TWI704671B - 顯示裝置以及其驅動方法 - Google Patents

顯示裝置以及其驅動方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI704671B
TWI704671B TW105137941A TW105137941A TWI704671B TW I704671 B TWI704671 B TW I704671B TW 105137941 A TW105137941 A TW 105137941A TW 105137941 A TW105137941 A TW 105137941A TW I704671 B TWI704671 B TW I704671B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
display
transistor
layer
display element
light
Prior art date
Application number
TW105137941A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201813047A (zh
Inventor
山崎舜平
高橋圭
宍戸英明
Original Assignee
日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 日商半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201813047A publication Critical patent/TW201813047A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI704671B publication Critical patent/TWI704671B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/90—Assemblies of multiple devices comprising at least one organic light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2340/00—Aspects of display data processing
    • G09G2340/04—Changes in size, position or resolution of an image
    • G09G2340/0407—Resolution change, inclusive of the use of different resolutions for different screen areas
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

本發明提供：一種精密度高的顯示裝置；一種厚度薄的顯示裝置；可靠性高的顯示裝置。該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一電晶體至第四電晶體以及絕緣層。第一絕緣層位於第二顯示元件、第三電晶體及第四電晶體與第一顯示元件、第一電晶體及第二電晶體之間。第二顯示元件具有向第一絕緣層一側發射第二光的功能。第一顯示元件具有朝向與第二光相同的方向發射第一光的功能。

Description

顯示裝置以及其驅動方法
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本說明書等所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、其驅動方法或者其製造方法。
已知應用有機EL(Electro Luminescence：電致發光)元件或液晶元件的顯示裝置。作為一個例子，除了上述顯示裝置以外還可以舉出具備發光二極體(LED：Light Emitting Diode)等發光元件的發光裝置、以電泳方式等進行顯示的電子紙等。
有機EL元件的基本結構是在一對電極之間夾有包含發光性有機化合物的層的結構。藉由對該元件施加電壓，可以得到來自發光性有機化合物的發光。應用上述有機EL元件的顯示裝置可以實現薄型、輕量、高對比且低耗電量的顯示裝置。
專利文獻1公開了使用有機EL元件的撓性發光裝置。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2014-197522號公報
近年來，在行動電話、智慧手機、平板終端等可攜式資訊終端中，正在推進用於裝置的顯示部的顯示面板的解析度的提高。由此，顯示裝置被要求其精密度進一步提高。與家庭用電視機等大型裝置相比，例如在比較小的可攜式資訊終端中，為了提高解析度，需要提高精密度。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種精密度高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種厚度薄的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要達到所有上述目的。另外，可以從說明書等的記載得知並衍生上述以外的目的。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體以及第一絕緣層。第一絕緣層位於第二顯示元件、第三電晶體及第四電晶體的上方。第一顯示元件、第一電晶體以及第二電晶體位於第一絕緣層的上方。第一顯示元件與第二電晶體電連接。第二顯示元件與第四電晶體電連接。第一電晶體與第二電晶體電連接。第三電晶體與第四電晶體電連接。第二顯示元件具有向第一絕緣層一側發射第二光的功能。第一顯示元件具有朝向與第二光相同的方向發射第一光的功能。
另外，在上述顯示裝置中，第一顯示元件及第二顯示元件較佳為 都具有發光層。另外，第一顯示元件及第二顯示元件較佳為都具有與發光層重疊的彩色層。
本發明的其他一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第三顯示元件、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體以及第一絕緣層。第一絕緣層位於第二顯示元件、第三電晶體以及第四電晶體的上方。第一顯示元件、第三顯示元件、第一電晶體以及第二電晶體位於第一絕緣層的上方。第一顯示元件與第二電晶體電連接。第二顯示元件與第四電晶體電連接。第一電晶體與第二電晶體電連接。第三電晶體與第四電晶體電連接。第二顯示元件具有向第一絕緣層一側發射第二光的功能。第一顯示元件具有朝向與第二光相同的方向發射第一光的功能。第三顯示元件具有朝向與第二光相同的方向發射第三光的功能。第一顯示元件及第三顯示元件分別具有不同的發光層。
另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第三顯示元件、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體以及第一絕緣層。第一絕緣層位於第二顯示元件、第三電晶體以及第四電晶體的上方。第一顯示元件、第三顯示元件、第一電晶體以及第二電晶體位於第一絕緣層的上方。第一顯示元件與第二電晶體電連接。第二顯示元件與第四電晶體電連接。第一電晶體與第二電晶體電連接。第三電晶體與第四電晶體電連接。另外，第一顯示元件及第三顯示元件分別具有不同的發光層。另外，在俯視顯示裝置時，第二顯示元件位於第一顯示元件與第三顯示元件之間。
另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第四顯示元件、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體以及第一絕緣層。第一絕緣層位於第 二顯示元件、第四顯示元件、第三電晶體以及第四電晶體的上方。第一顯示元件、第一電晶體以及第二電晶體位於第一絕緣層的上方。第一顯示元件與第二電晶體電連接。第二顯示元件與第四電晶體電連接。第一電晶體與第二電晶體電連接。第三電晶體與第四電晶體電連接。第二顯示元件具有向第一絕緣層一側發射第二光的功能。第四顯示元件具有向第一絕緣層一側發射第四光的功能。第一顯示元件具有朝向與第二光相同的方向發射第一光的功能。第二顯示元件及第四顯示元件分別具有不同的發光層。
另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件、第四顯示元件、第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體以及第一絕緣層。第一絕緣層位於第二顯示元件、第四顯示元件、第三電晶體以及第四電晶體的上方。第一顯示元件、第一電晶體以及第二電晶體位於第一絕緣層的上方。第一顯示元件與第二電晶體電連接。第二顯示元件與第四電晶體電連接。第一電晶體與第二電晶體電連接。第三電晶體與第四電晶體電連接。另外，第二顯示元件及第四顯示元件分別具有不同的發光層。另外，在俯視顯示裝置時，第一顯示元件位於第二顯示元件與第四顯示元件之間。
另外，較佳為在第一絕緣層與第二顯示元件之間具有黏合層。
另外，在上述顯示裝置中，第一電晶體較佳為包括第一源極電極及第一汲極電極，第二電晶體位於第一電晶體的上方。此時，第一源極電極和第一汲極電極中的任一個較佳為被用作第二電晶體的閘極電極。
另外，第三電晶體及第四電晶體較佳為設置在同一面上。
另外，第三電晶體較佳為包括第三源極電極及第三汲極電極，第四電晶體位於第三電晶體的上方。此時，第三源極電極和第三汲極電極中的任一個較佳為被用作第四電晶體的閘極電極。
另外，在上述顯示裝置中，第一光及第二光較佳為分別呈現不同顏色。
另外，在上述顯示裝置中，第一顯示元件及第二顯示元件較佳為其面積不同的元件。
另外，在上述顯示裝置中，第一顯示元件及第二顯示元件較佳為頂面發射型發光元件。另外，第一顯示元件較佳為頂面發射型發光元件，第二顯示元件較佳為底面發射型發光元件。
另外，在上述顯示裝置中，第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體以及第四電晶體中的至少一個較佳為在通道形成的半導體層中包括氧化物半導體。
另外，本發明的一個實施方式是一種顯示裝置的驅動方法，該顯示裝置包括第一顯示元件、第二顯示元件以及第一絕緣層。在此，第一絕緣層位於第二顯示元件的上方，第一顯示元件位於第一絕緣層的上方。第二顯示元件具有向第一絕緣層一側發射第二光的功能，第一顯示元件具有朝向與第二光相同的方向發射第一光的功能。上述驅動方法包括如下步驟：切換驅動第一顯示元件及第二顯示元件的兩者顯示影像的第一模式、只驅動第一顯示元件顯示影像的第二模式以及只驅動第二顯示元件顯示影像的第三模式來進行顯示，第二模式及第三模式以比第一模式低的精密度顯示影像。
另外，在上述驅動方法中，第二模式及第三模式較佳為以第一模 式的一半的精密度顯示影像。
藉由本發明的一個實施方式，可以提供一種精密度高的顯示裝置。另外，可以提供一種厚度薄的顯示裝置。另外，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。
本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。另外，可以從說明書等的記載得知並衍生上述以外的效果。
10‧‧‧顯示裝置
10a‧‧‧顯示裝置
11a‧‧‧顯示面板
11b‧‧‧顯示面板
20a‧‧‧像素
20b‧‧‧像素
20c‧‧‧像素
20d‧‧‧像素
21aB‧‧‧顯示元件
21aG‧‧‧顯示元件
21aR‧‧‧顯示元件
21B‧‧‧顯示元件
21G‧‧‧顯示元件
21R‧‧‧顯示元件
21W‧‧‧顯示元件
22B‧‧‧顯示元件
22G‧‧‧顯示元件
22R‧‧‧顯示元件
22W‧‧‧顯示元件
31‧‧‧絕緣層
31a‧‧‧絕緣層
32‧‧‧絕緣層
33‧‧‧絕緣層
34‧‧‧絕緣層
35‧‧‧絕緣層
35a‧‧‧絕緣層
35b‧‧‧絕緣層
41a‧‧‧電晶體
41b‧‧‧電晶體
41c‧‧‧電晶體
41d‧‧‧電晶體
41e‧‧‧電晶體
41f‧‧‧電晶體
41g‧‧‧電晶體
42a‧‧‧電晶體
42b‧‧‧電晶體
50‧‧‧黏合層
51a‧‧‧基板
51b‧‧‧基板
52‧‧‧基板
52a‧‧‧基板
52b‧‧‧基板
53a‧‧‧黏合層
53b‧‧‧黏合層
54a‧‧‧基板
54b‧‧‧基板
61a‧‧‧顯示部
61b‧‧‧顯示部
62a‧‧‧電路部
62b‧‧‧電路部
63a‧‧‧FPC
63b‧‧‧FPC
64a‧‧‧IC
64b‧‧‧IC
65a‧‧‧佈線
65b‧‧‧佈線
111‧‧‧導電層
111b‧‧‧導電層
111c‧‧‧導電層
112a‧‧‧半導體層
112b‧‧‧半導體層
113a‧‧‧導電層
113b‧‧‧導電層
113c‧‧‧導電層
113d‧‧‧導電層
120‧‧‧發光元件
120a‧‧‧發光元件
120b‧‧‧發光元件
120c‧‧‧發光元件
121‧‧‧導電層
122‧‧‧EL層
122R‧‧‧EL層
122G‧‧‧EL層
122B‧‧‧EL層
122W‧‧‧EL層
123‧‧‧導電層
125‧‧‧光學調整層
130‧‧‧電容器
132‧‧‧絕緣層
133‧‧‧絕緣層
134‧‧‧絕緣層
135‧‧‧絕緣層
136‧‧‧絕緣層
137‧‧‧絕緣層
138‧‧‧絕緣層
139‧‧‧絕緣層
141‧‧‧載子注入層
141B‧‧‧載子注入層
141G‧‧‧載子注入層
141R‧‧‧載子注入層
142‧‧‧載子傳輸層
142B‧‧‧載子傳輸層
142G‧‧‧載子傳輸層
142R‧‧‧載子傳輸層
143B‧‧‧發光層
143G‧‧‧發光層
143R‧‧‧發光層
144‧‧‧載子傳輸層
144B‧‧‧載子傳輸層
144G‧‧‧載子傳輸層
144R‧‧‧載子傳輸層
145‧‧‧載子注入層
145B‧‧‧載子注入層
145G‧‧‧載子注入層
145R‧‧‧載子注入層
151a‧‧‧黏合層
151b‧‧‧黏合層
152B‧‧‧彩色層
152G‧‧‧彩色層
152R‧‧‧彩色層
360‧‧‧發光元件
362‧‧‧顯示部
400‧‧‧顯示裝置
400a‧‧‧顯示面板
400b‧‧‧顯示面板
410a‧‧‧像素
410b‧‧‧像素
800‧‧‧可攜式資訊終端
801‧‧‧外殼
802‧‧‧外殼
803‧‧‧顯示部
804‧‧‧顯示部
805‧‧‧鉸鏈部
810‧‧‧可攜式資訊終端
811‧‧‧外殼
812‧‧‧顯示部
813‧‧‧操作按鈕
814‧‧‧外部連接埠
815‧‧‧揚聲器
816‧‧‧麥克風
817‧‧‧相機
820‧‧‧照相機
821‧‧‧外殼
822‧‧‧顯示部
823‧‧‧操作按鈕
824‧‧‧快門按鈕
826‧‧‧鏡頭
840‧‧‧照相機
841‧‧‧外殼
842‧‧‧顯示部
843‧‧‧操作按鈕
844‧‧‧快門按鈕
846‧‧‧鏡頭
850‧‧‧取景器
8001:上蓋
8002:下蓋
8003:FPC
8004:觸控面板
8005:FPC
8006:顯示面板
8009:框架
8010:印刷電路板
8011:電池
