WO2023190317A1

WO2023190317A1 - 表示装置

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Publication number: WO2023190317A1
Application number: PCT/JP2023/012163
Authority: WO
Inventors: 勇剛谷垣
Original assignee: 東レ株式会社
Priority date: 2022-03-31
Filing date: 2023-03-27
Publication date: 2023-10-05

Abstract

同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、画素寸法制御層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、該画素寸法制御層が、下記（１）～（３）の条件のうち少なくとも１つを満たす表示装置。（１）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない；（２）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素寸法制御層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である；（３）該画素寸法制御層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。　優れたパターン寸法均一性、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備える有機ＥＬディスプレイを提供する。

Description

表示装置

　本発明は、表示装置に関する。詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」）ディスプレイ、量子ドットディスプレイ、又はマイクロ発光ダイオード（以下、「マイクロＬＥＤ」）ディスプレイに関する。特に、有機ＥＬディスプレイに関する。

　近年、スマートフォン、タブレットＰＣ、及びテレビなどの薄型ディスプレイを有する表示装置において、有機ＥＬディスプレイ、量子ドットディスプレイ、又はマイクロＬＥＤディスプレイに関する技術が盛んに研究されており、それらを用いた製品が多く開発されている。

　有機ＥＬディスプレイにおける発光特性向上のため、有機ＥＬディスプレイの画素分割層、薄層トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」）平坦化層やＴＦＴ保護層、及びＴＦＴアレイ形成における層間絶縁層やゲート絶縁層には高耐熱性の感光性組成物が用いられる。例えば、第１電極上に形成される画素分割層は、アノード（陽極）となる第１電極を露出する開口部を形成する必要があるため、フォトリソグラフィーによって画素分割層を形成する。

　有機ＥＬディスプレイの製造プロセスにおいて、画素分割層を形成した後、蒸着マスクを介して発光材料を蒸着によって成膜し、その後、第２電極を蒸着によって成膜するのが一般的である。発光材料を蒸着によって成膜する際の蒸着マスクの支持台として、画素分割層の一部に膜厚の厚い領域（以下、「厚膜部」）を形成することも一般的である。このような画素分割層の一部における膜厚の厚い領域は、画素分割層を形成した後、その上層に感光性組成物を再度成膜してパターン加工する二層成膜プロセスで形成可能である。一方で、このような二層成膜プロセスでは、工程数増加による生産性低下・歩留まり低下が懸念される。そのため、画素分割層をフォトリソグラフィーによって形成する際にハーフトーンフォトマスクを用いることで、画素分割層における段差形状として、画素分割層と厚膜部とを一括形成するプロセスも適用されている。

　有機ＥＬディスプレイの発光特性向上において、発光素子の信頼性向上が求められる。発光素子の信頼性を向上させることにより、有機ＥＬディスプレイの耐久性向上を実現できる。また有機ＥＬディスプレイは自発光素子を有するため、屋外における太陽光などの外光が入射すると、その外光反射によって視認性及びコントラストが低下する。そのため、外光を遮断して外光反射を低減する技術として、光取り出し側に偏光フィルムを形成することが一般的である。また画素分割層を形成する感光性組成物中に着色剤を含有させ、遮光性を向上させる技術も存在する。一方、光取り出し側にカラーフィルタを有する別の基板を貼り合わせ、発光特性を制御する技術も知られている。

　有機ＥＬディスプレイとしては、光取り出し側にブラックマトリックス層を有する有機ＥＬディスプレイ（特許文献１参照）などが挙げられる。

韓国公開特許第１０－２０１６－０１３００７１号公報

　有機ＥＬディスプレイにおいて、光取り出し側に偏光フィルムを形成すると発光素子からの発光も一部遮断されてしまう。そのため、外光反射抑制と発光輝度向上との両立が困難であった。さらに、発光素子からの発光が発光特性を支配する上、偏光フィルムを通過した後の光が表示装置としての発光特性を示すこととなる。そのため、発光スペクトルの半値幅が十分に狭くない場合や、偏光フィルムの透過率・色座標が発光スペクトルと整合しない場合には、発光輝度及び発光色純度が悪化するという課題もあった。

　また光取り出し側にカラーフィルタを有する別の基板を貼り合わせる場合、画素部となる発光素子と、画素部と重畳するカラーフィルタとの位置関係が重要となる。しかしながら、それぞれの寸法・面積・形状等をどのように設計すれば外光反射抑制、発光輝度向上、及び発光色純度向上を兼ね備えることができるかは明らかではなかった。さらに、カラーフィルタを有する別の基板を貼り合わせる場合、貼り合わせ位置精度や露光アライメント誤差に起因して発光特性が低下するという課題もあった。

　一方、外光反射抑制のために画素分割層を形成する感光性組成物中に着色剤を含有させる場合、パターニング露光時の紫外線等も遮断されてしまう。そのため、パターン加工性の悪化により、画素部となる画素分割層の開口寸法の制御が困難であった。またパターン加工性の悪化に起因する発光特性低下も課題であった。特に、光取り出し側にカラーフィルタを形成する場合、画素部と重畳するカラーフィルタの寸法・面積・形状等の設計が制約されることとなる。

　従って、表示装置である有機ＥＬディスプレイには、優れたパターン寸法均一性、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備えることが要求される。また表示装置である有機ＥＬディスプレイには、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備えることも要求される。しかしながら、上記の特許文献１に記載の表示装置は上記いずれかの特性が不十分であった。また上述した通り、画素部となる発光素子、及び画素部と重畳するカラーフィルタについて、それぞれの寸法・面積・形状等の好適な設計は明らかではなかった。

　上述した課題を解決するために、本発明の表示装置は、以下の［１］～［２０］の構成を有する。

　［１］同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、画素寸法制御層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層、及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、
　平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、
　該画素寸法制御層が、下記（１）～（３）の条件のうち少なくとも１つを満たす表示装置、である。
（１）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（２）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素寸法制御層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（３）該画素寸法制御層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　ここで、第１電極部とは、上記第１電極を平面視したものを言い、画素寸法制御層部とは、上記画素寸法制御層を平面視したものを言い、画素分割層部とは、上記画素分割層を平面視したものを言う。

　［２］前記画素寸法制御層が、少なくとも前記（１）の条件を満たす［１］に記載の表示装置。

　［３］平面視において、前記画素分割層部の面積に対する、前記画素寸法制御層部による被覆率が５０～１００％である［１］又は［２］に記載の表示装置。

　［４］平面視において、前記画素分割層部の面積に対する、前記画素寸法制御層部による被覆率が９０～１００％である［１］～［３］のいずれかに記載の表示装置。

　［５］前記画素寸法制御層の膜厚が０．１～５．０μｍである［１］～［４］のいずれかに記載の表示装置。

　［６］平面視において、前記画素分割層部が前記第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、
　平面視において、該第１電極部上の前記画素寸法制御層部又は該画素分割層部によって覆われた箇所における、該第１電極部の端部から該画素寸法制御層部の端部までの距離が、該第１電極部の端部から該画素分割層部の端部までの距離よりも大きく、
　平面視において、該第１電極部の端部から該画素分割層部の端部までの距離が０．５～５．０μｍであって、該第１電極部の端部から該画素寸法制御層部の端部までの距離が１．０～７．０μｍである［１］～［５］のいずれかに記載の表示装置。

　［７］平面視において、前記画素分割層部が前記第１電極部と重畳せず、
　平面視において、該第１電極部上の前記画素寸法制御層部によって覆われた箇所における該第１電極部の端部から、該画素寸法制御層部の端部までの距離が０．５～５．０μｍであって、該第１電極部の端部から該画素分割層部の端部までの距離が０．１～３．０μｍである［１］～［５］のいずれかに記載の表示装置。

　［８］前記画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ）μｍと該（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、
　平面視において、前記画素寸法制御層部が、前記画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部及び前記第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されている［１］～［７］のいずれかに記載の表示装置。

　［９］前記画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、
　該厚膜部及び該薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である［８］に記載の表示装置。

　［１０］前記画素寸法制御層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ２）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ２）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ２）μｍと該（Ｔ_ＨＴ２）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ２－ＨＴ２}）μｍが０．５～１０．０μｍである［１］～［９］のいずれかに記載の表示装置。

　［１１］前記画素寸法制御層が、下記（４）～（６）の条件のうち少なくとも１つを満たす［１０］に記載の表示装置。
（４）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（５）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、厚膜部及び薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（６）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　［１２］前記画素分割層が、以下の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物及び／又は（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物を含む［１］～［１１］のいずれかに記載の表示装置。
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、ジベンゾフルオレン構造、カルバゾール構造、ベンゾカルバゾール構造、インドール構造、ベンゾインドール構造又はジフェニルスルフィド構造を有し、これらの構造にイミノ基が結合した構造及び／又はこれらの構造にカルボニル基が結合した構造を有する化合物
（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物：インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物。

　［１３］前記画素分割層が、有機黒色顔料及び／又は二色以上の着色顔料混合物を含有し、
　該有機黒色顔料が、ベンゾフラノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料及びアゾ系黒色顔料からなる群より選ばれる一種類以上を含み、
　該二色以上の着色顔料混合物が、赤色、橙色、黄色、緑色、青色及び紫色からなる群より選ばれる二色以上の顔料を含む［１］～［１２］のいずれかに記載の表示装置。

　［１４］前記画素分割層が、以下の（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び／又は（Ａ３－ＤＬ）樹脂を含有する［１］～［１３］のいずれかに記載の表示装置。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造、アミド構造、オキサゾール構造及びシロキサン構造からなる群より選ばれる一種類以上を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有する樹脂。

　［１５］前記基板がフレキシブル基板であって、
　前記画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有し、
前記発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有さず、
　曲面の表示部、外側への折り曲げ面を含む表示部又は内側への折り曲げ面を含む表示部を有し、フレキシブル性を有する表示装置である［１］～［１４］のいずれかに記載の表示装置。

　［１６］同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該第１電極、該発光層を含む有機層、該第２電極、該封止層及び該カラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されており、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、
　平面視において、複数の画素部を有し、
　該画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ、最小値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、該画素部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法を（ＣＦ_Ｌ）μｍとし、該画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法を（ＢＭ_Ｌ）μｍとし、
　該（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、かつ、
　該（ＣＦ_Ｌ）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＣＦ_Ｌ）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、
　一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす表示装置。
０≦Δ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦４．０　（ΔＣＤ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）。

　［１７］平面視において、前記ブラックマトリックス層部が前記カラーフィルタ層部と重畳せず、
　前記（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、
　該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす［１６］に記載の表示装置。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦａ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）。

　［１８］前記画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ）μｍと該（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、
　該厚膜部及び該薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である、［１６］又は［１７］に記載の表示装置。

　［１９］さらに、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす［１６］～［１８］のいずれかに記載の表示装置。
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）。

　［２０］平面視において、前記ブラックマトリックス層部が前記カラーフィルタ層部と重畳せず、
　前記（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、
　該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｂ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす［１９］に記載の表示装置。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｂ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）。

　本発明の表示装置によれば、優れたパターン寸法均一性、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備える有機ＥＬディスプレイを提供可能である。また本発明の表示装置によれば、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備える有機ＥＬディスプレイを提供可能である。

画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。画素分割層、画素寸法制御層及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層、画素寸法制御層及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層、画素寸法制御層及び段差形状を有する下層スペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層及び画素分割層の薄膜部を覆う画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。画素分割層及び段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層及び段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。画素分割層及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層及び段差形状を有する下層スペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。画素寸法制御層の膜厚測定の一例を示す模式的断面図である。第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離測定及び第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離測定の一例を示す平面図である。画素部の長軸方向のパターン寸法、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法及びブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の一例を示す模式的断面図並びに平面図である。画素部の長軸方向のパターン寸法、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法及びブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の一例を示す模式的断面図並びに平面図である。画素部の形状、カラーフィルタ層部の形状及びブラックマトリックス層部の開口部の形状の一例を示す平面図である。画素部の形状、カラーフィルタ層部の形状及びブラックマトリックス層部の開口部の形状の一例を示す平面図である。ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳する構成を有する表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳する構成を有する表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。第２電極部の開口部が画素部と重畳せず、かつ、ブラックマトリックス層部の開口部及び前記カラーフィルタ層部と重畳する構成を有する表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図である。段差形状を有する画素分割層、画素寸法制御層及び偏光フィルムを含む表示装置の一例を示す模式的断面図である。段差形状を有する画素分割層及び偏光フィルムを含む表示装置の一例を示す模式的断面図である。第１色の画素部、第２色の画素部及び第３色の画素部を含む構成を有する表示装置の一例を示す平面図である。第１色の画素部、第２色の画素部及び第３色の画素部を含む構成を有する表示装置の一例を示す平面図である。段差形状を有する硬化パターンの断面の一例を示す模式的断面図である。中間膜厚部を含む段差形状を有する硬化パターンの一例を示す模式的断面図である。段差形状を有する画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置における工程１～工程６の製造プロセスの一例を示す模式的断面図である。段差形状を有する画素分割層を含む表示装置における工程１～工程６の製造プロセスの一例を示す模式的断面図である。中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層を含む表示装置における、透光部、遮光部、半透光部及び中間透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いた工程１～工程３の製造プロセスの一例を示す模式的断面図である。段差形状を有する画素分割層を含む表示装置における、第１電極を開口させない工程、光反応及び／又は光硬化させる工程、及び第１電極を開口させる工程を含む工程１～工程５の製造プロセスの一例を示す模式的断面図である。発光特性評価に用いた有機ＥＬディスプレイの基板における工程１～工程４の製造プロセスを示す平面図である。ハーフトーン特性評価に用いたハーフトーンフォトマスクにおける透光部、遮光部及び半透光部の配置並びに寸法の一例を示す平面図である。発光特性評価に用いた有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、薄膜部及び画素寸法制御層部の配置並びに寸法と、画素寸法制御層部の拡大図の一例を示す平面図である。発光特性評価に用いた有機ＥＬディスプレイにおける、画素寸法制御層部の厚膜部、画素寸法制御層部の開口部、及び画素寸法制御層部の薄膜部の配置、並びに、寸法と、画素寸法制御層部の開口部の拡大図の一例を示す平面図である。発光特性評価に用いた有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部及び薄膜部の配置並びに寸法の一例を示す平面図である。発光特性評価に用いた有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、薄膜部、及び中間膜厚部の配置、並びに、寸法と、中間膜厚部の拡大図の一例を示す平面図である。

　以下、本発明の第一の態様、第二の態様、及び第三の態様である表示装置、並びに、本発明の第四の態様、第五の態様、及び第六の態様である表示装置の製造方法について述べる。なお本発明の表示装置と記載する場合、本発明の第一の態様、第二の態様、及び第三の態様である表示装置に関する記載である。一方、特定の態様の表示装置について述べる場合、第一の態様である表示装置などと記載する。また本発明の表示装置の製造方法と記載する場合、本発明の第四の態様、第五の態様、及び第六の態様である表示装置の製造方法に関する記載である。一方、特定の態様の表示装置の製造方法について述べる場合、第四の態様である表示装置の製造方法などと記載する。

　本発明の表示装置において、平面視における平面とは、後述する基板に水平な平面をいう。また本発明の表示装置において、平面視とは、基板に水平な平面をｘｙ軸平面とし、ｘｙ軸平面に対して直交する方向をｚ軸方向とした場合において、ｚ軸方向から見たｘｙ軸平面のうち、表示装置の光取り出し側の平面視をいう。なお平面視において特定の部材に着目する場合、特定の部材に重なる別の部材を透過して見たものとする。基板が平面でない場合、後述する任意の画素部に水平な平面をｘｙ平面とする。本発明の表示装置において、重畳するとは、ｚ軸方向に対して直接的又は間接的に重なることをいう。本発明の表示装置において、パターン寸法の平均値は、光学顕微鏡又は走査型電子顕微鏡（以下、「ＳＥＭ」）を用いて３０点のパターン寸法を測定した平均値として算出できる。またパターン寸法の最大値及び最小値は、同様に光学顕微鏡又はＳＥＭを用いて３０点のパターン寸法を測定した最大値と最小値として算出できる。なお樹脂の主鎖とは、構造単位を含む樹脂を構成する鎖のうち最も鎖長が長いものをいう。樹脂の側鎖とは、構造単位を含む樹脂を構成する鎖のうち、主鎖から分岐した又は主鎖に結合した、主鎖よりも鎖長が短いものをいう。樹脂の末端とは主鎖を封止する構造をいい、例えば、末端封止剤などに由来する構造である。

　＜表示装置＞
　本発明の第一の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、画素寸法制御層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、
　平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、
　該画素寸法制御層が、下記（１）～（３）の条件のうち少なくとも１つを満たす表示装置、である。
（１）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（２）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素寸法制御層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（３）該画素寸法制御層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　このような構成とすることで、本発明の第一の態様である表示装置は、優れたパターン寸法均一性、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備えることが可能である。画素分割層の可視光線の波長における光学濃度が上記のような構成であることで、入射した外光を画素分割層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。また画素分割層の可視光線の波長（３８０～７８０ｎｍ）及び紫外領域の波長（例えば、４００ｎｍ以下）における遮光性向上により、画素分割層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図１に示す。

　画素分割層の形成において、特定の光学濃度を有する画素分割層を精度良く形成することが求められている。中でも、着色剤を含有する感光性組成物を用いたフォトリソグラフィーで形成することが検討されている。しかしながら、このような構成において、画素部となる画素分割層部の開口部のパターン寸法制御が困難な場合がある。そこで上記のように、画素分割層を形成し、さらに、画素寸法制御層を形成することで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する。その結果、画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法、及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、上述した効果を奏功する。

　加えて、画素分割層を画素寸法制御層で覆うことで、画素分割層の表面をラフネスの少ない平滑な膜面にでき、入射した外光の散乱が抑制されることで、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。また、画素分割層等からのアウトガスを画素寸法制御層が遮断することで、発光素子の信頼性向上の効果が顕著になると推定される。さらに、画素分割層及び画素寸法制御層を形成した後の工程において、エッチング液や剥離液などの酸性及び／又はアルカリ性の薬液処理をする場合、画素分割層への薬液の浸透を画素寸法制御層が抑制することで、耐薬品性向上の効果が顕著になると推定される。画素分割層への薬液の浸透が抑制されるため、画素分割層の光学濃度低下も抑制され、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。

　本発明の第一の態様である表示装置は、発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板又は円偏光板などの偏光フィルムを有しなくても、画素分割層の遮光性により、電極配線の可視化防止及び外光反射抑制の効果が顕著となる。すなわち、本発明の表示装置は、フレキシブル性及び折り曲げ性に乏しい偏光フィルムを有しないことで、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の効果が顕著となる。従って、本発明の表示装置は、画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有し、発光層を含む有機層の光取り出し側に偏光フィルムを有しない、フレキシブル性を有する表示装置に好適であり、フレキシブル性を有する有機ＥＬディスプレイに特に好適である。また偏光フィルムを有しないことで、表示装置の製造におけるコスト削減の効果が顕著となる。

　本発明の第二の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該第１電極、該発光層を含む有機層、該第２電極、該封止層及び該カラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されており、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、
　平面視において、複数の画素部を有し、
　該画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ、最小値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、該画素部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法を（ＣＦ_Ｌ）μｍとし、該画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法を（ＢＭ_Ｌ）μｍとし、
　該（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、かつ、
　該（ＣＦ_Ｌ）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＣＦ_Ｌ）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、
　一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす、表示装置である。
０≦Δ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦４．０　（ΔＣＤ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）。

　このような構成とすることで、本発明の第二の態様である表示装置は、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備えることが可能である。画素分割層の可視光線の波長における光学濃度が上記のような構成であることで、入射した外光を画素分割層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。また画素分割層の可視光線の波長（３８０～７８０ｎｍ）及び紫外領域の波長（例えば、４００ｎｍ以下）における遮光性向上により、画素分割層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。段差形状を有する画素分割層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図９に示す。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法が、画素部の長軸方向のパターン寸法より大きいため、発光素子からの発光の光取り出し効率が向上し、特に優れた高発光輝度の効果を奏功する。加えて、広範な視野角での高発光輝度の効果を奏功する。また画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値及び最小値が特定範囲内に収まる。さらに、画素部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法と、画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値及び最小値との寸法差が特定範囲であるため、発光素子からの発光がカラーフィルタ層部を通過し、高発光色純度の効果を奏功する。さらに、白色光である外光はカラーフィルタ層部を通過することで減衰する上、カラーフィルタ層部から入射する外光を画素分割層で遮光できる。加えて、ブラックマトリックス層部によって外光を遮光できるため、優れた外光反射抑制効果を奏功する。

　本発明の第三の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、
　平面視において、複数の画素部を有し、
　平面視において、画素分割層部の開口部の外周が該画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、該テーパー部が該画素分割層部の中間膜厚部に囲まれており、
　平面視において、該中間膜厚部が該画素分割層部の薄膜部に囲まれており、
　該画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍ、中間膜厚部の膜厚を（Ｔ_ＭＴ）μｍとし、かつ、中間膜厚部と接する薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ）μｍと該（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、該（Ｔ_ＭＴ）μｍと該（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＭＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．１～５．０μｍであって、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、
　該厚膜部及び該薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である表示装置、である。

　このような構成とすることで、本発明の第三の態様である表示装置は、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備えることが可能である。画素分割層の可視光線の波長における光学濃度が上記のような構成であることで、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図１３に示す。

　画素分割層の形成において、特定の光学濃度を有し、かつ段差形状を有する画素分割層を精度良く形成することが求められている。中でも、着色剤を含有する単一の感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いた段差形状を一括加工する方法で、そのような画素分割層を形成することが検討されている。しかしながら、このような構成において、ハーフトーン露光によって形成され、画素部となる画素分割層部の開口部のパターン寸法制御が困難な場合がある。そこで上記のように、段差形状を有する画素分割層において、画素分割層部の開口部に接するテーパー部の周辺に中間膜厚部を形成することで、アルカリ現像時のサイドエッチングを抑制できる。その結果、アルカリ現像後の開口バラツキが抑制されることで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する。その結果、画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、上述した効果を奏功する。

　本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板又は円偏光板などの偏光フィルムを有しなくても、画素分割層の遮光性により、電極配線の可視化防止及び外光反射抑制の効果が顕著となる。すなわち、本発明の表示装置は、フレキシブル性及び折り曲げ性に乏しい偏光フィルムを有しないことで、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の効果が顕著となる。従って、本発明の表示装置は、画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有し、発光層を含む有機層の光取り出し側に偏光フィルムを有しない、フレキシブル性を有する表示装置に好適であり、フレキシブル性を有する有機ＥＬディスプレイに特に好適である。また偏光フィルムを有しないことで、表示装置の製造におけるコスト削減の効果が顕著となる。

　＜基板＞
　本発明の表示装置は、基板を有する。基板は耐衝撃性向上の観点から、二酸化ケイ素又は三酸化二アルミニウムを有することが好ましく、ガラス基板、石英基板、水晶基板、又はサファイア基板がより好ましい。

　基板は、フレキシブル性向上、折り曲げ性向上、及び表示装置の形状自由度向上（曲面形状又は折り曲げ形状など）の観点から、フレキシブル基板が好ましい。フレキシブル基板は、本発明の硬化膜と基板との密着性向上、及び折り曲げ性向上の観点から、炭素を主成分の元素に含む基板が好ましい。フレキシブル基板における主成分の元素とは、フレキシブル基板の構成元素において最も多く含まれる元素をいう。フレキシブル基板は、ポリイミド基板、ポリエチレンテレフタレート基板、シクロオレフィンポリマー基板、ポリカーボネート基板、又はセルローストリアセテート基板が好ましく、折り曲げ性向上の観点から、ポリイミド基板がより好ましい。本発明の表示装置は、後述する画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有することが好ましい。

　本発明の表示装置は、フレキシブル性を有する表示装置であることが好ましく、曲面の表示部、外側への折り曲げ面を含む表示部、又は内側への折り曲げ面を含む表示部を有することが好ましい。フレキシブル性を有する表示装置は、フレキシブル性を有する有機ＥＬディスプレイ、フレキシブル性を有する量子ドットディスプレイ又はフレキシブル性を有するマイクロＬＥＤディスプレイが好ましく、フレキシブル性を有する有機ＥＬディスプレイがより好ましい。

　＜第１電極及び第２電極；平面視における第１電極部及び第２電極部＞
　本発明の表示装置は、第１電極及び第２電極を有する。第１電極及び第２電極として、透明電極と非透明電極とを組み合わせることにより、後述する発光層を含む有機層における発光を片側に取り出すことができる。透明電極及び非透明電極には、電気特性に優れることが求められる。透明電極又は非透明電極を陽極として用いる場合には、効率良く正孔を注入できること、一方、陰極として用いる場合には、効率良く電子を注入できることなどの複合的な特性が求められる。

　ボトムエミッション型の構成の表示装置は、第１電極に透明電極を、第２電極に非透明電極を有する。一方、トップエミッション型の構成の表示装置は、第１電極に非透明電極を、第２電極に透明電極を有する。ボトムエミッション型の構成の表示装置は、ボトムエミッション型の構成の有機ＥＬディスプレイが好ましい。トップエミッション型の構成の表示装置は、トップエミッション型の構成の有機ＥＬディスプレイが好ましい。透明電極とは、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上である電極をいう。非透明電極とは、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％未満である電極をいう。電極が多層構造の場合、多層構造とした場合の波長５５０ｎｍにおける透過率にて透明電極又は非透明電極に分類する。複合的な特性を両立するため、非透明電極の第１電極を多層構造とすることも好ましい。例えば、非透明電極の第１電極を多層構造とし、第１電極の基板側に、密着性や耐腐食性を向上させる下地層や、反射率を調整する反射調整層を有することもできる。なお電極が単層構造の場合、後述する透明導電性酸化膜層、非透明導電性層、非透明導電性金属層、透明導電性層、及び透明導電性金属層における透明又は非透明とは、上記と同様に、波長５５０ｎｍにおける透過率が３０％以上又は３０％未満であることをいう。一方、電極が多層構造の場合、波長５５０ｎｍにおける透過率が全体として３０％以上であることを透明といい、多層構造を構成する各層のうち１層でも３０％未満であることを非透明という。すなわち、多層構造が少なくとも１つの非透明導電性層又は非透明導電性金属層を有する場合、当該多層構造を具備する電極は非透明電極となる。

　本発明の表示装置は、平面視において、複数の第１電極部を有することが好ましい。上述した第１電極を平面視したものが、第１電極部に相当する。本発明の表示装置は、平面視において、第２電極部を有することが好ましい。第１電極部と同様に第２電極を平面視したものが、第２電極部に相当する。本発明の表示装置は、複数の第２電極部を有することがより好ましい。本発明の表示装置が複数の第１電極部を有する場合の第１電極部の形状、及び本発明の表示装置が複数の第２電極部を有する場合の第２電極部の形状は、閉じた多角形、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、又は円弧で形成された閉じた形状が好ましい。閉じた多角形、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、及び円弧で形成された閉じた形状に関する例示及び好ましい記載は、後述の記載の通りである。

　＜透明導電性酸化膜層、非透明導電性層、非透明導電性金属層、透明導電性層及び透明導電性金属層＞
　本発明の表示装置は、第１電極の発光層側の最表層に、透明導電性酸化膜層を有することが好ましく、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ又はＧａを主成分の元素に含む透明導電性酸化膜層を有することがより好ましく、インジウムを主成分の元素に含む透明導電性酸化膜層を有することがさらに好ましい。透明導電性酸化膜層における主成分の元素とは、透明導電性酸化膜層の構成元素において最も多く含まれる酸素以外の元素をいう。Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ又はＧａを主成分の元素に含む透明導電性酸化膜層は、発光輝度向上の観点から、ＩＴＯ又はＩＺＯが好ましく、ＩＴＯがより好ましい。透明導電性酸化膜層は発光素子の信頼性向上の観点から、アモルファス性の透明導電性酸化膜層が好ましく、インジウムを主成分の元素に含むアモルファス性の透明導電性酸化膜層がより好ましい。一方、透明導電性酸化膜層は発光輝度向上の観点から、多結晶性の透明導電性酸化膜層が好ましく、インジウムを主成分の元素に含む多結晶性の透明導電性酸化膜層がより好ましい。なお本発明の表示装置は、第１電極が多層構造、かつ透明電極又は非透明電極のいずれの場合おいても、第１電極の発光層側の最表層に、これらの透明導電性酸化膜層を有することが好ましい。第１電極は単層構造又は多層構造である。第１電極が単層構造の場合、第１電極は透明電極が好ましい。第１電極が多層構造の場合、第１電極は透明電極又は非透明電極である。

　第１電極を陽極として用いる場合、第１電極は発光輝度向上の観点から、ＩＴＯ又はＩＺＯが好ましく、ＩＴＯがより好ましい。

　第１電極が透明電極の場合、第１電極の膜厚を調整して波長５５０ｎｍにおける透過率を調整することが好ましい。

　第１電極が単層構造の非透明電極の場合、第１電極は非透明導電性層である。第１電極が多層構造の非透明電極の場合、第１電極は非透明導電性層を有する。第１電極の発光層側の最表層以外の層のうち少なくとも一層が、非透明導電性層であることが好ましい。第１電極が非透明電極、かつ単層構造又は多層構造のいずれの場合おいても、非透明導電性層は金属元素を含む非透明導電性金属層が好ましい。また第１電極を陽極として用いる場合、非透明導電性金属層は発光輝度向上、発光素子の信頼性向上、及び耐腐食性向上の観点から、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｍｏ又はＣｒを主成分の元素に含むことが好ましく、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ又はＡｌを主成分の元素に含むことがより好ましく、銀又は銅を主成分の元素に含むことがさらに好ましい。非透明導電性金属層は主成分の元素と異なる元素として、さらに、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃ及びＳｉからなる群より選ばれる一種類以上を含むことが好ましく、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ及びＳｉからなる群より選ばれる一種類以上を含むことがより好ましい。非透明導電性金属層における主成分の元素とは、非透明導電性金属層の構成元素において最も多く含まれる元素をいう。第１電極が非透明電極の場合、第１電極の膜厚を調整して波長５５０ｎｍにおける透過率を調整することが好ましい。

　本発明の表示装置は、第２電極の発光層側の最表層に、透明導電性金属層を有することが好ましく、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ又はＡｌを主成分の元素に含む透明導電性金属層を有することがより好ましく、マグネシウム又は銀を主成分の元素に含む透明導電性金属層を有することがさらに好ましい。透明導電性金属層における主成分の元素とは、透明導電性金属層の構成元素において最も多く含まれる元素をいう。Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ又はＡｌを主成分の元素に含む透明導電性金属層は、発光輝度向上の観点から、ＬｉＡｇ又はＭｇＡｇが好ましく、ＭｇＡｇがより好ましい。なお本発明の表示装置は、第２電極が多層構造、かつ透明電極又は非透明電極のいずれの場合おいても、第２電極の発光層側の最表層に、これらの透明導電性金属層を有することが好ましい。

　第２電極を陰極として用いる場合、透明導電性金属層又は非透明導電性金属層は発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ又はＡｌを主成分の元素に含む透明導電性金属層を有することがより好ましい。透明導電性金属層は、発光輝度向上の観点から、ＬｉＡｇ又はＭｇＡｇが好ましく、ＭｇＡｇがより好ましい。第２電極が透明電極又は非透明電極の場合、第２電極の膜厚を調整して波長５５０ｎｍにおける透過率を調整することが好ましい。

　＜アモルファス性の透明導電性酸化膜層；特定金属を含む非透明導電性金属層＞
　本発明の表示装置は、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、第１電極が多層構造の非透明電極であって、
第１電極が透明導電性酸化膜層及び非透明導電性金属層を有し、
第１電極の発光層側の最表層に、インジウムを主成分の元素に含むアモルファス性の透明導電性酸化膜層を有し、
第１電極の発光層側の最表層以外の層のうち少なくとも一層が、銀又は銅を主成分の元素に含む非透明導電性金属層を有し、
トップエミッション型の構成であることが好ましい。

　第１電極の最表層にアモルファス性の透明導電性酸化膜層を有することで、第１電極の表面における欠陥発生や突起物発生が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著になると推定される。また、銀又は銅を主成分の元素に含む非透明導電性金属層を有することで、これらの金属が有する高反射率の特性により光取り出し効率が向上するため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。同様に、これらの金属が有する低抵抗率の特性により導電性が向上するため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。アモルファス性の透明導電性酸化膜層及び銀又は銅を主成分の元素に含む非透明導電性金属層により、発光素子の信頼性向上、発光輝度向上、及び光取り出し効率向上の効果が顕著となるため、トップエミッション型の構成の表示装置において、特に好適である。

　＜画素分割層；平面視における画素分割層部＞
　本発明の表示装置は、画素分割層を有する。画素分割層とは、隣接する画素部同士を分割し、各画素部の領域を定義する層である。画素分割層は、第１電極上の領域を分割する層であることが好ましい。なお本発明の表示装置が後述する画素寸法制御層を有する場合、画素寸法制御層も隣接する画素部同士を分割しており、画素寸法制御層が各画素部の領域と寸法を定義する層となる。画素分割層は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましく、黒色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がさらに好ましい。画素分割層は、上述した第１電極上の一部と重なるように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、任意の画素における第１電極と第２電極とを絶縁でき、第１電極と第２電極との短絡に起因する画素非点灯を抑制できる。また任意の画素における第１電極と、隣接する画素における第１電極とを絶縁でき、第１電極同士の短絡に起因する画素非点灯を抑制できる。

　画素分割層は、感光性組成物中の樹脂等の成分の着色によって可視光線の波長において黒色であることが好ましく、樹脂等の成分の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることがより好ましい。画素分割層は、複数の着色剤の着色によって黒色であることがさらに好ましく、複数の着色剤の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることが特に好ましい。画素分割層は、黒色剤によって黒色であることが最も好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は紫色であることをいう。

