JP2022016320A - 有機ｅｌ表示装置、およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サブ画素のピッチの微細化が可能であり、サブ画素の非発光不良の抑制が可能であり、サブ画素下部の段差による発光ムラのない、有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】少なくとも、基板上に平坦化層と、有機ＥＬ層と、バンク層と、電極と、補助配線を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記平坦化層が２層以上であり、前記平坦化層の中で有機ＥＬ層から２番目に近い平坦化層Ｌのコンタクトホールが、バンクで区画されたサブ画素の区画内の下方に配置された構造を有し、前記平坦化層Ｌが条件Ａおよび条件Ｂのいずれも満たす、有機ＥＬ表示装置。条件Ａ：コンタクトホールのテーパー角が３５°以上７０°以下条件Ｂ：コンタクトホールの開口部の短径が１．０μｍ以上２．２μｍ以下【選択図】なし

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。

次世代フラットパネルディスプレイとして有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、有機化合物による電界発光を利用した自己発光型の表示装置であって、広視野角、高速応答、高コントラストの画像表示が可能で、さらに薄型化、軽量化可能といった特徴も有することから、近年盛んに研究開発が進められている。

有機ＥＬ表示装置は、その発光方式により、基板側に光を発する下部発光（ボトムエミッション）方式と、基板の反対面に光を発する上部発光（トップエミッション）方式とに分類される。何れの方式においても、有機ＥＬ層における発光を効率よく取り出すことが求められている。

有機ＥＬ表示装置は、薄膜トランジスタの回路パターンの凹凸を低減するための平坦化層、およびサブ画素ごとに区画するためのバンク層を有するのが一般的である。これらの平坦化層およびバンク層は、有機ＥＬ表示装置の長期発光信頼性および良好なパターン加工性の観点から、感光性ポリイミドが提案されており（例えば、特許文献１参照）、現在広く採用されている。

近年、日常生活で持ち運ばれるモバイルデバイスや、身に着けて使用するウェアラブルデバイスのディスプレイに有機ＥＬ表示装置の適用が拡大している。これらのデバイスの例としては、スマートフォン、スマートウォッチ、タブレット、スマートグラス、およびヘッドマウントディスプレイが挙げられる。これらのディスプレイは、目から数ｃｍから数十ｃｍしか離れていない近距離に映像を映すため、よりリアルな映像とするために、高精細なディスプレイが求められている。

高精細なディスプレイを得るためには、隣接するサブ画素の間隔を狭める、狭ピッチ化が必要であるが、狭ピッチ化においては、補助配線をより微細に加工する点で技術課題がある。この課題に対し、補助配線を多層化することで狭ピッチ化する方法が検討されている。

一方、複数の各補助配線層の凹凸を低減するため、各補助配線層の上部に平坦化層を有する方法は、例えば、特許文献２～４で開示されている。

また、従来の平坦化層１層の構成であるものの、アクティブ領域において平坦部の面積を広く取る目的でコンタクトホールの開口部のテーパー角を規定する方法が、例えば、特許文献５で開示されている。

特開２００２－９１３４３号公報 特開２００３－２８０５５５号公報 特開２００９－５９５０３号公報 特開２０１４－１９７５２２号公報 特開２０１９－１９７１１３号公報

しかしながら、補助配線多層化による狭ピッチの構成と、従来の各補助配線層の上部に平坦化層を有する構成を単純に組み合わせた場合、平坦化層のコンタクトホールに由来する段差によって、サブ画素下部の平坦性が不十分になり、サブ画素下部の段差による発光ムラが生じたり、サブ画素に非発光不良が生じたりする課題があった。

上記課題を解決するため、本発明の有機ＥＬ表示装置は下記の構成を有する。
［１］少なくとも、基板上に平坦化層と、有機ＥＬ層と、バンク層と、電極と、補助配線を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記平坦化層が２層以上であり、
前記平坦化層の中で有機ＥＬ層から２番目に近い平坦化層Ｌのコンタクトホールが、バンクで区画されたサブ画素の区画内の下方に配置された構造を有し、
前記平坦化層Ｌが条件Ａおよび条件Ｂのいずれも満たす、有機ＥＬ表示装置。

条件Ａ：コンタクトホールのテーパー角が３５°以上７０°以下
条件Ｂ：コンタクトホールの開口部の短径が１．０μｍ以上２．２μｍ以下

本発明によって、サブ画素のピッチの微細化が可能であり、サブ画素の非発光不良の抑制が可能であり、サブ画素下部の段差による発光ムラのない、有機ＥＬ表示装置とすることができる。

有機ＥＬ表示装置の１つの態様の断面概略図 有機ＥＬ表示装置の１つの態様の断面概略図 有機ＥＬ表示装置の１つの態様の断面概略図 実施例における有機ＥＬ表示装置の作製手順の概略図 実施例における測長、テーパー角測定箇所の概略図

本発明の実施の形態について詳細に説明する。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、少なくとも、基板上に平坦化層と、有機ＥＬ層と、バンク層と、電極と、補助配線を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
前記平坦化層が２層以上であり、
前記平坦化層の中で有機ＥＬ層から２番目に近い平坦化層Ｌのコンタクトホールが、バンクで区画されたサブ画素の区画内の下方に配置された構造を有し、
前記平坦化層Ｌが条件Ａおよび条件Ｂのいずれも満たす、有機ＥＬ表示装置。

条件Ａ：コンタクトホールのテーパー角が３５°以上７０°以下
条件Ｂ：コンタクトホールの開口部の短径が１．０μｍ以上２．２μｍ以下。

有機ＥＬ表示装置は、マトリックス状に形成された複数の画素を有するアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置であり、ガラスや樹脂膜などの基板上に配線を有し、その上に平坦化層を有し、その上にさらに補助配線および平坦化層を有する層を１つ以上有し、さらに最上部の平坦化層上に有機ＥＬ素子が設けられている。有機ＥＬ素子と配線とは、平坦化層に形成されたコンタクトホールを介して接続される。本発明において、有機ＥＬ素子とは、有機ＥＬ層、第１電極、および第２電極からなる最小単位の素子を指し、１つの有機ＥＬ素子は１つのサブ画素に相当する。

