JP2013222124A - 信号伝達装置、表示装置および電子機器 - Google Patents

信号伝達装置、表示装置および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2013222124A
JP2013222124A JP2012094562A JP2012094562A JP2013222124A JP 2013222124 A JP2013222124 A JP 2013222124A JP 2012094562 A JP2012094562 A JP 2012094562A JP 2012094562 A JP2012094562 A JP 2012094562A JP 2013222124 A JP2013222124 A JP 2013222124A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
signal transmission
transmission device
substrate
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012094562A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhide Yoneya
伸英 米屋
Akira Yumoto
昭 湯本
Ryoichi Yasuda
亮一 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2012094562A priority Critical patent/JP2013222124A/ja
Priority to US13/850,377 priority patent/US20130277650A1/en
Priority to CN2013101245995A priority patent/CN103376580A/zh
Publication of JP2013222124A publication Critical patent/JP2013222124A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13456—Cell terminals located on one side of the display only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

【課題】狭額縁化された信号伝達装置、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】第１方向に延在する第１配線と、第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、第２配線と異なる層に設けられると共に第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が第１方向に延在する第３配線とを備えた信号伝達装置。
【効果】本技術の信号伝達装置、表示装置および電子機器によれば、第３配線を設け、この第３配線を第１配線と同じ第１方向に延在させるようにしたので、第１配線および第３配線を同一方向から取り出すことができる。よって、配線の取り出し方向を減らし、狭額縁化することが可能となる。
【選択図】図１

Description

本技術は、例えばマトリクス状に配置された複数の単位領域を有し、信号の入力および出力のうちの少なくとも一方を行う信号伝達装置、表示装置および電子機器に関する。
液晶表示装置や電気泳動型表示装置等の平面型表示装置では、基板上の表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素と、各画素を制御する複数の配線（例えば、信号線および走査線）が設けられている。この信号線と走査線とは互いに直交するように配置され、表示領域の外側の周辺領域に設けられた信号線駆動回路、走査線駆動回路にそれぞれ接続される（例えば、特許文献１〜３参照）。矩形状の表示装置では、例えば、信号線が列方向、走査線が行方向にそれぞれ延在し、長辺に信号線駆動回路、短辺に走査線駆動回路が設けられる。
特開２００６−３７４１号公報 特開平６−１４８６７１号公報 特開２０１０−２６６８４９号公報
しかしながら、上記のように互いに直交する信号線および走査線をそれぞれの延在方向から取り出すと、周辺領域には２辺（例えば長辺および短辺）に渡り、信号線駆動回路および走査線駆動回路を設けるためのスペースが必要となる。即ち、近年の狭額縁化の要請に反して、大きな額縁領域（周辺領域）が２方向に渡って形成されるという問題が生じていた。
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、狭額縁化を実現する信号伝達装置、表示装置および電子機器を提供することにある。
本技術の信号伝達装置は、第１方向に延在する第１配線と、第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、第２配線と異なる層に設けられると共に第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が第１方向に延在する第３配線とを備えたものである。
本技術の表示装置は、上記本技術の信号伝達装置のうちデータの出力を行って映像を表示するものである。
本技術の電子機器は、上記本技術の信号伝達装置を備えたものである。
本技術の信号伝達装置、表示装置および電子機器によれば、第３配線を設け、この第３配線を第１配線と同じ第１方向に延在させるようにしたので、第１配線および第３配線を同一方向から取り出すことができる。よって、配線の取り出し方向を減らし、狭額縁化することが可能となる。
本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す図である。 図２に示した配線層に含まれる画素駆動回路の構成の一例を表す図である。 図１に示した取り出し線の構成を表す平面図である。 図１に示したＴＦＴ基板の製造方法を表す図である。 図５に続く工程を表す図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 比較例に係るＴＦＴ基板の構成を表す図である。 変形例１に係るＴＦＴ基板の構成を表す平面図である。 変形例２に係るＴＦＴ基板の一画素の構成を表す図である。 図８に示したＴＦＴ基板の一画素の構成を表す図である。 図１０に示したＴＦＴ基板の他の例を表す図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 変形例３に係るＴＦＴ基板の一画素の構成を表す図である。 適用例１の外観を表す斜視図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例３の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 適用例５の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例６の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側断面、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 本開示の他の実施の形態に係る信号伝達装置の構成を表す図である。
