TW201335668A - 接近偵測器件，偵測接近之方法及電子裝置 - Google Patents

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Abstract

一種接近偵測器件包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，在顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案具有等於或小於該等像素電極之一方向上之一配置間距的一線性圖案之一間距。

Description

接近偵測器件，偵測接近之方法及電子裝置
本發明係關於一種其中一接近操作偵測單元疊加於顯示表面上之接近偵測器件，其偵測接近之方法及包括接近偵測器件之電子裝置。
舉例而言，已廣泛知曉所謂之具有觸碰感測器的顯示器件，在該顯示器件中，一偵測手指、筆及其類似者在螢幕上之接觸或靠近的接近偵測單元設在諸如液體顯示面板之顯示表面中。
在說明書中，使用術語「觸碰」及「接近」，且該等術語中之任一者用於包括「觸碰」及「靠近」兩者之意義。
在具有觸碰感測器之顯示器件中，雖然偵測電極及驅動電極經配置以疊加於顯示螢幕上作為用於觸碰偵測之一透明電極，但透明電極不完全透明，使得需要透明電極圖案難以察覺以維持顯示影像品質。
在日本未審查專利申請公開案第2011-138154號中，揭示改良透明電極圖案之難以察覺性的技術。
另外，在日本未審查專利申請公開案第2007-264393號中揭示防止由於稜鏡陣列與像素陣列之間的干涉產生之波紋(moiré)以改良顯示影像品質的技術。
雖然在具有觸碰感測器之顯示器件中需要減少波紋，但由於顯示面板之像素間距與觸碰感測器之透明電極圖案間 距之間的干涉產生對比度圖案(波紋條紋)。詳言之，當將R(紅色)、G(綠色)及B(藍色)之像素添加至面板像素佈局中之W(白色)像素時，明度對比度由於具有加重波紋條紋之趨向的白色像素之影響而變得強烈。
此外，存在維持或改良觸碰感測器性質(觸碰偵測敏感度)及透明電極之難以察覺性的需求。
在本發明中需要在減少歸因於面板像素與觸碰感測器之透明電極圖案間距之間的干涉而產生的波紋條紋的同時，維持觸碰感測器性質及透明電極之難以察覺性。
根據本發明之實施例，提供一接近偵測器件，其包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，其中以矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之透明電極經配置以在疊加於顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面且形成透明電極之導電膜圖案具有等於或小於在像素電極之一方向上之配置間距的線性圖案之間距。
根據本發明之另一實施例，提供一種包括接近偵測器件之電子裝置。
根據本發明之又一實施例，提供一種偵測接近之方法，其包括在接近偵測器件中藉由使用具有一導電膜圖案之透明電極來偵測接近操作，該導電膜圖案具有等於或小於像素電極之一方向上之配置間距的線性圖案之間距，在該接近偵測器件中用於接近操作偵測之透明電極經配置以在疊加於一顯示影像表面上的一位置處形成一操作表面，在該 顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極。
根據本發明之又一實施例，提供一接近偵測器件，其包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之透明電極經配置以在疊加於顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面且一點狀非導電部分形成於形成透明電極之一導電膜圖案中。
根據本發明之又一實施例，提供一種包括接近偵測器件之電子裝置。
根據本發明之又一實施例，提供一偵測接近之方法，其包括：在接近偵測器件中藉由使用具有一導電膜圖案之一透明電極來偵測一接近操作，在該導電膜圖案中形成一點狀非導電部分，在該接近偵測器件中用於接近操作偵測之透明電極經配置以在疊加於一顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極。
根據本發明之又一實施例，提供一接近偵測器件，其包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之透明電極經配置以在疊加於顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面且形成透明電極之一導電膜圖案為一連續彎曲線或波形線之圖案。
根據本發明之又一實施例，提供一種包括接近偵測器件之電子裝置。
根據本發明之又一實施例，提供一種偵測接近之方法，其包括：在一接近偵測器件中藉由使用具有連續彎曲線或波形線之一導電膜圖案的透明電極來偵測接近操作，在接近偵測器件中用於接近操作偵測之透明電極經配置以在疊加於一顯示影像表面上的一位置處形成一操作表面，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極。
根據本發明之實施例，當作為形成透明電極之導電膜圖案的線性圖案中之間距變窄時，形成點狀非導電部分，或圖案化連續彎曲線或波形線。
根據本發明之實施例，可能藉由使作為形成透明電極之導電膜圖案的線性圖案中之間距變窄，形成一點狀非導電部分或圖案化連續彎曲線或波形線而實現波紋減少，觸碰偵測敏感度的維持或改良，及透明電極之難以察覺性。
