CN111971730B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

在所述边框区域设置有第一引绕配线，所述第一引绕配线从所述多个扫描信号线的一个、或所述多个发光控制线的一个、或所述多个数据信号线的一个中延伸，与所述驱动电路电连接，所述第一引绕配线包含于第一金属层，第一导电膜包含于第二金属层，所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由无机绝缘膜重叠。

Description

显示设备
技术领域
本发明是关于显示设备。
背景技术
专利文献1公开抑制异性(角部被切掉的形状)的显示区域的亮度不均匀的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“特开2012-103335号公报(2012年5月31日公开)”
发明内容
发明所要解决的技术问题
在所述现有技术中，存在显示区域限定于特定形状的问题。
解决问题的手段
本发明的一方式所涉及的显示设备，包括，非矩形的显示区域、包围所述显示区域的边框区域，所述显示区域包含：传达数据信号的多个数据信号线、与所述多个数据信号线正交的多个扫描信号线、多个发光控制线、对应于所述多个数据信号线以及所述多个扫面信号线的交点而设置的多个子像素电路，设置有与所述多个数据信号线电连接的驱动电路、与所述多个扫描信号线电连接的驱动电路、与所述多个发光控制线电连接的驱动电路，在所述边框区域设置有第一引绕配线，所述第一引绕配线从所述多个扫描信号线的一个、或所述多个发光控制线的一个、或所述多个数据信号线的一个中延伸，与所述驱动电路电连接，所述显示设备的特征在于，所述第一引绕配线包含于第一金属层，第一导电膜包含于第二金属层，所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由无机绝缘膜重叠。
发明效果
根据本发明的一方式，能够改善异性的显示区域的亮度不均匀。
附图说明
图1是表示显示设备的制造方法的一例的流程图。
图2的(a)是表示显示设备的显示部的构成例的剖视图，(b)是表示TFT层的形成工序的一例的流程图。
图3是表示实施方式一的显示设备的构成的俯视图。
图4是表示包含于显示区域的子像素电路的构成例的电路图。
图5是表示显示区域的边缘周边的构成的俯视图。
图6的(a)是图5的a-a剖视图，(b)是图5的b-b剖视图。
图7的(a)、(b)是表示实施方式一中的扫描脉冲波形的示意图，(c)是参考例中的扫描脉冲波形的示意图。
图8的(a)是表示显示区域的边缘周边的变形例的俯视图，(b)表示显示区域的边缘周边的别的构成的俯视图。
图9的(a)、(b)是表示边框区域的变形例的俯视图，(c)是(b)的c-c剖视图。
图10是表示显示区域的边缘周边的进一步的别的构成的俯视图。
图11是表示实施方式二的显示设备的构成的俯视图。
图12是表示实施方式三的显示设备的构成的俯视图。
图13是表示实施方式四的显示设备的构成的俯视图。
图14是表示显示区域的形状例的俯视图。
具体实施方式
以下，“同层”是指在同一过程(成膜工序)中形成，“下层”是指在比比较对象的层更早的过程中形成，“上层”指在比比较对象的层更晚的过程中形成。
图1是表示显示设备的制造方法的一例的流程图。图2的(a)是表示显示设备的显示部的构成例的剖视图，图2的(b)是表示TFT层的形成工序的一例的流程图。
在制造柔性显示设备的情况下，如图1以及图2所示，首先在透光性的支撑基板(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。然后，形成势垒层3(步骤S2)。然后，形成TFT层4(步骤S3)。然后，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。然后，形成密封层6(步骤S5)。然后，在密封层6上贴附上表面膜(步骤S6)。
然后，通过激光的照射等使支撑基板从树脂层12剥离(步骤S7)。然后，在树脂层12的下表面贴附下表面膜10(步骤S8)。然后，分割层叠体而获得多个单片，该层叠体包括下表面膜10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6(步骤S9)。然后，在获得的单片上贴附功能膜39(步骤S10)。然后，在比形成有多个子像素的显示区域更靠外侧(非显示区域，边框)的一部分(端子部)上安装电子电路基板(例如，IC芯片以及FPC)(步骤S11)。此外，步骤S1至S11是显示设备制造装置(包括进行步骤S1至S5的各工序的成膜装置)进行。
作为树脂层12的材料，例如列举聚酰亚胺等。也能够将树脂层12的部分置换成两层的树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及被该这些夹的无机绝缘膜。
