JP2016164855A - 発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】色変換層への入射光、および色変換層からの出射光の損失を低減することができる発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１の一方の面１１ａに設けられた有機ＥＬ層４１と、有機ＥＬ層４１上に設けられた第２電極４３（透明電極）と、を有する有機ＥＬ素子基板１０と、第２電極４３上に設けられた色変換層２３と、を備え、色変換層２３を構成する樹脂は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高い発光装置１００。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器に関する。

色変換方式の有機ＥＬ表示装置としては、青色発光の有機ＥＬ素子と、色変換層とを組み合わせた装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
色変換方式の有機ＥＬ表示装置において、光の取り出し効率を向上させるためには、以下の２点の効率を向上させる必要がある。
（１）有機ＥＬ素子から、色変換層への光の入射率の向上。ここでは、透明電極の屈折率（ｎ＝１．９）と、色変換層を構成する樹脂の屈折率との差を小さくする必要がある。
（２）色変換層から空気中への光の出射率の向上。ここでは、色変換層を構成する樹脂の屈折率と、空気の屈折率（ｎ＝１．０）との差を小さくする必要がある。
通常、色変換層を構成する樹脂の屈折率を、透明電極の屈折率または空気の屈折率のいずれか一方に合せて調節するしかないため、色変換層への入射光、または色変換層からの出射光のいずれかで全反射が生じ易くなり、光の損失が生じる。

特許第５２１４３６０号公報

しかしながら、通常、色変換層を構成する樹脂の屈折率を、透明電極の屈折率または空気の屈折率のいずれか一方に合せて調節することしかできないため、色変換層への入射光、または色変換層からの出射光のいずれかで全反射が生じ易くなり、光の損失が生じるという課題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、色変換層への入射光、および色変換層からの出射光の損失を低減することができる発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器を提供することを目的とする。

本発明の１つの態様の発光装置は、基板、並びに、前記基板の一方の面に設けられた、少なくとも電極、発光層および透明電極をこの順に備えた有機エレクトロルミネッセンス層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、前記透明電極上に積層された色変換層と、を備え、前記色変換層を構成する樹脂は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高いことを特徴とする。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記色変換層を構成する材料は、下記式（１）で定義されるアッベ数が３０以下であってもよい。

（但し、ｎ_ＤはフラウンホーファーのＤ線（５８９．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＦはフラウンホーファーのＦ線（４８６．１ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＣはフラウンホーファーのＣ線（６５６．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率を表わす。）

本発明の１つの態様の発光装置において、前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板の発光が、青色光または青緑色光であってもよい。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記透明電極と前記色変換層とは、青色光または青緑色光における屈折率が、前記樹脂の屈折率以上、かつ前記透明電極の屈折率以下である材料を介して積層されていてもよい。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記基板上に間隔を置いて、テーパー角がθの角度で形成された複数のエッジカバーが設けられ、前記エッジカバーは、前記透明電極の少なくとも一部に覆われるとともに、前記発光層の側面に配置され、前記エッジカバーは、絶縁性、および、光反射性または光散乱性を有し、前記色変換層は、透明基板の一方の面に設けられた複数の隔壁によって区画された複数の領域内に設けられ、前記隔壁は、前記透明基板の一方において、少なくとも前記エッジカバーと対向する位置に間隔を置いて設けられ、前記隔壁は、光反射性または光散乱性を有し、前記角度θは、下記式（２）で定義されていてもよい。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記色変換層は、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光および青緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより、白色光を発光する白色変換層を有していてもよい。

本発明の１つの態様の発光装置は、青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源に積層された色変換基板と、を備え、前記色変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた複数の隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、色変換層および光透過層の少なくともいずれか１つと、を有し、前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、青色光のみを透過する青色カラーフィルター層と、からなり、前記色変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色変換層と、前記緑色カラーフィルター部上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色変換層と、を有し、前記色変換層を構成する材料は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高く、前記光透過層は、前記透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、前記透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過する、または、前記青色カラーフィルター層により、青色光または青緑色光に含まれる波長の光を透過することを特徴とする。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記色変換層を構成する材料は、下記式（１）で定義されるアッベ数が３０以下であってもよい。

（但し、ｎ_ＤはフラウンホーファーのＤ線（５８９．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＦはフラウンホーファーのＦ線（４８６．１ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＣはフラウンホーファーのＣ線（６５６．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率を表わす。）

本発明の１つの態様の発光装置において、前記光源は、基板の一方の面に設けられた、少なくとも電極、発光層および透明電極をこの順に備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であってもよい。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記透明電極と前記色変換層とは、青色光または青緑色光における屈折率が、前記樹脂の屈折率以上、かつ前記透明電極の屈折率以下である材料を介して積層されていてもよい。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記基板上に間隔を置いて、テーパー角がθの角度で形成された複数のエッジカバーが設けられ、前記エッジカバーは、前記透明電極の少なくとも一部に覆われるとともに、前記発光層の側面に配置され、前記エッジカバーは、絶縁性、および、光反射性または光散乱性を有し、前記隔壁は、前記透明基板の一方において、少なくとも前記エッジカバーと対向する位置に間隔を置いて設けられ、前記隔壁は、光反射性または光散乱性を有し、前記角度θは、下記式（２）で定義されていてもよい。

本発明の１つの態様の発光装置において、前記色変換層は、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光および青緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより、白色光を発光する白色変換層を有していてもよい。

本発明の１つの態様の表示装置、照明装置、電子機器は、本発明の１つの態様の発光装置を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、色変換層への入射光、および色変換層からの出射光の損失を低減することができる発光装置並びにこれを備えた表示装置、照明装置および電子機器が得られる。

（Ａ）は、本発明の第１実施形態である発光装置の概略構成を示す断面図、（Ｂ）は、有機ＥＬ素子の概略構成を示す図。 本発明の第１実施形態である発光装置を示す上面図。 本発明で用いられる、色変換層を構成する樹脂の屈折率の波長依存性を示すグラフ。 エッジカバーと基板とのなす角度と、色変換層を構成する樹脂の屈折率と、第２電極（透明電極）の屈折率との関係を説明する図。 本発明の第２実施形態である発光装置の概略構成を示す断面図。 本発明の第３実施形態である表示装置を示す概略正面図。 表示装置における１画素（サブ画素）の等価回路を示す回路図。 本発明の第４実施形態である照明装置を示す概略斜視図。 本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図。 本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図。 本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。 本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。 本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。 本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図。

本発明の発光装置並びにこれを備えた表示装置および電子機器の実施の形態について説明する。
なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をよりよく理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。

［第１実施形態］
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態である発光装置の概略構成を示す断面図である。図１（Ｂ）は、発光装置の概略構成を示す図である。
図１（Ａ）に示すように、本実施形態の発光装置１００は、有機ＥＬ素子基板１０と、色変換基板２０と、有機ＥＬ素子基板１０と色変換基板２０との間に設けられた充填層３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの有機ＥＬ発光装置である。

有機ＥＬ素子基板１０は、基板１１、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）回路１２、有機ＥＬ素子（有機発光素子）４０を主として構成されており、ＴＦＴ回路１２を備えた基板１１上に複数の有機ＥＬ素子４０が設けられている。

色変換基板２０は、透明基板２１、カラーフィルター層（色調整層）２２および色変換層（波長変換層）２３を主として構成されており、透明基板２１の一面２１ａ側に、Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブ画素Ｓに対応したカラーフィルター層（色調整層）２２および色変換層２３が設けられている。