下文中，將描述作為本發明之接近偵測器件之實施例的具有觸碰感測器之液晶顯示器件，在該液晶顯示器件中，一觸碰感測器功能整體地形成於一顯示面板中。描述將按以下次序進行。
1.觸碰偵測之基本組態及操作
2.液晶顯示器件之組態
3.第一實施例之偵測電極
4.第二實施例之偵測電極
5.第三實施例之偵測電極
6.第四實施例之偵測電極
7.修改實例及應用實例
1.觸碰偵測之基本組態及操作
在觸碰感測器中提供一偵測電極及一驅動電極。舉例而言，在手指靠近面板表面側的一側提供偵測電極的同時，相對於偵測電極在面板之內側提供之另一電極為驅動電極，在偵測電極與該另一電極之間形成用於偵測之靜電電容。
驅動電極可為專用於觸碰感測器之驅動電極。然而，作為一所要之較薄組態，驅動電極經描述為一組合電極，其在實施例之液晶顯示器件中同時執行觸碰感測器之掃描驅動及影像顯示器件的所謂之VCOM驅動。
因此，用於液晶顯示器之共同驅動信號VCOM所施加至的電極在以下描述中稱為反電極。然而，此「反電極」指代與用於驅動觸碰感測器之「驅動電極」相同之電極，且在圖4A至圖5及其類似者中使用了類似「反電極43」及「驅動電極43」之相同參考數字。
首先，將參看圖1A至圖3C描述實施例之液晶顯示器件中的觸碰偵測之基本要素。
圖1A及圖2A為觸碰感測器單元之等效電路圖，且圖1B及圖2B為觸碰感測器單元之結構圖(示意橫截面圖)。此處，分別地，圖1A及圖1B展示作為待偵測之物件的手指未靠近感測器的狀況，且圖2A及圖2B展示手指靠近感測 器或與感測器接觸的狀況。
圖式中所示之觸碰感測器單元為靜電電容型觸碰感測器，且由如圖1B及圖2B中所示之電容元件組成。具體而言，電容元件(靜電電容)C1包括一介電體及經配置以彼此面對的一對電極(亦即，驅動電極E1及偵測電極E2)，其中介電體插入該對電極之間。
如圖1A及圖2A中所示，電容元件C1之驅動電極E1連接至一產生AC脈衝信號Sg之AC信號源S，且電容元件C1之偵測電極E2連接至一電壓偵測器DET。此時，偵測電極E2經由一電阻器R而接地，以便電固定一DC位準。
自AC信號源S將具有預定頻率之(例如，約幾[kHz]至幾十[kHz])AC脈衝信號Sg施加至驅動電極E1。AC脈衝信號Sg之波形圖在圖3B中展示為一實例。
接著，在偵測電極E2中產生如圖3A中所示之輸出波形(偵測信號Vdet)。
又，如上文描述之實施例為驅動電極E1對應於用於驅動一液晶之反電極(面對像素電極之複數個像素之共同電極)的實例。對用於驅動液晶之反電極執行稱為所謂之Vcom反向驅動的AC驅動。因此，在實施例中，用於Vcom反向驅動之共同驅動信號Vcom被用作AC脈衝信號Sg以驅動觸碰感測器之驅動電極E1。
在圖1A及圖1B中所示的手指不靠近之狀態中，對電容元件C1之驅動電極E1執行AC驅動，且根據其放電或充電在偵測電極E2中產生AC偵測信號Vdet。偵測信號此後將 表示為「初始偵測信號Vdet0」。
雖然偵測電極E2側經DC接地，但因為自高頻視點來看，偵測電極E2側未接地，所以AC之放電路徑不存在且初始偵測信號Vdet0之脈衝峰值相對較大。然而，當在AC脈衝信號Sg上升後時間逝去時，初始偵測信號Vdet0之脈衝峰值歸因於損失而逐漸地下降。
在圖3C中，根據比例放大波形。初始偵測信號Vdet0之脈衝峰值隨時間逝去而由於高頻損失自2.8[V]之初始值下降至0.5[V]。
當手指自初始狀態接觸偵測電極E2或靠近偵測電極E2達到有效近(point-blank)距離內時，電路狀態變成電容元件C2連接至偵測電極E2(如圖2A中所示)之狀況下的等效狀態。此係因為自高頻視點來看，人體等效於一側接地之電容。
在接觸狀態中，形成AC信號之經由電容元件C1及C2的放電路徑。因此，根據電容元件C1及C2之放電或充電，AC分別流經電容元件C1及C2。因此，初始偵測信號Vdet0經分壓成一由電容元件C1與C2之比判定的值，且脈衝峰值下降。
圖3A至圖3C中所示之偵測信號Vdet1為一當手指接觸偵測電極E2時在偵測電極E2中產生的偵測信號。自圖3C認識到偵測信號之下降量為約0.5[V]至0.8[V]。
圖1A至圖2B中所示之電壓偵測器DET(例如)藉由使用臨限值Vth來偵測偵測信號之下降，以便偵測手指之接觸。
2.液晶顯示器件之組態
將參看圖4A至圖6描述根據實施例之液晶顯示器件之結構。
圖4A至圖4C為特別展示液晶顯示器件1之電極及用於驅動或偵測電極之電路配置的平面圖。另外，圖4D展示液晶顯示器件1之示意橫截面結構。圖4D展示(例如)列方向(像素顯示線方向)上之六個像素之橫截面。
此外，圖5為在液晶顯示器件1中在矩陣方向上以矩陣形狀形成的像素PIX之等效電路圖。
此外，圖6展示一像素電極配置狀態。
如圖5中所示，每一像素PIX具有：一作為像素之選擇元件的薄膜電晶體(TFT；下文中稱為TFT 23)，液晶層6之一等效電容C6及一保持電容(又稱為額外電容)Cx。在表示液晶層6之等效電容C6之一側中配置的電極為一經劃分用於每一像素並以矩陣形狀配置之像素電極22，且在另一側配置之電極為複數個像素所共用之反電極43。
像素電極22連接至TFT 23之源極及汲極中之一者，且信號線SIG連接至TFT 23之源極及汲極中之另一者。信號線SIG連接至信號線驅動電路(未圖示)，使得自信號線驅動電路供應具有信號電壓之視訊信號至信號線SIG。
共同驅動信號Vcom經提供於反電極43中。共同驅動信號Vcom為藉由相對於中心電位反轉每一水平循環(1H)之正及負電位而獲得之一信號。
反電極43為複數個像素PIX之共同電極，且施加共同驅 動信號Vcom，其用以施加用於每一像素之灰階顯示的信號電壓之參考電壓。
