KR102467651B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 복수의 개구를 정의하는 투광성 격벽, 상기 투광성 격벽의 상면 및 측면 상에 배치되고, 네거티브 감광성 유기물을 포함하는 차광 부재, 및 상기 개구 내에 배치되고, 양자점 물질 또는 형광체 물질을 포함하는 제1 색 변환 패턴을 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting diode Display, OLED) 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
그 중 액정 표시 장치는 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극과 액정층을 포함하는 표시 패널, 및 상기 표시 패널에 광을 제공하는 광원부를 포함한다. 액정 표시 장치는 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정을 재배열하고, 이를 통해 각 화소 별로 액정층을 투과하는 광의 양을 제어함으로써 영상 표시를 구현할 수 있다.
각 화소가 하나의 기본색을 고유하게 표현하도록 하기 위한 하나의 방법으로, 광원으로부터 시청자에 이르는 광 경로 상에 각 화소마다 색 변환 패턴을 배치하는 방법을 예시할 수 있다. 예컨대, 컬러 필터(color filter)는 입사광의 특정 파장 대역을 흡수하고, 다른 특정 파장 대역만을 선택적으로 투과시킴으로써 기본색을 구현할 수 있다. 한편, 표시 장치의 색 순도를 더욱 개선하기 위한 방법의 개발이 요구되는 실정이다.
양자점 또는 형광체 물질 등의 파장 시프트 물질은 입사되는 광의 피크 파장을 시프트(shift)시켜 입사광과 상이한 색을 갖는 광을 출사시킬 수 있다. 즉, 파장 시프트 물질을 이용하여 색 변환 패턴을 구현할 수 있다. 그러나 파장 시프트 물질이 방출하는 광이 인접한 다른 화소로 진행할 경우 의도치 않은 화소에서 광이 새어나오는 불량, 즉 광 누설 불량이 발생할 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 인접한 화소 간의 광의 진행을 차단하여 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 표시 품질이 향상된 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 복수의 개구를 정의하는 투광성 격벽, 상기 투광성 격벽의 상면 및 측면 상에 배치되고, 네거티브 감광성 유기물을 포함하는 차광 부재, 및 상기 개구 내에 배치되고, 양자점 물질 또는 형광체 물질을 포함하는 제1 색 변환 패턴을 포함한다.
상기 투광성 격벽은 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 격벽부 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 격벽부를 포함하여, 상기 제1 격벽부와 상기 제2 격벽부에 의해 상기 개구가 정의되고, 상기 차광 부재는 평면상 격자 형상일 수 있다.
상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치된 차광 부재 표면의 소수성은, 상기 투광성 격벽의 상기 측면 상에 배치된 차광 부재 표면의 소수성보다 클 수 있다.
또, 상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치된 차광 부재의 두께는 상기 투광성 격벽의 상기 측면 상에 배치된 차광 부재의 두께보다 클 수 있다.
또한, 상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치된 차광 부재의 두께는 1.3㎛ 이상이고, 상기 차광 부재의 광학 밀도는 2.0/1.3㎛ 이상일 수 있다.
상기 차광 부재는 상기 투광성 격벽 상에 직접 배치되고, 상기 차광 부재는 상기 투광성 격벽과 접하는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 가지되, 상기 제2 면의 거칠기는 상기 제1 면의 거칠기보다 클 수 있다.
또, 상기 차광 부재는 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 제3 면을 더 가지고, 상기 제2 면의 거칠기는 상기 제3 면의 거칠기보다 클 수 있다.
상기 투광성 격벽의 투광도는 90% 이상일 수 있다.
또, 상기 투광성 격벽은 내부에 분산된 입자상 물질을 포함할 수 있다.
상기 투광성 격벽의 상기 측면은 경사를 가지되, 상기 투광성 격벽의 높이는 7.0㎛ 이상이고, 상기 기판 표면에 대하여 상기 투광성 격벽의 상기 측면이 이루는 평균 경사각은 30° 이상 85° 이하일 수 있다.
상기 표시 장치는, 제1 색을 표시하는 제1 화소, 상기 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소, 및 상기 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제3 화소가 정의되고, 상기 표시 장치는, 상기 제1 색 변환 패턴 상에 배치된 액정층, 상기 제1 색 변환 패턴과 상기 액정층 사이에 배치되고, 상기 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키며, 상기 제3 색의 피크 파장보다 긴 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 차단하는 파장 대역 필터, 및 상기 액정층 상에 배치되고, 상기 제3 색의 광을 제공하는 광원을 더 포함하되, 상기 제1 색 변환 패턴은 상기 제1 화소 내에 배치되고, 상기 제1 색 변환 패턴으로 입사되는 광의 색을 상기 제1 색으로 변환시켜 출사하고, 상기 파장 대역 필터는 상기 차광 부재와 접할 수 있다.
또, 상기 파장 대역 필터는, 상기 제1 색 변환 패턴 및 상기 차광 부재와 접하고, 일정한 두께를 가질 수 있다.
상기 제2 화소 내에 배치된 제2 색 변환 패턴, 및 상기 제3 화소 내에 배치된 투광 패턴을 더 포함하되, 상기 제2 색 변환 패턴은 상기 제2 색 변환 패턴으로 입사되는 광의 색을 상기 제2 색으로 변환시켜 출사하고, 상기 제1 색 변환 패턴과 상기 제2 색 변환 패턴 사이에는 상기 차광 부재가 위치하고, 상기 제1 색 변환 패턴과 상기 투광 패턴 사이에는 상기 차광 부재가 위치할 수 있다.
상기 표시 장치는, 제1 색을 표시하는 제1 화소, 상기 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소, 및 상기 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제3 화소가 정의되고, 상기 표시 장치는, 상기 제1 색 변환 패턴 상에 배치된 액정층, 및 상기 액정층 상에 배치되고, 상기 제3 색의 광을 제공하는 광원, 및 상기 차광 부재와 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 상기 제3 색의 피크 파장보다 긴 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키며, 상기 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 차단하는 파장 대역 필터를 더 포함하되, 상기 파장 대역 필터의 적어도 일부는 상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치될 수 있다.
또, 상기 차광 부재와 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터를 더 포함하되, 상기 파장 대역 필터는 상기 투광성 격벽의 상기 상면과 중첩하지 않고, 상기 제1 색 변환 패턴은 상기 차광 부재와 접할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 기판과 상기 투광성 격벽 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 파장 대역 필터와 상기 투광성 격벽 사이에 배치되고, 상기 차광 부재와 상이한 재료를 포함하는 불투광성 물질층을 더 포함할 수 있다.
상기 기판과 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터, 및 상기 기판과 상기 차광 부재 사이에 배치되고, 상기 차광 부재와 상이한 재료로 이루어진 불투광성 물질층을 더 포함할 수 있다.
또, 상기 기판과 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터, 및 상기 기판과 상기 투광성 격벽 사이에 배치되고, 상기 차광 부재와 상이한 재료로 이루어진 불투광성 물질층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 차광 부재 상에 배치되고, 상기 차광 부재를 둘러싸도록 배치된 제1 투광층, 및 상기 제1 투광층 상에 직접 배치되고, 상기 제1 투광층을 둘러싸도록 배치된 제2 투광층을 더 포함하되, 상기 제2 투광층의 굴절률은 상기 제1 투광층의 굴절률보다 클 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 투광성 격벽의 상기 상면 및 상기 측면 상에 배치되어 상기 투광성 격벽을 둘러싸도록 배치된 제1 투광층, 및 상기 제1 투광층과 상기 차광 부재 사이에 배치되어 상기 제1 투광층을 둘러싸도록 배치된 제2 투광층을 더 포함하되, 상기 제2 투광층의 굴절률은 상기 제1 투광층의 굴절률보다 클 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계, 상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴 상에 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계, 및 상기 기판의 타면 측으로부터 광을 조사하고 상기 불투광성 물질 패턴을 차광 마스크로 이용하여 상기 격벽 패턴의 상면 및 측면 상에 배치된 차광 부재를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상기 일면의 적어도 일부를 노출하도록 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 노출된 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
또, 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상기 일면 상에 불투광성 물질층을 형성하는 단계, 상기 불투광성 물질층 상에 포지티브 감광층을 형성하는 단계, 마스크를 차광 마스크로 이용하여 포지티브 감광 패턴층을 형성하는 단계, 및 상기 포지티브 감광 패턴층을 식각 마스크로 이용하여 상기 불투광성 물질층의 일부를 식각하여 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계는, 상기 불투광성 물질 패턴 상에 네거티브 감광층을 형성하는 단계, 및 상기 마스크를 차광 마스크로 이용하여 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 격벽 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 격벽 패턴의 적어도 일부는 상기 불투광 물질 패턴과 중첩할 수 있다.
또, 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 격벽 패턴은 상기 불투광성 물질 패턴과 이격되며, 상기 기판의 상기 일면의 적어도 일부는 상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴에 의해 커버되지 않고 노출될 수 있다.
또, 상기 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계에서, 상기 조성물은 상기 격벽 패턴과 상기 불투광성 물질 패턴 사이의 이격 공간을 충진하고, 상기 차광 부재는 상기 기판과 접하도록 형성될 수 있다.
상기 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계는, 상기 조성물을 상기 격벽 패턴의 높이보다 높은 두께로 도포하는 단계일 수 있다.
상기 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계 후에, 상기 도포된 조성물 표면을 전체적으로 불소 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 광을 조사하는 단계 후에, 미경화된 차광 부재 형성용 조성물 표면 및 상기 격벽 패턴의 상기 상면 상에 형성된 차광 부재 표면에 요철 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계 전에, 상기 기판의 상기 일면 상에 파장 대역 필터 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는, 상기 파장 대역 필터 패턴 상에 상기 파장 대역 필터 패턴과 중첩하도록 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계이고, 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 불투광성 물질 패턴의 폭은 상기 파장 대역 필터 패턴의 폭보다 작을 수 있다.
상기 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는, 상기 기판의 상기 일면의 적어도 일부를 노출하도록 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 노출된 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 불투광성 물질 패턴의 적어도 일부는 상기 격벽 패턴과 중첩할 수 있다.
또, 상기 차광 부재를 형성하는 단계 후에, 상기 불투광성 물질 패턴을 제거하여 상기 기판의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시키는 단계, 상기 기판의 노출된 상기 일면 상에 파장 시프트 물질을 포함하는 잉크 조성물을 토출하는 단계, 및 상기 잉크 조성물을 경화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 차광 부재를 형성하는 단계는, 상기 차광 부재 형성용 조성물을 프리베이크하는 단계, 상기 불투광성 물질 패턴을 차광 마스크로 이용하여 상기 프리베이크된 차광 부재 형성용 조성물을 부분적으로 광 경화하는 단계로서, 상기 기판의 타면 측으로부터 광을 조사하는 단계, 상기 광이 상기 기판을 투과하는 단계, 상기 광이 상기 격벽 패턴으로 입사되는 단계, 상기 광이 상기 격벽 패턴의 상기 상면을 투과하는 단계, 및 상기 광이 상기 격벽 패턴의 상기 측면을 투과하는 단계를 포함하는, 조성물을 부분적으로 광 경화하는 단계, 상기 부분적으로 광 경화된 차광 부재 형성용 조성물에 현상액을 도포하여 상기 격벽 패턴의 상기 상면 및 상기 측면 상에 배치된 차광 부재를 현상하는 단계, 및 상기 차광 부재를 하드베이크하는 단계를 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 인접한 화소들 사이에 위치하여 화소 간의 광의 진행을 차단할 수 있는 차광 부재를 포함함으로써 의도치 않은 화소에서 광이 새어나오는 불량을 억제할 수 있고 이를 통해 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따르면 표시 품질이 향상된 표시 장치를 제조할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 임의의 화소들의 레이아웃이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절개한 제1 표시판의 단면도이다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 6은 도 2의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 절개한 단면도이다.
도 7은 도 4 및 도 6의 격벽을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 8은 도 4의 제2 표시판을 투과하는 광의 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 10 내지 도 25는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 나타낸 도면들이다.
도 26은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 28 내지 도 37은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 「위(on)」로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 「직접 위(directly on)」로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 「아래(below)」, 「아래(beneath)」, 「하부(lower)」, 「위(above)」, 「상부(upper)」 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 「아래(below 또는 beneath)」로 기술된 소자는 다른 소자의 「위(above)」에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 「아래」는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 「및/또는」은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 의미한다. 본 명세서에서 「내지」를 사용하여 나타낸 수치 범위는 그 앞과 뒤에 기재된 값을 각각 하한과 상한으로서 포함하는 수치 범위를 의미한다.
본 명세서에서 사용되는 용어 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면에 수직한 방향을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 임의의 화소들의 레이아웃이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 패널(31) 및 표시 패널(31)에 광을 제공하는 광원부(50)를 포함한다.
표시 패널(31)은 제1 표시판(SUB1), 제1 표시판(SUB1)과 대향하는 제2 표시판(SUB2) 및 이들의 사이에 개재된 액정층(LCL)을 포함할 수 있다. 액정층(LCL)은 제1 표시판(SUB1)과 제2 표시판(SUB2) 및 이들을 합착시키는 실링 부재(미도시)에 의해 밀봉된 상태일 수 있다.
표시 패널(31)에는 평면상 대략 매트릭스 배열된 복수의 화소들이 정의될 수 있다. 본 명세서에서, '화소(pixel)'는 색 표시를 위해 평면 시점에서 표시 영역이 구획되어 정의되는 단일 영역을 의미하며, 하나의 화소는 미리 정해진 하나의 기본색을 표현할 수 있다. 즉, 하나의 화소는 다른 화소와 서로 독립적인 색을 표현할 수 있는 표시 패널(31) 기준에서의 최소 단위일 수 있다.
상기 복수의 화소들은 제1 색을 표시하는 제1 화소(PXa), 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소(PXb) 및 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제3 색을 표시하는 제3 화소(PXc)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 방향(X)으로 순차 배열된 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)가 기본 단위를 이루어 제1 방향(X)으로 반복 배열되고, 제1 화소(PXa), 제2 화소(PXb) 및 제3 화소(PXc)가 각각 제2 방향(Y)으로 반복 배열될 수 있다.
예를 들어, 제1 화소(PXa)는 약 610nm 내지 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 제1 색(적색)을 표시하는 화소이고, 제1 화소(PXa)와 제1 방향(X)으로 인접한 제2 화소(PXb)는 약 530nm 내지 570nm 범위에서 피크 파장을 갖는 제2 색(녹색)을 표시하는 화소이며, 제2 화소(PXb)와 제1 방향(X)으로 인접한 제3 화소(PXc)는 약 430nm 내지 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 제3 색(청색)을 표시하는 화소일 수 있다.
또, 제1 화소(PXa)와 제2 방향(Y)으로 인접한 제4 화소(PXd)는 상기 제1 색을 표시하는 화소이고, 제2 화소(PXb)와 제2 방향(Y)으로 인접한 제5 화소(PXe)는 상기 제2 색을 표시하는 화소이며, 제3 화소(PXc)와 제2 방향(Y)으로 인접한 제6 화소(PXf)는 상기 제3 색을 표시하는 화소일 수 있다.
표시 패널(31)은 제1 방향(X)으로 연장된 복수의 게이트 라인(GL)들 및 제2 방향(Y)으로 연장되며 게이트 라인(GL)과 절연되도록 배치된 복수의 데이터 라인(DL)들을 포함할 수 있다. 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)은 각각 구동부(미도시)와 연결되어 복수의 화소들마다 배치된 화소 전극(PE)에 구동 신호를 전달할 수 있다.
광원부(50)는 표시 패널(31)의 하측에 배치되어 특정 파장을 갖는 광을 표시 패널(31) 측으로 출사할 수 있다. 광원부(50)는 광을 직접적으로 방출하는 광원(light source) 및 상기 광원(미도시)으로부터 제공받은 광의 경로를 가이드하여 표시 패널(31) 측으로 출사시키는 도광판(미도시)을 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 도광판의 재료는 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 글라스(glass) 재료, 석영(quartz) 재료 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate) 등의 플라스틱 재료로 이루어질 수 있다.
상기 광원은 발광 다이오드(LED) 또는 유기발광 다이오드(OLED) 등일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상기 광원은 상기 제1 색 및 상기 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 표시 패널(31)과 광원부(50) 사이에는 하나 이상의 광학 시트가 배치될 수 있다. 상기 광학 시트는 프리즘 시트, 확산 시트, (반사형)편광 시트, 렌티큘러렌즈 시트, 마이크로렌즈 시트 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 광학 시트는 광원부(50)로부터 제공되어 표시 패널(31) 측으로 진행하는 광의 광학 특성, 예컨대 집광, 확산, 산란 또는 편광 특성을 변조하여 표시 장치(1)의 표시 품질을 개선할 수 있다.