在圖式中；圖1A和圖1B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖2A至圖2C是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖3A和圖3B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖4A至圖4C是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖5A至圖5C是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖6A和圖6B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖7A至圖7C是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖8是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖9A和圖9B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖10A和圖10B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖11是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖12A和圖12B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖13A至圖13C是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖14A至圖14D是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖15是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖16A和圖16B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖17A和圖17B是說明實施方式的顯示裝置的圖； 圖18A和圖18B是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖19是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖20A至圖20E是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖21A至圖21C是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖22是說明實施方式的顯示裝置的圖；圖23是實施方式的顯示裝置的方塊圖；圖24是實施方式的顯示裝置的電路圖；圖25是實施方式的顯示模組的結構實例；圖26A至圖26D是實施方式的電子裝置；圖27A至圖27E是實施方式的電子裝置；圖28A至圖28D是實施方式的電子裝置。
本發明的選擇圖為圖7A至圖7C。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於下面說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
注意，在本說明書所說明的各個圖式中，有時為了明確起見，誇大表示各組件的大小、層的厚度、區域。因此，本發明並不侷限於圖式中的尺寸。
在本說明書等中使用的“第一”、“第二”等序數詞是為了避免組件的混淆而附記的，而不是為了在數目方面上進行限定的。
電晶體是半導體元件的一種，可以進行電流或電壓的放大、控制導通或非導通的切換工作等。本說明書中的電晶體包括IGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor：絕緣閘場效電晶體)和薄膜電晶體(TFT：Thin Film Transistor)。
實施方式1
在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置的例子進行說明。
本發明的一個實施方式的顯示裝置包括位於絕緣層的上方(顯示面一側或觀看側)的第一顯示元件以及位於絕緣層的下方的第二顯示元件。第一顯示元件及第二顯示元件具有在被俯視時不重疊的區域。第一顯示元件所發射的光及第二顯示元件所發射的光朝向相同方向被發射。第二顯示元件所發射的光穿過絕緣層向觀看側發射。
藉由採用上述結構，與第一顯示元件及第二顯示元件配置在同一面上的情況相比，可以實現高精密度。
作為第一顯示元件及第二顯示元件，可以分別適當地使用具有發光層的發光元件。另外，可以適用發光元件以外的顯示元件。
第一顯示元件及第二顯示元件較佳為都與電晶體電連接。該電晶體是控制第一顯示元件或第二顯示元件的驅動的電晶體(以下也稱為“驅動電晶體”)。例如，在將發光元件用於第一顯示元件及第二顯示 元件的情況下，該電晶體具有控制流過發光元件的電流的大小的功能。另外，除了與第一顯示元件或第二顯示元件電連接的電晶體以外，較佳為還包括具有控制像素(子像素)的選擇狀態或非選擇狀態的功能的電晶體(以下也稱為“選擇電晶體”)。
在此，電連接於設置在觀看側的第一顯示元件的驅動電晶體及選擇電晶體較佳為以其一部分層疊的方式設置。由此，可以縮小像素電路的佔有面積，因此可以進一步提高精密度。另外，由於可以擴大第二顯示元件所發射的光透過的面積，所以可以擴大第二顯示元件的發光面積，從而可以提高開口率。尤其在使用發光元件的情況下，藉由提高開口率，可以降低獲得需要的亮度時的電流密度，從而可靠性得到提高。
另外，電連接於與位於觀看側的相反一側的第二顯示元件的驅動電晶體及選擇電晶體既可以以其一部分層疊的方式設置，又可以設置在同一面上。藉由將兩個電晶體排列在同一面上，可以經同一製程製造該兩個電晶體，從而可以減少製造成本。
在此，顯示裝置例如可以為隔著黏合層具有第一顯示元件的第一顯示面板及具有第二顯示元件的第二顯示面板層疊的結構。此時，第一顯示面板及第二顯示面板各較佳為與用來驅動像素的驅動電路連接的結構。由此，可以獨立地驅動兩個顯示面板而提高驅動方法的選擇彈性，從而可以將該顯示裝置用於各用途。例如，可以使用第一顯示面板及第二顯示面板分別顯示不同的影像。另外，也可以分別對第一顯示面板及第二顯示面板進行色度及亮度的校正。
另外，在本發明的一個實施方式顯示裝置中，可以將從顯示面一側看時相鄰的兩個顯示元件配置在不同的面上。由此，與將第一顯示元件及第二顯示元件排列在同一面上的情況相比，可以在沒有犧牲精 密度的情況下擴大配置在同一面上的顯示元件之間的距離。
本發明的一個實施方式較佳為如下結構：發光元件為呈現不同顏色的像素具有相同發光層的白色發光的發光元件，經過彩色層發射不同顏色的光。由此，與分別形成發光層的情況相比，可以使形成製程簡化。另外，不需要考慮形成發光層時的最小特徵尺寸或位置對準精度等設計規則，從而可以使相鄰的像素之間的距離小，並且提高精密度。
另外，在本發明的一個實施方式中，較佳為使用在呈現不同顏色的像素中分別形成有發光層的發光元件。如上所述，由於可以擴大配置在同一面上的相鄰的兩個顯示元件之間的距離，即使利用分別形成不同發光層的方法也可以實現極高精密度的顯示裝置。藉由在呈現不同顏色的發光元件中使用分別形成有發光層的發光元件，可以獲得如下效果：可以提高色純度；可以提高光提取效率以及可以降低驅動電壓；等，所以是較佳的。
下面，參照圖式說明具體例子。
[顯示裝置的結構實例1]
〈顯示裝置10a〉
首先，圖22示出在同一面上設置有多個顯示元件的顯示裝置10a的透視示意圖。
在顯示裝置10a中，在絕緣層31a上設置有顯示元件21aR、顯示元件21aG以及顯示元件21aB。顯示元件21aR、顯示元件21aG以及顯示元件21aB分別向顯示面一側發射紅色光R、綠色光G以及藍色光B。
在圖22中，由虛線圍繞的區域表示一個子像素可能會佔有的區域。 在此以矩形表示該區域，但是只要為可以週期性排列的形狀就不侷限於此。
顯示元件21aR、顯示元件21aG以及顯示元件21aB都排列為條紋狀。另外，在此示出顯示元件21aR、顯示元件21aG以及顯示元件21aB都是同一形狀的情況。
如圖22所示那樣，呈現不同顏色的兩個顯示元件只以距離Lxa的間隔配置。另外，呈現相同顏色的兩個顯示元件只以距離Lya的間隔配置。
距離Lxa及距離Lya由形成顯示元件及像素電路時的最小加工寸法及不同層中的位置對準精度等的設計規則決定。藉由裝置的性能及曝光技術的提高等，形成像素電路及發光元件時的最小特徵尺寸及設計規則被縮小，從而可以縮小距離Lxa及距離Lya。
然而，關於呈現不同顏色的兩個顯示元件之間的距離Lxa，由於下述理由而難以簡單地縮小。
例如，當簡單地縮小距離Lxa時，有可能會產生顯示元件的混色。另外，在將發光元件用於顯示元件的情況下，當縮小呈現不同顏色的兩個發光元件之間的距離時，有時由於它們之間的洩漏電流而會產生非意圖的發光，這導致會產生混色或對比度的降低等顯示品質的降低。
另外，例如在將發光元件用於顯示元件的情況下，可以在呈現不同顏色的發光元件中分別形成發光層。此時，在使用陰影遮罩的蒸鍍法及噴墨法等成膜方法中，在形成有的島狀的圖案中的接近於邊緣部的部分有時形成有厚度不同的區域(薄區域或厚區域)。在利用上述方 法形成發光層的情況下，以不使該厚度不同的區域位於有助於發光的區域(發光區域)中的方式一個島狀的圖案需要被形成得比發光區域大出該厚度不同的區域的寬度。由此，相鄰的兩個發光元件之間的距離Lxa的縮小有限制。
另外，在顯示元件21aR、顯示元件21aG以及顯示元件21aB的形狀都不同的情況下，各元件之間的距離Lxa有時不同。然而即使在此情況下，也由於上述理由，難以使各距離Lxa比規定的值小。
〈顯示裝置10〉
圖1A是本發明的一個實施方式的顯示裝置10的透視示意圖。另外，圖1B是從觀看側(顯示面一側)看見顯示裝置10時的示意圖。
顯示裝置10具有分別設置有顯示元件的絕緣層31與絕緣層32層疊的結構。
在絕緣層31和絕緣層32中，絕緣層31位於觀看側。在位於觀看側的絕緣層31上設置有顯示元件21R、顯示元件21G以及顯示元件21B。另外，在絕緣層32上設置有顯示元件22R、顯示元件22G以及顯示元件22B。
在此，將不同顏色的顯示元件排列的方向稱為“X方向”，將相同顏色的顯示元件排列的方向稱為“Y方向”，將厚度方向稱為“Z方向”。
在圖1B中，以實線表示位於絕緣層31一側的顯示元件的輪廓，以虛線表示位於絕緣層32一側的顯示元件的輪廓。如圖1A和圖1B所示那樣，在X方向上設置在絕緣層31一側的顯示元件和設置在絕緣層32一側的顯示元件交替排列。
從顯示元件22R、顯示元件22G以及顯示元件22B發射出的光都透過絕緣層31向觀看側發射。圖1A示出如下例子：從顯示元件21R及顯示元件21B向觀看側發射光R及光B，從顯示元件22G向觀看側透過絕緣層31發射光G。
藉由採用上述結構，在位於觀看側的顯示元件21R、顯示元件21G和顯示元件21B中相鄰的兩個顯示元件之間配置有來自位於與觀看側相反一側的顯示元件的光透過的區域。另外，在位於與觀看側相反一側的顯示元件22R、顯示元件22G和顯示元件22B中相鄰的兩個顯示元件之間配置有與位於觀看側的顯示元件重疊的區域。由此，可以在不降低精密度或開口率的情況下使同一絕緣層上相鄰的兩個顯示元件之間的距離長。
圖1A及圖1B示出距離Lx、距離Ly以及距離Lp。距離Lx是指在從顯示面一側看時呈現不同顏色的兩個顯示元件之間的距離。距離Ly是指呈現相同顏色的兩個顯示元件之間的距離。距離Lp是指同一絕緣層上的呈現不同顏色的兩個顯示元件之間的距離。
在顯示裝置10中，由於在從觀看側被俯視時相鄰的兩個顯示元件設置在不同的絕緣層上，所以上述距離Lx可以沒有受到最小特徵尺寸或設計規則的限制而使其距離縮小。另外，同一絕緣層上相鄰的兩個顯示元件之間的距離Lp比由最小特徵尺寸或設計規則規定的最小距離十分大，因此不會產生上述顯示元件之間的混色等不良現象。另外，在同一絕緣層上的呈現相同顏色的兩個顯示元件之間不容易產生混色等不良現象，因此可以在受到最小特徵尺寸或設計規則的限制的範圍內可以縮小距離Ly。
另外，可以使位於同一絕緣層上的相鄰的兩個顯示元件之間的距 離Lp十分大。由此，如上所述，可以抑制在分別形成顯示元件的發光層的情況下厚度不同的部分形成在發光區域中，因此可以實現精密度及顯示品質高的顯示裝置。
由於上述理由，與圖22所示的顯示裝置10a的結構相比，在不犧牲精密度的情況下可以使在顯示裝置10中位於觀看側的顯示元件21R、顯示元件21G及顯示元件21B以及位於觀看側的相反一側的顯示元件22R、顯示元件22G及顯示元件22B的X方向的寬度大。由此，可以提高顯示裝置的開口率。另外，可以在保持開口率的情況下提高精密度。
[電晶體的配置方法]
顯示裝置較佳為對各像素(子像素)設置有用來控制像素(子像素)的選擇狀態或非選擇狀態的選擇電晶體的結構。另外，尤其是在使用發光元件作為顯示元件的情況下，較佳為包括選擇電晶體及控制流過發光元件的電流的大小的驅動電晶體。
圖2A示意性地示出以圖1B中的切斷線A1-A2切斷顯示裝置10時的其剖面。
在絕緣層31上分別設置有多個被用作選擇電晶體的電晶體41a以及多個被用作驅動電晶體的電晶體41b。電晶體41b與顯示元件21R、顯示元件21G或顯示元件21B電連接。另外，電晶體41a與電晶體41b電連接。
在絕緣層32上分別設置有多個被用作選擇電晶體的電晶體42a以及多個被用作驅動電晶體的電晶體42b。電晶體42b與顯示元件22R、顯示元件22G或顯示元件22B電連接。另外，電晶體42a與電晶體42b電連接。
在此，在圖2A中，以在同一面(絕緣層31的頂面)上並排的方式形成有電晶體41a及電晶體41b。與此同樣，以在同一面(絕緣層32的頂面)上並排的方式形成有電晶體42a及電晶體42b。藉由採用上述結構，可以分別經同一製程同時形成電晶體41a和電晶體41b以及電晶體42a及電晶體42b，從而可以降低製造成本。
在圖2B中，示出在電晶體41a的上方設置有電晶體41b且在電晶體42a的上方設置有電晶體42b的例子。如此，藉由採用層疊有兩個電晶體的結構，可以與以在同一面上並排的方式配置兩個電晶體的情況相比，使該電晶體所佔有的面積的總和小。
電晶體41a及電晶體41b較佳為以具有彼此重疊的區域的方式層疊。與此同樣，電晶體42a及電晶體42b較佳為以具有彼此重疊的區域的方式層疊。
圖2C是電晶體41a及電晶體41b層疊且電晶體42a及電晶體42b以在同一面上並排的方式配置的情況的例子。如圖2C所示，位於絕緣層31的下方的電晶體42a及電晶體42b即使其佔有面積的總和較大也不影響到顯示裝置的開口率或精密度。由此，可以在以與圖2B所示的結構同樣的程度保持開口率或精密度的情況下降低製造成本。
以上是電晶體的配置方法的說明。
[像素的配置方法]
下面，對與圖1B等所示的例子不同的像素的配置方法的例子進行說明。
圖3A示出只包括顯示元件21R、顯示元件22G以及顯示元件21B的情況下的例子。就是說，在絕緣層31(未圖示)的上方配置兩種顏色 的顯示元件，在絕緣層31(未圖示)的下方配置與該兩種顏色不同的一種顏色的顯示元件。
另外，在圖3A中，以在從觀看側看時兩個顯示元件21R相鄰且兩個顯示元件21B相鄰，並且在顯示元件21R與顯示元件21B之間配置顯示元件22G的方式各顯示元件排列。由此，由於位於同一面上的呈現不同顏色的兩個顯示元件沒有相鄰，所以可以防止混色等影響。
另外，藉由採用上述結構，在絕緣層31(未圖示)的上方形成兩種顯示元件即可，而在絕緣層31(未圖示)的下方形成一種顯示元件即可。由此，與圖1B所示的例子相比，可以使其製程簡化。
如上所述，顯示裝置所包括的呈現不同顏色的各顯示元件分別也可以具有不同的形狀。圖3B示出在絕緣層31(未圖示)的上方設置有顯示元件21R及顯示元件21G而在絕緣層31的下方設置有顯示元件22B的例子。另外，圖3B是顯示元件22B的X方向上的寬度比顯示元件21R及顯示元件21G大的例子。例如，在將發光元件適用於各顯示元件的情況下，呈現藍色光的發光元件有時與其他發光元件相比容易產生由發光所導致的劣化。由此，如圖3B所示，藉由使呈現藍色光的顯示元件22B的面積大，可以降低獲得同一亮度時所需要的電流密度，從而可靠性得到提高。
