JP2013254093A - 蛍光体基板、表示装置および照明装置 - Google Patents

蛍光体基板、表示装置および照明装置 Download PDF

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Abstract

【課題】隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられ、励起光源から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの側面を囲む障壁１３と、を備え、障壁１３の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する側面１３ａのうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有し、障壁１３の一部に光不透過部１４が設けられている蛍光体基板１０。
【選択図】図１

Description

本発明は、蛍光体基板、表示装置および照明装置に関する。
近年、従来主流であったブラウン管を使用した表示装置から、薄型のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表示装置へのニーズが高まりつつある。ＦＰＤには様々な種類のものがある。例えば、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、または、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）ディスプレイ等が知られている。
中でも、有機ＥＬディスプレイは、表示に使用する素子（有機ＥＬ素子）が薄型かつ軽量であり、加えて低電圧駆動、高輝度および自発光等の特性を有している。そのため、有機ＥＬ素子の研究開発が盛んに行われている。
有機ＥＬディスプレイとしては、青色〜青緑色発光する有機発光層を有する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子からの青色〜青緑色発光を励起光として吸収し、緑色を発光する蛍光体層からなる緑色画素と、有機ＥＬ素子からの青色〜青緑色発光を励起光として吸収し、赤色に発光する蛍光体層からなる赤色画素と、色純度を向上させるための青色カラーフィルターからなる青色画素と、を備え、フルカラー発光可能なものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記のような蛍光体層を備えた蛍光体基板には、画素毎に蛍光体層間を仕切る障壁が設けられることが多い。障壁は、主に、蛍光体層間における発光にじみ防止や、インクジェット等のウエットプロセスで蛍光体層を形成する場合のインクにじみ防止等の役割を果たす。しかしながら、障壁が光透過性である場合には、蛍光体層の発光が障壁を介して隣接する画素へ伝播し、発光にじみが生じるという課題があった。また、蛍光体層に吸収されなかった励起光が同じく障壁を介して隣接する画素へ伝播し、隣接する画素の蛍光体層を励起してクロストークが生じるという課題があった。それらの課題を解決するための方法としては、例えば、障壁の側面を光反射膜または光吸収膜で被膜する方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
特許第２７９５９３２号公報 特開２００８−２７７１８６号公報
しかしながら、障壁の側面に光反射膜を設けた場合、障壁がテーパー形状をなしていないと、光の入射角と反射角が不変であるため、光の取り出し効率を飛躍的に向上させることができないという課題があった。また、光の入射角と反射角を変えるためには、障壁のテーパー形状を含めて、種々のパラメータを厳密に制御する必要があるため、製造プロセスが煩雑になる。また、下部電極同士が光反射膜を介して短絡しないように、外部絶縁膜を設ける必要があり、外部絶縁膜を設ける工程も、製造プロセスが煩雑になる一因となる。さらに、光吸収膜を設けた場合、光の取り出し効率を全く向上させることができないという課題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板を提供することを目的とする。
本発明の蛍光体基板は、基板と、前記基板上に設けられ、励起光源から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む障壁と、を備え、前記障壁の前記蛍光体層と接する側面のうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有し、前記障壁の一部に光不透過部が設けられていることを特徴とする。
本発明の蛍光体基板において、前記障壁の内部に光不透過部が設けられていることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記光不透過部は、光吸収部および／または光反射部からなることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記光不透過部は、テーパー形状をなしていることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記光不透過部の高さは、前記蛍光体層の膜厚以上であることが好ましい。
本発明の蛍光体基板において、前記障壁は、光散乱性粒子または光反射性粒子を含有することが好ましい。
本発明の表示装置は、本発明の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする。
本発明の表示装置において、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことが好ましい。
本発明の表示装置において、赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記青色光を散乱させる散乱体層が設けられたことが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、光射出面から光を射出する面状光源であり、前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことが好ましい。
本発明の表示装置において、前記光源は、指向性を有することが好ましい。
本発明の照明装置は、本発明の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板を提供することができる。
蛍光体基板の一実施形態を示す概略断面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 障壁の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略平面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部における不具合を説明する概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 光不透過部の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の一実施形態を示す概略断面図である。 光源基板を構成するＬＥＤ基板の一実施形態を示す概略断面図である。 光源基板を構成する有機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の１画素（サブ画素）の等価回路を示す図である。 表示装置の一実施形態を示す平面模式図である。 アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ層を用いた有機ＥＬ素子基板の断面図である。 光源基板を構成する無機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。 表示装置の一適用例であるシーリングライトを示す外観図である。 表示装置の一適用例である照明スタンドを示す外観図である。 表示装置の一適用例である携帯電話を示す外観図である。 表示装置の一適用例である薄型テレビを示す外観図である。 表示装置の一適用例である携帯型ゲーム機を示す外観図である。 表示装置の一適用例であるノートパソコンを示す外観図である。 表示装置の一適用例であるタブレット端末を示す外観図である。 実験例１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 実験例２の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 実験例３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。 実験例４の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。 実験例５の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。 実験例６の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。 実験例７の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。 実験例８の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。 実験例９の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。 実験例１０の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図である。 実験例１１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＫ−Ｋ線に沿う断面図である。 実験例１３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。
以下、図面を参照して、本発明に係る蛍光体基板、並びに、それを用いた表示装置および照明装置の実施形態について説明する。
なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をよりよく理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
［蛍光体基板］
図１は、蛍光体基板の一実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態に係る蛍光体基板１０は、基板１１と、基板１１の一方の面１１ａ上に設けられ、外部に設けられた励起光源（図示略）から入射した励起光Ｌ１により蛍光Ｌ２を生じる蛍光体層１２Ｇ（緑色蛍光体層）、励起光Ｌ１により蛍光Ｌ３を生じる蛍光体層１２Ｒ（赤色蛍光体層）、および、励起光Ｌ１により蛍光Ｌ４を生じる蛍光体層１２Ｂ（青色蛍光体層）と、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの側面を囲む障壁１３とから概略構成されている。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの励起光Ｌ１が入射する励起光入射面１２ａは、隔壁１３の開口部から露出している。すなわち、励起光入射面１２ａは、励起光源（図示略）から射出された励起光Ｌ１が入射可能な面である。励起光Ｌ１は蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂにおいて、蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４に変換され、蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４は蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの射出面１２ｂから射出される。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、ドット毎に分割された複数の蛍光体層からなり、複数の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、ドットによって異なる色の色光を発光するために、異なる蛍光体材料で構成されている。なお、これら複数の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを構成する蛍光体材料は、互いにその屈折率が異なっていてもよい。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、例えば、平面視矩形状の薄膜からなる。蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの励起光入射面１２ａの外面側に、励起光Ｌ１を透過し、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから放射された蛍光Ｌ２を反射する波長選択透過反射部材が形成されていてもよい。なお、励起光を透過するとは、励起光のピーク波長にあたる光を少なくとも透過することを意味し、また、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂで生じた蛍光を反射するとは、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからのそれぞれの発光ピーク波長にあたる光を少なくとも反射することを意味する。
障壁１３は、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する側面１３ａのうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有している。例えば、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが平面視矩形状をなしている場合、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを囲む障壁１３の外形も平面視矩形状をなすので、障壁１３の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する４つの側面１３ａのうち少なくとも１つが光散乱性または光反射性を有している。
本実施形態における光散乱性とは、公知の散乱現象のことであり、例えば、ミー散乱、レイリー散乱、多重散乱等が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されず、公知の散乱現象を適用することができる。光取出し効率を向上させるという観点では、後方散乱を利用した散乱現象を適用することが好ましい。また、本実施形態における光反射性とは、公知の反射現象のことであり、例えば、鏡面反射、拡散反射、再帰性反射等が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されず、公知の反射現象を適用することができる。また、本実施形態において、障壁１３の光散乱性と光反射性は必ずしも独立して存在する必要はなく、障壁１３が光散乱性と光反射性の両方を有していてもよい。その場合、単一の材料で光散乱性と光反射性の両方を発現させてもよいし、複数の材料で光散乱性と光反射性の両方を発現させてもよい。さらに付け加えると、複数の材料で光散乱性と光反射性の両方を発現させる場合、図２および図３に示すように、障壁１３を多段構造にして、各段に光散乱性と光反射性を適宜選択してもよい。例えば、図２（ｃ）に示すように、光反射性を有する層は、それぞれ反射率が異なっており（一方が○％、他方が□％）、光散乱性を有する層は、それぞれ散乱係数が異なっている（一方が△、他方が◇）。
なお、図３（ｃ）、（ｆ）に示すように、光散乱性を有する層が連続して設けられる場合、それぞれの層の光散乱性は異なっている。
また、障壁１３が多段構造の場合、図４および図５に示すように、異なる光学特性を有する光反射性部材だけで障壁１３を構成してもよいし、異なる光学特性を有する光散乱性部材だけで障壁１３を構成してもよい。ここで言う光学特性とは反射特性や散乱特性等を指すが、本実施形態はこれに限定されず、公知の光学特性を適宜選択してもよい。
障壁１３の側面１３ａが、光散乱性または光反射性を有するとは、障壁１３の側面１３ａに光散乱性または光反射性の膜が設けられていることを言う。また、障壁１３の側面１３ａが、光散乱性または光反射性を有するとは、障壁１３の側面１３ａに、光を散乱させるための凹凸形状が形成されていることを言う。
また、障壁１３の蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと接する４つの側面１３ａのうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有しているとは、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように、１つの側面１３ａのみが光散乱または光反射性を有していてもよいし、２つの側面１３ａが光散乱または光反射性を有していてもよいし、３つの側面１３ａが光散乱または光反射性を有していてもよいし、４つ全ての側面１３ａが光散乱または光反射性を有していてもよい。すなわち、図６（ａ）に示すように、１つの側面１３ａのみに光散乱または光反射性を有している領域（光不透過部１４）が設けられていてもよいし、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように、２つの側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよいし、図６（ｄ）に示すように、３つの側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよいし、図６（ｅ）に示すように、４つ全ての側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよい。
また、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、２つ以上の側面１３ａが光散乱または光反射性を有している場合、各側面１３ａの光散乱または光反射性を有している領域（光不透過部１４）が連続的に分布していてもよい。
さらに、図６（ａ）〜（ｅ）等に示すように、光散乱または光反射性を有している領域（光不透過部１４）は、障壁１３の側面１３ａにおける蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂと対向する領域のみに形成されている必要はなく、図８（ａ）〜（ｅ）に示すように、光不透過部１４は、ストライプ状をなして、１つの側面１３ａ全面に沿在していてもよい。なお、画素が複数ある場合、光不透過部１４がストライプ状をなしている方が作製し易い。
なお、障壁１３は、少なくとも側面１３ａが光散乱性または光反射性を有していればよいが、表面全面、すなわち、側面１３ａおよび上面１３ｂが光散乱性または光反射性を有していてもよい。
さらに、障壁１３の内部には、光不透過部１４が設けられている。
以下、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、蛍光体基板１０の構成部材およびその形成方法は、これらに限定されるものではない。
「基板」
基板１１としては、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂからの蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を外部に取り出す必要があることから、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの発光領域で、蛍光Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を透過する必要があり、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。
これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板を用いることが好ましい。さらに、ガスバリア性を向上させる観点から、プラスチック基板に無機材料をコートした基板がより好ましい。
「蛍光体層」
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子、紫外発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤ等の励起光源からの励起光Ｌ１を吸収し、赤色、緑色、青色に発光する赤色蛍光体層１２Ｒ、緑色蛍光体層１２Ｇ、青色蛍光体層１２Ｂから構成されている。ただし、励起光源として青色発光を適用する場合、青色蛍光体層１２Ｂを設けずに、励起光Ｌ１を青色画素からの発光としてもよい。また、励起光源として指向性を有する青色発光を適用する場合、青色蛍光体層１２Ｂを設けずに、当該指向性を有する励起光Ｌ１を散乱し、等方発光にして外部へ取り出すことができるような散乱体層を適用してもよい。
また、必要に応じて、シアン光、イエロー光に発光する蛍光体層を画素に加えることが好ましい。ここで、シアン光、イエロー光に発光する画素のそれぞれの色純度を、色度図上での赤色、緑色、青色に発光する画素の色純度の点で結ばれる三角形より外側にすることで、赤色、緑色、青色の３原色を発光する画素を使用する表示装置より色再現範囲をさらに拡げることが可能となる。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。
蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。以下に、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料の具体的な化合物を例示するが、蛍光体材料はこれらの材料に限定されるものではない。
有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン等が挙げられる。
また、緑色蛍光色素としては、クマリン系色素：２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
また、赤色蛍光色素としては、シアニン系色素：４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン、ピリジン系色素：１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート、および、ローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。
無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｓｎ４＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ２、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、ＢａＡｌ２ＳｉＯ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、（Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｓｒ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
また、緑色蛍光体としては、（ＢａＭｇ）Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋、（ＳｒＢａ）Ａl１２Ｓｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、（ＢａＭｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７−Ｓｒ２Ｂ２Ｏ５：Ｅｕ２＋、（ＢａＣａＭｇ）５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８−２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋、Ｚｒ２ＳｉＯ４、ＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋等が挙げられる。
また、赤色蛍光体としては、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、ＹＡｌＯ３：Ｅｕ３＋、Ｃａ２Ｙ２（ＳｉＯ４）６：Ｅｕ３＋、ＬｉＹ９（ＳｉＯ４）６Ｏ２：Ｅｕ３＋、ＹＶＯ４：Ｅｕ３＋、ＣａＳ：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ３＋、Ｍｇ４ＧｅＯ５．５Ｆ：Ｍｎ４＋、Ｍｇ４ＧｅＯ６：Ｍｎ４＋、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５、Ｋ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５、Ｎａ５Ｅｕ２．５（ＭｏＯ４）６．２５等が挙げられる。
