JP6302741B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

液晶や有機ＥＬなどを用いた表示装置が開発されている。表示装置において、例えば、タッチ入力式の入力機能が設けられる場合がある。表示装置において、均一な表示が望まれる。

特許第４４１０４８８号公報

本発明の実施形態は、表示均一性の高い表示装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、複数の第１配線と、複数の第２配線と、複数の第３配線と、複数の第４配線と、複数のスイッチ素子と、複数の画素電極と、第１絶縁層と、表示層と、制御部と、を含む表示装置が提供される。前記複数の第１配線は、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ。前記複数の第２配線は、前記第２方向に延在し、前記第１方向に並ぶ。前記複数のスイッチ素子のそれぞれは、前記複数の第１配線のいずれか及び前記複数の第２配線のいずれかと電気的に接続される。前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数のスイッチ素子のそれぞれと電気的に接続される。前記複数の第３配線は、前記第１方向と前記第２方向とを含む平面に対して平行な第３方向に延在し、前記平面に対して平行で前記第３方向と交差する第４方向に並ぶ。前記第１絶縁層は、前記複数の第２配線と前記複数の第３配線との間に設けられる。前記複数の第４配線は、前記平面に対して垂直な第５方向において前記第１〜第３配線、前記スイッチ素子及び前記複数の画素電極と離間し前記第４方向に延在し前記第３方向に並ぶ。前記表示層は、前記複数の画素電極と前記複数の第４配線との間に設けられ、前記複数の画素電極に与えられる電気信号に基づいて、光学特性の変化と、発光と、の少なくともいずれかの光学動作を行う。前記制御部は、検出期間において、前記複数の第３配線のうちのいずれかである選択状態の選択第３配線と前記複数の第４配線との間の電気特性を検出する検出動作と、前記検出期間の後の第１表示期間において前記複数の第１配線の少なくともいずれかに第１走査信号を供給して前記複数の第２配線を表示電位に設定して前記複数の画素電極の前記電位を制御して前記表示層に前記光学動作を行わせる第１表示動作と、前記検出期間の前の第２表示期間において前記複数の第１配線の少なくともいずれかに第２走査信号を供給して前記複数の第２配線を前記表示電位に設定し前記複数の画素電極の前記電位を制御して前記表示層に前記光学動作を行わせる第２表示動作と、前記検出期間の後であって前記第１表示期間の前の表示前期間において、前記複数の第２配線の前記少なくともいずれかを表示前電位に設定する第１電圧印加動作を含む表示前動作と、を行う。前記表示前電位の絶対値は前記表示電位の絶対値よりも大きい。前記表示前動作は、前記第１電圧印加動作の後に実施する第２電圧印加動作をさらに含む。前記第２電圧印加動作は、前記複数の第２配線の前記少なくともいずれかを、前記第２表示期間の最後における前記複数の第２配線の最後電位に設定することを含む。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式的断面図である。 図２は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式的斜視図である。 図３は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式図である。 図４は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式図である。 図５は、第１の実施形態に係る表示装置の動作を例示する模式図である。 図６は、第１の実施形態に係る表示装置の特性を例示するグラフ図である。 図７は、第１の実施形態に係る表示装置の動作を例示する模式図である。 図８は、第１の実施形態に係る別の表示装置を例示する模式図である。 図９は、第２の実施形態に係る表示装置の駆動装置の動作を例示するフローチャート図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式的断面図である。
図１に表したように、本実施形態に係る表示装置１１０においては、第１基板部１０ｕと、第２基板部２０ｕと、表示層３０と、が設けられる。この例では、表示層３０として、液晶が用いられる。後述するように、表示層３０として有機発光層などを用いても良い。表示装置１１０には、複数の画素３５が設けられる。図１は、１つの画素３５の部分を例示している。

例えば、第１基板部１０ｕとして、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基板が用いられる。第１基板部１０ｕには、例えば、第１基板１０と、ゲート線ＧＬ（第１配線Ｌ１）と、スイッチ素子１１と、信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）と、コモン線ＣＬ（第３配線Ｌ３）と、画素電極Ｐｘと、が設けられる。

例えば、ゲート線ＧＬ及び信号線ＳＬは、例えば、Ｘ−Ｙ平面内に延在する。Ｘ−Ｙ平面に対して平行な１つの方向がＸ軸方向である。Ｘ−Ｙ平面に対して平行で、Ｘ軸方向に対して垂直な方向がＹ軸方向である。Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。第１基板部１０ｕは、Ｘ−Ｙ平面内に延在する。

この例では第１基板１０は、光透過性である。第１基板１０には、例えば、ガラスまたは樹脂が用いられる。第１基板１０の上に、ゲート線ＧＬが設けられる。

この例では、スイッチ素子１１として、ＴＦＴが用いられる。スイッチ素子１１は、半導体層１２を含む。半導体層１２は、第１部分１２ａと、第２部分１２ｂと、第３部分１２ｃと、を含む。第２部分１２ｂは、Ｘ−Ｙ平面内で、第１部分１２ａと離間する。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第３部分１２ｃは、第１部分１２ａと第２部分１２ｂとの間に配置される。第１部分１２ａは、スイッチ素子１１のソース及びドレインの一方となる。第２部分１２ｂは、ソース及びドレインの他方となる。第３部分１２ｃは、スイッチ素子１１のチャネル部となる。

スイッチ素子１１は、ゲート１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｉと、をさらに含む。第３部分１２ｃとゲート１１ｇとの間に、ゲート絶縁膜１１ｉが設けられる。この例では、ゲート１１ｇの上に第３部分１２ｃが配置される。この例では、スイッチ素子１１は、ゲート下置き構造を有する。実施形態において、スイッチ素子１１は、ゲート上置き構造を有しても良い。

ゲート線ＧＬ及びゲート１１ｇの少なくともいずれかには、第１金属層が用いられる。第１金属層には、例えば、Ｍｏ（モリブデン）、ＭｏＷ（モリブデンタングステン）、Ａｌ（アルミニウム）、及び、Ｃｕ（銅）の少なくともいずれかが用いられる。例えば、第１金属層は、Ｍｏを含む。

半導体層１２には、例えば、ポリシリコン（多結晶シリコン）、アモルファスシリコン（非晶質シリコン）及び結晶シリコンの少なくともいずれかが用いられる。半導体層１２として、酸化物半導体を用いても良い。例えば、半導体層１２は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の少なくともいずれかを含む酸化物を含んでも良い。

信号線ＳＬは、第１部分１２ａと電気的に接続される。この例では、信号線ＳＬの一部（第１接続部１５ａ）が、第１部分１２ａと電気的に接続される。この例では、第１接続部１５ａは、第１接続導電部１５ｃにより第１部分１２ａと電気的に接続される。

実施形態において、電気的に接続される状態は、２つの導体が直接接する状態、及び、間に他の導体が挿入されて２つの導体の間に電流が流れる状態を含む。さらに、電気的に接続される状態は、間に素子（例えばスイッチ素子など）が挿入されて２つの導体の間に電流が流れる状態を形成可能な状態を含む。

一方、第２部分１２ｂの上に、第２接続導電部１５ｄが設けられる。第２接続導電部１５ｄの上に、第２接続部１５ｂが設けられる。

第１接続部１５ａ（信号線ＳＬ）、第１接続導電部１５ｃ、第２接続部１５ｂ及び第２接続導電部１５ｄには、第２金属層が用いられる。第２金属層には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）及びＣｕ（銅）の少なくともいずれかが用いられる。たとえば、第２金属層は、Ａｌを含む。

第１接続部１５ａ（信号線ＳＬ）と半導体層１２との間、第１接続導電部１５ｃと半導体層１２との間、第２接続部１５ｂと半導体層１２との間、及び、第２接続導電部１５ｄと半導体層１２との間に、層間絶縁層１３が設けられる。

層間絶縁層１３には、例えば、金属酸化物などが用いられる。層間絶縁層１３には、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物及びシリコン酸窒化物の少なくともいずれかが用いられる。

この例では、コモン線ＣＬが、信号線ＳＬなどの第２金属層の上に設けられる。コモン線ＣＬと信号線ＳＬとの間には、第１絶縁層Ｉ１が設けられる。後述するように、表示装置１１０において、複数の信号線ＳＬが設けられ、複数のコモン線ＣＬが設けられる。このとき、第１絶縁層Ｉ１は、複数の信号線ＳＬと複数のコモン線ＣＬとの間に設けられる。

第１絶縁層Ｉ１は、例えば、平坦化層として機能する。例えば、第１絶縁層Ｉ１は、有機材料を含む。第１絶縁層Ｉ１は、例えば、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂の少なくともいずれかを含む。第１絶縁層Ｉ１として、有機材料を用いることで、高い平坦性が得られる。

コモン線ＣＬの上に、画素電極Ｐｘが設けられる。この例では、画素電極Ｐｘは、櫛状であり、画素電極Ｐｘは、帯状の複数の部分Ｐｘｓを含む。複数の部分Ｐｘｓは、Ｘ−Ｙ平面内で互いに離間する。画素電極Ｐｘは、第２接続部１５ｂと電気的に接続される。この例では、画素電極Ｐｘは、第３接続導電部１７により、第２接続部１５ｂと電気的に接続される。