在圖3A及圖3B所示的例子中，位於絕緣層31的上方的呈現相同顏色的兩個顯示元件相鄰。例如，在將發光元件適用於顯示元件的情況下，當利用陰影遮罩等分別形成(塗布)呈現不同顏色的發光層時，可以在上述兩個顯示元件中形成一個島狀的發光層。另外，位於絕緣層31的下方的顯示元件使用呈現相同顏色的顯示元件，因此不需要分別形成發光層。由此，即使適用利用陰影遮罩等的發光層的形成方法，也可以實現更高精密度的顯示裝置。
圖3A等示出各顯示元件排列為條紋狀的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。例如，一個像素也可以包括四個顯示元件，亦即，在X方向上排列的兩個顯示元件及在Y方向上排列的兩個顯示元件。
圖4A示出在Y方向上交替地排列有顯示元件21R和顯示元件22G且交替地排列有顯示元件22B和顯示元件21W的例子。在此，示出排列在斜方向上的顯示元件21R及顯示元件21W位於顯示面一側且排列在斜方向上的顯示元件22B及顯示元件22G位於顯示面一側的絕緣層31(未圖示)的下方的例子。
在此，顯示元件21W(以及顯示元件22W)例如為呈現白色的顯示元件。
如此，較佳為採用位於絕緣層31的上方的顯示元件和位於其下方的顯示元件交替地排列的結構。由此，在X方向及Y方向的雙方向上，可以使配置在同一面上的兩個顯示元件之間的距離長，因此可以實現更高精密度。
另外，如圖4B所示，也可以採用如下結構：排列在X方向上的顯示元件配置於同一面上，作為排列在Y方向上的顯示元件，位於絕緣層31的上方的顯示元件和位於其下方的顯示元件交替地排列。在該結構中，可以使在從觀看側看時Y方向上相鄰的顯示元件之間的距離小。
另外，如圖4C所示，也可以採用如下結構：排列在Y方向上的顯示元件配置於同一面上，作為排列在X方向上的顯示元件，位於絕緣層31的上方的顯示元件和位於其下方的顯示元件交替地排列。在該結構中，可以使在從觀看側看時X方向上相鄰的顯示元件之間的距離小。
在圖3A至圖4C中，顯示元件的排列順序不侷限於此，可以交換各顯示元件。另外，各顯示元件的形狀或面積不侷限於此。
以上是像素的配置方法的說明。
[顯示模式]
下面，對藉由使用本發明的一個實施方式的顯示裝置可以實現的顯示模式的例子進行說明。
在圖1A和圖1B等所示的顯示裝置10中，在絕緣層31的上方(觀看側)及其下方分別設置有三種顯示元件。由此，無論只驅動絕緣層31的上方的顯示元件還是只驅動其下方的顯示元件，都可以獲得全彩色顯示。
〈第一模式〉
圖5A是示出圖1B的更廣大的範圍的圖。在此，包括顯示元件21R、顯示元件22G以及顯示元件21B的像素20a以及包括顯示元件22R、顯示元件21G以及顯示元件22B的像素20b這兩種像素在X方向交替地排列。在該模式中，可以進行高精密度且明亮的顯示。
〈第二模式〉
圖5B示出只驅動位於絕緣層31(未圖示)的上方的顯示元件21R、顯示元件21G以及顯示元件21B而顯示影像的模式。在此，沒有附上陰影表示不驅動的顯示元件22R、顯示元件22G以及顯示元件22B。
在該模式中，與圖5A的像素相比，一個像素20c具有分別在X方向及Y方向上兩倍的面積。就是說，在圖5B所示的顯示模式中，其精密度成為圖5A的一半。在該模式中，不驅動位於絕緣層31的下方的 顯示元件22R、顯示元件22G以及顯示元件22B，因此可以進行耗電量低的顯示。
〈第三模式〉
圖5C示出只驅動位於絕緣層31(未圖示)的下方的顯示元件22R、顯示元件22G以及顯示元件22B而顯示影像的模式。
在該模式中，與圖5B同樣，與圖5A的像素相比，一個像素20d具有分別在X方向及Y方向上兩倍的面積，因此其精密度成為圖5A的一半。在該模式中，不驅動位於絕緣層31的上方的顯示元件21R、顯示元件21G以及顯示元件21B，因此可以進行耗電量低的顯示。
例如，在需要亮度高的顯示的情況下(例如，白天的屋外等)可以適合使用第一模式。另外，由於可以以高精密度顯示影像，所以在顯示高解析度的靜態影像或動態影像時適合使用該模式。
另一方面，在不需要高亮度的情況下(例如，屋內或晚上的屋外等)可以適合使用第二模式及第三模式。另外，在顯示文件資料等不需要高精密度的影像時適合使用該模式。
例如，在使用顯示裝置10的電子裝置中，可以根據顯示的影像資料的解析度選擇而使用第一模式、第二模式或第三模式。電子裝置可以具有如下功能：在顯示高解析度的影像時，選擇第一模式進行顯示，而在顯示低解析度的影像時，選擇第二模式或第三模式進行顯示。
另外，例如電子裝置也可以包括取得外光的亮度的感測器，並且具有如下功能：在周圍明亮時選擇第一模式進行顯示，在周囲昏暗時選擇第二模式或第三模式進行顯示。
以上是顯示模式的說明。
[顯示裝置的結構實例2]
下面參照圖式對本發明的一個實施方式的顯示裝置的具體結構實例進行說明。
圖6A是顯示裝置10的透視圖。顯示裝置10具有顯示面板11a與顯示面板11b層疊的結構。顯示面板11a位於觀看側，顯示面板11b位於與觀看側相反一側。
圖6B是使顯示面板11a與顯示面板11b分離了的透視圖。
顯示面板11a包括基板51a及基板52a，顯示面板11b包括基板51b及基板52b。在圖6B中，以虛線只示出基板52a及基板52b的輪廓。
顯示面板11a在基板51a與基板52a之間具有顯示部61a、電路部62a以及佈線65a等。圖6B示出在基板51a上安裝有IC64a及FPC63a的例子。由此，也可以將圖6B所示的顯示面板11a稱為顯示模組。
另外，顯示面板11b在基板51b與基板52b之間具有顯示部61b、電路部62b以及佈線65b等。圖6B示出在基板51b上安裝有IC64b及FPC63b的例子。由此，也可以將圖6B所示的顯示面板11b稱為顯示模組。
作為電路部62a及電路部62b，例如可以使用被用作掃描線驅動電路的電路。
佈線65a具有對顯示部61a及電路部62a供應信號或電力的功能， 佈線65b具有對顯示部61b及電路部62b供應信號或電力的功能。該信號及電力從外部藉由FPC63a或FPC63b被輸入或者從IC64a或IC64b被輸入。
另外，在圖6B中，示出利用COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式等對基板51a及基板51b分別設置有IC64a或IC64b的例子。IC64a及IC64b例如可以適用具有掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的功能的IC。另外，如果不需要則不設置IC64a及IC64b。另外，IC64a及IC64b可以利用COF(Chip On Film：薄膜覆晶封裝)方式等安裝到FPC63a或FPC63b。
[顯示裝置的剖面結構實例1]
下面，對顯示裝置的具體剖面結構的例子進行說明。在本結構實例中，對顯示元件包括發光元件及彩色層的結構進行說明。
〈剖面結構實例1-1〉
圖7A示出顯示裝置10的顯示部的剖面示意圖。
顯示裝置10具有使用黏合層50將顯示面板11a和顯示面板11b貼合在一起的結構。
顯示面板11a在基板51a與基板52a之間具有電晶體41a、電晶體41b、發光元件120a、彩色層152R、彩色層152G、彩色層152B(未圖示)以及黏合層151a等。基板51a使用黏合層151a黏合到基板52a。在絕緣層31上設置有電晶體41a、電晶體41b以及發光元件120a。
顯示面板11b在基板51b與基板52b之間具有電晶體42a、電晶體42b、發光元件120b、彩色層152R(未圖示)、彩色層152G(未圖示)、彩色層152B以及黏合層151b等。基板51b使用黏合層151b黏合到基 板52b。在絕緣層32上設置有電晶體42a、電晶體42b以及發光元件120b。
基板52b使用黏合層50黏合到基板51a，顯示面板11a及顯示面板11b被固定。
顯示面板11a所包括的顯示元件21R、顯示元件21G以及顯示元件21B(未圖示)分別包括發光元件120a以及彩色層152R、彩色層152G或彩色層152B(未圖示)。在圖7A中，示出將呈現白色光的發光元件適用於發光元件120a的情況的例子。從發光元件120a發射的光經過彩色層152R、彩色層152G或彩色層152B(未圖示)被著色，向顯示面一側(基板52a一側)被發射。
顯示面板11b所包括的顯示元件22R(未圖示)、顯示元件22G(未圖示)以及顯示元件22B分別包括發光元件120b以及彩色層152R(未圖示)、彩色層152G(未圖示)或彩色層152B。從發光元件120b發射的光透過彩色層152R(未圖示)、彩色層152G(未圖示)或彩色層152B被著色，經過顯示面板11a向顯示面一側(基板52a一側)被發射。
圖7B示出圖7A中的電晶體41a、電晶體41b、發光元件120a以及其附近的放大圖。另外，電晶體42a、電晶體42b及發光元件120b可以分別採用與在此示出的電晶體41a、電晶體41b及發光元件120a相同的結構，在此可以省略說明而援用以下的記載。
電晶體41a及電晶體41b設置在絕緣層31上。電晶體41a與電晶體41b連接，被用作像素的選擇電晶體。另外，電晶體41b與發光元件120a連接，被用作控制流過發光元件120a的電流的驅動電晶體。
電晶體41a包括被用作閘極的導電層111、被用作閘極絕緣層的絕 緣層132、半導體層112a、被用作源極和汲極中的一個的導電層113a以及被用作源極和汲極中的另一個的導電層113b。圖7B等所示的電晶體41a為底閘極型通道蝕刻結構的電晶體。
另外，設置有覆蓋電晶體41a的絕緣層133。絕緣層133被用作保護電晶體41a的保護層。
在電晶體41b中，在導電層113b上隔著絕緣層133設置有半導體層112b，包括與半導體層112b接觸的導電層113c及導電層113d。導電層113b的一部分被用作電晶體41b的閘極。絕緣層133的一部分被用作電晶體41b的閘極絕緣層。導電層113c及導電層113d分別被用作電晶體41b的源極或汲極。
如上所述，電晶體41b設置在電晶體41a的上方。另外，導電層113b兼作電晶體41a的源極和汲極中的另一個及電晶體41b的閘極。藉由具有上述結構，與電晶體41a及電晶體41b都排列在同一面上的情況相比，可以縮小該電晶體所占的面積。
另外，層疊有導電層113d、絕緣層133的一部分及導電層113b的一部分，由它們構成電容器130。電容器130被用作像素的儲存電容器。
以覆蓋電晶體41b的方式設置有絕緣層136及絕緣層134。絕緣層136被用作保護電晶體41b的保護層。絕緣層134較佳為被用作平坦化膜。另外，如果不需要則不設置絕緣層136和絕緣層134中的任一個。
在絕緣層134上設置有導電層121。導電層121藉由形成在絕緣層134及絕緣層136中的開口與導電層113d電連接。另外，以覆蓋導電層121的端部及上述開口的方式設置有絕緣層135。在絕緣層135及導 電層121上層疊有EL層122及導電層123。另外，圖7B示出在導電層121與EL層122之間設置有光學調整層125的例子。
導電層121被用作發光元件120a的像素電極。導電層123被用作共用電極。EL層122至少包括發光層。
發光元件120a是向與被形成面一側相反的一側發射光的頂面發射型(頂部發射型)發光元件。作為導電層121可以使用反射可見光的導電膜，作為導電層123可以使用使可見光透過的導電膜。
圖7A和圖7B示出在呈現不同顏色的顯示元件中使用具有相同結構的發光元件120a的例子。此時，發光元件120a是呈現白色光的發光元件。
在呈現不同顏色的顯示元件中設置有發光元件120a所包括的EL層122。由此，與分別形成EL層122的情況相比，可以使形成製程簡化。另外，與在呈現不同顏色的顯示元件中分別形成EL層122的情況相比，不需要考慮形成EL層122時的最小特徵尺寸及位置對準精度等的設計規則，因此可以使相鄰的像素之間的距離更小，從而可以提高精密度。
另外，藉由將半透過．半反射導電膜用於導電層123，也可以實現發光元件120a的微腔結構。此時，也可以設置使可見光透過的光學調整層125以調整導電層121與導電層123之間的光學距離。在不同顏色的顯示元件中，各光學調整層125較佳為具有不同的厚度。
藉由組合呈現白色光的EL層122、微腔結構和彩色層，可以向顯示面一側發射色純度極高的光。
圖7C示出對應於圖7B所示的結構的電路圖。圖7C相當於一個像素(子像素)的電路圖。
例如，電晶體41a的閘極(導電層111)與被供應閘極信號VG的佈線電連接，電晶體41a的源極和汲極中的一個(導電層113a)與被供應源極信號VS的佈線電連接。電晶體41b的源極和汲極中的一個(導電層113c)與被供應電位VH的佈線電連接。發光元件120a的共用電極(導電層123)與被供應電位VL的佈線電連接。
另外，像素的結構不侷限於此，可以使用各種電路結構。
在此，在顯示面板11a一側相鄰且呈現不同顏色的兩個顯示元件(例如顯示元件21R及顯示元件21G)之間設置有來自顯示面板11b一側的光透過的區域。由此，具有如下結構：不容易產生由從一個顯示元件(例如顯示元件21R)的發光元件120a發射的光透過其它顯示元件(例如顯示元件21G)所包括的彩色層(彩色層152G)所導致的混色的結構。由此，即使不將用來抑制混色的遮光層設置在相鄰的像素之間，也可以進行顯示品質高的顯示。
另外，從顯示面板11b一側的發光元件120b朝向斜方向發射的光被設置在顯示面板11a一側的發光元件120a的導電層121、電晶體41a及電晶體41b所包括的各導電層或佈線等遮住。由此，成為不容易產生由從顯示面板11b一側的發光元件120b發射的光透過設置在顯示面板11a一側的彩色層所導致的混色的結構。
以上是剖面結構實例1-1的說明。
〈剖面結構實例1-2〉
圖8示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖8所示的結 構與圖7A所示的結構之間不同之處在於顯示面板11b的結構。
顯示面板11b具有在絕緣層32上並排地配置有電晶體42a及電晶體42b的結構。另外，在絕緣層32上設置有電容器130。
電晶體42a及電晶體42b具有與圖7A和圖7B所示的電晶體41a相同的結構。
電容器130包括對與電晶體的閘極同一的導電膜進行加工而形成的導電層、其一部分被用作電晶體的閘極絕緣層的絕緣層的其它一部分以及對與電晶體的源極和汲極同一的導電膜進行加工而形成的導電層。
電晶體42a、電晶體42b以及電容器130等位於發光元件120b的圖式中的下方，因此即使其佔有面積較大也不影響到顯示裝置的開口率或精密度。由此可以排列地配置有它們，從而可以使製程簡化。
以上是剖面結構實例1-2的說明。
〈剖面結構實例1-3〉
圖9A示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖9A所示的結構與圖7A所示的結構之間主要不同之處在於：不具有基板51a及基板52b。
在圖9A所示的結構中，包括絕緣層34代替基板52b。在絕緣層34中，在其一個面上形成有彩色層152B等，另一個面與黏合層50接觸。使用黏合層50將絕緣層34與絕緣層31貼合在一起。
藉由沒有設置基板51a及基板52b，可以使顯示裝置變成輕且薄。 另外，藉由沒有設置基板51a及基板52b，可以將發光元件120b設置於更靠近顯示面的位置。由此，可以提高顯示面板11b一側的視角特性。
在此，絕緣層34較佳為不僅支撐彩色層152B等，也可以被用作防止水等雜質從黏合層50等擴散至發光元件120b的保護層。
如上所述，沒有設置基板的結構例如可以如下面說明那樣形成。例如，在支撐基板上形成剝離層，剝離層上的絕緣層、電晶體以及彩色層等。接著，藉由在剝離層與絕緣層等之間、剝離層中或者剝離層與基板之間進行剝離，可以去除基板。在此，在與絕緣層接觸地殘留剝離層的情況下，既可以去除又可以殘留該剝離層。剝離層可以援用後面的記載。
