JP2018025757A - 電子機器及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】狭額縁化及び低コスト化を可能とする。【解決手段】第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備える。【選択図】 図１
Description
本発明の実施形態は、電子機器及びその製造方法に関する。
近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。
本実施形態の目的は、狭額縁化及び低コスト化が可能な電子機器及びその製造方法を提供することにある。
一実施形態によれば、
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備える、電子機器が提供される。
一実施形態によれば、
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第２導電層は、第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、を備え、前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器が提供される。
一実施形態によれば、
第１基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２基体及び第２導電層を備え前記第２基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、電子機器の製造方法が提供される。
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備える、電子機器が提供される。
一実施形態によれば、
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、前記第２導電層は、第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、を備え、前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器が提供される。
一実施形態によれば、
第１基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２基体及び第２導電層を備え前記第２基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、電子機器の製造方法が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
本実施形態においては、電子機器の一例として表示装置を開示する。この表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。
≪第１実施形態：第１構成例≫
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す断面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの一部の断面を示している。
図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す断面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚによって規定されるＹ−Ｚ平面における表示装置ＤＳＰの一部の断面を示している。
表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、接続材Ｃと、配線基板ＳＵＢ３とを備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。また、図１のＹ−Ｚ平面（あるいは、図示しないが第１方向Ｘ及び第３方向Ｚによって規定されるＸ−Ｚ平面）における表示装置ＤＳＰの断面を見ることを断面視という。
第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０と、第１基体１０の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に位置する第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１基体１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂとを有している。図示した例では、第１導電層Ｌ１は、主面１０Ａに位置している。なお、図示しないが、第１基体１０と第１導電層Ｌ１との間や、第１導電層Ｌ１の上には、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０と、第２導電層Ｌ２とを備えている。第２基体２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。第２基体２０は、その主面２０Ａが第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離間している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂに位置している。第１基体１０、第１導電層Ｌ１、第２基体２０、及び、第２導電層Ｌ２は、この順に第３方向Ｚに並んでいる。第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間には、空気層が位置しているが、後述するように絶縁層が位置している場合もあり得るし、絶縁層の他に導電層が位置していてもよい。なお、図示しないが、第２基体２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上には、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間にも、各種絶縁層や各種導電層が配置されていてもよい。
第１基体１０及び第２基体２０は、例えばガラスによって形成されており、より具体的には、無アルカリガラスによって形成されている。また、第１基体１０及び第２基体２０は、樹脂基板であってもよい。第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金や、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明な導電材料などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。接続材Ｃは、銀などの金属材料を含み、その粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を含むものであることが望ましい。
配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装され、第１導電層Ｌ１と電気的に接続されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていればよい。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であってもよいし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であってもよい。
ここで、本実施形態における第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との接続構造について詳述する。第２基板ＳＵＢ２において、第２基体２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する第１孔ＶＡを有している。図示した例では、第１孔ＶＡは、第２導電層Ｌ２も貫通している。一方、第１基板ＳＵＢ１においては、第１導電層Ｌ１は、第１孔ＶＡと第３方向Ｚで対向する第２孔ＶＢを有している。また、第１基体１０は、第２孔ＶＢと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。凹部ＣＣ、第２孔ＶＢ、及び、第１孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。凹部ＣＣは、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１基体１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２である。なお、第１基体１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する孔を有していてもよい。第２孔ＶＢ及び凹部ＣＣは、いずれも第１孔ＶＡの直下に位置している。第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿った同一直線上に位置しており、接続用孔Ｖを形成している。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からレーザー光を照射したり、エッチングしたりすることによって形成される。
接続材Ｃは、第１孔ＶＡを通って第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続している。図示した例では、接続材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２、第１孔ＶＡにおける第２導電層Ｌ２の内面ＬＳ２、及び、第１孔ＶＡにおける第２基体２０の内面２０Ｓにそれぞれ接触している。これらの内面ＬＳ２及び２０Ｓは、第１孔ＶＡの内面を形成している。また、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第２孔ＶＢにおける第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１、及び、凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。内面ＬＳ１は、第２孔ＶＢの内面を形成している。なお、図示した例では、接続材Ｃは、第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、凹部ＣＣを埋めるように充填されているが、少なくともそれらの内面に設けられていればよい。このような接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。
これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。このため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能となる。
図２０Ａは、比較例１を示す断面図である。この比較例１においては、第２導電層Ｌ２は、第１導電層Ｌ１と接続されていない。このため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力された信号を読み取ったりするために、第２導電層Ｌ２に接続された配線基板ＳＵＢ４が必要となる。つまり、比較例１においては、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３の他に、第２基板ＳＵＢ２に実装された配線基板ＳＵＢ４が必要となる。
図２０Ｂは、比較例２を示す断面図である。比較例２は、比較例１と比較して、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に有機絶縁層ＯＩを有する点で相違している。
図２０Ｂは、比較例２を示す断面図である。比較例２は、比較例１と比較して、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に有機絶縁層ＯＩを有する点で相違している。
本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１に実装される配線基板ＳＵＢ３の他に、第２基板ＳＵＢ２に配線基板ＳＵＢ４が実装される比較例１（図２０Ａ参照）及び比較例２（図２０Ｂ参照）と比較して、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、図２０Ａ及び図２０Ｂ中に示した配線基板ＳＵＢ４を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。また、配線基板ＳＵＢ４を実装するための端子部や、第２導電層Ｌ２と配線基板ＳＵＢ４とを接続するための配線が不要となる。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、不要となる配線基板ＳＵＢ４のコストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
次に、本実施形態の他の構成例について図２乃至図９Ｃを参照しながらそれぞれ説明する。
≪第２構成例≫
図２に示した第２構成例は、図１に示した第１構成例と比較して、接続材Ｃが第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１に接触している点で相違している。すなわち、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置する側面ＣＡを有している。側面ＣＡは、第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢと重なる位置よりも外方に位置し、図示した例では、第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間に位置している。
このような第２構成例においても、上記第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、接続材Ｃが第２孔ＶＢにおける第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１のみならず、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１にも接触しているため、接続材Ｃの第１導電層Ｌ１との接触面積を拡大することができ、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との接続不良を抑制することができる。
図２に示した第２構成例は、図１に示した第１構成例と比較して、接続材Ｃが第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１に接触している点で相違している。すなわち、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置する側面ＣＡを有している。側面ＣＡは、第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢと重なる位置よりも外方に位置し、図示した例では、第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間に位置している。
このような第２構成例においても、上記第１構成例と同様の効果が得られる。加えて、接続材Ｃが第２孔ＶＢにおける第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１のみならず、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１にも接触しているため、接続材Ｃの第１導電層Ｌ１との接触面積を拡大することができ、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との接続不良を抑制することができる。
≪第３構成例≫
図３に示した第３構成例は、図２に示した第２構成例と比較して、表示装置ＤＳＰが第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間に位置する有機絶縁層ＯＩを備え、有機絶縁層ＯＩが第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢに繋がった第３孔ＶＣを有する点で相違している。ここでの有機絶縁層ＯＩとは、例えば、後述する第２絶縁層、遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシールなどが含まれる。後に図１２を参照して説明するが、第２絶縁層１２や第１配向膜ＡＬ１などは第１基板ＳＵＢ１に備えられ、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などは第２基板ＳＵＢ２に備えられる。但し、本実施形態における有機絶縁層ＯＩは、その全体がすべて有機絶縁層によって形成されていなくてもよく、その一部に無機絶縁層を含んでいてもよい。
図３に示した第３構成例は、図２に示した第２構成例と比較して、表示装置ＤＳＰが第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間に位置する有機絶縁層ＯＩを備え、有機絶縁層ＯＩが第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢに繋がった第３孔ＶＣを有する点で相違している。ここでの有機絶縁層ＯＩとは、例えば、後述する第２絶縁層、遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜や、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着するシールなどが含まれる。後に図１２を参照して説明するが、第２絶縁層１２や第１配向膜ＡＬ１などは第１基板ＳＵＢ１に備えられ、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などは第２基板ＳＵＢ２に備えられる。但し、本実施形態における有機絶縁層ＯＩは、その全体がすべて有機絶縁層によって形成されていなくてもよく、その一部に無機絶縁層を含んでいてもよい。
第３孔ＶＣは、第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢと比較して、第２方向Ｙに拡張されている。なお、第３孔ＶＣは、第２方向Ｙのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢよりも拡張されている。凹部ＣＣ、第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、及び、第１孔ＶＡは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。有機絶縁層ＯＩは、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１と接触しているが、第３孔ＶＣにおいて、一部の上面ＬＴ１を露出している。
接続材Ｃは、第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、第３孔ＶＣにおいて途切れることなく設けられ、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続している。接続材Ｃは、有機絶縁層ＯＩの内面ＯＩＳに接触し、第１基板ＳＵＢ１において第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１及び第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１にもそれぞれ接触している。
接続材Ｃは、第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、第３孔ＶＣにおいて途切れることなく設けられ、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続している。接続材Ｃは、有機絶縁層ＯＩの内面ＯＩＳに接触し、第１基板ＳＵＢ１において第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１及び第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１にもそれぞれ接触している。
