JP2017111386A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】導電層の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供する。又は、表示品位に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、積層導電層を備える。積層導電層は、アルミニウムを含む材料で形成された第１導電層Ｌ１と、第１導電層Ｌ１の上に設けられ第１導電層Ｌ１を形成する材料と異なる材料で形成され第１導電層Ｌ１の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有する第２導電層Ｌ２と、を備える。第１導電層Ｌ１の側壁Ｌ１ｂは、酸化膜で形成されている。
【選択図】図１０

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

一般に、表示装置として液晶表示装置が知られている。液晶表示装置は、各種の導電層を利用している。上記の導電層としては、画像を表示する表示領域にて延在する配線が挙げられる。このような配線は、黒色化することにより光反射率を低くすることができる。これにより、配線を視認させ難くすることができる。
また、上記の導電層としては、液晶表示パネルの外部に位置する配線が挙げられる。このような配線は、液晶表示パネルの内部に位置する配線と比較して、外気に含まれる水分に侵され易い。このため、腐食に関する耐久性に優れた配線の形成が要求される場合がある。
さらに、上記の導電層としては、複数種類の材料を用いて形成した積層構造を有する配線が挙げられる。このような配線は、高温かつ高湿の環境下にて通電された時、電食し易くなり断線などの不良が発生し易くなる。

国際公開第２０１５／１３３０４１号パンフレット

本実施形態は、導電層の劣化を抑制することが可能な表示装置を提供する。又は、表示品位に優れた表示装置を提供する。

一実施形態に係る表示装置は、積層導電層を備える。前記積層導電層は、アルミニウムを含む材料で形成された第１導電層と、前記第１導電層の上に設けられ、前記第１導電層を形成する材料と異なる材料で形成され、前記第１導電層の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有する第２導電層と、を備え、前記第１導電層の側壁は、酸化膜で形成されている。

また、一実施形態に係る表示装置は、積層導電層を備える。前記積層導電層は、アルミニウムを含む材料で形成された第１導電層と、前記第１導電層の上に設けられ、前記第１導電層を形成する材料と異なる材料で形成され、前記第１導電層の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有する第２導電層と、を備え、前記第１導電層において、中央の酸素濃度より側壁の酸素濃度の方が高い。

図１は、一実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 図２は、図１に示した液晶表示装置の構成を示す他の断面図である。 図３は、図１に示した液晶表示装置の基本構成及び等価回路を示す図である。 図４は、図３に示した画素を示す等価回路図である。 図５は、図１及び２に示した第１基板の一部を拡大して示す平面図であり、走査線、信号線、画素スイッチング素子、第２電極、コンタクトホール及び画素電極を示す図である。 図６は、上記第１基板の一部を拡大して示す他の平面図であり、配線群、開口、走査線、信号線、画素スイッチング素子、第２電極及びコンタクトホールを示す図である。 図７は、上記第１基板を示す他の平面図であり、第１絶縁基板、複数の共通電極、配線群、複数のリード線及び共通電極駆動回路を示す図である。 図８は、図５の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った液晶表示パネルを示す断面図である。 図９は、図５の線ＩＸ−ＩＸに沿った液晶表示パネルを示す他の断面図である。 図１０は、図８に示した第１基板の一部を示す拡大断面図である。 図１１は、上記液晶表示装置の一部を示す平面図であり、第１絶縁基板、第２絶縁基板、検出部及びフレキシブル基板の第２分岐部を示す図である。 図１２は、図１１に示した第２基板の一部を示す拡大断面図である。 図１３は、第１モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図１４は、図１３に続く、上記第１モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図１５は、第２モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。 図１６は、図１２に示した検出線の変形例を示す断面図であり、検出線と第２絶縁基板とを示す図である。

以下に、本発明の一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

まず、表示装置の構成について説明する。本実施形態において、表示装置がセンサ付き液晶表示装置である場合について説明する。図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。
図１に示すように、液晶表示装置ＤＳＰは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬと、液晶表示パネルＰＮＬを駆動する駆動ＩＣ １と、カバー部材ＣＧと、第１光学素子ＯＤ１と、第２光学素子ＯＤ２と、検出部Ｄと、液晶表示パネルＰＮＬ及び検出部Ｄを駆動する駆動ＩＣ ２と、液晶表示パネルＰＮＬを照明するバックライトユニットＢＬと、制御モジュールＣＭと、フレキシブル基板３と、を備えている。

液晶表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＣと、を備えている。液晶表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域（アクティブエリア）ＤＡを備えている。表示領域ＤＡの外側において、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とはシール材ＳＥＡにより接合されている。例えば、第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０の第２基板ＳＵＢ２に対向する側に、複数の共通電極ＣＥ、複数の画素電極ＰＥ、複数の共通電極ＣＥと複数の画素電極ＰＥとの間に介在した絶縁膜ＩＦなどを備えている。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物、（Indium Zinc Oxide：ＩＺＯ）、酸化亜鉛（Zinc Oxide：ＺｎＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。複数の共通電極ＣＥは、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。

なお、図示した液晶表示パネルＰＮＬは、表示モードとしてＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードに対応した構成を有しているが、他の表示モードに対応した構成を有していても良い。例えば、液晶表示パネルＰＮＬは、ＦＦＳモード等の主として基板主面に略平行な横電界を利用するＩＰＳ（In-Plane Switching）モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。又は、液晶表示パネルＰＮＬは、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モード、ＶＡ（Vertical Aligned）モード等の主として基板主面間に生じる縦電界を利用するモードに対応した構成を有していてもよい。縦電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥが備えられ、第２基板ＳＵＢ２に共通電極ＣＥが備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、互いに直交する第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面と平行な面である。
ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第３方向Ｚは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙのそれぞれと互いに直交している。第３方向Ｚは、液晶表示パネルＰＮＬの厚み方向に相当する。

以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。また、「第１部材の上方の第２部材」及び「第１部材の下方の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、又は第１部材から離れて位置していてもよい。後者の場合、第１部材と第２部材との間に、第３の部材が介在していてもよい。一方、「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は第１部材に接している。

本実施形態において、第１基板ＳＵＢ１をアレイ基板と、第２基板ＳＵＢ２を対向基板と、それぞれ言い換えることができる。この液晶表示パネルＰＮＬは、バックライトユニットＢＬからの光を選択的に透過することで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の液晶表示パネルである。なお、液晶表示パネルＰＮＬは、透過表示機能に加えて、外光を選択的に反射することで画像を表示する反射表示機能を備えた半透過型の液晶表示パネルであってもよい。

バックライトユニットＢＬは、第１基板ＳＵＢ１の背面側に配置されている。このようなバックライトユニットＢＬとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したもの等が適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。なお、液晶表示パネルＰＮＬが反射表示機能のみを備えた反射型である場合には、バックライトユニットＢＬは省略される。

