JPH05281515A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
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- JPH05281515A JPH05281515A JP7771292A JP7771292A JPH05281515A JP H05281515 A JPH05281515 A JP H05281515A JP 7771292 A JP7771292 A JP 7771292A JP 7771292 A JP7771292 A JP 7771292A JP H05281515 A JPH05281515 A JP H05281515A
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- scanning
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- matrix substrate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 アクティブマトリクス基板1の一端に信号用
駆動IC4と信号線12との間を接続するための接続端
子18が設けられると共に、この接続端子18の一部に
走査用駆動回路13に外部から走査用データ、クロック
及び電源を供給するための走査用接続端子18aが設け
られた。 【効果】 アクティブマトリクス基板1上の走査用駆動
回路13の配線接続を信号用駆動IC4との接続の際に
同時に行うことができるので、実装作業の工程を短縮す
ることができるようになると共に、走査用駆動回路13
の走査用接続端子18aを基板上に別に設ける必要がな
くなるので、基板面積の拡大を防止することができるよ
うになる。
駆動IC4と信号線12との間を接続するための接続端
子18が設けられると共に、この接続端子18の一部に
走査用駆動回路13に外部から走査用データ、クロック
及び電源を供給するための走査用接続端子18aが設け
られた。 【効果】 アクティブマトリクス基板1上の走査用駆動
回路13の配線接続を信号用駆動IC4との接続の際に
同時に行うことができるので、実装作業の工程を短縮す
ることができるようになると共に、走査用駆動回路13
の走査用接続端子18aを基板上に別に設ける必要がな
くなるので、基板面積の拡大を防止することができるよ
うになる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等で用い
られる薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス
基板に関する。
られる薄膜トランジスタを備えたアクティブマトリクス
基板に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置に用いられるアクティブマ
トリクス基板は、各走査線を順次アクティブにしてこの
走査線に接続する薄膜トランジスタを導通させ、その際
に各信号線に送り込まれた表示用データ信号を、導通し
た薄膜トランジスタを介して液晶の各絵素電極に供給す
ることによりアクティブ表示を行うようになっている。
従って、このアクティブマトリクス基板を駆動するため
には、各走査線を走査するための走査用駆動回路と、各
信号線に表示用データ信号を順次送るための信号用駆動
回路を接続する必要がある。
トリクス基板は、各走査線を順次アクティブにしてこの
走査線に接続する薄膜トランジスタを導通させ、その際
に各信号線に送り込まれた表示用データ信号を、導通し
た薄膜トランジスタを介して液晶の各絵素電極に供給す
ることによりアクティブ表示を行うようになっている。
従って、このアクティブマトリクス基板を駆動するため
には、各走査線を走査するための走査用駆動回路と、各
信号線に表示用データ信号を順次送るための信号用駆動
回路を接続する必要がある。
【0003】ここで、非晶質(アモルファス)シリコン
薄膜トランジスタ(a−SiTFT)を用いたアクティ
ブマトリクス基板では、走査用駆動回路と信号用駆動回
路とを別の結晶シリコン上に形成されたICデバイスと
して形成するようにしている。即ち、図4に示すよう
に、アクティブマトリクス基板1と走査用駆動IC3と
信号用駆動IC4とはそれぞれ別デバイスとなり、走査
用駆動IC3の各出力端子とアクティブマトリクス基板
1上の各走査線11、及び、信号用駆動IC4の各信号