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以
下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
走査線（第２配線）を取り出し線（第３配線）に電気的に接続した表示装置
２．変形例１
走査線駆動回路および信号線駆動回路を揃えて配置した表示装置
３．変形例２
ＴＦＴのゲート電極（第２配線）を取り出し線（第３配線）に電気的に接続した表示装置
４．第２の実施の形態
信号線（第２配線）を取り出し線（第３配線）に電気的に接続した表示装置
５．変形例３
ＴＦＴのソース・ドレイン電極（第２配線）を取り出し線（第３配線）に電気的に接続した表示装置
＜実施の形態＞
図１は本開示の第１の実施の形態に係る表示装置１（信号伝達装置）のＴＦＴ基板（ＴＦＴ基板１０）の構成を、映像表示用のドライバである信号線駆動回路２１（第１周辺回路）および走査線駆動回路３１（第２周辺回路）と共に表したものである。図１（Ａ）は平面構成、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面構成、図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面構成をそれぞれ表している。図２に示したように、表示装置１はこのＴＦＴ基板１０上に表示層１３および透明基板１４を有しており（図２（Ｂ））、中央部の表示領域１０Ａ（信号伝達部）には複数の画素１０Ｐ（単位領域）がマトリクス状に配置されている（図２（Ａ））。図２（Ａ）は表示装置１全体の平面構成、図２（Ｂ）は断面構成を模式的に表したものである。表示領域１０Ａの周囲の周辺領域１０Ｂに信号線駆動回路２１（第１周辺回路）および走査線駆動回路３１（第２周辺回路）が設けられている。（図１（Ａ），図２（Ａ））。
ＴＦＴ基板１０は基板１１および配線層１２を含むものである（図１（Ｂ），図１（Ｃ））。基板１１は例えば矩形状であり、ガラス，石英，シリコン，ガリウム砒素または金属箔等の無機材料あるいは、ポリイミド，ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリカーボネート（ＰＣ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），ポリエチルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）または芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等のプラスチック材料等により構成されている。この基板１１は、ウェハなどの剛性の基板であってもよく、薄層ガラス、薄層セラミックスまたはフィルムなどの可撓性基板であってもよい。基板１１が可撓性基板であれば、折り曲げ可能な表示装置、所謂フレキシブルディスプレイを実現できる。
配線層１２の表示領域１０Ａには画素１０Ｐを選択するため、画素１０Ｐ毎にスイッチング素子としてのＴＦＴ（例えば、後述の図３ 駆動トランジスタＴｒ１）が設けられている。このＴＦＴは例えば、ゲート電極、チャネル層および一対のソース・ドレイン電極を有しており、チャネル層は無機半導体層、有機半導体層のどちらにより構成されていてもよい。また、配線層１２には、Ｘ方向（第２方向）に延在する走査線３２（第２配線）と、Ｙ方向（第１方向）に延在する信号線２２（第１配線）とがそれぞれ複数設けられている（図２（Ａ））。走査線３２は、後述のように信号線２２とは異なる層に設けられている。なお、Ｘ方向とＹ方向とは互いに交差、具体的には直交する。例えば、ＴＦＴのゲート電極は走査線３２、ソース・ドレイン電極の一方は信号線２２にそれぞれ電気的に接続されている。この走査線３２と信号線２２との交点に、画素１０Ｐが配置される。走査線３２は走査線駆動回路３１、信号線２２は信号線駆動回路２１にそれぞれ電気的に接続されている。
図３（Ａ）は、配線層１２に設けられた画素駆動回路１２Ａの一例を表したものである。この画素駆動回路１２Ａは、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された素子１０ＰＥとを有する。画素駆動回路１２Ａは、図３（Ｂ）に示したように、書き込みトランジスタＴｒ２を設けずに、駆動トランジスタＴｒ１、キャパシタＣｓおよび素子１０ＰＥにより構成するようにしてもよい。
本実施の形態では、走査線３２がこれとは異なる層の配線（取り出し線３３）に電気的に接続され、取り出し線３３（第３配線）を介して走査線駆動回路３１に接続されている。これにより、走査線３２および信号線２２の取り出し方向を同一にして、狭額縁化することが可能となる。配線層１２は、基板１１上に取り出し線３３、第１層間絶縁膜４１（第１絶縁膜）、走査線３２、ゲート絶縁膜４２（第２絶縁膜）、信号線２２および第２層間絶縁膜４３をこの順に有し、走査線３２は周辺領域１０Ｂに設けられた第１層間絶縁膜４１の接続孔４１Ｈを介して取り出し線３３に電気的に接続されている（図１（Ｂ），（Ｃ））。複数の接続孔４１Ｈは、例えば基板１１の短辺（左辺）に沿って配置される（後述の図４）。
取り出し線３３は、図４に示したように、接続孔４１ＨからＸ方向に延びた後、Ｙ方向（紙面下方向）に屈曲している。従って、基板１１の一辺（紙面下側の長辺）では取り出し線３３がＹ方向に延在して、信号線２２と共に取り出される。これにより、ＴＦＴ基板１０（基板１１）の一辺に走査線駆動回路３１および信号線駆動回路２１を配置することができる。
