JPH1185058A - 表示用信号伝達路および表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 信号波形のなまりや遅延を低減して良好な表
示状態を得る。 【解決手段】 互いに平行な信号線１に平行に共通線３
を設け、絶縁層を間に介して信号線の支線２と交差させ
る。これにより共通線３と各支線２との交差部に付加容
量を形成し、各支線２の寄生容量を等しくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばテレビジョ
ンセット、コンピュータやワードプロセッサなどに用い
られる表示装置、および映像信号や制御信号を伝送する
表示用信号伝達路に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の表示装置として、例えば図８に示
すようなアクティブマトリクス型の液晶表示装置が知ら
れている。

【０００３】この表示装置は、ガラス基板１０８上に設
けられた画素部の周囲に、データ信号線駆動回路１０１
および走査信号線駆動回路１０２を備えている。データ
信号線駆動回路１０１から画素部に導出された各データ
信号線１０３と、走査信号線駆動回路１０２から画素部
に導出された各走査信号線１０４とは互いに交差してお
り、各交差部近傍に画素１０５がマトリクス状に配置さ
れている。

【０００４】データ信号線駆動回路１０１には、クロッ
ク信号ＣＫＳおよび映像信号ＤＡＴが入力され、クロッ
ク信号ＣＫＳに同期して入力された映像信号ＤＡＴをサ
ンプリングし、各画素１０５に与えるための映像信号Ｄ
ＡＴを各データ信号線１０３に順次送出する。

【０００５】走査信号線駆動回路１０２は、クロック信
号ＣＫＧに同期して各走査信号線１０４を順次選択して
おり、各走査信号線１０４を選択する度に走査信号線１
０４に接続されている各画素１０５のスイッチング素子
をオン状態にする。それに伴って、各データ信号線１０
３に書き込まれた映像信号ＤＡＴは水平方向の１行分の
各画素１０５に順次書き込まれ、それらの画素に保持さ
れる。

【０００６】図９は、画素１０５の構成を示す等価回路
図である。各画素１０５には、液晶容量１１２ａおよび
必要に応じて付加される補助容量１１２ｂからなる画素
容量１１２と、スイッチング素子としての薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）１１１とを備えている。このＴＦＴ１１
１は、ソースがデータ信号線１０３に接続され、ゲート
が走査信号線１０４に接続され、ドレインが液晶容量１
１２ａを構成する一方の電極である画素電極と補助容量
１１２ｂを構成する一方の電極とに接続されている。ま
た、画素容量１１２の他方の電極は全画素に共通の共通
電極線に接続されている。

【０００７】この表示装置において、ＴＦＴ１１１がオ
ン状態になると、データ信号線１０３からの映像信号が
画素容量１１２に印加され、これによって画素１０５の
液晶の透過率または反射率が変調されて表示が行われ
る。

【０００８】このようなアクティブマトリクス型の表示
装置においては、従来、ガラス等の透明基板１０８上に
非結晶シリコン薄膜を積層してＴＦＴ１１１を形成し、
データ信号線駆動回路１０１および走査信号線駆動回路
１０２として外付けのＩＣを用いることが多かった。

【０００９】一方、近年においては画面の大型化が強く
望まれており、これを実現するためには画素部のＴＦＴ
の駆動能力を向上すること、データ信号線駆動回路およ
び走査信号線駆動回路の実装コストを低減すること、お
よび実装状態における信頼性を向上すること等が要求さ
れている。これらの要求を上述した非結晶シリコン薄膜
を用いたＴＦＴや外付けのＩＣによって満足させること
は困難であるため、多結晶シリコン薄膜を用いて表示用
スイッチング素子と駆動回路の素子とを同一基板上にモ
ノリシックに形成するという技術が報告されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した表
示装置においては、表示画面の少なくとも１辺に沿って
駆動回路部に映像信号を伝達するビデオ信号線やクロッ
ク信号を伝達するクロック信号線が敷設されるため、こ
れらの信号線の寄生抵抗や寄生容量に基づく各信号線の
時定数が無視できない程大きくなる。このことについて
以下に説明する。