本実施形態の発光装置１００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された光が、色変換層２３およびカラーフィルター層２２へと入射することで、赤色、緑色、青色の三色の光として色変換基板２０の外側（観測者側）へと射出されるようになっている。

図１（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子４０は、有機ＥＬ層４１が第１電極４２と第２電極４３とにより挟持されて構成されている。図１（Ａ）に示すように、第１電極４２は、層間絶縁膜１３および平坦化膜１４を貫通して設けられたコンタクトホール１２ｂにより、ＴＦＴ回路１２の１つに接続されている。第２電極４３は、層間絶縁膜１３、平坦化膜１４を貫通して設けられた不図示の配線によりＴＦＴ回路１２の１つに接続されている。

図２は、発光装置１００を示す上面図である。
図２に示すように、本実施形態の発光装置１００は、複数の画素２４を有している。各画素２４は、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応する３つのサブ画素Ｓ（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））から構成されている。

赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）は、ｙ軸に沿ってストライプ状に延長され、ｘ軸に沿って赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）が順に配置された、２次元的なストライプ配列とされている。

なお、図２に示す例では、ＲＧＢの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））がストライプ配列された例を示しているが、本実施形態はこれに限定されず、ＲＧＢの各サブ画素（赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ））の配列はモザイク配列、デルタ配列等、従来公知のＲＧＢ画素配列とすることもできる。

「有機ＥＬ素子基板」
有機ＥＬ素子基板１０は、図１（Ａ）に示すように、アクティブマトリクス基板１５と、アクティブマトリクス基板１５上に設けられた複数の有機ＥＬ素子４０と、エッジカバー１６と、封止層１７とを有して構成されている。アクティブマトリクス基板１５は、基板１１、基板１１上に形成されたＴＦＴ回路１２、層間絶縁膜１３および平坦化膜１４を有する。

基板１１上には、ＴＦＴ回路１２および各種配線（図示略）が形成され、さらに、基板１１の上面およびＴＦＴ回路１２を覆うように層間絶縁膜１３と平坦化膜１４が順次積層形成されている。

基板１１としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスチック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、これらの基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等の有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、または、アルミニウム等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられるが、本実施形態はこれらに限定されない。

ＴＦＴ回路１２は、有機ＥＬ素子４０を形成する前に、予め基板１１上に形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。ＴＦＴ回路１２としては、従来公知のＴＦＴ回路を用いることができる。また、本実施形態においては、スイッチング用および駆動用素子としてＴＦＴの代わりに金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。

ＴＦＴ回路１２は、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。ＴＦＴ回路１２の活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム−酸化ガリウム−酸化亜鉛等の酸化物半導体材料または、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴ回路１２の構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。

本実施形態で用いられるＴＦＴ回路１２のゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法等により形成されたＳｉＯ_２またはポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等が挙げられる。また、本実施形態で用いられるＴＦＴ回路１２の信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極および第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。

層間絶縁膜１３は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、その材料としては、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、または、Ｓｉ_２Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、または、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、または、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。

層間絶縁膜１３の形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。

平坦化膜１４は、ＴＦＴ回路１２の表面の凸凹により有機ＥＬ素子４０の欠陥（例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生することを防止するために設けられる。なお、平坦化膜１４は省略することも可能である。

平坦化膜１４は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜１４の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料および形成方法に限定されない。また、平坦化膜１４は、単層構造でも多層構造でもよい。

エッジカバー１６は、有機ＥＬ素子４０の周囲を取り囲み、各サブ画素Ｓを区画するようにして形成されている。エッジカバー１６は、基板１１の一方の面１１ａ上の少なくとも各サブ画素Ｓ間に形成され、第１電極４２と第２電極４３との間でリークを起こすことを防止する。

具体的に、エッジカバー１６は、基板１１に対向する第１端面１６ａと、第１端面１６ａに対向して第１端面１６ａの面積よりも小さい面積を有する第２端面１６ｂと、側面１６ｃと、を有している。エッジカバー１６の形状は、順テーパー形状、または逆テーパー形状のどちらでもよい。ここで、「順テーパー形状」とは、基板１１から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。「逆テーパー形状」とは、基板１１から離れる方向に断面形状が太くなるテーパー形状のことをいう。

エッジカバー１６は、有機ＥＬ素子４０からの光取り出し効率を考慮した白色のホワイトバンクからなる。これにより輝度が向上する。
エッジカバー１６は、絶縁材料を用いて、電子線（ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。また、エッジカバー１６は、公知のドライ法またはウェット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化することができる。なお、エッジカバー１６の形成方法は、これらの形成方法に限定されるものではない。また、エッジカバー１６を構成する材料としては、特に限定されないが、公知の材料が用いられる。例えば、平坦化膜１４と同様の材料を用いることも可能である。

エッジカバー１６は、第１電極４２と第２電極４３との絶縁性を充分に確保することのできる膜厚を有する。エッジカバー１６の膜厚としては、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。エッジカバー１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が充分ではなく、第１電極４２と第２電極４３との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、エッジカバー１６の膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。

エッジカバー１６は、その全体または表面（第１端面１６ａ、第２端面１６ｂ、側面１６ｃ）が光反射性の材料からなることが好ましい。

光反射性の材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ、銀（Ａｇ）等が挙げられる。

エッジカバー１６の表面が光反射性の材料からなる場合、エッジカバー１６の表面に、光反射性の材料からなる薄膜が設けられる。
エッジカバー１６の表面に光反射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の光反射性の材料を用い、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。

エッジカバー１６は、第１電極４２と第２電極４３との絶縁性を充分に確保することのできる膜厚を有する。エッジカバー１６の膜厚としては、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましい。エッジカバー１６の膜厚が１００ｎｍ未満であると、絶縁性が充分ではなく、第１電極４２と第２電極４３との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。一方、エッジカバー１６の膜厚が２０００ｎｍを超えると、成膜プロセスに時間がかかるため生産性の悪化が懸念される。

有機ＥＬ素子４０は、第１電極４２、有機ＥＬ層４１、第２電極４３を有する。
第１電極４２および第２電極４３は、有機ＥＬ素子４０の陽極または陰極として対で機能する。
図１（Ａ）、（Ｂ）および以下の説明においては、第１電極４２が陽極、第２電極４３が陰極の場合のマイクロキャビティ効果を用いたトップエミッション型を例に説明する。

有機ＥＬ素子４０の色純度の向上、発光効率の向上、正面輝度の向上等の目的でマイクロキャビティ効果を用いる場合、有機ＥＬ層４１からの発光を、透明基板２１側から取り出すトップエミッション型の構造では、第１電極４２としては、反射電極と透明電極からなり、光を反射する反射率の高い反射電極を用いることが好ましい。また、有機ＥＬ層４１からの発光を透明基板２１側から取り出すトップエミッション型の構造では、第２電極４３として半透明電極を用いることが好ましい。

第１電極４２を構成する反射電極としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金およびアルミニウム−シリコン合金等の反射性金属電極が挙げられる。
第１電極４２を構成する透明電極としては、例えば、インジウムと錫からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫の酸化物インジウムと亜鉛からなる酸化物（ＩＺＯ）等の透明電極材料からなるものが挙げられる。
なお、第１電極４２は上記の構成に限定されるものではなく、上記の反射電極のみから構成されていてもよい。

