WO2017033771A1

WO2017033771A1 - 発光デバイス、表示装置、照明装置、電子機器

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Publication number: WO2017033771A1
Application number: PCT/JP2016/073751
Authority: WO
Inventors: 勝一香村; 晶子岩田; 柏張; 青森　繁; 大江　昌人
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2015-08-21
Filing date: 2016-08-12
Publication date: 2017-03-02

Abstract

発光部と、光反射性または光散乱性を有する構造体と、該構造体によって区画された領域内に配された波長変換部と、を備えた発光デバイスであって、前記波長変換部は、光照射により酸を発生する酸発生物質を含有する感光性樹脂と、前記発光部から出射された光を吸収し異なる波長域の光に変換する波長変換材料と、を含む発光デバイス。

Description

発光デバイス、表示装置、照明装置、電子機器

　本発明のいくつかの態様は、発光デバイス、表示装置、照明装置、電子機器に関する。
　本願は、２０１５年８月２１日に、日本に出願された特願２０１５－１６４１８１号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　波長変換方式（蛍光励起）表示装置は、従来の白色光をカラーフィルタで減色してＲＧＢ表示する表示装置に比べて、低消費電力である点、および、広視野角である点で優れている。この波長変換方式表示装置は、光源から出射する青色光を、一部は青表示に使用し、残りは蛍光体に代表される波長変換材料を用いて、赤色光と緑色光に色変換（波長変換）する波長変換基板を備えている。
　波長変換基板は、波長変換部（色変換部）を備えており、ＲＧＢ表示するためには、波長変換部をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各サブ画素に対応するようにパターニングする必要がある。

　そのパターニング方法としては、例えば、蛍光体材料を溶解または分散させた感光性樹脂組成物を基板上に塗工して樹脂層を形成し、フォトリソグラフィー法を用いて得られた樹脂層を所望の形状にパターニングする方法が挙げられる。この方法は、他の印刷法に比べて、パターン精度が高いため、画素の高精細化が可能となる。
　一方、一般に用いられる感光性樹脂としては、光化学反応で分類すると、（１）光によりラジカルを発生させ、そのラジカルによりに重合反応が起こり硬化するラジカル重合型、（２）ジアゾナフトキノン誘導体を含み、光によりジアゾナフトキノン誘導体が反応し、水溶性基を発生させることで可溶化するジアゾナフトキノン型、（３）光により酸を発生させ、その酸の触媒反応により樹脂が硬化もしくは可溶化する、いわゆる化学増幅型、が挙げられる。

　（１）の感光性樹脂を用いたパターニング方法は、例えば、特許文献１～４に開示されている。しかし、これらの方法では、発生したラジカルと蛍光体材料とが化学反応を起こし、蛍光体材料の発光内部量子収率が低下する課題がある。
　（２）の感光性樹脂は、ジアゾナフトキノン誘導体が有色であり、可視光を波長変換する波長変換方式デバイスにおいて、励起光もしくは、波長変換後の光が吸収されるため、好ましい方法とは言えない。
　その一方、（３）の感光性樹脂は、光により硬化することも可溶化することも可能であり有用性が高く、かつ、可視光領域で透明であるため、波長変換部の感光性樹脂として好適である。

　波長変換部に光酸発生剤を含む波長変換方式デバイスとしては、例えば、特許文献５および６に開示されているものが挙げられる。
　特許文献５には、透明な支持基板と、第１色変換層および第２色変換層を含む少なくとも２つの層からなる色変換層と、を含む赤色変換フィルタにおいて、第１色変換層が、少なくとも１種のローダミン系色素と、シリコーンポリマーまたは樹脂変性シリコーンポリマーとを含み、第２色変換層が、少なくとも１種のクマリン系色素を含む赤色変換フィルタが開示されている。さらに、このクマリン系色素を含む波長変換層は、光酸発生剤を含む光硬化型の感光性樹脂組成物により形成してもよいことが開示されている。
　また、特許文献６には、透明なバインダーに、酸または塩基により発色する蛍光体材料と、光酸発生剤または光塩基発生剤と、を分散してなる塗膜を、カラーフィルタ上に形成し、カラーフィルタ上の塗膜のみ紫外線を照射し、その塗膜を発色させて色変換層のパターニングを行う方法が開示されている。

特開２００１－３１８８１号公報特開２００６－１０４３５０号公報国際公開第２０１４／２０８４９１号特開２００１－２６１１０４号公報特許第４７２９７１９号公報特開２００９－４３５６２号公報

　しかし、特許文献５にあるようなクマリン系蛍光体材料と光酸発生剤を含む光硬化型の感光性樹脂とを組合せた場合には、色変換層をパターニングする際に発生する酸により、変色が起こり、発光量子収率が低下することが課題であった。詳しく説明すると、光により発生した酸が、蛍光体にプロトン供与する反応や、酸を触媒とした加水分解反応等の種々の反応を引き起こす。そのため、クマリンに限らず、種々の蛍光体材料の変色や発光量子収率の低下が起こり、蛍光体が有する本来の発光特性が得られないことが課題であった。
　これは、光硬化型の感光性樹脂に限らず、光酸発生剤を含む可溶化型の感光性樹脂においても同様の課題である。光可溶化型においても、波長変換部には未反応の光酸発生剤が残存し、それがデバイスとして使用する際の蛍光体の励起光や使用環境下における外光により感光し、酸を生じるためである。
　一方、特許文献６では、第１の色変換層が、他の色の画素も覆うため、第１の色変換層で色変換された光が、他の画素まで導光して混色するため、色再現性が低いという課題があった。また、その導光により光を損失するため、消費電力が高いという課題があった。

　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、波長変換部に含まれる波長変換材料の量子効率の低下を防止するとともに、各波長変換部間における光の損失を防止する発光デバイス、並びに、該発光デバイスを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供することを目的とする。

　本発明の１つの態様の発光デバイスは、発光部と、光反射性または光散乱性を有する構造体と、該構造体によって区画された領域内に配された波長変換部と、を備えた発光デバイスであって、前記波長変換部は、光照射により酸を発生する酸発生物質を含有する感光性樹脂と、前記発光部から出射された光を吸収し、異なる波長域の光に変換する波長変換材料と、を含む。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、加熱または前記酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により、酸または塩基を発生する化学物質を含んでもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、プロトン供与基またはプロトン受容基を有する一重項酸素失活剤を含んでもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記感光性樹脂は、前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光の照射により硬化してもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記感光性樹脂は、前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光の照射により可溶化してもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基を有し、かつ、該プロトン受容基からプロトンが脱離することにより発光する波長変換材料と、加熱または前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光とは異なる波長域の光の照射により塩基を発生する化学物質と、を含んでもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基を有し、かつ、該プロトン受容基からプロトンが脱離することにより発光する波長変換材料と、加熱または前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光とは異なる波長域の光の照射により塩基を発生する化学物質と、プロトン受容基を有する一重項酸素失活剤と、を含んでもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、プロトン受容基を有し、かつ、少なくとも前記酸発生物質からのプロトンを受容することにより発光する波長変換材料を含んでいてもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、プロトン受容基を有し、かつ、少なくとも前記酸発生物質からのプロトンを受容することにより発光する波長変換材料と、加熱または前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光とは異なる波長域の光の照射により酸を発生する化学物質と、を含んでもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、プロトン受容基を有し、かつ、少なくとも前記酸発生物質からのプロトンを受容することにより発光する波長変換材料と、プロトン供与基を有する一重項酸素失活剤と、を含んでもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、発光団および非π共役結合のスペーサーと、該スペーサーを介して前記発光団と結合するプロトン受容部と、を有し、前記プロトン受容部のＨＯＭＯが、前記発光団のＨＯＭＯよりも低い波長変換材料を含んでいてもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、下記一般式（１）で表わされる骨格を有する波長変換材料を含んでいてもよい。

（式中、Ｒは、水素原子または炭化水素基を表わす。炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。ｎ＝０～１０を表わす。）

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記波長変換部は、下記一般式（２）で表わされる骨格を有する波長変換材料を含んでいてもよい。

（式中、Ｒ^１は、水素原子または炭化水素基を表わす。炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。また、Ｘは、窒素原子または酸素原子を表わし、Ｒ^２は、Ｘが窒素原子を表わすときＮＲ^３（Ｒ^３は、水素原子または炭化水素基を表わし、該炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。）であり、Ｘが酸素原子のとき存在しない。）

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記光反射性または光散乱性を有する構造体における前記波長変換部に対向する面に、酸により腐食する材料を有する薄膜と、該薄膜と前記波長変換部との間に、光の照射により硬化する感光性樹脂からなる保護膜と、を備えてもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記光反射性または光散乱性を有する構造体と、前記波長変換部とが離隔していてもよい。

　本発明の１つの態様の発光デバイスにおいて、前記発光部は、青色の光または青緑色の光を出射する有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。

　本発明の１つの態様の表示装置、照明装置、電子機器は、本発明の１つの態様の発光デバイスを備える。

　本発明のいくつかの態様によれば、各波長変換部間における光の損失を防止するとともに、波長変換部に含まれる波長変換材料の量子収率の低下を防止する発光デバイス、並びに、該発光デバイスを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供することができる。

本発明の第１実施形態である発光デバイスの概略構成を示す第１の断面図である。本発明の第１実施形態である発光デバイスの概略構成を示す第２の断面図である。本発明の第１実施形態である発光デバイスを示す上面図である。本発明の第２実施形態である発光デバイスの概略構成を示す断面図である。本発明の第３実施形態である発光デバイスの概略構成を示す断面図である。本発明の第１～第３実施形態である発光デバイスを構成する隔壁の概略構成を示す断面図である。本発明の第１～第３実施形態である発光デバイスを構成する隔壁の概略構成を示す断面図である。本発明の第１～第３実施形態である発光デバイスを構成する隔壁の概略構成を示す断面図である。本発明の第４実施形態である有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略構成を示す断面図である。本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。本発明の第６実施形態である照明装置を示す概略斜視図である。本発明の第６実施形態である照明装置における発光デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。本発明の第７実施形態である太陽電池の主要部を示す概略断面図である。実施例１において、波長変換基板を構成する波長変換部の発光スペクトルの測定結果を示す図である。実施例１および比較例において、波長変換基板を構成する波長変換部の吸収スペクトルの測定結果を示す図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第１の概略断面図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第２の概略断面図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第３の概略断面図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第４の概略断面図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第５の概略断面図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第６の概略断面図である。実施例４において、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を示す第７の概略断面図である。

　本発明のいくつかの態様による発光デバイス、並びに、該発光デバイスを備えた表示装置、照明装置および電子機器の実施の形態について説明する。
　なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
　また、以下の説明で用いる図面は、本発明のいくつかの態様の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。

（１）第１実施形態
［発光デバイス］
　図１Ａ、図１Ｂは、本発明の第１実施形態である発光デバイスの概略構成を示す断面図である。図２は、本発明の第１実施形態である発光デバイスを示す上面図である。
　図１Ａおよび図１Ｂに示すように、本実施形態の発光デバイス１００は、発光部１１を備える発光基板１０と、光反射性または光散乱性を有する構造体２１、および、構造体２１に区画された領域内に配された波長変換部２２を備える波長変換基板２０と、を備える。
　本実施形態の発光デバイス１００では、波長変換部２２は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、例えば、赤色波長変換部２２Ｒと緑色波長変換部２２Ｇからなる。
　本実施形態の発光デバイス１００は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、例えば、構造体２１に区画された領域内に配された励起光散乱部２３を備える。
　本実施形態の発光デバイス１００では、青色光を励起光とし、赤色波長変換部２２Ｒにて、青色光を赤色光に変換し、緑色波長変換部２２Ｇにて、青色光を緑色光に変換し、励起光散乱部２３にて、青色光を波長変換することなく利用する。これにより、発光デバイス１００は、ＲＧＢ画素としてフルカラー表示を行う。本実施形態では、表示素子に好適に用いられる発光デバイスについて説明する。

「発光基板」
　発光基板１０は、基板１２と、波長変換部２２が吸収する光を放出する発光部１１と、を備える。
　発光部１１は、基板１２における波長変換基板２０の波長変換部２２および励起光散乱部２３と対向する面（以下、「一方の面」と言う。）１２ａに設けられている。図１Ａおよび図１Ｂに示すように、発光部１１と、波長変換基板２０の波長変換部２２および励起光散乱部２３とは、対向するように配置されている。これにより、発光部１１から放出された青色光を、直接、波長変換部２２および励起光散乱部２３へ入射することができる。

　発光部１１としては、紫外光、深青色光、青色光、青緑色光を放出する有機ＥＬ素子または無機ＥＬ素子、液晶やマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）等の光学シャッター素子を備え、紫外光、深青色光、青色光、青緑色光を放出するバックライト、紫外光、深青色光、青色光、青緑色光を放出するＬＥＤ素子が好ましい。これらの中でも、低消費電力、高精細の観点から、発光部１１としては、青色光を放出する有機ＥＬ素子がより好ましい。

　基板１２は、発光部１１を初めとする、発光基板１０を構成する各部材を形成するための支持体として用いられる。
　基板１２に要求される特性としては、発光部１１からの発光を高効率で外部に取出し、波長変換部２２および励起光散乱部２３へ出射することができること、基板１２上に各部材を形成するにあたって、適切な耐熱性や耐溶媒性等のプロセス耐性を有すること、寸法安定性に優れていること、平滑性が高いこと等が挙げられる。
　基板１２を形成する材料としては、波長変換基板２０と同様のものが挙げられる。

