JP2011070104A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表示画素に形成された薄膜トランジスタ10に走査信号を伝送するゲートライン11とゲート出力端子19とを電気的に接続するゲート引き回し線18の配線長が、ゲートライン11毎に異なっている表示装置であって、ゲート引き回し線18との間に絶縁層を介在させて所定の領域で重なるように配置された共通ライン15を備え、前記各ゲート引き回し線18間において配線長の短いゲート引き回し線18の方が配線長のゲート引き回し線18よりも前記共通ライン15との重なり面積が大きく形成されていることにより、前記各ゲート引き回し線18は該ゲート引き回し線18に対応する前記ゲートライン11から該ゲート引き回し線18に対応する前記ゲート出力端子19までの時定数を互いに等しくする。
【選択図】 図11
Description
2:表示パネル
3:ドライバ回路
3a:ゲートドライバ
4:アクティブ基板
4a:突出部
5:対向基板
8:表示領域
10:薄膜トランジスタ
11:ゲートライン
13:ゲートドライバ搭載領域
15:共通ライン(静電気保護リング)
18:ゲート引き回し線
19:ゲート出力端子
Claims (9)
- 所定の表示領域に、表示画素がマトリクス状に配列され、
薄膜トランジスタに接続された画素電極が前記表示画素毎に配置され、
前記薄膜トランジスタに走査信号を伝送するゲートラインと所定の接続端子とを電気的に接続する接続配線の配線長が、ゲートライン毎に異なっている表示装置であって、
前記接続配線との間に絶縁層を介在させて所定の領域で重なるように配置された導電層を備え、
前記各接続配線間において、配線長の短い接続配線の方が配線長の長い接続配線よりも前記導電層との重なり面積が大きく形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記導電層との重なり領域に、配線長の短い接続配線の方が配線長の長い接続配線よりも配線幅が広く形成された領域を有していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記導電層は、液晶層を介して前記画素電極に対して対向配置される共通電極と等しい電圧に設定されるとともに前記表示領域を囲むように配置された静電気保護リングであることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記静電気保護リングは、前記画素電極が形成された第1の基板と前記共通電極が形成された第2の基板とが重なる領域に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
- 前記導電層は、配線長の短い前記接続配線との重なり領域の方が配線長の長い前記接続配線との重なり領域よりも配線幅が広く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記各接続配線は、該接続配線に対応する前記ゲートラインから該接続配線に対応する前記所定の接続端子までの時定数が互いに等しいことを特徴とする請求項1から5の何れかに記載の表示装置。
- 表示画素に形成された薄膜トランジスタに走査信号を伝送するゲートラインと所定の接続端子とを電気的に接続する接続配線の配線長が、ゲートライン毎に異なっている表示装置であって、
前記接続配線との間に絶縁層を介在させて所定の領域で重なるように配置された導電層を備え、
前記各接続配線間において配線長の短い接続配線の方が配線長の長い接続配線よりも前記導電層との重なり面積が大きく形成されていることにより、前記各接続配線は該接続配線に対応する前記ゲートラインから該接続配線に対応する前記所定の接続端子までの時定数が互いに等しくなっていることを特徴とする表示装置。 - 第1の表示画素に形成された第1の薄膜トランジスタに走査信号を伝送する第1のゲートラインと第1の接続端子とを電気的に接続する第1の接続配線の配線長が、第2の表示画素に形成された第2の薄膜トランジスタに走査信号を伝送する第2のゲートラインと第2の接続端子とを電気的に接続する第2の接続配線の配線長よりも長い表示装置であって、
絶縁層を介在させて所定の領域で前記第1の接続配線または前記第2の接続配線と重なるように配置された導電層を備え、
前記第2の接続配線が前記第1の接続配線よりも前記導電層との重なり面積が大きく形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記導電層は、前記第1の表示画素と前記第2の表示画素との間で等しい電位に設定される共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015203870A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-16 | 群創光電股▲ふん▼有限公司 | ディスプレイパネル |
WO2019187161A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
JP2019536093A (ja) * | 2017-03-10 | 2019-12-12 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 薄膜トランジスタアレイ基板及び表示パネル |
WO2022259416A1 (ja) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5759813B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-08-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP6028332B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、及び電子機器 |
JP2013222124A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Sony Corp | 信号伝達装置、表示装置および電子機器 |
JP5991709B2 (ja) | 2012-05-01 | 2016-09-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | タッチパネル内蔵型液晶表示装置 |
TWI505003B (zh) * | 2013-06-07 | 2015-10-21 | E Ink Holdings Inc | 顯示面板及其製造方法 |
CN103345914B (zh) * | 2013-07-19 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种用于显示面板的检测电路 |
KR102448611B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2022-09-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9972271B2 (en) * | 2016-05-12 | 2018-05-15 | Novatek Microelectronics Corp. | Display panel |
CN105911786A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-08-31 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 水平电场型液晶显示装置及阵列基板 |
US10157572B2 (en) | 2016-11-01 | 2018-12-18 | Innolux Corporation | Pixel driver circuitry for a display device |
CN107564414B (zh) * | 2017-08-14 | 2020-09-11 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN107895727B (zh) * | 2017-12-01 | 2020-01-21 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 显示基板及其制造方法 |
