JPWO2018221256A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、前記接続材を覆う遮光材と、を備える、表示装置。

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

近年、表示装置を狭額縁化するための技術が種々検討されている。一例では、樹脂製の第１基板の内面と外面とを貫通する孔の内部に孔内接続部を有する配線部と、樹脂製の第２基板の内面に設けられた配線部とが基板間接続部によって電気的に接続される技術が開示されている。

特開２００２−４０４６５号公報 特許第５９２４６０９号公報 特許第５４３５０８８号公報 特開２００７−１４６２７１号公報 特開２０１０−１５３７４２号公報 特許第４７５６１６３号公報 特開平７−３５７２２号公報

本実施形態の目的は、狭額縁化及び低コスト化が可能な表示装置を提供することにある。

本実施形態によれば、第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、前記接続材を覆う遮光材と、を備える、表示装置が提供される。

図１は、本実施形態の表示装置の一構成例を示す平面図である。 図２は、図１に示した表示装置を線Ａ−Ｂで切断した断面図である。 図３は、遮光材のヤング率及び熱膨張係数と、接続材に係る応力との関係を示す図である。 図４は、導電性を有する遮光材に用いられる材料の特性を示す図である。 図５は、遮光材の適正なカーボン含有率を検証するための図である。 図６は、本実施形態に係る表示装置の実施例を示す断面図である。 図７は、接続材及び中継層に用いられる金属材料が、安定な酸化物、安定な窒化物、及び、安定な炭化物を形成するかを検証するための図である。 図８は、接続材として銀の微粒子を用いた場合の接続材と下地との間の密着性を検証した図である。 図９は、接続材として銅の微粒子を用いた場合の接続材と下地との間の密着性を検証した図である。 図１０は、接続材として金の微粒子を用いた場合の接続材と下地との間の密着性を検証した図である。 図１１は、本実施形態に係る表示装置の実施例を示す断面図である。 図１２は、本実施形態に係る表示装置の実施例を示す断面図である。 図１３は、図１に示した孔の周辺の拡大図である。 図１４は、本実施形態に係る表示装置の実施例を示す断面図である。 図１５は、図６に示した表示装置の製造工程を示す図である。 図１６は、図６に示した表示装置の製造工程を示す図である。 図１７は、図１４に示した表示装置の製造工程を示す図である。 図１８は、図１４に示した表示装置の製造工程を示す図である。 図１９は、図１４に示した表示装置の他の製造工程を示す図である。 図２０は、孔と遮光材との位置関係を示す平面図である。 図２１は、孔と遮光材との他の位置関係を示す平面図である。 図２２は、図１に示した表示パネルの基本構成及び等価回路を示す図である。 図２３は、センサの一構成例を示す平面図である。 図２４は、図１に示した表示パネルの表示領域の構造を示す断面図である。 図２５は、本実施形態に係る表示装置の実施例を示す断面図である。

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。

本実施形態において開示される表示装置は、例えば、スマートフォン、タブレット端末、携帯電話端末、ノートブックタイプのパーソナルコンピュータ、ゲーム機器等の種々の装置に用いることができる。本実施形態にて開示する主要な構成は、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などに適用可能である。

図１は、本実施形態の表示装置ＤＳＰの一構成例を示す平面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰの一例として、センサＳＳを搭載した液晶表示装置について説明する。

また、第１方向Ｘ、第２方向Ｙ、及び、第３方向Ｚは、互いに直交しているが、９０度以外の角度で交差していても良い。第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは、表示装置ＤＳＰを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第３方向Ｚは、表示装置ＤＳＰの厚さ方向に相当する。ここでは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙによって規定されるＸ−Ｙ平面における表示装置ＤＳＰの平面を示している。

表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、ＩＣチップＩ１、配線基板ＳＵＢ３などを備えている。表示パネルＰＮＬは、液晶表示パネルであり、第１基板ＳＵＢ１と、第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥと、表示機能層（後述する液晶層ＬＣ）と、を備えている。第２基板ＳＵＢ２は、第１基板ＳＵＢ１に対向している。シールＳＥは、図１において右上がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを接着している。

なお、以下の説明において、第１基板ＳＵＢ１から第２基板ＳＵＢ２に向かう方向を上方（あるいは、単に上）と称し、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かう方向を下方（あるいは、単に下）と称する。また、第２基板ＳＵＢ２から第１基板ＳＵＢ１に向かって見ることを平面視という。

表示パネルＰＮＬは、画像を表示する表示領域ＤＡ、及び、表示領域ＤＡを囲む額縁状の非表示領域ＮＤＡを備えている。シールＳＥは、非表示領域ＮＤＡに位置している。

配線基板ＳＵＢ３は、第１基板ＳＵＢ１に実装されている。このような配線基板ＳＵＢ３は、例えば可撓性を有するフレキシブル基板である。なお、本実施形態で適用可能なフレキシブル基板とは、その少なくとも一部分に、屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えていれば良い。例えば、本実施形態の配線基板ＳＵＢ３は、その全体がフレキシブル部として構成されたフレキシブル基板であっても良いし、ガラスエポキシなどの硬質材料によって形成されたリジッド部及びポリイミドなどの屈曲可能な材料によって形成されたフレキシブル部を備えたリジッドフレキシブル基板であっても良い。

ＩＣチップＩ１は、配線基板ＳＵＢ３に実装されている。なお、図示した例に限らず、ＩＣチップＩ１は、第２基板ＳＵＢ２よりも外側に延出した第１基板ＳＵＢ１に実装されていても良いし、配線基板ＳＵＢ３に接続される外部回路基板に実装されていても良い。ＩＣチップＩ１は、例えば、画像を表示するのに必要な信号を出力するディスプレイドライバＤＤを内蔵している。ここでのディスプレイドライバＤＤは、後述する信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤの少なくとも一部を含むものである。また、図示した例では、ＩＣチップＩ１は、タッチパネルコントローラなどとして機能する検出回路ＲＣを内蔵している。なお、検出回路ＲＣは、ＩＣチップＩ１とは異なる他のＩＣチップに内蔵されていても良い。

表示パネルＰＮＬは、例えば、第１基板ＳＵＢ１の下方からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第２基板ＳＵＢ２の上方からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであっても良い。

センサＳＳは、表示装置ＤＳＰへの被検出物の接触あるいは接近を検出するためのセンシングを行うものである。センサＳＳは、複数の検出電極Ｒｘ（Ｒｘ１、Ｒｘ２…）を備えている。検出電極Ｒｘは、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。これらの検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔をおいて並んでいる。

図１では、検出電極Ｒｘとして、検出電極Ｒｘ１乃至Ｒｘ４が図示されているが、ここでは、検出電極Ｒｘ１に着目してその構造例について説明する。すなわち、検出電極Ｒｘ１は、検出部ＲＳ及び接続部ＣＮを備えている。

検出部ＲＳは、表示領域ＤＡに位置し、第１方向Ｘに延出している。検出電極Ｒｘ１においては、主として検出部ＲＳがセンシングに利用される。また、１つの検出電極Ｒｘ１は、２本の検出部ＲＳを備えているが、３本以上の検出部ＲＳを備えていても良いし、１本の検出部ＲＳを備えていても良い。接続部ＣＮは、非表示領域ＮＤＡに位置し、複数の検出部ＲＳを互いに接続している。

ここで、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の接続関係について説明する。なお、図１において、非表示領域ＮＤＡの一端側とは表示領域ＤＡよりも左側に相当し、非表示領域ＮＤＡの他端側とは表示領域ＤＡよりも右側に相当する。

第１基板ＳＵＢ１は、配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続された第１端子部ＴＭ１１及び配線Ｗ１を備えている。第１端子部ＴＭ１１及び配線Ｗ１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に位置し、平面視でシールＳＥと重なっている。配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１１に接続され、第２方向Ｙに沿って延出し、配線基板ＳＵＢ３を介してＩＣチップＩ１の検出回路ＲＣと電気的に接続されている。

一方で、第２基板ＳＵＢ２は、検出電極Ｒｘ１と電気的に接続された第２端子部ＴＭ２１を備えている。第２端子部ＴＭ２１は、非表示領域ＮＤＡの一端側に位置し、平面視で第１端子部ＴＭ１１と重なっている。