「波長変換基板」
　波長変換基板２０は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、例えば、基板２４と、構造体２１と、波長変換部２２と、励起光散乱部２３と、カラーフィルタ層２５と、ブラックマトリックス２６と、を備える。
　光反射性または光拡散性を有する構造体（以下、「隔壁」と言うこともある。）２１は、基板２４における発光基板１０の発光部１１と対向する面（以下、「一方の面」と言う。）２４ａに、ブラックマトリックス２６を介して立設されている。基板２４の一方の面２４ａにおいて、隔壁２５に区画された領域内に、赤色波長変換部２２Ｒを含む赤色画素部３１、緑色波長変換部２２Ｇを含む緑色画素部３２、および、励起光散乱部２３を含む青色画素部３３が設けられている。すなわち、基板２４の一方の面２４ａにおける、隔壁２１に区画された領域は、それぞれサブピクセル（赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３）を構成している。

　カラーフィルタ層２５は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、例えば、赤色カラーフィルタ２５Ｒ、緑色カラーフィルタ２５Ｇおよび青色カラーフィルタ２５Ｂからなることが好ましい。
　赤色画素部３１は、基板２４の一方の面２４ａに、赤色カラーフィルタ２５Ｒと赤色波長変換部２２Ｒがこの順に積層されて構成されている。
　緑色画素部３２は、基板２４の一方の面２４ａに、緑色カラーフィルタ２５Ｇと緑色波長変換部２２Ｇがこの順に積層されて構成されている。
　青色画素部３３は、基板２４の一方の面２４ａに、青色カラーフィルタ２５Ｂと励起光を散乱させるための励起光散乱部２３がこの順に積層されて構成されている。

　図２に示すように、本実施形態の発光デバイス１００は、複数の画素を有している。各画素は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応する３つのサブ画素（赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３）から構成されている。
　赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。

　なお、図２に示す例では、ＲＧＢの各サブ画素（赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３）がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢの各サブ画素（赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３）の配列はモザイク配列、デルタ配列、ペンタイル配列、ダイアゴナル配列等、従来公知の画素配列とすることもできる。

　基板２４は、赤色波長変換部２２Ｒ、緑色波長変換部２２Ｇおよび励起光散乱部２３を初めとする、波長変換基板２０を構成する各部材を形成するための支持体として用いられる。
　基板２４に要求される特性としては、赤色波長変換部２２Ｒおよび緑色波長変換部２２Ｇからの発光を高効率で外部に取出すことができる高い透明性を有すること、基板２４上に各部材を形成するにあたって、適切な耐熱性や耐溶剤性等のプロセス耐性を有すること、寸法安定性に優れていること、平滑性が高いこと等が挙げられる。

　基板２４を構成する材料としては、上記の特性を満たすものであれば特に制限されないが、例えば、ガラスや石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリイミド等からなるプラスチック基板、前記のプラスチック基板の表面を無機材料でコーティングした基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等が挙げられる。

　ブラックマトリックス２６は、発光デバイス１００を表示装置に用いた場合、表示装置の視認性の向上や、隣り合う画素へ進入しようとする励起光の吸収（遮光）を目的として、基板２４の一方の面２４ａに設けられている。

　ブラックマトリックス２６の膜厚（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス１００の厚さ方向の高さ）は、１０ｎｍ～３μｍであることが好ましい。
　ブラックマトリックス２６の膜厚が１０ｎｍ未満では、隣り合う画素へ進入しようとする励起光を吸収し、充分に遮光できない場合がある。一方、ブラックマトリックス２６の膜厚が３μｍを超えると、励起光や、赤色波長変換部２２Ｒおよび緑色波長変換部２２Ｇからの発光が吸収されてしまい、高い光取出し効率が得られない場合がある。

　ブラックマトリックス２６の材料としては、カーボンブラック等の着色剤を感光性樹脂に分散させた材料、Ｃｒ（クロム）やＣｒ／酸化Ｃｒの多層膜等の金属、液晶用ブラックマトリックス材料等が用いられる。
　ブラックマトリックス２６の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、印刷法、ドライプロセスで製膜後にエッチング処理を行う方法等の公知の方法が用いられる。

　隔壁２１は、波長変換部２２および励起光散乱部２３の周囲（側面）を囲むように、各サブ画素（赤色画素部３１、緑色画素部３２、青色画素部３３）間に設けられる。隔壁２１は、基板２４の一方の面２４ａに形成されたブラックマトリックス２６を介して、基板２４の一方の面２４ａ上に立設されている。
　このように隔壁２１を設けることで、発光部１１からの励起光や、波長変換部２２および励起光散乱部２３からの発光が隣り合う画素へ伝播して混色が起こることを抑制することができる。さらに、隔壁２１は、光反射性または光散乱性を有している。これにより、波長変換部２２で波長変換された光のうち、基板２４に対して水平方向の光を観察者側（他方の面側）に射出することができるため、光取り出し効率が向上する。これにより、発光デバイス１００の低消費電力が実現される。

　上述のように、隔壁２１に要求される特性としては、隣り合う画素へ光が漏れないようにするために、可視光の透過率が低いこと、高効率な光の取り出しを実現するために、光反射性または光散乱性が高いこと等が挙げられる。また、高精細が要求される場合には、高精細に対応可能な材料やプロセスを適用する必要がある。

　隔壁２１を構成する材料は、上記の特性を満たすものであれば特に制限されない。隔壁２１は、例えば、（１）樹脂等からなる基材に、光反射性または光散乱性を有する材料を分散して形成した形態であってもよいし、（２）全体を光反射性または光散乱性を有する材料で形成した形態であってもよいし、（３）樹脂等からなる基材により形成した隔壁の表面に、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜を形成した形態であってもよい。

　光反射性または光散乱性を有する材料としては、無機材料、有機材料、または、無機材料と有機材料を組み合わせた材料が用いられる。

　光反射性または光散乱性を有する無機材料としては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、スズ、クロム、チタン等の金属およびそれらの合金や、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫、バリウムおよびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の元素を有する酸化物、窒化物、硫酸塩、塩酸塩、硝酸塩等からなる薄膜、粒子、単体が挙げられる。

　光反射性または光散乱性を有する有機材料としては、ポリメチルメタクリレート、アクリル樹脂、アクリル－スチレン共重合体、メラミン樹脂、高屈折率メラミン樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ベンゾグアナミン－メラミンホルムアルデヒド樹脂、シリコーン樹脂等からなる微粒子が挙げられる。

　隔壁２１の基材となる樹脂としては、公知の樹脂が用いられる。樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、メラミン樹脂、ナイロン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸・ブタジエン・スチレン（ＭＢＳ）、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、テトラフルオロエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。また、樹脂として、感光性材料を用いることによって、フォトリソグラフィー法により、隔壁２１をパターニングすることができる。

　隔壁２１が、樹脂等からなる基材に、光反射性または光散乱性を有する材料を分散して形成した形態である場合、分散された材料の光反射性または光散乱性を発揮させる目的から、隔壁２１は、可視光領域で透明であることが好ましい。また、隔壁２１は、目的に合わせて各種添加剤等が添加されていてもよい。

　隔壁２１が、樹脂等からなる基材により形成した隔壁の表面に、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜を形成した形態である場合、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜の膜厚は、特に限定されないが、２０ｎｍ～５μｍであることが好ましく、５０ｎｍ～３μｍであることがより好ましく、１００ｎｍ～１μｍであることがさらに好ましい。
　光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜の膜厚が上記の下限値未満では、薄膜において充分な反射率が得られないことがある。一方、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜の膜厚が上記の上限値を超えると、製膜に時間が掛かり過ぎて、製造コストが増加する。

　隔壁２１の膜厚（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス１００の厚さ方向の高さ）は、波長変換部２２からの発光を高効率で外部に取出すためには、波長変換部２２の膜厚（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス１００の厚さ方向の高さ）よりも大きいことが好ましい。具体的には、隔壁２１の膜厚は、０．１μｍ～１００μｍであることが好ましく、１μｍ～１０μｍであることがより好ましい。

　隔壁２１のアスペクト比（高さ（膜厚）／断面の横幅）は、０．５～１０であることが好ましい。
　隔壁２１のアスペクト比が０．５未満では、高精細化、高開口率による効果が得られない。一方、隔壁２１のアスペクト比が１０を超えると、隔壁２１と基板２４の密着性や、隔壁２１の安定性が悪くなることがある。

　隔壁２１の形状は、隣り合う画素へ光が漏れないように、波長変換部２２および励起光散乱部２３の周囲（側面）を覆うことができれば、特に限定されない。隔壁２１の形状は、図１Ｂに示すように、具体的には、光取出し側の基板（基板２４）に近い側で断面形状が小さくなっており、光源（発光基板１０）に近い側で断面形状が大きくなっている（すなわち、光取出し側の基板に近い側でサブピクセルの開口面積が大きくなっており、光源に近い側でサブピクセルの開口面積が小さくなっている）逆テーパー形状であることが好ましい。隔壁２１の形状を逆テーパー形状とすることにより、光の取出し効率をさらに向上することができる。

　また、隔壁２１の表面を粗面とすることにより、隔壁２１に効果的に光散乱性を付与してもよい。例えば、隔壁２１の表面に、平均周期数百ｎｍオーダーの周期的な凹凸を設けることもできる。また、凹凸の平均周期は、１００ｎｍ～１μｍであることが好ましい。
凹凸の平均周期が１００ｎｍ未満では、隔壁２１の内部に光が入り込んで、光の取り出し効率が低下することがある。一方、凹凸の平均周期が１μｍを超えると、波長変換部２２にて変換された光の波長よりも大きいため、光散乱性が低下することがある。

　隔壁２１の形成方法としては、特に限定されず、公知の方法が用いられる。
　隔壁２１が、樹脂等からなる基材に、光反射性または光散乱性を有する材料を分散して形成した形態である場合、例えば、次のような形成方法が用いられる。まず、溶媒に、基材と、光反射性または光散乱性を有する材料とを、溶解または分散させて、隔壁形成用組成物を調製する。その後、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、または、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウェットプロセスにより、ブラックマトリックス２６が形成された基板２４の一方の面２４ａに、隔壁形成用組成物を塗布することにより、隔壁２１を形成する。また、基材となる樹脂として感光性材料を用いることによって、フォトリソグラフィー法により、隔壁２１をパターニングすることができる。

　この形態において、隔壁２１に、効果的に光反射性または光散乱性を付与するためには、低屈折率の基材中に、光反射性または光散乱性を有する材料として、基材よりも高屈折率の微粒子（光散乱粒子）を分散することが好ましい。また、光散乱強度は、一般的に光散乱粒子の粒径が波長の１／２程度のときに最も大きくなるため、光散乱粒子の粒径は、数百ｎｍオーダーであることが好ましい。また、光反射性または光散乱性を有する材料としては、複数種の光反射性粒子や光散乱粒子を用いてもよい。例えば、第１の光散乱粒子と、第１の光散乱粒子よりも粒径が小さく、屈折率が大きい第２の光散乱粒子とを組み合わせて用いることにより、より効果的に、高い光散乱を実現することができる。
　樹脂等からなる基材と、光反射性または光散乱性を有する材料とを含む組成物における、光反射性または光散乱性を有する材料の含有量、すなわち、隔壁２１における光反射性または光散乱性を有する材料の含有量は、特に限定されず、目的とする光学特性に応じて適宜調整される。

　隔壁２１が、全体を光反射性または光散乱性を有する材料で形成した形態である場合、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法や抵抗加熱法等の真空蒸着法等の既存の方法を用いることができる。光反射性または光散乱性を有する材料からなる隔壁２１のパターニング方法としては、例えば、メタルマスクを用いる方法、フォトエッチング法により不要部を除去する方法等が挙げられる。

　隔壁２１が、樹脂等からなる基材により形成した隔壁の表面に、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜を形成した形態である場合、例えば、次のような形成方法が用いられる。まず、溶媒に、基材を溶解または分散させて、隔壁形成用組成物を調製する。その後、上述のウェットプロセスにより、ブラックマトリックス２６が形成された基板２４の一方の面２４ａに、隔壁形成用組成物を塗布することにより、隔壁２１を形成する。隔壁２１の形成において、基材となる樹脂として感光性材料を用いることによって、フォトリソグラフィー法により、隔壁２１をパターニングすることが好ましい。このように形成した基材からなる隔壁２１の表面に、上述のドライプロセスやウェットプロセスにより、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜を形成する。

　ここでは、波長変換部２２および励起光散乱部２３を形成する前に、隔壁２１を形成する場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、波長変換部２２および励起光散乱部２３を形成した後、隔壁２１を形成してもよい。

　本実施形態の発光デバイス１００において、波長変換部２２および励起光散乱部２３から出射した発光スペクトルから不要な波長域の光を減光し、良好な色再現性を実現するために、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、波長変換部２２および励起光散乱部２３の出力側（基材２４の一方の面２４ａ）に、カラーフィルタ層２５を設けてもよい。

　カラーフィルタ層２５に要求される特性としては、所望の波長域の光のみを外部に取出すために、所望の波長域外の光の吸収率が高いこと、光の取出し効率を向上させて、少ない消費電力で駆動できるようにするために、所望の波長域の光の透過率が高いこと、後の工程のプロセスに耐え得る耐熱性、耐光性、耐溶剤性等を備えていること等が挙げられる。

　カラーフィルタ層２５を構成する材料は、上記の特性を満たすものであれば特に制限されないが、例えば、所望の色の着色剤（染料または顔料）と透明樹脂から構成される。カラーフィルタ層２５を構成する材料としては、具体的には、液晶等の各種表示装置に用いられる市販のカラーフィルタ材料が挙げられる。

　本実施形態の発光デバイス１００では、カラーフィルタ層２５は、光の三原色である赤色、緑色および青色のカラーフィルタからなることが好ましい。すなわち、カラーフィルタ層２５は、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、赤色カラーフィルタ２５Ｒ、緑色カラーフィルタ２５Ｇおよび青色カラーフィルタ２５Ｂからなることが好ましい。
　赤色カラーフィルタ２５Ｒにより赤色画素部３１が設定され、緑色カラーフィルタ２５Ｇにより緑色画素部３２が設定され、青色カラーフィルタ２５Ｂにより青色画素部３３が設定される。