例如，在圖9A所示的例子中，在支撐基板上層疊剝離層與絕緣層31，形成電晶體41a、電晶體41b以及發光元件120a等之後，使用黏合層151a黏合基板52a而形成顯示面板11a。然後，去除支撐基板。另外，另行在支撐基板上層疊剝離層與絕緣層34，在絕緣層34上形成彩色層152B等。然後，使用黏合層151b將形成有電晶體42a、電晶體42b以及發光元件120b等的基板51b與該支撐基板貼合在一起，去除支撐基板。然後，藉由使用黏合層50將絕緣層31與絕緣層34貼合在一起，可以實現圖9A所示的顯示裝置。
以上是剖面結構實例1-3的說明。
〈剖面結構實例1-4〉
圖9B示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖9B所示的結構與圖9A所示的結構之間不同之處在於：使用基板54a及基板54b代替基板52a及基板51b。作為基板54a及基板54b，可以使用比基板 52a及基板51b薄或輕的材料。
在顯示面板11a中，在彩色層152R上層疊有絕緣層33、黏合層53a以及基板54a。另外，在顯示面板11b中，層疊有基板54b、黏合層53b以及絕緣層32。
藉由採用上述結構，可以實現極輕量的顯示裝置。另外，藉由將具有撓性的材料用於基板54a及基板54b，可以實現能夠彎曲的顯示裝置。
以上是剖面結構實例1-4的說明。
〈剖面結構實例1-5〉
圖10A示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖10A所示的結構與圖7A所示的結構之間不同之處在於彩色層152B等的位置。
在圖10A所示的結構中，彩色層152B不是配置於顯示面板11b一側，而是配置於顯示面板11a一側。更明確而言，彩色層152B設置在覆蓋電晶體41b的絕緣層136與被用作平坦化層的絕緣層134之間。
從發光元件120b發射的光透過設置在顯示面板11a一側的彩色層152B向顯示面一側發射。
藉由採用上述結構，不需要在基板52b上形成彩色層152B等，可以使其結構簡化。
〈變形例1-1〉
另外，如圖10B所示那樣，也可以採用沒有設置基板52b的結構。
在圖10B中示出設置有覆蓋發光元件120b的絕緣層35的例子。絕緣層35被用作抑制水等雜質擴散至發光元件120b的保護層。
在圖10B中，不具有黏合層151b，而使用黏合層50將絕緣層35與基板51a貼合在一起。
藉由採用上述結構，可以實現輕且薄的顯示裝置。
〈變形例1-2〉
圖11示出適用圖10B所示的彩色層152B等以及圖9B所例示出的具有撓性的基板54a及基板54b的情況的例子。
在圖11中，使用黏合層50將絕緣層35與絕緣層31貼合在一起。
以上是剖面結構實例1-5的說明。
〈剖面結構實例1-6〉
圖12A示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖12A所示的結構與圖7A所示的結構之間主要不同之處在於：顯示面板11b採用底面發射型(底部發射型)發光元件120c。
顯示面板11b的結構除了下面將說明的點以外大致與上下調換了的圖7A所示的顯示面板11b的結構相同。由此，在顯示面板11b中，基板51b位於顯示面一側，使用黏合層50貼合到基板51a。
在發光元件120c中，將使可見光透過的導電膜用於位於觀看側的導電層121，將反射可見光的導電膜用於位於與觀看側相反一側的導電層123。
在此，由於發光元件120c適用底面發射型發光元件，所以重要的是在發光元件120c所發射的光的路徑上不配置電晶體42a及電晶體42b等。由此，較佳為以不使發光元件120c與電晶體42a或電晶體42b重疊的方式配置。另外，如圖12A所示，當電晶體42a及電晶體42b採用重疊有其一部分的結構時，可以提高顯示面板11b的開口率。
圖12A示出將彩色層152B等配置在顯示面板11a中的例子，但是如圖12B所示，也可以將彩色層152B設置在顯示面板11b中。
以上是剖面結構實例1-6的說明。
另外，可以將各圖式所示的組件與其它圖式所示的組件適當地調換，或者適當地組合。
以上是剖面結構實例1的說明。
[顯示裝置的剖面結構實例2]
在本結構實例中，對呈現不同顏色的顯示元件分別包括不同的發光層(EL層)的結構的例子進行說明。
注意，有時省略與上述顯示裝置的剖面結構實例1重複的部分的說明。
〈剖面結構實例2-1〉
圖13A示出顯示裝置10的顯示部的剖面示意圖。
顯示面板11a在基板51a與基板52a之間具有電晶體41a、電晶體41b、顯示元件21R、顯示元件21G、顯示元件21B(未圖示)以及黏合層151a等。基板51a使用黏合層151a黏合到基板52a。在絕緣層31上 設置有電晶體41a、電晶體41b以及顯示元件21R等。
顯示面板11b在基板51b與基板52b之間具有電晶體42a、電晶體42b、顯示元件22R(未圖示)、顯示元件22G(未圖示)、顯示元件22B以及黏合層151b等。基板51b使用黏合層151b黏合到基板52b。在絕緣層32上設置有電晶體42a、電晶體42b以及顯示元件22B等。
顯示面板11a所包括的顯示元件21R、顯示元件21G以及顯示元件21B(未圖示)分別包括呈現不同顏色的發光元件，向基板52a一側(顯示面一側)發射光。
顯示面板11b所包括的顯示元件22R(未圖示)、顯示元件22G(未圖示)以及顯示元件22B分別包括呈現不同顏色的發光元件，透過顯示面板11a向基板52a一側(顯示面一側)發射光。
圖13B示出圖13A中的電晶體41a、電晶體41b、顯示元件21R以及其附近的放大圖。另外，電晶體42a、電晶體42b及顯示元件21B等可以分別採用與在此示出的電晶體41a、電晶體41b及顯示元件21R相同的結構，在此可以省略說明而援用以下的記載。
電晶體41a及電晶體41b設置在絕緣層31上。電晶體41a與電晶體41b連接，被用作像素的選擇電晶體。另外，電晶體41b與顯示元件21R連接，被用作控制流過顯示元件21R的電流的驅動電晶體。
導電層121被用作顯示元件21R的像素電極。導電層123被用作共用電極。EL層122R至少包括發光層。
顯示元件21R是向與被形成面一側相反的一側發射光的頂面發射型(頂部發射型)發光元件。作為導電層121可以使用反射可見光的導 電膜，作為導電層123可以使用使可見光透過的導電膜。
圖13A和圖13B示出在呈現不同顏色的顯示元件中分別形成有EL層的例子。各顯示元件所包括的EL層包括分別呈現不同顏色的發光層。
顯示元件21R所包括的EL層122R例如具有呈現紅色的發光層。如上所述，藉由在呈現不同顏色的顯示元件中分別形成EL層，可以提高各顯示元件所發射的光的色純度。另外，與使用彩色層(濾色片)等的情況相比，可以提高光提取效率。另外，例如與使用層疊多個發光層呈現白色光的發光元件的情況相比，可以降低驅動電壓。
在此，對可用於顯示元件21R、顯示元件21G以及顯示元件21B等的發光元件的結構進行說明。另外，也可以將下面進行說明的結構適用於顯示元件22R、顯示元件22G以及顯示元件22B。
圖14A示出在呈現不同顏色的顯示元件中分別形成有構成EL層的所有層時的例子。
在顯示元件21R中，在導電層121與導電層123之間具有EL層122R。在圖14A中，EL層122R包括從導電層121一側層疊有載子注入層141R、載子傳輸層142R、發光層143R、載子傳輸層144R以及載子注入層145R的結構。
例如，在將導電層121設定為陽極且將導電層123設定為陰極的情況下，將電洞注入性高的材料用於載子注入層141R，將電洞傳輸性高的材料用於載子傳輸層142R，將電子傳輸性高的材料用於載子傳輸層144R，將電子注入性高的材料用於載子注入層145R。另外，在將陽極變換為陰極的情況下，可以上下變換各層的疊層順序。
與此相同，顯示元件21B的EL層122B包括載子注入層141B、載子傳輸層142B、發光層143B、載子傳輸層144B以及載子注入層145B。另外，顯示元件21G的EL層122G包括載子注入層141G、載子傳輸層142G、發光層143G、載子傳輸層144G以及載子注入層145G。
如上所述，藉由獨立地分別形成EL層122R、EL層122B以及EL層122G，可以實現使各顯示元件最佳化的元件結構。例如，可以對EL層122R、EL層122B以及EL層122G的各層適用分別使用不同材料的層。由此，可以獲得極高的色純度、發光效率以及光提取效率等。
另外，在此示出各EL層所包括的各層厚度大致相同的情況，但是各層厚度也可以在各顯示元件中不同。
圖14B示出在各顯示元件中只分別形成有發光層且共同使用其他層的情況的例子。
在各顯示元件中設置有載子注入層141、載子傳輸層142、載子傳輸層144以及載子注入層145。
藉由採用上述結構，可以使製程簡化。
另外，也可以分別形成載子注入層141、載子傳輸層142、載子傳輸層144和載子注入層145中的一個以上。
另外，在混合使用對發光層適用磷光發光材料的顯示元件和對發光層適用螢光發光材料的顯示元件的情況下，較佳為分別形成不共同使用的層而共同使用該層以外的層。
圖14C示出在呈現不同顏色的顯示元件中使用相同結構的EL層的例子。明確而言，示出組合呈現白色光的EL層122W與各顯示元件所包括的彩色層而發射出不同顏色的光的結構的例子。
顯示元件21R、顯示元件21B以及顯示元件21G分別包括彩色層152R、彩色層152B及彩色層152G。
在不同的顯示元件中設置有顯示元件21R、顯示元件21B以及顯示元件21G所包括的EL層122W。由此，與分別形成有EL層122W的情況相比，可以使其形成製程簡化。另外，與在呈現不同顏色的顯示元件中分別形成EL層的情況相比，不需要考慮形成EL層時的最小特徵尺寸或位置對準精度等設計規則，從而可以使相鄰的像素之間的距離小，並且提高精密度。
另外，藉由將半透過．半反射導電膜用於導電層123，也可以實現微腔結構。此時，也可以設置使可見光透過的光學調整層以調整導電層121與導電層123之間的光學距離。在不同顏色的顯示元件中，各光學調整層較佳為具有不同的厚度。
藉由組合呈現白色光的EL層122、微腔結構和彩色層，可以向顯示面一側發射色純度極高的光。
圖14D示出使用向被形成面一側發射光的底面發射型(底部發射型)的顯示元件的情況的例子。在此，與圖14B同樣地，示出在各顯示元件中只分別形成有發光層的情況的例子。
在圖14D中，將使可見光透過的導電膜用於導電層121，將反射可見光的導電膜用於導電層123。由此，顯示元件21R、顯示元件21B以及顯示元件21G都向導電層121一側發射光。
以上是發光元件的結構實例的說明。
圖13C示出對應於圖13B所示的結構的電路圖。圖13C相當於一個像素(子像素)的電路圖。
例如，電晶體41a的閘極(導電層111)與被供應閘極信號VG的佈線電連接，電晶體41a的源極和汲極中的一個(導電層113a)與被供應源極信號VS的佈線電連接。電晶體41b的源極和汲極中的一個(導電層113c)與被供應電位VH的佈線電連接。顯示元件21R的共用電極(導電層123)與被供應電位VL的佈線電連接。
另外，像素的結構不侷限於此，可以使用各種電路結構。
在此，在顯示面板11a一側相鄰且呈現不同顏色的兩個顯示元件(例如顯示元件21R及顯示元件21G)之間設置有來自顯示面板11b一側的光透過的區域。由此，具有如下結構：不容易產生由從一個顯示元件(例如顯示元件21R)發射的光透過其它顯示元件(例如顯示元件21G)所導致的混色的結構。由此，即使不將用來抑制混色的遮光層設置在相鄰的像素之間，也可以進行顯示品質高的顯示。
另外，從顯示面板11b一側的顯示元件(例如顯示元件22B)朝向斜方向發射的光被設置在顯示面板11a一側的顯示元件21R等的導電層121、電晶體41a及電晶體41b所包括的各導電層或佈線等遮住。由此，成為不容易產生由從顯示面板11b一側的顯示元件22B等發射的光透過設置在顯示面板11a一側的顯示元件21R等所導致的混色的結構。
以上是剖面結構實例2-1的說明。
〈剖面結構實例2-2〉
圖15示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖15所示的結構與圖13A所示的結構之間不同之處在於顯示面板11b的結構。
顯示面板11b具有在絕緣層32上並排地配置有電晶體42a及電晶體42b的結構。另外，在絕緣層32上設置有電容器130。
電晶體42a及電晶體42b具有與圖13A和圖13B所示的電晶體41a相同的結構。
電容器130包括對與電晶體的閘極同一的導電膜進行加工而形成的導電層、其一部分被用作電晶體的閘極絕緣層的絕緣層的其它一部分以及對與電晶體的源極和汲極同一的導電膜進行加工而形成的導電層。
電晶體42a、電晶體42b以及電容器130等位於顯示元件22B的附圖中的下方，由此即使其佔有面積較大也不影響到顯示裝置的開口率或精密度，由此可以排列地配置有它們，從而可以使製程簡化。
以上是剖面結構實例2-2的說明。
〈剖面結構實例2-3〉
圖16A示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖16A所示的結構與圖13A所示的結構之間主要不同之處在於：不具有基板51a及基板52b。
在圖16A所示的結構中，包括絕緣層34代替基板52b。在絕緣層34中，其一個面與黏合層151b接觸，另一個面與黏合層50接觸。使用黏合層50將絕緣層34與絕緣層31貼合在一起。
藉由沒有設置基板51a及基板52b，可以使顯示裝置變成輕且薄。另外，藉由沒有設置基板51a及基板52b，可以將顯示元件22B設置於更靠近顯示面的位置。由此，可以提高顯示面板11b一側的視角特性。
在此，絕緣層34較佳為被用作防止水等雜質從黏合層50等擴散至顯示元件22B的保護層。
例如，在圖16A所示的例子中，在支撐基板上層疊剝離層與絕緣層31，形成電晶體41a、電晶體41b以及顯示元件21R等之後，使用黏合層151a黏合基板52a而形成顯示面板11a。然後，去除支撐基板。另外，另行在支撐基板上層疊剝離層與絕緣層34。然後，使用黏合層151b將形成有電晶體42a、電晶體42b以及顯示元件22B等的基板51b與該支撐基板貼合在一起，去除支撐基板。然後，藉由使用黏合層50將絕緣層31與絕緣層34貼合在一起，可以實現圖16A所示的顯示裝置。
以上是剖面結構實例2-3的說明。
〈變形例2-1〉
圖16B示出不具有圖16A所示的絕緣層34的例子。
在圖16B中示出設置有覆蓋顯示元件22B等的絕緣層35b的例子。絕緣層35b被用作抑制水等雜質擴散至顯示元件22B等的保護層。
在圖16B中，不具有黏合層151b，而使用黏合層50將絕緣層35b絕緣層31貼合在一起。
藉由採用上述結構，可以實現輕且薄的顯示裝置。
〈剖面結構實例2-4〉
圖17A示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖17B所示的結構與圖16A所示的結構之間不同之處在於：使用基板54a及基板54b代替基板52a及基板51b。作為基板54a及基板54b，可以使用比基板52a及基板51b薄或輕的材料。
在顯示面板11a中，從內側層疊有絕緣層33、黏合層53a以及基板54a。另外，在顯示面板11b中，從圖式中的下側層疊有基板54b、黏合層53b以及絕緣層32。
藉由採用上述結構，可以實現極輕量的顯示裝置。另外，藉由將具有撓性的材料用於基板54a及基板54b，可以實現能夠彎曲的顯示裝置。
以上是剖面結構實例2-4的說明。
〈變形例2-2〉
圖17B示出不具有圖17A所示的絕緣層34及絕緣層33的例子。
另外，設置有覆蓋顯示元件21R等的絕緣層35a以及覆蓋顯示元件22B等的絕緣層35b。
在圖17B中，不具有黏合層151a，而使用黏合層53a將基板54a與絕緣層35a貼合在一起。另外，不具有黏合層151b，而使用黏合層50將絕緣層35b與絕緣層31貼合在一起。
藉由採用上述結構，可以在不犧牲可靠性的情況下實現其厚度進一步減少的顯示裝置。
〈剖面結構實例2-5〉
圖18A示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖18A所示的結構與圖13A所示的結構等之間主要不同之處在於顯示面板11a所具有的顯示元件的結構。