このような第３構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、有機絶縁層ＯＩの第３孔ＶＣにおいて接続材Ｃが第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１及び上面ＬＴ１にも接触しているため、接続材Ｃの第１導電層Ｌ１との接触面積を拡大することができ、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との接続不良を抑制することができる。
なお、ここでは、第３孔ＶＣが第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢと比較して拡張されている例を示したが、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との十分な導電性を得られる場合には、第３孔ＶＣの径は、Ｘ−Ｙ平面内において第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢ各々の径と同じ、あるいは小さくてもよい。
≪第４構成例≫
図４に示した第４構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを覆う保護材ＰＦを備えた点で相違している。図示した例では、保護材ＰＦは、第２基体２０の主面２０Ｂも覆っている。なお、接続材Ｃが第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、第３孔ＶＣの内面に設けられ且つ各孔の中心部付近に充填されなかった場合には、接続材Ｃが中空部分を有する。このような場合には、保護材ＰＦが接続材Ｃの中空部分に充填されてもよい。保護材ＰＦは、例えばアクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。
このような第４構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを保護することができる。
図４に示した第４構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを覆う保護材ＰＦを備えた点で相違している。図示した例では、保護材ＰＦは、第２基体２０の主面２０Ｂも覆っている。なお、接続材Ｃが第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、第３孔ＶＣの内面に設けられ且つ各孔の中心部付近に充填されなかった場合には、接続材Ｃが中空部分を有する。このような場合には、保護材ＰＦが接続材Ｃの中空部分に充填されてもよい。保護材ＰＦは、例えばアクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。
このような第４構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを保護することができる。
≪第５構成例≫
図５に示した第５構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が第２導電層Ｌ２を覆う保護材ＰＦ１を備えた点で相違している。図示した例では、第２導電層Ｌ２及び第２基体２０の主面２０Ｂは、保護材ＰＦ１によって覆われているが、第２導電層Ｌ２のうち、第１孔ＶＡの周囲は保護材ＰＦ１によって覆われていない。接続材Ｃは、第１孔ＶＡの周囲において第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２に接触するとともに、さらに、その周囲において保護材ＰＦ１の上面Ｔ３に接触している。
このような第５構成例においても、上記同様の効果が得られるのに加えて、第２導電層Ｌ２を保護することができる。
図５に示した第５構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が第２導電層Ｌ２を覆う保護材ＰＦ１を備えた点で相違している。図示した例では、第２導電層Ｌ２及び第２基体２０の主面２０Ｂは、保護材ＰＦ１によって覆われているが、第２導電層Ｌ２のうち、第１孔ＶＡの周囲は保護材ＰＦ１によって覆われていない。接続材Ｃは、第１孔ＶＡの周囲において第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２に接触するとともに、さらに、その周囲において保護材ＰＦ１の上面Ｔ３に接触している。
このような第５構成例においても、上記同様の効果が得られるのに加えて、第２導電層Ｌ２を保護することができる。
以下に、第５構成例に適用可能な製造方法の一例を説明する。
第１の製造方法では、第２基板ＳＵＢ２の全面に保護材ＰＦ１を形成した後に、第１孔ＶＡを形成する領域より一回り大きい領域に亘って保護材ＰＦ１を除去する。なお、保護材ＰＦ１は、一例では有機絶縁材料によって形成されるが、無機絶縁材料によって形成されてもよい。このような保護材ＰＦ１を除去する手法としては、レーザーを照射する手法や、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングする手法などが適用可能である。有機絶縁材料によって形成された保護材ＰＦ１を除去する際に、レーザーを照射する手法を適用した場合、レーザーを照射した領域よりも大きい領域に亘って保護材ＰＦ１が除去される。その後、第１孔ＶＡを形成し、接続材Ｃを形成する。第１孔ＶＡ及び接続材Ｃの形成例については後述する。
第２の製造方法では、第１孔ＶＡを形成する領域より一回り大きい領域を除いて、保護材ＰＦ１を選択的に形成する。その後、第１孔ＶＡを形成し、接続材Ｃを形成する。
このような製造方法を適用することにより、第１孔ＶＡの周辺において、第２導電層Ｌ２と保護材ＰＦ１との間に段差が形成される。このため、第１孔ＶＡに接続材Ｃを形成した際に、接続材Ｃが保護材ＰＦ１を乗り上げにくくなり、接続材Ｃの過度の広がりを抑制することができる。
第１の製造方法では、第２基板ＳＵＢ２の全面に保護材ＰＦ１を形成した後に、第１孔ＶＡを形成する領域より一回り大きい領域に亘って保護材ＰＦ１を除去する。なお、保護材ＰＦ１は、一例では有機絶縁材料によって形成されるが、無機絶縁材料によって形成されてもよい。このような保護材ＰＦ１を除去する手法としては、レーザーを照射する手法や、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングする手法などが適用可能である。有機絶縁材料によって形成された保護材ＰＦ１を除去する際に、レーザーを照射する手法を適用した場合、レーザーを照射した領域よりも大きい領域に亘って保護材ＰＦ１が除去される。その後、第１孔ＶＡを形成し、接続材Ｃを形成する。第１孔ＶＡ及び接続材Ｃの形成例については後述する。
第２の製造方法では、第１孔ＶＡを形成する領域より一回り大きい領域を除いて、保護材ＰＦ１を選択的に形成する。その後、第１孔ＶＡを形成し、接続材Ｃを形成する。
このような製造方法を適用することにより、第１孔ＶＡの周辺において、第２導電層Ｌ２と保護材ＰＦ１との間に段差が形成される。このため、第１孔ＶＡに接続材Ｃを形成した際に、接続材Ｃが保護材ＰＦ１を乗り上げにくくなり、接続材Ｃの過度の広がりを抑制することができる。
≪第６構成例≫
図６に示した第６構成例は、図５に示した第５構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が接続材Ｃを覆う保護材ＰＦ２を備えた点で相違している。図示した例では、保護材ＰＦ２は、接続材Ｃの周囲において保護材ＰＦ１に接触している。なお、保護材ＰＦ２は、接続材Ｃが中空部分を有する場合には、中空部分に充填されてもよい。また、保護材ＰＦ２は、接続材Ｃの周囲だけでなく、保護材ＰＦ１を覆って配置されていてもよい。このような第６構成例においても、上記同様の効果が得られるのに加えて、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを保護することができる。
図６に示した第６構成例は、図５に示した第５構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２が接続材Ｃを覆う保護材ＰＦ２を備えた点で相違している。図示した例では、保護材ＰＦ２は、接続材Ｃの周囲において保護材ＰＦ１に接触している。なお、保護材ＰＦ２は、接続材Ｃが中空部分を有する場合には、中空部分に充填されてもよい。また、保護材ＰＦ２は、接続材Ｃの周囲だけでなく、保護材ＰＦ１を覆って配置されていてもよい。このような第６構成例においても、上記同様の効果が得られるのに加えて、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを保護することができる。
≪第７構成例≫
図７に示した第７構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、有機絶縁層ＯＩが内部に導電性粒子ＣＰを含んでいる点で相違している。このような第７構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、導電性粒子ＣＰが第３孔ＶＣに位置する接続材Ｃと接触することにより、第３孔ＶＣで接続材Ｃが途切れたとしても、途切れた接続材Ｃ同士を導電性粒子ＣＰによって導通させることができ、信頼性を向上することができる。
図７に示した第７構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、有機絶縁層ＯＩが内部に導電性粒子ＣＰを含んでいる点で相違している。このような第７構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、導電性粒子ＣＰが第３孔ＶＣに位置する接続材Ｃと接触することにより、第３孔ＶＣで接続材Ｃが途切れたとしても、途切れた接続材Ｃ同士を導電性粒子ＣＰによって導通させることができ、信頼性を向上することができる。
≪第８構成例≫
図８に示した第８構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、接続材Ｃが第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられ、接続材Ｃの中空部分に導電性の充填材ＦＭが充填された点で相違している。充填材ＦＭは、例えば銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものである。このような第８構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、接続材Ｃが途切れたとしても、充填材ＦＭが第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。また、接続材Ｃに中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。
図８に示した第８構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、接続材Ｃが第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられ、接続材Ｃの中空部分に導電性の充填材ＦＭが充填された点で相違している。充填材ＦＭは、例えば銀等の導電性粒子を含むペーストを硬化させたものである。このような第８構成例においても、上記同様の効果が得られる。加えて、接続材Ｃが途切れたとしても、充填材ＦＭが第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。また、接続材Ｃに中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。
≪第９構成例≫
図９Ａに示した第９構成例は、図８に示した第８構成例と比較して、接続材Ｃの中空部分に絶縁性の充填材ＦＩが充填された点で相違している。充填材ＦＩは、例えば有機絶縁材料によって形成されている。このような第９構成例においても、上記同様の効果が得られるのに加えて、接続材Ｃを保護することができる。
図９Ａに示した第９構成例は、図８に示した第８構成例と比較して、接続材Ｃの中空部分に絶縁性の充填材ＦＩが充填された点で相違している。充填材ＦＩは、例えば有機絶縁材料によって形成されている。このような第９構成例においても、上記同様の効果が得られるのに加えて、接続材Ｃを保護することができる。
≪第１０構成例≫
図９Ｂに示した第１０構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、接続用孔Ｖが有機絶縁層ＯＩとは異なる位置に形成された点で相違している。図示した例では、接続用孔Ｖは、有機絶縁層ＯＩよりも配線基板ＳＵＢ３に近接する側に位置している。あるいは、接続用孔Ｖは、有機絶縁層ＯＩと第２基体２０の端部２０Ｅとの間に位置している。有機絶縁層ＯＩは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するシールを含む。このような第１０構成例においても、上記同様の効果が得られる。
図９Ｂに示した第１０構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、接続用孔Ｖが有機絶縁層ＯＩとは異なる位置に形成された点で相違している。図示した例では、接続用孔Ｖは、有機絶縁層ＯＩよりも配線基板ＳＵＢ３に近接する側に位置している。あるいは、接続用孔Ｖは、有機絶縁層ＯＩと第２基体２０の端部２０Ｅとの間に位置している。有機絶縁層ＯＩは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するシールを含む。このような第１０構成例においても、上記同様の効果が得られる。
≪第１１構成例≫
図９Ｃに示した第１１構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、接続用孔Ｖが設けられる有機絶縁層ＯＩＡとは別に、第１基体１０と第２基体２０との間に有機絶縁層ＯＩＢが設けられた点で相違している。有機絶縁層ＯＩＡは、有機絶縁層ＯＩＢと第２基体２０の端部２０Ｅとの間に位置している。有機絶縁層ＯＩＢは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するシールを含む。有機絶縁層ＯＩＡは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に備えられる各種有機絶縁層や、第２基板ＳＵＢ２に備えられる各種有機絶縁層を含む。このような第１１構成例においても、上記同様の効果が得られる。
図９Ｃに示した第１１構成例は、図３に示した第３構成例と比較して、接続用孔Ｖが設けられる有機絶縁層ＯＩＡとは別に、第１基体１０と第２基体２０との間に有機絶縁層ＯＩＢが設けられた点で相違している。有機絶縁層ＯＩＡは、有機絶縁層ＯＩＢと第２基体２０の端部２０Ｅとの間に位置している。有機絶縁層ＯＩＢは、例えば、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着するシールを含む。有機絶縁層ＯＩＡは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に備えられる各種有機絶縁層や、第２基板ＳＵＢ２に備えられる各種有機絶縁層を含む。このような第１１構成例においても、上記同様の効果が得られる。
≪センサ付き表示装置≫
図１０は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１０において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。
図１０は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１０において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。
表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。表示領域ＤＡは、例えば第１領域に相当し、シールＳＥによって囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、例えば表示領域（第１領域）ＤＡと隣り合う第２領域に相当する。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。
表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられており、上記の第２導電層Ｌ２に相当する。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。図１０では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。
すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳと、端子部ＲＴ１と、接続部ＣＮとを備えている。
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図１５を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。図１０において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。端子部ＲＴ１の一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。
検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。図示した例では、検出部ＲＳは、帯状に形成されているが、より具体的には、図１５を参照して説明するように微細な金属細線の集合体によって形成されている。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。
端子部ＲＴ１は、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った一端側に位置し、検出部ＲＳに繋がっている。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡの第１方向Ｘに沿った他端側に位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。図１０において、一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。端子部ＲＴ１の一部は、平面視でシールＳＥと重なる位置に形成されている。
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、上記の第１導電層Ｌ１に相当するパッドＰ１及び配線Ｗ１を備えている。パッドＰ１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に位置し、平面視でシールＳＥと重なっている。パッドＰ１は、平面視で端子部ＲＴ１と重なる位置に形成されている。また、パッドＰ１は、一例では、台形状に形成されているが、他の多角形状や、円形状や楕円形状に形成されていてもよい。配線Ｗ１は、パッドＰ１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが対向する位置に形成されている。また、接続用孔Ｖ１は、端子部ＲＴ１を含む第２基板ＳＵＢ２及びシールＳＥを貫通するとともに、パッドＰ１を貫通する場合もあり得る。図示した例では、接続用孔Ｖ１は、平面視で円形であるが、その形状は図示した例に限らず、楕円形などの他の形状であってもよい。図１などを参照して説明したように、接続用孔Ｖ１には、接続材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１とパッドＰ１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。
