JP2021056251A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。【解決手段】 表示装置は、第１基板と、第２基板と、接続材Ｃと、を備える。第２基板は、第１孔ＶＡを含んだ第２基体２０と、第１導電部Ｅ１と第２導電部Ｅ２とを含んだ第２導電層Ｌ２と、を有する。平面視において、第２導電部Ｅ２は第１孔ＶＡの第２主面２０Ｂ側の開口ＶＡ端に隙間Ｇを空けて位置し、第１導電部Ｅ１は隙間Ｇに属し接続材Ｃに接する第１部分Ｅ１ａを少なくとも含んでいる。接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触抵抗は、接続材Ｃと第２導電部Ｅ２との接触抵抗より低い。【選択図】図５

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。

特開２００２−４０４６５号公報

本実施形態は、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置を提供する。

一実施形態に係る表示装置は、
第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１孔と、を含んだ第２基体と、第１導電部と前記第１導電部に電気的に接続された第２導電部とを含み前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、前記第１孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、平面視において、前記第２導電部は前記第１孔の前記第２主面側の開口端に隙間を空けて位置し、前記第１導電部は前記隙間に属し前記接続材に接する第１部分を少なくとも含み、前記接続材と前記第１導電部との接触抵抗は、前記接続材と前記第２導電部との接触抵抗より低い。

図１は、第１の実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示パネルの表示領域を示す断面図である。 図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置の断面図である。 図４は、図３に示した第２基体、第２導電層、及び保護層を示す平面図である。 図５は、図４の線Ｖ−Ｖに沿った上記表示パネルを示す断面図である。 図６は、上記表示パネルの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１孔が形成された第２基体の一部と第２導電層とを示す断面図である。 図７は、比較例の表示パネルの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１孔が形成された第２基体の一部と第２導電層とを示す断面図である。 図８は、上記第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルにレーザ光を照射している状態を示す図である。 図９は、第２の実施形態の表示装置の表示パネルの第２基体、第２導電層、及び保護層を示す平面図である。 図１０は、図９の線Ｘ−Ｘに沿った上記表示パネルを示す断面図である。 図１１は、上記第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルの第２基体の第２主面に、第２導電部及び保護層が形成された状態を示す断面図である。 図１２は、図１１に続く、上記第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルにレーザ光を照射している状態を示す図である。 図１３は、図１２に続く、上記第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図であり、製造途中の表示パネルに接続用孔を形成した状態を示す図である。 図１４は、上記実施形態の変形例の表示装置の構成例を示す平面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

ここで開示する実施形態において、表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。実施形態で開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置等に適用可能である。

以下に示す各実施形態は、第１基体と第２基体とが間隔を空けて配置され、第２基体が孔を有し、第１基体に位置する第１導電層と第２基体に位置する第２導電層とが上記孔を通じて電気的に接続されている基板間導通構造を備えた種々の表示装置に適用できる。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態の表示装置ＤＳＰの一例を示す平面図である。第１方向Ｘ、第２方向Ｙ及び第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。

図１に示すように、表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップ１、配線基板３、後述するバックライトユニットＢＬなどを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シール材ＳＥと、表示機能層としての液晶層ＬＣと、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚにおいて第１基板ＳＵＢ１に対向している。シール材ＳＥは、図１において右上がりの斜線で示す部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接合している。液晶層ＬＣは、シール材ＳＥの内側において第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間の空間に位置している。
以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視と称する。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの外側の非表示領域ＮＤＡと、を備えている。表示領域ＤＡは、シール材ＳＥに囲まれた内側に位置している。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む額縁状の領域であり、表示領域ＤＡの外縁に沿って設けられ、表示領域ＤＡと隣接している。シール材ＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。
非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの左側に位置し第２方向Ｙに延在する帯状の第１接続領域Ａａと、表示領域ＤＡの右側に位置し第２方向Ｙに延在する帯状の第２接続領域Ａｂと、を含んでいる。

ＩＣチップ１は、表示パネルＰＮＬ、センサＳＳなどの制御部として機能している。ＩＣチップ１は、配線基板３に実装されている。なお、図１に示す例に限らず、ＩＣチップ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていてもよいし、配線基板３に接続される外部回路基板に実装されていてもよい。ＩＣチップ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線を駆動する信号線駆動回路ＳＤ、走査線を駆動する走査線駆動回路、及び後述する共通電極を駆動する共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含んでいる。例えば、ディスプレイドライバＤＤは、信号線駆動回路ＳＤ、及び共通電極駆動回路ＣＤを含んでいる。また、図１に示す例では、ＩＣチップ１は、タッチパネルコントローラ等として機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていてもよい。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型の表示パネルであってもよいし、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型の表示パネルであってもよい。或いは、表示パネルＰＮＬは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型の表示パネルであってもよい。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触或いは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、相互容量方式の静電容量型であり、誘電体を介して対向する一対の電極間の静電容量の変化に基づいて、被検出物の接触或いは接近を検出できる。センサＳＳは、複数のセンサ駆動電極Ｔｘと複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３，Ｒｘ４…）を備えている。