　本発明の表示装置は、平面視において、複数の開口部を有する画素分割層部を有することが好ましい。上述した画素分割層を平面視したものが、画素分割層部に相当する。本発明の表示装置は、後述する画素部の形状が、画素分割層部の開口部の形状と類似の形状又は相似の形状が好ましく、画素分割層部の開口部の形状と同一であることがより好ましい。本発明の表示装置が、平面視において、後述する画素寸法制御層部を有する場合、後述する画素部の形状が、画素寸法制御層部の開口部の形状と類似の形状又は相似の形状が好ましく、画素寸法制御層部の開口部の形状と同一であることがより好ましい。

　画素部の形状は、閉じた多角形、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、又は、円弧で形成された閉じた形状が好ましい。閉じた多角形としては、例えば、三角形、正三角形、二等辺三角形、直角三角形、四角形、正方形、菱形、長方形、台形、直角台形又は平行四辺形が挙げられる。閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状としては、例えば、三角形、正三角形、二等辺三角形、直角三角形、四角形、正方形、菱形、長方形、台形、直角台形又は平行四辺形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状が挙げられる。円弧で形成された閉じた形状としては、例えば、円形、真円形又は楕円形が挙げられる。画素部の形状は、四角形、正方形、菱形若しくは長方形；四角形、正方形、菱形若しくは長方形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、又は、円形若しくは真円形が好ましい。画素部の形状は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、閉じた多角形又は閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状が好ましい。画素部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、発光素子からの発光が面発光として非対称となり、第１電極と第２電極との間における反射・干渉によって強められるため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また、画素部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、入射した外光の画素分割層部の表面における散乱が非対称となり、第１電極と第２電極との間における反射・干渉によって弱められるため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。

　画素部と重畳する後述するカラーフィルタ層部の形状、画素部と重畳する後述するブラックマトリックス層部の開口部の形状、後述するスペーサ層部の形状、後述するオーバーコート層部の形状、及び後述するオーバーコート層部の開口部の形状は、閉じた多角形、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、又は円弧で形成された閉じた形状が好ましい。閉じた多角形、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、及び円弧で形成された閉じた形状に関する例示及び好ましい記載は、上記の通りである。

　画素部と重畳する後述するカラーフィルタ層部の形状は、画素部の形状と類似の形状又は相似の形状が好ましい。画素部と重畳する後述するブラックマトリックス層部の開口部の形状は、画素部の形状と類似の形状又は相似の形状が好ましい。カラーフィルタ層部の形状は、ブラックマトリックス層部の開口部の形状と類似の形状又は相似の形状が好ましい。画素部の形状、カラーフィルタ層部の形状及びブラックマトリックス層部の開口部の形状は、いずれも類似の形状又は相似の形状であることがより好ましい。画素部の形状、カラーフィルタ層部の形状及びブラックマトリックス層部の開口部の形状のうちいずれかが、類似の形状でなく、かつ相似の形状でなくでも構わない。画素部の形状、カラーフィルタ層部の形状及びブラックマトリックス層部の開口部の形状は、それぞれ互いに類似の形状でなく、かつ相似の形状でなくても構わない。画素部の形状、カラーフィルタ層部の形状及びブラックマトリックス層部の開口部の形状の一例を示す平面図を図１８及び図１９に示す。

　画素部の形状、画素分割層部の開口部の形状、後述する画素寸法制御層部の開口部の形状、後述するスペーサ層部の形状、後述するカラーフィルタ層部の形状、後述するブラックマトリックス層部の開口部の形状、後述するオーバーコート層部の形状及び後述するオーバーコート層部の開口部の形状における、長軸方向のパターン寸法及び短軸方向のパターン寸法について、以下に記載する。

　形状が閉じた多角形の場合、長軸方向のパターン寸法とは、閉じた多角形を線対称に二分割する直線のうち、最長の直線の長さをいう。一方、短軸方向のパターン寸法とは、長軸方向と直交する方向の直線のうち、最長の直線の長さをいう。形状が、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状の場合、長軸方向のパターン寸法とは、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状を線対称に二分割する直線のうち、最長の直線の長さをいう。一方、短軸方向のパターン寸法とは、長軸方向と直交する方向の直線のうち、最長の直線の長さをいう。形状が円弧で形成された閉じた形状の場合、長軸方向のパターン寸法とは、円弧で形成された閉じた形状を線対称に二分割する直線のうち、最長の直線の長さをいう。一方、短軸方向のパターン寸法とは、長軸方向と直交する方向の直線のうち、最長の直線の長さをいう。形状が円形、真円形又は楕円形の場合、長軸方向のパターン寸法とは、最長の円の直径をいう。一方、短軸方向のパターン寸法とは、長軸方向と直交する方向の円の直径をいう。

　画素分割層部の開口部のパターン寸法は、開口部における底部から底部までの長さをいう。画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。また画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２０．０μｍ以下がさらに好ましく、１７．０μｍ以下が特に好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　画素部の長軸方向のパターン寸法は、画素部における底部から底部までの長さをいう。画素部の長軸方向のパターン寸法を（ＣＤ）μｍとし、かつ、画素部に対応する画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法を（ＤＬ）μｍとするとき、（ＣＤ）μｍと（ＤＬ）μｍとの寸法差（ΔＣＤ－ＤＬ）μｍは、－２．０μｍ以上が好ましく、－１．５μｍ以上がより好ましく、－１．０μｍ以上がさらに好ましく、－０．５μｍ以上が特に好ましく、－０．２μｍ以上が最も好ましい。一方、（ＣＤ）μｍと（ＤＬ）μｍとの寸法差（ΔＣＤ－ＤＬ）μｍは、２．０μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましく、０．５μｍ以下が特に好ましく、０．２μｍ以下が最も好ましい。画素部の長軸方向のパターン寸法は、画素部に対応する画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法と同一であることが最も好ましい。

　＜画素寸法制御層；平面視における画素寸法制御層部＞
　本発明の第一の態様である表示装置は、画素寸法制御層を有する。本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、さらに、画素寸法制御層を有することが好ましい。画素寸法制御層とは、画素分割層と画素部との両方に接し、各画素部の領域の寸法を調整する層である。画素寸法制御層は、画素分割層によって分割された第１電極上の領域の寸法を調整する層であることが好ましい。画素寸法制御層は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましく、黒色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がさらに好ましい。画素寸法制御層は、上述した第１電極上の一部と重なるように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、パターン寸法均一性向上の効果が顕著となる。その結果、画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を高精度に制御でき、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　画素寸法制御層は、感光性組成物中の樹脂等の成分の着色によって可視光線の波長において黒色であることが好ましく、樹脂等の成分の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることがより好ましい。画素寸法制御層は、複数の着色剤の着色によって黒色であることがさらに好ましく、複数の着色剤の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることが特に好ましい。画素寸法制御層は、黒色剤によって黒色であることが最も好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は紫色であることをいう。

　本発明の第一の態様である表示装置は、平面視において、複数の開口部を有する画素寸法制御層部を有する。本発明の第一の態様である表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び上述した第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されている。本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、さらに、平面視において、複数の開口部を有する画素寸法制御層部を有することが好ましい。本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び上述した第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されていることが好ましい。本発明の表示装置において、覆うとは、ｚ軸方向に対して少なくとも一部が直接的に重なることをいう。上述した画素寸法制御層を平面視したものが、画素寸法制御層部に相当する。

　画素寸法制御層部の開口部のパターン寸法は、開口部における底部から底部までの長さをいう。画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。また画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２０．０μｍ以下がさらに好ましく、１７．０μｍ以下が特に好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　＜スペーサ層；平面視におけるスペーサ層部＞
　本発明の表示装置は、さらに、スペーサ層を有することが好ましい。スペーサ層とは、画素分割層の上層及び／又は下層に位置する層である。スペーサ層を有することで、画素分割層が段差形状を有しない場合においても、画素分割層が段差形状を有する場合における厚膜部に対応する機能を付与することができる。スペーサ層は、画素分割層上のスペーサ層及び／又は画素分割層の下層に位置する下層スペーサ層を含むことが好ましい。スペーサ層は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましく、黒色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がさらに好ましい。スペーサ層は、画素分割層上の一部に形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、発光層を含む有機層を形成する際の画素分割層と蒸着マスクとの接触面積を小さくできる。従って、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　スペーサ層は、感光性組成物中の樹脂等の成分の着色によって可視光線の波長において黒色であることが好ましく、樹脂等の成分の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることがより好ましい。スペーサ層は、複数の着色剤の着色によって黒色であることがさらに好ましく、複数の着色剤の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることが特に好ましい。スペーサ層は、黒色剤によって黒色であることが最も好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は紫色であることをいう。

　本発明の表示装置は、さらに、平面視において、スペーサ層部を有することが好ましい。ここで、上述したスペーサ層を平面視したものが、スペーサ層部に相当する。スペーサ層部の形状は、外光反射抑制の観点から、閉じた多角形又は閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状が好ましい。スペーサ層部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、入射した外光のスペーサ層部の表面における散乱が非対称となり、第１電極と第２電極との間における反射・干渉によって弱められるため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。

　スペーサ層部のパターン寸法は、パターンにおける頂上部から頂上部までの長さをいう。スペーサ層部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、スペーサ層部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。またスペーサ層部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２２．０μｍ以下がさらに好ましく、２０．０μｍ以下が特に好ましく、１７．０μｍ以下がとりわけ好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　＜画素分割層中、画素寸法制御層中及びスペーサ層中の着色剤＞
　本発明の表示装置は、画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含む。このような構成とすることで、入射した外光を画素分割層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。また画素分割層の可視光線の波長及び紫外領域の波長における遮光性向上により、画素分割層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、黒色剤及び／又は二色以上の着色剤混合物が好ましい。画素分割層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、顔料及び／又は染料を含有することが好ましく、顔料及び染料を含有することがより好ましい。

　本発明の第一の態様である表示装置は、画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、画素寸法制御層が、下記（１）～（３）の条件のうち少なくとも１つを満たす。本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、画素寸法制御層が、下記（１）～（３）の条件のうち少なくとも１つを満たすことが好ましい。本発明の表示装置は、画素寸法制御層が、下記（１）及び（３）の条件のいずれかまたは両方を満たすことが好ましく、少なくとも下記（１）の条件を満たすことがより好ましい。
（１）画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（２）画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、画素寸法制御層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（３）画素寸法制御層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　このような構成とすることで、画素分割層と画素寸法制御層とが、異なる組成の組成物を用いて二層成膜する方法で形成されている、又は、画素寸法制御層がポジ型の感光性組成物で形成されていることとなる。二層成膜する方法の場合、一層目の開口部は再度アルカリ現像液と接触することとなるため、画素寸法制御層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また、画素寸法制御層の光学濃度が特定範囲である、又は、画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まないため、画素寸法制御層の形成において、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できる。また画素寸法制御層の表面をラフネスの少ない平滑な膜面にできるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。一方、画素寸法制御層がポジ型の感光性組成物で形成されている場合、開口部は露光によってアルカリ溶解促進され、現像残渣発生が抑制されるため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また、画素寸法制御層となる箇所はポジ型の場合は未露光部であり、アルカリ現像液に対する溶解性が顕著に低下しているため、画素寸法制御層の形成において、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できる。また画素分割層となる箇所は、一層目の画素分割層とポジ型の感光性組成物との相互作用により、アルカリ現像液に対する溶解性が顕著に低下している。従って、一層目の画素分割層の表面はラフネスの少ない平滑な膜面となっているため、入射した外光の散乱が抑制されることで、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。画素寸法制御層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、黒色剤又は二色以上の着色剤混合物が好ましい。画素寸法制御層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、顔料及び／又は染料を含有することが好ましく、顔料及び染料を含有することがより好ましい。

　本発明の表示装置は、画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、スペーサ層が、下記（１’）～（３’）の条件のうち少なくとも１つを満たすことが好ましい。本発明の表示装置は、スペーサ層が、下記（１’）及び（３’）の条件のいずれかまたは両方を満たすことがより好ましく、少なくとも下記（１’）の条件を満たすことがさらに好ましい。
（１’）スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（２’）スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、スペーサ層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（３’）スペーサ層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　このような構成とすることで、画素分割層とスペーサ層とが、異なる組成の組成物を用いて二層成膜する方法で形成されている、又は、スペーサ層がポジ型の感光性組成物で形成されていることとなる。二層成膜する方法の場合、一層目の開口部は再度アルカリ現像液と接触することとなるため、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また、一層目の画素分割層はハーフトーンフォトマスクを用いたハーフトーン露光ではなく、ネガ型の場合はフルトーン露光によって光硬化が十分に進行しており、アルカリ現像液に対する溶解性が顕著に低下している。そのため、一層目の画素分割層の表面はラフネスの少ない平滑な膜面となっており、入射した外光の散乱が抑制されることで、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。一方、スペーサ層がポジ型の感光性組成物で形成されている場合、開口部は露光によってアルカリ溶解促進され、現像残渣発生が抑制されるため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また画素分割層となる箇所は、一層目の画素分割層とポジ型の感光性組成物との相互作用により、アルカリ現像液に対する溶解性が顕著に低下している。従って、一層目の画素分割層の表面はラフネスの少ない平滑な膜面となっているため、入射した外光の散乱が抑制されることで、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。またスペーサ層を有するため、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。スペーサ層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、黒色剤及び／又は二色以上の着色剤混合物が好ましい。スペーサ層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、顔料及び／又は染料を含有することが好ましく、顔料及び染料を含有することがより好ましい。

　以下、画素分割層、画素寸法制御層、及びスペーサ層（以下、「画素分割層等」）からなる群より選ばれる一種類以上中の着色剤について、まとめて記載する。画素分割層等中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、黒色顔料及び／又は二色以上の着色顔料混合物を含有することが好ましい。画素分割層等中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、黒色染料及び／又は二色以上の着色染料混合物を含有することも好ましい。

　画素分割層等は、有機黒色顔料及び／又は二色以上の着色顔料混合物を含有し、
有機黒色顔料が、ベンゾフラノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料、及びアゾ系黒色顔料からなる群より選ばれる一種類以上を含み、
二色以上の着色顔料混合物が、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、及び紫色からなる群より選ばれる二色以上の顔料を含むことが好ましい。

　有機黒色顔料は、ベンゾフラノン系黒色顔料及び／又はペリレン系黒色顔料を含むことがより好ましく、ベンゾフラノン系黒色顔料を含むことがさらに好ましい。

　二色以上の着色顔料混合物は、アントラキノン系顔料、ジケトピロロピロール系顔料、ペリレン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料、イミダゾロン系顔料、キナクリドン系顔料、ピランスロン系顔料、フタロシアニン系顔料、インダントロン系顔料、及びジオキサジン系顔料からなる群より選ばれる一種類以上の顔料を含むことが好ましく、ペリレン系顔料、イミダゾロン系顔料、及びインダントロン系顔料からなる群より選ばれる一種類以上の顔料を含むことがより好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層等中のこれらの顔料は、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部に相当する、第１電極の発光層側の表面における導電性向上を促進すると推定される。そのため、発光特性の低電圧駆動化を促進すると考えられる。その結果、同一電圧駆動時における発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。

　ベンゾフラノン系黒色顔料は、ベンゼン環を共有してもよい少なくとも２つのベンゾフラン－２（３Ｈ）－オン構造又はベンゼン環を共有してもよい少なくとも２つのベンゾフラン－３（２Ｈ）－オン構造を有することが好ましく、一般式（１６１）及び一般式（１６２）のいずれかで表される構造を有する化合物、それらの幾何異性体、それらの塩、又はそれらの幾何異性体の塩を含むことがより好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層等中のベンゾフラノン系黒色顔料は、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部に相当する第１電極の発光層側の表面における表面改質作用を促進すると推定される。そのため、仕事関数差の調整により発光特性の低電圧駆動化を促進すると考えられる。その結果、同一電圧駆動時における発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。またベンゾフラノン系黒色顔料は、一般的な有機顔料と比較して顔料の単位質量当たりの遮光性に優れるため、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。またベンゾフラノン系黒色顔料は、一般的な有機顔料や無機顔料と比較して絶縁性及び低誘電性に優れるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　一般式（１６１）及び一般式（１６２）において、Ｒ^３４１～Ｒ^３４４は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、又は炭素数１～１０のアルキル基を表す。Ｒ^３４５～Ｒ^３４８は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ^３５３、ＣＯＯＨ、ＣＯＯＲ^３５３、ＣＯＯ－、ＣＯＮＨ_２、ＣＯＮＨＲ^３５３、ＣＯＮＲ^３５３Ｒ^３５４、ＣＮ、ＯＨ、ＯＲ^３５３、ＯＣＯＲ^３５３、ＯＣＯＮＨ_２、ＯＣＯＮＨＲ^３５３、ＯＣＯＮＲ^３５３Ｒ^３５４、ＮＯ_２、ＮＨ_２、ＮＨＲ^３５３、ＮＲ^３５３Ｒ^３５４、ＮＨＣＯＲ^３５３、ＮＲ^３５３ＣＯＲ^３５４、Ｎ＝ＣＨ_２、Ｎ＝ＣＨＲ^３５３、Ｎ＝ＣＲ^３５３Ｒ^３５４、ＳＨ、ＳＲ^３５３、ＳＯＲ^３５３、ＳＯ_２Ｒ^３５３、ＳＯ_３Ｒ^３５３、ＳＯ_３Ｈ、ＳＯ_３－、ＳＯ_２ＮＨ_２、ＳＯ_２ＮＨＲ^３５３、又はＳＯ_２ＮＲ^３５３Ｒ^３５４を表す。Ｒ^３５３及びＲ^３５４は、それぞれ独立して、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数４～１０のシクロアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基、炭素数４～１０のシクロアルケニル基、又は炭素数２～１０のアルキニル基を表す。複数のＲ^３４５～Ｒ^３４８は、互いに直接結合、又は、酸素原子ブリッジ、硫黄原子ブリッジ、ＮＨブリッジ、若しくはＮＲ^３５３ブリッジにより環を形成しても構わない。Ｒ^３４９～Ｒ^３５２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１～１０のアルキル基、又は炭素数６～１５のアリール基を表す。ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。上述したアルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、及びアリール基は、ヘテロ原子を有してもよく、無置換体又は置換体のいずれであっても構わない。

　ペリレン系黒色顔料は、ペリレン構造を有することが好ましく、一般式（１６４）～（１６６）のいずれかで表される構造を有する化合物又はそれらの塩を含むことがより好ましく、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸ビスベンゾイミダゾール構造を有する化合物、それらの幾何異性体、それらの塩、又はそれらの幾何異性体の塩を含むことがさらに好ましい。

　一般式（１６４）～（１６６）において、Ｘ^２４１及びＸ^２４２は、それぞれ独立して、直接結合又は炭素数１～１０のアルキレン基を表す。Ｙ^２４１及びＹ^２４２は、それぞれ独立して、直接結合又は炭素数６～１５のアリーレン基を表す。Ｒ^３６１及びＲ^３６２は、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、又は炭素数２～６のアシル基を表す。Ｒ^３６３～Ｒ^３６９は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～６のアシル基、ハロゲン原子、Ｒ^３７０、ＣＯＯＨ、ＣＯＯＲ^３７０、ＣＯＯ－、ＣＯＮＨ_２、ＣＯＮＨＲ^３７０、ＣＯＮＲ^３７０Ｒ^３７１、ＣＮ、ＯＨ、ＯＲ^３７０、ＯＣＯＲ^３７０、ＯＣＯＮＨ_２、ＯＣＯＮＨＲ^３７０、ＯＣＯＮＲ^３７０Ｒ^３７１、ＮＯ_２、ＮＨ_２、ＮＨＲ^３７０、ＮＲ^３７０Ｒ^３７１、ＮＨＣＯＲ^３７０、ＮＲ^３７０ＣＯＲ^３７１、Ｎ＝ＣＨ_２、Ｎ＝ＣＨＲ^３７０、Ｎ＝ＣＲ^３７０Ｒ^３７１、ＳＨ、ＳＲ^３７０、ＳＯＲ^３７０、ＳＯ_２Ｒ^３７０、ＳＯ_３Ｒ^３７０、ＳＯ_３Ｈ、ＳＯ_３－、ＳＯ_２ＮＨ_２、ＳＯ_２ＮＨＲ^３７０、又はＳＯ_２ＮＲ^３７０Ｒ^３７１を表す。Ｒ^３７０及びＲ^３７１は、それぞれ独立して、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数４～１０のシクロアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基、炭素数４～１０のシクロアルケニル基、又は炭素数２～１０のアルキニル基を表す。複数のＲ^３６７～Ｒ^３６９は、互いに直接結合、又は、酸素原子ブリッジ、硫黄原子ブリッジ、ＮＨブリッジ、若しくはＮＲ^３７０ブリッジにより環を形成しても構わない。ａ及びｂは、それぞれ独立して、０～５の整数を表す。ｃ、ｄ、ｅ、及びｆは、それぞれ独立して、０～４の整数を表す。ｇ、ｈ、及びｉは、それぞれ独立して、０～８の整数を表す。Ｘ^２４１及びＸ^２４２が直接結合であって、Ｙ^２４１及びＹ^２４２が直接結合の場合、Ｒ^３６１及びＲ^３６２は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、ａ及びｂは１である。Ｘ^２４１及びＸ^２４２が炭素数１～１０のアルキレン基であって、Ｙ^２４１及びＹ^２４２が直接結合の場合、Ｒ^３６１及びＲ^３６２はヒドロキシ基が好ましく、ａ及びｂは１である。Ｘ^２４１及びＸ^２４２が炭素数１～１０のアルキレン基であって、Ｙ^２４１及びＹ^２４２が炭素数６～１５のアリーレン基の場合、Ｒ^３６１及びＲ^３６２は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、炭素数１～６のアルコキシ基、又は炭素数２～６のアシル基が好ましく、ａ及びｂは、それぞれ独立して、０～５の整数を表す。上述したアルキレン基、アリーレン基、アルキル基、アルコキシ基、及びアシル基は、ヘテロ原子を有してもよく、無置換体又は置換体のいずれであっても構わない。

　アゾ系黒色顔料は、アゾ基を有することが好ましく、アゾメチン構造及びカルバゾール構造を有する化合物又はその塩を含むことがより好ましく、一般式（１６８）で表される構造を有する化合物又はその塩を含むことがさらに好ましい。

　一般式（１６８）において、Ｘ^２５１は、炭素数６～１５のアリーレン基を表す。Ｙ^２５１は、炭素数６～１５のアリーレン基を表す。Ｒ^３８１～Ｒ^３８３は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、Ｒ^３９０、ＣＯＯＨ、ＣＯＯＲ^３９０、ＣＯＯ－、ＣＯＮＨ_２、ＣＯＮＨＲ^３９０、ＣＯＮＲ^３９０Ｒ^３９１、ＣＮ、ＯＨ、ＯＲ^３９０、ＯＣＯＲ^３９０、ＯＣＯＮＨ_２、ＯＣＯＮＨＲ^３９０、ＯＣＯＮＲ^３９０Ｒ^３９１、ＮＯ_２、ＮＨ_２、ＮＨＲ^３９０、ＮＲ^３９０Ｒ^３９１、ＮＨＣＯＲ^３９０、ＮＲ^３９０ＣＯＲ^３９１、Ｎ＝ＣＨ_２、Ｎ＝ＣＨＲ^３９０、Ｎ＝ＣＲ^３９０Ｒ^３９１、ＳＨ、ＳＲ^３９０、ＳＯＲ^３９０、ＳＯ_２Ｒ^３９０、ＳＯ_３Ｒ^３９０、ＳＯ_３Ｈ、ＳＯ_３－、ＳＯ_２ＮＨ_２、ＳＯ_２ＮＨＲ^３９０、又はＳＯ_２ＮＲ^３９０Ｒ^３９１を表す。Ｒ^３９０及びＲ^３９１は、それぞれ独立して、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数４～１０のシクロアルキル基、炭素数２～１０のアルケニル基、炭素数４～１０のシクロアルケニル基、又は炭素数２～１０のアルキニル基を表す。複数のＲ^３８１～Ｒ^３８３は、互いに直接結合、又は、酸素原子ブリッジ、硫黄原子ブリッジ、ＮＨブリッジ、若しくはＮＲ^３９０ブリッジにより環を形成しても構わない。Ｒ^３８４は、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、又はニトロ基を表す。Ｒ^３８５は、ハロゲン原子、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数１～６のアルコキシ基、炭素数２～１０のアシルアミノ基、又はニトロ基を表す。Ｒ^３８６～Ｒ^３８９は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～１０のアルキル基を表す。ａは０～４の整数を表す。ｂは０～２の整数を表す。ｃは０～４の整数を表す。ｄ及びｅは、それぞれ独立して、０～８の整数を表す。ｎは１～４の整数を表す。上述したアリーレン基、アルキル基、アルコキシ基、及びアシルアミノ基は、ヘテロ原子を有してもよく、無置換体又は置換体のいずれであっても構わない。

　画素分割層等中の顔料の一次粒子径及び平均一次粒子径は２０～１５０ｎｍであることが好ましい。画素分割層等中の顔料の一次粒子径及び平均一次粒子径は、発光素子の信頼性向上の観点から、２０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、４０ｎｍ以上がさらに好ましく、５０ｎｍ以上が特に好ましく、６０ｎｍ以上が最も好ましい。一方、画素分割層等中の顔料の一次粒子径及び平均一次粒子径は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、１５０ｎｍ以下が好ましく、１２０ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましく、９０ｎｍ以下が特に好ましく、８０ｎｍ以下が最も好ましい。顔料の一次粒子径とは、顔料の一次粒子における長軸径をいう。

　画素分割層等中の顔料の一次粒子径は、画素分割層等を薄く割断したものを測定試料として、イオンミリング処理により研磨して平滑性を高めた断面について、透過型電子顕微鏡（以下、「ＴＥＭ」）を用いて画素分割層等の表面から深さ方向に０．２～０．８μｍの範囲に位置する箇所を倍率５０，０００倍の条件で観測した撮像を、画像解析式粒度分布測定ソフトウェア（Ｍａｃ－Ｖｉｅｗ；（株）マウンテック製）を用いて測定できる。また画素分割層等中の顔料の平均一次粒子径は、測定試料の断面を撮像及び解析し、画素分割層等中の顔料の一次粒子３０個を測定した平均値として算出できる。さらに、透過型電子顕微鏡－エネルギー分散型Ｘ線分光法（以下、「ＴＥＭ－ＥＤＸ」）で観測することで粒子を構成する元素を判別できる。

　画素分割層等は、黒色染料及び／又は二色以上の着色染料混合物を含有し、
黒色染料がアゾ系黒色染料を含み、二色以上の着色染料混合物が、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、及び紫色からなる群より選ばれる二色以上の染料を含むことが好ましい。

　黒色染料は、アゾ系黒色染料が好ましい。黒色染料は、ソルベントブラック２７～４７が好ましく、ソルベントブラック２７、２９、又は３４がより好ましい（数値はいずれもＣ．Ｉ．ナンバー）。黒色染料としては、例えば、“ＶＡＬＩＦＡＳＴ”（登録商標）　Ｂｌａｃｋ　３８０４（ソルベントブラック３４）、同　３８１０（ソルベントブラック２９）、同　３８２０（ソルベントブラック２７）、同　３８３０（ソルベントブラック２７）、“ＮＵＢＩＡＮ”（登録商標）　Ｂｌａｃｋ　ＴＮ－８７０（ソルベントブラック７）（以上、いずれもオリエント化学工業（株）製）が挙げられる。

　二色以上の着色染料混合物は、スクアリリウム系染料、キサンテン系染料、トリアリールメタン系染料、及びフタロシアニン系染料からなる群より選ばれる一種類以上の染料を含むことが好ましく、キサンテン系染料及び／又はトリアリールメタン系染料を含むことがより好ましく、キサンテン系染料を含むことがさらに好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制、発光特性の低電圧駆動化、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層等中のこれらの染料は、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部に相当する、第１電極の発光層側の表面における導電性向上を促進すると推定される。そのため、発光特性の低電圧駆動化を促進すると考えられる。その結果、同一電圧駆動時における発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。

　本発明の表示装置は、画素分割層等が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、さらに、熱発色剤に由来する構造を有する化合物及び／又は酸化発色剤に由来する構造を有する化合物を含むことが好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　熱発色剤に由来する構造を有する化合物は、熱発色剤が、不活性雰囲気下、加熱によって構造変化又は分解した後の構造を有する化合物が好ましく、キノン構造及び／又はキノイド構造を有する化合物がより好ましい。キノン構造及び／又はキノイド構造を有する化合物は、以下の（Ｑ１）化合物及び／又は（Ｑ２）化合物を含むことがさらに好ましい。不活性雰囲気は、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、若しくはキセノン雰囲気、酸素を１～１０，０００ｐｐｍ（０．０００１～１質量％）未満含有するガス雰囲気、又は、真空が好ましい。
（Ｑ１）キノン構造及び／又はキノイド構造を有し、かつ、芳香族構造を有する化合物
（Ｑ２）２つ以上のキノン構造及び／又は２つ以上のキノイド構造を有する化合物。

　酸化発色剤に由来する構造を有する化合物は、酸化発色剤が、酸素を含むガス雰囲気下、加熱によって構造変化又は分解した後の構造を有する化合物が好ましく、キノン構造及び／又はキノイド構造を有する化合物がより好ましい。キノン構造及び／又はキノイド構造を有する化合物は、上記の（Ｑ１）化合物及び／又は（Ｑ２）化合物を含むことがさらに好ましい。酸素を含むガス雰囲気は、空気若しくは酸素雰囲気、又は、酸素を１０，０００ｐｐｍ（１質量％）以上含有するガス雰囲気が好ましい。

　＜画素分割層中、画素寸法制御層中、及びスペーサ層中の無機粒子；シリカ粒子＞
　以下、画素分割層等中の無機粒子及びシリカ粒子について、まとめて記載する。画素分割層等は無機粒子を含むことが好ましい。このような構成とすることで、画素分割層等中の無機粒子の堅牢な構造により画素分割層等の耐熱性が顕著に向上し、画素分割層等からのアウトガスが抑制される。その結果、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　画素分割層等中の無機粒子は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｌｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ａｇ、Ｂａ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｗ又はＲｅを主成分の元素に含むことが好ましく、ケイ素、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、鉄、コバルト、銅、亜鉛、ジルコニウム、ニオブ、スズ又はセリウムを主成分の元素に含むことがより好ましく、ケイ素を主成分の元素に含むことがさらに好ましい。無機粒子における主成分の元素とは、無機粒子の構成元素において最も多く含まれる元素をいう。なお上記の元素のうち、いずれか単独での質量を基準に判断するものとする。これらの元素を主成分の元素に含むことで、画素分割層等からのアウトガスが抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層等中の無機粒子は、シリカ粒子、アルミナ粒子、チタニア粒子、酸化バナジウム粒子、酸化クロム粒子、酸化鉄粒子、酸化コバルト粒子、酸化銅粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化ニオブ粒子、酸化スズ粒子又は酸化セリウム粒子が好ましく、シリカ粒子がより好ましい。

　画素分割層等はシリカ粒子を含むことがより好ましい。このような構成とすることで、画素分割層等中の無機粒子と同様に、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。また画素分割層等中のシリカ粒子により、画素分割層等の表面における入射した外光の反射・散乱が低減されるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。

　画素分割層等中のシリカ粒子の一次粒子径及び平均一次粒子径は５～５０ｎｍであることが好ましい。画素分割層等中のシリカ粒子の一次粒子径及び平均一次粒子径は、発光素子の信頼性向上の観点から、５ｎｍ以上が好ましく、７ｎｍ以上がより好ましく、１０ｎｍ以上がさらに好ましい。一方、画素分割層等中のシリカ粒子の一次粒子径及び平均一次粒子径は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましく、２５ｎｍ以下が特に好ましく、２０ｎｍ以下がとりわけ好ましく、１５ｎｍ以下が最も好ましい。シリカ粒子の一次粒子径とは、シリカ粒子の一次粒子における長軸径をいう。

　ただし、有機顔料及び無機顔料における表面処理剤又は被覆層に含まれる二酸化ケイ素は、その一次粒子径やアスペクト比によらずシリカ粒子には含まれないものとする。

　画素分割層等中のシリカ粒子の一次粒子径及びアスペクト比は、画素分割層等を薄く割断したものを測定試料として、イオンミリング処理により研磨して平滑性を高めた断面について、ＴＥＭを用いて画素分割層等の表面から深さ方向に０．２～０．８μｍの範囲に位置する箇所を倍率５０，０００倍の条件で観測した撮像を、画像解析式粒度分布測定ソフトウェア（Ｍａｃ－Ｖｉｅｗ；（株）マウンテック製）を用いて測定できる。また画素分割層等中のシリカ粒子の平均一次粒子径は、測定試料の断面を撮像及び解析し、画素分割層等中のシリカ粒子の一次粒子３０個を測定した平均値として算出できる。さらに、ＴＥＭ－ＥＤＸで観測することで粒子を構成する元素を判別でき、画素分割層等中のシリカ粒子の特定が可能である。

　画素分割層等は、一次粒子径又は平均一次粒子径が５～５０ｎｍのシリカ粒子を含み、さらに、一次粒子径又は平均一次粒子径が５ｎｍ未満のシリカ粒子、及び／又は、一次粒子径又は平均一次粒子径が５０ｎｍを超えるシリカ粒子を含有しても構わない。

　画素分割層等中のシリカ粒子は、表面に官能基を有することが好ましい。シリカ粒子が表面に有する官能基は、ラジカル重合性基を含む表面修飾基の反応残基、熱反応性基を含む表面修飾基の反応残基、シラノール基、アルコキシシリル基、アルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基、フェニルシリル基、又はジフェニルシリル基が好ましく、外光反射抑制、発光特性の低電圧駆動化、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、ラジカル重合性基を含む表面修飾基の反応残基又は熱反応性基を含む表面修飾基の反応残基がより好ましい。

