JP2002277893A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

液晶表示装置及びその製造方法

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JP2002277893A JP2001389623A JP2001389623A JP2002277893A JP 2002277893 A JP2002277893 A JP 2002277893A JP 2001389623 A JP2001389623 A JP 2001389623A JP 2001389623 A JP2001389623 A JP 2001389623A JP 2002277893 A JP2002277893 A JP 2002277893A
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柱 天 呂
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、ゲートライン及びデータライン相
互接続線の配線長さの差による画像不良を積層構造方式
のキャパシターで補償した液晶表示装置及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 本発明は、相互接続線は、配線の長さの
差による画像不良を積層構造方式のキャパシタンスに補
償するため、ドライブＩＣからの信号を液晶表示パネル
に印加するための相互接続線部の厚さを異にしたり、相
互接続線部の基板上の中央部分が周辺部分より更に広い
面積を有するように導電層を形成してあることを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するもので、特に、ゲートラインとデータラインの相互
接続線の配線長さの差による画像不良を、積層構造方式
のキャパシターで補償した液晶表示装置及び製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置のモジュールはド
ライブＩＣの実装方式によってＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）実装方式とＴＡＢ実装方式に分けられ
る。
【０００３】前記ＣＯＧ実装方式は、ＬＣＤパネルのゲ
ート領域及びデータ領域に直接ドライブＩＣを実装して
ＬＣＤパネルに電気的信号を伝達する方式で、一般的
に、異方性導電フィルムを用いてドライブＩＣをＬＣＤ
パネルに接着する。前記ＴＡＢ実装方式では、ドライブ
ＩＣが搭載されたＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ
Ｐａｃｋａｇｅ）をＬＣＤパネルとＰＣＢに接続する。
ＴＣＰとＬＣＤパネルとの接続工程では、グラスと金属
の材質上の特殊性と、約０．２ｍｍ以下のピッチに対応
する高精細を考慮して鉛の代わりに異方性導電フィルム
を用いて接続しており、ＴＣＰとＰＣＢの接続工程では
鉛を用いて接続している。しかしながら、後者の場合に
も、これからの微細ピッチの傾向によって異方性導電フ
ィルムの使用が予想されている。
【０００４】以下、図面を参照して従来の液晶表示装置
を説明する。図１はＴＡＢ実装方式を用いた従来のＴＦ
Ｔ−ＬＣＤモジュールの概略的な構造である。図１に示
すように、液晶表示装置は、ピクセル領域を定義するた
めに複数のゲートライン及びデータラインが相互に交差
配置され、各ゲートライン及びデータラインが交差され
る部分に薄膜トランジスタが形成された第１基板１１と
カラーフィルター及び共通電極が形成された第２基板１
２との間に液晶１３が注入され、前記第１基板１１、第
２基板１２の外側には各々偏光板１４が取り付けられ、
液晶パネルが形成される。また、前記第１基板１１のゲ
ートライン及びデータラインに信号を印加するために、
前記第１基板１１の各ラインにゲート又はデータドライ
ブＩＣ１７が搭載されたＴＣＰ１６が異方性導電フィル
ムのＡＣＦ１５によって連結される。ここで、未説明符
号はＰＣＢ１８である。
【０００５】前記ＴＣＰのドライブＩＣとＴＦＴ−ＬＣ
Ｄパネルが連結された相互接続線部分を具体的に説明す
ると次のとおりである。図２は従来のデータドライブＩ
ＣとＴＦＴ−ＬＣＤデータラインが連結される相互接続
線部を示したものであり、図３は従来の相互接続線部の
詳細構成図である。一般的に、パネル内の各データライ
ンの間隔よりもデータドライブＩＣが連結されるＴＡＢ
パッドの間隔は更に狭く形成される。従って、前記の相
互接続線部は、一定間隔を隔てて一方向に配列された前
記データドライブＩＣと連結される直線部２０と、前記
直線部２０と各データライン２２を連結するための屈曲
部２１とを含む。
【０００６】しかしながら、このような従来の液晶表示
装置では、各データラインの間隔よりもデータドライブ
ＩＣが連結されるＴＡＢパッドの間隔が更に狭く形成さ
れるのでドライブＩＣの中心部と外側部の間に形成され
る相互接続線の間には配線長さの差が発生することにな
る。このように、相互接続線などの配線長さの差によっ
て、各相互接続線の抵抗及び前記相互接続線と上部基板
に形成された共通電極間に形成されるキャパシタンス
（静電容量）差が発生することになり、これによって画
質のばらつきが発生する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の問題点を解決するためのもので、相互接続
線の配線長さの差による静電容量の差を補償できる液晶
表示装置及びその製造方法を提供することが目的であ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明による液晶表示装置は、ドライブＩＣからの信
号を液晶表示パネルに印加するための相互接続線部を備
えた液晶表示装置であって、基板と、前記相互接続線部
の基板上の中央ライン部分が外側周辺ライン部分より更
に広い面積を有する複数の相互接続引入線と、からなる
ことを特徴とする。
【０００９】ここで、前記各相互接続線は前記ドライブ
ＩＣが連結される第１直線部と、液晶パネルのゲートラ
イン又はデータラインに連結される第２直線部と、前記
第１直線部と第２直線部の間を連結する屈曲部とからな
り、前記各相互接続線は前記第１直線部と第２直線部に
当たる部位にだけ厚く形成されることが望ましい。
【００１０】また、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置は、ドライブＩＣからの信号を液晶表
示パネルに印加するための複数の相互接続線と、前記各
相互接続線の間で各相互接続線に連結される複数の補助
導電性パターンとからなることを特徴とする。ここで、
前記補助導電性パターンはゲートライン又はデータライ
ンと同一物質からなることが望ましい。また、前記補助