なお、特に分ける必要がなければ、第１端子部ＴＭ１１、ＴＭ１２、…を第１端子部ＴＭ１とし、第２端子部ＴＭ２１、ＴＭ２２、…を第２端子部ＴＭ２とする。

接続用孔Ｖ１は、第１端子部ＴＭ１１と第２端子部ＴＭ１２とが対向する位置に形成されている。接続用孔Ｖ１は、第２端子部ＴＭ２を含む第２基板ＳＵＢ２と、シールＳＥを貫通している。また、接続用孔Ｖ１は、第１端子部ＴＭ１を貫通していてもよい。後述するが、接続用孔Ｖ１には、導電性を有する接続材Ｃが設けられている。これにより、第１端子部ＴＭ１１と第２端子部ＴＭ２１とが電気的に接続される。つまり、第２基板ＳＵＢ２に設けられた検出電極Ｒｘ１は、第１基板ＳＵＢ１に接続された配線基板ＳＵＢ３を介して検出回路ＲＣと電気的に接続される。検出回路ＲＣは、検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号を読み取り、被検出物の接触あるいは接近の有無や、被検出物の位置座標などを検出する。

図示した例では、奇数番目の検出電極Ｒｘ１、Ｒｘ３…の各々に接続された第１端子部ＴＭ１１、ＴＭ１３…、第２端子部ＴＭ２１、ＴＭ２３…、配線Ｗ１、Ｗ３…、接続用孔Ｖ１、Ｖ３…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの一端側に位置している。また、偶数番目の検出電極Ｒｘ２、Ｒｘ４…の各々に接続された第１端子部ＴＭ１２、ＴＭ１４…、第２端子部ＴＭ２２、ＴＭ２４…、配線Ｗ２、Ｗ４…、接続用孔Ｖ２、Ｖ４…は、いずれも非表示領域ＮＤＡの他端側に位置している。このようなレイアウトによれば、非表示領域ＮＤＡにおける一端側の幅と他端側の幅とを均一化することができ、狭額縁化に好適である。

図示したように、配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１３の内側（つまり、表示領域ＤＡに近接する側）を迂回し、第１端子部ＴＭ１３と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ３の内側に並んで配置されている。同様に、配線Ｗ２は、第１端子部ＴＭ１４の内側を迂回し、第１端子部ＴＭ１４と配線基板ＳＵＢ３との間で配線Ｗ４の内側に並んで配置されている。

図２は、図１に示した表示装置ＤＳＰを線Ａ−Ｂで切断した断面図である。
表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬ、偏光板ＰＬ、カバー部材ＣＧ、接続材Ｃと、遮光材ＳＨ等を備えている。

表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、有機絶縁膜ＯＩ、液晶層ＬＣ等を備えている。第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２は、第３方向Ｚに対向している。

第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０と、第１端子部ＴＭ１３と、配線Ｗ１と、を備えている。第１基体１０は、第２基板ＳＵＢ２と対向する主面１０Ａと、主面１０Ａとは反対側の主面１０Ｂと、を有している。図示した例では、第１端子部ＴＭ１３、配線Ｗ１は、主面１０Ａ側に位置している。配線Ｗ１は、第１端子部ＴＭ１３と液晶層ＬＣとの間に配置されている。なお、図示しないが、第１端子部ＴＭ１３及び配線Ｗ１と、第１基体１０との間や、第１端子部ＴＭ１３及び配線Ｗ１の上には、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。また、第１端子部ＴＭ１３及び配線Ｗ１は、絶縁膜等を介して互いに別の層に形成されていても良い。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０と、第２端子部ＴＭ２３と、検出電極Ｒｘ３と、保護部材ＰＴと、を備えている。第２基体２０は、第１基板ＳＵＢ１と対向する主面２０Ａと、主面２０Ａとは反対側の主面２０Ｂと、を有している。主面２０Ａは、第１端子部ＴＭ１３と対向し、且つ、第１端子部ＴＭ１３から第３方向Ｚに離間している。上記したような第１基体１０及び第２基体２０は、例えば、無アルカリガラスによって形成されている。なお、第１基体１０及び第２基体２０は、例えば、樹脂によって形成されても良い。図示した例では、第２端子部ＴＭ２３及び検出電極Ｒｘ３は、主面２０Ｂ側に位置している。第２端子部ＴＭ２３及び検出電極Ｒｘ３は、互いに電気的に接続されている。保護部材ＰＴは、検出電極Ｒｘ３の上に配置されている。なお、保護部材ＰＴは、第２端子部ＴＭ２３の上にも配置されていても良い。また、図示しないが、第２端子部ＴＭ２３及び検出電極Ｒｘ３と、第２基体２０との間に、各種絶縁膜や各種導電膜が配置されていても良い。

有機絶縁膜ＯＩは、第１基体１０と第２基体２０との間に位置している。ここで、有機絶縁膜ＯＩは、例えば、後述する遮光層、カラーフィルタ、オーバーコート層、配向膜、シールの少なくとも一つを含んでいる。液晶層ＬＣは、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、及び、有機絶縁膜ＯＩに囲まれた領域に位置している。

ここで、第１端子部ＴＭ１３と第２端子部ＴＭ２３との接続構造について詳述する。
第２基板ＳＵＢ２において、第２基体２０は、主面２０Ａと主面２０Ｂとの間を貫通する孔（第１孔）ＶＡを有している。図示した例では、孔ＶＡは、第２端子部ＴＭ２３も貫通している。

第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間においては、有機絶縁膜ＯＩは、孔ＶＡに繋がった孔（第３孔）ＶＢを有している。

一方、第１基板ＳＵＢ１においては、第１端子部ＴＭ１３は、孔ＶＢに繋がった孔ＶＣを有している。また、第１基体１０は、孔ＶＣと第３方向Ｚで対向する凹部ＣＣを有している。凹部ＣＣは、主面１０Ａから主面１０Ｂに向かって形成されているが、図示した例では、主面１０Ｂまで貫通していない。一例では、凹部ＣＣの第３方向Ｚに沿った深さは、第１基体１０の第３方向Ｚに沿った厚さの約１／５〜約１／２程度である。なお、第１基体１０は、凹部ＣＣの代わりに、主面１０Ａと主面１０Ｂとの間を貫通する孔を有していても良い。孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣは、第３方向Ｚに沿って同一直線上に並んでおり、接続用孔Ｖ３を形成している。

なお、図示した例では、孔ＶＢは、主面２０Ａにおける孔ＶＡや孔ＶＣと比較して、第１方向Ｘに拡張されているが、孔ＶＢは、第１方向Ｘのみならず、Ｘ−Ｙ平面内における全方位に亘って拡張されている。

接続材Ｃは、孔ＶＡ及びＶＢを通って第１端子部ＴＭ１３及び第２端子部ＴＭ２３を電気的に接続している。より具体的には、接続材Ｃは、孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣのそれぞれの内面に設けられている。図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣにおいて途切れることなく設けられている。接続材Ｃは、金属材料を含み、より具体的には、粒径が数ナノメートルから数十ナノメートルのオーダーの当該金属材料の微粒子が溶剤に分散されたものであることが望ましい。接続材Ｃに用いられる金属は、例えば、銅、銀、及び、金などである。

図示した例では、接続材Ｃは、第２基板ＳＵＢ２において、第２端子部ＴＭ２３の上面ＬＴ２、第２端子部ＴＭ２３の内面ＬＳ２、及び、第２基体２０の内面２０Ｓにそれぞれ接触している。これらの内面ＬＳ２及び２０Ｓは、孔ＶＡの内面を形成している。接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間において、有機絶縁膜ＯＩの内面ＯＩＳに接している。内面ＯＩＳは、孔ＶＢの内面を形成している。また、接続材Ｃは、第１基板ＳＵＢ１において、第１端子部ＴＭ１３の内面ＬＳ１、及び、凹部ＣＣにもそれぞれ接触している。内面ＬＳ１は、孔ＶＣの内面を形成している。

なお、図示した例では、接続材Ｃは、孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣの内面に設けられているが、孔ＶＡ、ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣを埋めるように充填されていても良い。この場合にも、接続材Ｃは、第１端子部ＴＭ１３と第２端子部ＴＭ２３との間において途切れることなく連続的に形成されている。

