CN111552130A - 调光膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种调光膜及其制备方法，所述调光膜包括两层透明导电电极，所述透明导电电极包括：透明的基板，所述基板包括调光区、走线区；位于所述基板上的工作电极，所述工作电极由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成，位于所述走线区的工作电极上具有露出所述工作电极的剖面的搭接槽；保护层，位于所述工作电极背离所述基板的一侧，所述保护层上具有与所述搭接槽相连通的导电通道；电连接件，位于所述搭接槽与所述导电通道内，所述电连接件为固化的导电浆料；位于所述保护层背离所述工作电极的一侧的导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与所述工作电极电性连接；其中，所述PDLC膜位于两层透明导电电极的保护层之间。
Description
技术领域
本发明涉及调光膜领域，尤其涉及一种调光膜及其制备方法。
背景技术
纳米银线等金属纳米材料构成的导电膜是制作纳米银线大尺寸触摸屏、可调光膜、柔性触摸屏等电子产品的基础性材料。
以纳米银线导电膜为例，其基本结构包含基材、纳米银线工作电极和保护层，保护层的主要作用是，提高纳米银线层的结构强度，避免刮伤，并阻隔外界的腐蚀性物质，提高纳米银线材料的稳定性。但现有应用中，纳米银线层的电信号引出是通过从纳米银线工作电极的正上方，通过银浆印刷后形成接触导电，因此需要强调纳米银线的表面导电性，且要求银浆的接触电阻约为1平方毫米的面积的接触电阻小于100欧姆。
常规实现的方法有两种，一种是保护层足够薄，纳米银线形成的导电网格有露出于保护层的点，印刷银浆后，银浆中的导电填料颗粒可与纳米银线直接接触；另外一种是丝印银浆后，银浆中的溶剂溶解破坏表面保护层后，银浆中的导电填料颗粒和纳米银线近距离接触导电，此处接触包含直接接触和量子隧穿型接触，即在两个导电粒子距离在纳米级时，电子可在两个导体间跃迁导电。
以上两种方式的导通都限制了纳米银线表面保护层的厚度，使其难以形成真正有效的保护。尤其是将其应用于可调光膜时，纳米银线需要与聚合物分散液晶(PDLC)近距离接触，对其稳定性要求高，目前工艺无法实现达到该要求。
有鉴于此，有必要提供一种调光膜及其制备方法，以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种调光膜及其制备方法。
为了实现上述发明目的，本发明采用如下技术方案：
一种调光膜，包括两层透明导电电极、位于两层透明导电电极之间的PDLC膜；所述透明导电电极包括：
透明的基板，所述基板包括调光区、位于所述调光区外周侧的走线区；
位于所述基板上的工作电极，所述工作电极由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成，位于所述走线区的工作电极上具有露出所述工作电极的剖面的搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述工作电极；
保护层，位于所述工作电极背离所述基板的一侧，所述保护层上具有与所述搭接槽相连通的导电通道；
电连接件，位于所述搭接槽与所述导电通道内，所述电连接件为固化的导电浆料；
位于所述保护层背离所述工作电极的一侧的导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与所述工作电极电性连接；
其中，所述PDLC膜位于两层透明导电电极的保护层之间，或所述PDLC膜位于两层透明导电电极的基板之间；或所述PDLC膜位于一层透明导电电极的保护层与另一透明导电电极的基板之间。
进一步地，所述纳米金属线为直径5nm～100nm、长度介于15μm～25μm的纳米银线。
进一步地，所述保护层的厚度不小于10nm。
进一步地，所述搭接槽为一个槽或所述搭接槽包括几个独立的子槽；和/或，所述导电通道为一个通道或所述导电通道包括几个独立的子通道。