導電性パターンは中央部分の相互接続線に連結されたも
のが外側周辺部分の相互接続線に連結されたものより相
対的に大きく形成されることが望ましい。
【００１１】また、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置は、ドライブＩＣからの信号を液晶表
示パネルに印加するための相互接続線部を備えた液晶表
示装置であって、基板と、前記相互接続線部の基板上
に、中央ライン部分が外側周辺ライン部分より更に広い
面積を有するように形成される導電層と、前記導電層を
含む基板全面に形成される絶縁膜と、前記絶縁膜上に前
記導電層とオーバーラップするように一方向に配列され
る複数の相互接続線とからなることを特徴とする。ここ
で、前記複数の相互接続線と前記導電層の間には各々キ
ャパシターが形成され、外側周辺部から中央部分に行く
ほど前記各相互接続線と前記導電層の間のキャパシタン
スが増加されることが望ましい。
【００１２】なお、前記導電層には静電気防止電圧が印
加されることが望ましく、また、前記導電層には共通電
圧が印加されることが望ましく、前記導電層は不純物ド
ーピングされた半導体層からなることが望ましく、前記
導電層は中央部分の相互接続線に比べて外側周辺部の相
互接続線とオーバーラップされる面積が更に狭くなるよ
うに三角形にすることが望ましい。
【００１３】なお、前記絶縁膜はゲート絶縁膜と層間絶
縁膜の積層された２層構造又は層間絶縁膜であることが
望ましい。また、前記各相互接続線の間に、前記各相互
接続線と電気的に連結される複数の補助ラインを更に含
むことが望ましい。前記複数の補助ラインは前記相互接
続線と同一物質からなることが望ましく、前記相互接続
線がデータライン相互接続線であることが望ましい。前
記導電層はゲートラインと同一物質で形成されることが
望ましい。
【００１４】また、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置は、ドライブＩＣからの信号を液晶表
示パネルに印加するための相互接続線部を備えた液晶表
示装置であって、基板と、前記基板上に一方向に配列さ
れる複数の相互接続線と、前記複数の相互接続線を含む
基板全面に形成される導電層と、また、前記相互接続線
部の基板上に、中央ラインの相互接続線部分が外側周辺
ラインの相互接続線部分より更に広い面積を有するよう
に形成される導電層を含むことを特徴とする。
【００１５】また、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置の製造方法は、ドライブＩＣからの信
号を液晶表示パネルに印加するためのデータライン相互
接続線部と、画素領域を定義するために複数のゲートラ
インとデータラインが交差配列され各データライン及び
データラインが交差される部分に薄膜トランジスタが形
成されるセルアレイ部とを備えている液晶表示装置の製
造方法であって、前記セルアレイ部の各薄膜トランジス
タの形成領域に島形状に第１活性層を形成し、前記デー
タライン相互接続線部に、中央部分が外側周辺部より更
に広い面積を有するように基板上に第２活性層を形成す
るステップと、前記第１、第２活性層を含む全面にゲー
ト絶縁膜を形成するステップと、前記第１活性層上にゲ
ート電極が位置するように一定間隔を隔てて一方向に複
数のゲートラインを形成するステップと、前記ゲート電
極をマスクに用いた不純物イオン注入で第１活性層にソ
ース／ドレイン領域を形成し、第２活性層を導電層に形
成するステップと、前記ソース／ドレイン領域にコンタ
クトホールを有するように全面に層間絶縁膜を形成する
ステップと、前記ソース／ドレイン領域に連結され、外
側周辺部から中央部分に行くほど前記第２活性層とのキ
ャパシタンスが増加するように前記ゲートラインに垂直
な方向の複数のデータライン及び相互接続線を形成する
ステップと、からなることを特徴とする。
【００１６】また、前記各データライン相互接続線の間
に、前記各データライン相互接続線と電気的に連結され
るように前記データライン相互接続線と同一物質で複数
の補助ラインをさらに形成することが望ましい。
【００１７】なお、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置の製造方法は、ドライブＩＣからの信
号を液晶表示パネルに印加するためのデータライン相互
接続線部と、画素領域を定義するために複数のゲートラ
インとデータラインが交差配列され各データライン及び
データラインが交差される部分に薄膜トランジスタが形
成されるセルアレイ部とを備えている液晶表示装置の製
造方法であって、前記薄膜トランジスタの形成領域にゲ
ート電極を備えた複数のゲートラインを形成し、前記デ
ータライン相互接続線部に中央部分が外側周辺部より更
に広い面積を有するようにゲート金属パターンを形成す
るステップと、前記ゲートライン及びゲート金属パター
ンを含む全面にゲート絶縁膜を形成するステップと、各
薄膜トランジスタの形成領域に島形状に活性層を形成す
るステップと、前記活性層の両側上にソース／ドレイン
電極が位置し、外側周辺部から中央部分に行くほど前記
ゲート金属パターンとのキャパシタンスが増加するよう
に前記ゲートラインに垂直な方向の複数のデータライン
及び相互接続線を形成するステップと、からなることを
特徴とする。
【００１８】また、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置の製造方法は、ドライブＩＣからの信
号を液晶表示パネルに印加するためのデータライン相互
接続線部と、画素領域を定義するために複数のゲートラ
インとデータラインが交差配列され各データライン及び
データラインが交差される部分に薄膜トランジスタが形
成されるセルアレイ部とを備えている液晶表示装置の製
造方法であって、前記薄膜トランジスタの形成領域に活
性層を形成するステップと、全面にゲート絶縁膜を形成
するステップと、前記活性層上側にゲート電極が位置す
るように前記ゲート絶縁膜上に複数のゲートラインを形
成し、前記データライン相互接続線部に中央部分が外側
周辺部より更に広い面積を有するようにゲート金属パタ
ーンを形成するステップと、前記ゲート電極をマスクに
用いて前記活性層に不純物領域を形成し、前記不純物領
域にコンタクトホールを有するようにゲートライン及び
ゲート金属パターンを含む全面に層間絶縁膜を形成する
ステップと、前記コンタクトホールを介して前記不純物
領域にソース／ドレイン電極が連結され外側周辺部から
中央部分に行くほど前記ゲート金属パターンとのキャパ
シタンスが増加するように、前記ゲートラインに垂直な
方向の複数のデータライン及び相互接続線を形成するス
テップと、からなることを特徴とする。
【００１９】なお、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置の製造方法は、ドライブＩＣからの信