遮光材ＳＨは、接続材Ｃ及び第２端子部ＴＭ２３を覆っている。また、遮光材ＳＨは、遮光性を有している。本実施形態において、ＯＤ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）値が１以上の材料を、遮光性を有する材料とする。また、遮光材ＳＨは、接続用孔Ｖ３の中空部分に充填されている。このように、遮光材ＳＨが配置されることにより、接続用孔Ｖ３に中空部分が形成されたことに起因する第３方向Ｚの段差を緩和することができる。また、接続材Ｃを保護することができる。また接続材Ｃが金属を含んでいる場合、遮光材ＳＨが接続材Ｃを覆うことにより、遮光材ＳＨは接続材Ｃでの反射光を遮光する。これにより、接続材Ｃ起因のぎらつきを抑えることができる。

遮光材ＳＨは、例えば、導電性を有している。遮光材ＳＨが導電性を有している場合には、接続材Ｃが途切れたとしても、遮光材ＳＨが第１端子部ＴＭ１３及び第２端子部ＴＭ２３を電気的に接続させることができ、信頼性を向上することができる。

また、遮光材ＳＨは、非導電性を有していても良い。遮光材ＳＨが導電性を有していない場合は、例えば、遮光材ＳＨに含まれるフィラの種類や遮光材ＳＨの着色に用いる顔料の種類等が導電性材料に限定されない。これによりフィラの種類や顔料の選択肢を広げることができる。また、後述するが、遮光材ＳＨが非導電性を有する場合には、隣接する複数の接続用孔と重なる遮光材ＳＨが連続して形成されても良い。

なお、本実施形態において、抵抗値が１０^８Ω以上である材料を、非導電性を有する材料とする。また、本実施形態において、抵抗値が１０^８Ωより小さい材料を、導電性を有する材料とする。

本実施形態において、遮光材ＳＨはカーボンを含んでいる。このとき、遮光材ＳＨは、導電性及び非導電性のどちらを有していても良い。遮光材ＳＨがカーボンを含むことによって、遮光材ＳＨに遮光性を付与することができる。また、遮光材ＳＨに用いられる材料の詳細な特性については後述するが、遮光材ＳＨが導通性を有する場合、本実施形態においては、例えば、遮光材ＳＨは、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、グラッシーカーボンの少なくとも１つの材料を有する。なお、遮光材ＳＨが非導電性を有する場合には、遮光材ＳＨは、カーボン、酸化チタン（例えばＴｉＯ_２）、酸化鉄（例えば四酸化三鉄）、銅とクロムの複合酸化物の何れか１つを含む。また、遮光材は、さらに顔料を含んでいても良い。

偏光板ＰＬは、接着剤ＧＬ１によって表示パネルＰＮＬの上方に接着されている。偏光板ＰＬは、第２基板ＳＵＢ２と対向している。カバー部材ＣＧは、接着剤ＧＬ２によって偏光板ＰＬの上方に接着されている。カバー部材ＣＧは、例えば、ガラスによって形成されている。また、カバー部材ＣＧは、例えば印刷された額縁部ＦＲを有している。額縁部ＦＲは、例えば、表示領域を囲むように連続して形成されている。また、額縁部ＦＲは、第３方向Ｚにおいて接続用孔Ｖ３と重なっている。また、遮光材ＳＨは、接続材Ｃと重なる位置において、カバー部材ＣＧの下面に配置されても良い。

本実施形態によれば、遮光材ＳＨは、例えば金属材料を含む接続材Ｃを覆っている。そのため、接続材Ｃの反射が偏光板ＰＬを通して視認されるのを遮光材ＳＨによって抑制することができる。特に、表示装置ＤＳＰを法線方向に対して斜めから見たときに接続材Ｃの反射が視認されるのを抑制することができる。したがって、表示装置ＤＳＰの外観不良を抑制することができる。

また、遮光材ＳＨは、接続用孔Ｖ３の中空部分に充填され、接続用孔Ｖ３の内部においても接続材Ｃを覆っている。そのため、接続材Ｃが酸化するのを抑制することが可能である。また、接続用孔Ｖ３を形成する各種絶縁膜や各種導電膜に対する接続材Ｃの密着性を向上することが可能である。したがって、接続材Ｃの電気的接続の信頼性を向上することが可能である。

また、本実施形態によれば、図１及び図２に示したように、第２端子部ＴＭ２は、接続材Ｃ及び第１端子部ＴＭ１などを介して配線基板ＳＵＢ３と電気的に接続される。このため、検出電極Ｒｘに対して信号を書き込んだり、検出電極Ｒｘから出力された信号を読み取ったりするための制御回路は、配線基板ＳＵＢ３を介して検出電極Ｒｘと接続可能となる。つまり、検出電極Ｒｘと制御回路とを接続するために、別の配線基板を第２基板ＳＵＢ２に実装する必要がなくなる。

また、本実施形態によれば、第１基板ＳＵＢ１に実装される配線基板ＳＵＢ３の他に、第２基板ＳＵＢ２に別の配線基板が実装される例と比較して、別の配線基板を実装するための端子部や、第２端子部ＴＭ２と別の配線基板とを接続するための引き回し配線が不要となる。このため、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙで規定されるＸ-Ｙ平面において、第２基板ＳＵＢ２の基板サイズを縮小することができるとともに、表示装置ＤＳＰの周縁部の額縁幅を縮小することができる。また、不要となる別の配線基板のコストを削減することができる。これにより、狭額縁化及び低コスト化が可能となる。

次に、本実施形態において遮光材に用いられる材料の特性について説明する。

図３は、遮光材のヤング率及び熱膨張係数と、接続材に係る応力との関係を示す図である。なお、本実施形態において接続材のヤング率は１０〜９０ＧＰａであり、線膨張係数は１０ｐｐｍ以下である。
遮光材は、製造工程における温度変化や外気温変化を受けても接続材を保護する機能を維持するために、一定以上のヤング率及び一定以下の線膨張係数を有する必要がある。換言すると、遮光材に用いられる材料は、接続材保護の観点から、ヤング率が高いほど望ましく、熱膨張係数が低いほど望ましい。さらに、遮光材が導電性を有する場合には、遮光材は、一定以下の比抵抗を有する必要がある。上記のことから、遮光材に用いられる材料としては、これらのヤング率、熱膨張係数、及び、比抵抗の条件を満たす材料が適用される。

図３は、遮光材のヤング率、熱膨張係数、及び、温度を変化させ、接続材に生じる応力が６０ＭＰａ以下になるときの遮光材のヤング率及び熱膨張係数を検証した結果を示している。ここでは、遮光材のヤング率を１〜７００ＧＰａの範囲で変化させ、遮光材の熱膨張係数を３〜１００ｐｐｍの範囲で変化させ、温度を−４０℃から８５℃の間で変化させた。

図中の丸印は、接続材に生じる応力が６０ＭＰａ以下であるときであり、図中のバツ印は、接続材に生じる応力が６０ＭＰａより大きいときを示している。すなわち、遮光材のヤング率が７〜７００ＧＰａであるとき、同時に、遮光材の熱膨張係数が３〜５０ｐｐｍであるときに、接続材に生じる応力が６０ＭＰａ以下であった。この結果を基に、本実施形態においては、ヤング率が７ＧＰａ以上であり、熱膨張係数が５０ｐｐｍ以下であることを遮光材の条件とする。

図４は、導電性を有する遮光材に用いられる材料の特性を示す図である。ここでは、比較例として、絶縁材料であるアクリル材料及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の特性も示している。

図３に示したようなヤング率、熱膨張係数、及び、比抵抗の条件から、カーボン材料としては、例えば、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、及び、グラッシーカーボンが挙げられる。図４に示すように、アクリル材料及びＳｉＯ_２と比較して、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、及び、グラッシーカーボンは、比抵抗が低く、ヤング率が高く、熱膨張係数が低い。本実施形態においては、例えば、これらのカーボン材料を含有した遮光材は、ヤング率が７ＧＰａ以上となり熱膨張係数が５０ｐｐｍ以下となるように、カーボン材料含有率が設定される。