势垒层3是防止水、氧等的异物侵入于TFT层4与发光元件层5的层，能够由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。
TFT层4包含：半导体膜15、比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、比无机绝缘膜16更上层的栅极电极GE与栅极配线GH、比栅极电极GE与栅极配线GH更上层的无机绝缘膜18、比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE、比电容电极CE更上层的无机绝缘膜20、比无机绝缘膜20更上层的源极配线SH、比源极配线SH更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系列的半导体)构成，以包含半导体膜15与栅极电极GE的方式构成晶体管(TFT)。在图2中，晶体管以顶栅结构被示出，但也可以是底栅结构。
栅极电极GE、栅极配线GH、电容电极CE以及源极配线SH例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛以及铜中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜构成。TFT层4如图2的(b)所示，包含一层的半导体层、三层的金属层(第一金属层、第二金属层以及第三金属层)。
无机绝缘膜16、18、20例如可以由通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或这些的层叠膜构成。平坦化膜21例如由聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的有机材料构成。
发光元件层5包括：比平坦化膜21更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25。边缘罩23在涂布聚酰亚胺、丙烯酸等的有机材料之后，通过光刻法能够进行图案化而形成。
在每个子像素中，包含岛状的阳极22、EL层24以及阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)形成于发光元件层5，发光元件ES的控制电路形成于TFT层4，由发光元件与其控制电路构成子像素电路。
EL层24例如由从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口(每个子像素)形成为岛状。其他层形成为岛状或整面状(共用层)。另外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层以及电极注入层中一个以上的层的构成。
在蒸镀形成OLED的发光层的情况下，使用FMM(高精度金属)。FMM是包括多个开口的薄片(例如，殷钢材制)，通过一个开口的有机物质而形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
QLED的发光层例如通过将扩散有量子点的溶剂进行喷墨涂布，能够形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
阳极22例如由ITO(Indium Tin Oxide)与Ag(银)或包括Ag的合金的层叠构成，而且包括光反射性。阴极25能够由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(Indium zinc Oxide)等的透光性的导电材料构成。
在发光元件ES是OLED的情况下，通过阳极22与阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在发光层内再次结合，在通过由此所产生的激子跃迁到基态的过程中，光被放出。阴极25是透过性，阳极22是光反射性，因此从EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发射。
在发光元件ES是QLED的情况下，通过阳极22与阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在发光层内再次结合，在通过由此所产生的激子从量子点的传导带(conduction band)跃迁到价电子带(valence band)的过程中，光(荧光)被放出。
在发光元件层5中，也可以形成除了所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
密封层6是透光性，且包括：覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27以及比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等的异物向发光元件层5渗透。