号を液晶表示パネルに印加するためのデータライン相互
接続線部と、画素領域を定義するために複数のゲートラ
インとデータラインが交差配列され各データライン及び
データラインが交差される部分に薄膜トランジスタが形
成されるセルアレイ部とを備えている液晶表示装置の製
造方法であって、前記薄膜トランジスタの形成領域に活
性層を形成するステップと、全面にゲート絶縁膜を形成
するステップと、前記活性層上側にゲート電極が位置す
るように前記ゲート絶縁膜上に複数のゲートライン及び
ゲートライン相互接続線を形成するステップと、前記ゲ
ート電極をマスクに用いて前記活性層に不純物領域を形
成し、前記不純物領域にコンタクトホールを有するよう
にゲートライン及びゲートライン相互接続線を含む全面
に層間絶縁膜を形成するステップと、前記コンタクトホ
ールを介して前記不純物領域にソース／ドレイン電極が
連結されるように前記ゲートラインに垂直な方向の複数
のデータラインを形成し、前記ゲートライン相互接続線
部に中央部分が外側周辺部分に比べて更に広い面積を有
するようにデータ金属パターンを形成するステップと、
からなることを特徴とする。
【００２０】また、前記目的を達成するための本発明に
よる液晶表示装置の製造方法は、ドライブＩＣからの信
号を液晶表示パネルに印加するためのデータライン相互
接続線部と、画素領域を定義するために複数のゲートラ
インとデータラインが交差配列され各データライン及び
データラインが交差される部分に薄膜トランジスタが形
成されるセルアレイ部とを備えている液晶表示装置の製
造方法であって、前記薄膜トランジスタの形成領域にゲ
ート電極を備えている複数のゲートライン及びゲートラ
イン相互接続線を形成するステップと、前記ゲートライ
ン及びゲートライン相互接続線を含む全面にゲート絶縁
膜を形成するステップと、各薄膜トランジスタの形成領
域に島形状に活性層を形成するステップと、前記活性層
の両側上にソース／ドレイン電極が位置するように前記
ゲートラインに垂直な方向の複数のデータラインを形成
し、前記ゲートライン相互接続線部に中央部分が外側周
辺部より更に広い面積を有するデータ金属パターンを形
成するステップと、からなることを特徴とする。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明を更に詳細に説明する。第１実施形態 図４は本発明の第１実施形態による液晶表示装置のレイ
アウトである。本発明の第１実施形態の液晶表示装置で
は、図４に示すように、ドライブＩＣ４１とゲートライ
ン又はデータライン４２間の相互接続線部位に配線の長
さが短い中央部位の配線厚さを増加させることによっ
て、相互接続線４４と上部基板の共通電極（図示せず）
間に形成される静電容量は、中央部位と外側周辺部位と
が同一水準の静電容量を有するようにする。
【００２２】ここで、相互接続線部配線の模様は、一般
的に、前記ドライブＩＣに連結される相互接続線部の最
初の入口部或いは、ゲートライン又はデータラインと連
結される相互接続線部の末端部では直線形態を有してお
り、残りの中間部位では斜線形態（屈曲部）となってい
る。
【００２３】本発明の第１実施形態のように、配線厚さ
を広めることを斜線部位に適用することで、ドライブＩ
ＣとＴＦＴ−ＬＣＤパネル間との幅を広めることになる
という結果が得られる。従って、本発明では、斜線部位
の配線厚さを広めることなく、相互接続線部の最初の入
口部と末端部との配線厚さを広めることによって、ドラ
イブＩＣとＴＦＴ−ＬＣＤモジュールの幅はそのまま保
持できる。
【００２４】第２実施形態 図５は本発明の第２実施形態の液晶表示装置のレイアウ
トである。本発明の第２実施形態の液晶表示装置では、
本発明の第１実施形態のように、相互接続線部の配線幅
を増加させるのに限界があるので、図５に示すように、
前記相互接続線の配線部５２の間に補助金属パターン５
４を形成して各相互接続線配線５２に電気的に連結した
ものである。ここで、前記補助金属パターン５４は相互
接続線配線と同一の、即ち、ゲートライン又はデータラ
インと同一の物質からなり、前記中央の相互接続線配線
に連結された補助金属パターン５４は、前記周辺の相互
接続線配線に連結された補助金属パターン５４より更に
大きい大きさを有する。即ち、前記補助金属パターン５
４の幅は相互に同一で、中央部分の補助金属パターン５
４の長さは周辺部分の補助金属パターン５４の長さより
相対的に更に長く形成される。
【００２５】第３実施形態 図６は本発明の第３実施形態ないし第６実施形態による
液晶表示装置のレイアウトである。本発明の第３実施形
態ないし第６実施形態は相互接続線部Ａの中央ラインに
相当する部分が周辺ラインに相当する部分より更に広い
面積を有する三角形の導電層Ｂを形成して、前記導電層
Ｂと各相互接続線の間に補償用キャパシターが形成され
るようにしたものである。即ち、中央部分の相互接続線
配列と前記導電層間の補償用キャパシターが、周辺部分
の相互接続線配列と前記導電層間の補償用キャパシター
より更に大きい容量を有するようにする。また、前記導
電層Ｂは静電気防止用電圧ライン又は共通電圧ラインＣ
に連結される。
【００２６】このような構成を有する本発明の第３実施
形態の液晶表示装置の構造及び製造方法について説明す
る。図７ａないし図７ｃは、本発明の第３実施形態によ
る液晶表示装置のセルアレイ部の薄膜トランジスタ工程
断面図であり、図８ａないし図８ｃは、図６のＩ−Ｉ’
線上の本発明の第３実施形態による液晶表示装置の工程
断面図である。本発明の第３実施形態では、液晶表示装
置のセルアレイ部の薄膜トランジスタがトップゲート型
ポリシリコントランジスタとして形成される場合、デー
タライン相互接続線部に補償用キャパシターを形成した
もので、前記導電層を不純物ドーピングされた半導体層
として形成したものである。
【００２７】図７ａ及び図８ａのように、ガラス基板３
０の全面にバッファ層３１とポリシリコンなどの半導体
層を蒸着し選択的に除去して、セルアレイ部の薄膜トラ
ンジスタが形成される領域と前記相互接続線部分に各々
第１半導体層３２と第２半導体層３３を形成する。ま
た、全面にゲート絶縁膜３４を形成する。図７ｂ及び図
８ｂのように、全面に金属層を蒸着し選択的に除去し
て、前記第１半導体層３２上側のゲート絶縁膜３４上に
ゲート電極３５を形成し、前記ゲート電極３５両側の第
１半導体層と第２半導体層の全面に不純物イオンを注入
して不純物領域を形成する。この時、前記ゲート電極３
５両側の第１半導体層３２の不純物領域はソース／ドレ
イン領域３２ａ、３２ｂとなり、第２半導体層３３は導
電層に変換される。
【００２８】図７ｃ及び図８ｃのように、全面に層間絶
縁膜３６を形成し、前記第１半導体層３２のソース／ド
レイン領域３２ａ、３２ｂにコンタクトホールが形成さ
れるように前記ゲート絶縁膜３３と層間絶縁膜３６を選
択的に除去する。また、全面に金属層を蒸着し選択的に