信号線２２、走査線３２および取り出し線３３等の配線は、例えばアルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），銅（Ｃｕ），クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ）あるいはタンタル（Ｔａ）等の金属やＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide），ＩＧＯ(Indium-Gallium-Oxide)あるいはＩＧＺＯ(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)等の透明導電体により構成されている。これらの配線をＰＥＤＯＴ／ＰＳＳやポリアニリン等の有機導電材料により構成するようにしてもよい。第１層間絶縁膜４１、ゲート絶縁膜４２および第２層間絶縁膜４３は有機絶縁材料あるいはシリコン酸化物（ＳｉＯX），シリコン窒化物（ＳｉＮ）またはアルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）等の無機絶縁材料からなる。有機絶縁材料の具体例としては、例えばＰＶＰ（polyvinylphenol）にメラミン系架橋剤を添加したもの等が挙げられる。第１層間絶縁膜４１の厚み（積層方向（Ｚ方向）の厚み、以下単に厚みという）は例えば０．５μｍ〜１０μｍ程度、ゲート絶縁膜４２の厚みは例えば３００ｎｍ〜１μｍ程度、第２層間絶縁膜４３の厚みは例えば０．５μｍ〜１０μｍ程度である。
信号線駆動回路２１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を信号線２２を介して選択された画素１０Ｐに供給するものである。走査線駆動回路３１は、例えば入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。この走査線駆動回路３１は、各画素１０Ｐへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線３２（取り出し線３３）に走査信号を順次供給するものである。信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１は例えばドライバチップからなる。表示装置１では、これら信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１がＴＦＴ基板１０の長辺に集約されている。ここでは、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１がずらして設けられ、信号線駆動回路２１よりも走査線駆動回路３１の方が表示領域１０Ａのより外側（下側）に配置されている。
配線層１２および表示層１３の水分や有機ガスによる劣化を防止するため、基板１１と配線層１２との間にバリア層（図示せず）を設けてもよい。バリア層は、例えばＡｌＯxＮ1-X（ただし、Ｘ＝０．０１〜０．２）または窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）により形成される。
ＴＦＴ基板１０上の表示層１３は、例えば画素電極と共通電極との間に有機発光層を有する有機ＥＬ（Electroluminescence）素子により構成されている。画素電極は例えば配線層１２上に画素１０Ｐ毎に設けられ、共通電極は透明基板１４の一面に渡り設けられている。表示層１３は画素電極と共通電極との間に無機発光層、電気泳動層あるいは液晶層を有するものであってもよい。
表示装置１では、透明基板１４側に映像が表示される。この透明基板１４には基板１１と同様の材料を用いることができる。透明基板１４上に、更に表示層１３への水分の浸入を防止する防湿膜および外光の表示面への映り込みを防止するための光学機能膜を設けるようにしてもよい。
この表示装置１は、例えば以下のようにして製造することができる（図５〜図７）。なお、図５（Ａ），図６（Ａ）および図７（Ａ）は各工程の平面図、図５（Ｂ），図６（Ｂ）および図７（Ｂ）は図５（Ａ），図６（Ａ）および図７（Ａ）それぞれのＢ−Ｂ線、図５（Ｃ），図６（Ｃ）および図７（Ｃ）はそれぞれのＣ−Ｃ線に沿った断面図を表している。
まず、基板１１上に配線層１２を形成する。具体的には、まず基板１１上に導電材料を成膜した後、これを例えばフォトリソグラフィを用いてパターニングし、Ｘ方向からＹ方向に屈曲する取り出し線３３を複数形成する（図５）。取り出し線３３は、オフセット印刷，インクジェット印刷あるいはスクリーン印刷などの印刷法により形成するようにしてもよい。
次いで、例えば取り出し線３３上および基板１１上に第１層間絶縁膜４１を形成する。第１層間絶縁膜４１は、Ｙ方向に延在した取り出し線３３の端部（基板１１の下辺近傍）が露出するようにパターニングして形成する（図６）。第１層間絶縁膜４１が光感光性樹脂により構成されている場合には、フォトリソグラフィによるパターニングを容易に行うことができる。第１層間絶縁膜４１を上記のような印刷法により形成するようにしてもよい。また、第１層間絶縁膜４１は、例えば、スパッタ法あるいはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によりシリコン酸化物，シリコン窒化物またはアルミニウム酸化物等の無機絶縁材料を成膜して形成することも可能であり、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層させるようにしてもよい。
第１層間絶縁膜４１の各取り出し線３３に対応する位置には接続孔４１Ｈを形成しておく。各接続孔４１Ｈを例えば基板１１の左端部に設ける。
第１層間絶縁膜４１に接続孔４１Ｈを設けた後、第１層間絶縁膜４１上にＸ方向に延在する走査線３２を形成する。このとき、走査線３２は接続孔４１Ｈを介して取り出し線３３に電気的に接続しておく。次いで、走査線３２上に第１層間絶縁膜４１と同様に取り出し線３３の端部を露出させてゲート絶縁膜４２を形成した後、ゲート絶縁膜４２上にＹ方向に延在する信号線２２を形成する。続いて、信号線２２上に信号線２２の端部（基板１１の下辺近傍）および取り出し線３３の端部を露出させるようにパターニングして第２層間絶縁膜４３を形成する（図７）。第２層間絶縁膜４３からの信号線２２の露出部は、取り出し線３３の露出部よりも例えば内側になるようにする。上記の配線層１２の形成工程では、例えば走査線３２と共にゲート電極、ゲート絶縁膜４２上にチャネル層（例えば、後述の図１０ チャネル層５１）、信号線２２ともにソース・ドレイン電極（例えば、後述の図１０ ソース・ドレイン電極２２Ａ，２２Ｂ）を形成し、表示領域１０ＡにＴＦＴを設けておく。
配線層１２を形成した後、配線層１２上に表示層１３を形成する。次いで、表示層１３を間にしてＴＦＴ基板１０に対向するように透明基板１４を設ける。最後に、露出させた信号線２２、取り出し線３３に信号線駆動回路２１、走査線駆動回路３１をそれぞれ電気的に接続する。これにより、表示装置１が完成する。