図５は、遮光材の適正なカーボン含有率を検証するための図である。ここでは、エポキシ材料にカーボンナノチューブを含有させた遮光材を用いて検証する。

横軸は、遮光材に対するカーボンナノチューブの含有率である、カーボンナノチューブ比率を示している。カーボンナノチューブ比率は、０〜１００％の範囲で示されている。また、左側の縦軸は、遮光材のヤング率を示している。ヤング率は、０〜１０００ＧＰａの範囲で示されている。右側の縦軸は、遮光材の反射率を示している。反射率は、０〜５０％の範囲で示されている。図中の線Ｌ１は遮光材の反射率を示しており、線Ｌ２は遮光材のヤング率を示している。

遮光材のヤング率が７ＧＰａ以上となり、かつ、遮光材の反射率が３０％以下となり、同時に、遮光材の密着性を確保することができるカーボンナノチューブ比率を検証した。ヤング率が７ＧＰａ以上となるのは、カーボンナノチューブ比率が約５％以上のときである。また、反射率が３０％以下となるのは、カーボンナノチューブ比率が約２０％以上のときである。ヤング率及び反射率の条件から、カーボンナノチューブ比率は２０％以上であることが望ましい。しかし、カーボンナノチューブ比率が８０％より大きいときには、遮光材のエポキシ材料の割合が小さいために、遮光材の密着性を確保することができない。したがって、カーボンナノチューブ比率は２０〜８０％であることが望ましい。

次に、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの実施例を示す。

図６は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。なお、ここでは、検出電極Ｒｘ３より上層の図示を省略している。図６は、図２に示した構成と比較して、表示装置ＤＳＰが中継層ＲＬを備えている点で相違している。

図示した例では、中継層ＲＬは、第２基板ＳＵＢ２において、上面ＬＴ２、内面ＬＳ２、及び、内面２０Ｓにそれぞれ接触している。中継層ＲＬは、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の間において、内面ＯＩＳに接している。また、中継層ＲＬは、第１基板ＳＵＢ１において、内面ＬＳ１、及び、凹部ＣＣにそれぞれ接触している。すなわち、中継層ＲＬは孔ＶＡにおいて、接続材Ｃと第２電極ＴＭ２３との間、及び、接続材Ｃと第２基体２０との間に位置している。中継層ＲＬは、孔ＶＢにおいて接続材Ｃと有機絶縁膜ＯＩとの間に位置している。中継層ＲＬは、孔ＶＣにおいて接続材Ｃと第１電極ＴＭ１３との間に位置している。中継層ＲＬは、凹部ＣＣにおいて接続材Ｃと第１基体１０との間に位置している。

図２に示したように、中継層ＲＬが配置されていない場合、接続材Ｃは、無機膜である第１基体１０及び第２基体２０等に接し、有機膜である有機絶縁膜ＯＩ等に接し、金属膜である第１電極ＴＭ１３及び第２電極ＴＭ２３等に接する。つまり、接続材Ｃは、無機膜、有機膜、及び、金属膜に同時に接する。ここで、接続材Ｃに用いられる金属材料と、無機膜及び有機膜に含まれる窒素、酸素、炭素との間の電気陰性度の差は、接続材Ｃの密着力を確保できる程大きくない。また、接続材Ｃに用いられる金属材料は、安定な窒化物、安定な酸化物、及び、安定な炭化物を形成し難い。そのため、接続材Ｃが無機膜及び有機膜から剥がれてしまう恐れがある。

また、図２に示したように、中継層ＲＬが配置されていない場合、接続材Ｃは、接続用孔Ｖ３内において、第２基体２０との接触面積が最も大きい。しかし、接続材Ｃに用いられる金属材料（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ）と第２基体２０に用いられる材料（例えば、ガラス）との間のヤング率の差が大きいために、温度変化によって接続材Ｃに局所的な熱応力がかかり、接続材Ｃが第２基体２０から剥がれる恐れがある。

そこで、本実施例においては、中継層ＲＬと無機膜及び有機膜との間の電気陰性度の差が、接続材Ｃと無機膜及び有機膜との間の電気陰性度の差よりも大きくなるように中継層ＲＬを形成する。本実施例においては、中継層ＲＬは遷移金属を含んでいる。後述するが、中継層ＲＬは、遷移金属の中でも、特に、安定な酸化物、安定な窒化物、及び、安定な炭化物を形成することができる遷移金属を含んでいることが望ましい。このことから、中継層ＲＬに含まれる遷移金属は、例えば、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）のうち少なくとも１つであることが望ましい。また、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａと、窒素、酸素、炭素との間の電気陰性度の差は、接続材Ｃに用いられる金属材料と窒素、酸素、炭素との間の電気陰性度の差より大きい。すなわち、接続材Ｃよりも中継層ＲＬの方が、有機膜及び無機膜に対して高い密着力を得ることができる。

したがって、製造工程における温度変化や外気温変化が繰り返されたとしても、接続材Ｃと無機膜及び有機膜との間の密着力を中継層ＲＬを介して維持することができる。中継層ＲＬを形成することによって、−４０℃から８０℃の間の熱サイクル試験においても接続材Ｃが剥がれないことが確認された。また、接続材Ｃと中継層ＲＬとの間の電気的接続も良好であった。また、中継層ＲＬは、無機膜との間の密着力と、有機膜との間の密着力を同時に確保することができるので、図６に示すように、中継層ＲＬが無機膜及び有機膜に同時に接する構成に用いることができる。

なお、中継層ＲＬは、図示した例では、接続用孔Ｖ３の内面の全体に配置されているが、接続用孔Ｖ３の内面の一部に配置されていても良い。このとき、中継層ＲＬは、少なくとも接続材Ｃと第２基体２０との間には配置されていることが望ましい。

また、接続材と無機膜及び有機膜との間の密着性は、中継層ＲＬによって確保することができたが、一方、接続材と遮光材との間の密着性は、遮光材に用いられる樹脂材料の密着性によって確保することができる。

図７は、接続材及び中継層に用いられる金属材料が、安定な酸化物、安定な窒化物、及び、安定な炭化物を形成するかを検証するための図である。図中の丸印は、金属材料が安定な化合物を形成できる場合であり、図中の罰印は、金属材料が安定な化合物を形成できない場合である。

図示した例では、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕが接続材に用いられる金属材料である。Ａｇは、安定な酸化物を形成するが、安定な窒化物及び安定な炭化物を形成することができない。Ｃｕは、安定な酸化物を形成するが、安定な窒化物及び安定な炭化物を形成することができない。Ａｕは、安定な酸化物、安定な窒化物、及び、安定な炭化物の何れも形成することができない。すなわち、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕは、何れも安定な酸化物、安定な窒化物、及び、安定な炭化物を同時に形成することができない。したがって、接続材が有機膜及び無機膜に同時に接している場合、接続材の密着力を確保するのは困難である。

また、図示した例では、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａが中継層に用いられる金属材料である。Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａは、それぞれ、安定な酸化物、安定な窒化物、及び、安定な炭化物を同時に形成することができる。したがって、中継層が有機膜及び無機膜に同時に接していても中継層の密着力を確保することができる。

図８乃至図１０では、接続材と無機膜及び有機膜との間の密着性を中継層の有無によって検証する。ここでは、接続材と無機膜及び有機膜との間の密着性を、日本工業規格（ＪＩＳ Ｋ ５６００）で規定されるクロスカット法を用いて検証した。なお、図８乃至図１０においては、無機膜及び有機膜を総称して下地とする。

図８は、接続材として銀の微粒子を用いた場合の接続材と下地との間の密着性を検証した図である。ここで、図中の罰印は接続材が下地から略全て剥がれたときを示しており、図中の三角印は接続材が下地から一部剥がれたときを示しており、図中の丸印は接続材が下地から剥がれなかったときを示している。図示した例では、酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜が無機膜であり、アクリル膜、エポキシ膜、及び、ポリイミド膜が有機膜である。また、中継層に用いられる金属材料は、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａである。

図中の１行目（i）は、接続材と下地との間に中継層が配置されない場合を示しており、図中の２行目（ii）、３行目（iii）、４行目（iv）、５行目（v）は、接続材と下地との間にそれぞれＴｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａを含んだ中継層が配置される場合を示している。