検出電極Ｒｘは、表示領域を横切る本体部ＲＳと、複数の本体部を接続する接続部ＣＮと、を備えている。また、各検出電極Ｒｘは、接続部ＣＮに連結される端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）を備えている。
本体部ＲＳは、メッシュ状に形成された微細な金属細線の集合体によって帯状を呈している。また、隣り合う本体部ＲＳの間には、本体部ＲＳとほぼ同じ並びで金属細線を並べたダミー領域が存在する。上記ダミー領域の金属細線は、いずれの配線にも接続されず、電気的にフローティング状態となる。
また、端子部ＲＴの少なくとも一部は、平面視でシール材ＳＥに重なって位置している。各々の端子部ＲＴは、非表示領域ＮＤＡの上記第１接続領域Ａａ又は第２接続領域Ａｂに位置している。

第１基板ＳＵＢ１は、パッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）及び配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を備えている。パッドＰ及び配線Ｗは、非表示領域ＮＤＡの第１接続領域Ａａや第２接続領域Ａｂに位置し、平面視でシール材ＳＥと重なっている。パッドＰは、平面視で端子部ＲＴに重なって位置している。配線Ｗは、パッドＰに接続され、第２方向Ｙ及び第１方向Ｘに延出し、配線基板３を介してＩＣチップ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。
接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）は、端子部ＲＴとパッドＰとが対向する位置に形成されている。接続用孔については後述する。

センサ駆動電極Ｔｘは、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられ、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに位置している。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡにおいて、互いに交差している。例えば、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。

センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。本実施形態において、複数のセンサ駆動電極Ｔｘは、後述する共通電極ＣＥによって形成される。センサ駆動電極Ｔｘは、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能と、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能と、を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示期間に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン信号を供給する。なお、表示期間に、信号線駆動回路ＳＤは、後述する画素電極ＰＥに画像信号を与える。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング期間（タッチ期間）に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給にともなって、センシングに必要なセンサ信号、つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の容量の変化に基づいた信号を出力する。図１に示す検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取る。

なお、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式のセンサに限らず、検出電極Ｒｘ自体の容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式のセンサであってもよい。

図２は、表示領域ＤＡにおいて表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに切断した断面図である。図２に示す例では、表示パネルＰＮＬは、主としてＸ−Ｙ平面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、Ｘ−Ｙ平面に対して垂直な縦電界や、Ｘ−Ｙ平面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していてもよい。

図２に示すように、第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０を備え、その上面（第３主面）に、第１絶縁層１１、信号線Ｓ、第２絶縁層１２、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、第３絶縁層１３、画素電極ＰＥ、第１配向膜ＡＬ１等がこの順に積層形成されている。金属層Ｍは、一例では、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンの順に積層して形成されている。なお、図２において、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁層等を省略して図示している。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２等を備えている。遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、及び第２配向膜ＡＬ２は、第２基体２０の下面（第１主面）に、この順で積層形成されている。
第１偏光板ＰＬ１は、第１基体１０とバックライトユニットＢＬとの間に位置している。第２偏光板ＰＬ２は、第２基体２０に設けられた検出電極Ｒｘの上方に位置している。

次に、前述の接続用孔Ｖ（Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４…）について説明する。図３は、図１中の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って示す表示装置ＤＳＰの断面図である。ここでは、第１接続領域Ａａ及び第２接続領域Ａｂを代表して第１接続領域Ａａの構成について説明する。

図３に示すように、表示装置ＤＳＰは、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、有機絶縁層ＯＩと、保護層ＰＦと、接続材Ｃと、充填材ＦＩと、第１偏光板ＰＬ１と、第２偏光板ＰＬ２と、カバー材ＣＧと、を備えている。第１偏光板ＰＬ１は、接着層ＡＤ１によって第１基板ＳＵＢ１に貼着されている。第２偏光板ＰＬ２は、接着層ＡＤ２によって第２基板ＳＵＢ２に貼着されている。