また、上記無機系蛍光体材料は、必要に応じて表面改質処理を施してもよく、その方法としては、シランカップリング剤等の化学的処理によるものや、サブミクロンオーダーの微粒子等の添加による物理的処理によるもの、あるいは、それらの併用によるもの等が挙げられる。
また、励起光による劣化、発光による劣化等の安定性を考慮すると、蛍光体材料としては、無機系蛍光体材料を用いることが好ましい。さらに、無機系蛍光体材料を用いる場合には、平均粒径（ｄ５０）が、０．５〜５０μｍであることが好ましい。無機系蛍光体材料の平均粒径が０．５μｍ未満であると、無機系蛍光体材料の発光効率が急激に低下する。一方、無機系蛍光体材料の平均粒径が５０μｍを超えると、高解像度にパターニングすることが困難になる。
また、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。
また、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、前記の高分子材料（結着用樹脂）として、感光性の樹脂（感光性樹脂）を用いることによって、フォトリソグラフィー法により、パターニングすることが可能となる。
ここで、感光性樹脂としては、アクリル酸系樹脂、メタクリル酸系樹脂、ポリ桂皮酸ビニル系樹脂、および、硬質ゴム系樹脂等の反応性ビニル基を有する感光性樹脂（光硬化型レジスト材料）からなる群より選択される１種類、または、２種類以上の混合物を用いることが可能である。
また、感光性樹脂を用いた場合、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂは、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法等のウエットプロセス、シャドーマスクを用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により蛍光体材料を直にパターニングすることにより形成することも可能である。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚は、通常１００ｎｍ〜１００μｍ程度であるが、１μｍ〜１００μｍであることが好ましい。また、励起光源からの励起光Ｌ１の吸収を高め、色純度に悪影響を及ぼさない程度に励起光Ｌ１の透過光を低減するためには、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚が１μｍ以上であることが好ましい。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚が１００ｎｍ未満であると、励起光源からの励起光Ｌ１を十分に吸収することが不可能であるため、発光効率の低下や、必要とされる色に励起光Ｌ１の透過光が混じることによる色純度の悪化といった問題が生じる。一方、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚が１００μｍを超えると、励起光源からの励起光Ｌ１を既に十分に吸収することから、発光効率の上昇には繋がらず、材料を消費するだけに留まり、材料コストのアップに繋がる。
一方、青色蛍光体層１２Ｂの代わりとして、散乱体層を適用する場合、光散乱性粒子は、有機材料から構成されていてもよいし、無機材料から構成されていてもよいが、無機材料から構成されていることが好ましい。これにより、外部（例えば、励起光源）からの指向性を有する励起光Ｌ１を、より等方的かつ効果的に、拡散または散乱させることが可能となる。また、無機材料を用いることにより、光および熱に安定な光散乱層を形成することが可能となる。
また、光散乱性粒子としては、透明度が高いものを用いることが好ましい。また、光散乱性粒子としては、低屈折率の母材中に、母材よりも高屈折率の微粒子を分散するものであることが好ましい。また、青色光が散乱体層によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。
光散乱性粒子として、無機材料を用いる場合には、無機材料としては、例えば、ケイ素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、インジウム、亜鉛、錫およびアンチモンからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を主成分とした粒子（微粒子）等が挙げられる。
また、光散乱性粒子として、無機材料から構成された粒子（無機微粒子）を用いる場合には、無機微粒子としては、例えば、シリカビーズ（屈折率：１．４４）、アルミナビーズ（屈折率：１．６３）、酸化チタンビーズ（アナタース型の屈折率：２．５０、ルチル型の屈折率：２．７０）、酸化ジルコニアビーズ（屈折率：２．０５）、酸化亜鉛ビーズ（屈折率：２．００）等が挙げられる。
光散乱性粒子として、有機材料から構成された粒子（有機微粒子）を用いる場合には、有機微粒子としては、例えば、ポリメチルメタクリレートビーズ（屈折率：１．４９）、アクリルビーズ（屈折率：１．５０）、アクリル−スチレン共重合体ビーズ（屈折率：１．５４）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、高屈折率メラミンビーズ（屈折率：１．６５）、ポリカーボネートビーズ（屈折率：１．５７）、スチレンビーズ（屈折率：１．６０）、架橋ポリスチレンビーズ（屈折率：１．６１）、ポリ塩化ビニルビーズ（屈折率：１．６０）、ベンゾグアナミン−メラミンホルムアルデヒドビーズ（屈折率：１．６８）、シリコーンビーズ（屈折率：１．５０）等が挙げられる。
上述した光散乱性粒子と混合して用いる樹脂材料としては、透光性の樹脂であることが好ましい。樹脂材料としては、例えば、メラミン樹脂（屈折率：１．５７）、ナイロン（屈折率：１．５３）、ポリスチレン（屈折率：１．６０）、メラミンビーズ（屈折率：１．５７）、ポリカーボネート（屈折率：１．５７）、ポリ塩化ビニル（屈折率：１．６０）、ポリ塩化ビニリデン（屈折率：１．６１）、ポリ酢酸ビニル（屈折率：１．４６）、ポリエチレン（屈折率：１．５３）、ポリメタクリル酸メチル（屈折率：１．４９）、ポリＭＢＳ（屈折率：１．５４）、中密度ポリエチレン（屈折率：１．５３）、高密度ポリエチレン（屈折率：１．５４）、テトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）、ポリ三フッ化塩化エチレン（屈折率：１．４２）、ポリテトラフルオロエチレン（屈折率：１．３５）等が挙げられる。
「障壁」
障壁１３が光反射性を有する場合、少なくとも障壁１３の側面１３ａに設けられる光反射性の膜を形成する反射材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。これらの反射材料の中でも、可視光全域に渡って高い反射率を有する観点から、アルミニウムまたは銀が好ましい。
なお、本実施形態において、反射材料は上記のものに限定されるものではないが、反射材料としては、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ表示系において８０％以上の反射率を有するものが好ましい。
また、障壁１３が光散乱性を有する場合、少なくとも障壁１３の側面１３ａに設けられる光散乱性の膜を形成する反射材料としては、上記の光散乱性粒子を用いることが好ましい。さらに、光散乱性粒子は、必要に応じて、樹脂に分散して用いてもよい。
また、青色光が上記の光散乱性の膜によって効果的に散乱するためには、光散乱性粒子の粒径がミー散乱の領域にあることが必要であるので、光散乱性粒子の粒径は１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。光散乱効果を用いる場合においても、光散乱性粒子としては、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ表示系において８０％以上の拡散反射率を有するものが好ましい。
障壁１３上に、光散乱性の膜または光反射性の膜を形成する方法としては、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法等が用いられる。
障壁１３上に、光散乱性の膜または光反射性の膜を形成する以外にも、障壁１３自体を、可視光を反射する材料や可視光を散乱する材料で形成してもよい。
障壁１３自体を、可視光を反射する材料や可視光を散乱する材料で形成する場合、基板１１と障壁１３の間に、遮光層を設けることが好ましい。これにより、外光によるコントラストの低下を抑止できる。
なお、障壁１３上に、光散乱性の膜または光反射性の膜を形成する場合、光散乱性の膜または光反射性の膜と、基板１１とが接する界面に遮光層を設けてもよいし、障壁１３および光散乱性の膜または光反射性の膜と、基板１１とが接する界面に遮光層を設けてもよい。
さらに、ある画素に進入するように設計された励起光が、隣接する画素に漏れて混色することを防止するためには、隣接する画素に進入しようとする光を吸収する目的で、光散乱性を有する障壁１３の光取出し方向とは反対側（基板１１とは反対側）に遮光層を設けてもよい。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの側面を囲む障壁１３の高さ（厚さ）は、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚よりも大きいことが好ましい。これにより、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが、励起光源側に設けられる構造物と接触して損傷することを防止できる。
また、少なくとも障壁１３の側面１３ａが、光散乱性または光反射性を有する場合、障壁１３の高さ（厚さ）を、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚よりも大きくすることによって、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂから、その側方へ漏れ出す蛍光成分を、光取出し方向（基板１１側）に効率よく伝播することができる。
「障壁への撥液性の付与」
蛍光体層をディスペンサー法、インクジェット法等によってパターニングする場合、障壁より蛍光体溶液が溢れ出て、隣接する画素間での混色を防止するために、障壁に撥液性を付与することが必須である。障壁に撥液性を付与する方法としては、例えば、以下のような方法が挙げられる。
（１）フッ素プラズマ処理
例えば、特開２０００−７６９７９号公報に開示されているように、障壁を形成した基板に対して、導入ガスをフッ素系とした条件下でプラズマ処理を行うことによって、障壁に撥液性を付与する。
（２）フッ素系表面改質剤の添加
光散乱性の障壁の材料にフッ素系表面改質剤を添加することによって、障壁に撥液性を付与することができる。フッ素系表面改質剤としては、例えば、ＵＶ硬化型表面改質剤ディフェンサ（ＤＩＣ社製）やメガファック等が用いられる。
「障壁の内部に設けられる光不透過部」
障壁１３の内部に設けられている光不透過部１４は、光吸収部または光反射部を組み合わせたものである。
光吸収部を構成する光吸収材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、チタンブラックやカーボンブラック等の黒色粒子が挙げられる。
光吸収部（光不透過部１４）の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、前記の光吸収材料を非感光性樹脂に分散させたものを用いて、スクリーン印刷法等により、直接、パターニングする方法、あるいは、前記の光吸収材料を非感光性樹脂に分散させたものを用いて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることにより形成する方法が用いられる。
障壁１３の内部に、光不透過部１４として光吸収部を設けることにより、散乱透過光が光吸収部に吸収されるので、隣接する画素へ、散乱透過光が伝播するのを防止することができる。
また、光反射部を構成する光反射材料としては、特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。これらの光反射材料の中でも、可視光全域に渡って高い反射率を有する観点から、アルミニウムまたは銀が好ましい。
光反射部（光不透過部１４）の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、前記の光反射材料を非感光性樹脂に分散させたものを用いて、スクリーン印刷法等により、直接、パターニングする方法、あるいは、蒸着法やスパッタリング法等のドライプロセスにより、光反射性がない部材に、前記の光反射材料をコーティングして、光反射部とする方法が用いられる。
障壁１３の内部に、光不透過部１４として光反射部を設けることにより、散乱透過光が光反射部で反射されるので、隣接する画素へ、散乱透過光が伝播するのを防止することができるばかりでなく、散乱透過光を元の画素へ戻すことによって、光の取り出し効率を向上させることができる。
製造プロセス等の問題により、光不透過部１４を光吸収部または光反射部のみで形成することが難しい場合、すなわち、製造プロセス等の問題により、散乱透過光を十分に防ぐための光吸収部または光反射部を単体で形成することができない場合、光吸収部と光反射部を組み合わせて、光不透過部１４を形成してもよい。光吸収部と光反射部を組み合わせる方法、すなわち、光吸収部と光反射部の配置は特に限定されるものではないが、例えば、図９に示すように、光吸収部２１の両側面側に光反射部２２，２２を配置することが好ましい。これにより、散乱透過光を光取出し方向に再利用する率を高めることができる。
また、図１０に示すように、光吸収部２１と光反射部２２を交互に連接するように配置してもよい。この場合、光不透過部１４の両側面は、光反射部２２で形成されるようにすることが光の取り出し効率を向上する観点から好ましい。また、光吸収部２１と光反射部２２の高さや幅を揃える必要はないし、光吸収部２１と光反射部２２とが一部重畳してもよい。さらに、光吸収部２１の光吸収機能や光反射部２２の光反射機能を揃える必要はなく、これらの性能を個別に決定することができる。
また、光吸収部また光反射部を設けるか、あるいは、光吸収部と光反射部の両方を組み合わせただけでは光不透過部１４の高さが十分でない場合、図１１に示すように、内部に、十分な高さを形成できる光透過部１５を形成し、その光透過部１５を覆うように、光反射部１６を形成して、光不透過部１４としてもよい。また、図１２に示すように、内部に、十分な高さを形成できる光透過部１５を形成し、その光透過部１５を覆うように、光吸収部１７を形成して、光不透過部１４としてもよい。また、図１３に示すように、内部に、十分な高さを形成できる光透過部１５を形成し、その光透過部１５を覆うように、光吸収部１７を形成し、さらに、その光吸収部１７を覆うように、光反射部１６を形成して、光不透過部１４としてもよい。ここで言う高さとは、少なくとも蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚以上の高さのことである。すなわち、図１４に示すように、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚よりも光不透過部１４の高さが低いと、光不透過部１４よりも高い位置で発光した蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの光が、光不透過部１４が形成されていない障壁１３を介して隣接画素へ透過するおそれがある。光不透過部１４の高さは、上述したように蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂの膜厚以上の高さであればよいので、障壁１３の高さと等しくする必要はない。
なお、図１５に示すように、光透過部１５の内部に、光反射部１６と光吸収部１７の両方が設けられていてもよい。あるいは、光透過部１５の内部に、光反射部または光吸収部のいずれか一方が設けられていてもよい。
また、光不透過部１４の少なくとも障壁１３と接する面をアッシング等であらすことにより、障壁１３を光不透過部１４に対して、より強固に固着させることもできる。
また、光不透過部１４の透過率は０％が理想的であるが、蛍光体材料、カラーフィルター材料、障壁材料等のディスプレイに用いられる部材；ディスプレイのコントラスト比や色にじみ等の許容値；発光スペクトル毎に許容される光不透過部１４の透過率等は、一意的に決定されるわけではないので、光不透過部１４の透過率の上限値および下限値等も一意的に決定することはできない。
したがって、本実施形態においても、光不透過部１４の透過率を任意に決定することができるが、少なくとも光不透過部１４の透過率は、障壁１３を構成する樹脂の透過率よりも低くなければならない。なぜならば、光不透過部１４の透過率が、障壁１３を構成する樹脂の透過率よりも高い場合、障壁１３内部を透過する光を、光不透過部１４で吸収あるいは反射する機能が十分に発揮できないおそれがあるからである。
また、図１に示すように、光不透過部１４は、テーパー形状をなしていることが好ましい。
図１では、光不透過部１４は、基板１１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなしている。この場合、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが形成されている基板１１の一方の面１１ａにおいて、光不透過部１４の幅が広くなっているので、蛍光や励起光が障壁１３を伝播して隣接する画素へ入射することを効果的に防ぐことが可能となる。
また、図１６に示すように、光不透過部１４は、基板１１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状をなしていてもよい。この場合、光不透過部１４が、障壁１３の内側に食い込む形となるので、基板１１と障壁１３との密着性を高める機能を果たすことができる。
また、図１７に示すように、光不透過部１４は、その高さ方向において、上面１４ａおよび下面１４ｂから中央部に向かって次第に幅が狭くなる形状をなしていてもよい。この場合、基板１１と光不透過部１４との接触面積が大きくなるので、基板１１と光不透過部１４との密着性を高めることができるとともに、光不透過部１４が、障壁１３の内側に食い込む形となるので、基板１１と障壁１３との密着性を高める機能を果たすことができる。
また、光不透過部１４を蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが設けられた基板１１の一方の面１１ａ側に設けることが困難な場合、図１８に示すように、蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂが設けられた基板１１と対向する位置にある障壁１３の一部に光不透過部１４を設けてもよい。
ただし、この場合、障壁１３を透過して隣接画素へ入る蛍光成分を低減するため、図１９に示すように、光不透過部１４の高さは障壁１３の高さに近ければ近いほど好ましい。このような光不透過部１４が形成された障壁１３の作製手法としては、予め仮基板上に、光不透過部１４が形成された障壁１３を作製しておき、基板１１の一方の面１１ａへ転写する等の手法が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されない。
なお、図１８、１９では、障壁１３内部において、その中央に光不透過部１４が設けられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、障壁１３の内部または側面１３ａであれば、どこの位置に光不透過部１４が設けられていてもよい。例えば、図２０に示すように、障壁１３の側面１３ａに光不透過部１４が設けられていてもよい。
光不透過部１４は、多段構造をなしていてもよい。例えば、図１７に示すような形状の光不透過部１４を形成する場合、図１に示すテーパー形状の光不透過部１４を形成した後、その上に、図１６に示すテーパー形状の光不透過部１４を形成してもよい。
また、光不透過部１４を連続体で形成することが困難な場合、図２１に示すように、光不透過部１４を分離して形成してもよい。この場合、光不透過部１４の間隙を縫って隣接画素へ入る蛍光成分を低減するため、間隙は限りなく無くすことが好ましい。このような光不透過部１４が形成された障壁１３の作製手法としては、予め仮基板上に、光不透過部１４が設けられた障壁１３を形成しておき、一方、基板１１の一方の面１１ａにも光不透過部１４が設けられた障壁１３を形成しておき、仮基板上に形成された光不透過部１４が設けられた障壁１３を、基板１１の一方の面１１ａに形成された光不透過部１４が設けられた障壁１３上へ転写する等の手法が挙げられるが、本実施形態はこれに限定されない。
なお、図２１では、障壁１３内部において、その中央に光不透過部１４が設けられている場合を例示したが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態にあっては、障壁１３の内部または側面１３ａであれば、どこの位置に光不透過部１４が設けられていてもよい。例えば、図２２に示すように、高さ方向に沿う断面において、２つの光不透過部１４がずれて配置されていてもよい。また、図２３に示すように、高さ方向に沿う断面において、分離して形成された２つの光不透過部１４の形状や大きさは異なっていてもよいし、端面を合わせる必要もない。また、図２４に示すように、障壁１３の側面１３ａ側に光不透過部１４が設けられていてもよい。
また、光不透過部１４が多段構造である場合、各段における光吸収機能や光反射機能を任意に決定することができる。例えば、光不透過部１４が二段構造である場合、一段目が光反射機能を有し、二段目が光吸収機能を有するように、光不透過部１４を形成してもよい。
さらに、光不透過部１４が多段構造である場合、各段の光吸収機能や光反射機能を揃える必要はなく、これらの性能を任意に決定することができる。
当然のことながら、上述の光透過部１５を組み合わせて多段構造を形成してもよい。
「カラーフィルター」
蛍光体基板１０において、基板１１と蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂとの間に、カラーフィルターを設けることが好ましい。
カラーフィルターとしては、従来のカラーフィルターが用いられる。カラーフィルターを設けることによって、赤色画素、緑色画素、青色画素の色純度を高めることが可能となり、蛍光体基板１０を用いた表示装置の色再現範囲を拡大することができる。
蛍光体層１２Ｒ（赤色蛍光体層）と対向するように設けられる赤色カラーフィルターは、蛍光体層１２Ｒを励起する励起光（外光）を吸収する。これにより、外光による蛍光体層１２Ｒの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。また、赤色カラーフィルターにより、蛍光体層１２Ｒにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出すことを防止できる。このため、蛍光体層１２Ｒからの発光と励起光Ｌ１による混色に起因する蛍光Ｌ３の色純度の低下を防止することが可能となる。
同様に、蛍光体層１２Ｇ（緑色蛍光体層）と対向するように設けられる緑色カラーフィルターは、蛍光体層１２Ｇを励起する励起光（外光）を吸収する。これにより、外光による蛍光体層１２Ｇの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。また、緑色カラーフィルターにより、蛍光体層１２Ｇにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出すことを防止できる。このため、蛍光体層１２Ｇからの蛍光Ｌ２と励起光Ｌ１による混色に起因する発光の色純度の低下を防止することが可能となる。
同様に、蛍光体層１２Ｂ（青色蛍光体層）と対向するように設けられる青色カラーフィルターは、蛍光体層１２Ｂを励起する励起光（外光）を吸収する。これにより、外光による蛍光体層１２Ｂの発光を低減・防止することが可能となり、コントラストの低下を低減・防止することができる。また、青色カラーフィルターにより、蛍光体層１２Ｂにより吸収されず、透過してしまう励起光Ｌ１が外部に漏れ出すことを防止できる。このため、蛍光体層１２Ｂからの蛍光Ｌ４と励起光Ｌ１による混色に起因する発光の色純度の低下を防止することが可能となる。
［表示装置］
図２５は、表示装置の一実施形態を示す概略断面図である。
表示装置３０は、蛍光体基板１０と、蛍光体基板１０上に、接着層３１を介して貼り合わされた光源基板３２とから概略構成されている。
蛍光体基板１０は、赤色、緑色および青色の表示をそれぞれ行う３つのドットにより画像を構成する最小単位である１つの画素が構成されている。以下の説明では、赤色の表示を行うドットを赤色画素ＰＲ、緑色の表示を行うドットを緑色画素ＰＧ、青色の表示を行うドットを青色画素ＰＢと称する。
光源基板３２は、基板３３と、基板３３の蛍光体基板１０側の面（以下、「一方の面」と言う。）３３ａに配置された光源（励起光源）３４とから概略構成されている。