図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々の端子部ＲＴ１、ＲＴ３…、パッドＰ１、Ｐ３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々の端子部ＲＴ２、ＲＴ４…、パッドＰ２、Ｐ４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。
図示したように、パッドＰ３がパッドＰ１よりも配線基板ＳＵＢ３に近接するレイアウトでは、配線Ｗ１は、パッドＰ３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、パッドＰ３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、パッドＰ４の内側を迂回し、パッドＰ４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。
図１１は、図１０に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されてもよいし、これらの一部或いは全部が図１０に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていてもよい。
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。
図１２は、図１０に示した表示パネルＰＮＬの一部の構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。
第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁層等の図示を省略している。
第１絶縁層１１は、第１基体１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１基体１０と第１絶縁層１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁層１１の上に位置している。第２絶縁層１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁層１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁層１２との間に位置していてもよい。第３絶縁層１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁層１３を覆っている。
走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁層１１及び第３絶縁層１３は無機絶縁層であり、第２絶縁層１２は有機絶縁層である。
第１絶縁層１１は、第１基体１０の上に位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１基体１０と第１絶縁層１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁層１１の上に位置している。第２絶縁層１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁層１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁層１２との間に位置していてもよい。第３絶縁層１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁層１３を覆っている。
走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁層１１及び第３絶縁層１３は無機絶縁層であり、第２絶縁層１２は有機絶縁層である。
なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁層１２と第３絶縁層１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁層１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していてもよい。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていてもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２基体２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２基体２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。
なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されてもよい。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいてもよい。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されてもよいし、無着色の樹脂材料が配置されてもよいし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置してもよい。
検出電極Ｒｘは、第２基体２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、上記の通り、第２導電層Ｌ２に相当し、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていてもよいし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていてもよいし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていてもよい。
第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１基体１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいてもよい。
次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰに搭載されるセンサＳＳの一構成例について説明する。以下に説明するセンサＳＳは、例えば相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触あるいは接近を検出するものである。
図１３は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。
センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１０を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドに接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。
センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。
共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力された検出信号は、図１０に示した検出回路ＲＣに入力される。
なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であってもよい。
図１４は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの他の構成例を示す平面図である。図１４に示した構成例は、図１０に示した構成例と比較して、検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ２、Ｒｘ３…がそれぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる点で相違している。図示した例では、検出部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。また、端子部ＲＴ１、ＲＴ２、ＲＴ３…は、表示領域ＤＡと配線基板ＳＵＢ３との間で第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。接続用孔Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３…は、第１方向Ｘに間隔をおいて並んでいる。なお、図示しないが、表示装置ＤＳＰは、第１方向Ｘに延出し第２方向Ｙに間隔をおいて並んだセンサ駆動電極を備えていてもよい。
図１４に示した構成例は、検出電極Ｒｘを利用した自己容量方式のセンサＳＳに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Ｒｘを利用した相互容量方式のセンサＳＳにも適用可能である。
図１４に示した構成例は、検出電極Ｒｘを利用した自己容量方式のセンサＳＳに適用可能であり、また、図示しないセンサ駆動電極及び検出電極Ｒｘを利用した相互容量方式のセンサＳＳにも適用可能である。
図１５は、図１０及び図１４に示した検出電極Ｒｘ１の検出部ＲＳの構成例を示す図である。
図１５（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図１５（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であってもよい。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、円形の接続用孔Ｖ１が形成されている。
図１５（Ａ）に示す例では、検出部ＲＳは、メッシュ状の金属細線ＭＳによって形成されている。金属細線ＭＳは、端子部ＲＴ１に繋がっている。図１５（Ｂ）に示す例では、検出部ＲＳは、波状の金属細線ＭＷによって形成されている。図示した例では、金属細線ＭＷは、鋸歯状であるが、正弦波状などの他の形状であってもよい。金属細線ＭＷは、端子部ＲＴ１に繋がっている。
端子部ＲＴ１は、例えば検出部ＲＳと同一材料によって形成されている。端子部ＲＴ１には、円形の接続用孔Ｖ１が形成されている。
図１６Ａは、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０、第１導電層Ｌ１に相当するパッドＰ１、有機絶縁層に相当する第２絶縁層１２などを備えている。第１導電層Ｌ１は、例えば、図１２に示した信号線Ｓと同一材料によって形成されている。第１基体１０とパッドＰ１との間、及び、第１基体１０と第２絶縁層１２との間には、図１２に示した第１絶縁層１１や、他の絶縁層や他の導電層が配置されていてもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、第２導電層Ｌ２に相当する検出電極Ｒｘ１、有機絶縁層に相当する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。
シールＳＥは、有機絶縁層に相当し、第２絶縁層１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に位置している。なお、図示しないが、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間には、図１２に示した金属層Ｍ、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。また、オーバーコート層ＯＣとシールＳＥとの間には、図１２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、第２導電層Ｌ２に相当する検出電極Ｒｘ１、有機絶縁層に相当する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。
シールＳＥは、有機絶縁層に相当し、第２絶縁層１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の間隙に位置している。なお、図示しないが、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間には、図１２に示した金属層Ｍ、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。また、オーバーコート層ＯＣとシールＳＥとの間には、図１２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
接続用孔Ｖ１は、第２基体２０及び検出電極Ｒｘの端子部ＲＴを貫通する第１孔ＶＡ、パッドＰ１を貫通する第２孔ＶＢ、各種有機絶縁層を貫通する第３孔ＶＣ、及び、第１基体１０に形成された凹部ＣＣを含んでいる。第３孔ＶＣは、第２絶縁層１２を貫通する第１部分ＶＣ１、シールＳＥを貫通する第２部分ＶＣ２、及び、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する第３部分ＶＣ３を有している。接続材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、パッドＰ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。
第２絶縁層１２は、パッドＰ１と第２基体２０との間に位置し、パッドＰ１の上面ＬＴ１に接触している。接続材Ｃは、パッドＰ１の上面ＬＴ１と、第２孔ＶＢにおけるパッドＰ１の内面ＬＳ１とに接触している。
図１６Ｂは、図１６Ａに示したパッドＰ１及び第２絶縁層１２を示す平面図である。
平面視において、第１部分ＶＣ１の大きさは、第２孔ＶＢの大きさより大きい。パッドＰ１の上面ＬＴ１のうち接続材Ｃと接触している領域ＲＡは、第１部分ＶＣ１が第２絶縁層１２を覆っていない領域である。本実施形態において、領域ＲＡは、平面視にて環状に形成されている。領域ＲＡには、斜線を付している。第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１の形状は、平面視（Ｘ−Ｙ平面）にて円形状に形成されている。第１部分ＶＣ１の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２１は、第２孔ＶＢの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２２よりも大きい。また、第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１の形状が平面視で円形状の場合、第１部分ＶＣ１の第２方向Ｙに沿った幅は、第２孔ＶＢの第２方向Ｙに沿った幅よりも大きい。なお、第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１は真円に限らず、楕円形など他の円形状であってもよく、円形以外の形状であってもよい。例えば第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１が楕円形状に形成されている場合、それらの幅は長軸の長さ（長径）に相当する幅であってもよいし、短軸の長さ（短径）に相当する幅であってもよい。また、第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１は、それらの輪郭が蛇行していてもよい。なお、上記領域ＲＡの形状は、環状に限定されるものではなく、種々変形可能である。
平面視において、第１部分ＶＣ１の大きさは、第２孔ＶＢの大きさより大きい。パッドＰ１の上面ＬＴ１のうち接続材Ｃと接触している領域ＲＡは、第１部分ＶＣ１が第２絶縁層１２を覆っていない領域である。本実施形態において、領域ＲＡは、平面視にて環状に形成されている。領域ＲＡには、斜線を付している。第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１の形状は、平面視（Ｘ−Ｙ平面）にて円形状に形成されている。第１部分ＶＣ１の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２１は、第２孔ＶＢの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２２よりも大きい。また、第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１の形状が平面視で円形状の場合、第１部分ＶＣ１の第２方向Ｙに沿った幅は、第２孔ＶＢの第２方向Ｙに沿った幅よりも大きい。なお、第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１は真円に限らず、楕円形など他の円形状であってもよく、円形以外の形状であってもよい。例えば第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１が楕円形状に形成されている場合、それらの幅は長軸の長さ（長径）に相当する幅であってもよいし、短軸の長さ（短径）に相当する幅であってもよい。また、第２孔ＶＢ及び第１部分ＶＣ１は、それらの輪郭が蛇行していてもよい。なお、上記領域ＲＡの形状は、環状に限定されるものではなく、種々変形可能である。
上述したセンサＳＳを備える表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。つまり、第１基板ＳＵＢ１に実装された配線基板ＳＵＢ３は、表示パネルＰＮＬに画像を表示するのに必要な信号を伝送するための伝送路を形成するとともに、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとの間で信号を伝送するための伝送路を形成する。したがって、配線基板ＳＵＢ３の他に別個の配線基板を必要とする構成例と比較して、配線基板の個数を削減することができ、コストを削減することができる。また、第２基板ＳＵＢ２に配線基板を接続するためのスペースが不要となるため、表示パネルＰＮＬの非表示領域、特に、配線基板ＳＵＢ３が実装される端辺の幅を縮小することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。
≪表示装置の製造方法≫
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図１７乃至図１９を参照しながら説明する。
次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図１７乃至図１９を参照しながら説明する。
まず、図１７（Ａ）に示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図示した表示パネルＰＮＬは、少なくとも第１基体１０及び第１導電層Ｌ１を備えた第１基板ＳＵＢ１と、少なくとも第２基体２０及び第２導電層Ｌ２を備えた第２基板ＳＵＢ２とを備えている。この表示パネルＰＮＬにおいては、第２基体２０が第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第２基体２０が第１導電層Ｌ１から離間した状態で、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とがシールＳＥによって接着されている。なお、ここでの第１導電層Ｌ１とは、例えば図１６Ａに示したパッドＰ１などに相当し、第２導電層Ｌ２とは、例えば図１６Ａに示した検出電極Ｒｘ１などに相当する。