第１基板ＳＵＢ１は、前述の第１基体１０と、第１導電層Ｌ１と、を備えている。第１基体１０は、第２基板ＳＵＢ２に対向する第３主面１０Ａと、第３主面１０Ａとは反対側の第４主面１０Ｂと、を含んでいる。第１導電層Ｌ１は、前述のパッドＰ（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…）や配線Ｗ（Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４…）を含み、第１基体１０の第３主面１０Ａ側に位置している。第１基体１０とパッドＰとの間や、第１基体１０と第２絶縁層１２との間には、図２に示す第１絶縁層１１や、他の絶縁層や他の導電層が配置されていてもよい。

第２基板ＳＵＢ２は、前述の第２基体２０と、第２導電層Ｌ２と、を備えている。第２基体２０は、第１導電層Ｌ１と対向し且つ第１導電層Ｌ１から第３方向Ｚに離れて位置した第１主面２０Ａと、第１主面２０Ａとは反対側の第２主面２０Ｂと、を含んでいる。第２導電層Ｌ２は、前述の検出電極Ｒｘすなわち端子部ＲＴ（ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３，ＲＴ４…）、接続部ＣＮ、及び本体部ＲＳを含んでいる。第２導電層Ｌ２は、第２主面２０Ｂ側に位置している。

保護層ＰＦは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡに位置している。保護層ＰＦは、第２導電層Ｌ２のうち、少なくとも表示領域ＤＡに属する部分を覆っている。換言すると、第１基体１０、第１導電層Ｌ１、第２基体２０、第２導電層Ｌ２及び保護層ＰＦは、この順に第３方向Ｚに並んでいる。

第１導電層Ｌ１と第２基体２０との間には、有機絶縁層ＯＩが位置している。有機絶縁層ＯＩに替えて、無機絶縁層や他の導電層が位置していてもよいし、空気層が位置していてもよい。なお、第２基体２０と第２導電層Ｌ２との間や、第２導電層Ｌ２の上に各種絶縁層や各種導電層が配置されてもよい。

例えば、有機絶縁層ＯＩは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２を貼り合わせるシール材ＳＥ、第１基板ＳＵＢ１の第２絶縁層１２、第２基板ＳＵＢ２の遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣなどを含む。シール材ＳＥは、第２絶縁層１２とオーバーコート層ＯＣとの間に位置している。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との隙間に設けられ、シール材ＳＥで囲まれている。

なお、第２絶縁層１２とシール材ＳＥとの間には、図２に示した金属層Ｍ、第３絶縁層１３、第１配向膜ＡＬ１が介在していてもよい。オーバーコート層ＯＣとシール材ＳＥとの間には、図２に示した第２配向膜ＡＬ２が介在していてもよい。

第１及び第２基体１０，２０は、ガラス、樹脂などの絶縁材料によって形成されている。保護層ＰＦは、例えば、アクリル系樹脂等の有機絶縁材料によって形成されている。第１及び第２導電層Ｌ１，Ｌ２は、例えば、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウム、銀、銅、クロムなどの金属材料や、これらの金属材料を含む合金や、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等のインジウムを含む透明な導電材料等を有する。

第１導電層Ｌ１は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。本実施形態において、第１導電層Ｌ１は、チタン、アルミニウム、及びチタンの順に積層して形成されている。第２導電層Ｌ２は、多層構造である。第２導電層Ｌ２の構造の詳細については後述する。

第２基板ＳＵＢ２には、第１孔ＶＡが形成されている。第１孔ＶＡは、非表示領域ＮＤＡに位置し、第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとの間を貫通している。第１孔ＶＡは、第２主面２０Ｂに開口ＶＡｏを有している。第２導電層Ｌ２は、開口ＶＡｏの周りに位置し、第１孔ＶＡと重なる位置には存在していない。

保護層ＰＦに第４孔ＶＤが形成されている。第４孔ＶＤは、第１孔ＶＡと第３方向Ｚに対向している。第４孔ＶＤは、第１孔ＶＡより拡張して形成されている。保護層ＰＦは、第４孔ＶＤにおける内面ＳＡを有している。内面ＳＡは、開口ＶＡｏの端に隙間を空けて位置している。

表示装置ＤＳＰは、第１孔ＶＡ及び第４孔ＶＤに加え、各有機絶縁層ＯＩを貫通する第２孔ＶＢ、第１導電層Ｌ１を貫通する第３孔ＶＣ、及び第１基体１０に形成された凹部ＣＣを有している。第１孔ＶＡ、第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、第４孔ＶＤ、及び凹部ＣＣは、互いに連通しており、前述の接続用孔Ｖを構成する。

