JP6870926B2 - 表示装置、表示モジュール、および電子機器 - Google Patents
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Images
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
図1(A)は、表示装置が有する画素の回路図である。
ここでトランジスタM1、M2、M3、および容量素子MCに適用可能なトランジスタまたはMOS容量の構成例について、図5(A)(B)(C)までを用いて説明する。
次いで図7では、発光素子等の構成を除く、図4(B)の画素PIX_Dの回路構成に適用可能な上面図の一例を示す。また図8は、図7の上面図における上下関係にある導電層および半導体層等を層毎に分け、開口を介して接続される様子を図示したものである。また図9(A)は、図7の点線P1−P2間の断面図であり、図9(B)は、図7の点線Q1−Q2間の断面図である。また図10は、図7の上面図でのトランジスタの配置に対応させた画素を複数並べて図示した回路図である。
本発明の一態様について適用できる回路構成は、図1(A)のトランジスタM1、M2およびM3を有する画素構成に限らない。例えば、図11(A)に示すように2つ以下のトランジスタを有する画素構成についても適用可能である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の断面構成例について説明する。
図13に、以下で説明する表示装置10の上面概略図を示す。表示装置10は、画素部11、走査線駆動回路12、信号線駆動回路13、端子部15、複数の配線16a、及び複数の配線16b等を有する。
図14は、表示装置10の断面概略図である。図14は、例えば図13中の切断線A1−A2に沿った断面に相当する。
図15では、画素部11および信号線駆動回路13を折り曲げて使用する場合に適した表示装置の構成例を示す。
[変形例]
以下では、タッチセンサを有するタッチパネルの例について説明する。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示装置が有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
表示装置が有するトランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、バックゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層、オーバーコート、スペーサ等に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シリコーン樹脂等のシロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
接着層や封止材としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード(LED)、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層に用いることのできる材料としては、カーボンブラック、酸化物半導体、複数の酸化物半導体の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
FPCやICと端子とを接続する接続層には、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
本実施の形態では、可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法の例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器の例について説明する。
SL 信号線
V0 配線
ANODE 電流供給線
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
M4 トランジスタ
M5 トランジスタ
MC 容量素子
EL 発光素子
CATHODE 共通配線
100 トランジスタ
102 基板
104 絶縁層
106 導電層
108 酸化物半導体層
110 絶縁層
110t 膜厚
104t 膜厚
112 金属酸化物層
116 絶縁層
108i チャネル領域
108s ソース領域
108d ドレイン領域
141a 開口
141b 開口
120a 導電層
120b 導電層
PIX 画素
PIX_A 画素
PIX_B 画素
PIX_C 画素
PIX_D 画素
PIX_E 画素
PIX_F 画素
PIX_UL 画素
PIX_UR 画素
PIX_LL 画素
PIX_LR 画素
SUB 基板
151 導電層
152 導電層
153 導電層
154 絶縁層
161 酸化物半導体層
162 酸化物半導体層
163 絶縁層
171 金属酸化物層
172 金属酸化物層
173 金属酸化物層
174 絶縁層
181 導電層
182 導電層
183 導電層
184 導電層
185 導電層
186 絶縁層
187 絶縁層
188 絶縁層
190 開口
GL_LC 走査線
GL_EL 走査線
SL_LC 信号線
SL_EL 信号線
M6 トランジスタ
LC 液晶素子
191 層
192 電極
193 開口
10 表示装置
11 画素部
12 走査線駆動回路
13 信号線駆動回路
15 端子部
16a 配線
16b 配線
GL1 走査線
GL2 走査線
GL3 走査線
V1 配線
201 基板
202 基板
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
215 スペーサ
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
220 接着層
221 絶縁層
222 EL層
223 電極
224 光学調整層
225 画素電極
230a 構造物
230b 構造物
231 遮光層
232 着色層
242 FPC
243 接続層
250 空間
251 トランジスタ
252 トランジスタ
253 容量素子
254 発光素子
255 トランジスタ
260 封止材
261 接着層
262 接着層
271 半導体層
272 導電層
273 導電層
274 導電層
275 導電層
276 絶縁層
291 導電層
292 導電層
293 導電層
294 絶縁層
295 接着層
296 基板
297 FPC
298 接続層
299 端子部
301 作製基板
303 剥離層
305 被剥離層