进一步地，所述工作电极包括图案化的子工作电极，位于所述走线区的所述子工作电极上具有露出所述子工作电极的剖面的搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述子工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述子工作电极；所述保护层上具有与所述搭接槽一一对应连通的导电通道；且所述透明导电电极还包括位于一一对应连通的导电通道与搭接槽内的电连接件、与所述电连接件一一对应的电性连接导电电极。
为实现上述发明目的，本发明还采用如下技术方案：
一种调光膜的制备方法，包括如下步骤：
S1制备透明导电电极,包括如下步骤：
S1.1在基板上形成工作电极，所述工作电极由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成；
S1.2在位于所述基板的走线区的所述工作电极上开设搭接槽露出所述工作电极的剖面，所述搭接槽的深度不小于所述工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述工作电极；
S1.3在所述工作电极背离所述基板的一侧形成保护层；
S1.4在位于所述基板的走线区的所述保护层上开设导电通道；
S1.5向所述导电通道与所述搭接槽内填充导电浆料，固化所述导电浆料形成电连接件；
S1.6在所述保护层背离所述工作电极的一侧布设导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与所述工作电极电性连接；
S2将PDLC膜复合于两层透明导电电极的保护层之间，或将所述PDLC膜复合于两层透明导电电极的基板之间；或将所述PDLC膜复合于一层透明导电电极的保护层与另一透明导电电极的基板之间。
进一步地，所述纳米金属线为直径5nm～100nm、长度介于15μm～25μm的纳米银线。
进一步地，所述保护层的厚度不低于10nm。
进一步地，在形成所述工作电极后，同时形成所述导电通道与所述搭接槽；或，所述搭接槽与所述导电通道分别独立形成。
进一步地，形成所述搭接槽过程中温度不高于300℃；
和/或，形成所述导电通道过程中温度不高于300℃。
进一步地，形成所述搭接槽的方法包括机械性破坏、超声波、等离子体剥蚀、冲击波、预留孔、化学蚀刻，所述机械性破坏包括划伤、撕裂、刮、钻、切、磨、振动。
进一步地，S1.1中形成的所述工作电极包括图案化的子工作电极；步骤S1.2为在位于所述基板的走线区的所述子工作电极上开设搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述子工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述子工作电极；步骤S1.4为在位于所述基板的走线区的所述保护层上开设导电通道，所述导电通道与所述搭接槽一一对应连通；步骤S1.5为向一一对应连通的所述导电通道与所述搭接槽内填充导电浆料，固化所述导电浆料形成电连接件；步骤S1.6为在所述保护层背离所述子工作电极的一侧布设若干导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与对应的子工作电极电性连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明调光膜所用的透明导电电极，通过在工作电极上开设搭接槽向外露出工作电极的剖面，该剖面通过电连接件与导电电极实现电性接触，改变了以往的表面电性连接的方式，不但可以采用表面绝缘或接触电阻较大的纳米金属线等透明导电材料制作工作电极，还可以加大所述保护层的厚度，获得稳定的透明导电电极。
附图说明
图1是基板、工作电极与保护层的结构示意图；
图2是在图1的保护层上丝印多个银浆块后的示意图；
图3是在图1的保护层上先形成多个破坏点再丝印银浆块后的示意图；
图4是在图1的基础上形成一个导电通道和搭接槽后的示意图；
图5是向图4的导电通道和搭接槽内添加导电浆料的示意图；
图6是向图5的保护层上布设导电电极后形成的透明导电极的示意图；
图7是本发明一较佳实施例中的调光膜的示意图。
100-透明导电电极，1-基板，2-工作电极，21-搭接槽，3-保护层，31-导电通道，4-电连接件，5-导电电极，6-银浆块，7-破坏点，8-PDLC膜，200-调光膜。
