JP7492835B2 - ディスプレイパネル - Google Patents
ディスプレイパネル Download PDFInfo
- Publication number
- JP7492835B2 JP7492835B2 JP2020028674A JP2020028674A JP7492835B2 JP 7492835 B2 JP7492835 B2 JP 7492835B2 JP 2020028674 A JP2020028674 A JP 2020028674A JP 2020028674 A JP2020028674 A JP 2020028674A JP 7492835 B2 JP7492835 B2 JP 7492835B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- color
- layer
- display panel
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 122
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 94
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 28
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- -1 AgInGaS 2 Chemical class 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCNQNZOSHKDAKL-UHFFFAOYSA-N 10-[5,6-dihexyl-2-[8-(16-methylheptadecanoyloxy)octyl]cyclohex-3-en-1-yl]dec-9-enyl 16-methylheptadecanoate Chemical compound CCCCCCC1C=CC(CCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)C(C=CCCCCCCCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)C1CCCCCC UCNQNZOSHKDAKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003508 chemical denaturation Methods 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N cobalt(II,III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Co+2].[Co+3].[Co+3] UBEWDCMIDFGDOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
本発明は、ディスプレイパネルに関し、より詳しくは、混色を防止できるディスプレイパネルに関する。
テレビ、携帯電話、タブレットコンピュータ、ナビゲーション、ゲーム機などのようなマルチメディア装置に使用される多様なディスプレイ装置が開発されている。ディスプレイ装置は、光源から生成されたソース（ｓｏｕｒｃｅ）光を選択的に透過させる透過型ディスプレイパネルと、ディスプレイパネルそのものからソース光を生成する発光型ディスプレイパネルと、を備える。
屋外でディスプレイ装置が使用される場合には、イメージが視認される表示面上で外光による反射や散乱が発生する。
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、混色を防止することができるディスプレイパネルを提供することにある。
本発明の目的を達成するための一実施形態によるディスプレイパネルは、表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域と、を備え、前記表示領域は、複数のピクセル領域及び前記ピクセル領域に隣接する遮光領域を有する上部表示基板、第１の色光を出射し、ピクセル領域にそれぞれ重畳する複数の表示素子を有する下部表示基板、遮光領域に重畳する隔壁部、並びに前記隔壁部をカバーする反射部を有する隔壁を含み、前記上部表示基板は、ベース基板、前記ベース基板上に配置されたカラーフィルター層、及び前記カラーフィルター層上に配置されて前記第１の色光を制御する光制御層を含み、前記隔壁は前記光制御層上に配置される。
本発明の一実施形態によると、前記隔壁は、前記下部表示基板から一定間隔離隔されてもよい。
本発明の一実施形態によると、前記上部表示基板の厚さ方向において、前記上部表示基板と前記下部表示基板との間の高さは、第１の長さとして定義され、前記隔壁の高さは第２の長さとして定義され、前記第２の長さは、前記第１の長さの０.６倍以上０.９５倍以下の長さを有してもよい。
本発明の一実施形態によると、前記非表示領域に重畳して前記上部表示基板と前記下部表示基板との間に配置され、前記上部表示基板と前記下部表示基板とともに内部空間を定義する接着部材をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態によると、前記内部空間に満たされた充填剤をさらに含んでもよい。
本発明の一実施形態によると、前記反射部は、前記下部表示基板に対向する前記隔壁部の少なくとも一部を露出してもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記ピクセル領域は、一方向に配列された第１のピクセル領域、第２のピクセル領域、及び第３のピクセル領域を含み、前記光制御層は、前記第１のピクセル領域に重畳して前記第１の色光を変換して第２の色光を出射する第１の変換部と、前記第２のピクセル領域に重畳して前記第１の色光を変換して前記第２の色光と異なる第３の色光を出射する第２の変換部と、前記第３のピクセル領域に重畳して前記第１の色光を透過する透過部と、を備えてもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記隔壁部は、前記第１の変換部、前記第２の変換部、前記透過部のうちの隣接する２つの間の空間に配置された第１の部分、及び前記第１の部分に隣接して前記第１の変換部の底面上と、前記第２の変換部の底面上に配置された第２の部分を含んでもよい。
本発明の一実施形態によると、前記上部表示基板の厚さ方向において、前記第２の部分の高さは、前記第１の部分の高さよりも大きくてもよい。
本発明の一実施形態によると、前記第２の部分の幅は、前記第１の部分の幅よりも大きくてもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記ピクセル領域は、一方向に配列された第１のピクセル領域、第２のピクセル領域、及び第３のピクセル領域を含み、前記カラーフィルター層は、前記第１のピクセル領域に重畳して前記第１の色光とは異なる第２の色光を透過する第１のカラーフィルター、前記第２のピクセル領域に重畳して前記第２の色光と異なる第３の色光を透過する第２のカラーフィルター、及び前記第３のピクセル領域に重畳して前記第１の色光を透過する第３のカラーフィルターを含んでもよい。
本発明の一実施形態によると、前記第３のカラーフィルターは、前記第３のピクセル領域に重畳したフィルター部、及び前記遮光領域に重畳した遮光部分を含んでもよい。
本発明の一実施形態によると、前記カラーフィルター層は、前記ベース基板上に直接配置され、前記隔壁の少なくとも一部は、前記遮光領域に重畳した前記遮光部分上に配置されてもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記隔壁部は黒色で提供されてもよい。
本発明の一実施形態によると、前記隔壁は前記上部表示基板と前記下部表示基板との間に配置され、前記上部表示基板と前記下部表示基板のそれぞれに接触し、前記隔壁、前記上部表示基板、及び前記下部表示基板によって前記ピクセル領域にそれぞれ重畳する複数の空間が定義されてもよい。
本発明の一実施形態によると、前記反射部は、前記隔壁部の少なくとも一部を露出し、前記露出された前記隔壁部の一部は、前記下部表示基板に接触してもよい。
本発明の一実施形態によると、前記下部表示基板は、下部ベース基板、前記下部ベース基板上に配置された回路素子層、及び前記回路素子層上に配置されて前記表示素子を有する表示素子層を含み、前記隔壁は前記表示素子層上に接触してもよい。
本発明の一実施形態によれば、前記表示素子層は、前記表示素子をカバーするカバー層をさらに含み、前記隔壁は前記カバー層上に接触してもよい。
本発明の目的を達成するための他の実施形態によるディスプレイパネルは、表示領域と、前記表示領域に隣接する非表示領域と、を備え、前記表示領域は、複数のピクセル領域及び前記ピクセル領域に隣接する遮光領域を有する上部表示基板、ピクセル領域にそれぞれ重畳する複数の表示素子を含む下部表示基板、前記上部表示基板と前記下部表示基板との間に配置されて前記遮光領域に重畳した隔壁部、並びに前記隔壁部をカバーする反射部を有する隔壁を含み、前記上部表示基板の厚さ方向において、前記上部表示基板と前記下部表示基板との間の高さは、第１の長さとして定義され、前記隔壁の高さは第２の長さとして定義され、前記第２の長さは、前記第１の長さの０.６倍以上０.９５倍以下の長さを有することを特徴とする。
本発明の一実施形態によれば、前記隔壁部は、前記反射部から露出した少なくとも一部を含み、前記反射部と、前記隔壁部の前記少なくとも一部とは、前記下部表示基板上に接触してもよい。
本発明の一実施形態によると、隔壁は、上部表示基板を介して外部に出力される光の混色を防止することができる。つまり、隔壁を介して、１つの発光素子から出射された第１の色光がピクセル領域のうちの前記一つの発光素子と重畳しない他のピクセル領域に伝達されることが防止され得る。また、本発明による隔壁はピクセル領域を介して外部に出射される光の放出効率を高めることができる。
上述された説明に基づいて、ディスプレイパネルの全体的な表示品質を向上させることができる。
本明細書では、ある構成要素（又は領域、層、部分など）が、他の構成要素の「上にある」、「接続される」、又は「結合される」と記載される場合には、ある構成要素が他の構成要素上に直接配置/接続/結合され得るか、又はそれらの間に第３の構成要素が配置されることも有り得ることを意味する。
図面において、同一の参照符号は同一の構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は、技術的な内容の効果的な説明のために誇張されたものである。
「及び/又は」は、関連する構成によって定義することができる１つ以上の組み合わせをすべて含む。
第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するために使用され得るが、前記構成要素は、前記用語によって限定されてはならない。これらの用語は、１つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用される。例えば、本発明の技術範囲を逸脱せずに、第１の構成要素は、第２の構成要素として命名され、同様に第２の構成要素も第１の構成要素として命名され得る。単数の表現は、文脈上明らかに別のものを示していると判定されない限り、複数の表現を含む。