本発明において、２層以上ある平坦化層の中で、有機ＥＬ層から２番目に近い平坦化層を平坦化層Ｌと定義する。

図１～３に本発明の有機ＥＬ表示装置の断面概略図を例示するが、概略図においては説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。また、説明の便宜のために、同一平面上に構成要素があるかのように書き表しているが、必ずしも同一平面上に構成要素が存在しているとは限らない。

図１に本発明の有機ＥＬ表示装置の１つの態様の断面概略図を示す。
基板（１）上に、配線（４）が設けられており、配線（４）の一部を開口するコンタクトホール（６）を有する平坦化層Ｌ（Ｌ）が設けられている。さらに平坦化層Ｌ（Ｌ）上には、補助配線（７ａ）との接続部を開口するコンタクトホール（６ｂ）を有する平坦化層２（５ｂ）が設けられている。そして、これらのコンタクトホールを介して、配線（４）に接続された状態で、平坦化層２（５ｂ）上に第１電極（８）が形成されている。さらに、第１電極（８）の周縁を覆うようにバンク層（９）が形成される。そして、第１電極（８）の上部に有機ＥＬ層（１０）および第２電極（１１）が形成される。この有機ＥＬ表示装置は、基板（１）の反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板（１）側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。

また、図２に本発明の有機ＥＬ表示装置の別の態様の断面概略図を示す。
基板（１）上に、ボトムゲート型またはトップゲート型のＴＦＴ（２）が行列状に設けられている点が図１と異なる。このＴＦＴ（２）を覆う状態でＴＦＴ絶縁層（３）が形成されている。また、このＴＦＴ絶縁層（３）の下にＴＦＴ（２）に接続された配線（４）が設けられており、配線（４）の一部を開口するコンタクトホール（６）を有する平坦化層Ｌ（Ｌ）が設けられている。さらに平坦化層Ｌ上には、補助配線（７ａ）との接続部を開口するコンタクトホール（６ｂ）を有する平坦化層２（５ｂ）が設けられている。そして、これらのコンタクトホールを介して、配線（４）に接続された状態で、平坦化層２（５ｂ）上に第１電極（８）が形成されている。さらに、第１電極（８）の周縁を覆うようにバンク層（９）が形成される。そして、第１電極（８）の上部に有機ＥＬ層（１０）および第２電極（１１）が形成される。この有機ＥＬ表示装置は、基板（１）の反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板（１）側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。

図３に本発明の有機ＥＬ表示装置の１つの態様の断面概略図を示す。
基板（１）上に、配線（４）が設けられており、配線（４）の一部を開口するコンタクトホール（６ａ）を有する平坦化層１（５ａ）が設けられている。さらに平坦化層１（５ａ）上には、補助配線（７ａ）との接続部を開口するコンタクトホール（６）を有する平坦化層Ｌ（Ｌ）が設けられている。さらに平坦化層Ｌ上には、補助配線（７ｂ）との接続部を開口するコンタクトホール（６ｃ）を有する平坦化層３（５ｃ）が設けられている。そして、これらのコンタクトホール（６ｃ）を介して、配線（４）に接続された状態で、平坦化層３（５ｃ）上に第１電極（８）が形成されている。さらに、第１電極（８）の周縁を覆うようにバンク層（９）が形成される。そして、第１電極（８）の上部に有機ＥＬ層（１０）および第２電極（１１）が形成される。この有機ＥＬ表示装置は、基板（１）の反対側から発光光を放出するトップエミッション型でもよいし、基板（１）側から光を取り出すボトムエミッション型でもよい。

有機ＥＬ素子の色調に関しては、例えば、赤、緑、および青色領域にそれぞれ発光ピーク波長を有する有機ＥＬ素子を配列して使用する方法、または全面に白色の有機ＥＬ素子を作製して、別途カラーフィルタと組み合わせて使用する方法、青色の有機ＥＬ素子の上に、赤と緑の波長変換フィルタと組み合わせて使用する方法が挙げられる。通常、表示される赤色領域の光のピーク波長は５６０～７００ｎｍ、緑色領域は５００～５６０ｎｍ、青色領域は４２０～５００ｎｍの範囲である。

発光画素と呼ばれる範囲は、対向配置された第１電極と第２電極とが交差し重なる部分、さらに、第１電極上に絶縁層が形成される場合にはそれにより規制される範囲である。アクティブマトリックス型ディスプレイにおいては、スイッチング手段が形成される部分が発光画素の一部を占有するように配置されることがあり、発光画素の形状は矩形状ではなく、一部分が欠落したような形でもよい。しかしながら、発光画素の形状はこれらに限定されるものではなく、例えば円形でもよく、絶縁層の形状によっても容易に変化させることができる。

本発明の有機ＥＬ表示装置において、平坦化層は２層以上である。平坦化層が２層以上であることによって、補助配線を多層化でき、サブ画素のピッチの微細化が可能になる。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、平坦化層Ｌが条件Ａおよび条件Ｂのいずれも満たす。

条件Ａ：コンタクトホールのテーパー角が３５°以上７０°以下
条件Ｂ：コンタクトホールの開口部の短径が１．０μｍ以上２．２μｍ以下
平坦化層Ｌのコンタクトホールのテーパー角が３５°以上かつ開口部の短径が２．２μｍ以下であることによって、コンタクトホールの上部寸法を小さくできサブ画素のピッチの微細化が容易になり、また該平坦化層Ｌの上に形成される層の平坦性が良好になり、発光ムラ不良の抑制が可能になる。一方、平坦化層Ｌのコンタクトホールのテーパー角が７０°以下かつ開口部の短径が１．０μｍ以上であることによって、補助配線の断線不良によるサブ画素の非発光を抑制できる。