具体实施方式
以下将结合附图所示的具体实施方式对本申请进行详细描述。但这些实施方式并不限制本申请，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本申请的保护范围内。
在本申请的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本申请的主题的基本结构。
请参阅图1、图4～图6所示，本发明的透明导电电极，其包括基板1、位于所述基板1上的工作电极2、位于所述工作电极2背离所述基板1的一侧的保护层3、位于所述保护层3背离所述工作电极2的一侧的导电电极5。
所述基板可以是制作工艺用到的基材或于基材上涂布的树脂层等，所述基板是透明的，包括但不限于玻璃、塑料板、透明薄膜，所述透明薄膜包括但不限于PET薄膜等。所述基板位于所述调光膜的最外层，对其他膜层起到保护作用。
另外，所述基板包括调光区、位于所述调光区外周侧的走线区。
所述工作电极2由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成的，厚度一般在30nm～100nm。其中，所述纳米金属线、所述或纳米金属棒可以溶液的形式涂覆于所述基板1的表面形成连续的导电膜层，优选地，所述纳米金属线为直径5nm～100nm、长度介于15μm～25μm的纳米银线，具有较高的导电性，且透明度高。或，所述工作电极2为通过磁控溅射、真空蒸镀等方式形成的纳米金属膜，其也具有可靠的导电性。
位于所述走线区的工作电极2上具有露出所述工作电极2的剖面的搭接槽，所述搭接槽21背向所述基板1开放，所述剖面形成所述搭接槽21的至少部分槽壁。
所述剖面自所述工作电极2背离所述基板1的一侧向所述基板1所在侧延伸，且所述剖面在垂直于所述工作电极2的面上的投影为直线、弧线或其他不规则线，只要能让纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜自所述剖面处暴露或凸伸入所述搭接槽21内即可。
进一步地，所述搭接槽21的深度不小于所述工作电极的厚度的三分之二以形成有效的导电面；优选地，所述搭接槽21沿厚度方向贯穿所述工作电极，剖面面积较大，能与导电电极5形成有效且稳定的电性连接增强导电性。
另，所述搭接槽21可以为一个槽，或，所述搭接槽21包括几个独立的子槽。
所述搭接槽21位于所述工作电极2的中间位置处，为内部槽，从透明导电电极的俯视图来看，通常为一个封闭的图形，例如圆形；或所述搭接槽21开设于所述工作电极2的边缘处，为边缘槽，从透明导电电极的俯视图来看，通常为开放的图形，例如半圆弧。
所述保护层通常为透明树脂层，能够提高所述工作电极2的结构强度、阻隔外界的腐蚀性物质、提高纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜的稳定性，同时在应用于其他电池产品时用以对所述工作电极2与其他膜层实现绝缘。在所述保护层背离所述工作电极2的一侧使用涡流方阻仪测得的方阻在0.1ohm/sq～500ohm/sq，使用四探针方阻仪无法测得电阻，说明所述保护层本身不具有导电性。
所述保护层3上具有与所述搭接槽21相连通的导电通道31，优选地，所述导电通道31与所述搭接槽21位于同一直线上，便于同步形成，也便于填充导电填料。
另，所述导电通道31为一个通道，或，所述导电通道31包括几个独立的子通道。任意形式的所述搭接槽21可以与任意形式的导电通道31连通；优选地，所述搭接槽21为一个槽时，所述导电通道31为一个通道；所述搭接槽21由几个子槽构成时，所述导电通道31由几个子通道构成，且所述子通道与所述子槽一一对应。
向所述导电通道31与所述搭接槽21内填充导电浆料并将其固化形成电连接件，所述电连接件4与形成暴露于所述搭接槽21的所述工作电极2的剖面直接接触并实现电性连接，以将所述工作电极2的剖面的电信号引出至所述保护层3背离所述工作电极2的一侧；改变了以往的表面电性连接的方式，不但可以采用表面绝缘或接触电阻较大的纳米金属线等透明导电材料制作工作电极，还可以加大所述保护层3的厚度，例如，所述保护层3的厚度不低于10nm，优选地，所述保护层的厚度不小于1μm，获得稳定的透明导电电极。