在一列方向上(亦即，在顯示幕之水平方向上)配置之所有像素PIX當中電學地共用TFT 23之閘極，使得形成一掃描線SCN。向掃描線SCN供應自掃描線驅動電路(未圖示)輸出以用於接通或切斷TFT 23之閘極的一閘極脈衝。因此，掃描線SCN亦稱為閘極線。
如圖5中所示，保持電容Cx並聯至等效電容C6。保持電容Cx經提供以防止寫入電位由於自TFT 23之洩漏電流(歸因於等效電容C6中之儲存容量之不足)而減少。另外，保持電容Cx之添加有助於防止閃爍並改良螢幕明度之均勻性。
圖6展示像素電極22之配置。
如圖6中所示，在列方向(x方向)上以平行條帶狀配置的複數個閘極線(掃描線SCN，參看圖5)與在行方向(y方向)上以平行條帶狀配置的複數個信號線SIG相交。由兩個任意掃描線SCN及兩個任意信號線SIG環繞之矩形區域界定(子)像素PIX。像素電極22形成於略小於每一像素PIX之一矩形隔離圖案中。以此方式，複數個像素電極22以平面形狀配置成矩陣形狀。
其中配置此等像素之液晶顯示器件1具備：一基板(下文中，稱為驅動基板2)，其在如自圖4D中之橫截面結構(z方向之結構)所見之橫截面中未展示的區域中具有圖5中所示之TFT 23，且被供應有像素之驅動信號(信號電壓)；一經 配置以面對驅動基板2之反基板4；及配置於驅動基板2與反基板4之間的液晶層6。
實例中之液晶顯示器件1具備彼此面對之用於驅動液晶顯示器的像素電極22及反電極43(液晶層6插於其間)，以及用於驅動觸碰感測器之偵測電極44及驅動電極(=反電極)43。
在圖4D中，為了易於看見橫截面結構，在反電極(驅動電極)43、像素電極22及偵測電極44被畫上影線的同時，其他部分(諸如基板、絕緣膜及功能膜)未畫上影線。
作為實現顯示功能之區段，技術方案中之顯示單元經形成有驅動基板2、液晶層6、反電極43及彩色濾光器42。
另外，作為實現觸碰感測器功能之區段，技術方案中之接近操作偵測單元經形成有反基板4(驅動電極43、偵測電極44及其類似者)、偵測單元8及偵測驅動掃描單元9。
驅動基板2具有一作為電路基板的TFT基板21(其上形成圖5之TFT 23)及以矩陣形狀配置於此TFT基板21上的複數個像素電極22。
TFT基板21之基板本體係由玻璃及其類似者製成。用於驅動每一像素電極22之顯示驅動器(未圖示)(信號線驅動電路、掃描線驅動電路及其類似者)形成於TFT基板21上。另外，圖5之TFT 23及諸如信號線SIG及掃描線SCN之配線線路形成於TFT基板21上。用於觸碰偵測操作之偵測電路可形成於TFT基板21上。
反基板4具有一玻璃基板41、形成於玻璃基板41之表面 上的彩色濾光器42，及形成於彩色濾光器42上(液晶層6側)的反電極43。
彩色濾光器42係藉由週期地配置具有(例如)紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)色彩之三個彩色濾光器層而組態，且每一像素PIX(像素電極22)對應於R、G及B之三種色彩中之一者。雖然在一些狀況下對應於一種色彩之像素被稱為子像素，且具有R、G及B三種色彩之三個子像素稱為像素，但子像素在本文中亦表示為像素PIX。
此外，在一些狀況下，以對應於白色像素(W)以及R、G、B四種色彩之彩色濾光器配置於此狀況下的彩色濾光器42中的狀態提供白色像素(W)以及R、G、B。
反電極43亦用作一感測器驅動電極，其組態用於執行觸碰偵測操作之觸碰感測器之一部分，且反電極43對應於圖1A至圖2B之驅動電極E1。
反電極(驅動電極)43藉由一接觸導電柱7連接至TFT基板21。自TFT基板21將具有AC脈衝波形之共同驅動信號Vcom經由接觸導電柱7施加至反電極43。共同驅動信號Vcom對應於自圖1A至圖2B之驅動信號源S供應的AC脈衝信號Sg。
偵測電極44形成於玻璃基板41之另一表面(顯示表面側)上且一保護層45形成於偵測電極44上。
偵測電極44組態觸碰感測器之一部分且對應於圖1A至圖2B中之偵測電極E2。一稍後將描述的用以執行觸碰偵測操作之偵測電路可形成於玻璃基板41上。
液晶層6為顯示功能層且根據所施加電場之狀態來調變在厚度方向(面對電極之方向)上通過該層的光。液晶層6可使用各種模式之液晶材料(諸如TN(扭轉向列)、VA(垂直對準)及ECB(電控雙折射))而形成。
對準膜分別設在液晶層6與驅動基板2之間及液晶層6與反基板4之間。另外，偏振板分別設在驅動基板2之反顯示表面側(亦即，背表面側)及反基板4之顯示表面側上。自圖4A至圖4D省略此光學功能層。
如圖4A至圖4C中所示，在彼此相交之方向上劃分驅動電極43及偵測電極44。
圖4A展示驅動電極43之配置狀態，圖4B展示偵測電極44之配置狀態，且圖4C展示其組合。
如圖4A中所示，驅動電極43被劃分於像素配置之列或行方向上(例如，在此實例中在行方向(圖式之y方向)上)。劃分方向對應於顯示驅動中的像素線之掃描方向，亦即由掃描線驅動電路(未圖示)順序地啟動掃描線SCN的方向。
對於經劃分之驅動電極43，配置預定數目n個驅動電極43_1,43_2,...,43_m,...,43_n。此處，「m」為等於或大於2且小於「n」之整數。
驅動電極43_1至43_n係以具有相對小寬度並在列方向(x方向)上延伸之一帶形狀配置且彼此平行地間隔開。此處，驅動電極43之寬度(y方向上之大小)可無關於液晶顯示器件之像素大小而界定為一添加至液晶顯示器件的觸碰感測器。驅動電極43之寬度愈小，物件偵測之偵測精度或解 析度愈高。
n個經劃分之驅動電極43_1至43_n以m(2m<n)為單位同時被驅動。
同時驅動之驅動電極43的集合被表示為一AC驅動電極單元EU。在實施例中，包括於一AC驅動電極單元EU中的驅動電極之數目為一固定數目m。此外，雖然驅動電極之組合經部分地重疊並改變，但AC驅動電極單元EU在行方向上逐步地移位。