除去して、ソース／ドレイン電極を有するデータライン
とデータライン相互接続線を形成する。即ち、データラ
イン３７からソース電極３７ａが突出されてソース領域
３２ａに電気的に連結され、ドレイン電極３７ｂはドレ
イン領域３２ｂに連結され、データライン相互接続線３
７ｃはデータラインから延長されるように形成される。
引き続き、前記ソース／ドレイン領域３７ａ、３７ｂを
含むデータライン３７及びデータライン相互接続線３７
ｃを含む基板の全面に保護膜３８を形成し、前記ドレイ
ン電極３７ｂが露出されるようにコンタクトホールを形
成した後、前記画素領域に画素電極３９を形成する。
【００２９】従って、前記図８ｃから明らかなように、
別のマスクは不要で前記データライン相互接続線と半導
体層３３の間に補償用キャパシターが形成され、図６に
示すように、各相互接続線と半導体層間の補償用キャパ
シターは中央ライン部分におけるキャパシター容量が周
辺ライン部分におけるキャパシター容量より更に大きい
値を有するようになる。
【００３０】第４実施形態 なお、本発明の第４実施形態による液晶表示装置では、
データライン相互接続線部の中央ラインに相当する部分
が周辺ラインに相当する部分より更に広い面積を有する
ように三角形の金属パターンを形成して、前記金属パタ
ーンと各相互接続線との間に補償用キャパシターが形成
されるようにできる。ここで、本発明の第３実施形態で
前記導電層を不純物ドーピングの半導体層で形成した代
わりに、本発明の第４実施形態では前記導電層を前記ゲ
ートライン形成用金属層で形成したものである。
【００３１】このような構成を有する本発明の第４実施
形態の液晶表示装置及びその製造方法について説明す
る。図９ａないし図９ｃは、本発明の第４実施形態によ
る液晶表示装置のセルアレイ部の薄膜トランジスタ工程
断面図であり、図１０ａないし図１０ｃは図６のＩ−
Ｉ’線上の本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
工程断面図である。本発明の第４実施形態では、液晶表
示装置のセルアレイ部の薄膜トランジスタがトップゲー
ト型ポリシリコントランジスタで形成される場合、半導
体層の代わりにゲート金属層で補償用キャパシターを形
成したものである。
【００３２】図９ａ及び図１０ａのように、ガラス基板
３０の全面にバッファ層３１とポリシリコンなどの半導
体層を蒸着し選択的に除去して、セルアレイ部の薄膜ト
ランジスタが形成される領域に半導体層３２を形成す
る。また、全面にゲート絶縁膜３４を形成する。図９ｂ
及び図１０ｂのように、全面に金属層を蒸着し選択的に
除去して、前記第１半導体層３２上側のゲート絶縁膜３
４上にゲート電極３５を形成するとともに、前記相互接
続線部分にゲート金属パターン３５ａを形成する。ま
た、前記ゲート電極３５両側の半導体層３２に不純物イ
オンを注入して不純物領域を形成する。この時、前記ゲ
ート電極３５両側の前記半導体層３２の不純物領域はソ
ース／ドレイン領域３２ａ、３２ｂとなる。
【００３３】図９ｃ及び図１０ｃのように、全面に層間
絶縁膜３６を形成し、前記第１半導体層３２のソース／
ドレイン領域３２ａ、３２ｂにコンタクトホールが形成
されるように、前記ゲート絶縁膜３３と層間絶縁膜３６
を選択的に除去する。また、全面に金属層を蒸着し選択
的に除去して、データライン及びソース／ドレイン電極
を含むデータライン相互接続線を形成する。即ち、デー
タライン３７のソース電極３７ａが突出されてソース領
域３２ａに電気的に連結され、ドレイン電極３７ｂはド
レイン領域３２ｂに連結され、データライン相互接続線
３７ｃはデータラインから延長されるように形成され
る。引き続き、前記データライン３７と、前記ソース／
ドレイン電極３７ａ、３７ｂを含むデータラインの相互
接続線３７ｃとを含む基板全面に保護膜３８を形成し、
前記ドレイン電極３７ｂが露出されるようにコンタクト
ホールを形成した後、前記画素領域に画素電極３９を形
成する。
【００３４】従って、前記図１０ｃから明らかなよう
に、別のマスクは不要で前記データライン相互接続線と
ゲート金属パターン３５ａとの間に補償用キャパシター
が形成され、図６に示すように、各相互接続線と金属パ
ターンとの間の補償用キャパシターは、中央ライン部分
におけるキャパシター容量が周辺ライン部分におけるキ
ャパシター容量より更に大きい値を有するようにする。
【００３５】第５実施形態 なお、本発明の第５実施形態による液晶表示装置は、セ
ルアレイ部の薄膜トランジスタがボタムゲート型非晶質
シリコン薄膜トランジスタからなる場合、データライン
相互接続線部に中央ラインに相当する部分が周辺ライン
に相当する部分より更に広い面積を有するように三角形
の金属パターンを形成して、前記金属パターンと各相互
接続線の間に補償用キャパシターが形成するようにでき
る。
【００３６】このような構成を有する本発明の第５実施
形態の液晶表示装置及びその製造方法を説明する。図１
１ａ及び図１１ｂは、本発明の第５実施形態による液晶
表示装置のセルアレイ部の薄膜トランジスタ工程断面図
であり、図１２ａ及び図１２ｂは、図６のＩ−Ｉ’線上
の本発明の第５実施形態による液晶表示装置の工程断面
図である。本発明の第５実施形態は液晶表示装置のセル
アレイ部の薄膜トランジスタがボトムゲート型ポリシリ
コントランジスタに形成される場合、導電層をゲート金
属層にして補償用キャパシターを形成したものである。
図１１ａ及び図１２ａのように、ガラス基板３０の全面
に金属層を蒸着し選択的に除去して、セルアレイ部にゲ
ート電極３５を形成し、相互接続線部にゲート金属パタ
ーン３５ａを形成する。また、全面にゲート絶縁膜３４
を形成した後、前記ゲート電極３５上側のゲート絶縁膜
３４上に半導体層３２を形成する。
【００３７】図１１ｂ及び図１２ｂのように、全面に金
属層を蒸着し選択的に除去して、前記半導体層３２両側
上にデータライン３７及びソース／ドレイン電極３７
ａ、３７ｂを含むデータライン相互接続線３７ｃを形成
する。即ち、データライン３７でソース電極３７ａが突
出され、ドレイン電極３７ｂは前記ソース電極３７ａに
対向する部分に形成され、データライン相互接続線３７
ｃはデータラインから延長されるように形成される。ま
た、前記データライン３７と、ソース／ドレイン領域３
７ａ、３７ｂを含むデータライン相互接続線３７ｃとを
含む基板全面に保護膜３８を形成し、前記ドレイン電極
３７ｂが露出されるようにコンタクトホールを形成した
後、前記画素領域に画素電極３９を形成する。従って、
前記図１２ｂから明らかなように、別のマスクなしで前
記データライン相互接続線とゲート金属パターン３５ａ
の間に補償用キャパシターが形成され、図６に示すよう
に、各相互接続線と金属パターン間の補償用キャパシタ
ーは中央ライン部分におけるキャパシター容量が周辺ラ
イン部分におけるキャパシター容量より更に大きい値を
有するようになる。
【００３８】第６実施形態 本発明の第６実施形態の液晶表示装置では、ゲートライ