이하, 도 3을 더욱 참조하여 표시 패널(31)의 제1 표시판(SUB1)에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ' 선을 따라 절개한 제1 표시판의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 제1 표시판(SUB1)은 제1 기판(BS1), 제1 기판(BS1)의 일면(도 3 기준 상면) 상에 배치된 스위칭 소자(Q), 스위칭 소자(Q) 상에 배치된 화소 전극(PE)을 포함할 수 있다.
제1 기판(BS1)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 예를 들어, 제1 기판(BS1)은 유리 재료, 석영 재료 또는 투광성 플라스틱 재료로 이루어진 기판일 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 기판(BS1)은 가요성을 가지고 표시 장치(1)는 곡면형 표시 장치일 수 있다.
제1 기판(BS1) 상에는 복수의 스위칭 소자(Q)들에 배치될 수 있다. 각 스위칭 소자(Q)는 각 화소(PXa, PXb, PXc) 마다 배치되어 후술할 화소 전극(PE)에 구동 신호를 전달하거나 차단할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 각 스위칭 소자(Q)는 게이트 전극(GE), 게이트 전극(GE) 상에 배치된 액티브층(AL) 및 액티브층(AL) 상에서 서로 이격 배치된 소스 전극(SE)과 드레인 전극(DE)을 포함하는 박막 트랜지스터일 수 있다.
제어 단자인 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)과 연결되어 게이트 구동 신호를 제공받고, 입력 단자인 소스 전극(SE)은 데이터 라인(DL)과 연결되어 데이터 구동 신호를 제공받으며, 출력 단자인 드레인 전극(DE)은 화소 전극(PE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 액티브층(AL)은 비정질 규소 또는 다결정 규소를 포함하여 이루어지거나 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 액티브층(AL)은 스위칭 소자(Q)의 채널 역할을 하며 게이트 전극(GE)에 인가되는 전압에 따라 채널을 턴 온 또는 턴 오프할 수 있다. 게이트 전극(GE)과 액티브층(AL)은 절연막(GI)에 의해 절연될 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 액티브층(AL)이 비정질 규소 등으로 이루어지는 경우 액티브층(AL)과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 사이에는 오믹 컨택층(미도시)이 더 배치될 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에는 제1 보호층(PS1)이 배치되어 하부에 형성된 배선 및 전극들을 보호할 수 있다. 제1 보호층(PS1)은 무기 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 무기 재료의 예로는 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질화산화규소(SiNxOy, x>y) 또는 산화질화규소(SiOxNy, x>y) 등을 들 수 있다.
스위칭 소자(Q) 상에는 중간층(IL)이 배치될 수 있다. 중간층(IL)은 그 상부의 구성과 하부의 구성을 서로 전기적으로 절연시키고, 제1 기판(BS1) 상에 적층된 복수의 구성요소들의 단차를 평탄화할 수 있다. 중간층(IL)은 하나 이상의 층을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어 중간층(IL)은 유기 재료로 이루어지거나, 무기 재료로 이루어지거나, 또는 유기 재료로 이루어진 층과 무기 재료로 이루어진 층의 적층 구조일 수 있다.
중간층(IL) 상에는 복수의 화소 전극(PE)들이 배치될 수 있다. 화소 전극(PE)은 후술할 공통 전극(CE)과 함께 액정층(LCL)에 전계를 형성하여 해당 화소 내의 액정(LC)들의 배향 방향을 제어할 수 있다. 화소 전극(PE)은 중간층(IL)에 형성된 컨택홀(contact hole)을 통해 스위칭 소자(Q)의 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 각 화소 전극(PE)은 각 화소(PXa, PXb, PXc) 마다 배치되어 스위칭 소자(Q)를 통해 서로 독립적인 전압이 인가될 수 있다. 화소 전극(PE)은 투명한 도전성 재료로 이루어진 투명 전극일 수 있다. 투명 전극을 형성하는 재료의 예로는 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 들 수 있다. 도 2는 화소 전극(PE)에 슬릿이 형성되지 않은 평판 형상인 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 화소 전극(PE)은 방사상의 슬릿 등을 가질 수 있다.
화소 전극(PE) 상에는 제1 액정 배향층(LCA1)이 배치될 수 있다. 제1 액정 배향층(LCA1)은 인접한 액정층(LCL) 내 액정(LC)의 초기 배향을 유도할 수 있다. 본 명세서에서, '액정의 초기 배향'이라 함은 액정층에 전계가 형성되지 않은 상태에서의 액정의 배열을 의미한다. 제1 액정 배향층(LCA1)은 주쇄의 반복단위 내에 이미드기를 갖는 고분자 유기 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.
이하, 도 4 내지 도 7을 더욱 참조하여 표시 패널(31)의 액정층(LCL) 및 제2 표시판(SUB2)에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
도 4는 도 2의 Ⅳ-Ⅳ' 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 5는 도 4의 A 영역을 확대한 도면이다. 도 6은 도 2의 Ⅵ-Ⅵ' 선을 따라 절개한 단면도이다. 도 7은 도 4 및 도 6의 격벽을 개략적으로 나타낸 사시도이다.
우선 액정층(LCL)에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 액정층(LCL)은 초기 배향된 복수의 액정(LC)들을 포함한다. 액정(LC)은 음의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 수직 배향될 수 있다. 액정(LC)은 초기 배향 상태에서 소정의 선경사(pretilt) 각도를 가질 수도 있다. 액정(LC)의 초기 배향은 제1 액정 배향층(LCA1) 및 제2 액정 배향층(LCA2)에 의해 유도될 수 있다. 화소 전극(PE)과 공통 전극(CE) 사이에 전계가 형성되면 액정(LC)은 특정 방향으로 기울어지면서 액정층(LCL)을 투과하는 광의 편광 상태를 변화시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 액정(LC)은 양의 유전율 이방성을 가지고 초기 배향 상태에서 수평 배향되며, 전계가 형성되면 액정(LC)은 회전하면서 광의 편광 상태를 변화시킬 수도 있다.
다음으로 제2 표시판(SUB2)에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 제2 표시판(SUB2)은 제2 기판(BS2), 제2 기판(BS2)의 일면(도 4 기준 하면) 상에 배치된 격벽(110), 격벽(110) 상에 배치된 차광 부재(210), 차광 부재(210) 상에 배치된 색 변환 패턴(400) 및 색 변환 패턴(400) 상에 배치된 공통 전극(CE)을 포함하고, 색 변환 패턴(400)과 공통 전극(CE) 사이에 배치된 편광층(POL)을 더 포함할 수 있다.
제2 기판(BS2)은 제1 기판(BS1)과 같은 투명한 절연 기판일 수 있다. 제2 기판(BS2) 상에는 격벽(110)이 배치될 수 있다. 격벽(110)은 제2 기판(BS2)의 표면을 적어도 부분적으로 노출하도록 배치될 수 있다. 즉, 격벽(110)은 제2 기판(BS2)의 표면의 적어도 일부를 노출하는 개구(110h)를 가질 수 있다.
예를 들어, 격벽(110)은 제1 방향(X)으로 연장된 복수의 제1 격벽부(111)들 및 제2 방향(Y)으로 연장된 복수의 제2 격벽부(112)들을 포함할 수 있다. 제1 격벽부(111)와 제2 격벽부(112)는 상호 교차하며 물리적으로 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 격벽부(111)는 평면 시점에서 제1 방향(X)으로 연장된 격벽(110)의 일부분을 의미하고, 제2 격벽부(112)는 평면 시점에서 제2 방향(Y)으로 연장된 격벽(110)의 일부분을 의미한다. 개구(110h)는 인접한 두 개의 제1 격벽부(111)와 인접한 두 개의 제2 격벽부(112)에 의해 둘러싸여 정의될 수 있다. 다시 말해서, 격벽(110)은 인접한 화소들의 경계에 배치되어 평면 시점에서 대략 격자 형상일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 격벽부(111)는 게이트 전극(GE), 액티브층(AL), 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 중간층(IL)에 형성된 컨택홀 등과 중첩하고 제2 격벽부(112)는 데이터 라인(DL) 등과 중첩할 수 있다. 제1 격벽부(111)의 제2 방향(Y)으로의 최대폭(W1)은 제2 격벽부(112)의 제1 방향(X)으로의 최대폭(W2)보다 클 수 있다.
본 발명이 이에 제한되지 않으나, 예를 들어 색 변환 패턴(400)을 잉크젯 공정을 통해 형성하는 경우 격벽(110)은 토출된 잉크 조성물의 정렬에 도움을 줄 수 있다. 즉, 격벽(110)은 색 변환 패턴(400)을 형성하기 위한 잉크 조성물을 원하는 위치에 정확히 토출하고 안정적으로 위치시키기 위한 가이드 역할을 할 수 있다. 다시 말해서, 격벽(110)은 색 변환 패턴(400)의 형성을 용이하게 할 수 있다. 충분한 두께를 갖는 색 변환 패턴(400)의 형성 관점에서 격벽(110)의 높이(H110)의 하한은 약 5.0㎛, 약 5.5㎛, 약 6.0㎛, 6.5㎛, 약 7.0㎛, 약 7.5㎛, 약 8.0㎛, 약 8.5㎛, 약 9.0㎛, 약 9.5㎛, 약 10.0㎛, 약 10.5㎛, 약 11.0㎛, 약 11.5㎛, 약 12.0㎛ 또는 약 15.0㎛일 수 있다. 격벽(110)의 높이(H110)를 적어도 5.0㎛ 이상으로 하여 충분한 두께를 갖는 색 변환 패턴(400)을 형성할 수 있고 이를 통해 우수한 색 변환 효율을 갖는 색 변환 패턴(400)을 형성할 수 있다.
격벽(110)은 상면 및 상면으로부터 하향 경사진 측면을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 격벽부(111)와 제2 격벽부(112)는 각각 소정의 평탄면을 이루는 상면(110t) 및 상면(110t)으로부터 하향 경사진 측면(110s)을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제2 기판(BS2) 표면에 대하여 격벽(110)의 측면(110s)이 이루는 평균 경사각(θ)은 하한은 약 30°, 약 35°, 또는 약 40°일 수 있다. 또, 제2 기판(BS2) 표면에 대하여 측면(110s)이 이루는 평균 경사각(θ)의 상한은 약 85°, 약 80°, 약 70°, 약 60°, 또는 약 50°일 수 있다. 본 발명이 이에 제한되지 않으나, 예를 들어 배면 노광 공정을 통해 차광 부재(210)를 형성하는 경우 측면(110s)이 소정의 경사를 갖도록 하여 격벽(110)의 상면(110t) 뿐만 아니라 측면(110s)을 통해서도 충분한 양의 광이 투과하는 것을 용이하게 할 수 있다. 이를 통해 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치된 충분한 두께의 차광 부재(210)를 형성할 수 있고, 예를 들어 제1 색 변환 패턴(410)이 제1 파장 시프트 물질(410p)을 포함하는 경우 제1 파장 시프트 물질(410p)이 방출하는 제1 색의 광이 제2 색 변환 패턴(420) 내로 진행하여 제2 화소(PXb)에서 제1 색이 표현되는 불량, 즉 광 누설 불량을 억제할 수 있다.
비제한적인 일례로, 격벽(110)의 하면의 폭은 격벽(110)의 상면의 폭보다 클 수 있다. 예를 들어, 격벽(110)의 제2 격벽부(112)의 하면의 폭(W2)은 약 17㎛ 내지 30㎛, 또는 약 18㎛ 내지 약 25㎛, 또는 약 20㎛일 수 있다. 또, 격벽(110)의 제2 격벽부(112)의 상면(110t)의 폭(WT)은 약 15㎛ 내지 25㎛, 또는 약 17㎛ 내지 20㎛, 또는 약 18㎛일 수 있다.
격벽(110)은 투광성을 가질 수 있다. 격벽(110)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 격벽(110)의 재료는 우수한 광 투과율을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 물질일 수 있다. 구체적으로, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 트리메틸올프로판디(메타)아크릴레이트계, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트계, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트계, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트계, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 디펜타에리스리톨펜타(메타)아크릴레이트계, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트계, 비스페놀A에폭시(메타)아크릴레이트계, 트리스아크릴로일옥시에틸포스페이트계, 카도에폭시디아크릴레이트계 고분자 등을 예시할 수 있다.
격벽(110)이 유기 물질로 이루어지는 경우 격벽(110)은 감광성 유기 물질로 이루어질 수 있다. 상기 감광성 유기 물질은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 격벽(110)은 내부에 분산된 제1 입자상 물질(110p)들을 더 포함할 수 있다. 제1 입자상 물질(110p)은 격벽(110)을 투과하는 광의 산란을 유도하는 광 산란 물질일 수 있다. 제1 입자상 물질(110p)의 형상은 구형이거나, 또는 규칙 또는 불규칙적인 다양한 다각형 형상일 수 있다. 제1 입자상 물질(110p)의 굴절률은 격벽(110)의 굴절률과 상이할 수 있다. 제1 입자상 물질(110p)은 투과광을 산란반사할 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자 등일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄(TiO2), 산화 지르코늄(ZrO2), 산화 알루미늄(Al2O3), 산화 인듐(In2O3), 산화 아연(ZnO) 또는 산화 주석(SnO2) 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다.
차광 부재(210)는 격벽(110) 상에 배치될 수 있다. 차광 부재(210)는 제2 기판(BS2)으로부터 돌출된 격벽(110)의 표면을 감싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 차광 부재(210)는 격벽(110)의 상면(110t)에 배치될 수 있다. 또, 차광 부재(210)의 적어도 일부는 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치될 수 있다.
차광 부재(210)는 광의 투과를 차단할 수 있다. 차광 부재(210)는 인접한 화소들의 평면상 경계에 배치되어 이웃한 화소들 간의 혼색 불량을 방지할 수 있다. 또, 차광 부재(210)는 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이 및 제2 색 변환 패턴(420)과 투광 패턴(510) 사이에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 색 변환 패턴(410)이 제1 파장 시프트 물질(410p)을 포함하는 경우 제1 파장 시프트 물질(410p)이 방출하는 제1 색의 광이 제2 색 변환 패턴(420) 내로 진행하여 제2 화소(PXb)에서 제1 색이 표현되는 불량을 억제할 수 있다. 차광 부재(210)의 광학 밀도(optical density, O.D.)는 약 2.0/1.3㎛ 이상, 또는 약 3.0/1.3㎛ 이상, 또는 약 4.0/1.3㎛ 일 수 있다. 즉, 1.3㎛ 두께를 갖는 차광 부재(210)의 두께 방향으로의 광학 밀도는 약 2.0 이상, 또는 약 3.0 이상, 또는 약 4.0 이상일 수 있다.
차광 부재(210)의 재료는 광의 투과를 차단할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 블랙 안료 또는 염료 등의 착색제를 포함하는 유기 물질을 포함하여 이루어질 수 있다.
차광 부재(210)의 블랙 안료 또는 염료 등의 착색제의 예로는 카본 블랙, 티탄 블랙, 리그닌 블랙, 페릴렌 블랙, 시아닌 블랙, 철/망간 등의 복합산화물 안료 등의 무기 안료 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
또, 차광 부재(210)는 유기 베이스 물질을 더 포함할 수 있다. 유기 베이스 물질은 블랙 안료 또는 염료의 분산성을 확보할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트계, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트계, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트계, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트계, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트계, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트계, 비스페놀A에폭시(메타)아크릴레이트계, 에틸렌글리콜모노메틸에테르(메타)아크릴레이트계, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트계, 트리스아크릴로일옥시에틸포스페이트계, 카도에폭시디아크릴레이트계 고분자 등일 수 있다. 차광 부재(210)가 유기 베이스 물질을 포함하여 이루어지는 경우 상기 유기 베이스 물질은 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 상기 감광성 유기 물질은 광이 조사된 부위에서 경화가 발생하는 네거티브 감광성 물질일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 실시예에서, 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210)의 제1 두께(tT)와 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210)의 제2 두께(tS)는 상이할 수 있다. 예를 들어, 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210)의 제1 두께(tT)는 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210)의 제2 두께(tS)보다 클 수 있다. 제2 두께(tS)는 격벽(110)의 측면(110s) 표면에 수직한 방향에 대해 차광 부재(210)의 상면까지의 수직 거리를 의미한다. 차광 부재(210)의 제1 두께(tT)와 제2 두께(tS)는 광의 투과를 온전히 차단할 수 있으면 특별히 제한되지 않으나, 제1 두께(tT)와 제2 두께(tS)의 하한은 약 1.3㎛, 약 1.4㎛, 약 1.5㎛, 약 2.0㎛, 약 2.5㎛, 또는 약 3.0㎛일 수 있다.