光源３４からは、励起光Ｌ１として、例えば、紫外光が射出される。蛍光体基板１０では、光源３４から射出された励起光Ｌ１を受けて、緑色画素ＰＧにおいて緑色の蛍光Ｌ２が生じ、赤色画素ＰＲにおいて赤色の蛍光Ｌ３が生じ、青色画素ＰＢにおいて青色の蛍光Ｌ４が生じる。そして、これら赤色、緑色および青色の３つの色光によってフルカラー表示が行われる。
（接着層）
接着層３１を構成する接着剤としては、例えば、一般の紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂等が用いられる。
（光源）
「基板」
基板３３としては、上記の基板１１と同様のものが用いられる。
蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂを構成する蛍光体を励起する光源３４としては、紫外光、青色光を発するものが好ましい。光源３４としては、特に限定されるものではないが、例えば、公知の紫外ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子、紫外発光有機ＥＬ素子、青色発光有機ＥＬ素子等が挙げられる。
また、これらの光源３４を直接スイッチングすることによって、画像を表示するための、発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることが可能であるが、蛍光体層と光源等の間に、液晶のようなシャッター機能を有する層を配置し、それを、コントロールすることにより、発光のＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることも可能である。また、液晶のようなシャッター機能を有する層と光源とを両方共ＯＮ／ＯＦＦをコントロールすることも可能である。
ここで、光源３４から発する紫外光としては、主発光ピークが３６０ｎｍ〜４１０ｎｍの発光が好ましく、青色光としては、主発光ピークが４３５ｎｍ〜４８０ｎｍの発光が好ましい。光源３４は、指向性を有していることが望ましい。指向性とは、光の強度が方向によって異なる性質をいう。指向性は、光が蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに入射する時点で有していればよい。光源３４は、平行光を蛍光体層１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂに入射させることが望ましい。
光源３４の指向性の程度としては、半値幅が±３０度以下であることが好ましく、より好ましくは半値幅が±１０度以下である。
半値幅が３０度よりも大きい場合、光源３４から射出された光が所望の画素以外に入射して、所望外の蛍光体を励起することにより、色純度やコントラストを低下させるためである。
以下、光源３４として好適に利用可能な発光素子について説明する。
「ＬＥＤ」
図２６は、光源基板３２を構成するＬＥＤ基板の一実施形態を示す概略断面図である。
ＬＥＤ基板４０は、基板４１と、基板４１の一方の面４１ａ上に順に積層された第一のバッファ層４２、ｎ型コンタクト層４３、第二のｎ型クラッド層４４、第一のｎ型クラッド層４５、活性層４６、第一のｐ型クラッド層４７、第二のｐ型クラッド層４８および第二のバッファ層４９と、ｎ型コンタクト層４３上に形成された陰極５０と、第二のバッファ層４９上に形成された陽極５１とから概略構成されている。
なお、ＬＥＤとしては、他の公知のＬＥＤ、例えば、紫外発光無機ＬＥＤ、青色発光無機ＬＥＤ等を用いることができるが、具体的な構成は上記のものに限定されるものではない。
以下、ＬＥＤ基板４０の各構成要素について詳細に説明する。
活性層４６は、電子と正孔の再結合により発光を行う層であり、活性層材料としては、ＬＥＤ用の公知の活性層材料を用いることができる。このような活性層材料としては、例えば、紫外活性層材料として、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ、０≦ｂ、ａ＋ｂ≦１）、青色活性層材料としては、ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
また、活性層４６としては、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものが用いられる。量子井戸構造の活性層はｎ型、ｐ型のいずれでもよいが、特にノンドープ（不純物無添加）の活性層とすると、バンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり、色純度のよい発光が得られるため好ましい。
また、活性層４６に、ドナー不純物またはアクセプター不純物の少なくとも一方をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープのものと同じであれば、ドナー不純物をドープすることにより、ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープすると、バンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶだけ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。アクセプター不純物とドナー不純物との両者をドープすると、アクセプター不純物のみをドープした活性層の発光強度に比べて、その発光強度をさらに大きくすることができる。特に、アクセプター不純物をドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のドナー不純物をもドープしてｎ型とすることが好ましい。
第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５としては、ＬＥＤ用の公知のｎ型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層４６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｎ型半導体で、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５を構成した場合、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５と、活性層４６との間には、正孔に対する電位障壁ができ、正孔を活性層４６に閉じ込めることが可能となる。例えば、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）により、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８としては、ＬＥＤ用の公知のｐ型クラッド層材料を用いることができ、単層でも多層構成でもよい。活性層４６よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型半導体で、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８を構成した場合、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８と、活性層４６との間には、電子に対する電位障壁ができ、電子を活性層４６に閉じ込めることが可能となる。例えば、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）により、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８を形成することが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
ｎ型コンタクト層４３としては、ＬＥＤ用の公知のコンタクト層材料を用いることができ、例えば、第二のｎ型クラッド層４４および第一のｎ型クラッド層４５に接して電極を形成する層としてｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層４３を形成することが可能である。また、第一のｐ型クラッド層４７および第二のｐ型クラッド層４８に接して電極を形成する層として、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を形成することも可能である。ただし、このｐ型コンタクト層は、第二のｎ型クラッド層４４、第二のｐ型クラッド層４８がＧａＮで形成されていれば、特に形成する必要はなく、第二のクラッド層（第二のｎ型クラッド層４４、第二のｐ型クラッド層４８）をコンタクト層とすることも可能である。
本実施形態で用いられる上記の各層の形成方法としては、ＬＥＤ用の公知の成膜プロセスを用いることが可能であるが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。例えば、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＢＥ（分子線気相成長法）、ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて、例えば、サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面を含む）、ＳｉＣ（６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣも含む）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４、特にその（１１１）面）、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、あるいは、他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）等の基板上に形成することが可能である。
「有機ＥＬ素子」
図２７は、光源基板３２を構成する有機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。
有機ＥＬ素子基板６０は、基板６１と、基板６１の一方の面６１ａ上に設けられた有機ＥＬ素子６２とから概略構成されている。
有機ＥＬ素子６２は、基板６１の一方の面６１ａ上に順に設けられた、第一電極６３と、有機ＥＬ層６４と、第二電極６５とから概略構成されている。すなわち、有機ＥＬ素子６２は、基板６１の一方の面６１ａ上に、第一電極６３および第二電極６５からなる一対の電極と、これら一対の電極間に挟持された有機ＥＬ層６４と、を備えている。
第一電極６３および第二電極６５は、有機ＥＬ素子６２の陽極または陰極として対で機能する。
第一電極６３と第二電極６５との間の光学距離は、微小共振器構造（マイクロキャビティ構造）を構成するように調整されている。
有機ＥＬ層６４は、第一電極６３側から第二電極６５側に向かって順に積層された、正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１から構成されている。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１は、それぞれ単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。
正孔注入層６６は、第一電極６３からの正孔の注入を効率よく行うものである。
正孔輸送層６７は、有機発光層６８への正孔の輸送を効率よく行うものである。
電子輸送層７０は、有機発光層６８への電子の輸送を効率よく行うものである。
電子注入層７１は、第二電極６５からの電子の注入を効率よく行うものである。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、電子輸送層７０および電子注入層７１は、キャリア注入輸送層に該当する。
なお、有機ＥＬ素子６２は上記の構成に限定されるものではなく、有機ＥＬ層６４が、有機発光層の単層構造であっても、有機発光層とキャリア注入輸送層の多層構造であってもよい。有機ＥＬ素子６２の構成としては、具体的には、下記のものが挙げられる。
（１）第一電極６３と第二電極６５の間に、有機発光層のみが設けられた構成
（２）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔輸送層および有機発光層がこの順に積層された構成
（３）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（４）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（５）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（６）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
（７）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層および電子輸送層がこの順に積層された構成
（８）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
（９）第一電極６３側から第二電極６５側に向かって、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、有機発光層、正孔防止層、電子輸送層および電子注入層がこの順に積層された構成
これら有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。また、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、それぞれ有機薄膜または無機薄膜のいずれであってもよい。
また、第一電極６３の端面を覆うようにエッジカバー７２が形成されている。すなわち、エッジカバー７２は、第一電極６３と第二電極６５の間でリークを起こすことを防止するために、第一電極６３と第二電極６５の間において、基板６１の一方の面６１ａに形成された第一電極６３のエッジ部を覆うように設けられている。
以下、有機ＥＬ素子基板６０を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。
基板６１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、または、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、これらの基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらの基板に限定されるものではない。これらの基板の中でも、ストレスなく湾曲部、折り曲げ部を形成することが可能となることから、プラスチック基板または金属基板を用いることが好ましい。
さらに、プラスチック基板に無機材料をコーティングした基板、金属基板に無機絶縁材料をコーティングした基板が好ましい。このような無機材料をコーティングした基板を用いることにより、プラスチック基板を有機ＥＬ素子基板の基板として用いた場合に最大の問題となる水分の透過による有機ＥＬの劣化（有機ＥＬは、特に、低量の水分に対しても劣化が起こることが知られている。）を解消することが可能となる。また、金属基板を有機ＥＬ素子基板の基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリーク（ショート）（有機ＥＬ層の膜厚は１００〜２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリーク（ショート）が、顕著に起こることが知られている。）を解消することが可能となる。
また、ＴＦＴを形成する場合には、基板６１としては、５００℃以下の温度で融解せず、歪みも生じない基板を用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することは困難であるが、線膨張係数が１×１０−５／ ℃ 以下の鉄−ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込むことにより、金属基板上にＴＦＴを従来の生産装置を用いて安価に形成することが可能となる。
また、プラスチック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスチック基板にガラス基板上のＴＦＴを転写することにより、プラスチック基板上にＴＦＴを転写形成することができる。
さらに、有機ＥＬ層６４からの発光を基板６１とは反対側から取り出す場合には、基板としての制約はないが、有機ＥＬ層６４からの発光を基板６１側から取り出す場合には、有機ＥＬ層６４からの発光を外部に取り出すために、透明または半透明の基板を用いる必要がある。
基板６１に形成されるＴＦＴは、有機ＥＬ素子６２を形成する前に、予め基板６１の一方の面６１ａに形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。
本実施形態におけるＴＦＴとしては、公知のＴＦＴが挙げられる。また、ＴＦＴの代わりに、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置に用いることが可能なＴＦＴは、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。
ＴＦＴを構成する活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、または、ポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
ＴＦＴを構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。
本実施形態におけるＴＦＴを構成するゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。ゲート絶縁膜としては、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等からなる絶縁膜が挙げられる。
また、本実施形態におけるＴＦＴの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができる。これら信号電極線、走査電極線、共通電極線、第一駆動電極および第二駆動電極の材料としては、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。有機ＥＬ素子基板６０のＴＦＴは、上記のような構成とすることができるが、本実施形態は、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示装置に用いることが可能な層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。層間絶縁膜の材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮまたはＳｉ２Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯまたはＴａ２Ｏ５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。
また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等により、層間絶縁膜をパターニングすることもできる。
有機ＥＬ素子６２からの発光を基板６１とは反対側（第二電極６５側）から取り出す場合には、外光が基板６１の一方の面６１ａに形成されたＴＦＴに入射して、ＴＦＴの特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を形成することが好ましい。また、上記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性絶縁膜の材料としては、例えば、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。
アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置において、基板６１の一方の面６１ａにＴＦＴ等を形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ素子８２の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、第二電極の断線、第一電極と第二電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けてもよい。
このような平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができる。平坦化膜の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセス等が挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。
第一電極６３および第二電極６５は、有機ＥＬ素子６２の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極６３を陽極とした場合、第二電極６５は陰極となり、第一電極６３を陰極とした場合、第二電極６５は陽極となる。
第一電極６３および第二電極６５を形成する電極材料としては、公知の電極材料を用いることができる。陽極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層６４への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等の透明電極材料等が挙げられる。
また、陰極を形成する電極材料としては、有機ＥＬ層６４への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、または、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。
第一電極６３および第二電極６５は、上記の材料を用いて、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターニングした電極を形成することもできる。
第一電極６３および第二電極６５の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。
表示装置の色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合、有機ＥＬ層６４からの発光を第一電極６３または第二電極６５側から取り出す場合には、第一電極６３または第二電極６５として半透明電極を用いることが好ましい。
半透明電極の材料としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせたものを用いることができる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。
半透明電極の膜厚は、５〜３０ｎｍが好ましい。半透明電極の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分行えず、干渉の効果を十分得るとこができない。また、半透明電極の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから、表示装置の輝度および発光効率が低下するおそれがある。
また、第一電極６３または第二電極６５としては、光を反射する反射率の高い電極を用いることが好ましい。反射率の高い電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等からなる反射性金属電極（反射電極）、この反射性金属電極と透明電極を組み合わせた電極等が挙げられる。
電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層６６、電子注入層７１）と電荷輸送層（正孔輸送層６７、電子輸送層７０）に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。
電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ素子用、有機光導電体用の公知の電荷注入輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料および電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