出力端子とアクティブマトリクス基板1上の各信号線1
2との間をTAB(Tape-Automated Bonding)フィルム
を介して接続するようにしている。また、この走査用駆
動IC3には、コントローラ5から走査用データ、クロ
ック及び電源を供給するための配線接続が行われ、信号
用駆動IC4には、コントローラ5から表示用データ信
号等を供給するための配線接続が行われる。
薄膜トランジスタ(a−SiTFT)を用いたアクティ
ブマトリクス基板では、走査用駆動回路と信号用駆動回
路とを別の結晶シリコン上に形成されたICデバイスと
して形成するようにしている。即ち、図4に示すよう
に、アクティブマトリクス基板1と走査用駆動IC3と
信号用駆動IC4とはそれぞれ別デバイスとなり、走査
用駆動IC3の各出力端子とアクティブマトリクス基板
1上の各走査線11、及び、信号用駆動IC4の各信号
出力端子とアクティブマトリクス基板1上の各信号線1
2との間をTAB(Tape-Automated Bonding)フィルム
を介して接続するようにしている。また、この走査用駆
動IC3には、コントローラ5から走査用データ、クロ
ック及び電源を供給するための配線接続が行われ、信号
用駆動IC4には、コントローラ5から表示用データ信
号等を供給するための配線接続が行われる。
【0004】また、多結晶(ポリ)シリコン薄膜トラン
ジスタ(p−SiTFT)を用いたアクティブマトリク
ス基板では、この基板上に同じ多結晶シリコン薄膜トラ
ンジスタを用いて走査用駆動回路と信号用駆動回路を形
成するようにしている。即ち、図5に示すように、アク
ティブマトリクス基板1上には、走査用駆動回路13及
び信号用駆動回路14が形成され、それぞれ各走査線1
1及び各信号線12との間を配線パターンによって接続
するようにしている。また、このアクティブマトリクス
基板1とコントローラ5との間は、走査用駆動回路13
に走査用データ、クロック及び電源を供給するための配
線接続と、信号用駆動回路14に表示用データ信号等を
供給するための配線接続が行われる。
ジスタ(p−SiTFT)を用いたアクティブマトリク
ス基板では、この基板上に同じ多結晶シリコン薄膜トラ
ンジスタを用いて走査用駆動回路と信号用駆動回路を形
成するようにしている。即ち、図5に示すように、アク
ティブマトリクス基板1上には、走査用駆動回路13及
び信号用駆動回路14が形成され、それぞれ各走査線1
1及び各信号線12との間を配線パターンによって接続
するようにしている。また、このアクティブマトリクス
基板1とコントローラ5との間は、走査用駆動回路13
に走査用データ、クロック及び電源を供給するための配
線接続と、信号用駆動回路14に表示用データ信号等を
供給するための配線接続が行われる。
【0005】さらに、非晶質シリコン薄膜トランジスタ
や多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いたアクティブ
マトリクス基板であっても、この基板上にそれぞれ同じ
非晶質シリコン薄膜トランジスタ又は多結晶シリコン薄
膜トランジスタによって走査用駆動回路のみを形成する
ようにしたものが従来からあった。即ち、図6に示すよ
うに、アクティブマトリクス基板1上には、走査用駆動
回路13が形成され、各走査線11との間を配線パター
ンによって接続するようにしている。そして、別デバイ
スとなる信号用駆動IC4の各信号出力端子とアクティ
ブマトリクス基板1上の各信号線12とは、TABフィ
ルムを介して接続し、コントローラ5とアクティブマト
リクス基板1との間には、走査用駆動回路13に走査用
データ、クロック及び電源を供給するための配線接続が
行われる。また、信号用駆動IC4とコントローラ5と
の間には、表示用データ信号等を供給するための配線接
続が行われる。
や多結晶シリコン薄膜トランジスタを用いたアクティブ
マトリクス基板であっても、この基板上にそれぞれ同じ
非晶質シリコン薄膜トランジスタ又は多結晶シリコン薄
膜トランジスタによって走査用駆動回路のみを形成する
ようにしたものが従来からあった。即ち、図6に示すよ
うに、アクティブマトリクス基板1上には、走査用駆動
回路13が形成され、各走査線11との間を配線パター
ンによって接続するようにしている。そして、別デバイ
スとなる信号用駆動IC4の各信号出力端子とアクティ
ブマトリクス基板1上の各信号線12とは、TABフィ
ルムを介して接続し、コントローラ5とアクティブマト
リクス基板1との間には、走査用駆動回路13に走査用
データ、クロック及び電源を供給するための配線接続が