또, 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210)의 길이(LS)는 격벽(110)의 높이(H110)보다 클 수 있다. 예를 들어, 격벽(110)의 측면(110s)을 따라 측정한 차광 부재(210)의 길이(LS)는 약 7.0㎛ 이상일 수 있다. 차광 부재(210)의 길이(LS)는 차광 부재(210)가 제3 방향(Z)으로의 충분한 높이 성분을 갖도록 할 수 있다. 비제한적인 일례에서, 차광 부재(210)의 최대 폭(W210)은 약 33㎛ 이하, 또는 약 28㎛ 이하, 또는 약 23㎛ 이하일 수 있다.
나아가, 격벽(110)의 높이(H110)는 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210)의 제1 두께(tT)의 약 2 배 이상, 또는 약 2.5 배 이상, 또는 약 3 배 이상일 수 있다. 충분한 흡광 특성을 나타낼 수 있는 정도의 차광 부재(210)의 두께(tT)보다 약 2 배 이상, 또는 약 2.5 배 이상, 또는 약 3 배 이상의 높이를 갖는 격벽(110)을 형성하여 충분한 두께를 갖는 색 변환 패턴(400)의 형성을 용이하게 할 수 있다. 또, 격벽(110)의 높이(H110)는 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210)의 제1 두께(tT)의 약 10 배 이하일 수 있다.
종래의 차광 부재의 경우 차광 부재 자체가 갖는 흡광 특성으로 인해 감광성 물질을 이용한 차광 부재의 노광 경화가 곤란하여, 충분한 두께(높이)를 갖는 차광 부재를 형성하는 것이 불가능하거나 공정이 복잡해지는 문제가 있었다. 예를 들어, 종래의 차광 부재의 경우 흡광도가 높은 차광 부재 재료를 이용할 경우 1.3㎛ 보다 큰 두께(높이)를 갖도록 형성할 수 없었고, 흡광도가 낮은 차광 부재 재료를 이용할 경우 온전한 차광 특성을 나타내지 못하고 빛샘 불량이 발생하는 문제가 있었다.
그러나 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 충분한 높이를 갖는 격벽(110)을 형성하고, 격벽(110)의 표면을 감싸도록 배치된 차광 부재(210)를 배치함으로써 차광 부재(210)의 높이 방향 길이를 격벽(110)의 높이 이상으로 형성할 수 있고 이를 통해 인접한 화소 간에 광 누설 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210) 표면의 소수성은 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210) 표면의 소수성보다 클 수 있다. 예를 들어, 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210) 표면에 결합된 단위 면적당 불소기 함량은 격벽(110)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210) 표면에 결합된 단위 면적당 불소기 함량에 비해 클 수 있다. 즉, 차광 부재(210) 표면의 영역별로 불소기 함량 차이를 통해 소수성 차이를 부여할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 색 변환 패턴(400)을 잉크젯 공정을 통해 형성하는 경우 잉크 조성물의 토출 위치에 상응하는 격벽(110)의 측면(110s) 부분은 잉크 조성물과의 친액성을 부여하고 격벽(110)의 상면(110t) 부분은 잉크 조성물과의 발액성을 부여하여 색 변환 패턴(400)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
차광 부재(210) 상에는 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)가 배치될 수 있다. 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고 다른 특정 파장 대역의 광의 투과는 차단하여, 입사광의 일부 파장 대역만을 선택적으로 투과시키는 파장-선택적 광학 필터이다. 제1 파장 대역 필터(310)는 제1 화소(PXa) 내의 격벽(110)이 형성하는 개구(110h) 내에 배치되고, 제2 파장 대역 필터(320)는 제2 화소(PXb) 내의 격벽(110)이 형성하는 개구(110h) 내에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)는 광원부(50)가 제공하는 제3 색의 피크 파장보다 긴 피크 파장을 갖는 광을 선택적으로 투과시키고, 제3 색의 광은 흡수하거나 반사할 수 있다.
예를 들어, 제1 파장 대역 필터(310)는 제1 화소(PXa) 내에 배치되어 제1 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 투과시키고 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 흡수할 수 있다. 제1 파장 대역 필터(310)의 적어도 일부는 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제1 파장 대역 필터(310)의 적어도 일부는 격벽(110)의 상면(110t)과 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다.
또, 제2 파장 대역 필터(320)는 제2 화소(PXb) 내에 배치되어 제2 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 투과시키고 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 흡수할 수 있다. 제2 파장 대역 필터(320)의 적어도 일부는 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제2 파장 대역 필터(320)의 적어도 일부는 격벽(110)의 상면(110t)과 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다.
제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)는 각각 특정 파장 대역의 광을 흡수하는 안료(colorant) 또는 염료(dye)를 포함하여 이루어질 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장 대역 필터(310)는 광원부(50)로부터 제공되어 후술할 제1 색 변환 패턴(410)으로 입사되는 제3 색의 광 중에서, 제1 색 변환 패턴(410)에 의해 색 변환되지 않고 그대로 투과된 제3 색의 광의 투과를 차단할 수 있다. 또, 제2 파장 대역 필터(320)는 광원부(50)로부터 제공되어 후술할 제2 색 변환 패턴(420)으로 입사되는 제3 색의 광 중에서, 제2 색 변환 패턴(420)에 의해 색 변환되지 않고 그대로 투과된 제3 색의 광의 투과를 차단할 수 있다. 이를 통해 제1 화소(PXa)가 표시하는 제1 색 및 제2 화소(PXb)가 표시하는 제2 색의 순도를 향상시켜 표시 장치(1)의 표시 품질을 개선할 수 있다.
제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)는 각각 적어도 부분적으로 격벽(110)의 상면(110t) 상에 배치될 수 있다. 즉, 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)는 각각 격벽(110)의 상면(110t)과 제3 방향(Z)으로 중첩될 수 있다. 격벽(110)의 정상부(즉, 상면)보다 상측으로 더욱 돌출된 제1 파장 대역 필터(310)와 제2 파장 대역 필터(320)는 개구(110h)의 깊이를 보다 깊게 형성할 수 있고 이를 통해 색 변환 패턴(400)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
한편, 제4 화소(PXd) 내에는 제3 파장 대역 필터(330)가 배치될 수 있다. 제3 파장 대역 필터(330)는 제1 파장 대역 필터(310)와 마찬가지로 제1 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 투과시키고 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 흡수할 수 있다. 제3 파장 대역 필터(330)는 제1 파장 대역 필터(310)와 제2 방향(Y)으로 이격될 수 있다.
제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320) 상에는 색 변환 패턴(400)이 배치될 수 있다. 색 변환 패턴(400)은 투과광의 색을 입사광과 상이한 색으로 변환시킬 수 있다. 즉, 색 변환 패턴(400)을 투과한 후의 광은 미리 정해진 특정 파장 대역의 광으로 변환될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 색 변환 패턴(400)은 입사광의 피크 파장을 미리 정해진 특정한 피크 파장으로 변환 또는 시프트(shift)시키는 물질, 즉 파장 시프트 물질(410p, 420p)을 포함할 수 있다. 파장 시프트 물질의 예로는 양자점 물질 또는 형광체 물질을 들 수 있다.
예를 들어, 양자점은 전자가 전도대에서 가전자대로 전이하면서 특정한 색을 방출할 수 있다. 상기 양자점 물질은 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 상기 코어는 반도체 나노 결정 물질일 수 있다. 상기 양자점의 코어의 예로는 규소(Si)계 나노 결정, II-VI족계 화합물 나노 결정, III-V족계 화합물 나노 결정 등을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 비제한적인 일례로, 파장 시프트 물질은 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴텔루라이드(CdTe), 황화카드뮴(CdS), 또는 인화인듐(InP) 중 어느 하나로 이루어진 코어와 황화아연(ZnS)으로 이루어진 외부 쉘을 포함하여 이루어질 수 있다.
색 변환 패턴(400)이 파장 시프트 물질(410p, 420p)을 포함하는 경우 색 변환 패턴(400)을 투과하여 제3 방향(Z)으로 진행하는 광의 적어도 일부는 파장 시프트 물질(410p, 420p)의 발광에 기여할 수 있다. 투과광이 파장 시프트 물질(410p, 420p)의 발광에 기여하는 정도를 크게 하기 위해서는 색 변환 패턴(400)이 충분한 두께(t400)를 갖는 것이 유리하다. 예를 들어, 색 변환 패턴(400)의 두께(t400)의 하한은 약 5.0㎛, 약 5.5㎛, 약 6.0㎛, 약 6.5㎛, 약 7.0㎛, 약 7.5㎛, 약 8.0㎛, 약 8.5㎛, 약 9.0㎛, 약 9.5㎛, 약 10.0㎛, 약 10.5㎛, 약 11.0㎛, 약 11.5㎛, 약 12.0㎛ 또는 약 15.0㎛일 수 있다. 상술한 것과 같이 격벽(110)을 충분한 높이로 형성함으로써 충분한 두께를 갖는 색 변환 패턴(400)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
색 변환 패턴(400)은 제1 색 변환 패턴(410) 및 제2 색 변환 패턴(420)을 포함할 수 있다. 제1 색 변환 패턴(410)은 제1 화소(PXa) 내의 격벽(110)이 형성하는 개구(110h) 내에 배치되고, 제2 색 변환 패턴(420)은 제2 화소(PXb) 내의 격벽(110)이 형성하는 개구(110h) 내에 배치될 수 있다.
제1 색 변환 패턴(410)은 제1 파장 시프트 물질(410p)을 포함할 수 있다. 제1 파장 시프트 물질(410p)은 제1 색의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 물질일 수 있다. 제1 파장 시프트 물질(410p)의 크기는 약 55Å 내지 65Å일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또 제2 색 변환 패턴(420)은 제2 파장 시프트 물질(420p)을 포함할 수 있다. 제2 파장 시프트 물질(420p)은 제2 색의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 물질일 수 있다. 제2 파장 시프트 물질(420p)의 크기는 약 40Å 내지 50Å일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 파장 시프트 물질(410p) 및 제2 파장 시프트 물질(420p)이 방출하는 광은 입사광의 입사각과 무관하게 여러 방향으로 방출되며 표시 장치(1)가 표시하는 제1 색 및 제2 색의 측면 시인성 개선에 기여할 수 있다. 제1 색 변환 패턴(410) 및 제2 색 변환 패턴(420)에서 시청자 측(도 4 기준 상측)으로 방출되는 광은 편광이 해소되어 비편광(unpolarized)된 상태일 수 있다. 본 명세서에서, '비편광된 광'이란 특정 방향의 편광 성분만으로 이루어지지 않은 광, 즉 특정 방향만으로 편광되지 않은 광, 다시 말해서 무작위화된 편광(random polarization) 성분으로 이루어진 광을 의미한다. 비편광된 광의 예로는 자연광(natural light)을 들 수 있다.
수평 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로 이격된 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이에는 차광 부재(210)가 개재된 상태일 수 있다. 즉, 제1 색 변환 패턴(410), 차광 부재(210) 및 제2 색 변환 패턴(420)은 적어도 부분적으로 수평 방향으로 중첩할 수 있다. 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이에 충분한 흡광 특성을 갖는 차광 부재(210)를 배치함으로써, 예를 들어, 제1 파장 시프트 물질(410p)이 방출한 광이 제2 색 변환 패턴(420) 측으로 진행하여 제2 화소(PXb)에서 제1 색이 표시되거나, 또는 제2 파장 시프트 물질(420p)이 방출한 광이 제1 색 변환 패턴(410) 측으로 진행하여 제1 파장 시프트 물질(410p)이 발광하는 불량을 억제할 수 있다.
한편, 제3 화소(PXc) 내의 격벽(110)이 형성하는 개구(110h) 내에는 투광 패턴(510)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 투광 패턴(510)은 제2 기판(BS2) 및 차광 부재(210) 상에 직접 배치될 수 있다. 투광 패턴(510)은 실질적인 투과광의 색 변환 없이 입사광의 색을 유지한 채 그대로 투과시킬 수 있다. 즉, 투광 패턴(510)을 투과한 후의 광은 광원부(50)가 제공한 제3 색을 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 투광 패턴(510)은 제2 입자상 물질(510p)들을 더 포함할 수 있다. 제2 입자상 물질(510p)은 투광 패턴(510)을 투과하는 광의 산란을 유도하는 광 산란 물질일 수 있다. 제2 입자상 물질(510p)은 투과광을 산란반사할 수 있는 물질이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 금속 산화물 입자 또는 유기 입자 등일 수 있다. 상기 금속 산화물로는 산화 티타늄, 산화 지르코늄, 산화 알루미늄, 산화 인듐, 산화 아연 또는 산화 주석 등을 예시할 수 있고, 상기 유기 재료로는 아크릴계 수지 또는 우레탄계 수지 등을 예시할 수 있다.
제2 입자상 물질(510p)은 광원부(50)로부터 제공되어 투광 패턴(510)을 투과하는 제3 색의 광의 파장을 변환시키지 않으면서, 입사각과 무관하게 여러 방향으로 산란시킴으로써 표시 장치(1)가 표시하는 제3 색의 측면 시인성을 개선할 수 있다. 투광 패턴(510)을 통해 시청자 측으로 방출되는 광은 비편광된 상태일 수 있다. 다른 실시예에서 투광 패턴(510)은 생략될 수도 있다.
수평 방향(예컨대, 제1 방향(X))으로 이격된 제2 색 변환 패턴(420)과 투광 패턴(510) 사이에는 차광 부재(210)가 개재된 상태일 수 있다. 즉, 제2 색 변환 패턴(420), 차광 부재(210) 및 투광 패턴(510)은 적어도 부분적으로 수평 방향으로 중첩할 수 있다. 제2 색 변환 패턴(420)과 투광 패턴(510) 사이에 충분한 흡광 특성을 갖는 차광 부재(210)를 배치함으로써, 예를 들어 제2 파장 시프트 물질(420p)이 방출한 광이 투광 패턴(510) 측으로 진행하여 제3 화소(PXc)에서 제2 색이 표시되거나, 투광 패턴(510)의 제2 입자상 물질(510p)에 의해 산란된 광이 제2 색 변환 패턴(420) 측으로 진행하여 제2 파장 시프트 물질(420p)이 발광하는 불량을 억제할 수 있다.
색 변환 패턴(400) 및 투광 패턴(510) 상에는 제4 파장 대역 필터(610)가 배치될 수 있다. 제4 파장 대역 필터(610)는 특정 파장 대역의 광은 투과시키고 다른 특정 파장 대역의 광의 투과는 차단하여, 입사광의 일부 파장 대역만을 선택적으로 투과시키는 파장-선택적 광학 필터이다.
예시적인 실시예에서, 제4 파장 대역 필터(610)는 광원부(50)가 제공하는 제3 색의 피크 파장보다 긴 피크 파장을 갖는 광은 선택적으로 반사하고, 제3 색의 광은 투과시킬 수 있다. 예를 들어, 제4 파장 대역 필터(610)는 제1 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광 및 제2 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 선택적으로 반사하고 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광은 투과시킬 수 있다. 제4 파장 대역 필터(610)는 무기 재료로 이루어진 하나 이상의 층을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제4 파장 대역 필터(610)는 교번적으로 적층된 복수의 저굴절층과 고굴절층을 포함하여 이루어질 수 있다. 본 명세서에서, '저굴절층'은 인접한 층에 비해 상대적으로 굴절률이 낮은 층을 의미하고, '고굴절층'은 인접한 층에 비해 상대적으로 굴절률이 높은 층을 의미한다. 저굴절층과 고굴절층의 재료 및 각 층의 두께와 두께 차이 및 각 층의 굴절률과 굴절률 차이 등을 통해 제4 파장 대역 필터(610)의 투과 파장 대역과 반사 파장 대역을 제어할 수 있다.
제4 파장 대역 필터(610)는 제1 색 변환 패턴(410), 제2 색 변환 패턴(420), 투광 패턴(510), 제1 파장 대역 필터(310), 제2 파장 대역 필터(320) 및 차광 부재(210)의 외측면을 따라 실질적으로 일정한 두께를 가지고 형성될 수 있다. 제4 파장 대역 필터(610)의 평균 두께는 약 0.5㎛ 이상 2.0㎛ 이하, 또는 약 1.0㎛일 수 있다. 제4 파장 대역 필터(610)는 제1 색 변환 패턴(410), 제2 색 변환 패턴(420), 투광 패턴(510) 및 차광 부재(210)와 적어도 부분적으로 맞닿아 접할 수 있다.
