KR20230081906A - 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 - Google Patents

표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20230081906A
KR20230081906A KR1020210169041A KR20210169041A KR20230081906A KR 20230081906 A KR20230081906 A KR 20230081906A KR 1020210169041 A KR1020210169041 A KR 1020210169041A KR 20210169041 A KR20210169041 A KR 20210169041A KR 20230081906 A KR20230081906 A KR 20230081906A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
light emitting
display panel
pixel
Prior art date
Application number
KR1020210169041A
Other languages
English (en)
Inventor
김용석
김영찬
박정우
손민희
신샛별
원병희
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020210169041A priority Critical patent/KR20230081906A/ko
Priority to CN202211356816.9A priority patent/CN116209325A/zh
Priority to US17/981,816 priority patent/US11825724B2/en
Publication of KR20230081906A publication Critical patent/KR20230081906A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426Layout of electrodes and connections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • G09G2300/0452Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/02Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/028Improving the quality of display appearance by changing the viewing angle properties, e.g. widening the viewing angle, adapting the viewing angle to the view direction
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00Control of display operating conditions
    • G09G2320/06Adjustment of display parameters
    • G09G2320/068Adjustment of display parameters for control of viewing angle adjustment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Abstract

표시 패널은 화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 화소 영역에 배치되고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광 소자, 기판 상의 차광 영역에 배치되고, 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광 소자 및 제2 발광 소자 상에 배치되고, 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함할 수 있다.

Description

표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기{DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 시야각이 조절될 수 있는 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
상기 표시 장치는 표시 패널 및 패널 구동부를 포함한다. 일반적으로 상기 표시 패널은 광시야각이 구현되도록 제조되나, 공공의 장소에서 사용자 외 다른 사람이 화면을 볼 수 없도록 일시적으로 표시 패널이 협시야각으로 구현되는 것이 필요할 수 있다.
본 발명의 일 목적은 시야각이 조절될 수 있는 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널을 포함하는 전자 기기를 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널은 화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광 소자, 상기 기판 상의 상기 차광 영역에 배치되고, 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자 상에 배치되고, 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 변색층은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 발광 소자를 덮는 제1 봉지층을 더 포함할 수 있다. 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 봉지층 위에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 능동 매트릭스 타입이고, 상기 제2 발광 소자는 수동 매트릭스 타입일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 발광층 및 제1 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 발광층 및 제2 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 발광층은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 공통 전극은 평면 상에서 상기 화소 영역 및 상기 차광 영역과 전체적으로 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 공통 전극은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 봉지층 아래에 배치되고, 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 제1 화소 정의층 및 상기 제1 봉지층 위에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 일부를 노출시키는 제2 화소 정의층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 정의층은 투광성을 갖고, 상기 화소 영역과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 화소 정의층은 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 봉지층은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 봉지층은 적어도 하나의 제1 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2 무기 봉지층이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 봉지층과 상기 제2 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 화소 영역을 노출시키는 제2 개구부를 갖는 제1 차광층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 개구부의 폭은 상기 제2 개구부의 폭과 같을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 개구부의 폭은 상기 제2 개구부의 폭보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제2 발광 소자를 덮는 제2 봉지층을 더 포함할 수 있다. 상기 변색층은 상기 제2 봉지층 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 발광 소자와 같은 층에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 능동 매트릭스 타입이고, 상기 제2 발광 소자는 수동 매트릭스 타입일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자 각각은 능동 매트릭스 타입일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 발광층 및 제1 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 제2 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 발광층 및 제2 공통 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 발광층은 상기 화소 영역과 중첩하고, 상기 제2 발광층은 상기 제1 발광층으로부터 이격되어 상기 차광 영역과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자를 덮는 제1 봉지층, 상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각을 노출시키는 제1 차광층 및 상기 제1 차광층을 덮는 평탄화층을 더 포함할 수 있다. 상기 변색층은 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제2 발광층과 중첩하며, 상기 제1 발광층을 노출시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 변색층 상에 배치되고, 상기 제1 파장 범위를 갖는 광을 투과시키며 상기 제2 파장 범위를 갖는 광을 차단하는 제2 차광층을 더 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 패널은 화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되는 제1 공통 전극, 및 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 공통 전극 사이에 배치되며 상기 화소 영역과 중첩하고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광층을 포함하는 제1 발광 소자, 상기 기판 상에 배치되는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 제2 공통 전극, 및 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 사이에 배치되며 상기 차광 영역과 중첩하고, 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광층을 포함하는 제2 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자 상에 배치되고, 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 가지며, 상기 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함할 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 전자 기기는 영상을 표시하는 표시 패널, 상기 표시 패널에 연결되며 상기 표시 패널의 동작을 제어하는 회로 기판, 상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 표시 패널의 전면을 커버하는 윈도우 및 상기 표시 패널을 수용하는 공간을 제공하는 하우징을 포함할 수 있다. 상기 표시 패널은 화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광 소자, 상기 기판 상의 상기 차광 영역에 배치되고, 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자 상에 배치되고, 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 회로 기판은 상기 제1 발광 소자의 동작을 제어하는 제1 구동부 및 상기 제2 발광 소자의 동작을 제어하는 제2 구동부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 윈도우는 상기 제1 파장 범위를 갖는 광을 투과시키며 상기 제2 파장 범위를 갖는 광을 차단할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널은 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함할 수 있다. 상기 제1 발광 소자는 영상을 표시하기 위한 제1 광(예컨대, 가시광선)을 방출할 수 있다. 상기 제2 발광 소자는 광시야각 모드와 협시야각 모드의 전환을 위한 제2 광(예컨대, 자외선)을 방출할 수 있다. 따라서, 별도의 광학 필름을 부착하지 않아도 상기 표시 패널의 시야각이 조절될 수 있다. 또한, 상기 표시 패널이 상기 협시야각 모드 상태인 경우, 화소들 각각에서 방출되는 상기 제1 광 중 일정 각도 이상의 시야각을 갖는 일부만 차단되고, 일정 각도 미만의 시야각을 갖는 다른 일부는 상기 표시 패널의 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 상기 협시야각 모드 상태에서도 상기 표시 패널의 해상도가 저하되지 않을 수 있다.
또한, 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자는 상기 표시 패널의 표시 영역에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 제2 광을 상기 표시 영역으로 전달하기 위한 추가적인 구성(예컨대, 도광판, 저굴절층, 산란 패턴 등)이 요구되지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 표시 패널의 표시 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다.
도 4는 도 3의 표시 패널에 포함된 제1 화소 정의층 및 제1 발광층을 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 3의 표시 패널에 포함된 제2 화소 정의층 및 제2 발광층을 나타내는 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 도 3의 표시 패널의 동작을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7 내지 도 9는 도 3의 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 10a 내지 도 10d는 도 8의 제2 발광층의 형성 방법의 일 예를 나타내는 평면도들이다.
도 11a 및 도 11b는 도 8의 제2 발광층의 형성 방법의 다른 예를 나타내는 평면도들이다.
도 12a 및 도 12b는 도 8의 제2 발광층의 형성 방법의 또 다른 예를 나타내는 평면도들이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 17은 도 16의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 18은 도 17의 전자 기기의 분해 사시도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 표시 패널의 표시 영역을 확대 도시한 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 표시 패널(DP)은(또는, 표시 패널(DP)에 포함된 기판은) 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)에서는 영상이 표시될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 주변에 위치할 수 있다. 예를 들면, 비표시 영역(NDA)은 평면 상에서 표시 영역(DA)을 둘러쌀 수 있다.
표시 영역(DA)은 복수의 화소 영역들 및 차광 영역(BA)을 포함할 수 있다. 차광 영역(BA)은 평면 상에서 상기 화소 영역들 각각을 둘러쌀 수 있다.