コモン線ＣＬ及び画素電極Ｐｘの少なくともいずれかには、例えば、光透過性の導電層が用いられる。例えば、コモン線ＣＬ及び画素電極Ｐｘの少なくともいずれかには、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物が用いられる。コモン線ＣＬ及び画素電極Ｐｘには、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などが用いられる。コモン線ＣＬ及び画素電極Ｐｘとして、例えば、光透過性の薄い金属層を用いても良い。

複数の画素３５のそれぞれに、少なくとも１つのスイッチ素子１１と、少なくとも１つの画素電極Ｐｘと、が設けられる。すなわち、複数のスイッチ素子１１のそれぞれが、複数の画素３５のそれぞれに設けられる。複数の画素電極Ｐｘのそれぞれが、複数の画素３５のそれぞれに設けられる。

画素電極Ｐｘとコモン線ＣＬとの間には、第２絶縁層Ｉ２が設けられる。この例では、複数のコモン線ＣＬの少なくとも一部は、複数の画素電極Ｐｘのいずれかの少なくとも一部と、複数の信号線ＳＬのいずれかの少なくとも一部と、の間に配置される。そして、第２絶縁層Ｉ２は、複数のコモン線ＣＬの上記の少なくとも一部と、複数の画素電極Ｐｘのいずれかの上記の少なくとも一部と、の間に配置される。

第２絶縁層Ｉ２には、例えば、第１絶縁層Ｉ１と同じ材料を用いても良い。第２絶縁層Ｉ２には、例えば金属化合物（酸化物、窒化物または酸窒化物など）を用いても良い。第２絶縁層Ｉ２の材料は任意である。

この例では、画素電極Ｐｘの上に第１配向膜１８が設けられる。

第２基板部２０ｕは、Ｚ軸方向において、第１基板部１０ｕと離間する。この例では、第２基板部２０ｕは、第２基板２０と、カラーフィルタ層２５と、第２配向膜２８と、検出線ＲＬ（第４配線Ｌ４）と、を含む。検出線ＲＬと第１基板部１０ｕとの間に、第２基板２０が設けられる。第２基板２０と第１基板部１０ｕとの間に、カラーフィルタ層２５が設けられる。カラーフィルタ層２５と第１基板部１０ｕとの間に、第２配向膜２８が設けられる。

この例では、第２基板２０は、光透過性である。第２基板１０には、例えば、ガラスまたは樹脂が用いられる。

検出線ＲＬは、例えば、光透過性である。検出線ＲＬには、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＴｉよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物（例えば、ＩＴＯなど）などが用いられる。検出線ＲＬとして、光透過性の薄い金属層を用いても良い。

カラーフィルタ層２５は、例えば、赤着色層、緑着色層及び青着色層などを含む。赤着色層、緑着色層及び青着色層のそれぞれは、複数の画素３５のそれぞれに対応して配置される。カラーフィルタ層２５の色は、４色以上でも良い。実施形態において、カラーフィルタ層２５は省略しても良い。カラーフィルタ層は、第１基板部１０ｕに設けられても良い。

第１配向膜１８及び第２配向膜２８には、例えば、ポリイミドなどが用いられる。これらの配向膜には、必要に応じて配向処理（例えばラビング処理など）が行われる。

第１基板部１０ｕと第２基板部２０ｕとの間に、表示層３０が設けられる。後述するように、複数の画素電極Ｐｘと、複数の検出線ＲＬと、が設けられる。表示層３０は、複数の画素電極Ｐｘと、複数の検出線ＲＬと、の間に配置される。例えば、第１配向膜１８と第２配向膜２８との間に、表示層３０が配置される。

表示層３０は、例えば、複数の画素電極Ｐｘに与えられる電気信号に基づいて、光学動作を行う。例えば、表示層３０として液晶層が用いられる場合は、光学動作は、光学特性の変化を含む。例えば、表示層３０として発光層（例えば有機発光層）が用いられ場合は、光学動作は、発光（光の放出）を含む。すなわち、表示層３０は、光学特性の変化と、発光と、の少なくともいずれかの光学動作を行う。

表示層３０に液晶層が用いられる場合、光学特性の変化が生じる。光学特性は、例えば、複屈折率、旋光性、散乱性、光反射率及び光吸収率の少なくいずれかを含む。例えば、画素電極Ｐｘに与えられる電気信号によって、表示層３０（液晶層）における液晶配向が変化し、実効的な複屈折率が変化する。旋光性、散乱性、光反射率及び光吸収率の少なくともいずれかが変化しても良い。

この例では、第１偏光層５１と第２偏光層５２とが設けられる。第１偏光層５１と第２偏光層５２との間に、第１基板部１０ｕが配置される。第１基板部１０ｕと第２偏光層５２との間に、第２基板部２０ｕが配置される。

この例では、バックライト部５５がさらに設けられる。バックライト部５５と第２偏光層５２との間に第１偏光層５１、第１基板部１０ｕ、表示層３０及び第２基板部２０ｕが配置される。バックライト部５５は、光を放出する。この光は、第１偏光層５１、第１基板部１０ｕ、表示層３０第２基板部２０ｕ及び第２偏光層５２を通過して、表示装置１１０の外部に出射する。

この例では、画素電極Ｐｘは、帯状の複数の部分Ｐｘｓを含む。画素電極Ｐｘと、コモン線ＣＬと、の間に、「横電界」が生じる。横電界は、Ｘ−Ｙ平面に対して平行な成分を有する電界である。横電界により、表示層２０（液晶層）の液晶分子のダイレクタ（液晶分子の長軸方向）を、Ｘ−Ｙ平面内で変化させる。ダイレクタの方向の変化により、例えば、複屈折率及び旋光性の少なくともいずれかが変化する。すなわち、光学特性の変化が生じる。

光学特性の変化により、バックライト部５５から出射した光の透過率が変化する。画素電極Ｐｘに与えられる電気信号（画像信号）に応じて、光の透過率が変化し、すなわち、明るさが変化する。明るさが変化した光が、表示装置１１０の上面Ｕｆから出射する。これにより、表示が行われる。

図２は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式的斜視図である。
図３は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式図である。
図２に表したように、本実施形態に係る表示装置１１０において、複数のゲート線ＧＬ（複数の第１配線Ｌ１）と、複数の信号線ＳＬ（複数の第２配線Ｌ２）と、複数のコモン線ＣＬ（複数の第３配線Ｌ３）と、複数の検出線ＲＬ（複数の第４配線Ｌ４）と、が設けられる。表示装置１１０には、図１に例示した、複数のスイッチ素子１１と、複数の画素電極Ｐｘと、第１絶縁層Ｉ１と、が設けられる。これらは、図２では省略されている。

図２に表したように、複数のゲート線ＧＬのそれぞれは、第１方向Ｄ１に延在する。複数のゲート線ＧＬは、第２方向Ｄ２に並ぶ。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と交差する。

例えば、第１方向Ｄ１は、Ｘ軸方向である。第２方向Ｄ２は、例えば、Ｙ軸方向である。

複数のゲート線ＧＬは、例えば、第１ゲート線ＧＬ１、第２ゲート線ＧＬ２、及び、第ｎゲート線ＧＬｎを含む。ゲート線ＧＬの数は、ｎである。ｎは、２以上の整数である。例えば、ｎは、１９２０である。実施形態において、ｎは任意である。

複数の信号線ＳＬのそれぞれは、第２方向Ｄ２に延在する。複数の信号線ＳＬは、第１方向Ｄ１に並ぶ。

複数の信号線ＳＬは、例えば、第１信号線ＳＬ１、第２信号線ＳＬ２、及び、第ｍ信号線ＳＬｍを含む。信号線ＳＬの数は、ｍである。ｍは、２以上の整数である。例えば、ｍは、１０８０×３である。すなわち、例えば、赤画素、緑画素及び青画素の組が１つの要素となる場合、要素の数が１０８０である。実施形態において、ｍは任意である。

図３に表したように、複数のスイッチ素子１１のそれぞれは、複数のゲート線ＧＬのいずれか、及び、複数の信号線ＳＬのいずれかと電気的に接続される。すなわち、スイッチ素子１１のゲート１１ｇが、複数のゲート線ＧＬの１つと接続される。スイッチ素子１１の半導体層１２の第１部分１２ａが、第１接続部１５ａを介して、複数の信号線ＳＬの１つと接続される。

図３に表したように、複数の画素電極Ｐｘのそれぞれは、複数のスイッチ素子１１のそれぞれと電気的に接続される。１つの画素電極Ｐｘは、スイッチ素子１１の半導体層１２の第２部分１２ｂと、第２接続部１５ｂを介して、電気的に接続される。

図３に表したように、コモン線ＣＬと、画素電極Ｐｘと、の間に、表示層３０（例えば液晶層）が配置される。表示層３０は、負荷容量となる。コモン線ＣＬは、ＶＣＯＭ電位に設定される。この例では、表示層３０と並列に、蓄積容量Ｃｓが設けられている。蓄積容量Ｃｓは、必要に応じて設けられ、省略しても良い。