제4 파장 대역 필터(610)는 제1 파장 시프트 물질(410p) 및 제2 파장 시프트 물질(420p)이 여러 방향으로 방출하는 광 중에서 제4 파장 대역 필터(610) 측(도 4 기준 하측)으로 진행하는 광을 시청자 측으로 반사하여 색 표시에 기여하도록 할 수 있다. 이를 통해 광의 이용 효율을 증가시킬 수 있고 표시 장치(1)가 보다 선명한 색을 표현하도록 할 수 있다. 또, 광원부(50)가 제공하는 광 중에서 제3 색의 피크 파장을 갖는 광은 투과시키는 반면 제3 색보다 긴 피크 파장을 갖는 광의 투과를 차단함으로써 광원부(50)로부터 제공되는 광의 색 순도를 더욱 개선할 수 있는 효과가 있다.
제4 파장 대역 필터(610) 상에는 오버코팅층(OC)이 배치될 수 있다. 오버코팅층(OC)은 제2 기판(BS2) 상에 적층된 복수의 구성요소들의 단차를 최소화시키는 평탄화층일 수 있다. 오버코팅층(OC)은 하나 이상의 층을 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 오버코팅층(OC)은 복수의 층의 적층 구조일 수 있다. 오버코팅층(OC)은 평탄화 특성을 갖는 유기 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 오버코팅층(OC)은 카도(cardo)계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지 등의 유기 재료로 이루어질 수 있다. 오버코팅층(OC)은 화소(PXa, PXb, PXc)의 구분 없이 제4 파장 대역 필터(610) 상에 직접 배치될 수 있다.
오버코팅층(OC) 상에는 편광층(POL)이 배치될 수 있다. 편광층(POL)은 액정층(LCL) 및 액정층(LCL)과 광원부(50) 사이에 배치된 다른 편광층(미도시)과 함께 광 셔터 기능을 수행하여 각 화소(PXa, PXb, PXc) 별로 투과광의 양을 제어할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 편광층(POL)은 선 격자 패턴(wire grid pattern) 을 포함하여 이루어진 반사형 편광 소자일 수 있다. 본 명세서에서, '선 격자 패턴'은 상호 평행하게 연장되어 이격 배치된 복수의 선형 패턴을 의미한다. 상기 반사형 편광 소자는 투과축과 평행한 편광 성분은 투과시키고, 반사축과 평행한 편광 성분은 반사하여 투과광에 편광 상태를 부여할 수 있다. 다른 실시예에서, 편광층(POL)은 코팅형 편광 소자를 포함하여 이루어질 수도 있다.
편광층(POL)의 선 격자 패턴은 반사 특성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 선 격자 패턴은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 또는 이들의 합금 등으로 이루어질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 오버코팅층(OC)과 편광층(POL) 사이에는 제2 보호층(PS2)이 배치될 수 있다. 제2 보호층(PS2)은 오버코팅층(OC) 및 선 격자 패턴과 접할 수 있다. 제2 보호층(PS2)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 재료로 이루어질 수 있다. 제2 보호층(PS2)은 선 격자 패턴을 형성하는 과정에서 오버코팅층(OC)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또, 선 격자 패턴의 부착성을 개선하고 공기 또는 수분의 침투에 의한 선 격자 패턴의 손상 또는 부식을 방지함으로써 표시 장치(1)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또, 편광층(POL) 상에는 제3 보호층(PS3)이 배치될 수 있다. 제3 보호층(PS3)은 편광층(POL) 상에 직접 배치되어 선 격자 패턴을 커버 및 보호할 수 있다. 제3 보호층(PS3)은 공기 또는 수분의 침투에 의한 선 격자 패턴의 손상 또는 부식을 방지하고 편광층(POL)의 상면을 평탄화할 수 있다. 제3 보호층(PS3)은 질화규소 또는 산화규소 등의 무기 재료로 이루어질 수 있다.
제3 보호층(PS3) 상에는 공통 전극(CE)이 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 화소(PXa, PXb, PXc)의 구분 없이 일체로 형성되어 공통 전압이 인가될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 공통 전극(CE)은 제3 보호층(PS3) 상에 직접 배치되고 공통 전극(CE)은 투명 전극일 수 있다. 공통 전극(CE) 상에는 제2 액정 배향층(LCA2)이 배치되어 인접한 액정층(LCL) 내 액정(LC)의 초기 배향을 유도할 수 있다. 제2 액정 배향층(LCA2)은 제1 액정 배향층(LCA1)과 동일하거나 상이한 고분자 유기 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.
이하, 도 8을 더욱 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)가 색 표현을 구현하는 과정에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 8은 도 4의 제2 표시판을 투과하는 광의 경로를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 8을 참조하면, 광원부(50)는 제3 색의 광을 표시 패널(31)에 제공한다. 예시적인 실시예에서, 광원부(50)는 약 430nm 내지 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 제3 색의 광을 표시 패널(31)에 제공할 수 있다.
광원부(50)로부터 제공된 제3 색의 광 중에서, 표시 패널(31)의 제1 화소(PXa)로 입사된 광(La0)은 제4 파장 대역 필터(610)를 투과한 다음 제1 파장 시프트 물질(410p)에 의해 제1 색의 피크 파장으로 변환 또는 시프트된 후 입사각과 무관하게 여러 방향으로 방출될 수 있다.
구체적으로, 제1 파장 시프트 물질(410p)이 방출하는 광 중에서 제2 기판(BS2) 측(도 8 기준 상측)으로 출사된 광(La1)은 제1 파장 대역 필터(310)를 그대로 투과하여 제1 화소(PXa)의 제1 색 표시에 기여할 수 있다.
또, 제1 파장 시프트 물질(410p)이 방출하는 광 중에서 제4 파장 대역 필터(610) 측(도 8 기준 하측)으로 출사된 광(La2)은 제4 파장 대역 필터(610)에 의해 반사되어 제1 화소(PXa)의 제1 색 표시에 기여할 수 있다.
또한, 제1 파장 시프트 물질(410p)이 방출하는 광 중에서 제2 색 변환 패턴(420) 측(도 8 기준 좌/우측)으로 출사된 광(La3)은 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이에 배치된 차광 부재(210)에 의해 흡수되어 광 누설 불량이 방지될 수 있다.
마찬가지로, 광원부(50)로부터 제공된 제3 색의 광 중에서, 표시 패널(31)의 제2 화소(PXb)로 입사된 광(Lb0)은 제2 파장 시프트 물질(420p)에 의해 제2 색의 피크 파장으로 변환 또는 시프트되어 제2 화소(PXb)의 제2 색 표시에 기여할 수 있다.
광원부(50)로부터 제공된 제3 색의 광 중에서, 표시 패널(31)의 제3 화소(PXc)로 입사된 광(Lc0)은 제4 파장 대역 필터(610)를 투과한 다음 파장 변환 없이 투광 패턴(510)을 투과하여 제3 화소(PXc)의 제3 색 표시에 기여할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 대하여 설명한다. 다만, 전술한 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 실질적으로 동일한 구성에 대한 설명은 생략하며 이는 첨부된 도면으로부터 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다. 도면 상 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 9a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 9b는 도 9a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(2)는 격벽(120)의 측면(120s)이 곡면을 이루는 점이 도 1 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
구체적으로, 격벽(120)은 소정의 평탄면을 이루는 상면(120t) 및 상면(120t)으로부터 하향 경사진 측면(120s)을 가질 수 있다. 예시적인 실시예에서, 측면(120s)은 상면(120t)으로부터 완만한 경사를 이루다 점차 경사가 급해지고, 변곡점을 기준으로 다시 경사가 완만해지며 제2 기판(BS2)에 이를 수 있다. 이 경우 제2 기판(BS2) 표면에 대하여 격벽(120)의 측면(120s)이 이루는 평균 경사각(θ)의 상한은 약 85°, 약 80°, 약 70°, 약 60°, 또는 약 50°일 수 있다. 측면(120s)이 곡면을 이루는 경우 '평균 경사각'은 임의의 구간 내에서 기울기가 다른 여러 경사를 평균한 경사각을 의미하며, 격벽(120)의 측면(120s) 최하단에서부터 기울기가 없어지는 격벽(120)의 상면(120t)까지의 수평거리에 대한 고저차의 비로 나타낼 수 있다.
또, 격벽(120) 상에 배치되는 차광 부재(220)는 격벽(120)의 측면(120s)이 이루는 곡면을 따라 배치될 수 있다. 차광 부재(220) 상에 배치되는 제1 파장 대역 필터(311) 및 제2 파장 대역 필터(321) 또한 격벽(120)의 측면(120s)이 이루는 곡면을 따라 배치될 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 10a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 10b는 도 10a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)의 차광 부재(230) 표면은 소정의 거칠기를 갖는 점이 도 1 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 차광 부재(230)는 격벽(112) 상에 직접 배치되되, 차광 부재(230)의 격벽(112)과 맞닿아 접하는 제1 면(230a)의 거칠기는 그 반대면인 제2 면(230b)의 거칠기보다 작을 수 있다. 차광 부재(230)의 제2 면(230b)은 제1 파장 대역 필터(310), 제2 파장 대역 필터(320), 투광 패턴(510) 및/또는 제4 파장 대역 필터(610)와 맞닿아 접하는 면일 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 후술할 바와 같이 제2 기판(BS2) 측으로부터 광을 조사하는 배면 노광 공정을 통해 차광 부재(230)를 형성하는 경우 차광 부재(230)는 제1 면(230a) 측이 제2 면(230b) 측에 비해 우선적으로 경화될 수 있다. 즉, 격벽(112)과 맞닿아 접하는 차광 부재(230)의 제1 면(230a)은 광에 우선적으로 노출되어 경화되고, 차광 부재(230)를 투과하는 광은 점차 차광 부재(230)에 의해 흡수될 수 있다. 다시 말해서, 차광 부재(230) 자체가 갖는 흡광 특성으로 인해 차광 부재(230)를 투과하는 광량은 점차 감소하여 차광 부재(230)의 제2 면(230b) 측은 제1 면(230a) 측에 비해 노광 경화되는 정도가 작을 수 있다. 노광 경화 공정 후 경화된 차광 부재(230)를 현상하는 과정에서 상대적으로 경화 정도가 적고, 일정한 깊이를 나타내지 못하는 제2 면(230b)은 제1 면(230a)에 비해 큰 거칠기를 가질 수 있다.
차광 부재(230)의 제2 면(230b)의 거칠기는 차광 부재(230)를 경화하기 위해 조사되는 광의 세기 및/또는 조사 시간 등에 의해 조절될 수 있다. 차광 부재(230)의 어느 일면이 소정의 거칠기를 가질 경우, 차광 부재(230)의 두께(tT, tS)는 제1 면(230a)으로부터 제2 면(230b)의 철부까지의 거리로 표현될 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 4에 대응되는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(4)는 차광 부재(230) 상에 배치된 요철 패턴(700)을 더 포함하는 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 격벽(112)의 상면 상에 배치된 차광 부재(230) 상에는 요철 패턴(700)이 배치될 수 있다. 요철 패턴(700)은 평면상 상호 평행하여 이격 배치된 복수의 선형 패턴 형상이거나, 또는 평면상 대략 사각형 형상의 섬형 패턴이 매트릭스 배열 또는 무작위 배열된 상태일 수 있다.
요철 패턴(700)은 차광 부재(230) 표면에 소정의 소수성을 부여할 수 있다. 예를 들어, 격벽(112)의 상면 상에 배치된 차광 부재(230) 표면의 소수성은 격벽(112)의 측면 상에 배치된 차광 부재(230) 표면의 소수성보다 클 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 색 변환 패턴(410, 420)을 잉크젯 공정을 통해 형성하는 경우 격벽(112)의 상면 상에 배치된 요철 패턴(700)은 잉크 조성물이 접촉할 수 있는 표면적을 감소시켜 표면 에너지를 작게 할 수 있고, 이를 통해 색 변환 패턴(410, 420)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 12a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 12b는 도 12a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 12a 및 도 12b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(5)의 제1 파장 대역 필터(312) 및 제2 파장 대역 필터(322)는 격벽(112)의 상면(110t)과 중첩하지 않는 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제2 기판(BS2)의 일면을 기준으로 제1 파장 대역 필터(312)와 제2 파장 대역 필터(322)의 최고점의 레벨은 격벽(112)의 높이, 즉 격벽(112)의 상면(110t)의 레벨보다 낮게 위치할 수 있다. 이를 통해 제1 색 변환 패턴(410) 및 제2 색 변환 패턴(420)은 차광 부재(230)와 맞닿아 접할 수 있다.
차광 부재(230)의 표면이 부분적으로 상이한 소수성을 갖는 경우, 예를 들어 격벽(112)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(230)의 표면이 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(230)의 표면보다 큰 소수성을 갖는 경우, 제1 파장 대역 필터(312)와 제2 파장 대역 필터(322)에 의해 커버되지 않고 노출된 차광 부재(230)의 표면은 상기 소수성 정도에 의해 형성되는 피닝 포인트를 가질 수 있다. 이를 통해 색 변환 패턴(410, 420)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 13a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 13b는 도 13a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 13a 및 도 13b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(6)의 차광 부재(240)의 적어도 일부는 제2 기판(BS2)과 색 변환 패턴(410, 420) 사이에 배치되되, 제2 기판(BS2)과 색 변환 패턴(410, 420) 사이에 배치되는 차광 부재(240)의 일면은 제2 기판(BS2) 표면과 대략 평행한 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
구체적으로, 차광 부재(240)의 적어도 일부는 제2 기판(BS2)과 제1 파장 대역 필터(310) 사이에 배치되고, 제2 기판(BS2) 및 제1 파장 대역 필터(310)와 접할 수 있다. 이 경우 제2 기판(BS2)과 제1 파장 대역 필터(310) 사이에 배치되는 차광 부재(240)의 일면은 제2 기판(BS2) 표면과 대략 평행할 수 있다.
마찬가지로, 차광 부재(240)의 적어도 일부는 제2 기판(BS2)과 제2 파장 대역 필터(320) 사이에 배치되고, 제2 기판(BS2) 및 제2 파장 대역 필터(320)와 접할 수 있다. 이 경우 제2 기판(BS2)과 제2 파장 대역 필터(320) 사이에 배치되는 차광 부재(240)의 일면은 제2 기판(BS2) 표면과 대략 평행할 수 있다.
또, 차광 부재(240)의 적어도 일부는 제2 기판(BS2)과 투광 패턴(510) 사이에 배치되고, 제2 기판(BS2) 및 투광 패턴(510)과 접할 수 있다. 이 경우 제2 기판(BS2)과 투광 패턴(510) 사이에 배치되는 차광 부재(240)의 일면은 제2 기판(BS2) 표면과 대략 평행할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(6)는 제2 기판(BS2)과 접하는 차광 부재(240)의 최대 폭을 상대적으로 크게 형성할 수 있다. 이를 통해 표시 장치의 혼색 불량을 최소화할 수 있는 효과가 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 14a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 14b는 도 14a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 14a 및 도 14b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(7)의 차광 부재(250)는 제2 기판(BS2) 표면에 대해 수직한 제3 면(250s)을 더 갖는 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
차광 부재(250)는 격벽(112) 상에 직접 배치되되, 격벽(112)과 맞닿아 접하는 제1 면(250a) 및 그 반대면인 제2 면(250b)을 갖는다. 또, 차광 부재(250)는 제1 면(250a)과 제2 면(250b)을 연결하고 제2 기판(BS2) 표면에 대해 실질적으로 수직한 제3 면(250s)을 더 갖는다.
예시적인 실시예에서, 차광 부재(250)의 제3 면(250s)의 거칠기는 제2 면(250b)의 거칠기보다 작을 수 있다. 차광 부재(250)의 제2 면(250b) 및 제3 면(250s)은 모두 제1 파장 대역 필터(310), 제2 파장 대역 필터(320) 또는 투광 패턴(510)과 맞닿아 접할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(7)는 차광 부재(250)가 제3 방향(Z)으로의 높이 성분을 가져 이웃한 화소 간에 광이 진행하는 불량이 발생하는 것을 억제하면서도 색 표시를 위한 광이 방출되는 개구의 폭을 극대화할 수 있다. 이를 통해 광의 이용 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 15a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 15b는 도 15a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 15a 및 도 15b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(8)의 차광 부재(260)는 하측 단부에 형성된 언더컷(260U)을 갖는 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다. 본 명세서에서, '언더컷'은 구성요소의 하측 단부가 평면상 내측으로 만입되어 대략 버섯 형태의 단면을 이루는 것을 의미한다.
