離配置され、例えばＢ画素部分とＷ画素部分にスリットＳＬが位置するようにされている。
ところがこの場合、モアレ縞が目立つようになってしまう。

そこで本実施の形態として、図９Ｂに示すように、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）のピッチＰｇ以下となるようにする。
好ましくは、線状パターンのピッチＰｅを、サブピクセルのピッチＰｇを自然数で割った値とはならないようにする。
このようにすることで、４色画素構成の場合でも、モアレ縞を目立たなくすることができる。

＜４．第２の実施の形態の検出電極＞

第２の実施の形態としての検出電極４４＿１〜４４＿ｋ部分の導電膜パターンを図１０で説明する。
図１０は、先の図７Ａと同様に、検出電極４４＿１〜４４＿ｋにおける或る検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１の部分の導電膜ｅのパターンを示したものである。
検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１がロの字状パターンとされ、またダミーパターン部ｄｍｐが形成されることは同様である。

この第２の実施の形態では、導電膜ｅ上に、上述したスリットＳＬではなく、斑点状の非導電部ｄｔが形成されるようにする。
この図の例では、斑点状の非導電部ｄｔは、導電膜ｅ上にランダムな位置で形成されるものとしている。

このように第２の実施の形態では、検出電極４４＿１〜４４＿ｋ（及びダミーパターン部ｄｍｐ）としての導電膜パターンが、画素電極ピッチと干渉しにくい（干渉する箇所を減らす）ように、ランダムな斑点状の非導電部ｄｔを配置するものである。これによりモアレ縞の軽減を実現する。
その上で、検出電極４４＿１〜４４＿ｋとしてのロの字状パターンにおける導電膜ｅの面積を増やし、抵抗値を下げ、センサ検出特性を第１の実施の形態よりも向上させる。
またロの字状パターンの内側及び隣り合う検出電極４４間にダミーパターン部ｄｍｐを設け、そのダミーパターン部ｄｍｐにも、検出電極４４＿１〜４４＿ｋとしてのロの字状パターンと同様にランダムに斑点状の非導電部ｄｔを設ける。これにより検出電極４４＿１〜４４＿ｋの不可視化を維持又は向上させる。

なお、斑点状の非導電部ｄｔの面積は、モアレ低減効果を得るためにはサブピクセルの表示面積に対して、０．００２５倍以上が望ましい。
また、斑点状の非導電部ｄｔは、ランダムな配置が好適ではあるが、必ずしもランダムに配置しなくてもよい。規則性があっても画素電極パターンと干渉しにくい配置パターンであればよい。
斑点状の非導電部ｄｔの形状は、図のような正方形状に限らず、円形、楕円形、長方形、三角形、多角形、不定形など、多様に考えられる。

＜５．第３の実施の形態の検出電極＞

第３の実施の形態としての検出電極４４＿１〜４４＿ｋ部分の導電膜パターンを図１１、図１２で説明する。これは導電膜パターンを屈折線が連続するパターンとした例である。

図１１Ａは、先の図７Ａと同様に、検出電極４４＿１〜４４＿ｋにおける或る検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１の部分の導電膜ｅのパターンを示したものである。
検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１がロの字状パターンとされ、またダミーパターン部ｄｍｐが形成されることは同様である。

この第３の実施の形態では、導電膜ｅ上に、屈折線状のスリットＳＬを形成し、これによって導電膜ｅが屈折線状のパターンとなるようにする。
導電膜ｅが屈折線状となることで、画素電極パターンとの干渉が軽減され、モアレ軽減が実現される。
その上で、検出電極４４＿１〜４４＿ｋとしてのロの字状パターンにおける導電膜ｅを直線に近い状態に維持することで、抵抗値を低くとどめ、センサ検出特性を維持する。
さらに、ロの字状パターンの内部及び間隙部にダミーパターン部ｄｍｐを設け、そのダミーパターン部ｄｍｐにも、検出電極４４＿１〜４４＿ｋとしてのロの字状パターンと同様に屈折線状のスリットＳＬを形成し、導電膜ｅが屈折線状のパターンとなるようにすることで、検出電極４４＿１〜４４＿ｋの不可視化をはかる。

ここで、屈折線状とされた導電膜ｅのピッチＰｅは、図１２Ａ、図１２Ｂのいずれの例も考えられる。
図１２Ａ、図１２Ｂは、上記図９と同様に、導電膜ｅの部分を、画素電極２２との関係で模式的に示している。画素電極２２としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの各サブピクセルの配置状態をＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗを付した破線で示している。