図２に表したように、複数のコモン線ＣＬのそれぞれは、第３方向Ｄ３方向に延在する。第３方向Ｄ１は、Ｘ−Ｙ平面に対して平行である。Ｘ−Ｙ平面は、第１方向Ｄ１と第２方向Ｄ２とを含む平面である。第４方向Ｄ４は、Ｘ−Ｙ平面に対して平行で、第３方向Ｄ３と交差する。この例では、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１に対して平行であり、第４方向Ｄ４は、第２方向Ｄ２に対して平行である。

複数のコモン線ＣＬは、例えば、第１コモン線ＣＬ１、第２コモン線ＣＬ２、及び、第Ｎコモン線ＣＬＮを含む。コモン線ＣＬの数は、Ｎである。Ｎは、２以上の整数である。例えば、Ｎは、２７である。実施形態において、Ｎは任意である。

複数の検出線ＲＬは、第５方向Ｄ５において、ゲート線ＧＬ、信号線ＳＬ、コモン線ＣＬ、スイッチ素子１１及び複数の画素電極Ｐｘと離間する。第５方向Ｄ５は、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直である。

複数の検出線ＲＬは、例えば、第１検出線ＲＬ１、第２検出線ＲＬ２、及び、第Ｍ検出線ＲＬＭを含む。検出線ＲＬの数は、Ｍである。Ｍは、２以上の整数である。

図２においては、ゲート線ＧＬと検出線ＲＬとの間に、信号線ＳＬ及びコモン線ＣＬが配置されている。実施形態においては、これらの線の配置（第５方向Ｄ５における配置）は種々の変形ができる。

ゲート線ＧＬ、信号線ＳＬ、スイッチ素子１１及び画素電極Ｐｘにより、複数の画素３５における表示層３０（例えば液晶層）の光学動作が制御される。これにより、表示が行われる。表示動作において、コモン線ＣＬが、画素電極Ｐｘの対向電極として利用される。すなわち、スイッチ素子１１を介して画素電極Ｐｘに電気信号が供給され、複数の画素電極Ｐｘのそれぞれの電位が制御される。画素電極Ｐｘとコモン線ＣＬとにより生じる電界により液晶の配向が変化して、表示が行われる。

一方、複数の検出線ＲＬと、複数のコモン線ＣＬと、により、表示装置１１０の上面Ｕｆへのタッチ入力が検出される。検出動作においては、例えば、表示装置１１０の観視者（使用者）の指または入力部材（例えば入力ペンなど）などが表示装置１１０の上面Ｕｆに接触、または、近接する。検出線ＲＬとコモン線ＣＬとによって形成される電気容量が、上記の接触または近接により変化する。この電気容量の変化を検出することで、タッチ入力が検出される。例えば、静電容量型の検出が行われる。表示装置１１０は、例えば、入力機能付きの表示装置である。

この例では、コモン線ＣＬ（第３配線Ｌ３）が、表示のための対向電極として用いられつつ、検出のための対向電極Ｔｘとしても用いられる。実施形態において、第３配線Ｌ３（対向電極Ｔｘ）と第４配線Ｌ４（検出線ＲＬ）とを用いて検出を行い、表示のための対向電極が、第３配線Ｌ３とは別に設けられても良い。

図２に表したように、ゲート線ＧＬの数（すなわちｎ）は、コモン線ＣＬの数（すなわち、Ｎ）よりも大きい。ゲート線ＧＬの数が大きいことで、高精細の表示が実施できる。一方、入力の解像度は、表示の解像度よりも低くても良い場合が多い。このため、コモン線ＣＬの数は、ゲート線ＧＬの数よりも小さくできる。コモン線ＣＬの数を小さくすることで、検出動作に要する時間を短くでき、違和感のない（少ない）表示が可能になる。

例えば、複数のゲート線ＧＬが複数のグループに分けられる。例えば、複数のゲート線ＧＬは、第１グループＧＬｇ１、第２グループＧＬｇ２、及び、第ｋグループＧＬｇｋなどを含む。複数のグループのそれぞれは、互いに隣り合う複数のゲート線ＧＬを含む。例えば、１つのグループに含まれるゲート線ＧＬの数は、例えばｊである。ｊは、２以上の整数である。

例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、１つのコモン線ＣＬ（例えば、複数のコモン線ＣＬのそれぞれ）は、ゲート線ＧＬの複数のグループのそれぞれと重なる。

図３に例示したように、表示装置１１０に制御部６０が設けられる。制御部６０の少なくとも一部は、第１基板部１０ｕに設けられても良い。制御部６０の少なくとも一部は、表示装置の駆動装置２１０に含まれても良い。駆動装置２１０の少なくとも一部が、制御部６０に含まれても良い。

例えば、制御部６０は、ゲート線ドライバ６１と、信号線ドライバ６２と、制御回路６３と、を含む。ゲート線ドライバ６１は、複数のゲート線ＧＬと電気的に接続される。信号線ドライバ６２は、複数の信号線ＳＬと電気的に接続される。このとき、後述するように、信号線ドライバ６２と、複数の信号線ＳＬと、の間に、セレクタ部が設けられても良い。制御回路６３は、ゲート線ドライバ６１及び信号線ドライバ６２と電気的に接続される。制御回路６３が入手する電気信号（画像信号を含む）に、適切な信号処理が行われる。信号処理が行われた電気信号が、ゲート線ドライバ６１及び信号線ドライバ６２に供給される。

例えば、制御部６０に、コモン線ドライバ６５及び検出回路６６がさらに設けられても良い。コモン線ドライバ６５は、コモン線ＣＬと電気的に接続され、コモン線ＣＬの電位を制御する。例えば、「コモン反転駆動」などが実施されても良い。検出回路６６は、検出線ＲＬ（図３では図示せず）と電気的に接続される。検出動作においては、コモン線ドライバ６５と検出回路６６とにより、複数のコモン線ＣＬのそれぞれと、複数の検出線ＲＬのそれぞれと、の間に形成される容量が検出される。

図３に例示したように、複数の画素３５は、第１色画素３５ａと、第２色画素３５ｂと、を含む。例えば、複数の画素電極Ｐｘは、第１色用の第１色画素電極Ｐｘａと、第２色用の第２色画素電極Ｐｘｂと、を含む。第２色は、第１色とは異なる。複数の信号線ＳＬは、第１色配線ＳＬａと、第２色配線ＳＬｂと、を含む。第１色配線ＳＬａは、複数のスイッチ素子１１のいずれかを介して第１色画素電極Ｐｘａと電気的に接続される。第２色配線ＳＬｂは、複数のスイッチ素子１１の別のいずれかを介して第２色画素電極Ｐｘｂと電気的に接続される。さらに、第３色画素及び第３画素電極が設けられても良い。これに伴い、第３色配線が設けられても良い。さらに、４色以上の画素３５が設けられても良い。以下では、３色の画素３５が設けられる場合の例について、説明する。

図４は、第１の実施形態に係る表示装置を例示する模式図である。
図４は、制御部６０の信号線ドライバ６２の例を示している。
図４に表したように、この例では、信号線ドライバ６２には、信号線回路部６２ａと、セレクタ部６２ｂと、が設けられる。信号線回路部６２ａは、セレクタ部６２ｂを介して、複数の信号線ＳＬと電気的に接続される。

セレクタ部６２ｂは、例えば、Ｒ色セレクタＳＥＬＲと、Ｇ色セレクタＳＥＬＧと、Ｂ色セレクタＳＥＬＢと、を含む。例えば、Ｒ色は赤色であり、Ｇ色は緑色であり、Ｂ色は青色である。複数の信号線ＳＬのうちのＲ色に対応する信号線が、Ｒ色セレクタＳＥＬＲと接続される。複数の信号線ＳＬのうちのＧ色に対応する信号線が、Ｇ色セレクタＳＥＬＧと接続される。複数の信号線ＳＬのうちのＢ色に対応する信号線が、Ｂ色セレクタＳＥＬＢと接続される。

信号線回路部６２ａから、画像信号Ｖｉｄｅｏが出力される。画像信号Ｖｉｄｅｏは、複数の色（例えば、赤、緑及び青など）のそれぞれに関する信号を含む。セレクタ部６２ｂの選択動作により、複数の色に関する信号（赤信号ＳｉｇＲ、緑信号ＳｉｇＧ、及び、青信号ＳｉｇＢなど）が、それぞれの色に対応する信号線ＳＬに供給される。

図５は、第１の実施形態に係る表示装置の動作を例示する模式図である。
図５は、表示装置１１０における表示動作及び検出動作を例示するタイムチャートである。
図５において、横軸は、時間ｔである。図５には、ゲート線ＧＬ、コモン線ＣＬ、信号線ＳＬ及び検出線ＲＬの電位の例を示している。図５において、高い電位は、低い電位よりも上に位置する。図５は、１つのフレーム期間を例示している。