カバー部材ＣＧは、液晶表示パネルＰＮＬの外側に位置し、第２基板ＳＵＢ２に対向している。この例では、液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳはカバー部材ＣＧの表面である。液晶表示装置ＤＳＰは入力面ＩＳに指等が接触又は接近した個所の位置情報を検出することができる。Ｘ−Ｙ平面視において、カバー部材ＣＧの寸法は、第２基板ＳＵＢ２の寸法や、第１基板ＳＵＢ１の寸法より大きい。第２方向Ｙにおいて、カバー部材ＣＧは、第２基板ＳＵＢ２や、第１基板ＳＵＢ１より長い。カバー部材ＣＧは、例えばガラス基板で形成されている。この場合、カバー部材ＣＧはカバーガラスと称され場合がある。又は、カバー部材ＣＧは、樹脂基板などの光透過性を有する基板を利用して形成することができる。

第１光学素子ＯＤ１は、第１絶縁基板１０とバックライトユニットＢＬとの間に配置されている。第１光学素子ＯＤ１は、接着剤ＡＤ１により第１絶縁基板１０に貼り付けられている。第２光学素子ＯＤ２は、液晶表示パネルＰＮＬとカバー部材ＣＧとの間に位置している。第２光学素子ＯＤ２は、接着剤ＡＤ２により第２絶縁基板２０及び検出部Ｄに貼り付けられている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、それぞれ少なくとも偏光板を含んでおり、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。第１光学素子ＯＤ１に含まれる偏光板の吸収軸は、第２光学素子ＯＤ２に含まれる偏光板の吸収軸と互いに交差している。例えば、上記偏光板の吸収軸同士は互いに直交している。

第２光学素子ＯＤ２における帯電を防止するため、第２光学素子ＯＤ２と接着剤ＡＤ２との間には、帯電防止層ＡＳが設けられている。但し、帯電防止層ＡＳは必要に応じて液晶表示装置ＤＳＰに設けられていればよい。

カバー部材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２光学素子ＯＤ２に接合されている。例えば、接着層ＡＬは、カバー部材ＣＧ側又は第２光学素子ＯＤ２側に光学弾性樹脂（ＳＶＲ：Super View Resin）を塗布し、光学弾性樹脂を挟むようにカバー部材ＣＧと第２光学素子ＯＤ２とを貼り合わせることにより光学弾性樹脂膜を形成し、光学弾性樹脂膜を硬化し、形成されている。

検出部Ｄは、共通電極ＣＥと第２光学素子ＯＤ２（偏光板）との間に位置している。この実施形態において、検出部Ｄは、第２絶縁基板２０の第２光学素子ＯＤ２と対向する側の面の上方に設けられている。このため、検出部Ｄは、第２絶縁基板２０に接していてもよく、又は第２絶縁基板２０から離れて位置していてもよい。後者の場合、第２絶縁基板２０と検出部Ｄとの間には、図示しない絶縁膜等の部材が介在している。この例では、検出部Ｄと第２絶縁基板２０との間には絶縁膜が介在している。検出部Ｄは、第２方向Ｙに延在した検出電極Ｒｘなどを有している。なお、検出部Ｄは、帯電防止層ＡＳに蓄積された電荷を外部へ逃がす機能も有している。

複数の共通電極ＣＥ、及び検出部Ｄは、静電容量型のセンサＳＥを形成している。共通電極ＣＥは、表示用の電極として機能するとともに、センシング用の駆動電極として機能する。

駆動ＩＣ １は、液晶表示パネルＰＮＬの第１基板ＳＵＢ１上に搭載されている。フレキシブル基板３は、制御モジュールＣＭに接続されている。フレキシブル基板３は、第１分岐部３ａ、及び第２分岐部３ｂを有している。第１分岐部３ａは液晶表示パネルＰＮＬに接続されている。第２分岐部３ｂは検出部Ｄに接続されている。駆動ＩＣ ２は、フレキシブル基板３上に搭載されている。

駆動ＩＣ １及び駆動ＩＣ ２は、フレキシブル基板３等を介して接続されている。なお、制御モジュールＣＭ、液晶表示パネルＰＮＬ、及び検出部Ｄを相互に接続する手段は、種々変形可能である。例えば、フレキシブル基板３の替わりに、第１フレキシブル基板、及び第２フレキシブル基板の独立した２個のフレキシブル基板を利用してもよい。この場合、第１フレキシブル基板にて制御モジュールＣＭと液晶表示パネルＰＮＬとを接続し、第２フレキシブル基板にて制御モジュールＣＭと検出部Ｄとを接続することができる。駆動ＩＣ ２の配置に関して例示的に示すと、駆動ＩＣ ２は、第１及び第２フレキシブル基板の何れか１個のフレキシブル基板上に搭載することができる。

制御モジュールＣＭ、駆動ＩＣ １及び駆動ＩＣ ２は、センサＳＥを制御するための制御部として機能する。制御モジュールＣＭをアプリケーションプロセッサと言い換えることができる。駆動ＩＣ ２は、センサＳＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ＩＣ １に与えることができる。又は、駆動ＩＣ １は、後述する共通電極ＣＥの駆動時期を知らせるタイミング信号を駆動ＩＣ ２に与えることができる。又は、制御モジュールＣＭは、駆動ＩＣ １及び駆動ＩＣ ２のそれぞれにタイミング信号を与えることができる。上記タイミング信号により、駆動ＩＣ １の駆動と、駆動ＩＣ ２の駆動との同期化を図ることができる。
なお、制御モジュールＣＭは、バックライトユニットＢＬに接続され、バックライトユニットＢＬの駆動を制御する。

図２は、図１に示した液晶表示装置ＤＳＰの構成を示す他の断面図である。なお、図１ではＹ−Ｚ平面に平行な断面を示したが、図２では、Ｘ−Ｚ平面に平行な断面を示している。
図２に示すように、共通電極ＣＥは、第１方向Ｘに延在している。検出電極Ｒｘは、第２方向Ｙに延在し、共通電極ＣＥと交差している。

図３は、図１に示した液晶表示装置ＤＳＰの基本構成及び等価回路を示す図である。
図３に示すように、液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡに位置した走査線駆動回路ＧＤを備えている。駆動ＩＣ １も非表示領域ＮＤＡに位置している。本実施形態において、駆動ＩＣ １は、信号線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤを備えている。なお、駆動ＩＣ １は、信号線駆動回路ＳＤ及び共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を備えていてもよい。非表示領域ＮＤＡの形状は、表示領域ＤＡを囲む額縁状であり、矩形枠状である。

液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に設けられ、ｍ×ｎ個配置されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。また、液晶表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、ｎ本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。

走査線Ｇは、第１方向Ｘに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、走査線駆動回路ＧＤに接続されている。また、走査線Ｇは、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに略直線的に延出し、表示領域ＤＡの外側に引き出され、信号線駆動回路ＳＤに接続されている。また、信号線Ｓは、第１方向Ｘに間隔を置いて並べられ、走査線Ｇと交差している。共通電極ＣＥは、少なくとも表示領域ＤＡ内に設けられ、共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、それぞれ複数の画素ＰＸで共用されている。

本実施形態において、第１方向Ｘに並んだ３個の画素ＰＸは、赤色画素、緑色画素及び青色画素であり、１個の主画素を構成している。第２方向Ｙにおける画素ＰＸのピッチは、等ピッチであり、例えば５０乃至１５０μｍ程度である。一方、第１方向Ｘにおける画素ＰＸのピッチは、等ピッチであり、例えば第２方向Ｙにおける画素ＰＸのピッチの３分の１である。