行われる。また、信号用駆動IC4とコントローラ5と
の間には、表示用データ信号等を供給するための配線接
続が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図6に示し
た走査用駆動回路13のみを基板上に形成したアクティ
ブマトリクス基板1では、実装時に信号用駆動IC4の
各信号出力端子と各信号線12との間をTABフィルム
によって接続する他に、走査用駆動回路13に走査用デ
ータ、クロック及び電源のみを供給するための配線接続
作業が必要となり、しかも、この配線接続のために走査
用接続端子の配線パターンを基板上に別に形成しなけれ
ばならない。
た走査用駆動回路13のみを基板上に形成したアクティ
ブマトリクス基板1では、実装時に信号用駆動IC4の
各信号出力端子と各信号線12との間をTABフィルム
によって接続する他に、走査用駆動回路13に走査用デ
ータ、クロック及び電源のみを供給するための配線接続
作業が必要となり、しかも、この配線接続のために走査
用接続端子の配線パターンを基板上に別に形成しなけれ
ばならない。
【0007】このため、走査用駆動回路のみを基板上に
形成した従来のアクティブマトリクス基板は、信号用駆
動ICとの間のTAB技術による接続作業の他に、走査
用駆動回路のための配線接続作業が必要となるだけで
な、基板上に走査用接続端子を別に形成しなければなら
ないため、基板面積が拡大し表示装置が大型化するとい
う問題が生じていた。
形成した従来のアクティブマトリクス基板は、信号用駆
動ICとの間のTAB技術による接続作業の他に、走査
用駆動回路のための配線接続作業が必要となるだけで
な、基板上に走査用接続端子を別に形成しなければなら
ないため、基板面積が拡大し表示装置が大型化するとい
う問題が生じていた。
【0008】本発明は、上記事情に鑑み、基板上の走査
用駆動回路との間を接続する走査用接続端子を外部の信
号用駆動回路との間を接続するための接続端子の一部に
一括して設けることにより、接続作業を同時に行えるよ
うにすると共に基板面積の拡大を防止することができる
アクティブマトリクス基板を提供することを目的として
いる。
用駆動回路との間を接続する走査用接続端子を外部の信
号用駆動回路との間を接続するための接続端子の一部に
一括して設けることにより、接続作業を同時に行えるよ
うにすると共に基板面積の拡大を防止することができる
アクティブマトリクス基板を提供することを目的として
いる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板は、マトリクス状に形成された複数の走査線
と複数の信号線の各交差部に薄膜トランジスタが形成さ
れたアクティブマトリクス基板であって、該アクティブ
マトリクス基板上に走査用駆動回路が形成されたものに
おいて、該アクティブマトリクス基板上の一端に、該複
数の信号線の各々と外部の信号用駆動回路の各信号出力
端子との間を接続するための接続端子が設けられると共
に、該接続端子の一部に該アクティブマトリクス基板上
の該走査用駆動回路に外部から走査用データ、クロック
及び電源を供給するための走査用接続端子が設けられて
おり、そのことにより上記目的が達成される。
リクス基板は、マトリクス状に形成された複数の走査線
と複数の信号線の各交差部に薄膜トランジスタが形成さ
れたアクティブマトリクス基板であって、該アクティブ
マトリクス基板上に走査用駆動回路が形成されたものに
おいて、該アクティブマトリクス基板上の一端に、該複
数の信号線の各々と外部の信号用駆動回路の各信号出力
端子との間を接続するための接続端子が設けられると共
に、該接続端子の一部に該アクティブマトリクス基板上
の該走査用駆動回路に外部から走査用データ、クロック
及び電源を供給するための走査用接続端子が設けられて
おり、そのことにより上記目的が達成される。
【0010】
【作用】上記構成により、外部のコントローラ等から供
給される走査用データ、クロック及び電源は、アクティ
ブマトリクス基板上の一端に設けられた接続端子の一部
の走査用接続端子を介し基板上の配線パターンを通って
走査用駆動回路に送られる。走査用駆動回路では、供給
される電源に基づいて走査用データをクロックごとにシ
フトしながらそのパラレル出力を各走査線に送る。する
と、各走査線は、クロックごとに順次アクティブとな
り、このアクティブとなった走査線上の各薄膜トランジ
スタを導通させることにより走査を行うことができる。
給される走査用データ、クロック及び電源は、アクティ