上記のテーパー角の範囲において、テーパー角を大きく設計することで、該平坦化層Ｌの直上に形成される層の平坦性がさらに良好になるため好ましく、この観点で、４５°以上が好ましく、５０°以上がより好ましく、５５°以上が特に好ましい。本発明の１つの好ましい態様においては、前記平坦化層Ｌのコンタクトホールのテーパー角が５０°以上７０°以下である。

平坦化層Ｌのコンタクトホールの開口部の短径は、補助配線の断線不良抑制の観点で、１．２μｍ以上が好ましく、１．４μｍ以上がより好ましく、１．５μｍ以上がさらに好ましく、上に形成される層の平坦性の観点で、２．１μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．８μｍ以下がさらに好ましい。

平坦化層Ｌのコンタクトホールのテーパー角およびコンタクトホールの開口部の短径は、断面のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察で求めることができる。コンタクトホールの中心を通る断面で観察するためには、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）等の方法で断面加工をすることが好ましい。また、無数のコンタクトホールの全てを観察することは現実的ではなく、平坦化層Ｌにおける代表となる少なくとも１箇所を抽出しての断面観察でよいものとする。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、平坦化層Ｌのコンタクトホールが、バンクで区画されたサブ画素の区画内の下方に配置された構造を有することに特徴がある。「バンクで区画されたサブ画素の区画内の下方に配置された」とは、バンクで区画されたサブ画素の輪郭を基板に対して垂直に基板方向に降ろした面を側面とし、有機ＥＬ層を上面とし、基板の有機ＥＬ層側表面を底面として、側面、上面、および底面で囲まれた領域に、平坦化層Ｌのコンタクトホールの開口部および／またはテーパーの少なくとも一部が含まれることを意味する。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、前記電極が、第１電極と第２電極を有し、
各サブ画素は少なくとも、平坦化層と、第１電極と、有機ＥＬ層と、第２電極をこの順に積層した構造を有し、
バンクで区画されたサブ画素の区画内における、平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差が２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。前記第２電極表面の段差を上記の範囲とすることで、発光ムラ不良の抑制に寄与する。前記第２電極表面の段差は、発光ムラ不良抑制の観点で、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは８０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下であり、製造時の品質制御の観点で、好ましくは２０ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上である。

バンクで区画されたサブ画素の区画内における、平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差は、断面のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）観察で求めることができる。コンタクトホールの中心を通る断面で観察するためには、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）等の方法で断面加工をすることが好ましい。また、無数のコンタクトホールの上部の第２電極表面の段差の全てを観察することは現実的ではなく、平坦化層Ｌにおける代表となる少なくとも１箇所を抽出しての断面観察でよいものとする。

本発明の有機ＥＬ表示装置は、平坦化層Ｌの膜厚が０．９μｍ以上１．６μｍ以下であることが好ましい。平坦化層Ｌの膜厚が０．９μｍ以上であることによって、該平坦化層の直上に形成される層の平坦性が良好になり、１．６μｍ以下であることによって、コンタクトホールの上部寸法を小さくできサブ画素のピッチの微細化が容易になる。さらに、平坦化層Ｌの膜厚は、直上に形成される層の平坦性の観点で、１．０μｍ以上が好ましく、１．１μｍ以上がより好ましく、１．２μｍ以上がさらに好ましく、コンタクトホールのテーパー角制御の観点で、１．５μｍ以下が好ましく、１．４μｍ以下がより好ましい。

平坦化層は、樹脂膜であることが好ましい。樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、アクリル樹脂、フェノール樹脂、およびシロキサン樹脂が挙げられるが、これらに限定されない。これらの中でも、有機ＥＬ表示装置の長期発光信頼性の観点で、ポリイミドが好ましく用いられる。ポリイミド膜からなる平坦化層は、ポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む樹脂組成物を硬化させることで、形成することができる。

さらに、本発明の平坦化層は、感光性樹脂組成物の硬化物を含むことが好ましい。コンタクトホールの形成を容易にするため、平坦化層Ｌは、感光性樹脂組成物の硬化物を含むことが特に好ましい。とりわけ、平坦化層Ｌに含まれる感光性樹脂組成物の硬化物は、有機ＥＬ表示装置の長期発光信頼性の観点で、フッ化ポリイミドを含むことが好ましい。

前記感光性樹脂組成物は公知のものを使用できる。感光性樹脂組成物としては、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、アクリル樹脂、フェノール樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくともいずれかを含む感光性樹脂組成物が好ましく用いられるが、これらに限定されない。これらの中でも、有機ＥＬ表示装置の長期発光信頼性の観点で、ポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物が好ましく用いられ、フッ化ポリイミドおよび／またはフッ化ポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物がより好ましく用いられる。

本発明の有機ＥＬ表示装置において、平坦化層Ｌは黒色であることが好ましい。平坦化層Ｌを黒色にすることで、外光を遮断し、平坦化層Ｌの下層の樹脂膜の光劣化を抑制し、有機ＥＬ素子の長期発光信頼性を高めることができる。黒色の平坦化層は、１種または複数種の着色剤を含有する感光性樹脂組成物から得ることができる。本発明において、平坦化層が黒色とは、平坦化層の透過スペクトルにおいて、波長５５０ｎｍにおける膜厚１．０μｍあたりの透過率を、ランベルト・ベールの式に基づいて、波長５５０ｎｍにおける透過率が１０％となるように膜厚を０．１～１．５μｍの範囲内で換算した場合に、換算後の透過スペクトルにおける、波長４５０～６５０ｎｍにおける透過率が、２５％以下であることを意味する。

本発明のバンク層には、平坦化層と同様に感光性樹脂組成物によって形成されている樹脂膜が好適に用いられる。平坦化層と同じ材料であっても、異なる材料であってもよい。有機ＥＬ表示装置の長期発光信頼性の観点で、バンク層はポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物を硬化したものが好ましく用いられる。