상기 화소 영역들 각각에는 제1 발광 소자(예컨대, 도 3의 제1 발광 소자(LED1))가 배치될 수 있다. 상기 제1 발광 소자는 제1 파장 범위를 갖는 광(이하, 제1 광)을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 광은 가시광선이며, 상기 화소 영역들 각각에서는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광 중 어느 하나가 방출될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 파장 범위는 적색 광의 파장 범위(예컨대, 약 640 nm 내지 약 780 nm), 녹색 광의 파장 범위(예컨대, 약 490 nm 내지 약 570 nm) 및 청색 광의 파장 범위(예컨대, 약 450 nm 내지 약 480 nm)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 영역(DA)은 서로 다른 색의 광을 방출하는 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에는 서로 다른 색의 광을 방출하는 상기 제1 발광 소자가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 영역(PA1)에는 적색 광을 방출하는 상기 제1 발광 소자가 배치되고, 제2 화소 영역(PA2)에는 녹색 광을 방출하는 상기 제1 발광 소자가 배치되고, 제3 화소 영역(PA3)에는 청색 광을 방출하는 상기 제1 발광 소자가 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에서 각각 방출되는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광이 조합되어, 상기 영상이 생성될 수 있다.
제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)은 표시 영역(DA) 내에서 반복적으로 배열될 수 있다. 도 2에서는 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)이 펜타일(PENTILETM) 타입으로 배열되는 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)은 스트라이프 타입으로 배열될 수도 있다.
차광 영역(BA)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 차광 영역(BA)은 평면 상에서 격자(grid) 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 차광 영역(BA)에는 차광층(예컨대, 도 3의 제1 차광층(BL1))이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 차광층은 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다. 상기 차광층은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에서 방출되는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광들이 서로 혼색되는 것을 방지할 수 있다.
차광 영역(BA)에는 제2 발광 소자(예컨대, 도 3의 제2 발광 소자(LED2))가 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 발광 소자는 상기 블랙 매트릭스 층 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광(이하, 제2 광)을 방출할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 파장 범위는 약 450 nm 미만이거나, 약 780 nm 초과일 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 광은 자외선 또는 적외선일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
표시 패널(DP)은 기설정된 조건에 따라, 제1 모드 또는 제2 모드로 구동될 수 있다. 상기 제1 모드는 광시야각 구현을 위한 모드이고, 상기 제2 모드는 협시야각 구현을 위한 모드일 수 있다. 상기 제1 모드 및 상기 제2 모드에서, 상기 제2 발광 소자의 발광 여부에 따라 표시 패널(DP)의 시야각이 조절될 수 있다. 이에 대하여는 도 6a 및 도 6b를 참조하여 상세히 후술한다.
도 3은 도 2의 I-I' 라인을 따라 자른 단면도이다. 도 4는 도 3의 표시 패널에 포함된 제1 화소 정의층 및 제1 발광층을 나타내는 평면도이다. 도 5는 도 3의 표시 패널에 포함된 제2 화소 정의층 및 제2 발광층을 나타내는 평면도이다. 예를 들면, 도 4 및 도 5는 각각 도 2의 평면도에 대응될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 표시 패널(DP)은 기판(SUB), 트랜지스터(TR), 절연 구조물(IL), 제1 발광 소자(LED1), 제1 화소 정의층(PDL1), 제1 봉지층(EC1), 제1 차광층(BL1), 제2 발광 소자(LED2), 제2 화소 정의층(PDL2), 제2 봉지층(EC2) 및 변색층(PL)을 포함할 수 있다.
제1 발광 소자(LED1) 및 제2 발광 소자(LED2) 각각은 유기 발광 소자(organic light emitting diode), 무기 발광 소자(inorganic light emitting diode), 양자점 발광 소자(quantum dot light emitting diode) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 제1 발광 소자(LED1) 및 제2 발광 소자(LED2) 각각이 유기 발광 소자인 예시를 중심으로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
기판(SUB)은 투명 또는 불투명한 재료로 형성되는 절연성 기판일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기판(SUB)은 유리를 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 패널(DP)은 리지드(rigid) 표시 패널일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 기판(SUB)은 플라스틱을 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 패널(DP)은 플렉서블(flexible) 표시 패널일 수 있다.
기판(SUB) 상의 표시 영역(DA)에는 복수의 제1 발광 소자들(LED1)이 배치될 수 있다. 제1 발광 소자들(LED1)은 기판(SUB) 상의 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에 각각 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 발광 소자들(LED1)은 능동 매트릭스(active matrix, AM) 타입일 수 있다. 즉, 각각의 제1 발광 소자(LED1)는 적어도 하나의 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다. 트랜지스터(TR)는 제1 구동부(미도시)로부터 제공되는 구동 신호에 기초하여, 대응되는 제1 발광 소자(LED1)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 구동부는 기판(SUB) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
트랜지스터(TR)는 기판(SUB) 상의 표시 영역(DA)에 배치되며, 절연 구조물(IL)에 의해 커버될 수 있다. 트랜지스터(TR)의 채널층은 산화물 반도체, 실리콘 반도체, 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 산화물 반도체는 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 저마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn) 중에서 적어도 하나의 산화물을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 반도체는 비정질 실리콘, 다결정 실리콘 등을 포함할 수 있다. 절연 구조물(IL)은 무기 절연층, 유기 절연층 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
각각의 제1 발광 소자(LED1)는 제1 화소 전극(PE1), 제1 발광층(EL1) 및 제1 공통 전극(CE1)을 포함할 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 절연 구조물(IL) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 금속, 합금, 도전성 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등의 도전성 물질을 포함할 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 절연 구조물(IL)에 형성된 콘택홀을 통해 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 복수의 제1 화소 전극들(PE1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)과 각각 중첩하도록 평면 상에서 아일랜드 패턴 형상으로 배치될 수 있다.
제1 화소 정의층(PDL1)은 제1 화소 전극(PE1) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 정의층(PDL1)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 절연 물질의 예시로는, 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacryl-based resin), 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 실록산계 수지(siloxane-based resin), 아크릴계 수지(acryl-based resin), 에폭시계 수지(epoxy-based resin) 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 화소 정의층(PDL1)은 흑색 안료, 염료, 카본 블랙 등과 같은 차광 물질을 더 포함할 수도 있다.
일 실시예에 있어서, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 화소 정의층(PDL1)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 화소 정의층(PDL1)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
제1 화소 정의층(PDL1)은 제1 화소 전극(PE1)의 일부(예컨대, 중심부)를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 정의층(PDL1)은 제1 화소 전극(PE1)의 상기 일부를 노출시키는 개구부(OPD1)를 가질 수 있다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각은 제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1)에 의해 정의될 수 있다.
제1 발광층(EL1)은 제1 화소 전극(PE1) 상에 배치될 수 있다. 제1 발광층(EL1)은 제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1)에 의해 노출된 제1 화소 전극(PE1)의 상기 일부 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 2 및 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 제1 발광층들(EL1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)과 각각 중첩하도록 평면 상에서 아일랜드 패턴 형상으로 배치될 수 있다.
제1 발광층(EL1)은 상기 제1 파장 범위를 갖는 상기 제1 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광 물질은 적색 광, 녹색 광 및 청색 광 중 어느 하나를 방출할 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 영역(PA1)에 배치된 제1 발광층(EL1)은 적색 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함하고, 제2 화소 영역(PA2)에 배치된 제1 발광층(EL1)은 녹색 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함하고, 제3 화소 영역(PA3)에 배치된 제1 발광층(EL1)은 청색 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
제1 공통 전극(CE1)은 제1 발광층(EL1) 상에 배치될 수 있다. 제1 공통 전극(CE1)은 도전성 물질을 포함하며, 투광성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 공통 전극(CE1)은 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 제1 공통 전극(CE1)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu) 등의 금속 또는 이들 중 적어도 하나를 함유하는 합금을 포함할 수 있다. 구체적인 예로, 제1 공통 전극(CE1)은 Ag:Mg를 포함할 수 있다. 제1 공통 전극(CE1)이 금속 또는 합금을 포함하는 경우, 제1 공통 전극(CE1)은 투광성을 갖도록 얇은 두께(예컨대, 약 10 nm 이하의 두께)로 형성될 수 있다.
제1 공통 전극(CE1)은 제1 화소 정의층(PDL1) 상에도 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 공통 전극(CE1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 중첩할 수 있다.