【００１１】図１０は、駆動回路の信号線部分を示す図
である。ここでは、各信号線１２１とその支線１２２と
が絶縁層（図示せず）を介して交差しており、各信号線
１２１と支線１２２との交差部で寄生容量が生じて各信
号線１２１で寄生容量の差が大きくなるため、各信号線
１２１の信号波形のなまりや遅延の差が大きくなってい
た。

【００１２】このような信号波形のなまりや遅延の差が
映像信号に生じると、１画素に割り当てられるべき映像
信号を正確にサンプリングできなくなり、その一部が他
の画素でサンプリングされてしまうので、これが表示画
面の滲みやゴーストの原因となっていた。

【００１３】特に、上述の画面を大型化した表示装置に
おいて、画素部とデータ信号線駆動回路部とをモノリシ
ックに構成した場合、データ信号線駆動回路を通るビデ
オ信号線が、その駆動回路の水平方向の長さと略同等に
なって非常に長くなるため、信号線の時定数の問題が非
常に顕著となっていた。

【００１４】この問題を解決するために、例えば特開平
５−３０７１６５号および特開平７−１７５０３８号に
は、以下のような方法が報告されている。

【００１５】まず、特開平５−３０７１６５号では、ビ
デオ信号線から各画素に信号を出力する出力信号線の線
幅を変化させることにより、ビデオ信号線と出力信号線
に寄生する電気的抵抗を等しくしている。この技術によ
ればビデオ信号線と出力信号線に寄生する電気的抵抗は
等しくなるが、そのビデオ信号線の電気的容量が全て等
しくなるとは言えず、信号の歪みやタイミングのずれが
充分に解消されない。

【００１６】次に、特開平７−１７５０３８号では、ビ
デオ信号線から信号制御を行うＴＦＴを経由して各画素
に信号を出力する際に、ビデオ信号線と接続配線とを接
続するためのコンタクトホールと、その接続配線とＴＦ
Ｔとを接続するためのコンタクトホールのうち、最もビ
デオ信号線に近い側のものとの間の距離を等しくするこ
とにより、接続配線の電気的抵抗を等しくしている。し
かし、この技術によれば、各コンタクトホール間の距離
を等しくするためにある程度の配線長さを必要とするた
め、ＴＦＴのサイズ（チャネル幅）が大きい場合や配置
ピッチに余裕がある場合に限定されるという問題があ
る。

【００１７】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、信号波形のなまりや遅延
を低減することができる表示用信号伝達路および表示装
置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の表示用信号伝達
路は、互いに平行な複数の信号線と、互いに平行な各信
号線の支線とが絶縁層を間に介して交差すると共に各支
線が各１本の信号線に電気的に接続され、各信号線に入
力される信号を、該信号線に接続された各支線から送出
する信号伝達路において、該信号線に平行に設けられた
共通線が、該絶縁層を間に介して各支線と交差し、該共
通線と各支線との交差部に形成される付加容量により各
支線の容量が等しくされており、そのことにより上記目
的が達成される。

【００１９】前記共通線と前記信号線の各支線との交差
部において、該共通線および該支線の少なくとも一方の
線幅が他の交差部とは異なることにより、各支線の容量
が等しくされていてもよい。

【００２０】前記信号線の各支線が同じ長さにしてあっ
てもよい。

【００２１】前記信号線の各支線が、前記信号線よりも
融点が高い材料からなっていてもよい。

【００２２】本発明の表示装置は、１枚の基板上に、複
数の画素電極および各画素電極を制御する表示用スイッ
チング素子がマトリクス状に設けられた画素部と、該画
素電極に供給する映像信号を制御する駆動用素子が設け
られたデータ信号線駆動回路部とを有する表示装置にお
いて、該駆動回路部に本発明の表示用信号伝達路が設け
られ、該駆動用素子から前記各信号線に入力される映像
信号を、該信号線に接続された前記各支線から該画素部
に送出し、そのことにより上記目的が達成される。

【００２３】前記表示用スイッチング素子および前記駆
動用素子が多結晶シリコン薄膜トランジスタからなって
いてもよい。

【００２４】以下、本発明の作用について説明する。

【００２５】本発明の表示用信号伝達路にあっては、信
号線に平行に共通線を設け、絶縁層を間に介して信号線
の支線と交差させて共通線と各支線との交差部に付加容
量を形成することにより、各支線の容量を等しくするこ
とができる。これにより、各支線に伝送される映像信号
や制御信号における波形のなまりや遅延が低減され、配
線の末端まで原波形に忠実な表示用信号を転送すること
ができる。