また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示された構成要素の相互関係を説明するために使用される。これらの用語は、相対的な概念であり、図面に示された方向を基準に説明される。
別の方法で定義されない限り、本明細書で使用されるすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、本発明が属する技術分野における当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞典に定義された用語のような用語は、関連技術のコンテキストでの意味と一致する意味を有するものと解釈されるべきで、理想的な、又は過度に形式的な意味に解釈されない限り、ここで明示的に定義される。
「含む」又は「有する」などの用語は、本明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするのであって、１つ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせたものの存在若しくは付加可能性を予め排除しない。
以下では、図面を参照して、本発明の一実施形態を説明する。
図１は、本発明の一実施形態によるディスプレイパネルの斜視図である。図２は、本発明の一実施形態によるディスプレイパネルの断面図である。
本発明の一実施形態によるディスプレイパネル（ＤＰ）は、モニター、又は屋外広告看板のような大型の電子装置をはじめ、パーソナルコンピュータ、ノートパソコン、パーソナルデジタル端末、カーナビゲーションユニット、ゲーム機、スマートフォン、タブレット、及びカメラのような中小型電子装置などに適用することができる。また、これらは単に一実施形態として提示されたものであり、本発明の概念から逸脱しない範囲において、他の電子装置にも採用され得るものである。
本発明の一実施形態によると、ディスプレイパネル（ＤＰ）は、液晶ディスプレイパネル（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、電気泳動ディスプレイパネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、ＭＥＭＳディスプレイパネル（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）及びエレクトロウェッティングディスプレイパネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、並びに有機発光ディスプレイパネル（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）のいずれか１つであり得る。
図示は省略するが、ディスプレイパネル（ＤＰ）は、シャーシ部材又はモールディング部材をさらに含む。ディスプレイパネル（ＤＰ）が液晶ディスプレイパネルである場合には、バックライトユニットをさらに含み得る。以下、本明細書では、ディスプレイパネル（ＤＰ）は、有機発光ディスプレイパネルである場合について説明される。
図１を参照すると、ディスプレイパネル（ＤＰ）は、下部表示基板１００及び下部表示基板１００に対向して離隔された上部表示基板２００を含み得る。図１に示すように、ディスプレイパネル（ＤＰ）は、表示面（ＤＰ－ＩＳ）を介してイメージを表示することができる。表示面（ＤＰ－ＩＳ）は、第１の方向（ＤＲ１）と第２の方向（ＤＲ２）とが定義する平面に平行である。
表示面（ＤＰ－ＩＳ）は、表示領域（ＤＡ）及び非表示領域（ＮＤＡ）を含み得る。表示領域（ＤＡ）には、ピクセル（ＰＸ）が配置され、非表示領域（ＮＤＡ）には、ピクセル（ＰＸ）が配置されなくてもよい。非表示領域（ＮＤＡ）は、表示面（ＤＰ－ＩＳ）のエッジに沿って定義され得る。本発明によると、表示領域（ＤＡ）は、非表示領域（ＮＤＡ）によって取り囲まれ得る。しかし、これに限定されずに、非表示領域（ＮＤＡ）は、表示領域（ＤＡ）のいずれか一側に隣接するか、又は省略することができる。
表示面（ＤＰ－ＩＳ）の法線方向、すなわちディスプレイパネル（ＤＰ）の厚さ方向は、第３の方向（ＤＲ３）で示される。本明細書において、「平面上から見たとき、又は平面上で」の意味は、第３の方向（ＤＲ３）から眺める場合を意味することができる。以下において説明される各層又はユニットの前面（又は上面）と背面（又は下面）は、第３の方向（ＤＲ３）によって区分される。しかし、第１～第３の方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）を指す方向は相対的な概念であって、他の方向に、例えば反対方向に変換され得る。
本発明の一実施形態では、平面表示面（ＤＰ－ＩＳ）を備えたディスプレイパネル（ＤＰ）を図示したが、これに限定されない。ディスプレイパネル（ＤＰ）は、平面上で、少なくとも一部が曲面形状を有する表示面、又は立体形状を有する表示面を含むことも有り得る。立体型表示面は、異なる方向を指す複数の表示領域を含むことも有り得る。
図２を参照すると、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間には、内部空間（ＧＰ）が形成され得る。内部空間（ＧＰ）は、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間に配置された接着部材（ＳＬＭ）によって維持され得る。一例として、接着部材（ＳＬＭ）は、有機接着部材又は無機接着部材を含み得る。
図３Ａは、本発明の一実施形態によるディスプレイパネルの平面図である。図３Ｂは、本発明の一実施形態によるピクセルの等価回路図である。
図３Ａは、信号ライン（ＧＬ１～ＧＬｎ、ＤＬ１～ＤＬｍ）とピクセル（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）との平面上の配置関係を示した。信号ライン（ＧＬ１～ＧＬｎ、ＤＬ１～ＤＬｍ）は、複数のゲートライン（ＧＬ１～ＧＬｎ）、複数のデータライン（ＤＬ１～ＤＬｍ）を含み得る。
ピクセル（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）のそれぞれは、複数のゲートライン（ＧＬ１～ＧＬｎ）の中の対応するゲートラインと複数のデータライン（ＤＬ１～ＤＬｍ）の中の対応するデータラインとに接続される。ピクセル（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）のそれぞれは、ピクセル駆動回路及び表示素子を含み得る。ピクセル駆動回路の構成に応じて、より多くの種類の信号ラインがディスプレイパネル（ＤＰ）に備えられ得る。
ピクセルの（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）はマトリックス形態に配置されることが有り得るが、これに限定されない。ピクセル（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）はペンタイル形態に配置され得る。ピクセル（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）はダイヤモンド形態に配置され得る。
ゲート駆動回路（ＧＤＣ）は、非表示領域（ＮＤＡ）に配置され得る。ゲート駆動回路（ＧＤＣ）は、ＯＳＧ（ｏｘｉｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）又はＡＳＧ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）工程を通してディスプレイパネル（ＤＰ）に集積化され得る。
図３Ｂを参照すると、図３Ａに示したピクセル（ＰＸ１１～ＰＸｎｍ）の中で、いずれか１つのゲートライン（ＧＬ）、いずれか１つのデータライン（ＤＬ）、及び電源ライン（ＰＬ）に接続されたピクセル（ＰＸ）が例として示された。ピクセル（ＰＸ）の構成は、これに限定されずに、多様に変形され得る。
本発明の一実施形態よると、ピクセル（ＰＸ）は、発光素子（ＯＬＥＤ）、第１の電極（ＡＥ）、第２の電極（ＣＥ）、及びピクセル回路（ＰＸＣ）を含む。本発明の一実施形態によると、発光素子（ＯＬＥＤ）は、第１の色光を出射することができる。以下、本明細書では、第１の色光は、青色光であると定義される。また、発光素子（ＯＬＥＤ）は、自ら光を生成する発光層を含み得る。以下では、発光素子（ＯＬＥＤ）は、有機発光素子として記述される。
発光素子（ＯＬＥＤ）、第１の電極（ＡＥ）、及び第２の電極（ＣＥ）は、表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ、図５を参照）に含まれ得る。ピクセル回路（ＰＸＣ）は発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動するための回路部として、第１のトランジスタ（Ｔ１、又はスイッチングトランジスタ）、第２のトランジスタ（Ｔ２、又は駆動トランジスタ）、及びキャパシタ（Ｃａｐ）を含む。ピクセル回路（ＰＸＣ）は、回路素子層（ＤＰ－ＣＬ、図５を参照）に含まれ得る。
発光素子（ＯＬＥＤ）は、第１及び第２のトランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）から提供される電気的信号により第１の色光を生成する。
第１トランジスタ（Ｔ１）は、ゲートライン（ＧＬ）に印加されたゲート信号に応答してデータライン（ＤＬ）に印加されたデータ信号を出力する。キャパシタ（Ｃａｐ）は、第１トランジスタ（Ｔ１）から受信したデータ信号に対応する電圧を充電する。第１の電源電圧（ＥＬＶＤＤ）は、第２のトランジスタ（Ｔ２）を介して、第１の電極（ＡＥ）に提供され、第２の電源電圧（ＥＬＶＳＳ）は、第２の電極（ＣＥ）に提供される。第２の電源電圧（ＥＬＶＳＳ）は、第１の電源電圧（ＥＬＶＤＤ）よりも低い電圧であり得る。
第２のトランジスタ（Ｔ２）は、第１の電極（ＡＥ）を介して発光素子（ＯＬＥＤ）に電気的に接続される。第２のトランジスタ（Ｔ２）は、キャパシタ（Ｃａｐ）に貯蔵された電荷量に対応して発光素子（ＯＬＥＤ）に流れる駆動電流（ＩＤ）を制御する。発光素子（ＯＬＥＤ）は、第２のトランジスタ（Ｔ２）のターンオン区間の間に発光する。
図４は、本発明の一実施形態によるディスプレイパネルの表示領域に含まれるピクセル領域の平面図である。図５は、本発明の一実施形態によるピクセル領域の一部を示すディスプレイパネルの断面図である。
図４は、図１に示された表示領域（ＤＡ）の一部分を拡大して示したものである。表示領域（ＤＡ）は、複数のピクセル領域（ＰＸＡ）、及びこれに隣接する遮光領域（ＮＰＸＡ）を含み得る。図４では、表示領域（ＤＡ）を簡潔に説明するために、主に、３種のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）示した。図４に示した３種のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）は、表示領域（ＤＡ）全体に繰り返し配置され得る。
第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）の周辺には、遮光領域（ＮＰＸＡ）が配置される。第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）と遮光領域（ＮＰＸＡ）は、実質的に上部表示基板２００上に定義され得る。本明細書では、ピクセル領域とは、図１を介して説明された表示面（ＤＤ－ＩＳ）を通過して外部に光が実際に出射される領域を意味する。