　なお、カラーフィルタ層２５は、赤色カラーフィルタ２５Ｒと緑色カラーフィルタ２５Ｇの２色のカラーフィルタから構成されていてもよいし、４色以上の多色のカラーフィルタから構成されていてもよい。

　カラーフィルタ層２５の膜厚（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス１００の厚さ方向の高さ）は、１００ｎｍ～５μｍであることが好ましい。カラーフィルタ層２５の膜厚が１００ｎｍ未満では、所望の波長域外の光を充分に吸収できないことがある。一方、カラーフィルタ層２５の膜厚が５μｍを超えると、所望の波長域の光の透過率が低下することがある。

　カラーフィルタ層２５の形成方法としては、フォトリソグラフィー法や印刷法等の公知の方法が用いられる。
　フォトリソグラフィー法によりカラーフィルタ層２５を形成する場合、カラーフィルタ層２５の材料としては、例えば、アクリレート系、メタクリレート系の反応性ビニル基を有する、電子線硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂が用いられる。
　紫外線硬化性樹脂としては、バインダー樹脂（透明樹脂）と、バインダー樹脂に添加される光重合開始剤と、を含むものが用いられる。光重合開始剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　また、電子線硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂には、必要に応じて、増感剤、塗布性改良剤、現像改良剤、架橋剤、重合禁止剤、可塑剤、難燃剤等が含まれていてもよい。

　波長変換部２２は、光照射により酸を発生する酸発生物質を含有する感光性樹脂と、発光基板１０の発光部１１から出射された光を吸収し異なる波長域の光に変換する波長変換材料と、を含んでなる。

　感光性樹脂としては、酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光の照射により硬化するもの（以下、「感光性樹脂（Ａ－１）」と言う。）、または、酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光の照射により可溶化するもの（以下、「感光性樹脂（Ａ－２）」と言う。）が好ましい。

　感光性樹脂（Ａ－１）は、酸により反応する基材（Ｂ－１）と、光を吸収して酸を発生する酸発生物質とを含む。すなわち、感光性樹脂（Ａ－１）は、酸発生物質が特定の波長域の光を吸収することによって発生した酸によって、基材（Ｂ－１）が、重合反応や架橋反応を起こすことで硬化する。
　感光性樹脂（Ａ－２）は、酸により反応する基材（Ｂ－２）と、光を吸収して酸を発生する酸発生物質とを含む。すなわち、感光性樹脂（Ａ－２）は、酸発生物質が特定の波長域の光を吸収することによって発生した酸によって、基材（Ｂ－２）が、加水分解等の分解反応が起こることで可溶化する。

　基材（Ｂ－１）としては、カチオン開環重合するものが挙げられ、例えば、エポキシ基等の環状エーテル、環状チオエーテル、環状アセタール、環状アミン、環状イミノエーテル、ラクトン、環状カーボネート、ラクタム、環状チオウレア、ケイ素およびリンを含む環状部位を有するオリゴマーやモノマー挙げられる。これらの具体例としては、非特許文献：高分子の合成（下）開環重合・重縮合・配位重合　遠藤剛著　ｐ４７５～ｐ４９０に記載されているものが挙げられる。
　また、基材（Ｂ－１）としては、ビニル基等の不飽和炭素基を有するオリゴマーやモノマーも挙げられる。その具体例としては、非特許文献：高分子の合成（上）ラジカル重合・カチオン重合・アニオン重合　遠藤剛著　ｐ１５８～ｐ１６２に記載されているものが挙げられる。
　基材（Ｂ－２）としては、水酸基やカルボキシ基がｔ－ブトキシ基、アセタール基、ベンジルオキシカルボニル基等により保護された基を有するオリゴマーやポリマー挙げられる。基材（Ｂ－２）の具体例としては、特開２００４－４５４４８やＷＯ２００３／００６４０７に記載の高分子化合物や、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等が挙げられる。

　酸発生物質としては、放射線の照射（放射線による露光）により酸を発生するものであればよく、公知のものから適宜選択できる。放射線は、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ＬＥＤ光源、エキシマレーザー発生装置等を用いて照射できる。好ましい放射線としては、紫外線領域である１９０ｎｍ～４００ｎｍにピーク波長を有するものであり、具体的には、波長２５４ｎｍ、波長３１０ｎｍ、波長３６５ｎｍ（ｉ線）にピーク波長を有するものが好ましい。酸発生物質としては、このような波長域の放射線を効率良く吸収するものを適宜選択して用いることが好ましい。酸発生物質としては、例えば、スルホニウム塩系、ヨードニウム塩系、スルホニルジアゾメタン系、Ｎ－スルホニルオキシイミド系、ベンゾインスルホネート系、ニトロベンジルスルホネート系、スルホン系、オキシムスルホネート系、トリアジン系の酸発生剤等が挙げられる。その具体例としては、特開２００４－４５４４８に記載の光酸発生剤を用いることができる。

　また、前記酸発生物質は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いる場合、その組み合わせおよび比率は任意に選択できる。
　さらに、基材（Ｂ－１またはＢ－２）に対する、酸発生物質の含有量は、適宜調節すればよいが、基材（Ｂ－１またはＢ－２）の含有量に対して０．１質量％～３０質量％であることが好ましく、１質量％～１０質量％であることがより好ましい。酸発生物質の含有量が前記下限値以上であることで、目的とする形状のパターンを充分に形成できる。また、酸発生物質の含有量が前記上限値以下であることで、未反応の酸発生物質の残存量が少ないため安定性がより向上する。

　波長変換材料は、発光基板１０の発光部１１から出射された光を吸収し、その吸収した光を、その光の波長域とは異なる波長域の光に変換する材料である。
　波長変換材料としては、例えば、蛍光体や燐光物質が挙げられる。波長変換材料としては、例えば、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの深青色、青色、青緑色の光を吸収して、波長５００ｎｍ～５６０ｎｍの緑色の光を発光するものや、６１０ｎｍ～７５０ｎｍの赤色の光を発光するものが挙げられる。また、黄色のサブ画素を備える場合には、波長４００ｎｍ～５００ｎｍの深青色、青色、青緑色の光を吸収して、５８０ｎｍ～５９５ｎｍの黄色の光を発光するものが挙げられる。
　このような波長変換材料としては、水素イオン濃度（ｐＨ）に依存しないで発光するもの、酸性下で発光するもの、酸性以外で発光するものが挙げられる。

　ｐＨに依存しないで発光する蛍光体としては、光を吸収し発光の要因となる原子団（以下、「発光団」とも言うことがある。）がプロトン受容基を持たないものや、プロトンもしくは炭素原子により飽和されたプロトン受容基を有するものが挙げられる。プロトン受容基を持たないものとしては、例えば、下記式（３）および下記式（４）を発光団とする多環芳香族系蛍光体や例えば、下記一般式（５）を発光団とする含ヘテロ環系蛍光体が挙げられる。また、プロトンが飽和したプロトン受容基を有するものとしては、下記式（６）、下記一般式（７）および下記一般式（８）（アゾ）メチン系蛍光体が挙げられる。プロトン受容基としては、非共有電子対を有する原子団から構成され、プロトンに対してルイス塩基として機能するものが挙げられる。非共有電子対を有する原子団としては、窒素、酸素、硫黄、リンが挙げられ、プロトン受容基の具体例としては、アミノ基（－ＮＲ_２）、アミド基（－ＮＲ－ＣＯ－）、エーテル基（－ＯＲ）、エステル基（－Ｏ－ＣＯ－）、チオエーテル基（－ＳＲ）、チオエステル基（－Ｓ－ＣＯ－）フォスフィノ基（－ＰＲ_２）が挙げられる（ここで、Ｒは水素原子もしくは炭化水素基を表し、該炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい）。また、プロトンもしくは炭素原子により飽和されたプロトン受容基としては、上記のプロトン受容基にプロトンまたは炭素原子が付加し、それ以上付加できない、いわゆる飽和した状態の基を指す。下記一般式（６）～（８）において、プロトンもしくは炭素原子により飽和されたプロトン受容基としては、四級アミノ基が該当する。また、上記蛍光体は発光団であり、これら発光団の少なくとも１つの水素原子が、ハロゲン原子もしくは、炭化水素基に置換されていてもよく、該炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。その具体例としては、下記式（９）で表わされるルモゲンＦレッド、下記式（１０）で表わされるルモゲンＹ０８３、下記式（１１）で表わされるＫＦＬ－７、下記式（１２）で表わされるローダミン６ｇ等が挙げられる。上記の発光団を有する波長変換材料は、ｐＨに依存せず発光するため、光酸発生剤を有する感光性樹脂と組み合わせても、変色することなく、本来の発光特性が得られる。つまり、蛍光体の種類に制限がなく、所望の波長（色）に変換が可能なため、色再現性の高い発光デバイスを実現することができる。

（式中、ｎは、０～１０を表わす。また、式中、Ｒは、水素原子または炭化水素基を表わす。炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。）

（式中、Ｒは、水素原子または炭化水素基を表わす。炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。）

　また、ｐＨに依存しないで発光する蛍光体のその他の形態としては、蛍光体が酸に不活性な物質で覆われているものが挙げられる。酸に不活性な物質としては二酸化ケイ素や酸化アルミニウムのような無機酸化物や、ポリスチレン、ポリ乳酸、デキストラン等の高分子材料やシクロデキストリンやカリックスアレン等の包摂化合物が挙げられる。蛍光体が、これらの酸に不活性な物質からなる微粒子中に分散されている、もしくは内包されていることにより、外場のｐＨに依存しないで発光を発現させることができる。そのため、蛍光体の種類に制限がなく、所望の波長（色）に変換が可能なため、色再現性の高い発光デバイスを実現することができる。具体的には、粒径１０ｎｍ～１．５μｍの二酸化ケイ素からなる微粒子にクマリン６、フルオレンまたはローダミン等の蛍光体が分散されているものが挙げられる。

　酸性下で発光する蛍光体は、プロトン受容基を有し、かつ、プロトンを受容することにより、前述の発光基から射出された光を吸収し、異なる波長域の光を発光し、波長変換する物質である。このような物質としては、π共役直接作用型の物質、π共役周辺作用型の物質、光誘起電子移動（Ｐｈｏｔｏｉｎｄｕｃｅｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ、ＰｅＴ）型の物質等が挙げられる。

　π共役直接作用型の物質としては、例えば、下記一般式（１）で表わされる骨格を有するＮ－アルキル無置換シアニン類が挙げられる。

　上記一般式（１）で表わされる骨格を有するＮ－アルキル無置換シアニン類は、「Ｒ－Ｎ＝Ｃ」の３級アミノ基（イミノ基）をプロトン受容基として有する。下記一般式（１３）で表わされるように、プロトン受容基であるＮにプロトン（Ｈ^＋）が結合することにより、π共役系が変化して、Ｎ－アルキル無置換シアニン類はシアニンとなり、発光する。
すなわち、Ｎ－アルキル無置換シアニン類は、酸性下でシアニンとなり、発光する。

　上記一般式（１）で表わされる骨格を有するＮ－アルキル無置換シアニン類としては、例えば、下記一般式（１４）で表わされるＮ－アルキル無置換シアニン類が挙げられる。

（式中、Ｒは、水素原子またはアルキル基を表わす。Ｘは、１－メチルエチリデン基（Ｃ（ＣＨ_３）_２）または硫黄原子を表わす。ｎ＝１または２を表わす。

　上記一般式（１４）で表わされるＮ－アルキル無置換シアニン類は、Ｒと結合していない窒素原子（３級アミノ基）をプロトン受容基として有する。下記一般式（１５）で表わされるように、プロトン受容基である窒素原子にプロトン（Ｈ^＋）が結合することにより、π共役系が変化して、Ｎ－アルキル無置換シアニン類はシアニンとなり、発光する。すなわち、Ｎ－アルキル無置換シアニン類は、酸性下でシアニンとなり、発光する。

　上記一般式（１４）で表わされるＮ－アルキル無置換シアニン類としては、具体的に、下記一般式（１６）で表わされる物質が挙げられる。下記一般式（１６）表わされる物質としては、具体的に、Ｒ＝（ＣＨ_２）_５ＣＯＯＨ、Ｘ＝Ｃ（ＣＨ_３）_２である物質、Ｒ＝（ＣＨ_２）_５ＣＯＯＨ、Ｘ＝ＣＨ_２である物質、Ｒ＝（ＣＨ_２）_４ＳＯ_３ ^－、Ｘ＝Ｃ（ＣＨ_３）_２である物質、Ｒ＝（ＣＨ_２）_４ＳＯ_３ ^－、Ｘ＝ＣＨ_２である物質が挙げられる。

　π共役周辺作用型の物質としては、例えば、下記一般式（２）で表わされる骨格を有するローダミンヒドラジド類が挙げられる。

　上記一般式（２）で表わされる骨格を有するローダミンヒドラジド類は、Ｘをプロトン受容基として有する。
　上記一般式（２）で表わされる骨格を有するローダミンヒドラジド類としては、例えば、下記一般式（１７）で表わされるローダミンヒドラジド類が挙げられる。

　上記一般式（１７）で表わされるローダミンヒドラジド類は、Ｒと結合しているアミド基をプロトン受容基として有する。下記一般式（１８）で表わされるように、プロトン受容基であるＮにプロトン（Ｈ^＋）が結合することにより開環し、π共役系が変化して、ローダミンヒドラジド類は発光する。すなわち、ローダミンヒドラジド類は、塩基性から中性下では、開環することなく、発光しないが、酸性下で開環して、発光する。

　上記一般式（１７）で表わされるローダミンヒドラジド類としては、具体的に、下記式（１９）で表わされる物質および下記式（２０）で表される物質が挙げられる。

　光誘起電子移動（ＰｅＴ）型の物質としては、例えば、発光団および非π共役結合のスペーサーと、そのスペーサーを介して発光団と結合するプロトン受容部と、を有する物質が挙げられる。このような物質は、下記一般式（２１）で表わされる。