【００２６】例えば、共通線と信号線の各支線との交差
部において、共通線および支線の少なくとも一方の線幅
を他の交差部と異ならせれば、各支線の容量を等しくす
ることができる。このとき、信号線の各支線の長さを同
じにしてもよい。

【００２７】また、信号線の各支線には信号線よりも融
点が高い材料を用いてもよい。

【００２８】ところで、画素部とデータ信号線駆動回路
部とが同一基板上に設けられた表示装置において、デー
タ信号線駆動回路部と画面の水平方向の長さとを略同等
にすると、データ信号線駆動回路部に設けられるビデオ
信号線が非常に長くなり、このビデオ信号線の時定数の
増大を招き易い。そこで、本発明の表示装置にあって
は、データ信号線駆動回路部に本発明の表示用信号伝達
路を設けてビデオ信号線の各支線の容量を等しくするこ
とにより、各信号線の時定数を揃えることができる。

【００２９】ここで、画素部の表示用スイッチング素子
と駆動回路部の駆動用素子を多結晶シリコンＴＦＴで構
成すると、表示用スイッチング素子と駆動用素子とを略
同一のプロセスで製造可能となるので好ましい。また、
多結晶シリコンＴＦＴは６００℃以下のプロセスで製造
することもでき、この場合には、安価で大型化が容易な
ガラス基板を用いることができるので製造コストを大幅
に低減することができる。ところが、多結晶シリコンＴ
ＦＴは、単結晶シリコンＴＦＴに比べて特性が劣ってお
り、データ信号線駆動回路の各ＴＦＴのサイズ（チャネ
ル幅）を大きくする必要がある。それに伴ってビデオ信
号線およびその支線の寄生容量が大きくなって容量が不
均一になり易い。そこで、本発明の表示装置にあって
は、本発明の表示用信号伝達路を用いることにより、各
支線の容量を等しくする。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て、図面を参照しながら説明する。

【００３１】（実施形態１）図１は実施形態１の表示用
信号伝達路を示す等価回路図である。ここでは、互いに
平行なビデオ信号線１と、互いに平行なビデオ信号線の
支線２とが絶縁層（図示せず）を間に介して交差してい
る。また、ビデオ信号線１と平行に設けられた共通線３
とビデオ信号線の支線２もその絶縁層を間に介して交差
しており、各支線２に生じる寄生容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３
が等しくなっている。

【００３２】この表示用信号伝達路は、図２に示すよう
に、ビデオ信号線１１の支線１２と共通線１３との各交
差部において、共通線１３の幅を異ならせることにより
支線１２の容量を等しくしたものである。すなわち、ビ
デオ信号線１１との間の寄生容量が少ない支線１２と共
通線１３との交差部で共通線１３の幅を他の交差部より
も広げることにより、その支線１２と共通線１３との間
の付加容量を大きくする。これにより、全ての支線１２
の寄生容量が等しくなる。

【００３３】このようにビデオ信号線の支線の容量を等
しくすることにより、ビデオ信号線の支線に伝送される
信号の波形なまりや遅延を低減することができ、良好な
表示状態を得ることができる。

【００３４】なお、本実施形態１においては、各支線１
２の抵抗の変化や共通線１３による面積の増大が懸念さ
れるが、各支線１２の線幅を異ならせたり、共通線１３
の基本線幅を細くしたりすることにより、その影響を殆
ど無くすることができる。

【００３５】また、本実施形態１においては、ビデオ信
号線１１の支線１２と共通線１３との交差部において支
線１２の線幅を異ならせたが、共通線１３の線幅を異な
らせてもよく、支線１２および共通線１３の両方の線幅
を異ならせてもよい。また、支線１２は、ビデオ信号線
１１や共通線１３よりも上層に設けてもよく、折り曲げ
たり幅を変化させたりしてもよい。