예시적인 실시예에서, 제1 파장 대역 필터(310)의 적어도 일부는 차광 부재(260)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 파장 대역 필터(310)는 차광 부재(260)와 제2 기판(BS2) 사이의 공간을 완전히 충진하지 못하고 공기층이 잔존할 수도 있다. 또, 차광 부재(260)는 부분적으로 제2 기판(BS2)과 맞닿아 접할 수 있다.
마찬가지로 제2 파장 대역 필터(320)의 적어도 일부는 차광 부재(260)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 또 투광 패턴(510)의 적어도 일부는 차광 부재(260)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다.
도 15a 및 도 15b는 차광 부재(260)의 언더컷(260U) 부분에서 차광 부재(260) 표면의 경사 방향이 격벽(112)의 측면(110s)의 경사 방향과 반대 방향인 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 언더컷(260U) 부분의 차광 부재(260) 표면은 제2 기판(BS2) 표면에 대략 수직하거나, 또는 격벽(112)의 측면(110s)과 동일한 방향의 경사를 가질 수도 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(8)는 차광 부재(260)가 제3 방향(Z)으로의 높이 성분을 가져 이웃한 화소 간에 광이 진행하는 불량이 발생하는 것을 억제하면서도 색 표시를 위한 광이 방출되는 개구의 폭을 극대화할 수 있다. 이를 통해 광의 이용 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 16a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 16b는 도 16a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 16a 및 도 16b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(9)는 차광 부재(260)의 언더컷 부분에 배치된 불투광성 물질층(810)을 더 포함하는 점이 도 15의 실시예에 따른 표시 장치(8)와 상이한 점이다.
불투광성 물질층(810)은 차광 부재(260)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 도 16a 및 도 16b는 불투광성 물질층(810)이 차광 부재(260), 제2 기판(BS2) 및 제1 파장 대역 필터(310)와 접하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
불투광성 물질층(810)은 차광 부재(260)와 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 불투광성 물질층(810)은 광의 투과를 적어도 부분적으로 차단할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금 등의 반사성 금속 재료일 수 있다.
불투광성 물질층(810)은 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이 및 제2 색 변환 패턴(420)과 투광 패턴(510) 사이에 배치될 수 있다. 불투광성 물질층(810)은 인접한 화소 간에 광 누설 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(9)는 인접한 화소 사이에 배치된 불투광성 물질층(810)을 포함하여, 예를 들어, 불투광성 물질층(810)이 반사성 금속 재료로 이루어진 경우 이웃한 화소 측으로 진행하는 광의 적어도 일부를 반사하여 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 17a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 17b는 도 17a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 17a 및 도 17b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(10)의 차광 부재(270)는 격벽(112)의 상면(110t) 상 및 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치되되, 제2 기판(BS2)과 이격된 점이 도 15의 실시예에 따른 표시 장치(8)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 차광 부재(270)는 격벽(112)을 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치되되, 격벽(112)의 측면(110s)을 완전히 커버하지 못하고 격벽(112)의 측면(110s)의 적어도 일부를 노출시키도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 파장 대역 필터(310)의 적어도 일부는 차광 부재(270)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 또, 제1 파장 대역 필터(310)는 제2 기판(BS2), 차광 부재(270) 및 격벽(112)의 측면(110s)과 접할 수 있다.
마찬가지로 제2 파장 대역 필터(320)의 적어도 일부는 차광 부재(270)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 제2 파장 대역 필터(320)는 제2 기판(BS2), 차광 부재(270) 및 격벽(112)의 측면(110s)과 접할 수 있다.
또, 투광 패턴(510)의 적어도 일부는 차광 부재(270)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 투광 패턴(510)은 제2 기판(BS2), 차광 부재(270) 및 격벽(112)의 측면(110s)과 접할 수 있다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 18a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 18b는 도 18a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(11)는 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치된 불투광성 물질층(820)을 더 포함하는 점이 도 17의 실시예에 따른 표시 장치(10)와 상이한 점이다.
불투광성 물질층(820)은 격벽(112)의 측면(110s) 상에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 불투광성 물질층(820)은 차광 부재(270)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 도 18은 불투광성 물질층(820)이 차광 부재(270), 제2 기판(BS2), 격벽(112) 및 제1 파장 대역 필터(310)와 접하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
불투광성 물질층(820)은 차광 부재(270)와 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 불투광성 물질층(820)은 광의 투과를 적어도 부분적으로 차단할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금 등의 반사성 금속 재료일 수 있다.
불투광성 물질층(820)은 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이 및 제2 색 변환 패턴(420)과 투광 패턴(510) 사이에 배치될 수 있다. 불투광성 물질층(820)은 인접한 화소 간에 광 누설 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(11)는 인접한 화소 사이에 배치된 불투광성 물질층(820)을 포함하여, 예를 들어, 불투광성 물질층(820)이 반사성 금속 재료로 이루어진 경우 이웃한 화소 측으로 진행하는 광의 적어도 일부를 반사하여 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 19a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 19b는 도 19a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 19a 및 도 19b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(12)는 격벽(130)이 하측 단부에 형성된 언더컷(130U)을 갖는 점이 도 15 등에 따른 실시예의 표시 장치(8)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 격벽(130)의 하측 단부는 그 내측으로 만입될 수 있다. 즉, 격벽(130)과 제2 기판(BS2)이 맞닿는 부분에서의 격벽(130)의 폭은 격벽(130)의 최대폭보다 작을 수 있다.
또, 제1 파장 대역 필터(313)의 적어도 일부는 격벽(130)과 제2 기판(BS2) 사이 및 차광 부재(280)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 파장 대역 필터(313)는 격벽(130)과 제2 기판(BS2) 사이의 공간을 완전히 충진하지 못하고 공기층이 잔존할 수도 있다. 차광 부재(280)는 제2 기판(BS2)과 이격된 상태일 수 있다.
예를 들어, 제1 파장 대역 필터(313)는 제2 기판(BS2), 차광 부재(280) 및 격벽(130)과 접할 수 있다.
마찬가지로 제2 파장 대역 필터(323)의 적어도 일부는 격벽(130)과 제2 기판(BS2) 사이 및 차광 부재(280)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 제2 파장 대역 필터(323)는 제2 기판(BS2), 차광 부재(280) 및 격벽(130)과 접할 수 있다.
또, 투광 패턴(510)의 적어도 일부는 격벽(130)과 제2 기판(BS2) 사이 및 차광 부재(280)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 투광 패턴(510)은 제2 기판(BS2), 차광 부재(280) 및 격벽(130)과 접할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(12)는 제1 파장 대역 필터(313)와 제2 기판(BS2)이 맞닿는 부분의 폭, 제2 파장 대역 필터(323)와 제2 기판(BS2)이 맞닿는 부분의 폭 및 투광 패턴(510)과 제2 기판(BS2)이 맞닿는 부분의 폭을 격벽(130)이 형성하는 개구의 폭보다 크게 형성할 수 있다. 이를 통해 이웃한 화소 간의 광 누설 불량 없이도 광 이용 효율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
도 20은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 20a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 20b는 도 20a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 20a 및 도 20b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(13)는 격벽(130)의 언더컷(130U) 부분에 배치된 불투광성 물질층(830)을 더 포함하는 점이 도 19의 실시예에 따른 표시 장치(12)와 상이한 점이다.
불투광성 물질층(830)은 격벽(130)과 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 도 20a 및 도 20b는 불투광성 물질층(830)이 제2 기판(BS2), 격벽(130) 및 제1 파장 대역 필터(313)와 접하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 불투광성 물질층(830)은 차광 부재(280)와 제2 기판(BS2) 사이에 위치할 수 있다.
불투광성 물질층(830)은 차광 부재(280)와 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 불투광성 물질층(830)은 광의 투과를 적어도 부분적으로 차단할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금 등의 반사성 금속 재료일 수 있다.
불투광성 물질층(830)은 제1 색 변환 패턴(313)과 제2 색 변환 패턴(323) 사이 및 제2 색 변환 패턴(323)과 투광 패턴(510) 사이에 배치될 수 있다. 불투광성 물질층(830)은 인접한 화소 간에 광 누설 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(13)는 인접한 화소 사이에 배치된 불투광성 물질층(830)을 포함하여, 예를 들어, 불투광성 물질층(830)이 반사성 금속 재료로 이루어진 경우 이웃한 화소 측으로 진행하는 광의 적어도 일부를 반사하여 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 21a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 21b는 도 21a의 A 영역을 확대한 도면이며, 도 21c는 도 6에 대응되는 단면도이다.
도 21a, 도 21b 및 도 21c를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(14)의 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)는 제2 기판(BS2)과 격벽(112) 사이에 배치된 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
제1 파장 대역 필터(314)는 제1 화소 내에 배치되되 격벽(112) 보다 하측(도 21a 기준 상측)에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 파장 대역 필터(314)의 적어도 일부는 격벽(112)과 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 격벽(112) 및 제2 기판(BS2)과 접할 수 있다.
또, 제2 파장 대역 필터(324)는 제2 화소 내에 배치되되 격벽(112) 보다 하측(도 21a 기준 상측)에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제2 파장 대역 필터(324)의 적어도 일부는 격벽(112)과 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 격벽(112) 및 제2 기판(BS2)과 접할 수 있다.
한편, 제3 파장 대역 필터(334)는 제4 화소 내에 배치되되 격벽(112) 보다 하측(도 21c 기준 상측)에 위치할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(14)는 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)가 각각 격벽(112) 보다 하측에 위치함으로써 차광 부재(290)의 노출되는 표면적을 증가시킬 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 색 변환 패턴(410, 420)을 잉크젯 공정을 통해 형성하는 경우 노출된 차광 부재(290) 표면이 갖는 발액성과 친액성을 이용하여 색 변환 패턴(410, 420)의 형성을 용이하게 할 수 있다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 22a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 22b는 도 22a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 22a 및 도 22b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(15)는 격벽(140) 및 차광 부재(295)가 하측 단부에 형성된 언더컷(140U)을 갖는 점이 도 21의 실시예에 따른 표시 장치(14)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 격벽(140)의 하측 단부는 그 내측으로 만입될 수 있다. 또, 제1 색 변환 패턴(410)의 적어도 일부는 격벽(140)과 제1 파장 대역 필터(314) 사이 및 차광 부재(295)와 제1 파장 대역 필터(314) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 색 변환 패턴(410)은 격벽(140)과 제1 파장 대역 필터(314) 사이의 공간을 완전히 충진하지 못하고 공기층이 잔존할 수도 있다. 차광 부재(295)는 제1 파장 대역 필터(314)와 이격된 상태일 수 있다. 예를 들어, 제1 색 변환 패턴(410)은 제1 파장 대역 필터(314), 차광 부재(295) 및 격벽(140)과 접할 수 있다.
마찬가지로 제2 색 변환 패턴(420)의 적어도 일부는 격벽(140)과 제2 파장 대역 필터(324) 사이 및 차광 부재(295)와 제2 파장 대역 필터(324) 사이에 삽입 배치되고, 제2 색 변환 패턴(420)은 제2 파장 대역 필터(324), 차광 부재(295) 및 격벽(140)과 접할 수 있다.
또, 투광 패턴(510)의 적어도 일부는 격벽(140)과 제2 기판(BS2) 사이 및 차광 부재(295)와 제2 기판(BS2) 사이에 삽입 배치되고, 투광 패턴(510)은 제2 기판(BS2), 차광 부재(295) 및 격벽(140)과 접할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(15)는 제1 색 변환 패턴(410)과 제1 파장 대역 필터(314)가 맞닿는 부분의 폭, 제2 색 변환 패턴(420)과 제2 파장 대역 필터(324)가 맞닿는 부분의 폭 및 투광 패턴(510)과 제2 기판(BS2)이 맞닿는 부분의 폭을 격벽(140)이 형성하는 개구의 폭보다 크게 형성할 수 있다. 이를 통해 이웃한 화소 간의 광 누설 불량 없이도 광 이용 효율을 개선할 수 있는 효과가 있다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 23a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 23b는 도 23a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 23a 및 도 23b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(16)는 격벽(140)의 언더컷(140U) 부분에 배치된 불투광성 물질층(840)을 더 포함하는 점이 도 22의 실시예에 따른 표시 장치(15)와 상이한 점이다.
불투광성 물질층(840)은 격벽(140)과 제1 파장 대역 필터(314) 사이 및 격벽(140)과 제2 파장 대역 필터(324) 사이에 삽입 배치될 수 있다. 도 23a 및 도 23b는 불투광성 물질층(840)이 제1 파장 대역 필터(314), 격벽(140) 및 제1 색 변환 패턴(410)과 접하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 불투광성 물질층(840)은 차광 부재(295)와 제1 파장 대역 필터(314) 사이에 위치할 수 있다.
불투광성 물질층(840)은 차광 부재(295)와 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 불투광성 물질층(840)은 광의 투과를 적어도 부분적으로 차단할 수 있는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금 등의 반사성 금속 재료일 수 있다.
불투광성 물질층(840)은 제1 색 변환 패턴(410)과 제2 색 변환 패턴(420) 사이 및 제2 색 변환 패턴(420)과 투광 패턴(510) 사이에 배치될 수 있다. 불투광성 물질층(840)은 인접한 화소 간에 광 누설 불량이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 뿐만 아니라, 본 실시예에 따른 표시 장치(16)는 인접한 화소 사이에 배치된 불투광성 물질층(840)을 포함하여, 예를 들어, 불투광성 물질층(840)이 반사성 금속 재료로 이루어진 경우 이웃한 화소 측으로 진행하는 광의 적어도 일부를 반사하여 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 24a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 24b는 도 24a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 24a 및 도 24b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(17)는 차광 부재(230) 상에 배치된 제1 투광층(910) 및 제1 투광층(910) 상에 배치된 제2 투광층(920)을 더 포함하는 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 투광층(910)은 차광 부재(230) 상에 직접 배치되고, 차광 부재(230)를 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 투광층(910)은 격벽(112)의 상면(110t) 상 및 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치될 수 있다. 제1 투광층(910)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 제1 투광층(910)은 제2 기판(BS2)과 맞닿아 접할 수 있다.
또, 제2 투광층(920)은 제1 투광층(910) 상에 직접 배치되고, 제1 투광층(910)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 투광층(920)은 격벽(112)의 상면(110t) 상 및 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치될 수 있다. 제2 투광층(920)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 제2 투광층(920)은 제2 기판(BS2)과 맞닿아 접할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 투광층(920)의 굴절률은 제1 투광층(910)의 굴절률보다 클 수 있다. 이를 통해 제1 투광층(910) 및 제2 투광층(920)에 소정의 광학 기능을 부여할 수 있다.
예를 들어, 제1 색 변환 패턴(410)이 파장 시프트 물질을 포함하는 경우에 파장 시프트 물질이 방출하는 광 중에서 제2 색 변환 패턴(420) 측으로 출사된 광은 제1 투광층(910)과 제2 투광층(920) 사이의 계면에서 적어도 일부가 반사되어 광 누설 불량을 억제할 수 있을 뿐만 아니라 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다. 또, 제1 투광층(910)과 제2 투광층(920) 사이의 계면을 투과한 광은 차광 부재(230)에 의해 흡수되어 광 누설 불량을 억제할 수 있다.
도 24a 및 도 24b는 차광 부재(230)와 제1 파장 대역 필터(310) 사이, 차광 부재(230)와 제2 파장 대역 필터(320) 사이, 및 차광 부재(230)와 투광 패턴(510) 사이에 두 개의 투광층(즉, 제1 투광층 및 제2 투광층)이 배치된 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 3개 이상의 투광층을 포함하여 각 계면에서의 전반사 기능을 부여할 수도 있다.
도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 도면으로서, 도 25a는 도 4에 대응되는 단면도이고, 도 25b는 도 25a의 A 영역을 확대한 도면이다.
도 25a 및 도 25b를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(18)는 차광 부재(230)와 격벽(112) 사이에 배치된 제1 투광층(930) 및 제2 투광층(940)을 더 포함하는 점이 도 10의 실시예에 따른 표시 장치(3)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 투광층(930)은 격벽(112) 상에 직접 배치되고, 격벽(112)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 투광층(930)은 격벽(112)의 상면(110t) 상 및 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치될 수 있다. 제1 투광층(930)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 제1 투광층(930)은 제2 기판(BS2)과 맞닿아 접할 수 있다.
또, 제2 투광층(940)은 제1 투광층(930) 상에 직접 배치되고, 제1 투광층(930)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 투광층(940)은 격벽(112)의 상면(110t) 상 및 격벽(112)의 측면(110s) 상에 배치될 수 있다. 제2 투광층(940)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 제2 투광층(940)은 제2 기판(BS2)과 맞닿아 접할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 투광층(940)의 굴절률은 제1 투광층(930)의 굴절률보다 클 수 있다. 이를 통해 제1 투광층(930) 및 제2 투광층(940)에 소정의 광학 기능을 부여할 수 있다.