次に本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。

前記感光性樹脂組成物を用いて平坦化層Ｌを形成する工程が、
感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程と、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
マスクを介して露光する工程と、露光した感光性樹脂膜を現像し、パターニングする工程と、および現像後の樹脂パターンを加熱処理して硬化させる加熱硬化工程を含み、
前記加熱硬化工程が１００℃以上１８０℃以下の温度で処理する工程、および２２０℃以上３００℃以下の温度で処理する工程を含むことが好ましい。

加熱硬化（キュア）の最高温度となる２２０℃以上３００℃以下の温度域よりも低温から徐々に昇温する昇温キュア、または最高温度よりも低温で処理してから最高温度で処理するステップキュアとすることで、コンタクトホールのテーパー角および開口部の短径が変化することを抑制できる。昇温キュアであってもステップキュアであっても、１００℃以上１８０℃以下の温度で処理する工程を行った後に、２２０℃以上３００℃以下の温度で処理することで、コンタクトホールの形状変化をより抑制することができる。予備加熱の温度は、予備硬化を効果的に進める観点で、１２０℃以上の温度域を含むことがより好ましく、１４０℃以上の温度域を含むことがさらに好ましく、またコンタクトホールの形状変化を抑制する観点で、１７０℃以下の温度域を含むことがより好ましく、１６０℃以下の温度域を含むことがさらに好ましい。好ましい例としては、５０℃から５℃／分で昇温して２５０℃で６０分処理する方法や、１５０℃で３０分処理した後、２５０℃で６０分処理する方法が挙げられる。

有機ＥＬ表示装置の製造方法について、具体的に図２を例に挙げて説明するが、以下に説明する形態によってのみ限定されるものではない。

まず、公知のＴＦＴ製造工程により、基板（１）上にＴＦＴ（２）、配線（４）、およびＴＦＴ絶縁層（３）を形成する。基板（１）の材質としては、ガラス、樹脂、金属が挙げられる。有機ＥＬ表示装置を曲面ディスプレイやフレキシブルディスプレイに適用する場合、ポリイミド等の樹脂膜を用いることが好ましい。ＴＦＴ（２）の活性層に用いられる材料としては、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン、酸化物半導体、また低温ポリシリコンと酸化物半導体を組み合わせたＬＴＰＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ ａｎｄ Ｏｘｉｄｅ）が挙げられる。ＴＦＴ絶縁層（３）の材質としては、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素が挙げられる。配線（４）の材質としては、モリブデン、アルミニウム、チタンが挙げられ、これらを複数種積層して用いてもよい。

次に、平坦化層Ｌ（Ｌ）を形成する。平坦化層Ｌは配線（４）と補助配線（７ａ）を電気的に接続するためのコンタクトホール（６）を有する。平坦化層Ｌ（Ｌ）にはポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物が好ましく用いられる。感光性樹脂組成物を用いて平坦化層Ｌを形成する場合は、公知のフォトリソグラフィー法で実施可能である。

本発明においては、平坦化層Ｌのコンタクトホール（６）のテーパー角および開口部の短径が適切な範囲となるよう制御してパターン加工することが重要であり、これを容易にするため、露光はレンズ開口数（ＮＡ）の大きい露光機を用いて縮小露光することが好ましい。好ましいレンズ開口数は０．１０以上、より好ましくは０．１２以上、さらに好ましくは０．１５以上、さらに好ましくは０．２０以上、特に好ましくは０．３０以上である。次の加熱硬化工程の前に、必要に応じて得られた樹脂パターンの全面をＵＶ露光（ブリーチ）してもよい。

また、パターンを形成した後に加熱硬化（キュア）して平坦化層Ｌ（Ｌ）とする工程では、最高温度よりも低温から徐々に昇温する昇温キュア、または最高温度よりも低温で処理してから最高温度で処理するステップキュアとすることで、コンタクトホール（６）のテーパー角および開口部の短径が変化することを抑制できるため好ましい。昇温キュアであってもステップキュアであっても、１００℃以上１８０℃以下の温度で処理する工程を行った後に、２２０℃以上３００℃以下の温度で処理することで、コンタクトホール（６）の形状変化をより抑制することができる。

予備加熱の温度は、予備硬化を効果的に進める観点で、１２０℃以上の温度域を含むことがより好ましく、１４０℃以上の温度域を含むことがさらに好ましく、またコンタクトホール（６）の形状変化を抑制する観点で、１７０℃以下の温度域を含むことがより好ましく、１６０℃以下の温度域を含むことがさらに好ましい。好ましい例としては、５０℃から５℃／分で昇温して２５０℃で６０分処理する方法や、１５０℃で３０分処理した後、２５０℃で６０分処理する方法が挙げられる。

次に、公知の方法により、補助配線（７ａ）の金属材料をスパッタにより成膜し、フォトレジストを用いてエッチングにより配線形状にパターン加工する。補助配線（７ａ）の材質としては、モリブデン、アルミニウム、チタンが挙げられ、これらを複数種積層して用いてもよい。

次に、平坦化層２（５ｂ）を形成する。平坦化層２（５ｂ）は補助配線（７ａ）と第１電極（８）を電気的に接続するためのコンタクトホール（６ｂ）を有する。平坦化層２（５ｂ）にはポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物が好ましく用いられる。平坦化層２（５ｂ）は感光性樹脂組成物を用いて公知のフォトリソグラフィー法で樹脂パターンを形成し、必要に応じて得られた樹脂パターンの全面をＵＶ露光（ブリーチ）し、加熱硬化（キュア）させて形成する。

次に、公知の方法により、第１電極（８）の金属材料をスパッタにより成膜し、フォトレジストを用いてエッチングにより所望の形状に加工する。第１電極（８）の材質としては、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）が挙げられ、例えば銀と積層することで反射電極として用いてもよい。

次に、バンク層（９）を形成する。バンク層（９）は第１電極（８）上に開口部を有し、画素の発光領域を定義する。バンク層（９）にはポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物が好ましく用いられる。バンク層（９）は感光性樹脂組成物を用いて公知のフォトリソグラフィー法で樹脂パターンを形成し、必要に応じて得られた樹脂パターンの全面をＵＶ露光（ブリーチ）し、加熱硬化（キュア）させて形成する。