所述电连接件4与所述剖面的导电机理包括：部分所述纳米金属线或纳米金属棒的端部从所述剖面上伸出至所述搭接槽21内，与所述电连接件4实现电性连接；或形成所述搭接槽21后，包括纳米金属线或纳米金属棒等在内的金属纳米材料构成的导电膜层或所述纳米金属膜于所述搭接槽21处外翻形成微米级的导电面，与所述电连接件4实现电性连接；或所述导电浆料填入所述搭接槽21后，在所述剖面处有更好的侧面入侵性，使得所述电连接件4与所述工作电极2实现电性连接。
所述导电浆料包括但不限于导电炭浆、导电银浆。所述导电电极为铜箔电极。
如图7所示，为本发明的调光膜200，包括两层上述任意一种透明导电电极、位于两层透明导电电极之间的PDLC膜8，所述PDLC膜位于两层透明导电电极的保护层之间，也即两层所述透明导电电极的保护层3面对面地设置，且该两个保护层3分别位于所述PDLC膜8相对的两侧。另，所述PDLC膜还可以位于两层透明导电电极的基板之间；或所述PDLC膜还可以位于一层透明导电电极的保护层与另一透明导电电极的基板之间。
两层透明导电电极连接于低压交流电源后，通过电场控制PDLC膜8中的液晶的排列状态，使液晶的折射率变化，从而使得所述调光膜200的透光率发生变化，在透光和散光状态之间切换。
所述PDLC膜8采用现有技术，且所述PDLC膜8与所述基板的调光区相对应，露出所述走线区，优选地，两层透明导电电极的导电电极2位于所述PDLC膜8的不同侧，优选相对地两侧，便于布设引线及与电源的连接。
进一步地，基于上述任意一种调光膜200，所述工作电极包括图案化的子工作电极，位于所述走线区的所述子工作电极上具有露出所述子工作电极的剖面的搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述子工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述子工作电极；所述保护层上具有与所述搭接槽一一对应连通的导电通道；且所述透明导电电极还包括位于一一对应连通的导电通道与搭接槽内的电连接件、与所述电连接件一一对应的电性连接导电电极。每个所述工作电极单独与导电电极连接，能够调节图案化的部分区域的透光度，进而呈现出字样、花纹等。所述工作电极与导电电极的连接方式与连续的工作电极与导电电极的连接方式相同，于此不再赘述。
本发明还提供一种调光膜200的制备方法，包括如下步骤：
S1制备透明导电电极,包括如下步骤：S1.1在基板1上形成工作电极2，所述工作电极2由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成；S1.2在位于所述基板1的走线区的所述工作电极2上开设搭接槽21露出所述工作电极1的剖面，所述搭接槽21的深度不小于所述工作电极2的厚度的三分之二，或所述搭接槽21沿厚度方向贯穿所述工作电极2；S1.3在所述工作电极2背离所述基板1的一侧形成保护层3；S1.4在位于所述基板1的走线区的所述保护层3上开设导电通道31；S1.5向所述导电通道31与所述搭接槽21内填充导电浆料，固化所述导电浆料形成电连接件4；S1.6在所述保护层3背离所述工作电极2的一侧布设导电电极5，所述导电电极5通过所述电连接件4与所述工作电极3电性连接；
S2将PDLC膜8复合与两层所述透明导电电极的保护层3之间,或将所述PDLC膜8复合于两层透明导电电极的基板1之间；或将所述PDLC膜8复合于一层透明导电电极的保护层3与另一透明导电电极的基板1之间。
其中，S1.1～S1.6仅仅是为了描述方便，并非强调步骤的先后顺序。例如，根据选用的具体工艺不同，步骤S1.1与S1.2的顺序关系为：可以在形成所述工作电极的同时形成所述搭接槽21，也可以在形成所述工作电极后再形成所述搭接槽；步骤S1.3与步骤S1.4的顺序关系为：可以在形成所述保护层3的同时形成所述导电通道31，也可以在形成所述保护层3后再形成所述导电通道31；步骤S1.2与步骤S1.4可以单独实施，也可以在步骤S1.3后同步实施。
并且，该方法中重点描述工艺及其步骤顺序，所用到的所述基板1、所述工作电极2、所述搭接槽21、所述保护层3、所述导电通道31、所述电连接件4、所述导电电极5的位置、形态、构成等与上述透明导电膜100中的描述相同，不再一一赘述。