307 接着層
321 作製基板
323 剥離層
325 被剥離層
331 基板
333 接着層
341 基板
343 接着層
351 領域
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7107 カメラ
7110 携帯電話機
7200 携帯情報端末
7201 筐体
7202 操作ボタン
7203 情報
7210 携帯情報端末
7300 テレビジョン装置
7301 筐体
7303 スタンド
7311 リモコン操作機
7400 照明装置
7401 台部
7403 操作スイッチ
7411 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
7900 自動車
7901 車体
7902 車輪
7903 フロントガラス
7904 ライト
7905 フォグランプ
7910 表示部
7911 表示部
7912 表示部
7913 表示部
7914 表示部
7915 表示部
7916 表示部
7917 表示部
8000 筐体
8001 表示部
8003 スピーカ
8101 筐体
8102 筐体
8103 表示部
8104 表示部
8105 マイクロフォン
8106 スピーカ
8107 操作キー
8108 スタイラス
8111 筐体
8112 表示部
8113 キーボード
8114 ポインティングデバイス
8200 ヘッドマウントディスプレイ
8201 装着部
8202 レンズ
8203 本体
8204 表示部
8205 ケーブル
8206 バッテリ
8300 ヘッドマウントディスプレイ
8301 筐体
8302 表示部
8303 操作ボタン
8304 固定具
8305 レンズ
8306 ダイヤル
8400 カメラ
8401 筐体
8402 表示部
8403 操作ボタン
8404 シャッターボタン
8406 レンズ
8500 ファインダー
8501 筐体
8502 表示部
8503 ボタン
Claims (8)
- 第1の配線と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、発光素子と、を有する画素を有し、
前記第1の配線は、前記発光素子に電流を流すための電流供給線の機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記発光素子に流す前記電流を制御する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層上のソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極並びに前記第1の酸化物半導体層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の第2のゲート電極と、を有し、
前記第1の容量素子は、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間の前記第2の絶縁層と同じ層に設けられた絶縁層と、を有し、
前記第1の電極は、前記第2のゲート電極と同じ層に設けられた導電層を有し、
前記第2の電極は、前記第1の酸化物半導体層と同じ層に設けられた第2の酸化物半導体層を有し、
前記第1の容量素子は、前記第1の絶縁層と同じ層に設けられた絶縁層を介して、前記第1の配線に電気的に接続された第3の電極を有し、
前記第3の電極は、前記第1のゲート電極と同じ層に設けられ、
前記第2のトランジスタは、前記第2の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。 - 第1の配線と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第1の容量素子と、発光素子と、を有する画素を有し、
前記第1の配線は、前記発光素子に電流を流すための電流供給線の機能を有し、
前記第2のトランジスタは、前記発光素子に流す前記電流を制御する機能を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上の第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層上のソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極並びに前記第1の酸化物半導体層上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の第2のゲート電極と、を有し、
前記第1の容量素子は、前記第1のゲート電極として機能する導電層と同層に設けられた第1の導電層と、前記第1のトランジスタが有する第1の酸化物半導体層と同層に設けられた第2の酸化物半導体層と、前記第1の絶縁層と同層に設けられた第3の絶縁層と、前記第2のゲート電極として機能する導電層と同層に設けられた第2の導電層と、を有し、
前記第2のトランジスタは、前記第2の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記第2のゲート電極および前記第1の電極は、酸素と、Inと、Znと、M(MはAl、Ga、Y、またはSn)とを有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2のゲート電極および前記第1の電極は、前記第1のトランジスタが有する酸化物半導体層および前記第2の電極よりもキャリア密度が高いことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記第1の絶縁層の膜厚は、前記第2の絶縁層の膜厚より大きいことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記画素は、第3のトランジスタと、第2の容量素子と、液晶素子と、を有し、
前記液晶素子は、開口が設けられた反射電極を有し、
前記発光素子の発光領域は、前記開口が設けられた領域と重なる領域を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載の表示装置と、
タッチセンサと、を有することを特徴とする表示モジュール。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一に記載のいずれか一つの表示装置、請求項7に記載の表示モジュールと、
操作キーまたはバッテリと、を有することを特徴とする電子機器。
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