【００３６】さらに、ビデオ信号線１１の各支線１２を
通常配線に用いるＡｌ系金属よりも融点が高い材料で形
成する場合には、ビデオ信号線１１の支線１２の電気抵
抗が高くなるため、より大きな効果が期待できる。すな
わち、ビデオ信号線１１の支線１２の電気抵抗が高くな
った場合、各々の交差部に発生する付加容量が不揃いで
あると、各ビデオ信号線１１の各支線１２に発生するイ
ンピーダンスのばらつきが大きくなり、ビデオ信号線１
１の各支線１２に伝送される信号遅延にばらつきが生じ
る。そこで、本実施形態のように付加容量を揃えること
による効果が大きくなる。

【００３７】（実施形態２）図３は実施形態２の表示用
信号伝達路の構成を示す平面図である。

【００３８】この表示用信号伝達路は、ビデオ信号線２
１の支線２２の長さを等しくしている。さらに、ビデオ
信号線２１の各支線２２の基本線幅を各々変化させ、ま
た、ビデオ信号線２１の各支線２２と共通線２３とが交
差する部分において、ビデオ信号線２１の各支線の幅
を、全てのビデオ信号線２１とビデオ信号線の支線２
２、およびビデオ信号線２１の各支線２２と共通線２３
との交差面積が全て等しくなるように変化させている。
これにより、全ての支線２２の寄生容量および寄生抵抗
が共に等しくなるので、各支線２２のインピーダンスを
揃えることができ、信号遅延の差をなくすことができ
る。

【００３９】このようにビデオ信号線の支線の容量を等
しくすることにより、ビデオ信号線の支線に伝送される
信号の波形なまりや遅延を低減することができ、良好な
表示状態を得ることができる。また、本実施形態におい
ては、ビデオ信号線２１の支線２２の長さを等しくして
あるので、各ビデオ信号線２１の支線２２と共通線２３
との交差面積を小さくし、各交差部に発生する付加容量
を小さくすることができるという利点がある。

【００４０】なお、本実施形態２においては、各支線２
２による面積の増大が懸念されるが、各支線２２の線幅
を変化させたり、支線２２の基本線幅を細くしたりする
ことにより、その影響を殆ど無くすることができる。

【００４１】また、本実施形態２においては、ビデオ信
号線２１の支線２２と共通線２３との交差部において共
通線２３の線幅を異ならせたが、支線２２の線幅を異な
らせてもよく、支線２２および共通線２３の両方の線幅
を異ならせてもよい。また、支線２２は、ビデオ信号線
２１や共通線２３よりも下層に設けてもよく、折り曲げ
たり幅を変化させたりしてもよい。さらに、ビデオ信号
線１１の各支線１２をビデオ信号線１１よりも融点が高
い材料で形成してもよい。

【００４２】なお、上記実施形態１および２において、
各ビデオ信号線の支線と共通線の交差部（交差部近傍を
含む）で線幅を変化させる場合、その変化範囲を適宜設
定する必要がある。この変化範囲の設定には、線幅を変
化させる配線（支線または共通線）の変化部位とそれに
交差する配線との離隔距離を考慮する必要があり、例え
ば、ビデオ信号線と共通線との位置合わせの許容範囲
（アライメントマージン）と、ビデオ信号線とその支線
および共通線のフリンジ容量（交差部以外で各配線間に
生じる容量成分）を充分に小さくできる各配線間の距離
（各配線間の絶縁層の厚みに相当する）との和を離隔距
離として考慮するのが好ましい。

【００４３】ここで、各配線の位置合わせの許容範囲、
およびフリンジ容量を充分小さくできる配線間の距離
は、ビデオ信号線、支線および共通線の層厚や、ビデオ
信号線と支線との間の絶縁層または支線と共通線との間
の絶縁層の厚み、さらに、製造装置の仕様や使用条件等
で異なるので、製造プロセスに合わせて適切に設定する
必要がある。

【００４４】但し、線幅を変化させる配線の変化部位と
それに交差する配線との離隔距離を必要以上に大きくす
ることは、配線領域の面積を大きくすることになるの
で、避けるべきである。