１行目（i）に示すように、接続材と下地との間に中継層が形成されない場合には、接続材は、酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜からは一部剥がれ、アクリル膜、エポキシ膜、及び、ポリイミド膜からは全て剥がれた。一方、２乃至５行目に示すように、接続材と下地との間に中継層が形成される場合には、接続材は、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、アクリル膜、エポキシ膜、及び、ポリイミド膜から剥がれなかった。
したがって、接続材が銀を用いて形成されているときに、中継層を形成することで接続材と下地との間の密着性を確保することができることが分かった。

図９は、接続材として銅の微粒子を用いた場合の接続材と下地との間の密着性を検証した図である。
図８に示したのと同様に、接続材と下地との間に中継層が形成されない場合には、接続材は、無機膜からは一部剥がれ、有機膜からは全て剥がれた。一方、接続材と下地との間に中継層が形成される場合には、接続材は、無機膜及び有機膜から剥がれなかった。
したがって、接続材が銅を用いて形成されているときに、中継層を形成することで接続材と下地との間の密着性を確保することができることが分かった。

図１０は、接続材として金の微粒子を用いた場合の接続材と下地との間の密着性を検証した図である。
図８に示したのと同様に、接続材と下地との間に中継層が形成されない場合には、接続材は、無機膜からは一部剥がれ、有機膜からは全て剥がれた。一方、接続材と下地との間に中継層が形成される場合には、接続材は、無機膜及び有機膜から剥がれなかった。
したがって、接続材が金を用いて形成されているときに、中継層を形成することで接続材と下地との間の密着性を確保することができることが分かった。
図６乃至図１０に示したような実施例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

図１１は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図１１は、図２に示した構成と比較して、接続材Ｃが第２電極ＴＭ２３から離間している点で相違している。

図１１に示した例では、遮光材ＳＨは導電性を有している。また、遮光材ＳＨは、接続材Ｃ及び第２端子部ＴＭ２３に接している。そのため、接続材Ｃが第２電極ＴＭ２３から離間している場合にも、遮光材ＳＨによって、接続材Ｃ及び第２電極ＴＭ２３を電気的に接続することができる。なお、遮光材ＳＨが非導電性を有する場合には、図２に示したように、接続材Ｃは第２電極ＴＭ２３に接している。
図１１に示したような実施例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

図１２は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図１２は、図２に示した構成と比較して、遮光材ＳＨの代わりに接続材Ｃが接続用孔Ｖ３に充填されている点で相違している。また、接続用孔Ｖ３内の内面に中継層ＲＬが配置されている。

接続材Ｃは、第２電極ＥＬ２３及び中継層ＲＬを覆っている。図１２に示した例では、接続材Ｃは遮光性を有している。すなわち、接続材Ｃは、図２に示した接続材Ｃと同等の機能を有するとともに、図２に示した遮光材ＳＨとも同等の機能を有している。接続材Ｃは、上記したような金属材料を含む他に、カーボンを含んでいる。接続材Ｃがカーボンを含むことによって、接続材Ｃに遮光性を付与することができる。また、接続材Ｃは、例えば、カーボンとして導電性を有するグラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、グラッシーカーボンの少なくとも１つの材料を用いて形成される。このような接続材Ｃは、上記した遮光材ＳＨと同様に、ヤング率が７ＧＰａ以上であり、熱膨張係数が５０ｐｐｍ以下である。また、中継層ＲＬは、第２基体２０、有機絶縁膜ＯＩ、第１基体１０、第１電極ＴＭ１３、第２電極ＴＭ２３と、接続材Ｃとの間に配置されている。これより、−４０℃から８０℃の間の熱サイクル試験においても接続材Ｃが剥がれないことが確認された。また、接続材Ｃと中継層ＲＬとの間の電気的接続も良好であった。
図１２に示したような実施例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

図１３は、図１に示した孔Ｖ３の周辺の拡大図である。
表示パネルＰＮＬは、さらに、検査パッドＴＰＤ及びダミーパッドＤＭを有している。検査パッドＴＰＤは、第２電極ＴＭ２３と電気的に接続されている。ダミーパッドＤＭは、検査パッドＴＰＤの第２方向Ｙに並んで配置されている。第２端子部ＴＭ２３は、円環状に形成されている。接続用孔Ｖ３及び接続材Ｃは、第２端子部ＴＭ２３の内側に形成されている。遮光材ＳＨは、接続材Ｃ及び第２端子部ＴＭ２３と重なっている。
表示パネルＰＮＬの端部ＥＧは、第２方向Ｙに延出している。また、保護部材の端部ＰＴＥ及び偏光板の端部ＰＬＥは、第２方向Ｙに延出している。端部ＰＬＥは、端部ＥＧと遮光材ＳＨとの間に位置している。端部ＰＴＥは、端部ＰＬＥと検査パッドＴＰＤとの間に位置している。

図１４は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図１４は、図２に示した構成と比較して、偏光板ＰＬが孔（第２孔）ＶＤを有している点で相違している。
孔ＶＤは、偏光板ＰＬを貫通し、図示した例では、接着剤ＧＬ１も貫通している。孔ＶＤは、孔ＶＡとつながっている。遮光材ＳＨは、接続用孔Ｖ３に充填されるとともに、孔ＶＤ内にも位置している。また、遮光材ＳＨは、偏光板ＰＬの上面ＰＬＵに接している。

次に、上述した表示装置ＤＳＰの製造方法の一例について図１５乃至図１９を参照しながら説明する。

図１５及び図１６は、図６に示した表示装置ＤＳＰの製造工程を示す図である。
まず、図１５（ａ）に示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図示した表示パネルＰＮＬは、少なくとも第１基体１０及び第１端子部ＴＭ１３を備えた第１基板ＳＵＢ１と、少なくとも第２基体２０及び第２端子部ＴＭ２３を備えた第２基板ＳＵＢ２と、を備えている。この表示パネルＰＮＬにおいては、第２基体２０が第１端子部ＴＭ１３と対向し、且つ、第２基体２０が第１端子部ＴＭ１３から離間した状態で、第１基体１０と第２基体２０との間に有機絶縁膜ＯＩが位置している。

次に、図１５（ｂ）に示すように、保護部材ＰＴにレーザー光ＬＬを照射して、第２端子部ＴＭ２３の内側に位置する保護部材ＰＴを除去した後に、第２基板ＳＵＢ２にレーザー光ＬＬを照射して、接続用孔を形成する。レーザー光源としては、例えば炭酸ガスレーザー装置などが適用可能であるが、ガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであれば良く、エキシマレーザー装置なども適用可能である。

図１５（ｃ）は、レーザー光ＬＬを照射した後の表示パネルＰＮＬを示している。第２基板ＳＵＢ２にレーザー光ＬＬが照射されることにより、第２基体２０及び第２端子部ＴＭ２３を貫通する孔ＶＡが形成される。また、図示した例では、孔ＶＢ、孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣも同時に形成される。これにより、第１端子部ＴＭ１３と第２端子部ＴＭ２３とを接続するための接続用孔Ｖ３が形成される。また、レーザー光ＬＬが照射されたことにより、内面ＯＩＳは、内面２０Ｓ及びＬＳ１に対して後退している。つまり、孔ＶＢの径は、孔ＶＣの径より大きく形成され、第１端子部ＴＭ１３の上面が露出している。

次に、図１６（ａ）に示すように、中継層ＲＬを形成する。そして、孔ＶＡを通って第１端子部ＴＭ１３及び第２端子部ＴＭ２３を電気的に接続する接続材Ｃを形成する。より具体的には、まず、チャンバー内に表示パネルＰＮＬを設置した後に、チャンバー内の空気を排出し、真空中（大気圧より低い気圧の環境下）で孔ＶＡに接続材Ｃを注入する。このとき、接続材Ｃが孔ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣに達せず、接続用孔Ｖ３内に真空が残ることがある。チャンバー内に空気、不活性ガス等の気体を導入することで真空度を低下させ、真空と表示パネルＰＮＬの周囲との気圧差により、接続材Ｃが孔ＶＡから孔ＶＢ、ＶＣ、及び、凹部ＣＣに流れ込む。これにより接続材Ｃが第１端子部ＴＭ１３に接触する。接続材Ｃに含まれる溶剤を除去することにより、接続材Ｃの体積が減少し、中空部分ＨＬが形成される。