无机密封膜26与无机密封膜28分别是无机绝缘膜，能够由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，能够由丙烯酸等的可以涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27能够例如由喷墨涂布形成，但也可以在非显示区域设置用于阻挡液滴的堤。
下表面膜10是用于在剥离支撑基板之后，贴附于树脂层12的下面而实现柔软性优异的显示设备的，例如是PET膜。功能膜39包括例如光学补偿功能、触摸传感器功能以及保护功能中的至少一个。
以上，对柔性显示设备进行说明了，但在制造非柔性显示设备的情况下，通常不需要树脂层的形成、基材的更换等，因此例如在玻璃基板上进行步骤S2至S5的层叠工序，之后移动到步骤S9。
〔实施方式一〕
图3是表示实施方式一的显示设备的构成的俯视图，图4是表示包含于显示区域的子像素电路的构成例的电路图。如图3所示，显示设备2包括：包含子像素的显示区域DA、和包围显示区域DA的边框区域(非显示区域)NA。显示区域DA是将x方向作为长轴的椭圆形，显示区域DA的边缘整体是曲线边缘EC的，包含发光元件ES的子像素电路SP连接于数据信号线DL、扫描信号线GL、发光控制线EM、高电压电源线Ph以及初始化电源线Pi。此外，电容Cp的一方电极连接于高电压电源线Ph，另一方电极连接于驱动晶体管Ta的栅极端子。驱动晶体管Ta的栅极端子连接于扫描信号线Gx，驱动晶体管Ta的源极端子经由写晶体管Tb连接于数据信号线DL，驱动晶体管Ta的漏极端子经由晶体管Td连接于发光元件ES。数据信号线DL连接于源极驱动器SDR，扫描信号线GL连接于栅极驱动器GD1、GD2，发光控制线EM连接于发射驱动器ED1、ED2。栅极驱动器GD1、GD2以及发射驱动器ED1、ED2单片形成于边框区域NA所包含的TFT层4。栅极驱动器GD1、GD2是沿着曲线边缘EC的弓形，以夹显示区域DA的方式在其长轴方向排列。
在显示设备2中，在显示区域DA设置有向x方向延伸的扫描信号线Ga、Gm、和向y方向延伸且与扫描信号线Ga、Gm正交的数据信号线DL。扫描信号线Gm位于比扫描信号线Ga更靠显示区域中央侧，成为扫描信号线Gm的长度>扫描信号线Ga的长度。
扫描信号线Ga、Gm连接于栅极驱动器GD1、GD2。此外，在边框区域NA中，用于安装外部基板的端子部TS配置于与短轴方向(y方向)关联的一端部。以下，将第一引绕配线w1至第八引绕配线w8分别简记为引绕配线w1至w8。另外，将第一导电膜K1至第二导电膜K2简记为导电膜K1至K2。
图5是表示显示区域的边缘周边的构成的俯视图。图6的(a)是图5的a-a剖视图，图6的(b)是图5的b-b剖视图。此外，图5是图3的右上边的扩大图，包含被图示的子像素电路SP的左侧区域是显示区域，被图示的子像素电路SP的右侧区域是边框区域。曲线边缘EC是以位于显示区域的最端的子像素SP来规定。
如图2所示，关于TFT层4，在步骤S3a中形成半导体层(包含图2的半导体膜15)，在步骤S3c中形成第一金属层(包含图2的栅极电极GE与栅极配线GH)，在步骤S3e中形成第二金属层(包含图2的电容电极CE)，在步骤S3g中形成第三金属层(包含图2的源极配线SH)。
如图5、图6所示，显示设备2的TFT层4包含：从曲线边缘EC引绕于边框区域NA的引绕配线w1(包含于第一金属层)、与引绕配线w1相邻的引绕配线w2(包含于第一金属层)、经由中继电极TE与引绕配线w1电连接并且引绕到栅极驱动器GD1的引绕配线w3(包含于第二金属层)、经由中继电极TE与引绕配线w2电连接并且引绕到栅极驱动器GD1的引绕配线w5(包含于第二金属层)。
引绕配线w1从扫描信号线Ga(包含于第一金属层)延伸，引绕配线w2从扫描信号线Gb(包含于第一金属层)延伸。即，扫描信号线Ga经由引绕配线w1、w3连接于驱动器GD1，扫描信号线Gb经由引绕配线w2、w5连接于栅极驱动器GD1。
如图5、图6所示，在曲线边缘EC与栅极驱动器GD1的间隙设置有导电膜K1(包含于第二金属层)，引绕配线w1、w2与导电膜K1经由无机绝缘膜18重叠。具体地，引绕配线w1、w2包括宽度局部变大的宽幅部Hb，导电膜K1与各宽幅部Hb整体重叠。各宽幅部Hb是延伸方向(x方向)的大小大于宽度方向(与x方向正交的y方向)的大小的长边形状。由此，可以将宽幅部Hb与导电膜K1之间的电容附加于引绕配线w1、w2。
在显示设备2中，设置从(与扫描信号线Ga相比更靠显示区域中央侧的通过)扫描信号线Gm延伸的引绕配线w4(包含于第一金属层)、经由中继电极TE与引绕配线w4电连接并且引绕到栅极驱动器GD1的引绕配线w6(包含于第二金属层)。如图3所示，导电膜K1是在俯视下从中央部向两端部宽度变大的弓形，引绕配线w4(宽幅部Hb)与导电膜K1的重叠面积小于引绕配线w1(宽幅部Hb)与导电膜K1的重叠面积。因此，附加于引绕配线w4的电容小于附加于引绕配线w1的电容。