図４は、図３に示した画素ＰＸを示す等価回路図である。
図４に示すように、各画素ＰＸは、画素スイッチング素子ＰＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、例えば薄膜トランジスタで形成されている。画素電極ＰＥは、画素スイッチング素子ＰＳＷに電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向している。共通電極ＣＥ、絶縁膜（上述した絶縁膜ＩＦ）及び画素電極ＰＥは、保持容量ＣＳを形成している。

図５は、図１及び２に示した第１基板ＳＵＢ１の一部を拡大して示す平面図であり、走査線Ｇ、信号線Ｓ、画素スイッチング素子ＰＳＷ、第２電極Ｅ２、コンタクトホールＣＨ及び画素電極ＰＥを示す図である。なお、図５では、説明に必要な構成のみを図示しており、共通電極ＣＥなどの図示を省略している。

図５に示すように、複数の走査線Ｇは、第１方向Ｘに延出し、直線状に形成されている。なお、走査線Ｇは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。複数の信号線Ｓは、概ね第２方向Ｙに延出し、その一部が屈曲している。図示した例では、隣合う２本の走査線Ｇの間においては、信号線Ｓは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは異なる方向に延出している。なお、信号線Ｓは、第２方向Ｙに沿った直線状に形成されていてもよい。図中において、画素ＰＸは、隣合う２本の走査線Ｇと、隣合う２本の信号線Ｓによって区画される領域に相当する。

画素スイッチング素子ＰＳＷの詳細については後述する。第２電極Ｅ２は、画素スイッチング素子ＰＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥは、図中に破線で示したように、各画素ＰＸに配置されている。画素電極ＰＥは、第２電極Ｅ２と電気的に接続されている。図示した例では、画素電極ＰＥは、２本の帯状電極ＥＡを有している。帯状電極ＥＡは、第１方向に隣合う信号線Ｓの部分と略平行に延出している。平面視において、コンタクトホールＣＨは、第２電極Ｅ２と画素電極ＰＥとの両方に重ねられている。コンタクトホールＣＨは、画素電極ＰＥを第２電極Ｅ２に電気的に接続するために利用される。

図６は、上記第１基板ＳＵＢ１の一部を拡大して示す他の平面図であり、配線群ＳＨ、開口Ｏ、走査線Ｇ、信号線Ｓ、画素スイッチング素子ＰＳＷ、第２電極Ｅ２及びコンタクトホールＣＨを示す図である。なお、図６では、説明に必要な構成のみを図示しており、共通電極ＣＥなどの図示を省略している。

図６に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、配線群ＳＨを備えている。配線群ＳＨは、第２方向Ｙに並べられ、互いに電気的に絶縁された複数の配線部ＳＨａを備えている。配線部ＳＨａは、複数の第１配線ＳＨａ１と、複数の第２配線ＳＨａ２とが一体となって形成されている。

第１配線ＳＨａ１は、平面視において、走査線Ｇに沿って延在し、走査線Ｇに重なっている。本実施形態において、第１配線ＳＨａ１は、帯状に形成され、走査線Ｇ、第１方向Ｘに並ぶ複数の画素スイッチング素子ＰＳＷ及び第１方向Ｘに並ぶ複数の第２電極Ｅ２と重なっている。
第１配線ＳＨａ１は、複数の開口Ｏを有している。開口Ｏは、コンタクトホールＣＨに一対一の関係で設けられている。各開口Ｏは、対応するコンタクトホールＣＨを取り囲み、画素電極ＰＥと第２電極Ｅ２との電気的な接続に寄与している。

第２配線ＳＨａ２は、平面視において、信号線Ｓに沿って延在し、信号線Ｓに重なっている。平面視において、第２配線ＳＨａ２は、図５に示した画素電極ＰＥに距離を置いている。また、第２配線ＳＨａ２は、信号線Ｓの少なくとも一部を遮り隠している。ここでは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに並ぶ複数の第２配線ＳＨａ２は、これらの隙間を除き、信号線Ｓを遮り隠している。

図７は、上記第１基板ＳＵＢ１を示す他の平面図であり、第１絶縁基板１０、複数の共通電極ＣＥ、配線群ＳＨ、複数のリード線ＬＣＥ及び共通電極駆動回路ＣＤを示す図である。
図７に示すように、複数の共通電極ＣＥは、それぞれ帯状に形成され、第１方向Ｘに延在し、第２方向Ｙに間隔を置いて並べられている。本実施形態において、共通電極ＣＥは表示領域ＤＡ内に形成されているが、これに限定されるものではなく、共通電極ＣＥの一部は非表示領域ＮＤＡまで延出して形成されていてもよい。

配線部ＳＨａは、共通電極ＣＥに一対一の関係で設けられている。各配線部ＳＨａは、対応する共通電極ＣＥのみに重ねられ、上記対応する共通電極ＣＥのみに電気的に接続されている。なお、配線部ＳＨａは、複数の共通電極ＣＥに跨いで設けられていなければよい。このため、例えば、第２方向Ｙに隣合う複数の配線部ＳＨａが、単個の共通電極ＣＥに重ねられていてもよい。また、開口Ｏは、配線部ＳＨａにだけではなく共通電極ＣＥにも形成され、画素電極ＰＥと第２電極Ｅ２との電気的な接続に寄与している。

複数のリード線ＬＣＥは、非表示領域ＮＤＡに位置し、共通電極ＣＥを共通電極駆動回路ＣＤに電気的に接続している。ここでは、リード線ＬＣＥは、共通電極ＣＥと一対一で接続されている。リード線ＬＣＥは、共通電極ＣＥと同様にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなどの透明な導電材料によって形成してもよいが、透明な導電材料の替わりに金属で形成してもよい。又は、リード線ＬＣＥは、配線部ＳＨａと一対一で接続されていてもよい。この場合、リード線ＬＣＥと配線部ＳＨａとを金属材料などの同一の導電材料で形成してもよい。

ここで、非表示領域ＮＤＡのうち、表示領域ＤＡの左側を第１領域Ａ１（第２方向Ｙに延在した帯状の領域）、表示領域ＤＡの右側を第２領域Ａ２（第２方向Ｙに延在した帯状の領域）、表示領域ＤＡの下側を第３領域Ａ３（第１方向Ｘに延在した帯状の領域）、表示領域ＤＡの上側を第４領域Ａ４（第１方向Ｘに延在した帯状の領域）とする。例えば、共通電極駆動回路ＣＤは上記第１分岐部３ａが位置する第３領域Ａ３に配置され、リード線ＬＣＥは第１領域Ａ１及び第３領域Ａ３を延在している。

図８は、図５の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿った液晶表示パネルＰＮＬを示す断面図である。なお、図８では、説明に必要な構成のみを図示しており、接着剤ＡＤ１，ＡＤ２などの図示を省略している。
図８に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１０、絶縁層１１，１２，１３，１４，１５、絶縁膜ＩＦ、信号線Ｓ、カラーフィルタ層ＣＦ、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、第２配線ＳＨａ２、配向膜ＡＬ１などを備えている。