図４を介して平面上の面積が同一である第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）を例として示したが、ピクセル領域の面積はこれに限定されない。第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）は、異なる面積を有するか、又は少なくとも２つ以上のピクセル領域の面積は互いに異なることが有り得る。
また、平面上の丸いコーナー領域を有する長方形状の第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）を示したが、ピクセル領域の形状はこれに限定されない。平面上で第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）は、別の多角形状を有することができ、コーナー領域が丸い正多角形状を有し得る。
ユーザーに第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）のいずれか１つは、第１の色光の波長帯域を有する第１の色光を提供し、他の１つは、第１の色光とは異なる第２の波長帯域を有する第２の色光を提供し、残りの他の１つは、第１の色光と第２の色光とは異なる第３の色光の波長帯域を有する第３の色光を提供する。
例えば、第１のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ）は、赤色光を出射し、第２のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｇ）は、緑色光を出射し、第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｂ）は、青色光を出射することができる。本発明の一実施形態によると、ソース光は、第１の色光である青色光であり得る。ソース光は、バックライトユニットのような光源から生成されるか、発光ダイオードのような表示素子から生成され得る。
遮光領域（ＮＰＸＡ）は、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）の境界を設定して、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）との間の混色を防止する。また、遮光領域（ＮＰＸＡ）は、ソース光がユーザーに提供されないように、ソース光を遮断する。
特に、本発明の一実施形態によるディスプレイパネル（ＤＰ）は、遮光領域（ＮＰＸＡ）に重畳する隔壁を含み得る。隔壁は、隣接する２つのピクセル領域から出力される光の混色を防止することができ、各ピクセル領域から出力される光の放出効率を高めることができる。これに対しては、図６を通して、より詳しく説明される。
図６は、第２のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｇ）に対応するディスプレイパネル（ＤＰ）の断面、並びに駆動トランジスタ（Ｔ－Ｄ）及び発光素子（ＯＬＥＤ）に対応する断面を例として示した。一方、図５で上部表示基板２００は、簡単に示された。
図５を参照すると、下部表示基板１００は、第１のベース基板（ＢＳ１）、第１のベース基板（ＢＳ１）上に配置された回路素子層（ＤＰ－ＣＬ）、及び回路素子層（ＤＰ－ＣＬ）上に配置された表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）を含む。
第１のベース基板（ＢＳ１）は、合成樹脂基板又はガラス基板を含み得る。回路素子層（ＤＰ－ＣＬ）は、少なくとも１つの絶縁層と回路素子とを含む。回路素子は、信号ライン、ピクセルの駆動回路などを含む。コーティング、蒸着などによる絶縁層、半導体層及び導電層形成工程、並びにフォトリソグラフィ工程による絶縁層、半導体層及び導電層のパターニング工程を通して回路素子層（ＤＰ－ＣＬ）が形成され得る。
本実施形態では、回路素子層（ＤＰ－ＣＬ）は、バッファ膜（ＢＦＬ）、第１の絶縁層１０、第２の絶縁層２０、及び第３の絶縁層３０を含み得る。一例として、第１の絶縁層１０及び第２の絶縁層２０は無機膜であり、第３の絶縁層３０は、有機膜であり得る。ただし、これに限定されずに、第１の絶縁層１０及び第２の絶縁層２０は、無機膜及び有機膜の混合された層であり得る。
図５には、駆動トランジスタ（Ｔ－Ｄ）を構成する半導体パターン（ＯＳＰ）、制御電極（ＧＥ）、入力電極（ＤＥ）、及び出力電極（ＳＥ）の配置の関係が例として示された。また、第１、第２、及び第３の貫通ホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３）が例として示された。
表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）は、表示素子として発光素子（ＯＬＥＤ）を含む。発光素子（ＯＬＥＤ）は、上述したソース光を生成することができる。発光素子（ＯＬＥＤ）は、第１の電極（ＡＥ）、第２の電極（ＣＥ）、及びこれらの間に配置された発光層（ＥＮＬ）を含む。本実施形態では、発光素子（ＯＬＥＤ）は、有機発光ダイオードを含み得る。表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）は、ピクセル定義膜（ＰＤＬ）を含む。例えば、ピクセル定義膜（ＰＤＬ）は有機層であり得る。
第３の絶縁層３０上に第１の電極（ＡＥ）が配置される。第１の電極（ＡＥ）は、第３の絶縁層３０を貫通する第３の貫通ホール（ＣＨ３）を介して出力電極（ＳＥ）に接続される。ピクセル定義膜（ＰＤＬ）には、発光開口部（ＯＰ）が定義される。本発明の一実施形態によると、発光開口部（ＯＰ）は、第１の色光が発光層（ＥＮＬ）から出射される発光領域（ＥＡ）として定義することができる。
ピクセル定義膜（ＰＤＬ）の開口部（ＯＰ）は、第１の電極（ＡＥ）の少なくとも一部を露出させる。本発明の一実施形態によると、発光開口部（ＯＰ）は、発光素子（ＯＬＥＤ）から、実際の光が出射される発光領域として定義することができる。つまり、発光領域は、複数提供されてピクセル領域にそれぞれ対応することができる。
正孔制御層（ＨＣＬ）、発光層（ＥＮＬ）、電子制御層（ＥＣＬ）は、第１の電極（ＡＥ）とピクセル定義膜（ＰＤＬ）上に共通して配置され得る。正孔制御層（ＨＣＬ）、発光層（ＥＮＬ）、及び電子制御層（ＥＣＬ）は、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ、図４参照）に共通して配置され得る。
正孔制御層（ＨＣＬ）は、正孔輸送層を含み、正孔注入層をさらに含み得る。発光層（ＥＮＬ）は青色光を生成することができる。青色光は４１０nm～４８０nmの波長の光を含み得る。青色光の発光スペクトルは、４４０nm～４６０nmの範囲内で最大のピークを有し得る。電子制御層（ＥＣＬ）は、電子輸送層を含み、電子注入層をさらに含み得る。発光層（ＥＮＬ）はタンデム構造を有するか、又は単層構造を有し得る。
電子制御層（ＥＣＬ）上に第２の電極（ＣＥ）が配置される。第２の電極（ＣＥ）は、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）に共通して配置され得る。第２の電極（ＣＥ）は、第１の電極（ＡＥ）よりも大きい面積を有する。第２の電極（ＣＥ）上に第２の電極（ＣＥ）を保護するカバー層（ＣＬ）がさらに配置され得る。カバー層（ＣＬ）は、有機物質又は無機物質を含み得る。本発明の一実施形態では、カバー層（ＣＬ）は省略することができる。
図示は省略するが、下部表示基板１００は、図４に示す第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）に対応する第１～第３の発光素子を含み得る。第１～第３の発光素子の積層構造は、互いに同一であり、図５に示す発光素子（ＯＬＥＤ）の積層構造を有し得る。
図６は、本発明の一実施形態による上部表示基板を示すディスプレイパネルの断面図である。図７Ａは、本発明の一実施形態による上部表示基板の積層構造物の平面図である。図７Ｂは、本発明の一実施形態による上部表示基板の積層構造物の平面図である。図７Ｃは、本発明の一実施形態による光制御層の光特性を簡単に示す図面である。図８は、本発明の一実施形態による隔壁を示す斜視図である。図９は、本発明の一実施形態による図６に図示されたディスプレイパネルの一部を示す断面図である。
まず、図６を参照すると、上部表示基板２００は、第２のベース基板（ＢＳ２）、第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）、第１の上部絶縁層（ＩＬ）、光制御層（ＣＣＬ）、及び第２の上部絶縁層（ＲＬ）を含む。図示は省略するが、本発明の他の実施形態では、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）に対応する表示素子が互いに異なる波長の光を生成する場合には、光制御層（ＣＣＬ）は省略することができる。
第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）は、第２のベース基板（ＢＳ２）上に配置され得る。第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）は、カラーフィルター層に含まれる構成要素として定義され得る。本発明の一実施形態によると、第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）は、第２のベース基板（ＢＳ２）上に直接配置される。
本明細書では、「Ａの構成がＢの構成上に直接配置される」ということは、Ａの構成とＢ構成との間に接着層が配置されないことを意味する。すなわち、第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）は、第２のベース基板（ＢＳ２）上に接着層なしに直接配置され得る。
第１のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ）は、第１のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ）に重畳して、第１の色光とは異なる第２の色光の波長範囲に対応する光を透過し、他の波長範囲の光を吸収することができる。一例として、第２の色光は赤色光であり得る。第２のカラーフィルター（ＣＦ－Ｇ）は、第２のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｇ）に重畳して、第２の色光とは異なる第３の色光の波長範囲に対応する光を透過し、他の波長範囲の光を吸収することができる。一例として、第３の色光は緑色光であり得る。第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）は、第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｂ）に重畳して、第１の色光の波長範囲に対応する光を透過し、他の波長範囲の光を吸収することができる。
本発明によると、表示領域（ＤＡ）に重畳した第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）は、遮光層（ＳＨＤ）又は遮光部分（ＢＰ２）によって区画され得る。