图7的(a)、(b)是表示在实施方式一中的扫描脉冲波形的示意图，图7的(c)是表示参考例中的扫描脉冲波形的示意图。连接于扫描信号线Ga的子像素电路的数量小于连接于扫描信号线Gm的子像素电路的数量，因此对栅极驱动器GD1、GD2，电连接于扫描信号线Ga的驱动负载小于扫描信号线Gm的驱动负载。并且，通过比引绕配线w4较大的电容附加于与扫描信号线Ga连接的引绕配线w1，从而能够减小扫描信号线Gm的驱动负载与扫描信号线Ga的驱动负载之间的差异。
由此，扫描信号线Gm中的扫描脉冲的上升波形以及返回波形(参照图7的(a))与扫描信号线G的每一个中的扫描脉冲的上升波形以及返回波形(参照图7的(b))匹配而在显示区域DA中不容易产生短轴(y方向)的亮度不均匀。
此外，在将电容不附加于引绕配线w1(没有导电膜K1、K3)的情况下，在扫描信号线Ga中的信号脉冲的上升波形以及返回波形(参照图7的(c))比在扫描信号线Gm中的信号脉冲的上升波形以及返回波形(参照图7的(a))急剧而产生亮度不均匀。
此外，如图8所示，也可以是引绕配线w3、w5在曲线边缘EC以及栅极驱动器GD1的间隙包括弯曲部Yc，在俯视下，在弯曲部Yc与曲线边缘EC之间配置有导电膜K1的构成。在图5、图6中，导电膜K1经由接触孔，连接于从低电压电源主干配线PM(包含于第三金属层)分支的低电压电源线Pr，低电压电源(ELVSS)供应给导电膜K1。低电压电源(ELVSS)供应给发光元件ES的阴极25。此外，导电膜K1与阴极25(各子像素电路的共用阴极)重叠。
此外，也可以是将导电膜K1与高电压电源主干配线电连接，高电压电源(ELVDD)供应给导电膜K1的构成。此外，高压电源(ELVDD)供应给图4的子像素电路的电容Cp。
图9的(a)、(b)是表示显示区域的边缘周边的变形例的俯视图，图9的(c)是表示图9的(b)的c-c剖视图。如图9的(a)那样，也可以设置与引绕配线w1重叠的岛状的导电膜K1以及与引绕配线w2重叠的岛状的导电膜K2，将这些经由包含于第三金属层的配线RE(与图2的源极配线SH同一层)电连接。在此情况下，可以将导电膜K1、K2(包含于第二金属层)经由与第二金属层同一层的配线，或与阳极22同一层的配线，或阴极25同一层的配线电连接。在图9的(a)中，成为如下构成:导电膜K1覆盖宽幅部Hb整体，导电膜K2覆盖宽幅部Hb整体，因此即使产生第一金属层与第二金属层的图案化偏离，也不容易变化电容值的构成。
另外，如图9的(b)、(c)那样，也可以成为如下构成：以与阳极22同一层的金属膜am覆盖接触孔CH内的导电膜K1的上表面，通过该在接触孔CH内使阴极25与金属膜am接触，来将低电压电源(ELVSS)供应给导电膜K1的构成。此外，金属膜am与电压电源主干配线PM电连接。在接触孔CH(沟槽)中，平坦化膜21与边缘罩23被贯通，而且其内部(底面与侧壁)以金属膜am覆盖，因此能够用沟槽阻挡向显示区域DA的水分渗透。
图10是表示显示区域的边缘周边的进一步的变形例的俯视图。如图10的(a)那样，导电膜K1也可以是电浮置。也可以设置与引绕配线w1重叠的岛状的导电膜K1以及与引绕配线w2重叠的岛状的导电膜K2，并且将导电膜K1、K2设为电浮置。在此情况下，如图10的(b)那样，也可以将导电膜K1、K2隔开(电分离)，也可以用第二金属层所包含的配线相连(电连接)导电膜K1、K2(都包含于第二金属层)。此外，也可以将导电膜K1、K2经由与第三金属层(例如，源极配线SH)同一层的配线、或与阳极22同一层的配线、或与阴极25同一层的配线电连接。在图10的(c)中，成为如下构成:导电膜K1覆盖宽幅部Hb整体，导电膜K2覆盖宽幅部Hb整体，因此即使产生图案化偏离，也电容值不容易变化的构成。此外，如图10的(d)那样，导电膜K1的两个纵边(与y方向平行)位于宽幅部Hb的两个纵边之间，宽幅部Hb的两个横边(与x方向平行)位于导电膜K1的两个横边之间的构成也可以应对第一金属层以及第二金属层之间的图案化偏离。
〔实施方式二〕
图11是表示实施方式二的显示设备的构成的俯视图。在实施方式一中，设置有引绕配线w3、w7，但不限于此。如图11那样，也可以是将引绕配线w1、w2(金属层)引绕到栅极驱动器GD1，连接于栅极驱动器GD1的构成。
〔实施方式三〕
图12是表示实施方式三的显示设备的构成的俯视图。在图12的显示设备2中，与引绕配线w1电连接的引绕配线w3(包含于第二金属层)经由无机绝缘膜18重叠于与引绕配线w2电连接的引绕配线w5(包含于第一金属层)。引绕配线w3、w5的重叠部是向x方向延伸的长边形状。这样，则能够将互相电容附加于引绕配线w3、w5，并且在显示区域DA中，进一步能够抑制短轴(y方向)的亮度不均匀。
在图12中，设置有从与扫描信号线Gm相邻的扫描信号线Gn延伸的引绕配线w7(包含于第一金属层)、以及经由中继电极TE与引绕配线w7电连接并且引绕到栅极驱动器GD1的引绕配线w8(包含于第一金属层)，引绕配线w6、w8的重叠面积小于引绕配线w3、w5的重叠面积。即，附加于引绕配线w6(在与引绕配线w8之间的)的电容小于附加于引绕配线w3(在与引绕配线w5之间的)的电容。这样，可以进一步减小扫描信号线Ga、Gm之间的驱动负载的差异。