このような表示パネルＰＮＬの製造方法の一例について説明する。すなわち、第１基体１０の主面１０Ａ上に第１導電層Ｌ１や第２絶縁層１２などを形成した第１基板ＳＵＢ１を用意する。一方で、第２基体２０の主面２０Ａ上に遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣなどを形成した第２基板ＳＵＢ２を用意する。この時点で、第２基板ＳＵＢ２の主面２０Ｂには、第２導電層は形成されていない。これらの第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に、ループ状のシールＳＥを形成し、シールＳＥの内側に液晶材料を滴下する。その後、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合せ、シールＳＥを硬化させて、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着する。その後、フッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチング液により第１基体１０及び第２基体２０をそれぞれエッチングし、第１基体１０及び第２基体２０を薄板化する。その後、第２基体２０の主面２０Ｂに第２導電層Ｌ２を形成する。これにより、図１７（Ａ）に示す表示パネルＰＮＬが製造される。
また、表示パネルＰＮＬの製造方法の他の例について説明する。すなわち、上記の例と同様に第１基板ＳＵＢ１を用意する一方で、第２基体２０の主面２０Ａ上に遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣなどを形成し、且つ、第２基体２０の主面２０Ｂ上に第２導電層Ｌ２を形成した第２基板ＳＵＢ２を用意する。その後、シールＳＥを形成し、液晶材料を滴下した後に、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を接着する。これにより、図１７（Ａ）に示す表示パネルＰＮＬが製造される。
続いて、図１７（Ｂ）に示すように、第２基板ＳＵＢ２にレーザー光Ｌを照射する。図示した例では、レーザー光Ｌは、第２導電層Ｌ２の上方から照射される。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであればよく、エキシマレーザー装置なども適用可能である。
このようなレーザー光Ｌが照射されることにより、図１７（Ｃ）に示すように、第２基体２０及び第２導電層Ｌ２を貫通する第１孔ＶＡが形成される。また、図示した例では、レーザー光Ｌが照射された際に、第１孔ＶＡの直下に位置する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する第３部分ＶＣ３、第３部分ＶＣ３の直下に位置するシールＳＥを貫通する第２部分ＶＣ２、第２部分ＶＣ２の直下に位置する第２絶縁層１２を貫通する第１部分ＶＣ１、第１部分ＶＣ１の直下に位置する第１導電層Ｌ１を貫通する第２孔ＶＢ、第２孔ＶＢの直下に位置する第１基体１０の凹部ＣＣも同時に形成される。これにより、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを接続するための接続用孔Ｖ１が形成される。
レーザー光Ｌの照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギーが与えられると、パッドＰ１を形成している金属材料よりも、第２絶縁層１２を形成している有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第３孔ＶＣは、第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢよりも拡張して形成されている。
レーザー光Ｌの照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギーが与えられると、パッドＰ１を形成している金属材料よりも、第２絶縁層１２を形成している有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第３孔ＶＣは、第１孔ＶＡ及び第２孔ＶＢよりも拡張して形成されている。
続いて、図１８に示すように、第１導電層Ｌ１及び第２導電層Ｌ２を電気的に接続する接続材Ｃを形成する。
より具体的には、まず、図１８（Ａ）に示すように、チャンバーＣＢ内に表示パネルＰＮＬを設置した後に、チャンバーＣＢ内の空気を排出し、真空中（大気圧より低い気圧の環境下）で第１孔ＶＡに接続材Ｃを注入する。このとき、接続材Ｃが第１導電層Ｌ１まで流れ込まずに、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との間に空間ＳＰが形成される場合がある。但し、空間ＳＰは、真空である。
その後、図１８（Ｂ）に示すように、チャンバーＣＢ内に空気、不活性ガス等の気体を導入することで真空度を低下させ、空間ＳＰと表示パネルＰＮＬの周囲との気圧差により、接続材Ｃが第１孔ＶＡから第３孔ＶＣ、第２孔ＶＢ、及び、凹部ＣＣに流れ込み、接続材Ｃを第１導電層Ｌ１に接触させる。接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１及び上面ＬＴ１に接触する。
その後、図１８（Ｃ）に示すように、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去することにより、接続材Ｃの体積が減少し、中空部分ＨＬが形成される。このように形成された接続材Ｃは、第１孔ＶＡにおいて第２導電層Ｌ２及び第２基体２０にそれぞれ接触し、第３孔ＶＣにおいて遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥ、及び、第２絶縁層１２にそれぞれ接触し、第２孔ＶＢにおいて第１導電層Ｌ１に接触し、凹部ＣＣにおいて第１基体１０に接触している。
なお、図１８を参照して説明した接続材Ｃの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。例えば、大気圧下で第１孔ＶＡに接続材Ｃを注入した後に、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去する手法であっても、上記と同様の接続材Ｃを形成することができる。
より具体的には、まず、図１８（Ａ）に示すように、チャンバーＣＢ内に表示パネルＰＮＬを設置した後に、チャンバーＣＢ内の空気を排出し、真空中（大気圧より低い気圧の環境下）で第１孔ＶＡに接続材Ｃを注入する。このとき、接続材Ｃが第１導電層Ｌ１まで流れ込まずに、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との間に空間ＳＰが形成される場合がある。但し、空間ＳＰは、真空である。
その後、図１８（Ｂ）に示すように、チャンバーＣＢ内に空気、不活性ガス等の気体を導入することで真空度を低下させ、空間ＳＰと表示パネルＰＮＬの周囲との気圧差により、接続材Ｃが第１孔ＶＡから第３孔ＶＣ、第２孔ＶＢ、及び、凹部ＣＣに流れ込み、接続材Ｃを第１導電層Ｌ１に接触させる。接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１及び上面ＬＴ１に接触する。
その後、図１８（Ｃ）に示すように、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去することにより、接続材Ｃの体積が減少し、中空部分ＨＬが形成される。このように形成された接続材Ｃは、第１孔ＶＡにおいて第２導電層Ｌ２及び第２基体２０にそれぞれ接触し、第３孔ＶＣにおいて遮光層ＢＭ、オーバーコート層ＯＣ、シールＳＥ、及び、第２絶縁層１２にそれぞれ接触し、第２孔ＶＢにおいて第１導電層Ｌ１に接触し、凹部ＣＣにおいて第１基体１０に接触している。
なお、図１８を参照して説明した接続材Ｃの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。例えば、大気圧下で第１孔ＶＡに接続材Ｃを注入した後に、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去する手法であっても、上記と同様の接続材Ｃを形成することができる。
続いて、図１９（Ａ）に示すように、保護材ＰＦを形成する。図示した例では、保護材ＰＦは、接続材Ｃの中空部分ＨＬに充填されるとともに、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを覆っている。これにより、第２基板ＳＵＢ２の表面ＳＵＢ２Ａは、ほぼ平坦化され、接続用孔Ｖ１と重なる部分の段差を緩和することができる。
続いて、図１９（Ｂ）に示すように、第２光学素子ＯＤ２を保護材ＰＦに接着する。図示した例では、第２光学素子ＯＤ２は、接続用孔Ｖ１と重なる部分にも延在している。接続用孔Ｖ１に起因した段差が保護材ＰＦによって緩和されているため、第２光学素子ＯＤ２を接着した際、第２光学素子ＯＤ２の下地の段差による第２光学素子ＯＤ２の剥離を抑制することができる。
≪第１変形例≫
図２１は、本実施形態の第１変形例を示す平面図である。第１変形例は、表示装置ＤＳＰの変形例に相当する。図２１に示す第１変形例は、図１０に示した構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２に設けられる検出電極Ｒｘの各々が複数の端子部ＲＴを備えている点で相違している。図２１では、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。
図２１は、本実施形態の第１変形例を示す平面図である。第１変形例は、表示装置ＤＳＰの変形例に相当する。図２１に示す第１変形例は、図１０に示した構成例と比較して、第２基板ＳＵＢ２に設けられる検出電極Ｒｘの各々が複数の端子部ＲＴを備えている点で相違している。図２１では、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。
すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２と、端子部ＲＴ１１及びＲＴ１２と、接続部ＣＮ１１及びＣＮ１２とを備えている。
検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２の各々は、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。図示した例では、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２を備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。
接続部ＣＮ１１及びＣＮ１２は、いずれも非表示領域ＮＤＡに位置し、表示領域ＤＡを挟んで反対側に位置している。接続部ＣＮ１１及びＣＮ１２は、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第２方向Ｙに並んだ検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２を互いに接続している。
端子部ＲＴ１１及びＲＴ１２は、非表示領域ＮＤＡに位置し、接続部ＣＮ１１に接続されている。
検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２の各々は、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。図示した例では、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２を備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていてもよいし、１本の検出部ＲＳを備えていてもよい。
接続部ＣＮ１１及びＣＮ１２は、いずれも非表示領域ＮＤＡに位置し、表示領域ＤＡを挟んで反対側に位置している。接続部ＣＮ１１及びＣＮ１２は、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第２方向Ｙに並んだ検出部ＲＳ１１及びＲＳ１２を互いに接続している。
端子部ＲＴ１１及びＲＴ１２は、非表示領域ＮＤＡに位置し、接続部ＣＮ１１に接続されている。
一方で、第１基板ＳＵＢ１は、１つの検出電極Ｒｘに対応する複数のパッドＰ１１及びＰ１２を備えている。パッドＰ１１及びＰ１２は、配線Ｗ１接続されている。パッドＰ１１及びＰ１２は、平面視でそれぞれ端子部ＲＴ１１及びＲＴ１２と重なる位置に形成されている。
接続用孔Ｖ１１は、端子部ＲＴ１１とパッドＰ１１とが対向する位置に形成されている。図１などを参照して説明したように、接続用孔Ｖ１１には、接続材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１１とパッドＰ１１とが電気的に接続される。同様に、接続用孔Ｖ１２は、端子部ＲＴ１２とパッドＰ１２とが対向する位置に形成され、図示しない接続材Ｃによって端子部ＲＴ１２とパッドＰ１２とが電気的に接続されている。
接続用孔Ｖ１１は、端子部ＲＴ１１とパッドＰ１１とが対向する位置に形成されている。図１などを参照して説明したように、接続用孔Ｖ１１には、接続材Ｃが設けられている。これにより、端子部ＲＴ１１とパッドＰ１１とが電気的に接続される。同様に、接続用孔Ｖ１２は、端子部ＲＴ１２とパッドＰ１２とが対向する位置に形成され、図示しない接続材Ｃによって端子部ＲＴ１２とパッドＰ１２とが電気的に接続されている。
このような第１変形例によれば、１つの検出電極Ｒｘが複数の端子部ＲＴを有し、且つ、各端子部ＲＴに対向するパッドＰが設けられ、それぞれの端子部ＲＴとパッドＰとが接続材Ｃによって電気的に接続されることにより、たとえ１つの端子部ＲＴとパッドＰとの間で接続不良が発生したとしても、他の端子部ＲＴとパッドＰとの間で電気的に接続することが可能となり、信頼性を向上することができる。
≪第２変形例≫
図２２は、本実施形態の第２変形例を示す平面図である。第２変形例は、検出電極Ｒｘにおける端子部ＲＴの変形例に相当する。ここでは、図２１において点線で囲んだ端子部ＲＴ３２を含む検出電極Ｒｘ３に着目して説明するが、図２２に示す第２変形例は上記した他の構成例における端子部にも適用できることは言うまでもない。図２３は、図２２に示した端子部ＲＴ３２を含むＣ−Ｄ線で切断した表示装置ＤＳＰの断面図である。
図２２は、本実施形態の第２変形例を示す平面図である。第２変形例は、検出電極Ｒｘにおける端子部ＲＴの変形例に相当する。ここでは、図２１において点線で囲んだ端子部ＲＴ３２を含む検出電極Ｒｘ３に着目して説明するが、図２２に示す第２変形例は上記した他の構成例における端子部にも適用できることは言うまでもない。図２３は、図２２に示した端子部ＲＴ３２を含むＣ−Ｄ線で切断した表示装置ＤＳＰの断面図である。
検出電極Ｒｘ３は、そのほぼ全体が第１層Ｌ３１及び第２層Ｌ３２を備えた積層体によって構成されている。つまり、検出電極Ｒｘ３において、検出部、接続部、及び、端子部は、いずれも積層体によって構成されている。なお、検出電極Ｒｘ３は、２層構造に限定されるものではなく、３層以上の積層体であってもよい。
第１層Ｌ３１は、低抵抗の導電層であり、検出電極Ｒｘ３の主要部を構成する。一例では、第１層Ｌ３１は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）などの金属材料、又は、これらの金属材料を組み合わせた合金によって形成された金属層である。
第２層Ｌ３２は、第１層Ｌ３１での反射を抑制する反射抑制層であり、第１層Ｌ３１よりも低い反射率を有し、実質的にその表面の色が黒として視認される黒化層である。第２層Ｌ３２は、一例では、第１層Ｌ３１の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有している。第２層Ｌ３２は、導電材料によって形成されてもよいし、絶縁材料によって形成されてもよい。第２層Ｌ３２は、それ自身が多層体であってもよいし、単層体であってもよい。また、第２層Ｌ３２は、黒色樹脂などの有機系材料によって形成されてもよいし、金属酸化物などの無機系材料によって形成されてもよいし、有機系材料及び無機系材料の双方によって形成されてもよい。
例えば、第２層Ｌ３２は、互いに屈折率の異なる複数の誘電体層が積層された誘電体多層体によって構成されている。一例では、高屈折率の誘電体層は、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，またはＴａ２Ｏ５によって形成され、低屈折率の誘電体層は、ＳｉＯ２，またはＭｇＦ２によって形成される。
他の例では、第２層Ｌ３２は、黒色樹脂などの光吸収材によって構成されている。
第２層Ｌ３２は、第１層Ｌ３１での反射を抑制する反射抑制層であり、第１層Ｌ３１よりも低い反射率を有し、実質的にその表面の色が黒として視認される黒化層である。第２層Ｌ３２は、一例では、第１層Ｌ３１の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有している。第２層Ｌ３２は、導電材料によって形成されてもよいし、絶縁材料によって形成されてもよい。第２層Ｌ３２は、それ自身が多層体であってもよいし、単層体であってもよい。また、第２層Ｌ３２は、黒色樹脂などの有機系材料によって形成されてもよいし、金属酸化物などの無機系材料によって形成されてもよいし、有機系材料及び無機系材料の双方によって形成されてもよい。
例えば、第２層Ｌ３２は、互いに屈折率の異なる複数の誘電体層が積層された誘電体多層体によって構成されている。一例では、高屈折率の誘電体層は、ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，またはＴａ２Ｏ５によって形成され、低屈折率の誘電体層は、ＳｉＯ２，またはＭｇＦ２によって形成される。
他の例では、第２層Ｌ３２は、黒色樹脂などの光吸収材によって構成されている。
図２２に示すように、端子部ＲＴ３２は、第２層Ｌ３２が除去された開口部ＡＰを有している。開口部ＡＰは、第１層Ｌ３１まで貫通している。図２２では、右上がりの斜線で示した領域は第１層Ｌ３１及び第２層Ｌ３２が積層された領域に相当し、右下がりの斜線で示した領域は第２層Ｌ３２が除去され第１層Ｌ３１が存在する領域に相当する。このような開口部ＡＰは、端子部ＲＴ３２の輪郭に沿って形成されており、図示した例では、微小な円形の開口ＡＰＡが環状に繋がった形状を有している。なお、開口部ＡＰの形状は、図示した例に限らず、また、微小な開口ＡＰＡが不連続に形成されていてもよい。開口ＡＰＡは、例えばレーザー光を照射することによって形成できる。
端子部ＲＴ３２の中央部には、接続用孔Ｖ３２が形成されている。接続材Ｃは、端子部ＲＴ３２に接触するとともに接続用孔Ｖ３２を通ってパッドＰ３２に接触している。接続材Ｃは、端子部ＲＴ３２の開口部ＡＰにおいて、導電層である第１層Ｌ３１に接触している。接続材Ｃの中空部分には、充填材ＦＩが充填されている。充填材ＦＩは、接続材Ｃのみならず、検出電極Ｒｘ３の第２層Ｌ３２や開口部ＡＰにおける第１層Ｌ３１なども覆っている。なお、検出電極Ｒｘ３は、その全体が保護材によって覆われていてもよい。
このような第２変形例によれば、接続用孔Ｖ３２にペースト状の接続材Ｃを注入した際に、第２層Ｌ３２に対する接続材Ｃの濡れ性が第１層Ｌ３１に対する接続材Ｃの濡れ性よりも低い場合に、開口部ＡＰにおいて接続材Ｃが第１層Ｌ３１の表面で広がり、検出電極Ｒｘ３と接続材Ｃとの導電性を向上することができる。また、第１層Ｌ３１のみならず第２層Ｌ３２も導電性を有する場合には、接続材Ｃが開口部ＡＰの第１層Ｌ３１及び非開口部の第２層Ｌ３２の双方と接触するため、接続材Ｃの検出電極Ｒｘ３との接触面積を拡大することができる。
≪第３変形例≫
図２４は、本実施形態の第３変形例を示す断面図である。第３変形例は、表示装置ＤＳＰの変形例に相当する。図２４に示す第３変形例は、図１６Ａに示した構成例と比較して、接続材ＣがパッドＰ１（第１導電層Ｌ１）だけではなく第３導電層Ｌ３にも接触している点で相違している。
図２４は、本実施形態の第３変形例を示す断面図である。第３変形例は、表示装置ＤＳＰの変形例に相当する。図２４に示す第３変形例は、図１６Ａに示した構成例と比較して、接続材ＣがパッドＰ１（第１導電層Ｌ１）だけではなく第３導電層Ｌ３にも接触している点で相違している。