第１絶縁基板１０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であってもよい。絶縁層１１〜１５及び絶縁膜ＩＦは、いずれも透明である。絶縁層１１〜１４及び絶縁膜ＩＦは、無機絶縁層であり、一例では、窒化ケイ素製あるいは酸化ケイ素製である。絶縁層１５は、有機絶縁層であり、一例ではアクリル樹脂などの樹脂製である。絶縁層１１は、第１絶縁基板１０の上に位置している。絶縁層１２は、絶縁層１１の上に位置している。絶縁層１３は、絶縁層１２の上に位置している。絶縁層１４は、絶縁層１３の上に位置している。
信号線Ｓは、絶縁層１４の上に位置している。

カラーフィルタ層ＣＦは、絶縁層１４の上に位置している。カラーフィルタ層ＣＦは、一例では、赤色のカラーフィルタＣＦ１、緑色のカラーフィルタＣＦ２、及び、青色のカラーフィルタＣＦ３を含んでいる。カラーフィルタＣＦ１は、赤色に着色された樹脂製であり、赤色の画素に配置される。カラーフィルタＣＦ２は、緑色に着色された樹脂製であり、緑色の画素に配置される。カラーフィルタＣＦ３は、青色に着色された樹脂製であり、青色の画素に配置される。カラーフィルタＣＦ１とカラーフィルタＣＦ２との隣接部分、及びカラーフィルタＣＦ２とカラーフィルタＣＦ３との隣接部分は、それぞれ別々の信号線Ｓの上に位置している。
絶縁層１５は、カラーフィルタ層ＣＦの上に位置している。

共通電極ＣＥは、絶縁層１５の上に位置している。共通電極ＣＥは、複数の画素にわたって延在している。図示した例では、共通電極ＣＥは、信号線Ｓの直上で途切れることなく、カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３の直上に延在している。
絶縁膜ＩＦは、共通電極ＣＥの上に位置している。

第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）は、信号線Ｓの直上において、共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、第２配線ＳＨａ２は、共通電極ＣＥの上に位置している。第２配線ＳＨａ２は、一例では、アルミニウム等の金属材料を利用して形成されている。図示した例のように、第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）と共通電極ＣＥとが接触することで、共通電極ＣＥを低抵抗化することができ得る。

画素電極ＰＥは、絶縁膜ＩＦの上に位置している。画素電極ＰＥは、各画素に配置されている。画素電極ＰＥは、第２配線ＳＨａ２に間隔を置いて位置している。
配向膜ＡＬ１は、絶縁膜ＩＦ、及び画素電極ＰＥを覆っている。
液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１の上に位置している。液晶層ＬＣは、正の誘電率異方性を有するポジ型の液晶材料で形成されていてもよいし、負の誘電率異方性を有するネガ型の液晶材料で形成されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、液晶層ＬＣの上に位置している。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板２０、配向膜ＡＬ２などを備えている。
第２絶縁基板２０は、透明であり、一例ではホウケイ酸ガラス等のガラス製であるが、プラスチック等の樹脂製であってもよい。配向膜ＡＬ２は、第２絶縁基板２０の下に形成されている。

図９は、図５の線ＩＸ−ＩＸに沿った液晶表示パネルＰＮＬを示す他の断面図である。ここでは、主に図８に示した断面図とは異なる部分について説明する。なお、図９においても、説明に必要な構成のみを図示しており、接着剤ＡＤ１，ＡＤ２などの図示を省略している。

図９に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、画素スイッチング素子ＰＳＷを備えている。画素スイッチング素子ＰＳＷは、半導体層ＳＣ、ゲート電極ＧＥなどを備えている。半導体層ＳＣは、絶縁層１２と絶縁層１３との間に位置している。半導体層ＳＣは、多結晶シリコンで形成されているが、アモルファスシリコン、酸化物半導体などによって形成されていてもよい。

走査線Ｇの一部である２つのゲート電極ＧＥは、絶縁層１３と絶縁層１４との間に位置している。走査線Ｇは、金属材料として、例えばモリブデンタングステン合金で形成されている。第１電極Ｅ１及び第２電極Ｅ２は、絶縁層１４と絶縁層１５との間に位置している。第１電極Ｅ１は、信号線Ｓと一体に形成されている。第１電極Ｅ１（信号線Ｓ）及び第２電極Ｅ２は、金属材料で形成されている。第１電極Ｅ１（信号線Ｓ）及び第２電極Ｅ２は、一例では、チタン、アルミニウム、及びチタンの順に積層した金属製である。

第１電極Ｅ１は、絶縁層１３，１４に形成されたコンタクトホールを通って半導体層ＳＣの第１領域に接触している。第２電極Ｅ２は、絶縁層１３，１４に形成された他のコンタクトホールを通って半導体層ＳＣの第２領域に接触している。第１電極Ｅ１がソース電極として機能し、第２電極Ｅ２がドレイン電極として機能する場合、第１領域がソース領域として機能し、第２領域がドレイン領域として機能する。又は、第１電極Ｅ１がドレイン電極として機能し、第２電極Ｅ２がソース電極として機能する場合、第１領域がドレイン領域として機能し、第２領域がソース領域として機能する。

本実施形態に係る画素スイッチング素子ＰＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタで形成されている。しかし、画素スイッチング素子ＰＳＷは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタで形成されていてもよい。
画素電極ＰＥは、カラーフィルタＣＦ２及び絶縁層１５に形成されたコンタクトホールＣＨを通り、第２電極Ｅ２に接触している。

上記のような第１基板ＳＵＢ１は、各色の画素毎に、画素電極ＰＥと、カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３のいずれかと、を備えている。また、画素電極ＰＥとカラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３との間に液晶層ＬＣが介在せず、画素電極ＰＥとカラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３とが接近して配置される。このため、混色を防止することが可能となる。

図１０は、図８に示した第１基板ＳＵＢ１の一部を示す拡大断面図である。
図１０に示すように、第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）は、積層導電層で形成されている。第２配線ＳＨａ２は、第１導電層Ｌ１と、第２導電層Ｌ２と、第３導電層Ｌ３と、を備えている。

第１導電層Ｌ１は、アルミニウムを含む材料で形成されている。本実施形態において、第１導電層Ｌ１は、アルミニウムで形成されているが、アルミニウム合金で形成されていてもよい。第１導電層Ｌ１において、中央Ｌ１ａの酸素濃度より側壁Ｌ１ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ１ｂは酸化膜で形成されている。言い換えると、側壁Ｌ１ｂは不動態膜で形成されている。

第２導電層Ｌ２は、第１導電層Ｌ１の上に設けられている。ここでは、第２導電層Ｌ２は、第１導電層Ｌ１の上に設けられている。第２導電層Ｌ２は、第１導電層Ｌ１を形成する材料と異なる導電材料で形成されている。本実施形態において、第２導電層Ｌ２は、アルミニウム窒化物で形成されているが、アルミニウム合金窒化物などで形成されていてもよい。第２導電層Ｌ２は、第１導電層Ｌ１の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有している。第２導電層Ｌ２において、中央Ｌ２ａの酸素濃度より側壁Ｌ２ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ２ｂは酸化膜で形成されている。言い換えると、側壁Ｌ２ｂは不動態膜で形成されている。