具体地，步骤S1.1采用纳米金属线或纳米金属棒材料在基板1上涂布一层导电膜，涂布工艺包括但不限于采用高精度狭缝挤出涂布设备，用到的纳米金属线或纳米金属棒材料通常为溶液。
一优选的实施例中，所述纳米金属线为直径为5nm～100nm、长度介于15μm～25μm的纳米银线，各种工艺涂布的湿膜的厚度介于2μm～10微米，以保证连续的稳定的导电性能。
或，步骤S1.1也可以采用磁控溅射或真空蒸镀的方式，借助掩膜版直接形成图案化的纳米金属膜，构成所述工作电极2；或采用磁控溅射或真空蒸镀的方式先在所述基板1上形成纳米金属膜，再蚀刻形成图案化的所述工作电极2。
本发明中，所述搭接槽21与所述导电通道31可分别独立形成。
优选地，在形成所述工作电极2后，同时形成所述导电通道31与所述搭接槽21；工艺简介，且使得所述导电通道31与所述搭接槽21对位连通，便于后续灌入导电浆料。此处同时形成的意思是采用相同的工艺一步完成。
进一步地，发明人在研究中发现，所述工作电极2的为纳米级别，不得当的开槽工艺会导致剖面不导电，经过多方思考和改进后，形成所述搭接槽21过程中温度不高于300℃，和/或，形成所述导电通道31过程中温度不高于300℃，以免因为热效应造成所述工作电极2的剖面不导电的现象。优选地，不高于180℃，可保证所述纳米金属线或所述纳米金属棒不会断裂，保证导电稳定性。
形成所述导电通道31和/或所述搭接槽21的方法包括机械性破坏、超声波、激光刻蚀、等离子体剥蚀、冲击波、预留孔、化学蚀刻，所述机械性破坏包括划伤、刮、钻、切、磨、振动，所述激光刻蚀工艺优选飞秒激光，以保证所述剖面的导电性。
步骤S1.6中，将铜箔电极贴合于在所述电连接件4处，并通过所述电连接件与所述工作电极2实现电性连接。
以下将通过详细的实施例对本发明的透明导电电极及其制备方法进行说明。
对比实施例1
在透明PET薄膜表面，使用高精度狭缝挤出涂布设备涂布含有纳米银线的涂布液，涂布液中纳米银线的直径约为5nm～100nm，长度15μm～25um，固含量为0.5％；涂布后的湿膜厚度2μm～10um，形成含纳米银线的金属网格层，烘干后方阻为50ohm/sq，可见光透过率不低于85％。
使用高精度狭缝挤出涂布设备涂布透明UV固化树脂溶液以制备保护层3，涂层厚度1um，此时四探针方阻仪无法测得电阻，使用涡流方阻仪可测得电阻为50ohm/sq。
如图3所示，在保护层3上丝网印刷导电银浆，形成厚度约为5μm～10um、大小为2mm*2mm的银浆块6，银浆块6各个边与相邻银浆块6的间隔均为5mm，烘干固化后，测量各银浆块6间的电阻，显示为断路，各个银浆块6之间不导电。
实施例1，与对比实施例1的区别在于：
如图4所示，形成保护层3后，在设定的丝印银浆区内，使用钨针冲击破坏所述保护层3与所述金属网格层，形成深度约1μm～50um、直径为0.2mm的多个破坏点7，多个破坏点7均匀分布于搭接区内，如图4所示，本实施例中形成10个破坏点7。并且，每个破坏点7均在所述保护层3上形成一所述个子通道和一个所述子槽，且根据破坏点7的深度，所述子槽破坏了靠近保护层3的一部分金属网格层，或所述子槽贯穿所述金属网格层。
在设定的丝印银浆区内丝网印刷导电银浆，形成厚度为5μm～10um、大小为1mm*1mm的银浆块6，银浆块6各个边与相邻银浆块6的间隔均为2mm，由于银浆的粘附性和流动性，银浆填入所述导电通道31与所述搭接槽21内。
烘干固化后，测量各个银浆块6之间的电阻，测量值小于50欧姆，说明银浆块6与纳米银线形成的金属网格层形成了导通。
将对比例1和实施例1进行比较可知，在纳米银线导电膜上开设搭接槽21后，其剖面具有导电性能，流入所述搭接槽21内的银浆与金属网格层的剖面能够实现有效的电性连接。
步骤S2与步骤S1.1～S1.6的顺序关系包括但不限于：可以先通过步骤S1.1～步骤S1.6制备出完整的透明导电电极，再将透明导电电极的保护层3复合于PDLC膜8的一侧，复合方法可采用光学透明胶粘合；也可以在制备透明导电电极的步骤S1.3～步骤S1.6的任意步骤后，在所述保护层3上形成所述PDLC膜8；并且两个透明导电电极与PDLC膜8的复合方式均可以选用前述两种方法。