【００４５】また、上記実施形態１および２において、
共通線は、各ビデオ信号線に平行で、全てのビデオ信号
線の支線に交差していれば、どの位置に配置してもよ
い。例えば、各ビデオ信号線の間に配置したり、支線の
信号送出側とは反対側に設けてもよい。

【００４６】（実施形態３）図４は本実施形態３の表示
装置の構成を示すブロック図である。

【００４７】この表示装置は、ガラス基板３８上の画素
部に画素電極およびスイッチング素子としてのＴＦＴを
有する画素３５がマトリクス状に設けられ、各画素３５
の近傍を通って互いに交差するようにデータ信号線３２
および走査信号線３４が設けられている。また、同じガ
ラス基板３８上に、データ信号線３２に接続されたデー
タ信号線駆動回路３１と、走査信号線３４に接続された
走査信号線駆動回路３３が設けられている。データ信号
線駆動回路３１および走査信号線駆動回路３３は、ガラ
ス基板３８の外部に設けられた表示制御部３６および電
圧源３７に接続されている。

【００４８】表示制御部３６は、データ信号線駆動回路
３１にクロック信号ＣＫＳおよび映像信号ＤＡＴ等を送
出すると共に、走査信号線駆動回路３３にクロック信号
ＣＫＧ等を送出する。また、電圧源３７は、駆動電圧を
データ信号線駆動回路３１および走査信号線駆動回路３
３に供給する。

【００４９】データ信号線駆動回路３１は、表示制御部
３６から入力されたクロック信号ＣＫＳに同期して映像
信号ＤＡＴをサンプリングし、各画素３５に与えるため
の映像信号ＤＡＴを各データ信号線３２に順次送出す
る。

【００５０】走査信号線駆動回路３３は、表示制御部３
６から入力されたクロック信号ＣＫＧに同期して各走査
信号線３４を順次選択し、各走査信号線３４を選択する
度にその走査信号線３４に接続されている各画素３５の
スイッチング素子（ＴＦＴ）をオン状態にする。それに
伴って、各データ信号線３２に書き込まれた映像信号Ｄ
ＡＴは水平方向の１行分の各画素３５に順次書き込ま
れ、それらの画素に保持される。

【００５１】図５はデータ信号線駆動回路３１の構成を
示す等価回路図である。

【００５２】このデータ信号線駆動回路３１は、クロッ
ク信号線４１、４２、シフトレジスタ４３、バッファ４
４、ビデオ信号線４５、４６、４７、ビデオ信号線の支
線４５ａ、４６ａ、４７ａ、ＴＦＴ４８および共通線４
９を備えており、以下のような点順次方式により映像信
号をサンプリングしてデータ信号線３２に送出してい
る。

【００５３】各クロック信号線４１、４２は、表示制御
部３６からのクロック信号ＣＬＫ、バーＣＬＫ（／ＣＬ
Ｋ）を伝送している。シフトレジスタ４３は表示制御部
３６からのサンプリング信号ＳＰＳを入力し、各クロッ
ク信号ＣＬＫ、バーＣＬＫ（／ＣＬＫ）に同期して、サ
ンプリング信号ＳＰＳを各バッファ４４に順次送出して
いる。

【００５４】各ビデオ信号線４５、４６、４７は、各映
像信号ＤＡＴ１、ＤＡＴ２、ＤＡＴ３を伝送している。
各ＴＦＴ４８は３個ずつグループ分けされており、各グ
ループ毎にバッファ４４からのサンプリング信号に応答
してオン状態になる。それに伴って、映像信号ＤＡＴ
１、ＤＡＴ２、ＤＡＴ３がビデオ信号線の支線４５ａ、
４６ａ、４７ａから各データ信号線３２に送出される。

【００５５】ところで、上記データ信号線駆動回路３１
中に含まれる各クロック信号線４１、４２、各ビデオ信
号線４５、４６、４７はデータ信号線駆動回路３１の長
辺に沿って配されるので、データ信号線駆動回路３１の
長辺と略同じ長さになる。ここで、ビデオ信号線４５、
４６、４７の寄生容量が不均等であると、各映像信号Ｄ
ＡＴ１、ＤＡＴ２、ＤＡＴ３の波形になまりが発生して
１画素に割り当てられるべき映像信号を正確にサンプリ
ングすることができなくなるため、表示画像の品質が低
下する。