移位之方向為圖4A至圖4C之y方向且稱為掃描方向。另外，經選擇為連續驅動電極之集合的驅動電極之組合在一方向上移位的操作被稱為掃描。
經選擇為用於每一移位之AC驅動電極單元EU的反電極之組合在掃描中移位。
此時，在執行移位一次之前及之後執行的連續兩個選擇中，一或多個驅動電極經重疊及選擇。當移位量由驅動電極之數目表示時，移位量之範圍對應於等於或大於1且等於或小於(m-1)之驅動電極數目。
藉由具有設定為一單位之驅動電極的此AC驅動電極單元EU的AC驅動之操作及該AC驅動電極單元EU之移位操作由偵測驅動掃描單元9執行。
移位量適宜地為等於一個驅動電極之最小量，因為待偵測物件之偵測精度及解析度可經設定為最高。此適宜之最小移位量為下文描述之前提。在此前提下，偵測驅動掃描單元9之操作可被認為與「在逐一改變藉由移動驅動信號 源S(其同時地在行方向上AC驅動m個驅動電極43)而選擇之驅動電極43的同時在行方向上之掃描操作(參看圖1A至圖2B)」相同。圖4A及圖4C中自驅動信號源S起繪製的箭頭示意地指示信號源之掃描。
另一方面，如圖4B中所示之偵測電極44係由在x方向上分成預定數目k並在垂直於驅動電極43之y方向上以延長的平行條帶形狀配置的導電膜形成。各別偵測電極係由44_1至44_k表示。
偵測單元8連接至如上文描述地配置之k個偵測電極44_1至44_k之一端。偵測單元8之基本偵測單元為作為圖1A至圖2B中所示之「偵測電路」的電壓偵測器DET。
各別k個偵測電極44_1至44_k連接至對應於偵測單元8之電壓偵測器DET。因此，電壓偵測器DET可偵測來自每一偵測線之偵測信號Vdet(參看圖3A至圖3C)。
上文在圖4A至圖4C中所示的驅動電極43及偵測電極44之配置圖案係冗餘地配置於形成有以矩陣形狀配置的像素PIX之顯示影像表面上，如圖6中所示。
驅動電極43及偵測電極44或像素電極22分別為透明電極並由(例如)ITO、IZO或有機導電膜製成。
3.第一實施例之偵測電極
將描述作為第一實施例的具有上文組態之液晶顯示器件1中之偵測電極44的導電膜圖案。
首先，圖7A展示偵測電極44之導電膜圖案之實例。此處，展示圖4A至圖4D中所示之偵測電極44_1至44_k中之 某兩個偵測電極44_q及44_q+1。為便於繪製，偵測電極44_q及44_q+1之電極寬度方向經放大且其縱向經減小。
在圖7A中，影線部分為形成了導電膜e之一部分，且無影線部分為一未形成導電膜e之部分(下文中，稱為縫隙SL)。
如圖式中所示，作為形成偵測電極44之導電膜圖案，存在一電連接至上文描述之偵測單元8以實際充當一電極之電極圖案部分(亦即，為偵測電極44_q及44_q+1之部分)及不充當電極且其中形成導電膜e之一虛設圖案部分dmp。
在圖7C中，為一偵測電極44_q之部分經取出以被展示。如圖式中所示，一偵測電極44_q經形成為正方形導電膜。各別偵測電極44_1至44_k經形成為各別正方形導電膜，且各別偵測電極之末端連接至對應於上文描述之偵測單元8的電壓偵測器DET。
偵測電極44_q具有其中必要數目之縫隙SL形成於正方形圖案之兩側(亦即，在實際上在y方向上延伸的部分中，如圖4B中所示)的導電膜圖案。圖7B以放大方式展示一部分，其中縫隙SL形成於正方形導電膜圖案之一部分中。
另外，縫隙SL亦形成於設在正方形內部並在相鄰正方形圖案之間的虛設圖案部分dmp中。
設有虛設圖案部分dmp且縫隙SL設在為偵測電極44_1至44_k之導電膜e之圖案及虛設圖案部分dmp中的原因為如下。
首先，偵測電極44經形成為透明電極。然而，偵測電極 並非完全透明。為了增加為顯示影像之光的透射率，嘗試提供一其中不存在導電膜e的部分。
另一方面，自觸碰偵測敏感度之視點來看，增加正方形圖案部分之電阻值並非較佳的。亦即，自觸碰偵測敏感度之視點來看，進一步建議避免盲目提供正方形圖案部分中的不存在導電膜e的部分。
考慮到上述問題，在正方形圖案部分中形成線性導電膜e以儘可能地不增加電阻值的同時，可形成非導電部分。接著，如圖7C中所示，正方形圖案部分形成不具有導電膜e之縫隙SL以增加光透射率，且導電膜e之線性圖案經固定以維持作為一電極之低電阻值。
此外，自偵測電極44_1至44_k之難以察覺性的視點來看僅形成圖7C中所示之正方形圖案部分係不利的。
換言之，其中形成導電膜e之偵測電極44_1至44_k與每一偵測電極之間的非導電膜之間的差異易於看見，且無法維持電極之難以察覺性。
虛設圖案部分dmp形成於正方形圖案內部及偵測電極44_1至44_k之間隔中。縫隙SL如同在正方形圖案中一樣形成於虛設圖案部分dmp中，以改良關於導電膜e(偵測電極44_1至44_k之整個形成表面)整體的難以察覺性。
藉由如圖7A至圖7C中所示之偵測電極44_1至44_k之導電膜圖案，有可能維持或改良偵測性質及難以察覺性。然而，在實施例中實現波紋減少。
圖8A及圖8B示意地展示導電膜e與像素電極22之間的配 置位置關係。
圖式中之導電膜e對應於圖7A中之偵測電極44_q及44_q+1(正方形圖案部分)中之任一者及虛設圖案部分dmp。亦即，展示了其中形成由縫隙SL劃分之線性導電膜e的區域之一部分。
此外，關於像素電極22，R、G及B之每一子像素的配置狀態係由具有R、G及B之虛線指示。
圖8A展示一狀況，其中由縫隙SL劃分之導電膜e的線性圖案中之間距Pe大於像素電極22之一方向(x方向)上的配置間距Pg。
舉例而言，線性圖案之間距Pe以比像素電極22之配置間距Pg大自然數倍(圖式中三倍)的間距而彼此分離。
在此狀況下，形成驅動電極43之導電膜e之線性圖案(或虛設圖案部分dmp)與像素圖案彼此干涉而展示為在一些狀況下為人眼可見的波紋條紋。
