KR100978251B1

KR100978251B1 - 다중 블랙매트릭스가 형성된 횡전계모드 액정표시소자

Info

Publication number: KR100978251B1
Application number: KR1020020084475A
Authority: KR
Inventors: 윤주연; 박순영
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2002-12-26
Filing date: 2002-12-26
Publication date: 2010-08-26
Also published as: KR20040057688A

Abstract

본 발명의 횡전계모드 액정표시소자에서는 블랙매트릭스가 도전성 블랙매트릭스와 부도체 블랙매트릭스로 구성된다. 도전성 블랙매트릭스는 금속층으로서 Cr 또는 CrOx로 이루어지고 부도체 블랙매트릭스는 블랙수지로 이루어진다.

횡전계모드, 블랙매트릭스, 금속, 블랙수지, 눌림, 도전성, 부도체

Description

다중 블랙매트릭스가 형성된 횡전계모드 액정표시소자{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING MULTI BLACK MATRIX}

도 1은 종래 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도.

도 2a는 도 1의 I-I'선 단면도.

도 2b는 도 2a의 A부분 확대도.

도 3a는 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도.

도 3b는 도 3a의 B부분 확대도.

도 4a∼도 4e는 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 컬러필터기판 제조방법.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

104 : 데이터라인 105 : 공통전극

107 : 화소전극 111 : 게이트전극

112 : 반도체층 113 : 화소전극

114 : 드레인전극 120,130 : 기판

122 : 게이트절연층 124 : 보호층

132 : 금속 블랙매트릭스 133 : 수지 블랙매트릭스

134 : 컬러필터층 140 : 액정층

본 발명은 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 블랙매트릭스를 수지와 금속으로 이루어진 이중의 층으로 형성하여 컬러필터층의 단차를 감소하며 블랙매트릭스가 외력에 의해 눌려지는 것을 방지할 수 있는 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것이다.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.

이러한 액정표시소자는 액정분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 주로 TN모드의 액정표시소자가 사용되고 있다. 이러한 TN모드 액정표시소자에서는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 의해 전압의 인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다.

이러한 시야각문제를 해결하기 위해, 근래 광시야각특성(wide viewing angle characteristic)을 갖는 각종 모드의 액정표시소자가 제안되고 있지만, 그중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시소자가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다. 상기 IPS모드 액정표시소자는 화소내에 평행으로 배열된 적어도 한쌍의 전극을 형성하여 기판과 실질적으로 평행한 횡전계를 형성함으로써 액정분자를 평면상으로 배향시키는 것이다.

도 1은 종래 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 액정패널(1)의 화소는 종횡으로 배치된 게이트라인(3) 및 데이터라인(4)에 의해 정의된다. 도면에는 비록 (n,m)번째의 화소만을 도시하고 있지만 실제의 액정패널(1)에는 상기한 게이트라인(3)과 데이터라인(4)이 각각 N(>n)개 및 M(>m)개 배치되어 액정패널(1) 전체에 걸쳐서 N×M개의 화소를 형성한다. 상기 화소내의 게이트라인(3)과 데이터라인(4)의 교차영역에는 박막트랜지스터(10)가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터(10)는 게이트라인(3)으로부터 주사신호가 인가되는 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11) 위에 형성되어 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(12)과, 상기 반도체층(12) 위에 형성되어 데이터라인(4)을 통해 화상신호가 인가되는 소스전극(13) 및 드레인전극(14)으로 구성되어 외부로부터 입력되는 화상신호를 액정층에 인가한다.

화소내에는 데이터라인(4)과 실질적으로 평행하게 배열된 복수의 공통전극(5)과 화소전극(7)이 배치되어 있다. 또한, 화소의 중간에는 상기 공통전 극(5)과 접속되는 공통라인(16)이 배치되어 있으며, 상기 공통라인(16) 위에는 화소전극(7)과 접속되는 화소전극라인(18)이 배치되어 상기 공통라인(16)과 오버랩되어 있다. 상기 공통라인(16)과 화소전극라인(18)의 오버랩에 의해 횡전계모드 액정표시소자에는 축적용량(storage capacitance)이 형성된다.

상기와 같이 구성된 IPS모드 액정표시소자에서 액정분자는 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 실질적으로 평행하게 배향되어 있다. 박막트랜지스터(10)가 작동하여 화소전극(7)에 신호가 인가되면, 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에는 액정패널(1)과 실질적으로 평행한 횡전계가 발생하게 된다. 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되므로, 액정분자의 굴절율 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다.