設置在顯示面板11a中的顯示元件21R包括發光元件120及彩色層152R。與此同樣，顯示元件21G包括發光元件120及彩色層152G，顯示元件21B(未圖示)包括發光元件120及彩色層152B(未圖示)。
彩色層152R、彩色層152G以及彩色層152B(未圖示)都與發光元件120重疊。在此，示出作為發光元件120適用呈現白色光的發光元件的情況。從顯示元件21R的發光元件120發射的光透過彩色層152R被著色，向顯示面一側(基板52a一側)被發射。與此同樣，從顯示元件21G及顯示元件21B(未圖示)發射的光透過彩色層152G或彩色層152B(未圖示)被著色，向顯示面一側被發射。
在此，從顯示面板11b一側的顯示元件(例如顯示元件22B)朝向斜方向發射的光被設置在顯示面板11a一側的顯示元件21R等的導電層121、電晶體41a及電晶體41b所包括的各導電層或佈線等遮住。由此，成為不容易產生由從顯示面板11b一側的顯示元件22B等發射的光透過設置在顯示面板11a一側的彩色層所導致的混色的結構。
另外，圖18A示出不具有基板52b的例子。藉由黏合層50，使基板51a與顯示元件22B等黏合。由此，可以實現更薄且輕量的顯示裝置。
以上是剖面結構實例2-5的說明。
〈變形例2-3〉
圖18B示出設置在顯示面板11b中的多個顯示元件中不分別形成EL層的情況的例子。
例如，可以採用如下結構：在顯示面板11a中交替地配置紅色(R)及綠色(G)這兩種顯示元件，在顯示面板11b中只週期性配置藍色(B)的顯示元件的結構。由此，在顯示面板11b一側不需要分別形成EL層，因此使其製程簡化。
另外，藉由採用上述結構，可以使顯示面板11a中的呈現不同顏色的兩個顯示元件之間的距離更小。其結果，可以實現進一步高精密度的顯示裝置。
另外，也可以採用如下結構：在顯示面板11a一側配置紅色(R)、綠色(G)以及藍色(B)這三種顯示元件，在顯示面板11b一側配置該三種中一種的結構。另外，也可以配置白色(W)及黃色(Y)等與紅色(R)、綠色(G)以及藍色(B)不同的顯示元件。
另外，剖面結構實例2-5及變形例2-3示出對顯示面板11a適用包括彩色層及發光元件的顯示元件，並且對顯示面板11b適用不具有彩色層的顯示元件的例子，但是也可以將顯示面板11a與顯示面板11b調換。就是說，也可以為對顯示面板11a適用不具有彩色層的顯示元件，並且對顯示面板11b適用具有彩色層及發光元件的顯示元件的結構。
〈剖面結構實例2-6〉
圖19示出下面例示出的顯示裝置的剖面示意圖。在圖19所示的結構與圖13A所示的結構之間主要不同之處在於：在顯示面板11b中使用底面發射型(底部發射型)顯示元件22B等。
顯示面板11b的結構除了下面將說明的點以外大致與上下調換了圖13A所示的顯示面板11b的結構相同。由此，在顯示面板11b中，基板51b位於顯示面一側，使用黏合層50貼合到基板51a。
在顯示元件22B等中，將使可見光透過的導電膜用於位於觀看側的導電層121，將反射可見光的導電膜用於位於與觀看側相反一側的導電層123。
在此，由於顯示元件22B等使用底面發射型發光元件，所以重要的是在顯示元件22B等所發射的光的路徑上沒有配置電晶體42a及電晶體42b等。由此，較佳為以不使顯示元件22B等與電晶體42a或電晶體42b重疊的方式配置。另外，如圖19所示，當電晶體42a及電晶體42b採用重疊有其一部分的結構時，可以提高顯示面板11b的開口率。
以上是剖面結構實例2-6的說明。
另外，可以將各圖式所示的組件與其它圖式所示的組件適當地調換，或者適當地組合。
以上是剖面結構實例2的說明。
[電晶體的疊層結構例子]
下面，對層疊有兩個電晶體的結構的其他結構實例進行說明。下面例示出的各結構實例可以與上述顯示裝置的剖面結構實例中例示出的結構適當地組合而使用。
〈結構實例1〉
圖20A示出層疊有電晶體41c和電晶體41d的情況的例子。
電晶體41c是在圖7B中例示出的電晶體41a上設置有被用作第二閘極的導電層111b的電晶體。導電層111b設置在與半導體層112a重疊的位置，設於絕緣層133與絕緣層136之間。
電晶體41d是在圖7B中例示出的電晶體41b上設置有被用作第二閘極的導電層111c的電晶體。導電層111c設置在與半導體層112b重疊的位置，設於絕緣層136上。
在電晶體具有夾著半導體層的兩個閘極的情況下，藉由對兩個閘極供應相同電位，可以提高電晶體的通態電流(on-state current)。另外，藉由對一個閘極供應控制臨界電壓的電位，而對另一個閘極供應用來驅動電晶體的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。
〈結構實例2〉
圖20B是層疊有電晶體41e與電晶體41b的情況的例子。
電晶體41e是在半導體層112a的上方具有閘極的所謂的頂閘極型電晶體。
電晶體41e包括：絕緣層31上的半導體層112a；半導體層112a上的絕緣層132；絕緣層132上的導電層111；覆蓋半導體層112a及導電層111的絕緣層137；以及絕緣層137上的導電層113a及導電層113b。
電晶體41e可以降低半導體層112a與導電層113a或導電層113b之間的寄生電容以及導電層111與導電層113a或導電層113b之間的寄生電容，所以是較佳的。
在圖20B中示出絕緣層132只形成在與導電層111重疊的部分中的例子，但是如圖20D所示，也可以為絕緣層132覆蓋半導體層112a的端部的結構。
〈結構實例3〉
圖20C是層疊有電晶體41f與電晶體41b的情況的例子。
電晶體41f除了電晶體41e以外還包括被用作第二閘極的導電層111b。導電層111b隔著絕緣層138與半導體層112a重疊。
在圖20C中示出絕緣層132只形成在與導電層111重疊的部分中的例子，但是如圖20E所示，也可以為絕緣層132覆蓋半導體層112a的端部的結構。
〈結構實例4〉
圖21A示出層疊有電晶體41a和電晶體41g的情況的例子。
電晶體41g是在半導體層112b的上方具有閘極的所謂的頂閘極型電晶體。
電晶體41g包括：絕緣層133上的半導體層112b；半導體層112b上的被用作閘極絕緣層的絕緣層139；絕緣層139上的導電層111b；覆蓋半導體層112a及導電層111b的絕緣層136；以及絕緣層136上的導電層113c及導電層113d。
導電層113b及導電層111b都被用作電晶體41g的閘極。
在圖21A所示的例子中，由半導體層112b、導電層113b以及絕緣 層133的一部分形成電容器。由此，該電容器可以被用作儲存電容器，在此情況下也可以不另行設置電容器。
另外，在圖21A中示出絕緣層139只形成在與導電層111b重疊的部分中的例子，但是與圖20E等的絕緣層132同樣，也可以以覆蓋半導體層112b的端部的方式設置絕緣層139。
〈結構實例5〉
圖21B示出層疊有電晶體41e和電晶體41g的情況的例子。電晶體41e及電晶體41g的說明可以援用上述記載。
藉由採用上述結構，可以實現寄生電容極低的顯示裝置。
〈結構實例6〉
圖21C示出層疊有電晶體41f和電晶體41g的情況的例子。電晶體41f及電晶體41g的說明可以援用上述記載。
藉由採用上述結構，可以實現寄生電容極低的顯示裝置。
以上是電晶體的疊層結構的例子的說明。
[各組件]
下面，說明上述各組件。
〈基板〉
顯示面板所包括的基板可以使用具有平坦面的材料。作為提取來自顯示元件的光的一側的基板，使用使該光透過的材料。例如，可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石以及有機樹脂等的材料。
藉由使用厚度薄的基板，可以實現顯示面板的輕量化及薄型化。再者，藉由使用其厚度允許其具有撓性的基板，可以實現具有撓性的顯示面板。
作為不提取發光的一側的基板，也可以不具有透光性，所以除了上面例舉的基板之外還可以使用金屬基板等。由於金屬基板的導熱性高，並且容易將熱傳導到基板整體，因此能夠抑制顯示面板的局部溫度上升，所以是較佳的。為了獲得撓性或彎曲性，較佳為將金屬基板的厚度設定為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
對於構成金屬基板的材料沒有特別的限制，例如，較佳為使用鋁、銅、鎳等金屬、鋁合金或不鏽鋼等的合金等。
此外，也可以使用進行過金屬基板的表面氧化或在其表面上形成絕緣膜等進行過絕緣處理的基板。例如，既可以採用旋塗法或浸漬法等塗佈法、電沉積法、蒸鍍法或濺射法等的方法形成絕緣膜，又可以藉由在氧氛圍下放置或加熱或者採用陽極氧化法等的方法，在基板的表面形成氧化膜。
作為具有撓性以及對可見光具有透過性的材料，例如可以舉出如下材料：其厚度允許其具有撓性的玻璃、聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂或聚四氟乙烯(PTFE)樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹係數低的材料，例如較佳為使用熱膨脹係數為30×10-6/K以下的聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將有機樹脂浸滲於玻璃纖維中的基板或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹係數的基板。由於使用這種材料的基板的重量輕， 所以使用該基板的顯示面板也可以實現輕量化。
當上述材料中含有纖維體時，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。明確而言，高強度纖維是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。其典型例子為聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯并雙 唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。將上述纖維體以織布或不織布的狀態使用，並且，也可以使用在該纖維體中浸滲樹脂並使該樹脂固化而成的結構體作為撓性基板。藉由作為具有撓性的基板使用由纖維體和樹脂構成的結構體，可以提高耐彎曲或局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以是較佳的。
或者，可以將薄得足以具有撓性的玻璃、金屬等用於基板。或者，可以使用利用黏合層貼合玻璃與樹脂材料的複合材料。
還可以在具有撓性的基板上層疊保護顯示面板的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽、氧化鋁等)、能夠分散按壓力的材質的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。另外，為了抑制水分等導致顯示元件使用壽命減少等，也可以在具有撓性的基板上層疊有低透水性的絕緣膜。例如，可以使用氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁等無機絕緣材料。
作為基板也可以使用層疊多個層的基板。特別是，藉由採用具有玻璃層的結構，可以提高對水或氧的阻擋性而提供可靠性高的顯示面板。
〈電晶體〉
電晶體包括：用作閘極電極的導電層；半導體層；用作源極電極 的導電層；用作汲極電極的導電層；以及用作閘極絕緣層的絕緣層。上面示出採用底閘極結構電晶體的情況。
注意，對本發明的一個實施方式的顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用具有結晶性的半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
另外，作為用於電晶體的半導體材料，例如可以將第14族元素(矽、鍺等)、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。典型的是，可以使用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等。
尤其較佳為使用其能帶間隙比矽寬的氧化物半導體。藉由使用能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。
作為半導體層，尤其較佳為使用如下氧化物半導體：具有多個結晶部，該結晶部的c軸配向於大致垂直於形成有半導體層的表面或半導體層的頂面的方向，並且在相鄰的結晶部間確認不到晶界。
這種氧化物半導體因為不具有晶界，所以可以抑制因使顯示面板彎曲時的應力導致在氧化物半導體膜中產生縫裂的情況。因此，可以將這種氧化物半導體適用於將其彎曲而使用的撓性顯示面板等。
另外，藉由作為半導體層使用這種具有結晶性的氧化物半導體，可以實現一種電特性變動得到抑制且可靠性高的電晶體。
另外，使用其能帶間隙比矽寬的氧化物半導體的電晶體由於其關態電流低，因此能夠長期間保持儲存於與電晶體串聯連接的電容器中的電荷。藉由將這種電晶體用於像素，能夠在保持顯示在各顯示區域上的像素的灰階的同時，停止驅動電路。其結果是，可以實現功耗極小的顯示裝置。
例如，半導體層較佳為包括至少包含銦、鋅及M(鋁、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹或鉿等金屬)的表示為In-M-Zn類氧化物的膜。另外，為了減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性不均勻，除了上述元素以外，較佳為還包含穩定劑(stabilizer)。
作為穩定劑，可以舉出上述表示為M的金屬，例如有鎵、錫、鉿、鋁或鋯等。另外，作為其他穩定劑，可以舉出鑭系元素的鑭、鈰、鐠、釹、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦等。
作為構成半導體層的氧化物半導體，例如可以使用In-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
注意，在此，In-Ga-Zn類氧化物是指作為主要成分具有In、Ga和Zn的氧化物，對In、Ga、Zn的比例沒有限制。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
另外，半導體層和導電層也可以具有上述氧化物中的相同的金屬元素。藉由使半導體層和導電層具有相同的金屬元素，可以降低製造成本。例如，藉由使用由相同的金屬組成的金屬氧化物靶材，可以降低製造成本。另外，也可以共同使用對半導體層和導電層進行加工時的蝕刻氣體或蝕刻劑。然而，即使半導體層和導電層具有相同的金屬元素，有時其組成也互不相同。例如，在電晶體及電容器的製程中，有時膜中的金屬元素脫離而成為不同的金屬組成。
構成半導體層的氧化物半導體的能隙較佳為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的氧化物半導體，可以減少電晶體的關態電流。
當構成半導體層的氧化物半導體為In-M-Zn氧化物時，較佳為用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子數比滿足In
Figure 105137941-A0202-12-0049-69
M及Zn
Figure 105137941-A0202-12-0049-70
M。這種濺射靶材的金屬元素的原子數比較佳為In：M：Zn=1：1：1、In：M：Zn=1：1：1.2、In：M：Zn=3：1：2、4：2：4.1等。注意，所形成的半導體層的原子數比分別包含上述濺射靶材中的金屬元素的原子數比的±40%的範圍內的誤差。