【００５６】このため、本実施形態３においては、各ビ
デオ信号線４５、４６、４７に平行に共通線４９を設
け、絶縁層を間に介してビデオ信号線の支線４５ａ、４
６ａ、４７ａと交差させることにより、共通線４９と各
支線４５ａ、４６ａ、４７ａとの間に付加容量を形成し
ている。

【００５７】例えば、実施形態１の表示用信号伝達路を
データ信号線駆動回路３１に適用して、図２のビデオ信
号線１１を図５のビデオ信号線４５、４６、４７として
データ信号線駆動回路３１の長辺に沿ってデータ信号線
駆動回路３１の長辺と略同じ長さに設け、図２のビデオ
信号線１１の支線１２を図５のビデオ信号線４５ａ、４
６ａ、４７ａとしてデータ信号線駆動回路３１の長辺に
垂直に配し、図２の共通線１３を図５の共通線４９とし
てデータ信号線駆動回路３１の長辺に沿ってデータ信号
線駆動回路３１の長辺と略同じ長さに設ける。または、
実施形態２の表示用信号伝達路をデータ信号線駆動回路
３１に適用して、図３のビデオ信号線２１を図５のビデ
オ信号線４５、４６、４７としてデータ信号線駆動回路
３１の長辺に沿ってデータ信号線駆動回路３１の長辺と
略同じ長さに設け、図３のビデオ信号線２１の支線１２
を図５のビデオ信号線４５ａ、４６ａ、４７ａとしてデ
ータ信号線駆動回路３１の長辺に垂直に配し、図３の共
通線２３を図５の共通線４９としてデータ信号線駆動回
路３１の長辺に沿ってデータ信号線駆動回路３１の長辺
と略同じ長さに設ける。これにより、各支線の寄生容量
を等しくして各支線に伝送される映像信号の波形のなま
りや遅延を低減することができるので、良好な表示品位
を得ることができる。なお、共通線４９には一定の電圧
が印加されているのが好ましい。

【００５８】図６はデータ信号線駆動回路３１に設けら
れたＴＦＴ４８の構成を示す断面図である。このＴＦＴ
は正スタガー構造の多結晶シリコンＴＦＴであり、ガラ
ス基板３８上にチャネル領域５６ａ、ソース領域５６お
よびドレイン領域５６を有する多結晶シリコン薄膜５２
が設けられ、その上を覆うようにゲート絶縁層５３が設
けられている。ゲート絶縁層５３の上にはチャネル領域
５６ａと対向するようにＴＦＴのゲート５４が設けら
れ、その上を覆うように層間絶縁膜５７が設けられてい
る。層間絶縁膜５７およびゲート絶縁層５３にはソース
領域５６およびドレイン領域５６に達するコンタクトホ
ールが設けられ、層間絶縁膜５７の上に設けられた金属
配線５９とソース領域５６およびドレイン領域５６とが
コンタクトホールを介して接続されている。

【００５９】このＴＦＴ４８は、例えば以下のようにし
て画素３５のＴＦＴと同時に作製することができる。

【００６０】まず、図７（ａ）および図７（ｂ）に示す
ように、ガラス基板３８上に非結晶シリコン薄膜５１を
形成し、この非結晶シリコン薄膜５１にエキシマレーザ
ーを照射して図７（ｃ）に示すような多結晶シリコン薄
膜５２を形成する。この非結晶シリコン薄膜５１の形成
前に、必要に応じてシリコン酸化膜等を形成しておいて
もよい。また、非結晶シリコン薄膜５１の代わりにシリ
サイドやポリサイド等を用いてもよい。

【００６１】次に、図７（ｄ）に示すように多結晶シリ
コン薄膜５２を所定の形状にパターニングし、その後、
図７（ｅ）に示すようにゲート絶縁層５３を形成する。

【００６２】続いて、図７（ｆ）に示すようにモリブデ
ン等を用いてＴＦＴのゲート５４を形成する。

【００６３】その後、図７（ｇ）および図７（ｈ）に示
すように所定の部分をレジスト５５で覆い、不純物イオ
ン（ｎ型領域には燐イオン、ｐ型領域には硼酸イオン）
を注入することによりＴＦＴのソース領域５６およびド
レイン領域５６を形成する。このとき不純物イオンが注
入されなかった部分はＴＦＴのチャネル領域５６ａとな
る。