예를 들어, 제1 색 변환 패턴(410)이 파장 시프트 물질을 포함하는 경우에 파장 시프트 물질이 방출하는 광 중에서 제2 색 변환 패턴(420) 측으로 출사된 광은 차광 부재(230)에 의해 흡수되어 광 누설 불량을 억제할 수 있다. 또, 차광 부재(230)에 의해 완전히 차광되지 못하고 차광 부재(230)를 투과한 광은 제1 투광층(930)과 제2 투광층(940) 사이의 계면에서 반사되어 광 누설 불량을 억제할 수 있을 뿐만 아니라 광의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.
도 25a 및 도 25b는 차광 부재(230)와 격벽(112) 사이에 두 개의 투광층(즉, 제1 투광층 및 제2 투광층)이 배치된 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 3개 이상의 투광층을 포함하여 각 계면에서의 전반사 기능을 부여할 수도 있다.
이하, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 기판의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계, 상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴 상에 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계, 및 상기 기판의 타면 측으로부터 광을 조사하는 단계로서, 상기 불투광성 물질 패턴을 차광 마스크로 이용하여 상기 격벽 패턴의 상면 및 측면 상에 배치된 차광 부재를 형성하는 단계를 포함하고, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 상기 기판의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시키는 단계, 상기 기판의 노출된 상기 일면 상에 잉크 조성물을 토출하는 단계로서, 파장 시프트 물질을 포함하는 잉크 조성물을 토출하는 단계 및 상기 잉크 조성물을 경화시켜 색 변환 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 26a 내지 도 26o는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 26a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면(도 26a 기준 상면) 상에 불투광성 물질층(800)을 형성한다. 불투광성 물질층(800)은 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금 등의 반사성 금속 재료이거나, 또는 불투광성 유기 재료로 이루어질 수 있다. 불투광성 물질층(800)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 스퍼터링 등의 증착 방법을 예시할 수 있다.
다음으로 도 26b를 참조하면, 불투광성 물질층(800) 상에 감광층(850)을 형성한다. 감광층(850)을 형성하는 단계는 감광성 조성물(미도시)을 도포하는 단계 및 감광성 조성물을 프리베이크하는 단계를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 감광성 조성물 및 감광층(850)은 포지티브 감광성 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.
다음으로 도 26c를 참조하면, 개구를 갖는 마스크(M1)를 배치하고 광을 조사하여 감광성 패턴층(851)을 형성한다. 감광성 패턴층(851)을 형성하는 단계는 마스크(M1)를 노광 마스크로 이용하여 감광층(850)에 광을 조사하는 단계 및 현상액(stripper)을 도포하여 감광성 패턴층(851)을 현상하는 단계를 포함할 수 있다. 감광층(850)이 포지티브 감광성 재료를 포함하여 이루어지는 예시적인 실시예에서, 마스크(M1)의 개구를 통해 광이 조사되는 노광 부위에서 고분자 간의 결합이 적어도 부분적으로 끊어지며 상기 노광 부위가 현상액에 의해 제거될 수 있다.
다음으로 도 26d를 참조하면, 감광성 패턴층(852)을 식각 마스크로 이용하여 불투광성 물질 패턴(801)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(801)을 형성하는 단계는 식각 공정을 통해 불투광성 물질 패턴(801)을 패터닝하는 단계일 수 있다. 상기 식각 공정은 건식 식각 공정 또는 습식 식각 공정을 사용할 수 있다. 이를 통해 기판(BS2)의 상기 일면의 적어도 일부를 노출하는 불투광성 물질 패턴(801)을 형성할 수 있다.
다음으로 도 26e를 참조하면, 불투광성 물질 패턴(801) 상에 유기층(100)을 형성한다. 유기층(100)을 형성하는 단계는 유기층 형성용 조성물(미도시)을 도포하는 단계 및 상기 조성물을 프리베이크하는 단계를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 유기층 형성용 조성물 및 유기층(100)은 네거티브 감광성 재료를 포함하여 이루어질 수 있다.
예를 들어, 유기층 형성용 조성물은 광 중합성 화합물, 광 중합 개시제 및 용매를 포함하고, 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. 광 중합성 화합물은 중합 가능한 단량체 화합물로서, 단관능 단량체, 이관능 단량체 및 단관능 단량체 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 단관능 단량체는 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다. 또, 이관능 단량체의 예로는 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 다관능 단량체의 예로는 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
광 중합 개시제는 특별히 제한되지 않으나, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진 등의 트리아진계 개시제 화합물, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 2-히드록시-1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-메틸프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판-1-온의 올리고머 등의 아세토페논계 개시제 화합물, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(트리알콕시페닐)비이미다졸, 4,4',5,5' 위치의 페닐기가 카르보알콕시기에 의해 치환되어 있는 이미다졸 화합물 등의 비이미다졸계 개시제 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
또, 유기층(100)은 투광성을 가질 수 있다. 유기층(100)의 광 투과율은 약 90% 이상, 약 95% 이상, 약 98% 이상 또는 약 99% 이상일 수 있다. 유기층(100)을 이루는 재료는 우수한 광 투과율을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 에폭시계 수지, 아크릴계 수지 또는 이미드계 수지 등의 유기 물질일 수 있다.
몇몇 실시예에서, 상기 유기층 형성용 조성물 및 유기층(100)은 그 내부에 분산된 입자상 물질(110p)을 포함할 수 있다.
다음으로 도 26f를 참조하면, 기판(BS2) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계는 마스크(M1)를 노광 마스크로 이용하여 유기층(100)에 광을 조사하는 단계 및 현상액을 도포하여 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 유기층 형성용 조성물 및 유기층(100)이 네거티브 감광성 재료를 포함하여 이루어지는 예시적인 실시예에서, 마스크(M1)는 불투광성 물질 패턴(801)을 형성하는 단계에서 사용한 마스크와 동일한 마스크이고, 마스크(M1)의 개구를 통해 광이 조사되는 부위에서 경화가 발생하고 그 외 부분이 현상액에 의해 제거될 수 있다. 본 단계에서, 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(801)은 서로 이격된 상태이고, 기판(BS2)의 상기 일면의 적어도 일부는 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(801)에 의해 커버되지 않고 노출될 수 있다. 이를 통해 기판(BS2)의 노출된 일면 상에 격벽 패턴(112)을 형성할 수 있다. 본 실시예에 따를 경우 하나의 마스크만을 이용하여 격벽 패턴(112)과 불투광성 패턴(801)을 형성할 수 있어 제조 비용을 절감할 수 있다.
격벽 패턴(112)은 후술할 잉크 토출 공정에서 잉크 조성물의 정렬에 도움을 줄 수 있다. 즉, 격벽 패턴(112)은 잉크 조성물을 원하는 위치에 정확히 토출하고 안정적으로 위치시키기 위한 가이드 역할을 할 수 있다. 격벽 패턴(112)의 높이의 하한은 약 5.0㎛, 약 5.5㎛, 약 6.0㎛, 6.5㎛, 약 7.0㎛, 약 7.5㎛, 약 8.0㎛, 약 8.5㎛, 약 9.0㎛, 약 9.5㎛, 약 10.0㎛, 약 10.5㎛, 약 11.0㎛, 약 11.5㎛, 약 12.0㎛ 또는 약 15.0㎛일 수 있다. 또, 격벽 패턴(112)은 소정의 평탄면을 이루는 상면(110t) 및 상면(110t)으로부터 하향 경사진 측면(110s)을 포함할 수 있다. 기판(BS2) 표면에 대하여 격벽 패턴(112)의 측면(110s)이 이루는 평균 경사각은 약 30° 내지 85°일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 격벽 패턴(112)은 평면상 제1 방향으로 연장된 제1 격벽부 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 격벽부를 포함하여 평면상 대략 격자 형상일 수 있다.
그 외 격벽 패턴(112)에 대해서는 도 1 내지 도 8의 격벽과 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 26g를 참조하면, 격벽 패턴(112) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다. 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계는 약 50℃ 내지 120℃의 온도에서 약 60초 내지 200초 동안 수행될 수 있다.
격벽 패턴(112) 상에 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하는 단계는, 상기 조성물(200)을 격벽 패턴(112)의 높이보다 높은 두께로 도포하는 단계일 수 있다. 즉, 상기 조성물(200)이 격벽 패턴(112)의 상면(110t)을 커버할 수 있도록 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하는 단계일 수 있다. 본 단계에서, 차광 부재 형성용 조성물(200)은 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(801) 사이의 이격 공간을 적어도 부분적으로 충진할 수 있다.
차광 부재 형성용 조성물(200)은 블랙 안료 또는 염료 등의 착색제, 광 중합성 화합물, 광 중합 개시제 및 용매를 포함하고, 절연성 입자 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
블랙 안료 또는 염료 등의 착색제의 예로는 카본 블랙, 티탄 블랙, 리그닌 블랙, 페릴렌 블랙, 시아닌 블랙, 철/망간 등의 복합산화물 안료 등의 무기 안료 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
광 중합성 화합물은 중합 가능한 단량체 화합물로서, 단관능 단량체, 이관능 단량체 및 단관능 단량체 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 단관능 단량체는 노닐페닐카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실카르비톨아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 등을 들 수 있다. 또, 이관능 단량체의 예로는 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 비스페놀A의 비스(아크릴로일옥시에틸)에테르, 3-메틸펜탄디올디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또, 다관능 단량체의 예로는 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타(메타)아크릴레이트, 에톡실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 프로폭실레이티드디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
광 중합 개시제는 특별히 제한되지 않으나, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시페닐)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시나프틸)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-피페로닐-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(4-메톡시스티릴)-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(5-메틸퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(퓨란-2-일)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진, 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[2-(3,4-디메톡시페닐)에테닐]-1,3,5-트리아진 등의 트리아진계 개시제 화합물, 디에톡시아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 2-히드록시-1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-메틸프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온, 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판-1-온의 올리고머 등의 아세토페논계 개시제 화합물, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2,3-디클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(알콕시페닐)비이미다졸, 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라(트리알콕시페닐)비이미다졸, 4,4',5,5' 위치의 페닐기가 카르보알콕시기에 의해 치환되어 있는 이미다졸 화합물 등의 비이미다졸계 개시제 화합물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
다음으로 도 26h를 참조하면, 기판(BS2)의 배면(도 26h 기준 하면) 측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(210)를 형성한다. 차광 부재(210)를 형성하는 단계는 불투광성 물질 패턴(801)을 차광 마스크로 이용하여 차광 부재(210)를 형성하는 단계일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 차광 부재(210)를 형성하는 단계는, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하는 단계, 상기 광이 기판(BS2)을 투과하는 단계, 상기 광이 격벽 패턴(112)으로 입사되는 단계, 상기 광이 격벽 패턴(112)의 상면(110t)을 투과하는 단계 및 상기 광이 격벽 패턴(112)의 측면(110s)을 투과하는 단계를 포함할 수 있다.
불투광성 물질 패턴(801) 측으로 입사된 광은 불투광성 물질 패턴(801)에 의해 차광되어 차광 부재 형성용 조성물의 경화에 기여하지 못할 수 있다. 반면 우수한 광 투과율을 갖는 격벽 패턴(112) 측으로 입사된 광은 격벽 패턴(112)의 상면(110t)과 측면(110s)을 통해 차광 부재 형성용 조성물의 경화에 기여할 수 있다. 차광 부재 형성용 조성물 측으로 진행하는 광은 차광 부재 형성용 조성물을 경화시키고, 소정 거리 더 진행한 후 차광 부재 형성용 조성물이 갖는 자체의 흡광 특성으로 인해 점차 소광될 수 있다. 이에 따라 격벽 패턴(112)의 상면(110t) 및 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210)를 형성하고 격벽 패턴(112)에 비해 상대적으로 먼측에 위치하는 부분은 차광 부재 형성용 조성물(201) 상태를 유지하고 있을 수 있다.
몇몇 실시예에서, 조사되는 광의 세기와 조사 시간 등을 통해 차광 부재(210)의 두께와 차광 부재(210) 표면의 거칠기를 제어할 수 있다.
본 실시예에 따른 격벽 패턴(112)은 경사진 측면(110s)을 가질 수 있다. 이를 통해 격벽 패턴(112)의 상면(110t) 뿐만 아니라 측면(110s)을 통해서도 충분한 양의 광이 투과하도록 할 수 있다. 또, 격벽 패턴(112)이 그 내부에 분산된 입자상 물질(110p)을 포함하는 경우 입자상 물질(110p)에 의해 산란/확산된 광은 광이 여러 방향으로 퍼지는 것을 용이하게 할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 격벽 패턴(112)의 상면(110t) 상에 배치된 차광 부재(210)의 두께는 격벽 패턴(112)의 측면(110s) 상에 배치된 차광 부재(210)의 두께보다 클 수 있다.
차광 부재(210)에 대해서는 도 1 내지 도 8와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 26i를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다. 이를 통해 기판(BS2), 기판(BS2) 상에 배치된 격벽 패턴(112) 및 격벽 패턴(112)을 둘러싸도록 배치된 차광 부재(210) 및 불투광성 물질 패턴(801)을 형성할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거하는 단계 후에 차광 부재(210)를 하드베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로 도 26j를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거한다. 불투광성 물질 패턴을 제거하는 단계는 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시키는 단계일 수 있다. 불투광성 물질 패턴을 제거하는 단계는 습식 식각 공정을 통해 불투광성 물질 패턴을 제거하는 단계일 수 있다. 이를 통해 기판(BS2), 기판(BS2) 상에 배치된 격벽 패턴(112) 및 격벽 패턴(112)을 둘러싸도록 배치된 차광 부재(210)만을 남길 수 있다.
다음으로 도 26k를 참조하면, 격벽 패턴(112)이 형성하는 개구 중 적어도 일부에 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)를 형성한다. 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)를 형성하는 방법은 감광성 유기 재료를 이용하여 포토 공정을 통해 패터닝하거나, 또는 잉크젯 공정을 통해 형성하는 방법을 예시할 수 있다. 제1 파장 대역 필터(310) 및 제2 파장 대역 필터(320)에 대해서는 도 1 내지 도 8과 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 26l을 참조하면, 격벽 패턴(112)이 형성하는 개구에 제1 잉크 조성물(401), 제2 잉크 조성물(402) 및 제3 잉크 조성물(500)을 토출한다. 제1 잉크 조성물(401) 내지 제3 잉크 조성물(500)은 각각 순차적으로 토출되거나 또는 동시에 토출될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 잉크 조성물(401)은 제1 색의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 제1 파장 시프트 물질(410p)을 포함하고, 제2 잉크 조성물(402)은 제2 색의 피크 파장을 갖는 광을 방출하는 제2 파장 시프트 물질(420p)을 포함하며, 제3 잉크 조성물(500)은 입자상 물질(510p)을 포함할 수 있다.
격벽 패턴(112) 자체가 충분한 높이를 가지기 때문에 제1 잉크 조성물(401) 내지 제3 잉크 조성물(500)은 원하는 위치에 정확히 토출될 수 있다.
다음으로 도 26m을 참조하면, 전술한 잉크 조성물들을 건조 및 경화(curing)하여 제1 색 변환 패턴(410), 제2 색 변환 패턴(420) 및 투광 패턴(510)을 형성한다. 제1 색 변환 패턴(410), 제2 색 변환 패턴(420) 및 투광 패턴(510)에 대해서는 도 1 내지 도 8과 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 26n을 참조하면, 제1 색 변환 패턴(410), 제2 색 변환 패턴(420) 및 투광 패턴(510) 상에 제4 파장 대역 필터(610), 오버코팅층(OC), 편광층(POL) 및 공통 전극(CE) 등을 순차 형성하여 제2 표시판(SUB2)을 준비한다. 제2 표시판(SUB2) 내 각 구성요소에 대해서는 도 1 내지 도 8과 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 26o를 참조하면, 스위칭 소자(Q) 및 화소 전극(PE)을 포함하는 제1 표시판(SUB1)을 준비하고, 제1 표시판(SUB1)과 제2 표시판(SUB2) 사이에 액정층(LCL)을 개재하여 표시 패널을 준비한다. 제1 표시판(SUB1)과 제2 표시판(SUB2)은 실링 부재(미도시)에 의해 합착될 수 있다.