在實施例中，如圖8B中所示，由縫隙SL劃分的導電膜e之線性圖案中的間距Pe等於或小於像素電極22之一方向(x方向)上的間距Pg。
使形成驅動電極43之導電膜e中的線性圖案(或虛設圖案部分dmp)之間距Pe變窄，以便等於或小於子像素之間距Pg，且接著幾乎不能見到波紋條紋。
在此狀況下，自波紋減少之視點來看，不僅使線性圖案之間距Pe變窄以等於或小於子像素之間距Pg而且線性圖案之間距不具有藉由將子像素之間距Pg除以自然數(諸如 1/1、1/2、1/3...)而獲得的一值為較佳的。
換言之，藉由使導電膜e之線性圖案間距變窄來減少導電膜e之圖案對人之可見度並藉由在波紋條紋減少中減弱像素電極圖案之規則性而分散干涉係有效的。
當提供具有R、G、B及W四種色彩的像素PIX時，明度對比度由於白色像素之影響而變強，比使用R、G及B三種色彩的狀況更加重波紋條紋。
實施例甚至可適當地應用於使用R、G、B及W四種色彩的像素的狀況。
圖9A及圖9B相對於如圖8A及圖8B中所示之像素電極22而示意地展示導電膜e。
此外，作為像素電極22的R、G、B及W之每一子像素的配置狀態係由具有R、G、B及W之虛線來指示。
圖9A展示一狀況，其中由縫隙SL劃分的導電膜e之線性圖案中之間距Pe大於像素電極22之一方向(x方向)上之間距Pg。
接著，例如，線性圖案之間距Pe以比像素電極22之間距Pg大自然數倍(圖式中三倍)的間距而彼此分離，使得縫隙SL位於B像素及W像素中。
在此狀況下，波紋條紋係顯著的。
作為實施例，如圖9B中所示，由縫隙SL劃分之導電膜e之線性圖案中的間距Pe等於或小於像素電極22之一方向(x方向)上的間距Pg。
線性圖案之間距Pe較佳地不具有藉由將子像素之間距Pg 除以自然數而獲得的值。
以此方式，甚至在具有四種色彩之像素的組態中，波紋條紋亦可能不顯著。
4.第二實施例之偵測電極
將使用圖10描述作為第二實施例之偵測電極44_1至44_k中之導電膜圖案。
圖10展示如上文在圖7A中之偵測電極44_1至44_k中之某些偵測電極44_q及44_q+1中的導電膜e之圖案。
偵測電極44_q及44_q+1係以正方形來圖案化，且形成虛設圖案部分dmp，其與第一實施例中相同。
在第二實施例中，點狀非導電部分dt形成於導電膜e上而非上文描述之縫隙SL上。
在圖式之實例中，點狀非導電部分dt隨機地形成於導電膜e上。
在第二實施例中，點狀非導電部分dt經隨機地配置以使得作為偵測電極44_1至44_k之導電膜圖案(及虛設圖案部分dmp)不太可能由於像素電極間距而受到干涉(以減少干涉之位置)。歸因於此，實現波紋條紋減少。
此外，作為偵測電極44_1至44_k之正方形圖案之導電膜e的面積增加且電阻值減少以比第一實施例中更多地改良感測器偵測性質。
另外，虛設圖案部分dmp設在正方形圖案之內部及相鄰偵測電極44之間，以如同在作為偵測電極44_1至44_k之正方形圖案中一樣，在虛設圖案部分dmp中隨機地提供點狀 非導電部分dt。由於此原因，維持或改良偵測電極44_1至44_k之難以察覺性。
接著，點狀非導電部分dt之面積適宜地等於或大於子像素之顯示面積的0.0025倍以獲得波紋減少效應。
此外，雖然隨機地配置點狀非導電部分dt係合適的，但可不一定隨機地配置點狀非導電部分dt。具有一即使在存在規則性時仍不太可能干涉像素電極圖案的配置圖案就足夠了。
點狀非導電部分dt之形狀不限於如圖式中所示之正方形形狀，且可考慮諸如圓形形狀、橢圓形形狀、矩形形狀、三角形形狀、多邊形形狀或不確定形狀之各種形狀。
5.第三實施例之偵測電極
將參看圖11A至圖12B來描述作為第三實施例的偵測電極44_1至44_k之導電膜圖案。導電膜圖案經展示為連續彎曲線之圖案的實例。
圖11A展示如上文在圖7A中之偵測電極44_1至44_k中之某些偵測電極44_q及44_q+1中的導電膜e之圖案。
偵測電極44_q及44_q+1具有一正方形圖案，且如同上文實施例中一樣，形成虛設圖案部分dmp。
在第三實施例中，彎曲線性縫隙SL形成於導電膜e上，且導電膜e由於彎曲線性縫隙而具有一彎曲線性圖案。
因為導電膜e具有一彎曲線性形狀，所以與像素電極圖案之干涉減少且實現波紋之減少。
接著，藉由將作為偵測電極44_1至44_k之正方形圖案中 的導電膜e維持為幾乎直線形狀而將電阻值保持為低，使得維持感測器偵測性質。
此外，虛設圖案部分dmp設在正方形圖案內部並在偵測電極之間隔部分中，且彎曲線性縫隙SL亦如同在作為偵測電極44_1至44_k之正方形圖案中一樣形成於虛設圖案部分dmp中。接著，導電膜e具有彎曲線性圖案，使得促進偵測電極44_1至44_k之難以察覺性。
此處，可在圖12A及圖12B中之實例中的任一者中考慮導電膜e之彎曲線性間距Pe。
圖12A及圖12B相對於如圖9A及圖9B中之像素電極22而示意地展示導電膜e。對於像素電極22，R、G、B及W之每一子像素的配置狀態係由具有R、G、B及W之虛線來指示。
圖12A展示一狀況，其中由縫隙SL劃分的導電膜e之彎曲線性圖案中之間距Pe大於像素電極22之一方向(x方向)上之配置間距Pg。
在上文的第一實施例中，當導電膜e之線性圖案中的間距Pe大於像素之間距Pg時，波紋條紋係顯著的。然而，在第三實施例中，因為導電膜e具有一彎曲線性圖案，所以抑制與像素電極22之圖案的干涉。因此，甚至當Pe>Pg時，仍可能獲得波紋減少效應。
另一方面，圖12B為其中由縫隙SL劃分的導電膜e之彎曲線性圖案之間距Pe等於或小於像素電極22之一方向(x方向)上之配置間距Pg的實例。
彎曲線性圖案之間距Pe較佳地不具有藉由將子像素之間距Pg除以自然數而獲得的值。
以此方式，可藉由使彎曲線性圖案之間距Pe變窄以等於或小於間距Pg及減弱子像素圖案之規則性而進一步增加該波紋減少效應。