作為半導體層，可以使用載子密度低的氧化物半導體膜。例如，作為半導體層可以使用載子密度為1×1017/cm3以下，較佳為1×1015/cm3以下，更佳為1×1013/cm3以下，進一步較佳為1×1011/cm3以下，更進一步較佳為小於1×1010/cm3，1×10-9/cm3以上的氧化物半導體。將這樣的氧化物半導體稱為高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體。由此，因為雜質濃度及缺陷能階密度低，可以說是具有穩定的特性的 氧化物半導體。
注意，本發明不侷限於上述記載，可以根據所需的電晶體的半導體特性及電特性(場效移動率、臨界電壓等)來使用具有適當的組成的材料。另外，較佳為適當地設定半導體層的載子密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數比、原子間距離、密度等，以得到所需的電晶體的半導體特性。
另外，當構成半導體層的氧化物半導體包含第14族元素之一的矽或碳時，半導體層中的氧缺陷增加，會使該半導體層變為n型。因此，將半導體層中的矽或碳的濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)設定為2×1018atoms/cm3以下，較佳為2×1017atoms/cm3以下。
另外，有時當鹼金屬及鹼土金屬與氧化物半導體鍵合時生成載子，而使電晶體的關態電流增大。因此，將藉由二次離子質譜分析法測得的半導體層的鹼金屬或鹼土金屬的濃度設定為1×1018atoms/cm3以下，較佳為2×1016atoms/cm3以下。
另外，當構成半導體層的氧化物半導體含有氮時生成作為載子的電子，載子密度增加而容易n型化。其結果，使用具有含有氮的氧化物半導體的電晶體容易變為常開特性。因此，利用二次離子質譜分析法測得的半導體層的氮濃度較佳為5×1018atoms/cm3以下。
另外，半導體層例如也可以具有非單晶結構。非單晶結構例如包括CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor或者C-Axis Aligned and A-B-plane Anchored Crystalline Oxide Semiconductor)、多晶結構、微晶結構或非晶結構。在非單晶結構中，非晶結構的缺陷態密度最高，而CAAC-OS的缺陷態密度最低。
非晶結構的氧化物半導體膜例如具有無秩序的原子排列且不具有結晶成分。或者，非晶結構的氧化物膜例如是完全的非晶結構且不具有結晶部。
此外，半導體層也可以為具有非晶結構的區域、微晶結構的區域、多晶結構的區域、CAAC-OS的區域和單晶結構的區域中的兩種以上的混合膜。混合膜有時例如具有包括上述區域中的兩種以上的區域的單層結構或疊層結構。
〈CAC-OS的構成〉
下面，對可用於在本發明的一個實施方式中公開的電晶體的CAC(Cloud Aligned Composite)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指構成氧化物半導體的元素以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸不均勻地分佈的材料的一種構成。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
另外，氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，可以將In-Ga-Zn氧化物特別稱為CAC-IGZO)是指其材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX3(X3為大 於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有以GaOX3為主要成分的區域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1
Figure 105137941-A0202-12-0052-71
x0
Figure 105137941-A0202-12-0052-72
1，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC(C-Axis Aligned Crystalline)結構。CAAC結構是多個IGZO奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。
另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。
CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。
注意，有時觀察不到以GaOX3為主要成分的區域與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域之間的明確的邊界。
在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該金屬元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
CAC-OS例如可以在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法形成。當利用濺射法形成CAC-OS時，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。成膜時的相對於沉積氣體總流量的氧氣體的流量比越低越好。例如，氧氣體的流量比較佳為0%以上且低於30%，更佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由利用X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的Out-of-plane法的θ/2θ掃描進行測量時觀察不到明確的峰值。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。
另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而得到的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的高亮度區域以及該環狀區域中的多個亮點。因此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構是在平面方向及剖面方向上沒有配向性的nc(nano-crystal)結構。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據利用能量色散型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析影像，可以確認到該CAC-OS具有以GaOX3為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。
CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，由此CAC-OS具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3等為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX3等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，起因於GaOX3等的絕緣性及起因於InX2ZnY2OZ2或InOX1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(Ion)及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適合於顯示器等各種半導體裝置。
或者，較佳為將矽用於形成有電晶體的通道的半導體。作為矽可以使用非晶矽，尤其較佳為使用具有結晶性的矽。例如，較佳為使用微晶矽、多晶矽、單晶矽等。尤其是，多晶矽與單晶矽相比能夠在低溫下形成，並且其場效移動率比非晶矽高，所以多晶矽的可靠性高。藉由將這樣的多晶半導體用於像素可以提高像素的開口率。另外，即使在實現具有極高精密度的顯示部的情況下，也能夠將閘極驅動電路及源極驅動電路與像素形成在同一基板上，從而能夠減少構成電子裝 置的構件數量。
本實施方式所例示的底閘極結構的電晶體由於能夠減少製程，所以是較佳的。此外，此時藉由使用非晶矽，與多晶矽相比可以在更低的溫度下形成，因此作為半導體層下方的佈線或電極的材料及基板材料，可以使用耐熱性低的材料，由此可以擴大材料的選擇範圍。例如，可以適當使用極大面積的玻璃基板等。另一方面，頂閘極型電晶體容易自對準地形成雜質區域，從而可以減少特性的不均勻等，所以是較佳的。此時，尤其較佳為使用多晶矽或單晶矽等。
〈導電層〉
作為可用於電晶體的閘極、源極及汲極和構成顯示裝置的各種佈線及電極等導電層的材料，可以舉出鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以上述金屬為主要成分的合金等。另外，可以以單層或疊層結構使用包含這些材料的膜。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜以及鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、以及依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜以及鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。另外，可以使用氧化銦、氧化錫或氧化鋅等氧化物。另外，藉由使用包含錳的銅，可以提高蝕刻時的形狀的控制性，所以是較佳的。
另外，作為透光性導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含該金屬材料的合金材料。或者，還可以使用該金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料、合金材料(或者它們的氮化物)時，將其形成得薄到具有透光性，即可。此外， 可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等，可以提高導電性，所以是較佳的。上述材料也可以用於構成顯示裝置的各種佈線及電極等的導電層、顯示元件所包括的導電層(被用作像素電極及共用電極的導電層)。
〈絕緣層〉
作為可用於各絕緣層的絕緣材料，例如可以使用丙烯酸樹脂或環氧樹脂等樹脂、具有矽氧烷鍵的樹脂、無機絕緣材料如氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁等。
另外，發光元件較佳為設置於一對透水性低的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水等雜質進入發光元件，從而能夠抑制裝置的可靠性下降。
作為透水性低的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮及矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮及鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。
例如，將透水性低的絕緣膜的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/(m2．day)]以下，較佳為1×10-6[g/(m2．day)]以下，更佳為1×10-7[g/(m2．day)]以下，進一步較佳為1×10-8[g/(m2．day)]以下。
〈發光元件〉
作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件以及無機EL元件等。
發光元件有頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構等。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
EL層至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層可以還包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
EL層可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層的層分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等方法形成。
當在陰極與陽極之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層中，而電子從陰極一側注入到EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中再結合，由此，包含在EL層中的發光物質發光。
當作為發光元件使用白色發光的發光元件時，較佳為使EL層包含兩種以上的發光物質。例如藉由以使兩個以上的發光物質的各發光成為互補色關係的方式選擇發光物質，可以獲得白色發光。例如，較佳為包含如下發光物質中的兩個以上：各呈現R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、Y(黃色)、O(橙色)等發光的發光物質及呈現包含R、G、B中的兩種以上的顏色的光譜成分的發光的發光物質。另外，較佳為使用來自發光元件的發光的光譜在可見光區域的波長(例如350nm至750nm)的範圍內具有兩個以上的峰值的發光元件。另外，在黃色的波長範圍中具有峰值的材料的發射光譜較佳為在綠色及紅色的波長範圍也具有光譜成分的材料。
EL層較佳為採用疊層結構，該疊層包括包含發射一種顏色的光的發光材料的發光層與包含發射其他顏色的光的發光材料的發光層。例如，EL層中的多個發光層既可以互相接觸而層疊，也可以隔著不包含 任何發光材料的區域層疊。例如，可以在螢光發光層與磷光發光層之間設置如下區域：包含與該螢光發光層或磷光發光層相同的材料(例如主體材料、輔助材料)，並且不包含任何發光材料的區域。由此，發光元件的製造變得容易，另外，驅動電壓得到降低。
另外，發光元件既可以是包括一個EL層的單元件，又可以是隔著電荷產生層層疊有多個EL層的串聯元件。
作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到具有透光性來使用。此外，可以使用上述材料的疊層膜作為導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，也可以使用包含鈦、鎳或釹及鋁的合金(鋁合金)。另外，也可以使用包含銅、鈀、鎂與銀的合金。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁膜或鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制氧化。作為這種金屬膜、金屬氧化物膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與銦錫氧化物的疊層膜、銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等。
各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。