次に、有機ＥＬ層（１０）を形成する。有機ＥＬ層（１０）は公知のマスク蒸着法やインクジェット法によって形成することができる。例としてマスク蒸着法では、蒸着マスクを基板の蒸着源側に配置して、蒸着マスクを介した有機化合物の蒸着を繰り返し行い、成膜する。有機ＥＬ層（１０）の構成は特に限定されず、例えば、正孔輸送層／発光層、正孔輸送層／発光層／電子輸送層、発光層／電子輸送層のいずれであってもよい。

次に、公知の方法により、第２電極（１１）を形成する。アクティブマトリックス型では、発光領域全体に渡って第２電極が全面に形成されることが多い。第２電極（１１）の材質としては、透明性の観点でマグネシウムおよび銀の合金やＩＴＯが好ましく用いられる。

第２電極を形成後、封止を行うことが好ましい。一般的に、有機ＥＬ素子は酸素や水分に弱いとされ、信頼性の高い表示装置を得るためにはできるだけ酸素と水分の少ない雰囲気下で封止を行うことが好ましい。封止に使用する部材はガスバリア性の高いものを選定することが好ましい。

以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。なお、実施例中の評価は以下の方法により行った。
（１）有機ＥＬ表示装置の作製
図４に有機ＥＬ表示装置の作製手順の概略図を示す。なお、概略図においては説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。

まず、３８ｍｍ×４６ｍｍの無アルカリガラスの基板（１）に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ、透明導電膜）１０ｎｍをスパッタ法により基板全面に形成し、第１電極および第２電極を取り出すための補助電極１（１２）および補助電極２（１３）としてエッチングした。得られた基板をセミコクリーン５６（商品名、フルウチ化学（株）製）で１０分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。

次にこの基板全面に、後述する所定の感光性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、１２０℃のホットプレート上で２分間プリベークした。この基板を支持基板に固定し、フォトマスクを介して露光機ｉ線ステッパーＮＳＲ－２００５ｉ９Ｃ（（株）ニコン製、レンズ開口数０．５７、１／５倍縮小露光タイプ）でコンタクトホールに該当する箇所のみ円形のパターンをＵＶ露光した。ｉ線ステッパーのフォーカスおよびパターンサイズを変更することで所望のテーパー角および短径になるように調整した。

さらに別のフォトマスクを介して露光機マスクアライナーＰＥＭ－６Ｍ（ユニオン光学（株）製）で基板周縁部をＵＶ露光した後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液で現像し、不要な部分を溶解させ、純水でリンスした。必要に応じてパターン形状を変化させる目的で、得られた樹脂パターンを後述する条件に従い、露光機マスクアライナーで樹脂パターンの全面をＵＶ露光（ブリーチ）した。高温イナートガスオーブン（ＩＮＨ－９ＣＤ－Ｓ；光洋サーモシステム（株）製）を用いて窒素雰囲気下で後述する所定の条件でキュアし、コンタクトホール（６）を有する平坦化層Ｌ（Ｌ）を形成した。

次にメタルマスクを介して、Ｔｉ５０ｎｍ、Ａｌ５００ｎｍ、Ｔｉ５０ｎｍをこの順にスパッタし、補助配線（７ａ）を形成した。

次にこの基板全面に、後述する感光性樹脂組成物（Ｗ－１）をスピンコート法により塗布し、１２０℃のホットプレート上で２分間プリベークした。この基板を支持基板に固定し、フォトマスクを介して露光機ｉ線ステッパーでコンタクトホールに該当する箇所のみ直径３μｍの円形のパターンをＵＶ露光した。さらに別のフォトマスクを介して露光機マスクアライナーで基板周縁部をＵＶ露光した後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液で現像し、不要な部分を溶解させ、純水でリンスした。得られた樹脂パターンを、高温イナートガスオーブンを用いて窒素雰囲気下２５０℃で６０分間キュアし、直径約３μｍの円形のコンタクトホール（６ｂ）を有する平坦化層２（５ｂ）を形成した。平坦化層２の厚さは約２．０μｍとなるように調整した。

次にメタルマスクを介して、ＩＴＯ１０ｎｍ、Ａｇ５０ｎｍ、ＩＴＯ１０ｎｍをこの順にスパッタし、第１電極（８）を形成した。

次にこの基板全面に、後述する感光性樹脂組成物（Ｗ－１）をスピンコート法により塗布し、１２０℃のホットプレート上で２分間プリベークした。この基板を、フォトマスクを介して露光機マスクアライナーで開口部となる箇所および基板周縁部をＵＶ露光した後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド水溶液で現像し、不要な部分を溶解させ、純水でリンスした。得られた樹脂パターンを、露光機マスクアライナーで樹脂パターンの全面を２００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量にてＵＶ露光（ブリーチ）した。高温イナートガスオーブンを用いて窒素雰囲気下２５０℃で６０分間キュアし、縦５ｍｍ、横５ｍｍの開口部を４箇所有するバンク層（９）を形成した。それぞれの開口部は第一電極を露出せしめる形状であり、開口部の下方には平坦化層Ｌ（Ｌ）のコンタクトホール（６）が配置されている。バンク層の厚さは約１．０μｍとなるように調整した。

次に、前処理として窒素プラズマ処理を行った後、真空蒸着法により発光層を含む有機ＥＬ層（１０）を形成した。なお、蒸着時の真空度は１×１０^－３Ｐａ以下であり、蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔注入層として化合物（ＨＴ－１）を１０ｎｍ、正孔輸送層として化合物（ＨＴ－２）を５０ｎｍ蒸着した。次に発光層に、ホスト材料としての化合物（ＧＨ－１）とドーパント材料としての化合物（ＧＤ－１）を、ドープ濃度が１０％になるようにして４０ｎｍの厚さに蒸着した。次に、電子輸送材料として化合物（ＥＴ－１）と化合物（ＬｉＱ）を体積比１：１で４０ｎｍの厚さに積層した。有機ＥＬ層（１０）で用いた化合物の構造を以下に示す。