この表示装置１では、配線層１２のＴＦＴに対して走査線駆動回路３１から走査信号、信号線駆動回路２１から画像信号がそれぞれ供給される。これにより、表示層１３が各画素１０Ｐ毎に制御され、透明基板１４側に映像が表示される。
本実施の形態の表示装置１では、走査線３２に電気的に接続された取り出し線３３が設けられ、この取り出し線３３が信号線２２と同じ方向に引き出されている。これにより、基板１１の一辺に走査線駆動回路３１および信号線駆動回路２１を配置して表示装置１を狭額縁化することができる。以下、これについて説明する。
図８は、比較例に係る表示装置のＴＦＴ基板（ＴＦＴ基板１００）の構成を表したものである。図８（Ａ）はＴＦＴ基板１００の平面構成、図８（Ｂ）は図８（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面構成、図８（Ｃ）は図８（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面構成を表している。このＴＦＴ基板１００は取り出し線を有していないため、Ｘ方向に延在する走査線１３２が走査線駆動回路１３１に直接接続されている。即ち、走査線１３２の取り出し方向は信号線２２と直交しており、周辺領域１０Ｂには信号線駆動回路２１が設けられた基板１１の一辺（下辺）と直交する別の辺（左辺）に走査線駆動回路１３１を配置するためのスペース（周辺領域１０Ｂ−１）が必要となる。このようにＴＦＴ基板１００は２辺に渡り信号線駆動回路２１および走査線駆動回路１３１を有しており、周辺領域１０Ｂ−１を狭めることができない。特にＴＦＴ基板１００によりフレキシブルディスプレイを構成する場合には、直交する２辺にそれぞれ設けられた信号線駆動回路２１、走査線駆動回路１３１により、そのフレキシブル性が損なわれる。
信号線２２および走査線１３２をＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film:異方性導電膜）によりフレキシブルケーブルに接続し、ＴＦＴ基板１００の外部に取り出す方法も提案されているが、この方法ではＡＣＦを使用するため機械的耐久性が低い。また、部品点数が増加するため、コスト面で不利になるのに加え、信頼性および歩留りも低下する。
これに対し、表示装置１では走査線３２をより下層の取り出し線３３に電気的に接続し、この取り出し線３３を信号線２２と同一方向に取り出すようにしたので走査線駆動回路３１および駆動回路２１を基板１１の一辺に集約することができる。即ち、ＴＦＴ基板１００の周辺領域１０Ｂ−１が不要となり、狭額縁化がなされる。
また、表示装置１がフレキシブルディスプレイである場合には、曲げ方向が増え、フレキシブル性が向上する。更に、表示装置１ではＡＣＦやフレキシブルケーブル等を用いる必要がないため、部品数を抑えることができる。
以上のように本実施の形態の表示装置１では、取り出し線３３を設け、この取り出し線３３に走査線３２を接続するようにしたので、走査線駆動回路３１および信号線駆動回路２１を基板１１の一辺に集約することができる。よって、表示装置１の周辺領域１０Ｂを狭めることができる。また、表示装置１がフレキシブルディスプレイである場合にはフレキシブル性が向上する。
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
＜変形例１＞
図９（Ａ）は、上記実施の形態の変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）のＴＦＴ基板１０の平面構成を信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１と共に表したものである。この表示装置１Ａでは、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１が基板１１の一辺に揃って配置されている。その点を除き、表示装置１Ａは上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
図９（Ｂ）に示したように、表示装置１Ａでは信号線２２および取り出し線３３が同じ位置で引き出されている。この信号線２２および取り出し線３３にそれぞれ電気的に接続して信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１をＸ方向に並べ、これらをＹ方向に揃えて配置する。即ち、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１が表示領域１０Ａに対して直線状に並列に配置される。これにより、基板１１の一辺（下辺）の周辺領域１０Ｂを狭め、更に狭額縁化を行うことができる。
＜変形例２＞
図１０は、上記実施の形態の変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の一画素１０Ｐの構成を表したものである。図１０（Ａ）は平面構成、図１０（Ｂ）は断面構成をそれぞれ表している。この表示装置１Ｂでは、ＴＦＴ（ＴＦＴ１２Ｔ）のゲート電極（ゲート電極３２Ａ）に取り出し線３３が電気的に接続され、一画素１０Ｐ毎に取り出し線３３が設けられている。その点を除き、表示装置１Ｂは上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
この表示装置１Ｂでは、画素１０Ｐ毎に設けられたＴＦＴ１２Ｔが第１層間絶縁膜４１上のゲート電極３２Ａ（第２配線）、ゲート絶縁膜４２を間にしてゲート電極３２Ａと対向するチャネル層５１、ゲート絶縁膜４２上のソース・ドレイン電極２２Ａ，２２Ｂおよびチャネル層５１を覆うパッシベーション層５２を有している。第２層間絶縁膜４３上には、このＴＦＴ１２Ｔを覆うように表示層１３の画素電極１３Ｐが設けられている。ゲート電極３２Ａと同層には、ソース・ドレイン電極２２Ｂとの間で保持容量を構成するＣｓ（容量）電極３４ＡおよびＣｓ電極３４Ａに接続しＸ方向に延在するＣｓ線３４が設けられている。
ここでは、接続孔４１Ｈが画素１０Ｐ毎に形成され、ゲート電極３２Ａがこの接続孔４１Ｈを介して取り出し線３３に電気的に接続されている。即ち、ゲート電極３２Ａと同層の走査線（走査線３２）に代えて、ゲート電極３２Ａよりも下層の取り出し線３３を設けている。これにより、配線間でのリークの発生を減少させることができる。以下、これについて説明する。