第２電極（半透明電極）４３としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料を組み合わせたものを用いることができる。特に、半透明電極の材料としては、反射率と透過率の観点から、銀が好ましい。
第２電極４３の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍであることが好ましい。第２電極４３の膜厚が５ｎｍ未満では、光の反射が充分に行えないため、干渉の効果を充分に得るとこができない。一方、第２電極４３の膜厚が３０ｎｍを超えると、光の透過率が急激に低下するため、輝度および発光効率が低下するおそれがある。

第１電極４２および第２電極４３は、従来の電極材料を用いて形成することができる。
第１電極４２は、例えば、有機ＥＬ層４１にホールを効率良く注入するために、インジウムと錫からなる酸化物（ＩＴＯ）、インジウムと亜鉛からなる酸化物（ＩＺＯ）、ガリウムと亜鉛からなる酸化物（ＧＺＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化インジウム−インジウム亜鉛酸化物：Ｉｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｎ（ＩＤＩＸＯ）等を用いて透明電極を形成することができる。

第２電極４３は、電子を効率良く注入するために、Ｃａ／ＡｌやＣｅ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ等の仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層して形成するのが好ましい。また、第２電極４３は、Ｃａ：Ａｌ合金やＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の仕事関数の低い金属を含有する合金で形成してもよいし、ＬｉＦ／ＡｌやＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｂａ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ／Ａｇ等の薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせて形成してもよい。

有機ＥＬ層４１は、第１電極４２と第２電極４３との間に配置され、電圧が印加されることによって発光する。有機ＥＬ層４１は、例えば、図１（Ｂ）に示すように、第１電極４２側から順に、正孔注入層４４、正孔輸送層４５、電子ブロッキング層４６、発光層４７、電子輸送層４８、電子注入層４９が設けられている（正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／電子輸送層／電子注入層）。本実施形態の発光層４７は、青色〜青緑色光を発光する単層構造とされている。

第１電極４２と第２電極４３により微小共振器構造が構成されると、第１電極４２と第２電極４３との干渉効果により、有機ＥＬ層４１の発光を正面方向（光取り出し方向）に集光することができる。その際、有機ＥＬ層４１の発光に指向性を持たせることができるため、周囲に逃げる発光損失を低減することができ、その発光効率を高めることができる。これにより、有機ＥＬ層４１で生じる発光エネルギーをより効率良く、色変換層２３側へ出射させることができ、ひいては、有機ＥＬ素子４０の正面輝度を高めることができる。

また、第１電極４２と第２電極４３により構成される微小共振器構造によれば、有機ＥＬ層４１の発光スペクトルを調整することも可能となり、所望の発光ピーク波長および半値幅に調整することができる。これにより、有機ＥＬ層４１の発光スペクトルを、色変換層２３中の有機蛍光色素を効果的に励起することが可能なスペクトルに制御することができる。

第１電極４２と第２電極４３の形成には、蒸着法やＥＢ法、ＭＢＥ法、スパッタ法等のドライプロセスを用いることもできるし、また、スピンコート法や印刷法、インクジェット法等のウエットプロセスを用いることもできる。

有機ＥＬ素子４０は、第１電極４２と、有機ＥＬ層４１と、第２電極４３とを有する。
第１電極４２および第２電極４３は、有機ＥＬ素子４０の陽極または陰極として、対で機能する。
図１（Ａ）、（Ｂ）および以下の説明においては、第１電極４２が陰極、第２電極４３が陽極の場合のトップエミッション型を例に説明する。

第１電極４２は、電子を効率良く注入するために、Ｃａ／ＡｌやＣｅ／Ａｌ、Ｃｓ／Ａｌ、Ｂａ／Ａｌ等の仕事関数の低い金属と安定な金属とを積層して形成するのが好ましい。また、第２電極４３は、Ｃａ：Ａｌ合金やＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の仕事関数の低い金属を含有する合金で形成してもよいし、ＬｉＦ／ＡｌやＬｉＦ／Ｃａ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｂａ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ／Ａｇ等の薄膜の絶縁層と金属電極とを組み合わせて形成してもよい。

第２電極４３を構成する透明電極としては、例えば、インジウムと錫からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫の酸化物インジウムと亜鉛からなる酸化物（ＩＺＯ）等の透明電極材料からなるものが挙げられる。

第１電極４２および第２電極４３は、従来の電極材料を用いて形成することができる。
第２電極４３は、例えば、有機ＥＬ層４１にホールを効率良く注入するために、ＩＴＯやＩＤＩＸＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＳｎＯ_２等を用いて透明電極を形成することができる。

ここでは、トップエミッション型を例に挙げたが、ボトムエミッション型構造であってもよい。

正孔注入層４４は、第１電極４２から効率良く正孔を受け取り、正孔輸送層４５へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔注入層４４に用いられる材料のＨＯＭＯレベルは、正孔輸送層４５に用いられるＨＯＭＯレベルよりも低く、第１電極４２の仕事関数よりも高いのが好ましい。正孔注入層４４は、単層でも多層であってもよい。

接着用の樹脂には、例えば、ポリカーボネートやポリエステル等を用いることができる。溶剤は、材料を溶解、または、分散できればく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等を溶剤に用いることができる。

正孔注入層４４の材料には、有機ＥＬ素子や有機光導電体に対して一般に用いられている材料を用いることができる。例えば、無機ｐ型半導体材料や、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ'−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフェニルアミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等の高分子材料前駆体等を用いることができる。

正孔輸送層４５は、正孔注入層４４から効率良く正孔を受け取り、発光層４７へ効率良く受け渡すために設けられている。正孔輸送層４５に用いられる材料のＨＯＭＯレベルは、正孔注入層４４のＨＯＭＯレベルよりも高く、発光層４７のＨＯＭＯレベルよりも低いのが好ましい。正孔をより効率よく発光層４７に注入、輸送でき、発光に要する電圧の低減効果や発光効率の向上効果を得ることができるからである。

また、発光層４７からの電子の漏れが抑制できるように、正孔輸送層４５のＬＵＭＯレベルは発光層４７のＬＵＭＯレベルより低くするのが好ましい。そうすれば、発光層４７での発光効率を高めることができる。また、正孔輸送層４５のバンドギャップは発光層４７のバンドギャップより大きくするのが好ましい。そうすれば、発光層４７中に励起子を効果的に閉じ込めることができる。

正孔輸送層４５は、単層でも多層でもよく、ドライプロセスやウエットプロセスを用い、正孔注入層４４と同じようにして形成することができる。

電子ブロッキング層４６は、正孔注入層４４と同種の材料を用いて形成することができる。但し、その材料のＬＵＭＯレベルの絶対値は、電子ブロッキング層４６と接する発光層４７が含む正孔注入層４４の材料のＬＵＭＯレベルの絶対値より小さいのが好ましい。
電子をより効果的に発光層４７中に閉じ込めることができるからである。
電子ブロッキング層４６もまた、単層でも多層であってもよく、ドライプロセスやウエットプロセスを用い、正孔注入層４４と同じようにして形成することができる。

発光層４７は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、これらの各材料が高分子材料（接着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および耐久性の観点からは、発光層４７の材質は、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

有機発光材料としては、有機ＥＬ素子向けの公知の発光材料を用いることができる。
このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されない。
また、有機発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。