　ラジカル重合性基は、スチリル基、シンナモイル基、マレイミド基、ナジイミド基、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、又はアリル基が好ましい。熱反応性基は、アルコキシメチル基、メチロール基、エポキシ基、オキセタニル基、又はブロックイソシアネート基が好ましい。

　画素分割層等中のシリカ粒子は、発光素子の信頼性向上の観点から、ナトリウム元素を含むシリカ粒子を含有することが好ましい。ナトリウム元素の存在形態としては、例えば、イオン（Ｎａ^＋）又はシラノール基との塩（Ｓｉ－ＯＮａ）が挙げられる。画素分割層等中の全シリカ粒子に占めるナトリウム元素の含有量は、１ｐｐｍ以上が好ましく、５ｐｐｍ以上がより好ましく、１０ｐｐｍ以上がさらに好ましく、５０ｐｐｍ以上が特に好ましい。さらに、発光素子の信頼性向上の観点から、１００ｐｐｍ以上が好ましく、３００ｐｐｍ以上がより好ましく、５００ｐｐｍ以上がさらに好ましい。一方、画素分割層等中の全シリカ粒子に占めるナトリウム元素の含有量は、１０，０００ｐｐｍ以下が好ましく、７，０００ｐｐｍ以下がより好ましく、５，０００ｐｐｍ以下がさらに好ましく、３，０００ｐｐｍ以下が特に好ましく、１，０００ｐｐｍ以下が最も好ましい。ナトリウム元素を含むシリカ粒子は、アルカリ条件下、ケイ素源として強アルカリであるケイ酸ナトリウムと、強酸である鉱酸との反応により得られる。シリカ粒子が有するナトリウム元素は、上記のＴＥＭ－ＥＤＸを用い、シリカ粒子の一次粒子の断面を撮像及び解析することで、長軸と短軸との交点に当たる中心部において検出できる。

　＜画素分割層中、画素寸法制御層中及びスペーサ層中の樹脂＞
　以下、画素分割層等中の樹脂について、まとめて記載する。画素分割層等は、以下の（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び／又は（Ａ３－ＤＬ）樹脂を含有することが好ましい。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造、アミド構造、オキサゾール構造、及びシロキサン構造からなる群より選ばれる一種類以上を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有する樹脂。

　このような構成とすることで、外光反射抑制、発光輝度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。これは、画素分割層等中の（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び（Ａ３－ＤＬ）樹脂が可視光線の波長の光を吸収するため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。また画素分割層等中の（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び（Ａ３－ＤＬ）樹脂は、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部に相当する第１電極の発光層側の表面における表面改質作用を促進すると推定される。そのため、仕事関数差の調整により発光特性の低電圧駆動化を促進すると考えられる。その結果、同一電圧駆動時における発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。加えて、（Ａ１－ＤＬ）樹脂のイミド構造、アミド構造、オキサゾール構造、若しくはシロキサン構造、又は、（Ａ３－ＤＬ）樹脂の芳香環骨格の優れた耐熱性により、画素分割層等からのアウトガスが抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著になると推定される。

　画素分割層等は、以下の（Ａ２－ＤＬ）樹脂を含有することが好ましい。画素分割層等は、（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び／又は（Ａ３－ＤＬ）樹脂を含有し、さらに、（Ａ２－ＤＬ）樹脂を含有することがより好ましい。画素分割層等は、（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び（Ａ２－ＤＬ）樹脂を含有することがさらに好ましく、（Ａ１－ＤＬ）樹脂、（Ａ２－ＤＬ）樹脂、及び（Ａ３－ＤＬ）樹脂を含有することが特に好ましい。
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位を有する樹脂。

　一般式（２４）において、Ｒ^６７～Ｒ^６９は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基を表す。ａは０又は１である。＊^１は樹脂中の結合点を表す。

　一般式（２４）で表される構造単位は、エチレン性不飽和二重結合基の反応残基を含むことが好ましい。エチレン性不飽和二重結合基の反応残基とは、エチレン性不飽和二重結合基が、光及び／又は熱によりラジカル重合した後の残基をいう。

　このような構成とすることで、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層等中の（Ａ２－ＤＬ）樹脂は、（メタ）アクリロイル基などのラジカル重合性基をラジカル重合させて架橋密度を向上させた樹脂である。（Ａ２－ＤＬ）樹脂の架橋構造の優れた耐熱性により、画素分割層等からのアウトガスが抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著になると推定される。

　画素分割層等中の（Ａ３－ＤＬ）樹脂は、樹脂の主鎖、樹脂の側鎖及び樹脂の末端のうち少なくとも１つに酸性基としてフェノール性水酸基を有し、樹脂の構造単位中に芳香環骨格を含むことが好ましく、樹脂の構造単位中に酸性基としてフェノール性水酸基を有し、芳香環骨格を含むことがより好ましい。樹脂中に含まれるフェノール性水酸基の一部が、他の樹脂や化合物と反応して架橋構造を形成していることも好ましい。

　画素分割層等中の（Ａ２－ＤＬ）樹脂は、縮合多環式構造を有する構造単位；縮合多環式ヘテロ環構造を有する構造単位；芳香環骨格及び脂環式骨格が直接連結された構造を有する構造単位、及び、少なくとも２つの芳香環骨格が直接連結された構造を有する構造単位、からなる群より選ばれる一種類以上を有することが好ましい。縮合多環式構造は、ナフタレン構造、フルオレン構造、又はインダン構造が好ましい。縮合多環式ヘテロ環構造は、キサンテン構造、インドリノン構造、又はイソインドリノン構造が好ましい。脂環式骨格は、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン構造が好ましい。少なくとも２つの芳香環骨格が直接連結された構造は、ビフェニル構造が好ましい。画素分割層等中の（Ａ２－ＤＬ）樹脂は、ノボラック構造、クレゾールノボラック構造、トリフェニルアルカン構造、ジフェニル－フェニルアルキルフェニルアルカン構造、及びジフェニルアルカン構造からなる群より選ばれる一種類以上を有することが好ましい。

　＜画素分割層中、画素寸法制御層中及びスペーサ層中の化合物＞
　以下、画素分割層等中の化合物について、まとめて記載する。画素分割層等は、（Ｃ１－ＤＬ）光重合開始剤に由来する構造を有する化合物（以下、「（Ｃ１－ＤＬ）化合物」）及び／又は（Ｃ２－ＤＬ）ナフトキノンジアジド化合物に由来する構造を有する化合物（以下、「（Ｃ２－ＤＬ）化合物」）を含むことが好ましい。画素分割層等中の（Ｃ１－ＤＬ）化合物は、オキシムエステル構造を含む、光重合開始剤に由来する構造を有する化合物及び／又はオキシムエステルカルボニル構造を含む、光重合開始剤に由来する構造を有する化合物が好ましい。画素分割層等中の（Ｃ２－ＤＬ）化合物は、１，２－ナフトキノンジアジド－５－スルホン酸エステル化合物に由来する構造を有する化合物及び／又は１，２－ナフトキノンジアジド－４－スルホン酸エステル化合物に由来する構造を有する化合物が好ましい。画素分割層等は、インデン構造を含むカルボン酸エステル構造及び／又はインデン構造を含むスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含むことが好ましい。

　このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。これは、画素分割層等中の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び（Ｃ２－ＤＬ）化合物が可視光線の波長の光を吸収するため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。また画素分割層等中の（Ｃ１－ＤＬ）化合物は、（メタ）アクリロイル基などを有するラジカル重合性化合物をラジカル重合させて膜の架橋密度を向上させた後に、画素分割層等中に含まれる残基を有する化合物である。画素分割層等中の（Ｃ２－ＤＬ）化合物は、熱硬化時等に架橋構造を形成して膜の架橋密度を向上させた後に、画素分割層等中に含まれる残基を有する化合物である。そのため、画素分割層等中の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び（Ｃ２－ＤＬ）化合物が、画素分割層等中の架橋構造の一部として取り込まれることで膜の架橋密度を向上させ、画素分割層等からのアウトガスを抑制するため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著になると推定される。

　画素分割層等は、以下の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物及び／又は（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、ジベンゾフルオレン構造、カルバゾール構造、ベンゾカルバゾール構造、インドール構造、ベンゾインドール構造、又はジフェニルスルフィド構造を有し、これらの構造にイミノ基が結合した構造及び／又はこれらの構造にカルボニル基が結合した構造、を有する化合物
（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物：インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物。

　画素分割層等中の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物は、フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、ジベンゾフルオレン構造、カルバゾール構造、又はベンゾカルバゾール構造を有する化合物が好ましく、これらの構造にイミノ基が結合した構造を有する化合物がより好ましい。

　画素分割層等中の（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物は、１Ｈ－インデン－３－カルボン酸エステル－７－スルホン酸アリールエステル構造を有する化合物及び／又は１Ｈ－インデン－１－スルホン酸アリールエステル－３－カルボン酸エステル構造を有する化合物が好ましい。

　このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。これは、画素分割層等中における（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物の縮合多環式構造、縮合多環式ヘテロ環構造、若しくは芳香環骨格、及び、（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物のインデンカルボン酸エステル構造及びスルホン酸アリールエステル構造が可視光線の波長の光を吸収するため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。画素分割層等中の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物及び（Ｃ２ｘ－ＤＬ）は、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部に相当する第１電極の発光層側の表面における表面改質作用を促進すると推定される。そのため、仕事関数差の調整により発光特性の低電圧駆動化を促進すると考えられる。その結果、同一電圧駆動時における発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。加えて、画素分割層等中の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物は、（メタ）アクリロイル基などを有するラジカル重合性化合物をラジカル重合させて膜の架橋密度を向上させた後に、画素分割層等中に含まれる残基を有する化合物である。画素分割層等中の（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物は、熱硬化時等に架橋構造を形成して膜の架橋密度を向上させた後に、画素分割層等中に含まれる残基を有する化合物である。そのため、画素分割層等中の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物及び（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物が、画素分割層等中の架橋構造の一部として取り込まれることで膜の架橋密度を向上させ、画素分割層等からのアウトガスを抑制するため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著になると推定される。

　本発明の表示装置は、画素分割層が、（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び／又は（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含み、画素寸法制御層及びスペーサ層が、画素分割層中の（Ｃ１－ＤＬ）化合物とは異なる（Ｃ１－ＤＬ）化合物、及び／又は、画素分割層中の（Ｃ２－ＤＬ）化合物とは異なる（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含むことが好ましく、画素分割層が、（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物及び／又は（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物を含み、画素寸法制御層及びスペーサ層が、画素分割層中の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物とは異なる（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物、及び／又は、画素分割層中の（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物とは異なる（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。

　＜画素分割層、画素寸法制御層及びスペーサ層の表面における表面粗さの最大値＞
　本発明の表示装置は、画素分割層が後述する段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状において、画素分割層の薄膜部の表面における表面粗さの最大値が０．１～５０．０ｎｍであることが好ましい。一方、画素分割層の硬化パターンの段差形状において、画素分割層の厚膜部の表面における表面粗さの最大値が０．１～５０．０ｎｍであることが好ましい。このような構成とすることで、画素分割層と第２電極との密着性向上、発光輝度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層の表面における表面粗さの最大値は、画素分割層と第２電極との密着性向上の観点から、０．１ｎｍ以上が好ましく、０．３ｎｍ以上がより好ましく、０．５ｎｍ以上がさらに好ましく、０．７ｎｍ以上が特に好ましく、１．０ｎｍ以上が最も好ましい。画素分割層の表面における表面粗さの最大値は、さらに、外光反射抑制の観点から、３．０ｎｍ以上が好ましく、５．０ｎｍ以上がより好ましく、７．０ｎｍ以上がさらに好ましく、１０．０ｎｍ以上が特に好ましい。一方、画素分割層の表面における表面粗さの最大値は、発光輝度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５０．０ｎｍ以下が好ましく、４０．０ｎｍ以下がより好ましく、３０．０ｎｍ以下がさらに好ましく、２０．０ｎｍ以下が特に好ましい。なお、画素分割層の厚膜部の表面における算術平均粗さが、１．０ｎｍ以上であることが好ましい。また、画素分割層の厚膜部の表面における表面粗さの最大値が、１．０ｎｍ以上であることも好ましい。

　本発明の表示装置において、画素分割層は上層の第２電極と接することが好ましい。しかしながら、画素分割層と第２電極との密着性が不足する場合には界面剥離が発生しやすく、パネルの歩留まり低下及び発光素子の信頼性低下の要因となる場合がある。特に、本発明の表示装置がフレキシブル性を有する表示装置である場合、画素分割層と第２電極との密着性が不足する場合の界面剥離の発生が顕著となる。上述した通り、本発明の表示装置がフレキシブル性を有する表示装置である場合、画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有することが好ましい。しかしながら、フレキシブル基板の動きに追従して、画素分割層と第２電極との界面に応力が発生することで、界面剥離の発生が顕著になると推定される。画素分割層の表面における表面粗さの最大値が上述した範囲内であると、画素分割層と第２電極との密着性向上の効果が顕著となる。

　上述した通り、本発明の表示装置において、画素分割層は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましい。なお画素分割層部を形成した後、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部における第１電極の表面上に僅かに残存する残渣等を分解・除去するため、プラズマ処理等によって第１電極の表面上を洗浄することが一般的である。しかしながら、第１電極の表面上の残渣等を分解・除去するためにプラズマ処理の出力強化又は長時間化をすると、画素分割層の表面も分解・除去されてしまう。そのため、プラズマ処理後に画素分割層の表面に残存する低分子成分や画素分割層の表面の分解・変質部位が、発光素子の信頼性低下の要因となる場合がある。プラズマ処理による画素分割層の表面の分解・変質の度合いは、画素分割層の表面における表面粗さの最大値を測定することで求めることができる。画素分割層の表面における表面粗さの最大値が大きいほど、画素分割層の表面の分解・変質の度合いが大きいことを表す。画素分割層の表面における表面粗さの最大値が上述した範囲内であると、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置において、画素分割層の表面における表面粗さの最大値を上述した範囲内とし、画素分割層の表面における拡散反射光を増加させることで、外光反射抑制の効果が顕著となる。一般的に、外光が入射した場合、表面において正反射光と拡散反射光の二種類の反射光が発生する。それらの合計が反射光となるが、視認性における眩しさ及び映り込みには、正反射光の影響が大きい。そのため外光反射抑制には、拡散反射光を増加させ、正反射光を低減することが有効であると考えられる。従って、画素分割層の表面における表面粗さの最大値を上述した範囲内とすることで、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。

　本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含む場合、画素分割層の薄膜部の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）とし、かつ、画素分割層の厚膜部の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）とするとき、（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）｜が１．０～５０．０ｎｍであることが好ましい。

　画素分割層の薄膜部の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）とし、かつ、画素分割層の厚膜部の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）とするとき、（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）｜は０．１～５０．０ｎｍが好ましい。（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）｜は、画素分割層と第２電極との密着性向上及び外光反射抑制の観点から、１．０ｎｍ以上が好ましく、３．０ｎｍ以上がより好ましく、５．０ｎｍ以上がさらに好ましく、７．０ｎｍ以上が特に好ましく、１０．０ｎｍ以上が最も好ましい。一方、（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）｜は、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、５０．０ｎｍ以下が好ましく、４０．０ｎｍ以下がより好ましく、３０．０ｎｍ以下がさらに好ましく、２０．０ｎｍ以下が特に好ましい。

　本発明の表示装置は、画素寸法制御層が後述する段差形状を有する硬化パターンを含み、画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状において、画素寸法制御層の薄膜部の表面における算術平均粗さ及び／又は表面粗さの最大値が０．１～５０．０ｎｍであることが好ましい。一方、硬化パターンの段差形状において、画素寸法制御層の厚膜部の表面における算術平均粗さは０．１～５０．０ｎｍが好ましい。本発明の表示装置は、画素寸法制御層の厚膜部の表面における表面粗さの最大値が０．１～５０．０ｎｍであることが好ましい。このような構成とすることで、画素寸法制御層の厚膜部と第２電極との密着性向上、発光輝度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素寸法制御層の厚膜部の表面における算術平均粗さ及び表面粗さの最大値に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層の表面における算術平均粗さに関する例示及び好ましい記載の通りである。

　本発明の表示装置は、画素分割層が硬化パターンを有し、かつ、画素分割層上の一部にスペーサ層を有する場合、画素分割層の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}）とし、かつ、スペーサ層の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）とするとき、（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）｜が１．０～５０．０ｎｍであることが好ましい。

　画素分割層の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}）とし、かつ、スペーサ層の表面における表面粗さの最大値を（Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）とするとき、（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）｜は０．１～５０．０ｎｍが好ましい。（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＤＬ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＳＰ／ｍａｘ}）｜に関する例示及び好ましい記載は、上記の（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}）と（Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）との差｜Δ（Ｒａ_{ＨＴ／ｍａｘ}－Ｒａ_{ＦＴ／ｍａｘ}）｜に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　本発明の表示装置において、算術平均粗さ及び表面粗さの最大値は、原子間力顕微鏡（以下、「ＡＦＭ」）によって測定できる。一般的に、ＡＦＭによる測定は、水平な面に置いた表示装置が有する画素分割層等の表面に対して、鉛直上方から測定を行う。
本発明の表示装置において、算術平均粗さ及び表面粗さの最大値とは、画素分割層等の表面におけるＡＦＭにより測定可能な面、すなわち、基板と略平行な面において測定された値をいう。

　＜画素分割層、画素寸法制御層及びスペーサ層の光学濃度；フレキシブル性を有する表示装置＞
　本発明の第一の態様及び第二の態様である表示装置は、画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である。本発明の第三の態様である表示装置は、画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であることが好ましい。このような構成とすることで、入射した外光を画素分割層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。また画素分割層の可視光線の波長及び紫外領域の波長における遮光性向上により、画素分割層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層は黒色であることが好ましい。画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、０．７以上が好ましく、１．０以上がより好ましく、１．２以上がさらに好ましく、１．５以上が特に好ましい。一方、画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度は、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、２．７以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．２以下がさらに好ましく、２．０以下が特に好ましい。ここで光学濃度とは、組成物を２５０℃で６０分間加熱して硬化した硬化物における光学濃度をいう。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２５０℃まで昇温し、２５０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却するというものである。なお組成物が染料若しくは熱発色剤を含有する場合、又は、組成物がポジ型の感光性を有する場合、熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却する条件とした。また組成物が酸化発色剤を含有する場合、熱硬化条件は、空気雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却する条件とした。この熱硬化条件は、特に断りのない限り本明細書全体において共通する。

　本発明の表示装置は、画素寸法制御層及び／又はスペーサ層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であることも好ましい。このような構成とすることで、入射した外光を画素寸法制御層又はスペーサ層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。またこれらの層の可視光線の波長及び紫外領域の波長における遮光性向上により、これらの層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素寸法制御層及び／又はスペーサ層は黒色であることが好ましい。画素寸法制御層及びスペーサ層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層の光学濃度に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　なお画素分割層、画素寸法制御層、及びスペーサ層のうち少なくとも２つの層が積層した構造における、それぞれの層の光学濃度は、以下の方法で求めることができる。まず少なくとも２つの層が積層した構造における光学濃度（ＯＤ_{ＴＯＴＡＬ}）と、それぞれの層の膜厚を測定する。次に、積層した構造となっていない箇所、例えば、画素分割層のみの箇所における光学濃度と画素分割層の膜厚を測定する。得られた値から、例えば、画素分割層の膜厚１μｍ当たりの光学濃度（ＯＤ_ＰＤＬ）を算出する。次いで、積層した構造における光学濃度（ＯＤ_{ＴＯＴＡＬ}）及びそれぞれの層の膜厚と、光学濃度（ＯＤ_ＰＤＬ）とを用いた光学濃度の差分から、例えば、画素寸法制御層又はスペーサ層の光学濃度を算出する。

　本発明の表示装置は、発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板、及び円偏光板を有しないことが好ましい。このような構成とすることで、本発明の表示装置は、フレキシブル性向上及び折り曲げ性に乏しい偏光フィルムを有しないことで、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、基板がフレキシブル基板であって、画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有し、発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有さず、曲面の表示部、外側への折り曲げ面を含む表示部、又は内側への折り曲げ面を含む表示部を有し、フレキシブル性を有する表示装置であることが好ましい。

　このような構成とすることで、本発明の表示装置は、発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板又は円偏光板などの偏光フィルムを有しなくても、画素分割層の遮光性により、電極配線の可視化防止及び外光反射抑制の効果が顕著となる。すなわち、本発明の表示装置は、フレキシブル性及び折り曲げ性に乏しい偏光フィルムを有しないことで、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の効果が顕著となる。従って、本発明の表示装置は、画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有し、発光層を含む有機層の光取り出し側に偏光フィルムを有しない、フレキシブル性を有する表示装置に好適であり、フレキシブル性を有する有機ＥＬディスプレイに特に好適である。また偏光フィルムを有しないことで、表示装置の製造におけるコスト削減の効果が顕著となる。段差形状を有する画素分割層、画素寸法制御層、及び偏光フィルムを含む表示装置の一例を示す模式的断面図を図２３に示す。また段差形状を有する画素分割層及び偏光フィルムを含む表示装置の一例を示す模式的断面図を図２４に示す。

　本発明の表示装置は、画素寸法制御層及び／又はスペーサ層が、フレキシブル基板上に積層されている構造を有することが好ましい。このような構成とすることで、本発明の表示装置は、発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板、又は円偏光板などの偏光フィルムを有しなくても、画素寸法制御層又はスペーサ層の遮光性により、電極配線の可視化防止及び外光反射抑制の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、発光層を含む有機層の光取り出し側に、さらに、直線偏光板、１／４波長板、及び円偏光板からなる群から選ばれる一種類以上を有することも好ましい。このような構成とすることで、画素分割層の遮光性及び偏光フィルムの遮光性により、電極配線の可視化防止及び外光反射抑制の効果が顕著となる。また本発明の表示装置が画素寸法制御層及び／又はスペーサ層を有する場合、これらの層の遮光性及び偏光フィルムの遮光性により、電極配線の可視化防止及び外光反射抑制の効果が顕著となる。従って、本発明の表示装置は、特に優れた外光反射抑制が求められる表示装置に好適であり、特に優れた外光反射抑制が求められる有機ＥＬディスプレイに特に好適である。

　＜画素分割層の段差形状を有する硬化パターン＞
　本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、膜厚差が０．５μｍ以上であることで、発光層を含む有機層を形成する際の画素分割層と蒸着マスクとの接触面積を小さくできる。従って、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。また段差形状を有する画素分割層を形成する方法としては、（１）ハーフトーンフォトマスクを用いて段差形状を一括加工する方法及び（２）画素分割層を二層成膜する方法が一般的である。（１）の方法の場合、画素分割層部の開口部の近傍は、画素分割層の段差形状において薄膜部である。そのため、厚膜部と比較してアルカリ可溶性を高める設計となっている。従って、画素分割層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。一方、（２）の方法の場合、画素分割層部の開口部の近傍は、画素分割層の段差形状における薄膜部であり一層目である。そのため、厚膜部である二層目を成膜する際、一層目の開口部は再度アルカリ現像液と接触することとなる。従って、画素分割層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。ハーフトーンフォトマスクを用いて段差形状を一括加工する場合、上記の効果に加えて、プロセスタイム短縮・生産性向上の効果も顕著となる。

　本発明の表示装置において画素分割層が有する、段差形状を有する硬化パターンの断面の一例を示す模式的断面図を図２７に示す。段差形状における厚膜部３４は、ネガ型の場合は露光時の硬化部、ポジ型の場合は露光時の未露光部に相当し、硬化パターンの最大の膜厚を有する。段差形状における薄膜部３５ａ，３５ｂ，３５ｃは、露光時のハーフトーン露光部に相当し、厚膜部３４の厚さより小さい膜厚を有する。段差形状を有する硬化パターンの断面における傾斜辺３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅのそれぞれのテーパー角θａ，θｂ，θｃ，θｄ，θｅは、いずれも順テーパーであることが好ましく、低テーパーであることがより好ましい。ここでいうテーパー角θａ，θｂ，θｃ，θｄ，θｅとは、図２７に示すように、硬化パターンが形成される下地の基板の水平辺３７、又は薄膜部３５ａ，３５ｂ，３５ｃの水平辺と、薄膜部３５ａ，３５ｂ，３５ｃの水平辺と交差する段差形状を有する硬化パターンの断面における傾斜辺３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅとが成す、段差形状を有する硬化パターンの断面内部の角をいう。ここでいう順テーパーとは、テーパー角が０°より大きく９０°未満の範囲内であることをいい、逆テーパーとは、テーパー角が９０°より大きく１８０°未満の範囲内であることをいう。また矩形とは、テーパー角が９０°であることをいい、低テーパーとは、テーパー角が０°より大きく６０°の範囲内であることをいう。

　本発明の表示装置において画素分割層が有する、段差形状を有する硬化パターンの下側（下地の基板の水平辺３７側）表面の平面及び上側表面の平面間の厚さにおいて、最も大きい厚さを有する領域を厚膜部３４、厚膜部の厚さより小さい厚さを有する領域を薄膜部３５ａ，３５ｂ，３５ｃとする。厚膜部３４の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、厚膜部３４に少なくとも１つの段差形状を介して配置された薄膜部３５ａ，３５ｂ，３５ｃの膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍは、それぞれが、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、１．５μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．５μｍ以上がとりわけ好ましく、３．０μｍ以上が最も好ましい。また全てが、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、１．５μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．５μｍ以上がとりわけ好ましく、３．０μｍ以上が最も好ましい。なお（Ｔ_ＦＴ）μｍと薄膜部３５ａ又は３５ｂの膜厚（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが、上記範囲であることがより好ましく、（Ｔ_ＦＴ）μｍと薄膜部３５ａの膜厚（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが、上記範囲であることがさらに好ましい。一方、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍは、１０．０μｍ以下が好ましく、９．５μｍ以下がより好ましく、９．０μｍ以下がさらに好ましく、８．５μｍ以下が特に好ましく、８．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置は、式（α）～（γ）で表される関係を全て満たすことが好ましく、式（δ）～（ζ）で表される関係をさらに全て満たすことがより好ましい。
２．０≦（Ｔ_ＦＴ）≦１０．０　（α）
０．２０≦（Ｔ_ＨＴ）≦７．５　（β）
０．１０×（Ｔ_ＦＴ）≦（Ｔ_ＨＴ）≦０．７５×（Ｔ_ＦＴ）　（γ）
２．０≦（Ｔ_ＦＴ）≦１０．０　（δ）
０．３０≦（Ｔ_ＨＴ）≦７．０　（ε）
０．１５×（Ｔ_ＦＴ）≦（Ｔ_ＨＴ）≦０．７０×（Ｔ_ＦＴ）　（ζ）。

　このような構成とすることで、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。ハーフトーンフォトマスクを用いて段差形状を一括加工する場合、上記の効果に加えて、プロセスタイム短縮・生産性向上の効果も顕著となる。

　本発明の表示装置は、画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含むことが好ましい。さらに、厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び／又は同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されていることが好ましい。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置は、画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、厚膜部及び薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であることが好ましい。さらに、厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び／又は同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。

　このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層の段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の着色剤を含み、同一範囲内の光学濃度であって、かつ、同一の感光剤を含むことから、段差形状を有する画素分割層が、単一の感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いて段差形状を一括加工する方法で形成されていることとなる。従って、上述した通り、薄膜部は厚膜部と比較してアルカリ可溶性を高める設計となっているため、画素分割層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。上記の効果に加えて、プロセスタイム短縮・生産性向上の効果も顕著となる。また段差形状を有するため、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物は、同一の上述した（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物が好ましい。同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物は、同一の上述した（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物が好ましい。段差形状を有する画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図５に示す。

　＜画素分割層上のスペーサ層；画素分割層の下層に位置する下層スペーサ層＞
　本発明の表示装置は、画素分割層が硬化パターンを有し、かつ、画素分割層上の一部にスペーサ層を有し、スペーサ層の膜厚（Ｔ_ＳＰ）μｍが０．５～１０．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、フォトリソグラフィーにより、十分な高さを有するスペーサ層を形成できる。スペーサ層を有するため、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素分割層、画素寸法制御層、及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図２に示す。また画素分割層及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図１０に示す。

　本発明の表示装置においてスペーサ層の膜厚（Ｔ_ＳＰ）μｍは、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、１．５μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．５μｍ以上がとりわけ好ましく、３．０μｍ以上が最も好ましい。一方、スペーサ層の膜厚（Ｔ_ＳＰ）μｍは、１０．０μｍ以下が好ましく、９．５μｍ以下がより好ましく、９．０μｍ以下がさらに好ましく、８．５μｍ以下が特に好ましく、８．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、画素分割層上の一部にスペーサ層を有し、平面視において、画素分割層部上の一部にスペーサ層部を有し、平面視において、スペーサ層部が画素分割層部の厚膜部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、スペーサ層の膜厚（Ｔ_ＳＰ）μｍが０．５～１０．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、フォトリソグラフィーにより、十分な高さを有するスペーサ層を形成できる。そのため、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。また外光反射抑制、発光輝度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。なお画素分割層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載の通りである。なおスペーサ層の膜厚及び下層スペーサ層の膜厚に関する例示及び好ましい記載は、上記のスペーサ層の膜厚に関する例示及び好ましい記載の通りである。段差形状を有する画素分割層、画素寸法制御層、及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図３に示す。また段差形状を有する画素分割層及びスペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図１１に示す。

　本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、さらに、スペーサ層を有し、スペーサ層が画素分割層の下層に位置する下層スペーサ層であって、平面視において、さらに、スペーサ層部を有し、平面視において、スペーサ層部が画素分割層部の下層に位置する下層スペーサ層部であって、平面視において、画素分割層部が下層スペーサ層部の全てを覆うように形成されており、かつ、画素分割層部の厚膜部が下層スペーサ層部と重畳し、下層スペーサ層の膜厚（Ｔ_ＳＰ２）μｍが０．５～１０．０μｍであって、下層スペーサ層が、下記（１”）～（３”）の条件のうち少なくとも１つを満たすことが好ましい。本発明の表示装置は、下層スペーサ層が、下記（１”）及び（３”）の条件のいずれかまたは両方を満たすことがより好ましく、少なくとも下記（１”）の条件を満たすことがさらに好ましい。
（１”）下層スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（２”）下層スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、下層スペーサ層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（３”）下層スペーサ層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　このような構成とすることで、フォトリソグラフィーにより、十分な高さを有する下層スペーサ層を形成できる。そのため、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。なお下層スペーサ層の上層に画素分割層を形成することで、下層スペーサ層と重畳する箇所に段差形状を転写できる。段差形状を有する画素分割層、画素寸法制御層、及び段差形状を有する下層スペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図４に示す。また段差形状を有する画素分割層、及び段差形状を有する下層スペーサ層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図１２に示す。

　本発明の表示装置は、下層スペーサ層が段差形状を有する硬化パターンを含み、下層スペーサ層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ３）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ３）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ３）μｍと（Ｔ_ＨＴ３）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ３－ＨＴ３}）μｍが０．５～１０．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。なお下層スペーサ層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　本発明の表示装置は、スペーサ層及び下層スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まないことが好ましい。スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まないことで、十分な高さを有するスペーサ層を形成でき、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。下層スペーサ層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まないことで、十分な高さを有する下層スペーサ層を形成できるため、上層の画素分割層にも十分な高さを有する段差形状を転写でき、画素分割層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　＜画素寸法制御層の段差形状を有する硬化パターン＞
　本発明の表示装置は、画素寸法制御層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ２）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ２）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ２）μｍと（Ｔ_ＨＴ２）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ２－ＨＴ２}）μｍが０．５～１０．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。なお画素寸法制御層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載の通りである。段差形状を有する画素分割層、及び段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図８に示す。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであることが好ましい。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有しない硬化パターンを含むことも好ましい。

　このような構成とすることで、段差形状を有する画素分割層の形成において、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する。また発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。なお画素分割層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層が有する段差形状に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　本発明の表示装置は、画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含むことが好ましい。さらに、厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び／又は同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置は、画素寸法制御層が、下記（４）～（６）の条件のうち少なくとも１つを満たすことが好ましい。本発明の表示装置は、画素寸法制御層が、下記（４）及び（６）の条件のいずれかまたは両方を満たすことがより好ましく、下記（４）の条件を満たすことがさらに好ましい。
（４）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（５）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、厚膜部及び薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（６）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。

　このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。上記の（５）及び／又は（６）の条件を満たす場合、画素寸法制御層の段差形状における厚膜部及び薄膜部が、（５Ａ）同一の着色剤を含み、同一範囲内の光学濃度である、及び／又は、（６Ａ）同一の感光剤を含むことから、段差形状を有する画素寸法制御層が、単一の感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いて段差形状を一括加工する方法で形成されていることとなる。従って、画素寸法制御層部の開口部の近傍は、画素寸法制御層の段差形状において薄膜部である。そのため、薄膜部は厚膜部と比較してアルカリ可溶性を高める設計となっており、画素寸法制御層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。上記の効果に加えて、パターン寸法均一性向上、及び、プロセスタイム短縮・生産性向上の効果も顕著となる。