正孔注入層６６および正孔輸送層６７の材料としては、公知のものが用いられ、例えば、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等の酸化物や無機ｐ型半導体材料；ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、４，４’−（シクロヘキサン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン）（ＴＡＰＣ）、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（ＤＰＡＳ）、Ｎ１，Ｎ１’−（ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（Ｎ１−フェニル−Ｎ４，Ｎ４−ジ−ｍ−トリルベンゼン−１，４−ジアミン）（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ３，Ｎ３，Ｎ３”’， Ｎ３”’−テトラ−ｐ−トリル−［１，１’：２’，１”：２”，１”’−クォーターフェニル］−３，３”’−ジアミン（ＢＴＰＤ）、４，４’−（ジフェニルシランジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン）（ＤＴＡＳｉ）、２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンティン（Ａｄ−Ｃｚ）等の芳香族第三級アミン化合物；ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子化合物；２−メチル−９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＭＡＤＮ）等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。
正孔注入層６６の材料としては、陽極からの正孔の注入および輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層６７の材料よりも、最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましい。また、正孔輸送層６７の材料としては、正孔注入層６６の材料よりも、正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
正孔注入層６６および正孔輸送層６７は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよい。
そして、正孔の注入性および輸送性をより向上させるためには、正孔注入層６６および正孔輸送層６７は、アクセプターを含むことが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ素子向けの公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
アクセプターは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。
無機材料としては、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、イリジウム（Ｉｒ）、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）、六フッ化ヒ酸イオン（ＡｓＦ６ −）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等が挙げられる。
有機材料としては、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱＦ４）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、ヘキサシアノブタジエン（ＨＣＮＢ）、ジシクロジシアノベンゾキノン（ＤＤＱ）等のシアノ基を有する化合物；トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）、ジニトロフルオレノン（ＤＮＦ）等のニトロ基を有する化合物；フルオラニル；クロラニル；ブロマニル等が挙げられる。
これらの中でも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物が好ましい。
正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１の材料としては、公知のものが用いられ、低分子材料であれば、ｎ型半導体である無機材料；１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、１，３−ビス（５−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）ベンゼン（ＯＸＤ７）等のオキサジアゾール誘導体；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；チオピラジンジオキシド誘導体；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；ジフェノキノン誘導体；フルオレノン誘導体；ベンゾジフラン誘導体；８−ヒドロキシキノリノラート−リチウム（Ｌｉｑ）等のキノリン誘導体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）等のフルオレン誘導体；１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（ＴｍＰｙＰＢ）、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（ＴｐＰｙＰＢ）等のベンゼン誘導体；２，２’，２”−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）等のベンゾイミダゾール誘導体；３，５−ジ（ピレン−１−イル）ピリジン（ＰＹ１）等のピリジン誘導体；３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェン−３−イル］ビフェニル（ＢＰ４ｍＰｙ）等のビフェニル誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体；トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）等のトリフェニルボラン誘導体；ジフェニルビス（４−（ピリジン−３−イル）フェニル）シラン（ＤＰＰＳ）等のテトラフェニルシラン誘導体；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等が挙げられる。特に、電子注入層７１の材料としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）等のフッ化物；酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。
電子注入層７１の材料としては、陰極からの電子の注入および輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層７０の材料よりも最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましい。また、電子輸送層７０の材料としては、電子注入層７１の材料よりも、電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。
電子輸送層７０および電子注入層７１は、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）を含んでいてもよい。
そして、電子の輸送性および注入性をより向上させるためには、電子輸送層７０および電子注入層７１は、ドナーを含むことが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
ドナーは、無機材料または有機材料のいずれであってもよい。
無機材料としては、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属；希土類元素；アルミニウム（Ａｌ）；銀（Ａｇ）；銅（Ｃｕ）；インジウム（Ｉｎ）等が挙げられる。
有機材料としては、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が挙げられる。
芳香族３級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類；フェニレンジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等のベンジジン類；トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類；Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン等のトリフェニルジアミン類等が挙げられる。
上記の縮合多環化合物が「置換基を有する」とは、縮合多環化合物中の１つ以上の水素原子が、水素原子以外の基（置換基）で置換されていることを指し、置換基の数は特に限定されず、全ての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。
置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数６〜１５のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が挙げられる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよい。
直鎖状または分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
環状のアルキル基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。
アルコキシ基としては、アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。
アルケニル基としては、炭素数が２〜１０のアルキル基において、炭素原子間の１つの単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが挙げられる。
アルケニルオキシ基としては、アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。
アリール基は、単環状または多環状のいずれであってもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、アリール基が酸素原子に結合した一価の基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
これらの中でも、ドナーとしては、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。
有機発光層６８は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、有機発光層６８の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。
有機発光材料としては、有機ＥＬ素子向けの公知の発光材料を用いることができる。
このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。
有機発光層６８に用いられる低分子発光材料（ホスト材料を含む）としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物；チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料；アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光発光有機金属錯体；ＢｅＢｑ（ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体）；４，４’−ビス−（２，２−ジ−ｐ−トリル−ビニル）−ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）；トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）Ｅｕ（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））；ジフェニルエチレン誘導体；トリス［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］アミン（ＴＦＴＰＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジアミノカルバゾール誘導体；ビススチリル誘導体；芳香族ジアミン誘導体；キナクリドン系化合物；ペリレン系化合物；クマリン系化合物；ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）；オリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）；４，４’−ジ（トリフェニルシリル）−ビフェニル（ＢＳＢ）、ジフェニル−ジ（ｏ−トリル）シラン（ＵＧＨ１）、１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ２）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）、トリフェニル−（４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル）シラン（ＴＰＳｉ−Ｆ）等のシラン誘導体；９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ１）、３，６−ジ（９−カルバゾリル）−９−（２−エチルヘキシル）カルバゾール（ＴＣｚ１）、９，９’−（５−（トリフェニルシリル）−１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＳｉｍＣＰ）、ビス（３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ジフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ２）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−（４−ジフェニルホスホリル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２１）、２，２−ビス（４−カルバゾリルフェニル）−１，１−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、３，６−ビス（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）、３，６−ビス［（３，５−ジフェニル）フェニル］−９−フェニル−カルバゾール（ＣｚＴＰ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＣ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（９−（４−メトキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９Ｈ−カルバゾール（ＤＦＣ）、２，２’−ビス（４−カルバゾール−９−イル）フェニル）−ビフェニル（ＢＣＢＰ）、９，９’−（（２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン−３，７−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＣＺＢＤＦ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、２−［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＢＤＡＦ）、２−（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＢＳＢＦ）、９，９−ビス［４−（ピレニル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＰＦ）、２，２’−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ビス［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＴＤＡＦ）、２，７−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＴＳＢＦ）、９，９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ＳＰＰＯ１）等のフルオレン誘導体；１，３−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン（ｍ−Ｂｐｙｅ）等のピレン誘導体；プロパン−２，２’−ジイルビス（４，１−フェニレン）ジベンゾエート（ＭＭＡ１）等のベンゾエート誘導体；４，４’−ビス（ジフェニルフォスフィンオキサイド）ビフェニル（ＰＯ１）、２，８−ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＰＰＴ）等のフォスフィンオキサイド誘導体；４，４”−ジ（トリフェニルシリル）−ｐ−ターフェニル（ＢＳＴ）等のターフェニル誘導体；２，４−ビス（フェノキシ）−６−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン（ＢＰＭＴ）等トリアジン誘導体等が挙げられる。
有機発光層６８に用いられる高分子発光材料としては、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体；ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体；ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。
有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。
有機発光層６８に用いられる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようドーパントとしては、紫外発光材料であれば、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルセクシフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料；ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス（２−フェニルピリジナート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
なお、有機ＥＬ層６４を構成する各層の材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料または電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料および電子輸送材料もホスト材料として使用できる。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１各層の形成方法としては、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザー転写法等が用いられる。
ウエットプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を溶媒に溶解または分散させた液体を用いる、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法；インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等が挙げられる。
上記の塗布法や印刷法に用いられる液体は、レベリング剤、粘度調整剤等、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。
ドライプロセスとしては、上記の各層を構成する材料を用いる、抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等が用いられる。
正孔注入層６６、正孔輸送層６７、有機発光層６８、正孔防止層６９、電子輸送層７０および電子注入層７１の各層の膜厚は、通常１〜１０００ｎｍ程度であるが、１０〜２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得られない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。一方、膜厚が２００ｎｍを超えると、有機ＥＬ層６４の抵抗成分によって駆動電圧が上昇し、結果として、消費電力が上昇する。
エッジカバー７２は、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができ、公知のドライ法またはウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターニングすることができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。
また、エッジカバー７２を構成する絶縁材料としては、公知の材料が用いられるが、本実施形態では、絶縁材料が特に限定されるものではない。
エッジカバー７２は光を透過する必要があるので、エッジカバー７２を構成する絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。
エッジカバー７２の膜厚は、１００〜２０００ｎｍが好ましい。膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が十分ではなく、第一電極６３と第二電極６５の間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間が掛り、生産効率の低下、エッジカバー７２による第二電極６５の断線の原因となる。
ここで、有機ＥＬ素子６２は、第一電極６３と第二電極６５との干渉効果によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）、または、誘電体多層膜によるマイクロキャビティ構造（光微小共振器構造）を有することが好ましい。第一電極６３と第二電極６５により微小共振器構造が構成されると、第一電極６３と第二電極６５との干渉効果により、有機ＥＬ層６４の発光を正面方向（光取り出し方向）に集光することができる。その際、有機ＥＬ層６４の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ層６４で生じる発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層へ伝搬することが可能となり、表示装置の正面輝度を高めることができる。
また、第一電極６３と第二電極６５との干渉効果により、有機ＥＬ層６４の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、赤色蛍光体および緑色蛍光体をより効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することが可能となり、青色画素の色純度を向上させることができる。
また、本実施形態の表示装置は、外部駆動回路（走査線電極回路（ソースドライバ）、データ信号電極回路（ゲートドライバ）、電源回路）に電気的に接続される。
ここで、有機ＥＬ素子基板６０を構成する基板６１としては、ガラス基板上に絶縁材料をコートした基板、より好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板、さらに好ましくは金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板が用いられる。
また、有機ＥＬ素子基板６０は、有機ＥＬ素子６２を直接、外部回路に接続し、駆動してもよい。また、ＴＦＴ等のスイッチング回路を画素内に配置し、有機ＥＬ素子基板６０は、ＴＦＴ等が接続される配線に有機ＥＬ素子６２を駆動するための外部駆動回路（走査線電極回路（ソースドライバ）、データ信号電極回路（ゲートドライバ）、電源回路）に電気的に接続されていてもよい。
なお、アクティブ駆動型有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子を構成するアクティブ基板は、ガラス基板上、より好ましくは、金属基板上、プラスチック基板上、さらに好ましくは、金属基板上またはプラスチック基板上に絶縁材料をコートした基板上に、複数の走査信号線、データ信号線、および、走査信号線とデータ信号線との交差部にＴＦＴが配置される。
また、有機ＥＬ素子６２は、図２８に示すように、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用ＴＦＴ８１および駆動用ＴＦＴ８２の２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴ８２と発光部８３に設けられた第一電極とが、平坦化膜に形成されるコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、１つの画素内には駆動用ＴＦＴ８２のゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用ＴＦＴ８２のゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されるものではなく、駆動方式は、前述した電圧駆動デジタル階調方式でもよく、電流駆動アナログ階調方式でもよい。また、ＴＦＴの数も特に限定されるものではなく、前記の２つのＴＦＴにより有機ＥＬ素子６２を駆動してもよいし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した２個以上のＴＦＴを用いて有機ＥＬ素子６２を駆動してもよい。