第２孔ＶＢは、第２絶縁層１２を貫通する孔、シール材ＳＥを貫通する孔、遮光層ＢＭ及びオーバーコート層ＯＣを貫通する孔などを含んでいる。第１導電層Ｌ１は、第２孔ＶＢにおいて有機絶縁層ＯＩで覆われていない上面ＬＴ１と、第３孔ＶＣにおける内面ＬＳ１と、を有している。第２孔ＶＢ、第３孔ＶＣ、及び凹部ＣＣは、第１孔ＶＡの直下に位置している。このような接続用孔Ｖは、第２基板ＳＵＢ２の上方からのレーザ光の照射により、形成することができる。

接続用孔Ｖには、接続材Ｃが配置されている。接続材Ｃと、接続用孔Ｖが形成された各層、すなわち第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２及び有機絶縁層ＯＩとは、本実施形態に係る基板間導通構造を構成する。接続材Ｃは、例えば銀などの金属材料を含み、金属材料の粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの微粒子を溶剤に混ぜ込んだものを含むものであることが望ましい。

接続材Ｃは、接続用孔Ｖを通じて異なる基板にそれぞれ設けられた第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２とを電気的に接続している。接続材Ｃは、非表示領域ＮＤＡにおいて、接続用孔Ｖの内部及び外部に位置している。接続材Ｃは、内面ＳＡに接している。接続材Ｃは、第１孔ＶＡにおける第２基体２０の内面２０Ｉ、第２孔ＶＢにおける有機絶縁層ＯＩの内面、上面ＬＴ１、内面ＬＳ１などを覆っている。また、接続材Ｃは、第２主面２０Ｂの上方に位置している。
図３に示す例では、接続材Ｃと第１導電層Ｌ１との関係に注目すると、接続材Ｃは、パッドＰの上面ＬＴ１及び内面ＬＳ１に接触している。接続材Ｃと第２導電層Ｌ２との関係に注目すると、接続材Ｃは、端子部ＲＴのうち保護層ＰＦで覆われていない部分に接触している。

図３に示す例では、接続材Ｃは、内面２０Ｉ、第２孔ＶＢの内面、及び内面ＬＳ１にそれぞれ接触しているが、それらの中心付近には接続材Ｃが充填されていない。より具体的には、接続材は、これらの内面を皮膜状に覆っているのみで、層厚は薄い。
接続用孔Ｖの中空部分を埋めるべく、接続用孔Ｖは充填材ＦＩで満たされている。充填材ＦＩは、例えば保護層ＰＦと同様の材料によって形成されている。なお、接続材Ｃは、接続用孔Ｖを埋め尽くしていてもよい。

接続材Ｃは、第１導電層Ｌ１と第２導電層Ｌ２との間において途切れることなく連続的に形成されている。これにより、第２導電層Ｌ２は、接続材Ｃ及び第１導電層Ｌ１を介して前述の配線基板３と電気的に接続される。そのため、第２導電層Ｌ２に対して信号を書き込んだり、第２導電層Ｌ２から出力される信号を読み取ったりする制御回路は、配線基板３を介して第２導電層Ｌ２と接続可能になる。したがって、第２導電層Ｌ２と制御回路とを接続するために、第２基板ＳＵＢ２用の配線基板を別途に設ける必要がなくなる。

カバー材ＣＧは、平型であり、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡにわたって形成され、表示パネルＰＮＬの全面を覆っている。カバー材ＣＧの表示パネルＰＮＬと対向する側の面には、遮光層ＳＨが形成されている。遮光層ＳＨは、非表示領域ＮＤＡに設けられている。遮光層ＳＨは、接続用孔Ｖ、接続材Ｃなどを覆っている。
カバー材ＣＧは、接着層ＡＬにより第２偏光板ＰＬ２に接合されている。例えば、接着層ＡＬは、光学用透明樹脂（ＯＣＲ：Optically Clear Resin）で形成されている。接着層ＡＬは、全域にわたって略均一な厚みを有している。

図４に示すように、第２導電層Ｌ２（検出電極Ｒｘ）は、第１導電部Ｅ１と、第１導電部Ｅ１に電気的に接続された第２導電部Ｅ２と、を含んでいる。図４において、第１導電部Ｅ１は右下がりの斜線で示す部分に相当し、第２導電部Ｅ２は右上がりの斜線で示す部分に相当している。第２導電部Ｅ２は、平面視において、第１孔ＶＡの開口ＶＡｏの端に隙間Ｇを空けて位置している。第１導電部Ｅ１は、平面視において、第２導電部Ｅ２と重なる領域と、隙間Ｇとに位置している。