本発明の一実施形態によると、第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）は、第１のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ）の屈折率、及び第２のカラーフィルター（ＣＦ－Ｇ）の屈折率よりも第２のベース基板（ＢＳ２）の屈折率と類似する屈折率を有する。その結果、外部から入ってくる外光が、第２のベース基板（ＢＳ２）を通過して第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）に入射することができる。したがって、第２のベース基板（ＢＳ２）と第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）との間の界面で発生する外光の反射を減少することができる。ただし、カラーフィルターの屈折率の関係は、これに限定されずに、第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）のそれぞれが、第２のベース基板（ＢＳ２）の屈折率と類似する屈折率を有してもよい。
第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）は、カラーフィルターの役割を有するフィルター部分（ＢＰ１）と遮光の役割を有する遮光部分（ＢＰ２）とに区分され得る。フィルター部分（ＢＰ１）は、第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｂ）に重畳し、遮光部（ＢＰ２）は遮光領域（ＮＰＸＡ）に重畳することができる。
詳しくは、図７Ａを参照すると、第２のベース基板（ＢＳ２）の一面に青色の有機層を形成した後、有機層を露光・現像して第１の開口部（Ｂ－ＯＰ１）及び第２の開口部（Ｂ－ＯＰ２）を有する第３のカラーフィルタ（ＣＦ－Ｂ）が形成され得る。つまり、フィルター部（ＢＰ１）と遮光部分（ＢＰ２）は一体の形状で提供され得る。
図７Ｂを参照すると、第１のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ）は、第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）で定義された第１の開口部（Ｂ－ＯＰ１）に配置される。平面上で、第１のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ）は、第１の開口部（Ｂ－ＯＰ１）を全体的にカバーし、少なくとも一部分の遮光部分（ＢＰ２）上に配置され得る。第２のカラーフィルター（ＣＦ－Ｇ）は、第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）で定義された第２の開口部（Ｂ－ＯＰ２）に配置される。平面上で、第２のカラーフィルタ（ＣＦ－Ｇ）は、第２の開口部（Ｂ－ＯＰ２）を全体的にカバーし、少なくとも一部分の遮光部分（ＢＰ２）上に配置され得る。
再び図６を参照すると、遮光層（ＳＨＤ）は、第３のカラーフィルタ（ＣＦ－Ｂ）の遮光部分（ＢＰ２）上に配置され得る。第１のカラーフィルタ（ＣＦ－Ｒ）の一部及び第２のカラーフィルター（ＣＦ－Ｇ）の一部は、遮光層（ＳＨＤ）上にそれぞれ配置され得る。第１のカラーフィルタ（ＣＦ－Ｒ）のエッジと遮光層（ＳＨＤ）とは、遮光部分（ＢＰ２）を介して伝達される外光を吸収することができ、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）の間の混色を防止することができる。また、遮光層（ＳＨＤ）は、光制御層（ＣＣＬ）から出力された光の一部を吸収することもできる。
第１の上部絶縁層（ＩＬ）は、第１～第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｒ、ＣＦ－Ｇ、ＣＦ－Ｂ）をカバーして第２のベース基板（ＢＳ２）上に配置され得る。一例として、第１の上部絶縁層（ＩＬ）は、無機膜として提供され得る。
光制御層（ＣＣＬ）は、第１の上部絶縁層（ＩＬ）上に配置される。光制御層（ＣＣＬ）は、表示素子層（ＤＰーＯＬＥＤ、図５を参照）から出力された第１の色光を制御することができる。例えば、光制御層（ＣＣＬ）は、第１の色光を他の色光に変換するか、又はそのまま透過させることができる。
光制御層（ＣＣＬ）は、第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過部（ＣＣＦ－Ｂ）を含む。第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）は、第１のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ）に重畳し、第１の色光を変換して第１の色光とは異なる第２の色光で出射させ得る。第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）は、第２のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｇ）に重畳し、第１の色光を変換して第２の色光とは異なる第３の色光に出射させ得る。透過部（ＣＣＦ－Ｂ）は、第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｂ）に重畳し、第１の色光を透過させ得る。
第２の上部絶縁層（ＲＬ）は、光制御層（ＣＣＬ）をカバーし、第１の上部絶縁層（ＩＬ）の上に配置され得る。一例として、第２の上部絶縁層（ＲＬ）は、無機膜として提供され得る。
詳しくは、図７Ｃを参照すると、第１の発光体（ＥＰ－Ｒ）は、青色光である第１の色光を吸収して赤色光である第２の色光を放出し、第２の発光体（ＥＰ－Ｇ）は、第１の色光を吸収して緑色光である第３の色光を放出することができる。透過部（ＣＣＦ－Ｂ）は、発光体を含んでいない部分であり得る。透過部（ＣＣＦ－Ｂ）は、第１の色光を透過させる部分であり得る。
また、第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過部（ＣＣＦ－Ｂ）は、ベース樹脂（ＢＲ）を含み得る。ベース樹脂（ＢＲ）は、高分子樹脂であり得る。例えば、ベース樹脂（ＢＲ）は、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などであり得る。ベース樹脂（ＢＲ）は、透明樹脂であり得る。
また、第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過部（ＣＣＦ－Ｂ）のそれぞれは、散乱粒子（ＯＬ）をさらに含み得る。散乱粒子（ＯＬ）は、ＴｉＯ２又はシリカ系ナノ粒子などであり得る。散乱粒子（ＯＬ）は、発光体から放出される光を散乱させて変換部の外部に放出することができる。また、透過部（ＣＣＦ－Ｂ）のように、提供された光をそのまま透過させる場合には、散乱粒子（ＯＬ）は、提供された光を散乱させて外部に放出することができる。
光制御層（ＣＣＬ）に含まれる第１及び第２の発光体（ＥＰ－Ｒ、ＥＰ－Ｇ、以下、発光体）は、蛍光体又は量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）であり得る。つまり、本発明の一実施形態では、光制御層（ＣＣＬ）は、発光体（ＥＰ－Ｒ、ＥＰ－Ｇ）に蛍光体又は量子ドットの少なくとも１つを含み得る。
一例として、発光体（ＥＰ－Ｒ、ＥＰ－Ｇ）として使用される蛍光体は、無機蛍光体であり得る。本発明の一実施形態のディスプレイパネル（ＤＰ）で発光体（ＥＰ－Ｒ、ＥＰ－Ｇ）として使用される蛍光体は、緑色光の蛍光体又は赤色光の蛍光体であり得る。
一方、本発明の一実施形態の光制御層（ＣＣＬ）に使用された蛍光体の種類は、開示された材料に限定されずに、上述した蛍光体以外の公知の蛍光体材料が使用され得る。
他の例として、光制御層（ＣＣＬ）に含まれる発光体（ＥＰ－Ｒ、ＥＰ）は量子ドットであり得る。量子ドットは、ＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＶＩ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択され得る。
ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ及びこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物と、ＡｇＩｎＳ、ＣｕＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、からなる群から選択され得る。
Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＣｕＧａＳ２及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物、又はＡｇＩｎＧａＳ２、ＣｕＩｎＧａＳ２などの４元素化合物から選択され得る。
ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、からなる群から選択され得る。
ＩＶ－ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される３元素化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される４元素化合物と、からなる群から選択され得る。ＩＶ族元素では、Ｓｉ、Ｇｅ及びこれらの混合物からなる群から選択され得る。ＩＶ族化合物としては、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される２元素化合物であり得る。
このとき、２元素化合物、３元素化合物又は４元素化合物は、均一な濃度で粒子内に存在するか、又は濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一の粒子内に存在するものであり得る。あるいは、１つの量子ドットが、他の量子ドットを取り囲むコア/シェル構造を有し得る。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有し得る。
いくつかの実施形態において、量子ドットは、前述したナノ結晶を有するコア、及び前記コアを取り囲むシェルを有するコア/シェル構造を含み得る。前記量子ドットのシェルは、前記コアの化学的変性を防止して、半導体特性を維持するための保護層の役割及び/又は量子ドットに電気泳動特性を付与するためのチャージング層（ｃｈａｒｇｉｎｇ ｌａｙｅｒ）の役割を遂行することができる。前記シェルは、単層又は複数層であり得る。コアとシェルの界面は、シェルに存在する元素の濃度が中心に行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有し得る。前記量子ドットのシェルの例としては、金属若しくは非金属の酸化物、化合物半導体、又はこれらの組み合わせなどが挙げられる。
例えば、前記金属又は非金属の酸化物は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＭｎＯ、Ｍｎ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、ＣｕＯ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、ＮｉＯなどの２元素化合物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４、ＣｏＭｎ２Ｏ４などの３元素化合物を例示することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