図１２Ａは、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの屈折線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）の配置ピッチＰｇより大きいピッチとされている場合である。
先に第１の実施の形態では、導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅが、画素のピッチＰｇより大きい場合、モアレ縞が目立つようになると述べたが、第３の実施の形態の場合、導電膜ｅが屈折線状のパターンとされていることで、画素電極２２のパターンとの干渉が抑えられる。これによってＰｅ＞Ｐｇの場合でも、モアレ軽減効果は得られる。

一方図１２Ｂは、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの屈折線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）の配置ピッチＰｇ以下となるようにした例である。
好ましくは、屈折線状パターンのピッチＰｅを、サブピクセルのピッチＰｇを自然数で割った値とはならないようにする。
このように屈折線状パターンのピッチＰｅを、ピッチＰｇ以下に狭ピッチ化することや、サブピクセルパターンとの規則性を弱めることは、さらにモアレ軽減効果を高くできるものとなる。

なお図１１Ｂには、屈折線状の導電膜ｅのパターンの一部を拡大して示しているが、屈折線を形成する角度θとしては、適切な角度範囲がある。
まず、モアレ縞軽減効果については、
５°＜θ＜８５°
の範囲が画素電極２２のパターンとの干渉を避けやすいため適切である。
また、センサ検出特性の観点からは、導電膜パターンの部分が直線に近い方がよい。このため、
０°＜θ＜４５°
の範囲が適切である。
結局、以上の２つの角度範囲に含まれる角度範囲として、
５°＜θ＜４５°
とすることが好適となる。
例えば、θ＝１５°などとすることが望ましい。

また、モアレ軽減効果の観点、即ち画素電極２２のパターンとの干渉軽減という意味からは、１画素に相当する領域内で屈折線が形成されるように、ｙ方向の屈折線状のパターンの繰り返しが、１画素ごとに配置されるようにすることが望ましい。
例えば図１１Ｃは、ｙ方向に並ぶ画素ＰＩＸの範囲を破線で示しているが、図示のように１つの画素ＰＩＸに相当する領域で、１つの屈折線状のパターンが形成されるようにする。

＜６．第４の実施の形態の検出電極＞

第４の実施の形態としての検出電極４４＿１〜４４＿ｋ部分の導電膜パターンを図１３、図１４で説明する。これは導電膜パターンを波状線が連続するパターンとした例である。

図１３は、先の図７Ａと同様に、検出電極４４＿１〜４４＿ｋにおける或る検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１の部分の導電膜ｅのパターンを示したものである。
検出電極４４＿ｑ、４４＿ｑ＋１がロの字状パターンとされ、またダミーパターン部ｄｍｐが形成されることは同様である。

この第４の実施の形態では、導電膜ｅ上に、波状のスリットＳＬを形成し、これによって導電膜ｅが波状線（蛇行線状）のパターンとなるようにする。
導電膜ｅを波状線とすること、特に角となる部分を無くすことで、画素電極パターンとの干渉が軽減され、モアレ軽減が実現される。
その上で、検出電極４４＿１〜４４＿ｋとしてのロの字状パターンにおける導電膜ｅを直線に近い状態に維持することで、抵抗値を低くとどめ、センサ検出特性を維持する。
さらに、ロの字状パターンの内部及び間隙部にダミーパターン部ｄｍｐを設け、そのダミーパターン部ｄｍｐにも、検出電極４４＿１〜４４＿ｋとしてのロの字状パターンと同様に波状のスリットＳＬを形成し、導電膜ｅが波状線のパターンとなるようにすることで、検出電極４４＿１〜４４＿ｋの不可視化をはかる。

ここで、波状線とされた導電膜ｅのピッチＰｅは、図１４Ａ、図１４Ｂのいずれの例も考えられる。
図１４Ａ、図１４Ｂは、上記図９と同様に、導電膜ｅの部分を、画素電極２２との関係で模式的に示している。画素電極２２としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの各サブピクセルの配置状態をＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗを付した破線で示している。

図１４Ａは、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの屈折線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）の配置ピッチＰｇより大きいピッチとされている場合である。
この場合も第３の実施の形態と同様、導電膜ｅの線状パターンのピッチＰｅが、画素のピッチＰｇより大きくても、導電膜ｅが波状線のパターンとされていることで、画素電極２２のパターンとの干渉が抑えられる。これによってＰｅ＞Ｐｇの場合でも、モアレ軽減効果は得られる。