一参考实施例中，调光膜200的制备方法包括如下步骤：1)在PET薄膜上，依次涂布含纳米银线的涂布液、透明UV固化树脂形成工作电极2、保护层3，制作两个透明导电电极；在一个所述透明导电电极的所述保护层上涂布聚合物分散液晶涂布液，形成PDLC层；在所述PDLC层上复合另一个透明导电电极；2)模切成指定形状，并预留处导电电极引出位置，此处的电极引出位置与上文中基板的走线区一致；3)用溶剂擦拭除去电极引出位置的PDLC膜8；4)使用砂纸对电极引出位置轻微打磨，形成纳米金属线层或纳米金属棒层、或纳米金属膜的微观剖面；5)在打磨区刷涂导电浆料，导电浆料流动至与所述微观剖面接触，烘干固化所述导电浆料；6)在导电浆料层表面贴合导电铜箔电极，即形成所述调光膜200；对调光膜200进行外部封装，并将铜箔电极接入低压交流电源即得调光液晶屏。
进一步地，为了能够获得具有图案化的子工作电极步骤S1.1采用纳米金属线或纳米金属棒等纳米材料在基板上涂布一层导电膜，涂布工艺包括但不限于采用高精度狭缝挤出涂布设备；S1.12刻蚀所述导电膜形成图案化的子工作电极，刻蚀工艺包括但不限于激光薄膜蚀刻、气体蚀刻、放电刻蚀、化学刻蚀、物理刻蚀、机械刻蚀法。
视具体工艺而定，步骤S1.12的蚀刻工艺与形成所述搭接槽的步骤S1.2采用相同工艺时，两者可以同时进行；当然两者也可以分两步进行，且先后顺序可互换。并且，还可以在步骤S1.3形成保护层后，再进行步骤S1.12的蚀刻工艺，形成与所述子工作电极相对应的图案化的保护层3；当然，也可以在步骤S1.12后再进行步骤S1.3形成一整面的保护层3。
或者步骤S1.1包括：按照预定的图案，直接在基板1上丝网印刷或喷涂纳米金属线或纳米金属棒形成图案化的电极。基于该方法，步骤S1.3位于步骤S1.1后，能形成一整面的保护层3，或通过掩膜法形成图案化的保护层3。
或者，步骤S1.1也可以采用磁控溅射或真空蒸镀的方式，借助掩膜版直接形成图案化的纳米金属膜，构成所述工作电极2；或采用磁控溅射或真空蒸镀的方式先在所述基板1上形成纳米金属膜，再蚀刻形成图案化的所述工作电极2。
步骤S1.2具体为在位于所述基板的走线区的所述子工作电极上开设搭接槽。
步骤S1.4具体为在位于所述基板的走线区的所述保护层上开设导电通道，所述导电通道与所述搭接槽一一对应连通。
步骤S1.5具体为向一一对应连通的所述导电通道与所述搭接槽内填充导电浆料，固化所述导电浆料形成电连接件。
步骤S1.6具体为在所述保护层背离所述子工作电极的一侧布设若干导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与对应的子工作电极电性连接。
本发明的调光膜200，通过在工作电极2上开设搭接槽21向外露出工作电极2的剖面，该剖面通过电连接件4与导电电极5实现电性接触，改变了以往的表面电性连接的方式，不但可以采用表面绝缘或接触电阻较大的纳米金属线等透明导电材料制作工作电极2，还可以加大所述保护层3的厚度，获得稳定的透明导电电极。
应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种调光膜，包括两层透明导电电极、位于两层透明导电电极之间的PDLC膜；其特征在于，所述透明导电电极包括：
透明的基板，所述基板包括调光区、位于所述调光区外周侧的走线区；
位于所述基板上的工作电极，所述工作电极由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成，所述工作电极位于走线区的结构走线区上具有露出所述工作电极的剖面的搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述工作电极；
保护层，位于所述工作电极背离所述基板的一侧，所述保护层上具有与所述搭接槽相连通的导电通道；
电连接件，位于所述搭接槽与所述导电通道内，所述电连接件为固化的导电浆料；
位于所述保护层背离所述工作电极的一侧的导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与所述工作电极电性连接；
其中，所述PDLC膜位于两层透明导电电极的保护层之间，或所述PDLC膜位于两层透明导电电极的基板之间；或所述PDLC膜位于一层透明导电电极的保护层与另一透明导电电极的基板之间。