なお、上述の接続材Ｃの形成方法は一例にすぎず、これに限定されるものではない。例えば、大気圧下で孔ＶＡに接続材Ｃを注入した後に、接続材Ｃに含まれる溶剤を除去する手法であっても、上記と同様の接続材Ｃを形成することができる。また、例えば、中継層ＲＬは、接続材Ｃと略同様の方法で形成される。

続いて、図１６（ｂ）に示すように、遮光材ＳＨを形成する。図示した例では、遮光材ＳＨは、接続材Ｃの中空部分ＨＬに充填されている。また、遮光材ＳＨは、接続材Ｃ及び第２端子部ＴＭ２３を覆っている。遮光材ＳＨは、例えば、エポキシ樹脂を用いて形成され、熱によって硬化される。遮光材ＳＨの製造方法としては、例えば、フォトリソグラフィー、スクリーン印刷、オフセット印刷、ディスペンサを用いた塗布、グラビア印刷などが用いられる。なお、遮光材ＳＨの第３方向Ｚに沿った高さは、遮光材ＳＨを削るなどの方法によって調整しても良い。

図１７及び図１８は、図１４に示した表示装置ＤＳＰの製造工程を示す図である。
まず、図１７（ａ）に示すように、表示パネルＰＮＬを用意する。図１７（ａ）に示す表示パネルＰＮＬは、図１５（ａ）に示した表示パネルＰＮＬと同等である。

次に、図１７（ｂ）に示すように、偏光板ＰＬを接着材ＧＬ１によって第２基板ＳＵＢ２に貼付する。そして、偏光板ＰＬにレーザー光ＬＬ１を照射する。

図１７（ｃ）に示すように、偏光板ＰＬにレーザー光ＬＬ１が照射されたことにより、偏光板ＰＬを貫通する孔ＶＤが形成される。次に、接着剤ＧＬ１及び保護部材ＰＴにレーザー光ＬＬ２を照射して、第２端子部ＴＭ２３の内側に位置する接着剤ＧＬ１及び保護部材ＰＴを除去する。そして、第２基板ＳＵＢ２にレーザー光ＬＬ２を照射して、接続用孔を形成する。

図１８（ａ）は、レーザー光ＬＬ２を照射した後の表示パネルＰＮＬを示している。レーザー光ＬＬ２を照射することによって、孔ＶＤと重なる位置に孔ＶＡ、孔ＶＢ、孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣが形成される。

次に、図１８（ｂ）に示すように、中継層ＲＬ及び接続材Ｃを形成する。中継層ＲＬ及び接続材Ｃは、図１６（ａ）に示したのと同様の方法で形成される。

次に、図１８（ｃ）に示すように、遮光材ＳＨを形成する。遮光材ＳＨは、図１６（ｂ）に示したのと同様の方法で形成される。このとき、遮光材ＳＨは、孔ＶＤ内にも形成される。また、遮光材ＳＨは、偏光板ＰＬの上面ＰＬＵに接するように形成される。
図１７及び図１８に示したように、孔ＶＡを形成する前に、孔ＶＤが形成されていない状態の偏光板ＰＬを第２基板ＳＵＢ２に貼付しても良い。

図１９は、図１４に示した表示装置ＤＳＰの他の製造工程を示す図である。
まず、図１９（ａ）に示すように、表示パネルＰＮＬを用意し、孔ＶＤを有する偏光板ＰＬを接着材ＧＬ１によって第２基板ＳＵＢ２に貼付する。このとき、用意する表示パネルＰＮＬは、図１５（ａ）に示した表示パネルＰＮＬと同等である。

次に、図１９（ｂ）に示すように、接着剤ＧＬ１及び保護部材ＰＴにレーザー光ＬＬ２を照射して、第２端子部ＴＭ２３の内側に位置する接着剤ＧＬ１及び保護部材ＰＴを除去する。そして、第２基板ＳＵＢ２にレーザー光ＬＬ２を照射して、接続用孔を形成する。

図１９（ｃ）は、レーザー光ＬＬ２を照射した後の表示パネルＰＮＬを示している。レーザー光ＬＬ２を照射することによって、孔ＶＤと重なる位置に孔ＶＡ、孔ＶＢ、孔ＶＣ、及び、凹部ＣＣが形成される。その後、図１８（ｂ）及び図１８（ｃ）と同様に、中継層ＲＬ、接続材Ｃ、及び、遮光材ＳＨを形成する。
図１９に示したように、孔ＶＡを形成する前に、孔ＶＤが形成された偏光板ＰＬを第２基板ＳＵＢ２に貼付しても良い。

なお、図１７乃至図１９に示したように、偏光板ＰＬを第２基板ＳＵＢ２に貼付してから孔ＶＡを形成することによって、孔ＶＡ形成時に偏光板ＰＬの上面に付着する残渣を偏光板ＰＬの上面に貼られたシートと一緒に除去することができる。また、偏光板ＰＬをレーザー光に対する保護フィルムの代わりに用いることができる。

図２０は、孔Ｖ１乃至Ｖ４と遮光材ＳＨ１乃至ＳＨ４との位置関係を示す平面図である。ここで、孔Ｖ１乃至Ｖ４のそれぞれと重なって配置される遮光材ＳＨを遮光材ＳＨ１乃至ＳＨ４とする。
図２０に示した例では、遮光材ＳＨ１乃至ＳＨ４は導電性を有している。そのため、非表示領域ＮＤＡの一端側で、遮光材ＳＨ１及び遮光材ＳＨ３は互いに離間している。また、非表示領域ＮＤＡの他端側で、遮光材ＳＨ２及び遮光材ＳＨ４は、互いに離間している。
図２０に示したような実施例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

図２１は、孔Ｖ１乃至Ｖ４と遮光材ＳＨａ及びＳＨｂとの他の位置関係を示す平面図である。
図２１に示した例では、遮光材ＳＨａ及びＳＨｂは非導電性を有している。遮光材ＳＨａは、非表示領域ＮＤＡの一端側で第２方向Ｙに延出し、孔Ｖ１及びＶ３と重なっている。また、遮光材ＳＨｂは、非表示領域ＮＤＡの他端側で第２方向Ｙに延出し、孔Ｖ２及びＶ４と重なっている。このように遮光材ＳＨａ及びＳＨｂが非導電性を有しているため、１つの遮光材を２つ以上の孔に連続して配置することができる。
第２基板ＳＵＢ２は、第１方向Ｘに沿って延出した端部ＳＵＢ２ａ及び端部ＳＵＢ２ｂを有している。図示した例では、遮光材ＳＨａ及びＳＨｂは、端部ＳＵＢ２ａから端部ＳＵＢ２ｂまで連続して形成されているが、端部ＳＵＢ２ａと端部ＳＵＢ２ｂとの間で途切れていても良い。
図２１に示したような実施例においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

図２２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの基本構成及び等価回路を示す図である。
表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数の画素ＰＸを備えている。ここで、画素とは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、例えば、後述する走査線と信号線とが交差する位置に配置されたスイッチング素子を含む領域に存在する。複数の画素ＰＸは、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙにマトリクス状に配置されている。また、表示パネルＰＮＬは、表示領域ＤＡにおいて、複数本の走査線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、複数本の信号線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）、共通電極ＣＥなどを備えている。走査線Ｇは、各々第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに並んでいる。信号線Ｓは、各々第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに並んでいる。なお、走査線Ｇ及び信号線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。共通電極ＣＥは、複数の画素ＰＸに亘って配置されている。走査線Ｇ、信号線Ｓ、及び、共通電極ＣＥは、それぞれ非表示領域ＮＤＡに引き出されている。非表示領域ＮＤＡにおいて、走査線Ｇは走査線駆動回路ＧＤに接続され、信号線Ｓは信号線駆動回路ＳＤに接続され、共通電極ＣＥは共通電極駆動回路ＣＤに接続されている。信号線駆動回路ＳＤ、走査線駆動回路ＧＤ、及び、共通電極駆動回路ＣＤは、第１基板ＳＵＢ１上に形成されても良いし、これらの一部或いは全部が図１に示したＩＣチップＩ１に内蔵されていても良い。