　また上記の（４）の条件を満たす場合、画素寸法制御層の段差形状における厚膜部及び薄膜部が（４Ａ）着色剤を含まない。そのため、段差形状を有する画素寸法制御層が、ハーフトーンフォトマスクを用いて形成されている場合、ポジ型及びネガ型のいずれの感光性組成物を用いた場合であっても、上記の効果が顕著となる。また段差形状を有する画素寸法制御層が、ハーフトーンフォトマスクを用いずに形成されている場合、画素寸法制御層部の開口部の近傍は、画素寸法制御層の段差形状における薄膜部であり一層目である。そのため、厚膜部である二層目を成膜する際、一層目の開口部は再度アルカリ現像液と接触することとなる。従って、画素寸法制御層部の開口部における残渣発生が抑制され、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また段差形状を有するため、画素寸法制御層の損傷抑制により、パネルの歩留まり低下抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　＜画素分割層の段差形状を有する硬化パターン；厚膜部、薄膜部及び中間膜厚部＞
　本発明の第三の態様である表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれており、平面視において、中間膜厚部が画素分割層部の薄膜部に囲まれており、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍ、中間膜厚部の膜厚を（Ｔ_ＭＴ）μｍとし、かつ、中間膜厚部と接する薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、（Ｔ_ＭＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＭＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．１～５．０μｍである。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれており、平面視において、中間膜厚部が画素分割層部の薄膜部に囲まれており、
画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍ、中間膜厚部の膜厚を（Ｔ_ＭＴ）μｍとし、かつ、中間膜厚部と接する薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、（Ｔ_ＭＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＭＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．１～５．０μｍである、この第三の態様は好ましい態様である。

　このような構成である表示装置において画素分割層が有する、中間膜厚部を含む段差形状を有する硬化パターンの一例を示す模式的断面図を図２８に示す。段差形状における厚膜部３４ａ，３４ｂは、ネガ型の場合は露光時の硬化部、ポジ型の場合は露光時の未露光部に相当し、硬化パターンの最大の膜厚を有する。段差形状における薄膜部３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂは、露光時のハーフトーン露光部に相当し、厚膜部３４ａ，３４ｂの厚さより小さい膜厚を有する。段差形状における薄膜部のうち画素分割層のテーパー部が接する段差形状における中間膜厚部３９ａ，３９ｂは、露光時のハーフトーン露光部の一部に相当する。段差形状を有する硬化パターンの断面における傾斜辺４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆのそれぞれのテーパー角θａ，θｂ，θｃ，θｄ，θｅ，θｆは、いずれも順テーパーであることが好ましく、低テーパーであることがより好ましい。なおテーパー角に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層が有するテーパー角に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　このような構成である表示装置において画素分割層が有する、段差形状を有する硬化パターンの下側（下地の基板の水平辺３７側）表面の平面及び上側表面の平面間の厚さにおいて、最も大きい厚さを有する領域を厚膜部３４ａ，３４ｂ、厚膜部の厚さより小さい厚さを有する領域を薄膜部３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂ、薄膜部のうち画素分割層のテーパー部が接する領域を中間膜厚部３９ａ，３９ｂとする。厚膜部３４ａ，３４ｂの膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍ、厚膜部３４ａ，３４ｂに少なくとも１つの段差形状を介して配置された薄膜部３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂのうち中間膜厚部と接する薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴｍ）μｍ、中間膜厚部３９ａ，３９ｂの膜厚を（Ｔ_ＭＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＭＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＭＴ－ＨＴｍ}）μｍは、０．１μｍ以上が好ましく、０．２μｍ以上がより好ましく、０．３μｍ以上がさらに好ましく、０．４μｍ以上が特に好ましく、０．５μｍ以上が最も好ましい。一方、（Ｔ_ＭＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＭＴ－ＨＴｍ}）μｍは、５．０μｍ以下が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましく、３．０μｍ以下がさらに好ましく、２．０μｍ以下が特に好ましく、１．５μｍ以下がとりわけ好ましく、１．０μｍ以下が最も好ましい。

　（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＭＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＭＴ}）μｍは、０．４μｍ以上が好ましく、０．８μｍ以上がより好ましく、１．２μｍ以上がさらに好ましく、１．６μｍ以上が特に好ましく、２．０μｍ以上が最も好ましい。一方、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＭＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＭＴ}）μｍは、５．０μｍ以下が好ましく、４．５μｍ以下がより好ましく、４．０μｍ以下がさらに好ましく、３．５μｍ以下が特に好ましく、３．０μｍ以下がとりわけ好ましく、２．５μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の第三の態様である表示装置は、画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、厚膜部及び薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である。さらに、厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び／又は同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。

　本発明の表示装置において、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれており、平面視において、中間膜厚部が画素分割層部の薄膜部に囲まれており、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍ、中間膜厚部の膜厚を（Ｔ_ＭＴ）μｍとし、かつ、中間膜厚部と接する薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、（Ｔ_ＭＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴｍ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＭＴ－ＨＴｍ}）μｍが０．１～５．０μｍである場合、本発明の表示装置は、画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、厚膜部及び薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であることが好ましい。さらに、厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物及び／又は同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物を含むことがより好ましい。

　このような構成とすることで、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。厚膜部及び薄膜部における、同一の着色剤、同一範囲内の光学濃度及び同一の感光剤によるこのような効果に関する推定は、上述した通りである。同一の（Ｃ１－ＤＬ）化合物は、同一の上述した（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物が好ましい。同一の（Ｃ２－ＤＬ）化合物は、同一の上述した（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物が好ましい。

　＜発光層を含む有機層；平面視における発光層を含む有機層部及び画素部＞
　本発明の表示装置は、発光層を含む有機層を有する。発光層を含む有機層は、発光層を含む有機ＥＬ層及び／又は発光層を含む光取り出し層を有することが好ましい。発光層を含む有機層は、上述した第１電極上、かつ上述した第１電極及び第２電極の間に形成された積層構造とすることが好ましい。このような構成とすることで、後述する画素部に相当する領域を形成できる。後述する画素部に相当する領域は、発光層を含む有機層が、上述した第１電極と接する領域に相当する。

　有機ＥＬ層は、さらに、正孔輸送層及び／又は電子輸送層を有することが好ましく、発光層との積層構造となるように有機ＥＬ層を形成することが好ましい。

　本発明の表示装置は、発光層を含む有機ＥＬ層を用いた積層構造とすることで、表示装置である有機ＥＬディスプレイを製造できる。一方、本発明の表示装置は、発光層を含む光取り出し層を用いた積層構造とすることで、表示装置である量子ドットディスプレイ又はマイクロＬＥＤディスプレイを製造できる。

　本発明の表示装置は、発光層を含む光取り出し層が量子ドットを含む構成である量子ドットディスプレイも好ましい。量子ドットディスプレイは、基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、及び発光層を含む光取り出し層を有する表示装置であって、画素分割層は、第１電極上の一部と重なるように形成され、発光層を含む光取り出し層は、第１電極上、かつ第１電極及び第２電極の間に形成された構成を有し、発光層を含む光取り出し層が量子ドットを含む構成を有する表示装置である。

　本発明の表示装置は、発光層を含む光取り出し層が無機半導体を含む構成であるマイクロＬＥＤディスプレイも好ましい。マイクロＬＥＤディスプレイは、基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、及び発光層を含む光取り出し層を有する表示装置であって、画素分割層は、第１電極上の一部と重なるように形成され、発光層を含む光取り出し層は、第１電極上、かつ第１電極及び第２電極の間に形成された構成を有し、発光層を含む光取り出し層が無機半導体を含む構成を有する表示装置である。

　本発明の表示装置において、発光層を含む有機ＥＬ層及び発光層を含む光取り出し層の両方を用いる積層構造とした表示装置の製造も可能である。例えば、以下の（１）～（２）の表示装置が挙げられる。
（１）第１電極上の、発光層を含む有機ＥＬ層及び発光層を含む光取り出し層（例えば、自発光型の量子ドットを含む層）の両方を光源とする発光素子を有する表示装置。
（２）第１電極上の、発光層を含む有機ＥＬ層を光源とする発光素子（有機ＥＬ発光素子）からの発光を、発光層を含む有機ＥＬ層上の、発光層を含む光取り出し層（例えば、量子ドットを含む層）によって色変換させた光を発光する、発光素子を有する表示装置。

　本発明の表示装置は、発光輝度向上及び発光色純度向上の観点から、発光層を含む有機ＥＬ層及び発光層を含む光取り出し層を有する表示装置が好ましい。本発明の表示装置において、発光層を含む光取り出し層が量子ドットを含むことが好ましく、発光層を含む有機ＥＬ層及び発光層を含む光取り出し層が、第１電極上に、発光層を含む有機ＥＬ層、及び発光層を含む光取り出し層の順に形成されていることが好ましい。

　一方、本発明の表示装置は、発光層を含む有機ＥＬ層及び発光層を含む光取り出し層の両方を用いた積層構造として、発光層を含む光取り出し層を第１電極上ではなく、別の位置に有する表示装置の製造も可能である。例えば、以下の（３）～（５）の表示装置が挙げられる。
（３）第１電極上の、発光層を含む有機ＥＬ層を光源とする発光素子（有機ＥＬ発光素子）からの発光１及びＬＥＤなどのバックライトからの光を、第１電極上ではない位置にある発光層を含む光取り出し層（例えば、量子ドットを含む層）によって色変換させた光２、の両方を光源とする表示装置。
（４）第１電極上の、発光層を含む有機ＥＬ層を光源とする発光素子（有機ＥＬ発光素子）からの発光を、第１電極上ではない位置にある発光層を含む光取り出し層（例えば、量子ドットを含む層）によって色変換させた光、を光源とする表示装置。
（５）第１電極上の、発光層を含む有機ＥＬ層を光源とする発光素子（有機ＥＬ発光素子）からの発光１、及び、第１電極上の、発光層を含む有機ＥＬ層を光源とする発光素子（有機ＥＬ発光素子）からの発光を、第１電極上ではない位置にある発光層を含む光取り出し層（例えば、量子ドットを含む層）によって色変換させた光２、の両方を光源とする表示装置。

　本発明の表示装置は、発光輝度向上及び発光色純度向上の観点から、さらに、量子ドットを含むカラーフィルタを有することが好ましい。量子ドットを含むカラーフィルタを有する積層構造とする場合、平面視において、量子ドットを含むカラーフィルタと重畳し、かつ量子ドットを含むカラーフィルタよりも下層に位置する発光素子は、青色光を発光する有機ＥＬ発光素子、白色光を発光する有機ＥＬ発光素子、青色光を発光するＬＥＤ素子、又は白色光を発光するＬＥＤ素子が好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、発光層を含む有機層部を有することが好ましい。上述した発光層を含む有機層を平面視したものが、発光層を含む有機層部に相当する。本発明の表示装置は、平面視において、複数の画素部を有することが好ましい。本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部における、上述した第１電極部上かつ発光層を含む有機層部が形成された箇所を画素部とすることが好ましい。画素部に相当する領域は、発光層を含む有機層部が、上述した第１電極部と接する領域に相当する。本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳することが好ましい。

　＜封止層＞
　本発明の表示装置は、封止層を有する。封止層とは、発光層を含む有機層を有する積層構造を封止して外界と遮断し、水分及びガス等の侵入を抑制する層である。封止層は非感光性組成物又は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましい。封止層は金属元素又はケイ素を含む無機層も好ましい。封止層は、上述した第１電極、第２電極、画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部、発光層を含む有機層、及び画素部などの表示装置の表示領域と重畳するように形成され、表示装置の表示領域を封止するように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、表示装置の表示領域と外界とを遮断でき、水分及びガス等の侵入による発光素子の劣化を抑制できるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。封止層は水分及び酸素の侵入を抑制する構造を有することがより好ましい。

　封止層が非感光性組成物又は感光性組成物を硬化した硬化膜の場合、組成物中の樹脂等の成分によって水蒸気透過率及びガス透過率を低下させていることが好ましく、さらに、光反応による架橋構造及び／又は熱反応による架橋構造によって水蒸気透過率及びガス透過率を低下させていることがより好ましい。封止層が金属元素又はケイ素を含む無機層の場合、水蒸気透過率低下及びガス透過率低下の観点から、ケイ素の酸化物、ケイ素の窒化物又はケイ素の酸窒化物が好ましく、二酸化ケイ素、四窒化三ケイ素又は酸窒化ケイ素がより好ましい。

　＜カラーフィルタ層；平面視におけるカラーフィルタ層部＞
　本発明の表示装置は、カラーフィルタ層を有する。カラーフィルタ層とは、光取り出し側に位置し、発光スペクトルを調整する層である。カラーフィルタ層は、画素分割層と画素部から離隔して光取り出し側に位置し、画素部からの発光の発光スペクトルを調整する層であることが好ましい。カラーフィルタ層は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましい。カラーフィルタ層は、上述した画素部の少なくとも一部と重畳するように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制、発光輝度向上及び発光色純度向上の効果が顕著となる。

　カラーフィルタ層は、感光性組成物中の樹脂等の成分によって可視光線の波長において着色していることが好ましく、樹脂等の成分に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等によって着色していることがより好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は紫色であることをいう。カラーフィルタ層は、着色顔料及び／又は着色染料を含有することが好ましく、着色顔料及び着色染料を含有することがより好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、複数のカラーフィルタ層部を有することが好ましい。上述したカラーフィルタ層を平面視したものが、カラーフィルタ層部に相当する。カラーフィルタ層部の形状は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、閉じた多角形又は閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状が好ましい。カラーフィルタ層部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、発光素子からの発光が面発光として非対称となり、カラーフィルタ層部から出射した光の干渉によって強められるため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また、カラーフィルタ層部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、カラーフィルタ層部から入射する外光の画素分割層部の表面における散乱が非対称となり、第１電極と第２電極との間における反射・干渉によって弱められるため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。

　カラーフィルタ層部のパターン寸法は、パターンにおける頂上部から頂上部までの長さ及びパターンにおける底部から底部までの長さのうち、最長の長さをいう。カラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。またカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２０．０μｍ以下がさらに好ましく、１７．０μｍ以下が特に好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　＜ブラックマトリックス層；平面視におけるブラックマトリックス層部＞
　本発明の表示装置は、ブラックマトリックス層を有する。ブラックマトリックス層とは、光取り出し側に位置し、発光領域を調整する層である。ブラックマトリックス層は、画素分割層と画素部から離隔して光取り出し側に位置し、画素部からの発光の発光領域を調整する層であることが好ましい。ブラックマトリックス層は感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、複数の着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましく、黒色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がさらに好ましい。ブラックマトリックス層の開口部は、上述した画素部と重畳するように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。

　ブラックマトリックス層は、感光性組成物中の樹脂等の成分の着色によって可視光線の波長において黒色であることが好ましく、樹脂等の成分の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることがより好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は紫色であることをいう。

　ブラックマトリックス層は、黒色顔料及び／又は二色以上の着色顔料混合物を含有することが好ましく、有機黒色顔料及び／又は無機黒色顔料を含有することがより好ましい。有機黒色顔料は、カーボンブラック、ベンゾフラノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料及びアゾ系黒色顔料からなる群より選ばれる一種類以上を含むことが好ましい。無機黒色顔料は、金属元素の微粒子、酸化物、複合酸化物、硫化物、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、窒化物、炭化物又は酸窒化物を含むことが好ましい。金属元素は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ又はＡｇが好ましい。

　ブラックマトリックス層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度は０．５～４．０であることが好ましい。このような構成とすることで、入射した外光をブラックマトリックス層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。またブラックマトリックス層の可視光線の波長及び紫外領域の波長における遮光性向上により、画素分割層に入射する外光が低減することで画素分割層からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。ブラックマトリックス層は黒色であることが好ましい。ブラックマトリックス層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、０．５以上が好ましく、０．７以上がより好ましく、１．０以上がさらに好ましく、１．２以上が特に好ましく、１．５以上が最も好ましい。ブラックマトリックス層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度は、さらに、外光反射抑制の観点から、１．７以上が好ましく、２．０以上がより好ましい。一方、ブラックマトリックス層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度は、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、４．０以下が好ましく、３．７以下がより好ましく、３．５以下がさらに好ましく、３．２以下が特に好ましく、３．０以下が最も好ましい。ここでブラックマトリックス層の光学濃度に関しては、上述した画素分割層の光学濃度に関する記載の通りである。

　本発明の表示装置は、平面視において、複数の開口部を有するブラックマトリックス層部を有することが好ましい。上述したブラックマトリックス層を平面視したものが、ブラックマトリックス層部に相当する。ブラックマトリックス層部の開口部の形状は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、閉じた多角形又は閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状が好ましい。ブラックマトリックス層部の開口部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、発光素子からの発光が面発光として非対称となり、ブラックマトリックス層部の開口部から出射した光の干渉によって強められるため、発光輝度向上の効果が顕著になると推定される。また、ブラックマトリックス層部の開口部の形状を少なくとも一部の直線によって真円形から変えることで、ブラックマトリックス層部の開口部から入射する外光の画素分割層部の表面における散乱が非対称となり、第１電極と第２電極との間における反射・干渉によって弱められるため、外光反射抑制の効果が顕著になると推定される。

　ブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法は、開口部における底部から底部までの長さをいう。ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。またブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２０．０μｍ以下がさらに好ましく、１７．０μｍ以下が特に好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、さらに、一般式（ＣＦ／ＢＭ）で表される関係を満たすことが好ましい。
（ＣＦ_Ｌ）≦（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＦ／ＢＭ）。

　ブラックマトリックス層部の上にカラーフィルタ層部が重畳する場合、積層部の近傍ではカラーフィルタ層部の膜厚が厚く形成される箇所が発生する。このような場合、発光素子からの発光がカラーフィルタ層部の膜厚の厚い箇所を通過することとなる。一方、カラーフィルタ層部の上にブラックマトリックス層部が重畳する場合、カラーフィルタ層部の端部においてブラックマトリックス層部に覆われる箇所が発生する。このような場合、発光素子からの発光がブラックマトリックス層部に覆われた箇所を通過できないこととなる。上記のような構成とすることで、ブラックマトリックス層部の上にカラーフィルタ層部が重畳した積層部、及びカラーフィルタ層部の上にブラックマトリックス層部が重畳した積層部の形成を回避できるため、発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳する構成を有する表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図２０及び図２１に示す。

　本発明の表示装置において、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、上記一般式（ＣＦ／ＢＭ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、平面視において、複数の開口部を有する第２電極部を有し、平面視において、第２電極部の開口部が画素部と重畳せず、かつ、平面視において、第２電極部の開口部がブラックマトリックス層部の開口部及び／又はカラーフィルタ層部と重畳することがより好ましく、第２電極部の開口部がブラックマトリックス層部の開口部及びカラーフィルタ層部と重畳することがさらに好ましい。

　このような構成とすることで、第２電極部の開口部から入射する外光を画素分割層で遮光できるとともに、発光素子からの発光が第２電極部の開口部を通過するため光取り出し効率が向上し、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。また、発光素子からの発光が第２電極部の開口部及びカラーフィルタ層部を通過できるため、発光色純度向上の効果が顕著となる。第２電極部の開口部が画素部と重畳せず、かつ、ブラックマトリックス層部の開口部及び前記カラーフィルタ層部と重畳する構成を有する表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図２２に示す。

　第２電極部の開口部の形状は、閉じた多角形、閉じた多角形から少なくとも一部の辺及び／又は頂点が円弧に置き換えられた形状、又は円弧で形成された閉じた形状好ましい。なお第２電極部の開口部のパターン寸法は、開口部における底部から底部までの長さをいう。

　第２電極部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、０．５μｍ以上が好ましく、０．６μｍ以上がより好ましく、０．７μｍ以上がさらに好ましく、０．８μｍ以上が特に好ましく、１．０μｍ以上が最も好ましい。一方、第２電極部の開口部のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５．０μｍ以下が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましく、３．０μｍ以下がさらに好ましい。また第２電極部の開口部のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、２．０μｍ以下が好ましく、２．２μｍ以下がより好ましく、２．０μｍ以下がさらに好ましく、１．７μｍ以下が特に好ましく、１．５μｍ以下が最も好ましい。

　＜オーバーコート層；平面視におけるオーバーコート層部＞
　本発明の表示装置は、さらに、ブラックマトリックス層及びカラーフィルタ層を離隔するオーバーコート層を有することが好ましい。オーバーコート層とは、ブラックマトリックス層とカラーフィルタ層との両方に接し、積層構造の表面を平坦化する層である。オーバーコート層は非感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましく、着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜がさらに好ましい。オーバーコート層は、上述した画素部と重畳するように形成されていることが好ましい。一方、オーバーコート層は、上述した画素部と重畳しないように形成されていることがより好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。

　オーバーコート層が感光性組成物を硬化した硬化膜の場合、硬化膜が可視光線の波長を透過することが好ましい。すなわち、感光性組成物中の樹脂等の成分が可視光線の波長を透過することが好ましい。オーバーコート層が着色剤を含む感光性組成物を硬化した硬化膜の場合、着色剤によって可視光線の波長において着色していることで、特定波長の光を選択的に透過することが好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、又は紫色であることをいう。

　本発明の表示装置は、さらに、平面視において、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を離隔するオーバーコート層部を有することが好ましい。上述したオーバーコート層を平面視したものが、オーバーコート層部に相当する。本発明の表示装置は、平面視において、画素部がオーバーコート層部と重畳することが好ましい。一方、本発明の表示装置は、画素部がオーバーコート層部と重畳しないことがより好ましい。本発明の表示装置は、平面視において、オーバーコート層部がブラックマトリックス層部及び／又はカラーフィルタ層部と重畳することが好ましい。一方、本発明の表示装置は、オーバーコート層部がブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部と重畳しないことがより好ましい。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部とカラーフィルタ層部との間のみに形成されていることが好ましい。オーバーコート層部は開口部を有しても構わない。オーバーコート層部の開口部がブラックマトリックス層部及び／又はカラーフィルタ層部と重畳することが好ましく、カラーフィルタ層部と重畳することがより好ましい。

　オーバーコート層部のパターン寸法は、パターンにおける頂上部から頂上部までの長さ及びパターンにおける底部から底部までの長さのうち、最長の長さをいう。オーバーコート層部の開口部のパターン寸法は、開口部における底部から底部までの長さをいう。オーバーコート層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、オーバーコート層部の開口部のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。またオーバーコート層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２０．０μｍ以下がさらに好ましく、１７．０μｍ以下が特に好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置において、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、上記一般式（ＣＦ／ＢＭ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、さらに、ブラックマトリックス層及びカラーフィルタ層を離隔するオーバーコート層を有し、さらに、平面視において、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を離隔するオーバーコート層部を有し、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たすことが好ましい。

　このような構成とすることで、オーバーコート層部から入射する外光を画素分割層で遮光できるとともに、発光素子からの発光がオーバーコート層部を通過するため光取り出し効率が向上し、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置は、平面視において、複数の開口部を有する第２電極部を有し、平面視において、第２電極部の開口部が画素部と重畳せず、かつ、平面視において、第２電極部の開口部がブラックマトリックス層部の開口部及びオーバーコート層部と重畳することが好ましい。

　このような構成とすることで、オーバーコート層部及び第２電極部の開口部から入射する外光を画素分割層で遮光できるとともに、発光素子からの発光が第２電極部の開口部及びオーバーコート層部を通過するため光取り出し効率が向上し、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。なお第２電極部の開口部の形状、パターン寸法、及びパターン寸法の平均値に関する例示及び好ましい記載は、上記の通りである。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置において、オーバーコート層の２５℃でのＤ線における屈折率は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、１．６０以上が好ましく、１．６２以上がより好ましく、１．６５以上がさらに好ましく、１．６７以上が特に好ましく、１．７０以上が最も好ましい。一方、オーバーコート層の２５℃でのＤ線における屈折率は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、１．９０以下が好ましく、１．８７以下がより好ましく、１．８５以下がさらに好ましく、１．８２以下が特に好ましく、１．８０以下が最も好ましい。

　このような構成とすることで、オーバーコート層から入射した外光が、ブラックマトリックス層との界面及びカラーフィルタ層との界面において全反射し、画素分割層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。また発光素子からの発光がオーバーコート層を通過する際、ブラックマトリックス層との界面及びカラーフィルタ層との界面において全反射し、光取り出し効率が向上するため、発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、さらに、低屈折率層を有し、さらに、平面視において、低屈折率層部を有し、低屈折率層部が、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されていることが好ましい。

　低屈折率層とは、ブラックマトリックス層及びカラーフィルタ層を含む積層構造の表面を低屈折率化する層である。低屈折率層を平面視したものが、低屈折率層部に相当する。このような構成とすることで、低屈折率層が反射防止層として機能し、入射した外光が低屈折率層の界面で反射・干渉をして打ち消し合うことで、外光反射抑制の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置がオーバーコート層を有する場合、本発明の表示装置は、さらに、低屈折率層を有し、さらに、平面視において、低屈折率層部を有し、低屈折率層部が、オーバーコート層部、ブラックマトリックス層部、及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されていることが好ましい。

　本発明の表示装置は、オーバーコート層部が、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成され、低屈折率層部がオーバーコート層部を覆うように形成されていることがより好ましい。

　このような構成とすることで、低屈折率層が反射防止層として機能するため、外光反射抑制の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置において、オーバーコート層を有し、オーバーコート層の２５℃でのＤ線における屈折率が１．６０～１．９０である場合、本発明の表示装置は、さらに、低屈折率層を有し、さらに、平面視において、低屈折率層部を有し、オーバーコート層部が、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成され、低屈折率層部がオーバーコート層部を覆うように形成されていることが好ましい。

　このような構成とすることで、高屈折率層であるオーバーコート層の上に低屈折率層が形成されるため、低屈折率層が反射防止層として効率的に機能するため、外光反射抑制の効果がより顕著となる。低屈折率層は、シリカ粒子を含むことが好ましい。

　＜ＴＦＴ素子層＞
　本発明の表示装置は、さらに、ＴＦＴ素子層を有することが好ましい。本発明の表示装置は、ＴＦＴ素子層が、半導体層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及びゲート絶縁層を有することがより好ましい。本発明の表示装置が、ＴＦＴ素子層を有する場合、さらに、それらの上層の導電層を絶縁する層間絶縁層を有することが好ましい。

　ＴＦＴ素子層において、半導体層としては、例えば、アモルファス性のシリコン（ａ－Ｓｉ；非晶質シリコン）、多結晶性のシリコン（ｐ－Ｓｉ；多結晶シリコン）、マイクロクリスタルシリコン、若しくはナノクリスタルシリコンなどのシリコン半導体層、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ；Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）などに代表される酸化物半導体層又は多結晶性のシリコンと酸化物半導体とを併用したＬＴＰＯ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　Ｏｘｉｄｅ）が挙げられる。

　本発明の表示装置が、アクティブ駆動型トップエミッション型の構成である場合、基板上に、ＴＦＴ素子層を有し、ＴＦＴ素子層が、パターン加工されたアイランド型の第１電極と接合されることが好ましい。

　＜ＴＦＴ平坦化層及びＴＦＴ保護層＞
　本発明の表示装置は、さらに、ＴＦＴ平坦化層及び／又はＴＦＴ保護層を有することが好ましく、少なくとも二層のＴＦＴ平坦化層及び／又は少なくとも二層のＴＦＴ保護層を有することがより好ましい。ＴＦＴ平坦化層及び／又はＴＦＴ保護層とは、ＴＦＴ素子を含む積層構造の表面を平坦化及び／又は保護する層である。上述した画素部は、ＴＦＴ平坦化層及びＴＦＴ保護層と重畳するように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。

　ＴＦＴ平坦化層及びＴＦＴ保護層は、感光性組成物中の樹脂等の成分の着色によって可視光線の波長において黒色であることが好ましく、樹脂等の成分の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることがより好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、又は紫色であることをいう。

　＜層間絶縁層＞
　本発明の表示装置は、さらに、層間絶縁層を有することが好ましく、少なくとも二層の層間絶縁層を有することがより好ましい。層間絶縁層とは、積層構造中の配線や電極などの導電層を絶縁する層である。層間絶縁層は、ＴＦＴ平坦化層及び／又はＴＦＴ保護層の下層の導電層を絶縁する層間絶縁層が好ましい。また層間絶縁層は、後述するタッチパネル配線及び／又はタッチパネル電極を絶縁する層間絶縁層が好ましい。

　層間絶縁層は、感光性組成物中の樹脂等の成分の着色によって可視光線の波長において黒色であることが好ましく、樹脂等の成分の着色に加えて、熱発色剤及び／又は酸化発色剤等の着色によって黒色であることがより好ましい。なお着色しているとは、赤色、橙色、黄色、緑色、青色又は紫色であることをいう。

　＜タッチパネル配線及びタッチパネル電極＞
　本発明の表示装置は、さらに、タッチパネル配線及び／又はタッチパネル電極を有することが好ましく、少なくとも二層のタッチパネル配線及び／又は少なくとも二層のタッチパネル電極を有することがより好ましい。タッチパネル配線とは、位置検出機能を有する部材と外部回路とを導通するための配線をいう。タッチパネル配線は、タッチパネル電極と外部回路とを導通するための引き出し配線であることが好ましい。タッチパネル電極とは、位置検出機能を有する電極をいう。タッチパネル電極は、静電容量の変化によって位置検出機能をする電極であることが好ましい。タッチパネル配線の一部又はタッチパネル電極の一部は、上述した画素部と重畳するように形成されていても構わない。タッチパネル配線及びタッチパネル電極は、上述した画素部と重畳しないように形成されていることが好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。

　タッチパネル配線には透明電極又は非透明電極を用いることができる。タッチパネル配線は、画素部の面積拡大、表示装置の開口率向上、及び表示装置の狭ベゼル化の観点から、透明電極が好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。タッチパネル電極は、発光輝度向上及びタッチパネル電極の視認性抑制の観点から、透明電極が好ましい。

　本発明の表示装置は、基板上の上述した第１電極よりも下に、タッチパネル配線、タッチパネル電極及び層間絶縁層を含むことで、インセル型タッチパネルを有する。このような構成とすることで、発光輝度向上の効果が顕著となる。本発明の表示装置は、第２電極上の上述した封止層の下層に、タッチパネル配線、タッチパネル電極及び層間絶縁層を含むことで、インセル型タッチパネルを有する。このような構成とすることで、発光輝度向上の効果が顕著となる。本発明の表示装置は、封止層上の上述したカラーフィルタ層及びブラックマトリックス層の下層に、タッチパネル配線、タッチパネル電極、及び層間絶縁層を含むことで、オンセル型タッチパネルを有する。このような構成とすることで、発光輝度向上及び工程数削減の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、同一の基板上における、カラーフィルタ層、ブラックマトリックス層又はオーバーコート層（以下、「カラーフィルタ層等」）の上層に、タッチパネル配線、タッチパネル電極及び層間絶縁層を含むことで、オンセル型タッチパネルを有する。このような構成とすることで、発光輝度向上及び工程数削減の効果が顕著となる。一方、本発明の表示装置は、カラーフィルタ層等の上層に、異なる基板上の、タッチパネル配線、タッチパネル電極及び層間絶縁層を貼り合わせることで、アウトセル型タッチパネルを有する。このような構成とすることで、工程数削減の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、同一の基板上における、カラーフィルタ層等の上層に、直線偏光板、１／４波長板、及び円偏光板からなる群より選ばれる一種類以上を含むことで、ビルドアップ型偏光フィルムを有する。このような構成とすることで、外光反射抑制の効果が顕著となる。一方、本発明の表示装置は、カラーフィルタ層等の上層に、異なる基板上の、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板からなる群より選ばれる一種類以上を貼り合わせることで、外付け型偏光フィルムを有する。このような構成とすることで、外光反射抑制及び工程数削減の効果が顕著となる。

　本発明の表示装置は、同一の基板上における、カラーフィルタ層等の上層に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を含まないことで、偏光フィルムを有しない表示装置を製造可能である。同様に、本発明の表示装置は、カラーフィルタ層等の上層に、異なる基板上の、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を貼り合わせないことで、偏光フィルムを有しない表示装置を製造可能である。このような構成とすることで、発光輝度向上、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の効果が顕著となる。また偏光フィルムを有しないことで、表示装置の製造におけるコスト削減の効果が顕著となる。

　封止層、カラーフィルタ層、ブラックマトリックス層、オーバーコート層、ＴＦＴ平坦化層、ＴＦＴ保護層、層間絶縁層は、上述した画素分割層等と同様の組成物の硬化膜であるのも好ましい。またこれらの層は、上述した画素分割層等と同様の着色剤、樹脂、又は化合物を含有することも好ましい。

　なお封止層中、カラーフィルタ層中、ブラックマトリックス層中、オーバーコート層中、ＴＦＴ平坦化層中、ＴＦＴ保護層中及び層間絶縁層中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層等中の（Ｄ－ＤＬ）着色剤に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　これらの層中の樹脂に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層等中の（Ａ１－ＤＬ）樹脂、（Ａ２－ＤＬ）樹脂及び（Ａ３－ＤＬ）樹脂に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　これらの層中の化合物に関する例示及び好ましい記載は、上記の画素分割層等中の（Ｃ１－ＤＬ）化合物、（Ｃ２－ＤＬ）化合物、（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物、（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物及びリン酸系構造を有する化合物に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　＜表示装置の構成；画素寸法制御層＞
　本発明の第一の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、画素寸法制御層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する。本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、画素寸法制御層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有することが好ましい。本発明の表示装置は、第１電極、発光層を含む有機層、第２電極、封止層及びカラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されていることが好ましい。

　例えば、別々の基板上に画素分割層とカラーフィルタ層をそれぞれ形成し、画素分割層を形成した基板とカラーフィルタ層を形成した基板とを、接着材などを用いた方法によって貼り合わせる場合、貼り合わせの位置精度悪化による発光不良などが発生する。また別々の基板上に画素分割層とカラーフィルタ層を形成するため、それぞれの基板上に積層構造を形成する際の露光アライメント誤差が発生し、別々の基板を貼り合わせる際の積層構造における設計誤差による発光不良などが発生する。一方、本発明の表示装置は、同一の基板上に、これらの各層が形成されているため、例えば、画素部とカラーフィルタ層部との位置精度悪化や露光アライメント誤差等に起因する発光不良などを抑制できるため、パネルの歩留まり低下抑制、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　＜平面視における表示装置の構成；画素寸法制御層部＞
　本発明の第一の態様である表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されている。本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されていることが好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部の開口部における、第１電極部上かつ発光層を含む有機層部が形成された箇所を画素部としたときに、複数の画素部、複数の開口部を有する画素分割層部、複数の開口部を有する画素寸法制御層部、複数のカラーフィルタ層部及び複数の開口部を有するブラックマトリックス層部を有することが好ましい。また、本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳することが好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されている場合、平面視において、画素分割層部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率が５０～１００％であることが好ましく、画素分割層部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率が９０～１００％であることがより好ましい。