제1 봉지층(EC1)은 제1 발광 소자(LED1)를 덮을 수 있다. 제1 봉지층(EC1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 및 차광 영역(BA)과 전체적으로 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 봉지층(EC1)은 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 봉지층(EC1)은 무기 봉지층(EC1-1), 유기 봉지층(EC1-2) 및 무기 봉지층(EC1-3)이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
제1 차광층(BL1)은 제1 봉지층(EC1) 상에 배치될 수 있다. 제1 차광층(BL1)은 제1 봉지층(EC1)과 제2 발광 소자(LED2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 차광층(BL1)은 포토레지스트 등과 같은 유기 물질 및 흑색 안료, 염료, 카본 블랙 등과 같은 차광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 차광층(BL1)은 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 차광층(BL1)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 차광층(BL1)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다. 제1 차광층(BL1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에서 방출되는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광들이 서로 혼색되는 것을 방지할 수 있다.
제1 차광층(BL1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시키는 개구부(OPB)를 가질 수 있다. 제1 차광층(BL1)의 개구부(OPB)는 제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1)와 대응될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 차광층(BL1)의 개구부(OPB)의 폭은 제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1)의 폭과 실질적으로 같을 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 차광층(BL1)의 개구부(OPB)의 폭은 제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1)의 폭보다 클 수 있다. 즉, 제1 차광층(BL1)의 폭은 제1 화소 정의층(PDL1)의 폭보다 작을 수 있다.
제1 차광층(BL1) 상에는 제2 발광 소자(LED2)가 배치될 수 있다. 즉, 제2 발광 소자(LED2)는 제1 봉지층(EC1) 상에 배치될 수 있다. 다시 말하면, 제2 발광 소자(LED2)는 제1 봉지층(EC1)을 사이에 두고 제1 발광 소자(LED1)로부터 상부 방향으로 이격될 수 있다. 예를 들면, 제2 발광 소자(LED2)는 차광 영역(BA)과 전체적으로 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 발광 소자(LED2)는 수동 매트릭스(passive matrix, PM) 타입일 수 있다. 제2 발광 소자(LED2)는 제2 화소 전극(PE2), 제2 발광층(EL2) 및 제2 공통 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
제2 화소 전극(PE2)은 제1 차광층(BL1) 상에 배치될 수 있다. 제2 화소 전극(PE2)은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(PE2)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 화소 전극(PE2)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(PE2)은 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(PE2)은 불투명한 금속, 합금 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 이 경우, 제1 차광층(BL1)이 생략되고, 제2 화소 전극(PE2)이 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)에서 방출되는 적색 광, 녹색 광 및 청색 광들이 서로 혼색되는 것을 방지하는 역할을 수행할 수도 있다.
제2 화소 정의층(PDL2)은 제2 화소 전극(PE2) 상에 배치될 수 있다. 제2 화소 정의층(PDL2)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 제2 화소 정의층(PDL2)은 제2 화소 전극(PE2)의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제2 화소 정의층(PDL2)은 제2 화소 전극(PE2)의 상기 일부를 노출시키는 개구부(OPD2)를 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 화소 정의층(PDL2)의 개구부(OPD2)는 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 화소 정의층(PDL2)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)과 각각 중첩하도록 평면 상에서 아일랜드 패턴 형상으로 배치될 수 있다.
제2 발광층(EL2)은 제2 화소 전극(PE2) 상에 배치될 수 있다. 제2 발광층(EL2)은 제2 화소 정의층(PDL2)의 개구부(OPD2)에 의해 노출된 제2 화소 전극(PE2)의 상기 일부 상에 배치될 수 있다. 제2 발광층(EL2)은 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도 2 및 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 발광층(EL2)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 발광층(EL2)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
제2 공통 전극(CE2)은 제2 발광층(EL2) 상에 배치될 수 있다. 제2 공통 전극(CE2)은 도전성 물질을 포함하며, 투광성을 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 공통 전극(CE2)은 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 투명 도전성 물질을 포함할 수 있다. 다른 예를 들면, 제2 공통 전극(CE2)은 Au, Ag, Al, Pt, Ni, Ti, Pd, Mg, Ca, Li, Cr, Ta, W, Cu 등의 금속 또는 이들 중 적어도 하나의 합금을 포함할 수 있다. 구체적인 예로, 제2 공통 전극(CE2)은 Ag:Mg를 포함할 수 있다. 제2 공통 전극(CE2)이 금속 또는 합금을 포함하는 경우, 제2 공통 전극(CE2)은 투광성을 갖도록 얇은 두께(예컨대, 약 10 nm 이하의 두께)로 형성될 수 있다.
제2 공통 전극(CE2)은 제2 화소 정의층(PDL2) 상에도 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 공통 전극(CE2)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 및 차광 영역(BA)에 전체적으로 중첩할 수 있다.
제2 발광 소자(LED2)는 제2 구동부(미도시)로부터 제공되는 구동 신호에 기초하여 상기 제2 광을 방출할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제2 구동부는 상기 제2 모드에서만 선택적으로 상기 제2 광을 방출하도록 제2 발광 소자(LED2)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 구동부는 기판(SUB) 상의 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다.
제2 봉지층(EC2)은 제2 발광 소자(LED2)를 덮을 수 있다. 제2 봉지층(EC2)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 및 차광 영역(BA)과 전체적으로 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 봉지층(EC2)은 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 봉지층(EC2)은 무기 봉지층(EC2-1), 유기 봉지층(EC2-2) 및 무기 봉지층(EC2-3)이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
변색층(PL)은 제2 봉지층(EC2) 상에 배치될 수 있다. 변색층(PL)은 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광(예컨대, 자외선)에 의해 변색되는 광변색(photochromic) 물질을 포함할 수 있다. 상기 광변색 물질은 상기 제1 파장 범위를 갖는 상기 제1 광(예컨대, 가시광선)에 의해서는 변색되지 않을 수 있다. 또한, 상기 광변색 물질은 상기 제2 광에 의해 변색되지 않은 상태에서, 상기 제1 광을 투과시킬 수 있다. 상기 광 변색 물질은 상기 제2 광에 의해 변색된 상태에서, 상기 제1 광을 흡수하여 상기 제1 광의 투과를 차단할 수 있다. 예를 들면, 상기 광변색 물질은 상기 제2 광에 의해 변색된 상태에서, 상기 제1 광에 대해 약 10% 이하의 투과율을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 광변색 물질은 아조벤젠(azobenzene), 스피로피란(spiropyran), 디알릴에텐(diarylethene) 등을 포함할 수 있으나, 이는 예시적인 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
일 실시예에 있어서, 변색층(PL)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 변색층(PL)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 정의층(PDL1), 제1 차광층(BL1), 제2 화소 전극(PE2), 제2 발광층(EL2) 및 변색층(PL)은 평면 상에서 서로 대응되는 형상을 가질 수 있다.
변색층(PL)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시키는 개구부(OPP)를 가질 수 있다. 변색층(PL)의 개구부(OPP)는 제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1) 및 제1 차광층(BL1)의 개구부(OPB)와 대응될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 변색층(PL)의 개구부(OPP)의 폭은 제1 차광층(BL1)의 개구부(OPB)의 폭과 실질적으로 같을 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 변색층(PL)의 개구부(OPP)의 폭은 제1 차광층(BL1)의 개구부(OPB)의 폭보다 작을 수 있다. 즉, 변색층(PL)의 폭은 제1 차광층(BL1)의 폭보다 클 수 있다. 예를 들면, 변색층(PL)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각의 중심부를 노출시키고, 주변부와 중첩할 수 있다. 이 경우, 협시야각 구현을 위해 변색층(PL)이 상기 제2 광에 의해 변색된 상기 제2 모드에서, 표시 패널(DP)의 시야각이 더욱 좁아질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 패널(DP)은 제2 봉지층(EC2) 상에 배치되며, 변색층(PL)을 덮는 평탄화층(OC)을 더 포함할 수 있다. 평탄화층(OC)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 평탄화층(OC)은 실질적으로 평탄한 상면을 제공할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 표시 패널(DP)은 변색층(PL) 상에 배치되는 제2 차광층(BL2)을 더 포함할 수 있다. 제2 차광층(BL2)은 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광을 선택적으로 차단할 수 있다. 즉, 제2 차광층(BL2)은 상기 제1 파장 범위를 갖는 상기 제1 광은 투과시킬 수 있다. 제2 차광층(BL2)은 제2 발광 소자(LED2)에서 방출된 상기 제2 광이 표시 패널(DP)의 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 제2 차광층(BL2)은 평탄화층(OC) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 차광층(BL2)은 분산 브래그 반사(DBR) 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제2 차광층(BL2)은 적어도 하나의 제1 무기층 및 상기 제1 무기층의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2 무기층이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제2 차광층(BL2)은 유기층 내에 금속 산화물 미립자 또는 벤조옥사진 입자 등의 차단 물질이 분산된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 금속 산화물은 아연 산화물(ZnOx)을 포함할 수 있다. 아연 산화물(ZnOx)은 산화아연(ZnO) 및/또는 과산화아연(ZnO2)일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 도면에 도시되지는 않았으나, 표시 패널(DP)은 제2 봉지층(EC2) 상에 배치되는 다양한 기능층들(예컨대, 터치 감지층, 컬러 필터층, 편광층, 윈도우 등)을 더 포함할 수도 있다.