　上記一般式（２１）において、Ｘは、プロトン受容基を表わし、Ｓｐは、スペーサーを表わし、Ｙは、発光団を表わす。

　プロトン受容基を表わすＸは、前記のプロトン受容基が該当する。

　スペーサーを表わすＳｐは、発光団とプロトン受容基とを非共役結合で連結するものであり、具体的には、（ＣＨ_２）_ｎ（ｎ＝０～４を表わす。）や、（ＣＨ_２）_ｎの少なくとも１つの炭素が酸素や硫黄に置換されたものや、発光団が有するπ共役平面の中で、少なくともスペーサーと連結された箇所のπ共役平面とは立体的に捩れている芳香環等の芳香族を表わす。

　発光団を表わすＹとしては、例えば、下記式（２２）で表わされるＢＯＤＩＰＹ骨格、下記式（２３）で表わされるシアニン骨格、下記式（２４）で表わされるベンゾオキサゾール、下記式（２５）で表わされるローダミン、下記式（２６）で表わされるカルバゾール等が挙げられる。

　上記一般式（１７）で表わされる光誘起電子移動（ＰｅＴ）型の物質では、上記式（２２）～（２６）で表わされる発光団の少なくとも１つの水素原子が、上記のスペーサーに置換されている。

　また、光誘起電子移動（ＰｅＴ）型の物質では、プロトン受容部のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、発光団のＨＯＭＯよりも低くなっている。これにより、光誘起電子移動（ＰｅＴ）型の物質に光を照射すると、発光する。

　波長変換部２２が、波長変換材料として、上記の酸性下で発光する蛍光体を含み、感光性樹脂が光硬化する場合には、波長変換部２２の形成と同時に、蛍光体を発光させることができる。さらに、波長変換部２２に、加熱または、前記感光性樹脂中の酸発生物質が酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により酸を発生する化学物質を含むことが好ましい。例えば、感光性樹脂が光可溶化する場合には、波長変換部２２の形成後に、異なる手段（加熱または、前記感光性樹脂中の酸発生物質が酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射）で酸を発生させ、蛍光体のプロトン受容基へのプロトン供与が可能となり、波長変換部２２の蛍光体が発光できる状態にすることができる。また、前述の光硬化の場合も含めて、波長変換部２２の形成時に、架橋・重合反応や分解反応、現像や洗浄等によるプロトンの中和・流出により消費されたプロトンを、加熱や異なる波長域の光照射により再度発生させることで、波長変換材料の発光機能低下を抑制できる。

　前記の加熱により酸を発生する化学物質としては、熱潜在型カチオン重合開始剤が挙げられる。熱潜在型カチオン重合開始剤としては、例えば、下記式（２７）で表わされる物質、下記式（２８）で表わされる物質等が挙げられる。ここで、加熱とは、例えば、９０℃～２５０℃で加熱することであり、好ましくは１２０℃～１８０℃で加熱することである。波長変換部２２の形成後に、プロトンを補充する観点から、波長変換部２２を形成する工程で用いられる温度以上に加熱することが好ましい。加熱により酸を発生する化学物質を用いた場合には、当該化学物質の骨格に可視光を吸収する部位を有する必要がないため、発光デバイス１００における波長変換機能を阻害する可能性が低いため好ましい。
　また、前記感光性樹脂中の酸発生物質が酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により酸を発生する化学物質としては、例えば、下記式（２９）で表わされる物質等が挙げられる。当該物質への光照射は、前記感光性樹脂中の酸発生物質が酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光であれば構わないが、具体的には、波長４００ｎｍ～７００ｎｍの可視光領域の光を照射することが好ましい。特に、発光部１１から放出される光の波長の一部を吸収し、酸が発生することが好ましい。この場合には、発光デバイス１００を駆動時に酸が供給されるため、発光特性の低下を防ぐことができる。

（式中、Ｒは、メチル基、ｎ－オクチル基、ｉ－プロピル基を表わす。）

　波長変換材部２２が、波長変換材料として、上記の酸性下で発光する蛍光体を含む場合、波長変換部２２は、プロトン供与基を有する一重項酸素失活剤を含むことが好ましい。
ここで、プロトン供与基としては、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、ヒドロキシ基（－ＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）、ホスホン酸基（－ＰＯ_３Ｈ_２）が挙げられる。これにより、蛍光体の発光特性が長寿命化する。詳しく説明すると、波長変換部２２中に一重項酸素が存在すると、光を吸収し励起状態になった蛍光体と反応し、発光特性が著しく低下することがある。このような場合に、一重項酸素失活剤が存在すると、一重項酸素は蛍光体との反応よりも早く、一重項酸素失活剤と反応するため、一重項酸素濃度を著しく低下させることが可能となる。これにより、発光特性の低下を防ぐことができる。一方で、プロトン供与基を有する一重項酸素失活剤は、プロトンが付与されている状態で、その機能が発揮される。上記のプロトン供与基の酸解離定数は、酸発生物質や、加熱または感光性樹脂中の酸発生物質が酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により酸を発生する化学物質の酸解離定数に比べて小さいため、波長変換部２２中において、一重項酸素失活剤のプロトン供与基はプロトンが付加された状態になる。そのため、酸性雰囲気下で一重項酸素との反応が迅速に進行し、一重項酸素を失活させることができる。また、以下に示すプロトン供与基を有する一重項酸素失活剤は、可視光領域で透明であるため、発光基板から放出される光や、波長変換された光を吸収することがないため、波長変換機能を阻害することがない。

　プロトン供与基を有する一重項酸素失活剤としては、例えば、下記一般式（３０）で表わされるフェノール系化合物、下記一般式（３１）で表わされるジブチルヒドロキシトルエン、下記一般式（３２）で表わされるトコフェロール等が挙げられる。

（式中、Ｒは、電子供与基を表わす。）

　酸性以外で発光する蛍光体としては、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基を有し、かつ、そのプロトン受容基からプロトンが脱離することにより、発光基板から放出される光を吸収して、異なる波長域の光を発光する物質と、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン供与基を有し、かつ、そのプロトン供与基からプロトンが脱離することにより、前記と同様に異なる波長域の光を発光する物質と、が挙げられる。なお、酸性以外とは、中性または塩基性のことである。

　プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基を有し、かつ、そのプロトン受容基において、プロトンが脱離することにより発光する物質としては、例えば、下記式（３３）で表わされるクマリン系材料（例えば、クマリン６）が挙げられる。また、プロトン供与基を有し、かつ、そのプロトン供与基からプロトンが脱離することにより発光する物質としては、例えば、下記式（３４）で表わされるフルオロセイン系材料等が挙げられる。

　上記式（３３）で表わされるクマリン系材料において、環を形成していない窒素原子（Ｎ）を有するアミノ基が、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基であり、酸性下においては、該アミノ酸がプロトンを受容することで、発光団のクマリン骨格のπ共役系が変化するため、変色や消光が起こる。つまり、波長変換部２２中に塩基が存在した場合には、受容したプロトンが可逆的に脱離し、本来のクマリン構造になるため、光を吸収して発光させることができる。
　上記式（３４）で表わされるフルオロセイン系材料において、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）が、プロトン供与基である。上記式（３４）で表わされるフルオロセイン系材料は、下記式（３５）に示すように、カルボキシル基からプロトン（Ｈ^＋）が脱離することにより、発光する。

　波長変換部２２が、波長変換材料として、上記の酸性以外で発光する蛍光体を含む場合、波長変換部２２は、加熱または酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により、塩基を発生する化学物質を含むことが好ましい。これにより、波長変換部２２を中性または塩基性にすることが可能となり、蛍光体を発光させることができる。
　これまで、酸発生物質を含む感光性樹脂から形成される波長変換部２２では、波長変換部２２が酸性のため、上記に示す酸以外で発光する蛍光体を使用することができなかった。しかし、感光性樹脂を用いて波長変換部２２を形成した後に、加熱または、感光性樹脂中に含まれる酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光を照射することで、塩基を発生させ、中和することができる。これにより、使用可能な蛍光体の種類が増え、所望の色に発光する蛍光体を選択できるため、色再現性の良い発光デバイスが得られる。

　加熱または酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により、塩基を発生する化学物質のうち、加熱により塩基を発生する化学物質としては、熱アミン発生剤が挙げられる。例えば、下記式（３６）で表わされるアミノ基が９－フルオレニルメチルオキシカルボニル基により保護された化合物や、下記式（３７）で表わされるジシラザン系化合物等が挙げられる。ここで、加熱とは、例えば、９０℃～２５０℃に加熱するであり、好ましくは１２０℃～１８０℃に加熱することである。波長変換部２２の形成後に、プロトンを中和する塩基を発生させる観点から、波長変換部２２を形成する工程で用いられる温度以上に加熱することが好ましい。加熱により塩基を発生する化学物質を用いた場合には、当該化学物質の骨格に可視光を吸収する部位を有する必要がないため、発光デバイスにおける波長変換機能を阻害する可能性が低いため好ましい。
　加熱または酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により、酸または塩基を発生する化学物質のうち、酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により塩基を発生する化学物質としては、例えば、下記式（３８）で表わされる金属錯体骨格の塩基性発生剤等が挙げられる。ここで、当該物質への光照射は、前記感光性樹脂中の酸発生物質が酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光であれば構わないが、具体的には、波長４００ｎｍ～７００ｎｍの可視光領域の光を照射することが好ましい。特に、発光部１１から放出される光の波長の一部を吸収し、塩基が発生することが好ましい。この場合には、発光デバイス１００を駆動時に塩基が供給されるため、発光特性の低下を防ぐことができる。

　波長変換部２２が、波長変換材料として、上記の酸性以外で発光する蛍光体を含む場合、波長変換部２２は、プロトン受容基を有する一重項酸素失活剤を含むことが好ましい。
これにより、蛍光体の発光特性を長寿命化させることができる。詳しく説明すると、以下に示すプロトン受容基を有する一重項酸素失活剤は、プロトンが脱離した状態で、一重項酸素を失活させる機能が発揮される。そのため、加熱または酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により塩基を発生させる化学物質により、波長変換部２２が中性もしくは塩基性になることで、一重項酸素を失活させることができる。また、以下に示すプロトン受容基を有する一重項酸素失活剤は、可視光領域で透明であるため、発光基板から放出される光や、波長変換された光を吸収することがないため、波長変換機能が阻害されない。

　プロトン受容基を有する一重項酸素失活剤としては、例えば、下記一般式（３９）で表わされるアミン、下記式（４０）で表わされる１，４－ジアゾビシクロ［２．２．２］オクタン、下記式（４１）で表わされるニコチン、下記式（４２）で表わされるトリエチルアミン等が挙げられる。

　本実施形態の発光デバイス１００では、青色画素部３３に青色波長変換部を設けない場合、発光基板１０の発光部１１から出射された光を散乱させて視野角を改善する目的で、青色光（励起光）を波長変換することなく拡散する励起光散乱部２３が設けられてもいてもよい。また、青色画素部３３に限らず、別の色の画素部においても同様に、視野角を改善する目的や、青色光の光路長を伸ばす目的で、励起光散乱部が設けられてもいてもよい。

　励起光散乱部２３に要求される特性としては、励起光を広視野角に拡散させて外部に出射させることができる高い光散乱性と、高い光の取出し効率を実現できるような励起光の波長域の光に対する高い光透過性とが挙げられる。

　励起光散乱部２３を構成する材料としては、上記の特性を満たすものであれば特に制限されないが、例えば、透明バインダー樹脂と、透明バインダー樹脂に分散された透明光散乱粒子と、を含むものが用いられる。

　透明バインダー樹脂としては、例えば、アクリレート系、メタクリレート系の反応性ビニル基を有する光硬化型樹脂または熱硬化型樹脂が用いられる。
　光硬化型樹脂または熱硬化型樹脂としては、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリ塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。

　透明光散乱粒子としては、無機材料から構成されるもの、有機材料から構成されるもの、または、無機材料と有機材料を組み合わせた材料から構成されるものが用いられる。

　透明光散乱粒子が無機材料から構成されるものである場合、その無機材料としては、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。無機材料から構成される透明光散乱粒子としては、具体的には、シリカビーズ、アルミナビーズ、酸化チタンビーズ、酸化ジルコニアビーズ、酸化亜鉛ビーズ、チタン酸バリウム等が挙げられる。

　透明光散乱粒子が有機材料から構成されるものである場合、その有機材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ、アクリルビーズ、アクリル－スチレン共重合体ビーズ、メラミンビーズ、高屈折率メラミンビーズ、ポリカーボネートビーズ、スチレンビーズ、架橋ポリスチレンビーズ、ポリ塩化ビニルビーズ、ベンゾグアナミン－メラミンホルムアルデヒドビーズ、シリコーンビーズ等を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。

　透明光散乱粒子が無機材料と有機材料を組み合わせた材料から構成されるものである場合、上記の無機材料と有機材料が適宜組み合わされて用いられる。

　励起光散乱部２３によって励起光が効果的に拡散するためには、低屈折率の透明バインダー樹脂中に、透明バインダー樹脂よりも高屈折率の透明光散乱粒子を分散することが好ましい。また、光散乱強度は、一般的に透明光散乱粒子の粒径が波長の１／２程度のときに最も大きくなるため、透明光散乱粒子の粒径は、数百ｎｍオーダーであることが好ましい。また、透明光散乱粒子としては、複数種の粒子を用いてもよい。例えば、第１の透明光散乱粒子と、第１の透明光散乱粒子よりも粒径が小さく、屈折率が大きい第２の透明光散乱粒子とを組み合わせて用いることにより、より効果的に、高い光散乱を実現することができる。