2.根据权利要求1所述的调光膜，其特征在于，所述纳米金属线为直径5nm～100nm、长度介于15μm～25μm的纳米银线。
3.根据权利要求1所述的调光膜，其特征在于，所述保护层的厚度不小于10nm。
4.根据权利要求1所述的调光膜，其特征在于，所述搭接槽为一个槽或所述搭接槽包括几个独立的子槽；
和/或，所述导电通道为一个通道或所述导电通道包括几个独立的子通道。
5.根据权利要求1～4任一项所述的调光膜，其特征在于，所述工作电极包括图案化的子工作电极，位于所述走线区的所述子工作电极上具有露出所述子工作电极的剖面的搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述子工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述子工作电极；所述保护层上具有与所述搭接槽一一对应连通的导电通道；且所述透明导电电极还包括位于一一对应连通的导电通道与搭接槽内的电连接件、与所述电连接件一一对应的电性连接导电电极。
6.一种调光膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1制备透明导电电极,包括如下步骤：
S1.1在基板上形成工作电极，所述工作电极由纳米金属线、或纳米金属棒、或纳米金属膜构成；
S1.2在位于所述基板的走线区的所述工作电极上开设搭接槽露出所述工作电极的剖面，所述搭接槽的深度不小于所述工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述工作电极；
S1.3在所述工作电极背离所述基板的一侧形成保护层；
S1.4在位于所述基板的走线区的所述保护层上开设导电通道；
S1.5向所述导电通道与所述搭接槽内填充导电浆料，固化所述导电浆料形成电连接件；
S1.6在所述保护层背离所述工作电极的一侧布设导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与所述工作电极电性连接；
S2将PDLC膜复合于两层透明导电电极的保护层之间，或将所述PDLC膜复合于两层透明导电电极的基板之间；或将所述PDLC膜复合于一层透明导电电极的保护层与另一透明导电电极的基板之间。
7.根据权利要求6所述的调光膜的制备方法，其特征在于，
所述纳米金属线为直径5nm～100nm、长度介于15μm～25μm的纳米银线。
8.根据权利要求6所述的调光膜的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度不低于10nm。
9.根据权利要求6所述的调光膜的制备方法，其特征在于，在形成所述工作电极后，同时形成所述导电通道与所述搭接槽；或，所述搭接槽与所述导电通道分别独立形成。
10.根据权利要求9所述的调光膜的制备方法，其特征在于，形成所述搭接槽过程中温度不高于300℃；
和/或，形成所述导电通道过程中温度不高于300℃。
11.根据权利要求9或10所述的调光膜的制备方法，其特征在于，形成所述搭接槽的方法包括机械性破坏、超声波、等离子体剥蚀、冲击波、预留孔、化学蚀刻，所述机械性破坏包括划伤、撕裂、刮、钻、切、磨、振动。
12.根据权利要求6所述的调光膜的制备方法，其特征在于，S1.1中形成的所述工作电极包括图案化的子工作电极；
步骤S1.2为在位于所述基板的走线区的所述子工作电极上开设搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述子工作电极的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向贯穿所述子工作电极；
步骤S1.4为在位于所述基板的走线区的所述保护层上开设导电通道，所述导电通道与所述搭接槽一一对应连通；
步骤S1.5为向一一对应连通的所述导电通道与所述搭接槽内填充导电浆料，固化所述导电浆料形成电连接件；
步骤S1.6为在所述保护层背离所述子工作电极的一侧布设若干导电电极，所述导电电极通过所述电连接件与对应的子工作电极电性连接。
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