あるいは、前記化合物半導体は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＳｂ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＡｌＡｓ、ＡｌＰ、ＡｌＳｂなどを例示することができるが、本発明がこれに限定されるものではない。
量子ドットは、約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ おｆ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ：ＦＷＨＭ）を有することができ、この範囲で色純度や色再現性を向上させ得る。また、これらの量子ドットを介して発光される光は、全方向に放出されるため、視野角を向上させることができる。
また、量子ドットの形状は、量子ドットに関連する技術分野で一般的に使用される形態である。ここでは、量子ドットの形状は特に限定しないが、具体的には、球形、ピラミッド型、マルチアーム（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）型、立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤー、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを使用することができる。
量子ドットは、粒子のサイズに応じて放出する光の波長（色）を調節することができ、これにより、量子ドットは、青色、赤色、緑色などの多様な発光色を有し得る。第１の発光体（ＥＰ－Ｒ）及び第２の発光体（ＥＰ－Ｇ）が量子ドットである場合には、第１の発光体（ＥＰ－Ｒ）の粒子のサイズ及び第２の発光体（ＥＰ－Ｇ）の粒子のサイズは、互いに異なることが有り得る。例えば、第１の発光体（ＥＰ－Ｒ）の粒子のサイズは、第２の発光体（ＥＰ－Ｇ）の粒子のサイズよりも大きくなれる。このとき、第１の発光体（ＥＰ－Ｒ）は、第２の発光体（ＥＰ－Ｇ）より長波長の光を放出することができる。
再び図６を参照すると、図２における説明と同様に、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間に内部空間（ＧＰ）が定義され得る。特に、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間の内部空間（ＧＰ）により、第３の方向（ＤＲ３）で表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）と光制御層（ＣＣＬ）とが互いに離隔され得る。
また、前記離隔された空間により、表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）から出射された第１の色光が光制御層（ＣＣＬ）に正確に伝達されないことが有り得る。その結果、ディスプレイパネル（ＤＰ）の全体的な視認性が低下する。
例えば、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）のうちの第２のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｇ）及び第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｂ）から光が放出され得る。この場合には、第２のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｇ）及び第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｂ）に重畳した２つの発光素子（ＯＬＥＤ）からそれぞれ第１の色光が出射され、第１のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ）に重畳した発光素子（ＯＬＥＤ）から第１の色光が出射されない。
しかし、前記離隔された空間により、前記２つの発光素子（ＯＬＥＤ）からそれぞれ出射された第１の色光の一部が、第１のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ）に重畳した第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）に伝達され得る。その結果、第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）から第２の色光が出射され、第１のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ）を介して外部から視認することができる。
本発明の一実施形態によると、ディスプレイパネル（ＤＰ）は、光制御層（ＣＣＬ）上に配置され、遮光領域（ＮＰＸＡ）に重畳する隔壁（ＤＭ）を含み得る。隔壁（ＤＭ）は、遮光領域（ＮＰＸＡ）に全体的に重畳することができ、第３の方向（ＤＲ３）で一定の高さを有し得る。ここで、第３の方向（ＤＲ３）は、上部表示基板２００の厚さ方向であり得る。
本発明による隔壁（ＤＭ）は、上部表示基板２００を介して外部に出力される光の混色を防止することができる。例えば、１つの発光素子（ＯＬＥＤ）から出射された第１の色光は、ピクセル領域（ＰＸＡ）のうちの前記１つの発光素子（ＯＬＥＤ）に重畳したピクセル領域を介して外部に出射され得る。つまり、隔壁（ＤＭ）を介して、前記いずれか１つの発光素子（ＯＬＥＤ）から出射された第１の色光が、ピクセル領域（ＰＸＡ）のうちの前記一つの発光素子（ＯＬＥＤ）と重畳しない、他のピクセルの領域に伝達されることを防ぐことができる。また、本発明による隔壁（ＤＭ）は、ピクセル領域を介して外部に出射される光の放出効率を高めることができる。
詳しくは、図８を参照すると、隔壁（ＤＭ）は、遮光領域（ＮＰＸＡ）に重畳した第２の上部絶縁層（ＲＬ）上に配置され得る。以下では、図８に示された構成を簡潔に説明するために、隔壁（ＤＭ）と光制御層（ＣＣＬ）との間に配置された第２の上部絶縁層（ＲＬ）が省略されたと仮定し、隔壁（ＤＭ）が光制御層（ＣＣＬ）上に配置されたものとして説明する。また、実際に第２の上部絶縁層（ＲＬ）は省略されることも有り得る。
本発明の一実施形態によると、隔壁（ＤＭ）は、隔壁部（ＰＣ）及び隔壁部（ＰＣ）をカバーする反射部（ＲＣ）を含み得る。
隔壁部（ＰＣ）は、平面上で、第１～第３のピクセル領域（ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ）を取り囲み、光制御層（ＣＣＬ）から第３の方向（ＤＲ３）で一定の高さだけ延長することができる。隔壁部（ＰＣ）の少なくとも一部は、光制御層（ＣＣＬ）の上面上に配置され、隔壁部（ＰＣ）の他の一部は、第３のカラーフィルター（ＣＦ－Ｂ）の遮光部分（ＢＰ２）上に配置され得る。つまり、隔壁部（ＰＣ）の他の一部は、光制御層（ＣＣＬ）の第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過（ＣＣＦ－Ｂ）とともに同じ層状に配置され得る。本明細書において、同じ層上に配置されるということは、互いに異なる２つ以上の構成が１つの構成上に直接配置されることを意味する。
また、隔壁部（ＰＣ）は、第１の色光の波長範囲の光を吸収することができる。一例として、隔壁部（ＰＣ）は、黒色を有し得る。
反射部（ＲＣ）は、遮光領域（ＮＰＸＡ）に重畳して隔壁部（ＰＣ）の少なくとも一部をカバーすることができる。一例として、図８に示すように、反射部（ＲＣ）は、隔壁部（ＰＣ）の外側面を全体的にカバーし、光制御層（ＣＣＬ）上に配置され得る。また、反射部（ＲＣ）は、高い反射率の物質で提供され得る。例として、反射部（ＲＣ）は、アルミニウム、銅などの金属物質を含み得る。
本発明によると、反射部（ＲＣ）が金属物質で提供され、隔壁部（ＰＣ）の外側面をカバーすることにより、光制御層（ＣＣＬ）に伝達される光の放出効率を向上させることができる。
詳しくは、図９を参照すると、下部表示基板１００は、第１の色光を出射する発光領域（ＥＡ）、及びこれに隣接する非発光領域（ＮＥＡ）を含む。以下では、図９に示す発光領域（ＥＡ）を介して出射された第１の色光は、光制御層（ＣＣＬ）に提供されたいずれか１つの変換部（ＣＣＦｚ）に伝達されるものとする。
上述したように、１つの発光領域（ＥＡ）を介して出射された第１の色光は、変換部（ＣＣＦｚ）と向き合う方向にのみ伝達されるのではなく、他のピクセル領域に重畳した他の変換部と向き合う方向にも出射される。以下では、発光領域（ＥＡ）を介して出射された第１の色光の中で前記変換部（ＣＣＦｚ）と向き合う方向に出射された光は、第１の光と定義され、他の変換部と向き合う方向に出射された光は、第２の光と定義される。
本発明による隔壁（ＤＭ）の反射部（ＲＣ）は、第２の光を反射させて前記変換部（ＣＣＦｚ）に伝達することができる。その結果、発光領域（ＥＡ）から変換部（ＣＣＦｚ）に伝達される光量を多くすることができる。また、変換部（ＣＣＦｚ）に伝達される光量が多くなることに伴い、変換部（ＣＣＦｚ）に重畳したピクセル領域（ＰＸＡ）を介して外部に出射される光の放出効率を向上させることができる。したがって、ディスプレイパネル（ＤＰ）の全体的な視認性を向上させることができる。
図６及び図９に示す本発明の一実施形態によると、隔壁（ＤＭ）は、下部表示基板１００から一定の間隔で離隔され得る。また、隔壁（ＤＭ）は、上部表示基板２００から第３の方向（ＤＲ３）に一定の高さを有し得る。
例えば、第３の方向（ＤＲ３）で、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間の高さは、第１の長さ（Ｄ１ａ）と定義され、隔壁（ＤＭ）の高さは第２の長さ（Ｄ１ｂ）と定義される。この場合には、第２の長さ（Ｄ１ｂ）は、第１の長さ（Ｄ１ａ）の０.６倍以上０.９５倍以下の長さを有し得る。つまり、前記隔壁（ＤＭ）が前記第２の長さ（Ｄ１ｂ）を有するため、第２の光が隔壁（ＤＭ）を介して、より多く反射され得る。
特に、隔壁部（ＰＣ）は、第１の部分（ＰＣａ）、及び第１の部分（ＰＣａ）に隣接した第２の部分（ＰＣｂ）を含む。第１の部分（ＰＣａ）及び第２の部分（ＰＣｂ）が一体の形状で提供され得る。すなわち、第１の部分（ＰＣａ）及び第２の部分（ＰＣｂ）は、同じ工程によって形成され得る。
第１の部分（ＰＣａ）は、遮光領域（ＮＰＸＡ）に重畳し、第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過部（ＣＣＦ－Ｂ）のうちの隣接する２つの間の空間に配置され得る。すなわち、第１の部分（ＰＣａ）は、第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過部（ＣＣＦ－Ｂ）とともにカラーフィルター層（ＣＦＹ）上に配置された部分であり得る。例えば、第１の部分（ＰＣａ）は、図６に示した遮光層（ＳＨＤ）に全体的に重畳することができる。
第２の部分（ＰＣｂ）は、下部表示基板１００と向き合う第１の変換部（ＣＣＦ－Ｒ）、第２の変換部（ＣＣＦ－Ｇ）、及び透過部（ＣＣＦ－Ｂ）のそれぞれの下面上に配置された部分であり得る。平面上で、第２の部分（ＰＣｂ）の幅（Ｄ２ａ）は、第１の部分（ＰＣａ）の幅（Ｄ２ｂ）より大きくすることができる。また、本明細書で隔壁（ＤＭ）の外側面とは、第２の部分（ＰＣｂ）の外側面を意味することができる。つまり、隔壁（ＤＭ）の外側面とは、内部空間（ＧＰ）に露出した第２の部分（ＰＣｂ）を意味する。