接著，圖11B以放大方式展示導電膜e之彎曲線性圖案的一部分。然而，對於形成彎曲線之角θ，存在一適當角度範圍。
首先，關於波紋條紋減少效應，5°>θ>85°之範圍係合適的，因為易於避免與像素電極22之圖案的干涉。
另外，自感測器偵測性質之視點來看，導電膜圖案可具有一幾乎直線形狀。因此，0°>θ>45°之範圍係合適的。
最後，對於包括於兩個角度範圍或更多角度範圍中的角度範圍，5°>θ>45°係合適的。
舉例而言，其適宜地為θ=15°。
另外，自波紋減少效應之視點來看(亦即，自減少與像素電極22之圖案的干涉之意義來看)，針對每一像素配置在y方向上重複之彎曲線性圖案以便在對應於一個像素之區域中形成一彎曲線為適宜的。
舉例而言，圖11C展示由虛線指示之在y方向上配置之像素PIX的範圍。然而，如圖式中所示，一個彎曲線性圖案形成於一對應於一個像素PIX的範圍中。
6.第四實施例之偵測電極
將參看圖13至圖14B來描述作為第四實施例的偵測電極 44_1至44_k之導電膜圖案。實施例為具有連續波形線之圖案的導電膜圖案之實例。
圖13展示如上文在圖7A中之偵測電極44_1至44_k中之某些偵測電極44_q、44_q+1中的導電膜e之圖案。
偵測電極44_q及44_q+1具有正方形圖案，且以相同方式形成虛設圖案部分dmp。
在第四實施例中，波形縫隙SL形成於導電膜e上，使得導電膜e由於波形縫隙而具有一波形線(蛇形線)圖案。
導電膜e具有一波形線形狀且特定而言移除一拐角部分，使得減少與像素電極圖案之干涉以實現波紋減少。
接著，因為偵測電極44_1至44_k之正方形圖案的導電膜e被維持於一幾乎直線狀態中，所以電阻值保持為低且維持感測器偵測性質。
此外，虛設圖案部分dmp設在正方形圖案內部或偵測電極之間隔部分中，且波形縫隙SL亦如同在偵測電極44_1至44_k之正方形圖案中一樣形成於虛設圖案部分dmp中。因為導電膜e具有波形線圖案，所以促進了偵測電極44_1至44_k之難以察覺性。
此處，可在圖14A及圖14B之任一實例中考慮具有波形線形狀之導電膜e之間距Pe。
圖14A及圖14B相對於如圖9A及圖9B中之像素電極22而示意地展示導電膜e。對於像素電極22，R、G、B及W之每一子像素的配置狀態係由具有R、G、B及W之虛線來指示。
圖14A為一狀況，其中由縫隙SL劃分的導電膜e之彎曲線性圖案之間距Pe大於像素電極22之一方向(x方向)上之配置間距Pg。
在此狀況下，甚至當導電膜e之線性圖案的間距Pe如同在第三實施例中一樣大於像素之間距Pg時，因為導電膜e具有波形線圖案，所以抑制與像素電極22之圖案的干涉。歸因於此，當Pe>Pg時，可獲得波紋減少效應。
另外，圖14B為一實例，其中由縫隙SL劃分的導電膜e之彎曲線性圖案之間距Pe等於或小於像素電極22之一方向(x方向)上之間距Pg。
彎曲線性圖案之間距Pe較佳不具有藉由將子像素之間距Pg除以自然數而獲得的一值。
以此方式，可藉由使彎曲線性圖案之間距Pe變窄以等於或小於間距Pg及減弱子像素圖案之規則性而進一步增加該波紋減少效應。
7.修改實例及應用實例
雖然上文已描述實施例，但上文描述之液晶顯示器件為具有一接近偵測器件之顯示器件的實例。另外，自身具有觸碰感測器之液晶顯示器件1的組態亦為一實例。
當提供類似觸碰感測器之接近偵測功能時，本發明可作為透明電極之導電膜圖案應用於各種顯示器件，諸如電漿顯示器件或有機EL顯示器件以及液晶顯示器件。
在實施例中，雖然例示了用於觸碰感測器功能之偵測電極44，但本發明亦可作為驅動電極43之圖案來應用。
接下來，將參看圖15A至圖17E來描述本發明之接近偵測器件(例如，具有觸碰感測器之顯示器件的應用實例)。本發明之接近偵測器件可應用於具有一顯示自外部輸入之視訊信號或在內部產生之視訊信號作為影像或視訊之顯示器件的電子裝置之每一領域，諸如類似電視器件、數位相機、筆記型個人電腦及行動電話或視訊攝影機之攜帶型終端機器件。
應用實例1
圖15A展示應用了實施例之具有觸碰感測器之液晶顯示器件1的電視器件之外觀。電視器件具有(例如)一前面板511及包括濾光玻璃512之一視訊顯示幕單元510，且視訊顯示幕單元510經組態有根據實施例之液晶顯示器件1。
應用實例2
圖15B展示應用了實施例之液晶顯示器件1的筆記型個人電腦之外觀。筆記型個人電腦具有(例如)一主體531、用於字母或其類似者之輸入操作的一鍵盤532及一顯示影像之顯示單元533，且顯示單元533經組態有根據實施例之液晶顯示器件1。
應用實例3
圖15C展示應用了實施例之液晶顯示器件1的視訊攝影機之外觀。視訊攝影機具有(例如)一主體單元541、用於成像設在主體單元541之前側表面中之一物件的一透鏡542、在成像一物件時的一開始及停止開關543及一顯示單元544，且顯示單元544經組態有根據實施例之液晶顯示器件1。
應用實例4
圖16A及圖16B展示應用了實施例之液晶顯示器件1的數位相機之外觀。圖16A展示數位相機之正面之外觀且圖16B展示數位相機之背面之外觀。數位相機具有(例如)具有觸控面板之一顯示單元520、一成像透鏡521、一閃光燈發射單元523及一快門按鈕524，且顯示單元520經組態有根據實施例之液晶顯示器件1。
應用實例5
圖17A至圖17E展示應用了實施例之液晶顯示器件1的行動電話之外觀。分別地，圖17A展示在打開外殼之狀態中的行動電話之一操作表面及一顯示表面，圖17B展示在外殼被閉合之狀態中的頂面，且圖17C展示在外殼被閉合之狀態中的底面。圖17D及圖17E為在外殼被閉合之狀態中的自頂面及自底面的透視圖。