ン相互接続線部分に前記したように、中央ラインに当た
る部分が周辺ラインに相当する部分より更に広い面積を
有するように三角形の導電層を形成して、前記導電層と
各相互接続線の間に補償用キャパシターが形成されるよ
うにすることができる。ここで本発明の第６実施形態で
は前記導電層を前記データライン形成用金属で形成した
ものである。
【００３９】このような構成を有する本発明の第６実施
形態の液晶表示装置及び製造方法を説明する。図１３ａ
ないし図１３ｂは、本発明の第６実施形態による液晶表
示装置のセルアレイ部の薄膜トランジスタ工程断面図で
あり、図１４ａ及び図１４ｂは図６のＩ−Ｉ’線上の本
発明の第６実施形態による液晶表示装置の工程断面図で
ある。本発明の第６実施形態では、液晶表示装置のセル
アレイ部の薄膜トランジスタがトップゲート型又はボト
ムゲート型ポリシリコントランジスタで形成される場
合、データライン金属層で補償用キャパシターを形成し
たものである。ここではボトムゲート型薄膜トランジス
タが形成される場合だけ説明し、トップゲート型薄膜ト
ランジスタが形成される場合については、第６実施形態
と本発明の第４実施形態又は第５実施形態の組み合わせ
によって十分類推可能であるので省く。
【００４０】図１３ａ及び図１４ａのように、ガラス基
板３０の全面に金属層を蒸着し選択的に除去して、セル
アレイ部にゲート電極３５を形成し、相互接続線部にゲ
ート金属パターン３５ｂを形成する。また、全面にゲー
ト絶縁膜３４を形成した後、前記ゲート電極３５上側の
ゲート絶縁膜３４上に半導体層３２を形成する。図１３
ｂ及び図１４ｂのように、全面に金属層を蒸着し選択的
に除去して、前記半導体層３２両側上にデータライン３
７及びソース／ドレイン電極３７ａ、３７ｂを形成し、
前記相互接続線部分にデータ金属パターン３７ｄを形成
する。即ち、データライン３７からソース電極３７ａが
突出され、ドレイン電極３７ｂは前記ソース電極３７ａ
に対向する部分に形成され、データ金属パターン３７ｄ
はデータライン相互接続線とオーバーラップするように
形成する。また、データライン３７と、前記ソース／ド
レイン領域３７ａ、３７ｂを含むデータライン相互接続
線３７ｃとを含む基板全面に保護膜３８を形成し、前記
ドレイン電極３７ｂが露出されるようにコンタクトホー
ルを形成した後、前記画素領域に画素電極３９を形成す
る。従って、前記図１４ｂから明らかなように、別のマ
スクなしで前記データライン相互接続線３５ｂと金属パ
ターン３７ｄの間に補償用キャパシターが形成され、図
６に示すように、各相互接続線と金属パターン間の補償
用キャパシターは、中央ライン部分のキャパシター容量
が周辺ライン部分におけるキャパシター容量より更に大
きい値を有するようになる。
【００４１】第７実施形態 本発明の第７実施形態は、前記相互接続線（ゲートライ
ン又はデータライン相互接続線）の間に別の金属パター
ンを更に形成したものである。図６において前記各相互
接続線の幅は限界があるので前記各相互接続線と同一物
質で各相互接続線に電気的に連結されるように前記各相
互接続線の間に補助金属パターンを形成するとキャパシ
タンスをより確かに補償できる。
【００４２】図１５は本発明の第７実施形態による液晶
表示装置のレイアウトである。本発明の第７実施形態で
は、ゲートライン又はデータライン相互接続線３５ｂ又
は３７ｃの間に前記相互接続線と同一物質の補助金属パ
ターン３５ｃ又は３７ｅを形成し、各補助金属パターン
は隣接した相互接続線に電気的に連結され同一面積で形
成する。また、相互接続線部Ａの中央ラインに相当する
部分が周辺ラインに相当する部分より更に広い面積を有
するように三角形の導電層Ｂを形成して、前記導電層Ｂ
と各相互接続線及び補助金属パターンの間に補償用キャ
パシターが形成されるようにしたものである。ここで、
前記導電層は前記第３実施形態ないし第６実施形態に説
明したように形成される。即ち、中央部分の相互接続線
及び補助金属パターンと前記導電層間の補償用キャパシ
ターが、周辺部分の相互接続線及び補助金属パターンと
前記導電層間の補償用キャパシターより更に大きい容量
を有するようにする。また、各実施形態において前記導
電層には静電気防止電圧が印加されたり共通電圧が印加
されるようにする。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置によると次のような効果がある。第一に、従来は各
相互接続線の長さの差による静電容量の差によって画面
のばらつきが発生したが、本発明の各相互接続線の長さ
の差による静電容量の差は、相互接続線の幅を異にする
か、大きさが異なる別の補助金属パターンを形成する
か、相互接続線部分に別の導電層を形成して静電容量の
差を補償するので、画面のばらつきの問題が解決でき
る。
【００４４】第二に、前記補償用キャパシターを形成す
るための相互接続線配列に対応する導電層を、薄膜トラ
ンジスタの活性層、ゲート電極物質又はデータ電極物質
で形成するので、マスクを追加することなく形成でき
る。
【００４５】第三に、前記補償用キャパシターを、各相
互接続線と導電層との間にゲート絶縁膜又は層間絶縁膜
を介して形成するので、より大きい補償用静電容量が得
られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はＴＡＢ実装方式を用いた従来のＴＦＴ−
ＬＣＤモジュールの概略的な構造図である。
【図２】図２は従来のデータドライブＩＣとＴＦＴ−Ｌ
ＣＤのデータラインが連結される相互接続線部を示した
平面図である。
【図３】従来の相互接続線部の詳細構成図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置のレ
イアウトである。
【図５】本発明の第２実施形態による液晶表示装置のレ
イアウトである。
【図６】本発明の第３実施形態ないし第６実施形態によ
る液晶表示装置のレイアウトである。
【図７ａ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
セルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図である。
【図７ｂ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
セルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図である。
【図７ｃ】本発明の第３実施形態による液晶表示装置の
セルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図である。
【図８ａ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明第３実施形態に
よる液晶表示装置の工程断面図である。