ブマトリクス基板上の一端に設けられた接続端子の一部
の走査用接続端子を介し基板上の配線パターンを通って
走査用駆動回路に送られる。走査用駆動回路では、供給
される電源に基づいて走査用データをクロックごとにシ
フトしながらそのパラレル出力を各走査線に送る。する
と、各走査線は、クロックごとに順次アクティブとな
り、このアクティブとなった走査線上の各薄膜トランジ
スタを導通させることにより走査を行うことができる。
【0011】また、外部の信号用駆動回路の各信号出力
端子から出力される表示用データ信号は、接続端子を介
してアクティブマトリクス基板上の各信号線に送られ
る。従って、この表示用データ信号は、上記走査用駆動
回路によって導通した薄膜トランジスタを介して各絵素
に送られ、これによってアクティブマトリクス基板のア
クティブ表示が行われる。
端子から出力される表示用データ信号は、接続端子を介
してアクティブマトリクス基板上の各信号線に送られ
る。従って、この表示用データ信号は、上記走査用駆動
回路によって導通した薄膜トランジスタを介して各絵素
に送られ、これによってアクティブマトリクス基板のア
クティブ表示が行われる。
【0012】上記アクティブマトリクス基板を表示装置
に実装する場合には、TAB技術等を用いて基板上の一
端に設けられた接続端子と外部回路とを接続することが
できる。即ち、信号用駆動回路の各信号出力端子は、例
えばTABフィルム上の薄膜リード線を介して接続端子
に接続される。また、コントローラ等が供給する走査用
データ、クロック及び電源の各配線も、例えばこのTA
Bフィルム上の薄膜リード線を介して接続端子の一部の
走査用接続端子に接続される。
に実装する場合には、TAB技術等を用いて基板上の一
端に設けられた接続端子と外部回路とを接続することが
できる。即ち、信号用駆動回路の各信号出力端子は、例
えばTABフィルム上の薄膜リード線を介して接続端子
に接続される。また、コントローラ等が供給する走査用
データ、クロック及び電源の各配線も、例えばこのTA
Bフィルム上の薄膜リード線を介して接続端子の一部の
走査用接続端子に接続される。
【0013】この結果、本発明によれば、アクティブマ
トリクス基板上の走査用駆動回路に走査用データ、クロ
ック及び電源を供給するための配線接続を信号用駆動回
路の各信号出力端子と基板上の接続端子との接続の際に
同時に行うことができるようになる。また、走査用駆動
回路に走査用データ、クロック及び電源を供給するため
の走査用接続端子を基板上に別に設ける必要がなくな
る。
トリクス基板上の走査用駆動回路に走査用データ、クロ
ック及び電源を供給するための配線接続を信号用駆動回
路の各信号出力端子と基板上の接続端子との接続の際に
同時に行うことができるようになる。また、走査用駆動
回路に走査用データ、クロック及び電源を供給するため
の走査用接続端子を基板上に別に設ける必要がなくな
る。
【0014】
【実施例】以下に、本発明を実施例について説明する。
【0015】図1から図3は、本発明の一実施例を示す
ものであって、図1は液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図、図2は液晶表示装置にお
ける絵素の等価回路、図3は液晶表示装置における薄膜
トランジスタ部の部分縦断面図である。なお、図4から
図6に示した従来例と同様の機能を有する構成部材には
同じ番号を付記している。
ものであって、図1は液晶表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板の平面図、図2は液晶表示装置にお
ける絵素の等価回路、図3は液晶表示装置における薄膜
トランジスタ部の部分縦断面図である。なお、図4から
図6に示した従来例と同様の機能を有する構成部材には
同じ番号を付記している。
【0016】図1に示すように、本実施例のアクティブ
マトリクス基板1は、基板上に多数の走査線11と信号
線12とが直交して形成されている。走査線11と信号
線12との各交差部には、図2に示すように、非晶質シ
リコンによるNチャンネル型の薄膜トランジスタ15が
形成されている。薄膜トランジスタ15は、ゲートを走
査線11に接続されることにより、この走査線11がH
レベルになると導通するようになっている。また、信号
線12は、この薄膜トランジスタ15のソース−ドレイ
ン間を介して蓄積容量16及び液晶層容量17に接続さ
れている。従って、走査線11がHレベルとなって薄膜
トランジスタ15が導通すると、信号線12に送られて
来た表示用データ信号が液晶層容量17に印加されると