図１１は表示装置１００の一画素１００Ｐの構成を表すものである。図１１（Ａ）は平面構成、図１１（Ｂ）は断面構成を表している。表示装置１００は、ゲート電極３２Ａと同層の走査線１３２を有しており、この走査線１３２はＸ方向に延在している。従って、走査線１３２と信号線２２とが直交する交差部１００ＰＸは、走査線１３２と信号線２２との間にゲート絶縁膜４２のみを有している。このような配線間の交差部はリーク発生の要因となり得るものである。
これに対し、取り出し線３３と走査線３２との交差部１０ＰＸ（図１０）では、取り出し線３３と走査線３２との間にゲート絶縁膜４２に加え第１層間絶縁膜４１が設けられている。これにより、取り出し線３３と走査線３２との間の絶縁性が高まり、リークの発生を抑えることができる。
図１２に示したように、Ｃｓ線（Ｃｓ線３５）を取り出し線３３と同層に設け、このＣｓ線３５を第１層間絶縁膜４１の接続孔４１ＨＡを介してＣｓ電極３４Ａと電気的に接続するようにしてもよい。このときＣｓ線３５は、取り出し線３３と同様にＸ方向からＹ方向に屈曲させる。このようにＣｓ線３５をゲート電極３２Ａよりも下層に設けることにより、Ｃｓ線３５と信号線２２との交差部（交差部１０ＰＹ）においてもこれらの間にゲート絶縁膜４２および第１層間絶縁膜４１が介在するようになる。よって、配線間の交差部でのリークの発生をより効果的に防ぐことが可能となる。なお、図１２（Ａ）は一画素１０Ｐの平面構成、図１２（Ｂ）は断面構成を表すものである。
＜第２の実施の形態＞
図１３は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）のＴＦＴ基板６０の構成を信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１と共に表したものである。図１３（Ａ）は平面構成、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面構成、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿った断面構成を表している。この表示装置２では、信号線２２が取り出し線３３に電気的に接続されている。その点を除き、表示装置２は上記第１の実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
このＴＦＴ基板６０の配線層１２は、基板１１側から取り出し線３３（第３配線）、第１層間絶縁膜４１、走査線３２(第１配線)、ゲート絶縁膜４２、信号線２２（第２配線）および第２層間絶縁膜４３をこの順に有している。信号線２２は周辺領域１０Ｂに設けられた接続孔４２Ｈを介して取り出し線３３に電気的に接続されている（図１３（Ｂ），（Ｃ））。接続孔４２Ｈはゲート絶縁膜４２および第１層間絶縁膜４１を貫通するものであり、複数の接続孔４２Ｈが例えば基板１１の下辺（長辺）に沿って配置されている（図示せず）。
取り出し線３３は、接続孔４２ＨからＹ方向（紙面上方向）に延びた後、Ｘ方向（紙面左方向）に屈曲している（図示せず）。従って、基板１１の一辺（紙面左側短辺）では取り出し線３３がＸ方向に延在して、走査線３２と共に取り出される。即ち、信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１を基板１１の短辺に集約して設けることができる。信号線駆動回路２１は走査線駆動回路３１からずらしてより外側に配置するようにしてもよく（図１３（Ａ））、走査線駆動回路３１に揃えて配置するようにしてもよい（図示せず）。表示装置２では、基板１１の短辺に信号線駆動回路２１および走査線駆動回路３１を設けている。これにより、表示装置２がフレキシブルディスプレイである場合に基板１１の長辺が自由に動き、フレキシブル性がより高まる。
＜変形例３＞
図１４は、上記実施の形態の変形例３に係る表示装置（表示装置２Ａ）の一画素６０Ｐの構成を表したものである。図１４（Ａ）は平面構成、図１４（Ｂ）は断面構成を表している。この表示装置２Ａでは、ＴＦＴ１２Ｔのソース・ドレイン電極２２Ａに取り出し線３３が電気的に接続され、一画素６０Ｐ毎に取り出し線３３設けられている。即ち、ソース・ドレイン電極２２Ａと同層の信号線（信号線２２）に代えて、ソース・ドレイン電極２２Ａよりも下層の取り出し線３３が設けられている。その点を除き、表示装置２Ａは上記第２の実施の形態の表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
この表示装置２Ａでは画素６０Ｐ毎に接続孔４２Ｈが設けられ、この接続孔４２Ｈを介してＴＦＴ１２Ｔのソース・ドレイン電極２２Ａと取り出し線３３とが電気的に接続されている。接続孔４２Ｈは、ゲート絶縁膜４２および第１層間絶縁膜４１を貫通して設けられている。走査線３２と取り出し線３３との交差部１０ＰＸでは、これらの間に第１層間絶縁膜４１が介在する。第１層間絶縁膜４１はゲート絶縁膜４２に比べて厚みを大きくすることが可能であるため、交差部１０ＰＸにおけるリークの発生を防ぐことができる。
上記表示装置１（１Ａ，１Ｂ，２，２Ａ）は、例えば次の適用例１〜６に示した電子機器に搭載することができる。
＜適用例１＞
図１５（Ａ）および図１５（Ｂ）は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０，非表示部２２０および操作部２３０を有している。この表示部２１０が、上記表示装置１により構成される。操作部２３０は、図１５（Ａ）に示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図１５（Ｂ）に示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
＜適用例２＞
図１６は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、映像表示画面部３００が上記表示装置１により構成される。
＜適用例３＞
図１７は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、この表示部４２０が上記表示装置１により構成される。
＜適用例４＞
図１８は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、この表示部５３０が上記表示装置１により構成される。
＜適用例５＞
図１９は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、この表示部６４０が上記表示装置１により構成される。
＜適用例６＞
図２０は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有しており、ディスプレイ７４０およびサブディスプレイ７５０の少なくとも一方が上記表示装置１により構成される。