図２９は、上記の蛍光体基板１０と有機ＥＬ素子基板６０を備えた表示装置９０の概略構成図である。
表示装置９０は、有機ＥＬ素子基板６０と、有機ＥＬ素子基板６０と対向配置された蛍光体基板１０と、有機ＥＬ素子基板６０と蛍光体基板１０とが対向する領域に設けられた画素部９１と、画素部９１に駆動信号を供給するゲート信号側駆動回路９２、データ信号側駆動回路９３、信号配線９４および電流供給線９５と、有機ＥＬ素子基板６０に接続されたフレキシブルプリント配線板９６（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ、ＦＰＣ）と、外部駆動回路９７とから概略構成されている。
外部駆動回路９７は、画素部９１の走査ライン（走査線）を順次ゲート信号側駆動回路９２により選択し、選択されている走査ラインに沿って配置されている各画素素子に対し、データ信号側駆動回路９３により画素データを書き込む。すなわち、ゲート信号側駆動回路９２が走査線を順次駆動し、データ信号側駆動回路９３がデータ線に画素データを出力することにより、駆動された走査線とデータが出力されたデータ線との交差する位置に配置された画素素子が駆動される。
「アクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子」
図３０は、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬ層１１０を用いた有機ＥＬ素子基板１００の断面図である。図３０において、図２７に示した有機ＥＬ素子基板６０と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
有機ＥＬ素子基板１００は、基板１２０の一方の面１２０ａにＴＦＴ（駆動素子）１３０が形成されている。すなわち、ゲート電極１３１およびゲート線１３２が形成され、これらゲート電極１３１およびゲート線１３２を覆うように、基板１２０上にゲート絶縁膜１３３が形成されている。
ゲート絶縁膜１３３上には、活性層（図示略）が形成され、活性層上にソース電極１３４、ドレイン電極１３５およびデータ線１３６が形成され、これらソース電極１３４、ドレイン電極１３５およびデータ線１３６を覆うように平坦化膜１３７が形成されている。
なお、この平坦化膜１３７は単層構造でなくてもよく、他の層間絶縁膜と平坦化膜を組み合わせた構成としてもよい。また、平坦化膜もしくは層間絶縁膜を貫通してドレイン電極１３５に達するコンタクトホール１３８が形成され、平坦化膜１３７上に、コンタクトホール１３８を介して、ドレイン電極１３５と電気的に接続された有機ＥＬ層１１０の陽極（第一電極）６３が形成されている。なお、有機ＥＬ層１１０自体の構成は前述した有機ＥＬ層６４と同様である。
ＴＦＴ１３０は、有機ＥＬ層１１０を形成する前に、基板１２０上に形成され、画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子駆動用素子として機能する。本実施形態で用いられるＴＦＴ１３０としては、公知のＴＦＴが挙げられ、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。また、本実施形態では、ＴＦＴ１３０の代わりに、金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。
ＴＦＴ１３０の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料、またはポリチオフェン誘導体、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料等が挙げられる。また、ＴＦＴ１３０の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
ＴＦＴ１３０を構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法またはＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。
ゲート絶縁膜１３３は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等が挙げられる。
データ線１３６、ゲート線１３２、ソース電極１３４およびドレイン電極１３５は、公知の導電性材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。
ＴＦＴ１３０は、前記のような構成とすることができるが、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。
本実施形態に用いられる層間絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ３Ｎ４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ２Ｏ５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が用いられる。
また、層間絶縁膜の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。
その他、有機ＥＬ層１１０からの光を基板１２０の反対側から取り出す場合には、基板１２０上に形成されたＴＦＴ１３０に外光が入射し、ＴＦＴ１３０の電気的特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。また、前記の層間絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。
遮光性絶縁膜としては、特に限定されるものではないが、例えば、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、ＮｉｘＺｎｙＦｅ２Ｏ４等の無機絶縁材料等が挙げられる。
本実施形態においては、基板１２０上に形成したＴＦＴ１３０や各種配線、電極により、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって有機ＥＬ層１１０の欠陥（例えば、陽極（第一電極）６３や陰極（第二電極）６５の欠損や断線、有機ＥＬ層１１０の欠損、陽極（第一電極）６３と陰極（第二電極）６５との短絡、耐圧の低下等）が発生するおそれがある。よって、これらの欠陥を防止する目的で層間絶縁膜上に平坦化膜１３７を設けることが望ましい。
平坦化膜１３７は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が用いられる。
平坦化膜１３７の形成方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが用いられる。
また、平坦化膜１３７は、単層構造であっても、多層構造であってもよい。
また、有機ＥＬ層１１０は、封止膜１４０で覆われていることが好ましい。
封止膜１４０は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、基板１２０と反対側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜１４０を形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜１４０を形成するか、または、封止基板を貼り合わせることもできる。
このような封止膜１４０により、外部からの有機ＥＬ層１１０内への酸素や水分の混入を防止することができ、有機ＥＬ素子基板１００の寿命が向上する。
「無機ＥＬ素子」
図３１は、光源基板３２を構成する無機ＥＬ素子基板の一実施形態を示す概略断面図である。
無機ＥＬ素子基板１５０は、基板１５１と、基板１５１の一方の面１５１ａ上に設けられた無機ＥＬ素子１５２とから概略構成されている。
無機ＥＬ素子１５２は、基板１５１の一方の面１５１ａに順に積層された、第一電極１５３、第一誘電体層１５４、発光層１５５、第二誘電体層１５６および第二電極１５７から構成されている。
第一電極１５３および第二電極１５７は、無機ＥＬ素子１５２の陽極または陰極として対で機能する。
なお、無機ＥＬ素子１５２としては、公知の無機ＥＬ素子、例えば、紫外発光無機ＥＬ素子、青色発光無機ＥＬ素子等を用いることができるが、具体的な構成は前記のものに限定されるものではない。
以下、無機ＥＬ素子基板１５０を構成する各構成部材およびその形成方法について具体的に説明するが、本実施形態はこれら構成部材および形成方法に限定されるものではない。
基板１５１としては、上記の有機ＥＬ素子基板６０を構成する基板６１と同様のものが用いられる。
第一電極１５３および第二電極１５７は、無機ＥＬ素子１５２の陽極または陰極として対で機能する。つまり、第一電極１５３を陽極とした場合、第二電極１５７は陰極となり、第一電極１５３を陰極とした場合、第二電極１５７は陽極となる。
第一電極１５３および第二電極１５７としては、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、および、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられるが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。光を取り出す側の電極には、ＩＴＯ等の透明電極がよく、光を取り出す方向と反対側の電極には、アルミニウム等からなる反射電極を用いることが好ましい。
第一電極１５３および第二電極１５７は、上記の材料を用いて、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本実施形態はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフィー法、レーザー剥離法により形成した電極をパターニングすることもでき、シャドーマスクと組み合わせることでパターニングした電極を形成することもできる。
第一電極１５３および第二電極１５７の膜厚は、５０ｎｍ以上であることが好ましい。
第一電極１５３および第二電極１５７の膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなり、駆動電圧が上昇するおそれがある。
第一誘電体層１５４および第二誘電体層１５６としては、無機ＥＬ素子用の公知の誘電体材料を用いることができる。このような誘電体材料としては、例えば、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸アルミニウム（ＡｌＴｉＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）およびチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）等が挙げられるが、本実施形態はこれらの誘電体材料に限定されるものではない。
また、第一誘電体層１５４および第二誘電体層１５６は、上記の誘電体材料から選択された１種類からなる単層構造であってもよく、２種類以上を積層した多層構造であってもよい。
また、第一誘電体層１５４および第二誘電体層８６の膜厚は、２００〜５００ｎｍ程度が好ましい。
発光層１５５としては、無機ＥＬ素子用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料としては、例えば、紫外発光材料として、ＺｎＦ２：Ｇｄ、青色発光材料として、ＢａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ＣａＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、ＺｎＡｌ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｂａ２ＳｉＳ４：Ｃｅ、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＳｒＳ：Ｃｅ、ＳｒＳ：Ｃｕ、ＣａＳ：Ｐｂ、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ２Ｓ４：Ｅｕ等が挙げられるが、本実施形態はこれらの発光材料に限定されるものではない。
また、発光層１５５の膜厚は、３００〜１０００ｎｍ程度が好ましい。
なお、光源３４として、有機ＥＬ素子基板、ＬＥＤ基板、無機ＥＬ素子基板等を用いた場合、有機ＥＬ素子、ＬＥＤ、無機ＥＬ素子等の発光素子を封止する封止膜または封止基板を設けることが好ましい。
封止膜および封止基板は、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、光源を構成する基板と反対側の表面上にスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成することもできる。あるいは、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、スパッタリング法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ等の無機膜を形成した後、さらに、スピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法等を用いて樹脂を塗布することによって封止膜を形成するか、または、封止基板を貼り合わせることもできる。
このような封止膜や封止基板により、外部からの発光素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、光源の寿命が向上する。
また、表示装置３０は、光取り出し側（蛍光体基板１０の基板１１の他方の面１１ｂ側）に偏光板を設けることが好ましい。偏光板としては、従来の直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものが好ましい。偏光板を設けることによって、表示装置３０の電極からの外光反射、基板１１または基板３３（封止基板）の表面（他方の面３３ｂ）における外光反射を防止することが可能となり、表示装置３０のコントラストを向上することができる。
また、表示装置３０は、蛍光体基板１０と光源３４との間に、液晶素子を設けてもよい。
液晶素子としては、特に限定されるものではないが、公知の液晶素子を用いることができ、例えば、一対の偏光板と、一対の電極と、一対の配向膜と、基板と、を有し、一対の配向膜間に液晶セルが挟持されたものが挙げられる。
また、液晶セルと一方の偏光板との間に、光学異方性層が１枚配置されるか、または、液晶セルと双方の偏光板との間に光学異方性層が２枚配置されていてもよい。
液晶素子は、光源３４からの発光を選択的に透過させる、光シャッターとしての機能を有する。
液晶セルの種類は、特に限定されるものではないが、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＴＮモード、ＶＡモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＥＣＢモード等が挙げられる。
また、液晶素子は、パッシブ駆動であってもよいし、ＴＦＴ等のスイッチング素子を用いたアクティブ駆動型であってもよい。
液晶素子のスイッチングと、光源３４のスイッチングとを組み合わせることによって、より消費電力を低減することが可能となるため、好ましい。
本実施形態の表示装置によれば、光の取り出し効率を向上させて変換効率を大幅に向上させ、視野角特性に優れ、かつ、低消費電力化が可能な優れた表示装置を実現できる。
［照明装置］
また、上記の表示装置は、例えば、図３２に示すシーリングライト（照明装置）１６０にも適用できる。
図３２に示すシーリングライト１６０は、発光部１６１と、吊下線１６２と、電源コード１６３とを備えてなる照明装置である。
シーリングライト１６０において、発光部１６１は、上記の表示装置から構成されている。
本実施形態のシーリングライト１６０は、上記の表示装置を発光部１６１として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３３に示す照明スタンド（照明装置）１７０にも適用できる。
図３３に示す照明スタンド１７０は、発光部１７１と、スタンド１７２と、メインスイッチ１７３と、電源コード１７４とを備えてなる照明装置である。
照明スタンド１７０において、発光部１７１は、上記の表示装置から構成されている。
本実施形態の照明スタンド１７０は、上記の表示装置を発光部１７１として備えることにより、発光効率に優れる照明装置となる。
［電子機器］
上記の表示装置は、各種電子機器に適用することができる。
以下、上記の表示装置を備えた電子機器について、図３４〜３８を用いて説明する。
上記の表示装置は、例えば、図３４に示す携帯電話に適用できる。
図３４に示す携帯電話１８０は、音声入力部１８１、音声出力部１８２、アンテナ１８３、操作スイッチ１８４、表示部１８５および筐体１８６等を備えている。
そして、表示部１８５として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を携帯電話１８０の表示部１８５に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３５に示す薄型テレビに適用できる。
図３５に示す薄型テレビ１９０は、表示部１９１、スピーカ１９２、キャビネット１９３およびスタンド１９４等を備えている。
そして、表示部１９１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を薄型テレビ１９０の表示部１９１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３６に示す携帯型ゲーム機に適用できる。
図３６に示す携帯型ゲーム機２００は、操作ボタン２０１、２０２、外部接続端子２０３、表示部２０４および筐体２０５等を備えている。
そして、表示部２０４として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置を携帯型ゲーム機２００の表示部２０４に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
また、上記の表示装置は、例えば、図３７に示すノートパソコンに適用できる。
図３７に示すノートパソコン２１０は、表示部２１１、キーボード２１２、タッチパッド２１３、メインスイッチ２１４、カメラ２１５、記録媒体スロット２１６および筐体２１７等を備えている。
そして、表示部２１１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置をノートパソコン２１０の表示部２１１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
さらに、上記の表示装置は、例えば、図３８に示すタブレット端末に適用できる。
図３８に示すタブレット端末２２０は、表示部（タッチパネル）２２１、カメラ２２２および筐体２２３等を備えている。
そして、表示部２２１として上記の表示装置を好適に適用できる。上記の表示装置をタブレット端末２２０の表示部２２１に適用することによって、良好な発光効率で映像を表示することができる。
以上、図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されないことは言うまでもない。上記の実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
その他、表示装置、照明装置の各構成要素の形状、数、配置、材料、形成方法等に関する具体的な記載は、上記の実施形態に限定されることなく、適宜変更が可能である。
以下、実験例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に限定されるものではない。
［実験例１］
図３９は、実験例１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
基板２３１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２３１の一方の面２３１ａの全面に、スピンコート法により、エポキシ系のポジ型感光性樹脂を塗布した。その後、９０℃にて２分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２３２の幅が５０μｍ、障壁２３２のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３４０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、障壁２３２を、基板２３１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、障壁２３２によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２３３、青色散乱体層２３４をパターン形成し、蛍光体基板２３０を得た。
ここで、赤色蛍光体層２３３と青色散乱体層２３４の形成方法を説明する。
赤色蛍光体層２３３と青色散乱体層２３４を形成するために、赤色蛍光体層形成用塗液と青色散乱体層形成用塗液を調製した。
赤色蛍光体層形成用塗液を調製するには、平均粒径２μｍの赤色蛍光体Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、赤色蛍光体層形成用塗液を得た。
青色散乱体層形成用塗液を調製するには、平均粒径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、青色散乱体層形成用塗液を得た。
次に、基板２３１をＵＶ／Ｏ３で洗浄し、続いて、基板２３１をフッ素プラズマ処理することにより、障壁２３２に撥液性を付与し、基板２３１に親液性を付与した。
次に、赤色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を、ディスペンサー法により、基板２３１上に設けられた枠状の障壁２３２の内部にパターン塗布した。
次に、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）により、赤色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を塗布した基板２３１を、４時間、加熱乾燥して、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂ、青色散乱体層２３４Ａ，２３４Ｂを形成した。
蛍光体基板２３０において、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂおよび青色散乱体層２３４Ａの励起光入射面側（基板２３１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２３４Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２３４Ｂから青色散乱光が観測された。ただし、青色散乱体層２３４Ｂ以外に、青色散乱体層２３４Ａからも青色散乱光が観測され、さらに、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂからは赤色光が観測された。これは、青色散乱体層２３４Ｂからの青色散乱光が障壁２３２内を伝播して、隣接する青色散乱体層２３４Ａおよび赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂに入射し、青色散乱体層２３４Ａにおいては、光散乱性粒子によって光取出し方向（基板２３１側）に青色散乱光が射出され、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂにおいては、青色散乱光によって赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂが励起されて、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂから赤色光が発光したために生じたと考えられる。これにより、クロストークを生じた。
また、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂからは弱い青色光成分も観測され、青色散乱体層２３４Ａ，２３４Ｂからは弱い赤色光成分も観測された。これは、青色散乱体層２３４Ｂからの青色散乱光が、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂで赤色蛍光体に吸収されずに、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂから射出され、一方、青色散乱光によって赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂが励起されて、赤色蛍光体層２３３Ａ，２３３Ｂから発光した赤色光が、障壁２３２内を伝播して、隣接する青色散乱体層２３４Ａ、２３４Ｂに入射し、青色散乱体層２３４Ａ、２３４Ｂの光散乱性粒子によって、赤色光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。これにより、色純度が低下した。