図５に表したように、複数の表示期間ＤＴが設けられる。表示期間ＤＴにおいて表示動作ＤＯが行われる。表示動作ＤＯにおいては、ゲート線ＧＬに供給される信号と、信号線ＳＬに供給される信号と、により、表示が行われる。２つの表示期間ＤＴの間に、検出期間ＳＴが設けられる。検出期間ＳＴにおいては、検出動作ＳＯが行われる。検出動作ＳＯにおいては、コモン線ＣＬと、検出線ＲＬと、により検出が行われる。本実施形態においては、表示前期間ＰＤＴが設けられる。表示前期間ＰＤＴは、１つの検出期間ＳＴの後で、１つの表示期間ＤＴの前に位置する。表示前期間ＰＤＴにおいては、表示前動作ＰＤＯが行われる。

まず、表示動作ＤＯの例に関して説明する。
例えば、１つの表示期間ＤＴにおいて、第１グループＧＬｇ１に含まれるゲート線ＧＬ（例えば、第１ゲート線ＧＬ１、第２ゲート線ＧＬ２、及び、第ｊゲート線ＧＬｊなど）が、順次選択されて、これらのゲート線ＧＬに走査パルス（走査信号）が順次供給される。一方、信号線ＳＬには、画像信号Ｖｉｄｅｏに対応した信号Ｖｉｄｅｏ１が供給される。走査パルスに応じたスイッチ素子１１の動作により、画像信号Ｖｉｄｅｏに応じた信号Ｖｉｄｅｏ１が、画素電極Ｐｘに供給される。これにより、第１グループＧＬｇ１に対応する画素３５において、表示が行われる。

次の表示期間ＤＴにおいて、第２グループＧＬｇ２に含まれるゲート線ＧＬ（例えば、第（ｊ＋１）ゲート線ＧＬｊ＋１、第（ｊ＋２）ゲート線ＧＬｊ＋２、及び、第２ｊゲート線ＧＬ２ｊなど）が、順次選択されて、これらのゲート線ＧＬに走査パルス（走査信号）信号が順次供給される。一方、信号線ＳＬには、画像信号Ｖｉｄｅｏに対応した信号Ｖｉｄｅｏ１が供給される。これにより、第２グループＧＬｇ２に対応する画素３５において、表示が行われる。

同様に、第ｋグループＧＬｇｋに含まれるゲート線ＧＬ（例えば、第（ｎ−ｊ（ｋ−１）＋１）ゲート線ＧＬｎ−ｊ（ｋ−１）＋１、第（ｎ−ｊ（ｋ−１）＋２）ゲート線ＧＬｎ−ｊ（ｋ−１）＋２、及び、第ｎゲート線ＧＬｎなど）が、順次選択されて、これらのゲート線ＧＬに走査パルス（走査信号）信号が順次供給される。一方、信号線ＳＬには、画像信号Ｖｉｄｅｏに対応した信号Ｖｉｄｅｏ１が供給される。これにより、第ｋグループＧＬｇｋに対応する画素３５において、表示が行われる。

以上により、第１ゲート線ＧＬ１〜第ｎゲート線ＧＬｎの走査が行われ、１フレームの表示が行われる。上記の動作が繰り返して行われ、複数のフレームによる表示が行われる。ゲート線ＧＬのそれぞれに対応する画素電極Ｐｘの電位は、１つのフレームの間、実質的に維持される。既に説明した蓄積容量Ｃｓは、画素電極Ｐｘの電位を維持し易くする。

次に、検出動作ＳＯの例について説明する。
この例では、第１グループＧＬｇ１に関する表示動作ＤＯと、第２グループＧＬｇ２に関する表示動作ＤＯと、の間に、検出動作ＳＯが行われる。１つの検出動作ＳＯにおいては、例えば、複数の第３配線Ｌ３のいずれかが選択される。１つの検出動作ＳＯにおいて、複数の第３配線Ｌ３（例えば、全ての第３配線Ｌ３）のそれぞれが順次選択されても良い。以下では、１つの検出動作ＳＯにおいて、１つの第３配線Ｌ３（例えば、第１コモン線ＣＬ１）が選択され、別の検出動作ＳＯにおいて、別の第３配線Ｌ３（例えば、第２コモン線ＣＬ２）が選択され、同様に、第Ｎコモン線ＣＬＮが順次選択される場合について説明する。

選択されたコモン線ＣＬを、「選択第３配線Ｌ３ｓｌ」ということにする。「選択第３配線Ｌ３ｓｌ」を除くコモン線ＣＬを、「非選択第３配線Ｌ３ｎｓ」ということにする。選択第３配線Ｌ３には、例えば、高周波信号が印加される。高周波信号は、例えば、０Ｖと５Ｖとを繰り返す高周波信号である。高周波信号の周波数は、１００ｋＨｚ以上５００Ｈｚ程度であり、例えば、約３００ｋＨｚである。非選択第３配線Ｌ３ｎｓは、例えば、非選択電位Ｖｎｓ（例えば０Ｖなど）に設定される。

検出動作ＳＯにおいては、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）を第１電位Ｖ１に設定する。第１電位Ｖ１は、例えば０Ｖである。第１電位Ｖ１は、複数の値を有しても良く、時間的に変化しても良い。例えば、反転駆動を用いる場合などにおいては、第１電位Ｖ１は、フレームごと、行ごと、列ごと、画素グループごと、及び、画素ごとの少なくともいずれかによって、変化しても良い。

複数の検出線ＲＬのそれぞれと、選択第３配線Ｌ３ｓｌと、の間に流れる電流信号を検出することで、検出動作ＳＯが行われる。例えば、検出動作ＳＯにおいて、検出線ＲＬが第４電位Ｖ４（例えばグランド電位の０Ｖ）に設定される。そして、高周波信号が印加されている選択第３配線Ｌ３ｓｌと、検出線ＲＬと、の間に流れる電流が検出される。

本実施形態においては、１つの検出動作ＳＯと、１つの表示動作ＤＯと、の間において、表示前動作ＰＤＯが行われる。表示前動作ＰＤＯにおいては、コモン線ＣＬの電位が表示前電位Ｖｎｐに設定される。一方、表示前動作ＰＤＯにおいて、信号線ＳＬに所定の電圧Ｖｐが印加される。この電圧Ｖｐの印加により、表示動作ＤＯの前に、信号線ＳＬの電位を、表示動作ＤＯのときの電位に近づけることができる。電圧Ｖｐの印加を、複数回実施しても良い。電圧Ｖｐは、複数回の印加において、変化させても良い。

もし、表示前動作ＰＤＯを行わずに、検出動作ＳＯの直後に表示動作ＤＯを行う参考例の場合は、表示が不均一になり易いことが分かった。例えば、検出動作ＳＯにおいては、信号線ＳＬは、所定の第１電位Ｖ１（例えば、０Ｖなど）に設定される。この検出動作ＳＯの直後の表示動作ＤＯにおいて、信号線ＳＬを信号Ｖｉｄｅｏ１の電位に設定しようとしても、信号線ＳＬの電位の変化に遅れが生じる。この遅れにより、信号線ＳＬの電位が、所望の電位ではなくなり、表示の不均一が生じる。例えば、ゲート線ＧＬの延在方向に沿った、縞が観察される場合があることが分かった。この縞の境界は、例えば、ゲート線ＧＬのグループどうしの境界に生じ易い。

例えば、信号線ＳＬとコモン線ＣＬとの間に配置される第１絶縁層Ｉ１において、誘電分散が大きい場合がある。例えば、第１絶縁層Ｉ１として、有機材料を用いた場合には、第１絶縁層Ｉ１において、電子分極に加えて、双極子に起因する分極が生じ易い。例えば、有機材料が、アクリル系やポリイミド系の材料の場合には、官能基に基づく双極子が生じる。このため、第１絶縁層Ｉ１において誘電分散が大きくなり、緩和が大きくなる傾向がある。

図６は、第１の実施形態に係る表示装置の特性を例示するグラフ図である。
図６は、第１絶縁層Ｉ１に用いられる材料の誘電分散の特性を例示している。図７の横軸は、材料に印加される電圧の周波数ｆａである。縦軸は、材料の相対的な誘電率ε１である。相対的な誘電率ε１は、材料に直流電圧を印加したとき（周波数ｆａが０Ｈｚに相当）の誘電率を１として規格化した値である。この例は、第１絶縁層Ｉ１の材料が有機材料（アクリル樹脂）を用いた場合の例である。

図６に表したように、周波数ｆａが高いと、誘電率ε１が減少する。例えば、周波数ｆａが３００ｋＨｚの時の誘電率は、直流における誘電率の約０．９３倍である。このように、比較的大きい誘電分散が観察される。このように、第１絶縁層Ｉ１において、誘電緩和が生じる。第１絶縁層Ｉ１において、誘電率（比誘電率）の緩和時間が長い場合がある。