【図８ｂ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明第３実施形態に
よる液晶表示装置の工程断面図である。
【図８ｃ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明第３実施形態に
よる液晶表示装置の工程断面図である。
【図９ａ】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
セルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図である。
【図９ｂ】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
セルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図である。
【図９ｃ】本発明の第４実施形態による液晶表示装置の
セルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図である。
【図１０ａ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第４実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１０ｂ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第４実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１０ｃ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第４実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１１ａ】本発明の第５実施形態による液晶表示装置
のセルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図であ
る。
【図１１ｂ】本発明の第５実施形態による液晶表示装置
のセルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図であ
る。
【図１２ａ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第５実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１２ｂ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第５実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１３ａ】本発明の第６実施形態による液晶表示装置
のセルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図であ
る。
【図１３ｂ】本発明の第６実施形態による液晶表示装置
のセルアレイ部の薄膜トランジスタの工程断面図であ
る。
【図１４ａ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第６実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１４ｂ】図６のＩ−Ｉ’線上の本発明の第６実施形
態による液晶表示装置の工程断面図である。
【図１５】本発明の第７実施形態による液晶表示装置の
レイアウトである。
【符号の説明】
１１ 第１基板 １２ 第２基板 １３ 液晶 ３０ ガラス基板 ３１ バッファ層 ３８ 保護膜 ３９ 画素電極 ４１ ドライブＩＣ ４２ データライン ４４ 相互接続線配線 ４５ 上部基板 ５４ 補助金属パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/35 Ｇ０９Ｆ 9/35 (72)発明者 鄭 燻 大韓民国 慶照尚北道 龜尾市 林水洞 401−３ エルジー 同樂圓 ビー−507 Ｆターム(参考） 2H092 GA24 GA32 GA41 GA43 GA44 GA51 JA24 JB26 JB35 JB68 JB69 NA01 PA06 5C094 AA03 AA43 BA03 BA43 CA19 DB01 EA04 EA07 5G435 AA01 AA17 BB12 CC09 EE40 EE41 KK05 KK09

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パネ
    ルに印加するための相互接続線部を備えた液晶表示装置
    であって、 基板と、 前記相互接続線部の基板上の中央ライン部分が周辺ライ
    ン部分より更に広い面積を有する複数の相互接続線とか
    らなることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記各相互接続線は、前記ドライブＩＣ
    が連結される第１直線部と、液晶パネルのゲートライン
    又はデータラインに連結される第２直線部と、前記第１
    直線部と第２直線部の間を連結する屈曲部とからなるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 前記各相互接続線は、前記第１直線部と
    第２直線部に当たる部位だけ厚く形成されることを特徴
    とする請求項２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パネ
    ルに印加するための複数の相互接続線と、 前記各相互接続線の間に配置され各相互接続線に連結さ
    れる複数の補助導電性パターンとからなることを特徴と
    する液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記補助導電性パターンは、ゲートライ
    ン又はデータラインと同一物質からなることを特徴とす
    る請求項４に記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 前記補助導電性パターンは、中央部分の
    相互接続線に連結されたものが外側周辺部分の相互接続
    線に連結されたものより相対的に大きく形成されること
    を特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パネ
    ルに印加するための相互接続線部を備えた液晶表示装置
    であって、 基板と、 前記相互接続線部の基板上の中央ライン部分が外側周辺
    ライン部分より更に広い面積を有するように形成される
    導電層と、 前記導電層を含む基板全面に形成される絶縁膜と、 前記絶縁膜上に前記導電層とオーバーラップされるよう
    に一方向に配列される複数の相互接続線とからなること