도 6a 및 도 6b는 도 3의 표시 패널의 동작을 설명하기 위한 단면도들이다. 예를 들면, 도 6a 및 도 6b는 각각 도 3의 단면도에 대응될 수 있다.
이하에서는, 도 6a 및 도 6b를 참조하여, 광시야각 구현을 위한 상기 제1 모드 및 협시야각 구현을 위한 상기 제2 모드 상태에서의 표시 패널(DP)의 동작을 설명한다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)이 광시야각 구현을 위한 상기 제1 모드로 구동될 수 있다. 상기 제1 모드에서, 상기 제1 구동부는 제1 발광 소자(LED1)를 구동시키고, 상기 제2 구동부는 제2 발광 소자(LED2)를 구동시키지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 발광 소자(LED1)에서는 상기 제1 파장 범위를 갖는 제1 광(L1)(예컨대, 가시광선)이 방출되고, 제2 발광 소자(LED2)에서는 상기 제2 파장 범위를 갖는 제2 광(L2)이 방출되지 않을 수 있다. 따라서, 변색층(PL)은 변색되지 않을 수 있다. 이에 따라, 변색층(PL)은 제1 광(L1)을 투과시킬 수 있다. 즉, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에서 방출되는 제1 광(L1)은 변색층(PL)에 의해 차단되지 않고, 표시 패널(DP)의 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 표시 패널(DP)은 광시야각으로 영상을 표시할 수 있다.
도 6b에 도시된 바와 같이, 표시 패널(DP)이 협시야각 구현을 위한 상기 제2 모드로 전환될 수 있다. 상기 제2 모드에서, 상기 제2 구동부는 제2 발광 소자(LED2)를 구동시킬 수 있다. 이에 따라, 제2 발광 소자(LED2)에서 제2 광(L2)이 방출될 수 있다. 이 경우, 변색층(PL)은 제2 광(L2)에 의해 변색될 수 있다. 따라서, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에서 방출되는 제1 광(L1) 중 변색층(PL)을 향해 진행되는 광(L1a)은 변색층(PL)에 의해 차단될 수 있다. 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에서 방출되는 제1 광(L1) 중 변색층(PL)의 개구부(OPP)를 향해 진행되는 광(L1b)은 변색층(PL)에 의해 차단되지 않고, 표시 패널(DP)의 외부로 방출될 수 있다. 즉, 표시 패널(DP)이 상기 제2 모드로 구동되는 경우, 변색층(PL)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각에서 방출되는 제1 광(L1) 중 일정 각도 이상의 시야각을 갖는 광(L1a)을 차단할 수 있다. 따라서, 표시 패널(DP)은 협시야각으로 영상을 표시할 수 있다.
표시 패널(DP)이 광시야각 구현을 위한 상기 제1 모드로 다시 전환되는 경우, 상기 제2 구동부는 제2 발광 소자(LED2)를 구동시키지 않을 수 있다. 이에 따라, 제2 발광 소자(LED2)에서 제2 광(L2)이 방출되지 않고, 변색층(PL)의 색이 원상태로 복원될 수 있다. 이에 따라, 변색층(PL)은 다시 제1 광(L1)을 투과시킬 수 있고, 표시 패널(DP)은 다시 광시야각으로 영상을 표시할 수 있다.
도 7 내지 도 9는 도 3의 표시 패널의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
이하에서는, 도 7 내지 도 9를 참조하여 도 3의 표시 패널(DP)의 제조 방법을 간략히 설명하며, 반복되는 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 7을 참조하면, 기판(SUB) 상의 표시 영역(DA)에 트랜지스터(TR)를 형성하고, 트랜지스터(TR)를 커버하는 절연 구조물(IL)을 형성할 수 있다. 이어서, 절연 구조물(IL)에 트랜지스터(TR)와 중첩하도록 콘택홀을 형성할 수 있다.
상기 콘택홀과 중첩하도록 제1 화소 전극(PE1)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 절연 구조물(IL) 상에 도전성 물질을 이용하여 도전층을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 도전층을 부분적으로 제거하여, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 중첩하는 제1 화소 전극(PE1)을 형성할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 화소 전극(PE1)은 파인 메탈 마스크(fine metal mask, FMM)를 이용한 스퍼터링 공정 등으로 형성될 수도 있다. 이하에서, 편의상 파인 메탈 마스크는 마스크로 지칭될 수 있다.
제1 화소 전극(PE1) 상에 제1 화소 정의층(PDL1)을 형성할 수 있다. 제1 화소 정의층(PDL1)은 유기 절연 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 이어서, 제1 화소 정의층(PDL1)을 부분적으로 제거하여, 제1 화소 전극(PE1)의 일부(예컨대, 중심부)를 노출시키는 개구부(OPD1)를 형성할 수 있다.
제1 화소 정의층(PDL1)의 개구부(OPD1) 내에 제1 발광층(EL1)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 발광층(EL1)은 마스크를 이용한 증착 공정으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 영역들(PA1)과 각각 중첩하는 관통홀들을 갖는 제1 마스크를 이용해 적색 광을 방출하는 유기 발광 물질을 증착하고, 제2 화소 영역들(PA2)과 각각 중첩하는 관통홀들을 갖는 제2 마스크를 이용해 녹색 광을 방출하는 유기 발광 물질을 증착하고, 제3 화소 영역들(PA3)과 중첩하는 관통홀들을 갖는 제3 마스크를 이용해 청색 광을 방출하는 유기 발광 물질을 순차적으로 증착하여, 제1 발광층(EL1)을 형성할 수 있다.
다른 실시예에 있어서, 제1 발광층(EL1)은 잉크젯 프린팅, 레이저열전사(laser induced thermal imaging, LITI) 등으로 형성될 수도 있다.
도 8을 참조하면, 제1 발광층(EL1) 및 제1 화소 정의층(PDL1) 상에 제1 공통 전극(CE1) 및 제1 봉지층(EC1)을 형성할 수 있다.
이어서, 제1 봉지층(EC1) 상에 제1 차광층(BL1)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 차광층(BL1)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제1 차광층(BL1)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 봉지층(EC1) 상에 포토레지스트 등과 같은 유기물질 및 흑색 안료, 염료, 카본 블랙 등과 같은 차광 물질을 이용하여 제1 차광층(BL1)을 전체적으로 형성할 수 있다. 이어서, 제1 차광층(BL1)을 부분적으로 제거하여, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시키는 개구부(OPB)를 형성할 수 있다.
이어서, 제1 차광층(BL1) 상에 제2 화소 전극(PE2)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(PE2)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 화소 전극(PE2)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 봉지층(EC1) 및 제1 차광층(BL1) 상에 도전성 물질을 이용하여 도전층을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 도전층을 부분적으로 제거하여, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 제2 화소 전극(PE2)을 형성할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(PE2)은 마스크를 이용한 스퍼터링 공정 등으로 형성될 수도 있다. 이 경우, 제2 화소 전극(PE2)은 도 10a 내지 도 12b를 참조하여 후술하는 제2 발광층(EL2)의 형성 방법과 실질적으로 동일하거나 유사한 방법으로 형성될 수 있다.