次に、化合物（ＬｉＱ）を２ｎｍ蒸着した後、ＭｇおよびＡｇを体積比１０：１で１０ｎｍ蒸着して第２電極（透明電極）（１１）とした。最後に、低湿窒素雰囲気下でエポキシ樹脂系接着剤を用いてキャップ状ガラス板を接着することで封止をし、１枚の基板上に１辺が５ｍｍの四角形のサブ画素を４つ有するトップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置を作製した。これを各水準４個ずつ作製し、評価に用いた。
（２）発光ムラ評価
上記の方法で作製した有機ＥＬ表示装置を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動にて発光させ、基板鉛直方向をＺ軸方向としてＺ軸から０～６０°傾けて様々な方向から発光部を目視観察し、サブ画素下部の段差に由来する発光ムラが見られないものを良好、発光ムラが見られるものを不良とした。
（３）発光評価
上記の方法で作製した有機ＥＬ表示装置を１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動にて発光させて発光部を目視観察し、発光するサブ画素を良好、発光しないサブ画素を不良と判定した。サブ画素１６個に対して判定を行い、良品率１５／１６以上を合格、１４／１６以下を不合格とした。
（４）長期発光信頼性試験
上記の方法で作製した有機ＥＬ表示装置を、発光面を上にして８０℃に加熱したホットプレートに乗せ、太陽光を模したキセノンランプ光源を用い、波長３６５ｎｍにおける照度が０．６ｍＷ／ｃｍ^２のＵＶ光を照射した。５００時間経過後に取り出し、１０ｍＡ／ｃｍ^２で直流駆動にて発光させ、１辺が５ｍｍの四角形のサブ画素の面積に対する発光部の面積率（発光面積率）を測定した。各水準４個の有機ＥＬ表示装置に対し、１個の有機ＥＬ表示装置につき１つのサブ画素で測定を行い、その測定結果の平均値を採用した。長期発光信頼性は、発光面積率が９５％未満のものを不良、９５％以上９８％未満のものを良好、９８％以上のものを極めて良好とした。
（５）測長、テーパー角測定
上記の方法で作製した有機ＥＬ表示装置において、平坦化層Ｌの膜厚ｄ１、コンタクトホールの開口部の短径ｄ２および上部寸法ｄ３の測長、ならびにテーパー角θの測定、平坦化層２の段差ｄ４の測長、平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差ｄ５の測長は、断面ＦＩＢ－ＳＥＭ像より求めた。図５に測長、テーパー角測定箇所の概略図を示す。なお、概略図においては説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。

サブ画素のピッチの微細化の観点で、平坦化層Ｌのコンタクトホールの上部寸法ｄ３は小さいほど好ましく、平坦化層Ｌのコンタクトホールの上部寸法ｄ３が、６．５μｍ以上のものを不良、５．０μｍ以上６．５μｍ未満のものを良好、５．０μｍ未満のものを極めて良好とした。

また、発光ムラのリスク低減の観点で、平坦化層２の段差ｄ４が小さい、すなわち平坦性が良好なほど好ましく、平坦化層２の段差ｄ４が、２２０ｎｍ以上のものを不良、１５０ｎｍ以上２２０ｎｍ未満のものを良好、１５０ｎｍ未満のものを極めて良好とした。

同様に、発光ムラのリスク低減の観点で、バンクで区画されたサブ画素の区画内における、平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差ｄ５が小さい、すなわち平坦性が良好なほど好ましく、第２電極表面の段差ｄ５が、２００ｎｍ超のものを不良、１５０ｎｍ超２００ｎｍ以下のものを合格、１００ｎｍ超１５０ｎｍ以下のものを良好、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のものを極めて良好とした。

合成例１ ポリイミド前駆体樹脂（Ａ－１）の合成
乾燥窒素気流下、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３６．６３ｇ（０．１モル）、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル３６．０４ｇ（０．１８モル）、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン３．９８ｇ（０．０１６モル）をＮ－メチル－２－ピロリドン（以下、ＮＭＰとも記載する）１０００ｇに溶解させた。ここにビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物１２４．０９ｇ（０．４モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に末端封止剤として４－アミノフェノール２２．７０ｇ（０．２０８モル）をＮＭＰ１０ｇとともに加え、５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７１．５０ｇ（０．６モル）を投入した。投入後、５０℃で３時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を室温まで冷却した後、溶液を水１０Ｌに投入して沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、１０Ｌの水を加えた上で濾過をして沈殿を集める洗浄操作を３回行った後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、フッ素基を有するポリイミド前駆体樹脂（Ａ－１）の粉体を得た。

合成例２ アクリル樹脂（Ａ－２）の合成
乾燥窒素気流下、２，２’－アゾビス（イソブチロニトリル）５ｇ、ｔ－ドデカンチオール５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡとも記載する）１５０ｇ、メタクリル酸３０ｇ、ベンジルメタクリレート３５ｇ、およびトリシクロ［５．２．１．０^２，６］デカン－８－イルメタクリレート３５ｇを室温で３０分間撹拌し、７０℃で５時間加熱撹拌した。次に、得られた溶液にメタクリル酸グリシジルを１５ｇ、ジメチルベンジルアミンを１ｇ、ｐ－メトキシフェノールを０．２ｇ添加し、９０℃で４時間加熱撹拌し、アクリル樹脂（Ａ－２）の溶液を得た。得られたアクリル樹脂溶液の固形分濃度は４３質量％であった。