発光層４７に用いられる低分子発光材料（ホスト材料を含む）としては、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物；チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料；アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光発光有機金属錯体；ＢｅＢｑ（ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体）；４，４’−ビス−（２，２−ジ−ｐ−トリル−ビニル）−ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）；トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）Ｅｕ（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））；ジフェニルエチレン誘導体；トリス［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］アミン（ＴＦＴＰＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジアミノカルバゾール誘導体；ビススチリル誘導体；芳香族ジアミン誘導体；キナクリドン系化合物；ペリレン系化合物；クマリン系化合物；ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）；オリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）；４，４’−ジ（トリフェニルシリル）−ビフェニル（ＢＳＢ）、ジフェニル−ジ（ｏ−トリル）シラン（ＵＧＨ１）、１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ２）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）、トリフェニル−（４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル）シラン（ＴＰＳｉ−Ｆ）等のシラン誘導体；９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ１）、３，６−ジ（９−カルバゾリル）−９−（２−エチルヘキシル）カルバゾール（ＴＣｚ１）、９，９’−（５−（トリフェニルシリル）−１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＳｉｍＣＰ）、ビス（３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ジフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ２）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−（４−ジフェニルホスホリル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２１）、２，２−ビス（４−カルバゾリルフェニル）−１，１−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、３，６−ビス（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）、３，６−ビス［（３，５−ジフェニル）フェニル］−９−フェニル−カルバゾール（ＣｚＴＰ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＣ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（９−（４−メトキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９Ｈ−カルバゾール（ＤＦＣ）、２，２’−ビス（４−カルバゾール−９−イル）フェニル）−ビフェニル（ＢＣＢＰ）、９，９’−（（２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン−３，７−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＣＺＢＤＦ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、２−［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＢＤＡＦ）、２−（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＢＳＢＦ）、９，９−ビス［４−（ピレニル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＰＦ）、２，２’−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ビス［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＴＤＡＦ）、２，７−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＴＳＢＦ）、９，９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ＳＰＰＯ１）等のフルオレン誘導体；１，３−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン（ｍ−Ｂｐｙｅ）等のピレン誘導体；プロパン−２，２’−ジイルビス（４，１−フェニレン）ジベンゾエート（ＭＭＡ１）等のベンゾエート誘導体；４，４’−ビス（ジフェニルフォスフィンオキサイド）ビフェニル（ＰＯ１）、２，８−ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＰＰＴ）等のフォスフィンオキサイド誘導体；４，４”−ジ（トリフェニルシリル）−ｐ−ターフェニル（ＢＳＴ）等のターフェニル誘導体；２，４−ビス（フェノキシ）−６−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン（ＢＰＭＴ）等トリアジン誘導体等が挙げられる。

発光層４７に用いられる高分子発光材料としては、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体；ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体；ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。

有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。

発光層４７に用いられる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ素子用の公知のドーパントを用いることができる。このようなドーパントとしては、紫外発光材料であれば、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルセクシフェニル、３，５，３，５−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。また、青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料；ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ_６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。また、緑色発光材料であれば、トリス（２−フェニルピリジナート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。
発光層４７の膜厚は、５ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。

電子輸送層４８の材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。

電子注入層４９は、第２電極４３から効率良く電子を受け取り、電子輸送層４８へ効率良く受け渡すために設けられている。電子注入層４９の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）やフッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。

電子の注入、輸送をより効率よく行うために、電子注入層４９に用いる材料は、電子輸送層４８に用いられる材料よりもＬＵＭＯレベルが高いものが好ましい。また、電子輸送層４８に用いる材料は、電子注入層４９に用いられる材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

なお、有機ＥＬ層４１の構成はこれに限らず、必要に応じて適宜設定することができる。例えば、正孔輸送層／発光層／電子輸送層の構成や、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の構成、正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層／発光層／正孔ブロッキング層／電子注入層の構成にすることもできる。

有機ＥＬ層４１を構成している各層の形成方法には、真空蒸着法等のドライプロセスや、ドクターブレード法、ディップコート法、マイクログラビア法、スプレー法、インクジェット法、印刷法等のウエットプロセスを用いることができる。ウエットプロセスでは、有機ＥＬ層４１等に対する酸素や水分による影響を考慮すると、不活性ガス雰囲気下や真空条件下で処理するのが好ましい。また、各層の形成後には、溶媒を除去するために加熱等による乾燥処理を行うのが好ましい。その際、乾燥処理は、不活性ガス雰囲気下で行うのが好ましく、減圧下で行うのがより好ましい。

封止層１７は、基板１１の一方の面１１ａ上に設けられた複数の有機ＥＬ素子４０を封止するものである。封止層１７は、エッジカバー１６とエッジカバー１６によって区画された有機ＥＬ素子４０との表面を覆うようにして形成されている。封止層１７により、外部から有機ＥＬ素子４０内へ酸素や水分や混入するのを防止することができ、ひいては、有機ＥＬ素子４０の寿命を向上させることができる。

封止層１７の形成方法としては、例えば、ＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等を挙げることができる。また、封止層１７の材料としては、有機物であればフタロシアニン等が挙げられ、無機物であればＳｉＯＮやＳｉＯ、ＳｉＮ等が挙げられる。

「封止基板（色変換基板）」
封止基板（色変換基板）２０は、透明基板２１と、透明基板２１上に形成されたカラーフィルター層（色調整層）２２と、色変換層（波長変換層）２３と、隔壁２５とを有して構成されている。

透明基板２１としては、特に限定されるものではないが、従来の有機ＥＬ表示装置で使用される光透過性を有する基板が用いられる。透明基板２１の材料としては、例えば、透明無機ガラス基板、各種透明プラスチック基板、各種透明フィルム等が挙げられる。

隔壁２５は、サブ画素Ｓ同士の間に形成されるもので、透明基板２１の一方の面２１ａのうち、カラーフィルター層２２の赤色画素部Ｓ（Ｒ）、緑色画素部Ｓ（Ｇ）、青色画素部Ｓ（Ｂ）の間に形成されている。
具体的に、隔壁２５は、透明基板２１に対向する第１端面２５ａと、第１端面２５ａに対向して第１端面２５ａの面積よりも小さい面積を有する第２端面２５ｂと、側面２５ｃと、を有している。隔壁２５の形状は、順テーパー形状、または逆テーパー形状のどちらでもよい。ここで、「順テーパー形状」とは、透明基板２１から離れる方向に断面形状が細くなるテーパー形状のことをいう。「逆テーパー形状」とは、基板２１から離れる方向に断面形状が太くなるテーパー形状のことをいう。

隔壁２５の材料としては有機樹脂を用いることができる。隔壁２５の形成方法としては、塗布法を用いることができ、特に、フォトプロセスを用いることが好ましい。隔壁２５の膜厚は、色変換層２３をインクジェット塗布法で形成する際に色変換層材料が所定のサブ画素領域外にあふれるのを防止できる層厚であることが好ましい。

カラーフィルター層２２は、特定の波長の発光を得るもので、それ以外の波長の光を削減する機能を有する。
カラーフィルター層２２は、透明基板２１の一方の面２１ａに形成された、赤色カラーフィルター２２Ｒ、緑色カラーフィルター２２Ｇ、青色カラーフィルター２２Ｂを有する。赤色カラーフィルター２２Ｒにより赤色画素部Ｓ（Ｒ）が設定され、緑色カラーフィルター２２Ｇにより緑色画素部Ｓ（Ｇ）が設定され、青色カラーフィルター２２Ｂにより青色画素部Ｓ（Ｂ）が設定されることになる。
本実施形態におけるカラーフィルター層２２は、色変換層２３よりも低い屈折率を有する。