    を特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記複数の相互接続線と前記導電層との
    間には、各々キャパシターが形成され、外側周辺部から
    中央部分に行くほど前記各相互接続線と前記導電層の間
    のキャパシタンスが増加することを特徴とする請求項７
    に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記導電層には静電気防止電圧が印加さ
    れることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 前記導電層には共通電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記導電層は不純物ドーピングされた
    半導体層からなることを特徴とする請求項７に記載の液
    晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記導電層は、中央部分の相互接続線
    より外側周辺部の相互接続線とオーバーラップされる面
    積が更に狭くなるように三角形状になっていることを特
    徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記絶縁膜は、ゲート絶縁膜と層間絶
    縁膜の積層された２層構造又は層間絶縁膜であることを
    特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  14. 【請求項１４】 前記各相互接続線の間に、前記各相互
    接続線と電気的に連結される複数の補助ラインを更に含
    むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
  15. 【請求項１５】 前記複数の補助ラインは、前記相互接
    続線と同一物質からなることを特徴とする請求項１４に
    記載の液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 前記複数の補助ラインは、同一大きさ
    で形成されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶
    表示装置。
  17. 【請求項１７】 前記相互接続線がデータライン相互接
    続線であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示
    装置。
  18. 【請求項１８】 前記導電層は、ゲートラインと同一物
    質で形成されていることを特徴とする請求項７に記載の
    液晶表示装置。
  19. 【請求項１９】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パ
    ネルに印加するための相互接続線部を備えた液晶表示装
    置であって、 基板と、 前記基板上に一方向に配列される複数の相互接続線と、 前記複数の相互接続線を含む基板の全面に形成される導
    電層と、 前記相互接続線部の基板上の中央ラインの相互接続線部
    分が外側周辺ラインの相互接続線部分より更に広い面積
    を有するように形成される導電層を含むことを特徴とす
    る液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 前記導電層には静電気防止電圧が印加
    されることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装
    置。
  21. 【請求項２１】 前記導電層には共通電圧が印加される
    ことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
  22. 【請求項２２】 前記相互接続線はゲートライン相互接
    続線であり、前記導電層はデータラインと同一物質であ
    ることを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
  23. 【請求項２３】 前記各相互接続線の間に、前記各相互
    接続線と電気的に連結される複数の補助ラインを更に含
    むことを特徴とする請求項１９に記載の液晶表示装置。
  24. 【請求項２４】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パ
    ネルに印加するためのデータライン相互接続線部と、画
    素領域を定義するために複数のゲートラインとデータラ
    インが交差配列され各データライン及びデータラインが
    交差される部分に薄膜トランジスタが形成されるセルア
    レイ部とを備えている液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記セルアレイ部の各薄膜トランジスタの形成領域に島
    形状に第１活性層を形成し、前記データライン相互接続
    線部に、中央部分が外側周辺部より更に広い面積を有す
    るように基板上に第２活性層を形成するステップと、 前記第１、第２活性層を含む全面にゲート絶縁膜を形成
    するステップと、 前記第１活性層上にゲート電極が位置するように一定間
    隔を隔てて一方向に複数のゲートラインを形成するステ
    ップと、 前記ゲート電極をマスクに用いた不純物イオン注入によ
    り第１活性層にソース／ドレイン領域を形成し、そして
    第２活性層に導電層を形成するステップと、 前記ソース／ドレイン領域にコンタクトホールを有する
    ように全面に層間絶縁膜を形成するステップと、 前記ソース／ドレイン領域に連結され外側周辺部から中
    央部分に行くほど前記第２活性層とのキャパシタンスが
    増加するように前記ゲートラインに垂直な方向の複数の
    データライン及び相互接続線を形成するステップと、か
    らなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記各データライン相互接続線の間
    に、前記各データライン相互接続線と電気的に連結され
    るように、前記データライン相互接続線と同一物質で複
    数の補助ラインをさらに形成することを特徴とする請求
    項２４に記載の液晶表示装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パ
    ネルに印加するためのデータライン相互接続線部と、画
    素領域を定義するために複数のゲートラインとデータラ
    インが交差配列され各データライン及びデータラインが
    交差される部分に薄膜トランジスタが形成されるセルア