本発明によると、第３の方向（ＤＲ３）による第２の部分（ＰＣｂ）の高さは、第１の部分（ＰＣａ）の高さよりも大きくすることができる。図８を通して説明された隔壁（ＤＭ）の第２の長さ（Ｄ１ｂ）は、第２の部分（ＰＣｂ）の高さを意味する。
また、本発明の一実施形態によると、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間の内部空間（ＧＰ）には、充填剤（ＣＰｚ）が満たされる。この場合には、隔壁（ＤＭ）が下部表示基板１００から一定の間隔で離隔されることに伴い、充填剤（ＣＰｚ）が内部空間（ＧＰ）に全体的に満たされる。充填剤（ＣＰｚ）は、透明物質が用いられる。充填剤（ＣＰｚ）が内部空間（ＧＰ）に設けられることで、上部表示基板２００と下部表示基板１００との間の離隔距離を一定に保つことができる。
図１０は、本発明の他の実施形態によるディスプレイパネルの断面図である。図１０に示したディスプレイパネル（ＤＰａ）は、図６に示したディスプレイパネル（ＤＰ）に比べて、主に、隔壁（ＤＭａ）の構造が変形された構造であり、その他の構成は、実質的に同一であり得る。したがって、図１０に示したディスプレイパネル（ＤＰａ）を簡潔に説明するために、主に、変形された隔壁（ＤＭａ）の構造を説明する。
図１０を参照すると、隔壁（ＤＭａ）は、隔壁部（ＰＣ）、及び隔壁部（ＰＣ）を間に置いて離隔された反射部（ＲＣ１ａ、ＲＣ１ｂ）を含む。
本発明の他の実施形態によると、反射部（ＲＣ１ａ、ＲＣ１ｂ）は、隔壁部（ＰＣ）の少なくとも一部を露出させ得る。隔壁部（ＰＣ）の前記少なくとも一部は、内部空間（ＧＰ）に露出しており、下部表示基板１００と向き合う隔壁部（ＰＣ）の外側面であり得る。反射部（ＲＣ１ａ、ＲＣ１ｂ）は、内部空間（ＧＰ）に露出した隔壁部（ＰＣ）の前記一部を挟んで互いに離隔され得る。
一方、下部表示基板１００の表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）から出射された第１の色光が前記一部を介して伝達される場合には、隔壁部（ＰＣ）により第１の色光が吸収され得る。
図１１Ａは、本発明の他の実施形態によるディスプレイパネルの断面図である。図１１Ｂは、本発明の他の実施形態によるディスプレイパネルの断面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂに示したディスプレイパネル（ＤＰｂ）は、図１０に示したディスプレイパネル（ＤＰａ）に比べて、主に、隔壁（ＤＭｂ）の構造が変形された構造であり、その他の構成は、実質的に同一であり得る。したがって、図１１Ａ及び図１１Ｂに示したディスプレイパネル（ＤＰｂ）を簡潔に説明するために、主に、隔壁（ＤＭｂ）の構造を説明する。
図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すると、隔壁（ＤＭｂ）は、下部表示基板１００に接触することができる。つまり、隔壁（ＤＭｂ）、上部表示基板２００、及び下部表示基板１００によって複数の空間（ＳＰ）が定義され得る。複数の空間（ＳＰ）は、複数のピクセル領域（ＰＸＡ）にそれぞれ重畳することができる。
隔壁（ＤＭｂ）は、隔壁部（ＰＣ）、及び隔壁部（ＰＣ）を間に置いて離隔された反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）を含む。反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）は、隔壁部（ＰＣ）の少なくとも一部を露出させることができる。
本発明の一実施形態によると、反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）と反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）によって露出された隔壁部（ＰＣ）のそれぞれは、下部表示基板１００に接触することができる。例として、図１１Ａに示したように、反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）と反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）によって露出された隔壁部（ＰＣ）のそれぞれは、表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）のカバー層（ＣＬ）に直接配置され得る。
これと比較して、図１１Ｂに示したように、反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）と反射部（ＲＣ２ａ、ＲＣ２ｂ）によって露出された隔壁部（ＰＣ）のそれぞれは、表示素子層（ＤＰ－ＯＬＥＤ）の第２の電極（ＣＥ）に直接配置され得る。この場合には、カバー層（ＣＬ）は省略することができる。
一方、図１１Ａ及び図１１Ｂを通して隔壁部（ＰＣ）の少なくとも一部が、反射部によって露出されるものとして説明されたが、これに限定されない。他の例として、反射部は、隔壁部（ＰＣ）の外側面を全体的にカバーすることができる。
以上のように、図面と明細書において実施形態が開示された。ここでは、特定の用語が使用されたが、これは単に本発明を説明するための目的で使用されたのであって、本発明の説明を限定するために使用されたものではなく、また、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的範囲を制限するために使用されたものではない。よって、本技術分野における通常の知識を有する者（当業者）であれば、そこから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するだろう。したがって、本発明の技術的な保護範囲は、添付された特許請求の範囲の技術思想によって定められなければならないだろう。
１０、２０、３０ 第１の絶縁層、第２の絶縁層、第３の絶縁層
１００ 下部表示基板
２００ 上部表示基板
ＡＥ 第１の電極
ＣＥ 第２の電極
ＢＦＬ バッファ膜
Ｂ－ＯＰ１ 第１の開口部
Ｂ－ＯＰ２ 第２の開口部
ＢＰ１ フィルター部分
ＢＰ２ 遮光部分
ＢＲ ベース樹脂
ＢＳ１ 第１のベース基板
ＢＳ２ 第２のベース基板
Ｃａｐ キャパシタ
ＣＣＦｚ 変換部
ＣＣＦ－Ｒ、ＣＣＦ－Ｇ、ＣＣＦ－Ｂ 第１の変換部、第２の変換部、透過部
ＣＣＬ 光制御層
ＣＦ カラーフィルター
ＣＦＹ カラーフィルター層
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３ 第１の貫通ホール、第２の貫通ホール、第３の貫通ホール
ＣＰｚ 充填剤
ＣＬ カバー層
Ｄ１ａ、Ｄ１ｂ 第１の長さ、第２の長さ
ＤＡ 表示領域
ＤＥ 入力電極
ＤＭ 隔壁
ＤＰ ディスプレイパネル
ＤＬ データライン
ＤＰ－ＩＳ 表示面
ＤＰ－ＣＬ 回路素子層
ＤＰ－ＯＬＥＤ 表示素子層
ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３ 第１の方向、第２の方向、第３の方向
ＥＡ 発光領域
ＥＣＬ 電子制御層
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ 第１の電源電圧、第２の電源電圧
ＥＮＬ 発光層
ＥＰ－Ｒ、ＥＰ－Ｇ 第１の発光体、第２の発光体
ＧＥ 制御電極
ＧＬ ゲートライン
ＨＣＬ 正孔制御層
ＩＬ 第１の上部絶縁層
ＮＤＡ 非表示領域
ＮＥＡ 非発光領域
ＮＰＸＡ 遮光領域
ＯＬ 散乱粒子
ＯＬＥＤ 発光素子
ＯＰ 開口部
ＯＳＰ 半導体パターン
ＰＣ 隔壁部
ＰＤＬ ピクセル定義膜
ＰＬ 電源ライン
ＰＸ ピクセル
ＰＸＡ ピクセル領域
ＰＸＣ ピクセル回路
ＲＣ 反射部
ＲＬ 第２の上部絶縁層
ＳＥ 出力電極
ＳＨＤ 遮光層
ＳＬＭ 接着部材
ＳＰ 複数の空間
Ｔ１、Ｔ２ 第１のトランジスタ、第２のトランジスタ
Ｔ－Ｄ 駆動トランジスタ
１００ 下部表示基板
２００ 上部表示基板
ＡＥ 第１の電極
ＣＥ 第２の電極
ＢＦＬ バッファ膜
Ｂ－ＯＰ１ 第１の開口部
Ｂ－ＯＰ２ 第２の開口部
ＢＰ１ フィルター部分
ＢＰ２ 遮光部分
ＢＲ ベース樹脂
ＢＳ１ 第１のベース基板
ＢＳ２ 第２のベース基板
Ｃａｐ キャパシタ
ＣＣＦｚ 変換部
ＣＣＦ－Ｒ、ＣＣＦ－Ｇ、ＣＣＦ－Ｂ 第１の変換部、第２の変換部、透過部
ＣＣＬ 光制御層
ＣＦ カラーフィルター
ＣＦＹ カラーフィルター層
ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３ 第１の貫通ホール、第２の貫通ホール、第３の貫通ホール
ＣＰｚ 充填剤
ＣＬ カバー層
Ｄ１ａ、Ｄ１ｂ 第１の長さ、第２の長さ
ＤＡ 表示領域
ＤＥ 入力電極
ＤＭ 隔壁
ＤＰ ディスプレイパネル
ＤＬ データライン
ＤＰ－ＩＳ 表示面
ＤＰ－ＣＬ 回路素子層
ＤＰ－ＯＬＥＤ 表示素子層
ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３ 第１の方向、第２の方向、第３の方向
ＥＡ 発光領域
ＥＣＬ 電子制御層
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ 第１の電源電圧、第２の電源電圧
ＥＮＬ 発光層
ＥＰ－Ｒ、ＥＰ－Ｇ 第１の発光体、第２の発光体
ＧＥ 制御電極
ＧＬ ゲートライン
ＨＣＬ 正孔制御層
ＩＬ 第１の上部絶縁層
ＮＤＡ 非表示領域
ＮＥＡ 非発光領域
ＮＰＸＡ 遮光領域
ＯＬ 散乱粒子
ＯＬＥＤ 発光素子
ＯＰ 開口部
ＯＳＰ 半導体パターン
ＰＣ 隔壁部
ＰＤＬ ピクセル定義膜
ＰＬ 電源ライン
ＰＸ ピクセル
ＰＸＡ ピクセル領域
ＰＸＣ ピクセル回路
ＲＣ 反射部
ＲＬ 第２の上部絶縁層
ＳＥ 出力電極
ＳＨＤ 遮光層
ＳＬＭ 接着部材
ＳＰ 複数の空間
Ｔ１、Ｔ２ 第１のトランジスタ、第２のトランジスタ
Ｔ－Ｄ 駆動トランジスタ
Claims (17)
- 第１の色を出射する複数の表示素子を含む下部表示基板と、
前記複数の表示素子に重畳し、前記第１の色を含む光を制御して、前記制御された光をピクセル領域に提供するように構成されると共に、前記ピクセル領域と前記ピクセル領域に隣接する遮光領域とに重畳する光制御層と、
前記遮光領域に重畳した隔壁部及び前記隔壁部に配置される反射部を含み、前記下部表示基板と前記光制御層との間に配置された隔壁と、
前記光制御層と前記隔壁との間に配置され、前記光制御層に接触すると共に前記光制御層を覆う絶縁層と、を備え、
前記隔壁は、前記下部表示基板から一定の間隔で離隔され、
前記下部表示基板の厚さ方向において、前記ピクセル領域と重畳する前記絶縁層と、前記下部表示基板に含まれる平坦なカバー層との間の高さは、第１の長さとして定義され、前記隔壁の高さは第２の長さとして定義され、
前記第２の長さは、前記第１の長さの０.６倍以上０.９５倍以下の長さを有することを特徴とするディスプレイパネル。 - 前記反射部は、前記下部表示基板に対向する前記隔壁部の少なくとも一部を露出することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイパネル。
- 前記ピクセル領域は、一方向に配列された第１のピクセル領域、第２のピクセル領域、及び第３のピクセル領域を含み、
前記光制御層は、
前記第１のピクセル領域に重畳して前記第１の色を変換して第２の色を含む光を出射する第１の変換部と、
前記第２のピクセル領域に重畳して前記第１の色を変換して前記第２の色と異なる第３の色を含む光を出射する第２の変換部と、