　励起光散乱部２３における透明光散乱粒子の含有量は、特に限定されず、目的とする視野角等に応じて適宜調整される。

　励起光散乱部２３の膜厚は、１μｍ～１５μｍであることが好ましい。励起光散乱部２３の膜厚が１μｍ未満では、励起光散乱部２３において充分な散乱特性が得られず、結果として、広視野角特性を実現することができない。一方、励起光散乱部２３の膜厚が１５μｍを超えると、励起光散乱部２３において充分な透過特性が得られない。また、材料を無駄に消費するため、材料コストが増加する。このように、励起光散乱部２３の膜厚は、充分な散乱特性と透過特性を保持できる範囲であることが好ましい。

　励起光散乱部２３の形成方法としては、特に限定されず、公知の方法が用いられる。励起光散乱部２３の形成方法としては、例えば、溶媒に透明バインダー樹脂および透明光散乱粒子を溶解または分散させてなる励起光散乱部形成用組成物を用いたフォトリソグラフィー法や各種印刷法等が挙げられる。

「発光基板と波長変換基板の貼り合わせ」
　発光基板１０と波長変換基板２０を接着して、それぞれの基板を構成する材料を外部の水分や酸素から保護するために、発光基板１０と波長変換基板２０からなる積層体を封止する必要がある。これにより、本実施形態の発光デバイス１００が得られる。

　発光基板１０と波長変換基板２０を接着および封止する方法は、発光基板１０と波長変換基板２０の間隔が一定に保たれ、機械的に十分な強度を有し、水分や酸素が外部から内部へ侵入しないような方法であれば、どのような方法であってもよい。このような方法としては、例えば、波長変換基板２０を構成する基材２４の一方の面２４ａの外縁部に、外周封止剤として既存の光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂を塗布し、発光基板１０と波長変換基板２０を貼り合せて、接着する方法が挙げられる。

　外周封止剤の材料としては、低透湿性で、接着力が高く、硬化時にガスが発生しない材料が好ましい。このような材料としては、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の公知の光硬化性樹脂または熱硬化性樹脂が用いられる。
　また、発光基板１０と波長変換基板２０の間隔を一定に保持するためには、外周封止剤がガラスビーズやシリカビーズ等のスペーサーを含有していることが好ましい。

　また、発光基板１０と波長変換基板２０を貼り合せることによって、発光基板１０と波長変換基板２０の間に形成される空間（内部空間）には、発光デバイス１００の消費電力を低減する目的や、発光デバイス１００の寿命を延ばす目的から、充填剤が充填されていてもよい。

　充填剤としては、発光基板１０と波長変換基板２０の間に形成される空間にて、充填剤と、発光基板１０または波長変換基板２０との界面（充填剤と、発光基板１０または波長変換基板２０とが接する面）において、発光基板１０の発光部１１からの発光が反射することを抑制し、波長変換部２２への光の入射効率を向上する観点から、充填剤が接する種々の部材と屈折率が近く、また、可視光に対して充分な透明性を有する材料が好ましい。
このような材料としては、例えば、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等の無機材料、アクリル樹脂、シリコンゲル等の有機材料等が用いられる。また、これらの無機材料や有機材料の他に、充填剤としては、マッチングオイル等の屈折率が制御された液体を用いてもよい。また、発光デバイス１００の寿命を延ばす目的から、充填剤としては、窒素ガスやアルゴンガスのような発光基板１０と波長変換基板２０のそれぞれを構成する部材に対して不活性な気体を用いることもできる。

　外周封止剤や充填剤を設置するには、まず、発光基板１０および波長変換基板２０の表面に吸着している水分等を除去するために、加熱処理を行うことが好ましい。
　次いで、ディスペンサー等の任意の塗布手段を用いて、発光基板１０を構成する基材１２の一方の面１２ａの外縁部または波長変換基板２０を構成する基材２４の一方の面２４ａの外縁部に、外周封止剤や充填剤を塗布する。
　次いで、外周封止剤に露光処理や熱処理を施すことにより、外周封止材を硬化する。なお、外周封止材として、光硬化性樹脂を用いる場合、発光基板１０および波長変換基板２０の画素領域を遮光して、外周封止剤に露光処理を施すことが好ましい。

　また、外周封止剤を硬化した後、発光基板１０と波長変換基板２０の間に形成される空間に充填剤を封入してもよい。この場合、外周封止剤の一部に設けられた注入口を通して、発光基板１０と波長変換基板２０の間に形成される空間に充填剤を充填する。
　本実施形態の発光デバイス１００は、波長変換部２２のパターン形成時に、酸発生物質より酸を生じる。しかし、本実施形態における波長変換部２２によれば、耐酸性の波長変換材料を使用することや、加熱または波長変換部２２のパターン形成時に使用する波長域とは異なる波長域の光照射により塩基を発生させることで、波長変換材料の発光量子収率の低下を防止することが可能となる。また、これまで使用することのできなかった、酸により変色や発光量子収率が低下する材料を使用することができるため、様々な種類の波長変換材料を使用することが可能となる。その結果、所望の色（波長）の光を吸収し、所望の色（波長）に変換できるため、色再現性が高い発光デバイスを実現することができる。
　さらに、本実施形態の発光デバイス１００によれば、サブ画素が光反射性または光散乱性を有する構造体により区画されているため、波長変換部２２で変換された光が効率的に観察者側へ射出されるため、低消費電力化が可能となる。

（２）第２実施形態
［発光デバイス］
　図３は、本発明の第２実施形態である発光デバイスの概略構成を示す断面図である。図３において、図１Ａおよび図１Ｂに示した第１実施形態の発光デバイスと同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
　図３に示すように、本実施形態の発光デバイス２００は、発光部１１を備える発光基板１０と、光反射性または光散乱性を有する構造体（隔壁）２１、および、構造体（隔壁）２１に区画された領域内に配された波長変換部２２を備える波長変換基板２０と、を備える。
　本実施形態の発光デバイス２００では、波長変換部２２は、図３に示すように、例えば、赤色波長変換部２２Ｒと緑色波長変換部２２Ｇからなる。
　本実施形態の発光デバイス２００は、図３に示すように、例えば、隔壁２１に区画された領域内に配された励起光散乱部２３を備える。
　本実施形態の発光デバイス２００では、青色光を励起光とし、赤色波長変換部２２Ｒにて、青色光を赤色光に変換し、緑色波長変換部２２Ｇにて、青色光を緑色光に変換し、励起光散乱部２３にて、青色光を波長変換することなく利用する。これにより、発光デバイス２００は、ＲＧＢ画素としてフルカラー表示を行う。

　本実施形態の発光デバイス２００では、図３に示すように、発光部１１を備える発光基板１０が、波長変換基板２０における波長変換部２２と励起光散乱部２３が設けられている側とは反対側に配置されている。詳細には、発光基板１０は、その発光部１１が、波長変換基板２０を構成する基板２４における波長変換部２２と励起光散乱部２３が設けられている面（一方の面）２４ａとは反対側の面（以下、「他方の面」と言う。）２４ｂに対向するように配置されている。

　本実施形態の発光デバイス２００では、波長変換部２２にて波長変換された光のうち不要な波長域の光を減光する目的で、赤色カラーフィルタ２５Ｒおよび緑色カラーフィルタ２５Ｇは、波長変換部２２の上部（基板２４の一方の面２４ａを基準として波長変換部２２の上側）に配置されていることが好ましい。また、本実施形態の発光デバイス２００では、励起光散乱部２３にて拡散された光のうち不要な波長域の光を減光する目的で、青色カラーフィルタ２５Ｂは、励起光散乱部２３の上部（基板２４の一方の面２４ａを基準として励起光散乱部２３の上側）に配置されていることが好ましい。
　すなわち、図３に示すように、波長変換部２２と、赤色カラーフィルタ２５Ｒおよび緑色カラーフィルタ２５Ｇとが、基板２４の一方の面２４ａ上に、この順に設けられていることが好ましい。また、図３に示すように、励起光散乱部２３と、青色カラーフィルタ２５Ｂとが、基板２４の一方の面２４ａ上に、この順に設けられていることが好ましい。

　本実施形態の発光デバイス２００では、発光デバイス２００を表示装置へ適用した場合に視認性を向上する目的や、隣り合う画素へ進入しようとする励起光を遮光する目的で、図３に示すように、隔壁２１の上底２１ａ側および下底２１ｂ側の少なくともいずれか一方に、ブラックマトリックス２６が設けられていることが好ましい。

　本実施形態の発光デバイス２００では、図３に示すように、発光基板１０の発光部１１からの出射された光Ｌ^１が、波長変換基板２０の基板２４等を介して、波長変換部２２および励起光散乱部２３に入射する点以外は、第１実施形態の発光デバイス１００と同様に、波長変換機能が発現する。

　本実施形態の発光デバイス２００では、隔壁２１の断面（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス２００の厚さ方向の断面）方向に沿って、隣り合う２つの隔壁２１間の間隔が広くなっている。すなわち、隔壁２１の断面方向に沿って、隣り合う２つの隔壁２１によって囲まれた領域の幅が広くなっている。図３に示すように、隔壁２１は、基板２４の一方の面２４ａ側の面を下底２１ｂ、下底２１ｂとは反対側の面を上底２１ａとしたとき、上底２１ａに比べ下底２１ｂが長い形状の構造体である。隔壁２１が、このような形状であれば、真空蒸着やスパッタリング等、基板に対して垂直方向から物質が飛来する、既存の成膜手法を用いて、隔壁２１の側面２１ｃに、光反射性の高い材料からなる膜を容易に形成することができる。また、隔壁２１が、上記のような形状であれば、波長変換部２２で波長変換された光の中で、基板２４の一方の面２４ａに対して水平方向の光が、隔壁２１により光取出し側（観察者側）へ効率的に出射されるため、波長変換部２２における光取出し効率が向上し、発光デバイス２００の消費電力を低減することができる。

（３）第３実施形態
［発光デバイス］
　図４は、本発明の第３実施形態である発光デバイスの概略構成を示す断面図である。図４において、図１Ａおよび図１Ｂに示した第１実施形態の発光デバイスと同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
　図４に示すように、本実施形態の発光デバイス３００は、基板２４と、発光部１１と、光反射性または光散乱性を有する構造体（隔壁）２１と、構造体（隔壁）２１に区画された領域内に配された波長変換部２２と、を備える。
　本実施形態の発光デバイス３００では、基板２４の一方の面２４ａ上に、発光部１１、隔壁２１および波長変換部２２が設けられている。
　本実施形態の発光デバイス３００では、波長変換部２２は、図４に示すように、例えば、赤色波長変換部２２Ｒと緑色波長変換部２２Ｇからなる。
　本実施形態の発光デバイス３００は、図４に示すように、例えば、隔壁２１に区画された領域内に配された励起光散乱部２３を備える。
　本実施形態の発光デバイス３００では、青色光を励起光とし、赤色波長変換部２２Ｒにて、青色光を赤色光に変換し、緑色波長変換部２２Ｇにて、青色光を緑色光に変換し、励起光散乱部２３にて、青色光を波長変換することなく利用する。これにより、発光デバイス３００は、ＲＧＢ画素としてフルカラー表示を行う。

　本実施形態の発光デバイス３００では、図４に示すように、隔壁２１は、基板２４の一方の面２４ａに直接、立設されている。さらに、発光部１１は、基板２４の一方の面２４ａにおいて、隔壁２１に区画された領域内に配されている。

　本実施形態の発光デバイス３００では、図４に示すように、波長変換部２２は、隔壁２１に区画された領域内に配され、かつ、封止層３０１を介し、隔壁２１の断面（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス３００の厚さ方向の断面）方向に沿って、発光部１１上に配置されている。

　封止層３０１は、必須の構成ではない。発光部１１から出射される光を波長変換部２２へ効率的に入射するためや、発光部１１と波長変換部２２との間の物質の移動を防ぐためには、封止層３０１が設けられていることが好ましい。
　封止層３０１を形成する材料としては、上述の発光基板１０と波長変換基板２０の間に形成される空間に充填される充填剤が用いられる。
　封止層３０１の形成方法としては、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等の方法、スピンコート法、インクジェット法等の印刷法が用いられる。

　本実施形態の発光デバイス３００では、波長変換部２２にて波長変換された光のうち不要な波長域の光を減光する目的で、赤色カラーフィルタ２５Ｒおよび緑色カラーフィルタ２５Ｇは、波長変換部２２の上部（基板２４の一方の面２４ａを基準として波長変換部２２の上側）に配置されていることが好ましい。また、本実施形態の発光デバイス３００では、励起光散乱部２３にて拡散された光のうち不要な波長域の光を減光する目的で、青色カラーフィルタ２５Ｂは、励起光散乱部２３の上部（基板２４の一方の面２４ａを基準として励起光散乱部２３の上側）に配置されていることが好ましい。
　すなわち、図４に示すように、発光部１１と、波長変換部２２と、赤色カラーフィルタ２５Ｒおよび緑色カラーフィルタ２５Ｇとが、基板２４の一方の面２４ａ上に、この順に設けられていることが好ましい。また、図４に示すように、発光部１１と、励起光散乱部２３と、青色カラーフィルタ２５Ｂとが、基板２４の一方の面２４ａ上に、この順に設けられていることが好ましい。

　本実施形態の発光デバイス３００では、発光デバイス３００を表示装置へ適用した場合に視認性を向上する目的で、図４に示すように、隔壁２１の上底２１ａ側に、ブラックマトリックス２６が設けられていることが好ましい。

　本実施形態の発光デバイス３００では、図４に示すように、発光部１１と波長変換部２２との距離が短く、また、発光部１１と波長変換部２２が、隔壁２１に区画された同一の領域内に配されているため、発光部１１から出射された光が波長変換部２２へ効率的に入射される。その結果、波長変換部２２における光取出し効率が向上し、発光デバイス３００の消費電力を低減することができる。
　また、本実施形態の発光デバイス３００では、発光部１１と波長変換部２２が、共通の基板２４の一方の面２４ａ上に一体に形成されているため、発光デバイス３００の軽量化および薄型化が可能となる。
　さらに、本実施形態の発光デバイス３００では、第１実施形態および第２実施形態のように、発光基板と波長変換基板を有する構造に比べて、製造時に、２つの基板を貼り合わせる工程が不要であるため、位置合わせによる不良等の工程不良を回避することができ、製造時の歩留まりが高い。