KR102467465B1 (ko) * | 2018-01-04 | 2022-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 수직 적층 트랜지스터, 이를 포함하는 표시 장치, 및 그 제조 방법 |
CN110364117B (zh) * | 2019-07-17 | 2021-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示面板和显示装置 |
KR20210086309A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치와 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09265110A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | アクティブマトリックスパネル |
JPH1185058A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 表示用信号伝達路および表示装置 |
JPH11218782A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
JP2000056724A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
JP2000267137A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP2002277893A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-09-25 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2005529360A (ja) * | 2002-06-07 | 2005-09-29 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板 |
JP2007322761A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置および電子機器 |
JP2008129374A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0535954B1 (en) * | 1991-10-04 | 1998-04-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
JP3656179B2 (ja) * | 1997-09-08 | 2005-06-08 | 松下電器産業株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示素子及びその駆動方法 |
KR100447229B1 (ko) * | 2001-11-28 | 2004-09-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 제조 방법 |
JP2004086093A (ja) | 2002-08-29 | 2004-03-18 | Sharp Corp | 液晶駆動装置 |
JP2006071814A (ja) | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Optrex Corp | 表示装置 |
JP2007316104A (ja) | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
KR100847640B1 (ko) * | 2006-05-23 | 2008-07-21 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 표시장치 |
KR101359915B1 (ko) * | 2006-09-08 | 2014-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
JP4400605B2 (ja) * | 2006-09-25 | 2010-01-20 | カシオ計算機株式会社 | 表示駆動装置及び表示装置 |
-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09265110A (ja) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Toshiba Corp | アクティブマトリックスパネル |
JPH1185058A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-03-30 | Sharp Corp | 表示用信号伝達路および表示装置 |
JPH11218782A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
JP2000056724A (ja) * | 1998-08-04 | 2000-02-25 | Fujitsu Ltd | 表示装置 |
JP2000267137A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP2002277893A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-09-25 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2005529360A (ja) * | 2002-06-07 | 2005-09-29 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ基板 |
JP2007322761A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置および電子機器 |
JP2008129374A (ja) * | 2006-11-22 | 2008-06-05 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015203870A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-16 | 群創光電股▲ふん▼有限公司 | ディスプレイパネル |
JP2020030422A (ja) * | 2014-04-10 | 2020-02-27 | 群創光電股▲ふん▼有限公司 | ディスプレイパネル |
JP2019536093A (ja) * | 2017-03-10 | 2019-12-12 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 薄膜トランジスタアレイ基板及び表示パネル |
WO2019187161A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
CN111971730A (zh) * | 2018-03-30 | 2020-11-20 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
CN111971730B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-05-17 | 夏普株式会社 | 显示设备 |
US11522038B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-12-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device for improving brightness unevenness in display region of peculiar shape |
WO2022259416A1 (ja) * | 2021-06-09 | 2022-12-15 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
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