隔壁２５は、その全体または表面（第１端面２５ａ、第２端面２５ｂ、側面２５ｃ）が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなることが好ましい。

熱伝導性の材料または熱放射性の材料としては、エッジカバー１６と同様の材料が用いられる。

隔壁２５の表面が熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる場合、隔壁２５の表面に、熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜が設けられる。
隔壁２５の表面に熱伝導性の材料または熱放射性の材料からなる薄膜を形成する方法としては、上記の熱伝導性の材料または熱放射性の材料を用い、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。

色変換層２３は、入射光を吸収して、異なる波長域の光を放射する機能を有する。具体的に、色変換層２３は、入射光（基板１１上に搭載される複数の有機ＥＬ素子４０から放出される光）の一部を吸収して波長分布変換を行い、入射光の非吸収分と変換光とを含む光（入射光とは異なる波長分布を有する光）を放出するための層である。

色変換層２３は、複数種の色変換色素と、これを分散する樹脂とを主として構成される層であり、本実施形態においては赤色蛍光体層２３Ｒおよび緑色蛍光体層２３Ｇを有する。赤色蛍光体層２３Ｒおよび緑色蛍光体層２３Ｇは、透明基板２１上の隔壁２５によって区画されたサブ画素のうち、サブ画素Ｓ（Ｒ）およびサブ画素Ｓ（Ｇ）に対応する位置に選択的に設けられている。赤色蛍光体層２３Ｒは、赤色画素部Ｓ（Ｒ）に対応する位置であって、赤色カラーフィルター２２Ｒの表面に積層されている。緑色蛍光体層２３Ｇは、緑色画素部Ｓ（Ｇ）に対応する位置であって、緑色カラーフィルター２２Ｇの表面に積層されている。

色変換層２３を構成する材料は、下記式（１）で定義されるアッベ数（ｖｄ）が３０以下であることが好ましい。

（但し、ｎ_ＤはフラウンホーファーのＤ線（５８９．３ｎｍ）に対する色変換層２３を構成する樹脂の屈折率、ｎ_ＦはフラウンホーファーのＦ線（４８６．１ｎｍ）に対する色変換層２３を構成する樹脂の屈折率、ｎ_ＣはフラウンホーファーのＣ線（６５６．３ｎｍ）に対する色変換層２３を構成する樹脂の屈折率を表わす。）

ここで、色変換層２３を構成する材料とは、色変換色素、これを分散する樹脂およびその他の添加剤等を含む複合材料（混合材料）のことである。

有機蛍光色素を分散する樹脂としては、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高いものが用いられる（図３参照）。
このような樹脂としては、例えば、ポリカーボネート（ｖｄ＝３３）、ポリエステルメタクリレート（ｖｄ＝３２）、チオウレタン系樹脂（ｖｄ＝３２）、エビスルフリド系樹脂（ｖｄ＝３３）、ジアリルカーボネート（ｖｄ＝３７）、ウレタンメタクリレート（ｖｄ＝４１）、エポキシメタクリレート（ｖｄ＝３３）、ポリスチレン（ｖｄ＝３１）、ポリビニルカルバゾール（ｖｄ＝１７）、ポリナフチルメタクリレート（ｖｄ＝２５）、ポリビニルナフタレン（ｖｄ＝２０）等が挙げられる。これらの中でも、上記のアッベ数（ｖｄ）が３０以下であることから、ポリビニルカルバゾール、ポリナフチルメタクリレート、ポリビニルナフタレンが好ましく、ポリビニルカルバゾールがより好ましい。

アッベ数が３０を超える樹脂を用いる場合や、色変換層２３を構成する材料のアッベ数をより低くする場合には、色変換層２３を構成する材料に、アッベ数の小さい無機酸化物の微粒子を添加してもよい。
アッベ数の小さい無機酸化物としては、シリコン、チタン、ゲルマニウム、アルミニウム、ジルコニウム、インジウム、錫および亜鉛からなる群から選ばれる１つの元素を含む酸化物が挙げられる。このような無機酸化物としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ_２、ｖｄ＝１１．８、ｎ＝２．２７）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５、ｖｄ＝１４．０、ｎ＝２．３７）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ、ｖｄ＝５．５３、ｎ＝１．９）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ、ｖｄ＝９．６、ｎ＝２．０）、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ_２Ｏ_３、ｖｄ＝１３．４、ｎ＝２．２２）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３、ｖｄ＝１１．３、ｎ＝２．４４）、酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ_２Ｏ_３、ｖｄ＝１０．２、ｎ＝２．０）酸化亜鉛（ＺｎＯ、ｖｄ＝９．９、ｎ＝２．０）、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ、ｖｄ＝９．６、ｎ＝２．０）、酸化スズ（ＶＩ）（ＳｎＯ_２、ｖｄ＝１１．２、ｎ＝２．１）が挙げられる。

無機酸化物の微粒子として、ＩＴＯ微粒子を用いる場合、その粒子径は２ｎｍ〜５０ｎｍであることが好ましい。粒子径が２ｎｍ未満では、ＩＴＯ微粒子の表面における量子効果が大きくなり、ＩＴＯの特性を示さなくなる。一方、粒子径が５０ｎｍを超えると、ＩＴＯ微粒子を含む色変換層２３を構成する材料の光散乱が大きくなり、その色変換層２３を有する装置を光学装置として用いることができなくなる。

無機酸化物を用いる場合、無機酸化物の添加量は、目的とする色変換層２３と、充填層３０および第２電極４３との屈折率差に応じて、適宜調整される。

色変換色素は、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上を用い、さらに緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の１種類以上と組み合わせてもよい。すなわち、光源として青色領域から青緑色領域の光を発光する有機ＥＬ素子４０を用いる場合、有機ＥＬ素子４０からの光を単なる赤色フィルターに通して赤色領域の光を得ようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないために極めて暗い出力光になってしまう。したがって、有機ＥＬ素子４０からの青色領域から青緑色領域の光を、色変換層２３の蛍光色素によって赤色領域の光に変換することにより、充分な強度を有する赤色領域の光の出力が可能となる。

一方、緑色領域の光は、赤色領域の光と同様に、有機ＥＬ素子４０からの光を別の有機蛍光色素によって緑色領域の光に変換させて出力してもよい。あるいは、有機ＥＬ素子４０の発光が緑色領域の光を充分に含んでいれば、有機ＥＬ素子４０からの光を単に緑色フィルターを通して出力してもよい。

有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色領域から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、ベーシックバイオレット１１、ベーシックレッド２等のローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル〕−ピリジニウム パークロレート（ピリジン１）等のピリジン系色素、あるいは、オキサジン系色素等が挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。

有機ＥＬ素子４０から放出された光のうち、青色領域から青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素としては、例えば３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）等のクマリン系色素、あるいはクマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、さらには、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド系色素等が挙げられる。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば使用することができる。

有機蛍光色素を分散する樹脂としては、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高いものが用いられる（図３参照）。
このような樹脂としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエステルメタクリレート、チオウレタン系樹脂、エビスルフリド系樹脂、ジアリルカーボネート、ウレタンメタクリレート、エポキシメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルカルバゾール、ポリナフチルメタクリレート、ポリビニルナフタレン等が挙げられる。