이어서, 제2 화소 전극(PE2) 상에 제2 화소 정의층(PDL2)을 형성할 수 있다. 제2 화소 정의층(PDL2)은 투광성을 갖는 유기 절연 물질을 이용하여 형성될 수 있다. 이어서, 제2 화소 정의층(PDL2)을 부분적으로 제거하여, 제2 화소 전극(PE2)의 일부를 노출시키는 개구부(OPD2)를 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 화소 정의층(PDL2)의 개구부(OPD2)는 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 화소 정의층(PDL2)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)과 각각 중첩하도록 평면 상에서 아일랜드 패턴 형상으로 배치될 수 있다.
제2 화소 정의층(PDL2)의 개구부(OPD2) 내에 제2 발광층(EL2)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제2 발광층(EL2)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 발광층(EL2)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 발광층(EL2)은 마스크를 이용한 증착 공정으로 형성될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 발광층(EL2)은 잉크젯 프린팅, 레이저열전사(laser induced thermal imaging, LITI) 등 다양한 방법으로 형성될 수도 있다.
도 10a 내지 도 10d는 도 8의 제2 발광층의 형성 방법의 일 예를 나타내는 평면도들이다. 도 11a 및 도 11b는 도 8의 제2 발광층의 형성 방법의 다른 예를 나타내는 평면도들이다. 도 12a 및 도 12b는 도 8의 제2 발광층의 형성 방법의 또 다른 예를 나타내는 평면도들이다. 예를 들면, 도 10a 내지 도 12b는 각각 도 2의 평면도에 대응될 수 있다.
이하에서는, 도 10a 내지 도 12b를 참조하여, 제2 발광층(EL2)이 마스크(예컨대, 파인 메탈 마스크)를 이용한 증착 공정으로 형성되는 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
도 10a 내지 도 10d를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제2 발광층(EL2)은 2개의 마스크들(FMM1, FMM2)을 순차적으로 이용하여 형성될 수 있다.
먼저, 도 10a에 도시된 마스크(FMM1)를 이용하여, 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광을 방출하는 유기 발광 물질을 증착할 수 있다. 마스크(FMM1)의 마스크 시트(MS1)는 제1 사선 방향으로 연장되며, 상기 제1 사선 방향과 교차하는 제2 사선 방향을 따라 배열되는 복수의 관통홀들(TH1)을 가질 수 있다. 관통홀들(TH1)은 표시 패널(DP)의 차광 영역(BA)의 일부와 중첩하며, 상기 유기 발광 물질을 통과시킬 수 있다. 이에 따라, 도 10b에 도시된 바와 같이, 차광 영역(BA)의 상기 일부와 중첩하는 예비 제2 발광층(EL2p)이 형성될 수 있다.
이어서, 도 10c에 도시된 마스크(FMM2)를 이용하여, 상기 유기 발광 물질을 한번 더 증착할 수 있다. 마스크(FMM2)의 마스크 시트(MS2)는 상기 제2 사선 방향으로 연장되며, 상기 제1 사선 방향을 따라 배열되는 복수의 관통홀들(TH2)을 가질 수 있다. 관통홀들(TH2)은 표시 패널(DP)의 차광 영역(BA)의 일부와 중첩하며, 상기 유기 발광 물질을 통과시킬 수 있다. 이에 따라, 도 10d에 도시된 바와 같이, 차광 영역(BA)과 전체적으로 중첩하는 제2 발광층(EL2)이 형성될 수 있다.
도 11a 및 도 11b를 참조하면, 다른 실시예에 있어서, 제2 발광층(EL2')은 1개의 마스크(FMM3)를 이용하여 형성될 수 있다.
마스크(FMM3)의 마스크 시트(MS3)는 표시 패널(DP)의 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 중첩하는 아일랜드 패턴들 및 인접한 상기 아일랜드 패턴들을 연결하는 브릿지들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 브릿지들은 상기 제1 사선 방향으로 연장되며, 상기 제2 사선 방향으로 얇은 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 도 11b에 도시된 바와 같이, 차광 영역(BA)과 대체로 중첩하는 제2 발광층(EL2')이 형성될 수 있다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 또 다른 실시예에 있어서, 제2 발광층(EL2'')은 1개의 마스크(FMM4)를 이용하여 형성될 수 있다.
마스크(FMM4)의 마스크 시트(MS4)는 표시 패널(DP)의 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 중첩하는 아일랜드 패턴들 및 인접한 상기 아일랜드 패턴들을 연결하는 제1 브릿지들 및 제2 브릿지들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 제1 브릿지들은 상기 제1 사선 방향으로 연장되며, 상기 제2 사선 방향으로 얇은 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 브릿지들은 상기 제2 사선 방향으로 연장되며, 상기 제1 사선 방향으로 얇은 폭을 가질 수 있다. 이에 따라, 도 12b에 도시된 바와 같이, 차광 영역(BA)과 대체로 중첩하는 제2 발광층(EL2'')이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 제2 발광층(EL2) 및 제2 화소 정의층(PDL2) 상에 제2 공통 전극(CE2) 및 제2 봉지층(EC2)을 형성할 수 있다.
이어서, 제2 봉지층(EC2) 상에 변색층(PL)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 변색층(PL)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 변색층(PL)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 봉지층(EC2) 상에 포토레지스트 등과 같은 유기물질 및 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광(예컨대, 자외선)에 의해 변색되는 광변색 물질을 이용하여 변색층(PL)을 전체적으로 형성할 수 있다. 이어서, 변색층(PL)을 부분적으로 제거하여, 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시키는 개구부(OPP)를 형성할 수 있다.
이어서, 변색층(PL) 상에 평탄화층(OC) 및 제2 차광층(BL2)을 형성할 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 13은 도 3의 단면도에 대응될 수 있다. 이하에서는, 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(DP)과의 차이점을 중심으로 본 실시예에 따른 표시 패널(DPb)을 설명하며, 반복되는 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 13을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제1 봉지층(EC1b)은 분산 브래그 반사(DBR) 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 봉지층(EC1b)은 적어도 하나의 제1 무기 봉지층(EC1-1b) 및 제1 무기 봉지층(EC1-1b)의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2 무기 봉지층(EC1-2b)이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 봉지층(EC1b)은 유기 봉지층을 포함하지 않을 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 14는 도 3의 단면도에 대응될 수 있다. 이하에서는, 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(DP)과의 차이점을 중심으로 본 실시예에 따른 표시 패널(DPc)을 설명하며, 반복되는 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 14를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제2 화소 정의층(PDL2c)은 제1 개구부(OPD2-1c) 및 제2 개구부(OPD2-2c)를 가질 수 있다. 제1 개구부(OPD2-1c)는 제2 화소 전극(PE2)의 일부를 노출시키고, 제2 개구부(OPD2-2c)는 1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제2 화소 정의층(PDL2c)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 차광 영역(BA) 사이의 경계에 배치될 수 있다. 즉, 제2 화소 정의층(PDL2c)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 띠 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 공통 전극(CE2c)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시키는 개구부를 가질 수 있다. 즉, 제2 공통 전극(CE2c)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 다시 말하면, 제2 공통 전극(CE2c)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 의하면, 제2 화소 정의층(PDL2c) 및 제2 공통 전극(CE2c)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 발광층(EL1)에서 방출되는 상기 제1 광의 투과율이 향상될 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널을 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 15는 도 3의 단면도에 대응될 수 있다. 이하에서는, 도 3을 참조하여 설명한 표시 패널(DP)과의 차이점을 중심으로 본 실시예에 따른 표시 패널(DPd)을 설명하며, 반복되는 설명은 생략하거나 간략화하기로 한다.
도 15를 참조하면, 일 실시예에 있어서, 제2 발광 소자(LED2d)는 제1 발광 소자(LED1)와 실질적으로 같은 층에 배치될 수 있다. 즉, 제2 발광 소자(LED2d)는 절연 구조물(IL)과 제1 봉지층(EC1) 사이에 배치될 수 있다. 제1 발광 소자(LED1)는 제1 화소 전극(PE1), 제1 발광층(EL1) 및 제1 공통 전극(CE1)을 포함하고, 제2 발광 소자(LED2d)는 제2 화소 전극(PE2d), 제2 발광층(EL2d) 및 제2 공통 전극(CE2d)을 포함할 수 있다.