〔实施方式四〕
图13是表示实施方式四的显示设备的构成的俯视图。如图13的(a)那样，也可以是使引绕配线w1、w2与发光控制线Ea、Eb以及发射驱动器ED1电连接的构成。另外，如图13的(b)那样，也可以是使引绕配线w1、w2与数据信号线Da、Db(包含于第三金属层)、以及源极驱动器SDR(例如，单片形成于边框区域NA的时间分割驱动电路SSD)电连接。
此外，在所述各实施方式中，显示区域DA是椭圆形，但不限于此。如果显示区是非矩形(具有四个90度角的非矩形形状，也称为异形)，则可以应用本实施方式。例如，如图14那样，显示区域DA也可以是具有四个直线边缘ET以及四个圆状角部的形状。在此情况下，圆状角部(角)的边缘成为曲线边缘EC。
〔总结〕
本实施方式所涉及的显示设备所包含的电气光学元件(通过电流控制亮度、透射率的电气光学元件)不受特别的限制。作为本实施方式所涉及的显示设备，例如可以列举，作为电气光学元件包含OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器、作为电气光学元件包含无机发光二极管的无极EL显示器、作为电气光学元件包含QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔方式一〕
一种显示设备，包括，
非矩形的显示区域、包围所述显示区域的边框区域，所述显示区域包含：传达数据信号的多个数据信号线、与所述多个数据信号线正交的多个扫描信号线、多个发光控制线、对应于所述多个数据信号线以及所述多个扫面信号线的交点而设置的多个子像素电路，
设置有与所述多个数据信号线电连接的驱动电路、与所述多个扫描信号线电连接的驱动电路、与所述多个发光控制线电连接的驱动电路，在所述边框区域设置有第一引绕配线，所述第一引绕配线从所述多个扫描信号线的一个、或所述多个发光控制线的一个、或所述多个数据信号线的一个中延伸，与所述驱动电路电连接，所述显示设备的特征在于，
所述第一引绕配线包含于第一金属层，第一导电膜包含于第二金属层，所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由无机绝缘膜重叠。
〔方式二〕
例如方式一所述的显示设备，其特征在于，所述第一引绕配线包括宽度局部变大的宽幅部，
所述第一导电膜与所述宽幅部重叠。
〔方式三〕
例如方式二所述的显示设备，其特征在于，所述第一导电膜与所述宽幅部整体重叠。
〔方式四〕
例如方式二或三所述的显示设备，其特征在于，
所述宽幅部是所述第一引绕配线延伸的延伸方向的大小大于宽度方向的大小的长边形状。
〔方式五〕
例如方式一至四中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第一引绕配线与包含于所述第一金属层的所述多个扫描信号线中的一个电连接，所述驱动电路向所述多个扫描信号线中的一个传达信号。
〔方式六〕
例如方式一至五中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述驱动电路以沿着所述显示区域的边缘的方式形成于所述边框区域，
从所述驱动电路经由所述第一引绕配线向所述多个扫描信号线中的一个、或所述多个发光控制线中的一个、或所述多个数据信号线中的一个传达信号，
所述非矩形的显示区域的至少一个的角部的边缘是曲线形状或倾斜形状，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜形成于所述驱动电路与所述一个角部之间。
〔方式七〕
例如方式一至五中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述驱动电路以沿着所述显示区域的曲线边缘的方式形成，
从所述驱动电路经由所述第一引绕配线向所述多个扫描信号线中的一个、或所述多个发光控制线中的一个、或所述多个数据信号线中的一个传达信号，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜形成于所述驱动电路与所述曲线边缘之间。
〔方式八〕
例如方式一至五中任一项所述的显示设备，其特征在于，
各驱动电路以沿着非矩形的显示区域的方式配置于所述边框区域。
〔方式九〕
例如方式一至八中任一项所述的显示设备，其特征在于，
在俯视下，所述第一导电膜是从中央部向两端部宽度变大的弓形。
〔方式十〕
例如方式一至九中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜是恒定电位配线。
〔方式十一〕
例如方式一至九中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜是电浮置。
〔方式十二〕
例如方式一至十中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜与将电源电压供应给所述多个子像素电路的配线、或包含于各子像素电路的发光元件的阳极或阴极电连接。