例えば、端子部ＲＴや上記本体部ＲＳは、第１導電部Ｅ１と、第２導電部Ｅ２との積層体で形成されている。端子部ＲＴは、開口ＶＡｏの周りを連続して延在し、環状に形成され、開口ＶＡｏを全周にわたって囲んでいる。但し、本実施形態と異なり、端子部ＲＴは、開口ＶＡｏの周りの一部で分断して形成されていてもよい。

図５に示すように、端子部ＲＴにおいて、第１導電部Ｅ１は、第１部分Ｅ１ａと、第２部分Ｅ１ｂと、を含んでいる。第１部分Ｅ１ａは、隙間Ｇに属し、接続材Ｃに接している。第２部分Ｅ１ｂは、第２主面２０Ｂと第２導電部Ｅ２との間に位置し、第２基体２０の厚み方向（ここでは、第３方向Ｚ）に第２導電部Ｅ２と対向し、第１部分Ｅ１ａから連続して設けられている。第１部分Ｅ１ａは、隆起し、第２部分Ｅ１ｂより高く盛り上がっている。

第１導電部Ｅ１は、金属を有している。本実施形態において、第１導電部Ｅ１は、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンの順に積層して形成されている。第１部分Ｅ１ａは、少なくともアルミニウムを含んでいる。第２導電部Ｅ２は、層Ｅ２Ｌを含んでいる。層Ｅ２Ｌは、上述のインジウムを含む透明な導電材料を有し、第２導電部Ｅ２のうち第２主面２０Ｂと対向する側とは反対側の面Ｅ２Ｓを構成している。
なお、層Ｅ２Ｌは、光反射防止層として機能していてもよい。層Ｅ２Ｌの作用により、反射光の干渉効果を得ることができる。反射光の干渉現象は、面Ｅ２Ｓで反射した第１反射光と、層Ｅ２Ｌに侵入し層Ｅ２Ｌの下層（金属層）の表面で反射され上記面Ｅ２Ｓから出射した第２反射光と、が互いに干渉を起こすことにより発生する。このため、上記第１反射光と上記第２反射光との位相差が０．５波長であれば両者は打ち消し合い、反射光強度が低下する効果が得られる。これにより、表示品位の低下を抑制することができる。

銀とアルミニウムとの接触抵抗は、銀と透明な導電材料との接触抵抗より低い。そのため、接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触抵抗は、接続材Ｃと第２導電部Ｅ２との接触抵抗より低い。本実施形態では、接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触面積が大きくなるよう、端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）が構成されている。例えば、隙間Ｇに属する領域に第２導電部Ｅ２は位置していない。また、第１部分Ｅ１ａは隆起している。これにより、接続材Ｃを第２導電層Ｌ２に良好に導通させることができる。

アルミニウムの融点は、ガラス、樹脂などの絶縁材料の融点より低く、透明な導電材料の融点より低い。そのため、第１導電部Ｅ１の融点は、第２基体２０の融点より低く、第２導電部Ｅ２の透明な導電材料の融点より低い。
また、透明な導電材料の熱収縮率よりアルミニウムの熱収縮率の方が、ガラス、樹脂などの絶縁材料の熱収縮率に近い。そのため、第２導電部Ｅ２の熱収縮率より第１導電部Ｅ１の熱収縮率の方が、第２基体２０の熱収縮率に近い。

ここで、本願発明者等は、本実施形態に係る表示パネルＰＮＬを作成し、第１部分Ｅ１ａの形状について調査した。図６は、上記表示パネルＰＮＬの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１孔ＶＡが形成された第２基体２０の一部と第２導電層Ｌ２を示す断面図である。図中、第２基体２０の内面２０Ｉ及び第２主面２０Ｂには破線を記載している。図６に基づいて第１導電部Ｅ１を調査した結果、第１部分Ｅ１ａが隆起している結果が得られた。

また、本願発明者等は、比較例の表示パネルＰＮＬを作成し、第１部分Ｅ１ａの形状について調査した。本比較例では、第１導電部Ｅ１の融点は、第２基体２０の融点より高い。図７は、比較例の表示パネルの一部を電子顕微鏡で撮影した図であり、第１孔ＶＡが形成された第２基体２０の一部と第２導電層Ｌ２とを示す断面図である。図７に基づいて第１導電部Ｅ１を調査した結果、第１部分Ｅ１ａが隆起している結果は得られなかった。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖ及び端子部ＲＴを形成する方法について説明する。
図８に示すように、第２基体２０上に、それぞれ孔の開いていない第２導電層Ｌ２及び保護層ＰＦが形成されている。接続用孔Ｖを形成する際、まず、表示パネルＰＮＬに、保護層ＰＦの上方からレーザ光ＬＡを照射する。なお、レーザとしては、例えば炭酸ガスレーザなどが適用可能であるが、第２基体２０、保護層ＰＦ等の表示パネルＰＮＬに孔を形成できるものであればよく、エキシマレーザなども適用可能である。