상기한 구조의 종래 IPS모드 액정표시소자를 도 2a에 도시된 단면도를 참조하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2a에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 위에는 게이트전극(11)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(22) 위에는 반도체층(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(13) 및 드레인전극(14)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(passivation layer;24)이 형성되어 있다.

또한, 상기 제1기판(20) 위에는 복수의 공통전극(5)이 형성되어 있고 게이트절연층(22) 위에는 화소전극(7) 및 데이터라인(4)이 형성되어, 상기 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 횡전계가 발생한다.

제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(32)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도면에 도시한 바와 같이 박막트랜지스터(10) 영역 및 화소와 화소 사이(즉, 게이트라인 및 데이터라인 영역)에 주로 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), B(Blue), G(Green)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다. 상기 제1기판(20) 및 제2기판(30) 사이에는 액정층(40)이 형성되어 액정패널(1)이 완성된다.

IPS모드 액정표시소자의 블랙매트릭스(32)는 주로 블랙수지(black resin)로 이루지는데, 상기 블랙수지로 이루어진 블랙매트릭스(32)는 다음과 같은 문제가 있다.

Cr이나 CrOx와 같은 금속으로 이루어진 블랙매트릭스(32)가 약 0.12㎛의 두께를 갖는 반면에, 블랙수지로 이루어진 블랙매트릭스(32)는 약 1.0㎛의 두께를 갖는다. 따라서, 블랙수지로 블랙매트릭스(32)를 형성하는 경우, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 블랙매트릭스(32) 위에 형성되는 컬러필터층(34)에 단차가 발생하게 된다. 이러한 단차는 R,G,B화소 경계에서 컬러필터층(34)의 단선을 야기하며, 결국 액정표시소자 불량의 중요한 원인이 된다.

또한, 블랙수지를 블랙매트릭스(32)로 사용하는 경우, 상기 블랙수지는 외력에 약하기 때문에 제1기판(20) 및 제2기판(30)의 합착시 상기 블랙매트릭스(32)가 압력에 의해 눌려 그 두께가 a₁ 에서 a₂로 감소하게 된다. 따라서, 상기 두께 감소 에 의해 블랙매트릭스(32)의 광차단영역으로 광누설현상이 발생하게 된다.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 블랙매트릭스를 금속층과 블랙수지층의 이중의 층으로 형성하여 외력에 의한 블랙매트릭스의 눌림을 최소화하여 광이 누설되는 것을 방지할 수 있는 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은 블랙매트릭스를 금속층과 블랙수지층의 이중의 층으로 형성하여 블랙매트릭스의 전체 두께를 감소시킴으로써 컬러필터층의 단차를 최소화할 수 있는 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 블랙매트릭스를 금속층과 블랙수지층의 이중의 층으로 형성하여 광차단효율을 향상시킬 수 있는 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것이다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자는 제1기판과, 상기 제1기판에 형성되어 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인과, 각 화소에 형성된 구동소자와, 화소내에 형성되어 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 전극과, 제2기판과, 상기 제2기판에 형성되어 광의 투과를 차단하는 금속으로 이루어진 제1블랙매트릭스와, 상기 제1블랙매트릭스 위에 형성된 블랙수지로 이루어진 제2블랙매트릭스와, 상기 제2기판에 형성되어 컬러를 구현하는 컬러필터층과, 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성된다.

상기 제1블랙매트릭스는 Cr 또는 CrOx로 이루어진 단일층이거나 Cr/CrOx의 복수의 층으로 구성되며, 제2블랙매트릭스는 블랙수지로 이루어진다. 이때, 제1블랙매트릭스는 450∼550Å의 두께로 형성되고 제2블랙매트릭스는 500∼1000Å의 두께로 형성되므로, 전체 블랙매트릭스의 두께는 950∼1550Å이다. 따라서, 종래 IPS 모드 액정표시소자의 블랙매트릭스로 사용되는 수지층의 두께인 1.0㎛와 비교하면 그 두께가 대폭 감소하게 된다.

일반적으로 IPS모드 액정표시소자의 블랙매트릭스를 블랙수지로 형성하는 이유는 다음과 같다. TN(Twisted Mode)모드에 주로 사용되는 Cr이나 CrOx와 같은 금속 블랙매트릭스는 도전성을 갖는다. 따라서, 이러한 금속 블랙매트릭스가 IPS모드 액정표시소자에 적용될 때, 화소전극에 신호가 인가되는 경우 공통전극과 화소전극 사이에 횡전계를 형성할 뿐만 아니라 화소전극과 블랙매트릭스 사이에도 전계가 형성된다. 화소전극과 블랙매트릭스 사이에 형성되는 전계는 공통전극과 화소전극 사이에 형성되는 횡전계와는 달리 기판과는 수직한 방향(제1기판에서 제2기판으로의 방향)을 갖는 전계이다. 따라서, 상기 수직전계는 횡전계에 영향을 미치게 되어, IPS모드 액정표시소자 불량의 원인이 된다. 반면에, 블랙수지는 도전성을 띄지 않는 부도체이므로 상기와 같은 수직전계가 형성되지 않으며, 따라서 IPS모드 액정표시소자에서는 블랙수지를 블랙매트릭스로 사용하는 것이다.

본 발명에서는 금속과 블랙수지가 갖는 장점을 이용하여 새로운 구조의 블랙매트릭스를 형성한다. 즉, Cr이나 CrOx와 같은 금속과 블랙수지로 이루어진 이중의 블랙매트릭스를 형성하는 것이다. Cr이나 CrOx 등의 금속으로 이루어진 블랙매트릭 스는 고정세가 가능하고 광차단효율이 우수하며 작은 두께로 형성할 수 있다는 장점이 있다. 반면에, 상기 금속 블랙매트릭스는 IPS모드 액정표시소자에 사용하는 경우 횡전계를 왜곡하여 품질불량을 야기할 수 있다는 단점이 있다. 수지 블랙매트릭스는 두께가 두껍고 고정세가 힘들다는 단점이 있는 반면에 가공이 간단하고 IPS모드 액정표시소자에 적용시 전계 왜곡을 야기하지 않는다는 장점이 있다.

본 발명은 상기 금속 블랙매트릭스와 수지 블랙매트릭스의 장점만을 취합한 것이다. 이를 위해, 본 발명에서는 블랙매트릭스를 금속층과 블랙수지층으로 형성한다. 이와 같이, 이중의 층으로 블랙매트릭스를 형성함에 따라 블랙수지만을 사용하는 경우에 비해, 두께를 감소시킬 수 있으며 광차단효율을 향상시킬 수 있게 된다. 또한, 기판의 합착시 발생하는 눌림현상을 최소화할 수 있게 되어, 광이 누설되는 것을 방지할 수 있게 된다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자에 대해 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 제1기판(120) 위에는 박막트랜지스터와 복수의 공통전극(105) 및 화소전극(107)이 형성되어 있다.

박막트랜지스터는 제1기판(120) 위에 형성된 게이트전극(111)과, 상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연층(122)과, 상기 게이트절연층(122) 위에 형성된 반도체층(112)과, 상기 반도체층(112) 위에 형성된 소스전극(113) 및 드레인전극(114)으로 구성되어 있으며, 박막트랜지스터 위에는 보호층(124)이 형성되어 있다.

공통전극(105)은 제1기판(120)위에 형성되어 있으며, 그 위에 게이트절연층(122)이 적층되어 있다. 그리고, 화소전극(107)은 게이트절연층(122) 위에 형성되어 있다.

공통전극(105)은 박막트랜지스터의 게이트전극(111)과 동일한 공정에 의해 동일한 금속으로 형성되는 것으로, Cu, Mo, Ta, Cr, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속을 증착(evaporation) 또는 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 적층한 후 에천트(etchant)로 에칭한 단일층 또는 복수의 층으로 이루어진다.

화소전극(107)은 박막트랜지스터의 소스전극(113) 및 드레인전극(114)과 동일한 공정에 의해 동일한 금속으로 형성되는 것으로, Cr, Mo, Ta, Cu, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속을 증착 또는 스퍼터링방법에 의해 적층한 후 에천트에 에칭한 단일층 또는 복수의 층으로 이루어진다.

이때, 상기 공통전극(105)과 화소전극(107)은 각각 게이트전극(111)과 소스전극(113)과는 다른 금속으로 다른 공정에 의해 형성될 수도 있다. 또한, 상기 공통전극(105)과 화소전극(107)은 IPS모드 액정표시소자의 개구율 향상을 위해 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명전극으로 형성할 수도 있을 것이다.

한편, 제2기판(130)에는 비표시영역으로 광이 누설되는 것을 방지하는 제1블랙매트릭스(132) 및 제2블랙매트릭스(133)가 형성되어 있으며, 그 사이에 실제 화 면상에 화상을 구현하기 위한 컬러필터층(134)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(120)과 제2기판(130) 사이에 액정층(140)이 형성되어 있으며, 도면에는 도시하지 않았지만 상기 컬러필터층(134)위에는 제2기판(130)의 평탄성을 향상시키고 컬러필터층(134)을 보호하기 위한 오버코트층(overcoat layer)이 형성될 수도 있다.

도 3b에 도시된 바와 같이, 제1블랙매트릭스(132)는 Cr이나 CrOx 등과 같은 단일 금속층 또는 Cr/CrOx와 같은 이중의 금속층으로 형성되며, 제2블랙매트릭스(133)은 카본이나 안료가 첨가된 블랙수지로 이루어진다. 이때, 상기 제1블랙매트릭스(132)의 두께(b1)는 약 450∼550Å, 바람직하게는 약 550Å이고 제2블랙매트릭스(133)의 두께(b2)는 약 500∼1000Å로서, 상기 제2블랙매트릭스(133)가 제1블랙매트릭스(132)를 덮고 있다. 즉, 상기 제2블랙매트릭스(133)가 단순히 제1블랙매트릭스(132)의 상부에 적층되는 것이 아니라 제1블랙매트릭스(132)를 완전히 덮고 있는 것이다.

상기와 같은 제1블랙매트릭스(132)와 제2블랙매트릭스(133)의 이중의 층으로 이루어진 블랙매트릭스는 약 950∼1550Å의 두께로 형성된다. 이 두께는 종래 IPS모드 액정표시소자에 사용되는 1.0㎛ 두께의 수지 블랙매트릭스에 비하면 대단히 작은 값임을 알 수 있다. 이와 같이 본 발명에서는 블랙매트릭스의 두께를 감소시킴으로써 컬러필터층에 단차가 발생하는 것을 방지할 수 있게 되는 것이다.

또한, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 외력에 강한 금속 블랙매트릭스(132)를 사용하고 외력에 의해 눌리는 수지 블랙매트릭스(133)를 약 500∼1000Å의 두께로 형성하므로, 종래 IPS모드 액정표시소자에서 사용되는 약 1.0㎛의 수지 블랙매트릭스에 비해 눌림현상을 1/10∼1/20로 감소시킬 수 있게 된다.

그리고, 전도성을 갖는 금속 블랙매트릭스(132)가 부도체인 수지 블랙매트릭스(133)에 의해 완전히 둘러 싸여 있으므로, IPS모드 액정표시소자에 적용되는 경우에도 기판과 수직한 전계가 발생하지 않게 되므로 횡전계 왜곡을 방지할 수 있게 된다.

상기 블랙매트릭스(132,133) 사이에는 컬러필터층(134)이 형성된다. 실질적으로 블랙매트릭스(132,133)는 R,G,B화소 사이에 형성되므로, 블랙매트릭스(132,133) 사이에는 R,G,B의 컬러필터층(134) 중 하나의 컬러필터층이 형성된다. 컬리필터층(134)은 컬러포토레지스트(color photoresist)로 이루어지는데, 본 발명에서는 금속 블랙매트릭스(132)와 수지 블랙매트릭스(133)에 의해 블랙매트릭스 전체 두께가 감소하므로, 형성되는 컬러포토레지스트의 단차를 감소시킬 수 있게 된다.

도 4a∼도 4(f)를 참조하여 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서 블랙매트릭스와 컬러필터층을 형성하는 방법(즉, 컬러필터기판을 형성하는 방법)을 설명하면 다음과 같다.

우선, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제2기판(130)에 Cr이나 CrOx와 같은 금속층(132a)을 적층한 후, 포토리소그래피공정(photolithography process)을 이용하여 상기 금속층(132a)을 패터닝(patterning)하여 제1블랙매트릭스(132)를 형성한다. 이어서, 도 4c에 도시된 바와 같이 제1블랙매트릭스(132)가 형성된 제2기판(130) 전체에 걸쳐 블랙수지(133a)를 적층한 후, 포토리소그래피공정에 의해 패 터닝하여 도 4d에 도시된 바와 같이 상기 제1블랙매트릭스(132)를 감싸는 제2블랙매트릭스(133)를 형성한다.

그후, 도 4e에 도시된 바와 같이, 제2기판(130) 전체에 걸쳐 R색소의 안료가 첨가된 컬러 포토레지스트를 적층한 후 포토리소그래피공정에 의해 패터닝하여 R색소의 컬러필터층을 형성하며, 이 과정을 반복하여 제2기판(130) 위에 R,G,B의 컬러필터층(134)을 형성한다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자는 이중의 층으로 이루어진 블랙매트릭스를 형성하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 금속과 블랙수지로 이루어진 이중의 블랙매트릭스를 구비하고 있다면, 어떠한 구조의 IPS모드 액정표시소자도 본 발명에 적용 가능할 것이다. 예를 들어, 공통전극과 화소전극이 동일한 층에 형성된 구조의 IPS모드 액정표시소자나 다양한 갯수의 공통전극과 화소전극이 형성된 IPS모드 액정표시소자 역시 본 발명에 적용 가능할 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 제2기판에 형성되는 블랙매트릭스를 Cr이나 CrOx 혹은 Cr/CrOx로 이루어진 금속 블랙매트릭스와 블랙수지로 이루어진 수지 블랙매트릭스로 형성하므로 다음과 같은 효과를 얻을 수 있게 된다.

첫째, 블랙수지만으로 블랙매트릭스를 형성하던 종래 IPS모드 액정표시소자에 비해, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 블랙매트릭스의 두께가 대폭 감소하게 된다. 따라서, 컬러필터층의 단차가 감소하게 되어, 컬러필터층의 단선에 의 한 불량을 방지할 수 있게 된다.

둘째, 금속 블랙매트릭스를 부가함으로써 외력에 의한 눌림현상이 감소하게 된다. 따라서, 제1기판 및 제2기판의 합착시 블랙매트릭스의 두께 감소를 방지할 수 있게 되어, 결국 광이 누설되는 것을 방지할 수 있게 된다.

셋째, 광차단효과가 우수한 금속을 블랙매트릭스로 사용함으로써 IPS모드 액정표시소자의 명암비(contrast ratio)를 향상시킬 수 있게 된다.

Claims

제1기판;

상기 제1기판에 형성되어 복수의 화소를 정의하는 복수의 게이트라인 및 데이터라인;

각 화소에 형성된 구동소자;

상기 제1기판상의 상기 화소내에 서로 평행하게 형성되어 제1기판의 표면과 실질적으로 평행한 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 전극;

제2기판;

상기 제2기판에 형성되어 광의 투과를 차단하는 금속으로 이루어진 제1블랙매트릭스;

상기 제1블랙매트릭스 위에 형성되어 상기 제1블랙매트릭스의 상면 및 측면을 완전히 덮는 블랙수지로 이루어진 제2블랙매트릭스;

상기 제2기판에 형성되어 컬러를 구현하는 컬러필터층; 및

상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층으로 구성되며,

상기 제1블랙매트릭스의 두께는 450∼550Å이고 제2블랙매트릭스의 두께는 500∼1000Å인 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자
제1항에 있어서, 상기 구동소자는 박막트랜지스터인 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
제2항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,

기판 위에 형성된 게이트전극;

상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연층;

상기 절연층 위에 형성된 반도체층;

상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극; 및

상기 소스전극 및 드레인전극 위에 형성된 보호층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
제1항에 있어서, 상기 제1블랙매트릭스는 Cr 또는 CrOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
제1항에 있어서, 상기 제1블랙매트릭스는 Cr/CrOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
삭제
삭제
제1항에 있어서, 상기 제1블랙매트릭스의 두께는 500Å인 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
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제1항에 있어서, 상기 제2블랙매트릭스는 제1블랙매트릭스를 덮고 있는 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
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제1기판;

상기 제1기판에 실질적으로 평행하게 배열되어 횡전계를 생성하는 적어도 한쌍의 전극;

제2기판;

상기 제2기판에 형성되어 광의 투과를 차단하는 도전성 블랙매트릭스; 및

상기 도전성 블랙매트릭스 위에 형성되어 상기 도전성 블랙매트릭스의 상면 및 측면을 완전히 덮는 부도체 블랙매트릭스로 구성되며,

상기 도전성 블랙매트릭스의 두께는 450∼550Å이고 부도체 블랙매트릭스의 두께는 500∼1000Å인 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
제16항에 있어서, 상기 도전성 블랙매트릭스는 Cr 또는 CrOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
제16항에 있어서, 상기 도전성 블랙매트릭스는 Cr/CrOx로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.
제16항에 있어서, 상기 부도체 블랙매트릭스는 블랙수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.