另外，上述發光層以及包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質及電子注入性高的物質、雙極性物質等的層可以分別包含量子點等的無機化合物或高分子化合物(低聚物、枝狀聚合物或聚合物等)。例如，藉由將量子點用於發光層，也可以將其用作發光材料。
作為量子點材料，可以使用膠狀量子點材料、合金型量子點材料、核殼(Core Sbell)型量子點材料、核型量子點材料等。另外，也可以使用包含第12族和第16族、第13族和第15族、第14族和第16族的元素組的材料。或者，可以使用包含鎘、硒、鋅、硫、磷、銦、碲、鉛、鎵、砷、鋁等元素的量子點材料。
〈黏合層〉
作為各黏合層，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)那樣的藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質進入元件，從而提高顯示面板的可靠性，所以是較佳的。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可 以提高光提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
〈連接層〉
作為連接層，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
〈彩色層〉
作為能夠用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。
〈遮光層〉
作為能夠用於遮光層的材料，可以舉出碳黑、鈦黑、金屬、金屬氧化物或包含多個金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。遮光層也可以為包含樹脂材料的膜或包含金屬等無機材料的薄膜。另外，也可以對遮光層使用包含彩色層的材料的膜的疊層膜。例如，可以採用包含用於使某個顏色的光透過的彩色層的材料的膜與包含用於使其他顏色的光透過的彩色層的材料的膜的疊層結構。藉由使彩色層與遮光層的材料相同，除了可以使用相同的裝置以外，還可以簡化製程，因此是較佳的。
以上是關於各組件的說明。
[製造方法的例子]
在此，對使用具有撓性的基板的顯示面板的製造方法的例子進行說明。
在此，將包括顯示元件、電路、佈線、電極、彩色層及遮光層等光學構件以及絕緣層等的層總稱為元件層。例如，元件層包括顯示元 件，除此以外還可以包括與顯示元件電連接的佈線、用於像素或電路的電晶體等元件。
另外，在此，將在顯示元件完成(製程結束)的步驟中支撐元件層且具有撓性的構件稱為基板。例如，基板在其範圍中也包括其厚度為10nm以上且300μm以下的極薄的薄膜等。
作為在具有撓性且具備絕緣表面的基板上形成元件層的方法，典型地有如下兩種方法。一個方法是在基板上直接形成元件層的方法。另一個方法是在與基板不同的支撐基板上形成元件層之後分離元件層與支撐基板而將元件層轉置於基板的方法。另外，在此沒有詳細的說明，但是除了上述兩個方法以外，還有如下方法：在沒有撓性的基板上形成元件層，藉由拋光等使該基板變薄而使該基板具有撓性的方法。
當構成基板的材料對元件層的形成製程中的加熱具有耐熱性時，若在基板上直接形成元件層，則可使製程簡化，所以是較佳的。此時，若在將基板固定於支撐基板的狀態下形成元件層，則可使裝置內及裝置之間的傳送變得容易，所以是較佳的。
另外，當採用在將元件層形成在支撐基板上後將其轉置於基板的方法時，首先在支撐基板上層疊剝離層和絕緣層，在該絕緣層上形成元件層。接著，將元件層與支撐基板之間進行剝離並將元件層轉置於基板。此時，選擇在支撐基板材料與剝離層的介面、剝離層與絕緣層的介面或剝離層中發生剝離的材料即可。在上述方法中，藉由將高耐熱性材料用於支撐基板及剝離層，可以提高形成元件層時所施加的溫度的上限，從而可以形成包括更高可靠性的元件的元件層，所以是較佳的。
例如，較佳的是，作為剝離層使用包含鎢等高熔點金屬材料的層與包含該金屬材料的氧化物的層的疊層，作為剝離層上的絕緣層使用層疊多個氧化矽層、氮化矽層、氧氮化矽層、氮氧化矽層等的層。注意，在本說明書中，“氧氮化物”是指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而“氮氧化物”是指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。
作為元件層與支撐基板之間進行剝離的方法，例如可以舉出如下方法：施加機械力量的方法；對剝離層進行蝕刻的方法：使液體滲透到剝離介面的方法；等。另外，可以藉由利用形成剝離介面的兩層的熱膨脹係數的差異，進行加熱或冷卻而進行剝離。
另外，當能夠在支撐基板與絕緣層的介面進行剝離時，可以不設置剝離層。
例如，也可以作為支撐基板使用玻璃，作為絕緣層使用聚醯亞胺等有機樹脂。此時，也可以藉由使用雷射等對有機樹脂的一部分局部性地進行加熱，或者藉由使用銳利的構件物理性地切斷或打穿有機樹脂的一部分等來形成剝離的起點，由此在玻璃與有機樹脂的介面進行剝離。
另外，也可以在支撐基板與由有機樹脂構成的絕緣層之間設置發熱層，藉由對該發熱層進行加熱，由此在該發熱層與絕緣層的介面進行剝離。作為發熱層，可以使用藉由電流流過發熱的材料、藉由吸收光發熱的材料、藉由施加磁場發熱的材料等各種材料。例如，作為發熱層的材料，可以選自半導體、金屬及絕緣體中。
在上述方法中，可以在進行剝離之後將由有機樹脂構成的絕緣層用作基板。
以上是對撓性顯示裝置的製造方法的說明。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構實例進行說明。下面例示出的顯示裝置是使兩個顯示面板重疊的顯示裝置。
[結構實例]
圖23是示出顯示裝置400的結構的一個例子的方塊圖。顯示裝置400包括顯示面板400a及顯示面板400b。在圖23中上下排列顯示面板400a及顯示面板400b，但是實際上層疊地設置有它們。
顯示面板400a包括在顯示部362中排列為矩陣狀的多個像素410a。另外，顯示面板400a包括電路GDa及電路SDa。
顯示面板400b包括在顯示部362中排列為矩陣狀的多個像素410b。另外，顯示面板400b包括電路GDb及電路SDb。
另外，顯示面板400a包括使排列在方向R上的多個像素410a與電路GDa電連接的多個佈線G1及多個佈線ANO1。另外，顯示面板400a包括使排列在方向C上的多個像素410a與電路SDa電連接的多個佈線S1。
另外，顯示面板400b包括使排列在方向R上的多個像素410b與電路GDb電連接的多個佈線G2及多個佈線ANO2。另外，顯示面板400b 包括使排列在方向C上的多個像素410b與電路SDb電連接的多個佈線S2。
像素410a及像素410b都包括發光元件。像素410a的發光元件及像素410b的發光元件配置為具有彼此不重疊的部分的方式。
[電路結構實例]
圖24是示出設置在顯示部362中的像素410a及像素410b的結構實例的電路圖。在圖24中示出相鄰的三個像素。
像素410a及像素410b除了連接的佈線不同以外具有相同的結構。由此，關於共同事項，有時只說明其一方的情況。
像素410a及像素410b都包括開關SW、電晶體M、電容器C以及發光元件360等。另外，像素410a與佈線G1、佈線ANO1以及佈線S1電連接，像素410b與佈線G2、佈線ANO2以及佈線S2電連接。
在像素410a中，開關SW的閘極與佈線G1連接，開關SW的源極和汲極中的一個與佈線S1連接，開關SW的源極和汲極中的另一個與電容器C的一個電極及電晶體M的閘極連接。電容器C的另一個電極與電晶體M的源極和汲極中的一個以及佈線ANO1連接。電晶體M的源極和汲極中的另一個與發光元件360的一個電極連接。發光元件360的另一個電極與佈線VCOM連接。
圖24示出電晶體M包括夾著半導體的兩個閘極，並且該兩個閘極連接的例子。由此，可以增大電晶體M能夠流過的電流。
另外，可以對佈線G1及佈線G2供應使開關SW控制為導通狀態或非導通狀態的信號。另外，可以對佈線VCOM、佈線ANO1及佈線ANO2 供應產生用來使發光元件360發射光的電位差的電位。另外，可以對佈線S1及佈線S2供應控制電晶體M的導通狀態的信號。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，對可以使用本發明的一個實施方式製造的顯示模組進行說明。
圖25所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010、電池8011。
可以將使用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置例如用於顯示面板8006。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
作為觸控面板8004，可以使用重疊於顯示面板8006的電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板。此外，也可以不設置觸控面板8004而使顯示面板8006具有觸控面板的功能。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池8011。
此外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式4
在本實施方式中，對可以適用本發明的一個實施方式的顯示裝置的電子裝置進行說明。
可以將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於電子裝置的顯示部。由此，可以實現顯示品質高的電子裝置。或者，可以實現極高精密度的電子裝置。或者，可以實現可靠性高的電子裝置。
作為電子裝置，例如可以舉出：電視機；桌上型或膝上型個人電腦；用於電腦等的顯示器；數位相機；數位攝影機；數位相框；行動電話機；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置；彈珠機等大型遊戲機等。
此外，可以將本發明的一個實施方式的電子裝置或照明設備沿著房屋或高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。
此外，本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括二次電池， 較佳為藉由非接觸電力傳送對該二次電池充電。
作為二次電池，例如，可以舉出利用凝膠狀電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。
本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括天線。藉由由天線接收信號，可以在顯示部上顯示影像或資料等。另外，在電子裝置包括天線及二次電池時，可以將天線用於非接觸電力傳送。
本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括感測器(該感測器具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)。
本發明的一個實施方式的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上的功能；觸控面板的功能；顯示日曆、日期或時間等的功能；執行各種軟體(程式)的功能；進行無線通訊的功能；讀出儲存在存儲介質中的程式或資料的功能；等。
此外，包括多個顯示部的電子裝置可以具有在一個顯示部主要顯示影像資訊而在另一個顯示部主要顯示文本資訊的功能，或者具有藉由將考慮了視差的影像顯示於多個顯示部上來顯示三維影像的功能等。並且，具有影像接收部的電子裝置可以具有如下功能：拍攝靜態影像；拍攝動態影像；對所拍攝的影像進行自動或手工校正；將所拍攝的影像存儲在記錄介質(外部或內置於電子裝置中)中；將所拍攝的影像顯示在顯示部上；等等。另外，本發明的一個實施方式的電子裝置所具 有的功能不侷限於此，該電子裝置可以具有各種功能。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以顯示具有極高精密度的影像。由此，尤其可以適當地用於攜帶式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。另外，也可以適當地用於VR(Virtual Reality：虛擬實境)設備或AR(Augmented Reality：增強現實)設備等。
圖26A和圖26B是可攜式資訊終端800的一個例子。可攜式資訊終端800包括外殼801、外殼802、顯示部803、顯示部804以及鉸鏈部805等。
顯示部803和顯示部804中的至少一個具備本發明的一個實施方式的顯示裝置。
外殼801與外殼802藉由鉸鏈部805連接在一起。可攜式資訊終端800可以從圖26A所示的折疊狀態轉換成圖26B所示的外殼801和外殼802展開的狀態。
例如，可攜式資訊終端800可以在顯示部803及顯示部804上顯示文件資訊，由此可以被用作電子書閱讀器。另外，也可以在顯示部803及顯示部804上顯示靜態影像或動態影像。
如此，當攜帶時可以使可攜式資訊終端800為折疊狀態，因此通用性優越。
另外，在外殼801和外殼802中，也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。
圖26C示出可攜式資訊終端的一個例子。圖26C所示的可攜式資 訊終端810包括外殼811、顯示部812、操作按鈕813、外部連接埠814、揚聲器815、麥克風816、相機817等。
在顯示部812中具有本發明的一個實施方式的顯示裝置。
在可攜式資訊終端810中，在顯示部812中具有觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部812可以進行打電話或輸入文字等各種操作。
另外，藉由操作按鈕813的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部812上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
另外，藉由在可攜式資訊終端810內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端810的方向(縱向或橫向)，而對顯示部812的螢幕顯示方向進行自動切換。另外，螢幕顯示的切換也可以藉由觸摸顯示部812、操作操作按鈕813或者使用麥克風816輸入聲音來進行。
可攜式資訊終端810例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端810可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端810例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
圖26D示出照相機的一個例子。照相機820包括外殼821、顯示部822、操作按鈕823、快門按鈕824等。另外，照相機820安裝有可裝卸的鏡頭826。
在顯示部822中具有本發明的一個實施方式的顯示裝置。
在此，雖然照相機820具有能夠從外殼821拆卸下鏡頭826而交換的結構，但是鏡頭826和外殼也可以被形成為一體。
藉由按下快門按鈕824，照相機820可以拍攝靜態影像或動態影像。
另外，也可以使顯示部822具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部822可以進行攝像。
另外，照相機820還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。另外，這些構件也可以組裝在外殼821中。
圖27A示出安裝有取景器850的照相機840的外觀。