    レイ部とを備えている液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記薄膜トランジスタの形成領域にゲート電極を備えた
    複数のゲートラインを形成し、前記データライン相互接
    続線部に中央部分が外側周辺部より更に広い面積を有す
    るようにゲート金属パターンを形成するステップと、 前記ゲートライン及びゲート金属パターンを含む全面に
    ゲート絶縁膜を形成するステップと、 各薄膜トランジスタの形成領域に島形状に活性層を形成
    するステップと、 前記活性層の両側上にソース／ドレイン電極が配置さ
    れ、外側周辺部から中央部分に行くほど前記ゲート金属
    パターンとのキャパシタンスが増加するように前記ゲー
    トラインに垂直な方向の複数のデータライン及び相互接
    続線を形成するステップと、からなることを特徴とする
    液晶表示装置の製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記各データライン相互接続線の間
    に、前記各データライン相互接続線と電気的に連結され
    るように前記データライン相互接続線と同一物質で複数
    の補助ラインを更に形成することを特徴とする請求項２
    ６に記載の液晶表示装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パ
    ネルに印加するためのデータライン相互接続線部と、画
    素領域を定義するために複数のゲートラインとデータラ
    インが交差配列され各データライン及びデータラインが
    交差される部分に薄膜トランジスタが形成されるセルア
    レイ部とを備えている液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記薄膜トランジスタの形成領域に活性層を形成するス
    テップと、 全面にゲート絶縁膜を形成するステップと、 前記活性層上側にゲート電極が位置するように前記ゲー
    ト絶縁膜上に複数のゲートラインを形成し、前記データ
    ライン相互接続線部に中央部分が外側周辺部より更に広
    い面積を有するようにゲート金属パターンを形成するス
    テップと、 前記ゲート電極をマスクに用いて前記活性層に不純物領
    域を形成し、前記不純物領域にコンタクトホールを有す
    るようにゲートライン及びゲート金属パターンを含む全
    面に層間絶縁膜を形成するステップと、 前記コンタクトホールを介して前記不純物領域にソース
    ／ドレイン電極が連結され、外側周辺部から中央部分に
    行くほど前記ゲート金属パターンとのキャパシタンスが
    増加するように前記ゲートラインと垂直な方向の複数の
    データライン及び引入線を形成するステップと、からな
    ることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記各データライン相互接続線の間に
    前記各データライン相互接続線と電気的に連結されるよ
    うに前記データライン相互接続線と同一物質からなる複
    数の補助ラインを更に形成することを特徴とする請求項
    ２８に記載の液晶表示装置の製造方法。
  30. 【請求項３０】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パ
    ネルに印加するためのデータライン相互接続線部と、画
    素領域を定義するために複数のゲートラインとデータラ
    インが交差配列され各データライン及びデータラインが
    交差される部分に薄膜トランジスタが形成されるセルア
    レイ部とを備えている液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記薄膜トランジスタの形成領域に活性層を形成するス
    テップと、 全面にゲート絶縁膜を形成するステップと、 前記活性層上側にゲート電極が位置されるように、前記
    ゲート絶縁膜上に複数のゲートライン及びゲートライン
    相互接続線を形成するステップと、 前記ゲート電極をマスクに用いて前記活性層に不純物領
    域を形成し、前記不純物領域にコンタクトホールを有す
    るようにゲートライン及びゲートライン相互接続線を含
    む全面に層間絶縁膜を形成するステップと、 前記コンタクトホールを介して前記不純物領域にソース
    ／ドレイン電極が連結されるように前記ゲートラインと
    垂直な方向の複数のデータラインを形成し、前記ゲート
    ライン相互接続線部に、中央部分が外側周辺部分に比べ
    て更に広い面積を有するようにデータ金属パターンを形
    成するステップと、からなることを特徴とする液晶表示
    装置の製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記各ゲートライン相互接続線の間
    に、前記各ゲートライン相互接続線と電気的に連結され
    るように前記ゲートライン相互接続線と同一物質で複数
    の補助ラインを更に形成することを特徴とする請求項３
    ０に記載の液晶表示装置の製造方法。
  32. 【請求項３２】 ドライブＩＣからの信号を液晶表示パ
    ネルに印加するためのデータライン相互接続線部と、画
    素領域を定義するために複数のゲートラインとデータラ
    インが交差配列され各データライン及びデータラインが
    交差される部分に薄膜トランジスタが形成されるセルア
    レイ部とを備えている液晶表示装置の製造方法であっ
    て、 前記薄膜トランジスタの形成領域に、ゲート電極を備え
    ている複数のゲートライン及びゲートライン相互接続線
    を形成するステップと、 前記ゲートライン及びゲートライン相互接続線を含む全
    面にゲート絶縁膜を形成するステップと、 各薄膜トランジスタの形成領域に島形状に活性層を形成
    するステップと、 前記活性層上側にソース／ドレイン電極が位置するよう
    に前記ゲートラインと垂直な方向の複数のデータライン
    を形成し、前記ゲートライン相互接続線部に中央部分が
    外側周辺部より更に広い面積を有するデータ金属パター
    ンを形成するステップと、からなることを特徴とする液
    晶表示装置の製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記各ゲートライン相互接続線の間に
    前記各ゲートライン相互接続線と電気的に連結されるよ
    うに前記ゲートライン相互接続線と同一物質で複数の補
    助ラインを更に形成することを特徴とする請求項３２に
    記載の液晶表示装置の製造方法。
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