第３導電層Ｌ３は、第２導電層Ｌ２の上に設けられている。第３導電層Ｌ３は、透明な導電材料で形成されている。又は、第３導電層Ｌ３は、導電性を有する酸化物で形成されている。本実施形態において、第３導電層Ｌ３は、インジウムガリウム酸化物（Indium Gallium Oxide：ＩＧＯ）で形成されている。

平面視において、第１導電層Ｌ１、第２導電層Ｌ２、及び第３導電層Ｌ３は、重ねられ、形状及びサイズに関して概ね揃っている。
上記のような第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）を形成する際、共通電極ＣＥ上に、アルミニウムからなる第１導電膜、アルミニウム窒化物からなる第２導電膜、ＩＧＯからなる第３導電膜を順に成膜し、第３導電膜上にレジストマスクを形成する。上記レジストマスクは、第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）に対応した形状のパターンを有している。その後、真空の環境下（減圧された環境下）にて、レジストマスクを用い、塩素などのガスにより配線をドライ加工し、酸素プラズマ処理でレジストマスクをアッシャ除去する。

これにより、第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）が形成される。なお、上記のように、酸素プラズマ処理により、アッシングすることができるが、同一処理工程において、第１導電層Ｌ１の側面や、第２導電層Ｌ２の側面は、表面処理される。すなわち、酸素プラズマ処理により、側壁Ｌ１ｂ及び側壁Ｌ２ｂは酸化処理されるものである。なお、上記開口Ｏを形成する第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２の内周壁部も酸化処理される。

また、上記の例では、上記第１乃至第３導電膜のエッチングと、上記酸化処理とを、同一の工程で行ったが、別々の工程で行ってもよい。例えば、大気圧の環境下にて、上記第１乃至第３導電膜をウエットエッチングした後、酸素プラズマ処理を行い、側壁Ｌ１ｂ及び側壁Ｌ２ｂを酸化処理してもよい。この場合、酸化処理のための酸素プラズマ処理は、真空の環境下（減圧された環境下）で行った方が望ましい。但し、酸素プラズマ処理は、大気中で行ってもよく、この場合も、上記酸化処理を行うことができる。
さらにまた、酸化処理として、陽極酸化処理を利用することも可能である。

上記のように構成される配線群ＳＨは、表示領域ＤＡに位置しているが、第１導電層Ｌ１の上に配置された第２導電層Ｌ２を有している。上方への配線群ＳＨの光反射率を低くすることができるため、配線群ＳＨを視認させ難くすることができる。配線群ＳＨ（配線部ＳＨａ）は上記走査線Ｇ及び信号線Ｓに沿って延在し、走査線Ｇ及び信号線Ｓと対向している。配線群ＳＨは、走査線Ｇ及び信号線Ｓによる光反射を抑制することができる。

これにより、例えば、高いコントラスト比を得ることができる。又は、第２基板ＳＵＢ２をブラックマトリクスと称される遮光層無しに形成したり、上記遮光層の設置面積を低減したり、することができる。上記遮光層とは、表示領域ＤＡに位置し、カラーフィルタＣＦ１〜ＣＦ３の境界に沿って延在するものである。このため、開口率の低下を抑制することが可能となる。

配線群ＳＨの側壁などには、酸化処理により、不動態を形成している。このため、電食の生じ難い配線群ＳＨを得ることができる。
配線群ＳＨの表面全体が酸化物で形成され、配線群ＳＨは、水分に侵され難くなる。このため、配線群ＳＨと同一の製造工程において、非表示領域ＮＤＡのパッドなどを形成してもよい。腐食し難いパッドを得ることができる。

第２配線ＳＨａ２の幅Ｗ２は、特定されるものではないが、信号線Ｓの幅Ｗ１と同等以上であってもよい。なお、ここでの幅とは、第１方向Ｘの長さに相当する。このような幅の関係を満足しつつ、平面視において、複数の第２配線ＳＨａ２は、信号線Ｓのほぼ全体と重なっている。なお、平面視において、複数の第１配線ＳＨａ１は、走査線Ｇの全体と重なっている。そして、信号線Ｓの側面での反射を抑制するためには、幅Ｗ２は、幅Ｗ１よりも大きいことが望ましい。

さらに、本実施形態に係る第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）は、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２だけではなく第３導電層Ｌ３も備えている。例えば、第３導電層Ｌ３の屈折率は約１．５〜２．０である。第３導電層Ｌ３の作用により、反射光の干渉効果を得ることができる。

反射光の干渉現象は、第３導電層Ｌ３の表面で反射した第１反射光と、第３導電層Ｌ３に侵入し第２導電層Ｌ２の表面で反射され上記第３導電層Ｌ３の表面から出射した第２反射光と、が互いに干渉を起こすことにより発生する。このため、上記第１反射光と上記第２反射光との位相差が０．５波長であれば両者は打ち消し合い、反射光強度が低下する効果が得られる。上記の観点から、第２配線ＳＨａ２（配線群ＳＨ）は、第３導電層Ｌ３を備えていた方が望ましく、これにより、表示品位の低下を抑制することができる。

図１１は、液晶表示装置ＤＳＰの一部を示す平面図であり、第１絶縁基板１０、第２絶縁基板２０、検出部Ｄ及びフレキシブル基板３の第２分岐部３ｂを示す図である。なお、図１１では、検出部Ｄなどを平面視にて示している。
図１１に示すように、検出部Ｄは、複数の検出電極Ｒｘ、複数のダミー部ＤＵ及び複数のリード線ＬＲを備えている。複数の検出電極Ｒｘは、それぞれ帯状に形成され、第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、例えば、共通電極ＣＥと静電容量結合することができる。

本実施形態において、検出電極Ｒｘは、複数の検出線ＬＢと、リード線ＬＲに接続された接続線Ｃ１と、他の接続線Ｃ２と、を有している。接続線Ｃ１は第３領域Ａ３に位置し、接続線Ｃ２は第４領域Ａ４に位置している。検出線ＬＢは、表示領域ＤＡにおいて概ね第２方向Ｙに延在し、第３領域Ａ３において接続線Ｃ１に接続され、第４領域Ａ４において接続線Ｃ２に接続されている。図示した例では、検出線ＬＢの各々は、波形（より具体的には三角波形）に形成されている。これらの検出線ＬＢは、第１方向Ｘに略等間隔に並んでいる。各検出電極Ｒｘは４本の検出線ＬＢを有している。

リード線ＬＲは、非表示領域ＮＤＡに位置し、検出電極Ｒｘを第２分岐部３ｂに電気的に接続している。ここでは、リード線ＬＲは、検出電極Ｒｘと一対一で電気的に接続されている。ここでは、リード線ＬＲは第３領域Ａ３を延在している。

ダミー部ＤＵは、隣合う検出電極Ｒｘの間などに配置されている。ダミー部ＤＵは、少なくとも検出電極Ｒｘから外れた表示領域ＤＡの全体に形成した方が望ましい。ダミー電極ＤＲは、検出線ＬＢと、平行、且つ略等間隔に配置された複数のダミー線で形成されている。例えば、ダミー線は、第１方向Ｘに並べられ、第２方向Ｙに延出し、波形（より具体的には三角波形）に形成され、複数に分断されている。ダミー線は、リード線ＬＲなどの配線には接続されず、電気的にフローティング状態にある。