제1 화소 전극(PE1)은 절연 구조물(IL) 상에 배치될 수 있다. 제1 화소 전극(PE1)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 복수의 제1 화소 전극들(PE1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)과 각각 중첩하도록 평면 상에서 아일랜드 패턴 형상으로 배치될 수 있다.
제2 화소 전극(PE2d)은 제1 화소 전극(PE1)과 이격되도록 절연 구조물(IL) 상에 배치될 수 있다. 제2 화소 전극(PE2d)은 제1 화소 전극(PE1)과 실질적으로 같은 층에 배치될 수 있다. 즉, 제2 화소 전극(PE2d)은 제1 화소 전극(PE1)과 동일한 물질을 포함하며, 실질적으로 동시에 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제2 화소 전극(PE2d)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 제2 화소 전극(PE2d)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 절연 구조물(IL) 상에 도전층을 형성할 수 있다. 이어서, 상기 도전층에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3)과 차광 영역(BA) 사이의 경계와 중첩하는 부분을 제거하여, 평면 상에서 아일랜드 패턴 형상을 갖는 제1 화소 전극(PE1) 및 제1 화소 전극(PE1)으로부터 이격되어 제1 화소 전극(PE1)을 둘러싸는 격자 형상(예컨대, 아일랜드 패턴들로부터 이격되어 상기 아일랜드 패턴들 각각을 둘러싸는 격자 형상)을 갖는 제2 화소 전극(PE2d)을 동시에 형성할 수 있다.
제1 화소 정의층(PDL1d)은 제1 화소 전극(PE1) 및 제2 화소 전극(PE2d) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 화소 정의층(PDL1d)은 제1 개구부(OPD1-1d) 및 제2 개구부(OPD1-2d)를 가질 수 있다. 제1 개구부(OPD1-1d)는 제1 화소 전극(PE1)의 일부를 노출시키고, 제2 개구부(OPD1-2d)는 제2 화소 전극(PE2d)의 일부를 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 제1 화소 정의층(PDL1d)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 차광 영역(BA) 사이의 경계에 배치될 수 있다. 즉, 제1 화소 정의층(PDL1d)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 띠 형상을 가질 수 있다.
제1 발광층(EL1)은 제1 화소 전극(PE1) 상에 배치될 수 있다. 제1 발광층(EL1)은 제1 화소 정의층(PDL1d)의 제1 개구부(OPD1-1d)에 의해 노출된 제1 화소 전극(PE1)의 상기 일부 상에 배치될 수 있다. 즉, 제1 발광층(EL1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 중첩할 수 있다. 제1 발광층(EL1)은 상기 제1 파장 범위를 갖는 상기 제1 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
제2 발광층(EL2d)은 제2 화소 전극(PE2d) 상에 배치될 수 있다. 제2 발광층(EL2d)은 제1 화소 정의층(PDL1d)의 제2 개구부(OPD1-2d)에 의해 노출된 제2 화소 전극(PE2d)의 상기 일부 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 발광층(EL2d)은 제1 발광층들(EL1)로부터 이격되어 차광 영역(BA)과 중첩할 수 있다. 제2 발광층(EL2d)은 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광을 방출하는 유기 발광 물질을 포함할 수 있다.
제1 공통 전극(CE1)은 제1 발광층(EL1) 상에 배치되고, 제2 공통 전극(CE2d)은 제2 발광층(EL2d) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 공통 전극(CE1) 및 제2 공통 전극(CE2d)은 일체로 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 발광 소자(LED1)는 능동 매트릭스 타입이고, 제2 발광 소자(LED2d)는 수동 매트릭스 타입일 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 제1 발광 소자(LED1) 및 제2 발광 소자(LED2d) 각각은 능동 매트릭스 타입일 수 있다. 이 경우, 제2 발광 소자(LED2d)를 제어하는 트랜지스터(미도시)가 기판(SUB)과 절연 구조물(IL) 사이에 더 배치될 수 있다.
제1 봉지층(EC1)은 제1 발광 소자(LED1) 및 제2 발광 소자(LED2d)를 덮을 수 있다. 제1 봉지층(EC1)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 및 차광 영역(BA)과 전체적으로 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 봉지층(EC1)은 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 봉지층(EC1)은 무기 봉지층(EC1-1), 유기 봉지층(EC1-2) 및 무기 봉지층(EC1-3)이 교번하여 적층된 구조를 가질 수 있다.
제1 차광층(BL1d)은 제1 봉지층(EC1) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 차광층(BL1d)은 제1 개구부(OPB1d) 및 제2 개구부(OPB2d)를 포함할 수 있다. 제1 차광층(BL1d)의 제1 개구부(OPB1d)는 제1 화소 정의층(PDL1d)의 제1 개구부(OPD1-1d)에 대응되고, 제1 차광층(BL1d)의 제2 개구부(OPB2d)는 제1 화소 정의층(PDL1d)의 제2 개구부(OPD1-2d)에 대응될 수 있다. 즉, 제1 차광층(BL1d)은 제1 발광층(EL1) 및 제2 발광층(EL2d) 각각을 노출시킬 수 있다. 제1 발광층(EL1)에서 방출되는 상기 제1 광은 제1 차광층(BL1d)의 제1 개구부(OPB1d)를 통과하여 상부 방향으로(예컨대, 변색층(PL)의 개구부(OPP)로) 진행할 수 있다. 제2 발광층(EL2d)에서 방출되는 상기 제2 광은 제1 차광층(BL1d)의 제2 개구부(OPB2d)를 통과하여 상부 방향으로(예컨대, 변색층(PL)으로) 진행할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 차광층(BL1d)은 평면 상에서 제1 화소 정의층(PDL1d)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 차광층(BL1d)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각과 차광 영역(BA) 사이의 경계에 배치될 수 있다. 즉, 제1 차광층(BL1d)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 띠 형상을 가질 수 있다.
제1 봉지층(EC1) 상에는 제1 차광층(BL1d)을 덮는 제1 평탄화층(OC1d)이 배치될 수 있다. 제1 평탄화층(OC1d)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 제1 평탄화층(OC1d)은 실질적으로 평탄한 상면을 제공하며, 제1 차광층(BL1d)과 변색층(PL) 사이에 소정의 간격을 형성할 수 있다.
변색층(PL)은 제1 평탄화층(OC1d) 상에 배치될 수 있다. 변색층(PL)은 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함할 수 있다. 변색층(PL)은 제1 차광층(BL1d)의 제2 개구부(OPB2d)와 중첩할 수 있다. 즉, 변색층(PL)은 제2 발광층(EL2d)과 중첩할 수 있다. 변색층(PL)은 제2 발광층(EL2d)에서 방출되어 제1 차광층(BL1d)의 제2 개구부(OPB2d)를 통과하는 상기 제2 광에 의해 변색될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 변색층(PL)은 평면 상에서 차광 영역(BA)과 대응되는 형상을 가질 수 있다. 즉, 변색층(PL)은 평면 상에서 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 둘러싸는 격자 형상을 가질 수 있다. 변색층(PL)은 제1 내지 제3 화소 영역들(PA1, PA2, PA3) 각각을 노출시키는 개구부(OPP)를 가질 수 있다. 변색층(PL)의 개구부(OPP)는 제1 화소 정의층(PDL1d)의 제1 개구부(OPD1-1d) 및 제1 차광층(BL1d)의 제1 개구부(OPB1d)와 대응될 수 있다.
제1 평탄화층(OC1d) 상에는 제1 차광층(BL1d)을 덮는 제2 평탄화층(OC2d)이 배치될 수 있다. 제2 평탄화층(OC2d)은 실질적으로 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 제2 평탄화층(OC2d) 상에는 제2 차광층(BL2)이 배치될 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 16을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 전자 기기(900)는 프로세서(910), 메모리 장치(920), 스토리지 장치(930), 입출력 장치(940), 파워 서플라이(950), 및 표시 패널(960)을 포함할 수 있다. 이 경우, 표시 패널(960)은 도 3의 표시 패널(DP), 도 13의 표시 패널(DPb), 도 14의 표시 패널(DPc) 및 도 15의 표시 패널(DPd) 중 어느 하나에 상응할 수 있다. 전자 기기(900)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신할 수 있는 여러 포트들을 더 포함할 수 있다.