合成例３ キノンジアジド化合物（Ｂ－１）の合成
乾燥窒素気流下、４，４’－［１－［４－［１－（４－ヒドロキシフェニル－１）－１－メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学工業（株）製、以下ＴｒｉｓＰ－ＰＡとする）、４２．４ｇ（０．１モル）と５－ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド（東洋合成（株）製、ＮＡＣ－５）７２．３ｇ（０．２７モル）を１，４－ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４－ジオキサン１００ｇと混合したトリエチルアミン２５．０ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後、４０℃で２時間撹拌した。トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに１％塩酸水１Ｌで洗浄した。その後、さらに水２Ｌで２回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式で表されるキノンジアジド化合物（Ｂ－１）を得た。

合成例４ ポリイミド樹脂（Ａ－３）の合成
乾燥窒素気流下、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１０９．８８ｇ（０．３モル）、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４．９７ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として、４－アミノフェノール１７．４６ｇ（０．１６モル）をＮＭＰ１０００ｇに溶解させた。ここにビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物１２４．０９ｇ（０．４モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、キシレンを２０ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、１５０℃で５時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を室温まで冷却した後、溶液を水１０Ｌに投入して沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、フッ素基を有するポリイミド樹脂（Ａ－３）の粉末を得た。

合成例５ ポリイミド前駆体樹脂（Ａ－４）の合成
乾燥窒素気流下、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル５６．０７ｇ（０．２８モル）、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン４．９７ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ１０００ｇに溶解させた。ここにビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物１２４．０９ｇ（０．４モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で２時間反応させた。次に末端封止剤として４－アミノフェノール２１．８３ｇ（０．２モル）をＮＭＰ１０ｇとともに加え、５０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジメチルアセタール５７．２０ｇ（０．４８モル）を投入した。投入後、５０℃で３時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を室温まで冷却した後、溶液を水１０Ｌに投入して沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、１０Ｌの水を加えた上で濾過をして沈殿を集める洗浄操作を３回行った後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、フッ素基を有さないポリイミド前駆体樹脂（Ａ－４）の粉体を得た。

調整例１ 感光性樹脂組成物（Ｗ－１）の作製
合成例１で得られたポリイミド前駆体樹脂（Ａ－１）１２０ｇ、感光性化合物として合成例３で得られたキノンジアジド化合物（Ｂ－１）３５ｇ、熱架橋剤として“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ－２７０（商品名、（株）三和ケミカル製）２０ｇを計り、γ－ブチロラクトン（以下、ＧＢＬとも記載する）４７０ｇとプロピレングリコールモノメチルエーテル（以下、ＰＧＭＥとも記載する）７００ｇを加えて溶解させ、０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターで濾過して、フッ素基を有するポリイミド前駆体を含有する感光性樹脂組成物（Ｗ－１）を得た。

調整例２ 感光性樹脂組成物（Ｗ－２）の作製
合成例２で得られたアクリル樹脂（Ａ－２）の溶液２３ｇ、感光性化合物として合成例３で得られたキノンジアジド化合物（Ｂ－１）３ｇを計り、ＰＧＭＥＡ３０ｇとＰＧＭＥ２０ｇを加えて溶解させ、０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターで濾過して、アクリル樹脂を含有する感光性樹脂組成物（Ｗ－２）を得た。

調整例３ 感光性樹脂組成物（Ｗ－３）の作製
合成例１で得られたポリイミド前駆体樹脂（Ａ－１）１０ｇ、感光性化合物として合成例３で得られたキノンジアジド化合物（Ｂ－１）３ｇ、熱架橋剤として“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ－２７０を２ｇ、着色化合物としてＰｌａｓｔ Ｙｅｌｌｏｗ ８０７０（一般名Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ Ｙｅｌｌｏｗ ２０１、有本化学工業（株）製、吸収極大波長４４５ｎｍ）０．１ｇ、Ｏｉｌ Ｓｃａｒｌｅｔ５２０６（一般名Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｒｅｄ １８、有本化学工業（株）製、吸収極大波長５１５ｎｍ）０．２ｇ、およびＰｌａｓｔ Ｂｌｕｅ８５４０（一般名Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ Ｂｌｕｅ ６３、有本化学工業（株）製、吸収極大波長６４５ｎｍ）０．２ｇを計り、ＧＢＬ４０ｇとＰＧＭＥ６０ｇを加えて溶解させ、０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターで濾過して、フッ素基を有するポリイミド前駆体および着色化合物を含有する感光性樹脂組成物（Ｗ－３）を得た。

調整例４ 感光性樹脂組成物（Ｗ－４）の作製
合成例４で得られたポリイミド樹脂（Ａ－３）６０ｇ、感光性化合物として合成例３で得られたキノンジアジド化合物（Ｂ－１）１７ｇ、熱架橋剤として“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ－２７０を１０ｇを計り、ＧＢＬ２４０ｇとＰＧＭＥ３５０ｇを加えて溶解させ、０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターで濾過して、フッ素基を有するポリイミドを含有する感光性樹脂組成物（Ｗ－４）を得た。

調整例５ 感光性樹脂組成物（Ｗ－５）の作製
合成例５で得られたポリイミド前駆体樹脂（Ａ－４）６０ｇ、感光性化合物として合成例３で得られたキノンジアジド化合物（Ｂ－１）１７ｇ、熱架橋剤として“ＮＩＫＡＬＡＣ”（登録商標）ＭＸ－２７０を１０ｇを計り、ＧＢＬ２４０ｇとＰＧＭＥ３５０ｇを加えて溶解させ、０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターで濾過して、フッ素基を有さないポリイミド前駆体を含有する感光性樹脂組成物（Ｗ－５）を得た。

［実施例１～２０、比較例１～６］
上記（１）の方法で有機ＥＬ表示装置を作製し、発光ムラ評価、発光評価、平坦化層Ｌの膜厚ｄ１、コンタクトホールの開口部の短径ｄ２および上部寸法ｄ３の測長、テーパー角θの測定、平坦化層２の段差ｄ４および平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差ｄ５の測長を行った結果を表１に示す。平坦化層Ｌに用いた感光性樹脂組成物（ワニス）は表１に示し、平坦化層Ｌを形成するブリーチおよびキュアの条件の詳細は表２に示した。平坦化層Ｌの膜厚、開口部の短径およびテーパー角を変化させる目的で、スピンコートの回転数、ｉ線ステッパーによるＵＶ露光時のフォーカス、ブリーチ条件を調整した。なお、感光性アクリル樹脂組成物（Ｗ－２）を用いた実施例１３では、アクリル材料に対する適切な条件として、ブリーチは実施し、キュアの最高温度は２３０℃とした。