また図１４Ｂは、スリットＳＬによって分割される導電膜ｅの屈折線状パターンのピッチＰｅが、画素電極２２の一方向（ｘ方向）の配置ピッチＰｇ以下となるようにした例である。
好ましくは、屈折線状パターンのピッチＰｅを、サブピクセルのピッチＰｇを自然数で割った値とはならないようにする。
このように屈折線状パターンのピッチＰｅを、ピッチＰｇ以下に狭ピッチ化することや、サブピクセルパターンとの規則性を弱めることは、さらにモアレ軽減効果を高くできるものとなる。

＜７．変形例、適用例＞

以上、実施の形態を説明してきたが、上述した液晶表示装置は近接検出装置を有する表示装置の一例である。またタッチセンサ付きの液晶表示装置１自体の構成も一例である。
本開示は液晶表示装置だけでなく、プラズマ表示装置、有機ＥＬ表示装置等の各種の表示装置において、タッチセンサ等の近接検出機能を設ける場合に、その透明電極の導電膜パターンとして適用できる。
実施の形態ではタッチセンサ機能のための検出電極４４の例で述べたが、駆動電極４３のパターンとしても適用できる。

次に図１５〜図１７を参照して、本開示の近接検出装置、例えばタッチセンサ付き表示装置の適用例について説明する。本開示の近接検出装置は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示する表示装置を有するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

（適用例１）
図１５Ａは、実施の形態のタッチセンサ付きの液晶表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１およびフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０等を有しており、この映像表示画面部５１０は、上記実施の形態に係る液晶表示装置１により構成されている。

（適用例２）
図１５Ｂは、上記実施の形態の液晶表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５３１、文字等の入力操作のためのキーボード５３２および画像を表示する表示部５３３等を有しており、その表示部５３３は、上記実施の形態に係る液晶表示装置１により構成されている。

（適用例３）
図１５Ｃは、上記実施の形態の液晶表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５４１、この本体部５４１の前方側面に設けられた被写体撮像用のレンズ５４２、撮像時のスタート／ストップスイッチ５４３および表示部５４４等を有しており、その表示部５４４は、上記実施の形態に係る液晶表示装置１により構成されている。

（適用例４）
図１６Ａ、図１６Ｂは、上記実施の形態の液晶表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。図１７Ａは正面側、図１７Ｂは背面側の外観を示している。このデジタルカメラは、例えば、タッチパネル付きの表示部５２０、撮像レンズ５２１、フラッシュ用の発光部５２３、シャッターボタン５２４等を有しており、その表示部５２０は、上記実施の形態に係る液晶表示装置１により構成されている。

（適用例５）
図１７は、上記実施の形態の液晶表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。図１７Ａは筐体を開いた状態の操作面及び表示面、図１７Ｂは筐体を閉じた状態の上面側、図１７Ｃは筐体を閉じた状態の底面側をそれぞれ示している。図１７Ｄ、図１７Ｅは筐体を閉じた状態の上面側からと底面側からの斜視図である。
この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５０と下側筐体５５１とを連結部（ヒンジ部）５５６で連結したものであり、ディスプレイ５５２、サブディスプレイ５５３、キー操作部５５４、カメラ５５５等を有している。ディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る液晶表示装置１により構成されている。

なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
（ａ１）複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、
上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記透明電極を形成する導電膜パターンは、その線状パターンのピッチが、上記画素電極の一方向の配置ピッチ以下のピッチとされている近接操作検出部と、
を備えた近接検出装置。
（ａ２）上記導電膜パターンは、電極として機能する電極パターン部と、電極として機能しないダミーパターン部を有し、上記電極パターン部と上記ダミーパターン部の両方の導電膜パターンにおいて、線状パターンのピッチが上記画素電極の上記一方向の配置ピッチ以下のピッチとされている上記（ａ１）に記載の近接検出装置。

（ｂ１）複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、
上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記透明電極を形成する導電膜パターンには、斑点状の非導電部が形成されている近接操作検出部と、
を備えた近接検出装置。
（ｂ２）上記透明電極を形成する導電膜パターンには、斑点状の非導電部がランダムな配置で形成されている上記（ｂ１）に記載の近接検出装置。
（ｂ３）上記導電膜パターンは、電極として機能する電極パターン部と、電極として機能しないダミーパターン部を有し、上記電極パターン部と上記ダミーパターン部の両方の導電膜パターンにおいて、斑点状の非導電部が形成されている上記（ｂ１）又は（ｂ２）に記載の近接検出装置。

（ｃ１）複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、
上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための透明電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記透明電極を形成する導電膜パターンは、屈折線又は波状線が連続するパターンとされている近接操作検出部と、
を備えた近接検出装置。
（ｃ２）上記導電膜パターンは、上記屈折線又は波状線のピッチが、上記画素電極の一方向の配置ピッチ以下のピッチとされている上記（ｃ１）に記載の近接検出装置。
（ｃ３）上記導電膜パターンは、電極として機能する電極パターン部と、電極として機能しないダミーパターン部を有し、上記電極パターン部と上記ダミーパターン部の両方の導電膜パターンが、屈折線又は波状線が連続するパターンとされている上記（ｃ１）又は（ｃ２）に記載の近接検出装置。