　なお、波長変換部２２が酸性もしくは塩基性である場合、隔壁２１の表面に形成された光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜が腐食し、光反射性または光散乱性が低下することがあるため、以下のような構造を採用することが好ましい。
　例えば、図５に示すように、隔壁２１の表面に形成された光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜５１を覆うように、保護膜５２が設けられていることが好ましい。
これにより、隔壁２１の表面に形成された薄膜５１と波長変換部２２が直接接することがないため、波長変換部２２に含まれる酸により、薄膜５１が腐食することを防止できる。

　保護膜５２を構成する材料としては、可視光領域で透明な材料であり、かつ、耐酸性があれば特に制限されないが、例えば、二酸化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料、ポリスチレン、ポリメタクリレート等の有機材料が用いられる。これらの中でも、光の照射により硬化する感光性樹脂（ネガ型レジスト材料）が好ましい。感光性樹脂は、薄膜５１のパターニング用のフォトレジストを兼ねることができる。
　保護膜５２は、長鎖アルキルホスホン酸単分子膜であってもよい。
　また、保護膜５２の屈折率は、波長変換部２２の屈折率と近いことが好ましい。
　保護膜５２の膜厚は、波長変換部２２から薄膜５１への酸の侵入を防ぐことができれば任意に選択することができるが、具体的には、１ｎｍ～１μｍであることが好ましい。

　また、図６に示すように、隔壁２１と波長変換部２２が、直接接することなく、離隔し、隔壁２１と波長変換部２２の間に間隙５３が設けられていることが好ましい。このような間隙５３は、波長変換部２２を形成する際に、フォトマスクの設計や、露光量、現像時間の調整により、隔壁２１に区画された領域よりも小さい寸法で形成することにより得られる。これにより、隔壁２１の表面に形成された薄膜５１と波長変換部２２が直接接することがないため、波長変換部２２に含まれる酸により、薄膜５１が腐食することを防止できる。また、保護膜５２を形成する等のプロセスを省略することができる。
　間隙５３の大きさは、波長変換部２２から薄膜５１への酸の侵入を防ぐことができれば任意に選択することができるが、１ｎｍ～１μｍであることが好ましい。

　また、図７に示すように、隔壁２１に、その膜厚方向（基板２４の一方の面２４ａを基準とし、発光デバイス１００の厚さ方向の高さ方向）に沿ってＶ字状の溝２１ｄを設け、その溝２１ｄ内に、上記の光反射性または光散乱性を有する材料を充填して、上記の光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜５１と同等の機能を有する、光反射性または光散乱性を有する充填層５４を設けることが好ましい。これにより、隔壁２１に形成された充填層５４と波長変換部２２が直接接することがないため、波長変換部２２に含まれる酸により、充填層５４が腐食することを防止できる。

（４）第４実施形態
［表示装置］
　図８は、本発明の第４実施形態である有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」と略す。）の概略構成を示す断面図である。図８において、図１Ａおよび図１Ｂに示した第１実施形態の発光デバイスと同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
　図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置４００は、有機ＥＬ素子基板５００と、図１Ａおよび図１Ｂに示した波長変換基板２０とが貼り合わされてなる。ただし、図８では、波長変換基板２０における波長（色）変換の様子を分かり易く説明するために、有機ＥＬ素子基板５００と波長変換基板２０を離隔して示している。

　有機ＥＬ素子基板５００は、基板５０１と、薄膜トランジスタ５０２と、層間絶縁膜５０３と、陽極（画素電極）５０５と、有機ＥＬ層５０６と、陰極５０７とを有する有機ＥＬ素子を備えている。

　基板５０１の一方の面５０１ａに、薄膜トランジスタ５０２が設けられ、薄膜トランジスタ５０２上に層間絶縁層５０３が設けられている。薄膜トランジスタ５０２は、ドレイン電極５０２ａ、ソース電極５０２ｂ、半導体層５０２ｃ、ゲート電極５０２ｄおよびゲート絶縁層５０２ｅを備えている。
　層間絶縁層５０３には、ドレイン電極５０２ａ上の部位にコンタクトホール５０４が設けられている。また、層間絶縁層５０３上に設けられた陽極５０５が、コンタクトホール５０４を介して、ドレイン電極５０２ａと電気的に接続されている。なお、ここでは、紙面の都合上、サブピクセル毎に１個の薄膜トランジスタ５０２を図示しているが、有機ＥＬ層５０６を安定的および効率的に駆動するためには、サブピクセル毎に複数個の薄膜トランジスタ５０２を備えていてもよい。

　陽極５０５上には、有機ＥＬ層５０６が設けられ、有機ＥＬ層５０６上に陰極５０７が設けられている。
　なお、図８では、サブ画素毎に１個の薄膜トランジスタ５０２を設けた場合を示しているが、有機ＥＬ層５０６を安定的かつ効率的に駆動するためには、サブ画素毎に複数個の薄膜トランジスタ５０２を設けることが好ましい。

　基板５０１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板が用いられる。
　基板５０１の厚さは、１００μｍ～１０００μｍであることが好ましい。

　半導体層５０２ｃとしては、例えば、アモルファスシリコン；多結晶シリコン；ペンタセン、ポリチオフェン、フラーレンＣ６０等の有機半導体；インジウム－ガリウム－亜鉛酸化物等の無機酸化物からなるものが挙げられる。
　半導体層５０２ｃの厚さは、２０ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましい。

　ソース電極５０２ａ、ドレイン電極５０２ｂとしては、例えば、半導体層５０２ｃにリン等の不純物元素をドーピングしたもの；金、銀、銅またはアルミニウム等の金属からなるものが挙げられる。
　ソース電極５０２ａ、ドレイン電極５０２の厚さは、１０ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましい。

　ゲート電極５０２ｄとしては、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、タンタル、ドープシリコン等の金属；３，４－ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＳＳ）等の有機化合物からなるものが挙げられる。
　ゲート電極５０２ｄの厚さは、２０ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましい。

　ゲート絶縁層５０２ｅとしては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機化合物；シクロテン、サイトップ、パリレン等の有機化合物からなるものが挙げられる。
　ゲート絶縁層５０２ｅの厚さは、５０ｎｍ～３００ｎｍであることが好ましい。

　層間絶縁層５０３としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機化合物；シクロテン、サイトップ、パリレン等の有機化合物からなるものが挙げられる。
　層間絶縁層５０３の厚さは、１００ｎｍ～２０００ｎｍであることが好ましい。

　陽極５０５としては、例えば、銀やアルミニウム等からなる反射電極と、酸化インジウム－酸化亜鉛（ＩＺＯ）等からなる透明電極とが積層されたものが挙げられる。反射電極は、透明電極よりも基板５０１の一方の面５０１ａ側に設けられる。
　反射電極の厚さは、１０ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましい。透明電極の厚さは、１０ｎｍ～１００ｎｍであることが好ましい。

　有機ＥＬ層５０６としては、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、ホールブロック層、電子輸送層、電子注入層等が積層されてなるものが挙げられる。有機ＥＬ層５０６を構成する各層は、必要に応じて、適宜選択される。
　有機ＥＬ層５０６を構成する各層の厚さは、０．５ｎｍ～２００ｎｍであることが好ましい。

　陰極５０７としては、例えば、マグネシウム銀、アルミニウムリチウム等の合金；銀、アルミニウム等の単体金属からなるものが挙げられる。陰極５０７は、単層構造であってもよく、異なる組成の層が複数積層された複層構造であってもよい。
　陰極５０７の厚さは、１０ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましい。

　有機ＥＬ表示装置４００では、有機ＥＬ素子基板５００から出射された励起光（青色光）Ｌ^１が波長変換基板２０に入射し、この励起光Ｌ^１が、赤色波長変換部２２Ｒによって赤色光Ｌ^１１に変換される。同様に、励起光Ｌ^１は、緑色波長変換部２２Ｇによって緑色光Ｌ^１２に変換される。赤色光Ｌ^１１および緑色光Ｌ^１２は、励起光散乱部２３を透過した青色光Ｌ^１３と共に、波長変換基板２０の基板２４側から出射される。

　有機ＥＬ表示装置４００は、波長変換基板２０を用いる点以外は、従来の有機ＥＬ表示装置と同様の方法で製造できる。
　すなわち、有機ＥＬ素子基板５００の陰極５０７と、波長変換基板２０の波長変換部２２および励起光散乱部２３とが対向するように、有機ＥＬ素子基板５００と波長変換基板２０を配置して、第１実施形態と同様の方法により、有機ＥＬ素子基板５００と波長変換基板２０を貼り合わせて固定する。
　以上により、有機ＥＬ表示装置４００が得られる。

　本実施形態の有機ＥＬ表示装置４００によれば、上述した第１実施形態における波長変換基板を備えているため、色再現性が高く、高品質な表示が可能となり、また、低消費電力化が実現できる。

（５）第５実施形態
［電子機器］
　本発明の一態様に係る電子機器は、上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えたものである。
　図９は、本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、テレビ受信装置である。
　ここに示すテレビ受信装置２１００は、表示部２１０１、スピーカ２１０２、キャビネット２１０３およびスタンド２１０４等を備え、さらに、表示部２１０１に上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えて構成されている。

　テレビ受信装置２１００は、上述の有機ＥＬ表示装置を備えていることで、波長変換部の内部量子収率が高いため、消費電力が低い。また、テレビ受信装置２１００は、使用時の波長変換材料の劣化が極めて小さいため、信頼性がさらに高くなる。
　特に、有機ＥＬ表示装置が、対角線寸法で６０インチ、画素数：横７６８０×縦４３２０の超高精細表示装置である場合には、テレビ受信装置２１００は、従来の液晶テレビや有機ＥＬテレビに比べて、色再現性が高く、高品質な画質で、消費電力の低下が見込める。

　図１０は、本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、携帯型ゲーム機である。
　ここに示す携帯型ゲーム機２２００は、操作ボタン２２０１、赤外線ポート２２０２、ＬＥＤランプ２２０３、表示部２２０４および筐体２２０５等を備え、さらに、表示部２２０４に上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えて構成されている。
　携帯型ゲーム機２２００は、上述の有機ＥＬ表示装置を備えていることで、色再現性が高く、高品質な画質で、消費電力が低い。

　図１１は、本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、ノートパソコンである。
　ここに示すノートパソコン２３００は、表示部２３０１、キーボード２３０２、ポインティングデバイス２３０３、電源スイッチ２３０４、カメラ２３０５、外部接続ポート２３０６および筐体２３０７等を備え、さらに表示部２３０１に上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えて構成されている。
　ノートパソコン２３００は、上述の有機ＥＬ表示装置を備えていることで、色再現性が高く、高品質な表示が可能で、消費電力が低い。

　図１２は、本発明に係る第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。
ここに示す電子機器は、スマートフォン（タブレット端末）である。
　ここに示すスマートフォン２４００は、音声入力部２４０１、音声出力部２４２、操作スイッチ２４０３、表示部２４０４、タッチパネル２４０５および筐体２４０６等を備え、さらに表示部２４０４に上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えて構成されている。
　スマートフォン２４００は、上述の有機ＥＬ表示装置を備えていることで、色再現性が高く、高品質な表示が可能で、消費電力が低い。

　図１３は、本発明に係る第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。
ここに示す電子機器は、腕時計型表示装置（ウエアラブルコンピュータ）である。
　ここに示す腕時計型表示装置２５００は、電源スイッチ２５０１、表示部２５０２および固定バンド２５０３等を備え、さらに表示部２５０２に上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えて構成されている。
　腕時計型表示装置２５００は、上述の有機ＥＬ表示装置を備えていることで、色再現性が高く、高品質な表示が可能である。また、消費電力が低いため、長時間の着用が可能となる。
　さらに、腕時計型表示装置２５００によれば、高精細化が可能であるため、物体と眼との距離を近付けた使用においても、鮮明で高画質な像を提供することができる。

　図１４は、本発明に係る第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。
ここに示す電子機器は、ヘッドマウント表示装置（ウエアラブルコンピュータ）である。
　ここに示すヘッドマウント表示装置２６００は、電源スイッチ２６０１、表示部２６０２、固定バンド２６０３およびフレーム２６０４等を備え、さらに表示部２６０２に上述の本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を備えて構成されている。
　ヘッドマウント表示装置２６００は、上述の有機ＥＬ表示装置を備えていることで、色再現性が高く、高品質な表示が可能で、消費電力が低い。
　また、ヘッドマウント表示装置２６００によれば、高精細化が可能であるため、物体と眼との距離を近付けた使用においても、鮮明で高画質な像を提供することができる。

（６）第６実施形態
［照明装置］
　本発明の一態様に係る照明装置は、上述の本発明の一態様に係る発光デバイスを備えたものである。
　図１５は、本発明の第６実施形態である照明装置を示す概略斜視図である。ここに示す照明装置は、照明スタンドである。
　ここに示す照明スタンド２７００は、照明部２７０１、スタンド２７０２、電源スイッチ２７０３および電源コード２７０４等を備え、さらに照明部２７０１に上述の本発明の一態様に係る発光デバイスを備えて構成されている。
　照明スタンド２７００は、上述の発光デバイスを備えていることで、所望の色の照明を再現することが可能で、消費電力が低い。

　照明部２７０１として好適な発光デバイスとしては、例えば、図１６に示す発光基板と波長変換基板を有する構成が挙げられる。
　図１６は、本発明の第６実施形態である照明装置における発光デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
　ここに示す発光デバイス６００は、基板６０１の一方の面６０１ａに設けられた発光部６０２と、基板６０１の一方の面６０１ａに立設された隔壁６０３と、を有する。