舉例而言，行動電話係藉由透過一連接部分(鉸鏈部分)556連接上部外殼550及下部外殼551而形成，且具有一顯示器552、一子顯示器553、一鍵操作單元554及一攝影機555。顯示器552及子顯示器553經組態有根據實施例之液晶顯示器件1。
接著，本發明可使用以下組態。
(a1)一接近偵測器件，其包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該 顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案具有等於或小於像素電極之一方向上之一配置間距的一線性圖案之一間距。
(a2)根據(a1)之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有充當電極之一電極圖案部分及不充當電極之一虛設圖案部分，且電極圖案部分及虛設圖案部分兩者之導電膜圖案中的線性圖案之間距等於或小於像素電極之一方向上之配置間距。
(b1)一接近偵測器件，其包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且一點狀非導電部分形成於形成該透明電極之導電膜圖案中。
(b2)根據(b1)之接近偵測器件，其中該點狀非導電部分隨機地配置於形成透明電極之導電膜圖案中。
(b3)根據(b1)或(b2)之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有充當電極之一電極圖案部分及不充當電極之一虛設圖案部分，且該點狀非導電部分形成於電極圖案部分及虛設圖案部分兩者之導電膜圖案中。
(c1)一接近偵測器件，其包括：具有一顯示影像表面的一顯示單元，在該顯示影像表面中以矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在接近操作偵測單 元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案為一連續彎曲線或波形線之圖案。
(c2)根據(c1)之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有等於或小於像素電極之一方向上之配置間距的彎曲線或波形線之間距。
(c3)根據(c1)或(c2)之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有充當電極之一電極圖案部分及不充當電極之一虛設圖案部分，且電極圖案部分及虛設圖案部分兩者之導電膜圖案為連續彎曲線或波形線之圖案。
本發明含有與在2012年2月28日向日本專利局申請的日本優先權專利申請案JP 2012-040842中揭示之標的相關之標的，該案之全文特此以引用的方式併入本文中。
熟習此項技術者應理解，視設計要求及其他因素而定，可發生各種修改、組合、子組合及更改，只要該等修改、組合、子組合及更改係在附加申請專利範圍或其等效物之範疇內即可。
1‧‧‧液晶顯示器件
2‧‧‧驅動基板
4‧‧‧反基板
6‧‧‧液晶層
7‧‧‧接觸導電柱
8‧‧‧偵測單元
9‧‧‧偵測驅動掃描單元
21‧‧‧TFT基板
22‧‧‧像素電極
23‧‧‧TFT
41‧‧‧玻璃基板
42‧‧‧彩色濾光器
43‧‧‧驅動電極或反電極
43_1-43_n‧‧‧驅動電極
44‧‧‧偵測電極
44_1-44_k‧‧‧偵測電極
44_q‧‧‧偵測電極
44_q+1‧‧‧偵測電極
45‧‧‧保護層
510‧‧‧視訊顯示幕單元
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
520‧‧‧觸控面板
521‧‧‧成像透鏡
523‧‧‧閃光燈發射單元
524‧‧‧快門按鈕
531‧‧‧主體
532‧‧‧鍵盤
533‧‧‧顯示單元
541‧‧‧主體單元
542‧‧‧透鏡
543‧‧‧開始及停止開關
544‧‧‧顯示單元
550‧‧‧上部外殼
551‧‧‧下部外殼
552‧‧‧顯示器
553‧‧‧子顯示器
554‧‧‧鍵盤操作單元
555‧‧‧攝影機
556‧‧‧連接部分
C1‧‧‧電容元件
C2‧‧‧電容元件
C6‧‧‧等效電容
Cx‧‧‧保持電容
DET‧‧‧電壓偵測器
dmp‧‧‧虛設圖案部分
dt‧‧‧點狀非導電部分
e‧‧‧導電膜
E1‧‧‧驅動電極
E2‧‧‧偵測電極
EU‧‧‧AC驅動電極單元
Pe‧‧‧間距
Pg‧‧‧間距
PIX‧‧‧像素
R‧‧‧電阻器
S‧‧‧AC信號源
SCN‧‧‧掃描線
Sg‧‧‧AC脈衝信號
SIG‧‧‧信號線
SL‧‧‧縫隙
Vcom‧‧‧共同驅動信號
Vdet‧‧‧AC偵測信號
Vdet0‧‧‧初始偵測信號
Vdet1‧‧‧偵測信號
圖1A及圖1B為根據本發明之實施例的觸碰感測器單元之操作的說明圖；圖2A及圖2B為根據實施例的觸碰感測器單元之操作的說明圖；圖3A至圖3C為根據實施例的觸碰感測器單元之輸入及輸出波形的說明圖； 圖4A至圖4D為根據實施例的液晶顯示器件之結構的說明圖；圖5為根據實施例的液晶顯示器件之像素的等效電路圖；圖6為根據實施例的液晶顯示器件之像素配置之說明圖；圖7A至圖7C為根據第一實施例的偵測電極之導電膜圖案之說明圖；圖8A及圖8B為根據第一實施例之偵測電極中的導電膜之線性圖案間距之說明圖；圖9A及圖9B為根據第一實施例之偵測電極中的導電膜之線性圖案間距之說明圖；圖10為根據第二實施例之偵測電極的導電膜圖案之說明圖；圖11A至圖11C為根據第三實施例之偵測電極的導電膜圖案之說明圖；圖12A及圖12B為根據第三實施例之偵測電極中的導電膜之彎曲線圖案間距之說明圖；圖13為根據第四實施例之偵測電極的導電膜圖案之說明圖；圖14A及圖14B為根據第四實施例之偵測電極中的導電膜之波形線圖案間距之說明圖；圖15A至圖15C為根據實施例之應用實例的電子裝置之說明圖； 圖16A及圖16B為根據實施例之應用實例的電子裝置之說明圖；及圖17A至圖17E為根據實施例之應用實例的電子裝置之說明圖。