各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、液晶層ＬＣ等を備えている。スイッチング素子ＳＷは、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成され、走査線Ｇ及び信号線Ｓと電気的に接続されている。より具体的には、スイッチング素子ＳＷは、ゲート電極ＷＧ、ソース電極ＷＳ、及び、ドレイン電極ＷＤを備えている。ゲート電極ＷＧは、走査線Ｇと電気的に接続されている。図示した例では、信号線Ｓと電気的に接続された電極をソース電極ＷＳと称し、画素電極ＰＥと電気的に接続された電極をドレイン電極ＷＤと称する。

走査線Ｇは、第１方向Ｘに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。信号線Ｓは、第２方向Ｙに並んだ画素ＰＸの各々におけるスイッチング素子ＳＷと接続されている。画素電極ＰＥの各々は、共通電極ＣＥと対向し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる電界によって液晶層ＬＣを駆動している。保持容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥと画素電極ＰＥとの間に形成される。

図２３は、センサＳＳの一構成例を示す平面図である。
図示した構成例では、センサＳＳは、センサ駆動電極Ｔｘ、及び、検出電極Ｒｘを備えている。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、右下がりの斜線で示した部分に相当し、第１基板ＳＵＢ１に設けられている。また、検出電極Ｒｘは、右上がりの斜線で示した部分に相当し、第２基板ＳＵＢ２に設けられている。センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、Ｘ−Ｙ平面において、互いに交差している。検出電極Ｒｘは、第３方向Ｚにおいて、センサ駆動電極Ｔｘと対向している。

センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘは、表示領域ＤＡに位置し、それらの一部が非表示領域ＮＤＡに延在している。図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出した帯状の形状を有し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、それぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいる。検出電極Ｒｘは、図１を参照して説明したように、第１基板ＳＵＢ１に設けられた第１端子部ＴＭ１に接続され、配線を介して検出回路ＲＣと電気的に接続されている。センサ駆動電極Ｔｘの各々は、配線ＷＲを介して共通電極駆動回路ＣＤと電気的に接続されている。なお、センサ駆動電極Ｔｘ及び検出電極Ｒｘの個数やサイズ、形状は特に限定されるものではなく種々変更可能である。

センサ駆動電極Ｔｘは、上記の共通電極ＣＥを含み、画素電極ＰＥとの間で電界を発生させる機能を有するとともに、検出電極Ｒｘとの間で容量を発生させることで被検出物の位置を検出するための機能を有している。

共通電極駆動回路ＣＤは、表示領域ＤＡに画像を表示する表示駆動時に、共通電極ＣＥを含むセンサ駆動電極Ｔｘに対してコモン駆動信号を供給する。また、共通電極駆動回路ＣＤは、センシングを行うセンシング駆動時に、センサ駆動電極Ｔｘに対してセンサ駆動信号を供給する。検出電極Ｒｘは、センサ駆動電極Ｔｘへのセンサ駆動信号の供給に伴って、センシングに必要なセンサ信号（つまり、センサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の電極間容量の変化に基づいた信号）を出力する。検出電極Ｒｘから出力されたセンサ信号は、図１に示した検出回路ＲＣに入力される。

なお、上記した各構成例におけるセンサＳＳは、一対の電極間の静電容量（上記の例ではセンサ駆動電極Ｔｘと検出電極Ｒｘとの間の静電容量）の変化に基づいて被検出物を検出する相互容量方式に限らず、検出電極Ｒｘの静電容量の変化に基づいて被検出物を検出する自己容量方式であっても良い。

また、図示した例では、センサ駆動電極Ｔｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいたが、センサ駆動電極Ｔｘがそれぞれ第１方向Ｘに延出し、第２方向Ｙに間隔を置いて並んでいても良い。また、このとき、検出電極Ｒｘは、それぞれ第２方向Ｙに延出し、第１方向Ｘに間隔を置いて並んでいる。

図２４は、図１に示した表示パネルＰＮＬの表示領域ＤＡの構造を示す断面図である。ここでは、表示装置ＤＳＰを第１方向Ｘに沿って切断した断面図を示す。

図示した表示パネルＰＮＬは、主として基板主面にほぼ平行な横電界を利用する表示モードに対応した構成を有している。なお、表示パネルＰＮＬは、基板主面に対して垂直な縦電界や、基板主面に対して斜め方向の電界、或いは、それらを組み合わせて利用する表示モードに対応した構成を有していても良い。横電界を利用する表示モードでは、例えば第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２のいずれか一方に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が備えられた構成が適用可能である。縦電界や斜め電界を利用する表示モードでは、例えば、第１基板ＳＵＢ１に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか一方が備えられ、第２基板ＳＵＢ２に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥのいずれか他方が備えられた構成が適用可能である。なお、ここでの基板主面とは、Ｘ−Ｙ平面と平行な面である。

第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０、信号線Ｓ、共通電極ＣＥ、金属層Ｍ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。なお、ここでは、スイッチング素子や走査線、これらの間に介在する各種絶縁膜等の図示を省略している。

第１絶縁膜１１は、第１基体１０の主面１０Ａに位置している。図示しない走査線やスイッチング素子の半導体層は、第１基体１０と第１絶縁膜１１の間に位置している。信号線Ｓは、第１絶縁膜１１の上に位置している。第２絶縁膜１２は、信号線Ｓ、及び、第１絶縁膜１１の上に位置している。共通電極ＣＥは、第２絶縁膜１２の上に位置している。金属層Ｍは、信号線Ｓの直上において共通電極ＣＥに接触している。図示した例では、金属層Ｍは、共通電極ＣＥの上に位置しているが、共通電極ＣＥと第２絶縁膜１２との間に位置していても良い。第３絶縁膜１３は、共通電極ＣＥ、及び、金属層Ｍの上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３の上に位置している。画素電極ＰＥは、第３絶縁膜１３を介して共通電極ＣＥと対向している。また、画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥと対向する位置にスリットＳＬを有している。第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥ及び第３絶縁膜１３を覆っている。

なお、第１基板ＳＵＢ１の構成は、図示した例に限らず、画素電極ＰＥが第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に位置し、共通電極ＣＥが第３絶縁膜１３と第１配向膜ＡＬ１との間に位置していても良い。このような場合、画素電極ＰＥはスリットを有していない平板状に形成され、共通電極ＣＥは画素電極ＰＥと対向するスリットを有する。また、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方が櫛歯状に形成され、互いに噛み合うように配置されていても良い。

第２基板ＳＵＢ２は、第２基体２０、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。

遮光層ＢＭ及びカラーフィルタＣＦは、第２基体２０の主面２０Ａに位置している。遮光層ＢＭは、各画素を区画し、信号線Ｓの直上に位置している。カラーフィルタＣＦは、画素電極ＰＥと対向し、その一部が遮光層ＢＭに重なっている。カラーフィルタＣＦは、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタなどを含む。オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。

なお、カラーフィルタＣＦは、第１基板ＳＵＢ１に配置されても良い。カラーフィルタＣＦは、４色以上のカラーフィルタを含んでいても良い。白色を表示する画素には、白色のカラーフィルタが配置されても良いし、無着色の樹脂材料が配置されても良いし、カラーフィルタを配置せずにオーバーコート層ＯＣを配置しても良い。

検出電極Ｒｘは、第２基体２０の主面２０Ｂに位置している。検出電極Ｒｘは、金属を含む導電層、ＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電材料によって形成されていても良いし、金属を含む導電層の上に透明導電層が積層されていても良いし、導電性の有機材料や、微細な導電性物質の分散体などによって形成されていても良い。

偏光板ＰＬ１を含む光学素子ＯＤ１は、第１基体１０と照明装置ＢＬとの間に位置している。偏光板ＰＬ２を含む光学素子ＯＤ２は、検出電極Ｒｘの上に位置している。光学素子ＯＤ１及び光学素子ＯＤ２は、必要に応じて位相差板を含んでいても良い。なお、偏光板ＰＬ２は、図２及び図１４に示した偏光板ＰＬと同等である。