〔方式十三〕
例如方式一至十二中任一项所述的显示设备，其特征在于，
各子像素电路包括电容电极，
所述电容电极包含于所述第二金属层。
〔方式十四〕
例如方式一至十三中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜以跨所述第一引绕配线的方式形成。
〔方式十五〕
例如方式一至十三中任一项所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠。
〔方式十六〕
例如方式十一所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线经由所述无机绝缘膜与包含于所述第二金属层的第二导电膜重叠，
所述第二导电膜是电浮置，也从相邻的所述第一导电膜电分离。
〔方式十七〕
例如方式十一所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线经由所述无机绝缘膜与包含于所述第二金属层的第二导电膜重叠，
所述第二导电膜与相邻的所述第一导电膜电连接，
电连接的所述第二导电膜以及所述第一导电膜是电浮置。
〔方式十八〕
例如方式一至十七中任一项所述的显示设备，其特征在于，
按照所述第一金属层、所述无极绝缘膜、所述第二金属层、其他无机绝缘膜以及第三金属层的顺序层叠，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线，经由所述无机绝缘膜重叠于与所述第一导电膜相邻且包含于所述第二金属层的第二导电膜，
岛状的所述第一导电膜与岛状的所述第二导电膜经由所述第三金属层电连接。
〔方式十九〕
例如方式十八所述的显示设备，其特征在于，
所述第三金属层是包含各子像素电路所包含的发光元件的阳极或阴极或所述多个数据信号线的层。
〔方式二十〕
例如方式十八所述的显示设备，其特征在于，
在俯视下，所述第一导电膜以及所述第二导电膜与由各子像素电路来驱动的发光元件的上层电极重叠。
〔方式二十一〕
例如方式一至二十中任一项所述的显示设备，其特征在于，
在所述显示区域与所述驱动电路的间隙中，所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由所述无机绝缘膜重叠。
〔方式二十二〕
例如方式一至二十一中任一项所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线电连接的第三引绕配线设置于所述边框区域，
所述第一引绕配线与所述驱动电路经由所述第三引绕配线电连接。
〔方式二十三〕
例如方式二十二所述的显示设备，其特征在于，
所述第三引绕配线包括弯曲部，
在俯视下，所述第一导电膜配置于所述弯曲部与所述显示区域之间。
〔方式二十四〕
例如方式二十二或二十三所述的显示设备，其特征在于，
所述第三引绕配线包含于所述第一金属层或所述第二金属层。
〔方式二十五〕
例如方式六或七所述的显示设备，其特征在于，
经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠的第四引绕配线设置于比所述第一引绕配线更靠显示区域中央侧，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜的重叠面积大于所述第四引绕配线以及所述第一导电膜的重叠面积。
〔方式二十六〕
例如方式二十五所述的显示设备，其特征在于，
与所述第四引绕配线电连接的子像素电路的数量多于与所述第一引绕配线电连接的子像素电路的数量。
〔方式二十七〕
例如方式二十二所述的显示设备，其特征在于，
设置有与所述第一引绕配线相邻且包含于第一金属层的第二引绕配线以及引绕于所述边框区域的第五引绕配线，
所述第二引绕配线与所述驱动电路经由所述第五引绕配线电连接，
所述第三引绕配线与所述第五引绕配线经由所述无机绝缘膜重叠。
〔方式二十八〕
例如方式二十七所述的显示设备，其特征在于，
经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠的第四引绕配线以及第七引绕配线设置于比所述第一引绕配线更靠显示区域中央侧，
所述第四引绕配线与所述驱动电路经由第六引绕配线电连接，
所述第七引绕配线与所述驱动电路经由所述第八引绕配线电连接，
所述第六引绕配线与所述第八引绕配线经由所述无机绝缘膜重叠。
〔方式二十九〕
例如方式二十八所述的显示设备，其特征在于，
所述第三引绕配线以及所述第五引绕配线的重叠面积大于所述第六引绕配线以及所述第八引绕配线的重叠面积。
〔方式三十〕
例如方式二十九所述的显示设备，其特征在于，
与所述第六引绕配线电连接的子像素电路的数量多于与所述第三引绕配线电连接的子像素电路的数量。
〔方式三十一〕
例如方式一至三十中任一项所述的显示设备，其特征在于，
所述显示区域是椭圆形，