例えば、第１絶縁層Ｉ１において、緩和時間が長いと、信号線ＳＬとコモン線ＣＬとの間の電位差の変化に、遅れが生じる。これにより、表示の均一性が低下すると考えられる。

実施形態においては、表示動作ＤＯを行う前に、表示前動作ＰＤＯを行う。この表示前動作ＰＤＯにおいて、信号線ＳＬに所定の電圧Ｖｐを印加する。すなわち、表示動作ＤＯの前に、信号線ＳＬの電位を予め変える。これにより、例えば、信号線ＳＬの電位は、表示動作ＤＯのときの電位に予め近づく。その結果、表示が均一にできる。この表示前動作による表示の均一性の向上は、第１絶縁層Ｉ１における誘電分散が比較的大きい場合に特に有効であると考えられる。第１絶縁層Ｉ１における誘電分散が小さい場合も、上記の表示前動作を行うことで、表示の均一性をより向上できる。

上記の表示動作ＤＯ、検出動作ＳＯ及び表示前動作ＰＤＯは、制御部６０によって実施される。

図７は、第１の実施形態に係る表示装置の動作を例示する模式図である。
図７は、表示装置１１０における動作の例を示している。図７では、２つの表示動作（第１表示動作ＤＯ１及び第２表示動作ＤＯ２）と、その間の検出動作ＳＯと、検出動作ＳＯと第１表示動作ＤＯ１との間の表示前動作ＰＤＯと、の例を示している。

図７には、セレクタ部６２ｂのＲ色セレクタＳＥＬＲ、Ｇ色セレクタＳＥＬＧ及びＢ色セレクタＳＥＬＢの電位、画像信号Ｖｉｄｅｏ（信号Ｖｉｄｅｏ１）、複数の色に関する信号（赤信号ＳｉｇＲ、緑信号ＳｉｇＧ、及び、青信号ＳｉｇＢ）の電位を例示している。

図７には、信号線ＳＬとコモン線ＣＬとで形成されるキャパシタの相対的な誘電率ε１が、モデル的に例示されている。図７においては、誘電率ε１は、信号線ＳＬとコモン線ＣＬとの間で形成される第１絶縁層Ｉ１を含む容量の変化の時間的な遅れをモデル的に示している。すなわち、誘電率ε１の時間変化は、この容量の変化の遅れに対応している。

この例では、第１表示期間ＤＴ１の前に、検出期間ＳＴが設けられる。検出期間ＳＴの前に、第２表示期間ＤＴ２が設けられる。検出期間ＳＴと第１表示期間ＤＴ１との間に、表示前期間ＰＤＴが設けられる。

第２表示期間ＤＴ２の第２表示動作ＤＯ２は、例えば、第（ｉ−１）グループＧＬｇ（ｉ−１）のゲート線ＧＬによる表示に対応する。第１表示期間ＤＴ１の第１表示動作ＤＯ１は、例えば、第ｉグループＧＬｇｉのゲート線ＧＬによる表示に対応する。例えば、第２表示動作ＤＯ２は、第１グループＧＬｇ１のゲート線ＧＬを用いた表示に対応する。第１表示動作ＤＯ１は、第２グループＧＬｇ２のゲート線ＧＬを用いた表示に対応する。

第２表示期間ＤＴ２の第２表示動作ＤＯ２において、表示する内容に応じた画像信号Ｖｉｄｅｏが、信号線回路部６２ａ（図４参照）から出力される。一方、Ｒ色セレクタＳＥＬＲ、Ｇ色セレクタＳＥＬＧ及びＢ色セレクタＳＥＬＢに、選択パルスが順次供給される。これにより、信号線ＳＬに、赤信号ＳｉｇＲ、緑信号ＳｉｇＧ、及び、青信号ＳｉｇＢが供給される。これにより、第２表示動作ＤＯ２が行われる。

検出期間ＳＴにおいて検出動作ＳＯが実施される。検出動作ＳＯにおいては、例えば、Ｒ色セレクタＳＥＬＲ、Ｇ色セレクタＳＥＬＧ及びＢ色セレクタＳＥＬＢは、選択状態（高レベル）に設定される。そして、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）の少なくともいずれかを第１電位Ｖ１（例えば０Ｖ）に設定する。そして、複数のコモン線ＣＬ（第３配線Ｌ３）のうちの選択第３配線Ｌ３ｓｌと、複数の検出線ＲＬ（第４配線Ｌ４）と、の間の電気特性を検出する。選択第３配線Ｌ３ｓｌは、図５に関して説明したように、複数のコモン線ＣＬ（第３配線Ｌ３）のうちのいずれかであり、選択状態である。検出期間ＳＴにおける検出動作ＳＯにより、例えば、タッチ式の入力が検出される。

電気特性の検出は、例えば、選択第３配線Ｌ３ｓｌと、複数の検出線ＲＬ（第４配線Ｌ４）と、の間に流れる電流の検出を含む。電気特性の検出は、例えば、選択第３配線Ｌ３ｓｌと、複数の検出線ＲＬ（第４配線Ｌ４）と、の間のインピーダンスの検出を含む。電気特性の検出は、過去に実施した検出結果と、新たに検出した検出結果と、の差を求めることを含んでも良い。

検出期間ＳＴの後であり第１表示期間ＤＴ１の前の表示前期間ＰＤＴにおいて、表示前動作ＰＤＯが行われる。表示前動作ＰＤＯは、第１電圧印加動作ＶＡ１を含む。この例では、表示前動作ＰＤＯは、第２電圧印加動作ＶＡ２をさらに含む。第１電圧印加動作ＶＡ１においては、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）の上記の少なくともいずれかを、第２電位Ｖ２に設定する。第２電位Ｖ２は、表示前電位である。第２電位Ｖ２は、第１電位Ｖ１とは異なる。第２電圧印加動作ＶＡ２においては、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）の上記の少なくともいずれかを、電位Ｖ２ａ（電位Ｖ２ａｒ、Ｖ２ａｇ及びＶ２ａｂなど）に設定する。

例えば、第２電位Ｖ２の設定が、図５に関して説明した、信号線ＳＬへの電圧Ｖｐの印加に対応する。この例では、信号線ＳＬへの電圧Ｖｐの印加は、電位Ｖ２ａの設定もさらに含む。

第１表示期間ＤＴ１においては、第１表示動作ＤＯ１が実施される。第１表示動作ＤＯ１においては、複数のゲート線ＧＬ（第１配線Ｌ１）の少なくともいずれかに、第１走査信号を供給して複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）に第１表示信号を供給して、複数の画素電極Ｐｘの電位を制御して、表示層３０に光学動作を行わせる。第１表示動作ＤＯ１においては、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）を表示電位（例えば第３電位Ｖ３）に設定する。

例えば、第１表示動作ＤＯ１において、画像信号Ｖｉｄｅｏが、信号線回路部６２ａから出力され、Ｒ色セレクタＳＥＬＲ、Ｇ色セレクタＳＥＬＧ及びＢ色セレクタＳＥＬＢに選択パルスが順次供給される。これにより、信号線ＳＬに、赤信号ＳｉｇＲ、緑信号ＳｉｇＧ、及び、青信号ＳｉｇＢが供給される。これにより、第１表示動作ＤＯ１が行われる。

実施形態においては、表示前動作ＰＤＯにおける第１電圧印加動作ＶＡ１により、第１表示動作ＤＯ１の前に、信号線ＳＬの電位を変える。例えば、信号線ＳＬの電位が、第１表示動作ＤＯ１のときの電位に予め近づく。これにより、表示が均一にできる。さらに、第２電圧印加動作ＶＡ２により、第１表示動作ＤＯ１の前に、信号線ＳＬの電位を予め変える。例えば、信号線ＳＬの電位が、第１表示動作ＤＯ１のときの電位に近づく。これにより、表示がより均一にできる。

実施形態において、例えば、第２電位Ｖ２は、第１電位Ｖ１よりも高い。例えば、第１電位Ｖ１は、０Ｖである。第２電位Ｖ２は、例えば、約＋４Ｖである。約−４Ｖでも良い。例えば、第２電位Ｖ２（電圧の絶対値）として、表示に用いられる信号電圧の最大値（表示電位の絶対値の最大値）を用いても良い。例えば、表示前動作ＰＤＯにおいては、検出動作ＳＯよりも高い電圧が、信号線ＳＬに印加される。表示前電位（第２電位Ｖ２）の絶対値は、表示電位（第３電位Ｖ３）の絶対値よりも大きい。これらの電位が正である場合、表示前電位は、表示電位よりも高い。

例えば、検出動作ＳＯにおいては、非選択第３配線Ｌ３ｎｓ（複数のコモン線ＣＬのうちの選択第３配線Ｌ３ｓｌを除く配線）は、非選択電位Ｖｎｓに設定される。実施形態において、非選択第３配線Ｌ３ｎｓの第１電圧印加動作ＶＡ１における電位（表示前電位Ｖｎｐ）と第２電位Ｖ２との間の電位差の絶対値は、｜Ｖ２−Ｖｎｐ｜である。一方、非選択第３配線Ｌ３ｎｓの検出期間ＳＴにおける電位（非選択電位Ｖｎｓ）と、第１電位Ｖ１との間の電位差の絶対値は、｜Ｖ１−Ｖｎｓ｜である。絶対値｜Ｖ２−Ｖｎｐ｜は、絶対値は、｜Ｖ１−Ｖｎｓ｜よりも大きく設定される。