ダミー電極ＤＲは、物体の接触あるいは接近の検出には寄与しない。そのため、ダミー電極ＤＲは、物体を検出するとの観点からは設けなくもよい。しかし、ダミー電極ＤＲを設けないと、液晶表示パネルＰＮＬの画面が光学的に不均一となる恐れがある。そのため、ダミー電極ＤＲを設けることが好ましい。
これにより、表示領域ＤＡでの細線（検出線ＬＢ、ダミー線）の密度のばらつきを一層低減することができるため、細線のパターンを一層視認させ難くすることができる。なお、ダミー電極ＤＲ（ダミー線）は必要に応じて設けられていればよい。

上記のように、本実施形態では、検出電極Ｒｘ及びダミー電極ＤＲの構成を例示的に示したものであり、検出電極Ｒｘ等の構成は種々変形可能である。例えば、検出電極Ｒｘに関しては、検出線ＬＢの形状の変形、検出線ＬＢの本数の増減等が可能である。検出電極Ｒｘ及びダミー電極ＤＲは、それぞれメッシュ状に形成されていてもよい。

この実施形態において、検出電極Ｒｘ（検出線ＬＢ及び接続線Ｃ１，Ｃ２）、ダミー電極ＤＲ（ダミー線）及びリード線ＬＲは、導電材料としての金属材料で形成されている。上記のように金属を利用することにより、検出電極Ｒｘの電気抵抗値を低くすることができるため、検出に要する時間を短縮することができる点で望ましい。また、検出電極Ｒｘに金属材料を利用することは、液晶表示パネルＰＮＬの大型化及び高精細化に対して有利になる。

また、本実施形態において、検出線ＬＢ及びダミー線の太さ（幅）は、同一である。但し、図１１では、検出線ＬＢと、ダミー線とを視覚的に識別するため、各線の太さを異ならせている。

図１２は、図１１に示した第２基板ＳＵＢ２の一部を示す拡大断面図である。ここで、上記の検出線ＬＢ、接続線Ｃ１，Ｃ２、ダミー線、及びリード線ＬＲは、同一工程にて同時に形成される。このため、検出線ＬＢ、接続線Ｃ１，Ｃ２、ダミー線、及びリード線ＬＲは、同様に構成されている。ここでは、検出線ＬＢ、接続線Ｃ１，Ｃ２、ダミー線、及びリード線ＬＲを代表して、検出線ＬＢについて説明する。

図１２に示すように、検出線ＬＢは、第２絶縁基板２０の上方に形成されている。本実施形態において、検出線ＬＢは、第２絶縁基板２０の上に形成されている。検出線ＬＢは、製造方法及び構成に関して、上述した配線群ＳＨと同様である。検出線ＬＢは、積層導電層で形成されている。検出線ＬＢは、第１導電層Ｌ１１と、第２導電層Ｌ１２と、第３導電層Ｌ１３と、を備えている。

第１導電層Ｌ１１は、第２絶縁基板２０の上にアルミニウムを含む材料で形成されている。本実施形態において、第１導電層Ｌ１１は、アルミニウムで形成されているが、アルミニウム合金で形成されていてもよい。第１導電層Ｌ１１において、中央Ｌ１１ａの酸素濃度より側壁Ｌ１１ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ１１ｂは酸化膜（不動態膜）で形成されている。

第２導電層Ｌ１２は、第１導電層Ｌ１１の上に設けられている。ここでは、第２導電層Ｌ１２は、第１導電層Ｌ１１の上に設けられている。第２導電層Ｌ１２は、第１導電層Ｌ１１を形成する材料と異なる導電材料で形成されている。本実施形態において、第２導電層Ｌ１２は、アルミニウム窒化物で形成されているが、アルミニウム合金窒化物などで形成されていてもよい。第２導電層Ｌ１２は、第１導電層Ｌ１１の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有している。第２導電層Ｌ１２において、中央Ｌ１２ａの酸素濃度より側壁Ｌ１２ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ１２ｂは酸化膜（不動態膜）で形成されている。

第３導電層Ｌ１３は、第２導電層Ｌ１２の上に設けられている。第３導電層Ｌ１３は、透明な導電材料で形成されている。又は、第３導電層Ｌ１３は、導電性を有する酸化物で形成されている。本実施形態において、第３導電層Ｌ１３は、ＩＧＯで形成されている。
平面視において、第１導電層Ｌ１１、第２導電層Ｌ１２、及び第３導電層Ｌ１３は、重ねられ、形状及びサイズに関して概ね揃っている。

上記のように構成される検出線ＬＢは、表示領域ＤＡに位置しているが、第１導電層Ｌ１１の上に配置された第２導電層Ｌ１２を有している。上方への検出線ＬＢの光反射率を低くすることができる。これにより、例えば、高いコントラスト比を得ることができる。

検出線ＬＢの側壁などには、酸化処理により、不動態を形成している。このため、電食の生じ難い検出線ＬＢを得ることができる。
検出線ＬＢの表面全体が酸化物で形成され、検出線ＬＢは、水分に侵され難くなる。腐食し難い検出線ＬＢを得ることができる。上記のことから、例えば、検出線ＬＢと同一の製造工程において、第２分岐部３ｂに接続するためのパッドなどを形成してもよい。

さらに、本実施形態に係る検出線ＬＢは、第１導電層Ｌ１１及び第２導電層Ｌ１２だけではなく第３導電層Ｌ１３も備えている。例えば、第３導電層Ｌ３の屈折率は約１．５〜２．０である。第３導電層Ｌ１３の作用により、反射光の干渉効果を得ることができる。検出線ＬＢにおける反射光強度が低下する効果が得られる。上記の観点から、検出線ＬＢは、第３導電層Ｌ１３を備えていた方が望ましく、これにより、表示品位の低下を抑制することができる。

次に、上記したＦＦＳモードの液晶表示装置ＤＳＰにおいて画像を表示する表示駆動時の動作について説明する。
まず、液晶層ＬＣに電圧が印加されていないオフ状態について説明する。オフ状態は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成されていない状態に相当する。このようなオフ状態では、液晶層ＬＣに含まれる液晶分子は、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のそれぞれの配向膜の配向規制力によりＸ−Ｙ平面内において一方向に初期配向している。バックライトユニットＢＬからの光の一部は、第１光学素子ＯＤ１の偏光板を透過し、液晶表示パネルＰＮＬに入射する。液晶表示パネルＰＮＬに入射した光は、上記偏光板の吸収軸と直交する直線偏光である。このような直線偏光の偏光状態は、オフ状態の液晶表示パネルＰＮＬを通過した際にほとんど変化しない。このため、液晶表示パネルＰＮＬを透過した直線偏光のほとんどが、第２光学素子ＯＤ２の偏光板によって吸収される（黒表示）。このようにオフ状態で液晶表示パネルＰＮＬが黒表示となるモードをノーマリーブラックモードという。