第１基板ＳＵＢ１は、第３導電層Ｌ３をさらに有している。第３導電層Ｌ３は、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間に位置している。第３導電層Ｌ３は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。例えば、第３導電層Ｌ３は、図１２に示した金属層Ｍとともに、同一材料を利用し、同時に形成可能である。第３導電層Ｌ３は、パッドＰ１に電気的に接続されている。本変形例において、第３導電層Ｌ３は、第２絶縁層１２に形成されたコンタクトホールＣＨを通り、パッドＰ１に接触している。接続用孔Ｖ１は、第３導電層Ｌ３を貫通した第４孔ＶＤを有している。第４孔ＶＤは、第１部分ＶＣ１と第２部分ＶＣ２とに繋がっている。
図２５は、図２４に示したシールＳＥ及び第３導電層Ｌ３を示す断面図である。第４孔ＶＤは、平面視にて円形に形成されている。第２部分ＶＣ２は、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って第４孔ＶＤよりも拡張されている。平面視において、第２部分ＶＣ２の大きさは、第４孔ＶＤの大きさより大きい。第２部分ＶＣ２の第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２３は、第４孔ＶＤの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２４よりも大きい。
本変形例においても、レーザー光の照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギーが与えられると、第３導電層Ｌ３を形成している金属材料よりも、第２絶縁層１２を形成している有機絶縁材料、及び、シールＳＥを形成している有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第１部分ＶＣ１及び第２部分ＶＣ２の大きさは、第４孔ＶＤの大きさより大きくなる。
本変形例においても、レーザー光の照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギーが与えられると、第３導電層Ｌ３を形成している金属材料よりも、第２絶縁層１２を形成している有機絶縁材料、及び、シールＳＥを形成している有機絶縁材料の方が、昇華し易い。このため、上述したように、第１部分ＶＣ１及び第２部分ＶＣ２の大きさは、第４孔ＶＤの大きさより大きくなる。
第３導電層Ｌ３は、第２絶縁層１２及びシールＳＥで覆われていない環状の部分ＲＩを有している。接続材Ｃは、第３導電層Ｌ３の環状の部分ＲＩに接触している。図２５において、環状の部分ＲＩには、斜線を付している。
なお、接続用孔Ｖ１を形成するために表示パネルＰＮＬにレーザー光の照射した後、アッシングを行なってもよい。これにより、接続用孔Ｖ１の内部に存在し得る有機絶縁材料の残渣を除去することができるため、上記環状の部分ＲＩを一層むき出しにすることができる。
第３変形例によれば、接続材Ｃは、パッドＰ１だけではなく、第３導電層Ｌ３にも接触している。したがって、接続材Ｃの第３導電層Ｌ３との接触面積の分、接触面積を拡大することができる。
なお、接続用孔Ｖ１を形成するために表示パネルＰＮＬにレーザー光の照射した後、アッシングを行なってもよい。これにより、接続用孔Ｖ１の内部に存在し得る有機絶縁材料の残渣を除去することができるため、上記環状の部分ＲＩを一層むき出しにすることができる。
第３変形例によれば、接続材Ｃは、パッドＰ１だけではなく、第３導電層Ｌ３にも接触している。したがって、接続材Ｃの第３導電層Ｌ３との接触面積の分、接触面積を拡大することができる。
≪第２実施形態：第１構成例≫
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、接続用孔Ｖのうち、主に第１孔ＶＡに着目して説明する。
次に、第２実施形態について説明する。第２実施形態では、接続用孔Ｖのうち、主に第１孔ＶＡに着目して説明する。
図２６は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの第１構成例を示す断面図である。
第２基体２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。主面２０Ａは第１主面に相当し、主面２０Ｂは第２主面に相当する。主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離間している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂに位置している。第１基体１０、第１導電層Ｌ１、第２基体２０、及び、第２導電層Ｌ２は、この順に第３方向Ｚに並んでいる。第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間には、有機絶縁層ＯＩが位置しているが、無機絶縁層や他の導電層が位置している場合もあり得るし、空気層が位置していてもよい。
第２基体２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂとを有している。主面２０Ａは第１主面に相当し、主面２０Ｂは第２主面に相当する。主面２０Ａは、第１導電層Ｌ１と対向し、且つ、第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離間している。図示した例では、第２導電層Ｌ２は、主面２０Ｂに位置している。第１基体１０、第１導電層Ｌ１、第２基体２０、及び、第２導電層Ｌ２は、この順に第３方向Ｚに並んでいる。第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間には、有機絶縁層ＯＩが位置しているが、無機絶縁層や他の導電層が位置している場合もあり得るし、空気層が位置していてもよい。
接続材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、第２導電層Ｌ２の上面ＬＴ２及び内面ＬＳ２、及び、第２基体２０の内面２０Ｓにそれぞれ接触している。また、接続材Ｃは、有機絶縁層ＯＩの内面ＯＩＳに接触している。また、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第１導電層Ｌ１の上面ＬＴ１及び内面ＬＳ１、及び、凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。図示した例では、接続材Ｃは、第１孔ＶＡの内面（つまり、内面ＬＳ２及び内面２０Ｓ）、第３孔ＶＣの内面（つまり、内面ＯＩＳ）、第２孔ＶＢの内面（つまり、内面ＬＳ１）、及び、凹部ＣＣにそれぞれ設けられているが、各孔の中心部付近には接続材Ｃは充填されていない。このため、接続材Ｃは、中空部分を有する。このような形状の接続材Ｃは、大気圧下、あるいは、大気圧より低い気圧の環境下で第１孔ＶＡから注入され、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去することによって形成される。
接続材Ｃの中空部分には、絶縁性の充填材ＦＩが充填されている。図示した例では、充填材ＦＩは、主面２０Ｂ上において第２導電層Ｌ２と重なった接続材Ｃを覆うとともに、接続材Ｃと重なっていない第２導電層Ｌ２を覆っており、第２基体２０の主面２０Ｂに接触している。充填材ＦＩは、例えば、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。なお、接続材Ｃは、第１孔ＶＡ、第３孔ＶＣ、第２孔ＶＢ、及び、凹部ＣＣを埋めるように充填されていてもよい。このような接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。
接続材Ｃの中空部分には、絶縁性の充填材ＦＩが充填されている。図示した例では、充填材ＦＩは、主面２０Ｂ上において第２導電層Ｌ２と重なった接続材Ｃを覆うとともに、接続材Ｃと重なっていない第２導電層Ｌ２を覆っており、第２基体２０の主面２０Ｂに接触している。充填材ＦＩは、例えば、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。なお、接続材Ｃは、第１孔ＶＡ、第３孔ＶＣ、第２孔ＶＢ、及び、凹部ＣＣを埋めるように充填されていてもよい。このような接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。
このような第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、接続材Ｃが第２導電層Ｌ２の内面ＬＳ２のみならず上面ＬＴ２にも接触しているため、接続材Ｃの第２導電層Ｌ２との接触面積を拡大することができ、接続材Ｃと第２導電層Ｌ２との接続不良を抑制することができる。また、接続材Ｃが第１導電層Ｌ１の内面ＬＳ１のみならず上面ＬＴ１にも接触しているため、接続材Ｃの第１導電層Ｌ１との接触面積を拡大することができ、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との接続不良を抑制することができる。また、接続材Ｃの中空部分に充填材ＦＩが充填されることにより、接続材Ｃに中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。また、充填材ＦＩは、接続材Ｃ及び第２導電層Ｌ２を覆っているため、第２導電層Ｌ２及び接続材Ｃを保護することができる。
加えて、本実施形態によれば、第１孔ＶＡは、主面２０Ａに沿った第１部分ＶＡ１と、主面２０Ｂに沿った第２部分ＶＡ２とを備え、第１部分ＶＡ１は第２部分ＶＡ２よりも小さい。言い換えると、第１孔ＶＡの第１部分ＶＡ１は主面２０Ａ内に設けられており、第２部分ＶＡ２は主面２０Ｂ内に設けられている。さらに言い換えると、第１部分ＶＡ１は第１主面２０Ａにおける第１孔ＶＡの界面であり、第２部分ＶＡ２は第２主面２０Ｂにおける第１孔ＶＡの界面であるといえる。断面視においては、第１孔ＶＡは、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって（つまり、主面２０Ａから主面２０Ｂに向かうにしたがって）第２方向Ｙの幅が拡大する順テーパー状に形成されている。また、断面視において、内面２０Ｓは、直線状に形成されている。内面２０Ｓと主面２０Ｂとのなす角度θは、９０°より大きな鈍角である。なお、内面２０Ｓは、図示した例に限らず、断面視において直線および曲線の少なくとも一方を含む形状である。
このような形状の第１孔ＶＡにおいては、後述する接続材Ｃの形成過程において、より多くの接続材Ｃが内面２０Ｓに配置される。一例では、第２部分ＶＡ２付近の内面２０Ｓに配置された接続材Ｃの第２方向Ｙの幅Ｗ１１は、凹部ＣＣに配置された接続材Ｃの第２方向Ｙの幅Ｗ１２よりも大きい。また、なす角度θが鈍角であるため、第２導電層Ｌ２に接触した接続材Ｃと、内面２０Ｓに接触した接続材Ｃとの途切れを抑制することができる。
このような形状の第１孔ＶＡにおいては、後述する接続材Ｃの形成過程において、より多くの接続材Ｃが内面２０Ｓに配置される。一例では、第２部分ＶＡ２付近の内面２０Ｓに配置された接続材Ｃの第２方向Ｙの幅Ｗ１１は、凹部ＣＣに配置された接続材Ｃの第２方向Ｙの幅Ｗ１２よりも大きい。また、なす角度θが鈍角であるため、第２導電層Ｌ２に接触した接続材Ｃと、内面２０Ｓに接触した接続材Ｃとの途切れを抑制することができる。
なお、詳述しないが、第２孔ＶＢや凹部ＣＣの第２方向Ｙの幅は、第１部分ＶＡ１の第２方向Ｙの幅と同一かそれ以下であり、第２部分ＶＡ２の第２方向Ｙの幅より小さい。
図２７は、第２基体２０に形成される第１孔ＶＡの第１構成例を示す斜視図である。
図示した例では、第１部分ＶＡ１及び第２部分ＶＡ２は、いずれも円形状に形成されている。第１孔ＶＡは、円錐台状に形成されている。第１部分ＶＡ１は図２７において右上がりの斜線で示した領域に相当し、第２部分ＶＡ２は図２７において右下がりの斜線で示した領域に相当する。第１部分ＶＡ１の面積は、第２部分ＶＡ２の面積よりも小さい。また、第１部分ＶＡ１の直径Ｄ１は、第２部分ＶＡ２の直径Ｄ２よりも小さい。ここでの直径Ｄ１及びＤ２は、第１方向Ｘに沿った長さに相当する。一例では、直径Ｄ２は、直径Ｄ１の２〜４倍である。また、第１部分ＶＡ１の中心Ｏ１、及び、第２部分ＶＡ２の中心Ｏ２は、第２基体２０の法線（第３方向Ｚ）に平行な同一直線ＬＡ上に位置している。
図示した例では、第１部分ＶＡ１及び第２部分ＶＡ２は、いずれも円形状に形成されている。第１孔ＶＡは、円錐台状に形成されている。第１部分ＶＡ１は図２７において右上がりの斜線で示した領域に相当し、第２部分ＶＡ２は図２７において右下がりの斜線で示した領域に相当する。第１部分ＶＡ１の面積は、第２部分ＶＡ２の面積よりも小さい。また、第１部分ＶＡ１の直径Ｄ１は、第２部分ＶＡ２の直径Ｄ２よりも小さい。ここでの直径Ｄ１及びＤ２は、第１方向Ｘに沿った長さに相当する。一例では、直径Ｄ２は、直径Ｄ１の２〜４倍である。また、第１部分ＶＡ１の中心Ｏ１、及び、第２部分ＶＡ２の中心Ｏ２は、第２基体２０の法線（第３方向Ｚ）に平行な同一直線ＬＡ上に位置している。
≪第２構成例≫
図２８Ａは、第１孔ＶＡの第２構成例を示す断面図である。図２８Ａに示す第２構成例は、図２６に示す第１構成例と比較して、内面２０Ｓが断面視において曲線２０Ｃを含む形状に形成されている点で相違している。なお、内面２０Ｓは、複数の曲線２０Ｃを組み合わせた形状に形成されていてもよい。
図２８Ａは、第１孔ＶＡの第２構成例を示す断面図である。図２８Ａに示す第２構成例は、図２６に示す第１構成例と比較して、内面２０Ｓが断面視において曲線２０Ｃを含む形状に形成されている点で相違している。なお、内面２０Ｓは、複数の曲線２０Ｃを組み合わせた形状に形成されていてもよい。
≪第３構成例≫
図２８Ｂは、第１孔ＶＡの第３構成例を示す断面図である。図２８Ｂに示す第３構成例は、図２６に示す第１構成例と比較して、内面２０Ｓが断面視において直線２０Ｌ及び曲線２０Ｃを含む形状に形成されている点で相違している。図示した例では、直線２０Ｌは第１部分ＶＡ１側に位置し、曲線２０Ｃは第２部分ＶＡ２側に位置している。なお、直線２０Ｌが第２部分ＶＡ２側に位置し、曲線２０Ｃが第１部分ＶＡ１側に位置していてもよい。また、第２基体２０の第３方向Ｚに沿った厚さの１／２の中間位置２０Ｍを基準としたとき、曲線２０Ｃは、中間位置２０Ｍよりも第２部分ＶＡ２側に位置しているが、中間位置２０Ｍを超えて第１部分ＶＡ１側に延びていてもよい。
図２８Ｂは、第１孔ＶＡの第３構成例を示す断面図である。図２８Ｂに示す第３構成例は、図２６に示す第１構成例と比較して、内面２０Ｓが断面視において直線２０Ｌ及び曲線２０Ｃを含む形状に形成されている点で相違している。図示した例では、直線２０Ｌは第１部分ＶＡ１側に位置し、曲線２０Ｃは第２部分ＶＡ２側に位置している。なお、直線２０Ｌが第２部分ＶＡ２側に位置し、曲線２０Ｃが第１部分ＶＡ１側に位置していてもよい。また、第２基体２０の第３方向Ｚに沿った厚さの１／２の中間位置２０Ｍを基準としたとき、曲線２０Ｃは、中間位置２０Ｍよりも第２部分ＶＡ２側に位置しているが、中間位置２０Ｍを超えて第１部分ＶＡ１側に延びていてもよい。
≪第４構成例≫
図２８Ｃは、第１孔ＶＡの第４構成例を示す断面図である。図２８Ｃに示す第４構成例は、図２６に示す第１構成例と比較して、内面２０Ｓが断面視において直線２０Ｌ、及び、曲線２０Ｃ１及び２０Ｃ２を含む形状に形成されている点で相違している。図示した例では、曲線２０Ｃ１は第１部分ＶＡ１側に位置し、曲線２０Ｃ２は第２部分ＶＡ２側に位置し、直線２０Ｌは曲線２０Ｃ１と曲線２０Ｃ２との間に位置している。なお、内面２０Ｓは、複数の直線２０Ｌと複数の曲線２０Ｃとを組み合わせた形状に形成されていてもよい。
図２８Ｃは、第１孔ＶＡの第４構成例を示す断面図である。図２８Ｃに示す第４構成例は、図２６に示す第１構成例と比較して、内面２０Ｓが断面視において直線２０Ｌ、及び、曲線２０Ｃ１及び２０Ｃ２を含む形状に形成されている点で相違している。図示した例では、曲線２０Ｃ１は第１部分ＶＡ１側に位置し、曲線２０Ｃ２は第２部分ＶＡ２側に位置し、直線２０Ｌは曲線２０Ｃ１と曲線２０Ｃ２との間に位置している。なお、内面２０Ｓは、複数の直線２０Ｌと複数の曲線２０Ｃとを組み合わせた形状に形成されていてもよい。
≪第５構成例≫
図２９Ａは、第１孔ＶＡの第５構成例を示す断面図である。図２９Ａに示す第５構成例では、第１孔ＶＡは、第１部分ＶＡ１と第２部分ＶＡ２との間に第３部分ＶＡ３を有している。第３部分ＶＡ３は、Ｘ−Ｙ平面と平行であり、中間位置２０Ｍよりも第１部分ＶＡ１側に位置している。
第１孔ＶＡは、第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間、及び、第３部分ＶＡ３と第２部分ＶＡ２との間のそれぞれにおいて、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙの幅が拡大する順テーパー状に形成されている。図示した例では、内面２０Ｓのうち、第３部分ＶＡ３と第２部分ＶＡ２との間の内面Ｓ２３は、第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間の内面Ｓ１３よりも緩斜面である。つまり、第３部分ＶＡ３と内面Ｓ２３とのなす角度θ３は、第１部分ＶＡ１と内面Ｓ１３とのなす角度θ１よりも大きい。なお、θ１及びθ３は、いずれも鈍角である。また、図２９Ａ乃至図２９Ｃにおいて、内面Ｓ１３及びＳ２３は、いずれも断面視において直線であってもよいし、曲線であってもよいし、直線と曲線とを組み合わせた形状であってもよい。
図２９Ａは、第１孔ＶＡの第５構成例を示す断面図である。図２９Ａに示す第５構成例では、第１孔ＶＡは、第１部分ＶＡ１と第２部分ＶＡ２との間に第３部分ＶＡ３を有している。第３部分ＶＡ３は、Ｘ−Ｙ平面と平行であり、中間位置２０Ｍよりも第１部分ＶＡ１側に位置している。
第１孔ＶＡは、第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間、及び、第３部分ＶＡ３と第２部分ＶＡ２との間のそれぞれにおいて、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙの幅が拡大する順テーパー状に形成されている。図示した例では、内面２０Ｓのうち、第３部分ＶＡ３と第２部分ＶＡ２との間の内面Ｓ２３は、第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間の内面Ｓ１３よりも緩斜面である。つまり、第３部分ＶＡ３と内面Ｓ２３とのなす角度θ３は、第１部分ＶＡ１と内面Ｓ１３とのなす角度θ１よりも大きい。なお、θ１及びθ３は、いずれも鈍角である。また、図２９Ａ乃至図２９Ｃにおいて、内面Ｓ１３及びＳ２３は、いずれも断面視において直線であってもよいし、曲線であってもよいし、直線と曲線とを組み合わせた形状であってもよい。
≪第６構成例≫
図２９Ｂは、第１孔ＶＡの第６構成例を示す断面図である。図２９Ｂに示す第６構成例は、図２９Ａに示す第５構成例と比較して、第１孔ＶＡが第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間において第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する点で相違している。図示した例では、なす角度θ１は、ほぼ９０°である。
図２９Ｂは、第１孔ＶＡの第６構成例を示す断面図である。図２９Ｂに示す第６構成例は、図２９Ａに示す第５構成例と比較して、第１孔ＶＡが第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間において第２方向Ｙにほぼ一定の幅を有する点で相違している。図示した例では、なす角度θ１は、ほぼ９０°である。
≪第７構成例≫
図２９Ｃは、第１孔ＶＡの第７構成例を示す断面図である。図２９Ｃに示す第７構成例は、図２９Ａに示す第５構成例と比較して、第１孔ＶＡが第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間において、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙの幅が縮小する逆テーパー状に形成されている点で相違している。図示した例では、なす角度θ１は、鋭角である。