走査線、信号線Ｓ、及び、金属層Ｍは、モリブデン、タングステン、チタン、アルミニウムなどの金属材料によって形成され、単層構造であっても良いし、多層構造であっても良い。共通電極ＣＥ及び画素電極ＰＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。第１絶縁膜１１及び第３絶縁膜１３は無機絶縁膜であり、第２絶縁膜１２は有機絶縁膜である。

図２５は、本実施形態に係る表示装置ＤＳＰの実施例を示す断面図である。図２５は、上記実施形態の接続材Ｃの構成を配線Ｗに応用した例を示している。
図示した例では、第１基板ＳＵＢ１は、第１基体１０と、無機絶縁膜１１１と、有機絶縁膜１１２と、中継層ＲＬと、配線Ｗと、遮光材ＳＨと、を備えている。

無機絶縁膜１１１は、第１基体１０の上に配置されている。有機絶縁膜１１２は、無機絶縁膜１１１の上に配置されている。第１基板ＳＵＢ１は、無機絶縁膜１１１及び有機絶縁膜１１２を貫通する溝ＤＴを有している。中継層ＲＬは、溝ＤＴの内面に配置されている。配線Ｗは、溝ＤＴ内に充填されている。配線Ｗは、例えば、図２に示した接続材Ｃと同一の材料を用いて形成される。

遮光材ＳＨは、配線Ｗ及び中継層ＲＬを覆っている。そのため、配線Ｗ及び中継層ＲＬの反射が視認されるのを抑制することができる。また、遮光材ＳＨによって、配線Ｗが酸化するのを抑制することが可能である。

中継層ＲＬは、配線Ｗと無機絶縁膜１１１及び有機絶縁膜１１２との間に位置している。そのため、配線Ｗと無機絶縁膜１１１との間の密着力、及び、配線Ｗと有機絶縁膜１１２との間の密着力を同時に維持することができる。また、中継層ＲＬによって、−４０℃から８０℃の間の熱サイクル試験においても配線Ｗが剥がれないことが確認された。したがって、配線Ｗにクラックが生じて配線Ｗの抵抗が上昇するのを抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態によれば、狭額縁化及び低コスト化が可能な表示装置を得ることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
（１）第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、
を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、

前記接続材を覆う遮光材と、を備える、表示装置である。
（２）前記遮光材は導電性を有する、（１）に記載の表示装置である。
（３）前記遮光材は非導電性を有する、（１）に記載の表示装置である。
（４）前記遮光材はカーボン、酸化チタン、酸化鉄、銅とクロムの複合酸化物の何れか１つを含む、（３）に記載の表示装置である。
（５）前記遮光材は、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、グラッシーカーボンの少なくとも１つの材料を含む、（２）に記載の表示装置である。
（６）さらに、前記第２基板と対向する偏光板を備え、
前記偏光板は、前記第１孔とつながった第２孔を有し、
前記遮光材は、前記第２孔に位置する、（１）に記載の表示装置である。
（７）さらに、前記接続材と前記第２基体との間に位置する中継層を備え、
前記中継層は遷移金属を含む、（１）に記載の表示装置である
。
（８）さらに、前記第１基体と前記第２基体との間に位置する有機絶縁膜を備え、
前記有機絶縁膜を貫通し前記第１孔とつながった第３孔を有し、
前記接続材は、前記第３孔を通り、
前記中継層は、前記第３孔において前記接続材と前記有機絶縁膜との間に位置する、（
７）に記載の表示装置である。
（９）前記遷移金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａのうちの少なくとも１つである、（
７）に記載の表示装置である。

（１０）第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、
を備え、
前記接続材は、前記第１孔に充填され、遮光性を有する、表示装置である。
（１１）前記接続材は、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、グラッシーカーボンの少なくとも１つの材料を含む、（１０）に記載の表示装置である。
（１２）さらに、前記接続材と前記第２基体との間に位置する中継層を備え、
前記中継層は遷移金属を含む、（１０）に記載の表示装置である。
（１３）さらに、前記第１基体と前記第２基体との間に位置する有機絶縁膜を備え、
前記有機絶縁膜を貫通し前記第１孔とつながった第３孔を有し、
前記接続材は、前記第３孔を通り、
前記中継層は、前記第３孔において前記接続材と前記有機絶縁膜との間に位置する、（
１２）に記載の表示装置である。
（１４）前記遷移金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａのうちの少なくとも１つである、（１２）に記載の表示装置である。
（１５）第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、
を備える第２基板と、を備えた表示装置の製造方法であって、
前記第２基板に第１レーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、
前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材を形成し、
前記接続材を覆う遮光材を形成する、表示装置の製造方法である。
（１６）前記第１孔を形成する前に、偏光板を前記第２基板に貼付し、
前記偏光板に第２レーザーを照射して前記偏光板を貫通する第２孔を形成し、
前記第１レーザー光を照射して前記第２孔と重なる位置に前記第１孔を形成する、（１
５）に記載の表示装置の製造方法である。
（１７）第２孔を有する偏光板を前記第２基板に貼付した後に、前記第１レーザー光を照射して前記第２孔と重なる位置に前記第１孔を形成する、（１５）に記載の表示装置の製造方法である。

Claims (17)

1. 第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
   前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、
   を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
   前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、
   前記接続材を覆う遮光材と、を備える、表示装置。
2. 前記遮光材は導電性を有する、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記遮光材は非導電性を有する、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記遮光材はカーボン、酸化チタン、酸化鉄、銅とクロムの複合酸化物の何れか１つを含む、請求項３に記載の表示装置。
5. 前記遮光材は、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、グラッシーカーボンの少なくとも１つの材料を含む、請求項２に記載の表示装置。
6. さらに、前記第２基板と対向する偏光板を備え、
   前記偏光板は、前記第１孔とつながった第２孔を有し、
   前記遮光材は、前記第２孔に位置する、請求項１に記載の表示装置。
7. さらに、前記接続材と前記第２基体との間に位置する中継層を備え、
   前記中継層は遷移金属を含む、請求項１に記載の表示装置。
8. さらに、前記第１基体と前記第２基体との間に位置する有機絶縁膜を備え、
   前記有機絶縁膜を貫通し前記第１孔とつながった第３孔を有し、
   前記接続材は、前記第３孔を通り、
   前記中継層は、前記第３孔において前記接続材と前記有機絶縁膜との間に位置する、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記遷移金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａのうちの少なくとも１つである、請求項７に記載の表示装置。
10. 第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
    前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、
    を備え、前記第２基体を貫通する第１孔を有する第２基板と、
    前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材と、
    を備え、
    前記接続材は、前記第１孔に充填され、遮光性を有する、表示装置。
11. 前記接続材は、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノバッド、カーボンブラック、グラッシーカーボンの少なくとも１つの材料を含む、請求項１０に記載の表示装置。
12. さらに、前記接続材と前記第２基体との間に位置する中継層を備え、
    前記中継層は遷移金属を含む、請求項１０に記載の表示装置。
13. さらに、前記第１基体と前記第２基体との間に位置する有機絶縁膜を備え、
    前記有機絶縁膜を貫通し前記第１孔とつながった第３孔を有し、
    前記接続材は、前記第３孔を通り、
    前記中継層は、前記第３孔において前記接続材と前記有機絶縁膜との間に位置する、請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記遷移金属は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａのうちの少なくとも１つである、請求項１２に記載の表示装置。
15. 第１基体と、第１端子部と、を備えた第１基板と、
    前記第１端子部と対向し且つ前記第１端子部から離間した第２基体と、第２端子部と、
    を備える第２基板と、を備えた表示装置の製造方法であって、
    前記第２基板に第１レーザー光を照射して前記第２基体を貫通する第１孔を形成し、
    前記第１孔を通って前記第１端子部及び前記第２端子部を電気的に接続する接続材を形成し、
    前記接続材を覆う遮光材を形成する、表示装置の製造方法。
16. 前記第１孔を形成する前に、偏光板を前記第２基板に貼付し、
    前記偏光板に第２レーザーを照射して前記偏光板を貫通する第２孔を形成し、
    前記第１レーザー光を照射して前記第２孔と重なる位置に前記第１孔を形成する、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
17. 第２孔を有する偏光板を前記第２基板に貼付した後に、前記第１レーザー光を照射して前記第２孔と重なる位置に前記第１孔を形成する、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。

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