【００６４】次に、図７（ｉ）に示すように、二酸化シ
リコンまたは窒化シリコンからなる層間絶縁膜５７を堆
積し、図７（ｊ）に示すように層間絶縁膜およびゲート
絶縁膜５７にソース領域５６およびドレイン領域５６に
達するコンタクトホール５８を形成する。

【００６５】続いて、図７（ｋ）に示すようにアルミニ
ウム等からなる金属配線５９を形成してコンタクトホー
ル５８を介してソース領域５６およびドレイン領域５６
と接続させる。この金属配線５９としては、モリブデン
やタンタル、チタン等の高融点材料を用いてもよい。ま
た、さらに高抵抗材料である多結晶シリコン等を用いて
もよい。

【００６６】その後、画素部においてはさらに層間絶縁
膜を形成し、その上に透過型液晶表示装置の場合には透
明電極を形成し、反射型液晶表示装置の場合には反射電
極を形成する。

【００６７】このようにして得られる本実施形態３の表
示装置は、データ信号線駆動回路３１、走査信号線駆動
回路駆動３３および各画素３５が同じガラス基板３８上
にモノリシックに形成されているので、安価で大型化さ
れたガラス基板３８を使用することができ、表示画面の
大型化および製造コストの大幅な低廉化を図ることがで
きる。しかし、データ信号線駆動回路３１が表示画面の
水平方向の一辺に沿って配され、この表示画面の水平方
向の長さと略同じ長さになっているので、駆動回路中に
含まれる信号線が非常に長くなり、その信号線の時定数
の増大を招き易い。また、本実施形態３の表示装置にお
いては、各駆動回路３１、３３のＴＦＴと画素３５のＴ
ＦＴとが多結晶シリコン薄膜を用いてモノリシックに形
成されているので、各駆動回路のＴＦＴと各画素のＴＦ
Ｔとを略同じ工程で形成することができ、駆動回路部と
画素部とを同一基板上に極めて容易に形成することがで
きる。但し、多結晶シリコンＴＦＴの特性は単結晶シリ
コンＴＦＴに比べて劣っており、特に、ガラス基板上に
６００℃以下の低温プロセスで形成されている場合には
高温で形成された多結晶シリコンＴＦＴに比べてもその
駆動力が劣っているため、ＴＦＴのサイズを充分に大き
くする必要がある。また、ガラス基板３８の歪みも大き
くなるので、その影響を避けるためにもＴＦＴに接続さ
れる信号線のサイズを大きくする必要がある。しかし、
ＴＦＴやＴＦＴに接続される信号線のサイズを大きくす
ると、信号線の寄生容量のばらつきが大きくなる傾向が
あり、信号波形になまりや遅延が生じて表示画像の品質
が低下するおそれがある。

【００６８】そこで、本実施形態３においては、上述し
たように、データ信号線駆動回路３１にビデオ信号線４
５、４６、４７と平行な共通線４９を設け、ビデオ信号
線の支線４５ａ、４６ａ、４７ａと絶縁層を介して交差
させて付加容量を形成することにより、支線４５ａ、４
６ａ、４７ａの寄生容量を等しくしている。これによ
り、各信号線の時定数を揃え、寄生容量のばらつきを少
なくして波形のなまりや遅延を低減することができるの
で、大画面で良好な表示品位を有する表示装置を実現す
ることが可能になる。

【００６９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、信号線の支線の容量を等しくすることができるの
で、支線に伝送される映像信号や制御信号における波形
のなまりや遅延を低減することができ、配線の末端まで
原波形に忠実な表示用信号を転送して表示画像の品質を
高く維持することができる。

【００７０】また、本発明による場合には、画素部とデ
ータ信号線駆動回路部とが同一基板上にモノリシックに
設けられた表示装置において、データ信号線駆動回路部
と画面の水平方向の長さとが略同等で、データ信号線駆
動回路部のビデオ信号線が非常に長くなった場合でも、
ビデオ信号線の各支線の容量を等しくして各信号線の時
定数を揃えることができる。よって、大画面化された良
好な表示状態の表示装置を安価に実現することができ
る。

