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- H10K50/805—Electrodes
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- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
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Description
図1乃至図3を用いて、本発明の実施の形態の一例として、EL表示装置について説明する。
素子基板101は、基板107上に形成されたトランジスタ層103と、トランジスタ層103上に形成された発光素子105とを含む。トランジスタ層103には、画素領域及びドライバを構成するトランジスタ、容量素子、配線群などが設けられている。図1では、代表的に、画素回路のトランジスタ109を示している。
対向基板102には、基板108、複数の構造体180、ブラックマトリクス186、カラーフィルタ181、182、183、及びオーバーコート184が設けられている。なお、対向基板102のカラーフィルタのある側と反対側の面には反射防止フィルム(ARフィルム)187が設けられている。ここで、対向基板102と反射防止フィルム187とを分けて記載しているのは、通常、反射防止フィルム187は基板分断後に貼り付けられるためである。
図2(A)は、ブラックマトリクス186の構成の一例を示す平面図であり、図2(B)は、同断面図である。また、図2(C)乃至図2(E)はブラックマトリクス186の別の形態の一例を示す断面図である。
図3(A)は、反射電極層111の構成の一例を示す平面図であり、図3(B)は、同断面図である。また、図3(C)は、反射電極層111の表面に形成される凹部の平面形状の一例を示す平面図である。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型EL表示装置の詳細な構成について説明する。
EL表示装置の画素領域には、複数のゲート線301(以下、GL301とも呼ぶ。)、および複数のソース線321(以下、SL321とも呼ぶ。)、電源線302(以下、ANL302とも呼ぶ。)および、電源線322(以下、PVL322とも呼ぶ。)が形成されている。
以下、図4及び図20(A)乃至図23(B)を参照して、画素回路230の構成、およびその作製方法を説明する。なお、素子基板201には、画素回路230の作製工程により、ソースドライバ及びゲートドライバも同時に作製される。そのため、画素回路230と同様な構成のトランジスタや容量素子が、ドライバに形成される。素子基板201は、素子基板101と同様に作製することができる。
まず、基板401上に、第1層の配線/電極(GL301、ANL302、電極303)を形成する(図21(A)参照)。電極303は、トランジスタM2のゲート電極、および容量素子Cp1の端子(電極)を構成する。第1層の配線/電極(301、302、303)は、1層または2層以上の導電膜で形成される。このような導電膜としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、およびタングステン等の金属膜、これら金属膜に他の金属元素を添加した膜、これら金属元素を1種または複数含む合金、または化合物でなる膜等を用いることができる。例えば、スパッタ法により、厚さ180nm以上250nm以下のタングステン膜を形成し、フォトリソグラフィ工程とエッチング工程により、このタングステン膜を加工して、第1層の配線/電極(301−303)を形成する。
次に、トランジスタM1−M3、および容量素子Cp1を覆う絶縁層352を形成する(図4)。絶縁層352は、絶縁層351と同様に形成することができる。例えば、酸化窒化シリコン膜−酸化窒化シリコン膜−窒化シリコン膜の3層構造の膜を絶縁層352として形成する。次に、電極324に達する開口413を絶縁層352に形成する(図21(B)参照)。
対向基板202は、対向基板102と同様に作製することができる。基板402上に、複数の構造体378を形成する。さらに、複数の構造体378を覆うようにブラックマトリクス379を形成する。複数の構造体378の形状により、ブラックマトリクス379は凸部を有する形状となる。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型のEL表示装置の別の形態について図5を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサ、タッチセンサを備えるタッチセンサモジュール、タッチパネル、及びタッチパネルモジュール等の構成例について説明する。以下では、タッチセンサとして静電容量方式のタッチセンサを適用した場合について説明する。また、可撓性を有するタッチパネルも、本発明の一態様である。
図6(A)は、本発明の一態様のタッチパネル10の斜視概略図である。また図6(B)は、タッチパネル10を展開したときの斜視概略図である。タッチパネル10は、タッチセンサモジュール20と、表示パネル30とが重ねて配置された構成を有する。