［実験例２］
図４０は、実験例２の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
基板２４１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２４１の一方の面２４１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板２４１上の各画素を囲むライン状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光不透過部２４２を、基板２４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。なお、基板２４１の一方の面２４１ａに接している部分における光不透過部２４２の幅を３０μｍとした。
次に、光不透過部２４２がパターニングされた基板２４１の一方の面２４１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、エポキシ系のポジ型感光性樹脂を塗布した。その後、９０℃にて２分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２４３の幅が５０μｍ、障壁２４３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２４３を、基板２４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２４２によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２４４、青色散乱体層２４５をパターン形成し、蛍光体基板２４０を得た。
蛍光体基板２４０において、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂおよび青色散乱体層２４５Ａの励起光入射面側（基板２４１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２４５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２４５Ｂから青色散乱光が観測され、実験例１と同様に、青色散乱体層２４５Ａからも青色散乱光が観測された。しかしながら、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂからは赤色光も青色光も観測されなかった。これは、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂと青色散乱体層２４５Ａ，２４５Ｂとの間において、障壁２４３の内部に光不透過部２４２が設けられているので、青色散乱体層２４５Ｂから射出した青色散乱光が、光不透過部２４２で吸収され、赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂに入射しなかったためであると考えられる。
一方、同色の画素間（赤色蛍光体層２４４Ａと赤色蛍光体層２４４Ｂとの間、青色散乱体層２４５Ａと青色散乱体層２４５Ｂとの間）には、光不透過部２４２が設けられていないので、青色散乱体層２４５Ｂから射出した青色散乱光が、青色散乱体層２４５Ａと青色散乱体層２４５Ｂとの間の障壁２４３を介して、隣接する青色散乱体層２４５Ａに入射し、青色散乱体層２４５Ａからも青色散乱光が観測されたものと考えられる。
本実験例のように、異色の画素間（赤色蛍光体層２４４Ａ，２４４Ｂと青色散乱体層２４５Ａ，２４５Ｂとの間）のみに光不透過部２４２を設けた場合、異色の画素間では光の透過を防止できるが、同色の画素間では光の透過を防止できなかった。しかしながら、例えば、照明装置のように、ＲＧＢ全画素を点灯するような場合や、同色の画素のみを点灯させる場合には、同色の画素間における光の透過による影響がないため、このようなアプリケーションにおいては、異色の画素間のみに光不透過部２４２を設ければよい。
なお、本実験例では、光不透過部２４２を画素間の中央部に設けた場合を例示しが、障壁２４３の内部であれば、光不透過部２４２をどこに設けてもよい。ただし、障壁２４３内部の中央部に光不透過部２４２を設けた方が、光を散乱・反射する確率が高まり、光取出し効率を向上させることができるので、光不透過部２４２を画素間の中央部に設けることが好ましい。また、画素領域の最外画素に対応する障壁２４３の最外箇所は、色にじみを発生させる箇所にはならないので、その最外箇所には、必ずしも光不透過部２４２を設ける必要がない。
［実験例３］
図４１は、実験例３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
基板２５１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２５１の一方の面２５１ａの全面に、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２５２の幅が５０μｍ、障壁２５２のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２５２を、基板２５１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２５２によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２５３、青色散乱体層２５４をパターン形成し、蛍光体基板２５０を得た。
蛍光体基板２５０において、赤色蛍光体層２５３Ａ，２５３Ｂおよび青色散乱体層２５４Ａの励起光入射面側（基板２５１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２５４Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２５４Ｂから、実験例１の１．１倍の光取出し効率で青色散乱光が観測された。これは、青色散乱体層２５４Ｂから側方へ向かう散乱光成分を、障壁２５２で散乱・反射して、青色散乱光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。また、実験例１と同様に、青色散乱体層２５４Ｂ以外に、青色散乱体層２５４Ａからも青色散乱光が観測され、さらに、赤色蛍光体層２５３Ａ，２５３Ｂからは赤色光が観測された。
［実験例４］
図４２は、実験例４の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
基板２６１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２６１の一方の面２６１ａ上において、赤色画素と青色画素の間の非発光部の中央、および、赤色画素端部から２５μｍ外側と青色画素端部から２５μｍ外側に、ディスペンサー法により、カーボンブラックを含有した熱硬化性樹脂を、幅３０μｍ、厚さ１０μｍのライン状に塗布した。その後、１５０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍ、基板２６１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光不透過部２６２を形成した。
次に、光不透過部２６２がパターニングされた基板２６１の一方の面２６１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２６３の幅が５０μｍ、障壁２６３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２６３を、基板２６１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２６３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２６４、青色散乱体層２６５をパターン形成し、蛍光体基板２６０を得た。
蛍光体基板２６０において、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂおよび青色散乱体層２６５Ａの励起光入射面側（基板２６１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２６５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２６５Ｂから青色散乱光が観測され、実験例２と同様に、青色散乱体層２６５Ａからも青色散乱光が観測された。しかしながら、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂからは赤色光も青色光も観測されなかった。これは、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂと青色散乱体層２６５Ａ，２６５Ｂとの間において、障壁２６３の内部に光不透過部２６２が設けられているので、青色散乱体層２６５Ｂから射出した青色散乱光が、光不透過部２６２で吸収され、赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂに入射しなかったためであると考えられる。
一方、同色の画素間（赤色蛍光体層２６４Ａと赤色蛍光体層２６４Ｂとの間、青色散乱体層２６５Ａと青色散乱体層２６５Ｂとの間）には、光不透過部２６２が設けられていないので、青色散乱体層２６５Ｂから射出した青色散乱光が、青色散乱体層２６５Ａと青色散乱体層２６５Ｂとの間の障壁２６３を介して、隣接する青色散乱体層２６５Ａに入射し、青色散乱体層２６５Ａからも青色散乱光が観測されたものと考えられる。
本実験例のように、異色の画素間（赤色蛍光体層２６４Ａ，２６４Ｂと青色散乱体層２６５Ａ，２６５Ｂとの間）のみに光不透過部２６２を設けた場合、異色の画素間では光の透過を防止できるが、同色の画素間では光の透過を防止できなかった。しかしながら、例えば、照明装置のようにＲＧＢ全画素を点灯するような場合や、同色の画素のみを点灯させる場合には、同色の画素間における光の透過による影響がないため、このようなアプリケーションにおいては、異色の画素間のみに光不透過部２６２を設ければよい。
なお、本実験例では、光不透過部２６２を画素間の中央部に設けた場合を例示しが、障壁２６３の内部であれば、光不透過部２６２をどこに設けてもよい。ただし、障壁２６３内部の中央部に光不透過部２６２を設けた方が、光を散乱・反射する確率が高まり、光取出し効率を向上させることができるので、光不透過部２６２を画素間の中央部に設けることが好ましい。また、画素領域の最外画素に対応する障壁２６３の最外箇所は、色にじみを発生させる箇所にはならないので、その最外箇所には、必ずしも光不透過部２６２を設ける必要がない。
［実験例５］
図４３は、実験例５の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
基板２７１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２７１の一方の面２７１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板２７１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光不透過部２７２を基板２７１の一方の面２７１ａに対して垂直な形状をなすように、パターニングした。なお、基板２７１の一方の面２７１ａに接している部分における光不透過部２７２の幅を３０μｍとした。
次に、光不透過部２７２がパターニングされた基板２７１の一方の面２７１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２７３の幅が５０μｍ、障壁２７３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２７３を、基板２７１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２７３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２７４、青色散乱体層２７５をパターン形成し、蛍光体基板２７０を得た。
蛍光体基板２７０において、赤色蛍光体層２７４Ａ，２７４Ｂおよび青色散乱体層２７５Ａの励起光入射面側（基板２７１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２７５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２７５Ｂから実験例４の１．３倍の光取出し効率で青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層２７４Ａ，２７４Ｂおよび青色散乱体層２７５Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。このように、実験例４よりも光取出し効率が向上したのは、画素の４面全てを障壁２７３で囲ったことでより効率良く光を取り出すことができたためだと考えられる。
なお、実験例４と同様に、画素領域の最外画素に対応する障壁２７３の最外箇所は、色にじみを発生させる箇所にはならないので、その最外箇所には、必ずしも光不透過部２７２を設ける必要がない。
［実験例６］
図４４は、実験例６の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線に沿う断面図である。
基板２８１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２８１の一方の面２８１ａ上において、赤色画素と青色画素をそれぞれ囲むように、スクリーン印刷法により、銀ペーストを、幅２０μｍ、厚さ２０μｍの格子状に塗布した。その後、１２０℃にて１時間焼成し、膜厚２０μｍ、基板２８１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光不透過部２８２を形成した。
次に、光不透過部２８２がパターニングされた基板２８１の一方の面２８１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２８３の幅が５０μｍ、障壁２８３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２８３を、基板２８１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２８３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２８４、青色散乱体層２８５をパターン形成し、蛍光体基板２８０を得た。
蛍光体基板２８０において、赤色蛍光体層２８４Ａ，２８４Ｂおよび青色散乱体層２８５Ａの励起光入射面側（基板２８１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２８５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２８５Ｂから、実験例５の１．１倍の光取出し効率で青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層２８４Ａ，２８４Ｂおよび青色散乱体層２８５Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。このように、実験例５よりも光取出し効率が向上したのは、光不透過部２８２が光反射性を有しているので、障壁２８３で散乱反射せずに透過してきた青色散乱光を光不透過部２８２で反射し、青色散乱光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。ただし、明室ＣＲは、実験例５と比較して低くなった。これは、外光が光不透過部２８２で反射したこと、そして、光不透過部２８２を覆うように設けられた障壁２８３で外光が散乱反射したことが原因であると考えられる。
なお、実験例４および５では、光不透過部２６２，２７２として光吸収部を設けているため、画素領域の最外画素に対応する障壁２６３，２７３の最外箇所には必ずしも光不透過部２６２，２７２を形成する必要はなかったが、本実験例では、光不透過部２８２として光反射部を設けているので、光取出し効率を向上させるためには、最外画素に対応する障壁２８３の最外箇所に光不透過部２８２を設けることが好ましい。
［実験例７］
図４５は、実験例７の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線に沿う断面図である。
基板２９１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板２９１の一方の面２９１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１．５μｍの光吸収膜２９２を形成した。
次に、その光吸収膜２９２に、基板２９１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光吸収膜２９２を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光吸収膜２９２を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光吸収膜２９２を垂直な形状をなすように、パターニングした。なお、基板２９１の一方の面２９１ａに接している部分における光吸収膜２９２の幅を６０μｍとした。
次に、基板２９１の一方の面２９１ａに形成した光吸収膜２９２上において、赤色画素と青色画素をそれぞれ囲むように、スクリーン印刷法により、銀ペーストを、幅２０μｍ、厚さ２０μｍの格子状に塗布した。その後、１２０℃にて１時間焼成し、膜厚２０μｍ、基板２９１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光不透過部２９３を形成した。
次に、光不透過部２９３がパターニングされた基板２９１の一方の面２９１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁２９４の幅が５０μｍ、障壁２９４のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁２９４を、基板２９１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁２９４によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層２９５、青色散乱体層２９６をパターン形成し、蛍光体基板２９０を得た。
蛍光体基板２９０において、赤色蛍光体層２９５Ａ，２９５Ｂおよび青色散乱体層２９６Ａの励起光入射面側（基板２９１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層２９６Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層２９６Ｂから、実験例５の１．１倍の光取出し効率で青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層２９５Ａ，２９５Ｂおよび青色散乱体層２９６Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。このように、実験例５よりも光取出し効率が向上したのは、光不透過部２９３が光反射性を有しているので、障壁２９４で散乱反射せずに透過してきた青色散乱光を光不透過部２９３で反射し、青色散乱光が光取出し方向に射出されたためであると考えられる。また、明室ＣＲについて実験例６よりも高くなった。これは、光吸収膜２９２が光反射性の光不透過部２９３および光散乱性の障壁２９４の幅よりも広いため、外光が光不透過部２９３および障壁２９４で反射・散乱されずに、光吸収膜２９２に吸収されたためだと考えられる。
なお、実験例４および５では、光不透過部２６２，２７２として光吸収部を設けているため、画素領域の最外画素に対応する障壁２６３，２７３の最外箇所には必ずしも光不透過部２６２，２７２を形成する必要はなかったが、本実験例では、光不透過部２９３として光反射部を設けているので、光取出し効率を向上させるためには、最外画素に対応する障壁２９４の最外箇所に光不透過部２９３を設けることが好ましい。
［実験例８］
図４６は、実験例８の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ線に沿う断面図である。
基板３０１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板３０１の一方の面３０１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板３０１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、光不透過部３０２を基板３０１の一方の面３０１ａに対して垂直な形状をなすように、パターニングした。なお、基板３０１の一方の面３０１ａに接している部分における光不透過部３０２の幅を１５μｍとした。
次に、光不透過部３０２がパターニングされた基板３０１の一方の面３０１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁３０３の幅が２５μｍ、障壁３０３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。
続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、障壁３０３が基板３０１から剥離している箇所があり、赤色蛍光体層や青色散乱体層を形成することができなかった。これは、障壁３０３のアスペクト比が高くなり、基板３０１との密着性を確保できなかったためであると考えられる。
［実験例９］
図４７は、実験例９の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
基板３１１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板３１１の一方の面３１１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板３１１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板３１１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状をなす光不透過部３１２を形成した。なお、光不透過部３１２において、基板３１１の一方の面３１１ａに接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板３１１の一方の面３１１ａに接している面とは反対側の面）３１２ａの幅を１５μｍとした。
次に、光不透過部３１２が設けられた基板３１１全体をマイクロ波プラズマ処理することにより、光不透過部３１２の表面を粗面化した。
次に、光不透過部３１２がパターニングされた基板３１１の一方の面３１１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁３１３の幅が２５μｍ、障壁３１３のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁３１３をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３１３を、基板３１１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁３１３によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層３１４、青色散乱体層３１５をパターン形成し、蛍光体基板３１０を得た。
蛍光体基板３１０において、赤色蛍光体層３１４Ａ，３１４Ｂおよび青色散乱体層３１５Ａの励起光入射面側（基板３１１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層３１５Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層３１４Ｂから青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層３１４Ａ，３１４Ｂおよび青色散乱体層３１５Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。
なお、本実験例では、光不透過部３１２が、障壁３１３と基板３１１との密着性を向上させる機能を有していることから、最外画素に対応する障壁３１３の最外箇所に光不透過部３１２を設けることが好ましい。