所述多个扫描信号线以及所述多个发光控制线与长轴平行的方向延伸。
附图标记说明
2 显示设备
3 势垒层
4 TFT层
5 发光元件层
6 密封层
12 树脂层
16、18、20 无机绝缘膜
21 平坦化膜
23 边缘罩
24 EL层
DA 显示区域
NA 边框区域
Ga、Gm 扫描信号线
w1至w8 引绕配线(第一引绕配线至第八引绕配线)
导电膜K1至K2(第一导电膜至第二导电膜)

Claims (27)

1.一种显示设备，包括，
非矩形的显示区域、包围所述显示区域的边框区域，
所述显示区域包含：传达数据信号的多个数据信号线、与所述多个数据信号线正交的多个扫描信号线、多个发光控制线、对应于所述多个数据信号线以及所述多个扫面信号线的交点而设置的多个子像素电路，
设置有与所述多个数据信号线、所述多个扫描信号线、所述多个发光控制线中的任一个电连接的驱动电路，
在所述边框区域设置有第一引绕配线，所述第一引绕配线从所述多个扫描信号线的一个、或所述多个发光控制线的一个、或所述多个数据信号线的一个中延伸，与所述驱动电路电连接，
所述显示设备的特征在于，
所述第一引绕配线包含于第一金属层，
第一导电膜包含于第二金属层，
所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由无机绝缘膜重叠，
所述驱动电路以沿着所述显示区域的边缘的方式形成于所述边框区域，
从所述驱动电路经由所述第一引绕配线向所述多个扫描信号线中的一个、或所述多个发光控制线中的一个、或所述多个数据信号线中的一个传达信号，
所述非矩形的显示区域的至少一个的角部的边缘是曲线形状或倾斜形状，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜形成于所述驱动电路与所述一个角部之间，
经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠的第四引绕配线设置于比所述第一引绕配线更靠显示区域中央侧，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜的重叠面积大于所述第四引绕配线以及所述第一导电膜的重叠面积，
与所述第四引绕配线电连接的子像素电路的数量多于与所述第一引绕配线电连接的子像素电路的数量。
2.一种显示设备，包括，
非矩形的显示区域、包围所述显示区域的边框区域，
所述显示区域包含：传达数据信号的多个数据信号线、与所述多个数据信号线正交的多个扫描信号线、多个发光控制线、对应于所述多个数据信号线以及所述多个扫面信号线的交点而设置的多个子像素电路，
设置有与所述多个数据信号线、所述多个扫描信号线、所述多个发光控制线中的任一个电连接的驱动电路，
在所述边框区域设置有第一引绕配线，所述第一引绕配线从所述多个扫描信号线的一个、或所述多个发光控制线的一个、或所述多个数据信号线的一个中延伸，与所述驱动电路电连接，
所述显示设备的特征在于，
所述第一引绕配线包含于第一金属层，
第一导电膜包含于第二金属层，
所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由无机绝缘膜重叠，
所述驱动电路以沿着所述显示区域的曲线边缘的方式形成，
从所述驱动电路经由所述第一引绕配线向所述多个扫描信号线中的一个、或所述多个发光控制线中的一个、或所述多个数据信号线中的一个传达信号，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜形成于所述驱动电路与所述曲线边缘之间，
经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠的第四引绕配线设置于比所述第一引绕配线更靠显示区域中央侧，
所述第一引绕配线以及所述第一导电膜的重叠面积大于所述第四引绕配线以及所述第一导电膜的重叠面积，
与所述第四引绕配线电连接的子像素电路的数量多于与所述第一引绕配线电连接的子像素电路的数量。
3.根据权利要求1或2所述的显示设备，其特征在于，
所述第一引绕配线包括宽度局部变大的宽幅部，
所述第一导电膜与所述宽幅部重叠。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜与所述宽幅部整体重叠。
5.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述宽幅部是所述第一引绕配线延伸的延伸方向的大小大于宽度方向的大小的长边形状。
6.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一引绕配线与包含于所述第一金属层的所述多个扫描信号线中的一个电连接，所述驱动电路向所述多个扫描信号线中的一个传达信号。
7.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
在俯视下，所述第一导电膜是从中央部向两端部宽度变大的弓形。