図7(A)に、本発明の一態様のタッチパネルの断面概略図を示す。図7(A)に示すタッチパネルは、一対の基板間にアクティブマトリクス方式のタッチセンサ及び表示素子を有するため、薄型化を図ることができる。なお、本明細書等において、複数のセンサ素子の各々が能動素子を有するタッチセンサをアクティブマトリクス方式のタッチセンサと呼ぶ。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
ここで、可撓性を有するタッチパネルを作製する方法について説明する。
図8に、図7とは構成の一部の異なる断面構成例を示す。図8に示す構成は、図7で示した構成と比較し、第1の導電層771の構成が異なる点で主に相違している。
図9に、図7または図8とは構成の一部の異なる断面構成例を示す。図9に示す構成は、図7で示した構成と比較し、第3の導電層776を有する点で主に相違している。
図10に、図7乃至図9とは構成の一部の異なる断面構成例を示す。図10に示す構成は、図7に示した構成と比較し、第2の基板21側に設けられるトランジスタを有していない点で主に相違している。すなわち、図10に示す断面構成は、パッシブマトリクス型のタッチパネルに適用することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサの構成例と、その駆動方法の例について、図面を参照して説明する。
図11(A)は、本発明の一態様のタッチパネル(入出力装置ともいう)が有する構成を説明するブロック図である。図11(B)は、変換器CONVの構成を説明する回路図である。図11(C)はセンサ素子22の構成を説明する回路図である。また図11(D−1)及び図11(D−2)はセンサ素子22の駆動方法を説明するタイミングチャートである。
続いて、図11を参照してセンサ素子22の駆動方法について説明する。
第1のステップにおいて、トランジスタM6を導通状態にした後に非導通状態にするリセット信号を、トランジスタM6のゲートに供給し、容量素子Cの第1の電極の電位(すなわちノードAの電位)を所定の電位にする(図11(D−1)、期間T1参照)。
第2のステップにおいて、トランジスタM5を導通状態にする選択信号をトランジスタM5のゲートに供給し、トランジスタM4の第2の電極を信号線DLに電気的に接続する(図11(D−1)、期間T2参照)。
第3のステップにおいて、制御信号を容量素子Cの第2の電極に供給し、制御信号及び容量素子Cの容量に基づいて変化する電位をトランジスタM4のゲートに供給する。
第4のステップにおいて、トランジスタM4のゲートの電位の変化がもたらす信号を信号線DLに供給する。
第5のステップにおいて、トランジスタM5を非導通状態にする選択信号をトランジスタM5のゲートに供給する。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型液晶表示装置の形態について図14を用いて説明する。
図15に示す液晶表示装置120aは、絶縁層128上に透光性電極層114及び反射電極層111がこの順番で積層されている。反射電極層111は透光性電極層114の一部を覆っており、透光性電極層114の一部は液晶層110と接している。なお、透光性電極層114及び反射電極層111が、図15と逆の順番で積層されていてもよい。
図16に示す液晶表示装置120bは、オーバーコート184上に絶縁層189が形成されている点で液晶表示装置120aと異なる。
図19に示す液晶表示装置120cは、開口130において反射電極層111と透光性電極層114が離間している点、カラーフィルタ181、182、183の一部が開口を有する点で液晶表示装置120aと異なる。
本実施の形態では、EL表示装置260(図4)を例に、反射電極の表面形状及びブラックマトリクスの表面形状の不規則性を高める手段について図24を用いて説明する。
本実施の形態では、他の実施の形態で示した表示装置を表示部に備えた電子機器について説明する。または、他の実施の形態で示した可撓性を有するタッチパネルを備えた電子機器について説明する。
20 タッチセンサモジュール
21 基板
22 センサ素子
23 回路
24 回路
30 表示パネル
31 基板
32 表示部
33 画素
34 回路
41 FPC
42 FPC
43 端子
100 EL表示装置
101 素子基板
102 対向基板
103 トランジスタ層
104 空間
105 発光素子
106 光
107 基板
108 基板
109 トランジスタ
110 液晶層
111 反射電極層
112 透光性電極層
113 発光層
114 透光性電極層
120 液晶表示装置
120a 液晶表示装置
120b 液晶表示装置
120c 液晶表示装置
121 絶縁層
122 ゲート電極
123 ゲート絶縁層
124 半導体層
125 ソース電極及びドレイン電極
126 絶縁層
127 絶縁層
128 絶縁層
129 絶縁層
130 開口
131 絶縁層
132 絶縁層
140 領域
141 凹部
141a 凹部
142 開口
161 素子基板
162 対向基板
171 光
172 光
180 構造体
180a 構造体
180b 構造体
181 カラーフィルタ
182 カラーフィルタ
183 カラーフィルタ
184 オーバーコート
186 ブラックマトリクス
187 反射防止フィルム
188 対向電極層
189 絶縁層
200 光
201 素子基板
202 対向基板
230 画素回路
260 EL表示装置
261 EL表示装置
301 ゲート線
302 電源線
303 電極
311 酸化物半導体層