　このような構成とすることで、画素分割層の形成において、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する。また外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。平面視において、画素分割層部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率は、パターン寸法均一性向上、外光反射抑制、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましく、９０％以上がとりわけ好ましく、１００％が最も好ましい。段差形状を有する画素分割層、及び画素分割層の薄膜部を覆う画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図６に示す。

　本発明の表示装置は、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されていることが好ましい。本発明の表示装置は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部、厚膜部上の少なくとも一部、及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されていることがより好ましい。

　本発明の表示装置において、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、（Ｔ_ＦＴ）μｍと（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されている場合、本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部の薄膜部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率が５０～１００％であることが好ましく、画素分割層部の薄膜部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率が９０～１００％であることがより好ましい。

　このような構成とすることで、段差形状を有する画素分割層の形成において、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する。また外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。平面視において、画素分割層部の薄膜部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率は、パターン寸法均一性向上、外光反射抑制、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましく、９０％以上がとりわけ好ましく、１００％が最も好ましい。画素分割層、及び段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層を含む表示装置の一例を示す模式的断面図及び平面図を図７に示す。

　本発明の表示装置において、画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含む場合、本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部の薄膜部の面積及び厚膜部の面積の合計に対する、画素寸法制御層部による被覆率が５０～１００％であることが好ましく、画素分割層部の面積に対する、画素寸法制御層部による被覆率が９０～１００％であることがより好ましい。このような構成とすることで、パターン寸法均一性向上、外光反射抑制、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。平面視において、薄膜部の面積及び厚膜部の面積の合計に対する、画素寸法制御層部による被覆率は、パターン寸法均一性向上、外光反射抑制、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましく、９０％以上がとりわけ好ましく、１００％が最も好ましい。

　本発明の表示装置は、画素寸法制御層の膜厚が０．１～５．０μｍであることが好ましい。このような構成とすることで、パターン寸法均一性向上、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。画素寸法制御層の膜厚は、パターン寸法均一性向上、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、０．１μｍ以上が好ましく、０．３μｍ以上がより好ましく、０．５μｍ以上がさらに好ましく、１．０μｍ以上が特に好ましい。一方、画素寸法制御層の膜厚は、パターン寸法均一性向上、発光輝度向上、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の観点から、５．０μｍ以下が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましく、３．５μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましい。

　本発明の表示装置において、画素寸法制御層の膜厚は、画素寸法制御層の表面の任意の点（以下、「Ｘ点」）における接線に対する垂線と、下層の画素分割層との交点（以下、「Ｙ点」）を求め、それぞれのＸ点とＹ点との距離のうち最長の距離として算出できる。なお画素寸法制御層が段差形状を有する硬化パターンを含む場合、上述した画素寸法制御層の膜厚は、画素寸法制御層の薄膜部における膜厚として算出する。画素寸法制御層の膜厚は、ＳＥＭ用いて３点の画素部における膜厚を測定した平均値として算出できる。画素寸法制御層の膜厚測定の一例を示す模式的断面図を図１４に示す。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部が第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、
　平面視において、第１電極部上の画素寸法制御層部又は画素分割層部によって覆われた箇所における、第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離が、第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離よりも大きく、平面視において、第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離が０．５～５．０μｍであって、第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離が１．０～７．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、画素寸法制御層部が画素分割層部よりも第１電極部の中心に近い領域まで形成されていることとなり、パターン寸法均一性向上の効果が顕著となる。また外光反射抑制及び発光輝度向上の効果が顕著となる。これは、画素分割層部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離が特定範囲内であるため、画素分割層による外光反射抑制の効果を維持しつつ、発光素子からの発光の光取り出し効率が向上するためと推定される。

　第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、１．５μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましい。一方、第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離は、パターン寸法均一性向上及び発光輝度向上の観点から、５．０μｍ以下が好ましく、４．５μｍ以下がより好ましく、４．０μｍ以下がさらに好ましく、３．５μｍ以下が特に好ましい。

　第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、パターン寸法均一性向上及び発光輝度向上の観点から、１．０μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、２．０μｍ以上がさらに好ましく、２．５μｍ以上が特に好ましく、３．０μｍ以上が最も好ましい。一方、第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、７．０μｍ以下が好ましく、６．５μｍ以下がより好ましく、６．０μｍ以下がさらに好ましく、５．５μｍ以下が特に好ましく、５．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、平面視において、第１電極部上の画素寸法制御層部又は画素分割層部によって覆われた箇所における、画素分割層部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離が、０．１～５．０μｍであることが好ましい。

　画素分割層部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、パターン寸法均一性向上及び発光輝度向上の観点から、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上がさらに好ましく、１．５μｍ以上が特に好ましい。一方、画素分割層部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以下が好ましく、４．５μｍ以下がより好ましく、４．０μｍ以下がさらに好ましく、３．５μｍ以下が特に好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部が第１電極部と重畳せず、平面視において、第１電極部上の画素寸法制御層部によって覆われた箇所における第１電極部の端部から、画素寸法制御層部の端部までの距離が０．５～５．０μｍであって、第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離が０．１～３．０μｍであることが好ましい。

　このような構成とすることで、画素分割層部は第１電極部とは重なっておらず、画素寸法制御層部のみが第１電極部上に形成されていることとなり、パターン寸法均一性向上の効果が顕著となる。また外光反射抑制、発光輝度向上、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。これは、第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離が特定範囲内であって、第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離が特定範囲内であるため、画素分割層による外光反射抑制の効果を維持しつつ、発光素子からの発光の光取り出し効率が向上するためと推定される。さらに、顔料等の着色剤を含む画素分割層部が第１電極部と接していないため、着色剤の絶縁性、低誘電性、又は不純物などに起因する電極劣化因子を排除できるためと推定される。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、平面視において、第１電極部上の画素寸法制御層部によって覆われた箇所における画素寸法制御層部の端部から、画素分割層部の端部までの距離が、０．１～５．０μｍであることが好ましい。

　画素寸法制御層部の端部から画素分割層部の端部までの距離は、パターン寸法均一性向上及び発光輝度向上の観点から、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、１．０μｍ以上がさらに好ましく、１．５μｍ以上が特に好ましい。一方、画素分割層部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以下が好ましく、４．５μｍ以下がより好ましく、４．０μｍ以下がさらに好ましく、３．５μｍ以下が特に好ましい。

　本発明の表示装置において、第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、平面視において、第１電極部の端部の任意の点（以下、「Ｐ点」）における接線に対する垂線と、画素寸法制御層部との交点（以下、「Ｑ点」）を求め、それぞれのＰ点とＱ点との距離のうち最短の距離として算出できる。本発明の表示装置において、第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離は、平面視において、第１電極部の端部の任意の点（以下、「Ｐ点」）における接線に対する垂線と、画素分割層部との交点（以下、「Ｒ点」）を求め、それぞれのＰ点とＲ点との距離のうち最短の距離として算出できる。第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離及び第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離は、ＳＥＭ用いて３点の画素部における距離を測定した平均値として算出できる。第１電極部の端部から画素分割層部の端部までの距離測定、及び第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離測定の一例を示す平面図を図１５に示す。

　＜表示装置の構成；発光層を含む有機層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層＞
　本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する。本発明の第一の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有することが好ましい。

　本発明の第二の態様である表示装置は、第１電極、発光層を含む有機層、第２電極、封止層、及びカラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されている。本発明の第一の態様及び第三の態様である表示装置は、第１電極、発光層を含む有機層、第２電極、封止層、及びカラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されていることが好ましい。

　＜平面視における表示装置の構成；画素部、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部＞
　本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、平面視において、複数の画素部を有する。本発明の第一の態様である表示装置は、平面視において、複数の画素部を有することが好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部における、第１電極部上かつ発光層を含む有機層部が形成された箇所を画素部としたときに、複数の画素部、複数の開口部を有する画素分割層部、複数のカラーフィルタ層部及び複数の開口部を有するブラックマトリックス層部を有することが好ましい。また、本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳することが好ましい。

　本発明の第二の態様である表示装置は、画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ、最小値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、画素部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法を（ＣＦ_Ｌ）μｍとし、画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法を（ＢＭ_Ｌ）μｍとし、
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、かつ、
（ＣＦ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、（ＣＦ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす。

　本発明の第一の態様及び第三の態様である表示装置は、一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たすことが好ましい。
０≦Δ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦４．０　（ΔＣＤ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）。

　本発明の表示装置は、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましい。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦａ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）及び上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす場合、ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法が、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法以上である。すなわち、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳しないため、発光素子からの発光の光取り出し効率が向上する。また画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値及び最小値が特定範囲内に収まる。さらに、画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法と、画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値及び最小値との寸法差が特定範囲であるため、発光素子からの発光の光取り出し効率が向上する。これらの光取り出し効率向上の作用により、特に優れた高発光輝度の効果を奏功する。加えて、広範な視野角での高発光輝度の効果を奏功する。さらに、白色光である外光はカラーフィルタ層部を通過することで減衰する上、カラーフィルタ層部から入射する外光を画素分割層で遮光できる。加えて、ブラックマトリックス層部によって外光を遮光できるため、優れた外光反射抑制効果を奏功する。画素部の長軸方向のパターン寸法、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法、ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の一例を示す模式的断面図及び平面図を図１６及び図１７に示す。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）及び上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす場合、さらに、一般式（ＣＤ／ＣＦａ）及び一般式（ＣＦ／ＢＭ）で表される関係を満たす。
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＣＦ_Ｌ）　（ＣＤ／ＣＦａ）
（ＣＦ_Ｌ）≦（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＦ／ＢＭ）。

　本発明の表示装置は、前記画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、該画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（ＴＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（ＴＨＴ）μｍとするとき、該（ＴＦＴ）μｍと該（ＴＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴＦＴ－ＨＴ）μｍが０．５～１０．０μｍであって、該画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該厚膜部及び該薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であることが好ましい。

　本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たすことが好ましい。
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）。

　本発明の表示装置が、さらに、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｂ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましい。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｂ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｃ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＣＦ／ＣＤｃ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことがより好ましい。
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦５．０　（ΔＣＦ／ＣＤｃ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦５．０　（ΔＣＦ／ＣＤｃ_ｍｉｎ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）、及び上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｂ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｃ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｃ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｃ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことがより好ましい。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｂ）
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦４．０　（ΔＢＭ／ＣＦｃ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＤｃ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＤｃ_ｍｉｎ）
　また本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｐ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｑ）で表される関係を満たすことがより好ましく、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｒ）で表される関係を満たすことがさらに好ましい。
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦｐ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｑ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦５．０　（ΔＢＭ／ＣＦｒ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たすことも好ましい。
６．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍａｘ）
６．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましい。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦａ）
６．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍａｘ）
６．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｑ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＣＦ／ＣＤｑ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｒ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＣＦ／ＣＤｒ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことがより好ましい。
６．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍａｘ）
６．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）
７．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１３．０　（ΔＣＦ／ＣＤｑ_ｍａｘ）
７．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１３．０　（ΔＣＦ／ＣＤｑ_ｍｉｎ）
８．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１２．０　（ΔＣＦ／ＣＤｒ_ｍａｘ）
８．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１２．０　（ΔＣＦ／ＣＤｒ_ｍｉｎ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍａｘ）及び上記一般式（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす場合、
本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｂ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｑ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｑ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｃ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｒ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｒ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことがより好ましい。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｂ）
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦４．０　（ΔＢＭ／ＣＦｃ）
６．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍａｘ）
６．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）
７．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１６．０　（ΔＢＭ／ＣＤｑ_ｍａｘ）
７．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１６．０　（ΔＢＭ／ＣＤｑ_ｍｉｎ）
８．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＢＭ／ＣＤｒ_ｍａｘ）
８．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＢＭ／ＣＤｒ_ｍｉｎ）
　また本発明の表示装置は、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｐ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｑ）で表される関係を満たすことがより好ましく、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｒ）で表される関係を満たすことがさらに好ましい。
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦｐ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｑ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦５．０　（ΔＢＭ／ＣＦｒ）。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、さらに、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係、又は、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍａｘ）及び上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｐ_ｍｉｎ）で表される関係のいずれかを満たすことが好ましく、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことがより好ましい。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たす場合、Δ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、０．７μｍ以上がさらに好ましく、１．０μｍ以上が特に好ましく、１．２μｍ以上がとりわけ好ましく、１．５μｍ以上が最も好ましい。一方、Δ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３．７μｍ以下が好ましく、３．５μｍ以下がより好ましく、３．２μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましく、２．７μｍ以下がとりわけ好ましく、２．５μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置においてΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍは、０．２μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、０．７μｍ以上がさらに好ましく、１．０μｍ以上が特に好ましく、１．２μｍ以上がとりわけ好ましく、１．５μｍ以上が最も好ましい。一方、Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍは、７．５μｍ以下が好ましく、７．０μｍ以下がより好ましく、６．５μｍ以下がさらに好ましく、６．０μｍ以下が特に好ましく、５．５μｍ以下がとりわけ好ましく、５．０μｍ以下が最も好ましい。またΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、４．５μｍ以下が好ましく、４．０μｍ以下がより好ましく、３．５μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましく、２．７μｍ以下がとりわけ好ましく、２．５μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、１．２μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、１．７μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．２μｍ以上がとりわけ好ましく、２．５μｍ以上が最も好ましい。またΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、３．０μｍ以上が好ましく、４．０μｍ以上がより好ましく、５．０μｍ以上がさらに好ましく、６．０μｍ以上が特に好ましい。さらにΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、６．５μｍ以上が好ましく、７．０μｍ以上がより好ましく、７．５μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、８．５μｍ以上がとりわけ好ましく、９．０μｍ以上が最も好ましい。Δ（ＣＦＬ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍが６．０μｍ以上の場合、Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１３．５μｍ以下が好ましく、１３．０μｍ以下がより好ましく、１２．５μｍ以下がさらに好ましく、１２．０μｍ以下が特に好ましく、１１．５μｍ以下がとりわけ好ましく、１１．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、１．２μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、１．７μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．２μｍ以上がとりわけ好ましく、２．５μｍ以上が最も好ましい。またΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、３．０μｍ以上が好ましく、４．０μｍ以上がより好ましく、５．０μｍ以上がさらに好ましく、６．０μｍ以上が特に好ましく、７．０μｍ以上が最も好ましい。さらにΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、８．０μｍ以上が好ましく、９．０μｍ以上がより好ましく、９．５μｍ以上がさらに好ましく、１０．０μｍ以上が特に好ましく、１０．５μｍ以上がとりわけ好ましく、１１．０μｍ以上が最も好ましい。Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍが６．０μｍ以上の場合、Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１７．５μｍ以下が好ましく、１７．０μｍ以下がより好ましく、１６．５μｍ以下がさらに好ましく、１６．０μｍ以下が特に好ましく、１５．５μｍ以下がとりわけ好ましい。またΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１５．０μｍ以下が好ましく、１４．５μｍ以下がより好ましく、１４．０μｍ以下がさらに好ましく、１３．５μｍ以下が特に好ましく、１３．０μｍ以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１３．０μｍ以下が好ましく、１２．０μｍ以下がより好ましく、１１．０μｍ以下がさらに好ましく、１０．０μｍ以下が特に好ましく、９．０μｍ以下がとりわけ好ましく、８．０μｍ以下が最も好ましい。またΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、７．０μｍ以下が好ましく、６．０μｍ以下がより好ましく、５．５μｍ以下がさらに好ましく、５．０μｍ以下が特に好ましく、４．５μｍ以下がとりわけ好ましく、４．０μｍ以下が最も好ましい。さらにΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、３．７μｍ以下が好ましく、３．５μｍ以下がより好ましく、３．２μｍ以下がさらに好ましく、３．０μｍ以下が特に好ましく、２．７μｍ以下がとりわけ好ましく、２．５μｍ以下が最も好ましい。Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍが６．０μｍ以下の場合、Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１．２μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、１．７μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．２μｍ以上がとりわけ好ましく、２．５μｍ以上が最も好ましい。

　本発明の表示装置が、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす場合、Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１７．０μｍ以下が好ましく、１５．０μｍ以下がより好ましく、１３．０μｍ以下がさらに好ましく、１２．０μｍ以下が特に好ましく、１１．０μｍ以下がとりわけ好ましく、１０．０μｍ以下が最も好ましい。またΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上及び発光素子の信頼性向上の観点から、９．０μｍ以下が好ましく、８．５μｍ以下がより好ましく、８．０μｍ以下がさらに好ましく、７．５μｍ以下が特に好ましく、７．０μｍ以下がとりわけ好ましく、６．５μｍ以下が最も好ましい。さらにΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、６．０μｍ以下が好ましく、５．５μｍ以下がより好ましく、５．０μｍ以下がさらに好ましく、４．５μｍ以下が特に好ましく、４．２μｍ以下がとりわけ好ましく、４．０μｍ以下が最も好ましい。Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍが９．０μｍ以下の場合、Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、１．２μｍ以上が好ましく、１．５μｍ以上がより好ましく、１．７μｍ以上がさらに好ましく、２．０μｍ以上が特に好ましく、２．２μｍ以上がとりわけ好ましく、２．５μｍ以上が最も好ましい。またΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍは、３．０μｍ以上が好ましく、３．２μｍ以上がより好ましく、３．５μｍ以上がさらに好ましい。

　本発明の表示装置において、さらに、ブラックマトリックス層及びカラーフィルタ層を離隔するオーバーコート層を有し、さらに、平面視において、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を離隔するオーバーコート層部を有する場合、本発明の表示装置は、（ＢＭ_Ｌ）μｍと（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとするとき、Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍが、オーバーコート層部によって離隔されたブラックマトリックス層部とカラーフィルタ層部との距離であって、さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｐ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たすことが好ましい。
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦｐ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）。

　このような構成とすることで、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。なおΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍ、Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_Ｌ）μｍ及びΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_Ｌ）μｍに関する例示及び好ましい記載は、上記のそれぞれに関する例示及び好ましい記載の通りである。

　本発明の表示装置において、平面視において、ブラックマトリックス層部がカラーフィルタ層部と重畳せず、上記一般式（ＣＦ／ＢＭ）で表される関係を満たす場合、本発明の表示装置は、平面視において、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンにおける、カラーフィルタ層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＣＦ）°とし、かつ、ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおいて、ブラックマトリックス層部との境界における、ブラックマトリックス層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＢＭ）°とするとき、（ＴＡ_ＣＦ）°が一般式（ＴＡ－１）で表される関係、及び／又は、（ＴＡ_ＢＭ）°が一般式（ＴＡ－２）で表される関係を満たすことが好ましい。

　（ＴＡ_ＣＦ）°が一般式（ＴＡ－１）で表される関係、及び、（ＴＡ_ＢＭ）°が一般式（ＴＡ－２）で表される関係を満たすことがより好ましい。
３０≦（ＴＡ_ＣＦ）≦９０　（ＴＡ－１）
３０≦（ＴＡ_ＢＭ）≦９０　（ＴＡ－２）。

　本発明の表示装置は、平面視において、カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンにおける、カラーフィルタ層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＣＦ）°とするとき、（ＴＡ_ＣＦ）°が上記一般式（ＴＡ－１）で表される関係を満たすことが好ましい。

　このような構成とすることで、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。カラーフィルタ層の傾斜辺のテーパー角（ＴＡ_ＣＦ）°を順テーパーとすることで、カラーフィルタ層部に対して斜めから入射する外光がカラーフィルタ層部を通過しやすくなる。白色である外光はカラーフィルタ層部を通過することで減衰する上、カラーフィルタ層部から入射する外光を画素分割層で遮光できるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。加えて、カラーフィルタ層部が、可視光線の波長（３８０～７８０ｎｍ）及び紫外領域の波長（例えば、４００ｎｍ以下）の外光を遮光することで、画素分割層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。またカラーフィルタ層の傾斜辺のテーパー角（ＴＡ_ＣＦ）°を３０°以上とすることで、カラーフィルタ層部に対して斜めに出射する発光素子からの発光の光取り出し効率が向上し、発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。

　カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンにおける、カラーフィルタ層の傾斜辺のテーパー角（ＴＡ_ＣＦ）°は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０°以上が好ましく、４０°以上がより好ましく、５０°以上がさらに好ましく、５５°以上が特に好ましく、６０°以上が最も好ましい。一方、カラーフィルタ層の傾斜辺のテーパー角（ＴＡ_ＣＦ）°は、発光輝度向上及び発光色純度向上の観点から、９０°以下が好ましく、８５°以下がより好ましく、８０°以下がさらに好ましく、７５°以下が特に好ましく、７０°以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおいて、ブラックマトリックス層部との境界における、ブラックマトリックス層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＢＭ）°とするとき、（ＴＡ_ＢＭ）°が上記一般式（ＴＡ－２）で表される関係を満たすことが好ましい。

　このような構成とすることで、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。ブラックマトリックス層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＢＭ）°を３０°以上とすることで、ブラックマトリックス層部に対して斜めから入射する外光がブラックマトリックス層部によって遮光されやすくなるため、外光反射抑制の効果が顕著となる。加えて、ブラックマトリックス層部が、可視光線の波長（３８０～７８０ｎｍ）及び紫外領域の波長（例えば、４００ｎｍ以下）の外光を遮光することで、画素分割層等からのアウトガスが抑制され、発光素子の劣化が抑制されるため、発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。またブラックマトリックス層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＢＭ）°を順テーパーとすることで、ブラックマトリックス層部に対して斜めに出射する発光素子からの発光の光取り出し効率が向上し、発光輝度向上の効果が顕著となる。加えて、広範な視野角での発光輝度向上の効果が顕著となる。

　ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおいて、ブラックマトリックス層部との境界における、ブラックマトリックス層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＢＭ）°は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０°以上が好ましく、４０°以上がより好ましく、５０°以上がさらに好ましく、５５°以上が特に好ましく、６０°以上が最も好ましい。一方、ブラックマトリックス層の傾斜辺のテーパー角を（ＴＡ_ＢＭ）°は、発光輝度向上及び発光色純度向上の観点から、９０°以下が好ましく、８５°以下がより好ましく、８０°以下がさらに好ましく、７５°以下が特に好ましく、７０°以下が最も好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と離隔して重畳することが好ましい。本発明の表示装置において、このような構成とする場合、カラーフィルタ層部は画素部と離隔しており、本発明の表示装置は、カラーフィルタ層部と画素部との距離が５．０～２０．０μｍであることが好ましい。このような構成とすることで、画素部、カラーフィルタ層部、及びブラックマトリックス層部が適切な距離で配置されるため、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。カラーフィルタ層部と画素部との距離は、外光反射抑制及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、７．０μｍ以上がより好ましく、９．０μｍ以上がさらに好ましく、１０．０μｍ以上が特に好ましい。一方、カラーフィルタ層部と画素部との距離は、発光輝度向上、フレキシブル性向上及び折り曲げ性向上の観点から、２０．０μｍ以下が好ましく、１８．０μｍ以下がより好ましく、１６．０μｍ以下がさらに好ましく、１５．０μｍ以下が特に好ましい。

　＜複数色の画素部を有する表示装置の構成＞
　本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、第１色の画素部、第２色の画素部、及び第３色の画素部を有し、第１色、第２色、及び第３色が互いに異なる色であって、平面視において、カラーフィルタ層部が、第１色の画素部に対応する第１色のカラーフィルタ層部、第２色の画素部に対応する第２色のカラーフィルタ層部、及び第３色の画素部に対応する第３色のカラーフィルタ層部を有し、第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値が、第２色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値よりも小さく、かつ、第３色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値よりも小さく、第１色の画素部、第１色の画素部と重畳する第１色のカラーフィルタ層部、及び第１色の画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部において、上記一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、上記一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）、及び上記一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たすことが好ましい。

　なお第１色の画素部に対応する第１色のカラーフィルタ層部とは、第１色の画素部と第１色のカラーフィルタ層部とが互いに同系色の色であることをいう。第２色の画素部に対応する第２色のカラーフィルタ層部、及び、第３色の画素部に対応する第３色のカラーフィルタ層部も同様である。第１色の画素部からの発光の発光スペクトルにおける極大発光波長と、第１色のカラーフィルタ層部の透過スペクトルにおける極大透過波長との差は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。第２色の画素部に対応する第３色のカラーフィルタ層部、及び、第３色の画素部に対応する第３色のカラーフィルタ層部も同様である。

　本発明の表示装置は、平面視において、第１色の画素部が第１色のカラーフィルタ層部と重畳し、第２色の画素部が第２色のカラーフィルタ層部と重畳し、かつ、第３色の画素部が第３色のカラーフィルタ層部と重畳することが好ましい。第１色、第２色、及び第３色が、緑色、赤色、及び青色である場合、本発明の表示装置はフルカラー型の発光が可能な表示装置を提供可能である。従って、上記のような構成とすることで、本発明の表示装置は、フルカラー型の発光が可能であって、かつ、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備えることが可能である。第１色の画素部、第２色の画素部、及び第３色の画素部を含む構成を有する表示装置の一例を示す平面図を図２５及び図２６に示す。

　本発明の表示装置において、このような構成とする場合、本発明の表示装置は、第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値が５．０～３０．０μｍであることが好ましい。このような構成とすることで、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の効果が顕著となる。

　第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、５．０μｍ以上が好ましく、６．０μｍ以上がより好ましく、７．０μｍ以上がさらに好ましく、８．０μｍ以上が特に好ましく、１０．０μｍ以上が最も好ましい。一方、第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値は、外光反射抑制及び発光輝度向上の観点から、５０．０μｍ以下が好ましく、４０．０μｍ以下がより好ましく、３５．０μｍ以下がさらに好ましい。また第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法は、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、３０．０μｍ以下が好ましく、２５．０μｍ以下がより好ましく、２０．０μｍ以下がさらに好ましく、１７．０μｍ以下が特に好ましく、１５．０μｍ以下が最も好ましい。

　第２色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値、及び第３色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値に関する例示及び好ましい記載は、上記の第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値に関する例示及び好ましい記載の通りである。

　本発明の表示装置は、第１色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値を（ＣＤ_Ｌ１）μｍ、第２色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値を（ＣＤ_Ｌ２）μｍとし、かつ、第３色の画素部の長軸方向のパターン寸法の平均値を（ＣＤ_Ｌ３）μｍとするとき、一般式（ＣＤ－１ａ）及び一般式（ＣＤ－１ｂ）で表される関係を満たす。

　本発明の表示装置は、さらに、一般式（ＣＤ－２ａ）又は一般式（ＣＤ－３ａ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ＣＤ－２ｂ）又は一般式（ＣＤ－３ｂ）で表される関係を満たすことがより好ましい。
（ＣＤ_Ｌ１）＜（ＣＤ_Ｌ２）　（ＣＤ－１ａ）
（ＣＤ_Ｌ１）＜（ＣＤ_Ｌ３）　（ＣＤ－１ｂ）
（ＣＤ_Ｌ２）≦（ＣＤ_Ｌ３）　（ＣＤ－２ａ）
（ＣＤ_Ｌ２）＜（ＣＤ_Ｌ３）　（ＣＤ－２ｂ）
（ＣＤ_Ｌ２）≧（ＣＤ_Ｌ３）　（ＣＤ－３ａ）
（ＣＤ_Ｌ２）＞（ＣＤ_Ｌ３）　（ＣＤ－３ｂ）。

　本発明の表示装置は、さらに、一般式（ＣＤ－１／２ａ）及び／又は一般式（ＣＤ－１／３ａ）で表される関係を満たすことが好ましく、一般式（ＣＤ－１／２ａ）及び一般式（ＣＤ－１／３ａ）で表される関係を満たすことがより好ましい。本発明の表示装置は、さらに、一般式（ＣＤ－２／３ａ）又は一般式（ＣＤ－２／３ｂ）で表される関係を満たすことが好ましい。
１．０１×（ＣＤ_Ｌ１）≦（ＣＤ_Ｌ２）≦１．４０×（ＣＤ_Ｌ２）　（ＣＤ－１／２ａ）
１．２０×（ＣＤ_Ｌ１）≦（ＣＤ_Ｌ３）≦１．６０×（ＣＤ_Ｌ１）　（ＣＤ－１／３ａ）
１．０１×（ＣＤ_Ｌ２）≦（ＣＤ_Ｌ３）≦１．４０×（ＣＤ_Ｌ２）　（ＣＤ－２／３ａ）
１．０１×（ＣＤ_Ｌ３）≦（ＣＤ_Ｌ２）≦１．４０×（ＣＤ_Ｌ３）　（ＣＤ－２／３ｂ）。

　本発明の表示装置の第１色の画素部、第２色の画素部、及び第３色の画素部において、外光反射抑制、発光輝度向上、発光色純度向上、及び発光素子の信頼性向上の観点から、第１色は緑色又は赤色が好ましく、緑色がより好ましい。第２色は緑色、赤色、又は青色が好ましく、赤色がより好ましい。第３色は赤色、又は青色が好ましく、青色がより好ましい。

　第１色が緑色の場合、第２色は赤色又は青色が好ましく、赤色がより好ましい。

　第１色が緑色であって、第２色が赤色の場合、第３色は青色が好ましい。

　第１色が緑色であって、第２色が青色の場合、第３色は赤色が好ましい。

　第１色が赤色の場合、第２色は緑色又は青色が好ましく、緑色がより好ましい。

　第１色が赤色であって、第２色が緑色の場合、第３色は青色が好ましい。

　第１色が緑色、第２色が赤色、及び第３色が青色であることが特に好ましい。

　第１色が緑色、第２色が青色、第３色は赤色であることも好ましい。

　本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、さらに、追加色の画素部を有し、第１色、第２色、第３色、及び追加色が互いに異なる色であって、平面視において、カラーフィルタ層部が、さらに、追加色に対応する追加色のカラーフィルタ層部を有し、平面視において、追加色の画素部が追加色のカラーフィルタ層部と重畳することも好ましい。追加色は１つであることが好ましく、追加色が２つ以上であることも好ましい。追加色は、白色、橙色、黄色、及び紫色からなる群より選ばれる一色以上が好ましい。

　本発明の表示装置において、赤色の画素部からの発光の発光スペクトルにおける、極大発光波長は５６０～７００ｎｍが好ましい。緑色の画素部からの発光の発光スペクトルにおける、極大発光波長は５００～５６０ｎｍが好ましい。青色の画素部からの発光の発光スペクトルにおける、極大発光波長は４２０～５００ｎｍが好ましい。

　本発明の表示装置において、赤色のカラーフィルタ層部の透過スペクトルにおける、極大透過波長は５６０～７００ｎｍが好ましい。緑色のカラーフィルタ層部の透過スペクトルにおける、極大透過波長は５００～５６０ｎｍが好ましい。青色のカラーフィルタ層部の透過スペクトルにおける、極大透過波長は４２０～５００ｎｍが好ましい。

　＜画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法、及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法の調整方法＞
　本発明の表示装置は、画素部の形成におけるフォトマスクの寸法設計、パターニング露光時の露光条件、又は現像時の現像条件などを適切に制御することで、画素部のパターン寸法を上記特定の範囲に調整しても構わない。また本発明の表示装置は、画素寸法制御層を形成することで画素部のパターン寸法を精度良く所望の範囲に制御できるため、画素寸法制御層を用いることが画素部のパターン寸法を上記特定の範囲に調整する観点から好適である。一方、本発明の表示装置は、後述する本発明の第五の態様又は第六の態様である表示装置の製造方法により画素部のパターン寸法を精度良く所望の範囲に制御できるため、これらの表示装置の製造方法を用いることも画素部のパターン寸法を上記特定の範囲に調整する観点から好適である。

　カラーフィルタ層部のパターン寸法、及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法は、同様にフォトマスクの寸法設計、パターニング露光時の露光条件、又は現像時の現像条件などを適切に制御することで、それぞれのパターン寸法を上記特定の範囲に調整しても構わない。

　＜その他の表示装置の構成＞
　本発明の第二の態様及び第三の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する。本発明の第一の態様である表示装置は、同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有することが好ましい。

　本発明の第三の態様である表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれている。本発明の第一の態様及び第二の態様である表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれていることが好ましい。

　本発明の第三の態様である表示装置は、平面視において、中間膜厚部が画素分割層部の薄膜部に囲まれている。本発明の第一の態様及び第二の態様である表示装置は、平面視において、中間膜厚部が画素分割層部の薄膜部に囲まれていることが好ましい。

　本発明の表示装置は、第１電極、発光層を含む有機層、第２電極、封止層及びカラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されていることが好ましい。本発明の表示装置は、平面視において、画素分割層部の開口部における、第１電極部上かつ発光層を含む有機層部が形成された箇所を画素部としたときに、複数の画素部、複数の開口部を有する画素分割層部、複数のカラーフィルタ層部及び複数の開口部を有するブラックマトリックス層部を有することが好ましい。本発明の表示装置は、平面視において、画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳することが好ましい。

　このような構成とすることで、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれていることで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、パターン寸法均一性向上の効果が顕著となる。