제1 표시판(SUB1)과 제2 표시판(SUB2) 사이에 액정층(LCL)을 위치시키는 방법은 예를 들어, 제1 표시판(SUB1) 또는 제2 표시판(SUB2) 상에 액정(LCL)을 포함하는 액정 조성물을 적하한 후 제1 표시판(SUB1)과 제2 표시판(SUB2)을 합착하는 방법을 예시할 수 있다. 도면에 도시하지 않았으나, 제1 표시판(SUB1) 상에 광원부(미도시)를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 27은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 27a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(801)을 형성한다. 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(801)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26a 내지 도 26f와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 27b를 참조하면, 격벽 패턴(112) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로 도 27c를 참조하면, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)의 표면을 전체적으로 불소 처리한다. 불소 처리하는 단계는 사불화탄소(CF4) 가스를 분사하는 단계일 수 있다. 본 단계에서 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)의 노출 표면(상측 표면)의 전체적인 불소기 함량이 증가할 수 있다.
다음으로 도 27d를 참조하면, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(210)를 형성한다. 차광 부재(210)를 형성하는 단계에 대해서는 도 26h와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 27e를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다.
잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한 후 노출된 차광 부재(210)는 부분적으로 불소기 함량이 상이할 수 있다. 예를 들어, 불소 처리에 노출된 격벽 패턴(112)의 상면 상에 배치된 차광 부재(210) 표면의 단위 면적 당 불소기 함량은 불소 처리에 노출되지 않은 격벽 패턴(112)의 측면 상에 배치된 차광 부재(210) 표면의 단위 면적 당 불소기 함량보다 클 수 있다.
다음으로 도 27f를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 28a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(801)을 형성한다. 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(801)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26a 내지 도 26f와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 28b를 참조하면, 격벽 패턴(112) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로 도 28c를 참조하면, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(210)를 형성한다. 차광 부재(210)를 형성하는 단계에 대해서는 도 26h와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 28d를 참조하면, 차광 부재(210) 및 미경화된 부분(201) 상에 수지층(750)을 형성한다. 수지층(750)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 UV 경화성 수지 재료를 도포하는 방법을 예시할 수 있다.
다음으로 도 28e를 참조하면, 스탬프(ST)를 이용하여 패턴화된 수지층(750)을 형성한다. 스탬프(ST)는 제조하고자 하는 요철 패턴의 역상 패턴이 형성된 상태일 수 있다. 스탬프(ST)를 수지층의 일면 상에 배치 및 압착하여 스탬프(ST) 패턴의 역상 패턴을 전사할 수 있다.
다음으로 도 28f를 참조하면, 스탬프를 제거하여 차광 부재(210) 및 미경화된 부분(201) 상에 요철 패턴층(751)을 형성한다.
다음으로 도 28g를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거하여 차광 부재(210) 상에 배치된 요철 패턴(700)을 형성한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다.
잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거하는 단계에서 미경화된 부분과 중첩하는 요철 패턴층은 제거되고 이미 경화가 완료된 차광 부재(210)의 표면 상에 요철 패턴(700)이 잔존할 수 있다.
다음으로 도 28h를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 29a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 배치된 불투광성 물질층(800) 및 감광성 패턴층(851)을 형성한다. 불투광성 물질층(800) 및 감광성 패턴층(851)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26a 내지 도 26c와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 29b를 참조하면, 감광성 패턴층(852)을 식각 마스크로 이용하여 불투광성 물질 패턴(802)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(852)을 형성하는 단계는 식각 공정을 통해 불투광성 물질 패턴(802)을 패터닝하는 단계일 수 있다. 예시적인 실시예에서, 불투광성 물질 패턴(802)의 측면은 역경사를 가질 수 있다. 불투광성 물질 패턴(802)의 측면 형상은 식각 공정의 종류, 식각액, 식각 시간, 식각 조건 등을 이용하여 제어할 수 있다. 다만, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 불투광성 물질 패턴(802)의 측면은 정경사를 갖거나 또는 기판(BS2) 표면에 대하여 실질적으로 수직할 수도 있다.
다음으로 도 29c를 참조하면, 불투광성 물질 패턴(802) 상에 유기층(100)을 형성한다. 유기층(100)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26e와 함께 상술한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 29d를 참조하면, 기판(BS2) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계는 마스크(M1)를 노광 마스크로 이용하여 유기층(100)에 광을 조사하는 단계 및 현상액을 도포하여 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 본 단계에서, 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(802)은 서로 이격된 상태이고, 기판(BS2)의 상기 일면의 적어도 일부는 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(802)에 의해 커버되지 않고 노출될 수 있다.
다음으로 도 29e를 참조하면, 격벽 패턴(112) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 단계에서, 차광 부재 형성용 조성물(200)은 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(802) 사이의 이격 공간을 적어도 부분적으로 충진할 수 있다.
다음으로 도 29f를 참조하면, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(240)를 형성한다. 차광 부재(240)를 형성하는 단계에 대해서는 도 26h와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 29g를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다.
다음으로 도 29h를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 30은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 30a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 불투광성 물질 패턴(803)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(803)의 측면은 기판(BS2) 표면에 대하여 실질적으로 수직할 수 있다. 불투광성 물질 패턴(803)을 형성하는 방법에 대해서는 도 26a 내지 도 26d와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 30b를 참조하면, 기판(BS2) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 본 단계에서, 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(803)은 적어도 부분적으로 서로 맞닿아 접한 상태일 수 있다. 즉, 기판(BS2)의 상기 일면은 격벽 패턴(112)과 불투광성 물질 패턴(803)에 의해 완전히 커버된 상태일 수 있다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26e 및 도 26f와 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 30c를 참조하면, 격벽 패턴(112) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로 도 30d를 참조하면, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(250)를 형성한다. 수직한 측면을 갖는 불투광성 물질 패턴(803)이 격벽 패턴(112)과 맞닿아 접하는 경우 차광 부재(250)의 측면 또한 불투광성 물질 패턴(803)과 같이 수직하게 형성될 수 있다. 차광 부재(250)를 형성하는 단계에 대해서는 도 26h와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 30e를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다.
다음으로 도 30f를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 31은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 31a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 불투광성 물질 패턴(803)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(803)을 형성하는 방법에 대해서는 도 26a 내지 도 26d와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 31b를 참조하면, 기판(BS2) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26e 및 도 26f와 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 31c를 참조하면, 격벽 패턴(112) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로 도 31d를 참조하면, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(260)를 형성한다. 예시적인 실시예에서, 차광 부재(260)는 적어도 부분적으로 불투광성 물질 패턴(804)과 중첩할 수 있다. 차광 부재(260)를 형성하는 단계에 대해서는 도 26h와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 31e를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다.
다음으로 도 31f를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다. 이를 통해 기판(BS2) 상에 배치된 격벽 패턴(112) 및 격벽 패턴(112) 상에 배치되되 언더컷 부분을 갖는 차광 부재(260)를 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 32는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 32a 내지 도 32e를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(804)을 형성한 후, 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하고 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(260)를 형성한다. 차광 부재(260)는 적어도 부분적으로 불투광성 물질 패턴(804)과 중첩할 수 있다. 본 단계들에 대하여는 도 31a 내지 도 31e와 실질적으로 동일하기 때문에 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 32f를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다. 예시적인 실시예에서, 차광 부재(260)의 언더컷 부분에는 적어도 부분적으로 불투광성 물질층(810)이 잔존할 수 있다. 이를 통해 차광 부재(260)와 기판(BS2) 사이에 배치된 불투광성 물질층(810)을 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 33는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 33a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 불투광성 물질 패턴(805)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(805)을 형성하는 방법에 대해서는 도 26a 내지 도 26d와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 33b를 참조하면, 기판(BS2) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 격벽 패턴(112)은 적어도 부분적으로 불투광성 물질 패턴(805)과 중첩할 수 있다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26e 및 도 26f와 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 33c 내지 도 33e를 참조하면, 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하고, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(280)를 형성하고, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다.
다음으로 도 33f를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다. 이를 통해 기판(BS2) 상에 배치되되 언더컷 부분을 갖는 격벽 패턴(112) 및 격벽 패턴(112) 상에 배치되는 차광 부재(280)를 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 34는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 34a 내지 도 34e를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(805)을 형성한 후, 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하고 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(280)를 형성한다. 격벽 패턴(112)은 적어도 부분적으로 불투광성 물질 패턴(805)과 중첩할 수 있다. 본 단계들에 대하여는 도 33a 내지 도 33e와 동일하기 때문에 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 34f를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다. 예시적인 실시예에서, 격벽 패턴(112)의 언더컷 부분에는 적어도 부분적으로 불투광성 물질층(830)이 잔존할 수 있다. 이를 통해 격벽 패턴(112)과 기판(BS2) 사이에 배치된 불투광성 물질층(830)을 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 35는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 35a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면(도 35a 기준 상면) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계는 유기층을 형성하는 단계 및 상기 유기층을 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다. 이를 통해 기판(BS2)의 상기 일면의 적어도 일부를 노출하는 격벽 패턴(112)을 형성할 수 있다.
다음으로 도 35b를 참조하면, 기판(BS2) 및 격벽 패턴(112) 상에 불투광성 물질층(806)을 형성한다. 불투광성 물질층(806)은 반사성 금속 재료이거나 또는 불투광성 유기 재료로 이루어질 수 있다. 불투광성 물질층(806)을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 스퍼터링 등의 증착 방법을 예시할 수 있다.
다음으로 도 35c를 참조하면, 불투광성 물질 패턴(807)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(807)을 형성하는 단계는 식각 마스크를 배치하는 단계 및 식각 마스크를 이용하여 불투광성 물질층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 불투광성 물질 패턴(807)은 적어도 부분적으로 격벽 패턴(112) 상에 배치될 수 있다. 즉, 불투광성 물질 패턴(807)은 적어도 부분적으로 격벽 패턴(112)과 중첩할 수 있다. 이를 통해 기판(BS2)의 노출된 일면 상에 불투광성 물질 패턴(807)을 형성할 수 있다.
다음으로 도 35d를 참조하면, 불투광성 물질 패턴(807) 상에 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포한다. 몇몇 실시예에서, 도포된 차광 부재 형성용 조성물(200)을 프리베이크하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로 도 35e를 참조하면, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(270)를 형성한다. 차광 부재(270)를 형성하는 단계에 대해서는 도 26h와 함께 상세하게 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 35f를 참조하면, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다. 상기 조성물을 제거하는 단계는 현상액을 도포하여 상기 잔여 조성물을 제거하는 단계일 수 있다.
다음으로 도 35g를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다. 이를 통해 기판(BS2)과 이격된 차광 부재(270)를 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 36은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 36a 내지 도 36f를 참조하면, 기판(BS2)의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴(112) 및 불투광성 물질 패턴(807)을 형성한 후, 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하고 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(270)를 형성한다. 불투광성 물질 패턴(807)은 적어도 부분적으로 격벽 패턴(112)과 중첩할 수 있다. 본 단계들에 대해서는 도 35a 내지 도 35f와 실질적으로 동일하기 때문에 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 36g를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시킨다. 예시적인 실시예에서, 노출된 격벽 패턴(112)의 측면 상에는 적어도 부분적으로 불투광성 물질층(820)이 잔존할 수 있다. 이를 통해 격벽 패턴(112)과 맞닿아 접하는 불투광성 물질층(820)을 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
도 37은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
우선 도 37a를 참조하면, 기판(BS2)의 일면(도 37a 기준 상면) 상에 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)를 형성한다. 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)는 각각 특정 파장 대역의 광은 투과시키고 다른 특정 파장 대역의 광의 투과는 차단하는 파장 선택적 광학 필터일 수 있다. 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)는 서로 이격된 상태일 수 있다.
다음으로 도 37b를 참조하면, 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324) 상에 불투광성 물질층(808)을 형성한다. 불투광성 물질층(808)은 알루미늄, 구리, 은, 금, 티타늄, 몰리브덴, 니켈 또는 이들의 합금 등의 반사성 금속 재료이거나, 또는 불투광성 유기 재료로 이루어질 수 있다.
다음으로 도 37c를 참조하면, 불투광성 물질층을 패터닝하여 불투광성 물질 패턴(809)을 형성한다. 불투광성 물질 패턴(809)을 형성하는 단계는 식각 마스크를 이용하여 불투광성 물질층을 패터닝하는 단계일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 불투광성 물질 패턴(809)의 폭(t1)은 제1 파장 대역 필터(314)의 폭, 및 제2 파장 대역 필터(324)의 폭(t2) 보다 작을 수 있다. 즉, 형성된 불투광성 물질 패턴(809)은 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)를 완전히 커버하지 못하고 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)는 부분적으로 노출될 수 있다.
다음으로 도 37d를 참조하면, 기판(BS2) 상에 격벽 패턴(112)을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 격벽 패턴(112)은 적어도 부분적으로 제1 파장 대역 필터(314) 및/또는 제2 파장 대역 필터(324)와 중첩할 수 있다. 격벽 패턴(112)을 형성하는 단계에 대해서는 도 26e 및 도 26f와 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
다음으로 도 37e 내지 도 37g를 참조하면, 차광성 재료를 포함하는 차광 부재 형성용 조성물(200)을 도포하고, 기판(BS2)의 배면측으로부터 광을 조사하여 차광 부재(290)를 형성하고, 잔여 차광 부재 형성용 조성물을 제거한다.
다음으로 도 37h를 참조하면, 불투광성 물질 패턴을 제거하여 기판(BS2)의 상기 일면 및 제1 파장 대역 필터(314)와 제2 파장 대역 필터(324)를 적어도 부분적으로 노출시킨다. 이를 통해 기판(BS2)과 격벽 패턴(112) 사이에 개재된 제1 파장 대역 필터(314) 및 제2 파장 대역 필터(324)를 형성할 수 있다.