8.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜是恒定电位配线。
9.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜是电浮置。
10.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜与将电源电压供应给所述多个子像素电路的配线、或包含于各子像素电路的发光元件的阳极或阴极电连接。
11.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
各子像素电路包括电容电极，
所述电容电极包含于所述第二金属层。
12.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述第一导电膜以跨所述第一引绕配线的方式形成。
13.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠。
14.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线经由所述无机绝缘膜与包含于所述第二金属层的第二导电膜重叠，
所述第二导电膜是电浮置，也从相邻的所述第一导电膜电分离。
15.根据权利要求9所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线经由所述无机绝缘膜与包含于所述第二金属层的第二导电膜重叠，
所述第二导电膜与相邻的所述第一导电膜电连接，
电连接的所述第二导电膜以及所述第一导电膜是电浮置。
16.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
按照所述第一金属层、所述无机绝缘膜、所述第二金属层、其他无机绝缘膜以及第三金属层的顺序层叠，
与所述第一引绕配线相邻且包含于所述第一金属层的第二引绕配线，经由所述无机绝缘膜重叠于与所述第一导电膜相邻且包含于所述第二金属层的第二导电膜，
岛状的所述第一导电膜与岛状的所述第二导电膜经由所述第三金属层电连接。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其特征在于，
所述第三金属层是包含各子像素电路所包含的发光元件的阳极或阴极或所述多个数据信号线的层。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其特征在于，
在俯视下，所述第一导电膜以及所述第二导电膜与由各子像素电路来驱动的发光元件的上层电极重叠。
19.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
在所述显示区域与所述驱动电路的间隙中，所述第一引绕配线与所述第一导电膜经由所述无机绝缘膜重叠。
20.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
与所述第一引绕配线电连接的第三引绕配线设置于所述边框区域，
所述第一引绕配线与所述驱动电路经由所述第三引绕配线电连接。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其特征在于，
所述第三引绕配线包括弯曲部，
在俯视下，所述第一导电膜配置于所述弯曲部与所述显示区域之间。
22.根据权利要求20或21所述的显示设备，其特征在于，
所述第三引绕配线包含于所述第一金属层或所述第二金属层。
23.根据权利要求20所述的显示设备，其特征在于，
设置有与所述第一引绕配线相邻且包含于第一金属层的第二引绕配线以及引绕于所述边框区域的第五引绕配线，
所述第二引绕配线与所述驱动电路经由所述第五引绕配线电连接，
所述第三引绕配线与所述第五引绕配线经由所述无机绝缘膜重叠。
24.根据权利要求23所述的显示设备，其特征在于，
经由所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠的第四引绕配线以及第七引绕配线设置于比所述第一引绕配线更靠显示区域中央侧，
所述第四引绕配线与所述驱动电路经由第六引绕配线电连接，
所述第七引绕配线与所述驱动电路经由第八引绕配线电连接，
所述第六引绕配线与所述第八引绕配线经由所述无机绝缘膜重叠。
25.根据权利要求24所述的显示设备，其特征在于，
所述第三引绕配线以及所述第五引绕配线的重叠面积大于所述第六引绕配线以及所述第八引绕配线的重叠面积。
26.根据权利要求25所述的显示设备，其特征在于，
与所述第六引绕配线电连接的子像素电路的数量多于与所述第三引绕配线电连接的子像素电路的数量。
27.根据权利要求3所述的显示设备，其特征在于，
所述显示区域是椭圆形，
所述多个扫描信号线以及所述多个发光控制线与长轴平行的方向延伸。
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