【００７１】さらに、本発明による場合には、画素部の
表示用スイッチング素子と駆動回路部の駆動用素子を多
結晶シリコンＴＦＴで構成し、例えばガラス基板上に６
００℃以下のプロセスで多結晶シリコンＴＦＴを形成し
た表示装置において、ＴＦＴのサイズ（チャネル幅）を
大きくした場合でも、各ビデオ支線の容量を等しくして
映像信号の波形のなまりや遅延を低減することができる
ので、安価で大型化が容易なガラス基板を用いて表示画
面の大型化を容易に図ることができ、製造コストの大幅
な低廉化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１の表示用信号伝達路の等価回路図で
ある。

【図２】実施形態１の表示用信号伝達路を示す平面図で
ある。

【図３】実施形態２の表示用信号伝達路を示す平面図で
ある。

【図４】実施形態３の表示装置のブロック図である。

【図５】実施形態３の表示装置におけるデータ信号線駆
動回路の等価回路図である。

【図６】実施形態３の表示装置のデータ信号線駆動回路
におけるＴＦＴを示す断面図である。

【図７】実施形態３の表示装置におけるＴＦＴの製造工
程を示す断面図である。

【図８】従来の表示装置のブロック図である。

【図９】従来の表示装置における画素部の等価回路図で
ある。

【図１０】従来の表示装置における表示用信号伝達路の
平面図である。

【符号の説明】

１、１１、２１ ビデオ信号線 ２、１２、２２ ビデオ信号線の支線 ３、１３、２３ 共通線 ３１ データ信号線駆動回路 ３２ データ信号線 ３３ 走査信号線駆動回路 ３４ 走査信号線 ３５ 画素 ３６ 表示制御部 ３７ 電圧源 ３８ ガラス基板 ４１、４２ クロック信号線 ４３ シフトレジスタ ４４ バッファ ４５、４６、４７ ビデオ信号線 ４５ａ、４６ａ、４７ａ ビデオ信号線の支線 ４８ ＴＦＴ ４９ 共通線 ５１ 非結晶シリコン ５２ 多結晶シリコン ５３ ゲート絶縁膜 ５４ ゲート ５５ レジスト ５６ ソース領域およびドレイン領域 ５７ 層間絶縁膜 ５８ コンタクトホール ５９ 金属配線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに平行な複数の信号線と、互いに平
   行な各信号線の支線とが絶縁層を間に介して交差すると
   共に各支線が各１本の信号線に電気的に接続され、各信
   号線に入力される信号を、該信号線に接続された各支線
   から送出する信号伝達路において、 該信号線に平行に設けられた共通線が、該絶縁層を間に
   介して各支線と交差し、該共通線と各支線との交差部に
   形成される付加容量により各支線の容量が等しくされて
   いる表示用信号伝達路。
2. 【請求項２】 前記共通線と前記信号線の各支線との交
   差部において、該共通線および該支線の少なくとも一方
   の線幅が他の交差部とは異なることにより、各支線の容
   量が等しくされている請求項１に記載の表示用信号伝達
   路。
3. 【請求項３】 前記信号線の各支線が同じ長さにしてあ
   る請求項１または２に記載の表示用信号伝達路。
4. 【請求項４】 前記信号線の各支線が、前記信号線より
   も融点が高い材料からなる請求項１乃至３のいずれか１
   つに記載の表示用信号伝達路。
5. 【請求項５】 １枚の基板上に、複数の画素電極および
   各画素電極を制御する表示用スイッチング素子がマトリ
   クス状に設けられた画素部と、該画素電極に供給する映
   像信号を制御する駆動用素子が設けられたデータ信号線
   駆動回路部とを有する表示装置において、 該駆動回路部に請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
   表示用信号伝達路が設けられ、該駆動用素子から前記各
   信号線に入力される映像信号を、該信号線に接続された
   前記各支線から該画素部に送出する表示装置。
6. 【請求項６】 前記表示用スイッチング素子および前記
   駆動用素子が多結晶シリコン薄膜トランジスタからなる
   請求項５に記載の表示装置。