　隔壁６０３は、その側面６０３ａおよび上面（基板６０１の一方の面６０１ａ側とは反対側の面）６０３ｂに設けられた反射層６０４を有する。
　隔壁６０３は、発光部６０２を区画している。
　なお、反射層６０４は、隔壁６０３の側面６０３ａのみに設けられ、上面６０３ｂには設けられていなくてもよい。
　発光デバイス６００では、基板６０１、発光部６０２、隔壁６０３および反射層６０４により、発光基板６１０が構成されている。

　発光デバイス６００は、発光部６０２に対向して、発光部６０２から放出された光が入射する位置に、波長変換部６２１を備えている。波長変換部６２１は、基板６２２の一方の面６２２ａに設けられている。波長変換部６２１の外縁部は、隔壁６０３の側面６０３ａに設けられた反射層６０４に密着するように配置されている。
　発光デバイス６００では、基板６２２および波長変換部６２１により、波長変換基板６２０が構成されている。

　すなわち、発光デバイス６００では、発光部６０２を備えた発光基板６１０と、波長変換部６２１を備えた波長変換基板６２０とが、対向して貼り合わされている。

　発光デバイス６００では、発光部６０２からの出射光Ｒ^６１の一部が波長変換部６２１で異なる光（変換光）Ｒ^６２に変換され、この変換光Ｒ^６２と未変換の出射光Ｒ^６１とで、さらに異なる光（生成光）Ｒ^６３が生成されて、最終的に、この生成光Ｒ^６３が出射される。

　発光部６０２は、特に限定されず、例えば、陽極、有機ＥＬ層および陰極の積層構造体であってもよく、陽極、無機ＥＬ層および陰極の積層構造体であってもよい。

　波長変換部６２１の構成は、特に限定されず、発光部６０２から出射される光の波長に応じて、適宜調整される。

　発光デバイス６００として好適な構成としては、発光部６０２が青色発光部で、かつ、波長変換部６２１が青色光を黄色光に変換する黄色波長変換部であるものが挙げられる。
　このような発光デバイス６００では、発光部６０２からの出射光（青色光）Ｒ^６１の一部が波長変換部（黄色波長変換部）６２１で黄色光（変換光）Ｒ^６２に変換され、この変換された黄色光Ｒ^６２と未変換の青色光Ｒ^６１とで、白色光（生成光）Ｒ^６３が生成されて、最終的に、この白色光Ｒ^６３が出射される。
　この場合、波長変換部６２１に含まれる波長変換材料としては、青色光を吸収して黄色光を発生する黄色発光物質が用いられる。

（７）第７実施形態
［太陽電池］
　本発明の一態様に係る太陽電池は、上述の本発明の一態様に係る発光デバイスを備えたものである。
　図１７は、本発明の第７実施形態である太陽電池の主要部を示す概略断面図である。
　ここに示す太陽電池７００は、波長変換基板７１０と、波長変換基板７１０に対向して配置された太陽電池素子７２０と、を備えて構成されている。

　波長変換基板７１０は、基板７１１の一方の面７１１ａに立設された隔壁７１２と、隔壁７１２によって区画された領域内に配された波長変換部７１３と、を有する。
　隔壁７１２は、その側面７１２ａおよび上面（基板７１１の一方の面７１１ａ側とは反対側の面）７１２ｂに設けられた反射層７１４を有する。
　なお、反射層７１４は、隔壁７１２の側面７１２ａのみに設けられ、上面７１２ｂには設けられていなくてもよい。
　波長変換部７１３は、基板７１１の一方の面７１１ａに、順に積層された第１波長変換部７１５と第２波長変換部７１６から構成されている。

　波長変換基板７１０は、波長変換部７１３が太陽もしくは照明等の発光部からなる発光部Ｓに対向するように設置される。そして、太陽電池素子７２０は、波長変換基板７１０を構成する基板７１１に対して、太陽電池素子７２０の光の入射面となる一方の面７２０ａが対向するように配置されている。ただし、図１７では、波長変換基板７１０と太陽電池素子７２０の位置関係を分かり易く説明するために、波長変換基板７１０と太陽電池素子７２０を離間して示している。また、波長変換基板７１０のみ断面表示している。

　太陽電池素子７２０としては、従来の太陽電池（素子）と同様のものが用いられる。

　太陽電池７００では、波長変換基板７１０に入射した光（太陽光）のうち、所定の波長域の光が目的とする波長域の光に変換され、基板７１１における波長変換部７１３等が設けられていない面（以下、「他方の面」と言う。）７１１ｂから出射された後、この出射光が、一方の面７２０ａから太陽電池素子７２０に入射して、太陽電池素子７２０が発電する。

　ここでは、波長変換基板７１０としては、第１波長変換部７１５が青色光を緑色光に変換する緑色波長変換部からなり、第２波長変換部７１６が紫外光を青色光に変換する青色波長変換部であるものが挙げられる。
　この場合、波長変換基板７１０に入射した太陽光に含まれる紫外光Ｒ^１が第２波長変換部（青色波長変換部）７１６で青色光に変換され、この変換された青色光と太陽光中の青色光Ｒ^２とが第１波長変換部（緑色波長変換部）７１５で緑色光Ｒ^３に変換されて、最終的には緑色光Ｒ^３、黄色光Ｒ^４、橙色光Ｒ^５および赤色光Ｒ^６等の青色光よりも長波長の光が波長変換基板７１０から出射される。これら発電効率の高い波長域の光（青色光よりも長波長の光）が太陽電池素子７２０に入射することで、発電効率が高い太陽電池７００を構成できる。

　なお、添付図面を参照しながら、本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されないことは言うまでもない。上述した実施形態において示した各構成部材の形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

　以下、実施例により本発明のいくつかの態様をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
（波長変換部の作製）
「波長変換材料含有組成物の調製」
　感光性樹脂として、水酸基もしくはカルボキシル基が保護されたポリアクリレートを主成分とする化学増幅型ポジ型レジスト（ＪＮＣ社製）を含む溶液に、波長変換材料として、下記式（３３）で表わされるクマリン６を感光性樹脂成分に対して、１質量％、加熱塩基発生剤として、下記式（４３）で表わされるフルオレン化合物を０．５質量％、および、一重項酸素失活剤として、下記式（４０）で表わされる１，４－ジアゾビシクロ［２．２．２］オクタンを０．１質量％添加し、充分に撹拌した後、その溶液に超音波を印加することにより、溶液に、各成分を溶解して、波長変換材料を含有する波長変換材料含有組成物を調製した。

「波長変換材料含有組成物からなる塗布膜の形成」
　ガラス基板の一面に、スピンコート法により、上記の波長変換材料含有組成物からなる塗布膜を形成した。スピンコートの条件を、回転数５００ｒｐｍで３０秒間とした。
　次いで、塗布膜を形成したガラス基板を、ホットプレートにより、９０℃にて２分間、焼成することにより、クマリン６を含有する感光性塗布膜を形成した。

「感光性塗布膜の露光」
　感光性塗布膜に対向するように、サブ画素となる７μｍ×３０μｍの長方形の遮光部を有するフォトマスク配置し、そのフォトマスクを介して、感光性塗布膜に、３６５ｎｍを中心波長とする紫外光を５０ｍＪ／ｃｍ^２照射し、感光性塗布膜を感光した。

「感光性塗布膜の現像、乾燥」
　テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）の濃度が２．３８質量％である水溶液に、感光した感光性塗布膜を有するガラス基板を浸漬し、感光性塗布膜を現像した。
これにより、露光された領域が可溶化し、未露光部が波長変換部として基板上に形成される。
　さらに、現像後の感光性塗布膜を有するガラス基板を、ホットプレートにより、９０℃にて３０分間、乾燥することにより、ガラス基板の一面に波長変換部を形成した。
　得られた基板上の波長変換部の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、フォトマスクの設計値とほぼ等しいサイズのパターンが形成されていることが確認された。また、波長変換部の膜厚（ガラス基板の一面を基準とし、基板の厚さ方向の高さ）は６μｍであった。

「波長変換部のｐＨの調整」
　得られた波長変換部の表面付近には、露光時に酸発生物質より生じた酸が残存する。さらには、波長変換部には未反応の酸発生物質を含有するため、発光デバイスとして駆動した際の発光基板から放出された光や外光により、酸発生物質より酸が発生するおそれがある。これら酸を中和するために、窒素雰囲気下のオーブンで１５０℃にて２０分間、加熱した。これにより、下記式（４４）で表わされる化学反応が起こり、フルオレン化合物から、アミン（４５）が生じ、波長変換部が弱酸性から塩基性に変化した。

「評価」
　半積分球型量子収率評価装置を用い、励起波長４５０ｎｍ（青色）にて、基板上の波長変換部の発光スペクトルを評価したところ、図１８に示すように、発光波長５４０ｎｍ付近にピークを持つ緑色の発光を示した。波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と同等の値を示した。
　また、耐光性評価を評価するために、基板上の波長変換部に、青色光（４５０ｎｍ、５０ｍＷ／ｃｍ^２）を１時間照射し、内部量子収率の変化を評価した。その結果、波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と比較して、低下が著しく抑制されていた。
　一方、比較例として、加熱塩基発生剤を含まない波長変換部、および、一重項酸素失活剤を含まない波長変換部についても同様の耐光性評価を行った。その結果、加熱塩基発生剤を含まない波長変換部については、図１９に示すように、波長４５０ｎｍにおける吸光度が低下し、新たに５３０ｎｍの吸光度が増加し、変色した。これは、波長４５０ｎｍの可視光により、化学増幅型ポジ型レジスト中の光酸発生剤が光化学反応を起こして酸を生じ、その酸により、波長変換部に含まれる波長変換材料が変色したものと考えられる。つまり、加熱塩基発生剤を用いることにより、波長変換部中の酸が、加熱で生じた塩基により中和され、発光量子収率の低下を防止できることが確認された。
　また、一重項酸素失活剤を含まない波長変換部については、ポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と同じように、青色光（４５０ｎｍ、５０ｍＷ／ｃｍ^２）を１時間照射することにより、内部量子収率が緩やかに減少した。
　つまり、実施例では、波長変換部をパターニングした後、加熱によりｐＨを調整することにより、酸性下では変色してしまう波長変換材料も使用することができる。さらに、一重項酸素失活剤を有することで、耐光性の高い波長変換部が得られることを確認できた。

［実施例２］
（波長変換部の作製）
　感光性樹脂として、実施例１の化学増幅型ポジ型レジストの代わりに、エポキシ基を有するオリゴマーを主成分とする化学増幅型ネガ型レジスト（日本化薬社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして、波長変換部を作製した。これにより、露光された領域が硬化し、露光部が波長変換部として基板上に形成される。そのため、露光後の波長変換部には、酸発生物質より生じた酸が多く残存する。しかし、これを加熱塩基発生剤により中和し、波長変換部を酸性から塩基性に変化させた。
　実施例１と同様の評価を行ったところ、実施例１と同様に発光波長５４０ｎｍ付近にピークを持つ緑色の発光を示した。波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と同等の値を示した。この結果から、加熱塩基発生剤を用いることにより、波長変換部中の酸が、加熱で生じた塩基により中和され、発光量子収率の低下を防止できることが確認された。

［実施例３］
（波長変換部の作製）
　感光性樹脂として、水酸基もしくはカルボキシ基が保護されたポリアクレートを主成分とする化学増幅型ポジ型レジスト（ＪＮＣ社製）を含む溶液に、波長変換材料として、下記式（９）で表わされるルモゲンＦレッド、下記式（１０）で表わされるルモゲンＹ０８３、下記式（１１）で表わされるＫＦＬ－７、下記式（１２）で表わされるローダミン６ｇ、または蛍光体修飾アモルファスシリカであるＳｉｃａｓｔａｒ－ｒｅｄＦ（ｍｉｃｏｒｏｍｏｄ社製）を加え、感光性樹脂成分に対して、各濃度を１質量％とした５種類の波長変換材料含有組成物を調製した。各溶液を実施例１と同様に塗布膜の形成、露光、現像および乾燥させることで、各波長変換材料を含む波長変換部を得た。
　得られた波長変換部の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、フォトマスクの設計値とほぼ等しいサイズのパターン（波長変換部）が形成されていることが確認された。また、波長変換部の膜厚（ガラス基板の一面を基準とし、波長変換部の厚さ方向の高さ）は６μｍであった。

「評価」
　半積分球型量子収率評価装置を用い、表１に示す励起波長にて、波長変換基板を構成する波長変換部の発光スペクトルを評価したところ、表１に示す発光波長を示す発光スペクトルを得た。これらの波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と値に対し、１～１０％程度の低下が見られた。
　一方、比較例でルモゲンＦレッドの代わりに、クマリン６を用いた場合には、図１９に示すように、波長４５０ｎｍにおける吸光度が低下し、新たに５３０ｎｍの吸光度が増加し、変色した。また、発光内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、クマリン６を分散させた場合の値に対し、５０％程度の低下が見られた。この結果から、波長変換材料として、芳香族炭化水素系蛍光体、メチン系蛍光体、およびシリカ微粒子に分散された蛍光体を用いることで、波長変換部が酸性であっても、発光量子収率の低下が抑制されることを確認した。

［実施例４］
（波長変換部の作製）
　波長変換材料として、クマリン６の代わりに、実施例３で示す５種類の各材料を用いた以外は、実施例１と同様にして、波長変換基板を５種類作製した。

「評価」
　実施例１と同様に、基板上の各波長変換材料を含む波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と同等の値を示した。加熱塩基発生剤を用いることにより、波長変換部中の酸が、加熱で生じた塩基により中和され、発光量子収率の低下を防止できることが確認された。
　また、実施例１同様に、各波長変換材料を含む波長変換部に、青色光（４５０ｎｍ、５０ｍＷ／ｃｍ^２）を１時間照射し、内部量子収率の変化を評価した。その結果、波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と比較して、低下が著しく抑制されていた。この結果から、芳香族炭化水素系蛍光体、メチン系蛍光体およびシリカ微粒子に分散された蛍光体からなる波長変換材料についても、高い内部量子収率と優れた耐光性が確認された。