図２９Ｃは、第１孔ＶＡの第７構成例を示す断面図である。図２９Ｃに示す第７構成例は、図２９Ａに示す第５構成例と比較して、第１孔ＶＡが第１部分ＶＡ１と第３部分ＶＡ３との間において、第３方向Ｚに沿って上方に向かうにしたがって第２方向Ｙの幅が縮小する逆テーパー状に形成されている点で相違している。図示した例では、なす角度θ１は、鋭角である。
≪パッドの変形例≫
図３０は、図１０に示したパッドＰ１を拡大した平面図である。ここでは、第２方向Ｙに沿ったパネル端部ＰＮＬＥに位置するパッドＰ１を図示し、パッドＰ１に接続される配線やパッドＰ１の周囲の配線等の図示を省略している。図示した例では、パッドＰ１は、八角形状に形成されている。また、パッドＰ１は、シールＳＥと重なり、例えば、図１２に示した信号線Ｓと同一材料によって形成されている。パッドＰ１には、パッドＰ１を貫通するスリットＳＴが形成されている。図示した例では、スリットＳＴは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。これにより、シールＳＥが感光性樹脂材料を用いて形成される場合に、感光性樹脂材料のうち、パッドＰ１と重なる領域はスリットＳＴを介して露光されるため、シールＳＥの未硬化を防ぐことができる。なお、パッドＰ１に形成されるスリットＳＴの個数や、スリットＳＴの形状については図示した例に限らない。
図３０は、図１０に示したパッドＰ１を拡大した平面図である。ここでは、第２方向Ｙに沿ったパネル端部ＰＮＬＥに位置するパッドＰ１を図示し、パッドＰ１に接続される配線やパッドＰ１の周囲の配線等の図示を省略している。図示した例では、パッドＰ１は、八角形状に形成されている。また、パッドＰ１は、シールＳＥと重なり、例えば、図１２に示した信号線Ｓと同一材料によって形成されている。パッドＰ１には、パッドＰ１を貫通するスリットＳＴが形成されている。図示した例では、スリットＳＴは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。これにより、シールＳＥが感光性樹脂材料を用いて形成される場合に、感光性樹脂材料のうち、パッドＰ１と重なる領域はスリットＳＴを介して露光されるため、シールＳＥの未硬化を防ぐことができる。なお、パッドＰ１に形成されるスリットＳＴの個数や、スリットＳＴの形状については図示した例に限らない。
ここで、パッドＰ１と、第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、及び、第３孔ＶＣとの位置関係に着目する。平面視において、パッドＰ１を貫通する第２孔ＶＢは、第１孔ＶＡの第１部分ＶＡ１とほぼ同一の位置に形成され、且つ、第１部分ＶＡ１とほぼ同じ大きさに形成されている。第１部分ＶＡ１及び第２孔ＶＢは、パッドＰ１の第１方向Ｘ及び第２方向Ｙの幅よりも小さい円形状に形成され、パッドＰ１のほぼ中央に位置している。スリットＳＴは、第２孔ＶＢの周囲に位置している。第１孔ＶＡの第２部分ＶＡ２は、第１部分ＶＡ１よりも大きく、図示した例では、パッドＰ１よりも大きい。このように、第１孔ＶＡは、上記の通り順テーパー状に形成されるため、第１孔ＶＡのうちの少なくとも第１部分ＶＡ１あるいは第２孔ＶＢがパッドＰ１より小さく形成されていればよく、第２部分ＶＡ２はパッドＰ１より大きく形成されていてもよい。
シールＳＥは、図２６に示した有機絶縁層ＯＩに含まれる。図示した第３孔ＶＣは、シールＳＥを含む有機絶縁層ＯＩをパッドＰ１まで貫通している。図３０に右上がりの斜線で示すように、第２孔ＶＢと第３孔ＶＣとの間の領域ＢＣは、パッドＰ１（スリットＳＴを含む）のうち、有機絶縁層ＯＩと重なっていない領域に相当する。領域ＢＣは、環状に形成されている。図２６に示した接続材Ｃは、領域ＢＣに位置するパッドＰ１と接触する。
図示した例では、第１部分ＶＡ１及び第２孔ＶＢは、図３０に実線で示すように、隣り合う２つのスリットＳＴに跨って形成されている。なお、第１部分ＶＡ１及び第２孔ＶＢは、図３０に点線で示すように、２つのスリットＳＴの間に形成され、いずれのスリットＳＴとも重ならないように形成されていてもよい。
≪表示パネル：第１構成例≫
図３１は、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
図３１は、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの第１構成例を示す断面図である。ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。
第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０、第１導電層Ｌ１に相当するパッドＰ１、有機絶縁層ＯＩに相当する第２絶縁層１２などを備えている。第１基体１０とパッドＰ１との間、及び、第１基体１０と第２絶縁層１２との間には、図１２に示した第１絶縁層１１や、他の絶縁層や他の導電層が配置されていてもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、第２導電層Ｌ２に相当する検出電極Ｒｘ１、有機絶縁層ＯＩに相当する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。検出電極Ｒｘ１の少なくとも検出部ＲＳ及び端子部ＲＴ１の一部は、保護材ＰＦによって覆われている。保護材ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。
シールＳＥは、有機絶縁層ＯＩに相当し、第２絶縁層１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。なお、図示しないが、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間には、図１２に示した金属層Ｍ、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。また、オーバーコート層ＯＣとシールＳＥとの間には、図１２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、第２導電層Ｌ２に相当する検出電極Ｒｘ１、有機絶縁層ＯＩに相当する遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを備えている。検出電極Ｒｘ１の少なくとも検出部ＲＳ及び端子部ＲＴ１の一部は、保護材ＰＦによって覆われている。保護材ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂などの有機絶縁材料によって形成されている。
シールＳＥは、有機絶縁層ＯＩに相当し、第２絶縁層１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に位置している。なお、図示しないが、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間には、図１２に示した金属層Ｍ、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。また、オーバーコート層ＯＣとシールＳＥとの間には、図１２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。
接続用孔Ｖ１は、第２基体２０及び検出電極Ｒｘの端子部ＲＴを貫通する第１孔ＶＡ、パッドＰ１を貫通する第２孔ＶＢ、各種有機絶縁層ＯＩを貫通する第３孔ＶＣ、及び、第１基体１０に形成された凹部ＣＣを含んでいる。第３孔ＶＣは、第２絶縁層１２を貫通する第１部分ＶＣ１、シールＳＥを貫通する第２部分ＶＣ２、及び、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する第３部分ＶＣ３を有している。シールＳＥと第２絶縁層１２との間に第１配向膜ＡＬ１が介在している場合、第１部分ＶＣ１は、第１配向膜ＡＬ１も貫通している。シールＳＥとオーバーコート層ＯＣとの間に第２配向膜ＡＬ２が介在している場合、第３部分ＶＣ３は、第２配向膜ＡＬ２も貫通している（図１２参照）。第１部分ＶＣ１、第２部分ＶＣ２、及び、第３部分ＶＣ３は、この順に第３方向Ｚに並んでいる。第２部分ＶＣ２は、第１部分ＶＣ１及び第３部分ＶＣ３と繋がっている。
接続材Ｃは、接続用孔Ｖ１に設けられ、パッドＰ１と検出電極Ｒｘとを電気的に接続している。接続材Ｃの中空部分には、絶縁性の充填材ＦＩが充填されている。接続用孔Ｖ１において、接続材Ｃと接触する部材についてより具体的に説明する。すなわち、接続材Ｃは、第１孔ＶＡにおいて、端子部ＲＴ１及び第２基体２０にそれぞれ接触している。また、接続材Ｃは、第３部分ＶＣ３において、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣにそれぞれ接触し、第２部分ＶＣ２においてシールＳＥに接触し、さらに、第１部分ＶＣ１において第２絶縁層１２に接触している。また、接続材Ｃは、第２孔ＶＢにおいてパッドＰ１に接触し、凹部ＣＣにおいて第１基体１０に接触している。図示した例では、パッドＰ１にスリットＳＴが設けられているため、接続材Ｃは、スリットＳＴにおいてパッドＰ１の側面ＰＳにも接触している。このため、パッドＰ１にスリットＳＴが設けられていない場合と比較して、パッドＰ１と接続材Ｃとの接触面積を拡大することができる。
≪表示パネル：第２構成例≫
図３２は、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの第２構成例を示す断面図である。なお、ここでは、パッドＰ１のスリットの図示を省略している。
図３２に示した第２構成例は、図３１に示した第１構成例と比較して、第２絶縁層１２がパッドＰ１よりも表示領域ＤＡに近接した側に端部１２Ｅを有する点で相違している。つまり、第２絶縁層１２は、パッドＰ１とシールＳＥとの間には設けられていない。なお、パッドＰ１及び第２絶縁層１２と、シールＳＥとの間には、第１配向膜ＡＬ１が介在している場合があり得る。
このような第２構成例においても、第１構成例と同様の効果が得られる。
図３２は、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの第２構成例を示す断面図である。なお、ここでは、パッドＰ１のスリットの図示を省略している。
図３２に示した第２構成例は、図３１に示した第１構成例と比較して、第２絶縁層１２がパッドＰ１よりも表示領域ＤＡに近接した側に端部１２Ｅを有する点で相違している。つまり、第２絶縁層１２は、パッドＰ１とシールＳＥとの間には設けられていない。なお、パッドＰ１及び第２絶縁層１２と、シールＳＥとの間には、第１配向膜ＡＬ１が介在している場合があり得る。
このような第２構成例においても、第１構成例と同様の効果が得られる。
≪表示パネル：第３構成例≫
図３３は、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの第３構成例を示す断面図である。
図３３に示した第３構成例は、図３１に示した第１構成例と比較して、第３導電層に相当する上部パッドＭＰを備えた点で相違している。上部パッドＭＰは、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間に位置している。このような上部パッドＭＰは、図１２に示した金属層Ｍと同一材料によって形成されている。また、上部パッドＭＰは、金属層Ｍと同一層に形成されてもよい。上部パッドＭＰは、パッドＰ１の上方に位置している。第２絶縁層１２は、パッドＰ１と上部パッドＭＰとの間に位置している。また、第２絶縁層１２は、パッドＰ１まで貫通する貫通部ＶＰを有している。上部パッドＭＰは、貫通部ＶＰを通ってパッドＰ１と電気的に接続されている。上部パッドＭＰは、第３孔ＶＣに繋がった第４孔ＶＤを有している。図示した例では、第４孔ＶＤは、第３孔ＶＣの第１部分ＶＣ１及び第２部分ＶＣ２に繋がっている。接続材Ｃは、パッドＰ１に接触しているのに加えて、上部パッドＭＰにも接触している。
このような第３構成例によれば、第１構成例と同様の効果が得られる。さらに、第１構成例と比較して、接続材Ｃと接触する上部パッドＭＰの分だけ接触面積を拡大することができる。
図３３は、図１０に示した接続用孔Ｖ１を含むＡ−Ｂ線で切断した表示パネルＰＮＬの第３構成例を示す断面図である。
図３３に示した第３構成例は、図３１に示した第１構成例と比較して、第３導電層に相当する上部パッドＭＰを備えた点で相違している。上部パッドＭＰは、第２絶縁層１２とシールＳＥとの間に位置している。このような上部パッドＭＰは、図１２に示した金属層Ｍと同一材料によって形成されている。また、上部パッドＭＰは、金属層Ｍと同一層に形成されてもよい。上部パッドＭＰは、パッドＰ１の上方に位置している。第２絶縁層１２は、パッドＰ１と上部パッドＭＰとの間に位置している。また、第２絶縁層１２は、パッドＰ１まで貫通する貫通部ＶＰを有している。上部パッドＭＰは、貫通部ＶＰを通ってパッドＰ１と電気的に接続されている。上部パッドＭＰは、第３孔ＶＣに繋がった第４孔ＶＤを有している。図示した例では、第４孔ＶＤは、第３孔ＶＣの第１部分ＶＣ１及び第２部分ＶＣ２に繋がっている。接続材Ｃは、パッドＰ１に接触しているのに加えて、上部パッドＭＰにも接触している。
このような第３構成例によれば、第１構成例と同様の効果が得られる。さらに、第１構成例と比較して、接続材Ｃと接触する上部パッドＭＰの分だけ接触面積を拡大することができる。
以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化及び低コスト化が可能な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、
を備える、電子機器。
（２）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、（１）に記載の電子機器。
（３）
前記第１導電層は、第１上面と、前記第２孔に面する第１内面とを有し、
前記接続材は、前記第１上面及び前記第１内面に接触している、（２）に記載の電子機器。
（４）
前記第１基体は、前記第２孔と対向する凹部を有する、（２）に記載の電子機器。
（５）
前記接続材は、前記凹部に接触している、（４）に記載の電子機器。
（６）
前記第２導電層は、前記第２基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置する、（１）に記載の電子機器。
（７）
前記第１導電層と前記第２基体との間に位置する有機絶縁層を備え、前記有機絶縁層は、前記第１孔及び前記第２孔に繋がった第３孔を有する、（２）に記載の電子機器。
（８）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３部分とを有する、（７）に記載の電子機器。
（９）
前記第２導電層は、第２上面と、前記第１孔に面する第２内面とを有し、
前記接続材は、前記第２上面及び前記第２内面に接触している、（１）に記載の電子機器。
（１０）
前記第２導電層は、第１層と、前記第１層に重なり前記第１層より低い反射率を有する第２層と、前記第２層が除去され前記第１層を露出する開口部と、を有し、
前記接続材は、前記第２層と接触するとともに、前記開口部において前記第１層と接触している、（１）に記載の電子機器。
（１１）
前記第１導電層は、第１上面を有し、
前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し前記第１上面に接触する有機絶縁層を備え、
前記有機絶縁層は、前記第１孔に繋がった第３孔を有し、
前記接続材は、前記第３孔を通って前記第１上面に接触している、（１）に記載の電子機器。
（１２）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔と、前記第２孔に面する第１内面とを有し、
前記接続材は、前記第１内面に接触している、（１１）に記載の電子機器。
（１３）
平面視において、前記第３孔は前記第２孔より大きい、（１２）に記載の電子機器。
（１４）
前記第１上面のうち前記接続材と接触している部分は、環状に形成されている、（１１）に記載の電子機器。
（１５）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１上面に接触する第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、を有し、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１導電層に電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第１有機絶縁層及び前記シールで覆われていない環状の部分を有し、
前記接続材は、前記環状の部分に接触している、（１１）に記載の電子機器。
（１６）
前記第２基体は、前記第１導電層と対向する第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有し、
前記第１孔は、前記第１主面と前記第２主面とを貫通し、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、（１）に記載の電子機器。
（１７）
前記第１孔は、断面視で、前記第１主面から前記第２主面に向かうにしたがって、幅が増加する、（１６）に記載の電子機器。
（１８）
前記第１部分及び前記第２部分は円形状であり、前記第１孔は円錐台状に形成されている、（１６）に記載の電子機器。
（１９）
前記第１部分及び前記第２部分のそれぞれの中心は、前記第２基体の法線に平行な同一直線上に位置している、（１８）に記載の電子機器。
（２０）
前記第１孔は、前記第１部分と前記第２部分との間に、断面視で直線および曲線の少なくとも一方を含む、（１６）に記載の電子機器。
（２１）
前記第１導電層は、前記第２孔の周囲にスリットを有する、（２）に記載の電子機器。
（２２）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１導電層と電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第３孔に繋がった第４孔を有する、（８）に記載の電子機器。
（２３）
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第２導電層は、
第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、
前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、
を備え、
前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器。
（２４）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備える、（２３）に記載の電子機器。
（２５）
前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を備える、（２４）に記載の電子機器。
（２６）
第１基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２基体及び第２導電層を備え前記第２基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、
前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、
電子機器の製造方法。
（２７）
前記レーザー光を照射した際に、前記第１孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２孔を形成する、（２６）に記載の電子機器の製造方法。
（２８）
前記レーザー光を照射した際に、前記第２孔と対向する位置の前記第１基体に凹部を形成する、（２７）に記載の電子機器の製造方法。
（ａ１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２ガラス基体と、第２導電層と、を備え、前記第２ガラス基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、
を備える、電子機器。