色変換層２３を構成する材料は、下記式（１）で定義されるアッベ数が３０以下であることが好ましい。

本実施形態に用いる有機蛍光色素は、色変換層２３に対して、色変換層２３の質量を基準として０．０１質量％〜５質量％、より好ましくは０．１質量％〜２質量％含有される。もし、有機蛍光色素の含有量が、色変換層２３の質量に対して０．０１質量％未満ならば、充分な波長変換を行うことができない。また、有機蛍光色素の含有量が、色変換層２３の質量に対して５質量％を超えるならば、濃度消光等の効果により色変換効率の低下をもたらす。

また、封止基板（色変換基板）２０は、青色画素部Ｓ（Ｂ）に対応する位置に、青色カラーフィルター２２Ｂと積層された光透過層（図示略）を有していてもよい。
光透過層は、透明基板２１の一方の面２１ａ側から入射した、青色光または青緑色光を、透明基板２１の他方の面（一方の面２１ａとは反対側の面）側にスペクトル形状を変えずに透過するか、または、青色カラーフィルター層２２Ｂにより、青色光または青緑色光に含まれる波長の光を透過する。

また、透明基板２１と隔壁２５との間に、金属からなる補助電極（補助配線）２６が設けられている。さらに、補助電極２６に、図示しない外部電源と接続するための給電点２７が、隔壁２５の第１端面２５ａに設けられている。

補助電極２６は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ等が挙げられる。
給電点２７は、公知の材料を用いて形成することができ、その材料としては、例えば、銀ペーストやカーボンペースト等が挙げられる。

本実施形態の発光装置１００では、有機ＥＬ素子基板１０のエッジカバー１６と、封止基板２０の隔壁２５とが接続（接触）されるように、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とが対向して配置されている。
すなわち、図１に示すように、エッジカバー１６の第１端面１６ａと、隔壁２５の第１端面２５ａとが当接して、エッジカバー１６と隔壁２５とが接続されている。

有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０とは、有機ＥＬ素子基板１０および封止基板２０のいずれか一方の基板の周縁部に沿って配置されたシール部材３１を介して貼り合わされている。

充填層３０は、有機ＥＬ素子基板１０と封止基板２０との間であって、シール部材３１によって囲まれた空間内に設けられる。すなわち、有機ＥＬ素子基板１０の第２電極４３（透明電極）と、封止基板２０の色変換層２３とは、充填層３０を介して積層されている。
充填層３０は、透明性媒体からなる。充填層３０を構成する透明性媒体は、青色光または青緑色光における屈折率が、上記の色変換層２３を構成する樹脂の屈折率以上、かつ第２電極４３（透明電極）の屈折率以下の材料である。

充填層３０を構成する透明性媒としては、空気、窒素ガスやアルゴンガス等の不活性ガス、低屈折率の樹脂材料が用いられる。

また、透明性媒体としては、イオン液体等の導電性充填剤が好ましい。イオン液体を構成するカチオンとしては、例えば、テトラアルキルアンモニウムイオン、テトラアルキルホスホニウムイオン、ジアルキルピペリジニウムイオン、ジアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルイミダゾリウムイオン、トリアルキルスルホニウムイオン、アルキルピリジニウムイオン等が挙げられる。
充填層３０を構成する透明性媒体として導電性充填剤を用いることにより、有機ＥＬ素子４０の有機ＥＬ層４１で発生した熱や、ＴＦＴ回路１２の駆動や配線抵抗による熱を、充填層３０を介して、効率よく装置の外部（封止基板２０の透明基板２１側）に放出することができる。

また、イオン液体を構成するアニオンとしては、例えば、ヘキサフルオロホスファートイオン、テトラフルオロボレートイオン、メタンスルホン酸イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酸イオン、チオシアン酸イオン、ジシアナミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ジブチルフォスファートイオン等が挙げられる。

透明な導電性充填剤としてイオン液体を用いる場合、イオン液体は、融点が常温以下であること、室温付近で低粘度の液体であること、紫外領域に吸収をもつ液体であることが好ましい。

また、エッジカバー１６の全体または表面（第１端面１６ａ、第２端面１６ｂ、側面１６ｃ）が光反射性の材料からなる場合、図４に示すように、エッジカバー１６と基板１１（平坦化膜１４）とのなす角度をθとし、色変換層２３を構成する樹脂の屈折率をｎ（樹脂）、第２電極４３（透明電極）の屈折率をｎ（透明電極）とすると、角度θは、下記の式（２）を満たすことが好ましい。

このようにすれば、有機ＥＬ素子４０を幅方向（厚さ方向と垂直な方向）に導波した光（青色光）１１０を、色変換層２３の方向に反射させることができる。
すなわち、有機ＥＬ素子４０を幅方向に導波し、エッジカバー１６の側面１６ｃで反射した光１１０は、９０°−２θの入射角度で、光色変換層２３に入射する。

また、本実施形態の発光装置１００では、外光の反射を防ぐために、色変換基板２０の外側（観測者側）に円偏光フィルターを設けることが好ましい。

本実施形態の発光装置１００では、有機ＥＬ素子４０からの発光（励起光）が青色領域から青緑色領域の光である。青色画素部Ｓ（Ｂ）においては、有機ＥＬ素子４０からの光が青色カラーフィルター２２Ｂを透過することによって緑色の発光を削減して、色純度の高い青色の発光を得ている。緑色画素部Ｓ（Ｇ）においては、有機ＥＬ素子４０からの光がまず緑色蛍光体層２３Ｇを透過することによって略緑色に変換され、さらに緑色カラーフィルター２２Ｇを透過することによって、略緑色に変換された光のうち青色に近い波長の光を削減して、緑色の発光を得ている。赤色画素部Ｓ（Ｒ）においては、有機ＥＬ素子４０からの光がまず赤色蛍光体層２３Ｒを透過することによって略赤色に変換され、さらに、赤色カラーフィルター２２Ｒを透過することによって、略赤色に変換された光のうち緑色に近い波長の光を削減して、赤色の発光を得ている。

本実施形態の発光装置１００によれば、基板１１と、基板１１の一方の面１１ａに設けられた有機ＥＬ層４１と、有機ＥＬ層４１上に設けられた第２電極４３（透明電極）と、を有する有機ＥＬ素子基板１０と、第２電極４３（透明電極）上に設けられた色変換層２３と、を備え、色変換層２３を構成する樹脂は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高いので、有機ＥＬ素子基板１０からの発光（青色光）を効率的に色変換層２３へ入射することができるとともに、色変換層２３からの発光（蛍光）を効率的に色変換基板２０の外側（観測者側）へ取り出すことができる。すなわち、本実施形態の発光装置１００によれば、色変換層２３への入射光（有機ＥＬ素子基板１０からの発光）、および色変換層２３からの出射光（蛍光）で全反射が生じ難く、前記の入射光および出射光の損失を低減することができる。

［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態である発光装置の概略構成を示す断面図である。図５において、図１に示した第１実施形態の発光装置と同一の構成要素には同一符号を付して、その説明を省略する。
図５に示すように、本実施形態の発光装置２００は、有機ＥＬ素子基板１０と、有機ＥＬ素子基板１０上に直接設けられた色変換層（波長変換層）２１０およびカラーフィルター層（色調整層）２２０と、有機ＥＬ素子基板１０、色変換層２１０およびカラーフィルター層２２０を封止する封止基板２３０と、を備え、アクティブ駆動方式で駆動されるトップエミッションタイプの発光装置である。本実施形態では、発光装置２００が有機ＥＬ発光装置である場合を例示する。