프로세서(910)는 특정 계산들 또는 태스크들(tasks)을 수행할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(910)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(910)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus), 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 프로세서(910)는 주변 구성 요소 상호 연결(peripheral component interconnect; PCI) 버스 등과 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(920)는 전자 기기(900)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(920)는 이피롬(erasable programmable read-only memory; EPROM) 장치, 이이피롬(electrically erasable programmable read-only memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(phase change random access memory; PRAM) 장치, 알램(resistance random access memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(nano floating gate memory; NFGM) 장치, 폴리머램(polymer random access memory; PoRAM) 장치, 엠램(magnetic random access memory; MRAM), 에프램(ferroelectric random access memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(dynamic random access memory; DRAM) 장치, 에스램(static random access memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
스토리지 장치(930)는 솔리드 스테이트 드라이브(solid state drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(hard disk drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(940)는 키보드, 키패드, 터치 패드, 터치 스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다.
파워 서플라이(950)는 전자 기기(900)의 동작에 필요한 전원을 공급할 수 있다. 표시 패널(960)은 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 표시 패널(960)은 입출력 장치(940)에 포함될 수도 있다.
도 17은 도 16의 전자 기기가 스마트폰으로 구현되는 일 예를 나타내는 도면이다. 도 18은 도 17의 전자 기기의 분해 사시도이다.
도 17을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 전자 기기(900)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 그러나 전자 기기(900)는 이에 한정되지 아니하고, 예를 들면, 전자 기기(900)는 텔레비전, 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드(smart pad), 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 내비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD), 키오스크 등으로 구현될 수도 있다. 이하에서는, 도 17 및 도 18을 참조하여, 전자 기기(900)가 스마트폰으로 구현된 실시예에 대해 보다 상세히 설명한다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 일 실시예에 있어서, 전자 기기(900)는 윈도우(WM), 세트 모듈 및 하우징(HU)을 포함할 수 있다. 상기 세트 모듈은 표시 패널(DP), 광학 필름(POL), 접착층(ADL), 회로 기판(DC) 및 보호층(PTL)을 포함할 수 있다. 윈도우(WM)와 하우징(HU)은 결합되어 전자 기기(900)의 외관을 정의할 수 있다.
표시 패널(DP)은 영상을 표시할 수 있다. 표시 패널(DP)은 광시야각 구현을 위한 상기 제1 모드 또는 협시야각 구현을 위한 상기 제2 모드로 구동될 수 있다. 표시 패널(DP)은 도 3의 표시 패널(DP), 도 13의 표시 패널(DPb), 도 14의 표시 패널(DPc) 및 도 15의 표시 패널(DPd) 중 어느 하나에 상응할 수 있다.
회로 기판(DC)은 표시 패널(DP)에 연결될 수 있다. 회로 기판(DC)은 연성 기판(CF) 및 메인 기판(MB)을 포함할 수 있다. 연성 기판(CF)은 절연 필름 및 상기 절연 필름 상에 실장된 도전 배선들을 포함할 수 있다. 상기 도전 배선들은 패드들(PD)에 접속되어 회로 기판(DC)과 표시 패널(DP)을 전기적으로 연결할 수 있다. 예를 들면, 연성 기판(CF)은 표시 패널(DP)의 하부 방향으로 벤딩될 수 있다. 이에 따라, 메인 기판(MB)은 표시 패널(DP)의 하부에(예컨대, 보호층(PTL)의 하부에) 배치되어 하우징(HU)이 제공하는 공간 내에 수용될 수 있다.
메인 기판(MB)은 신호 라인들 및 전자 소자들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 메인 기판(MB)은 상기 제1 구동부 및 상기 제2 구동부를 포함할 수 있다. 상기 제1 구동부는 제1 발광 소자(LED1)의 동작을 제어하기 위한 상기 구동 신호를 생성하여 표시 패널(DP)에 제공할 수 있다. 상기 제2 구동부는 제2 발광 소자(LED2)의 동작을 제어하기 위한 상기 구동 신호를 생성하여 표시 패널(DP)에 제공할 수 있다.
윈도우(WM)는 표시 패널(DP) 상에 배치되어 표시 패널(DP)의 전면(IS)을 커버할 수 있다. 윈도우(WM)는 투광성을 가질 수 있다. 예를 들면, 윈도우(WM)는 폴리이미드 등의 수지 필름 또는 초박형 유리 등을 포함할 수 있다.
윈도우(WM)는 외부에 노출되는 전면(FS)을 포함할 수 있다. 전자 기기(900)의 전면은 실질적으로 윈도우(WM)의 전면(FS)에 의해 정의될 수 있다. 윈도우(WM)의 전면(FS)은 표시 영역(DA)에 대응하는 투과 영역(TA) 및 비표시 영역(NDA)에 대응하는 베젤 영역(BZA)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 윈도우(WM)는 상기 제2 파장 범위를 갖는 상기 제2 광을 선택적으로 차단할 수 있다. 즉, 윈도우(WM)는 상기 제1 파장 범위를 갖는 상기 제1 광을 투과시킬 수 있다. 이 경우, 윈도우(WM)는 표시 패널(DP)의 제2 발광 소자(LED2)에서 방출된 상기 제2 광이 전자 기기(900)의 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들면, 윈도우(WM)는 수지 필름 내에 금속 산화물 미립자 또는 벤조옥사진 입자 등의 차단 물질일 분산된 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 표시 패널(DP)의 제2 차광층(BL2)은 생략될 수 있다.
광학 필름(POL)은 윈도우(WM)와 표시 패널(DP) 사이에 배치될 수 있다. 광학 필름(POL)은 윈도우(WM)를 통해 입사되는 외광의 반사를 방지하거나 줄일 수 있다. 일 실시예에 있어서, 광학 필름(POL)은 편광 필름 또는 컬러 필터를 포함할 수 있다.
접착층(ADL)은 광학 필름(POL)과 윈도우(WM) 사이에 배치될 수 있다. 접착층(ADL)은 투광성을 가질 수 있다.
보호층(PTL)은 표시 패널(DP)의 하부에 배치될 수 있다. 보호층(PTL)은 외부 충격으로부터 표시 패널(DP)을 보호하기 위한 다양한 층들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호층(PTL)은 폼 형상을 갖는 쿠션층, 차광층, 방열층, 지지층 등을 포함할 수 있다.
본 발명은 다양한 표시 장치들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 다양한 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
DP: 표시 패널 DA: 표시 영역
NDA: 비표시 영역 BA: 차광 영역
PA1, PA2, PA3: 제1 내지 제3 화소 영역들
SUB: 기판 TR: 트랜지스터
IL: 절연 구조물 LED1: 제1 발광 소자
PE1: 제1 화소 전극 EL1: 제1 발광층
CE1: 제1 공통 전극 PDL1: 제1 화소 정의층
EC1: 제1 봉지층 BL1: 제1 차광층
LED2: 제2 발광 소자 PE2: 제2 화소 전극
EL2: 제2 발광층 CE2: 제2 공통 전극
PDL2: 제2 화소 정의층 EC2: 제2 봉지층
PL: 변색층 OC: 평탄화층
BL2: 제2 차광층

Claims (27)

  1. 화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광 소자;
    상기 기판 상의 상기 차광 영역에 배치되고, 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광 소자; 및
    상기 제2 발광 소자 상에 배치되고, 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 변색층은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자를 덮는 제1 봉지층을 더 포함하고,
    상기 제2 발광 소자는 상기 제1 봉지층 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 능동 매트릭스 타입이고, 상기 제2 발광 소자는 수동 매트릭스 타입인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 발광층 및 제1 공통 전극을 포함하고,
    상기 제2 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 발광층 및 제2 공통 전극을 포함하고,
    상기 제2 발광층은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 제2 화소 전극은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 제2 공통 전극은 평면 상에서 상기 화소 영역 및 상기 차광 영역과 전체적으로 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제5 항에 있어서, 상기 제2 공통 전극은 평면 상에서 상기 차광 영역과 대응되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  9. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층 아래에 배치되고, 상기 제1 화소 전극의 일부를 노출시키는 제1 화소 정의층; 및
    상기 제1 봉지층 위에 배치되고, 상기 제2 화소 전극의 일부를 노출시키는 제2 화소 정의층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 제2 화소 정의층은 투광성을 갖고, 상기 화소 영역과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 제2 화소 정의층은 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  12. 제3 항에 있어서, 상기 제1 봉지층은 적어도 하나의 무기 봉지층 및 적어도 하나의 유기 봉지층이 교번하여 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  13. 제3 항에 있어서, 상기 제1 봉지층은 적어도 하나의 제1 무기 봉지층 및 상기 제1 무기 봉지층의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는 적어도 하나의 제2 무기 봉지층이 교번하여 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 표시 패널.