（ａ２）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、（ａ１）に記載の電子機器。
（ａ３）
前記接続材は、前記第１導電層の上面及び前記第２孔における前記第１導電層の内面に接触している、（ａ２）に記載の電子機器。
（ａ４）
前記第１ガラス基体は、前記第２孔と対向する凹部を有する、（ａ２）または（ａ３）に記載の電子機器。
（ａ５）
前記接続材は、前記凹部に接触している、（ａ４）に記載の電子機器。
（ａ６）
前記第２導電層は、前記第２ガラス基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置する、（ａ１）乃至（ａ５）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ａ７）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２ガラス基体と、第２導電層と、を備え、前記第２ガラス基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第２導電層は、
第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、
前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、
を備え、
前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器。
（ａ８）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備える、（ａ７）に記載の電子機器。
（ａ９）
前記第１基板は、前記第２導電層と交差するセンサ駆動電極を備える、（ａ７）または（ａ８）に記載の電子機器。
（ａ１０）
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置する有機絶縁層を備え、前記有機絶縁層は、前記第１孔及び前記第２孔に繋がった第３孔を有する、（ａ２）に記載の電子機器。
（ａ１１）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は前記第１有機絶縁層を貫通する第１孔と、前記シールを貫通する第２孔と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３孔とを有する、（ａ１０）に記載の電子機器。
（ａ１２）
前記接続材は、前記第２導電層の上面及び内面に接触している、（ａ１）乃至（ａ１１）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ａ１３）
前記第２導電層は、第１層と、第１層より低い反射率を有する第２層との積層体を有し、
前記第２導電層と前記接続材とが接触する領域では、前記第２層が除去された開口部を有し、
前記接続材は、前記開口部で前記第１層と接触する、（ａ１）乃至（ａ１１）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ａ１４）
第１ガラス基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２ガラス基体及び第２導電層を備え前記第２ガラス基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、
前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２ガラス基体を貫通する第１孔を形成し、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、
電子機器の製造方法。
（ａ１５）
前記レーザー光を照射した際に、前記第１孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２孔を形成する、（ａ１４）に記載の電子機器の製造方法。
（ａ１６）
前記レーザー光を照射した際に、前記第２孔と対向する位置の前記第１ガラス基体に凹部を形成する、（ａ１５）に記載の電子機器の製造方法。
（ｂ１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１ガラス基体及び前記第１導電層と対向した第２ガラス基体と、第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置し前記第１導電層の上面に接した有機絶縁層と、
前記第２ガラス基体を貫通する第１孔と、前記第１導電層を貫通し前記第１孔と対向した第２孔と、前記有機絶縁層を貫通し前記第１孔と前記第２孔とに繋がった第３孔と、を有した接続用孔と、
前記接続用孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続した接続材と、を備え、
前記接続材は、前記第１導電層の前記上面と、前記第２孔における前記第１導電層の内面とに接触している、
電子機器。
（ｂ２）
平面視において、前記第３孔の大きさは前記第２孔の大きさより大きい、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ３）
前記第１導電層の前記上面のうち前記接続材と接触している領域は、前記有機絶縁層で覆われていない、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ４）
前記領域は、環状に形成されている、（ｂ３）に記載の電子機器。
（ｂ５）
前記第２導電層は、前記第２ガラス基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置している、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ６）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１導電層の前記上面に接した第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を含み、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３部分と、を有する、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ７）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１導電層の前記上面に接した第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を含み、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、を有し、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１有機絶縁層及び前記シールで覆われていない環状の部分を含み前記第１導電層に電気的に接続された第３導電層を有し、
前記接続用孔は、前記第３導電層を貫通し前記第１部分と前記第２部分とに繋がった第４孔を有し、
前記接続材は、前記環状の部分に接触している、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ８）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１ガラス基体及び前記第１導電層と対向した第２ガラス基体と、第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置し前記第１導電層の上面に接した有機絶縁層と、
前記第２ガラス基体を貫通する第１孔と、前記第１導電層を貫通し前記第１孔と対向した第２孔と、前記有機絶縁層を貫通し前記第１孔と前記第２孔とに繋がった第３孔と、を有した接続用孔と、
前記接続用孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続した接続材と、を備え、
前記接続材は、前記第１導電層の前記上面と、前記第２孔における前記第１導電層の内面とに接触し、
前記第２導電層は、第１領域に位置した検出部と、前記第１領域と隣り合う第２領域に位置し前記検出部につながった端子部と、を有し、
前記第１孔は、前記第２領域に設けられ、
前記接続材は、前記第２領域にて前記端子部に電気的に接続されている、
電子機器。
（ｂ９）
前記第１導電層と電気的に接続され前記第２導電層から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路を備える、（ｂ８）に記載の電子機器。
（ｂ１０）
前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を有する、（ｂ８）に記載の電子機器。
（ｃ１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基体と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、電子機器。
（ｃ２）
前記第１孔は、断面視で、前記第１主面から前記第２主面に向かうにしたがって、幅が増加する、（ｃ１）に記載の電子機器。
（ｃ３）
前記第１部分及び前記第２部分は円形状であり、前記第１孔は円錐台状に形成されている、（ｃ１）または（ｃ２）に記載の電子機器。
（ｃ４）
前記第１部分及び前記第２部分のそれぞれの中心は、前記第２ガラス基体の法線に平行な同一直線上に位置している、（ｃ３）に記載の電子機器。
（ｃ５）
前記第１孔の内面は、断面視で直線および曲線の少なくとも一方を含む、（ｃ１）または（ｃ２）に記載の電子機器。
（ｃ６）
前記接続材は、前記第２導電層の上面及び前記第１孔における前記第２導電層の内面に接触している、（ｃ１）乃至（ｃ５）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ７）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、（ｃ１）乃至（ｃ６）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ８）
前記接続材は、前記第１導電層の上面及び前記第２孔における前記第１導電層の内面に接触している、（ｃ７）に記載の電子機器。
（ｃ９）
前記第１ガラス基体は、前記第２孔と対向する凹部を有し、
前記接続材は、前記凹部に接触している、（ｃ７）または（ｃ８）に記載の電子機器。
（ｃ１０）
前記第１導電層は、前記第２孔の周囲にスリットを有する、（ｃ７）乃至（ｃ９）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ１１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基体と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さく、
前記第２導電層は、第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、を備え、前記第１孔は、前記端子部に形成される、電子機器。
（ｃ１２）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備えた、（ｃ１１）に記載の電子機器。
（ｃ１３）
前記第１基板は、前記第２導電層と交差するセンサ駆動電極を備えた、（ｃ１１）または（ｃ１２）に記載の電子機器。
（ｃ１４）
前記第１領域は複数の画素が配置された表示領域であり、前記第２領域は前記表示領域を囲む非表示領域である、（ｃ１１）乃至（ｃ１３）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ１５）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基体と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置し、前記第１孔に繋がった第３孔を有する有機絶縁層と、
前記第１孔及び前記第３孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、電子機器。
（ｃ１６）
前記有機絶縁層は、
前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１孔と、前記シールを貫通する第２孔と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３孔と、を有する、（ｃ１５）に記載の電子機器。
（ｃ１７）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し、前記第１導電層と電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第３孔に繋がった第４孔を有する、（ｃ１６）に記載の電子機器。
（１）
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、
を備える、電子機器。
（２）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、（１）に記載の電子機器。
（３）
前記第１導電層は、第１上面と、前記第２孔に面する第１内面とを有し、
前記接続材は、前記第１上面及び前記第１内面に接触している、（２）に記載の電子機器。
（４）
前記第１基体は、前記第２孔と対向する凹部を有する、（２）に記載の電子機器。
（５）
前記接続材は、前記凹部に接触している、（４）に記載の電子機器。
（６）
前記第２導電層は、前記第２基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置する、（１）に記載の電子機器。
（７）
前記第１導電層と前記第２基体との間に位置する有機絶縁層を備え、前記有機絶縁層は、前記第１孔及び前記第２孔に繋がった第３孔を有する、（２）に記載の電子機器。
（８）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３部分とを有する、（７）に記載の電子機器。
（９）
前記第２導電層は、第２上面と、前記第１孔に面する第２内面とを有し、
前記接続材は、前記第２上面及び前記第２内面に接触している、（１）に記載の電子機器。
（１０）
前記第２導電層は、第１層と、前記第１層に重なり前記第１層より低い反射率を有する第２層と、前記第２層が除去され前記第１層を露出する開口部と、を有し、
前記接続材は、前記第２層と接触するとともに、前記開口部において前記第１層と接触している、（１）に記載の電子機器。
（１１）
前記第１導電層は、第１上面を有し、
前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し前記第１上面に接触する有機絶縁層を備え、
前記有機絶縁層は、前記第１孔に繋がった第３孔を有し、
前記接続材は、前記第３孔を通って前記第１上面に接触している、（１）に記載の電子機器。
（１２）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔と、前記第２孔に面する第１内面とを有し、
前記接続材は、前記第１内面に接触している、（１１）に記載の電子機器。
（１３）
平面視において、前記第３孔は前記第２孔より大きい、（１２）に記載の電子機器。
（１４）
前記第１上面のうち前記接続材と接触している部分は、環状に形成されている、（１１）に記載の電子機器。
（１５）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１上面に接触する第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、を有し、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１導電層に電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第１有機絶縁層及び前記シールで覆われていない環状の部分を有し、
前記接続材は、前記環状の部分に接触している、（１１）に記載の電子機器。
（１６）
前記第２基体は、前記第１導電層と対向する第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有し、
前記第１孔は、前記第１主面と前記第２主面とを貫通し、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、（１）に記載の電子機器。
（１７）
前記第１孔は、断面視で、前記第１主面から前記第２主面に向かうにしたがって、幅が増加する、（１６）に記載の電子機器。
（１８）
前記第１部分及び前記第２部分は円形状であり、前記第１孔は円錐台状に形成されている、（１６）に記載の電子機器。
（１９）
前記第１部分及び前記第２部分のそれぞれの中心は、前記第２基体の法線に平行な同一直線上に位置している、（１８）に記載の電子機器。
（２０）
前記第１孔は、前記第１部分と前記第２部分との間に、断面視で直線および曲線の少なくとも一方を含む、（１６）に記載の電子機器。
（２１）
前記第１導電層は、前記第２孔の周囲にスリットを有する、（２）に記載の電子機器。
（２２）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１導電層と電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第３孔に繋がった第４孔を有する、（８）に記載の電子機器。
（２３）
第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第２導電層は、
第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、
前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、
を備え、
前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器。
（２４）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備える、（２３）に記載の電子機器。
（２５）
前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を備える、（２４）に記載の電子機器。
（２６）
第１基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２基体及び第２導電層を備え前記第２基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、
前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、
電子機器の製造方法。
（２７）
前記レーザー光を照射した際に、前記第１孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２孔を形成する、（２６）に記載の電子機器の製造方法。
（２８）
前記レーザー光を照射した際に、前記第２孔と対向する位置の前記第１基体に凹部を形成する、（２７）に記載の電子機器の製造方法。
（ａ１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２ガラス基体と、第２導電層と、を備え、前記第２ガラス基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、
を備える、電子機器。
（ａ２）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、（ａ１）に記載の電子機器。
（ａ３）
前記接続材は、前記第１導電層の上面及び前記第２孔における前記第１導電層の内面に接触している、（ａ２）に記載の電子機器。
（ａ４）
前記第１ガラス基体は、前記第２孔と対向する凹部を有する、（ａ２）または（ａ３）に記載の電子機器。
（ａ５）