共に、蓄積容量16にも蓄積されることになる。
マトリクス基板1は、基板上に多数の走査線11と信号
線12とが直交して形成されている。走査線11と信号
線12との各交差部には、図2に示すように、非晶質シ
リコンによるNチャンネル型の薄膜トランジスタ15が
形成されている。薄膜トランジスタ15は、ゲートを走
査線11に接続されることにより、この走査線11がH
レベルになると導通するようになっている。また、信号
線12は、この薄膜トランジスタ15のソース−ドレイ
ン間を介して蓄積容量16及び液晶層容量17に接続さ
れている。従って、走査線11がHレベルとなって薄膜
トランジスタ15が導通すると、信号線12に送られて
来た表示用データ信号が液晶層容量17に印加されると
共に、蓄積容量16にも蓄積されることになる。
【0017】ここで、アクティブマトリクス基板1上の
上記薄膜トランジスタ15の部分の構成を図3に基づい
てより詳細に説明する。アクティブマトリクス基板1の
基板を構成するガラス基板101上には、上記走査線1
1の一部であり薄膜トランジスタ15のゲートとなるタ
ンタル(Ta)層102が膜厚2500オングストロー
ムで形成されると共に、この上層にゲート絶縁膜となる
酸化タンタル(Ta2O5)層103と窒化シリコン(S
iNX)層104とがそれぞれ膜厚3000オングスト
ロームずつ形成されている。また、この窒化シリコン層
104の上層には、薄膜トランジスタ15のチャンネル
を構成するための真正半導体非晶質シリコン(a−Si
(i))層105が膜厚1000オングストロームで形
成されると共に、さらにこの上層に薄膜トランジスタ1
5のソース及びドレインとなるn型半導体非晶質シリコ
ン(a−Si(n+))層106、107がそれぞれ膜
厚500オングストロームで分割して形成されている。
そして、これらn型半導体非晶質シリコン層106、1
07の上層には、それぞれ金属チタン(Ti)層10
8、109が膜厚2000オングストロームで形成さ
れ、一方の金属チタン層108は、上記信号線12の一
部を構成することになる。他方の金属チタン層109の
上層は、膜厚1000オングストロームで形成された上
記液晶層容量17の一方の電極となる絵素電極ITO
(Indium Tin Oxide)層110の一部によって覆われて
いる。また、このようにしてガラス基板101上に形成
された薄膜トランジスタ15や絵素電極ITO層110
の上層には、保護膜として窒化シリコン層111が膜厚
3000オングストロームで形成されると共に、この上
層に配向膜112が形成されている。
上記薄膜トランジスタ15の部分の構成を図3に基づい
てより詳細に説明する。アクティブマトリクス基板1の
基板を構成するガラス基板101上には、上記走査線1
1の一部であり薄膜トランジスタ15のゲートとなるタ
ンタル(Ta)層102が膜厚2500オングストロー
ムで形成されると共に、この上層にゲート絶縁膜となる
酸化タンタル(Ta2O5)層103と窒化シリコン(S
iNX)層104とがそれぞれ膜厚3000オングスト
ロームずつ形成されている。また、この窒化シリコン層
104の上層には、薄膜トランジスタ15のチャンネル
を構成するための真正半導体非晶質シリコン(a−Si
(i))層105が膜厚1000オングストロームで形
成されると共に、さらにこの上層に薄膜トランジスタ1
5のソース及びドレインとなるn型半導体非晶質シリコ
ン(a−Si(n+))層106、107がそれぞれ膜
厚500オングストロームで分割して形成されている。
そして、これらn型半導体非晶質シリコン層106、1
07の上層には、それぞれ金属チタン(Ti)層10
8、109が膜厚2000オングストロームで形成さ
れ、一方の金属チタン層108は、上記信号線12の一
部を構成することになる。他方の金属チタン層109の
上層は、膜厚1000オングストロームで形成された上
記液晶層容量17の一方の電極となる絵素電極ITO
(Indium Tin Oxide)層110の一部によって覆われて
いる。また、このようにしてガラス基板101上に形成
された薄膜トランジスタ15や絵素電極ITO層110
の上層には、保護膜として窒化シリコン層111が膜厚
3000オングストロームで形成されると共に、この上
層に配向膜112が形成されている。
【0018】上記ガラス基板101に対向して配置され
る対向側ガラス基板113には、液晶層容量17の他方
の電極となる対向電極ITO層114とカラーフィルタ
115及び配向膜116が形成され、これらガラス基板