　＜非感光性組成物及び感光性組成物の硬化膜＞
　本発明の表示装置において、画素分割層、画素寸法制御層、スペーサ層、封止層、カラーフィルタ層、ブラックマトリックス層、オーバーコート層、ＴＦＴ平坦化層、ＴＦＴ保護層及び層間絶縁層は、非感光性組成物を硬化した硬化膜が好ましく、感光性組成物を硬化した硬化膜がより好ましい。非感光性組成物及び感光性組成物は、下記に示す構成成分を含有することが好ましい。

　硬化とは、反応により架橋構造が形成され、膜の流動性が無くなること、又、その状態をいう。反応は、加熱、エネルギー線の照射等、特に限定されるものではないが、加熱によるものが好ましい。加熱によって架橋構造が形成され、膜の流動性が無くなった状態を熱硬化という。加熱条件としては、例えば、１５０～５００℃で、５～３００分間加熱するなどの条件である。加熱方法としては、例えば、オーブン、ホットプレート、赤外線、フラッシュアニール装置、又はレーザーアニール装置を用いて加熱する方法が挙げられる。処理雰囲気としては、例えば、空気、酸素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン若しくはキセノン雰囲気下、酸素を１～１０，０００ｐｐｍ（０．０００１～１質量％）未満含有するガス雰囲気下、酸素を１０，０００ｐｐｍ（１質量％）以上含有するガス雰囲気下、又は、真空下が挙げられる。

　＜表示装置の製造プロセスの模式的断面図＞
　本発明の表示装置において、段差形状を有する画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置の製造プロセスを例に、図２９に模式的断面図を示して説明する。まず、（工程１）基板１０１上に、ＴＦＴ素子層１０３を形成した後、スパッタ法とフォトレジストを用いたエッチング法に基づくパターン加工による導電層／金属配線１０２の形成、及び、感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工による層間絶縁層１０４の形成を複数回繰り返し、導電層／金属配線１０２と層間絶縁層１０４の積層構造を形成する。次に、（工程２）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってＴＦＴ平坦化層／ＴＦＴ保護層１０５を形成した後、スパッタ法とフォトレジストを用いたエッチング法に基づくパターン加工によって銀‐パラジウム‐銅合金（以下、「ＡＰＣ」）層を成膜し、さらに、ＡＰＣ層の上層に同様にスパッタ法とエッチング法で酸化インジウムスズ（以下、「ＩＴＯ」）層を成膜して非透明電極（反射電極）である第１電極１０７を形成する。その後、（工程３）感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によって、画素分割層における厚膜部１１６を含む段差形状を有する画素分割層１０６Ａを形成する。次いで、（工程４）蒸着マスクを用いた蒸着法でＥＬ発光材料を成膜して発光層を含む有機層１０８を形成した後、蒸着法でマグネシウム‐銀合金（以下、「ＭｇＡｇ」）層を成膜して透明電極である第２電極１０９を形成する。さらに、化学気相成長法で四窒化三ケイ素層を成膜して封止層１１０を形成した後、蒸着法とエッチング法でタッチパネル配線／タッチパネル電極１１１を形成する。次に、（工程５）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってカラーフィルタ層１１２を形成した後、同様にフォトリソグラフィー法でブラックマトリックス層１１３を形成する。その後、（工程６）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってオーバーコート層１１４を形成した後、対向する基板１１５を接合させることで、段差形状を有する画素分割層を含む表示装置を得る。

　本発明の表示装置において、段差形状を有する画素分割層を含む表示装置の製造プロセスを例に、図３０に模式的断面図を示して説明する。まず、（工程１）基板１０１上に、ＴＦＴ素子層１０３を形成した後、スパッタ法とフォトレジストを用いたエッチング法に基づくパターン加工による導電層／金属配線１０２の形成、及び、感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工による層間絶縁層１０４の形成を複数回繰り返し、導電層／金属配線１０２と層間絶縁層１０４の積層構造を形成する。次に、（工程２）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってＴＦＴ平坦化層／ＴＦＴ保護層１０５を形成した後、スパッタ法とフォトレジストを用いたエッチング法に基づくパターン加工によって銀‐パラジウム‐銅合金（以下、「ＡＰＣ」）層を成膜し、さらに、ＡＰＣ層の上層に同様にスパッタ法とエッチング法で酸化インジウムスズ（以下、「ＩＴＯ」）層を成膜して非透明電極（反射電極）である第１電極１０７を形成する。その後、（工程３）感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によって、画素分割層における厚膜部１１６を含む段差形状を有する画素分割層１０６Ａを形成する。次いで、（工程４）蒸着マスクを用いた蒸着法でＥＬ発光材料を成膜して発光層を含む有機層１０８を形成した後、蒸着法でマグネシウム‐銀合金（以下、「ＭｇＡｇ」）層を成膜して透明電極である第２電極１０９を形成する。さらに、化学気相成長法で四窒化三ケイ素層を成膜して封止層１１０を形成した後、蒸着法とエッチング法でタッチパネル配線／タッチパネル電極１１１を形成する。次に、（工程５）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってカラーフィルタ層１１２を形成した後、同様にフォトリソグラフィー法でブラックマトリックス層１１３を形成する。その後、（工程６）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってオーバーコート層１１４を形成した後、対向する基板１１５を接合させることで、段差形状を有する画素分割層を含む表示装置を得る。

　また本発明の表示装置において、透光部、遮光部、半透光部、及び中間透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いた製造プロセスを例に、図３１に模式的断面図を示して説明する。まず、（工程１）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってＴＦＴ平坦化層／ＴＦＴ保護層４０５を形成した後、スパッタ法とフォトレジストを用いたエッチング法に基づくパターン加工によってＡＰＣ層を成膜し、さらに、ＡＰＣ層の上層に同様にスパッタ法とエッチング法でＩＴＯ層を成膜して非透明電極（反射電極）である第１電極４０７を形成する。さらに、感光性組成物を塗布及びプリベークしてプリベーク膜４３１を形成する。次に、（工程２）透光部４３４、遮光部４３５、半透光部４３６及び中間透光部４３７を有するハーフトーンフォトマスク４３２を介して活性化学線４３３を照射する。その後、（工程３）アルカリ現像液で現像してパターン加工した後、必要に応じてパターンに活性化学線を照射及び／又はパターンをミドルベークする。さらに、パターンを加熱して熱硬化させることで、画素分割層における厚膜部４１６及び画素分割層における中間膜厚部４２１を含む、中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層４０６Ａを形成する。

　また本発明の表示装置において、段差形状を有する画素分割層を含む表示装置における、第１電極を開口させない工程、光反応及び／又は光硬化させる工程、及び第１電極を開口させる工程を含む製造プロセスを例に、図３２に模式的断面図を示して説明する。まず、（工程１）感光性組成物を用いたフォトリソグラフィー法に基づくパターン加工によってＴＦＴ平坦化層／ＴＦＴ保護層１０５を形成した後、スパッタ法とフォトレジストを用いたエッチング法に基づくパターン加工によってＡＰＣ層を成膜し、さらに、ＡＰＣ層の上層に同様にスパッタ法とエッチング法でＩＴＯ層を成膜して非透明電極（反射電極）である第１電極１０７を形成する。さらに、感光性組成物を塗布及びプリベークしてプリベーク膜１３１を形成する。次に、（工程２）ハーフトーンフォトマスク１３２を介して活性化学線１３３を照射する。その後、（工程３）アルカリ濃度を調整したアルカリ現像液を用いて現像時間を調整して現像してパターン加工し、画素分割層の非開口部１３４を含むパターンを形成する。次いで、（工程４）パターンに活性化学線を照射して光反応及び／又は光硬化させた後、必要に応じてパターンをミドルベークする。次に、（工程５）アルカリ濃度を調整したアルカリ現像液及び／又は有機溶媒を用いて現像時間を調整して現像することで、画素分割層の開口部１３５によって第１電極１０７を開口させてパターン加工した後、必要に応じてパターンに活性化学線を照射及び／又はパターンをミドルベークする。さらに、パターンを加熱して熱硬化させることで、画素分割層における厚膜部１１６を含む段差形状を有する画素分割層１０６Ａを形成する。

　＜表示装置の製造方法＞
　本発明の表示装置の製造方法は、次の（１）～（６）の工程を有する表示装置の製造方法である。なおこれらの工程において、国際公開第２０１９／０８７９８５号の段落［０４５３］～段落［０４８１］に記載の各方法を適用しても構わない。
（１）第１電極を形成する工程、
（２）第１電極上に、画素分割層を形成する工程、
（３）第１電極上に、発光層を含む有機層を形成する工程、
（４）発光層を含む有機層上に、第２電極を形成する工程、
（５）封止層を形成する工程、及び、
（６）カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を形成する工程。

　本発明の第四の態様である表示装置の製造方法は、
（１）第１電極を形成する工程、
（２）該第１電極上に、画素分割層を形成する工程、
（３）該第１電極上に、発光層を含む有機層を形成する工程、
（４）該発光層を含む有機層上に、第２電極を形成する工程、
（５）封止層を形成する工程、及び、
（６）カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を形成する工程、を有する、表示装置の製造方法であって、
　該（２）の該第１電極上に、画素分割層を形成する工程が、
　（２Ａ－ａ）画素分割層を形成する工程、及び、
　（２Ｂ－ａ）画素寸法制御層を、該画素分割層上の少なくとも一部及び該第１電極上の少なくとも一部を覆うように形成する工程（以下、「（２Ｂ－ａ）工程」）、を有する表示装置の製造方法である。

　画素分割層の形成において、特定の光学濃度を有する画素分割層を精度良く形成することが求められている。中でも、着色剤を含有する感光性組成物を用いたフォトリソグラフィーで形成することが検討されている。しかしながら、このような構成において、画素部となる画素分割層部の開口部のパターン寸法制御が困難な場合がある。そこで上記のように、画素分割層を形成し、さらに、画素寸法制御層を形成することで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する表示装置を製造可能である。その結果、画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法、及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を高精度に制御できる。従って、本発明の第四の態様である表示装置の製造方法は、優れたパターン寸法均一性、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備える表示装置を製造可能である。

　本発明の第五の態様である表示装置の製造方法は、
（１）第１電極を形成する工程、
（２）該第１電極上に、画素分割層を形成する工程、
（３）該第１電極上に、発光層を含む有機層を形成する工程、
（４）該発光層を含む有機層上に、第２電極を形成する工程、
（５）封止層を形成する工程、及び、
（６）カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を形成する工程、を有する、表示装置の製造方法であって、
　該（２）該第１電極上に、画素分割層を形成する工程が、
　（２Ｃ－ａ）ハーフトーンフォトマスクを用いて、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を形成する工程、を有し、
　該ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、該透光部と該遮光部の間に透過率が該透光部の値より低く、かつ透過率が該遮光部の値より高い半透光部を有し、
　該遮光部の外周は、透過率が該透光部の値より低く、かつ透過率が該半透光部の値より高い中間透光部に外接しているフォトマスク、又は、
　該遮光部の外周は、該半透光部を介して透過率が該透光部の値より低く、かつ透過率が該半透光部の値より高い中間透光部に外接しているフォトマスクである、表示装置の製造方法である。

　画素分割層の形成において、特定の光学濃度を有し、かつ段差形状を有する画素分割層を精度良く形成することが求められている。中でも、着色剤を含有する単一の感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いた段差形状を一括加工する方法で、そのような画素分割層を形成することが検討されている。しかしながら、このような構成において、ハーフトーン露光によって形成され、画素部となる画素分割層部の開口部のパターン寸法制御が困難な場合がある。そこで上記のように、段差形状を有する画素分割層において、画素分割層部の開口部に接するテーパー部の周辺に中間膜厚部を形成することで、アルカリ現像時のサイドエッチングを抑制できる。その結果、アルカリ現像後の開口バラツキが抑制されることで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する表示装置を製造可能である。また表示装置は、画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法、及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を高精度に制御できる。従って、本発明の第五の態様である表示装置の製造方法は、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備える表示装置を製造可能である。

　本発明の第六の態様である表示装置の製造方法は、
（１）第１電極を形成する工程、
（２）該第１電極上に、画素分割層を形成する工程、
（３）該第１電極上に、発光層を含む有機層を形成する工程、
（４）該発光層を含む有機層上に、第２電極を形成する工程、
（５）封止層を形成する工程、及び、
（６）カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を形成する工程、を有する、表示装置の製造方法であって、
　該（２）該第１電極上に、画素分割層を形成する工程が、
　（２Ｄ－ａ）感光性組成物の塗膜にハーフトーンフォトマスクを介して活性化学線を照射する工程、
　（２Ｄ－ｂ）現像液を用いて現像し、該感光性組成物の段差形状を有するパターンを形成し、かつ、該段差形状を有するパターンの開口部において該第１電極を開口させない工程、
　（２Ｄ－ｃ）該段差形状を有するパターンに光照射し、光反応及び／又は光硬化させる工程、及び、
　（２Ｄ－ｄ）アルカリ溶液及び／又は有機溶媒を用いて現像し、該感光性組成物の段差形状を有するパターンを形成し、かつ、該段差形状を有するパターンの開口部において該第１電極を開口させる工程、を有し、
　該ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、該透光部と該遮光部の間に透過率が該透光部の値より低く、かつ透過率が該遮光部の値より高い半透光部を有するフォトマスクである、表示装置の製造方法である。

　画素分割層の形成において、特定の光学濃度を有し、かつ段差形状を有する画素分割層を精度良く形成することが求められている。中でも、着色剤を含有する単一の感光性組成物及びハーフトーンフォトマスクを用いた段差形状を一括加工する方法で、そのような画素分割層を形成することが検討されている。しかしながら、このような構成において、ハーフトーン露光によって形成され、画素部となる画素分割層部の開口部のパターン寸法制御が困難な場合がある。そこで上記のように、段差形状を有する画素分割層において、画素分割層部の開口部を完全には開口させないことで、アルカリ現像時のサイドエッチングを抑制させた上で画素分割層を形成できる。次いで、追加の光反応及び／又は追加の光硬化をさせた後、画素分割層部の開口部を開口させて第１電極を露出させることで、画素部となる開口部のパターン寸法を高精度に制御できるため、優れたパターン寸法均一性の効果を奏功する表示装置を製造可能である。その結果、表示装置は、画素部のパターン寸法、カラーフィルタ層部のパターン寸法、及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を高精度に制御できる。従って、本発明の第六の態様である表示装置の製造方法は、優れた外光反射抑制効果、高発光輝度、高発光色純度、及び発光素子の高信頼性を兼ね備える表示装置を製造可能である。

　＜（２）第１電極上に、画素分割層を形成する工程が有するその他の工程＞
　本発明の第四の態様である表示装置の製造方法は、（２）工程が、（２Ａ－ａ）画素分割層を形成する工程、及び、（２Ｂ－ａ）画素寸法制御層を、画素分割層上の少なくとも一部及び第１電極上の少なくとも一部を覆うように形成する工程（以下、「（２Ｂ－ａ）工程」）を有する。

　本発明の表示装置の製造方法は、（２Ａ－ａ）画素分割層を形成する工程が、（２Ａ－ｂ）ハーフトーンフォトマスクを用いて、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を形成する工程（以下、「（２Ａ－ｂ）工程」）であって、ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、透光部と遮光部の間に透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い半透光部を有するフォトマスクであることが好ましい。

　また、本発明の表示装置の製造方法が、（２Ａ－ｂ）工程及び（２Ｂ－ａ）工程を有することで、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を有し、かつ、画素分割層部上の少なくとも一部を覆うように形成されている画素寸法制御層部を有する表示装置を製造可能である。

　本発明の表示装置の製造方法は、（２Ｂ－ａ）画素寸法制御層を、画素分割層上の少なくとも一部及び第１電極上の少なくとも一部を覆うように形成する工程が、（２Ｂ－ｂ）ハーフトーンフォトマスクを用いて、段差形状を有するパターンを含む画素寸法制御層を、画素分割層上の少なくとも一部及び第１電極上の少なくとも一部を覆うように形成する工程（以下、「（２Ｂ－ｂ）工程」）であって、ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、透光部と遮光部の間に透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い半透光部を有するフォトマスクであることが好ましい。

　本発明の表示装置の製造方法が、（２Ａ－ａ）工程及び（２Ｂ－ｂ）工程を有することで、段差形状を有しないパターンを含む画素分割層を有し、かつ、画素分割層部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、段差形状を有するパターンを含む画素寸法制御層部を有する表示装置を製造可能である。

　（２Ｂ－ａ）工程及び（２Ｂ－ｂ）工程は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層上の少なくとも一部及び第１電極上の少なくとも一部を覆うように画素寸法制御層を形成することが好ましい。（２Ｂ－ａ）工程及び（２Ｂ－ｂ）工程は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部を覆うように画素寸法制御層を形成することがより好ましい。（２Ｂ－ａ）工程及び（２Ｂ－ｂ）工程は、平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部及び厚膜部上の少なくとも一部を覆うように画素寸法制御層を形成することがさらに好ましい。

　（２Ｂ－ａ）工程及び（２Ｂ－ｂ）工程は、平面視において、画素寸法制御層部の開口部における、第１電極上かつ発光層を含む有機層が形成された箇所が画素部であるように画素寸法制御層を形成することが好ましい。

　（２Ｂ－ａ）工程及び（２Ｂ－ｂ）工程は、平面視において、画素寸法制御層部の開口部に対応する画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するように画素寸法制御層を形成することが好ましい。

　本発明の第五の態様である表示装置の製造方法は、（２）工程が、（２Ｃ－ａ）ハーフトーンフォトマスクを用いて、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を形成する工程（以下、「（２Ｃ－ａ）工程」）、を有し、ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、透光部と遮光部の間に透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い半透光部を有し、遮光部の外周は、透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が半透光部の値より高い中間透光部に外接しているフォトマスク、又は、遮光部の外周は、半透光部を介して透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が半透光部の値より高い中間透光部に外接しているフォトマスクである。

　本発明の表示装置の製造方法は、（２）工程が、（２Ｃ－ａ）ハーフトーンフォトマスクを用いて、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を形成する工程（以下、「（２Ｃ－ａ）工程」）、を有し、ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、透光部と遮光部の間に透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い半透光部を有し、遮光部の外周は、透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が半透光部の値より高い中間透光部に外接しているフォトマスク、又は、遮光部の外周は、半透光部を介して透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が半透光部の値より高い中間透光部に外接しているフォトマスクであることが好ましい。

　本発明の表示装置の製造方法が、（２Ｃ－ａ）工程を有することで、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を有し、かつ、パターンの段差形状において最も大きい厚さを有する厚膜部、厚膜部の厚さより小さい厚さを有する薄膜部、及び、薄膜部のうち画素分割層のテーパー部が接する中間膜厚部を含む画素分割層を有する表示装置を製造可能である。

　（２Ｃ－ａ）工程は、平面視において、画素分割層部の開口部における、第１電極上かつ発光層を含む有機層が形成された箇所が画素部であるように画素分割層を形成することが好ましい。

　（２Ｃ－ａ）工程は、平面視において、画素分割層部の開口部の外周が画素分割層部のテーパー部と接し、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部に囲まれるように画素分割層を形成することが好ましい。

　（２Ｃ－ａ）工程は、平面視において、中間膜厚部が画素分割層部の薄膜部に囲まれるように画素分割層を形成することが好ましい。

　（２Ｃ－ａ）工程は、平面視において、画素分割層部の開口部に対応する画素部が、カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するように画素分割層を形成することが好ましい。

　本発明の第六の態様である表示装置の製造方法は、（２）工程が、（２Ｄ－ａ）感光性組成物の塗膜にハーフトーンフォトマスクを介して活性化学線を照射する工程（以下、「（２Ｄ－ａ）工程」）、（２Ｄ－ｂ）現像液を用いて現像し、感光性組成物の段差形状を有するパターンを形成し、かつ、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させない工程（以下、「（２Ｄ－ｂ）工程」）、（２Ｄ－ｃ）段差形状を有するパターンに光照射し、光反応及び／又は光硬化させる工程（以下、「（２Ｄ－ｃ）工程」）、及び、（２Ｄ－ｄ）アルカリ溶液及び／又は有機溶媒を用いて現像し、感光性組成物の段差形状を有するパターンを形成し、かつ、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させる工程（以下、「（２Ｄ－ｄ）工程」）、を有し、ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、透光部と遮光部の間に透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い半透光部を有するフォトマスクである。

　本発明の表示装置の製造方法は、（２）工程が、（２Ｄ－ａ）感光性組成物の塗膜にハーフトーンフォトマスクを介して活性化学線を照射する工程（以下、「（２Ｄ－ａ）工程」）、（２Ｄ－ｂ）現像液を用いて現像し、感光性組成物の段差形状を有するパターンを形成し、かつ、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させない工程（以下、「（２Ｄ－ｂ）工程」）、（２Ｄ－ｃ）段差形状を有するパターンに光照射し、光反応及び／又は光硬化させる工程（以下、「（２Ｄ－ｃ）工程」）、及び、（２Ｄ－ｄ）アルカリ溶液及び／又は有機溶媒を用いて現像し、感光性組成物の段差形状を有するパターンを形成し、かつ、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させる工程（以下、「（２Ｄ－ｄ）工程」）、を有し、ハーフトーンフォトマスクが、透光部及び遮光部を含み、透光部と遮光部の間に透過率が透光部の値より低く、かつ透過率が遮光部の値より高い半透光部を有するフォトマスクであることが好ましい。

　（２Ｄ－ｂ）工程は、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させない工程である。現像液としてアルカリ溶液を用いる場合、（２Ｄ－ｂ）工程は、アルカリ溶液中のアルカリ濃度、現像液温度、及び現像時間からなる群より選ばれる一種類以上の条件の調整により、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させないことが好ましい。現像液として有機溶媒を用いる場合、（２Ｄ－ｂ）工程は、有機溶媒の種類、現像液温度及び現像時間からなる群より選ばれる一種類以上の条件の調整により、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させないことが好ましい。

　（２Ｄ－ｃ）工程は、段差形状を有するパターンに活性化学線を照射し、光反応及び／又は光硬化させる工程、段差形状を有するパターンを活性ガス紫外線処理し、光反応及び／又は光硬化させる工程、及び、段差形状を有するパターンをプラズマ処理し、光反応及び／又は光硬化させる工程からなる群より選ばれる一種類以上の工程を有することが好ましい。

　（２Ｄ－ｄ）工程は、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させる工程である。現像液としてアルカリ溶液を用いる場合、（２Ｄ－ｄ）工程は、アルカリ溶液中のアルカリ濃度、現像液温度及び現像時間からなる群より選ばれる一種類以上の条件の調整により、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させることが好ましい。現像液として有機溶媒を用いる場合、（２Ｄ－ｄ）工程は、有機溶媒の種類、現像液温度及び現像時間からなる群より選ばれる一種類以上の条件の調整により、段差形状を有するパターンの開口部において第１電極を開口させることが好ましい。

　本発明の表示装置の製造方法が、（２Ｄ－ａ）工程、（２Ｄ－ｂ）工程、（２Ｄ－ｃ）工程及び（２Ｄ－ｄ）工程を有することで、段差形状を有するパターンを含む画素分割層を有する表示装置を製造可能である。

　以上の工程により、第１電極と第２電極とが交差し、かつ画素分割層部の開口部又は画素寸法制御層部の開口部に対応する画素部を有する表示装置を製造可能である。本発明の表示装置における画素部は、対向配置された第１電極と第２電極とが交差して重なる箇所であって、さらに、第１電極上の画素分割層部によって区画される箇所であって、第１電極上かつ発光層を含む有機層が形成された箇所であることが好ましい。アクティブマトリックス型表示装置において、スイッチング手段が形成される構造が画素部の一部と重畳することがある。そのような構成の場合、画素部の形状は一部が欠落した形状であっても構わない。

　本発明の表示装置の製造方法は、上述した（６）工程の後、さらに、無機層及び／又は有機層の積層構造を形成する工程を有することが好ましい。また、カラーフィルタ層、ブラックマトリックス層又はオーバーコート層（以下、「カラーフィルタ層等」）の上層に、さらに、無機層及び／又は有機層の積層構造を形成する工程（以下、「カラーフィルタ層等の上層における積層工程」）を有することがより好ましい。カラーフィルタ層等の上層における積層工程は、同一の基板上における、カラーフィルタ層等の上層に、無機層及び／又は有機層の積層構造を形成する工程が好ましい。一方、カラーフィルタ層等の上層における積層工程は、異なる基板上に、無機層及び／又は有機層の積層構造を形成する工程の後、無機層及び／又は有機層の積層構造を、カラーフィルタ層等の上層に貼り合わせる工程も好ましい。また、無機層及び／又は有機層の積層構造を、カラーフィルタ層等の上層に接着層で貼り合わせる工程がより好ましい。無機層及び有機層としては、例えば、接着層、金属配線、配線電極、タッチパネル配線、タッチパネル電極、層間絶縁層、配線保護層、段差平坦化層、直線偏光板、１／４波長板、円偏光板又は基板が挙げられる。

　本発明の表示装置の製造方法は、有機ＥＬディスプレイ、量子ドットディスプレイ又はマイクロＬＥＤディスプレイの製造に好適であり、有機ＥＬディスプレイの製造に特に好適である。

　以下に実施例、参考例、及び比較例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの範囲に限定されない。なお、以下実施例の説明または表で用いた化合物のうち略語を使用しているものについて、略語に対応する名称を、まとめて表１－１に示す。

　＜各樹脂の合成例＞
　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂として、合成例１～２２で得られた各樹脂の組成を、まとめて表１－２～表１－５に示す。各樹脂は公知の文献に記載の方法に基づき、適宜モノマーとなる単量体化合物や共重合比率を変更して、公知の方法により合成した。モノマーの共重合比率は、表１－２～表１－５の通りである。

　合成例４で使用した下記構造のヒドロキシ基含有ジアミンである（ＨＡ）は、国際公開第２０１６／０５６４５１号の段落［０３７４］～段落［０３７６］における、合成例１に記載の合成方法に基づき、公知の方法により合成した。なお下記構造のヒドロキシ基含有ジアミンである（ＨＡ）を用いて合成例４で得られた樹脂は、アミド酸エステル構造単位、アミド酸構造単位、及びイミド閉環構造を有するポリイミド前駆体である。

　合成例１４において、国際公開第２０１２／１４１１６５号の段落［０１０９］～段落［０１２２］における、合成例３及び合成例５に記載の合成方法に基づき、ＸＬＮと４－ヒドロキシベンズアルデヒドとの縮合反応物に代えて、ＸＬＮとＳＡＤとの縮合反応物として下記構造のフェノール化合物を合成し、得られたフェノール化合物をアルデヒド化合物との縮合反応に使用した。

　合成例４において、樹脂中のアミド酸構造単位に対してエステル化剤であるＤＦＡを反応させており、メチル基を有するアミド酸エステル構造単位に構造変換させた。

　合成例１３において、樹脂中のＭＡＡに由来するカルボキシ基に対してエポキシ基を有するＧＭＡを反応させており、ＧＭＡのエポキシ基を全て開環付加させた。

　合成例２２において、樹脂中のＨＰＭＡに由来するフェノール性水酸基に対してエポキシ基を有するＧＭＡを反応させており、ＧＭＡのエポキシ基を全て開環付加させた。

　各合成例で得られた樹脂、並びに、各実施例、参考例、及び比較例で使用した樹脂について、各樹脂が有する構造単位と構造を、まとめて表２－１に示す。

　＜各顔料分散液の調製例＞
　調製例１　顔料分散液（Ｂｋ－１）の調製
　分散剤としてＡＤＰを３５．０ｇ、溶剤としてＰＧＭＥＡを７６５．０ｇ秤量して混合し、１０分間攪拌して拡散した後、着色剤としてＢｋ－Ｓ０１００ＣＦを１００．０ｇ秤量して混合して３０分間攪拌して予備攪拌液を得た。粉砕メディアとして、ジルコニウム元素とハフニウム元素との複合酸化物（ＺｒＯ_２－ＨｆＯ_２）の純分が９０質量％以上のセラミックビーズである０．４０ｍｍφの複合酸化物からなる粉砕メディア（ジルコニア（ＺｒＯ_２）／酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）／酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）＝９３．３／１．５／４．９／０．３（質量比））がベッセル内に充填された縦型ビーズミルに予備攪拌液を送液し、循環方式で第一の湿式メディア分散処理を周速８ｍ／ｓで３時間行った。さらに、粉砕メディアとして、０．０５ｍｍφの複合酸化物からなる粉砕メディア（ジルコニア（ＺｒＯ_２）／酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）／酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）＝９３．３／１．５／４．９／０．３（質量比））がベッセル内に充填された縦型ビーズミルに送液し、数平均粒子径が８０ｎｍとなるように循環方式で第二の湿式メディア分散処理を周速９ｍ／ｓで行った。その後、０．８０μｍφのフィルターで濾過を行い、固形分濃度１５質量％、着色剤／分散剤＝１００／３５（質量比）の顔料分散液（Ｂｋ－１）を得た。得られた顔料分散液中の顔料の平均一次粒子径は８０ｎｍであった。

　顔料分散液として、調製例１～７で得られた各分散液の組成を、まとめて表２－２に示す。調製例２～７は、各顔料分散液を調製例１と同様の方法により調製した。各実施例、参考例、及び比較例で使用した（Ｄ）着色剤及び（Ｅ）分散剤の一覧と説明も、まとめて表２－２に示す。

　合成例２３　シリカ粒子（ＳＰ－１）分散液の合成
　三口フラスコに、溶剤としてＭＥＫを１０４．５ｇ、ナトリウム元素を含有するシリカ粒子分散液としてＭＥＫ－ＳＴ－４０を１４２．５ｇ、重合禁止剤としてＭＯＰを０．０１ｇ秤量して添加して混合し、１０分間攪拌した後、液温を５０℃に昇温した。次いで、表面修飾剤として、３．０ｇのＫＢＭ－５０３を５０．０ｇのＭＥＫに溶解させた溶液を１０分間かけて滴下した。滴下終了後、５０℃で２時間攪拌して表面修飾剤を脱水縮合させた。反応後、反応溶液を室温に冷却し、シリカ粒子（ＳＰ－１）分散液を得た。得られたシリカ粒子（ＳＰ－１）は、ラジカル重合性基としてメタクリロイル基を含む表面修飾基を有する。

　各実施例、参考例、及び比較例で使用したシリカ粒子の一覧と説明を、まとめて表２－３に示す。なおシリカ粒子（ＳＰ－２）の分散液である（ＭＳｉＰ－１）は、ナトリウム元素を含有するシリカ粒子分散液としてＭＥＫ－ＳＴ－４０、表面修飾剤としてＫＢＭ－１３を用いて、重合禁止剤であるＭＯＰは用いずに、メチルシリル基を含む表面修飾基を有するシリカ粒子を合成して用いた。シリカ粒子（ＳＰ－３）の分散液である（ＭＳｉＰ－２）は、ナトリウム元素を含有するシリカ粒子分散液としてＭＥＫ－ＳＴ－Ｌ、表面修飾剤としてＫＢＭ－１３を用いて、重合禁止剤であるＭＯＰは用いずに、メチルシリル基を含む表面修飾基を有するシリカ粒子を合成して使用した。

　＜各実施例、参考例、及び比較例における評価方法＞
　各実施例、参考例、及び比較例における評価方法を以下に示す。

　（１）樹脂の重量平均分子量
　ＧＰＣ分析装置（ＨＬＣ－８２２０；東ソー（株）製）を用い、流動層としてテトラヒドロフラン又はＮ－メチル－２－ピロリドンを用いて、「ＪＩＳ　Ｋ　７２５２－３（２００８）」に基づき、常温付近での方法によりポリスチレン換算の重量平均分子量を測定して求めた。

　（２）酸当量
　電位差自動滴定装置（ＡＴ－５１０；京都電子工業（株）製）を用い、滴定試薬として０．１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム／エタノール溶液、滴定溶剤としてキシレン／Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド＝１／１（質量比）を用いて、「ＪＩＳ　Ｋ　２５０１（２００３）」に基づき、電位差滴定法により、フェノール性水酸基及びカルボキシ基の酸価（単位はｍｇＫＯＨ／ｇ）を測定して求めた。測定したフェノール性水酸基及びカルボキシ基の酸価の値から、フェノール性水酸基及びカルボキシ基の酸当量（単位はｇ／ｍｏｌ）を算出した。なおシラノール基の酸当量は、以下の方法により算出した。シラノール基をアセチル化する反応において、アセチル化試薬として無水酢酸、触媒としてイミダゾール及びＮ，Ｎ’－ジメチルアミノピリジン、溶剤としてＮ，Ｎ－ジメチルホルムアミドを用いて、同様に電位差滴定法により、シラノール価（単位はｍｇＫＯＨ／ｇ）を測定して求めた。測定したシラノール価の値から、シラノール基の酸当量（単位はｇ／ｍｏｌ）を算出した。

　（３）二重結合当量
　電位差自動滴定装置（ＡＴ－５１０；京都電子工業（株）製）を用い、ヨウ素供給源として一塩化ヨウ素溶液（三塩化ヨウ素＝７．９ｇ、ヨウ素＝８．９ｇ、酢酸＝１，０００ｍＬの混合溶液）、未反応ヨウ素の捕捉水溶液として１００ｇ／Ｌのヨウ化カリウム水溶液、滴定試薬として０．１ｍｏｌ／Ｌのチオ硫酸ナトリウム水溶液を用いて、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２「化学製品の酸価、けん化価、エステル価、よう素価、水酸基価、及び不けん化物の試験方法」の「第６項よう素価」に記載の方法に基づき、ウィイス法により、樹脂のヨウ素価を測定した。測定したヨウ素価（単位はｇＩ／１００ｇ）の値から、二重結合当量（単位はｇ／ｍｏｌ）を算出した。