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、信号の入力および出力のうち、出力を行う信号伝達装置（表示装置１，１Ａ，１Ｂ，２，２Ａ）を挙げて説明したが、本技術は、例えば図２１に示したような信号の入力動作を行う信号伝達装置（信号入力装置３）にも適用可能である。この信号入力装置３は例えばタッチパネルであり、複数の位置情報検出領域７０Ｐ（単位領域）がマトリクス状に配置された入力領域７０Ａ（信号伝達部）を有している。入力領域７０Ａの周囲の周辺領域７０Ｂには第１センサ用回路７１（第１周辺回路）および第２センサ用回路７２（第２周辺回路）が設けられている。Ｙ方向に延在する複数の配線８４が第１センサ用回路７１に電気的に接続され、Ｘ方向に延在する複数の配線８２が配線８３を介して第２センサ用回路７２に電気的に接続されている。
また、図１０，図１１および図１４では、ボトムゲート型のＴＦＴ１２Ｔについて説明したが、ＴＦＴ１２Ｔはトップゲート型であってもよい。更に、上記実施の形態等では、画素毎にＴＦＴ１２Ｔを有するアクティブマトリクス型の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス型の表示装置であってもよい。
また、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
更に、上記実施の形態等では、表示装置１の構成を具体的に挙げて説明したが、他の層を更に備えていてもよい。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）第１方向に延在する第１配線と、前記第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、前記第２配線と異なる層に設けられると共に前記第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が前記第１方向に延在する第３配線とを備えた信号伝達装置。
（２）前記第１配線、第２配線および第３配線を基板上に有し、前記第１配線および第３配線が前記基板の一辺から取り出される前記（１）に記載の信号伝達装置。
（３）前記第１配線は第１周辺回路、前記第３配線は第２周辺回路にそれぞれ電気的に接続され、前記第１周辺回路および第２周辺回路が前記基板の一辺に設けられている前記（２）に記載の信号伝達装置。
（４）前記第２配線は第１方向と交差する第２方向に延在する前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の信号伝達装置。
（５）前記第１配線および第２配線をそれぞれ複数有し、これらの交点に複数の単位領域を有する前記（４）に記載の信号伝達装置。
（６）前記第３配線は第１方向と交差する第２方向から第１方向に屈曲している前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の信号伝達装置。
（７）複数の単位領域を有し、前記第２配線が単位領域毎に設けられている前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の信号伝達装置。
（８）前記第２配線と第３配線との間に第１絶縁膜を有し、前記第２配線は前記第１絶縁膜の接続孔を介して前記第３配線に電気的に接続されている前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の信号伝達装置。
（９）前記第２配線と第１配線との間に第２絶縁膜を有し、前記第３配線、前記第１絶縁膜、前記第２配線、前記第２絶縁膜および前記第１配線をこの順に有する前記（８）に記載の信号伝達装置。
（１０）前記第２配線と第３配線との間にさらに第２絶縁膜を有し、前記第３配線、前記第１絶縁膜、前記第１配線、前記第２絶縁膜および前記第２配線をこの順に有する前記（８）に記載の信号伝達装置。
（１１）前記基板は可撓性基板である前記（２）に記載の信号伝達装置。
（１２）複数の単位領域が設けられた信号伝達部を有し、前記第２周辺回路は、前記第１周辺回路よりも前記信号伝達部の外側に配置されている前記（３）に記載の信号伝達装置。
（１３）複数の単位領域が設けられた信号伝達部を有し、前記第１駆動回路および前記第２駆動回路は、前記信号伝達部に対して並列に配置されている前記（３）に記載の信号伝達装置。
（１４）前記基板は矩形状であり、前記第１配線および前記第３配線は前記基板の長辺から取り出される前記（２）に記載の信号伝達装置。
（１５）前記基板は矩形状であり、前記第１配線および前記第３配線は前記基板の短辺から取り出される前記（２）に記載の信号伝達装置。
（１６）前記第１配線は信号線であり、前記第２配線は走査線である前記（１）乃至（１５）のうちいずれか１つに記載の信号伝達装置。
（１７）前記第１配線は走査線であり、前記第２配線は信号線である前記（１）乃至（１５）のうちいずれか１つに記載の信号伝達装置。
（１８）前記複数の単位領域毎にＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有し、前記第１配線は走査線、前記第２配線は前記ＴＦＴのゲート電極であり、前記第３配線と同層に、少なくとも一部が前記第１方向に延在する容量線を有する前記（７）に記載の信号伝達装置。
（１９）第１方向に延在する第１配線と、前記第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、前記第２配線と異なる層に設けられると共に前記第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が前記第１方向に延在する第３配線とを備えた表示装置。
（２０）信号伝達装置を備え、前記信号伝達装置は、第１方向に延在する第１配線と、前記第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、前記第２配線と異なる層に設けられると共に前記第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が前記第１方向に延在する第３配線とを備えた電子機器。
１，１Ａ，１Ｂ，２，２Ａ・・・表示装置、１０，６０・・・ＴＦＴ基板、１０Ａ・・・表示領域、１０Ｂ・・・周辺領域、１０Ｐ，６０Ｐ・・・画素、１１・・・基板、１２・・・配線層、１２Ｔ・・・ＴＦＴ、３２Ａ・・・ゲート電極、５１・・・チャネル層、２２Ａ，２２Ｂ・・・ソース・ドレイン電極、５２・・・パッシベーション層、１３・・・表示層、１３Ｐ・・・画素電極、１４・・・透明基板、２１・・・信号線駆動回路、２２・・・信号線、３１・・・走査線駆動回路、３２・・・走査線、３４Ａ・・・Ｃｓ電極、３４，３５・・・Ｃｓ線、４１・・・第１層間絶縁膜、４１Ｈ，４１ＨＡ，４２Ｈ・・・接続孔、４２・・・ゲート絶縁膜、４３・・・第２層間絶縁膜。