101と対向側ガラス基板113との間には、液晶11
7が充填されている。
る対向側ガラス基板113には、液晶層容量17の他方
の電極となる対向電極ITO層114とカラーフィルタ
115及び配向膜116が形成され、これらガラス基板
101と対向側ガラス基板113との間には、液晶11
7が充填されている。
【0019】従って、図2に示した薄膜トランジスタ1
5が導通し、信号線12に送られて来た表示用データ信
号が液晶層容量17の絵素電極ITO層110と対向電
極ITO層114との間に印加されると、液晶117の
分子配向が制御されて、絵素ごとの表示を行うことがで
きるようになる。
5が導通し、信号線12に送られて来た表示用データ信
号が液晶層容量17の絵素電極ITO層110と対向電
極ITO層114との間に印加されると、液晶117の
分子配向が制御されて、絵素ごとの表示を行うことがで
きるようになる。
【0020】アクティブマトリクス基板1上には、非晶
質半導体によって走査用駆動回路13も形成されてい
る。走査用駆動回路13は、シフトレジスタ13aと出
力バッファ13bとからなり、このシフトレジスタ13
aの各パラレル出力が出力バッファ13bを介して基板
上の各走査線11に配線パターンによって接続されてい
る。
質半導体によって走査用駆動回路13も形成されてい
る。走査用駆動回路13は、シフトレジスタ13aと出
力バッファ13bとからなり、このシフトレジスタ13
aの各パラレル出力が出力バッファ13bを介して基板
上の各走査線11に配線パターンによって接続されてい
る。
【0021】また、アクティブマトリクス基板1上に
は、配線パターンによる接続端子18が設けられると共
に、この接続端子18の一部が走査用接続端子18aと
して設定されている。この接続端子18には、TABフ
ィルム6の一端が接続される。TABフィルム6は、フ
レキシブルな有機フィルム上に薄膜リード6a、6bを
多数形成したものである。そして、大多数の薄膜リード
6aの一端側は、接続端子18の配線パターンを介して
各信号線12に接続されることになる。また、少数の薄
膜リード6bの一端側は、接続端子18における走査用
接続端子18aの配線パターンを介して走査用駆動回路
13のシフトレジスタ13aと出力バッファ13bに接
続されることになる。
は、配線パターンによる接続端子18が設けられると共
に、この接続端子18の一部が走査用接続端子18aと
して設定されている。この接続端子18には、TABフ
ィルム6の一端が接続される。TABフィルム6は、フ
レキシブルな有機フィルム上に薄膜リード6a、6bを
多数形成したものである。そして、大多数の薄膜リード
6aの一端側は、接続端子18の配線パターンを介して
各信号線12に接続されることになる。また、少数の薄
膜リード6bの一端側は、接続端子18における走査用
接続端子18aの配線パターンを介して走査用駆動回路
13のシフトレジスタ13aと出力バッファ13bに接
続されることになる。
【0022】上記TABフィルム6の他端は、信号用駆
動IC4と図示しないPWB基板に接続されている。そ
して、このTABフィルム6上の大多数の薄膜リード6
aの他端側は、信号用駆動IC4の各信号出力端子に接
続されている。また、少数の薄膜リード6bの他端側
は、PWB基板上の配線パターンを介してこのPWB基
板に配置された図示しないコントローラの走査用デー
タ、クロック及び電源の各出力端子に接続されている。
動IC4と図示しないPWB基板に接続されている。そ
して、このTABフィルム6上の大多数の薄膜リード6
aの他端側は、信号用駆動IC4の各信号出力端子に接
続されている。また、少数の薄膜リード6bの他端側
は、PWB基板上の配線パターンを介してこのPWB基
板に配置された図示しないコントローラの走査用デー
タ、クロック及び電源の各出力端子に接続されている。
【0023】上記構成により、信号用駆動IC4の各信
号出力端子から出力される表示用データ信号は、TAB
フィルム6上の薄膜リード6aを介して接続端子18か
ら各信号線12に送られる。また、PWB基板上のコン
トローラから供給される走査用データ、クロック及び電
源は、TABフィルム6上の薄膜リード6bを介して接
続端子18における走査用接続端子18aから走査用駆
動回路13のシフトレジスタ13aと出力バッファ13
bに送られる。従って、この走査用駆動回路13のシフ
トレジスタ13aは、コントローラからのクロックに従
って走査用データをシフトさせパラレル出力のHレベル
を順次切り換えることにより、出力バッファ13bを介