図５に示すように、これにより、第１孔ＶＡ及び第４孔ＶＤを含む接続用孔Ｖを表示パネルＰＮＬに形成することができる。第１導電部Ｅ１を形成するアルミニウムの融点は、第２基体２０の材料の融点より低い。このため、レーザ光ＬＡを照射した際、第２基体２０の材料より第１導電部Ｅ１のアルミニウムの方が早く溶け、第１孔ＶＡの周りの第２主面２０Ｂに融着し、第２主面２０Ｂの上方に堆積し、隆起した第１部分Ｅ１ａを形成することができる。そのため、第１導電部Ｅ１において、第２部分Ｅ１ｂのアルミニウムの濃度より第１部分Ｅ１ａのアルミニウムの濃度の方が高い。また、第１部分Ｅ１ａに、第２基体２０の材料が混在する場合があり得る。

また、レーザ光ＬＡの照射により、表示パネルＰＮＬに熱エネルギが与えられると、第２導電層Ｌ２や第２基体２０に利用する材料より、保護層ＰＦに利用する樹脂の方が、昇華し易い。このため、例えば、第４孔ＶＤは、第１孔ＶＡより拡張して形成されている。

その他、第２導電層Ｌ２のうち、レーザ光ＬＡが照射される領域の第２基体２０に接している部分は、第２基体２０の熱収縮率に相対的に近い熱収縮率を有する第１導電部Ｅ１である。第２導電部Ｅ２が第２基体２０に接している場合と比較して、レーザ光ＬＡを照射した際に生じ得る第２基体２０の割れ等、第２基体２０の破損を抑制することができる。

上記のように構成された第１の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘは、接続用孔Ｖに設けられた接続材Ｃにより、第１基板ＳＵＢ１に設けられたパッドＰと接続されている。このため、検出電極Ｒｘと検出回路ＲＣとを接続するための配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。
接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触抵抗は、接続材Ｃと第２導電部Ｅ２との接触抵抗より低い。接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触面積が大きくなるよう、端子部ＲＴは構成されている。これにより、接続材Ｃを第２導電層Ｌ２に良好に接続することができる。
上記のことから、信頼性の高い基板間接続部を有する表示装置ＤＳＰを得ることができる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態の表示装置ＤＳＰでは、第２導電部Ｅ２が第２主面２０Ｂと第１導電部Ｅ１との間に位置している点で、上記第１の実施形態と相違している。

図９に示すように、第２導電層Ｌ２（検出電極Ｒｘ）は、第１導電部Ｅ１と、第２導電部Ｅ２と、を含んでいる。第２導電部Ｅ２は、平面視において、第１孔ＶＡの開口ＶＡｏの端に隙間Ｇを空けて位置している。第１導電部Ｅ１は、平面視において、開口ＶＡｏの端と内面ＳＡとの間の領域に位置している。

例えば、端子部ＲＴは、第１導電部Ｅ１と、第２導電部Ｅ２との積層体で形成されている。端子部ＲＴは、開口ＶＡｏの周りを連続して延在し、環状に形成され、開口ＶＡｏを全周にわたって囲んでいる。但し、本実施形態と異なり、端子部ＲＴは、開口ＶＡｏの周りの一部で分断して形成されていてもよい。なお、上記本体部ＲＳは、第２導電部Ｅ２で形成されている。

図１０に示すように、端子部ＲＴにおいて、第１導電部Ｅ１は、第１部分Ｅ１ａを含んでいる。第１部分Ｅ１ａは、隙間Ｇに属し、接続材Ｃに接している。第１部分Ｅ１ａは、隆起していてもよい。内面ＳＡで囲まれた領域において、第２導電部Ｅ２は、第２主面２０Ｂと第１導電部Ｅ１との間に位置し、第１導電部Ｅ１で覆われている。

第１導電部Ｅ１は、金属を有している。本実施形態において、第１導電部Ｅ１は、モリブデン、アルミニウム、及びモリブデンの順に積層して形成されている。第１部分Ｅ１ａは、少なくともアルミニウムを含んでいる。層Ｅ２Ｌは、上述のインジウムを含む透明な導電材料を有し、第２導電部Ｅ２のうち第２主面２０Ｂと対向する側とは反対側の面Ｅ２Ｓを構成している。