　（４）顔料分散液中の顔料の平均一次粒子径
　動的光散乱法粒度分布測定装置（ＳＺ－１００；（株）堀場製作所製）を用い、レーザー波長を５３２ｎｍ、希釈溶媒としてＰＧＭＥＡ、希釈倍率を２５０倍（質量比）、溶媒粘度を１．２５、溶媒屈折率を１．４０、測定温度を２５℃、測定モードを散乱光、演算条件を多分散・ブロードとして、Ｄ５０（メジアン径）を測定した。なお測定回数を２回として、平均値を顔料分散液中の顔料の平均一次粒子径とした。

　（５）基板の前処理
　ガラス上に、ＡＰＣ（銀／パラジウム／銅＝９８．０７／０．８７／１．０６（質量比））をスパッタにより１００ｎｍ成膜し、さらに、ＡＰＣ層の上層に、ＩＴＯをスパッタにより１０ｎｍ成膜したガラス基板（ジオマテック（株）製；以下、「ＩＴＯ／Ａｇ基板」）は、卓上型光表面処理装置（ＰＬ１６－１１０；セン特殊光源（株）製）を用いて、１００秒間ＵＶ－Ｏ_３洗浄処理をして使用した。テンパックスガラス基板（ＡＧＣテクノグラス（株）製）は、前処理をせずに使用した。

　（６）膜厚測定
　表面粗さ・輪郭形状測定機（ＳＵＲＦＣＯＭ１４００Ｄ；（株）東京精密製）を用いて、測定倍率を１０，０００倍、測定長さを１．０ｍｍ、測定速度を０．３０ｍｍ／ｓとして、膜厚を測定した。

　（７）遮光性（光学濃度値（以下、「ＯＤ値」））
　下記、実施例１記載の方法で、テンパックスガラス基板上に組成物の硬化膜を作製した。透過濃度計（Ｘ－Ｒｉｔｅ　３６１Ｔ（Ｖ）；Ｘ－Ｒｉｔｅ社製）を用いて、作製した硬化膜の面内３箇所における入射光強度（Ｉ_０）及び透過光強度（Ｉ）をそれぞれ測定した。遮光性の指標として、膜厚１μｍ当たりのＯＤ値を下記式により算出し、面内３箇所におけるＯＤ値の平均値を算出した。
ＯＤ値＝ｌｏｇ_１０（Ｉ_０／Ｉ）。

　（８）発光素子の外光反射特性（反射率及び輝度コントラスト）
　＜反射率評価＞
　下記、実施例１記載の方法で作製した有機ＥＬディスプレイを、分光測色計（ＣＭ－２６００ｄ；コニカミノルタジャパン（株）製）を用いて、外光反射特性の指標として、有機ＥＬディスプレイ表面の反射率を測定した。なお反射率は、正反射光を含むＳＣＩ方式での波長５５０ｎｍにおける反射率（正反射）を測定した。反射率（正反射）は、値が小さいほど外光反射抑制の効果が高いことを示す。下記のように判定し、反射率が３０．０％以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋及びＣを合格とし、反射率が２０．０％以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋及びＢを良好とし、反射率が１０．０％以下となる、Ａ＋及びＡを優秀とした。
Ａ＋：反射率が５．０％以下
Ａ：反射率が５．０％を超え、かつ１０．０％以下
Ｂ＋：反射率が１０．０％を超え、かつ１５．０％以下
Ｂ：反射率が１５．０％を超え、かつ２０．０％以下
Ｃ＋：反射率が２０．０％を超え、かつ２５．０％以下
Ｃ：反射率が２５．０％を超え、かつ３０．０％以下
Ｄ：反射率が３０．０％を超え、かつ４０．０％以下
Ｅ：反射率が４０．０％を超過。

　＜輝度コントラスト評価＞
　下記、実施例１記載の方法で作製した有機ＥＬディスプレイを、蛍光灯の直下２．４ｍ、照度５００ｌｘの環境下、水平に対して４５°傾けて配置した。次に、有機ＥＬディスプレイを反射面として、蛍光灯と分光放射輝度計（ＣＳ－１０００；コニカミノルタ（株）製）が正対するように配置した。このように配置した状態で、分光放射輝度計（ＣＳ－１０００；コニカミノルタ（株）製）を用いて有機ＥＬディスプレイ表面の輝度（暗輝度）を測定した。上記の環境下、有機ＥＬディスプレイを、０．６２５ｍＡで直流駆動にて発行させ、分光放射輝度計（ＣＳ－１０００；コニカミノルタ（株）製）を用いて有機ＥＬディスプレイ表面の輝度（明輝度）を測定した。測定した暗輝度と明輝度から、外光反射特性の指標として、暗輝度に対する明輝度の比（明輝度／暗輝度）である輝度コントラストを算出した。輝度コントラストは、値が大きいほど外光反射抑制の効果が高いことを示す。下記のように判定し、輝度コントラストが２．０以上となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋及びＣを合格とし、輝度コントラストが２．５以上となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋及びＢを良好とし、輝度コントラストが３．０以上となる、Ａ＋及びＡを優秀とした。
Ａ＋：輝度コントラストが３．３以上
Ａ：輝度コントラストが３．０以上、かつ３．３未満
Ｂ＋：輝度コントラストが２．８以上、かつ３．０未満
Ｂ：輝度コントラストが２．５以上、かつ２．８未満
Ｃ＋：輝度コントラストが２．３以上、かつ２．５未満
Ｃ：輝度コントラストが２．０以上、かつ２．３未満
Ｄ：輝度コントラストが１．５以上、かつ２．０未満
Ｅ：輝度コントラストが１．５未満。

　（９）発光素子の発光特性（低電圧駆動特性・発光輝度、発光素子の信頼性、発光輝度均一性）
　＜低電圧駆動特性・発光輝度評価（電流密度－電圧特性評価）＞
　下記、実施例１記載の方法で作製した有機ＥＬディスプレイを、低電圧側から順次電圧値を変え、電流密度が３０ｍＡ／ｃｍ^２となるまで直流駆動にて発光させた。低電圧側から順次電圧値を変えた場合における電圧値及び電流密度をプロットし、低電圧駆動特性・発光輝度の指標として、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となる駆動電圧を求めた。下記のように判定し、駆動電圧が４．５Ｖ以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋及びＣを合格とし、駆動電圧が４．０Ｖ以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋及びＢを良好とし、駆動電圧が３．５Ｖ以下となる、Ａ＋及びＡを優秀とした。
Ａ＋：駆動電圧が３．２Ｖ以下
Ａ：駆動電圧が３．２Ｖを超え、かつ３．５Ｖ以下
Ｂ＋：駆動電圧が３．５Ｖを超え、かつ３．７Ｖ以下
Ｂ：駆動電圧が３．７Ｖを超え、かつ４．０Ｖ以下
Ｃ＋：駆動電圧が４．０Ｖを超え、かつ４．２Ｖ以下
Ｃ：駆動電圧が４．２Ｖを超え、かつ４．５Ｖ以下
Ｄ：駆動電圧が４．５Ｖを超え、かつ５．５Ｖ以下
Ｅ：駆動電圧が５．５Ｖを超過、又は測定不能。

　＜発光素子の信頼性評価＞
　下記、実施例１記載の方法で作製した有機ＥＬディスプレイを、１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動にて発光させ、非発光領域や輝度ムラなどの発光不良がないかを観察した。また耐久性試験として、発光素子の光取り出し側を上にして８０℃に加熱し、波長３６５ｎｍ、照度０．６ｍＷ／ｃｍ^２の光を照射して５００時間保持した。５００時間後、有機ＥＬディスプレイを１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動にて発光させて発光特性に変化がないかを観察した。発光素子の信頼性の指標として、耐久性試験前の発光領域面積を１００％とした場合における、耐久性試験後の発光領域面積を測定した。下記のように判定し、発光領域面積が８０％以上となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋及びＣを合格とし、発光領域面積が９０％以上となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋及びＢを良好とし、発光領域面積が９７％以上となる、Ａ＋及びＡを優秀とした。
Ａ＋：発光領域面積が１００％
Ａ：発光領域面積が９７％以上、かつ１００％未満
Ｂ＋：発光領域面積が９４％以上、かつ９７％未満
Ｂ：発光領域面積が９０％以上、かつ９４％未満
Ｃ＋：発光領域面積が８５％以上、かつ９０％未満
Ｃ：発光領域面積が８０％以上、かつ８５％未満
Ｄ：発光領域面積が６０％以上、かつ８０％未満
Ｅ：発光領域面積が６０％未満。

　＜発光輝度均一性評価＞
　下記、実施例１記載の方法で作製した有機ＥＬディスプレイを、低電圧側から順次電圧値を変え、電流密度が３０ｍＡ／ｃｍ^２となるまで直流駆動にて発光させた。低電圧側から順次電圧値を変えた場合における電圧値及び電流密度をプロットし、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となる駆動電圧を求めた。同様の方法で、作製した４つの有機ＥＬディスプレイにおける、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となる駆動電圧を求めた。発光輝度均一性の指標として、４つの有機ＥＬディスプレイの駆動電圧の最大値と最小値との差を算出した。下記のように判定し、最大値と最小値との差が０．４５以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋、Ｂ、Ｃ＋及びＣを合格とし、最大値と最小値との差が０．３０以下となる、Ａ＋、Ａ、Ｂ＋及びＢを良好とし、最大値と最小値との差が０．１８以下となる、Ａ＋及びＡを優秀とした。
Ａ＋：最大値と最小値との差が０．１５以下
Ａ：最大値と最小値との差が０．１５を超え、かつ０．１８以下
Ｂ＋：最大値と最小値との差が０．１８を超え、かつ０．２４以下
Ｂ：最大値と最小値との差が０．２４を超え、かつ０．３０以下
Ｃ＋：最大値と最小値との差が０．３０を超え、かつ０．３８以下
Ｃ：最大値と最小値との差が０．３８を超え、かつ０．４５以下
Ｄ：最大値と最小値との差が０．４５を超え、かつ０．６０以下
Ｅ：最大値と最小値との差が０．６０を超過。

　＜各実施例、参考例、及び比較例で使用した化合物＞
　各実施例、参考例、及び比較例で使用した（Ｆ１）化合物の一覧と物性値を、まとめて表２－４に示す。

　各実施例、参考例、及び比較例における略語に対応する名称を、まとめて表２－５に示す。また、各実施例、参考例、及び比較例で使用した化合物として、（ｂ－１）～（ｂ－２）、（ｃ－１）、（ｆ－１）～（ｆ－２）、（ｇ－１）～（ｇ－５）、（ｖ－１）、及び（ＮＱＤ－１）の構造を以下に示す。

　なお（ｖ－１）は、ポリオキシアルキレンエーテル化合物であり、疎水性構造（炭素数６のフェニル基を有する炭素数２のエチレン基が２つ結合した、炭素数６のフェニル基）、親水性構造（１２個の炭素数２のオキシエチレン基）、及び親水性基（オキシエチレン基に結合するヒドロキシ基）を有する。また（ｄ－８）は、Ａ．Ｒ．５２／Ｂ．Ｂ．７＝１／１（ｍｏｌ比）で混合して攪拌し、析出した塩をろ過して水で３回洗浄した後、乾燥させて得た染料である。

　＜実施例１＞
　表３－１に記載の組成にて、組成物１を調製した。まず、（Ｄ）着色剤を含まない調合液を調製した後、顔料分散液と調合液とを混合して組成物を調製した。溶剤として、ＰＧＭＥＡ／ＥＤＭ／ＭＢＡ＝７０／２０／１０（質量比）を用いて、組成物の固形分濃度が１５質量％となるように調製した。得られた組成物の溶液は、０．４５μｍφのフィルターで濾過して使用した。

　また調製例１と同様の方法により、顔料分散液（ＢＭ－１）及び顔料分散液（ＣＦ－１）を表２－６に記載の組成にて調製した。上記と同様の方法により、組成物Ｘ１～Ｘ４、組成物ＢＭ、組成物ＣＦ、及び組成物ＯＣを表２－６に記載の組成にて調製した。

　＜組成物の硬化膜の作製＞
　まず、組成物の硬化膜の作製方法について記載する。調製した組成物１を、ＩＴＯ／Ａｇ基板上にスピンコーター（ＭＳ－Ａ１００；ミカサ（株）製）を用いて任意の回転数でスピンコーティングにより塗布した後、ブザーホットプレート（ＨＰＤ－３０００ＢＺＮ；アズワン（株）製）を用いて１２０℃で１２０秒間プリベークし、膜厚約１．８μｍのプリベーク膜を作製した。作製したプリベーク膜を、フォトリソ用小型現像装置（ＡＤ－１２００；滝沢産業（株）製）を用いて、２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液でスプレー現像し、プリベーク膜（未露光部）が完全に溶解する時間（Ｂｒｅａｋｉｎｇ　Ｐｏｉｎｔ；以下、「ＢＰ」）を測定した。

　上述の方法と同様にプリベーク膜を作製し、作製したプリベーク膜を、両面アライメント片面露光装置（マスクアライナー　ＰＥＭ－６Ｍ；ユニオン光学（株）製）を用いて、感度測定用のグレースケールマスク（ＭＤＲＭ　ＭＯＤＥＬ　４０００－５－ＦＳ；Ｏｐｔｏ－Ｌｉｎｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社製）を介して、超高圧水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、及びｇ線（波長４３６ｎｍ）でパターニング露光した。露光後、フォトリソ用小型現像装置（ＡＤ－１２００；滝沢産業（株）製）を用いて、２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で現像し、水で３０秒間リンスして組成物１の現像後膜を作製した。現像時間は、測定したＢＰの１．３倍とした。現像後のパターンを観察し、２０μｍのライン・アンド・スペースパターンにおいて、開口部に相当するスペースパターンを１８μｍの寸法幅にて形成できる最適露光量（ｉ線照度計の値）を求めた。最適露光量で露光後、現像した後のパターンを、高温イナートガスオーブン（ＩＮＨ－９ＣＤ－Ｓ；光洋サーモシステム（株）製）を用いて２５０℃で熱硬化させ、膜厚約１．２μｍの組成物１の硬化膜を作製した。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２５０℃まで昇温し、２５０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。

　核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で硬化膜を分析し、硬化膜中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物１を硬化した硬化膜は、以下の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物１を硬化した硬化膜は、組成物１が含有する各構成成分に由来する構造を有する化合物を含有する。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位及びビフェニル構造を有する酸変性エポキシ樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有するフェノール樹脂
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：ベンゾカルバゾール構造を有し、ベンゾカルバゾール構造にイミノ基が結合した構造を有する化合物
（Ｄ－ＤＬ）着色剤：ベンゾフラノン系黒色顔料かつ一般式（１６１）で表される構造を有する化合物
リン酸系構造を有する化合物：ホスホン酸エステル構造を有する化合物
（Ｇ２－ＤＬ）化合物：１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン構造を有する化合物。

　＜有機ＥＬディスプレイの作製（画素分割層部、画素寸法制御層部及びスペーサ層部を具備する）＞
　次に、有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。図３３に、使用した基板の概略図を示す。まず、３８×４６ｍｍの無アルカリガラス基板４７に、非透明導電性金属層としてＡＰＣ（銀／パラジウム／銅＝９８．０７／０．８７／１．０６（質量比））をスパッタにより１００ｎｍ成膜し、エッチングによりパターン加工してＡＰＣ層を形成した。さらに、ＡＰＣ層の上層に透明導電性酸化膜層としてアモルファス性のＩＴＯをスパッタにより１０ｎｍ成膜し、エッチングにより、第１電極部４８として反射電極を形成した。また、第２電極を取り出すため補助電極部４９も同時に形成した（図３３（工程１））。得られた基板を“セミコクリーン”（登録商標）５６（フルウチ化学（株）製）で１０分間超音波洗浄し、超純水で洗浄した。次に、この基板上に、組成物１を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なお露光量は最適露光量とし、現像時間はＢＰの１．３倍とした。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２５０℃まで昇温し、２５０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。以上の方法で、幅１５μｍ及び長さ１５μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置され、それぞれの開口部が第１電極を露出せしめる形状の画素分割層部５０を、基板有効エリアに限定して形成した。また、基板有効エリアは、１６ｍｍ四方であり、画素分割層部５０の厚さは、約１．５μｍで形成した。

　次いで、画素分割層部５０を形成した基板上に、表２－６に記載の組成物Ｘ１を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。このような方法で、幅１３μｍ及び長さ１３μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置され、それぞれの開口部が第１電極を露出せしめる形状の画素寸法制御層部を、基板有効エリアに限定して形成した（図３３（工程２））。なお、この開口部が、最終的に有機ＥＬディスプレイの発光画素となる。また、基板有効エリアは、１６ｍｍ四方であり、画素寸法制御層部の厚さは、約０．５μｍで形成した。なお、画素寸法制御層部は開口部に隣接しており、画素寸法制御層部は、画素分割層部５０上の一部及び第１電極部上の一部を覆うように形成されている。また、画素分割層部５０の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、１．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素分割層部５０の端部までの距離は、２．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、３．０μｍとなるように形成した。画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。

　さらに、画素分割層部５０及び画素寸法制御層部を形成した基板上に、表２－６に記載の組成物Ｘ３を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なお現像時間は６０秒とし、露光量は事前に測定しておいた最適露光量とした。また熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。このような方法で、画素分割層部５０上の開口部に隣接しない複数の箇所に、幅３５μｍ及び長さ３５μｍの四角形のスペーサ層部を形成した。スペーサ層部の厚さは、約１．５μｍで形成した。

　次に、第１電極部４８、補助電極部４９、画素分割層部５０、及びスペーサ層部を形成した基板を用いて、有機ＥＬディスプレイの作製を行った。前処理として、窒素プラズマ処理を行った後、真空蒸着法により、発光層を含む有機ＥＬ層部５１を形成した（図３３（工程３））。なお、蒸着時の真空度は、１×１０^－３Ｐａ以下であり、蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔注入層として、化合物（ＨＴ－１）を１０ｎｍ、正孔輸送層として、化合物（ＨＴ－２）を５０ｎｍ蒸着した。次に、発光層に、ホスト材料として、化合物（ＧＨ－１）とドーパント材料として、化合物（ＧＤ－１）を、ドープ濃度が１０％になるように４０ｎｍの厚さに蒸着した。その後、電子輸送材料として、化合物（ＥＴ－１）と化合物（ＬｉＱ）を、体積比１：１で４０ｎｍの厚さに積層した。なお、有機ＥＬ層で用いた化合物（化合物（ＨＴ－１）、化合物（ＨＴ－２）、化合物（ＧＨ－１）、化合物（ＧＤ－１）、化合物（ＥＴ－１）、及び化合物（ＬｉＱ））は、国際公開第２０１７／０５７２８１号に記載のものと同一の次式に示す構造の化合物を用いた。

　次に、化合物（ＬｉＱ）を２ｎｍ蒸着した後、ＭｇＡｇ（マグネシウム／銀＝１０／１（体積比））を１０ｎｍ蒸着して第２電極部５２とし、透明電極を形成した（図３３（工程４））。その後、低湿窒素雰囲気下、エポキシ樹脂系接着剤を用いて、キャップ状ガラス板を接着することで封止をし、１枚の基板上に５ｍｍ四方のトップエミッション型有機ＥＬディスプレイを４つ作製した。なお、ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。

　次いで、作製した有機ＥＬディスプレイ上に、表２－６に記載の組成物ＢＭを上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なおプリベーク条件は、８０℃で１２０秒間加熱した。また熱硬化条件は、窒素雰囲気下、９５℃で６０分間熱硬化させた。このような方法で、画素部と重畳する幅１５．８μｍ及び長さ１５．８μｍの四角形の開口部を有するブラックマトリックス層部を形成した。ブラックマトリックス層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法は２２．４μｍであった。また組成物ＢＭを用いて形成したブラックマトリックス層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、かつ、膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が１．１であった。ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおけるブラックマトリックス層部の傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、表２－６に記載の組成物ＣＦを上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なおプリベーク条件は、８０℃で１２０秒間加熱した。また熱硬化条件は、窒素雰囲気下、９５℃で６０分間熱硬化させた。このような方法で、画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳する幅１４．４μｍ及び長さ１４．４μｍの四角形のカラーフィルタ層部を形成した。カラーフィルタ層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法は２０．４μｍであった。カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンの傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、表２－６に記載の組成物ＯＣを上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なおプリベーク条件は、８０℃で１２０秒間加熱した。また熱硬化条件は、窒素雰囲気下、９５℃で６０分間熱硬化させた。このような方法で、画素部、カラーフィルタ層部、ブラックマトリックス層部の開口部、及びブラックマトリックス層部と重畳するオーバーコート層部を形成した。カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部と重畳しない箇所におけるオーバーコート層部の厚さは、約５．０μｍで形成した。オーバーコート層部の２５℃でのＤ線における屈折率は１．６６であった。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部、及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板、及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。

　核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で画素寸法制御層を分析し、画素寸法制御層中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層は、以下の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層は、組成物Ｘ１が含有する各構成成分に由来する構造を有する化合物を含有する。また組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含有しない。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位及びビフェニル構造を有する酸変性エポキシ樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有するフェノール樹脂
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：ベンゾカルバゾール構造を有し、ベンゾカルバゾール構造にイミノ基が結合した構造を有する化合物
リン酸系構造を有する化合物：ホスホン酸エステル構造を有する化合物
（Ｇ２－ＤＬ）化合物：１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン構造を有する化合物。

　同様に、核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法でスペーサ層部を分析し、スペーサ層部中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物Ｘ３を硬化したスペーサ層部は、以下の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物Ｘ３を硬化したスペーサ層部は、組成物Ｘ３が含有する各構成成分に由来する構造を有する化合物を含有する。また組成物Ｘ３を硬化したスペーサ層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含有しない。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位及びビフェニル構造を有する酸変性エポキシ樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有するフェノール樹脂
（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物：１Ｈ－インデン－３－カルボン酸エステル－７－スルホン酸アリールエステル構造を有する化合物
（Ｇ２－ＤＬ）化合物：１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン構造を有する化合物。

　＜実施例２～８４及び比較例１～４＞
　実施例１と同様に、組成物２～８２を表３－１～表８に記載の組成にて調製した。表３－１～表８において括弧内の数値は各成分の固形分の質量部を示す。得られた各組成物を用いて、実施例１と同様に、基板上に組成物を成膜して感光特性、硬化膜特性、及び発光特性の評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表３－１～表８に示す。なお、それぞれの実施例及び比較例において、特に断りが無い限り、組成物Ｘ１を用いて画素寸法制御層部を形成した。組成物Ｘ１を用いて形成した画素寸法制御層部は、いずれも（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない。

　表３－１～表３－４において、画素分割層部における画素寸法制御層部による被覆率、画素寸法制御層部の膜厚、及び画素分割層部と画素寸法制御層部との距離を変えた表示装置にて、それぞれの値を変化させて、各種特性の評価をした。なお表３－４では、画素分割層部が第１電極部と重畳しない表示装置にて、各種特性の評価をした。また表３－２には、表２－６に記載の組成物Ｘ２又は組成物Ｘ３を用いて画素寸法制御層部を形成した実施例２０及び実施例２１についても、各種特性評価の結果を記載した。組成物Ｘ２又は組成物Ｘ３を用いて形成した画素寸法制御層部は、（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及びスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む。また組成物Ｘ３を用いて形成した画素寸法制御層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない。

　表８において、画素寸法制御層部を形成しない表示装置にて、各種特性の評価をした。また表８には、表２－６に記載の組成物Ｘ４を用いて画素寸法制御層部を形成した比較例２及び比較例４についても、各種特性評価の結果を記載した。組成物Ｘ４を用いて形成した画素寸法制御層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、かつ、膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が１．１であった。

　＜実施例８５；組成物の硬化膜の作製（厚膜部及び薄膜部を有する硬化膜）＞
　まず、組成物の硬化膜の作製方法について記載する。上記、実施例１記載の方法で、ＩＴＯ／Ａｇ基板上に組成物１のプリベーク膜を約５．０μｍの膜厚で成膜した。作製したプリベーク膜を、フォトリソ用小型現像装置（ＡＤ－１２００；滝沢産業（株）製）を用いて、２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液でスプレー現像し、プリベーク膜（未露光部）が完全に溶解する時間（Ｂｒｅａｋｉｎｇ　Ｐｏｉｎｔ；以下、「ＢＰ」）を測定した。

　上述の方法と同様にプリベーク膜を作製し、作製したプリベーク膜を、両面アライメント片面露光装置（マスクアライナー　ＰＥＭ－６Ｍ；ユニオン光学（株）製）を用いて、ハーフトーン特性評価用のハーフトーンフォトマスクを介して、透光部の露光量を変えて超高圧水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、及びｇ線（波長４３６ｎｍ）でパターニング露光した。ハーフトーンフォトマスクは、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有するフォトマスクを用いた。半透光部の透過率（％ＴＨＴ）がそれぞれ、透光部の透過率（％ＴＦＴ）の２０％、２５％、又は３０％である箇所を有する。透光部と半透光部は隣接しており、半透光部と遮光部は隣接している。ハーフトーンフォトマスクの一例として、透光部、遮光部、及び半透光部の配置、並びに、寸法の一例を図３４に示す。露光後、フォトリソ用小型現像装置（ＡＤ－１２００；滝沢産業（株）製）を用いて、２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で現像し、水で３０秒間リンスして段差形状を有する組成物１の現像後膜を作製した。現像時間は、測定したＢＰの１．３倍とした。現像後のパターンを観察し、半透光部から形成される薄膜部で区画され、遮光部から形成される開口部を有する２０μｍのスペースパターンにおいて、開口部に相当するスペースパターンを２２μｍの寸法幅にて形成できる透光部及び半透光部の最適露光量（ｉ線照度計の値）を求めた。最適露光量で露光後、現像した後のパターンを、高温イナートガスオーブン（ＩＮＨ－９ＣＤ－Ｓ；光洋サーモシステム（株）製）を用いて２５０℃で熱硬化させ、膜厚約３．０μｍの厚膜部及び膜厚約１．５μｍの薄膜部の段差形状を有する組成物１の硬化膜を作製した。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２５０℃まで昇温し、２５０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。

　核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で硬化膜を分析し、硬化膜中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物１を硬化した硬化膜の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、上記の実施例１における、組成物１を硬化した硬化膜と同構造の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物１を硬化した硬化膜の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、組成物１が含有する各構成成分に由来する構造を有する同一の化合物を含有する。また組成物１を硬化した硬化膜の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、遮光性の指標である膜厚１μｍ当たりのＯＤ値が１．１であった。

　＜実施例８５；有機ＥＬディスプレイの作製（厚膜部及び薄膜部を有する画素分割層部、並びに、画素寸法制御層部を具備する）＞
　次に、有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。上記、実施例１記載の方法で、有機ＥＬディスプレイを作製した。なお所定のパターンを有し、かつ、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いて、組成物１の段差形状を有するパターンを含む硬化膜を、画素分割層部５０として形成した。組成物１の段差形状を有するパターンを有する画素分割層部５０は、膜厚約３．０μｍの厚膜部及び膜厚約１．５μｍの薄膜部を有するように形成した。段差形状を有するパターンは厚膜部、開口部、及び薄膜部を有し、幅１５μｍ及び長さ１５μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置されている。薄膜部と厚膜部に関して、幅１５μｍの開口部と開口部の間の１５μｍ（ピッチ３０μｍ－幅１５μｍ＝１５μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されている。また、長さ１５μｍの開口部と開口部の間の１５μｍ（ピッチ３０μｍ－長さ１５μｍ＝１５μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されている。

　次いで、画素分割層部５０を形成した基板上に、表２－６に記載の組成物Ｘ１を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。このような方法で、幅１３μｍ及び長さ１３μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置され、それぞれの開口部が第１電極を露出せしめる形状の画素寸法制御層部６０を形成した。画素寸法制御層部６０の厚さは、約０．５μｍで形成した。なお、画素寸法制御層部６０は開口部に隣接しており、画素寸法制御層部６０は、画素分割層部５０上の一部及び第１電極部上の一部を覆うように形成されている。また、画素分割層部５０の端部から画素寸法制御層部６０の端部までの距離は、１．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素分割層部５０の端部までの距離は、２．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、３．０μｍとなるように形成した。画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。作製した有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、薄膜部、及び画素寸法制御層部６０の配置、並びに、寸法の概略図を図３５に示す。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。

　次いで、作製した有機ＥＬディスプレイ上に、上記、実施例１記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＢＭを用いて、画素部と重畳する幅１５．８μｍ及び長さ１５．８μｍの四角形の開口部を有するブラックマトリックス層部を形成した。ブラックマトリックス層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法は２２．４μｍであった。また組成物ＢＭを用いて形成したブラックマトリックス層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、かつ、膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が１．１であった。ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおけるブラックマトリックス層部の傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、上記、実施例１記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＣＦを用いて、画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳する幅１４．４μｍ及び長さ１４．４μｍの四角形のカラーフィルタ層部を形成した。カラーフィルタ層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法は２０．４μｍであった。カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンの傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、上記、実施例１記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＯＣを用いて、画素部、カラーフィルタ層部、ブラックマトリックス層部の開口部、及びブラックマトリックス層部と重畳するオーバーコート層部を形成した。カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部と重畳しない箇所におけるオーバーコート層部の厚さは、約５．０μｍで形成した。オーバーコート層部の２５℃でのＤ線における屈折率は１．６６であった。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部、及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板、及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。実施例１と同様に各種特性の評価をした。これらの評価結果を、まとめて表７－３に示す。

　＜実施例８６；有機ＥＬディスプレイの作製（画素分割層部、並びに、厚膜部及び薄膜部を有する画素寸法制御層部を具備する）＞
　有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。上記、実施例１記載の方法で、有機ＥＬディスプレイを作製した。なお画素分割層部５０を形成した基板上に、所定のパターンを有し、かつ、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いて、表２－６に記載の組成物Ｘ１の段差形状を有するパターンを含む硬化膜を、画素寸法制御層部６０として形成した。このような方法で、幅１３μｍ及び長さ１３μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置され、それぞれの開口部が第１電極を露出せしめる形状の画素寸法制御層部を形成した。画素寸法制御層部は、第１電極部上の画素寸法制御層部６３、画素分割層部上の画素寸法制御層部の厚膜部６４、画素分割層部上の画素寸法制御層部の薄膜部６６及び画素寸法制御層部の開口部６５を有する。薄膜部と厚膜部に関して、幅１３μｍの開口部と開口部の間の１７μｍ（ピッチ３０μｍ－幅１３μｍ＝１７μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されている。また、長さ１３μｍの開口部と開口部の間の１７μｍ（ピッチ３０μｍ－長さ１３μｍ＝１７μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されている。また第１電極部上の画素寸法制御層部１μｍは、画素寸法制御層部の開口部を囲むように配置されている。画素分割層部上の画素寸法制御層部の薄膜部６６の厚さは、約０．５μｍで形成した。

　なお、第１電極部上の画素寸法制御層部６３は、画素寸法制御層部の開口部６５に隣接している。画素分割層部上の画素寸法制御層部の厚膜部６４及び画素分割層部上の画素寸法制御層部の薄膜部６６は、画素分割層部５０及び第１電極部上の一部を覆うように形成されている。画素分割層部の薄膜部の面積及び厚膜部の面積の合計に対する、画素寸法制御層部による被覆率は１００％である。また、画素分割層部５０の端部から第１電極部上の画素寸法制御層部６３の端部までの距離は、１．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素分割層部５０の端部までの距離は、２．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から第１電極部上の画素寸法制御層部６３の端部までの距離は、３．０μｍとなるように形成した。画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。作製した有機ＥＬディスプレイにおける、画素寸法制御層部の厚膜部、画素寸法制御層部の開口部、及び画素寸法制御層部の薄膜部の配置、並びに、寸法の概略図を図３６に示す。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。

　さらに、上記、実施例１記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＯＣを用いて、画素部、カラーフィルタ層部、ブラックマトリックス層部の開口部及びブラックマトリックス層部と重畳するオーバーコート層部を形成した。カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部と重畳しない箇所におけるオーバーコート層部の厚さは、約５．０μｍで形成した。オーバーコート層部の２５℃でのＤ線における屈折率は１．６６であった。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部、及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。実施例１と同様に各種特性の評価をした。これらの評価結果を、まとめて表７－３に示す。

　核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で画素寸法制御層部を分析し、画素寸法制御層部中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、上記の実施例１における、組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部と同構造の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、組成物Ｘ１が含有する各構成成分に由来する構造を有する同一の化合物を含有する。また組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含有しない。

　上述した各実施例において、ポジ型の感光性を有する組成物を用いた場合の現像時間は６０秒、９０秒、又は１２０秒とし、感度測定用のグレースケールマスク（ＭＤＲＭ　ＭＯＤＥＬ　４０００－５－ＦＳ；Ｏｐｔｏ－Ｌｉｎｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社製）を用いて、２０μｍのライン・アンド・スペースパターンにおいて、開口部に相当するスペースパターンを２０μｍの寸法幅にて形成できる最適露光量（ｉ線照度計の値）を求めた。またポジ型の感光性を有する組成物を用いた場合、熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。

　＜実施例８７＞
　表９－１に記載の組成にて、組成物８７を調製した。まず、（Ｄ）着色剤を含まない調合液を調製した後、顔料分散液と調合液とを混合して組成物を調製した。溶剤として、ＰＧＭＥＡ／ＥＤＭ／ＭＢＡ＝７０／２０／１０（質量比）を用いて、組成物の固形分濃度が１５質量％となるように調製した。得られた組成物の溶液は、０．４５μｍφのフィルターで濾過して使用した。