例えば、非選択電位Ｖｎｓ、表示前電位Ｖｎｐ及び第１電位Ｖ１は、０Ｖである。一方、第２電位Ｖ２は、＋４Ｖである。すなわち、表示前動作ＰＤＯにおける信号線ＳＬとコモン線ＣＬとの間の電位差の絶対値が、検出動作ＳＯにおける信号線ＳＬと非選択第３配線Ｌ３ｎｓ（コモン線ＣＬの一部）との間の電位差の絶対値よりも大きく設定される。信号線ＳＬを、表示前動作ＰＤＯの後に行われる第１表示動作ＤＯ１のときの電位に予め近づけることができ、誘電緩和による影響を抑制できる。なお、上記の電圧の値は例であり、実施形態において電圧の値は種々の変形が可能である。

実施形態において、表示前期間ＰＤＴの時間ｔｐｄは、例えば、１μｓ以上１０μｓ以下であり、例えば、３μｓ以上７μｓ以下である。時間ｔｐｄは、約５μｓである。

実施形態において、第１電圧印加動作ＶＡ１に加えて第２電圧印加動作ＶＡ２をさらに実施する場合、第２電圧印加動作ＶＡ２における電位Ｖ２ａ（電位Ｖ２ａｒ、Ｖ２ａｇ及びＶ２ａｂなど）は、第１電圧印加動作ＶＡ１における電位（第２電位Ｖ２）と異なっても良い。

実施形態において、例えば、第２電圧印加動作ＶＡ２における電位Ｖ２ａは、第２表示期間ＤＴ２の最後における信号線ＳＬの電位に応じて変化させても良い。

すなわち、図７に例示したように、第１表示動作ＤＯ１の他に、検出期間ＳＴの前の第２表示期間ＤＴ２において、第２表示動作ＤＯ２がさらに行われる。この第２表示動作ＤＯ２においては、複数のゲート線ＧＬ（第１配線Ｌ１）の少なくともいずれかに第２走査信号を供給して、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）に第２表示信号を供給する。第２表示動作ＤＯ２においては、複数の信号線ＳＬ（第２配線Ｌ２）を表示電位（例えば第３電位Ｖ３）に設定する。そして、表示前動作ＰＤＯにおける第２電圧印加動作ＶＡ１においては、複数の信号線ＳＬの少なくともいずれかを、第２表示期間ＤＴ２の最後におけるその複数の信号線ＳＬの第３電位Ｖ３（最後電位）に設定する。すなわち、第２電圧印加動作ＶＡ２において、第２表示期間ＤＴ２の「ラスト１Ｈ」の電位に、信号線ＳＬが設定される。この後、第１表示動作ＤＯ１が行われる。

実施形態において、例えば、第２表示動作ＤＯ２が実施されるゲート線ＧＬと、第１表示動作ＤＯ１が実施されるゲート線ＧＬと、は、隣り合う。表示前動作ＰＤＯにおいて、信号線ＳＬを「ラスト１Ｈ」の電位に設定することで、表示がより均一化される。

例えば、第１電圧印加動作ＶＡ１において設定される第２電位Ｖ２は、第２電圧印加動作ＶＡ２における電位Ｖ２ａよりも高く設定されても良い。

例えば、非選択第３配線Ｌ３ｎｓ（複数のコモン線ＣＬのうちの選択第３配線Ｌ３ｓｌを除く配線）の第１電圧印加動作ＶＡ１における電位は、例えば、表示前電位Ｖｎｐである。表示前電位Ｖｎｐと第２電位Ｖ２との間の電位差の絶対値は、｜Ｖ２−Ｖｎｐ｜である。一方、表示前電位Ｖｎｐと上記の第３電位Ｖ３との間の電位差は、｜Ｖ３−Ｖｎｐ｜である。実施形態においては、｜Ｖ２−Ｖｎｐ｜を｜Ｖ３−Ｖｎｐ｜よりも大きくする。

実施形態において、第２電圧印加動作ＶＡ２における電位Ｖ２ａ（電位Ｖ２ａｒ、Ｖ２ａｇ及びＶ２ａｂなど）は、例えば第３電位Ｖ３（「ラスト１Ｈ」の電位）に応じて変化する。一方、第２電位Ｖ２は、固定でも良く、第３電位Ｖ３に連動して変化しても良い。例えば、第２電位Ｖ２（表示前電位）は、第３電位Ｖ３（最後電位）に比例して変化しても良い。例えば、第２電位Ｖ２の第３電位Ｖ３に対する比は、例えば、１以上２以下でも良い。

既に説明したように、第２表示動作ＤＯ２が、例えば、第（ｉ−１）グループＧＬｇ（ｉ−１）（例えば第１グループＧＬｇ１）のゲート線ＧＬに対して実施され、第１表示動作ＤＯ１が、第ｉグループＧＬｇｉ（例えば第２グループＧＬｇ２）のゲート線ＧＬに対して実施される。このときに、表示が不均一になり易い。このとき、上記の表示前動作ＰＤＯを行うことによって、表示を均一化が効果的に実施できる。

すなわち、第３方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１に対して平行である。そして、複数のゲート線ＧＬは、複数のグループに分けられ、複数のグループのそれぞれは、互いに隣り合う複数のゲート線ＧＬを含む。そして、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、複数のコモン線ＣＬのそれぞれは、複数のグループのそれぞれと重なる。このとき、制御部６０は、第２表示期間ＤＴ２において、複数のゲート線ＧＬのうちの第１グループＧＬｇ１に含まれるゲート線ＧＬに第２走査信号を供給して複数の信号線ＳＬに第２表示信号を供給する第２表示動作ＤＯ２を行う。そして、第１表示動作ＤＯ１は、第１表示期間ＤＴ１に、第１グループＧＬｇ１の隣の第２グループＧＬｇ２に含まれるゲート線ＧＬに第１走査信号を供給して複数の信号線ＳＬに第１表示信号を供給することを含む。このときに、上記の検出動作ＳＯと表示前動作ＰＤＯとを実施することで、表示の均一化が効果的に実施できる。

第１表示動作ＤＯ１における第１表示信号は、第２表示動作ＤＯ２における第２表示信号と同じである。すなわち、第１表示動作ＤＯ１における表示電位は、第２表示動作ＤＯ２における表示電位と同じである。第１表示動作ＤＯ１における映像は、第２表示動作ＤＯ２における映像と同じである。同じ表示内容を表示している２つの期間（第１表示期間ＤＴ１と第２表示期間ＤＴ２）の間に、検出を行う。第２表示動作ＤＯ２の後に、検出を行い、その後、同じ映像の第１表示動作ＤＯ１を行う。このとき、検出と第１表示動作ＤＯ１との間に、表示前動作ＰＤＯを行うことで、第１表示動作ＤＯ１における映像表示の応答（復帰）が早くなる。これにより、表示のむらが抑制される。

より具体的には、物体の接触または近接を検出するタッチ検出期間と、ディスプレイの映像表示を行う表示期間とを別個に設けている表示装置においては、タッチ検出期間前後の画像表示にスジやむらがでる場合があるため、タッチ検出期間前後に同一の映像を表示することがあるが、タッチ検出期間の信号線の電位を比較的低い電位にしている場合、タッチ検出期間後の映像の復帰が遅くなり表示むらが改善されないことがあるため、上記のような操作を行うことによりこのような表示むらを改善することができる。

実施形態において、第１電圧印加動作ＶＡ１を、互いに異なる色に対応する複数の信号線ＳＬに同時に実施しても良い。例えば、複数の画素電極Ｐｘに、第１色画素電極Ｐｘａと、第２色画素電極Ｐｘｂと、が設けられ、複数の信号線ＳＬに、第１色配線ＳＬａと、第２色配線ＳＬｂと、が設けられる（図４参照）。このとき、図７に例示したように、制御部６０は、第１電圧印加動作ＶＡ１を第１色配線ＳＬａと第２色配線ＳＬｂとに同時に行っても良い。

実施形態において、第１電圧印加動作ＶＡ１を、互いに異なる色に対応する複数の信号線ＳＬに、順次実施しても良い。例えば、制御部６０は、第１期間に第１電圧印加動作ＶＡ１を第１色配線ＳＬａに行い、第１期間の後の第２期間に第１電圧印加動作ＶＡ１を第２色配線に行う。例えば、図７に示した例では、第２電圧印加動作ＶＡ２は、異なる色に対応する複数の信号線ＳＬに、順次実施されている。第２電圧印加動作ＶＡ２を第１電圧印加動作ＶＡ１と見なしても良い。

実施形態において、上記のセレクタ部６２ｂは、必要に応じて設けられ、省略しても良い。上記の例では、３色に対応して、Ｒ色セレクタＳＥＬＲと、Ｇ色セレクタＳＥＬＧと、Ｂ色セレクタＳＥＬＢと、の３系統のセレクタが設けられている。セレクタは、２系統でも良く、４系統以上でも良い。