接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触抵抗は、接続材Ｃと第２導電部Ｅ２との接触抵抗より低い。本実施形態では、接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触面積が大きくなるよう、端子部ＲＴ（第２導電層Ｌ２）が構成されている。例えば、接続材Ｃは、端子部ＲＴのうち第１導電部Ｅ１に接し、第２導電部Ｅ２に接していない。また、上記のように第１部分Ｅ１ａは隆起していてもよい。これにより、接続材Ｃを端子部ＲＴに良好に導通させることができる。
また、本実施形態においても、第１導電部Ｅ１の融点は、第２基体２０の融点より低く、第２導電部Ｅ２の透明な導電材料の融点より低い。第２導電部Ｅ２の熱収縮率より第１導電部Ｅ１の熱収縮率の方が、第２基体２０の熱収縮率に近い。

次に、本実施形態の表示装置ＤＳＰの製造方法について説明する。ここでは、接続用孔Ｖ及び端子部ＲＴを形成する方法について説明する。
図１１に示すように、第２基体２０上に、第２導電部Ｅ２及び保護層ＰＦを形成する。レーザ光が照射される領域の外側に第２導電部Ｅ２が位置するように、第２導電部Ｅ２には予めパターニングが施されている。

図１２に示すように、続いて、フォトエッチング法など一般に知られている技術を使用して保護層ＰＦを部分的に除去し、保護層ＰＦに第４孔ＶＤを形成する。次いで、内面ＳＡで囲まれた領域において、第２主面２０Ｂ及び第２導電部Ｅ２の上に金属材料を塗布し、第１導電部Ｅ１を形成する。その後、表示パネルＰＮＬに、第１導電部Ｅ１の上方からレーザ光ＬＡを照射する。

図１３に示すように、これにより、第１孔ＶＡ及び第４孔ＶＤを含む接続用孔Ｖを表示パネルＰＮＬに形成することができる。第１導電部Ｅ１のうちレーザ光ＬＡが照射された領域は、昇華又は第１孔ＶＡの周りの第２主面２０Ｂに融着する。なお、第２導電部Ｅ２を予めパターニングすることで、レーザ光ＬＡが第２導電部Ｅ２に照射される事態を回避している。

その他、第２導電層Ｌ２のうち、レーザ光ＬＡが照射される領域の第２基体２０に接している部分は、第１導電部Ｅ１である。そのため、レーザ光ＬＡを照射した際に生じ得る第２基体２０の割れ等、第２基体２０の破損を抑制することができる。

上記のように構成された第２の実施形態に係る表示装置ＤＳＰによれば、第１部分Ｅ１ａは、隙間Ｇに属し、接続材Ｃに接している。接続材Ｃと第１導電部Ｅ１との接触抵抗は、接続材Ｃと第２導電部Ｅ２との接触抵抗より低い。第２の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

図１４に示すように、例えば、検出電極Ｒｘ１，Ｒｘ２，Ｒｘ３…は、それぞれ第２方向Ｙに延在し、第１方向Ｘに間隔を空けて並んでいてもよい。本体部ＲＳは、表示領域ＤＡにおいて第２方向Ｙに延出している。また、端子部ＲＴ１，ＲＴ２，ＲＴ３…は、表示領域ＤＡと配線基板３との間に位置し、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。接続用孔Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３…は、第１方向Ｘに互いに間隔を置いて並んでいる。

以下に、上述した実施形態及び変形例に係る発明を付記する。
（１）第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１孔と、を含んだ第２基体と、第１導電部と前記第１導電部に電気的に接続された第２導電部とを含み前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、
前記第１孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、
平面視において、前記第２導電部は前記第１孔の前記第２主面側の開口端に隙間を空けて位置し、前記第１導電部は前記隙間に属し前記接続材に接する第１部分を少なくとも含み、
前記接続材と前記第１導電部との接触抵抗は、前記接続材と前記第２導電部との接触抵抗より低い、表示装置。
（２）前記第１導電部の融点は、前記第２基体の融点より低い、
（１）に記載の表示装置。
（３）前記第２導電部の熱収縮率より前記第１導電部の熱収縮率の方が、前記第２基体の熱収縮率に近い、
（１）に記載の表示装置。
（４）前記第１導電部は、前記第２主面と前記第２導電部との間に位置し、前記第２基体の厚み方向に前記第２導電部と対向し、前記第１部分から連続して設けられた第２部分をさらに含み、
前記第１部分は、隆起している、
（１）に記載の表示装置。
（５）前記第２導電部は、前記第２主面と前記第１導電部との間に位置し、前記第１導電部で覆われている、
（１）に記載の表示装置。
（６）前記第１導電部は、金属を有し、
前記第２導電部は、透明な導電材料を有し前記第２導電部のうち前記第２主面と対向する面と反対の面を含んでいる、
（１）に記載の表示装置。
（７）前記第２導電層は、表示領域及び前記表示領域の外側の非表示領域に位置した検出電極を有し、
前記第１孔及び前記接続材は、前記非表示領域に位置している、
（１）に記載の表示装置。
（８）前記第１導電層と電気的に接続され前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路を備える、
（７）に記載の表示装置。
（９）前記第１基板は、前記表示領域にて前記検出電極と交差するセンサ駆動電極を有する、
（７）に記載の表示装置。
（１０）制御部をさらに備え、
前記第１基板は、前記第１基体と前記第２基板との間に位置した画素電極及びセンサ駆動電極をさらに有し、
前記第２導電層は、検出電極を有し、
前記制御部は、
画像を表示する表示期間に、前記画素電極に画像信号を与え、前記センサ駆動電極にコモン信号を与え、
センシングを行うセンシング期間に、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を与え、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
（１）に記載の表示装置。