本実施形態の発光装置２００では、有機ＥＬ素子基板１０を構成する第２電極４３（透明電極）上に、色変換層２１０とカラーフィルター層２２０が順に積層されて、封止基板２３０の一面２３０ａ側に、Ｒ，Ｇ，Ｂの各サブ画素Ｓに対応した色変換層２１０とカラーフィルター層２２０が設けられている。

本実施形態の発光装置２００は、光源である有機ＥＬ素子４０から発光された光が、色変換層２１０およびカラーフィルター層２２０へと入射することで、赤色、緑色、青色の三色の光として封止基板２３０の外側（観測者側）へと射出されるようになっている。

色変換層２１０を構成する材料としては、上記の色変換層２３を構成する材料と同様のものが用いられる。

カラーフィルター層２２０を構成する材料としては、上記のカラーフィルター層２２を構成する材料と同様のものが用いられる。

色変換層２１０およびカラーフィルター層２２０と、封止基板２３０とは、透明性媒体からなる充填層２４０を介して積層されている。
充填層２４０を構成する透明性媒体としては、上記の充填層３０を構成する透明性媒体と同様のものが用いられる。

本実施形態の発光装置２００によれば、基板１１と、基板１１の一方の面１１ａに設けられた有機ＥＬ層４１と、有機ＥＬ層４１上に設けられた第２電極４３（透明電極）と、を有する有機ＥＬ素子基板１０と、第２電極４３（透明電極）上に設けられた色変換層２１０と、を備え、色変換層２１０を構成する樹脂は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高いので、有機ＥＬ素子基板１０からの発光（青色光）を効率的に色変換層２１０へ入射することができるとともに、色変換層２１０からの発光（蛍光）を効率的に色変換基板２０の外側（観測者側）へ取り出すことができる。すなわち、本実施形態の発光装置２００によれば、色変換層２１０への入射光（有機ＥＬ素子基板１０からの発光）、および色変換層２１０からの出射光（蛍光）で全反射が生じ難く、前記の入射光および出射光の損失を低減することができる。

［第３実施形態］
＜表示装置＞
本発明に係る表示装置は、上述の本発明に係る発光装置を備えたものである。
図６は、本発明の第３実施形態である表示装置を示す概略正面図である。
ここに示す表示装置２０００は、有機ＥＬ基板２００１および有機ＥＬ基板２００１に対向配置された色変換基板２００２を備えた有機ＥＬ発光装置２０１０と、有機ＥＬ基板２００１および色変換基板２００２が対向する領域に設けられた画素部２００３と、画素部２００３に駆動信号を供給するゲート信号側駆動回路２００４、データ信号側駆動回路２００５、信号配線２００６および電流供給線２００７と、有機ＥＬ基板２００１に接続されたフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）２００８と、外部駆動回路２００９とを備えて、構成されている。
表示装置２０００は、画素部２００３等を曲面状に曲げることが可能なフレキシブル表示装置とすることが可能である。

有機ＥＬ発光装置２０１０としては、上述の本発明に係る発光装置を用いることができる。有機ＥＬ基板２００１は、陽極、有機ＥＬ層および陰極を含む発光部を駆動するために走査線電極回路、データ信号電極回路および電源回路等を含む外部駆動回路２００９に、ＦＰＣ２００８を介して電気的に接続されている。本実施形態の場合、ＴＦＴ等のスイッチング回路が画素部２００３内に配置され、ＴＦＴ等が接続されるデータ線、ゲート線等の配線に発光部を駆動するためのデータ信号側駆動回路２００５およびゲート信号側駆動回路２００４がそれぞれ接続され、これら駆動回路に信号配線２００６を介して外部駆動回路２００９が接続されている。画素部２００３内には、複数のゲート線および複数のデータ線が配置され、ゲート線とデータ線との交差部にＴＦＴが配置されている。

図７は、前記表示装置における１画素（サブ画素）の等価回路を示す回路図である。
発光部は、電圧駆動デジタル階調方式によって駆動が行われ、画素毎にスイッチング用ＴＦＴおよび駆動用ＴＦＴの２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴと発光部の陽極とが、コンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、一つの画素内には駆動用ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されるように配置されている。しかし、本実施形態では、特にこれらに限定されず、駆動方式は、上述の電圧駆動デジタル階調方式であってもよいし、電流駆動アナログ階調方式であってもよい。また、ＴＦＴの数も特に限定されず、上述のように２つのＴＦＴにより発光部を駆動してもよいし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した２個以上のＴＦＴを用いて発光部を駆動してもよい。

［第４実施形態］
＜照明装置＞
本発明に係る照明装置は、上述の本発明に係る発光装置を備えたものである。
図８は、本発明の第４実施形態である照明装置を示す概略斜視図である。ここに示す照明装置は、照明スタンドである。
ここに示す照明スタンド２１００は、照明部２１０１、スタンド２１０２、電源スイッチ２１０３および電源コード２１０４等を備え、さらに照明部２１０１に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
照明スタンド２１００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低い。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

［第５実施形態］
＜電子機器＞
本発明に係る電子機器は、上述の本発明に係る発光装置を備えたものである。
図９は、本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、テレビ受信装置である。
ここに示すテレビ受信装置２２００は、表示部２２０１、スピーカ２２０２、キャビネット２２０３およびスタンド２２０４等を備え、さらに表示部２２０１に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
テレビ受信装置２２００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

図１０は、本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略正面図である。ここに示す電子機器は、携帯型ゲーム機である。
ここに示す携帯型ゲーム機２３００は、操作ボタン２３０１、赤外線ポート２３０２、ＬＥＤランプ２３０３、表示部２３０４並びに筐体２３０５等を備え、さらに表示部２３０４に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
携帯型ゲーム機２３００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

図１１は、本発明の第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、ノートパソコンである。
ここに示すノートパソコン２４００は、表示部２４０１、キーボード２４０２、ポインティングデバイス２４０３、電源スイッチ２４０４、カメラ２４０５、外部接続ポート２４０６および筐体２４０７等を備え、さらに表示部２４０１に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
ノートパソコン２４００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

図１２は、本発明に係る第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、スマートフォン（タブレット端末）である。
ここに示すスマートフォン２５００は、音声入力部２５０１、音声出力部２５０２、操作スイッチ２５０３、表示部２５０４、タッチパネル２５０５および筐体２５０６等を備え、さらに表示部２５０４に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
スマートフォン２５００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

図１３は、本発明に係る第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、腕時計型ディスプレイ（ウエアラブルコンピュータ）である。
ここに示す腕時計型ディスプレイ２６００は、電源スイッチ２６０１、表示部２６０２および固定バンド２６０３等を備え、さらに表示部２６０２に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
腕時計型ディスプレイ２６００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

図１４は、本発明に係る第５実施形態である電子機器の一例を示す概略斜視図である。ここに示す電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ（ウエアラブルコンピュータ）である。
ここに示すヘッドマウントディスプレイ２７００は、電源スイッチ２７０１、表示部２７０２、固定バンド２７０３およびフレーム２７０４等を備え、さらに表示部２７０２に上述の本発明に係る発光装置を備えて構成されている。
ヘッドマウントディスプレイ２７００は、前記発光装置を備えていることで、光の取り出し効率が高くて消費電力が低く、高精細な表示が可能となっている。また、前記発光装置の隔壁において、光透過抑制層の密着性を特に高くすることで、信頼性がさらに高くなる。