Claims (20)

  1. 第１方向に延在する第１配線と、
    前記第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、
    前記第２配線と異なる層に設けられると共に前記第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が前記第１方向に延在する第３配線と
    を備えた信号伝達装置。
  2. 前記第１配線、第２配線および第３配線を基板上に有し、
    前記第１配線および第３配線が前記基板の一辺から取り出される
    請求項１に記載の信号伝達装置。
  3. 前記第１配線は第１周辺回路、前記第３配線は第２周辺回路にそれぞれ電気的に接続され、
    前記第１周辺回路および第２周辺回路が前記基板の一辺に設けられている
    請求項２に記載の信号伝達装置。
  4. 前記第２配線は第１方向と交差する第２方向に延在する
    請求項１に記載の信号伝達装置。
  5. 前記第１配線および第２配線をそれぞれ複数有し、これらの交点に複数の単位領域を有する
    請求項４に記載の信号伝達装置。
  6. 前記第３配線は第１方向と交差する第２方向から第１方向に屈曲している
    請求項１に記載の信号伝達装置。
  7. 複数の単位領域を有し、
    前記第２配線が単位領域毎に設けられている
    請求項１に記載の信号伝達装置。
  8. 前記第２配線と第３配線との間に第１絶縁膜を有し、
    前記第２配線は前記第１絶縁膜の接続孔を介して前記第３配線に電気的に接続されている
    請求項１に記載の信号伝達装置。
  9. 前記第２配線と第１配線との間に第２絶縁膜を有し、
    前記第３配線、前記第１絶縁膜、前記第２配線、前記第２絶縁膜および前記第１配線をこの順に有する
    請求項８に記載の信号伝達装置。
  10. 前記第２配線と第３配線との間にさらに第２絶縁膜を有し、
    前記第３配線、前記第１絶縁膜、前記第１配線、前記第２絶縁膜および前記第２配線をこの順に有する
    請求項８に記載の信号伝達装置。
  11. 前記基板は可撓性基板である
    請求項２に記載の信号伝達装置。
  12. 複数の単位領域が設けられた信号伝達部を有し、
    前記第２周辺回路は、前記第１周辺回路よりも前記信号伝達部の外側に配置されている
    請求項３に記載の信号伝達装置。
  13. 複数の単位領域が設けられた信号伝達部を有し、
    前記第１周辺回路および前記第２周辺回路は、前記信号伝達部に対して並列に配置されている
    請求項３に記載の信号伝達装置。
  14. 前記基板は矩形状であり、前記第１配線および前記第３配線は前記基板の長辺から取り出される
    請求項２に記載の信号伝達装置。
  15. 前記基板は矩形状であり、前記第１配線および前記第３配線は前記基板の短辺から取り出される
    請求項２に記載の信号伝達装置。
  16. 前記第１配線は信号線であり、前記第２配線は走査線である
    請求項４に記載の信号伝達装置。
  17. 前記第１配線は走査線であり、前記第２配線は信号線である
    請求項４に記載の信号伝達装置。
  18. 前記複数の単位領域毎にＴＦＴ（Thin Film Transistor）を有し、
    前記第１配線は走査線、前記第２配線は前記ＴＦＴのゲート電極であり、
    前記第３配線と同層に、少なくとも一部が前記第１方向に延在する容量線を有する
    請求項７に記載の信号伝達装置。
  19. 第１方向に延在する第１配線と、
    前記第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、
    前記第２配線と異なる層に設けられると共に前記第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が前記第１方向に延在する第３配線と
    を備えた表示装置。
  20. 信号伝達装置を備え、
    前記信号伝達装置は、
    第１方向に延在する第１配線と、
    前記第１配線と異なる層に設けられた第２配線と、
    前記第２配線と異なる層に設けられると共に前記第２配線に電気的に接続され、少なくとも一部が前記第１方向に延在する第３配線と
    を備えた
    電子機器。
JP2012094562A 2012-04-18 2012-04-18 信号伝達装置、表示装置および電子機器 Pending JP2013222124A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012094562A JP2013222124A (ja) 2012-04-18 2012-04-18 信号伝達装置、表示装置および電子機器
US13/850,377 US20130277650A1 (en) 2012-04-18 2013-03-26 Signal transmission unit, display unit, and electronic apparatus
CN2013101245995A CN103376580A (zh) 2012-04-18 2013-04-11 信号传输单元、显示单元和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012094562A JP2013222124A (ja) 2012-04-18 2012-04-18 信号伝達装置、表示装置および電子機器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2013222124A true JP2013222124A (ja) 2013-10-28

Family

ID=49379262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012094562A Pending JP2013222124A (ja) 2012-04-18 2012-04-18 信号伝達装置、表示装置および電子機器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130277650A1 (ja)
JP (1) JP2013222124A (ja)