続いて、液晶層ＬＣに電圧が印加されたオン状態について説明する。オン状態は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差が形成された状態に相当する。つまり、共通電極ＣＥに対しては共通電極駆動回路ＣＤからコモン駆動信号（コモン電圧）が供給される。その一方で、画素電極ＰＥには、コモン電圧に対して電位差を形成するような画像信号（例えば、映像信号）が供給される。これにより、オン状態では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間にフリンジ電界が形成される。

このようなオン状態では、液晶分子は、Ｘ−Ｙ平面内において、初期配向方向とは異なる方位に配向する。オン状態では、第１光学素子ＯＤ１の偏光板の吸収軸と直交する直線偏光は、液晶表示パネルＰＮＬに入射し、その偏光状態は、液晶層ＬＣを通過する際に液晶分子の配向状態に応じて変化する。このため、オン状態においては、液晶層ＬＣを通過した少なくとも一部の光は、第２光学素子ＯＤ２の偏光板を透過する（白表示）。

次に、上記した液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳへの導体の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うセンシング駆動時の動作について説明する。すなわち、液晶表示装置ＤＳＰの駆動ＩＣ １，２及び制御モジュールＣＭで形成される制御部は、第１モード及び第２モードの一方に切替えて複数の共通電極ＣＥ、及び複数の検出電極Ｒｘの駆動を制御し、センシングを行う。なお、第１モードは自己容量（Self-Capacitive Sensing）モードと、第２モードは相互容量（Mutual-Capacitive Sensing）モードと、それぞれ称される場合がある。

〈第１モード〉
始めに、検出部Ｄにて第１入力位置情報を検出する第１モードについて説明する。第１モードは、入力領域の全体を対象とし、短時間に入力位置を大まかに検出することができる特長を有している。図１３は、第１モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。図１４は、図１３に続く、上記第１モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。

図１３に示すように、まず、駆動ＩＣ ２は、各々の検出電極Ｒｘに書込み信号Ｖｗを書込む。図１４に示すように、その後、駆動ＩＣ ２は、検出電極Ｒｘから読取り信号Ｖｒを読取る。ここで、読取り信号Ｖｒは、書込み信号Ｖｗによって検出電極Ｒｘに発生したセンサ信号の変化を示している。

この例では、右から２番目の検出電極Ｒｘに利用者の指が近接し、上記検出電極と指との間に静電容量結合が生じる。右から２番目の検出電極Ｒｘから読取った読取り信号Ｖｒには、他の検出電極Ｒｘから読取った読取り信号Ｖｒより大きな電圧値の変化が生じる。このため、右から２番目の検出電極Ｒｘと対向した領域を入力位置のＸ座標であると判断することができる。すなわち、検出電極Ｒｘと対向した領域において、指が液晶表示装置ＤＳＰの入力面ＩＳに接触又は近接したことを検出することができる。
上述したように、上記第１モードでは、検出部Ｄを利用して入力位置を大まかに検出することができる。

〈第２モード〉
次に、共通電極ＣＥと、検出部Ｄとの組合せにて第２入力位置情報を検出する第２モードについて説明する。第２モードは、入力領域の少なくとも一部を対象とし、入力位置のＸ座標及びＹ座標を詳細に検出することができる特長を有している。図１５は、第２モードによるセンシング方法の一例の原理を説明するための図である。

図１５に示すように、共通電極ＣＥと検出電極Ｒｘとの間には容量Ｃｃが存在する。すなわち、検出電極Ｒｘは、共通電極ＣＥと静電容量結合する。この例では、利用者の指が、上から２番目の共通電極ＣＥと右から２番目の検出電極Ｒｘとが交差する位置に近接して存在するものとする。検出電極Ｒｘに利用者の指が近接することによりカップリング容量Ｃｘが生じる。

まず、駆動ＩＣ １は、共通電極ＣＥにパルス状の書込み信号（センサ駆動信号）Ｖｗを書込み、共通電極ＣＥと検出電極Ｒｘとの間にセンサ信号を発生させる。次いで、駆動ＩＣ ２は、検出電極Ｒｘからセンサ信号（例えば、検出電極Ｒｘに生じる静電容量）の変化を示す読取り信号Ｖｒを読取る。言い換えると、駆動ＩＣ ２は、検出電極Ｒｘのセンサ出力値を検出する。書込み信号Ｖｗが共通電極ＣＥに供給されるタイミングと、各検出電極からの読取り信号Ｖｒと、に基づいて、第２入力位置情報を検出することができる。

上記のように構成された実施形態に係る液晶表示装置ＤＳＰによれば、液晶表示装置ＤＳＰは、配線群ＳＨ、及び検出部Ｄを備えている。配線群ＳＨの第１配線ＳＨａ１及び第２配線ＳＨａ２は、第１導電層Ｌ１と、第２導電層Ｌ２と、第３導電層Ｌ３と、を備える積層導電層で形成されている。検出部Ｄの検出線ＬＢ、接続線Ｃ１，Ｃ２、ダミー線、及びリード線ＬＲは、第１導電層Ｌ１１と、第２導電層Ｌ１２と、第３導電層Ｌ１３と、を備える積層導電層で形成されている。

配線群ＳＨは、少なくとも第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を備えている。検出部Ｄは、少なくとも第１導電層Ｌ１１及び第２導電層Ｌ１２を備えている。少なくとも第１導電層Ｌ１の側壁Ｌ１ｂや、第１導電層Ｌ１１の側壁Ｌ１１ｂは、それぞれ不動態膜で形成されている。不動態膜は、例えば、酸素プラズマ処理と言う簡便な手法により、形成可能である。このため、表示品位の低下を抑制することができ、電食や腐食の生じ難い配線群ＳＨ及び検出部Ｄを得ることができる。

配線群ＳＨはさらに第３導電層Ｌ３を備え、検出部Ｄはさらに第３導電層Ｌ１３を備えている。このため、干渉効果により、配線群ＳＨや検出部Ｄで反射した光の強度を低減することができる。これにより、表示品位の低下を、一層、抑制することができる。
上記のことから、導電層の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。又は、表示品位に優れた液晶表示装置ＤＳＰを得ることができる。

本発明の実施形態を説明したが、上記の実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上記の新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。上記の実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば、配線群ＳＨ及び検出部Ｄは、４層以上導電層で形成されていてもよい。ここで、配線群ＳＨ及び検出部Ｄを代表して検出部Ｄの変形例を挙げる。
図１６に示すように、検出線ＬＢの第１導電層Ｌ１１は、第４導電層Ｌ１４、第５導電層Ｌ１５及び第６導電層Ｌ１６を有する積層構造を有していてもよい。
第４導電層Ｌ１４は、第２絶縁基板２０と第２導電層Ｌ１２と間に位置している。第４導電層Ｌ１４は、例えばチタンで形成されている。第４導電層Ｌ１４において、中央Ｌ１４ａの酸素濃度より側壁Ｌ１４ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ１４ｂは酸化膜（不動態膜）で形成されている。