して各走査線11を走査することができる。
号出力端子から出力される表示用データ信号は、TAB
フィルム6上の薄膜リード6aを介して接続端子18か
ら各信号線12に送られる。また、PWB基板上のコン
トローラから供給される走査用データ、クロック及び電
源は、TABフィルム6上の薄膜リード6bを介して接
続端子18における走査用接続端子18aから走査用駆
動回路13のシフトレジスタ13aと出力バッファ13
bに送られる。従って、この走査用駆動回路13のシフ
トレジスタ13aは、コントローラからのクロックに従
って走査用データをシフトさせパラレル出力のHレベル
を順次切り換えることにより、出力バッファ13bを介
して各走査線11を走査することができる。
【0024】この結果、本実施例によれば、アクティブ
マトリクス基板1上の接続端子18と信号用駆動IC4
の各信号出力端子との間をTABフィルム6を介して接
続する際に、同時に走査用駆動回路13に走査用デー
タ、クロック及び電源を供給するための配線接続を行う
ことができるようになる。また、このため、走査用駆動
回路13に走査用データ、クロック及び電源を供給する
ための走査用接続端子18aを接続端子18の一部とし
て形成することができるので、アクティブマトリクス基
板1上に別に設ける必要がなくなる。
マトリクス基板1上の接続端子18と信号用駆動IC4
の各信号出力端子との間をTABフィルム6を介して接
続する際に、同時に走査用駆動回路13に走査用デー
タ、クロック及び電源を供給するための配線接続を行う
ことができるようになる。また、このため、走査用駆動
回路13に走査用データ、クロック及び電源を供給する
ための走査用接続端子18aを接続端子18の一部とし
て形成することができるので、アクティブマトリクス基
板1上に別に設ける必要がなくなる。
【0025】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のアクティブマトリクス基板は、基板上の走査用駆動回
路に走査用データ、クロック及び電源を供給するための
配線接続を信号用駆動回路の各信号出力端子と基板上の
接続端子との接続の際に同時に行うことができるので、
実装作業の工程を短縮することができるようになると共
に、走査用駆動回路に走査用データ、クロック及び電源
を供給するための走査用接続端子を基板上に別に設ける
必要がなくなるので、基板面積の拡大を防止することが
できるようになる。
のアクティブマトリクス基板は、基板上の走査用駆動回
路に走査用データ、クロック及び電源を供給するための
配線接続を信号用駆動回路の各信号出力端子と基板上の
接続端子との接続の際に同時に行うことができるので、
実装作業の工程を短縮することができるようになると共
に、走査用駆動回路に走査用データ、クロック及び電源
を供給するための走査用接続端子を基板上に別に設ける
必要がなくなるので、基板面積の拡大を防止することが
できるようになる。
【図1】本発明の一実施例を示すものであって、液晶表
示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図
である。
示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図
である。
【図2】本発明の一実施例を示すものであって、液晶表
示装置における絵素の等価回路である。
示装置における絵素の等価回路である。
【図3】本発明の一実施例を示すものであって、液晶表
示装置における薄膜トランジスタ部の部分縦断面図であ
る。
示装置における薄膜トランジスタ部の部分縦断面図であ
る。
【図4】液晶表示装置に用いられるアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
ス基板の平面図である。
【図5】液晶表示装置に用いられるアクティブマトリク
ス基板の平面図である。
ス基板の平面図である。
【図6】従来例を示すものであって、液晶表示装置に用
いられるアクティブマトリクス基板の平面図である。
いられるアクティブマトリクス基板の平面図である。
1 アクティブマトリクス基板 4 信号用駆動IC 11 走査線 12 信号線 13 走査用駆動回路 15 薄膜トランジスタ 18 接続端子 18a 走査用接続端子
フロントページの続き (72)発明者 高浜 学 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 片岡 義晴 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 黒田 美和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】マトリクス状に形成された複数の走査線と