［実験例１０］
図４８は、実験例１０の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ線に沿う断面図である。
基板３２１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板３２１の一方の面３２１ａの全面に、スピンコート法により、ネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光透過膜を形成した。
次に、その光透過膜に、基板３２１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板３２１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光透過部３２２を形成した。なお、光透過部３２２において、基板３２１の一方の面３２１ａに接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板３２１の一方の面３２１ａに接している面とは反対側の面）の幅を９μｍとした。
次に、光透過部３２２の表面に、真空蒸着法により、銀３２３を膜厚１００ｎｍでパターン形成した。
次に、光透過部３２２がパターニングされた基板３２１の一方の面３２１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁３２４の幅が２５μｍ、障壁３２４のピッチが１００μｍとなる２行×２列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁３２４をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３２４を、基板３２１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、実験例１と同様にして、障壁３２４によって区画された領域に、膜厚７μｍの赤色蛍光体層３２５、青色散乱体層３２６をパターン形成し、蛍光体基板３２０を得た。
蛍光体基板３２０において、赤色蛍光体層３２６Ａ，３２６Ｂおよび青色散乱体層３２７Ａの励起光入射面側（基板３２１とは反対側）を遮光し、青色散乱体層３２７Ｂのみに、青色励起光を照射した。
その結果、青色散乱体層３２７Ｂから青色散乱光が観測され、それ以外の画素、すなわち、赤色蛍光体層３２６Ａ，３２６Ｂおよび青色散乱体層３２７Ａからは、いかなる発光も観測されなかった。
実験例９では、光不透過部３１２の形状を基板３１１との密着性を高める形状にしたが、本実験例のように、基板３２１との密着性が良好で、かつ、厚膜形成が可能な光透過部３２２を用いても同様な効果を発現する障壁３２４を形成することができる。また、光透過部３２２の表面には、銀３２３等からなる光反射膜ではなく、カーボンブラック等からなる光吸収膜を設けてもよい。
なお、本実験例では、光透過部３２２が、障壁３２４と基板３２１との密着性を向上させる機能を有していることから、最外画素に対応する障壁３２４の最外箇所にも光透過部３２２を設けることが好ましい。
［実験例１１］
（青色有機ＥＬ＋蛍光体方式の実施例）
図４９は、実験例１１の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＫ−Ｋ線に沿う断面図である。
「蛍光体基板の作製」
基板３３１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板３３１の一方の面３３１ａの全面に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１０μｍの光不透過膜を形成した。
次に、その光不透過膜に、基板３３１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光不透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光不透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板３３１側から離れるに従って次第に幅が広くなっていくテーパー形状をなす光不透過部３３２を形成した。なお、光不透過部３３２において、基板３３１の一方の面３３１ａに接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板３３１の一方の面３３１ａに接している面とは反対側の面）３３２ａの幅を１５μｍとした。
次に、光不透過部３３２が設けられた基板３３１全体をマイクロ波プラズマ処理することにより、光不透過部３３２の表面を粗面化した。
次に、光不透過部３３２がパターニングされた基板３３１の一方の面３３１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁３３３の幅が２５μｍ、障壁３３３のピッチが１００μｍとなる３行×３列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁３３３をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３３３を、基板３３１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、障壁３３３によって区画された領域に、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５、青色散乱体層３３６をパターン形成し、蛍光体基板３３０を得た。
ここで、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６の形成方法を説明する。
赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６を形成するために、赤色蛍光体層形成用塗液、緑色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を調製した。
赤色蛍光体層形成用塗液を調製するには、平均粒径２μｍの赤色蛍光体Ｋ５Ｅｕ２．５（ＷＯ４）６．２５３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、赤色蛍光体層形成用塗液を得た。
緑色蛍光体層形成用塗液を調製するには、平均粒径２μｍの緑色蛍光体Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、緑色蛍光体層形成用塗液を得た。
青色散乱体層形成用塗液を調製するには、平均粒径１．５μｍのシリカ粒子（屈折率：１．６５）３０ｇに、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液３０ｇを加え、分散機により攪拌した。これにより、青色散乱体層形成用塗液を得た。
次に、基板３３１をＵＶ／Ｏ３で洗浄し、続いて、基板３３１をフッ素プラズマ処理することにより、障壁３３３に撥液性を付与し、基板３３１に親液性を付与した。
次に、赤色蛍光体層形成用塗液、緑色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を、ディスペンサー法により、基板３３１上に設けられた枠状の障壁３３３の内部にパターン塗布した。
次に、真空オーブン（２００℃、１０ｍｍＨｇの条件）により、赤色蛍光体層形成用塗液、緑色蛍光体層形成用塗液および青色散乱体層形成用塗液を塗布した基板３３１を、４時間、加熱乾燥して、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層３３４Ａ，３３４Ｂ，３３４Ｃ、緑色蛍光体層３３５Ａ，３３５Ｂ，３３５Ｃ、青色散乱体層３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃを形成した。
次に、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６と、障壁３３３および構造物とによって生じる蛍光体基板の表面高さの不釣り合いを最小限に抑えるために、基板３３１の一方の面３３１ａの全面に、スピンコート法により、厚さ２０μｍとなるようにアクリル樹脂を塗布し、１２０℃にて３０分加熱することにより、平坦化層３３７を形成した。
次に、平坦化層３３７上に、ＥＢ蒸着法により、酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）を交互に６層成膜して、膜厚２μｍの波長選択反射膜３３８を形成し、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６がパターン形成された蛍光体基板３３０を得た。
なお、波長選択反射膜３３８を、青色励起光を８０％以上透過し、赤色蛍光および緑色蛍光を９５％以上反射するように設計した。
「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
次に、光源として用いる青色有機ＥＬ素子基板の作製方法について説明する。
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍとなるように、銀を成膜して反射膜とし、続いて、反射膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍとなるように、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、銀とＩＴＯとの積層膜からなる第一電極として反射電極（陽極）を形成した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極を、幅が３０μｍ、ピッチが５０μｍとなるようにストライプ状にパターニングした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍとなるように、ＳｉＯ２を積層した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、ＳｉＯ２をパターニングし、エッジカバーを形成した。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ短辺側をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板を、抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０−４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機ＥＬ層を抵抗加熱蒸着法により形成した。
まず、正孔注入材料として、１，１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４−ビス−トリフェニルシリル−ベンゼン（ＵＧＨ−２）（ホスト材料）とビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。
次に、正孔防止層上に、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。
次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅３０μｍ、ピッチ５０μｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えた青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板３３０とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板３３０には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：−８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層３３４で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層３３５で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層３３６に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁３３３で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層３３４、緑色蛍光体層３３５および青色散乱体層３３６からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜３３８で光取出し方向へ取り出しているので、有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
なお、本実験例では、波長選択反射膜３３８として、誘電体多層膜を例示したが、波長選択反射膜３３８は、これに限定されるものではない。波長選択反射膜３３８としては、例えば、金属薄膜や金属薄膜ガラス、石英等からなる無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、波長選択反射膜３３８の形成方法としては、ＥＢ蒸着法以外に、例えば、スクリーン印刷法、抵抗加熱蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法等が用いられる。
［実験例１２］
（青色有機ＥＬ＋蛍光体方式の実施例）
「蛍光体基板の作製」
基板として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板の一方の面の全面に、スピンコート法により、ネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて３０分焼成し、膜厚１０μｍの光透過膜を形成した。
次に、その光透過膜に、基板上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、基板側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光透過部を形成した。なお、光透過部において、基板の一方の面に接している部分の幅を１０μｍ、上面（基板の一方の面に接している面とは反対側の面）の幅を９μｍとした。
次に、光透過部の表面に、真空蒸着法により、銀を膜厚１００ｎｍでパターン形成し、光不透過部を得た。
次に、光不透過部がパターニングされた基板の一方の面全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁の幅が２５μｍ、障壁のピッチが１００μｍとなる３行×３列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁を、基板側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、障壁によって区画された領域に、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色散乱体層をパターン形成した。
次に、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層と、障壁および構造物とによって生じる蛍光体基板の表面高さの不釣り合いを最小限に抑えるために、基板の一方の面の全面に、スピンコート法により、厚さ２０μｍとなるようにアクリル樹脂を塗布し、１２０℃にて３０分加熱することにより、平坦化層を形成した。
次に、平坦化層上に、ＥＢ蒸着法により、酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）を交互に６層成膜して、膜厚２μｍの波長選択反射膜を形成し、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層がパターン形成された蛍光体基板を得た。
なお、波長選択反射膜を、青色励起光を８０％以上透過し、赤色蛍光および緑色蛍光を９５％以上反射するように設計した。
「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
次に、光源として用いる青色有機ＥＬ素子基板の作製方法について説明する。
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍとなるように、銀を成膜して反射膜とし、続いて、反射膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍとなるように、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、銀とＩＴＯとの積層膜からなる第一電極として反射電極（陽極）を形成した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極を、幅が３０μｍ、ピッチが５０μｍとなるようにストライプ状にパターニングした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍとなるように、ＳｉＯ２をスパッタリング法により２００ｎｍ積層した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、ＳｉＯ２をパターニングし、エッジカバーを形成した。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ短辺側をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板を、抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０−４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機ＥＬ層を抵抗加熱蒸着法により形成した。
まず、正孔注入材料として、１，１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４−ビス−トリフェニルシリル−ベンゼン（ＵＧＨ−２）（ホスト材料）とビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。
次に、正孔防止層上に、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。
次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅３０μｍ、ピッチ５０μｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えた青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：−８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜で光取出し方向へ取り出しているので、有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
［実験例１３］
図５０は、実験例１３の蛍光体基板を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＬ−Ｌ線に沿う断面図である。
「蛍光体基板の作製」
基板３４１として、厚さ０．７ｍｍ、１０ｃｍ×１０ｃｍ角のガラス基板を用いた。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１００℃にて１時間乾燥させた。
次に、基板３４１の一方の面３４１ａの全面に、スピンコート法により、中空粒子を含有したアクリル樹脂を全面に塗布した。その後、２００℃にて１時間焼成し、膜厚１μｍの低屈折率層３４２（ｎ＝１．２１）を形成した。
次に、低屈折率層３４２上に、スピンコート法により、カーボンブラックを含有したネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて１時間焼成し、膜厚１μｍの遮光膜を形成した。
次に、その遮光膜に、基板３４１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（３５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、遮光膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、２２０℃にて１時間焼成することにより、幅３０μｍの遮光層３４３をパターン形成した。
次に、基板３４１の一方の面３４１ａの全面に、スピンコート法により、ネガ型レジストを全面に塗布した。その後、９０℃にて３０分焼成し、膜厚１０μｍの光透過膜を形成した。
次に、その光透過膜に、基板３４１上の各画素を囲む格子状にパターニングするための遮光マスクを被せて、ｉ線（２５０ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、光透過膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、光透過膜を１分間現像し、純水でリンス処理を行った後、１５０℃にて１時間焼成することにより、遮光層３４３上に、基板３４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなす光透過部３４４をパターン形成した。なお、光透過部３４４において、基板３４１の一方の面３４１ａ側の部分の幅を１０μｍ、上面（基板３４１の一方の面３４１ａ側の面とは反対側の面）３４４ａの幅を９μｍとした。
次に、光透過部３４４の表面に、真空蒸着法により、銀を膜厚１００ｎｍでパターン形成し、光不透過部３４５を得た。
次に、光不透過部３４５がパターニングされた基板３４１の一方の面３４１ａ全面を覆うように、スピンコート法により、酸化チタンおよび硫酸バリウムを含有した白色ポジ型レジストを塗布した。その後、８０℃にて３０分焼成し、膜厚１５μｍの塗膜を形成した。
次に、その塗膜に、障壁３４６の幅が２５μｍ、障壁３４６のピッチが１００μｍとなる３行×３列の障壁枠を形成するための遮光マスクを被せて、ｉ線（３００ｍＪ／ｃｍ２）を照射し、塗膜を露光した。続いて、現像液としてアルカリ現像液を用いて、塗膜を１分間現像したところ、ヨレも剥離もない障壁をパターニングすることができた。続いて、純水でリンス処理を行った後、１２０℃にて１時間焼成することにより、障壁３４６を、基板３４１側から離れるに従って次第に幅が狭くなっていくテーパー形状をなすように、パターニングした。
次に、障壁３４６によって区画された領域に、膜厚１０μｍの赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８、青色散乱体層３４９をパターン形成した。
次に、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９と、障壁３４６および構造物とによって生じる蛍光体基板３４０の表面高さの不釣り合いを最小限に抑えるために、基板３４１の一方の面３４１ａの全面に、スピンコート法により、厚さ２０μｍとなるようにアクリル樹脂を塗布し、１２０℃にて３０分加熱することにより、平坦化層３５０を形成した。
次に、平坦化層３５０上に、スピンコート法により中空粒子を含有したアクリル樹脂を全面に塗布し、２００℃にて１時間焼成することにより、膜厚１μｍの低屈折率層(ｎ＝１．２１) ３５１を形成した。
次に、低屈折率層３５１上に、ＥＢ蒸着法により、酸化チタン（ＴｉＯ２：屈折率＝２．３０）と酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率＝１．４７）を交互に６層成膜して、膜厚２μｍの波長選択反射膜３５２を形成し、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９がパターン形成された蛍光体基板３４０を得た。
なお、波長選択反射膜３５２を、青色励起光を８０％以上透過し、赤色蛍光および緑色蛍光を９５％以上反射するように設計した。
「青色有機ＥＬ素子基板の作製」
次に、光源として用いる青色有機ＥＬ素子基板の作製方法について説明する。
厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚１００ｎｍとなるように、銀を成膜して反射膜とし、続いて、反射膜の上に、スパッタリング法により、膜厚２０ｎｍとなるように、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を成膜し、銀とＩＴＯとの積層膜からなる第一電極として反射電極（陽極）を形成した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極を、幅が３０μｍ、ピッチが５０μｍとなるようにストライプ状にパターニングした。
次に、ガラス基板上に、スパッタリング法により、膜厚２００ｎｍとなるように、ＳｉＯ２を積層した。続いて、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部のみを覆うように、ＳｉＯ２をパターニングし、エッジカバーを形成した。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ短辺側をＳｉＯ２で覆う構造とした。これを水洗した後、純水超音波洗浄を１０分、アセトン超音波洗浄を１０分、イソプロピルアルコール蒸気洗浄を５分行い、１２０℃にて１時間乾燥させた。