実施例１～２０に示すものは、いずれも平坦化層Ｌが条件Ａ：コンタクトホールのテーパー角が３５°以上７０°以下、および条件Ｂ：コンタクトホールの開口部の短径が１．０μｍ以上２．２μｍ以下を満たし、上部寸法は６．５μｍ未満、発光ムラなし、発光評価良品率１６／１６であり、良好または極めて良好な結果であった。また、平坦化層Ｌの膜厚とコンタクトホールの開口部の短径がほぼ同等である実施例１～４を比較すると、テーパー角が大きいほど開口部の上部寸法は小さくなり、サブ画素のピッチの微細化に有効であると言える。さらにテーパー角が５０°超の実施例３および４は平坦化層２の段差の小さい、極めて良好な結果であった。また、実施例２および９～１２を比較すると、１００℃以上１８０℃以下の温度で処理する工程を含む、実施例２および１０は他と比較してテーパー角が高く、このことからキュア時のコンタクトホールの形状変化が小さく、形状の制御を行いやすいことがわかる。また、平坦化層Ｌに感光性フッ化ポリイミド樹脂組成物を用いた実施例１５～１７の中でも、コンタクトホール短径が小さく、テーパー角の高い実施例１６は、平坦化層２の段差ｄ４および平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差ｄ５の小さい、極めて良好な結果であった。

［実施例２１～２５］
実施例２、１３、１４、１５および１８で作製したものとそれぞれ同じ条件で有機ＥＬ表示装置を４個ずつ作製し、発光ムラ評価、発光評価、長期発光信頼性試験を行った。結果を表３に示す。

表３に示すものは、いずれも発光ムラなし、発光良品率１６／１６の良好な結果であった。長期発光信頼性に関しては、平坦化層Ｌに感光性アクリル樹脂組成物を用いた実施例２２に比べ、感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物を用いた実施例２１、２３および２５ならびに感光性ポリイミド樹脂組成物を用いた実施例２４の方が良好な結果であった。感光性ポリイミド前駆体樹脂組成物および感光性ポリイミド樹脂組成物で比較すると、キュアで平坦化層Ｌがフッ化ポリイミドとなっている実施例２１、２３および２４の方が、キュアで平坦化層Ｌが非フッ化ポリイミドとなっている実施例２５に比べて良好な結果であった。また、同一のフッ化ポリイミド前駆体樹脂（Ａ－１）を用いた実施例２１と実施例２３を比較すると、平坦化層Ｌが黒色の実施例２３の方が良好な結果であった。

１：基板
２：ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
３：ＴＦＴ絶縁層
４：配線
Ｌ：平坦化層Ｌ
５ａ：平坦化層１
５ｂ：平坦化層２
５ｃ：平坦化層３
６：平坦化層Ｌのコンタクトホール
６ａ：平坦化層１のコンタクトホール
６ｂ：平坦化層２のコンタクトホール
６ｃ：平坦化層３のコンタクトホール
７ａ，７ｂ：補助配線
８：第１電極
９：バンク層
１０：有機ＥＬ層
１１：第２電極
１２：補助電極１
１３：補助電極２
ｄ１：平坦化層Ｌの膜厚
ｄ２：平坦化層Ｌのコンタクトホールの開口部の短径
ｄ３：平坦化層Ｌのコンタクトホールの上部寸法
ｄ４：平坦化層２の段差
ｄ５：平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差
θ：平坦化層Ｌのコンタクトホールのテーパー角

Claims (9)

1. 少なくとも、基板上に平坦化層と、有機ＥＬ層と、バンク層と、電極と、補助配線を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記平坦化層が２層以上であり、
   前記平坦化層の中で有機ＥＬ層から２番目に近い平坦化層Ｌのコンタクトホールが、バンクで区画されたサブ画素の区画内の下方に配置された構造を有し、
   前記平坦化層Ｌが条件Ａおよび条件Ｂのいずれも満たす、有機ＥＬ表示装置。
   条件Ａ：コンタクトホールのテーパー角が３５°以上７０°以下
   条件Ｂ：コンタクトホールの開口部の短径が１．０μｍ以上２．２μｍ以下
2. 前記条件Ａが条件Ａ－１である、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
   条件Ａ－１：コンタクトホールのテーパー角が５０°以上７０°以下
3. 前記電極が、第１電極と第２電極を有し、
   各サブ画素は少なくとも、平坦化層と、第１電極と、有機ＥＬ層と、第２電極をこの順に積層した構造を有し、
   バンクで区画されたサブ画素の区画内における、平坦化層Ｌのコンタクトホール上の第２電極表面の段差が２０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記平坦化層Ｌがさらに条件Ｃを満たす、請求項１～３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
   条件Ｃ：膜厚が０．９μｍ以上１．６μｍ以下
5. 前記平坦化層Ｌが感光性樹脂組成物の硬化物を含む、請求項１～４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 前記感光性樹脂組成物の硬化物が、フッ化ポリイミドを含む、請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
7. 前記感光性樹脂組成物が、ポリイミドおよび／またはポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物である、請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記平坦化層Ｌが黒色である、請求項１～７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 前記感光性樹脂組成物を用いて平坦化層Ｌを形成する工程が、
   感光性樹脂組成物を基板上に塗布する工程と、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、マスクを介して露光する工程と、露光した感光性樹脂膜を現像し、パターニングする工程と、および現像後の樹脂パターンを加熱処理して硬化させる加熱硬化工程を含み、
   前記加熱硬化工程が１００℃以上１８０℃以下の温度で処理する工程、および２２０℃以上３００℃以下の温度で処理する工程を含む、請求項５～８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。

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