　＜組成物の硬化膜の作製＞
　上記、実施例１と同様の方法で、膜厚約１．２μｍの組成物８７の硬化膜を作製した。核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で硬化膜を分析し、硬化膜中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物８７を硬化した硬化膜は、以下の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物８７を硬化した硬化膜は、組成物８７が含有する各構成成分に由来する構造を有する化合物を含有する。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位及びビフェニル構造を有する酸変性エポキシ樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有するフェノール樹脂
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：ベンゾカルバゾール構造を有し、ベンゾカルバゾール構造にイミノ基が結合した構造を有する化合物
（Ｄ－ＤＬ）着色剤：ベンゾフラノン系黒色顔料かつ一般式（１６１）で表される構造を有する化合物
リン酸系構造を有する化合物：ホスホン酸エステル構造を有する化合物
（Ｇ２－ＤＬ）化合物：１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン構造を有する化合物。

　＜有機ＥＬディスプレイの作製（画素分割層部及びスペーサ層部を具備する）＞
　次に、有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。図３３に、使用した基板の概略図を示す。まず、３８×４６ｍｍの無アルカリガラス基板４７に、非透明導電性金属層としてＡＰＣ（銀／パラジウム／銅＝９８．０７／０．８７／１．０６（質量比））をスパッタにより１００ｎｍ成膜し、エッチングによりパターン加工してＡＰＣ層を形成した。さらに、ＡＰＣ層の上層に透明導電性酸化膜層としてアモルファス性のＩＴＯをスパッタにより１０ｎｍ成膜し、エッチングにより、第１電極部４８として反射電極を形成した。また、第２電極を取り出すため補助電極部４９も同時に形成した（図３３（工程１））。得られた基板を“セミコクリーン”（登録商標）５６（フルウチ化学（株）製）で１０分間超音波洗浄し、超純水で洗浄した。次に、この基板上に、組成物８７を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なお露光量は最適露光量とし、現像時間はＢＰの１．３倍とした。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２５０℃まで昇温し、２５０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。以上の方法で、幅２０μｍ及び長さ２０μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ４０μｍ及び長さ方向にピッチ４０μｍで配置され、それぞれの開口部が第１電極を露出せしめる形状の画素分割層部５０を、基板有効エリアに限定して形成した（図３３（工程２））。なお、この開口部が、最終的に有機ＥＬディスプレイの発光画素となる。また、基板有効エリアは、１６ｍｍ四方であり、画素分割層部５０の厚さは、約１．５μｍで形成した。画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は２９．３μｍ、最小値は２７．３μｍであった。

　さらに、画素分割層部５０を形成した基板上に、表２－６に記載の組成物Ｘ３を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なお現像時間は６０秒とし、露光量は事前に測定しておいた最適露光量とした。また熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。このような方法で、画素分割層部５０上の開口部に隣接しない複数の箇所に、幅３５μｍ及び長さ３５μｍの四角形のスペーサ層部を形成した。スペーサ層部の厚さは、約１．５μｍで形成した。

　次に、第１電極部４８、補助電極部４９、画素分割層部５０、及びスペーサ層部を形成した基板を用いて、有機ＥＬディスプレイの作製を行った。前処理として、窒素プラズマ処理を行った後、真空蒸着法により、発光層を含む有機ＥＬ層部５１を形成した（図３３（工程３））。なお、蒸着時の真空度は、１×１０^－３Ｐａ以下であり、蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔注入層として、化合物（ＨＴ－１）を１０ｎｍ、正孔輸送層として、化合物（ＨＴ－２）を５０ｎｍ蒸着した。次に、発光層に、ホスト材料として、化合物（ＧＨ－１）とドーパント材料として、化合物（ＧＤ－１）を、ドープ濃度が１０％になるように４０ｎｍの厚さに蒸着した。その後、電子輸送材料として、化合物（ＥＴ－１）と化合物（ＬｉＱ）を、体積比１：１で４０ｎｍの厚さに積層した。なお、有機ＥＬ層で用いた化合物（化合物（ＨＴ－１）、化合物（ＨＴ－２）、化合物（ＧＨ－１）、化合物（ＧＤ－１）、化合物（ＥＴ－１）、及び化合物（ＬｉＱ））は、国際公開第２０１７／０５７２８１号に記載のものと同一の上記実施例１で使用した化合物を用いた。

　次に、化合物（ＬｉＱ）を２ｎｍ蒸着した後、ＭｇＡｇ（マグネシウム／銀＝１０／１（体積比））を１０ｎｍ蒸着して第２電極部５２とし、透明電極を形成した（図３３（工程４））。その後、低湿窒素雰囲気下、エポキシ樹脂系接着剤を用いて、キャップ状ガラス板を接着することで封止をし、１枚の基板上に５ｍｍ四方のトップエミッション型有機ＥＬディスプレイを４つ作製した。なお、ここでいう膜厚は、水晶発振式膜厚モニター表示値である。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は２９．３μｍ、最小値は２７．３μｍであった。

　次いで、作製した有機ＥＬディスプレイ上に、表２－６に記載の組成物ＢＭを上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なおプリベーク条件は、８０℃で１２０秒間加熱した。また熱硬化条件は、窒素雰囲気下、９５℃で６０分間熱硬化させた。このような方法で、画素部と重畳する幅２２．８μｍ及び長さ２２．８μｍの四角形の開口部を有するブラックマトリックス層部を形成した。ブラックマトリックス層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法は３２．３μｍであった。また組成物ＢＭを用いて形成したブラックマトリックス層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、かつ、膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が１．１であった。ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおけるブラックマトリックス層部の傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、表２－６に記載の組成物ＣＦを上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なおプリベーク条件は、８０℃で１２０秒間加熱した。また熱硬化条件は、窒素雰囲気下、９５℃で６０分間熱硬化させた。このような方法で、画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳する幅２１．４μｍ及び長さ２１．４μｍの四角形のカラーフィルタ層部を形成した。カラーフィルタ層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法は３０．３μｍであった。カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンの傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、表２－６に記載の組成物ＯＣを上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。なおプリベーク条件は、８０℃で１２０秒間加熱した。また熱硬化条件は、窒素雰囲気下、９５℃で６０分間熱硬化させた。このような方法で、画素部、カラーフィルタ層部、ブラックマトリックス層部の開口部、及びブラックマトリックス層部と重畳するオーバーコート層部を形成した。カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部と重畳しない箇所におけるオーバーコート層部の厚さは、約５．０μｍで形成した。オーバーコート層部の２５℃でのＤ線における屈折率は１．６６であった。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。

　核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法でスペーサ層部を分析し、スペーサ層部中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物Ｘ３を硬化したスペーサ層部は、以下の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物Ｘ３を硬化したスペーサ層部は、組成物Ｘ３が含有する各構成成分に由来する構造を有する化合物を含有する。また組成物Ｘ３を硬化したスペーサ層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含有しない。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位及びビフェニル構造を有する酸変性エポキシ樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有するフェノール樹脂
（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物：１Ｈ－インデン－３－カルボン酸エステル－７－スルホン酸アリールエステル構造を有する化合物
（Ｇ２－ＤＬ）化合物：１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン構造を有する化合物。

　＜実施例８８～実施例１５４及び比較例５～比較例９＞
　実施例８７と同様に、組成物８８～１５２を表９－１～表１４に記載の組成にて調製した。表９－１～表１４において括弧内の数値は各成分の固形分の質量部を示す。得られた各組成物を用いて、実施例８７と同様に、基板上に組成物を成膜して感光特性、硬化膜特性、及び発光特性の評価を行った。これらの評価結果を、まとめて表９－１～表１４に示す。

　表９－１～表９－２において、カラーフィルタ層部のパターン寸法及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を変えた表示装置にて、それぞれの寸法差を変化させて各種特性の評価をした。

　また表９－２の実施例１０９、実施例１１０、及び実施例１１２は、幅２５μｍ及び長さ２５μｍの開口部が、幅方向にピッチ５０μｍ及び長さ方向にピッチ５０μｍで配置された画素分割層部を有する表示装置にて、各種特性の評価をした。

　表１４において、カラーフィルタ層部のパターン寸法及びブラックマトリックス層部の開口部のパターン寸法を変えた表示装置にて、それぞれの寸法差を適切でない範囲に変化させて各種特性の評価をした。

　また表１４の比較例６～９は、幅２５μｍ及び長さ２５μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ５０μｍ及び長さ方向にピッチ５０μｍで配置された画素分割層部を有する表示装置にて、各種特性の評価をした。

　＜実施例１５５；組成物の硬化膜の作製（厚膜部及び薄膜部を有する硬化膜）＞
　上記、実施例８５と同様の方法で、膜厚約３．０μｍの厚膜部及び膜厚約１．５μｍの薄膜部の段差形状を有する組成物８７の硬化膜を作製した。核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析、及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で硬化膜を分析し、硬化膜中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物８７を硬化した硬化膜の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、上記の実施例８７における、組成物８７を硬化した硬化膜と同構造の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物８７を硬化した硬化膜の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、組成物８７が含有する各構成成分に由来する構造を有する同一の化合物を含有する。また組成物８７を硬化した硬化膜の段差形状における厚膜部及び薄膜部は、遮光性の指標である膜厚１μｍ当たりのＯＤ値が１．１であった。

　＜実施例１５５；有機ＥＬディスプレイの作製（厚膜部及び薄膜部を有する画素分割層部を具備する）＞
　次に、有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。上記、実施例８７記載の方法で、有機ＥＬディスプレイを作製した。なお所定のパターンを有し、かつ、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いて、組成物８７の段差形状を有するパターンを含む硬化膜を、画素分割層部５０として形成し、有機ＥＬディスプレイを作製した。組成物８７の段差形状を有するパターンを有する画素分割層部５０は、膜厚約３．０μｍの厚膜部及び膜厚約１．５μｍの薄膜部を有するように形成した。段差形状を有するパターンは厚膜部、開口部、及び薄膜部を有し、幅２０μｍ及び長さ２０μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ４０μｍ及び長さ方向にピッチ４０μｍで配置されている。薄膜部と厚膜部に関して、幅２０μｍの開口部と開口部の間の２０μｍ（ピッチ４０μｍ－幅２０μｍ＝２０μｍ）は、厚膜部８μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部６μｍが厚膜部の両側に配置されている。また、長さ２０μｍの開口部と開口部の間の２０μｍ（ピッチ４０μｍ－長さ２０μｍ＝２０μｍ）は、厚膜部８μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部６μｍが厚膜部の両側に配置されている。画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は２９．３μｍ、最小値は２７．３μｍであった。作製した有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、及び薄膜部の配置、並びに、寸法の概略図を図３７に示す。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は２９．３μｍ、最小値は２７．３μｍであった。

　次いで、作製した有機ＥＬディスプレイ上に、上記、実施例８７記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＢＭを用いて、画素部と重畳する幅２２．８μｍ及び長さ２２．８μｍの四角形の開口部を有するブラックマトリックス層部を形成した。ブラックマトリックス層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法は３２．３μｍであった。また組成物ＢＭを用いて形成したブラックマトリックス層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、かつ、膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が１．１であった。ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおけるブラックマトリックス層部の傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、上記、実施例８７記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＣＦを用いて、画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳する幅２１．４μｍ及び長さ２１．４μｍの四角形のカラーフィルタ層部を形成した。カラーフィルタ層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法は３０．３μｍであった。カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンの傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、上記、実施例８７記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＯＣを用いて、画素部、カラーフィルタ層部、ブラックマトリックス層部の開口部及びブラックマトリックス層部と重畳するオーバーコート層部を形成した。カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部と重畳しない箇所におけるオーバーコート層部の厚さは、約５．０μｍで形成した。オーバーコート層部の２５℃でのＤ線における屈折率は１．６６であった。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。実施例８７と同様に各種特性の評価をした。これらの評価結果を、まとめて表１３－３に示す。

　＜実施例１５６；有機ＥＬディスプレイの作製（画素分割層部、並びに、厚膜部及び薄膜部を有する画素寸法制御層部を具備する）＞
　有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。上記、実施例１５５記載の方法で、有機ＥＬディスプレイを作製した。なお所定のパターンを有し、かつ、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いて、組成物８７の段差形状を有するパターンを含む硬化膜を、画素分割層部５０として形成した。組成物８７の段差形状を有するパターンを有する画素分割層部５０は、膜厚約３．０μｍの厚膜部及び膜厚約１．５μｍの薄膜部を有するように形成した。段差形状を有するパターンは厚膜部、開口部、及び薄膜部を有し、幅１５μｍ及び長さ１５μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置されている。薄膜部と厚膜部に関して、幅１５μｍの開口部と開口部の間の１５μｍ（ピッチ３０μｍ－幅１５μｍ＝１５μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されている。また、長さ１５μｍの開口部と開口部の間の１５μｍ（ピッチ３０μｍ－長さ１５μｍ＝１５μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されている。

　次いで、画素分割層部５０を形成した基板上に、表２－６に記載の組成物Ｘ１を上記の方法で塗布及びプリベークし、所定のパターンを有するフォトマスクを介してパターニング露光、現像及びリンスした後、加熱し熱硬化させた。このような方法で、幅１３μｍ及び長さ１３μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置され、それぞれの開口部が第１電極を露出せしめる形状の画素寸法制御層部６０を形成した。画素寸法制御層部６０の厚さは、約０．５μｍで形成した。なお、画素寸法制御層部６０は開口部に隣接しており、画素寸法制御層部６０は、画素分割層部５０上の一部及び第１電極部上の一部を覆うように形成されている。また、画素分割層部５０の端部から画素寸法制御層部６０の端部までの距離は、１．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素分割層部５０の端部までの距離は、２．０μｍとなるように形成した。第１電極部の端部から画素寸法制御層部の端部までの距離は、３．０μｍとなるように形成した。画素寸法制御層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。また組成物Ｘ１を用いて形成した画素寸法制御層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない。作製した有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、薄膜部、及び画素寸法制御層部６０の配置、並びに、寸法の概略図を図３５に示す。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。

　次いで、作製した有機ＥＬディスプレイ上に、上記、実施例１５５記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＢＭを用いて、画素部と重畳する幅１５．８μｍ及び長さ１５．８μｍの四角形の開口部を有するブラックマトリックス層部を形成した。ブラックマトリックス層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法は２２．４μｍであった。また組成物ＢＭを用いて形成したブラックマトリックス層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、かつ、膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が１．１であった。ブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターンにおけるブラックマトリックス層部の傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、上記、実施例１５５記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＣＦを用いて、画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳する幅１４．４μｍ及び長さ１４．４μｍの四角形のカラーフィルタ層部を形成した。カラーフィルタ層部の厚さは、約３．０μｍで形成した。画素部及びブラックマトリックス層部の開口部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法は２０．４μｍであった。カラーフィルタ層部の長軸方向のパターンの傾斜辺のテーパー角は６０°であった。

　さらに、上記、実施例１５５記載の方法で、表２－６に記載の組成物ＯＣを用いて、画素部、カラーフィルタ層部、ブラックマトリックス層部の開口部及びブラックマトリックス層部と重畳するオーバーコート層部を形成した。カラーフィルタ層部及びブラックマトリックス層部と重畳しない箇所におけるオーバーコート層部の厚さは、約５．０μｍで形成した。オーバーコート層部の２５℃でのＤ線における屈折率は１．６６であった。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。実施例８７と同様に各種特性の評価をした。これらの評価結果を、まとめて表１３－３に示す。

　核磁気共鳴分光分析、赤外分光分析及び飛行時間型二次イオン質量分析などの方法で画素寸法制御層部を分析し、画素寸法制御層部中に含まれる樹脂の構造単位及び化合物の構造を分析した。上述の方法で組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部は、以下の樹脂及び化合物を含有することを確認した。すなわち、組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部は、組成物Ｘ１が含有する各構成成分に由来する構造を有する化合物を含有する。また組成物Ｘ１を硬化した画素寸法制御層部は、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含有しない。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ２－ＤＬ）樹脂：一般式（２４）で表される構造単位及びビフェニル構造を有する酸変性エポキシ樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有するフェノール樹脂
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：ベンゾカルバゾール構造を有し、ベンゾカルバゾール構造にイミノ基が結合した構造を有する化合物
リン酸系構造を有する化合物：ホスホン酸エステル構造を有する化合物
（Ｇ２－ＤＬ）化合物：１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン構造を有する化合物。

　＜実施例１５７；有機ＥＬディスプレイの作製（厚膜部及び薄膜部を有する画素分割層部を具備する）；本発明の第六の態様である表示装置の製造方法＞
　有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。上記、実施例１５５記載の方法で、有機ＥＬディスプレイを作製した。なお所定のパターンを有し、かつ、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有するハーフトーンフォトマスクを用いて、組成物８７の段差形状を有するパターンを含む硬化膜を、画素分割層部５０として形成した。また組成物８７のパターンの段差形状を有するパターンの形成において、露光後の一度目の現像において、現像時間を測定したＢＰの０．７倍として、第１電極を開口させないようにパターンを形成した。現像後、超高圧水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）及びｇ線（波長４３６ｎｍ）で全面露光した。露光量は１，０００ｍＪ／ｃｍ^２とし、現像後の段差形状を有するパターンを光硬化させた。露光後、２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液で２回目の現像をし、水で３０秒間リンスした。現像時間は、一回目の現像において測定したＢＰの１．０倍とした。熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２５０℃まで昇温し、２５０℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。このような方法で、組成物８７の段差形状を有するパターンを有する画素分割層部５０を、膜厚約３．０μｍの厚膜部及び膜厚約１．５μｍの薄膜部を有するように形成した。画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は２８．８μｍ、最小値は２７．８μｍであった。作製した有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、及び薄膜部の配置、並びに、寸法の概略図は、図３７に示すように上記の実施例１５５の通りである。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は２８．８μｍ、最小値は２７．８μｍであった。

　その後、上記、実施例１５５と同様の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部及びオーバーコート層部を形成した。以上の方法で、ブラックマトリックス層部、カラーフィルタ層部及びオーバーコート層部を有する有機ＥＬディスプレイを作製した。なおブラックマトリックス層部はカラーフィルタ層部と重畳しない。オーバーコート層部は、ブラックマトリックス層部及びカラーフィルタ層部を覆うように形成されている。また発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有しない有機ＥＬディスプレイである。実施例８７と同様に各種特性の評価をした。これらの評価結果を、まとめて表１３－４に示す。

　＜実施例１５８；有機ＥＬディスプレイの作製（厚膜部、中間膜厚部及び薄膜部を有する画素分割層部を具備する）；本発明の第五の態様である表示装置の製造方法＞
　有機ＥＬディスプレイの作製方法について記載する。上記、実施例１５５記載の方法で、有機ＥＬディスプレイを作製した。なお所定のパターンを有し、かつ、透光部、遮光部、及び透光部と遮光部の間に半透光部を有し、かつ、遮光部の外周が中間透光部に外接しているハーフトーンフォトマスクを用いて、組成物８７の段差形状を有するパターンを含む硬化膜を、画素分割層部５０として形成した。なお中間透光部の透過率は、透光部の透過率の値より低く、かつ、半透光部の透過率の値より高い値である。このような方法で、組成物８７の段差形状を有するパターンを有する画素分割層部５０を、膜厚約３．０μｍの厚膜部、膜厚約１．５μｍの薄膜部、及び膜厚約２．０μｍの中間膜厚部を有するように形成した。段差形状を有するパターンは厚膜部、開口部、薄膜部及び中間膜厚部を有し、幅１３μｍ及び長さ１３μｍの四角形の開口部が、幅方向にピッチ３０μｍ及び長さ方向にピッチ３０μｍで配置されている。薄膜部と厚膜部に関して、幅１３μｍの開口部と開口部の間の１７μｍ（ピッチ３０μｍ－幅１３μｍ＝１７μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されており、さらに、中間膜厚部１μｍが開口部を囲むように配置されている。また、長さ１３μｍの開口部と開口部の間の１７μｍ（ピッチ３０μｍ－長さ１３μｍ＝１７μｍ）は、厚膜部６μｍが配置されるとともに、開口部に隣接する薄膜部４．５μｍが厚膜部の両側に配置されており、さらに、中間膜厚部１μｍが開口部を囲むように配置されている。画素分割層部の開口部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。作製した有機ＥＬディスプレイの厚膜部、開口部、薄膜部及び中間膜厚部の配置、並びに、寸法の概略図を図３８に示す。画素分割層部の開口部４５の外周は画素分割層部のテーパー部と接しており、かつ、テーパー部が画素分割層部の中間膜厚部７０に囲まれている。中間膜厚部７０は、画素分割層部の薄膜部４６に囲まれている。画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値は１８．９μｍ、最小値は１７．９μｍであった。

　上述した各実施例において、ポジ型の感光性を有する組成物を用いた場合の現像時間は６０秒、９０秒又は１２０秒とし、感度測定用のグレースケールマスク（ＭＤＲＭ　ＭＯＤＥＬ　４０００－５－ＦＳ；Ｏｐｔｏ－Ｌｉｎｅ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ社製）を用いて、２０μｍのライン・アンド・スペースパターンにおいて、開口部に相当するスペースパターンを２０μｍの寸法幅にて形成できる最適露光量（ｉ線照度計の値）を求めた。またポジ型の感光性を有する組成物を用いた場合、熱硬化条件は、酸素濃度２０質量ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下、昇温速度３．５℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温し、２００℃で６０分間加熱処理を行った後、５０℃まで冷却した。

　３４，３４ａ，３４ｂ　厚膜部
　３５ａ，３５ｂ，３５ｃ，３８ａ，３８ｂ，３９ａ，３９ｂ　薄膜部
　３６ａ，３６ｂ，３６ｃ，３６ｄ，３６ｅ，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ，４０ｅ，４０ｆ　硬化パターンの断面における傾斜辺
　３７　下地の基板の水平辺
　３９ａ，３９ｂ　中間膜厚部
　４１　透光部
　４２　遮光部
　４３　半透光部
　４４　厚膜部
　４５　開口部
　４６　薄膜部
　４７　無アルカリガラス基板
　４８　第１電極部
　４９　補助電極部
　５０　画素分割層部
　５１　発光層を含む有機ＥＬ層部
　５２　第２電極部
　６０　画素寸法制御層部
　６３　第１電極部上の画素寸法制御層部
　６４　画素分割層部上の画素寸法制御層部の厚膜部
　６５　画素寸法制御層部の開口部
　６６　画素分割層部上の画素寸法制御層部の薄膜部
　７０　中間膜厚部
　１００Ａ　段差形状を有する画素分割層を含む表示装置
　１００Ｂ　画素分割層及びスペーサ層を有する表示装置
　１００Ｃ　段差形状を有する画素分割層及びスペーサ層を含む表示装置
　１００Ｄ　段差形状を有する画素分割層及び下層スペーサ層を含む表示装置
　１００Ｅ　段差形状を有する画素分割層及び偏光フィルムを含む表示装置
　２００Ａ　段差形状を有する画素分割層及び画素寸法制御層を含む表示装置
　２００Ｂ　段差形状を有する画素分割層及び画素分割層の薄膜部を覆う画素寸法制御層を含む表示装置
　２００Ｃ　画素分割層及び段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層を含む表示装置
　２００Ｄ　段差形状を有する画素分割層及び段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層を含む表示装置
　３００Ａ　中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層を含む表示装置
　１０１，２０１，３０１　基板
　１０２，２０２，３０２　導電層／金属配線
　１０３，２０３，３０３　ＴＦＴ素子層
　１０４，２０４，３０４　層間絶縁層
　１０５，２０５，３０５　ＴＦＴ平坦化層／ＴＦＴ保護層
　１０６Ａ，２０６Ａ　段差形状を有する画素分割層
　１０６Ｂ，２０６Ｂ　画素分割層
　３０６Ａ　中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層
　１０７，２０７，３０７　第１電極
　１０８，２０８，３０８　発光層を含む有機層
　１０９，２０９，３０９　第２電極
　１１０，２１０，３１０　封止層
　１１１，２１１，３１１　タッチパネル配線／タッチパネル電極
　１１２，２１２，３１２　カラーフィルタ層
　１１３，２１３，３１３　ブラックマトリックス層
　１１４，２１４，３１４　オーバーコート層
　１１５，２１５，３１５　基板
　１１６，２１６，３１６　画素分割層における厚膜部
　１１７Ａ　スペーサ層
　１１７Ｂ　下層スペーサ層
　１１８Ａ，２１８Ａ　画素寸法制御層
　１１８Ｂ，２１８Ｂ　画素分割層の薄膜部を覆う画素寸法制御層
　２１９Ａ　段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層
　２２０　画素寸法制御層における厚膜部
　３２１　画素分割層における中間膜厚部
　１２２　第２電極の開口部
　１２３　偏光フィルム
　１３１，３３１　プリベーク膜
　１３２，３３２　ハーフトーンフォトマスク
　１３３，３３３　活性化学線
　１３４　画素分割層の非開口部
　１３５　画素分割層の開口部
　３３４　透光部
　３３５　遮光部
　３３６　半透光部
　３３７　中間透光部
　１００ｘ，２００ｘ，３００ｘ　平面視における断面軸
　１０６Ａａ，２０６Ａａ　段差形状を有する画素分割層部の開口部
　１０６Ｂａ，２０６Ｂａ　画素分割層部の開口部
　３０６Ａａ　中間膜厚部を含む段差形状を有する画素分割層部の開口部
　１０６Ａｚ　段差形状を有する画素分割層部の端部
　１０７ｚ　第１電極部の端部
　１１２ａ，２１２ａ，３１２ａ　カラーフィルタ層部
　１１３ａ，２１３ａ，３１３ａ　ブラックマトリックス層部の開口部
　１１６ａ，２１６ａ，３１６ａ　画素分割層部における厚膜部
　１１７Ａａ　スペーサ層部
　１１７Ｂａ　下層スペーサ層部
　１１８Ａａ，２１８Ａａ　画素寸法制御層部の開口部
　１１８Ａｚ　画素寸法制御層部の端部
　２１８Ｂａ　画素分割層の薄膜部を覆う画素寸法制御層部の開口部
　２１９Ａａ　段差形状を有し、画素分割層を覆う画素寸法制御層部の開口部
　２２０ａ　画素寸法制御層部における厚膜部
　３２１ａ　画素分割層部における中間膜厚部
　１２２ａ　第２電極部の開口部
　１２４ａ　画素部
　１２４ａ１　第１色の画素部
　１２４ａ２　第２色の画素部
　１２４ａ３　第３色の画素部

Claims

　同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、画素寸法制御層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、
　平面視において、画素寸法制御層部が、画素分割層部上の少なくとも一部及び第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、
　該画素寸法制御層が、下記（１）～（３）の条件のうち少なくとも１つを満たす表示装置。
（１）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（２）該画素寸法制御層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素寸法制御層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（３）該画素寸法制御層が（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む
　前記画素寸法制御層が、少なくとも前記（１）の条件を満たす請求項１に記載の表示装置。
　平面視において、前記画素分割層部の面積に対する、前記画素寸法制御層部による被覆率が５０～１００％である請求項１又は２に記載の表示装置。
　平面視において、前記画素分割層部の面積に対する、前記画素寸法制御層部による被覆率が９０～１００％である請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記画素寸法制御層の膜厚が０．１～５．０μｍである請求項１又は２に記載の表示装置。
　平面視において、前記画素分割層部が前記第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されており、
　平面視において、該第１電極部上の前記画素寸法制御層部又は該画素分割層部によって覆われた箇所における、該第１電極部の端部から該画素寸法制御層部の端部までの距離が、該第１電極部の端部から該画素分割層部の端部までの距離よりも大きく、
　平面視において、該第１電極部の端部から該画素分割層部の端部までの距離が０．５～５．０μｍであって、該第１電極部の端部から該画素寸法制御層部の端部までの距離が１．０～７．０μｍである請求項１又は２に記載の表示装置。
　平面視において、前記画素分割層部が前記第１電極部と重畳せず、
　平面視において、該第１電極部上の前記画素寸法制御層部によって覆われた箇所における該第１電極部の端部から、該画素寸法制御層部の端部までの距離が０．５～５．０μｍであって、該第１電極部の端部から該画素分割層部の端部までの距離が０．１～３．０μｍである請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ）μｍと該（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、
　平面視において、前記画素寸法制御層部が、前記画素分割層部の薄膜部上の少なくとも一部及び前記第１電極部上の少なくとも一部を覆うように形成されている請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、
　該厚膜部及び該薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である請求項８に記載の表示装置。
　前記画素寸法制御層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ２）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ２）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ２）μｍと該（Ｔ_ＨＴ２）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ２－ＨＴ２}）μｍが０．５～１０．０μｍである請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記画素寸法制御層が、下記（４）～（６）の条件のうち少なくとも１つを満たす請求項１０に記載の表示装置。
（４）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含まない
（５）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、厚膜部及び薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．０～０．３である
（６）画素寸法制御層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｃ２ｘ－ＤＬ）インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物を含む
　前記画素分割層が、以下の（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物及び／又は（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物を含む請求項１又は２に記載の表示装置。
（Ｃ１ｘ－ＤＬ）化合物：フルオレン構造、ベンゾフルオレン構造、ジベンゾフルオレン構造、カルバゾール構造、ベンゾカルバゾール構造、インドール構造、ベンゾインドール構造又はジフェニルスルフィド構造を有し、これらの構造にイミノ基が結合した構造及び／又はこれらの構造にカルボニル基が結合した構造を有する化合物
（Ｃ２ｘ－ＤＬ）化合物：インデンカルボン酸エステル構造及び／又はスルホン酸アリールエステル構造を有する化合物
　前記画素分割層が、有機黒色顔料及び／又は二色以上の着色顔料混合物を含有し、
　該有機黒色顔料が、ベンゾフラノン系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料及びアゾ系黒色顔料からなる群より選ばれる一種類以上を含み、
　該二色以上の着色顔料混合物が、赤色、橙色、黄色、緑色、青色及び紫色からなる群より選ばれる二色以上の顔料を含む請求項１又は２に記載の表示装置。
　前記画素分割層が、以下の（Ａ１－ＤＬ）樹脂及び／又は（Ａ３－ＤＬ）樹脂を含有する請求項１又は２に記載の表示装置。
（Ａ１－ＤＬ）樹脂：イミド構造、アミド構造、オキサゾール構造及びシロキサン構造からなる群より選ばれる一種類以上を含む構造単位を有する樹脂
（Ａ３－ＤＬ）樹脂：フェノール性水酸基を含む構造単位を有する樹脂
　前記基板がフレキシブル基板であって、
　前記画素分割層がフレキシブル基板上に積層されている構造を有し、
　前記発光層を含む有機層の光取り出し側に、直線偏光板、１／４波長板及び円偏光板を有さず、
　曲面の表示部、外側への折り曲げ面を含む表示部又は内側への折り曲げ面を含む表示部を有し、フレキシブル性を有する表示装置である請求項１又は２に記載の表示装置。
　同一の基板上に、第１電極、第２電極、画素分割層、発光層を含む有機層、封止層、カラーフィルタ層及びブラックマトリックス層を有する表示装置であって、
　該第１電極、該発光層を含む有機層、該第２電極、該封止層及び該カラーフィルタ層がこの順に重畳して形成されており、
　該画素分割層が（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、該画素分割層の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０であって、
　平面視において、複数の画素部を有し、
　該画素部の長軸方向のパターン寸法の最大値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍ、最小値を（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、該画素部と重畳するカラーフィルタ層部の長軸方向のパターン寸法を（ＣＦ_Ｌ）μｍとし、該画素部と重畳するブラックマトリックス層部の開口部の長軸方向のパターン寸法を（ＢＭ_Ｌ）μｍとし、
　該（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとし、かつ、
　該（ＣＦ_Ｌ）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＣＦ_Ｌ）μｍと該（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　一般式（ΔＣＤ）で表される関係を満たし、かつ、
　一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす表示装置。
０≦Δ（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦４．０　（ΔＣＤ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１４．０　（ΔＣＦ／ＣＤａ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）
　平面視において、前記ブラックマトリックス層部が前記カラーフィルタ層部と重畳せず、
　前記（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、
　該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦａ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす請求項１６に記載の表示装置。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦８．０　（ΔＢＭ／ＣＦａ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦１８．０　（ΔＢＭ／ＣＤａ_ｍｉｎ）
　前記画素分割層が段差形状を有する硬化パターンを含み、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における、厚膜部の膜厚を（Ｔ_ＦＴ）μｍとし、かつ、薄膜部の膜厚を（Ｔ_ＨＴ）μｍとするとき、
　該（Ｔ_ＦＴ）μｍと該（Ｔ_ＨＴ）μｍとの膜厚差（ΔＴ_{ＦＴ－ＨＴ}）μｍが０．５～１０．０μｍであって、
　該画素分割層の硬化パターンの段差形状における厚膜部及び薄膜部が、同一の（Ｄ－ＤＬ）着色剤を含み、
　該厚膜部及び該薄膜部の膜厚１μｍ当たりの可視光線の波長における光学濃度が０．５～３．０である、請求項１６に記載の表示装置。
　さらに、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）、一般式（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）及び一般式（ＣＤ／ＢＭａ）で表される関係を満たす請求項１６～１８のいずれかに記載の表示装置。
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＣＦ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦６．０　（ΔＣＦ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）
（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）＜（ＢＭ_Ｌ）　（ＣＤ／ＢＭａ）
　平面視において、前記ブラックマトリックス層部が前記カラーフィルタ層部と重畳せず、
　前記（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＦ_Ｌ）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）μｍとし、かつ、
　該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）μｍとし、該（ＢＭ_Ｌ）μｍと前記（ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとの寸法差をΔ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）μｍとするとき、
　さらに、一般式（ΔＢＭ／ＣＦｂ）、一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）及び一般式（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）で表される関係を満たす請求項１９に記載の表示装置。
０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＦ_Ｌ）≦６．０　（ΔＢＭ／ＣＦｂ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍａｘ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍａｘ）
１．０≦Δ（ＢＭ_Ｌ－ＣＤ_{Ｌ／ｍｉｎ}）≦９．０　（ΔＢＭ／ＣＤｂ_ｍｉｎ）