  14. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 봉지층과 상기 제2 발광 소자 사이에 배치되고, 상기 화소 영역을 노출시키는 제2 개구부를 갖는 제1 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  15. 제14 항에 있어서, 상기 제1 개구부의 폭은 상기 제2 개구부의 폭과 같은 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  16. 제14 항에 있어서, 상기 제1 개구부의 폭은 상기 제2 개구부의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  17. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 발광 소자를 덮는 제2 봉지층을 더 포함하고,
    상기 변색층은 상기 제2 봉지층 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  18. 제1 항에 있어서, 상기 제2 발광 소자는 상기 제1 발광 소자와 같은 층에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  19. 제18 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 능동 매트릭스 타입이고, 상기 제2 발광 소자는 수동 매트릭스 타입인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  20. 제18 항에 있어서, 상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자 각각은 능동 매트릭스 타입인 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  21. 제18 항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자는 제1 화소 전극, 제1 발광층 및 제1 공통 전극을 포함하고,
    상기 제2 발광 소자는 제2 화소 전극, 제2 발광층 및 제2 공통 전극을 포함하고,
    상기 제1 발광층은 상기 화소 영역과 중첩하고, 상기 제2 발광층은 상기 제1 발광층으로부터 이격되어 상기 차광 영역과 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 발광 소자 및 상기 제2 발광 소자를 덮는 제1 봉지층;
    상기 제1 봉지층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각을 노출시키는 제1 차광층; 및
    상기 제1 차광층을 덮는 평탄화층을 더 포함하고,
    상기 변색층은 상기 평탄화층 상에 배치되고, 상기 제2 발광층과 중첩하며, 상기 제1 발광층을 노출시키는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  23. 제1 항에 있어서,
    상기 변색층 상에 배치되고, 상기 제1 파장 범위를 갖는 광을 투과시키며 상기 제2 파장 범위를 갖는 광을 차단하는 제2 차광층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  24. 화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되는 제1 공통 전극, 및 상기 제1 화소 전극과 상기 제1 공통 전극 사이에 배치되며 상기 화소 영역과 중첩하고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광층을 포함하는 제1 발광 소자;
    상기 기판 상에 배치되는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되는 제2 공통 전극, 및 상기 제2 화소 전극과 상기 제2 공통 전극 사이에 배치되며 상기 차광 영역과 중첩하고, 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광층을 포함하는 제2 발광 소자; 및
    상기 제2 발광 소자 상에 배치되고, 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 개구부를 가지며, 상기 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함하는 표시 패널.
  25. 영상을 표시하는 표시 패널;
    상기 표시 패널에 연결되며 상기 표시 패널의 동작을 제어하는 회로 기판;
    상기 표시 패널 상에 배치되어 상기 표시 패널의 전면을 커버하는 윈도우; 및
    상기 표시 패널을 수용하는 공간을 제공하는 하우징을 포함하고,
    상기 표시 패널은
    화소 영역 및 차광 영역을 포함하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되고, 제1 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제1 발광 소자;
    상기 기판 상의 상기 차광 영역에 배치되고, 상기 제1 파장 범위와 다른 제2 파장 범위를 갖는 광을 방출하는 제2 발광 소자; 및
    상기 제2 발광 소자 상에 배치되고, 상기 화소 영역의 적어도 일부를 노출시키는 제1 개구부를 가지며, 상기 제2 파장 범위를 갖는 광에 의해 변색되는 광변색 물질을 포함하는 변색층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  26. 제25 항에 있어서, 상기 회로 기판은 상기 제1 발광 소자의 동작을 제어하는 제1 구동부 및 상기 제2 발광 소자의 동작을 제어하는 제2 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  27. 제25 항에 있어서, 상기 윈도우는 상기 제1 파장 범위를 갖는 광을 투과시키며 상기 제2 파장 범위를 갖는 광을 차단하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1020210169041A 2021-11-30 2021-11-30 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기 KR20230081906A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210169041A KR20230081906A (ko) 2021-11-30 2021-11-30 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기
CN202211356816.9A CN116209325A (zh) 2021-11-30 2022-11-01 显示面板以及包括显示面板的电子装置
US17/981,816 US11825724B2 (en) 2021-11-30 2022-11-07 Display panel and electronic device including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210169041A KR20230081906A (ko) 2021-11-30 2021-11-30 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230081906A true KR20230081906A (ko) 2023-06-08

Family

ID=86499766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210169041A KR20230081906A (ko) 2021-11-30 2021-11-30 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11825724B2 (ko)
KR (1) KR20230081906A (ko)
CN (1) CN116209325A (ko)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102319111B1 (ko) 2015-03-30 2021-11-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
KR101934266B1 (ko) * 2015-07-29 2019-01-03 삼성에스디아이 주식회사 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치
TWI704671B (zh) * 2016-06-24 2020-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置以及其驅動方法
JP6907051B2 (ja) * 2016-07-08 2021-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102400334B1 (ko) 2017-05-26 2022-05-19 엘지디스플레이 주식회사 시야각 조절 필름 및 그를 포함한 백라이트 유닛과 표시 장치
JP7432509B2 (ja) * 2018-07-20 2024-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11710445B2 (en) * 2019-01-24 2023-07-25 Google Llc Backplane configurations and operations
JP7065798B2 (ja) 2019-02-13 2022-05-12 三菱電機株式会社 表示装置及び自動車
CN111628098A (zh) * 2019-02-28 2020-09-04 三星显示有限公司 显示装置
KR20200126449A (ko) * 2019-04-29 2020-11-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20210050548A1 (en) * 2019-08-15 2021-02-18 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Display panel
US11011669B2 (en) * 2019-10-14 2021-05-18 Shaoher Pan Integrated active-matrix light emitting pixel arrays based devices
CN111509025A (zh) * 2020-05-26 2020-08-07 京东方科技集团股份有限公司 基于量子点的显示面板及其制备方法、显示装置
US11588078B2 (en) * 2020-07-17 2023-02-21 Lextar Electronics Corporation Light emitting device and module

Also Published As

Publication number Publication date
CN116209325A (zh) 2023-06-02
US11825724B2 (en) 2023-11-21
US20230172028A1 (en) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102607379B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102534107B1 (ko) 표시 장치
KR102589750B1 (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2018040735A1 (zh) 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
CN111029382A (zh) 显示面板、多区域显示面板和显示装置
KR102472324B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
JP4756178B2 (ja) 表示装置
JP2012168530A (ja) ディスプレイパネル
KR20210016233A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US20120127376A1 (en) Display device and video information processinsg device using the same
CN115616820A (zh) 防窥显示屏、电子设备及防窥方法
TWI778203B (zh) 具有光反射層而用於防止網格效應的顯示器
KR20210106606A (ko) 표시 장치
JP4165165B2 (ja) 液晶表示パネルおよび電子機器
KR20230081906A (ko) 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기
JP5494290B2 (ja) 照明装置、及び電気光学装置
CN114114745A (zh) 半透半反显示装置及其制作方法
KR20210107220A (ko) 증강현실 표시장치
KR20170061868A (ko) 미러 디스플레이 패널
KR20210090754A (ko) 표시장치
US20230113976A1 (en) Display device
US20230137129A1 (en) Display panel
US20240040909A1 (en) Organic Light-Emitting Diodes with Off-axis Uniformity
TWI782631B (zh) 顯示裝置
US20220336536A1 (en) Display device