前記第３のピクセル領域に重畳して前記第１の色を含む光を透過する透過部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイパネル。 - 前記隔壁部は、前記第１の変換部、前記第２の変換部、及び前記透過部のうちの隣接する２つの間の空間に配置された第１の部分と、前記第１の部分に隣接して前記第１の変換部の下面上と、前記第２の変換部の下面上に配置された第２の部分と、を含むことを特徴とする請求項３に記載のディスプレイパネル。
- 前記下部表示基板の厚さ方向において、前記第２の部分の高さは、前記第１の部分の高さよりも大きいことを特徴とする請求項４に記載のディスプレイパネル。
- 前記第２の部分の幅は、前記第１の部分の幅よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載のディスプレイパネル。
- 前記光制御層上に配置されるベース基板と、
前記ベース基板と前記下部表示基板との間に配置された接着部材と、をさらに含み、
前記ベース基板と前記下部表示基板との間に内部空間が定義されることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイパネル。 - 前記内部空間に配置された充填剤をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のディスプレイパネル。
- 下部表示基板上に配置されるベース基板と、
前記下部表示基板と対向する前記ベース基板の下面に配置されたカラーフィルター層と、をさらに含み、
前記光制御層は、前記下部表示基板に対向する前記カラーフィルター層の下面に配置されることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイパネル。 - 前記ピクセル領域は、一方向に配列された第１のピクセル領域、第２のピクセル領域、及び第３のピクセル領域を含み、
前記カラーフィルター層は、
前記第１のピクセル領域に重畳して前記第１の色とは異なる第２の色を含む光を透過する第１のカラーフィルターと、
前記第２のピクセル領域に重畳して前記第２の色とは異なる第３の色を含む光を透過する第２のカラーフィルターと、
前記第３のピクセル領域に重畳して前記第１の色を含む光を透過する第３のカラーフィルターと、を備えることを特徴とする請求項９に記載のディスプレイパネル。 - 前記第３のカラーフィルターは、前記第３のピクセル領域に重畳したフィルター部と、前記遮光領域に重畳した遮光部分と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載のディスプレイパネル。
- 前記カラーフィルター層は、前記ベース基板の前記下部表示基板上に直接配置され、
前記隔壁の少なくとも一部は、前記遮光領域に重畳することを特徴とする請求項１１に記載のディスプレイパネル。 - 前記隔壁部は、黒色で提供されることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイパネル。
- 第１の色を出射する複数の表示素子を含む下部表示基板と、
前記複数の表示素子に重畳し、前記第１の色を含む光を制御して、前記制御された光をピクセル領域に提供するように構成されると共に、前記ピクセル領域と前記ピクセル領域に隣接する遮光領域とに重畳する光制御層と、
前記遮光領域に重畳した隔壁部及び前記隔壁部に配置される反射部を含み、前記下部表示基板と前記光制御層との間に配置された隔壁と、を備え、
前記光制御層と前記隔壁との間に配置され、前記光制御層に接触すると共に前記光制御層を覆う絶縁層をさらに含み、
前記隔壁は、前記絶縁層及び前記下部表示基板のそれぞれに接触し、
前記隔壁、前記絶縁層、及び前記下部表示基板により前記ピクセル領域にそれぞれ重畳する複数の空間が定義されることを特徴とするディスプレイパネル。 - 前記反射部は、前記隔壁部の少なくとも一部分を露出し、前記露出した前記隔壁部の一部は、前記下部表示基板に接触することを特徴とする請求項１４に記載のディスプレイパネル。
- 前記下部表示基板は、
下部ベース基板と、
前記下部ベース基板上に配置された回路素子層と、
前記回路素子層上に配置され、前記表示素子を含む表示素子層と、を含み、
前記隔壁は、前記表示素子層上に接触することを特徴とする請求項１４に記載のディスプレイパネル。 - 前記表示素子層は、前記表示素子をカバーするカバー層をさらに含み、
前記隔壁は、前記カバー層上に接触することを特徴とする請求項１６に記載のディスプレイパネル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2019-0023273 | 2019-02-27 | ||
| KR1020190023273A KR20200104974A (ko) | 2019-02-27 | 2019-02-27 | 표시패널 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020140208A JP2020140208A (ja) | 2020-09-03 |
| JP2020140208A5 JP2020140208A5 (ja) | 2023-03-08 |
| JP7492835B2 true JP7492835B2 (ja) | 2024-05-30 |
Family
ID=72142069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020028674A Active JP7492835B2 (ja) | 2019-02-27 | 2020-02-21 | ディスプレイパネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11690261B2 (ja) |
| JP (1) | JP7492835B2 (ja) |
| KR (1) | KR20200104974A (ja) |
| CN (1) | CN111627958A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102575029B1 (ko) * | 2018-11-14 | 2023-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111211242B (zh) * | 2020-01-07 | 2021-08-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| KR20210116730A (ko) * | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR20220046043A (ko) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 그 제조방법 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299044A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2007157404A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
| JP2007305508A (ja) | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Sony Corp | 発光装置および光制御フィルム |
| WO2010004865A1 (ja) | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| JP2010134217A (ja) | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Sony Corp | カラーフィルタおよびその製造方法並びに発光装置 |
| WO2010146653A1 (ja) | 2009-06-15 | 2010-12-23 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 色変換フィルター基板 |
| WO2010150353A1 (ja) | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 富士電機ホールディングス株式会社 | フラットパネルディスプレイ、その製造中間体および製造方法 |
| JP2011022379A (ja) | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、当該カラーフィルタを備えた有機ｅｌ表示装置およびカラーフィルタの形成方法 |
| WO2013157510A1 (ja) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP2013254093A (ja) | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Sharp Corp | 蛍光体基板、表示装置および照明装置 |
| JP2015128027A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-09 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ装置、表示装置 |
| JP2015220215A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| WO2016204166A1 (ja) | 2015-06-15 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器 |
| WO2017033771A1 (ja) | 2015-08-21 | 2017-03-02 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、照明装置、電子機器 |
| JP2017187549A (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | シャープ株式会社 | 波長変換基板、波長変換基板の製造方法および表示装置 |
| CN107608114A (zh) | 2017-09-29 | 2018-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及驱动方法 |
| JP2018025802A (ja) | 2016-08-11 | 2018-02-15 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | カラーフィルタ、及びそれを含む表示装置 |
| CN108828834A (zh) | 2018-05-17 | 2018-11-16 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3705264B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