312 酸化物半導体層
313 酸化物半導体層
321 ソース線
322 電源線
323 電極
324 電極
325 電極
331 反射電極層
332 半透光性導電層
333 発光層
334 透光性導電層
351 絶縁層
352 絶縁層
353 絶縁層
354 絶縁層
355 絶縁層
360 領域
361 凹部
378 構造体
379 ブラックマトリクス
384 オーバーコート
385 反射防止フィルム
390 空間
401 基板
402 基板
411 開口
412 開口
413 開口
414 開口
420 開口
500 基準レイアウトパターン
501 パターン
511 パターン
530 基準レイアウトパターン
531 パターン
701 トランジスタ
702 トランジスタ
703 トランジスタ
704 発光素子
705 コンタクト部
710 接続層
711 接着層
712 絶縁層
713 絶縁層
714 絶縁層
715 絶縁層
716 絶縁層
717 絶縁層
718 絶縁層
719 スペーサ
720 接着層
721 電極
722 EL層
723 電極
724 光学調整層
725 導電層
751 トランジスタ
752 トランジスタ
753 コンタクト部
760 接続層
761 接着層
762 絶縁層
763 絶縁層
764 絶縁層
765 絶縁層
766 絶縁層
767 オーバーコート
770 容量素子
771 導電層
771a 導電層
772 誘電体層
773 導電層
774 カラーフィルタ
775 ブラックマトリクス
776 導電層
777 構造体
778 開口
779 配線
781 コンタクト部
782 コンタクト部
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7200 コンピュータ
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7300 携帯型遊技機
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7450 コンピュータ
7451L 筐体
7451R 筐体
7452L 表示部
7452R 表示部
7453 操作ボタン
7454 ヒンジ
7455L 左側スピーカ
7455R 右側スピーカ
7456 外部接続ポート
7500 タッチパネル
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 部材
7505 制御部
7610 携帯情報端末
7613 ヒンジ
7615 筐体
7616 表示パネル
Claims (2)
- 第1の基板上の複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタ上に位置し、前記複数のトランジスタと接続される複数の発光素子と、
前記複数の発光素子上のカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの周囲を囲むブラックマトリクスと、
前記カラーフィルタ上及び前記ブラックマトリクス上の第2の基板と、を有し、
前記複数の発光素子は、前記複数のトランジスタと接続される複数の反射電極層と、前記複数の反射電極層上の発光層と、前記発光層上の透光性電極層と、を有し、
前記複数の発光素子の光は、前記カラーフィルタを介して射出され、
第1の画素に設けられた第1の反射電極層は複数の凹部を有し、
前記第1の画素と隣り合う第2の画素に設けられた第2の反射電極層は複数の凹部を有し、
前記第1の反射電極層と前記第2の反射電極層との間隙と重なる前記ブラックマトリクスの部分は、複数の凸部を有し、
前記ブラックマトリクスの前記部分が有する複数の凸部は、前記第2の基板と前記ブラックマトリクスの間に設けられた複数の構造体の形状を反映しており、
前記構造体の高さは0.2μm以上3μm以下である、表示装置。 - 第1の基板上の複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタ上に位置し、前記複数のトランジスタと接続される複数の発光素子と、
前記複数の発光素子上のカラーフィルタと、
前記カラーフィルタの周囲を囲むブラックマトリクスと、
前記カラーフィルタ上及び前記ブラックマトリクス上の第2の基板と、を有し、
前記複数の発光素子は、前記複数のトランジスタと接続される複数の反射電極層と、前記複数の反射電極層上の発光層と、前記発光層上の透光性電極層と、を有し、
前記複数の発光素子の光は、前記カラーフィルタを介して射出され、
第1の画素に設けられた第1の反射電極層は複数の凹部を有し、
前記第1の画素と隣り合う第2の画素に設けられた第2の反射電極層は複数の凹部を有し、
前記第1の反射電極層と前記第2の反射電極層との間隙と重なる前記ブラックマトリクスの部分は複数の凸部を有し、
前記ブラックマトリクスの前記部分が有する複数の凸部は、前記第2の基板と前記ブラックマトリクスの間に設けられた複数の構造体の形状を反映しており、
前記構造体の高さは0.2μm以上3μm以下であり、
前記第1の反射電極層と前記発光層との間に、前記第1の反射電極層の端部を覆う絶縁層を有し、
前記絶縁層は、前記第2の反射電極層の端部を覆い、
前記ブラックマトリクスの前記部分が有する複数の凸部は、前記絶縁層と重なる、
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