［実施例５］
（波長変換部の作製）
　感光性樹脂として、実施例２に記載の化学増幅型ネガ型レジスト（日本化薬社製）、波長変換材料として、下記式（４６）で表わされる波長変換材料（商品名：Ｌｙｓｏ　Ｓｅｎｓｏｒ　Ｇｒｅｅｎ、Ｌｉｆｅ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）、可視光酸素発生剤として、下記式（２９）で表わされるもの（特開２００９－２６９８４９号公報に記載の方法に基づいて合成）、および、一重項酸素失活剤として、下記一般式（３１）で表わされるジブチルヒドロキシトルエンを用いた。

「波長変換材料含有組成物の調製」
　化学増幅型ポジ型レジストを含む溶液に、上記式（４６）で表わされる波長変換材料を１質量％、上記式（２９）で表わされる可視光酸素発生剤を０．５質量％、および、ジブチルヒドロキシトルエンを０．１質量％添加し、充分に撹拌した後、その溶液に超音波を印加することにより、溶液に、各成分を溶解して、波長変換材料を含有する波長変換材料含有組成物を調製した。

「波長変換材料含有組成物からなる塗布膜の形成」
　ガラス基板の一面に、スピンコート法により、上記の波長変換材料含有組成物からなる塗布膜を形成した。スピンコートの条件を、回転数２０００ｒｐｍで３０秒間とした。
　次いで、塗布膜を形成したガラス基板を、ホットプレートにより、９０℃にて５分間、焼成することにより、上記式（４６）で表わされる波長変換材料を含有する感光性塗布膜を形成した。

「感光性塗布膜の露光」
　感光性塗布膜に対向するように、サブ画素となる１０μｍ×５０μｍの長方形の遮光部を有するフォトマスク配置し、そのフォトマスクを介して、感光性塗布膜に、３６５ｎｍを中心波長とし、４００ｎｍ以上の波長をカットした紫外光を３００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、感光性塗布膜を感光した。

「感光性塗布膜の現像、乾燥」
　プロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に、感光した感光性塗布膜を有するガラス基板を浸漬し、感光性塗布膜を現像した。これにより、露光された領域が硬化し、波長変換部として基板内に形成される。この時、露光時の光硬化反応により、酸発生物質から生じた酸が消費され、さらには、現像時に現像液へ酸が流出するため、波長変換部の酸の濃度が低下する。そこで、その消費された酸を補うため、現像後の感光性塗布膜を有するガラス基板を、４３６ｎｍを中心波長とし、４００ｎｍ以下をカットした可視光を５００ｍＪ／ｃｍ^２照射し、可視光酸発生剤より酸を再生させた。

「評価」
　半積分球型量子収率評価装置を用い、励起波長４５０ｎｍ（青色）にて、波長変換基板を構成する波長変換部の発光スペクトルを評価したところ、発光波長５０５ｎｍ付近にピークを持つ緑色の発光を示した。波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と同等の値を示した。
　これにより、加熱酸発生剤を用いることにより、波長変換部中の酸性度が上昇し、発光量子収率の低下を抑制できることを確認した。
　また、耐光性評価を評価するために、波長変換基板を構成する波長変換部に、青色光（４５０ｎｍ、５０ｍＷ／ｃｍ^２）を１時間照射し、内部量子収率の変化を評価した。その結果、波長変換部の内部量子収率は、標準的なバインダー材料であるポリスチレン中に、上記の波長変換材料を分散させた場合と比較して、低下が抑制されていた。この結果から、一重項酸素失活剤により、励起された波長変換材料と一重項酸素との反応が抑制された効果と、可視光酸発生剤が青色光（４５０ｎｍ）の光によっても酸を生じ、酸性雰囲気下が保持された効果を確認することができた。

［実施例６］
（耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の作製）
　図２０Ａ～図２０Ｄ、および、図２１Ａ～図２１Ｃを参照して、耐酸性の隔壁を有する波長変換基板の製造方法を説明する。

「ブラックマトリックスの形成」
　図２０Ａに示すように、公知の方法により、ガラス基板からなる基板２４の一方の面２４ａに、線幅３．５μｍ、開口部７μｍ×２８μｍのブラックマトリックス２６を形成した。

「隔壁の形成」
　図２０Ｂに示すように、ポリイミド系ポジ型レジストを用い、ブラックマトリックス２６上に、線幅３．５μｍ、開口部７μｍ×２８μｍのパターンを有するフォトマスクを介して、ブラックマトリックス２６上に、膜厚７μｍの隔壁２１を形成した。

「光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜の形成」
　図２０Ｃに示すように、真空蒸着法により、隔壁２１の表面に、光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜５１として、膜厚２００ｎｍのアルミニウム膜を形成した。

「保護膜の形成」
　図２０Ｄに示すように、スピンコート法により、アルミニウム膜が形成された隔壁２１を覆うようにアクリル系ネガ型レジストを塗布して、塗布膜を形成し、隔壁２１に対応する部分のみが開口しているフォトマスクを用いて、アクリル系ネガ型レジストからなる塗布膜を露光、現像することにより、隔壁２１の上面２１ａおよび側面２１ｃに、膜厚約５００ｎｍの保護膜５２を形成した。

「光反射性または光散乱性を有する材料からなる薄膜のパターニング」
　保護膜５２を形成した基板２４を、エッチング液に浸漬することにより、図２１Ａに示すように、保護膜５２が設けられていない画素部において、アルミニウム膜（薄膜５１）をエッチングした。

「カラーフィルタ層の形成」
　公知の方法により、図２１Ｂに示すように、各サブ画素部に対応し、基板２４における隔壁２１に区画された領域内にカラーフィルタ層２４を形成した。

「波長変換部の形成」
　実施例５と同様の方法により、図２１Ｃに示すように、緑色カラーフィルタ２４Ｇ上に、緑色波長変換部２２Ｇを形成した。
　また、実施例１の感光性組成物に、ルモゲンＦレッドをさらに２質量％添加した波長変換材料含有組成物を調製し、この波長変換材料含有組成物を用いて、実施例１と同様の方法により、図２１Ｃに示すように、赤色カラーフィルタ２４Ｒ上に、赤色波長変換部２２Ｒを形成した。
　また、励起光散乱部を形成するための組成物として、感光性樹脂の化学増幅型ネガ型レジスト（日本化薬社製）に、粒径２００ｎｍのチタニア微粒子を５質量％の濃度で分散させた感光性組成物を調製した。スピンコート法により、この感光性組成物を塗布して塗布膜を形成し、その塗布膜を露光、現像することにより、図２１Ｃに示すように、青色カラーフィルタ２４Ｂ上に、励起光散乱部２３を形成した。
　以上により波長変換基板２０を作製した。

［実施例７］
（表示装置の作製）
「波長変換基板」
　実施例５に従い波長変換基板を作製した。

「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
　図８を参照して説明した方法により、青色有機ＥＬ素子基板を製造した。具体的には、以下のとおりである。
　基板として、厚さが０．７ｍｍの５インチのガラス基板に、既存の半導体プロセスにより、半導体層がＩＧＺＯからなる薄膜トランジスタを形成し、さらに、窒化シリコンからなる層間絶縁層を薄膜トランジスタ上に形成し、層間絶縁層のソース電極上にコンタクトホールを空けたアクティブマトリックスＴＦＴ基板を作製した。
　次いで、層間絶縁層上に、有機ＥＬの反射電極として、膜厚が１００ｎｍとなるようにスパッタ法により銀を成膜し、その上に透明電極として、膜厚が２０ｎｍとなるようにＩＺＯをスパッタ法により成膜した。そして、フォトリソグラフィー法により、陽極（画素電極）として７μｍ×２８μｍのパターンを形成し、コンタクトホールを介して電気的にトランジスタのソース電極と接続した。
　次いで、これを水洗後、アルカリ性水溶液中にて超音波洗浄を３０分間行い、水洗後、超純水にて超音波洗浄を１５分間行い、１１０℃で３０分間乾燥させた。乾燥後のこの基板に対して、ＵＶオゾンクリーナーを用いて、大気雰囲気下でＵＶ－オゾン処理を行った。
　次いで、基板をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^－４Ｐａ以下の圧力まで減圧して、ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層、ホールブロック層、電子輸送層および電子注入層をこの順に、表２に示す材料および膜厚で形成し、有機ＥＬ層とした。
　次いで、真空蒸着法により、有機ＥＬ層の表面にシャドーマスクを介してマグネシウム及び銀を共蒸着し、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀層を形成し、さらに、その上に、厚さ１９ｎｍの銀層を形成して、陰極（半透明電極）を形成した。

　以上により、青色有機ＥＬ素子基板を得た。

「貼り合わせ」
　得られた波長変換基板と有機ＥＬ素子基板とを、有機ＥＬ素子基板の陰極と、波長変換基板の赤色変換フィルタ、緑色変換フィルタおよび光散乱層とが対向するように、窒素雰囲気下で貼り合せ、さらに駆動回路を取り付けることで波長変換方式の表示装置を製造した。
　得られた表示装置の有機ＥＬ素子基板に電流を流し駆動させ、ＲＧＢの色度図を評価すると、従来の波長変換方式有機ＥＬよりもＲＧの点において外に張り出しており、色再現性が高いことが確認された。

　本発明のいくつかの態様は、有機ＥＬ表示装置、照明装置、電子機器に適用することができる。

１００，２００，３００・・・発光デバイス、１０・・・発光基板、１１・・・発光部、１２・・・基板、２０・・・波長変換基板、２１・・・構造体（隔壁）、２２・・・波長変換部、２２Ｒ・・・赤色波長変換部、２２Ｇ・・・緑色波長変換部、２３・・・励起光散乱部、２４・・・基板、２５・・・カラーフィルタ層、２５Ｒ・・・赤色カラーフィルタ、２５Ｇ・・・緑色カラーフィルタ、２５Ｂ・・・青色カラーフィルタ、２６・・・ブラックマトリックス、３１・・・赤色画素部、３２・・・緑色画素部、３３・・・青色画素部、３１０・・・封止層。

Claims

　発光部と、光反射性または光散乱性を有する構造体と、該構造体によって区画された領域内に配された波長変換部と、を備えた発光デバイスであって、
　前記波長変換部は、光照射により酸を発生する酸発生物質を含有する感光性樹脂と、前記発光部から出射された光を吸収し異なる波長域の光に変換する波長変換材料と、を含む発光デバイス。
　前記波長変換部は、加熱または前記酸発生物質より酸を発生させ得る波長域とは異なる波長域の光の照射により、酸または塩基を発生する化学物質を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、プロトン供与基またはプロトン受容基を有する一重項酸素失活剤を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記感光性樹脂は、前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光の照射により硬化する請求項１に記載の発光デバイス。
　前記感光性樹脂は、前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光の照射により可溶化する請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基を有し、かつ、該プロトン受容基からプロトンが脱離することにより発光する波長変換材料と、加熱または前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光とは異なる波長域の光の照射により塩基を発生する化学物質と、を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、プロトンの受容と脱離が可逆的なプロトン受容基を有し、かつ、該プロトン受容基からプロトンが脱離することにより発光する波長変換材料と、加熱または前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光とは異なる波長域の光の照射により塩基を発生する化学物質と、プロトン受容基を有する一重項酸素失活剤と、を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、プロトン受容基を有し、かつ、少なくとも前記酸発生物質からのプロトンを受容することにより発光する波長変換材料を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、プロトン受容基を有し、かつ、少なくとも前記酸発生物質からのプロトンを受容することにより発光する波長変換材料と、加熱または前記酸発生物質が吸収し酸を発生させる波長域の光とは異なる波長域の光の照射により酸を発生する化学物質と、を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、プロトン受容基を有し、かつ、少なくとも前記酸発生物質からのプロトンを受容することにより発光する波長変換材料と、プロトン供与基を有する一重項酸素失活剤と、を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、発光団および非π共役結合のスペーサーと、該スペーサーを介して前記発光団と結合するプロトン受容部と、を有し、
　前記プロトン受容部のＨＯＭＯが、前記発光団のＨＯＭＯよりも低い波長変換材料を含む請求項１に記載の発光デバイス。
　前記波長変換部は、下記一般式（１）で表わされる骨格を有する波長変換材料を含む請求項１に記載の発光デバイス。

（式中、Ｒは、水素原子または炭化水素基を表わす。炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。ｎ＝０～１０を表わす。）
　前記波長変換部は、下記一般式（２）で表わされる骨格を有する波長変換材料を含む請求項１に記載の発光デバイス。

（式中、Ｒ^１は、水素原子または炭化水素基を表わす。炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。また、Ｘは、窒素原子または酸素原子を表わし、Ｒ^２は、Ｘが窒素原子を表わすときＮＲ^３（Ｒ^３は、水素原子または炭化水素基を表わし、該炭化水素基は、１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換されていてもよく、ヘテロ原子を介して結合されていてもよく、１個以上の炭素原子が、ヘテロ原子に置換されていてもよい。）であり、Ｘが酸素原子のとき存在しない。）
　前記光反射性または光散乱性を有する構造体における前記波長変換部に対向する面に、酸により腐食する材料を有する薄膜と、該薄膜と前記波長変換部との間に、光の照射により硬化する感光性樹脂からなる保護膜と、を備えた請求項１に記載の発光デバイス。
　前記光反射性または光散乱性を有する構造体と、前記波長変換部とが離隔している請求項１に記載の発光デバイス。
　前記発光部は、青色の光または青緑色の光を出射する有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１に記載の発光デバイス。
　請求項１に記載の発光デバイスを備えた表示装置、照明装置、電子機器。