第５導電層Ｌ１５は、第４導電層Ｌ１４と第２導電層Ｌ１２と間に位置し、第４導電層Ｌ１４の上に設けられている。第５導電層Ｌ１５は、第４導電層Ｌ１４を形成する材料と異なる導電材料で形成されている。第５導電層Ｌ１５は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金などで形成されている。第５導電層Ｌ１５において、中央Ｌ１５ａの酸素濃度より側壁Ｌ１５ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ１５ｂは酸化膜（不動態膜）で形成されている。

第６導電層Ｌ１６は、第５導電層Ｌ１５と第２導電層Ｌ１２と間に位置し、第５導電層Ｌ１５と第２導電層Ｌ１２とに接している。第６導電層Ｌ１６は、第６導電層Ｌ１６を形成する材料及び第２導電層Ｌ１２を形成する材料とそれぞれ異なる導電材料で形成されている。第６導電層Ｌ１６は、例えばチタンで形成されている。第６導電層Ｌ１６において、中央Ｌ１６ａの酸素濃度より側壁Ｌ１６ｂの酸素濃度の方が高い。側壁Ｌ１６ｂは酸化膜（不動態膜）で形成されている。

第２導電層Ｌ１２は、例えば、チタン窒化物や、アルミニウム窒化物で形成されている。第２導電層Ｌ１２は、第６導電層Ｌ１６の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有している。
図１６に示す検出線ＬＢを利用しても、上記実施形態に係る検出線ＬＢを利用した場合と同様の効果を得ることができる。

配線群ＳＨは、第３導電層Ｌ３無しに形成されていてもよい。同様に、検出部Ｄは、第３導電層Ｌ１３無しに形成されていてもよい。この場合、第２導電層Ｌ２，Ｌ１２の上面に酸化膜が形成されていてもよい。但し、第２導電層Ｌ２，Ｌ１２の上面の導電率が低下する点に留意する必要がある。

また、上述した配線群ＳＨ及び検出部Ｄ以外の導電部材が、上記積層導電層で形成されていてもよい。

駆動ＩＣ １及び駆動ＩＣ ２は、一体に形成されていてもよい。すなわち、駆動ＩＣ １及び駆動ＩＣ ２は、単一の駆動ＩＣに集約されていてもよい。この場合、上記単一の駆動ＩＣは、液晶表示パネルＰＮＬ、検出部Ｄ及び制御モジュールＣＭに接続され、共通電極ＣＥにコモン駆動信号Ｖｃｏｍを与えたり、共通電極ＣＥ、又は検出電極Ｒｘの少なくとも一方に書込み信号を書込んだり、検出電極Ｒｘから読取り信号を読取ったり、できればよい。
上述した制御部は、駆動ＩＣ １，２及び制御モジュールＣＭに限定されるものではなく、種々変形可能であり、センサＳＥを制御することができるものであればよい。

上述した実施形態では、表示装置として、センサＳＥを備える液晶表示装置ＤＳＰを例に開示した。しかし、上述した実施形態は、センサＳＥ無しに形成される液晶表示装置ＤＳＰに適用可能である。さらに、上述した実施形態は、有機ＥＬ（electroluminescent）表示装置、その他の自発光型表示装置、あるいは電気泳動素子等を有する電子ペーパ型表示装置等、あらゆるフラットパネル型の表示装置に適用可能である。また、上述した実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能であることは言うまでもない。

ＤＳＰ…液晶表示装置、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１絶縁基板、ＰＸ…画素、Ｇ…走査線、Ｓ…信号線、ＰＳＷ…画素スイッチング素子、ＣＨ…コンタクトホール、ＣＥ…共通電極、ＩＦ…絶縁膜、ＰＥ…画素電極、ＳＨ…配線群、ＳＨａ…配線部、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２絶縁基板、ＳＥ…センサ、Ｄ…検出部、Ｒｘ…検出電極、ＬＢ…検出線、Ｃ１，Ｃ２…接続線、ＬＲ…リード線、ＤＲ…ダミー電極、Ｌ１，Ｌ１１…第１導電層、Ｌ２，Ｌ１２…第２導電層、Ｌ３，Ｌ１３…第３導電層、Ｌ１ａ，Ｌ２ａ，Ｌ１１ａ，Ｌ１２ａ，Ｌ１４ａ，Ｌ１５ａ，Ｌ１６ａ…中央、Ｌ１ｂ，Ｌ２ｂ，Ｌ１１ｂ，Ｌ１２ｂ，Ｌ１４ｂ，Ｌ１５ｂ，Ｌ１６ｂ…側壁、１，２…駆動ＩＣ、ＣＭ…制御モジュール、ＣＤ…共通電極駆動回路、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｘ…第１方向、Ｙ…第２方向。

Claims (12)

1. 積層導電層を備えた表示装置において、
   前記積層導電層は、
   アルミニウムを含む材料で形成された第１導電層と、
   前記第１導電層の上に設けられ、前記第１導電層を形成する材料と異なる材料で形成され、前記第１導電層の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有する第２導電層と、を備え、
   前記第１導電層の側壁は、酸化膜で形成されている、
   表示装置。
2. 前記第２導電層の側壁は、酸化膜で形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記積層導電層は、
   前記第２導電層上に設けられ、透明な導電材料で形成された第３導電層をさらに備える、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第３導電層は、酸化物で形成されている、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１導電層は、アルミニウム、又はアルミニウム合金で形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第２導電層は、アルミニウム窒化物で形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 第１基板と、
   前記第１基板の上方に位置し前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第２基板の上方に位置した検出電極と、をさらに備え、
   前記検出電極は、前記積層導電層で形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 駆動電極と前記駆動電極に対向した画素電極とを有する第１基板と、
   前記第１基板の上方に位置し前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
   前記第２基板の上方に位置した検出電極と、
   画像を表示する表示駆動時に前記駆動電極にコモン駆動信号を与え、前記画素電極に画像信号を与える駆動部と、
   センシングを行うセンシング駆動時に前記駆動電極にセンサ駆動信号を与え、前記検出電極のセンサ出力値を検出する制御部と、をさらに備え、
   前記検出電極は、前記積層導電層で形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
9. 第１基板と、
   前記第１基板の上方に位置し前記第１基板に対向配置された第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、をさらに備え、
   前記第１基板は、
   金属で形成された走査線と、
   金属で形成され前記走査線の上方に位置した信号線と、
   前記信号線の上方に位置した配線部と、を備え、
   前記配線部は、前記積層導電層で形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
10. 前記走査線は、第１方向に延在し、
    前記信号線は、前記第１方向に交差する第２方向に延在し、
    前記配線部は、前記走査線及び前記信号線のそれぞれに沿って延在し、前記走査線及び前記信号線のそれぞれと対向している、
    請求項９に記載の表示装置。
11. 積層導電層を備えた表示装置において、
    前記積層導電層は、
    アルミニウムを含む材料で形成された第１導電層と、
    前記第１導電層の上に設けられ、前記第１導電層を形成する材料と異なる材料で形成され、前記第１導電層の可視光吸収率より高い可視光吸収率を有する第２導電層と、を備え、
    前記第１導電層において、中央の酸素濃度より側壁の酸素濃度の方が高い、
    表示装置。
12. 前記第２導電層において、中央の酸素濃度より側壁の酸素濃度の方が高い、
    請求項１１に記載の表示装置。

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