本発明は、有機ＥＬ表示装置、照明装置、電子機器に適用することができる。

１０・・・有機ＥＬ素子基板、１１・・・基板、１２・・・ＴＦＴ回路、１３・・・層間絶縁膜、１４・・・平坦化膜、１５・・・アクティブマトリクス基板、１６・・・エッジカバー、１７・・・封止層、２０・・・封止基板（色変換基板）、２１・・・透明基板、２２・・・カラーフィルター層、２３・・・色変換層（波長変換層）、２４・・・画素、２５・・・隔壁、２６・・・補助電極、２７・・・給電点、３０・・・充填層、３１・・・シール部材、４０・・・有機ＥＬ素子、４１・・・有機ＥＬ層、４２・・・第１電極、４３・・・第２電極、４４・・・正孔注入層、４５・・・正孔輸送層、４６・・・電子ブロッキング層、４７・・・発光層、４８・・・電子輸送層、４９・・・電子注入層、１００，２００・・・発光装置、２０００・・・表示装置、２００１・・・有機ＥＬ基板、２００２・・・色変換基板、２００３・・・画素部、２００４・・・ゲート信号側駆動回路、２００５・・・データ信号側駆動回路、２００６・・・信号配線、２００７・・・電流供給線、２００８・・・フレキシブルプリント配線板、２００９・・・外部駆動回路、２０１０・・・有機ＥＬ発光装置、２１００・・・照明スタンド、２１０１・・・照明部、２１０２・・・スタンド、２１０３・・・電源スイッチ、２１０４・・・電源コード、２２００・・・テレビ受信装置、２２０１・・・表示部、２２０２・・・スピーカ、２２０３・・・キャビネット、２２０４・・・スタンド、２３００・・・携帯型ゲーム機、２３０１・・・操作ボタン、２３０２・・・赤外線ポート、２３０３・・・ＬＥＤランプ、２３０４・・・表示部、２３０５・・・筐体、２４００・・・ノートパソコン、２４０１・・・表示部、２４０２・・・キーボード、２４０３・・・デバイス、２４０４・・・電源スイッチ、２４０５・・・カメラ、２４０６・・・外部接続ポート、２４０７・・・筐体、２５００・・・スマートフォン、２５０１・・・音声入力部、２５０２・・・音声出力部、２５０３・・・操作スイッチ、２５０４・・・表示部、２５０５・・・タッチパネル、２５０６・・・筐体、２６００・・・腕時計型ディスプレイ、２６０１・・・電源スイッチ、２６０２・・・表示部、２６０３・・・固定バンド、２７００・・・ヘッドマウントディスプレイ、２７０１・・・電源スイッチ、２７０２・・・表示部、２７０３・・・固定バンド、２７０４・・・フレーム。

Claims (13)

1. 基板、並びに、前記基板の一方の面に設けられた、少なくとも電極、発光層および透明電極をこの順に備えた有機エレクトロルミネッセンス層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子基板と、前記透明電極上に積層された色変換層と、を備え、
   前記色変換層を構成する樹脂は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高いことを特徴とする発光装置。
2. 前記色変換層を構成する材料は、下記式（１）で定義されるアッベ数が３０以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
   

   

   （但し、ｎ_ＤはフラウンホーファーのＤ線（５８９．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＦはフラウンホーファーのＦ線（４８６．１ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＣはフラウンホーファーのＣ線（６５６．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率を表わす。）
3. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子基板の発光が、青色光または青緑色光であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記透明電極と前記色変換層とは、青色光または青緑色光における屈折率が、前記樹脂の屈折率以上、かつ前記透明電極の屈折率以下である材料を介して積層されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記基板上に間隔を置いて、テーパー角がθの角度で形成された複数のエッジカバーが設けられ、
   前記エッジカバーは、前記透明電極の少なくとも一部に覆われるとともに、前記発光層の側面に配置され、
   前記エッジカバーは、絶縁性、および、光反射性または光散乱性を有し、
   前記色変換層は、透明基板の一方の面に設けられた複数の隔壁によって区画された複数の領域内に設けられ、
   前記隔壁は、前記透明基板の一方において、少なくとも前記エッジカバーと対向する位置に間隔を置いて設けられ、
   前記隔壁は、光反射性または光散乱性を有し、
   前記角度θは、下記式（２）で定義されることと特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
   

   
6. 前記色変換層は、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光および青緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより、白色光を発光する白色変換層を有することを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 青色光または青緑色光を発光する光源と、該光源に積層された色変換基板と、を備え、
   前記色変換基板は、透明基板と、前記透明基板の一方の面に設けられた複数の隔壁と、前記透明基板の一方の面のうち、前記隔壁によって区画された複数の領域内に設けられたカラーフィルター層、色変換層および光透過層の少なくともいずれか１つと、を有し、
   前記カラーフィルター層は、前記透明基板の一方の面に離散して配置された、赤色光のみを透過する赤色カラーフィルター層と、緑色光のみを透過する緑色カラーフィルター層と、青色光のみを透過する青色カラーフィルター層と、からなり、
   前記色変換層は、前記赤色カラーフィルター層上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する赤色変換層と、前記緑色カラーフィルター部上に積層され、青色光または青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて緑色光を発光する緑色変換層と、を有し、
   前記色変換層を構成する材料は、波長６００ｎｍ以下の光の屈折率が、波長６００ｎｍを超える光の屈折率よりも高く、
   前記光透過層は、前記透明基板の一方の面側から入射した、青色光または青緑色光を、前記透明基板の他方の面側にスペクトル形状を変えずに透過する、または、前記青色カラーフィルター層により、青色光または青緑色光に含まれる波長の光を透過することを特徴とする発光装置。
8. 前記色変換層を構成する材料は、下記式（１）で定義されるアッベ数が３０以下であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
   

   

   （但し、ｎ_ＤはフラウンホーファーのＤ線（５８９．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＦはフラウンホーファーのＦ線（４８６．１ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率、ｎ_ＣはフラウンホーファーのＣ線（６５６．３ｎｍ）に対する色変換層を構成する材料の屈折率を表わす。）
9. 前記光源は、基板の一方の面に設けられた、少なくとも電極、発光層および透明電極をこの順に備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項７または８に記載の発光装置。
10. 前記透明電極と前記色変換層とは、青色光または青緑色光における屈折率が、前記樹脂の屈折率以上、かつ前記透明電極の屈折率以下である材料を介して積層されたことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
11. 前記基板上に間隔を置いて、テーパー角がθの角度で形成された複数のエッジカバーが設けられ、
    前記エッジカバーは、前記透明電極の少なくとも一部に覆われるとともに、前記発光層の側面に配置され、
    前記エッジカバーは、絶縁性、および、光反射性または光散乱性を有し、
    前記隔壁は、前記透明基板の一方において、少なくとも前記エッジカバーと対向する位置に間隔を置いて設けられ、
    前記隔壁は、光反射性または光散乱性を有し、
    前記角度θは、下記式（２）で定義されることと特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の発光装置。
    

    
12. 前記色変換層は、前記透明基板の一方の面に離散して設けられ、青色光および青緑色光の一部を透過するとともに、青緑色光に含まれる波長の光によって励起されて赤色光を発光する材料を含有することにより、白色光を発光する白色変換層を有することを特徴とする請求項７〜１１に記載の発光装置。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする表示装置、照明装置、電子機器。

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