前記接続材は、前記凹部に接触している、（ａ４）に記載の電子機器。
（ａ６）
前記第２導電層は、前記第２ガラス基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置する、（ａ１）乃至（ａ５）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ａ７）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２ガラス基体と、第２導電層と、を備え、前記第２ガラス基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第２導電層は、
第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、
前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、
を備え、
前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器。
（ａ８）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備える、（ａ７）に記載の電子機器。
（ａ９）
前記第１基板は、前記第２導電層と交差するセンサ駆動電極を備える、（ａ７）または（ａ８）に記載の電子機器。
（ａ１０）
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置する有機絶縁層を備え、前記有機絶縁層は、前記第１孔及び前記第２孔に繋がった第３孔を有する、（ａ２）に記載の電子機器。
（ａ１１）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は前記第１有機絶縁層を貫通する第１孔と、前記シールを貫通する第２孔と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３孔とを有する、（ａ１０）に記載の電子機器。
（ａ１２）
前記接続材は、前記第２導電層の上面及び内面に接触している、（ａ１）乃至（ａ１１）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ａ１３）
前記第２導電層は、第１層と、第１層より低い反射率を有する第２層との積層体を有し、
前記第２導電層と前記接続材とが接触する領域では、前記第２層が除去された開口部を有し、
前記接続材は、前記開口部で前記第１層と接触する、（ａ１）乃至（ａ１１）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ａ１４）
第１ガラス基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２ガラス基体及び第２導電層を備え前記第２ガラス基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、
前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２ガラス基体を貫通する第１孔を形成し、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、
電子機器の製造方法。
（ａ１５）
前記レーザー光を照射した際に、前記第１孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２孔を形成する、（ａ１４）に記載の電子機器の製造方法。
（ａ１６）
前記レーザー光を照射した際に、前記第２孔と対向する位置の前記第１ガラス基体に凹部を形成する、（ａ１５）に記載の電子機器の製造方法。
（ｂ１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１ガラス基体及び前記第１導電層と対向した第２ガラス基体と、第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置し前記第１導電層の上面に接した有機絶縁層と、
前記第２ガラス基体を貫通する第１孔と、前記第１導電層を貫通し前記第１孔と対向した第２孔と、前記有機絶縁層を貫通し前記第１孔と前記第２孔とに繋がった第３孔と、を有した接続用孔と、
前記接続用孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続した接続材と、を備え、
前記接続材は、前記第１導電層の前記上面と、前記第２孔における前記第１導電層の内面とに接触している、
電子機器。
（ｂ２）
平面視において、前記第３孔の大きさは前記第２孔の大きさより大きい、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ３）
前記第１導電層の前記上面のうち前記接続材と接触している領域は、前記有機絶縁層で覆われていない、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ４）
前記領域は、環状に形成されている、（ｂ３）に記載の電子機器。
（ｂ５）
前記第２導電層は、前記第２ガラス基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置している、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ６）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１導電層の前記上面に接した第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を含み、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３部分と、を有する、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ７）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１導電層の前記上面に接した第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を含み、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、を有し、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１有機絶縁層及び前記シールで覆われていない環状の部分を含み前記第１導電層に電気的に接続された第３導電層を有し、
前記接続用孔は、前記第３導電層を貫通し前記第１部分と前記第２部分とに繋がった第４孔を有し、
前記接続材は、前記環状の部分に接触している、（ｂ１）に記載の電子機器。
（ｂ８）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１ガラス基体及び前記第１導電層と対向した第２ガラス基体と、第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置し前記第１導電層の上面に接した有機絶縁層と、
前記第２ガラス基体を貫通する第１孔と、前記第１導電層を貫通し前記第１孔と対向した第２孔と、前記有機絶縁層を貫通し前記第１孔と前記第２孔とに繋がった第３孔と、を有した接続用孔と、
前記接続用孔を通って前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続した接続材と、を備え、
前記接続材は、前記第１導電層の前記上面と、前記第２孔における前記第１導電層の内面とに接触し、
前記第２導電層は、第１領域に位置した検出部と、前記第１領域と隣り合う第２領域に位置し前記検出部につながった端子部と、を有し、
前記第１孔は、前記第２領域に設けられ、
前記接続材は、前記第２領域にて前記端子部に電気的に接続されている、
電子機器。
（ｂ９）
前記第１導電層と電気的に接続され前記第２導電層から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路を備える、（ｂ８）に記載の電子機器。
（ｂ１０）
前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を有する、（ｂ８）に記載の電子機器。
（ｃ１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基体と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、電子機器。
（ｃ２）
前記第１孔は、断面視で、前記第１主面から前記第２主面に向かうにしたがって、幅が増加する、（ｃ１）に記載の電子機器。
（ｃ３）
前記第１部分及び前記第２部分は円形状であり、前記第１孔は円錐台状に形成されている、（ｃ１）または（ｃ２）に記載の電子機器。
（ｃ４）
前記第１部分及び前記第２部分のそれぞれの中心は、前記第２ガラス基体の法線に平行な同一直線上に位置している、（ｃ３）に記載の電子機器。
（ｃ５）
前記第１孔の内面は、断面視で直線および曲線の少なくとも一方を含む、（ｃ１）または（ｃ２）に記載の電子機器。
（ｃ６）
前記接続材は、前記第２導電層の上面及び前記第１孔における前記第２導電層の内面に接触している、（ｃ１）乃至（ｃ５）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ７）
前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、（ｃ１）乃至（ｃ６）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ８）
前記接続材は、前記第１導電層の上面及び前記第２孔における前記第１導電層の内面に接触している、（ｃ７）に記載の電子機器。
（ｃ９）
前記第１ガラス基体は、前記第２孔と対向する凹部を有し、
前記接続材は、前記凹部に接触している、（ｃ７）または（ｃ８）に記載の電子機器。
（ｃ１０）
前記第１導電層は、前記第２孔の周囲にスリットを有する、（ｃ７）乃至（ｃ９）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ１１）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基体と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さく、
前記第２導電層は、第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、を備え、前記第１孔は、前記端子部に形成される、電子機器。
（ｃ１２）
前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備えた、（ｃ１１）に記載の電子機器。
（ｃ１３）
前記第１基板は、前記第２導電層と交差するセンサ駆動電極を備えた、（ｃ１１）または（ｃ１２）に記載の電子機器。
（ｃ１４）
前記第１領域は複数の画素が配置された表示領域であり、前記第２領域は前記表示領域を囲む非表示領域である、（ｃ１１）乃至（ｃ１３）のいずれか１項に記載の電子機器。
（ｃ１５）
第１ガラス基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有する第２ガラス基体と、前記第２主面に位置する第２導電層と、を備え、前記第１主面と前記第２主面とを貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１導電層と前記第２ガラス基体との間に位置し、前記第１孔に繋がった第３孔を有する有機絶縁層と、
前記第１孔及び前記第３孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、電子機器。
（ｃ１６）
前記有機絶縁層は、
前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１孔と、前記シールを貫通する第２孔と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３孔と、を有する、（ｃ１５）に記載の電子機器。
（ｃ１７）
前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し、前記第１導電層と電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第３孔に繋がった第４孔を有する、（ｃ１６）に記載の電子機器。
ＤＳＰ…表示装置 ＰＮＬ…表示パネル ＳＳ…センサ
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 ＳＵＢ３…配線基板
１０…第１基体 ２０…第２基体
Ｌ１…導電層 Ｌ２…導電層 Ｃ…接続材
ＶＡ…第１孔 ＶＢ…第２孔 ＶＣ…第３孔 ＣＣ…凹部
Ｖ…接続用孔
Ｒｘ…検出電極 ＲＳ…検出部 ＲＴ…端子部
Ｐ…パッド Ｗ…配線
ＯＩ…有機絶縁層 ＳＥ…シール
ＤＡ…表示領域（第１領域） ＮＤＡ…非表示領域（第２領域）
ＲＣ…検出回路
ＳＵＢ１…第１基板 ＳＵＢ２…第２基板 ＳＵＢ３…配線基板
１０…第１基体 ２０…第２基体
Ｌ１…導電層 Ｌ２…導電層 Ｃ…接続材
ＶＡ…第１孔 ＶＢ…第２孔 ＶＣ…第３孔 ＣＣ…凹部
Ｖ…接続用孔
Ｒｘ…検出電極 ＲＳ…検出部 ＲＴ…端子部
Ｐ…パッド Ｗ…配線
ＯＩ…有機絶縁層 ＳＥ…シール
ＤＡ…表示領域（第１領域） ＮＤＡ…非表示領域（第２領域）
ＲＣ…検出回路
Claims (28)
- 第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、
を備える、電子機器。 - 前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔を有する、請求項１に記載の電子機器。
- 前記第１導電層は、第１上面と、前記第２孔に面する第１内面とを有し、
前記接続材は、前記第１上面及び前記第１内面に接触している、請求項２に記載の電子機器。 - 前記第１基体は、前記第２孔と対向する凹部を有する、請求項２に記載の電子機器。
- 前記接続材は、前記凹部に接触している、請求項４に記載の電子機器。
- 前記第２導電層は、前記第２基体の前記第１導電層と対向する側とは反対側に位置する、請求項１に記載の電子機器。
- 前記第１導電層と前記第２基体との間に位置する有機絶縁層を備え、前記有機絶縁層は、前記第１孔及び前記第２孔に繋がった第３孔を有する、請求項２に記載の電子機器。
- 前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、前記第２有機絶縁層を貫通する第３部分とを有する、請求項７に記載の電子機器。 - 前記第２導電層は、第２上面と、前記第１孔に面する第２内面とを有し、
前記接続材は、前記第２上面及び前記第２内面に接触している、請求項１に記載の電子機器。 - 前記第２導電層は、第１層と、前記第１層に重なり前記第１層より低い反射率を有する第２層と、前記第２層が除去され前記第１層を露出する開口部と、を有し、
前記接続材は、前記第２層と接触するとともに、前記開口部において前記第１層と接触している、項求項１に記載の電子機器。 - 前記第１導電層は、第１上面を有し、
前記第１導電層と前記第２基体との間に位置し前記第１上面に接触する有機絶縁層を備え、
前記有機絶縁層は、前記第１孔に繋がった第３孔を有し、
前記接続材は、前記第３孔を通って前記第１上面に接触している、請求項１に記載の電子機器。 - 前記第１導電層は、前記第１孔と対向する第２孔と、前記第２孔に面する第１内面とを有し、
前記接続材は、前記第１内面に接触している、請求項１１に記載の電子機器。 - 平面視において、前記第３孔は前記第２孔より大きい、請求項１２に記載の電子機器。
- 前記第１上面のうち前記接続材と接触している部分は、環状に形成されている、請求項１１に記載の電子機器。
- 前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられ前記第１上面に接触する第１有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第３孔は、前記第１有機絶縁層を貫通する第１部分と、前記シールを貫通する第２部分と、を有し、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１導電層に電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第１有機絶縁層及び前記シールで覆われていない環状の部分を有し、
前記接続材は、前記環状の部分に接触している、請求項１１に記載の電子機器。 - 前記第２基体は、前記第１導電層と対向する第１主面及び前記第１主面とは反対側の第２主面を有し、
前記第１孔は、前記第１主面と前記第２主面とを貫通し、
前記第１孔は、前記第１主面内に設けられた第１部分と、前記第２主面内に設けられた第２部分とを備え、前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい、請求項１に記載の電子機器。 - 前記第１孔は、断面視で、前記第１主面から前記第２主面に向かうにしたがって、幅が増加する、請求項１６に記載の電子機器。
- 前記第１部分及び前記第２部分は円形状であり、前記第１孔は円錐台状に形成されている、請求項１６に記載の電子機器。
- 前記第１部分及び前記第２部分のそれぞれの中心は、前記第２基体の法線に平行な同一直線上に位置している、請求項１８に記載の電子機器。
- 前記第１孔は、前記第１部分と前記第２部分との間に、断面視で直線および曲線の少なくとも一方を含む、請求項１６に記載の電子機器。
- 前記第１導電層は、前記第２孔の周囲にスリットを有する、請求項２に記載の電子機器。
- 前記有機絶縁層は、前記第１基板に設けられた第１有機絶縁層と、前記第２基板に設けられた第２有機絶縁層と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシールと、を備え、
前記第１基板は、前記第１有機絶縁層と前記シールとの間に位置し前記第１導電層と電気的に接続された第３導電層を備え、
前記第３導電層は、前記第３孔に繋がった第４孔を有する、請求項８に記載の電子機器。 - 第１基体と、第１導電層と、を備えた第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基体と、第２導電層と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材と、を備え、
前記第２導電層は、
第１領域において、被検出物の接触あるいは接近を検出する検出部と、
前記第１領域と隣り合う第２領域において、前記検出部に繋がった端子部と、
を備え、
前記第１孔は前記端子部に形成される、電子機器。 - 前記第１導電層と電気的に接続され、前記第２導電層から出力されたセンサ信号を読み取る検出回路を備える、請求項２３に記載の電子機器。
- 前記第１基板は、前記検出部と交差するセンサ駆動電極を備える、請求項２４に記載の電子機器。
- 第１基体及び第１導電層を備えた第１基板と、第２基体及び第２導電層を備え前記第２基体が前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離間した第２基板と、を用意し、
前記第２基板にレーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、
前記第１孔を通って前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続材を形成する、
電子機器の製造方法。 - 前記レーザー光を照射した際に、前記第１孔と対向する位置の前記第１導電層を貫通する第２孔を形成する、請求項２６に記載の電子機器の製造方法。
- 前記レーザー光を照射した際に、前記第２孔と対向する位置の前記第１基体に凹部を形成する、請求項２７に記載の電子機器の製造方法。
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