22‧‧‧像素電極
PIX‧‧‧像素
SCN‧‧‧掃描線
SIG‧‧‧信號線

Claims (14)

  1. 一種接近偵測器件，其包含：一顯示單元，其具有一顯示影像表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在該接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案具有等於或小於該等像素電極之一方向上之一配置間距的一線性圖案之一間距。
  2. 如請求項1之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有充當一電極之一電極圖案部分及不充當一電極之一虛設圖案部分，且該電極圖案部分及該虛設圖案部分兩者之該導電膜圖案中的該線性圖案之該間距等於或小於該等像素電極之該方向上之該配置間距。
  3. 一種偵測接近之方法，其包含：在一接近偵測器件中藉由使用具有一導電膜圖案的一透明電極來偵測一接近操作，該導電膜圖案具有等於或小於像素電極之一方向上之一配置間距的一線性圖案之一間距，在該接近偵測器件中用於接近操作偵測之該透明電極經配置以在疊加於一顯示影像表面上的一位置處形成一操作表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個該等像素電極。
  4. 一種電子裝置，其包含： 一接近偵測器件，其中該接近偵測器件包括一顯示單元，其具有一顯示影像表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極，及一接近操作偵測單元，在該接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案具有等於或小於該等像素電極之一方向上之一配置間距的一線性圖案之一間距。
  5. 一種接近偵測器件，其包含：一顯示單元，其具有一顯示影像表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在該接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且一點狀非導電部分形成於形成該透明電極之一導電膜圖案中。
  6. 如請求項5之接近偵測器件，其中該點狀非導電部分隨機地配置於形成該透明電極之該導電膜圖案中。
  7. 如請求項5之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有充當一電極之一電極圖案部分及不充當一電極之一虛設圖案部分，且該點狀非導電部分形成於該電極圖案部分及該虛設圖案部分兩者之該導電膜圖案中。
  8. 一種偵測接近之方法，其包含：在一接近偵測器件中藉由使用具有一導電膜圖案的一透明電極來偵測一接近操作，在該導電膜圖案中形成一點狀非導電部分，在該接近偵測器件中用於接近操作偵測之該透明電極經配置以在疊加於一顯示影像表面上的一位置處形成一操作表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個該等像素電極。
  9. 一種電子裝置，其包含：一接近偵測器件，其中該接近偵測器件包括一顯示單元，其具有一顯示影像表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極，及一接近操作偵測單元，在該接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且一點狀非導電部分形成於形成該透明電極之一導電膜圖案中。
  10. 一種接近偵測器件，其包含：一顯示單元，其具有一顯示影像表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極；及一接近操作偵測單元，在該接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案為一連續彎曲線或波形線之一圖案。
  11. 如請求項10之接近偵測器件， 其中該導電膜圖案具有等於或小於該等像素電極之一方向上之一配置間距的該彎曲線或該波形線之一間距。
  12. 如請求項10之接近偵測器件，其中該導電膜圖案具有充當一電極之一電極圖案部分及不充當一電極之一虛設圖案部分，且該電極圖案部分及該虛設圖案部分兩者之該導電膜圖案為該連續彎曲線或波形線之一圖案。
  13. 一種偵測接近之方法，其包含：在一接近偵測器件中藉由使用具有一連續彎曲線或波形線之一導電膜圖案的一透明電極來偵測一接近操作，在該接近偵測器件中用於接近操作偵測之該透明電極經配置以在疊加於一顯示影像表面上的一位置處形成一操作表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個該等像素電極。
  14. 一種電子裝置，其包含：一接近偵測器件，其中該接近偵測器件包括一顯示單元，其具有一顯示影像表面，在該顯示影像表面中以一矩陣形狀配置複數個像素電極，及一接近操作偵測單元，在該接近操作偵測單元中用於接近操作偵測之一透明電極經配置以在疊加於該顯示影像表面上之一位置處形成一操作表面，且形成該透明電極之一導電膜圖案為一連續彎曲線或波形線之一圖案。
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