照相機840包括外殼841、顯示部842、操作按鈕843、快門按鈕844等。另外，照相機840安裝有可裝卸的鏡頭846。
在此，雖然照相機840具有能夠從外殼841拆卸下鏡頭846而交換的結構，但是鏡頭846和外殼也可以被形成為一體。
藉由按下快門按鈕844，照相機840可以進行攝影。另外，也可以使顯示部842具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部842可以進行攝像。
照相機840的外殼841包括具有電極的嵌入器，除了可以與取景器850連接以外，還可以與閃光燈裝置等連接。
取景器850包括外殼851、顯示部852以及按鈕853等。
外殼851包括嵌合到照相機840的嵌入器的嵌入器，可以將取景器800安裝到照相機840。另外，該嵌入器包括電極，可以將從照相機840經過該電極接收的影像等顯示到顯示部852上。
按鈕853被用作電源按鈕。藉由利用按鈕853，可以切換顯示部852的顯示或非顯示。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以用於照相機840的顯示部842及取景器850的顯示部852。
另外，在圖27A中，照相機840與取景器850是分開且可拆卸的電子裝置，但是也可以在照相機840的外殼841中內置有具備本發明的一個實施方式的顯示裝置的取景器。
此外，圖27B示出頭戴顯示器860的外觀。
頭戴顯示器860包括安裝部861、透鏡862、主體863、顯示部864以及電纜865等。另外，在安裝部861中內置有電池866。
藉由電纜865，將電力從電池866供應到主體863。主體863具備無線接收器等，能夠將所接收的影像資料等的影像資訊顯示到顯示部864上。另外，藉由利用設置在主體863中的照相機捕捉使用者的眼球及眼瞼的動作，並根據該資訊算出使用者的視點的座標，可以利用使用者的視點作為輸入方法。
另外，也可以對安裝部861的被使用者接觸的位置設置多個電極。主體863也可以具有藉由檢測根據使用者的眼球的動作而流過電極的電流，識別使用者的視點的功能。此外，主體863可以具有藉由檢測流過該電極的電流來監視使用者的脈搏的功能。安裝部861可以具有 溫度感測器、壓力感測器、加速度感測器等各種感測器，也可以具有將使用者的生物資訊顯示在顯示部864上的功能。另外，主體863也可以檢測使用者的頭部的動作等，並與使用者的頭部的動作等同步地使顯示在顯示部864上的影像變化。
可以對顯示部864適用本發明的一個實施方式的顯示裝置。
圖27C和圖27D示出頭戴顯示器870的外觀。
頭戴顯示器870包括外殼871、兩個顯示部872、操作按鈕873以及帶狀固定工具874。
頭戴顯示器870除了上述頭戴顯示器860所具有的功能之外，還具備兩個顯示部。
由於包括兩個顯示部872，因此使用者可以用兩個眼睛看到不同的顯示部。由此，即使在用視差進行3D顯示等的情況下，也可以顯示高清晰的影像。另外，顯示部872大概以使用者的眼睛為中心彎曲成圓弧狀。由此，可以使從使用者的眼睛到顯示部的顯示面的距離為一定，所以使用者可以看到更自然的影像。由於使用者的眼睛位於顯示部的顯示面的法線方向上，因此在來自顯示部的光的亮度或色度根據看顯示部的角度而變化的情況下，實質上也可以忽略其影響，所以可以顯示更有現實感的影像。
操作按鈕873具有電源按鈕等的功能。另外，也可以包括操作按鈕873以外的按鈕。
另外，如圖27E所示，可以在顯示部872與使用者的眼睛之間設置透鏡875。使用者可以用透鏡875看放大了的顯示部872上的影像， 因此逼真感得到提高。此時，如圖27E所示，也可以設置為了目鏡調焦改變透鏡的位置的刻度盤876。
可以將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部872。因為本發明的一個實施方式的顯示裝置具有極高的解析度，所以即使如圖27E那樣地使用透鏡875放大影像，也可以不使使用者看到像素而可以顯示現實感更高的影像。
圖28A和圖28B示出包括一個顯示部872的例子。藉由採用這種結構，可以減少構件個數。
顯示部872在左右兩個區域分別並排顯示右眼用影像和左眼用影像這兩個影像。由此可以顯示利用兩眼視差的立體影像。
另外，也可以在顯示部872的整個區域顯示可用兩個眼睛看的一個影像。由此，可以顯示跨視野的兩端的全景影像，因此現實感得到提高。
另外，也可以設置如上所述的透鏡875。可以在顯示部872上並排顯示兩個影像，也可以在顯示部872上顯示一個影像且用兩個眼睛藉由透鏡875看到相同的影像。
另外，顯示部872也可以不彎曲，顯示面是平面。例如，圖28C和圖28D示出包括不具有曲面的一個顯示部872的例子。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
11a‧‧‧顯示面板
11b‧‧‧顯示面板
21G‧‧‧顯示元件
21R‧‧‧顯示元件
22B‧‧‧顯示元件
31‧‧‧絕緣層
32‧‧‧絕緣層
41a‧‧‧電晶體
41b‧‧‧電晶體
42a‧‧‧電晶體
42b‧‧‧電晶體
50‧‧‧黏合層
51a‧‧‧基板
51b‧‧‧基板
52a‧‧‧基板
52b‧‧‧基板
120a‧‧‧發光元件
120b‧‧‧發光元件
151a‧‧‧黏合層
151b‧‧‧黏合層
152B‧‧‧彩色層
152G‧‧‧彩色層
152R‧‧‧彩色層

Claims (8)

  1. 一種顯示裝置，包括：第一顯示元件；第二顯示元件；第三顯示元件；第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第四電晶體；以及第一絕緣層，其中，該第一絕緣層位於該第二顯示元件、該第三電晶體及該第四電晶體的上方，該第一顯示元件、該第一電晶體以及該第二電晶體位於該第一絕緣層的上方，該第三顯示元件位於該第一絕緣層上方，該第一顯示元件與該第二電晶體電連接，該第二顯示元件與該第四電晶體電連接，該第一電晶體與該第二電晶體電連接，該第三電晶體與該第四電晶體電連接，該第二顯示元件具有向該第一絕緣層一側發射第二光的功能，該第一顯示元件具有朝向與該第二光相同的方向發射第一光的功能，並且，在俯視該顯示裝置時，該第二顯示元件位於該第一顯示元件與該第三顯示元件之間。
  2. 一種顯示裝置，包括：以與第一絕緣層接觸的方式形成的第一顯示元件；以與第二絕緣層接觸的方式形成的第二顯示元件；以及以與該第一絕緣層接觸的方式形成的第三顯示元件， 其中，該第一絕緣層與該第二絕緣層重疊，該第一顯示元件及該第二顯示元件具有朝向相同的方向發射光的功能，並且，在俯視該顯示裝置時，該第二顯示元件位於該第一顯示元件與該第三顯示元件之間。
  3. 一種顯示裝置，包括：以與第一絕緣層接觸的方式形成的第一電晶體；與該第一電晶體電連接的第一顯示元件；以與第二絕緣層接觸的方式形成的第二電晶體；與該第二電晶體電連接的第二顯示元件；以與該第一絕緣層接觸的方式形成的第三電晶體；以及與該第三電晶體電連接的第三顯示元件，其中，該第一絕緣層與該第二絕緣層重疊，該第一顯示元件及該第二顯示元件具有朝向相同的方向發射光的功能，並且，在俯視該顯示裝置時，該第二顯示元件位於該第一顯示元件與該第三顯示元件之間。
  4. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置，其中該第一顯示元件及該第二顯示元件都具有發光層，並且該第一顯示元件及該第二顯示元件都具有與該發光層重疊的彩色層。
  5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置，其中在該第一絕緣層與該第二顯示元件之間具有黏合層。
  6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置，其中該第一顯示元件及該第二顯示元件為頂面發射型發光元件。
  7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置，其中該第一顯示元件為頂面發射型發光元件，並且該第二顯示元件為底面發射型發光元件。
  8. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置， 其中該第一電晶體以及該第二電晶體中的至少一個在通道形成的半導體層中包括氧化物半導體。
TW105137941A 2016-06-24 2016-11-18 顯示裝置以及其驅動方法 TWI704671B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016125754 2016-06-24
JP2016-125754 2016-06-24
JP2016-131349 2016-07-01
JP2016131349 2016-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201813047A TW201813047A (zh) 2018-04-01
TWI704671B true TWI704671B (zh) 2020-09-11

Family

ID=60675676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105137941A TWI704671B (zh) 2016-06-24 2016-11-18 顯示裝置以及其驅動方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20170373036A1 (zh)
JP (1) JP2018010287A (zh)
TW (1) TWI704671B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102487061B1 (ko) 2016-06-30 2023-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10529780B2 (en) 2017-02-28 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, and electronic device
WO2019038619A1 (ja) * 2017-08-25 2019-02-28 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル及び表示装置
KR102418612B1 (ko) * 2018-01-03 2022-07-08 엘지전자 주식회사 이동 단말기
CN112136170B (zh) * 2018-05-18 2023-06-20 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法
TWI677741B (zh) * 2018-11-12 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
KR20200090300A (ko) 2019-01-18 2020-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US20220199716A1 (en) * 2019-04-16 2022-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR20210081573A (ko) * 2019-12-24 2021-07-02 엘지디스플레이 주식회사 발광표시패널
KR20230081906A (ko) * 2021-11-30 2023-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110115693A1 (en) * 2009-11-17 2011-05-19 Kim Eun-Ah Display Device
US20120256896A1 (en) * 2005-08-12 2012-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module, and cellular phone and electronic device provided with display module
US20150364075A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Japan Display Inc. Display device
TW201610481A (zh) * 2014-06-13 2016-03-16 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
US20160141347A1 (en) * 2014-02-25 2016-05-19 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100761076B1 (ko) * 2005-04-28 2007-09-21 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120256896A1 (en) * 2005-08-12 2012-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module, and cellular phone and electronic device provided with display module
US20110115693A1 (en) * 2009-11-17 2011-05-19 Kim Eun-Ah Display Device
US20160141347A1 (en) * 2014-02-25 2016-05-19 Lg Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Display Device
US20150364075A1 (en) * 2014-06-12 2015-12-17 Japan Display Inc. Display device
TW201610481A (zh) * 2014-06-13 2016-03-16 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018010287A (ja) 2018-01-18
US20170373036A1 (en) 2017-12-28
TW201813047A (zh) 2018-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI704671B (zh) 顯示裝置以及其驅動方法
JP7361868B2 (ja) 液晶表示装置
CN108780617B (zh) 显示装置
CN106339122B (zh) 触摸传感器及触摸面板
TWI696284B (zh) 顯示裝置
JP6907051B2 (ja) 表示装置
TWI776787B (zh) 半導體裝置
TWI730018B (zh) 顯示裝置、輸入輸出裝置、半導體裝置
CN112074894B (zh) 显示装置、显示模块及电子设备
US10141544B2 (en) Electroluminescent display device and manufacturing method thereof
JP2018013622A (ja) 表示装置、および電子機器
CN116848952A (zh) 显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees