JP2019028434A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】波長シフト物質を含む色変換パターンを備えた表示装置、及び表示装置の製造方法において、表示品質を向上できるものを提供する。【解決手段】前記表示装置は、基板と、前記基板上に配置され、複数の開口を画する透光性隔壁と、前記透光性隔壁の上面及び側面上に配置され、ネガティブ感光性有機物を含む遮光部材と、前記開口内に配置され、量子ドット物質または蛍光体物質を含む第１色変換パターンとを含んでなる。表示装置の製造方法は、透光性を有するマトリクス状の隔壁パターン、及び、これにより画される画素開口ごとの不透光性物質パターンを形成する段階と、この上に遮光部材形成用組成物を塗布する段階と、不透光性物質パターンを遮光マスクとする背面露光により、隔壁パターンの上面及び側面を覆う遮光部材を形成する段階と、不透光性物質パターンの除去後に、各画素開口にインク組成物を吐出する段階とを含む。【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。

表示装置は、マルチメディアの発達に伴ってその重要性が益々高まっている。これに応えて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）などの様々な表示装置が開発されている。

その中でも、液晶表示装置は、画素電極や共通電極などの電場生成電極と液晶層とを含む表示パネル、及び前記表示パネルに光を提供する光源部を含む。液晶表示装置は、電場生成電極に電圧を印加して液晶を再配列し、これにより、画素ごとに液晶層を透過する光の量を制御することにより映像表示を実現することができる。

各画素が一つの基本色を固有に表現するようにするための一つの方法として、光源から視聴者に至る光経路上に、画素ごとに色変換パターンを配置する方法を例示することができる。例えば、カラーフィルター（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）は、入射光の特定の波長帯域を吸収し、他の特定の波長帯域のみを選択的に透過させることにより基本色を実現することができる。一方、表示装置の色純度をさらに改善するための方法の開発が要求される実情である。

特開2012-198479号公報(JP2012-198479A) 特許第4211804号公報(JP4211804B)

量子ドットまたは蛍光体物質などの波長シフト物質は、入射される光のピーク波長をシフト（ｓｈｉｆｔ）させて、入射光とは異なる色を有する光を出射させることができる。すなわち、波長シフト物質を用いて色変換パターンを実現することができる。しかし、波長シフト物質が放出する光が隣接の他の画素へ進行する場合、意図しない画素から光が漏れる不良、すなわち光漏れ不良が発生するおそれがある。

そこで、本発明が解決しようとする課題は、隣接する画素間の光の進行を遮断することにより表示品質が向上した表示装置を提供することである。

本発明が解決しようとする他の課題は、表示品質が向上した表示装置の製造方法を提供することである。

本発明の課題は上述した技術的課題に制限されず、上述していない別の技術的課題は以降の記載から当業者に明確に理解できるだろう。

上記の課題を解決するための本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板と、前記基板上に配置され、複数の開口を画する透光性隔壁と、前記透光性隔壁の上面及び側面上に配置され、ネガティブ感光性有機物を含む遮光部材と、前記開口内に配置され、量子ドット物質または蛍光体物質を含む第１色変換パターンとを含んでなる。

前記透光性隔壁は、第１方向に延長された複数の第１隔壁部、及び前記第１方向と交差する第２方向に延長された複数の第２隔壁部を含み、前記第１隔壁部と前記第２隔壁部により前記開口が画され、前記遮光部材は、平面視で格子状であることが好ましい。

前記透光性隔壁の前記上面上に配置された遮光部材の表面の疎水性は、前記透光性隔壁の前記側面上に配置された遮光部材の表面の疎水性よりも大きいことが好ましい。

また、前記透光性隔壁の前記上面上に配置された遮光部材の厚さは、前記透光性隔壁の前記側面上に配置された遮光部材の厚さよりも大きいことが好ましい。

また、前記透光性隔壁の前記上面上に配置された遮光部材の厚さは１．３μｍ以上であり、前記遮光部材の光学密度は２．０／１．３μｍ以上（１．３μｍの厚さあたり２．０以上）であることが好ましい。

前記遮光部材は、前記透光性隔壁上に直接配置され、前記遮光部材は、透光性隔壁と接する第１面、及び前記第１面の反対側の面である第２面を有するが、前記第２面の粗さは、前記第１面の粗さよりも大きいことが好ましい。

また、前記遮光部材は、前記第１面と前記第２面とを連結する第３面をさらに有し、前記第２面の粗さは、前記第３面の粗さよりも大きいことが好ましい。

前記透光性隔壁の透光度は９０％以上であることが好ましい。

また、前記透光性隔壁は、内部に分散した粒子状物質を含むことができる。

前記透光性隔壁の前記側面は、傾斜を持つが、前記透光性隔壁の高さは７．０μｍ以上であり、前記基板の表面に対して前記透光性隔壁の前記側面がなす平均傾斜角は３０°以上８５°以下であることが好ましい。

前記表示装置には、第１色を表示する第１画素、第１色よりも短いピーク波長を有する第２色を表示する第２画素、及び前記第２色よりも短いピーク波長を有する第３画素が、互いに区分された領域として定められており、前記表示装置は、前記第１色変換パターン上に配置された液晶層、前記第１色変換パターンと前記液晶層との間に配置され、前記第３色のピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に透過させ、前記第３色のピーク波長よりも長いピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に遮断する波長帯域フィルター、及び前記液晶層上に配置され、前記第３色の光を提供する光源をさらに含み、前記第１色変換パターンは、前記第１画素内に配置され、前記第１色変換パターンに入射される光の色を前記第１色に変換させて出射し、前記波長帯域フィルターは、前記遮光部材と接することができる。

また、前記波長帯域フィルターは、前記第１色変換パターン及び前記遮光部材と接し、一定の厚さを持つことができる。

前記第２画素内に配置された第２色変換パターン、及び前記第３画素内に配置された透光パターンをさらに含むが、前記第２色変換パターンは、前記第２色変換パターンに入射される光の色を前記第２色に変換させて出射し、前記第１色変換パターンと前記第２色変換パターンとの間には前記遮光部材が位置し、前記第１色変換パターンと前記透光パターンとの間には前記遮光部材が位置することができる。

前記表示装置は、第１色を表示する第１画素、第１色よりも短いピーク波長を有する第２色を表示する第２画素、及び前記第２色よりも短いピーク波長を有する第３画素が定義され、前記表示装置は、前記第１色変換パターン上に配置された液晶層、及び前記液晶層上に配置され、前記第３色の光を提供する光源、及び前記遮光部材と前記第１色変換パターンとの間に配置され、前記第３色のピーク波長よりも長いピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に透過させ、前記第３色のピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に遮断する波長帯域フィルターをさらに含み、前記波長帯域フィルターの少なくとも一部は、前記透光性隔壁の前記上面上に配置できる。

また、前記遮光部材と前記第１色変換パターンとの間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルターをさらに含み、前記波長帯域フィルターは、前記透光性隔壁の前記上面と重畳せず、前記第１色変換パターンは、前記遮光部材と接することができる。

前記表示装置は、前記基板と前記透光性隔壁との間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルターをさらに含むことができる。

また、前記波長帯域フィルターと前記透光性隔壁との間に配置され、前記遮光部材とは異なる材料を含む不透光性物質層をさらに含むことができる。

前記基板と前記第１色変換パターンとの間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルター、及び前記基板と前記遮光部材との間に配置され、前記遮光部材とは異なる材料からなる不透光性物質層をさらに含むことができる。

また、前記基板と前記第１色変換パターンとの間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルター、及び前記基板と前記透光性隔壁との間に配置され、前記遮光部材とは異なる材料からなる不透光性物質層をさらに含むことができる。

前記表示装置は、前記遮光部材上に配置され、前記遮光部材を取り囲むように配置された第１透光層、及び前記第１透光層上に直接配置され、前記第１透光層を取り囲むように配置された第２透光層をさらに含み、前記第２透光層の屈折率は、前記第１透光層の屈折率よりも大きいことが好ましい。

前記表示装置は、前記透光性隔壁の前記上面及び前記側面上に配置され、前記透光性隔壁を取り囲むように配置された第１透光層、及び前記第１透光層と前記遮光部材との間に配置され、前記第１透光層を取り囲むように配置された第２透光層をさらに含み、前記第２透光層の屈折率は、前記第１透光層の屈折率よりも大きいことが好ましい。

上記の他の課題を解決するための本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板の一面上に、透光性を有する隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階と、前記隔壁パターン及び前記不透光性物質パターン上に遮光部材形成用組成物を塗布する段階と、前記基板の他面側から光を照射し、前記不透光性物質パターンを遮光マスクとして用いて前記隔壁パターンの上面及び側面上に配置された遮光部材を形成する段階とを含む。

前記隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階は、前記基板の前記一面の少なくとも一部を露出させるように前記基板の前記一面上に前記不透光性物質パターンを形成する段階、及び前記露出した前記基板の前記一面上に前記隔壁パターンを形成する段階を含むことができる。

また、前記不透光性物質パターンを形成する段階は、前記基板の前記一面上に不透光性物質層を形成する段階と、前記不透光性物質層上にポジティブ感光層を形成する段階と、フォトマスク（遮光部と、開口部または透光部とのパターンを有する平坦な板材または網材）を遮光マスクとして用いてポジティブ感光パターン層を形成する段階と、前記ポジティブ感光パターン層をエッチングマスクとして用いて前記不透光性物質層の一部をエッチングして前記不透光性物質パターンを形成する段階とを含み、前記隔壁パターンを形成する段階は、前記不透光性物質パターン上にネガティブ感光層を形成する段階と、前記マスクを遮光マスクとして用いて前記隔壁パターンを形成する段階とを含むことができる。

前記隔壁パターンを形成する段階で、前記隔壁パターンの少なくとも一部は、前記不透光性物質パターンと重畳することができる。

また、前記隔壁パターンを形成する段階で、前記隔壁パターンは、前記不透光性物質パターンと離隔し、前記基板の前記一面の少なくとも一部は、前記隔壁パターン及び前記不透光性物質パターンによってカバーされずに露出できる。

また、前記遮光部材形成用組成物を塗布する段階で、前記組成物は前記隔壁パターンと前記不透光性物質パターンとの間の離隔空間を充填し、前記遮光部材は基板と接するように形成できる。

前記遮光部材形成用組成物を塗布する段階は、前記組成物を前記隔壁パターンの高さよりも高い厚さに塗布する段階であることが好ましい。

前記遮光部材形成用組成物を塗布する段階の後に、前記塗布された組成物の表面を全体的にフッ素処理する段階をさらに含むことができる。

また、前記光を照射する段階の後に、硬化していない遮光部材形成用組成物の表面及び前記隔壁パターンの前記上面上に形成された遮光部材の表面に凹凸パターン層を形成する段階をさらに含むことができる。

前記隔壁パターン及び前記不透光性物質パターンを形成する段階の前に、前記基板の前記一面上に波長帯域フィルターパターンを形成する段階をさらに含み、前記不透光性物質パターンを形成する段階は、前記波長帯域フィルターパターン上に前記波長帯域フィルターパターンと重畳するように前記不透光性物質パターンを形成する段階であり、前記不透光性物質パターンを形成する段階で、前記不透光性物質パターンの幅は前記波長帯域フィルターパターンの幅よりも小さいことが好ましい。

前記隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階は、前記基板の前記一面の少なくとも一部を露出するように前記基板の前記一面上に前記隔壁パターンを形成する段階、及び前記露出した前記基板の前記一面上に前記不透光性物質パターンを形成する段階を含むことができる。

前記不透光性物質パターンを形成する段階で、前記不透光性物質パターンの少なくとも一部は、前記隔壁パターンと重畳することができる。

また、前記遮光部材を形成する段階の後に、前記不透光性物質パターンを除去して前記基板の前記一面を少なくとも部分的に露出させる段階と、前記基板の露出した前記一面上に、波長シフト物質を含むインク組成物を吐出する段階と、前記インク組成物を硬化させる段階とをさらに含むことができる。

また、前記遮光部材を形成する段階は、前記遮光部材形成用組成物をプリベーク（典型的には、露光の前に溶媒を除去するための熱処理）する段階と、前記不透光性物質パターンを遮光マスクとして用いて、前記プリベークされた遮光部材形成用組成物を部分的に光硬化させる段階であって、前記基板の他面側から光を照射する段階と、前記光が前記基板を透過する段階と、前記光が前記隔壁パターンに入射される段階と、前記光が前記隔壁パターンの前記上面を透過する段階と、前記光が前記隔壁パターンの前記側面を透過する段階とを含む、組成物を部分的に光硬化させる段階と、前記部分的に光硬化した遮光部材形成用組成物に現像液を塗布して前記隔壁パターンの前記上面及び前記側面上に配置された遮光部材を現像する段階と、前記遮光部材をハードベーク（典型的には、露光後に樹脂の硬化を完結させるための熱処理）する段階とを含むことができる。

その他の実施例の具体的な内容は、詳細な説明及び図面に含まれていている。

本発明の一実施形態による表示装置は、隣接する画素同士の間に位置して画素間の光の進行を遮断することができる遮光部材を含むことにより、意図しない画素から光が漏れる不良を抑制することができ、これにより表示品質が向上した表示装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法によれば、表示品質が向上した表示装置を製造することができる。

本発明の実施形態による効果は以上で例示された内容によって限定されず、更に様々な効果が本明細書内に含まれている。

本発明の一実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。 図１の表示装置の任意の画素のレイアウトである。 図２のIII−III’線に沿って切開した第１表示板の断面図である。 図２のIV−IV’線に沿って切開した垂直断面図である。 図４のＡ領域を拡大した図である。 図２のVI−VI’線に沿って切開した垂直断面図である。 図４及び図６の隔壁を概略的に示す斜視図である。 図４の第２表示板を透過する光の経路を説明するための図である。 本発明の他の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図９ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１０ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１２ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１３ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１４ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１５ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１６ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１７ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１８ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図１９ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図２０ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図２１ａの要部拡大図である。 図２１ａ〜２１ｂの表示装置を示す、図６と同様の垂直断面図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図２２ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図２３ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図２４ａの要部拡大図である。 本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す、図４と同様の垂直断面図である。 図２５ａの要部拡大図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置（図１〜８に対応）の製造方法を説明するための断面図(1)である。基板上に不透光性物質層を形成した段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。さらに感光層を形成し、プリベークする段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。マスクを用いて光を照射して、感光性パターン層を形成する段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。感光性パターン層をマスクとして不透光性パターンを形成する段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。さらに有機層を形成する段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｅの有機層をパターニングして、隔壁パターンを形成する段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(7)である。遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(8)である。不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(9)である。未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(10)である。不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(11)である。波長帯域フィルターのパターンを形成する段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(12)である。波長シフト物質または光散乱用の粒子状物質を含むインク組成物を各開口に配置した段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(13)である。インク組成物を乾燥後に硬化させる段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(14)である。全面を覆う別の波長帯域フィルターの層を形成し、さらに、オーバーコート層、偏光層及び共通電極の層を順次形成して第２表示板を完成させた段階を示す。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(15)である。液晶層を挟むようにして第１表示板を組み合わせることで、表示パネルを完成させた段階を示す。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(1)である。図２６ａ〜２６ｆと同様の工程により、不透光性パターン及び隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガスなどで、フッ素処理する段階を示す。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置（図１１に対応）の製造方法を説明するための断面図(1)である。図２６ａ〜２６ｆと同様の工程により、不透光性パターン及び隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。樹脂材料を塗布した段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。スタンプにより凹凸パターンを刻印する段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。凹凸パターンが形成された段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(7)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物、及びその上の樹脂材料を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(8)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置（図１３ａ〜１３ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図(1)である。図２６ａ〜２６ｃと同様の工程により、不透光性物質層、及びこの上の感光性パターン層を形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｄと同様に、感光性パターン層をマスクとして、不透光性物質パターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｅと同様の、有機層を形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｆと同様に、有機層をパターニングして、隔壁パターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(7)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(8)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置（図１４ａ〜１４ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図(1)である。図２６ａ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置（図１５ａ〜１５ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図(1)である。図２６ａ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置（図１６ａ〜１６ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図である。図２６ａ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置（図１９ａ〜１９ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図である。図２６ａ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置（図２０ａ〜２０ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図である。図２６ａ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(viii)に係る表示装置（図１７ａ〜１７ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ａと同様の工程により、全面に不透光性物質層を形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｂ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(7)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置（図１８ａ〜１８ｂに対応）の製造方法を説明するための断面図である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ａと同様の工程により、全面に不透光性物質層を形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｂ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(ix)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(7)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。但し、隔壁の両縁部にて、不透光性物質パターンを残存させる。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置（図２１ａ〜２１ｃに対応）の製造方法を説明するための断面図である。図２６ｋと同様の工程により、波長帯域フィルターのパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(2)である。図２６ａと同様の工程により、全面に不透光性物質層を形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(3)である。図２６ｂ〜２６ｄと同様の工程により、不透光性パターンを形成した段階を示す。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(4)である。図２６ｅ〜２６ｆと同様の工程により隔壁パターンを形成した段階を示す 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(5)である。図２６ｇと同様に、遮光部材形成用組成物を塗布してプリベークする段階を示す。図２６ｈと同様に、不透光性物質パターンをマスクとして遮光部材のパターンを形成する段階を示す。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(6)である。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(7)である。図２６ｉと同様に、未硬化の遮光部材形成用組成物を除去する現像の段階を示す。 本発明の別の実施形態(x)に係る表示装置の製造方法を説明するための断面図(8)である。図２６ｊと同様に、不透光性物質パターンを除去するエッチングの段階を示す。

本発明の利点、特徴、及びそれらを達成する方法は、添付図面を共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になるだろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現される。但し、本実施形態は、単に本発明の開示を完全たるものにし、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。本発明は、請求項の範疇によってのみ定められる。

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が、他の素子または層の「上（ｏｎ）」にあると記載された場合は、他の素子の真上に存在する場合、または、それらの間に別の層または別の素子が介在する場合を、全て含む。反面、素子が「直接上（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」と記載された場合は、それらの間に別の素子または層が介在していないことを示す。明細書全体にわたり、同一の参照符号は、同一の構成要素を指し示す。

空間的に相対的な用語である「下（ｂｅｌｏｗ）」、「下（ｂｅｎｅａｔｈ）」、「下部（ｌｏｗｅｒ）」、「上（ａｂｏｖｅ）」、「上部（ｕｐｐｅｒ）」などは、図示されているように、一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用できる。空間的に相対的な用語は、図示されている方向に加えて、使用の際に素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されるべきである。例えば、図示されている素子を覆す場合、他の素子の「下（ｂｅｌｏｗまたはｂｅｎｅａｔｈ）」と記述された素子は、他の素子の「上（ａｂｏｖｅ）」に配置され得る。したがって、例示的な用語である「下」は、下と上の方向をすべて含むことができる。

本明細書で使用される用語「及び／または」は、言及されたアイテムのそれぞれ及び１つ以上のすべての組み合わせを意味する。本明細書で「乃至」を使用して表した数値の範囲は、その前と後ろに記載された値をそれぞれ下限と上限として含む数値の範囲を意味する。

本明細書で使用される用語「第１方向Ｘ」は、平面内の任意の一方向を意味し、用語「第２方向Ｙ」は前記平面内で第１方向Ｘと交差する方向を意味し、用語「第３方向Ｚ」は前記平面に対して垂直な方向を意味する。

以下、添付図面を参照して本発明の実施例について説明する。

図１は本発明の一実施形態に係る表示装置の分解斜視図である。図２は図１の表示装置の任意の画素のレイアウトである。

図１及び図２を参照すると、本実施形態に係る表示装置１は、表示パネル３１、及び表示パネル３１に光を提供する光源部５０を含む。

表示パネル３１は、第１表示板ＳＵＢ１、第１表示板ＳＵＢ１と対向する第２表示板ＳＵＢ２、及びこれらの間に介在した液晶層ＬＣＬを含むことができる。液晶層ＬＣＬは、第１表示板ＳＵＢ１、第２表示板ＳＵＢ２、及びこれらを貼り合わせるシーリング部材（図示せず）によって、密封された状態であり得る。

表示パネル３１には、平面上にて、略マトリックス状に配列された複数の画素が設定されうる。本明細書において、各「画素（ｐｉｘｅｌ）」は、色表示のために、平面視で表示領域が区画されることで設定される単一の領域を意味し、一つの画素は、予め定められた１つの基本色を表現することができる。すなわち、１つの画素は、他の画素と互いに独立した色を表現することができる、表示パネル３１中における（の基準での）最小単位であり得る。

前記複数の画素は、第１色を表示する第１画素ＰＸａ、第１色よりも短いピーク波長を有する第２色を表示する第２画素ＰＸｂ、及び第２色よりも短いピーク波長を有する第３色を表示する第３画素ＰＸｃを含むことができる。例示的な実施形態において、第１方向Ｘに順に配列された第１画素ＰＸａ、第２画素ＰＸｂ及び第３画素ＰＸｃの組合せが一つの基本単位をなして、この基本単位が第１方向Ｘに繰り返し配列されるとともに、第１画素ＰＸａ、第２画素ＰＸｂ及び第３画素ＰＸｃが、この順に第２方向Ｙに繰り返し配列されるのであり得る。

例えば、第１画素ＰＸａは、約６１０ｎｍ乃至６５０ｎｍの範囲でピーク波長を有する第１色（赤色）を表示する画素であり、第１画素ＰＸａと第１方向Ｘに隣接した第２画素ＰＸｂは、約５３０ｎｍ乃至５７０ｎｍの範囲でピーク波長を有する第２色（緑色）を表示する画素であり、第２画素ＰＸｂと第１方向Ｘに隣接した第３画素ＰＸｃは、約４３０ｎｍ乃至４７０ｎｍの範囲でピーク波長を有する第３色（青色）を表示する画素であり得る。

また、第１画素ＰＸａと第２方向Ｙに隣接した第４画素ＰＸｄは、前記第１色を表示する画素であり、第２画素ＰＸｂと第２方向Ｙに隣接した第５画素ＰＸｅは、前記第２色を表示する画素であり、第３画素ＰＸｃと第２方向Ｙに隣接した第６画素ＰＸｆは、前記第３色を表示する画素であり得る。

表示パネル３１は、第１方向Ｘに延長された複数のゲートラインＧＬ、及び第２方向Ｙに延長され、ゲートラインＧＬと絶縁されるように配置された複数のデータラインＤＬを含むことができる。ゲートラインＧＬ及びデータラインＤＬは、それぞれ駆動部（図示せず）に連結されており、画素ごとに配置された画素電極ＰＥに、駆動信号を伝達することができる。

光源部５０は、表示パネル３１の下側に配置され、特定の波長を有する光を表示パネル３１の側へ出射することができる。光源部５０は、光を直接放出する光源（ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）、及び、前記光源（図示せず）から提供された光の経路をガイドして表示パネル３１の側へ出射させる導光板（図示せず）を含んでなることができる。前記導光板の材料は、特に限定されないが、例えば、ガラス（ｇｌａｓｓ）材料、石英（ｑｕａｒｔｚ）材料、または、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）などのプラスチック材料からなる。

前記光源は、発光ダイオード（ＬＥＤ）または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などであり得る。例示的な実施形態において、前記光源は、前記第１色及び前記第２色よりも短いピーク波長を有する光を放出することができる。

図示してはいないが、表示パネル３１と光源部５０との間には１つ以上の光学シートが配置できる。前記光学シートは、プリズムシート、拡散シート、（反射型）偏光シート、レンチキュラーレンズシート及びマイクロレンズシートの少なくとも一つを含むことができる。前記光学シートは、光源部５０から提供を受けて表示パネル３１側へ進行する光の光学特性、例えば集光、拡散、散乱または偏光特性を変調して表示装置１の表示品質を改善することができる。

以下、図３をさらに参照して、表示パネル３１の第１表示板ＳＵＢ１に対してより詳細に説明する。

図３は図２のIII−III’線に沿って切開した第１表示板の断面図である。

図１乃至図３を参照すると、第１表示板ＳＵＢ１は、第１基板ＢＳ１、第１基板ＢＳ１の一面（図３における上面）上に配置されたスイッチング素子Ｑ、スイッチング素子Ｑ上に配置された画素電極ＰＥを含むことができる。

第１基板ＢＳ１は透明な絶縁基板であり得る。例えば、第１基板ＢＳ１は、ガラス材料、石英材料または透光性プラスチック材料からなる基板である。いくつかの実施形態において、第１基板ＢＳ１は可撓性を有し、表示装置１は曲面型表示装置であり得る。

第１基板ＢＳ１上には複数のスイッチング素子Ｑが配置できる。各スイッチング素子Ｑは、各画素ＰＸａ、ＰＸｂ、ＰＸｃごとに配置され、後述する画素電極ＰＥに対して駆動信号を伝達または遮断することができる。例示的な実施形態において、各スイッチング素子Ｑは、ゲート電極ＧＥ、ゲート電極ＧＥ上に配置されたアクティブ層ＡＬ、及びアクティブ層ＡＬ上で互いに離隔して配置されたソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥを含む薄膜トランジスタであり得る。

制御端子であるゲート電極ＧＥは、ゲートラインＧＬに接続されてゲート駆動信号の提供を受け、入力端子であるソース電極ＳＥは、データラインＤＬに接続されてデータ駆動信号の提供を受け、出力端子であるドレイン電極ＤＥは、画素電極ＰＥに電気的に接続できる。アクティブ層ＡＬは、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコンを含んでなるか、或いは酸化物半導体からなる。アクティブ層ＡＬは、スイッチング素子Ｑのチャネル（transmissing channel;伝送路）の役目を果たし、ゲート電極ＧＥに印加される電圧に応じてチャネルをターンオンまたはターンオフすることができる。ゲート電極ＧＥとアクティブ層ＡＬとは絶縁膜ＧＩによって絶縁できる。図示してはいないが、アクティブ層ＡＬがアモルファスシリコンなどからなる場合、アクティブ層ＡＬ、ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥの間にはオーミック接触層（図示せず）がさらに配置できる。

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ上には第１保護層ＰＳ１が配置され、下部に形成された配線及び電極を保護することができる。第１保護層ＰＳ１は無機材料を含んで構成できる。前記無機材料の例としては、窒化ケイ素（ＳｉＮ_ｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_ｘ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ、ｘ＞ｙ）または酸化窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、ｘ＞ｙ）などを挙げることができる。

スイッチング素子Ｑ上には中間層ＩＬが配置できる。中間層ＩＬは、その上部の構成と下部の構成とを互いに電気的に絶縁させ、第１基板ＢＳ１上に積層された複数の構成要素の段差を平坦化することができる。中間層ＩＬは、一つ以上の層を含んで構成できる。例えば、中間層ＩＬは、有機材料からなるか、無機材料からなるか、或いは有機材料からなる層と無機材料からなる層との積層構造であり得る。

中間層ＩＬ上には複数の画素電極ＰＥが配置できる。画素電極ＰＥは、後述する共通電極ＣＥと一緒に液晶層ＬＣＬに電界を形成して、該当画素内の液晶ＬＣの配向方向を制御することができる。画素電極ＰＥは、中間層ＩＬに形成されたコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）を介してスイッチング素子Ｑのドレイン電極ＤＥと電気的に接続できる。各画素電極ＰＥは、各画素ＰＸａ、ＰＸｂ、ＰＸｃごとに配置され、スイッチング素子Ｑを介して互いに独立した電圧が印加できる。画素電極ＰＥは、透明な導電性材料からなる透明電極であり得る。透明電極を形成する材料の例としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などを挙げることができる。図２は画素電極ＰＥにスリットが形成されていない平板状である場合を例示しているが、他の実施形態において、画素電極ＰＥは放射状のスリットなどを持つことができる。

画素電極ＰＥ上には、第１液晶配向層ＬＣＡ１が配置されうる。第１液晶配向層ＬＣＡ１は、隣接する液晶層ＬＣＬ内にある液晶ＬＣの初期配向を誘導することができる。本明細書において、「液晶の初期配向」とは、液晶層に電界が形成されていない状態における液晶の配列を意味する。第１液晶配向層ＬＣＡ１は、主鎖の繰り返し単位内にイミド基を持つ高分子有機材料を含んで構成できる。

以下、図４乃至図７をさらに参照して、表示パネル３１の液晶層ＬＣＬ及び第２表示板ＳＵＢ２について、より詳細に説明する。

図４は、図２のIV−IV’線に沿って切開した断面図である。図５は、図４のＡ領域を拡大した図である。図６は、図２のVI−VI’線に沿って切開した断面図である。図７は、図４及び図６の隔壁を概略的に示す斜視図である。

まず、液晶層ＬＣＬについて説明する。

図１乃至図４を参照すると、液晶層ＬＣＬは、初期配向された複数の液晶ＬＣ（液晶分子）を含む。液晶ＬＣは、負の誘電率異方性をもっていて、初期配向状態で垂直配向されうる。液晶ＬＣは、初期配向状態で所定のプレチルト（ｐｒｅｔｉｌｔ）角を有することもできる。液晶ＬＣの初期配向は、第１液晶配向層ＬＣＡ１及び第２液晶配向層ＬＣＡ２によって誘導できる。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されると、液晶ＬＣは、特定の方向に傾くことで、液晶層ＬＣＬを透過する光の偏光状態を変化させることができる。他の実施形態において、液晶ＬＣは、正の誘電率異方性をもっていて初期配向状態で水平配向されるのであって、電界が形成されると、回転することで光の偏光状態を変化させることもできる。

次に、第２表示板ＳＵＢ２について説明する。

図１乃至図７を参照すると、第２表示板ＳＵＢ２は、第２基板ＢＳ２、第２基板ＢＳ２の一面（図４における下面）上に配置された隔壁１１０（図７）、隔壁１１０上に配置された遮光部材２１０（図４〜６）、遮光部材２１０上に配置された色変換パターン４００（図４）、及び色変換パターン４００上に配置された共通電極ＣＥ（図４及び６）を含み、色変換パターン４００と共通電極ＣＥとの間に配置された偏光層ＰＯＬ（図４及び６）をさらに含むことができる。

第２基板ＢＳ２は、第１基板ＢＳ１と同様の透明な絶縁基板であり得る。第２基板ＢＳ２上には隔壁１１０が配置されうる。隔壁１１０は、第２基板ＢＳ２の表面を少なくとも部分的に露出させるように配置されうる。すなわち、隔壁１１０は、第２基板ＢＳ２の表面の少なくとも一部を露出させる開口１１０ｈを持つことができる。

例えば、隔壁１１０は、第１方向Ｘに延長された複数の第１隔壁部１１１、及び、第２方向Ｙに延長された複数の第２隔壁部１１２を含むことができる（図７）。第１隔壁部１１１と第２隔壁部１１２とは、相互に交差して物理的に一体に形成できる。すなわち、第１隔壁部１１１は、平面視で第１方向Ｘに延長された隔壁１１０の一部分を意味し、第２隔壁部１１２は、平面視で第２方向Ｙに延長された隔壁１１０の一部分を意味する。開口１１０ｈは、隣接する２つの第１隔壁部１１１と隣接する２つの第２隔壁部１１２によって取り囲まれることで区画されて形成されうる。言い換えれば、隔壁１１０は、隣接する画素の境界に配置され、平面視で略格子状であり得る。

例示的な実施形態において、第１隔壁部１１１は、図６に示すように、第１基板ＢＳ１におけるゲート電極ＧＥ、アクティブ層（半導体活性層）ＡＬ、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及び、中間層ＩＬに形成されたコンタクトホールなどと重ね合わされ、第２隔壁部１１２は、図４に示すように、第１基板ＢＳ１におけるデータラインＤＬなどと重ね合わされるのでありうる。第１隔壁部１１１の第２方向Ｙへの最大幅Ｗ_１は、第２隔壁部１１２の第１方向Ｘへの最大幅Ｗ_２よりも大きいのでありうる。

本発明はこれらに限定されないが、例えば、色変換パターン４００をインクジェット工程によって形成する場合、隔壁１１０は、吐出されたインク組成物の整列配置に役立てることができる。すなわち、隔壁１１０は、色変換パターン４００を形成するためのインク組成物を所望の位置に正確に吐出し、安定的に位置させるためのガイドの役目を果たすことができる。言い換えれば、隔壁１１０は、色変換パターン４００の形成を容易にすることができる。十分な厚さを持つ色変換パターン４００を形成するという観点から、隔壁１１０の高さＨ_１１０の下限は、約５．０μｍ、約５．５μｍ、約６．０μｍ、６．５μｍ、約７．０μｍ、約７．５μｍ、約８．０μｍ、約８．５μｍ、約９．０μｍ、約９．５μｍ、約１０．０μｍ、約１０．５μｍ、約１１．０μｍ、約１１．５μｍ、約１２．０μｍまたは約１５．０μｍであり得る。隔壁１１０の高さＨ_１１０を少なくとも５．０μｍ以上にして、十分な厚さを有する色変換パターン４００を形成することができ、これにより、優れた色変換効率を有する色変換パターン４００を形成することができる。

隔壁１１０は、上面、及び上面の縁から下方に傾斜して延びる側面を持つことができる。例えば、第１隔壁部１１１と第２隔壁部１１２は、それぞれ所定の細長い平坦面をなす上面１１０ｔ、及び上面１１０ｔの両縁から下方に傾斜して延びる側面１１０ｓを持つことができる。例示的な実施形態において、第２基板ＢＳ２の表面に対して隔壁１１０の側面１１０ｓがなす平均傾斜角θの下限は、約３０°、約３５°または約４０°であり得る。また、第２基板ＢＳ２の表面に対して側面１１０ｓがなす平均傾斜角θの上限は、約８５°、約８０°、約７０°、約６０°または約５０°であり得る。本発明はこれらに限定されないが、例えば、背面露光工程によって遮光部材２１０を形成する場合、側面１１０ｓが所定の傾斜を持つようにして隔壁１１０の上面１１０ｔだけでなく、側面１１０ｓを通じても十分な量の光が透過することを容易にすることができる。これにより、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置された、十分な厚さの遮光部材２１０を形成することができ、例えば、第１色変換パターン４１０が第１波長シフト物質４１０ｐを含む場合、第１波長シフト物質４１０ｐが放出する第１色の光が第２色変換パターン４２０内を進行して、第２画素ＰＸｂで第１色が表現される不良、すなわち光漏れ不良を抑制することができる。

非制限的な一例として、隔壁１１０の下面の幅は隔壁１１０の上面の幅よりも大きくてもよい。例えば、隔壁１１０の第２隔壁部１１２の下面の幅Ｗ_２は、約１７μｍ〜３０μｍ、または約１８μｍ〜約２５μｍ、または約２０μｍである得る。また、隔壁１１０の第２隔壁部１１２の上面１１０ｔの幅Ｗ_Ｔは約１５μｍ〜２５μｍ、または約１７μｍ〜２０μｍ、または約１８μｍであり得る。

隔壁１１０は透光性を有することができる。隔壁１１０の光透過率は約９０％以上、約９５％以上、約９８％以上、または約９９％以上であり得る。隔壁１１０の材料は、優れた光透過率を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂またはイミド系樹脂などの有機材料であり得る。具体的には、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート系、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート系、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート系、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート系、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート系、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート系、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート系、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート系、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート系、ビスフェノールＡエポキシ（メタ）アクリレート系、トリスアクリロイルオキシエチルホスフェート系、カルドエポキシジアクリレート系高分子などを例示することができる。

隔壁１１０が有機物質からなる場合、隔壁１１０は感光性有機物質からなり得る。前記感光性有機物質は、光が照射された部位で硬化が発生するネガティブ感光性物質であり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。

いくつかの実施形態において、隔壁１１０は、内部に分散した第１粒子状物質１１０ｐをさらに含むことができる。第１粒子状物質１１０ｐは、隔壁１１０を透過する光の散乱を誘導する光散乱物質であり得る。第１粒子状物質１１０ｐの形状は、球形であるか、または規則または不規則な、様々な多角形の形状であり得る。第１粒子状物質１１０ｐの屈折率は、隔壁１１０の屈折率とは異なり得る。第１粒子状物質１１０ｐは、透過光を散乱反射することができる物質であれば特に限定されないが、例えば、金属酸化物粒子または有機粒子などであり得る。前記金属酸化物としては、酸化チタン（ＴｉＯ_２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、または酸化スズ（ＳｎＯ_２）などを例示することができ、前記有機材料としては、アクリル系樹脂またはウレタン系樹脂などを例示することができる。

遮光部材２１０は隔壁１１０上に配置できる。遮光部材２１０は、第２基板ＢＳ２から突出した隔壁１１０の表面を覆うように配置できる。例えば、遮光部材２１０は、隔壁１１０の上面１１０ｔに配置できる。また、遮光部材２１０の少なくとも一部は、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置できる。

遮光部材２１０は光の透過を遮断することができる。遮光部材２１０は、隣接する画素の平面上の境界に配置され、隣接した画素間の混色不良を防止することができる。また、遮光部材２１０は、第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間及び第２色変換パターン４２０と透光パターン５１０との間に配置できる。例えば、第１色変換パターン４１０が第１波長シフト物質４１０ｐを含む場合、第１波長シフト物質４１０ｐが放出する第１色の光が第２色変換パターン４２０内へ進行して第２画素ＰＸｂで第１色が表現される不良を抑制することができる。遮光部材２１０の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｅｎｓｉｔｙ、ＯＤ）は約２．０／１．３μｍ以上、または約３．０／１．３μｍ以上、または約４．０／１．３μｍであり得る。すなわち、１．３μｍの厚さを有する遮光部材２１０の厚さ方向への光学密度は、約２．０以上、または約３．０以上、または約４．０以上であり得る。

遮光部材２１０の材料は、光の透過を遮断することができる材料であれば特に限定されないが、例えば、ブラック顔料または染料などの着色剤を含む有機物質を含んでなることができる。

遮光部材２１０のブラック顔料または染料などの着色剤の例としては、カーボンブラック、チタンブラック、リグニンブラック、ペリレンブラック、シアニンブラック、鉄／マンガンなどの複合酸化物顔料などの無機顔料、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。

また、遮光部材２１０は、有機ベース物質をさらに含むことができる。有機ベース物質は、ブラック顔料または染料の分散性を確保することができる材料であれば特に限定されないが、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート系、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート系、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート系、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート系、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート系、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート系、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート系、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート系、ビスフェノールＡエポキシ（メタ）アクリレート系、エチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート系、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート系、トリスアクリロイルオキシエチルホスフェート系、カルドエポキシジアクリレート系高分子などであり得る。遮光部材２１０が有機ベースの物質を含んでなる場合、前記有機ベース物質は感光性有機物質を含むことができる。前記感光性有機物質は、光が照射された部位で硬化が発生するネガティブ感光性物質であり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。

例示的な実施形態において、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の第１厚さｔ_Ｔと、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０の第２厚さｔ_Ｓとは異なり得る。例えば、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の第１厚さｔ_Ｔは、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０の第２厚さｔ_Ｓより大きい。第２厚さｔ_Ｓは、隔壁１１０の側面１１０ｓの表面に垂直な方向に対して遮光部材２１０の上面までの垂直距離を意味する。遮光部材２１０の第１厚さｔ_Ｔと第２厚さｔ_Ｓは、光の透過を完全に遮断することができれば特に限定されないが、第１厚さｔ_Ｔと第２厚さｔ_Ｓの下限は約１．３μｍ、約１．４μｍ、約１．５μｍ、約２．０μｍ、約２．５μｍ、または約３．０μｍであり得る。

また、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０の長さＬ_Ｓは隔壁１１０の高さＨ_１１０よりも大きいことができる。例えば、隔壁１１０の側面１１０ｓに沿って測定した遮光部材２１０の長さＬ_Ｓは、約７．０μｍ以上である。遮光部材２１０の長さＬ_Ｓは、遮光部材２１０が第３方向Ｚへの十分な高さの成分を持つようにすることができる。非制限的な一例において、遮光部材２１０の最大幅Ｗ_２１０は約３３μｍ以下、または約２８μｍ以下、または約２３μｍ以下であり得る。

さらに、隔壁１１０の高さＨ_１１０は、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の第１厚さｔ_Ｔの約２倍以上、または約２．５倍以上、または約３倍以上であり得る。十分な吸光特性を示すことができる程度の遮光部材２１０の厚さｔ_Ｔよりも約２倍以上、または約２．５倍以上、または約３倍以上の高さを有する隔壁１１０を形成して、十分な厚さを持つ色変換パターン４００の形成を容易にすることができる。また、隔壁１１０の高さＨ_１１０は、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の第１厚さｔ_Ｔの約１０倍以下であり得る。

従来の遮光部材の場合、遮光部材自体が持つ吸光特性により、感光性物質を用いた遮光部材の露光硬化が困難であって、十分な厚さ（高さ）を有する遮光部材を形成することが不可能であるか工程が複雑になるという問題があった。例えば、従来の遮光部材の場合、吸光度が高い遮光部材の材料を用いる場合、１．３μｍよりも大きい厚さ（高さ）を有するように形成することができず、吸光度の低い遮光部材の材料を用いる場合、完全な遮光特性を示さずに光漏れ不良が発生するという問題があった。

しかし、本実施形態に係る表示装置１は、十分な高さを有する隔壁１１０を形成し、隔壁１１０の表面を覆うように配置された遮光部材２１０を配置することにより、遮光部材２１０の高さ方向の長さを隔壁１１０の高さ以上に形成することができ、これにより、隣接する画素間で光漏れ不良が発生することを抑制することができる。

いくつかの実施形態において、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の表面の疎水性は、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０の表面の疎水性よりも大きいことができる。例えば、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の表面に結合された単位面積当たりのフッ素基の含有量は、隔壁１１０の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０の表面に結合された単位面積当たりのフッ素基の含有量に比べて大きい。すなわち、遮光部材２１０の表面の領域ごとにフッ素基の含有量の差によって疎水性の差を与えることができる。本発明はこれに限定されるものではないが、色変換パターン４００をインクジェット工程によって形成する場合、インク組成物の吐出位置に相応する隔壁１１０の側面１１０ｓ部分はインク組成物との親液性を付与し、隔壁１１０の上面１１０ｔ部分はインク組成物との撥液性を付与して色変換パターン４００の形成を容易にすることができる。

遮光部材２１０上には第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０が配置できる。第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０は、特定の波長帯域の光は透過させ、他の特定の波長帯域の光の透過は遮断することにより、入射光の一部の波長帯域のみを選択的に透過させる波長−選択的光学フィルターである。第１波長帯域フィルター３１０は、第１画素ＰＸａ内の隔壁１１０が形成する開口１１０ｈ内に配置され、第２波長帯域フィルター３２０は、第２画素ＰＸｂ内の隔壁１１０が形成する開口１１０ｈ内に配置され得る。

例示的な実施形態において、第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０は、光源部５０が提供する第３色のピーク波長よりも長いピーク波長を有する光を選択的に透過させ、第３色の光は吸収または反射することができる。

例えば、第１波長帯域フィルター３１０は、第１画素ＰＸａ内に配置され、第１色のピーク波長を含む波長帯域の光は透過させ、第３色のピーク波長を含む波長帯域の光は吸収することができる。第１波長帯域フィルター３１０の少なくとも一部は、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置できる。すなわち、第１波長帯域フィルター３１０の少なくとも一部は、隔壁１１０の上面１１０ｔと第３方向Ｚに重畳することができる。

また、第２波長帯域フィルター３２０は、第２画素ＰＸｂ内に配置され、第２色のピーク波長を含む波長帯域の光は透過させ、第３色のピーク波長を含む波長帯域の光は吸収することができる。第２波長帯域フィルター３２０の少なくとも一部は、隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置できる。すなわち、第２波長帯域フィルター３２０の少なくとも一部は、隔壁１１０の上面１１０ｔと第３方向Ｚに重畳することができる。

第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０は、それぞれ、特定の波長帯域の光を吸収する顔料（ｃｏｌｏｒａｎｔ）または染料（ｄｙｅ）を含んでなることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

第１波長帯域フィルター３１０は、光源部５０から提供され、後述する第１色変換パターン４１０に入射される第３色の光のうち、第１色変換パターン４１０によって色変換されずにそのまま透過された第３色の光の透過を遮断することができる。また、第２波長帯域フィルター３２０は、光源部５０から提供され、後述する第２色変換パターン４２０に入射される第３色の光のうち、第２色変換パターン４２０によって色変換されずにそのまま透過された第３色の光の透過を遮断することができる。これにより、第１画素ＰＸａが表示する第１色、及び第２画素ＰＸｂが表示する第２色の純度を向上させて表示装置１の表示品質を改善することができる。

第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０は、それぞれ、少なくとも部分的に隔壁１１０の上面１１０ｔ上に配置できる。すなわち、第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０はそれぞれ隔壁１１０の上面１１０ｔと第３方向Ｚに重畳できる。隔壁１１０の頂部（すなわち、上面）よりも上方にさらに突出した第１波長帯域フィルター３１０と第２波長帯域フィルター３２０は、開口１１０ｈの深さをより深く形成することができ、これにより色変換パターン４００の形成を容易にすることができる。

一方、第４画素ＰＸｄ内には第３波長帯域フィルター３３０が配置できる。第３波長帯域フィルター３３０は、第１波長帯域フィルター３１０と同様に、第１色のピーク波長を含む波長帯域の光は透過させ、第３色のピーク波長を含む波長帯域の光は吸収することができる。第３波長帯域フィルター３３０は第１波長帯域フィルター３１０から第２方向Ｙに離隔できる。

第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０上には色変換パターン４００が配置できる。色変換パターン４００は、透過光の色を、入射光とは異なる色に変換させることができる。すなわち、色変換パターン４００を透過した後の光は、予め定められた特定の波長帯域の光に変換できる。例示的な実施形態において、色変換パターン４００は、入射光のピーク波長を、予め定められた特定のピーク波長に変換またはシフト（ｓｈｉｆｔ）させる物質、すなわち波長シフト物質４１０ｐ、４２０ｐを含むことができる。波長シフト物質の例としては、量子ドット物質または蛍光体物質を挙げることができる。

例えば、量子ドットは、電子が伝導帯から価電子帯に転移しながら特定の色を放出することができる。前記量子ドット物質はコア−シェル構造を持つことができる。前記コアは半導体ナノ結晶物質であり得る。前記量子ドットのコアの例としては、ケイ素（Ｓｉ）系ナノ結晶、ＩＩ−ＶＩ族系化合物ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族系化合物ナノ結晶などが挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。非制限的な一例として、波長シフト物質は、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、及びリン化インジウム（ＩｎＰ）のいずれか一つからなるコアと、硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなる外部シェルとを含んでなることができる。

色変換パターン４００が波長シフト物質４１０ｐ、４２０ｐを含む場合、色変換パターン４００を透過して第３方向Ｚへ進行する光の少なくとも一部は、波長シフト物質４１０ｐ、４２０ｐの発光に寄与することができる。透過光が波長シフト物質４１０ｐ、４２０ｐの発光に寄与する程度を大きくするためには、色変換パターン４００が十分な厚さｔ_４００を有することが有利である。例えば、色変換パターン４００の厚さｔ_４００の下限は、約５．０μｍ、約５．５μｍ、約６．０μｍ、約６．５μｍ、約７．０μｍ、約７．５μｍ、約８．０μｍ、約８．５μｍ、約９．０μｍ、約９．５μｍ、約１０．０μｍ、約１０．５μｍ、約１１．０μｍ、約１１．５μｍ、約１２．０μｍまたは約１５．０μｍであり得る。上述したように隔壁１１０を十分な高さに形成することにより、十分な厚さを有する色変換パターン４００の形成を容易にすることができる。

色変換パターン４００は第１色変換パターン４１０及び第２色変換パターン４２０を含むことができる。第１色変換パターン４１０は、第１画素ＰＸａ内の隔壁１１０が形成する開口１１０ｈ内に配置され、第２色変換パターン４２０は、第２画素ＰＸｂ内の隔壁１１０が形成する開口１１０ｈ内に配置され得る。

第１色変換パターン４１０は第１波長シフト物質４１０ｐを含むことができる。第１波長シフト物質４１０ｐは、第１色のピーク波長を有する光を放出する物質であり得る。第１波長シフト物質４１０ｐの大きさは約５５Å乃至６５Åであり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。また、第２色変換パターン４２０は、第２波長シフト物質４２０ｐを含むことができる。第２波長シフト物質４２０ｐは、第２色のピーク波長を有する光を放出する物質であり得る。第２波長シフト物質４２０ｐの大きさは約４０Å乃至５０Åであり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。

第１波長シフト物質４１０ｐ及び第２波長シフト物質４２０ｐが放出する光は、入射光の入射角とは関係なく複数の方向に放出され、表示装置１が表示する第１色及び第２色の側面視認性の改善に寄与することができる。第１色変換パターン４１０及び第２色変換パターン４２０から視聴者側（図４における上側）へ放出される光は、偏光が解消されて非偏光（ｕｎｐｏｌａｒｉｚｅｄ）された状態であり得る。本明細書において、「非偏光された光」とは、特定の方向の偏光成分のみからなっていない光、すなわち特定の方向のみに偏光されていない光、つまりランダム化された偏光（ｒａｎｄｏｍ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）成分からなる光を意味する。非偏光された光の例としては自然光（ｎａｔｕｒａｌ ｌｉｇｈｔ）を挙げることができる。

水平方向（例えば、第１方向Ｘ）に離隔している第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間には遮光部材２１０が介在した状態であり得る。すなわち、第１色変換パターン４１０、遮光部材２１０及び第２色変換パターン４２０は、少なくとも部分的に水平方向に重畳することができる。第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間に、十分な吸光特性を有する遮光部材２１０を配置することにより、例えば、第１波長シフト物質４１０ｐが放出した光が第２色変換パターン４２０側へ進行して第２画素ＰＸｂで第１色が表示される、或いは第２波長シフト物質４２０ｐが放出した光が第１色変換パターン４１０側へ進行して第１波長シフト物質４１０ｐが発光する不良を抑制することができる。

一方、第３画素ＰＸｃ内の隔壁１１０が形成する開口１１０ｈ内には透光パターン５１０が配置できる。例えば、透光パターン５１０は、第２基板ＢＳ２及び遮光部材２１０上に直接配置できる。透光パターン５１０は、実質的な透過光の色変換なしで入射光の色を維持したままに透過させることができる。すなわち、透光パターン５１０を透過した後の光は、光源部５０が提供した第３色を持つことができる。

いくつかの実施形態において、透光パターン５１０は第２粒子状物質５１０ｐをさらに含むことができる。第２粒子状物質５１０ｐは、透光パターン５１０を透過する光の散乱を誘導する光散乱物質であり得る。第２粒子状物質５１０ｐは、透過光を散乱反射することができる物質であれば特に限定されないが、例えば、金属酸化物粒子または有機粒子などであり得る。前記金属酸化物としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化インジウム、酸化亜鉛または酸化スズなどを例示することができ、前記有機材料としては、アクリル系樹脂またはウレタン系樹脂などを例示することができる。

第２粒子状物質５１０ｐは、光源部５０から提供され、透光パターン５１０を透過する第３色の光の波長を変換させることなく、入射角とは関係なく複数の方向に散乱させることにより、表示装置１が表示する第３色の側面視認性を改善することができる。透光パターン５１０を介して視聴者側へ放出される光は非偏光された状態であり得る。他の実施形態において、透光パターン５１０は省略してもよい。

水平方向（例えば、第１方向Ｘ）に離隔している第２色変換パターン４２０と透光パターン５１０との間には遮光部材２１０が介在した状態であり得る。すなわち、第２色変換パターン４２０、遮光部材２１０及び透光パターン５１０は、少なくとも部分的に水平方向に重畳することができる。第２色変換パターン４２０と透光パターン５１０との間に、十分な吸光特性を有する遮光部材２１０を配置することにより、例えば、第２波長シフト物質４２０ｐが放出した光が透光パターン５１０側へ進行して第３画素ＰＸｃで第２色が表示される、或いは透光パターン５１０の第２粒子状物質５１０ｐによって散乱した光が第２色変換パターン４２０側へ進行して第２波長シフト物質４２０ｐが発光する不良を抑制することができる。

色変換パターン４００及び透光パターン５１０上には第４波長帯域フィルター６１０が配置できる。第４波長帯域フィルター６１０は、特定の波長帯域の光は透過させ、他の特定の波長帯域の光の透過は遮断することにより、入射光の一部の波長帯域のみを選択的に透過させる波長−選択的光学フィルターである。

例示的な実施形態において、第４波長帯域フィルター６１０は、光源部５０が提供する第３色のピーク波長よりも長いピーク波長を有する光は選択的に反射し、第３色の光は透過させることができる。例えば、第４波長帯域フィルター６１０は、第１色のピーク波長を含む波長帯域の光、及び第２色のピーク波長を含む波長帯域の光は選択的に反射し、第３色のピーク波長を含む波長帯域の光は透過させることができる。第４波長帯域フィルター６１０は、無機材料からなる一つ以上の層を含んでなることができる。例えば、第４波長帯域フィルター６１０は、交番に積層された複数の低屈折層と高屈折層を含んでなることができる。本明細書において、「低屈折層」は、隣接する層に比べて相対的に屈折率が低い層を意味し、「高屈折層」は、隣接する層に比べて相対的に屈折率が高い層を意味する。低屈折層と高屈折層の材料、各層の厚さ及び厚さの差、並びに各層の屈折率及び屈折率の差などによって、第４波長帯域フィルター６１０の透過波長帯域と反射波長帯域を制御することができる。

第４波長帯域フィルター６１０は、第１色変換パターン４１０、第２色変換パターン４２０、透光パターン５１０、第１波長帯域フィルター３１０、第２波長帯域フィルター３２０及び遮光部材２１０の外側面に沿って実質的に一定の厚さをもって形成できる。第４波長帯域フィルター６１０の平均厚さは、約０．５μｍ以上２．０μｍ以下、または約１．０μｍであり得る。第４波長帯域フィルター６１０は、第１色変換パターン４１０、第２色変換パターン４２０、透光パターン５１０及び遮光部材２１０と少なくとも部分的に当接することができる。

第４波長帯域フィルター６１０は、第１波長シフト物質４１０ｐ及び第２波長シフト物質４２０ｐが複数の方向に放出する光のうち、第４波長帯域フィルター６１０側（図４における下側）へ進行する光を視聴者側へ反射して色表示に寄与するようにすることができる。これにより、光の利用効率を増加させることができ、表示装置１がより鮮明な色を表現するようにすることができる。また、光源部５０が提供する光のうち、第３色のピーク波長を有する光は透過させる一方、第３色よりも長いピーク波長を有する光の透過を遮断することにより、光源部５０から提供される光の色純度をさらに改善することができるという効果がある。

第４波長帯域フィルター６１０上にはオーバーコート層ＯＣが配置できる。オーバーコーティング層ＯＣは、第２基板ＢＳ２上に積層された複数の構成要素の段差を最小化させる平坦化層であり得る。オーバーコーティング層ＯＣは、一つ以上の層を含んでなることができる。例えば、オーバーコート層ＯＣは複数の層の積層構造であり得る。オーバーコーティング層ＯＣは、平坦化特性を有する有機材料からなり得る。例えば、オーバーコート層ＯＣは、カルド（ｃａｒｄｏ）系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂などの有機材料からなる。オーバーコーティング層ＯＣは、画素ＰＸａ、ＰＸｂ、ＰＸｃの区別なく、第４波長帯域フィルター６１０上に直接配置できる。

オーバーコーティング層ＯＣ上には偏光層ＰＯＬが配置できる。偏光層ＰＯＬは、液晶層ＬＣＬ、及び液晶層ＬＣＬと光源部５０との間に配置された他の偏光層（図示せず）と一緒に光シャッター機能を行い、各画素ＰＸａ、ＰＸｂ、ＰＸｃ別に透過光の量を制御することができる。例示的な実施形態において、偏光層ＰＯＬは、線格子パターン（ｗｉｒｅ ｇｒｉｄ ｐａｔｔｅｒｎ）を含んでなる反射型偏光素子であり得る。本明細書において、「線格子パターン」は、互いに平行に延長されて離隔配置された複数の線形パターンを意味する。前記反射型偏光素子は、透過軸と平行な偏光成分は透過させ、反射軸と平行な偏光成分は反射することにより、透過光に偏光状態を付与することができる。他の実施形態において、偏光層ＰＯＬはコーティング型偏光素子を含んでなってもよい。

偏光層ＰＯＬの線格子パターンは、反射特性を有する材料からなり得る。例えば、線格子パターンは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）またはこれらの合金などからなる。

いくつかの実施形態において、オーバーコーティング層ＯＣと偏光層ＰＯＬとの間には第２保護層ＰＳ２が配置できる。第２保護層ＰＳ２は、オーバーコート層ＯＣ及び線格子パターンと接することができる。第２保護層ＰＳ２は、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機材料からなり得る。第２保護層ＰＳ２は、線格子パターンを形成する過程でオーバーコーティング層ＯＣが損傷するのを防止することができる。また、線格子パターンの付着性を改善し、空気または水分の浸透による線格子パターンの損傷または腐食を防止することにより、表示装置１の信頼性を向上させることができる。

また、偏光層ＰＯＬ上には第３保護層ＰＳ３が配置できる。第３保護層ＰＳ３は、偏光層ＰＯＬ上に直接配置され、線格子パターンをカバー及び保護することができる。第３保護層ＰＳ３は、空気または水分の浸透による線格子パターンの損傷または腐食を防止し、偏光層ＰＯＬの上面を平坦化することができる。第３保護層ＰＳ３は、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機材料からなり得る。

第３保護層ＰＳ３上には共通電極ＣＥが配置できる。共通電極ＣＥは、画素ＰＸａ、ＰＸｂ、ＰＸｃの区別なく、一体に形成されて共通電圧が印加され得る。例示的な実施形態において、共通電極ＣＥは第３保護層ＰＳ３上に直接配置され、共通電極ＣＥは透明電極であり得る。共通電極ＣＥ上には第２液晶配向層ＬＣＡ２が配置され、隣接する液晶層ＬＣＬ内の液晶ＬＣの初期配向を誘導することができる。第２液晶配向層ＬＣＡ２は、第１液晶配向層ＬＣＡ１と同一または異なる高分子有機材料を含んでなることができる。

以下、図８をさらに参照して、本実施形態に係る表示装置１が色表現を実現する過程についてより詳細に説明する。図８は図４の第２表示板を透過する光の経路を説明するための図である。

図１乃至図８を参照すると、光源部５０は第３色の光を表示パネル３１に提供する。例示的な実施形態において、光源部５０は、約４３０ｎｍ乃至４７０ｎｍの範囲でピーク波長を有する第３色の光を表示パネル３１に提供することができる。

光源部５０から提供された第３色の光のうち、表示パネル３１の第１画素ＰＸａに入射された光Ｌ_ａ０は、第４波長帯域フィルター６１０を透過した後、第１波長シフト物質４１０ｐによって第１色のピーク波長に変換またはシフトされた後、入射角とは関係なく複数の方向に放出できる。

具体的に、第１波長シフト物質４１０ｐが放出する光のうち、第２基板ＢＳ２側（図８における上側）へ出射された光Ｌ_ａ１は、第１波長帯域フィルター３１０をそのまま透過し、第１画素ＰＸａの第１色表示に寄与することができる。

また、第１波長シフト物質４１０ｐが放出する光のうち、第４波長帯域フィルター６１０側（図８における下側）へ出射された光Ｌ_ａ２は、第４波長帯域フィルター６１０によって反射され、第１画素ＰＸａの第１色表示に寄与することができる。

また、第１波長シフト物質４１０ｐが放出する光のうち、第２色変換パターン４２０側（図８における左／右）へ出射された光Ｌ_ａ３は、第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間に配置された遮光部材２１０によって吸収され、光漏れ不良を防止することができる。

同様に、光源部５０から提供された第３色の光のうち、表示パネル３１の第２画素ＰＸｂに入射された光Ｌ_ｂ０は、第２波長シフト物質４２０ｐによって第２色のピーク波長に変換またはシフトされ、第２画素ＰＸｂの第２色表示に寄与することができる。

光源部５０から提供された第３色の光のうち、表示パネル３１の第３画素ＰＸｃに入射された光Ｌ_ｃ０は、第４波長帯域フィルター６１０を透過した後、波長変換なしで透光パターン５１０を透過して第３画素ＰＸｃの第３色表示に寄与することができる。

以下、本発明の他の実施形態について説明する。ただし、前述した一実施形態による表示装置１と実質的に同様の構成の説明は省略し、これは添付図面から通常の技術者に明確に理解できるだろう。図面上の同じ構成については同一の符号を使用する。

図９ａ及び図９ｂは本発明の他の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図９ａは図４に対応する断面図、図９ｂは図９ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図９ａ及び図９ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置２は、隔壁１２０の側面１２０ｓが曲面をなすことが、図１などの実施形態に係る表示装置１との異なる点である。

具体的に、隔壁１２０は、所定の平坦面をなす細長い上面１２０ｔ、及び上面１２０ｔの両縁から幅方向に外側へと下方に傾斜して延びる側面１２０ｓを持つことができる。例示的な実施形態において、側面１２０ｓは、垂直断面にて、第２基板ＢＳ２の表面から上面１２０ｔの縁に至るまで、例えばＳ字状の、滑らかな（折り曲げ部のない）曲線に沿って延び得るのであり、上面１２０ｔから緩やかな傾斜をなしてから徐々に傾斜が急になり、変曲点を基準にさらに傾斜が緩やかになり、第２基板ＢＳ２の上面に至ることができる。ここで、第２基板ＢＳ２の表面に対して隔壁１２０の側面１２０ｓがなす平均傾斜角θの上限は、約８５°、約８０°、約７０°、約６０°または約５０°であり得る。側面１２０ｓが曲面をなす場合、「平均傾斜角」は、任意の区間内で勾配が異なる複数の傾斜を平均した傾斜角を意味し、幅方向の垂直断面において、隔壁１２０の側面１２０ｓの最下端から、勾配がなくなる隔壁１２０の上面１２０ｔの縁へと直線を引いた場合の角度（図９ｂの「θ」）とすることができる。または、これに代えて、最下端から上面１２０ｔの縁までの水平距離に対する高低差の比で示すことができる。

また、隔壁１２０上に配置される遮光部材２２０は、隔壁１２０の側面１２０ｓがなす曲面に沿って配置されうる。遮光部材２２０上に配置される第１波長帯域フィルター３１１及び第２波長帯域フィルター３２１も、隔壁１２０の側面１２０ｓがなす曲面に沿って配置されうる。

図１０ａ及び図１０ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１０ａは図４に対応する断面図、図１０ｂは図１０ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１０ａ及び図１０ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置３の遮光部材２３０の表面は、所定の粗さを有することが、図１などの実施形態に係る表示装置１との異なる点である。

例示的な実施形態において、遮光部材２３０は、隔壁１１２上に直接配置されるが、遮光部材２３０の隔壁１１２に当接する第１面２３０ａの粗さは、その反対面である第２面２３０ｂの粗さよりも小さいことができる。遮光部材２３０の第２面２３０ｂは、第１波長帯域フィルター３１０、第２波長帯域フィルター３２０、透光パターン５１０及び／または第４波長帯域フィルター６１０に当接する面であり得る。

本発明はこれに限定されるものではないが、後述するように、第２基板ＢＳ２側から光を照射する背面露光工程によって遮光部材２３０を形成する場合、遮光部材２３０は、第１面２３０ａ側が第２面２３０ｂ側に比べて優先的に硬化することができる。すなわち、隔壁１１２に当接する遮光部材２３０の第１面２３０ａは、光に優先的に曝されて硬化し、遮光部材２３０を透過する光は、徐々に遮光部材２３０によって吸収され得る。言い換えれば、遮光部材２３０自体が持つ吸光特性により、遮光部材２３０を透過する光量は徐々に減少し、遮光部材２３０の第２面２３０ｂの側では、第１面２３０ａ側に比べて、露光されて硬化する程度が小さいのでありうる。露光硬化工程の後、硬化した遮光部材２３０を現像する過程を経て、相対的に硬化の程度が少なく、一定の深さを示さないこととなる第２面２３０ｂは、第１面２３０ａに比べて大きい粗さを持つことができる。

遮光部材２３０の第２面２３０ｂの粗さは、遮光部材２３０を硬化させるために照射される光の強度及び／または照射時間などによって調節できる。遮光部材２３０のいずれか一方の面が所定の粗さを持つ場合、遮光部材２３０の厚さｔ_Ｔ、ｔ_Ｓは、第１面２３０ａから第２面２３０ｂの凸部までの距離で表現できる。

図１１は、本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図４に対応する垂直断面図である。

図１１を参照すると、本実施形態に係る表示装置４は、遮光部材２３０上に配置された凹凸パターン７００をさらに含むことが、図１０の実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

例示的な実施形態において、隔壁１１２の上面上に配置された遮光部材２３０の上には、凹凸パターン７００が配置されうる。凹凸パターン７００は、平面上（平面視）で、互いに平行となるように離隔配置された、複数の線形パターンの形態であるか、または、平面上で、略四角形状の島パターンがマトリックス配列またはランダム配列された形態であり得る。

凹凸パターン７００は、遮光部材２３０の表面に所定の疎水性を付与することができる。例えば、隔壁１１２の上面上に配置された遮光部材２３０の表面の疎水性は、隔壁１１２の側面上に配置された遮光部材２３０の表面の疎水性よりも大きいのでありうる。

本発明はこれに限定されるものではないが、色変換パターン４１０、４２０をインクジェット工程によって形成する場合、隔壁１１２の上面上に配置された凹凸パターン７００は、インク組成物が接触することが可能な表面積を減少させて、表面エネルギーを小さくすることができ、これにより色変換パターン４１０、４２０の形成を容易にすることができる。

図１２ａ及び図１２ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１２ａは図４に対応する断面図、図１２ｂは図１２ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１２ａ及び図１２ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置５の第１波長帯域フィルター３１２及び第２波長帯域フィルター３２２は、隔壁１１２の上面１１０ｔと重なり合わないことが、図１０ａ及び図１０ｂの実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

例示的な実施形態において、第２基板ＢＳ２の一面（特にはパターン形成面）を基準として、第１波長帯域フィルター３１２及び第２波長帯域フィルター３２２における最高点のレベル（前記パターン形成面からの距離）は、隔壁１１２の突出高さよりも、すなわち隔壁１１２の上面１１０ｔのレベルよりも、低く位置することができる。これにより、図１２ｂ中に示すように、第１色変換パターン４１０及び第２色変換パターン４２０は、遮光部材２３０の上部に、直接、接することができる。

遮光部材２３０の表面が、部分的に異なる疎水性を有する場合、例えば、隔壁１１２の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２３０の表面が、隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２３０の表面よりも、大きい疎水性を有する場合には、第１波長帯域フィルター３１２と第２波長帯域フィルター３２２によってカバーされずに露出した遮光部材２３０の表面は、前記疎水性の程度によって形成されるピニングポイントを持つことができる。これにより、色変換パターン４１０、４２０の形成を容易にすることができる。

なお、「ピニング」とは、析出した溶質によって液体の縁がピン止めされたような状態となり、それ以降の乾燥に伴う液体の収縮（外径の収縮）が抑制されることであり、「ピニングポイント」とは、「ピニング」が生じる位置のことであり、隔壁の側面に、他よりも撥液性の部分、または親液性の部分を設定することで、液体材料の乾燥の開始される位置を制御することができる。

図１３ａ及び図１３ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１３ａは図４に対応する断面図、図１３ｂは図１３ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１３ａ及び図１３ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置６の遮光部材２４０の少なくとも一部（特には両縁部）は、第２基板ＢＳ２と色変換パターン４１０、４２０との間に配置されるとともに、このように第２基板ＢＳ２と色変換パターン４１０、４２０との間に配置される、遮光部材２４０の一部（特には両縁部）は、第２基板ＢＳ２の表面とほぼ平行に延びるということが、図１０ａ及び図１０ｂの実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

具体的に、遮光部材２４０の少なくとも一部（特には両縁部）は、第２基板ＢＳ２と第１波長帯域フィルター３１０との間に配置され、第２基板ＢＳ２及び第１波長帯域フィルター３１０と、直接に接することができる。ここで、第２基板ＢＳ２と第１波長帯域フィルター３１０との間に配置される、遮光部材２４０の一部における少なくとも一面（特には上下の面）は、第２基板ＢＳ２の表面と略平行であり得る。

同様に、遮光部材２４０の少なくとも一部（特には両縁部）は、第２基板ＢＳ２と第２波長帯域フィルター３２０との間に配置され、第２基板ＢＳ２及び第２波長帯域フィルター３２０と、直接に接することができる。ここで、第２基板ＢＳ２と第２波長帯域フィルター３２０との間に配置される、遮光部材２４０の一部における少なくとも一面（特には上下の面）は、第２基板ＢＳ２の表面と略平行であり得る。

また、同様に、遮光部材２４０の少なくとも一部（特には両縁部）は、第２基板ＢＳ２と透光パターン５１０との間に配置され、第２基板ＢＳ２及び透光パターン５１０と、直接に接することができる。ここで、第２基板ＢＳ２と透光パターン５１０との間に配置される、遮光部材２４０の一部における少なくとも一面（特には上下の面）は、第２基板ＢＳ２の表面と略平行であり得る。

本実施形態に係る表示装置６は、第２基板ＢＳ２と接する遮光部材２４０の最大幅を相対的に大きく形成することができる。これにより、表示装置の混色不良を最小化することができるという効果がある。

図１４ａ及び図１４ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１４ａは図４に対応する垂直断面図、図１４ｂは図１４ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１４ａ及び図１４ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置７の遮光部材２５０は、第２基板ＢＳ２の表面に対して垂直な第３面２５０ｓをさらに有することが、図１０の実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

遮光部材２５０は、隔壁１１２上に直接配置されるが、隔壁１１２に当接する第１面２５０ａ、及びその反対側の面である第２面２５０ｂを有する。また、遮光部材２５０は、第１面２５０ａと第２面２５０ｂとを連結し、第２基板ＢＳ２の表面に対して実質的に垂直な第３面２５０ｓをさらに有する。

例示的な実施形態において、遮光部材２５０の第３面２５０ｓの粗さは、第２面２５０ｂの粗さよりも小さいのでありうる。遮光部材２５０の第２面２５０ｂ及び第３面２５０ｓは、いずれも、第１波長帯域フィルター３１０、第２波長帯域フィルター３２０または透光パターン５１０に当接することができる。

本実施形態に係る表示装置７は、遮光部材２５０が第３方向Ｚへの高さ成分を持つため、隣接する画素間で光が進行する不良が発生することを抑制しながらも、色表示のための光が放出される開口の幅を極大化することができる。これにより、光の利用効率を増加させることができるという効果がある。

図１５ａ及び図１５ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１５ａは図４に対応する断面図、図１５ｂは図１５ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１５ａ及び図１５ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置８の遮光部材２６０は、下側端部に形成されたアンダーカット２６０Ｕを有することが、図１０の実施形態に係る表示装置３との異なる点である。本明細書において、「アンダーカット」は、構成要素の下側端部が、垂直断面において、内側に湾入し、略キノコ状などの断面をなすことを意味する。

例示的な実施形態において、第１波長帯域フィルター３１０の少なくとも一部は、遮光部材２６０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。いくつかの実施形態において、第１波長帯域フィルター３１０は、遮光部材２６０と第２基板ＢＳ２との間の空間を完全に充填せず、空気層が残存することもある。また、遮光部材２６０は、部分的に第２基板ＢＳ２と当接することができる。

同様に、第２波長帯域フィルター３２０の少なくとも一部は、遮光部材２６０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。また、透光パターン５１０の少なくとも一部は、遮光部材２６０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。

図１５ａ及び図１５ｂは、遮光部材２６０のアンダーカット２６０Ｕ部分で遮光部材２６０の表面の傾斜方向が隔壁１１２の側面１１０ｓの傾斜方向と反対の側に傾斜するる場合を例示しているが、他の実施形態において、アンダーカット２６０Ｕ部分の遮光部材２６０の表面は、第２基板ＢＳ２の表面に対して略垂直であるか、或いは隔壁１１２の側面１１０ｓと同じ方向の傾斜を持つこともできる。

本実施形態に係る表示装置８は、遮光部材２６０が、先の各実施形態と同一の、第３方向Ｚへの高さ成分を持つため、隣接する画素間で光が進行する不良が発生することを抑制することができ、また、同時に、色表示のための光が放出される開口の幅を極大化することができる。これにより、光の利用効率を増加させることができるという効果がある。

図１６ａ及び図１６ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１６ａは図４に対応する断面図、図１６ｂは図１６ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１６ａ及び図１６ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置９は、遮光部材２６０のアンダーカット部分に配置された不透光性物質層８１０をさらに含むことが、図１５の実施形態による表示装置８との異なる点である。

不透光性物質層８１０は、遮光部材２６０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。図１６ａ及び図１６ｂは、不透光性物質層８１０が遮光部材２６０、第２基板ＢＳ２及び第１波長帯域フィルター３１０と接する場合を例示しているが、本発明はこれに限定されるではない。

不透光性物質層８１０は、遮光部材２６０とは異なる材料からなり得る。不透光性物質層８１０は、光の透過を少なくとも部分的に遮断することができる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金などの反射性金属材料である。

不透光性物質層８１０は、第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間、及び第２色変換パターン４２０と透光パターン５１０との間に配置できる。不透光性物質層８１０は、隣接する画素間で光漏れ不良が発生することを抑制することができる。それだけではなく、本実施形態に係る表示装置９は、隣接する画素の間に配置された不透光性物質層８１０を含むことで、例えば、不透光性物質層８１０が反射性金属材料からなる場合、隣接する画素の側へ進行する光の少なくとも一部を反射して光の利用効率を向上させることができるという効果がある。

図１７ａ及び図１７ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１７ａは図４に対応する断面図、図１７ｂは図１７ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１７ａ及び図１７ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１０の遮光部材２７０は、隔壁１１２の上面１１０ｔ上及び隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置されるが、第２基板ＢＳ２と離隔していることが、図１５の実施形態に係る表示装置８との異なる点である。

例示的な実施形態において、遮光部材２７０は、隔壁１１２を上方及び左右から少なくとも部分的に取り囲むように配置されるが、隔壁１１２の側面１１０ｓを完全にカバーせず、隔壁１１２の側面１１０ｓの少なくとも一部を露出させるように配置できる。

例えば、第１波長帯域フィルター３１０の少なくとも一部は、遮光部材２７０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。また、第１波長帯域フィルター３１０は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２７０及び隔壁１１２の側面１１０ｓと接することができる。

同様に、第２波長帯域フィルター３２０の少なくとも一部は、遮光部材２７０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、第２波長帯域フィルター３２０は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２７０及び隔壁１１２の側面１１０ｓと接することができる。

また、透光パターン５１０の少なくとも一部は、遮光部材２７０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、透光パターン５１０は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２７０及び隔壁１１２の側面１１０ｓと接することができる。

図１８ａ及び図１８ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１８ａは図４に対応する垂直断面図、図１８ｂは図１８ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１８ａ及び図１８ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１１は、隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置された不透光性物質層８２０をさらに含むことが、図１７ａ及び図１７ｂの実施形態に係る表示装置１０との異なる点である。

不透光性物質層８２０は隔壁１１２の側面１１０ｓ上に直接配置できる。例えば、不透光性物質層８２０は、遮光部材２７０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。図１８ａ及び図１８ｂは不透光性物質層８２０が遮光部材２７０、第２基板ＢＳ２、隔壁１１２及び第１波長帯域フィルター３１０に接する場合を例示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。

不透光性物質層８２０は遮光部材２７０とは異なる材料からなり得る。不透光性物質層８２０は、光の透過を少なくとも部分的に遮断することができる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金などの反射性金属材料である。なお、図１６ａ及び図１６ｂにおける不透光性物質層８１０も同様の材料で形成することができる。

不透光性物質層８２０は、第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間、及び第２色変換パターン４２０と透光パターン５１０との間に配置できる。不透光性物質層８２０は、隣接する画素間で光漏れ不良が発生することを抑制することができる。それだけではなく、本実施形態に係る表示装置１１は、隣接する画素の間に配置された不透光性物質層８２０を含むことで、例えば、不透光性物質層８２０が反射性金属材料からなる場合、隣接する画素側へ進行する光の少なくとも一部を反射して光の利用効率を向上させることができるという効果がある。

図１９ａ及び図１９ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図１９ａは図４に対応する断面図、図１９ｂは図１９ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図１９ａ及び図１９ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１２は、隔壁１３０が下側端部に形成されたアンダーカット１３０Ｕを有することが、図１５ａ及び図１５ｂなどによる実施形態の表示装置８との異なる点である。

例示的な実施形態において、隔壁１３０の下側端部は、その内側に湾入することができる。すなわち、隔壁１３０と第２基板ＢＳ２とが当接する部分における隔壁１３０の幅は隔壁１３０の最大幅よりも小さいのでありうる。

また、第１波長帯域フィルター３１３の少なくとも一部は、隔壁１３０と第２基板ＢＳ２との間、及び遮光部材２８０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。いくつかの実施形態において、第１波長帯域フィルター３１３は、隔壁１３０と第２基板ＢＳ２との間の空間を完全に充填せず、空気層が残存することもありうる。遮光部材２８０は第２基板ＢＳ２から離隔した状態であってもよい。

例えば、第１波長帯域フィルター３１３は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２８０及び隔壁１３０と接することができる。

同様に、第２波長帯域フィルター３２３の少なくとも一部は、隔壁１３０と第２基板ＢＳ２の間、及び遮光部材２８０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、第２波長帯域フィルター３２３は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２８０及び隔壁１３０と接することができる。

また、透光パターン５１０の少なくとも一部は、隔壁１３０と第２基板ＢＳ２との間、及び遮光部材２８０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、透光パターン５１０は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２８０及び隔壁１３０と接することができる。

本実施形態に係る表示装置１２は、第１波長帯域フィルター３１３と第２基板ＢＳ２とが当接する部分の幅、第２波長帯域フィルター３２３と第２基板ＢＳ２とが当接する部分の幅、及び透光パターン５１０と第２基板ＢＳ２とが当接する部分の幅を、隔壁１３０が形成する開口の幅よりも大きく形成することができる。これにより、隣接する画素間の光漏れ不良なしにも光の利用効率を改善することができるという効果がある。

図２０ａ及び図２０ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図２０ａは図４に対応する断面図、図２０ｂは図２０ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図２０ａ及び図２０ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１３は、隔壁１３０のアンダーカット１３０Ｕ部分に配置された不透光性物質層８３０をさらに含むことが、図１９の実施形態による表示装置１２との異なる点である。

不透光性物質層８３０は、隔壁１３０と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置できる。図２０ａ及び図２０ｂは、不透光性物質層８３０が第２基板ＢＳ２、隔壁１３０及び第１波長帯域フィルター３１３と接する場合を例示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。いくつかの実施形態において、不透光性物質層８３０は、遮光部材２８０と第２基板ＢＳ２との間に位置することができる。

不透光性物質層８３０は、遮光部材２８０とは異なる材料からなり得る。不透光性物質層８３０は、光の透過を少なくとも部分的に遮断することができる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金などの反射性金属材料である。

不透光性物質層８３０は、第１色変換パターン３１３と第２色変換パターン３２３との間、及び第２色変換パターン３２３と透光パターン５１０との間に配置できる。不透光性物質層８３０は、隣接する画素の間で光漏れ不良が発生することを抑制することができる。それだけではなく、本実施形態に係る表示装置１３は、隣接する画素の間に配置された不透光性物質層８３０を含む、例えば、不透光性物質層８３０が反射性金属材料からなる場合、隣接する画素側へ進行する光の少なくとも一部を反射して光の利用効率を向上させることができるという効果がある。

図２１ａ〜２１ｃは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図２１ａは図４に対応する断面図、図２１ｂは図２１ａのＡ領域を拡大して示す図、図２１ｃは図６に対応する断面図である。

図２１ａ、図２１ｂ及び図２１ｃを参照すると、本実施形態に係る表示装置１４の第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４は、第２基板ＢＳ２と隔壁１１２との間に配置されたことが、図１０ａ及び図１０ｂの実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

第１波長帯域フィルター３１４は、第１画素内に配置されるが、隔壁１１２より下側（図２１ａにおける上側）に位置することができる。例えば、第１波長帯域フィルター３１４の少なくとも一部は、隔壁１１２と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、隔壁１１２及び第２基板ＢＳ２と接することができる。

また、第２波長帯域フィルター３２４は、第２画素内に配置されるが、隔壁１１２より下側（図２１ａにおける上側）に位置することができる。例えば、第２波長帯域フィルター３２４の少なくとも一部は、隔壁１１２と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、隔壁１１２及び第２基板ＢＳ２と接することができる。

一方、第３波長帯域フィルター３３４は、第４画素内に配置されるが、隔壁１１２より下側（図２１ｃにおける上側）に位置することができる。

本実施形態に係る表示装置１４は、第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４がそれぞれ隔壁１１２よりも下側に位置することにより、遮光部材２９０の露出する表面積を増加させることができる。本発明はこれに限定されるものではないが、例えば、色変換パターン４１０、４２０をインクジェット工程によって形成する場合、露出した遮光部材２９０の表面が持つ撥液性と親液性を用いて色変換パターン４１０、４２０の形成を容易にすることができる。

図２２ａ及び図２２ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図２２ａは図４に対応する断面図、図２２ｂは図２２ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図２２ａ及び図２２ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１５は、隔壁１４０及び遮光部材２９５が、下側端部に形成されたアンダーカット１４０Ｕを有することが、図２１の実施形態による表示装置１４との異なる点である。

例示的な実施形態において、隔壁１４０の下側端部はその内側に湾入することができる。また、第１色変換パターン４１０の少なくとも一部は、隔壁１４０の両縁部と第１波長帯域フィルター３１４との間、及び遮光部材２９５の下端部と第１波長帯域フィルター３１４との間に、挿入されるように配置できる。いくつかの実施形態において、第１色変換パターン４１０は、隔壁１４０と第１波長帯域フィルター３１４との間の空間を完全に充填せず、空気層が残存することもありうる。遮光部材２９５は、第１波長帯域フィルター３１４から離隔した状態であり得る。例えば、第１色変換パターン４１０は、第１波長帯域フィルター３１４、遮光部材２９５及び隔壁１４０と接することができる。

同様に、第２色変換パターン４２０の少なくとも一部は、隔壁１４０の両縁部と第２波長帯域フィルター３２４との間、及び遮光部材２９５の下端部と第２波長帯域フィルター３２４との間に挿入配置され、第２色変換パターン４２０は、第２波長帯域フィルター３２４、遮光部材２９５及び隔壁１４０と接することができる。

また、透光パターン５１０の少なくとも一部は、隔壁１４０の両縁部と第２基板ＢＳ２との間及び遮光部材２９５と第２基板ＢＳ２との間に挿入配置され、透光パターン５１０は、第２基板ＢＳ２、遮光部材２９５及び隔壁１４０と接することができる。

本実施形態に係る表示装置１５は、第１色変換パターン４１０と第１波長帯域フィルター３１４とが当接する部分の幅、第２色変換パターン４２０と第２波長帯域フィルター３２４とが当接する部分の幅、及び透光パターン５１０と第２基板ＢＳ２とが当接する部分の幅を、隔壁１４０が形成する開口の幅よりも大きく形成することができる。これにより、隣接する画素間の光漏れ不良なしにも光の利用効率を改善することができるという効果がある。

図２３ａ及び図２３ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図２３ａは図４に対応する断面図、図２３ｂは図２３ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図２３ａ及び図２３ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１６は、隔壁１４０のアンダーカット１４０Ｕ部分に配置された不透光性物質層８４０をさらに含むことが、図２２の実施形態に係る表示装置１５との異なる点である。

不透光性物質層８４０は、隔壁１４０と第１波長帯域フィルター３１４との間、及び隔壁１４０と第２波長帯域フィルター３２４との間に挿入配置できる。図２３ａ及び図２３ｂは、不透光性物質層８４０が第１波長帯域フィルター３１４、隔壁１４０及び第１色変換パターン４１０と接する場合を例示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。いくつかの実施形態において、不透光性物質層８４０は遮光部材２９５と第１波長帯域フィルター３１４との間に位置することができる。

不透光性物質層８４０は、遮光部材２９５とは異なる材料からなり得る。不透光性物質層８４０は、光の透過を少なくとも部分的に遮断することができる材料であれば特に限定されないが、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金などの反射性金属材料である。

不透光性物質層８４０は、第１色変換パターン４１０と第２色変換パターン４２０との間、及び第２色変換パターン４２０と透光パターン５１０との間に配置できる。不透光性物質層８４０は、隣接する画素の間で光漏れ不良が発生することを抑制することができる。それだけでなく、本実施形態に係る表示装置１６は、隣接する画素の間に配置された不透光性物質層８４０を含むことで、例えば、不透光性物質層８４０が反射性金属材料からなる場合、隣接する画素側へ進行する光の少なくとも一部を反射して光の利用効率を向上させることができるという効果がある。

図２４ａ及び図２４ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図２４ａは図４に対応する断面図、図２４ｂは図２４ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図２４ａ及び図２４ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１７は、遮光部材２３０上に配置された第１透光層９１０、及び第１透光層９１０上に配置された第２透光層９２０をさらに含むことが、図１０の実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

例示的な実施形態において、第１透光層９１０は、遮光部材２３０上に直接配置され、遮光部材２３０を取り囲むように配置できる。例えば、第１透光層９１０は、隔壁１１２の上面１１０ｔ上及び隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置できる。第１透光層９１０の光透過率は約９０％以上、約９５％以上、約９８％以上または約９９％以上であり得る。第１透光層９１０は第２基板ＢＳ２と当接することができる。

また、第２透光層９２０は、第１透光層９１０上に直接配置され、第１透光層９１０を取り囲むように配置できる。例えば、第２透光層９２０は隔壁１１２の上面１１０ｔ上及び隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置できる。第２透光層９２０の光透過率は約９０％以上、約９５％以上、約９８％以上または約９９％以上であり得る。第２透光層９２０は第２基板ＢＳ２と当接することができる。

いくつかの実施形態において、第２透光層９２０の屈折率は、第１透光層９１０の屈折率よりも大きいことができる。これにより、第１透光層９１０及び第２透光層９２０に所定の光学機能を付与することができる。

例えば、第１色変換パターン４１０が波長シフト物質を含む場合、波長シフト物質が放出する光のうち、第２色変換パターン４２０側へ出射された光は、第１透光層９１０と第２透光層９２０との間の界面で少なくとも一部が反射され、光漏れ不良を抑制することができるだけでなく、光の利用効率を向上させることができる。また、第１透光層９１０と第２透光層９２０との間の界面を透過した光は、遮光部材２３０によって吸収され、光漏れ不良を抑制することができる。

図２４ａ及び図２４ｂは遮光部材２３０と第１波長帯域フィルター３１０との間、遮光部材２３０と第２波長帯域フィルター３２０との間、及び遮光部材２３０と透光パターン５１０との間に２つの透光層（すなわち、第１透光層及び第２透光層）が配置された場合を例示しているが、他の実施形態において、３つ以上の透光層を含むことで各界面での全反射機能を付与することもできる。

図２５ａ及び図２５ｂは本発明の別の実施形態に係る表示装置を示す図であって、図２５ａは図４に対応する断面図、図２５ｂは図２５ａのＡ領域を拡大して示す図である。

図２５ａ及び図２５ｂを参照すると、本実施形態に係る表示装置１８は、遮光部材２３０と隔壁１１２との間に配置された第１透光層９３０及び第２透光層９４０をさらに含むことが、図１０の実施形態に係る表示装置３との異なる点である。

例示的な実施形態において、第１透光層９３０は、隔壁１１２上に直接配置され、隔壁１１２を取り囲むように配置できる。例えば、第１透光層９３０は、隔壁１１２の上面１１０ｔ上及び隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置できる。第１透光層９３０の光透過率は約９０％以上、約９５％以上、約９８％以上または約９９％以上であり得る。第１透光層９３０は第２基板ＢＳ２に当接することができる。

また、第２透光層９４０は、第１透光層９３０上に直接配置され、第１透光層９３０を取り囲むように配置できる。例えば、第２透光層９４０は、隔壁１１２の上面１１０ｔ上及び隔壁１１２の側面１１０ｓ上に配置できる。第２透光層９４０の光透過率は約９０％以上、約９５％以上、約９８％以上または約９９％以上であり得る。第２透光層９４０は第２基板ＢＳ２に当接することができる。

いくつかの実施形態において、第２透光層９４０の屈折率は、第１透光層９３０の屈折率よりも大きいことができる。これにより、第１透光層９３０及び第２透光層９４０に所定の光学機能を付与することができる。

例えば、第１色変換パターン４１０が波長シフト物質を含む場合、波長シフト物質が放出する光のうち、第２色変換パターン４２０側へ出射された光は、遮光部材２３０によって吸収されて光漏れ不良を抑制することができる。また、遮光部材２３０によって完全に遮光されずに遮光部材２３０を透過した光は、第１透光層９３０と第２透光層９４０との間の界面で反射されて光漏れ不良を抑制することができるうえ、光の利用効率を向上させることができる。

図２５ａ及び図２５ｂは遮光部材２３０と隔壁１１２との間に２つの透光層（すなわち、第１透光層及び第２透光層）が配置された場合を例示しているが、他の実施形態において、３つ以上の透光層を含むことで各界面での全反射機能を付与することもできる。

以下、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。

本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、基板の一面上に、透光性を有する隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階と、前記隔壁パターン及び前記不透光性物質パターン上に遮光部材形成用組成物を塗布する段階と、前記基板の他面側から光を照射する段階であって、前記不透光性物質パターンを遮光マスクとして用いて前記隔壁パターンの上面及び側面上に配置された遮光部材を形成する段階とを含み、不透光性物質パターンを除去して前記基板の前記一面を少なくとも部分的に露出させる段階と、前記基板の露出した前記一面上にインク組成物を吐出する段階であって、波長シフト物質を含むインク組成物を吐出する段階と、前記インク組成物を硬化させて色変換パターンを形成する段階とをさらに含むことができる。

図２６ａ乃至図２６ｏは本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図２６ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面（図２６ａにおける上面）上に不透光性物質層８００を形成する。不透光性物質層８００は、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金などの反射性金属材料であるか、或いは不透光性有機材料からなることができる。不透光性物質層８００を形成する方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリングなどの蒸着方法を例示することができる。

次に、図２６ｂを参照すると、不透光性物質層８００上に感光層８５０を形成する。感光層８５０を形成する段階は、感光性組成物（図示せず）を塗布する段階、及び感光性組成物をプリベークする段階を含むことができる。例示的な実施形態において、感光性組成物及び感光層８５０はポジティブ感光性材料を含んで構成できる。

次に、図２６ｃを参照すると、開口を有するフォトマスクＭ１（遮光性の板材）を、基板ＢＳ２の上方に重ね合わせて配置し、光を照射して感光性パターン層８５１を形成する。感光性パターン層８５１を形成する段階は、フォトマスクＭ１を露光工程用の遮光マスクとして用いて感光層８５０に光を照射する段階と、現像液（ｓｔｒｉｐｐｅｒ）を塗布して感光性パターン層８５１を現像する段階とを含むことができる。感光層８５０がポジティブ感光性材料を含んでなる例示的な実施形態において、フォトマスクＭ１の開口を介して光が照射される露光部位で高分子間の結合が少なくとも部分的に切れ、前記露光部位が現像液によって除去できる。

次に、図２６ｄを参照すると、感光性パターン層８５２をエッチングマスクとして用いて不透光性物質パターン８０１を形成する。不透光性物質パターン８０１を形成する段階は、エッチング工程によって不透光性物質パターン８０１をパターニングする段階であり得る。前記エッチング工程はドライエッチング工程またはウェットエッチング工程を使用することができる。これにより、基板ＢＳ２の前記一面の少なくとも一部を露出させる不透光性物質パターン８０１を形成することができる。

次に、図２６ｅを参照すると、不透光性物質パターン８０１上に有機層１００を形成する。有機層１００を形成する段階は、有機層形成用組成物（図示せず）を塗布する段階と、前記組成物をプリベークする段階とを含むことができる。例示的な実施形態において、有機層形成用組成物及び有機層１００はネガティブ感光性材料を含んでなることができる。

例えば、有機層形成用組成物は、光重合性化合物、光重合開始剤及び溶媒を含み、その他の添加剤をさらに含むことができる。光重合性化合物は、重合可能な単量体化合物であって、単官能単量体、二官能単量体及び多官能単量体などを含むことができる。例えば、単官能単量体は、ノニルフェニルカルビトールアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−エチルヘキシルカルビトールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンなどを挙げることができる。また、二官能単量体の例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのビス（アクリロイルオキシエチル）エーテル、３−メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。また、多官能単量体の例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、エトキシ化ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。

光重合開始剤は、特に限定されないが、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシナフチル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−１，３，５−トリアジンなどのトリアジン系開始剤化合物、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシ−１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−メチルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパン−１−オンのオリゴマーなどのアセトフェノン系開始剤化合物、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，３−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（アルコキシフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５、５’−テトラ（トリアルコキシフェニル）ビイミダゾール、４，４’，５，５’位のフェニル基がカルボアルコキシ基によって置換されているイミダゾール化合物などのビイミダゾール系開始剤化合物、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

また、有機層１００は透光性を有することができる。有機層１００の光透過率は約９０％以上、約９５％以上、約９８％以上または約９９％以上であり得る。有機層１００をなす材料は、優れた光透過率を有する材料であれば特に限定されないが、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂またはイミド系樹脂などの有機物質である。

いくつかの実施形態において、前記有機層形成用組成物及び有機層１００は、その内部に分散した粒子状物質１１０ｐを含むことができる。

次に、図２６ｆを参照すると、基板ＢＳ２上に隔壁パターン１１２を形成する。隔壁パターン１１２を形成する段階は、フォトマスクＭ１を露光工程用の遮光マスクとして用いて有機層１００に光を照射する段階と、現像液を塗布して隔壁パターン１１２を形成する段階とを含むことができる。前記有機層形成用組成物及び有機層１００がネガティブ感光性材料を含んでなる例示的な実施形態において、フォトマスクＭ１は、不透光性物質パターン８０１を形成する段階で使用したマスクと同じマスクであり、フォトマスクＭ１の開口を介して光が照射される部位で硬化が発生し、その他の部分が現像液によって除去できる。本段階において、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０１とは、互いに離隔している状態であり、基板ＢＳ２の前記一面の少なくとも一部は隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０１によってカバーされずに露出できる。これにより、基板ＢＳ２の露出した一面上に隔壁パターン１１２を形成することができる。本実施形態による場合、１つのマスクのみを用いて隔壁パターン１１２と不透光性パターン８０１を形成することができるため、製造コストを節減することができる。

隔壁パターン１１２は、後述するインク吐出工程でインク組成物の整列配置に役立てることができる。すなわち、隔壁パターン１１２は、インク組成物を所望の位置に正確に吐出し、安定的に位置させるためのガイドの役目をすることができる。隔壁パターン１１２の高さの下限は、約５．０μｍ、約５．５μｍ、約６．０μｍ、６．５μｍ、約７．０μｍ、約７．５μｍ、約８．０μｍ、約８．５μｍ、約９．０μｍ、約９．５μｍ、約１０．０μｍ、約１０．５μｍ、約１１．０μｍ、約１１．５μｍ、約１２．０μｍまたは約１５．０μｍであり得る。また、隔壁パターン１１２は、所定の平坦面をなす上面１１０ｔ、及び上面１１０ｔから下方に傾斜した側面１１０ｓを含むことができる。基板ＢＳ２の表面に対して隔壁パターン１１２の側面１１０ｓがなす平均傾斜角は約３０°乃至８５°であり得るが、本発明はこれに限定されるものではない。

いくつかの実施形態において、隔壁パターン１１２は、平面上で第１方向に延長された第１隔壁部、及び前記第１方向と交差する第２方向に延長された第２隔壁部を含んで平面視で略格子状であり得る。

その他の隔壁パターン１１２については、図１乃至図８の隔壁と共に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２６ｇを参照すると、隔壁パターン１１２上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階は、約５０℃乃至１２０℃の温度で約６０秒乃至２００秒間行われ得る。

隔壁パターン１１２上に遮光部材形成用組成物２００を塗布する段階は、前記組成物２００を隔壁パターン１１２の高さよりも高い厚さに塗布する段階であり得る。すなわち、前記組成物２００が隔壁パターン１１２の上面１１０ｔをカバーすることができるように遮光部材形成用組成物２００を塗布する段階であり得る。本段階において、遮光部材形成用組成物２００は、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０１との間の離隔空間を少なくとも部分的に充填することができる。

遮光部材形成用組成物２００は、ブラック顔料または染料などの着色剤、光重合性化合物、光重合開始剤及び溶媒を含み、絶縁性粒子などの添加剤をさらに含むことができる。

ブラック顔料または染料などの着色剤の例としては、カーボンブラック、チタンブラック、リグニンブラック、ペリレンブラック、シアニンブラック、鉄／マンガンなどの複合酸化物顔料などの無機顔料、またはこれらの組み合わせなどを挙げることができる。

光重合性化合物は、重合可能な単量体化合物であって、単官能単量体、二官能単量体及び多官能単量体などを含むことができる。例えば、単官能単量体は、ノニルフェニルカルビトールアクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、２−エチルヘキシルカルビトールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドンなどを挙げることができる。また、二官能単量体の例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡのビス（アクリロイルオキシエチル）エーテル、３−メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。また、多官能単量体の例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ（メタ）アクリレート、エトキシ化ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、プロポキシ化ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。

光重合開始剤は、特に限定されないが、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシナフチル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−１，３，５−トリアジンなどのトリアジン系開始剤化合物、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシ−１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−メチルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−（４−メチルチオフェニル）−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−［４−（１−メチルビニル）フェニル］プロパン−１−オンのオリゴマーなどのアセトフェノン系開始剤化合物、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，３−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（アルコキシフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（トリアルコキシフェニル）ビイミダゾール、４，４’，５，５’位のフェニル基がカルボアルコキシ基によって置換されているイミダゾール化合物などのビイミダゾール系開始剤化合物、またはこれらの組み合わせを含むことができる。

次に、図２６ｈを参照すると、基板ＢＳ２の背面（図２６ｈにおける下面）側から光を照射して遮光部材２１０を形成する。遮光部材２１０を形成する段階は、不透光性物質パターン８０１を遮光マスクとして用いて遮光部材２１０を形成する段階であり得る。

例示的な実施形態において、遮光部材２１０を形成する段階は、基板ＢＳ２の背面側から光を照射する段階と、前記光が基板ＢＳ２を透過する段階と、前記光が隔壁パターン１１２に入射される段階と、前記光が隔壁パターン１１２の上面１１０ｔを透過する段階と、前記光が隔壁パターン１１２の側面１１０ｓを透過する段階とを含むことができる。

不透光性物質パターン８０１の側に入射された光は、不透光性物質パターン８０１によって遮光されて遮光部材形成用組成物の硬化に寄与できないのでありうる。反面、優れた光透過率を有する隔壁パターン１１２の側に入射された光は、隔壁パターン１１２の上面１１０ｔと側面１１０ｓを介して遮光部材形成用組成物の硬化に寄与することができる。遮光部材形成用組成物の側へ進行する光は、遮光部材形成用組成物を硬化させ、所定の距離だけ、さらに進行した後、遮光部材形成用組成物が持つ自体の吸光特性により徐々に消光されうる。これにより、隔壁パターン１１２の上面１１０ｔ及び側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０を形成し、隔壁パターン１１２から相対的に遠い側に位置する部分は、未硬化の遮光部材形成用組成物２０１の状態を維持しているのでありうる。

いくつかの実施形態において、照射される光の強度と照射時間などによって、遮光部材２１０の厚さと、遮光部材２１０の表面粗さを制御することができる。

本実施形態に係る隔壁パターン１１２は、傾斜した側面１１０ｓを有することができる。これにより、隔壁パターン１１２の上面１１０ｔだけでなく、側面１１０ｓを介しても十分な量の光が透過するようにすることができる。また、隔壁パターン１１２がその内部に分散している粒子状物質１１０ｐを含む場合、粒子状物質１１０ｐによって散乱／拡散された光は、光が様々な方向に広がることを容易にすることができる。例示的な実施形態において、隔壁パターン１１２の上面１１０ｔ上に配置された遮光部材２１０の厚さは、隔壁パターン１１２の側面１１０ｓ上に配置された遮光部材２１０の厚さよりも大きいのでありうる。

遮光部材２１０については、図１乃至図８と一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２６ｉを参照すると、残余（未硬化）の遮光部材形成用組成物２０１を除去する。前記の残余組成物２０１を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物を除去する段階であり得る。これにより、基板ＢＳ２、基板ＢＳ２上に配置された隔壁パターン１１２、及び隔壁パターン１１２を取り囲むように配置された遮光部材２１０及び不透光性物質パターン８０１を形成することができる。

いくつかの実施形態において、残余（未硬化）の遮光部材形成用組成物を除去する段階の後に、遮光部材２１０をハードベークする段階をさらに含むことができる。

次に、図２６ｊを参照すると、不透光性物質パターンを除去する。不透光性物質パターンを除去する段階は、基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる段階であり得る。不透光性物質パターンを除去する段階は、ウェットエッチング工程を経て不透光性物質パターンを除去する段階であり得る。これにより、基板ＢＳ２、基板ＢＳ２上に配置された隔壁パターン１１２、及び、隔壁パターン１１２の各線状部分を上方及び左右の三方から取り囲むように配置された遮光部材２１０のみを残すことができる。

次に、図２６ｋを参照すると、隔壁パターン１１２が形成する開口の少なくとも一部に第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０を形成する。第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０を形成する方法は、感光性有機材料を用いてフォト工程を介してパターニングし、或いはインクジェット工程を経て形成する方法を例示することができる。第１波長帯域フィルター３１０及び第２波長帯域フィルター３２０については、図１乃至図８と一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２６ｌを参照すると、隔壁パターン１１２が形成する開口に第１インク組成物４０１、第２インク組成物４０２及び第３インク組成物５００を吐出する。第１インク組成物４０１乃至第３インク組成物５００はそれぞれ順次吐出されるか、或いは同時に吐出され得る。例示的な実施形態において、第１インク組成物４０１は、第１色のピーク波長を有する光を放出する第１波長シフト物質４１０ｐを含み、第２インク組成物４０２は、第２色のピーク波長を有する光を放出する第２波長シフト物質４２０ｐを含み、第３インク組成物５００は、粒子状物質５１０ｐを含むことができる。

隔壁パターン１１２自体が十分な高さを持つため、第１インク組成物４０１乃至第３インク組成物５００は所望の位置に正確に吐出され得る。

次に、図２６ｍを参照すると、前述したインク組成物を乾燥及び硬化（ｃｕｒｉｎｇ）させて第１色変換パターン４１０、第２色変換パターン４２０及び透光パターン５１０を形成する。第１色変換パターン４１０、第２色変換パターン４２０及び透光パターン５１０については、図１乃至図８と一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２６ｎを参照すると、第１色変換パターン４１０、第２色変換パターン４２０及び透光パターン５１０上に第４波長帯域フィルター６１０、オーバーコート層ＯＣ、偏光層ＰＯＬ及び共通電極ＣＥなどを順次形成して第２表示板ＳＵＢ２を準備する。第２表示板ＳＵＢ２内の各構成要素については、図１乃至図８と一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２６ｏを参照すると、スイッチング素子Ｑ及び画素電極ＰＥを含む第１表示板ＳＵＢ１を準備し、第１表示板ＳＵＢ１と第２表示板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣＬを介在させて表示パネルを準備する。第１表示板ＳＵＢ１と第２表示板ＳＵＢ２はシーリング部材（図示せず）によって貼り合わされるのでありうる。

第１表示板ＳＵＢ１と第２表示板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣＬを位置させる方法は、例えば、第１表示板ＳＵＢ１または第２表示板ＳＵＢ２上に、液晶ＬＣＬを含む液晶組成物を滴下した後、第１表示板ＳＵＢ１と第２表示板ＳＵＢ２とを合着する方法を例示することができる。図示してはいないが、第１表示板ＳＵＢ１上に光源部（図示せず）を配置する段階をさらに含むことができる。

以下、本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。

図２７ａ〜２７ｆは、本発明の他の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図２７ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に、透光性を有する隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０１を形成する。隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０１を形成する段階については、図２６ａ乃至図２６ｆと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２７ｂを参照すると、隔壁パターン１１２上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。

次に、図２７ｃを参照すると、塗布された遮光部材形成用組成物２００の表面を全体的にフッ素処理する。フッ素処理する段階は、四フッ化炭素（ＣＦ_４）ガスを噴射する段階であり得る。本段階で塗布された遮光部材形成用組成物２００の露出表面（上側表面）の全体的なフッ素基含有量が増加することができる。

次に、図２７ｄを参照すると、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２１０を形成する。遮光部材２１０を形成する段階については、図２６ｈと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２７ｅを参照すると、残余（未硬化）の遮光部材形成用組成物を除去する。前記組成物を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物２０１を除去する段階であり得る。

残余の遮光部材形成用組成物２０１を除去することで露出することとなった遮光部材２１０は、部分的にフッ素基含有量が異なり得る。例えば、フッ素処理に曝（さら）された、隔壁パターン１１２の上面上に配置された遮光部材２１０の表面における単位面積当たりのフッ素基含有量は、フッ素処理に曝（さら）されていない、隔壁パターン１１２の側面上に配置された遮光部材２１０の表面における単位面積当たりのフッ素基含有量よりも、大きいのでありうる。

次に、図２７ｆを参照すると、不透光性物質パターンを除去して、基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図２８ａ〜２８ｈは本発明の別の実施形態(i)に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図２８ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に、透光性を有する隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０１を形成する。隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０１を形成する段階については、図２６ａ乃至図２６ｆと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２８ｂを参照すると、隔壁パターン１１２上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。

次に、図２８ｃを参照すると、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２１０を形成する。遮光部材２１０を形成する段階については、図２６ｈと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２８ｄを参照すると、遮光部材２１０、及び、遮光部材形成用組成物の未硬化部分２０１の上に樹脂層７５０を形成する。樹脂層７５０を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、ＵＶ硬化性樹脂材料を塗布する方法を例示することができる。

次に、図２８ｅを参照すると、スタンプＳＴを用いて、パターン化された樹脂層７５０を形成する。スタンプＳＴは、製造しようとする凹凸パターンの逆相パターンが形成された状態であり得る。スタンプＳＴを樹脂層の一面上に配置及び圧着してスタンプＳＴパターンの逆相パターンを転写することができる。

次に、図２８ｆを参照すると、スタンプを除去して遮光部材２１０及び未硬化部分２０１上に凹凸パターン層７５１を形成する。

次に、図２８ｇを参照すると、残余（未硬化）の遮光部材形成用組成物２０１、及びその上の樹脂材料を除去して、遮光部材２１０上に配置された凹凸パターン７００を形成する。前記組成物を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物を除去する段階であり得る。

残余（未硬化）の遮光部材形成用組成物２０１を除去する段階で、この未硬化部分２０１と重なり合う領域にある凹凸パターン層は除去され、既に硬化が完了した遮光部材２１０の表面上に凹凸パターン７００が残存するのでありうる。

次に、図２８ｈを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同じ方法で表示装置を製造することができる。

図２９ａ〜２９ｈは、本発明の別の実施形態(ii)に係る表示装置（図１３ａ〜１３ｂに対応）の製造方法を示す一連の断面図である。

まず、図２９ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に配置された不透光性物質層８００及び感光性パターン層８５１を形成する。不透光性物質層８００及び感光性パターン層８５１を形成する段階については、図２６ａ乃至図２６ｃと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２９ｂを参照すると、感光性パターン層８５２をエッチングマスクとして用いて不透光性物質パターン８０２を形成する。不透光性物質パターン８０２を形成する段階は、エッチング工程により不透光性物質層８００をパターニングすることで、不透光性物質パターン８０２を形成する段階であり得る。例示的な実施形態において、不透光性物質パターン８０２の側面は、逆テーパー(オーバーハング状)の傾斜を持つことができる。不透光性物質パターン８０２の側面の形状は、エッチング工程の種類、エッチング液、エッチング時間、エッチング条件などを用いて、制御することができる。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、不透光性物質パターン８０２の側面は、順テーパーの傾斜を持つか或いは基板ＢＳ２の表面に対して実質的に垂直とすることもできる。

次に、図２９ｃを参照すると、不透光性物質パターン８０２上に有機層１００を形成する。有機層１００を形成する段階については、図２６ｅと一緒に上述したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２９ｄを参照すると、基板ＢＳ２上に隔壁パターン１１２を形成する。隔壁パターン１１２を形成する段階は、フォトマスクＭ１を露光工程用の遮光マスクとして用いて有機層１００に光を照射する段階、及び現像液を塗布して隔壁パターン１１２を形成する段階を含むことができる。本段階において、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０２は、互いに離隔している状態であり、基板ＢＳ２の前記一面の少なくとも一部は、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０２によってカバーされずに露出できる。

次に、図２９ｅを参照すると、隔壁パターン１１２上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。本段階において、遮光部材形成用組成物２００は、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０２との間の離隔空間を少なくとも部分的に充填することができる。

次に、図２９ｆを参照すると、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２４０を形成する。遮光部材２４０を形成する段階については、図２６ｈと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図２９ｇを参照すると、残余遮光部材形成用組成物を除去する。前記組成物を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物を除去する段階であり得る。

次に、図２９ｈを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３０ａ〜３０ｆは、本発明の別の実施形態(iii)に係る表示装置（図１４ａ〜１４ｂに対応）の製造方法を示す断面図である。

まず、図３０ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に不透光性物質パターン８０３を形成する。不透光性物質パターン８０３の側面は、基板ＢＳ２の表面に対して実質的に垂直であることができる。不透光性物質パターン８０３を形成する方法については、図２６ａ乃至図２６ｄと一緒に詳細に説明したので、重複する説明は省略する。

次に、図３０ｂを参照すると、基板ＢＳ２上に隔壁パターン１１２を形成する。本段階において、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０３は、少なくとも部分的に互いに当接している状態であり得る。すなわち、基板ＢＳ２の前記一面は、隔壁パターン１１２と不透光性物質パターン８０３によって完全にカバーされた状態であり得る。隔壁パターン１１２を形成する段階については、図２６ｅ及び図２６ｆと一緒に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３０ｃを参照すると、隔壁パターン１１２上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。

次に、図３０ｄを参照すると、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２５０を形成する。垂直な側面を有する不透光性物質パターン８０３が隔壁パターン１１２に当接する場合、遮光部材２５０の側面も不透光性物質パターン８０３のように垂直に形成できる。遮光部材２５０を形成する段階については、図２６ｈと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３０ｅを参照すると、残余遮光部材形成用組成物を除去する。前記組成物を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物を除去する段階であり得る。

次に、図３０ｆを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３１ａ〜３１ｆは、本発明の別の実施形態(iv)に係る表示装置（図１５ａ〜１５ｂに対応）の製造方法を示す断面図である。

まず、図３１ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に不透光性物質パターン８０３を形成する。不透光性物質パターン８０３を形成する方法については、図２６ａ乃至図２６ｄと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３１ｂを参照すると、基板ＢＳ２上に隔壁パターン１１２を形成する。隔壁パターン１１２を形成する段階については、図２６ｅ及び図２６ｆと説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３１ｃを参照すると、隔壁パターン１１２上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。

次に、図３１ｄを参照すると、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２６０を形成する。例示的な実施形態において、遮光部材２６０は、少なくとも部分的に不透光性物質パターン８０４と重畳することができる。遮光部材２６０を形成する段階については、図２６ｈと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３１ｅを参照すると、残余遮光部材形成用組成物を除去する。前記組成物を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物を除去する段階であり得る。

次に、図３１ｆを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。これにより、基板ＢＳ２上に配置された隔壁パターン１１２及び隔壁パターン１１２上に配置されるが、アンダーカット部分を有する遮光部材２６０を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３２ａ〜３２ｆは、本発明の別の実施形態(v)に係る表示装置（図１６ａ〜１６ｂに対応）の製造方法を示す断面図である。

まず、図３２ａ乃至図３２ｅを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に、透光性を有する隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０４を形成した後、遮光部材形成用組成物２００を塗布し、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２６０を形成する。遮光部材２６０は、少なくとも部分的に不透光性物質パターン８０４と重畳することができる。本段階については、図３１ａ乃至図３１ｅと実質的に同様なので、重複する説明は省略する。

次に、図３２ｆを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。例示的な実施形態において、遮光部材２６０のアンダーカット部分には、少なくとも部分的に不透光性物質層８１０が残存することができる。これにより、遮光部材２６０と基板ＢＳ２との間に配置された不透光性物質層８１０を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３３ａ〜３３ｆは本発明の別の実施形態(vi)に係る表示装置（図１９ａ〜１９ｂに対応）の製造方法を示す断面図である。

まず、図３３ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に不透光性物質パターン８０５を形成する。不透光性物質パターン８０５を形成する方法については、図２６ａ乃至図２６ｄと一緒に詳細に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３３ｂを参照すると、基板ＢＳ２上に隔壁パターン１１２を形成する。例示的な実施形態において、隔壁パターン１１２は、少なくとも部分的に不透光性物質パターン８０５と重畳することができる。隔壁パターン１１２を形成する段階については、図２６ｅ及び図２６ｆと一緒に説明したことがあるので、重複する説明は省略する。

次に、図３３ｃ乃至図３３ｅを参照すると、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布し、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２８０を形成し、残余遮光部材形成用組成物を除去する。

次に、図３３ｆを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。これにより、基板ＢＳ２上に配置されるが、アンダーカット部分を有する隔壁パターン１１２、及び隔壁パターン１１２上に配置される遮光部材２８０を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３４ａ〜３４ｆは、本発明の別の実施形態(vii)に係る表示装置（図２３ａ〜２３ｂに対応）の製造方法を示す断面図である。

まず、図３４ａ乃至図３４ｅを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に、透光性を有する隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０５を形成した後、遮光部材形成用組成物２００を塗布し、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２８０を形成する。隔壁パターン１１２は、少なくとも部分的に不透光性物質パターン８０５と重畳することができる。本段階については、図３３ａ乃至図３３ｅと同様なので、重複する説明は省略する。

次に、図３４ｆを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。例示的な実施形態において、隔壁パターン１１２のアンダーカット部分には、少なくとも部分的に不透光性物質層８３０が残存することができる。これにより、隔壁パターン１１２と基板ＢＳ２との間に配置された不透光性物質層８３０を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３５ａ〜３５ｇは、本発明の別の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図３５ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面（図３５ａにおける上面）上に隔壁パターン１１２を形成する。隔壁パターン１１２を形成する段階は、有機層を形成する段階と、前記有機層をパターニングする段階とを含むことができる。これにより、基板ＢＳ２の前記一面の少なくとも一部を露出する隔壁パターン１１２を形成することができる。

次に、図３５ｂを参照すると、基板ＢＳ２及び隔壁パターン１１２上に不透光性物質層８０６を形成する。不透光性物質層８０６は、反射性金属材料であるか、或いは不透光性有機材料からなり得る。不透光性物質層８０６を形成する方法は、特に限定されないが、例えば、スパッタリングなどの蒸着方法を例示することができる。

次に、図３５ｃを参照すると、不透光性物質パターン８０７を形成する。不透光性物質パターン８０７を形成する段階は、エッチングマスクを配置する段階と、エッチングマスクを用いて不透光性物質層をエッチングする段階とを含むことができる。例示的な実施形態において、不透光性物質パターン８０７は、少なくとも部分的に隔壁パターン１１２上に配置できる。すなわち、不透光性物質パターン８０７は、少なくとも部分的に隔壁パターン１１２と重畳することができる。これにより、基板ＢＳ２の露出した一面上に不透光性物質パターン８０７を形成することができる。

次に、図３５ｄを参照すると、不透光性物質パターン８０７上に、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布する。いくつかの実施形態において、塗布された遮光部材形成用組成物２００をプリベークする段階をさらに含むことができる。

次に、図３５ｅを参照すると、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２７０を形成する。遮光部材２７０を形成する段階については、図２６ｈと一緒に詳細に説明したので、重複する説明は省略する。

次に、図３５ｆを参照すると、残余遮光部材形成用組成物を除去する。前記組成物を除去する段階は、現像液を塗布して前記残余組成物を除去する段階であり得る。

次に、図３５ｇを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。これにより、基板ＢＳ２から離隔した遮光部材２７０を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３６ａ〜３６ｇは、本発明の別の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図３６ａ乃至図３６ｆを参照すると、基板ＢＳ２の一面上に、透光性を有する隔壁パターン１１２及び不透光性物質パターン８０７を形成した後、遮光部材形成用組成物２００を塗布し、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２７０を形成する。不透光性物質パターン８０７は、少なくとも部分的に隔壁パターン１１２と重畳することができる。本段階については、図３５ａ乃至図３５ｆと実質的に同様なので、重複する説明は省略する。

次に、図３６ｇを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面を少なくとも部分的に露出させる。例示的な実施形態において、露出した隔壁パターン１１２の側面上には、少なくとも部分的に不透光性物質層８２０が残存することができる。これにより、隔壁パターン１１２に当接する不透光性物質層８２０を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

図３７ａ〜３７ｈは、本発明の別の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す断面図である。

まず、図３７ａを参照すると、基板ＢＳ２の一面（図３７ａにおける上面）上に第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４を形成する。第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４は、それぞれ、特定の波長帯域の光は透過させ、他の特定の波長帯域の光の透過は遮断する波長選択的光学フィルターであり得る。第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４は互いに離隔した状態であり得る。

次に、図３７ｂを参照すると、第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４上に不透光性物質層８０８を形成する。不透光性物質層８０８は、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金などの反射性金属材料であるか、或いは不透光性有機材料からなり得る。

次に、図３７ｃを参照すると、不透光性物質層をパターニングして不透光性物質パターン８０９を形成する。不透光性物質パターン８０９を形成する段階は、エッチングマスクを用いて不透光性物質層をパターニングする段階であり得る。

例示的な実施形態において、不透光性物質パターン８０９の幅ｔ_１は、第１波長帯域フィルター３１４の幅、及び第２波長帯域フィルター３２４の幅ｔ_２よりも小さいことができる。すなわち、形成された不透光性物質パターン８０９は、第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４を完全にカバーせず、第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４は部分的に露出できる。

次に、図３７ｄを参照すると、基板ＢＳ２上に隔壁パターン１１２を形成する。例示的な実施形態において、隔壁パターン１１２は、少なくとも部分的に第１波長帯域フィルター３１４及び／または第２波長帯域フィルター３２４と重畳することができる。隔壁パターン１１２を形成する段階については、図２６ｅ及び図２６ｆと一緒に説明したので、重複する説明は省略する。

次に、図３７ｅ乃至図３７ｇを参照すると、遮光性材料を含む遮光部材形成用組成物２００を塗布し、基板ＢＳ２の背面側から光を照射して遮光部材２９０を形成し、残余遮光部材形成用組成物を除去する。

次に、図３７ｈを参照すると、不透光性物質パターンを除去して基板ＢＳ２の前記一面及び第１波長帯域フィルター３１４と第２波長帯域フィルター３２４を少なくとも部分的に露出させる。これにより、基板ＢＳ２と隔壁パターン１１２との間に介在した第１波長帯域フィルター３１４及び第２波長帯域フィルター３２４を形成することができる。

図示してはいないが、以降、図２６ｋ乃至図２６ｏと一緒に説明したのと同様の方法で表示装置を製造することができる。

以上、本発明の実施形態を中心に説明したが、これは、例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の実施形態の本質的な特性を逸脱することなく、上述していない様々な変形と応用が可能であることが分かるだろう。例えば、本発明の実施形態に具体的に示された各構成要素は変形実施することができる。それらの変形及び応用に関わる差異点も、添付された特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

好ましい実施形態において、液晶表示装置のカラーフィルタを製造するにあたり、マトリクス状（または格子状）の隔壁パターンを設けておき、隔壁パターンにより画される各画素開口に、インクジェット法によりインク組成物を吐出して色変換パターンを形成する。この隔壁パターンは、ブラックマトリクスの役割を果たし、隣接する画素開口同士の間の光漏れを防ぐべく、遮光性を付与する必要がある。ところが、隔壁パターン自体を、黒色顔料などを含む遮光性樹脂材料で形成する場合、突出高さが大きくなると、パターン形成の工程が、比較的困難である。特には、インクジェット法により、波長シフト物質（量子ドット物質または蛍光体物質）インク組成物を吐出する場合、多くの場合、厚みを大きくする必要があるので、隔壁パターンの突出高さを大きくする必要がある。

そこで、好ましい実施形態において、次のとおりとしている。
Ａ 透光性の樹脂材料で隔壁パターンを設け、これを覆う遮光部材を設ける。
Ｂ 遮光部材のパターンを形成するパターニングのために、隔壁パターンにより画される各画素開口に対応して、不透光性物質パターンを、隔壁パターン形成の前または後に設けておく。
Ｃ そして、不透光性物質パターンを遮光マスクとする背面露光工程により、遮光部材のパターニングを行う。

また、好ましい実施形態では、次のとおりとすることができる。
Ｄ 隔壁パターンを形成する透光性の樹脂材料には、光を拡散させるための粒子状物質１１０ｐを配合する。
Ｅ 遮光部材の上面部の少なくとも中心部を、インク組成物に対して撥液性にするか、遮光部材の側面部に「ピニングポイント」を設ける。

ＢＳ２ 第２基板
１１２ 隔壁
２１０ 遮光部材
３１０ 第１波長帯域フィルター
３２０ 第２波長帯域フィルター
４１０ 第１色変換パターン
４２０ 第２色変換パターン
６１０ 第４波長帯域フィルター
ＯＣ オーバーコート層

Claims (18)

1. 基板と、
   前記基板上に配置され、複数の開口を画する透光性隔壁と、
   前記透光性隔壁の上面及び側面上に配置され、ネガティブ感光性有機物を含む遮光部材と、
   前記開口内に配置され、量子ドット物質または蛍光体物質を含む第１色変換パターンとを含んでなる、表示装置。
2. 前記透光性隔壁は、第１方向に延長された複数の第１隔壁部、及び前記第１方向と交差する第２方向に延長された複数の第２隔壁部を含み、前記第１隔壁部と前記第２隔壁部により前記開口が画され、
   前記遮光部材は、平面視で格子状であることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記透光性隔壁の前記上面上に配置された遮光部材の表面の疎水性は、前記透光性隔壁の前記側面上に配置された遮光部材の表面の疎水性よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記透光性隔壁の前記上面上に配置された遮光部材の厚さは、前記透光性隔壁の前記側面上に配置された遮光部材の厚さよりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記遮光部材は、前記透光性隔壁上に直接配置され、
   前記遮光部材は、前記透光性隔壁と接する第１面、及び前記第１面とは反対側の面である第２面を有し、
   前記第２面の粗さは、前記第１面の粗さよりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
6. 前記透光性隔壁は、内部に分散した粒子状物質を含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
7. 前記表示装置には、
   第１色を表示する第１画素、第１色よりも短いピーク波長を有する第２色を表示する第２画素、及び前記第２色よりも短いピーク波長を有する第３画素が、互いに区分された領域として定められており、
   前記表示装置は、
   前記第１色変換パターン上に配置された液晶層と、
   前記第１色変換パターンと前記液晶層との間に配置され、前記第３色のピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に透過させ、前記第３色のピーク波長よりも長いピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に遮断する波長帯域フィルターと、
   前記液晶層上に配置され、前記第３色の光を提供する光源とをさらに含み、
   前記第１色変換パターンは、前記第１画素内に配置され、前記第１色変換パターンに入射される光の色を前記第１色に変換させて出射し、
   前記波長帯域フィルターは、前記遮光部材と接することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記表示装置は、
   第１色を表示する第１画素、第１色よりも短いピーク波長を有する第２色を表示する第２画素、及び前記第２色よりも短いピーク波長を有する第３画素が定義され、
   前記表示装置は、
   前記第１色変換パターン上に配置された液晶層と、
   前記液晶層上に配置され、前記第３色の光を提供する光源と、
   前記遮光部材と前記第１色変換パターンとの間に配置され、前記第３色のピーク波長よりも長いピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に透過させ、前記第３色のピーク波長を含む波長帯域の光を選択的に遮断する波長帯域フィルターとをさらに含み、
   前記波長帯域フィルターの少なくとも一部は、前記透光性隔壁の前記上面上に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記基板と前記透光性隔壁との間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルターと、
   前記波長帯域フィルターと前記透光性隔壁との間に配置され、前記遮光部材とは異なる材料を含む不透光性物質層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
10. 前記基板と前記第１色変換パターンとの間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルターと、前記基板と前記遮光部材との間に配置され、前記遮光部材とは異なる材料とからなる不透光性物質層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
11. 前記基板と前記第１色変換パターンとの間に配置され、特定の波長帯域の光を選択的に透過させる波長帯域フィルター、及び
    前記基板と前記透光性隔壁との間に配置され、前記遮光部材とは異なる材料からなる不透光性物質層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
12. 前記遮光部材上に配置され、前記遮光部材の各部分をその上面及び両側面の側から取り囲むように配置された第１透光層と、
    前記第１透光層上に直接配置され、前記第１透光層を前記の上面及び両側面の側から取り囲むように配置された第２透光層とをさらに含み、
    前記第２透光層の屈折率は、前記第１透光層の屈折率よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
13. 前記透光性隔壁の前記上面及び前記側面の上に配置され、前記透光性隔壁その上面及び両側面の側からを取り囲むように配置された第１透光層と、
    前記第１透光層と前記遮光部材との間に配置され、前記第１透光層を前記の上面及び両側面の側から取り囲むように配置された第２透光層とをさらに含み、
    前記第２透光層の屈折率は、前記第１透光層の屈折率よりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
14. 基板の一面上に、透光性を有する隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階と、
    前記隔壁パターン及び前記不透光性物質パターンの上に遮光部材形成用組成物を塗布する段階と、
    前記基板の他面側から光を照射し、前記不透光性物質パターンを遮光マスクとして用いて、前記隔壁パターンの上面及び側面の上に配置された遮光部材を形成する段階とを含む、表示装置の製造方法。
15. 前記隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階は、
    前記基板の前記一面における少なくとも一部を露出させるように、前記基板の前記一面上に前記不透光性物質パターンを形成する段階と、
    前記基板の前記一面上における露出させた領域に対応して前記隔壁パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
16. 前記隔壁パターン及び前記不透光性物質パターンを形成する段階の前に、
    前記基板の前記一面上に波長帯域フィルターのパターンを形成する段階をさらに含み、
    前記不透光性物質パターンを形成する段階では、前記波長帯域フィルターパターン上に前記波長帯域フィルターパターンと重なり合うように前記不透光性物質パターンを形成し、
    少なくとも前記隔壁パターンの開口部にて前記不透光性物質パターンを除去するまで、前記不透光性物質パターンの幅は、前記波長帯域フィルターパターンの幅よりも小さいことを特徴とする、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
17. 前記隔壁パターン及び不透光性物質パターンを形成する段階は、
    前記基板の前記一面における少なくとも一部を露出させるように、前記基板の前記一面上に前記隔壁パターンを形成する段階と、
    前記基板の前記一面上における露出させた領域に対応して前記不透光性物質パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする、請求項14に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記遮光部材を形成する段階の後に、
    前記不透光性物質パターンを除去して前記基板の前記一面を少なくとも部分的に露出させる段階と、
    前記基板の露出した前記一面上に、波長シフト物質を含むインク組成物を吐出する段階と、
    前記インク組成物を硬化させる段階とをさらに含み、
    前記遮光部材を形成する段階は、
    前記遮光部材形成用組成物をプリベークする段階と、
    前記不透光性物質パターンを遮光マスクとして用いて、プリベーク後の前記遮光部材形成用組成物を部分的に光硬化させる段階であって、
    前記基板の他面側から光を照射すること、前記光が前記基板を透過すること、前記光が前記隔壁パターンに入射されること、前記光が前記隔壁パターンの前記上面を透過すること、及び、前記光が前記隔壁パターンの前記側面を透過することを含むものである、部分的に光硬化させる段階と、
    前記遮光部材形成用組成物の層の上に現像液を塗布して、前記遮光部材形成用組成物のうち、未硬化の部分を除去することで、前記隔壁パターンの前記上面及び前記側面上に配置された遮光部材が残るようにする現像の段階と、
    前記遮光部材をハードベークする段階とを、この順で含むことを特徴とする、請求項14に記載の表示装置の製造方法。

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