CN (1) CN103376580A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200076302A (ko) * 2018-12-19 2020-06-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104808072A (zh) * 2015-04-29 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 膜层结构及测试方法、显示基板及测试方法和制备方法
CN104952883B (zh) * 2015-05-11 2019-04-19 京东方科技集团股份有限公司 柔性阵列基板、显示面板、键盘组件和电子设备
KR102342556B1 (ko) 2015-07-31 2021-12-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN105655378A (zh) 2016-01-04 2016-06-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板和oled显示面板、制备方法及显示装置
CN107390941B (zh) * 2017-08-17 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 触控基板、触控面板、显示基板、显示面板和显示装置
CN108766249B (zh) * 2018-08-09 2020-12-29 武汉天马微电子有限公司 一种可折叠的显示面板及可折叠显示装置
KR20220105701A (ko) * 2021-01-20 2022-07-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
US6885028B2 (en) * 2002-03-25 2005-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha Transistor array and active-matrix substrate
JP4367346B2 (ja) * 2005-01-20 2009-11-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP5017923B2 (ja) * 2005-08-05 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
JP5040222B2 (ja) * 2005-12-13 2012-10-03 ソニー株式会社 表示装置
US20100224880A1 (en) * 2009-03-05 2010-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2010250267A (ja) * 2009-03-25 2010-11-04 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP5029670B2 (ja) * 2009-09-28 2012-09-19 カシオ計算機株式会社 表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200076302A (ko) * 2018-12-19 2020-06-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 장치
KR102612390B1 (ko) * 2018-12-19 2023-12-12 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20130277650A1 (en) 2013-10-24
CN103376580A (zh) 2013-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107658386B (zh) 具有用于防止有机材料溢出的结构的显示装置
JP2013222124A (ja) 信号伝達装置、表示装置および電子機器
US10540030B2 (en) Display device with touch sensing unit
CN108400149B (zh) 显示装置
JP6585384B2 (ja) 表示装置
JP2015180924A (ja) 表示装置、及び電子機器
US9362317B2 (en) Display device and electronic unit
JP2009021477A (ja) 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法
US11782547B2 (en) Display substrate and manufacturing method therefor, and display device
CN109885196B (zh) 包括触摸传感器的显示装置及制造显示装置的方法
JP2013161895A (ja) 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器
US11737323B2 (en) Display device
US11194432B2 (en) Display device
JP2012220636A (ja) 表示装置および電子機器
US20230380244A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing display apparatus
US20230354659A1 (en) Display panel and display device
US11137849B2 (en) Touch display device and manufacturing method thereof
CN220326173U (zh) 显示装置
CN221427318U (zh) 显示装置
US20230299065A1 (en) Display panel and display device
US20240284731A1 (en) Display device
US10620468B2 (en) Method of manufacturing display panel substrate
US20220122509A1 (en) Driving connector and display device including the same
US20230301158A1 (en) Display panel and display device
KR20240107980A (ko) 유기 발광 표시 장치