１ 液晶表示装置、２ 駆動基板、４ 対向基板、６ 液晶層、２２ 画素電極、４３ 駆動電極、４４，４４＿１〜４４＿ｋ，４４＿ｑ，４４＿ｑ＋１ 検出電極、ｅ 導電膜、ＳＬ スリット、ｄｔ 非導電部

Claims (9)

1. 複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、
   上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記電極を形成する導電膜パターンは、屈折線が連続するパターンとされている近接操作検出部と、
   を備え、
   上記導電膜パターンは、屈折線状の第１スリットにより分割され、上記電極として機能する複数の電極パターン部と、屈折線状の第２スリットにより分割され、上記電極として機能しない複数のダミーパターン部を有し、
   上記電極パターン部と上記ダミーパターン部の両方の導電膜パターンが、それぞれ第１の直線部分と第２の直線部分を有し、上記第１の直線部分と上記第２の直線部分とが屈曲する屈折線のパターンであり、
   上記電極パターン部の上記第１の直線部分と上記第２の直線部分がなす角度と、上記ダミーパターン部の上記第１の直線部分と上記第２の直線部分がなす角度が等しい
   近接検出装置。
2. 上記導電膜パターンは、上記屈折線のピッチが、上記画素電極の一方向の配置ピッチ以下のピッチとされている請求項１に記載の近接検出装置。
3. 上記電極パターン部と、上記ダミーパターン部とは、第１方向に延びており、
   上記第１方向と異なる第２方向において、上記第１スリットの幅は、上記第２スリットの幅と同じであり、
   上記第２方向において、上記電極パターン部の幅と、上記ダミーパターン部の幅とは同じである、請求項１に記載の近接検出装置。
4. 上記電極パターン部の幅は、上記第１スリットの幅よりも大きい、請求項３に記載の近接検出装置。
5. 複数の上記電極パターン部がロの字状パターンとされ、
   上記ロの字状パターンの内部に上記ダミーパターン部が設けられる、請求項１に記載の近接検出装置。
6. 隣合う上記電極パターン部の間隙には、上記ダミーパターン部が設けられる、請求項１に記載の近接検出装置。
7. 上記電極パターン部と、上記ダミーパターン部とは、同一平面に形成される、請求項１に記載の近接検出装置。
8. 複数の画素電極が行列配置された表示画像面に対して重畳される位置に、近接操作検出のための電極が配置されて操作面が形成された近接検出装置において、屈折線が連続する導電膜パターンとされた上記電極を用いて近接操作を検出する近接検出方法であって、
   上記導電膜パターンは、屈折線状の第１スリットにより分割され、上記電極として機能する複数の電極パターン部と、屈折線状の第２スリットにより分割され、上記電極として機能しない複数のダミーパターン部を有し、
   上記電極パターン部と上記ダミーパターン部の両方の導電膜パターンが、それぞれ第１の直線部分と第２の直線部分を有し、上記第１の直線部分と上記第２の直線部分とが屈曲する屈折線のパターンであり、
   上記電極パターン部の上記第１の直線部分と上記第２の直線部分がなす角度と、上記ダミーパターン部の上記第１の直線部分と上記第２の直線部分がなす角度が等しい
   近接検出方法。
9. 近接検出装置を備え、
   上記近接検出装置は、
   複数の画素電極が行列配置された表示画像面を有する表示部と、
   上記表示画像面に対して重畳される位置に近接操作検出のための電極が配置されて操作面を形成するとともに、上記電極を形成する導電膜パターンは、屈折線が連続するパターンとされている近接操作検出部と、
   を備え、
   上記導電膜パターンは、屈折線状の第１スリットにより分割され、上記電極として機能する複数の電極パターン部と、屈折線状の第２スリットにより分割され、上記電極として機能しない複数のダミーパターン部を有し、
   上記電極パターン部と上記ダミーパターン部の両方の導電膜パターンが、それぞれ第１の直線部分と第２の直線部分を有し、上記第１の直線部分と上記第２の直線部分とが屈曲する屈折線のパターンであり、
   上記電極パターン部の上記第１の直線部分と上記第２の直線部分がなす角度と、上記ダミーパターン部の上記第１の直線部分と上記第２の直線部分がなす角度が等しい
   電子機器。

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