上記の例では、表示層３０として液晶層が用いられ、さらに、横電界モードの構成が適用されている。すなわち、図１に例示したように、複数のコモン線ＣＬの少なくとも一部は、複数の画素電極Ｐｘのいずれかの少なくとも一部と、複数の信号線ＳＬのいずれかの少なくとも一部と、の間に配置される。そして、第２絶縁層Ｉ２は、複数のコモン線ＣＬの上記の少なくとも一部と、複数の画素電極Ｐｘのいずれかの上記の少なくとも一部と、の間に配置される。複数の画素電極Ｐｘのそれぞれは、Ｘ−Ｙ平面内で互いに離間する複数の部分Ｐｘｓを含む。表示層３０は、液晶を含み、光学動作は、光学特性の変化を含む。表示層３０の液晶の配向は、Ｘ−Ｙ平面内で変化する。例えば、液晶の配向の変化は、複数のコモン線ＣＬの上記の少なくとも一部と、画素電極Ｐｘの上記の複数の部分Ｐｘｓと、により生じるＸ−Ｙ平面に対して平行な成分を有する電界に応じて変化する。

例えば、表示層３０として、例えば、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）モードの液晶を用いても良い。表示層３０として、例えば、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）モードの液晶を用いても良い。

例えば、横電界モードの液晶を用いる場合、画素電極Ｐｘの対抗電極（上記の例では、コモン線ＣＬ）が、第１基板部１０ｕに設けられる。この構成においては、第２基板部２０ｕに対向電極を設けなくても良い。もし、第２基板部２０ｕに対向電極が設けられると、検出線ＲＬを用いた検出動作が実施し難い場合がある。第１基板部１０ｕに対向電極となるコモン線ＣＬを設けることで、検出動作がし易くなる。

さらに、本実施形態において、表示層３０は、発光層を含んでも良い。
図８は、第１の実施形態に係る別の表示装置を例示する模式図である。
図８においては、第４配線Ｌ４（検出線ＲＬ）は、省略されている。

本実施形態に係る表示装置１２０においては、表示層３０として、発光層（例えば有機発光層）が用いられる。図８に表したように、この例では、第１配線Ｌ１として制御線が用いられる。第２配線Ｌ２として、信号線が用いられる。第３配線Ｌ３として、画素電極Ｐｘに対向する対向電極が用いられる。スイッチ素子１１として、書き込みトランジスタが用いられている。この他、駆動トランジスタ１１Ｄ、電源線ＰＬ及びキャパシタ１９が設けられている。

１つの画素３５には、書き込みトランジスタ（スイッチ素子１１）と、駆動トランジスタ１１Ｄと、キャパシタ１９と、画素電極Ｐｘと、が設けられる。

例えば、書き込みトランジスタのソースに、第２配線Ｌ２が接続される。書き込みトランジスタのゲートに第１配線Ｌ１が接続される。書き込みトランジスタのドレインに、駆動トランジスタ１１Ｄのゲートが接続される。駆動トランジスタ１１Ｄのドレインは、電源線ＰＬに接続される。電源線ＰＬは、例えば、電源電位Ｖｄｄに設定される。駆動トランジスタ１１Ｄのゲートに、キャパシタ１９の一端が接続される。駆動トランジスタ１１Ｄのドレインに、キャパシタ１９の他端が接続される。駆動トランジスタ１１Ｄのソースに画素電極Ｐｘが接続される。画素電極Ｐｘと対向電極（第３配線Ｌ３）との間に、表示層３０が設けられる。表示層３０として有機発光層を用いる場合には、例えば、画素電極Ｐｘはアノードとなり、対向電極はカソードとなる。

第１配線Ｌ１に順次信号が供給され、書き込みトランジスタ（スイッチ素子１１）及び駆動トランジスタ１１Ｄが動作し、第２配線Ｌ２に供給される信号に応じた電荷が画素電極Ｐｘに供給される。電荷は、駆動トランジスタ１１Ｄを介して、画素電極Ｐｘに供給される。表示層３０は、画素電極Ｐｘの電荷（電位）に応じて、例えば、発光する。これにより、表示が行われる。

表示装置１２０においても、検出期間ＳＴにおいて、第３配線Ｌ３と第４配線Ｌ４との間の電気特性が検出される。そして、表示前期間ＰＤＴにおいて、上記の表示前動作ＰＤＯが実施される。
これにより、表示均一性の高い表示装置が提供できる。

（第２の実施形態）
本実施形態は、表示装置の駆動装置２１０（図３参照）に係る。
本実施形態に係る表示装置は、例えば入力機能を有する。本実施形態に係る駆動装置２１０は、第１の実施形態に関して説明した制御部６０の少なくとも一部の動作を実施する。

図９は、第２の実施形態に係る表示装置の駆動装置の動作を例示するフローチャート図である。
図９に表したように、例えば、駆動装置２１０は、第２表示期間ＤＴ２において第２表示動作ＤＯ２を実施し、検出期間ＳＴにおいて検出動作ＳＯを実施し（ステップＳ１２０）、第１表示期間ＤＴ１において第１表示動作ＤＯ１を実施し（ステップＳ１４０）、表示前期間ＰＤＴにおいて表示前動作ＰＤＯを実施する（ステップＳ１３０）。

検出動作ＳＯにおいては、複数の第３配線Ｌ３のうちのいずれかである選択状態の選択第３配線Ｌ３ｓｌと複数の第４配線Ｌ４との間の電気特性を検出する。検出動作ＳＯにおいては、例えば、複数の第２配線Ｌ２の少なくともいずれかを第１電位Ｖ１に設定する。

第１表示動作ＤＯ１においては、複数の第１配線Ｌ１の少なくともいずれかに第１走査信号を供給して複数の第２配線Ｌ２に第１表示信号を供給して複数の画素電極Ｐｘの電位を制御して表示層３０に光学動作を行わせる。第１表示動作ＤＯ１においては、複数の第２配線Ｌ２を表示電位（例えば第３電位Ｖ３）に設定する。

表示前動作ＰＤＯにおいては、第１電圧印加動作ＶＡ１を実施する（ステップＳ１３１）。第１電圧印加動作ＶＡ１においては、例えば、複数の第２配線Ｌ２の少なくともいずれかを第１電位Ｖ１とは異なる表示前電位（第２電位Ｖ２）に設定する。表示前電位の絶対値は、表示電位の絶対値よりも大きい。

さらに、表示前動作ＰＤＯは、既に説明した第２電圧印加動作ＶＡ２（ステップＳ１３２）を実施しても良い。さらに、第２表示動作ＤＯ２（ステップＳ１１０）を実施しても良い。
本実施形態によれば、表示均一性の高い表示装置の駆動装置が提供できる。

この実施形態は、表示装置の駆動方法として実施しても良い。

実施形態によれば、表示均一性の高い表示装置、表示装置の駆動装置、及び、表示装置の駆動方法が提供できる。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、表示装置に含まれる配線、スイッチ素子、表示層、絶縁層及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

本発明の実施の形態として上述した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１０…第１基板、 １０ｕ…第１基板部、 １１…スイッチ素子、 １１Ｄ…駆動トランジスタ、 １１ｇ…ゲート、 １１ｉ…ゲート絶縁膜、 １２…半導体層、 １２ａ…第１部分、 １２ｂ…第２部分、 １２ｃ…第３部分、 １３…層間絶縁膜、 １５ａ…第１接続部、 １５ｂ…第２接続部、 １５ｃ…第１接続導電部、 １５ｄ…第２接続導電部、 １７…第３接続導電部、 １８…第１配向膜、 １９…キャパシタ、 ２０…第２基板、 ２０ｕ…第２基板部、 ２５…カラーフィルタ層、 ２８…第２配向膜、 ３０…表示層、 ３５…画素、 ３５ａ…第１色画素、 ３５ｂ…第２色画素、 ５１…第１偏光層、 ５２…第２偏光層、 ５５…バックライト部、 ６０…制御部、 ６１…ゲート線ドライバ、 ６２…信号線ドライバ、 ６２ａ…信号線回路部、 ６２ｂ…セレクタ部、 ６３…制御回路、 ６５…コモン線ドライバ、 ６６…検出回路、 ε１…誘電率、 １１０、１２０…表示装置、 ２１０…駆動装置、 ＣＬ…コモン線、 ＣＬ１、ＣＬ２、ＣＬＮ…コモン線、 Ｃｓ…蓄積容量、 Ｄ１〜Ｄ５…第１〜第５方向、 ＤＯ…表示動作、 ＤＯ１、ＤＯ２…第１、第２表示動作、 ＤＴ…表示期間、 ＤＴ１、ＤＴ２…、第１、第２表示期間、 ＧＬ…ゲート線、 ＧＬ１、ＧＬ２、ＧＬｎ…ゲート線、 ＧＬｇ１、ＧＬｇ２、ＧＬｇｋ…グループ、 Ｉ１、Ｉ２…第１、第２絶縁層、 Ｌ１〜Ｌ４…第１〜第４配線、 Ｌ３ｎｓ…非選択第３配線、 Ｌ３ｓｌ…選択第３配線、 ＰＤＯ…表示前動作、 ＰＤＴ…表示前期間、 ＰＬ…電源線、 Ｐｘ…画素電極、 Ｐｘａ、Ｐｘｂ…第１、第２色画素電極、 Ｐｘｓ…部分、 ＲＬ…検出線、 ＲＬ１、ＲＬ２、ＲＬＭ…検出線、 ＳＥＬＢ…Ｂ色セレクタ、 ＳＥＬＧ…Ｇ色セレクタ、 ＳＥＬＲ…Ｒ色セレクタ、 ＳＬ…信号線、 ＳＬ１、ＳＬ２、ＳＬｍ…信号線、 ＳＬａ、ＳＬｂ…第１、第２色配線、 ＳＯ…検出動作、 ＳＴ…検出期間、 ＳｉｇＢ…青信号、 ＳｉｇＧ…緑信号、 ＳｉｇＲ…赤信号、 Ｔｘ…対向電極、 Ｕｆ…上面、 Ｖ１〜Ｖ４…第１〜第４電位、 Ｖ２ａ、Ｖ２ａｂ、Ｖ２ａｇ、Ｖ２ａｒ…電位、 ＶＡ１、Ｖａ２…第１、第２電圧印加動作、 Ｖｉｄｅｏ…画像信号、 Ｖｉｄｅｏ１…信号、 Ｖｎｐ…表示前電位、 Ｖｎｓ…非選択電位、 Ｖｐ…電圧、 ｆａ…周波数、 ｔ…時間、 ｔｐｄ…時間