次に、このガラス基板を、抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０−４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機ＥＬ層を抵抗加熱蒸着法により形成した。
まず、正孔注入材料として、１，１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４−ビス−トリフェニルシリル−ベンゼン（ＵＧＨ−２）（ホスト材料）とビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。
次に、正孔防止層上に、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。
次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅３０μｍ、ピッチ５０μｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えた青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：−８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成した端子を外部電源に接続し、有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層３４７で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層３４８で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層３４９に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁３４６で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層３４７、緑色蛍光体層３４８および青色散乱体層３４９からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜３５２で光取出し方向へ取り出しているので、有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
さらに、本実験例では、蛍光体層を低屈折率層で挟んでいるので波長選択反射膜３５２で蛍光が複数回反射することによる損失を低減できるため、実験例１２よりもさらに光取出し効率を高めることができた。また、実験例１２では、外光が障壁３４６によって散乱して明室コントラストを下げていたのに対し、本実験例では、障壁３４６と基板３４１の間には遮光層３４３が設けられているため、外光が遮光層３４３で吸収され、明室コントラストを向上させることができた。
なお、本実施例では、低屈折率層として中空粒子を用いた層を形成したが、本発明はこれに限定されず、低屈折率層としては、フッ素樹脂等の単一樹脂層でもよいし、エアロゲル等を用いてもよい。また、屈折率は低ければ低いほど好ましいので、低屈折率層として気体を用いてもよい。
［実験例１４］
（アクティブ駆動型青色有機ＥＬ＋蛍光体方式の実施例）
「蛍光体基板の作製」
実験例９と同様にして、蛍光体基板を作製した。
「アクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板の作製」
図３０に示すようなアクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
基板として、厚さ０．７ｍｍ、１００ｍｍ×１００ｍｍ角のガラス基板を用い、このガラス基板上に、ＰＥＣＶＤ法により、アモルファスシリコン半導体膜を形成した。
次に、アモルファスシリコン半導体膜の結晶化処理を施すことにより、多結晶シリコン半導体膜を形成した。
次に、フォトリソグラフィー法により、多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターニングした。続いて、パターニングした多結晶シリコン半導体層上に、ゲート絶縁膜およびゲート電極層をこの順番で形成し、フォトリソグラフィー法により、パターニングを行った。
次に、パターニングした多結晶シリコン半導体膜にリン等の不純物元素をドーピングすることにより、ソース領域およびドレイン領域を形成し、ＴＦＴ素子を作製した。
その後、平坦化膜を形成した。平坦化膜としては、ＰＥＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜、スピンコート法により形成したアクリル系樹脂層を、この順で積層し、形成した。
まず、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることにより、ソース領域および／またはドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿設したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。
その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜および窒化シリコン膜に穿設したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、アクティブマトリクス基板を得た。
平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現される。
なお、ＴＦＴ素子のゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用ＴＦＴ素子のドレインと、駆動用ＴＦＴ素子のソースとの間に、層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成した。
アクティブマトリクス基板上に、平坦化膜を貫通して駆動用ＴＦＴ素子と、赤色発光有機ＥＬ素子の第一電極、緑色発光有機ＥＬ素子の第一電極、青色発光有機ＥＬ素子の第一電極とをそれぞれ電気的に接続するコンタクトホールを設けた。
次に、各画素を駆動するためのＴＦＴ素子と接続した平坦化膜を貫通して設けられたコンタクトホールに電気的に接続するように、スパッタリング法により、各画素の第一電極（陽極）を形成した。
第一電極は、スパッタリング法により、反射電極Ａｌ（アルミニウム）を１５０ｎｍと透明電極ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）を２０ｎｍの膜厚で積層して形成し、各画素に対応した形状に、従来のフォトリソグラフィー法により、パターニングを行った。
ここでは、第一電極の面積を、７０μｍ×７０μｍとした。また、１００ｍｍ×１００ｍｍ角の基板に対して、表示部は８０ｍｍ×８０ｍｍであり、表示部の上下左右に幅２ｍｍの封止エリアを設け、短辺側にはさらに封止エリアの外にそれぞれ２ｍｍの端子取出し部を設けた。長辺側には、折り曲げを行う方に、２ｍｍの端子取出し部を設けた。
次に、第一電極のＳｉＯ２を、スパッタリング法により、２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法により、第一電極のエッジ部を覆うように、パターニングした。ここでは、第一電極の端から２μｍ分だけ４辺をＳｉＯ２で覆う構造とし、エッジカバーとした。
次に、上記のアクティブマトリクス基板を洗浄した。アクティブマトリクス基板の洗浄では、例えば、アセトン、イソプロピルアルコールを用いて超音波洗浄を１０分間行い、次に、ＵＶ−オゾン洗浄を３０分間行った。
次に、この基板を、インライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０−４Ｐａ以下の真空まで減圧し、有機発光層を含む有機層を抵抗加熱蒸着法により形成した。
まず、正孔注入材料として、１，１−ビス−ジ−４−トリルアミノ−フェニル−シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を形成した。
次に、正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’−ｄｉ−ｌ-ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＮＰＤ）を用いて、抵抗加熱蒸着法により、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層上に、厚さ３０ｎｍの青色有機発光層を形成した。ここでは、真空蒸着法により、１，４−ビス−トリフェニルシリル−ベンゼン（ＵＧＨ−２）（ホスト材料）とビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）を、それぞれの蒸着速度を１．５Å／ｓｅｃ、０．２Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、この青色有機発光層を形成した。
次に、青色有機発光層上に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、厚さ１０ｎｍの正孔防止層を形成した。
次に、正孔防止層上に、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いて、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。
次に、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、厚さ０．５ｎｍの電子注入層を形成した。
この後、電子注入層上に、半透明電極からなる第二電極を形成した。
まず、金属蒸着用チャンバーに、前記の各部位が形成されたガラス基板を固定した。
次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極のストライプと対向する向きに幅２ｍｍのストライプ状に、第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）とガラス基板をアライメントし、電子注入層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀を、それぞれの蒸着速度を０．１Å／ｓｅｃ、０．９Å／ｓｅｃとし、共蒸着することにより、電子注入層上に、厚さ１ｎｍのマグネシウム銀を、所望のパターンで形成した。
さらに、干渉効果を強調する目的、および、第二電極での配線抵抗による電圧降下を防止する目的で、真空蒸着法により、銀を、蒸着速度を１Å／ｓｅｃとし、蒸着することにより、マグネシウム銀上に、厚さ１９ｎｍの銀を、所望のパターンで形成した。これにより、第二電極を形成した。
ここで、有機ＥＬ素子としては、反射電極（第一電極）と半透過電極（第二電極）間でマイクロキャビティ効果（干渉効果）が発現し、正面輝度を高めることが可能となり、有機ＥＬ素子からの発光エネルギーをより効率よく、蛍光体層および散乱体層に伝搬させることが可能となる。また、マイクロキャビティ効果により、発光ピークを４６０ｎｍ、半値幅を５０ｎｍに調整した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、膜厚３μｍのＳｉＯ２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて表示部の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。
以上により、青色有機ＥＬ素子を備えたアクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板を作製した。
次に、アクティブ駆動型青色有機ＥＬ素子基板と蛍光体基板とを、表示部の外に形成されている位置合わせマーカーにより位置合わせを行った。なお、予め蛍光体基板には熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、９０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的で、ドライエアー環境下（水分量：−８０℃）で行った。
次に、光取り出し側の基板に、偏光板を貼り合わせた。
最後に、短辺側に形成した端子を、ソースドライバを介して電源回路に、長辺側に形成した端子を、ゲートドライバを介して外部電源に接続し、８０ｍｍ×８０ｍｍ角の表示部を持つアクティブ駆動型青色有機ＥＬ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色有機ＥＬ素子を任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜で光取出し方向へ取り出しているので、アクティブ駆動型青色有機ＥＬ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
［実験例１５］
（青色ＬＥＤ＋蛍光体方式の実施例）
「蛍光体基板の作製」
実験例９と同様にして、蛍光体基板を作製した。
「青色ＬＥＤ基板の作製」
ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い、反応容器にセットしたサファイア基板のＣ面に５５０℃でＧａＮからなるバッファ層を、膜厚６０ｎｍで成長させた。
次に、温度を１０５０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＮＨ３に加えてＳｉＨ４ガスを用い、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を、膜厚５μｍで成長させた。
続いて、原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え、同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層からなる第２のクラッド層を、膜厚０．２μｍで成長させた。
次に、温度を８５０℃に下げ、ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＮＨ３およびＳｉＨ４を用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる第一のｎ型クラッド層を、膜厚６０ｎｍで成長させた。
続いて、ＴＭＧ、ＴＭＩおよびＮＨ３を用い、８５０℃でノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎからなる活性層を、膜厚５ｎｍで成長させた。
さらに、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ３に加えて、新たにＣＰＭｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、８５０℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる第一のｐ型クラッド層を、膜厚６０ｎｍで成長させた。
次に、温度を１１００℃に上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３、ＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる第二のｐ型クラッド層を、膜厚１５０ｎｍで成長させた。
続いて、１１００℃でＴＭＧ、ＮＨ３およびＣＰＭｇを用い、Ｍｇドープｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層を、膜厚６００ｎｍで成長させた。
以上の操作終了後、温度を室温まで下げて、反応容器からウェーハを取り出し、７２０℃でウェーハのアニーリングを行い、ｐ型層を低抵抗化した。
次に、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層の表面が露出するまでエッチングした。
エッチング後、ｎ型コンタクト層の表面にチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）からなる負電極、ｐ型コンタクト層の表面に、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）からなる正電極を形成した。
電極形成後、ウェーハを３５０μｍ角のチップに分離した後、別に用意してある外部回路に接続するための配線が形成されている基板上に、作製したＬＥＤチップをＵＶ硬化樹脂で固定して、ＬＥＤチップと基板上の配線を電気的に接続し、青色ＬＥＤからなる光源基板（青色ＬＥＤ基板）を作製した。
次に、以上のようにして作製した光源基板と蛍光体基板を、表示部の外に形成されているアライメントマーカーにより位置合わせを行った。
なお、蛍光体基板には、予め熱硬化性樹脂が塗布されており、熱硬化性樹脂を介して両基板を密着し、８０℃にて２時間加熱することにより、熱硬化性樹脂を硬化させた。また、上記の貼り合わせ工程は、ドライエアー環境下（水分量：−８０℃）で行った。
最後に、周辺に形成されている端子を外部電源に接続することにより、青色ＬＥＤ表示装置を得た。
ここで、外部電源により、所望の電流を、所望のストライプ状電極に印加することにより、青色ＬＥＤを任意にスイッチング可能な励起光源として使用し、赤色蛍光体層で青色励起光を赤色光に変換し、緑色蛍光体層で青色励起光を緑色光に変換し、かつ、青色散乱体層に青色励起光を通過させることにより、等方的な青色発光を得ることができた。これにより、クロストークを生じることがなく、色にじみもないフルカラー表示が可能となり、良好な画像を得ることができた。また、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、側方への発光を、障壁で光取出し方向へ取り出すとともに、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層および青色散乱体層からの等方的な発光のうち、光取出し方向とは反対側への発光を、波長選択反射膜で光取出し方向へ取り出しているので、青色ＬＥＤ表示装置を低消費電力で駆動することができた。
本発明は、隣接する画素間における発光にじみを防止するとともに、光の取り出し効率に優れる障壁を備えた蛍光体基板により、クロストークを防いで、高画質な表示装置および照明装置を提供することができる。
１０ 蛍光体基板
１１ 基板
１２Ｒ，１２Ｇ，１２Ｂ 蛍光体層
１３ 障壁
１４ 光不透過部
１５ 光透過部
１６ 光反射部
１７ 光吸収部
２１ 光吸収部
２２ 光反射部
３０ 表示装置
３１ 接着層
３２ 光源基板
３３ 基板
３４ 光源
４０ ＬＥＤ基板
４１ 基板
４２ 第一のバッファ層
４３ ｎ型コンタクト層
４４ 第二のｎ型クラッド層
４５ 第一のｎ型クラッド層
４６ 活性層
４７ 第一のｐ型クラッド層
４８ 第二のｐ型クラッド層
４９ 第二のバッファ層
５０ 陰極
５１ 陽極
６０ 有機ＥＬ素子基板
６１ 基板
６２ 有機ＥＬ素子
６３ 第一電極
６４ 有機ＥＬ層
６５ 第二電極
６６ 正孔注入層
６７ 正孔輸送層
６８ 有機発光層
６９ 正孔防止層
７０ 電子輸送層
７１ 電子注入層
８１ スイッチング用ＴＦＴ
８２ 駆動用ＴＦＴ
８３ 発光部
９０ 表示装置
９１ 画素部
９２ ゲート信号側駆動回路
９３ データ信号側駆動回路
９４ 信号配線
９５ 電流供給線
９６ フレキシブルプリント配線板
９７ 外部駆動回路
１００ 有機ＥＬ素子基板
１１０ 有機ＥＬ層
１２０ 基板
１３０ ＴＦＴ
１３１ ゲート電極
１３２ ゲート線
１３３ ゲート絶縁膜
１３４ ソース電極
１３５ ドレイン電極
１３６ データ線
１３７ 平坦化膜
１３８ コンタクトホール
１５０ 無機ＥＬ素子基板
１５１ 基板
１５２ 無機ＥＬ素子
１５３ 第一電極
１５４ 第一誘電体層
１５５ 発光層
１５６ 第二誘電体層
１５７ 第二電極
１６０ シーリングライト（照明装置）
１６１ 発光部
１６２ 吊下線
１６３ 電源コード
１７０ 照明スタンド（照明装置）
１７１ 発光部
１７２ スタンド
１７３ メインスイッチ
１７４ 電源コード
１８０ 携帯電話
１８１ 音声入力部
１８２ 音声出力部
１８３ アンテナ
１８４ 操作スイッチ
１８５ 表示部
１８６ 筐体
１９０ 薄型テレビ
１９１ 表示部
１９２ スピーカ
１９３ キャビネット
１９４ スタンド
２００ 携帯型ゲーム機
２０１，２０２ 操作ボタン
２０３ 外部接続端子
２０４ 表示部
２０５ 筐体
２１０ ノートパソコン
２１１ 表示部
２１２ キーボード
２１３ タッチパッド
２１４ メインスイッチ
２１５ カメラ
２１６ 記録媒体スロット
２１７ 筐体
２２０ タブレット端末
２２１ 表示部（タッチパネル）
２２２ カメラ
２２３ 筐体

Claims (14)

  1. 基板と、前記基板上に設けられ、励起光源から入射した励起光により蛍光を生じる蛍光体層と、前記蛍光体層の側面を囲む障壁と、を備え、
    前記障壁の前記蛍光体層と接する側面のうち少なくとも一部が光散乱性または光反射性を有し、前記障壁の一部に光不透過部が設けられていることを特徴とする蛍光体基板。
  2. 前記障壁の内部に光不透過部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体基板。
  3. 前記光不透過部は、光吸収部および／または光反射部からなることを特徴とする請求項１または２に記載の蛍光体基板。
  4. 前記光不透過部は、テーパー形状をなしていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  5. 前記光不透過部の高さは、前記蛍光体層の膜厚以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  6. 前記障壁は、光散乱性粒子または光反射性粒子を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の蛍光体基板。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする表示装置。
  8. 赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、
    前記光源から前記励起光としての紫外光が射出され、
    前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記紫外光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記紫外光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、前記青色画素に前記紫外光を前記励起光として青色光を発する青色蛍光体層が設けられたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  9. 赤色光による表示を行う赤色画素と、緑色光による表示を行う緑色画素と、青色光による表示を行う青色画素と、を少なくとも含む複数の画素が備えられ、
    前記光源から前記励起光としての青色光が射出され、
    前記蛍光体層として、前記赤色画素に前記青色光を前記励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層が設けられ、前記緑色画素に前記青色光を前記励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層が設けられ、
    前記青色画素に前記青色光を散乱させる散乱層が設けられたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
  10. 前記光源は、前記複数の画素に対応して設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動素子と、を備えたアクティブマトリクス駆動方式の光源であることを特徴とする請求項８または９に記載の表示装置。
  11. 前記光源は、発光ダイオード、有機エレクトロルミネセンス素子、無機エレクトロルミネセンス素子のいずれかであることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の表示装置。
  12. 前記光源は、光射出面から光を射出する面状光源であり、
    前記面状光源と前記蛍光体基板との間に、前記画素毎に前記面状光源から射出された光の透過率を制御可能な液晶素子が設けられたことを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
  13. 前記光源は、指向性を有することを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
  14. 請求項１〜６のいずれか１項に蛍光体基板と、前記蛍光体層に照射する励起光を射出する発光素子を有する光源と、を備えたことを特徴とする記載の照明装置。
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