도면에 도시하지 않았으나, 이후 도 26k 내지 도 26o와 함께 설명한 것과 같은 방법으로 표시 장치를 제조할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
BS2: 제2 기판
112: 격벽
210: 차광 부재
310: 제1 파장 대역 필터
320: 제2 파장 대역 필터
410: 제1 색 변환 패턴
420: 제2 색 변환 패턴
610: 제4 파장 대역 필터
OC: 오버코팅층

Claims (35)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고 복수의 개구를 정의하는 투광성 격벽;
    상기 투광성 격벽의 상면 및 측면 상에 배치되고, 네거티브 감광성 유기물을 포함하는 차광 부재; 및
    상기 개구 내에 배치되고, 양자점 물질 또는 형광체 물질을 포함하는 제1 색 변환 패턴을 포함하되,
    상기 투광성 격벽의 상기 측면은 상기 상면과 연결되며 상기 투광성 격벽이 정의하는 상기 개구를 향하는 제1 측면부 및 상기 상면과 연결되며 상기 제1 측면부와 반대 방향을 향하는 제2 측면부를 포함하고,
    상기 투광성 격벽의 상기 측면 상에서 상기 차광 부재는 상기 제1 측면부 상 및 상기 제2 측면부 상에 배치되는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽은 제1 방향으로 연장된 복수의 제1 격벽부 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 복수의 제2 격벽부를 포함하여, 상기 제1 격벽부와 상기 제2 격벽부에 의해 상기 개구가 정의되고,
    상기 차광 부재는 평면상 격자 형상인 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치된 차광 부재 표면의 소수성은,
    상기 투광성 격벽의 상기 측면 상에 배치된 차광 부재 표면의 소수성보다 큰 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치된 차광 부재의 두께는 상기 투광성 격벽의 상기 측면 상에 배치된 차광 부재의 두께보다 큰 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치된 차광 부재의 두께는 1.3㎛ 이상이고,
    상기 차광 부재의 광학 밀도는 2.0/1.3㎛ 이상인 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 차광 부재는 상기 투광성 격벽 상에 직접 배치되고,
    상기 차광 부재는 상기 투광성 격벽과 접하는 제1 면 및 상기 제1 면의 반대면인 제2 면을 가지되,
    상기 제2 면의 거칠기는 상기 제1 면의 거칠기보다 큰 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 차광 부재는 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하는 제3 면을 더 가지고,
    상기 제2 면의 거칠기는 상기 제3 면의 거칠기보다 큰 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽의 투광도는 90% 이상인 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽은 내부에 분산된 입자상 물질을 포함하는 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽의 상기 측면은 경사를 가지되,
    상기 투광성 격벽의 높이는 7.0㎛ 이상이고,
    상기 기판 표면에 대하여 상기 투광성 격벽의 상기 측면이 이루는 평균 경사각은 30° 이상 85° 이하인 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 표시 장치는,
    제1 색을 표시하는 제1 화소, 상기 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소, 및 상기 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제3 색을 표시하는 제3 화소가 정의되고,
    상기 표시 장치는,
    상기 제1 색 변환 패턴 상에 배치된 액정층;
    상기 제1 색 변환 패턴과 상기 액정층 사이에 배치되고, 상기 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키며, 상기 제3 색의 피크 파장보다 긴 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 차단하는 파장 대역 필터; 및
    상기 액정층 상에 배치되고, 상기 제3 색의 광을 제공하는 광원을 더 포함하되,
    상기 제1 색 변환 패턴은 상기 제1 화소 내에 배치되고, 상기 제1 색 변환 패턴으로 입사되는 광의 색을 상기 제1 색으로 변환시켜 출사하고,
    상기 파장 대역 필터는 상기 차광 부재와 접하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 파장 대역 필터는,
    상기 제1 색 변환 패턴 및 상기 차광 부재와 접하고, 일정한 두께를 갖는 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제2 화소 내에 배치된 제2 색 변환 패턴; 및
    상기 제3 화소 내에 배치된 투광 패턴을 더 포함하되,
    상기 제2 색 변환 패턴은 상기 제2 색 변환 패턴으로 입사되는 광의 색을 상기 제2 색으로 변환시켜 출사하고,
    상기 제1 색 변환 패턴과 상기 제2 색 변환 패턴 사이에는 상기 차광 부재가 위치하고,
    상기 제1 색 변환 패턴과 상기 투광 패턴 사이에는 상기 차광 부재가 위치하는 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 표시 장치는,
    제1 색을 표시하는 제1 화소, 상기 제1 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제2 색을 표시하는 제2 화소, 및 상기 제2 색보다 짧은 피크 파장을 갖는 제3 색을 표시하는 제3 화소가 정의되고,
    상기 표시 장치는,
    상기 제1 색 변환 패턴 상에 배치된 액정층; 및
    상기 액정층 상에 배치되고, 상기 제3 색의 광을 제공하는 광원; 및
    상기 차광 부재와 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 상기 제3 색의 피크 파장보다 긴 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키며, 상기 제3 색의 피크 파장을 포함하는 파장 대역의 광을 선택적으로 차단하는 파장 대역 필터를 더 포함하되,
    상기 파장 대역 필터의 적어도 일부는 상기 투광성 격벽의 상기 상면 상에 배치되는 표시 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 차광 부재와 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터를 더 포함하되,
    상기 파장 대역 필터는 상기 투광성 격벽의 상기 상면과 중첩하지 않고,
    상기 제1 색 변환 패턴은 상기 차광 부재와 접하는 표시 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 투광성 격벽 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터를 더 포함하는 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 파장 대역 필터와 상기 투광성 격벽 사이에 배치되고, 상기 차광 부재와 상이한 재료를 포함하는 불투광성 물질층을 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터; 및
    상기 기판과 상기 차광 부재 사이에 배치되고, 상기 차광 부재와 상이한 재료로 이루어진 불투광성 물질층을 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 기판과 상기 제1 색 변환 패턴 사이에 배치되고, 특정 파장 대역의 광을 선택적으로 투과시키는 파장 대역 필터; 및
    상기 기판과 상기 투광성 격벽 사이에 배치되고, 상기 차광 부재와 상이한 재료로 이루어진 불투광성 물질층을 더 포함하는 표시 장치.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 차광 부재 상에 배치되고, 상기 차광 부재를 둘러싸도록 배치된 제1 투광층; 및
    상기 제1 투광층 상에 직접 배치되고, 상기 제1 투광층을 둘러싸도록 배치된 제2 투광층을 더 포함하되,
    상기 제2 투광층의 굴절률은 상기 제1 투광층의 굴절률보다 큰 표시 장치.
  21. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 격벽의 상기 상면 및 상기 측면 상에 배치되어 상기 투광성 격벽을 둘러싸도록 배치된 제1 투광층; 및
    상기 제1 투광층과 상기 차광 부재 사이에 배치되어 상기 제1 투광층을 둘러싸도록 배치된 제2 투광층을 더 포함하되,
    상기 제2 투광층의 굴절률은 상기 제1 투광층의 굴절률보다 큰 표시 장치.
  22. 기판의 일면 상에 투광성을 갖는 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계;
    상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴 상에 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계; 및
    상기 기판의 타면 측으로부터 광을 조사하고 상기 불투광성 물질 패턴을 차광 마스크로 이용하여 상기 격벽 패턴의 상면 및 측면 상에 배치된 차광 부재를 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 기판의 상기 일면의 적어도 일부를 노출하도록 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 노출된 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 기판의 상기 일면 상에 불투광성 물질층을 형성하는 단계,
    상기 불투광성 물질층 상에 포지티브 감광층을 형성하는 단계,
    마스크를 차광 마스크로 이용하여 포지티브 감광 패턴층을 형성하는 단계, 및
    상기 포지티브 감광 패턴층을 식각 마스크로 이용하여 상기 불투광성 물질층의 일부를 식각하여 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 격벽 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 불투광성 물질 패턴 상에 네거티브 감광층을 형성하는 단계, 및
    상기 마스크를 차광 마스크로 이용하여 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 격벽 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 격벽 패턴의 적어도 일부는 상기 불투광성 물질 패턴과 중첩하는 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 격벽 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 격벽 패턴은 상기 불투광성 물질 패턴과 이격되며,
    상기 기판의 상기 일면의 적어도 일부는 상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴에 의해 커버되지 않고 노출되는 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계에서, 상기 조성물은 상기 격벽 패턴과 상기 불투광성 물질 패턴 사이의 이격 공간을 충진하고,
    상기 차광 부재는 상기 기판과 접하도록 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제22항에 있어서,
    상기 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계는, 상기 조성물을 상기 격벽 패턴의 높이보다 높은 두께로 도포하는 단계인 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제22항에 있어서,
    상기 차광 부재 형성용 조성물을 도포하는 단계 후에,
    상기 도포된 조성물 표면을 전체적으로 불소 처리하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제22항에 있어서,
    상기 광을 조사하는 단계 후에,
    미경화된 차광 부재 형성용 조성물 표면 및 상기 격벽 패턴의 상기 상면 상에 형성된 차광 부재 표면에 요철 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  31. 제22항에 있어서,
    상기 격벽 패턴 및 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계 전에,
    상기 기판의 상기 일면 상에 파장 대역 필터 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하되,
    상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는, 상기 파장 대역 필터 패턴 상에 상기 파장 대역 필터 패턴과 중첩하도록 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계이고,
    상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계에서,
    상기 불투광성 물질 패턴의 폭은 상기 파장 대역 필터 패턴의 폭보다 작은 표시 장치의 제조 방법.
  32. 제22항에 있어서,
    상기 격벽 패턴 및 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계는,
    상기 기판의 상기 일면의 적어도 일부를 노출하도록 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 격벽 패턴을 형성하는 단계, 및
    상기 노출된 상기 기판의 상기 일면 상에 상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  33. 제32항에 있어서,
    상기 불투광성 물질 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 불투광성 물질 패턴의 적어도 일부는 상기 격벽 패턴과 중첩하는 표시 장치의 제조 방법.
  34. 제22항에 있어서,
    상기 차광 부재를 형성하는 단계 후에,
    상기 불투광성 물질 패턴을 제거하여 상기 기판의 상기 일면을 적어도 부분적으로 노출시키는 단계;
    상기 기판의 노출된 상기 일면 상에 파장 시프트 물질을 포함하는 잉크 조성물을 토출하는 단계; 및
    상기 잉크 조성물을 경화시키는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  35. 제34항에 있어서,
    상기 차광 부재를 형성하는 단계는,
    상기 차광 부재 형성용 조성물을 프리베이크하는 단계,
    상기 불투광성 물질 패턴을 차광 마스크로 이용하여 상기 프리베이크된 차광 부재 형성용 조성물을 부분적으로 광 경화하는 단계로서, 상기 기판의 타면 측으로부터 광을 조사하는 단계, 상기 광이 상기 기판을 투과하는 단계, 상기 광이 상기 격벽 패턴으로 입사되는 단계, 상기 광이 상기 격벽 패턴의 상기 상면을 투과하는 단계, 및 상기 광이 상기 격벽 패턴의 상기 측면을 투과하는 단계를 포함하는, 조성물을 부분적으로 광 경화하는 단계,
    상기 부분적으로 광 경화된 차광 부재 형성용 조성물에 현상액을 도포하여 상기 격벽 패턴의 상기 상면 및 상기 측면 상에 배치된 차광 부재를 현상하는 단계, 및
    상기 차광 부재를 하드베이크하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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JP2018016893A JP7171200B2 (ja) 2017-07-27 2018-02-02 表示装置及びその製造方法
TW107124971A TWI794256B (zh) 2017-07-27 2018-07-19 顯示裝置及其製造方法
CN201810801664.6A CN109307950A (zh) 2017-07-27 2018-07-20 显示设备和制造该显示设备的方法
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115166888A (zh) * 2017-09-29 2022-10-11 富士胶片株式会社 滤光器的制造方法
KR20190073301A (ko) * 2017-12-18 2019-06-26 삼성전자주식회사 적층 구조물과 이를 포함하는 전자 소자
CN108594515B (zh) * 2018-04-28 2020-08-14 京东方科技集团股份有限公司 柔性偏光盖板及其制备方法、包含它的显示面板和显示装置
KR20200054382A (ko) * 2018-11-09 2020-05-20 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR102279206B1 (ko) * 2018-11-22 2021-07-19 삼성에스디아이 주식회사 착색층 및 이를 포함하는 디스플레이 소자
KR20200097379A (ko) 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 그 제조방법
KR102311491B1 (ko) * 2019-02-13 2021-10-08 삼성에스디아이 주식회사 2중층 격벽 조성물, 이를 이용한 2중층 격벽 및 2중층 격벽을 포함하는 디스플레이 소자
KR20200111325A (ko) 2019-03-18 2020-09-29 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조 방법
TWI698678B (zh) 2019-04-09 2020-07-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置
US11094530B2 (en) 2019-05-14 2021-08-17 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer
US11239213B2 (en) 2019-05-17 2022-02-01 Applied Materials, Inc. In-situ curing of color conversion layer in recess
CN110098242B (zh) * 2019-05-22 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种彩膜层及其制备方法、显示面板
CN110265451B (zh) * 2019-06-25 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制造方法、显示装置
KR20210003993A (ko) * 2019-07-02 2021-01-13 삼성디스플레이 주식회사 색변환 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI706553B (zh) * 2019-09-11 2020-10-01 友達光電股份有限公司 感光元件及顯示裝置
KR20210086867A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 색변환 부재 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20210157932A (ko) 2020-06-22 2021-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220008995A (ko) * 2020-07-14 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
CN116034117A (zh) 2020-07-24 2023-04-28 应用材料公司 具有用于uv-led固化的基于硫醇的交联剂的量子点配方
KR20220018129A (ko) * 2020-08-05 2022-02-15 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US11646397B2 (en) 2020-08-28 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Chelating agents for quantum dot precursor materials in color conversion layers for micro-LEDs
TWI768808B (zh) * 2021-04-01 2022-06-21 友達光電股份有限公司 遮光元件基板以及顯示裝置
WO2023161740A1 (en) * 2022-02-22 2023-08-31 3M Innovative Properties Company Optical films for display systems
TWI787126B (zh) * 2022-05-06 2022-12-11 友達光電股份有限公司 感測元件基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150124188A1 (en) * 2012-05-28 2015-05-07 Sharp Kabushiki Kaisha Color-converting substrate and liquid crystal display device
US20150205159A1 (en) * 2014-01-22 2015-07-23 Japan Display Inc. Display device
US20170102588A1 (en) * 2015-10-13 2017-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Polarization selection color filter and display device having the same

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053569A (ja) * 1999-08-16 2001-02-23 Hitachi Denshi Ltd 弾性表面波素子の製造方法
KR100978251B1 (ko) * 2002-12-26 2010-08-26 엘지디스플레이 주식회사 다중 블랙매트릭스가 형성된 횡전계모드 액정표시소자
KR20060040116A (ko) * 2004-11-04 2006-05-10 삼성전자주식회사 컬러필터기판 및 이를 갖는 표시장치
KR20060101616A (ko) 2005-03-21 2006-09-26 삼성전자주식회사 잉크젯 프린팅 시스템을 이용한 색필터 표시판 및 이를포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
JP2007095607A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
JP2007095608A (ja) * 2005-09-30 2007-04-12 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
KR101288835B1 (ko) * 2005-12-27 2013-08-07 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR20070076286A (ko) 2006-01-18 2007-07-24 삼성전자주식회사 칼라 필터 기판 및 그 제조방법
KR20070077677A (ko) 2006-01-24 2007-07-27 삼성전자주식회사 액정표시장치의 컬러필터를 제조하는 방법 및 컬러필터기판
KR20070081569A (ko) * 2006-02-13 2007-08-17 삼성전자주식회사 표시장치와 그 제조방법
CN101255549A (zh) * 2008-02-22 2008-09-03 哈尔滨工业大学深圳研究生院 一种超疏水氮化硼薄膜及其制备方法
RU2011142167A (ru) * 2009-03-19 2013-04-27 Шарп Кабусики Кайся Панель отображения и устройство отображения
US20110287217A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Prantik Mazumder Superoleophobic substrates and methods of forming same
WO2012161013A1 (ja) * 2011-05-20 2012-11-29 シャープ株式会社 色変換基板、照明装置およびカラー表示装置
US20140313691A1 (en) * 2011-10-17 2014-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Image display device and method for manufacturing image display device
JP2013104888A (ja) * 2011-11-10 2013-05-30 Sharp Corp 表示装置
WO2014136738A1 (ja) * 2013-03-07 2014-09-12 東レ株式会社 ブラックマトリクス基板
JP6439689B2 (ja) 2013-06-17 2018-12-19 東レ株式会社 積層樹脂ブラックマトリクス基板の製造方法
CN103395739B (zh) * 2013-07-22 2016-01-06 江苏物联网研究发展中心 一种微凹面镜的制备方法
KR101504117B1 (ko) * 2013-11-14 2015-03-19 코닝정밀소재 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
TWI580031B (zh) * 2013-12-26 2017-04-21 鴻海精密工業股份有限公司 顏色轉換層、有機電致發光顯示面板及液晶顯示面板
CN104062845A (zh) * 2014-05-23 2014-09-24 京东方科技集团股份有限公司 下基板及其制造方法和液晶透镜
CN106465508B (zh) * 2014-06-09 2018-05-25 旭硝子株式会社 拒墨剂、负型感光性树脂组合物、分隔壁和光学元件
CN110310962A (zh) 2014-06-13 2019-10-08 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN104330918A (zh) * 2014-11-28 2015-02-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板和显示装置
JP2016110942A (ja) * 2014-12-10 2016-06-20 凸版印刷株式会社 ナノ撥液構造を有する隔壁、その隔壁を用いた有機ｅｌ素子、およびそれらの製造方法
JP6648970B2 (ja) * 2015-02-20 2020-02-19 富士フイルム株式会社 光学部材、光学部材の製造方法および画像表示装置
KR20160127279A (ko) * 2015-04-24 2016-11-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP6565321B2 (ja) * 2015-05-18 2019-08-28 凸版印刷株式会社 積層構造体、これを用いた有機ｅｌ素子、およびこれらの製造方法
WO2017033771A1 (ja) * 2015-08-21 2017-03-02 シャープ株式会社 発光デバイス、表示装置、照明装置、電子機器
US10996515B2 (en) * 2015-08-28 2021-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Color conversion panel, display device comprising the same and manufacturing method of the color conversion panel
CN105044974B (zh) * 2015-08-28 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 彩色滤光层、显示基板及显示装置
KR102362126B1 (ko) * 2015-08-31 2022-02-10 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
JP2017067999A (ja) * 2015-09-30 2017-04-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器
CN105204104B (zh) * 2015-10-30 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 滤光片及其制作方法、显示基板及显示装置
CN105293937A (zh) * 2015-11-29 2016-02-03 杭州柳茶医药科技有限公司 一种防水玻璃及其制作工艺
CN105709404A (zh) * 2016-02-01 2016-06-29 浙江大学 一种具有减阻耐磨效果的疏水性滑雪板
CN205453621U (zh) * 2016-04-06 2016-08-10 信阳师范学院 自清洁光伏组件
CN106129264B (zh) * 2016-07-21 2018-06-05 深圳市华星光电技术有限公司 像素界定层的制作方法与oled器件的制作方法
CN106094326A (zh) * 2016-08-18 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN106707607A (zh) * 2017-03-20 2017-05-24 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点彩色滤光片及其制造方法、显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150124188A1 (en) * 2012-05-28 2015-05-07 Sharp Kabushiki Kaisha Color-converting substrate and liquid crystal display device
US20150205159A1 (en) * 2014-01-22 2015-07-23 Japan Display Inc. Display device
US20170102588A1 (en) * 2015-10-13 2017-04-13 Samsung Display Co., Ltd. Polarization selection color filter and display device having the same

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