Claims (19)

1. 第１方向に延在し前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ複数の第１配線と、
   前記第２方向に延在し前記第１方向に並ぶ複数の第２配線と、
   それぞれが前記複数の第１配線のいずれか及び前記複数の第２配線のいずれかと電気的に接続された複数のスイッチ素子と、
   それぞれが前記複数のスイッチ素子のそれぞれと電気的に接続された複数の画素電極と、
   前記第１方向と前記第２方向とを含む平面に対して平行な第３方向に延在し前記平面に対して平行で前記第３方向と交差する第４方向に並ぶ複数の第３配線と、
   前記複数の第２配線と前記複数の第３配線との間に設けられた第１絶縁層と、
   前記平面に対して垂直な第５方向において前記第１〜第３配線、前記スイッチ素子及び前記複数の画素電極と離間し前記第４方向に延在し前記第３方向に並ぶ複数の第４配線と、
   前記複数の画素電極と前記複数の第４配線との間に設けられ、前記複数の画素電極に与えられる電気信号に基づいて、光学特性の変化と、発光と、の少なくともいずれかの光学動作を行う表示層と、
   検出期間において、前記複数の第３配線のうちのいずれかである選択状態の選択第３配線と前記複数の第４配線との間の電気特性を検出する検出動作と、
   前記検出期間の後の第１表示期間において前記複数の第１配線の少なくともいずれかに第１走査信号を供給して前記複数の第２配線を表示電位に設定して前記複数の画素電極の電位を制御して前記表示層に前記光学動作を行わせる第１表示動作と、
   前記検出期間の前の第２表示期間において前記複数の第１配線の少なくともいずれかに第２走査信号を供給して前記複数の第２配線を前記表示電位に設定し前記複数の画素電極の前記電位を制御して前記表示層に前記光学動作を行わせる第２表示動作と、
   前記検出期間の後であって前記第１表示期間の前の表示前期間において、前記複数の第２配線の前記少なくともいずれかを表示前電位に設定する第１電圧印加動作を含む表示前動作と、
   を行い、前記表示前電位の絶対値は前記表示電位の絶対値よりも大きい制御部と、
   を備え、
   前記表示前動作は、前記第１電圧印加動作の後に実施する第２電圧印加動作をさらに含み、
   前記第２電圧印加動作は、前記複数の第２配線の前記少なくともいずれかを、前記第２表示期間の最後における前記複数の第２配線の最後電位に設定することを含む表示装置。
2. 前記複数の第２配線のそれぞれにおいて、前記検出期間における該第２配線の電位と前記第１電圧印加動作における前記表示前電位との間の電位差の絶対値は、
   該第２配線の前記第２電圧印加動作における電位と前記最後電位との間の電位差の絶対値よりも大きい請求項１記載の表示装置。
3. 前記表示前電位は、前記最後電位に応じて変化する請求項１または２記載の表示装置。
4. 前記複数の第２配線のそれぞれにおいて、前記検出期間における該第２配線の電位と前記表示前電位との間の電位差の絶対値は、
   前記検出期間における該第２配線の電位と前記第１表示期間及び前記第２表示期間における該第２配線の電位との間の電位差の絶対値よりも大きい請求項１記載の表示装置。
5. 前記表示前電位は、前記検出動作における前記複数の第２配線の電位よりも高い請求項１記載の表示装置。
6. 前記複数の第２配線の前記検出期間における電位は、前記複数の第３配線のうち前記選択第３配線を除く非選択第３配線の検出期間における電位に等しい、請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置。
7. 前記複数の第２配線の前記検出期間における電位は、接地電位に等しい、請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置。
8. 前記第３方向は、前記第１方向に対して平行である請求項１〜７のいずれか１つに記載の表示装置。
9. 前記平面に投影したときに、前記複数の第３配線の１つは、前記複数の第１配線の一部と重なり、前記複数の第３配線の別の１つは、前記複数の第１配線の別の一部と重なる請求項８記載の表示装置。
10. 前記第３方向は、前記第１方向に対して平行であり、
    前記複数の第１配線は、複数のグループに分けられ、前記複数のグループのそれぞれは、互いに隣り合う複数の前記第１配線を含み、
    前記平面に投影したときに、前記複数の第３配線のそれぞれは、前記複数のグループのそれぞれと重なり、
    前記制御部は、前記検出期間の前の第２表示期間において、前記複数の第１配線のうちの第１グループに含まれる前記第１配線に第２走査信号を供給して前記複数の第２配線に第２表示信号を供給する第２表示動作をさらに行い、
    前記第１表示動作は、前記第１表示期間に、前記第１グループの隣の第２グループに含まれる前記第１配線に前記第１走査信号を供給して前記複数の第２配線に第１表示信号を供給することを含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置。
11. 第２絶縁層をさらに備え、
    前記複数の第３配線の少なくとも一部は、前記複数の画素電極のいずれかの少なくとも一部と、前記複数の第２配線のいずれかの少なくとも一部と、の間に配置され、
    前記第２絶縁層は、前記複数の第３配線の前記少なくとも一部と、前記複数の画素電極のいずれかの前記少なくとも一部と、の間に配置される請求項１〜１０のいずれか１つに記載の表示装置。
12. 前記表示層は、液晶を含み、
    前記光学動作は、前記光学特性の前記変化を含む請求項１〜１１のいずれか１つに記載の表示装置。
13. 第２絶縁層をさらに備え、
    前記複数の第３配線の少なくとも一部は、前記複数の画素電極のいずれかの少なくとも一部と、前記複数の第２配線のいずれかの少なくとも一部と、の間に配置され、
    前記第２絶縁層は、前記複数の第３配線の前記少なくとも一部と、前記複数の画素電極のいずれかの前記少なくとも一部と、の間に配置され、
    前記複数の画素電極のそれぞれは、前記平面内で互いに離間する複数の部分を含み、
    前記表示層は、液晶を含み、前記光学動作は、前記光学特性の前記変化を含み、
    前記液晶の配向は、前記平面内で変化する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の表示装置。
14. 前記液晶の配向は、前記複数の第３配線の前記少なくとも一部と前記複数の部分とにより生じる前記平面に対して平行な成分を有する電界に応じて変化する請求項１３記載の表示装置。
15. 前記第１絶縁層は、有機材料を含む請求項１〜１４のいずれか１つに記載の表示装置。
16. 前記第１絶縁層は、アクリル樹脂及びポリイミド樹脂の少なくともいずれかを含む請求項１〜１５のいずれか１つに記載の表示装置。
17. 前記複数の第４配線は、光透過性である請求項１〜１６のいずれか１つに記載の表示装置。
18. 前記複数の画素電極は、第１色用の第１色画素電極と、前記第１色とは異なる第２色用の第２色画素電極と、を含み、
    前記複数の第２配線は、前記複数のスイッチ素子のいずれかを介して前記第１色画素電極と電気的に接続される第１色配線と、前記複数のスイッチ素子の別のいずれかを介して前記第２色画素電極と電気的に接続される第２色配線と、を含み、
    前記制御部は、前記第１電圧印加動作を前記第１色配線と前記第２色配線とに同時に行う請求項１〜１７のいずれか１つに記載の表示装置。
19. 前記複数の画素電極は、第１色用の第１色画素電極と、前記第１色とは異なる第２色用の第２色画素電極と、を含み、
    前記複数の第２配線は、前記複数のスイッチ素子のいずれかを介して前記第１色画素電極と電気的に接続される第１色配線と、前記複数のスイッチ素子の別のいずれかを介して前記第２色画素電極と電気的に接続される第２色配線と、を含み、
    前記制御部は、第１期間に前記第１電圧印加動作を前記第１色配線に行い、前記第１期間の後の第２期間に前記第１電圧印加動作を前記第２色配線に行う請求項１〜１７のいずれか１つに記載の表示装置。

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