| KR100433992B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2004-06-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| JP4682651B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2011-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| US9647229B2 (en) | 2011-10-26 | 2017-05-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Color filter for organic electroluminescence display device, and organic electroluminescence display device |
| JP6596224B2 (ja) * | 2014-05-02 | 2019-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び入出力装置 |
| KR102343277B1 (ko) * | 2015-03-26 | 2021-12-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사층을 포함하는 표시 장치 |
| US10324343B2 (en) * | 2016-09-07 | 2019-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| KR102658367B1 (ko) | 2016-09-28 | 2024-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러 필터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20180039218A (ko) | 2016-10-07 | 2018-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 표시판 및 색변환 표시판의 제조 방법 및 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치 |
| KR20180044474A (ko) | 2016-10-21 | 2018-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 재귀반사층을 갖는 컬러 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102483320B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2022-12-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US20200135799A1 (en) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Innolux Corporation | Display device |
| KR20200084967A (ko) | 2019-01-03 | 2020-07-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
-
2019
- 2019-02-27 KR KR1020190023273A patent/KR20200104974A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-01-14 US US16/741,742 patent/US11690261B2/en active Active
- 2020-02-21 JP JP2020028674A patent/JP7492835B2/ja active Active
- 2020-02-27 CN CN202010123215.8A patent/CN111627958A/zh active Pending
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299044A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2007157404A (ja) | 2005-12-01 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 表示装置および電子機器 |
| JP2007305508A (ja) | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Sony Corp | 発光装置および光制御フィルム |
| WO2010004865A1 (ja) | 2008-07-10 | 2010-01-14 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| JP2010134217A (ja) | 2008-12-05 | 2010-06-17 | Sony Corp | カラーフィルタおよびその製造方法並びに発光装置 |
| WO2010146653A1 (ja) | 2009-06-15 | 2010-12-23 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 色変換フィルター基板 |
| WO2010150353A1 (ja) | 2009-06-23 | 2010-12-29 | 富士電機ホールディングス株式会社 | フラットパネルディスプレイ、その製造中間体および製造方法 |
| JP2011022379A (ja) | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタ、当該カラーフィルタを備えた有機ｅｌ表示装置およびカラーフィルタの形成方法 |
| WO2013157510A1 (ja) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| JP2013254093A (ja) | 2012-06-07 | 2013-12-19 | Sharp Corp | 蛍光体基板、表示装置および照明装置 |
| JP2015128027A (ja) | 2013-12-27 | 2015-07-09 | シャープ株式会社 | 有機ｅｌ装置、表示装置 |
| JP2015220215A (ja) | 2014-05-21 | 2015-12-07 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| WO2016204166A1 (ja) | 2015-06-15 | 2016-12-22 | シャープ株式会社 | 波長変換方式発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器 |
| WO2017033771A1 (ja) | 2015-08-21 | 2017-03-02 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、照明装置、電子機器 |
| JP2017187549A (ja) | 2016-04-01 | 2017-10-12 | シャープ株式会社 | 波長変換基板、波長変換基板の製造方法および表示装置 |
| JP2018025802A (ja) | 2016-08-11 | 2018-02-15 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | カラーフィルタ、及びそれを含む表示装置 |
| CN107608114A (zh) | 2017-09-29 | 2018-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及驱动方法 |
| CN108828834A (zh) | 2018-05-17 | 2018-11-16 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2020140208A (ja) | 2020-09-03 |
| US20200273929A1 (en) | 2020-08-27 |
| US11690261B2 (en) | 2023-06-27 |
| KR20200104974A (ko) | 2020-09-07 |
| CN111627958A (zh) | 2020-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7492835B2 (ja) | ディスプレイパネル | |
| US10978518B2 (en) | Display panel | |
| JP7407553B2 (ja) | 表示パネル | |
| US11877491B2 (en) | Display panel | |
| US11469287B2 (en) | Display panel and method for manufacturing the same | |
| US11450714B2 (en) | Display panel and display device including the same | |
| KR20200097380A (ko) | 색변환 기판 및 표시 장치 | |
| KR20220008995A (ko) | 표시 패널 | |
| KR20200133086A (ko) | 표시 패널 | |
| US11502279B2 (en) | Display module | |
| KR20200113077A (ko) | 표시 패널 | |
| US11600804B2 (en) | Display panel including a capping layer | |
| CN111192894A (zh) | 显示装置 | |
| CN219698377U (zh) | 显示装置 | |
| KR102577764B1 (ko) | 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| CN116896949A (zh) | 显示装置 | |
| KR20220167818A (ko) | 표시 패널 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230221 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230224 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20231031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231107 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20240206 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240402 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240507 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240520 |