JP6583014B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 117
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 15
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/75—Electrodes comprising two or more layers, e.g. comprising a barrier layer and a metal layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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Description
第1実施形態について説明する。本実施形態では、MIMキャパシタとして、平板構造のものを例に挙げて説明する。なお、ここで説明するMIMキャパシタを有する半導体装置は、例えばアナログデジタルコンバータ(以下、A/Dコンバータという)などに適用される。
まず、半導体基板1を用意する。半導体基板1としては、必要に応じて集積回路などを構成する半導体素子などが形成されたものを用いることができる。そして、半導体基板1の上に絶縁膜2を形成したのち、絶縁膜2の表面に下部電極3を形成する。例えば、スパッタリング等のPVD法によって下部電極3を形成している。なお、ここでは基板として半導体基板1を用いる場合を例に挙げているが、半導体基板ではない基板を用いても良く、絶縁基板を用いれば絶縁膜2を形成しなくても良い。
下部電極3の表層部を酸化することで金属酸化膜3aを形成する。例えば、O2ラジカルを主体とするCVDであるO2プラズマ酸化または熱酸化などを実施することによって、金属酸化膜3aを形成することができる。なお、O2プラズマ酸化としては、ここまでのプロセス中に含まれるO2ガス雰囲気によるものも含まれる。例えば、ここまでのプロセス中にドライエッチングが含まれている場合、ドライエッチングガス中に含まれるO2ガス雰囲気によるO2プラズマ酸化によって金属酸化膜3aを形成することもできる。一例を挙げると、半導体素子の形成中に実施されるドライエッチングや、絶縁膜2に対して図示しないコンタクトホールを形成したり、下部電極3をパターニングする際のドライエッチングなどが該当する。
下部電極3の上に容量膜4を成膜する。例えばCVD法などでシリコン酸化膜を形成することによって容量膜4を形成している。このとき、図2(b)の工程において、金属酸化膜3aを形成し、かつ、下部電極3自身の酸化によって金属酸化膜3aを形成していることから、その上に形成される容量膜4のダメージを抑制することが可能となる。すなわち、単に下部電極3を成膜しただけだと下部電極3の表面のラフネス、つまり凹凸によって、下部電極3を下地として形成される容量膜4が不均一な膜厚になるなど、容量膜4にダメージが付与されて膜質を低下させることになる。また、下部電極3の上に、下部電極3とは別の金属による金属酸化膜を形成するような場合も、ラフネスを改善することができない。このため、下部電極3の一面側を下部電極3自身の酸化による金属酸化膜3aとしておくことで、容量膜4の膜厚の不均一や膜質の低下を抑制できる。また、容量膜4にリークポイントとなるピンホールが形成されることを抑制することも可能となり、初期故障なども抑制できる。そして、下部電極3の一面側に積極的に金属酸化膜3aを形成することで、表面の凹凸が低減できて電界集中する部分を無くすことも可能となる。
容量膜4の上に上部電極5を成膜する。このとき、まず最初にCVD法もしくはALD法によって第1層5aを形成し、その後、PVD法によって第2層5bを形成することで上部電極5を成膜している。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して容量膜4や上部電極5の構造を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態で説明したMIMキャパシタを用いて逆接キャパシタを構成するものであり、MIMキャパシタの構成自体は第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 絶縁膜
3 下部電極
3a 金属酸化膜
4 容量膜
5 上部電極
5a 第1層
5b 第2層
10 層間絶縁膜
10a トレンチ
Claims (4)
- メタルインシュレータメタル構造のキャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、
第1電極(3)の形成を行うことと、
前記第1電極の上に、該第1電極に接する容量膜(4)を形成することと、
前記容量膜の上に、該容量膜に接する第2電極(5)を形成することと、を含み、
前記第2電極を形成することは、前記容量膜の表面に化学気相成長、原子層堆積もしくは有機金属気相成長によって第1層(5a)を形成することと、前記第1層の上に物理気相成長によって第2層(5b)を形成することを含んでおり、
前記第1電極を形成することは、該第1電極のうち前記容量膜側の一面に金属酸化膜(3a)を形成することを含んでおり、
前記金属酸化膜を含む前記第1電極の上に層間絶縁膜(10)を成膜したのち、該層間絶縁膜を貫通するトレンチ(10a)を形成することを含み、
前記トレンチを形成することのあとに、前記容量膜を形成することと前記第2電極を形成することとを行うことで、前記トレンチ内に前記容量膜および前記第2電極が入り込むようにし、
前記容量膜を形成することでは、前記トレンチから露出した前記第1電極に接するように前記容量膜を形成し、
さらに、前記第1電極上に前記容量膜が形成され、かつ、該容量膜の上に前記第2電極が形成されたメタルインシュレータメタル構造のキャパシタ(C1、C2)を2つ備え、一方の前記メタルインシュレータメタル構造のキャパシタ(C1)の前記第2電極と他方の前記メタルインシュレータメタル構造のキャパシタ(C2)の前記第1電極とを電気的に接続すると共に、一方の前記メタルインシュレータメタル構造のキャパシタの前記第1電極と他方の前記メタルインシュレータメタル構造の前記第2電極とを電気的に接続することで、2つの前記メタルインシュレータメタル構造のキャパシタを逆接続する半導体装置の製造方法。 - 前記第1層を形成することは、該第1層として、アルミニウム、窒化チタン、チタン、銅のいずれか1つで構成される単層膜もしくは複数で構成される積層膜を形成することである請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2層を形成することは、該第2層として、アルミニウム、窒化チタン、チタン、銅、タングステンのいずれかによって構成される膜を形成することである請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属酸化膜を形成することは、前記第1電極の一面に対してO2ラジカルを主体とするCVDであるO2プラズマ酸化を行うこと、または熱酸化を行うことで前記金属酸化膜を形成することを含んでいる請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016010821A JP6583014B2 (ja) | 2016-01-22 | 2016-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
PCT/JP2016/084092 WO2017126207A1 (ja) | 2016-01-22 | 2016-11-17 | 半導体装置の製造方法 |
US15/777,681 US10403709B2 (en) | 2016-01-22 | 2016-11-17 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016010821A JP6583014B2 (ja) | 2016-01-22 | 2016-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017130620A JP2017130620A (ja) | 2017-07-27 |
JP2017130620A5 JP2017130620A5 (ja) | 2018-05-10 |
JP6583014B2 true JP6583014B2 (ja) | 2019-10-02 |
Family
ID=59362060
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016010821A Active JP6583014B2 (ja) | 2016-01-22 | 2016-01-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10403709B2 (ja) |
JP (1) | JP6583014B2 (ja) |
WO (1) | WO2017126207A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018120123A (ja) * | 2017-01-26 | 2018-08-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び基板間導通構造 |
JP6888581B2 (ja) | 2018-04-11 | 2021-06-16 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2016
- 2016-01-22 JP JP2016010821A patent/JP6583014B2/ja active Active
- 2016-11-17 US US15/777,681 patent/US10403709B2/en active Active
- 2016-11-17 WO PCT/JP2016/084092 patent/WO2017126207A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017130620A (ja) | 2017-07-27 |
US20180350897A1 (en) | 2018-12-06 |
US10403709B2 (en) | 2019-09-03 |
WO2017126207A1 (ja) | 2017-07-27 |
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