複数の信号線の各交差部に薄膜トランジスタが形成され
たアクティブマトリクス基板であって、該アクティブマ
トリクス基板上に走査用駆動回路が形成されたものにお
いて、 該アクティブマトリクス基板上の一端に、該複数の信号
線の各々と外部の信号用駆動回路の各信号出力端子との
間を接続するための接続端子が設けられると共に、該接
続端子の一部に該アクティブマトリクス基板上の該走査
用駆動回路に外部から走査用データ、クロック及び電源
を供給するための走査用接続端子が設けられたアクティ
ブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7771292A JPH05281515A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7771292A JPH05281515A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05281515A true JPH05281515A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13641509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7771292A Pending JPH05281515A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05281515A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100268615B1 (ko) * | 1996-03-19 | 2000-10-16 | 니시무로 타이죠 | 액티브매트릭스표시장치 |
JP2005527856A (ja) * | 2002-05-28 | 2005-09-15 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 非晶質シリコン薄膜トランジスタ−液晶表示装置及びそれの製造方法 |
WO2010021105A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
US8031150B2 (en) | 1999-04-16 | 2011-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display panel with signal transmission patterns |
JP2013231977A (ja) * | 2013-06-04 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP7771292A patent/JPH05281515A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100268615B1 (ko) * | 1996-03-19 | 2000-10-16 | 니시무로 타이죠 | 액티브매트릭스표시장치 |
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US8619207B2 (en) | 2002-05-28 | 2013-12-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
US10338443B2 (en) | 2002-05-28 | 2019-07-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Amorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
WO2010021105A1 (ja) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル |
JP2013231977A (ja) * | 2013-06-04 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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