ＤＳＰ…表示装置、ＰＮＬ…表示パネル、ＳＵＢ１…第１基板、１０…第１基体、
Ｌ１…第１導電層、ＳＵＢ２…第２基板、２０…第２基体、２０Ａ…第１主面、
２０Ｂ…第２主面、Ｌ２…第２導電層、Ｅ１…導電部、Ｅ１ａ…第１部分、
Ｅ１ｂ…第２部分、Ｅ２…導電部、Ｅ２Ｌ…層、Ｅ２Ｓ…面、ＯＩ…有機絶縁膜、
ＳＥ…シール材、ＬＣ…液晶層、Ｖ…接続用孔、ＶＡ…第１孔、ＶＡｏ…開口、
ＰＦ…保護層、Ｃ…接続材、Ｔｘ…センサ駆動電極、Ｒｘ…検出電極、ＰＥ…画素電極、
ＲＣ…検出回路、１…ＩＣチップ、ＤＡ…表示領域、ＮＤＡ…非表示領域、Ｇ…隙間。

Claims (10)

1. 第１基体と、第１導電層と、を有する第１基板と、
   前記第１導電層と対向し且つ前記第１導電層から離れて位置した第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間を貫通した第１孔と、を含んだ第２基体と、第１導電部と前記第１導電部に電気的に接続された第２導電部とを含み前記第２主面に設けられた第２導電層と、を有する第２基板と、
   前記第１孔を通じて前記第１導電層と前記第２導電層とを電気的に接続する接続材と、を備え、
   平面視において、前記第２導電部は前記第１孔の前記第２主面側の開口端に隙間を空けて位置し、前記第１導電部は前記隙間に属し前記接続材に接する第１部分を少なくとも含み、
   前記接続材と前記第１導電部との接触抵抗は、前記接続材と前記第２導電部との接触抵抗より低い、表示装置。
2. 前記第１導電部の融点は、前記第２基体の融点より低い、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２導電部の熱収縮率より前記第１導電部の熱収縮率の方が、前記第２基体の熱収縮率に近い、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１導電部は、前記第２主面と前記第２導電部との間に位置し、前記第２基体の厚み方向に前記第２導電部と対向し、前記第１部分から連続して設けられた第２部分をさらに含み、
   前記第１部分は、隆起している、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第２導電部は、前記第２主面と前記第１導電部との間に位置し、前記第１導電部で覆われている、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１導電部は、金属を有し、
   前記第２導電部は、透明な導電材料を有し前記第２導電部のうち前記第２主面と対向する面と反対の面を含んでいる、
   請求項１に記載の表示装置。
7. 前記第２導電層は、表示領域及び前記表示領域の外側の非表示領域に位置した検出電極を有し、
   前記第１孔及び前記接続材は、前記非表示領域に位置している、
   請求項１に記載の表示装置。
8. 前記第１導電層と電気的に接続され前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る検出回路を備える、
   請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１基板は、前記表示領域にて前記検出電極と交差するセンサ駆動電極を有する、
   請求項７に記載の表示装置。
10. 制御部をさらに備え、
    前記第１基板は、前記第１基体と前記第２基板との間に位置した画素電極及びセンサ駆動電極をさらに有し、
    前記第２導電層は、検出電極を有し、
    前記制御部は、
    画像を表示する表示期間に、前記画素電極に画像信号を与え、前記センサ駆動電極にコモン信号を与え、
    センシングを行うセンシング期間に、前記センサ駆動電極にセンサ駆動信号を与え、前記検出電極から出力されるセンサ信号を読み取る、
    請求項１に記載の表示装置。

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