JP2010267935A - 発光装置、発光装置の製造方法、表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光装置101は、陰極12と、陽極3と、陰極12と陽極3との間に設けられ、陰極12と陽極3との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、陽極3および発光層とは接しない部位に設けられ、陰極12に電子を供給する陰極端子40と、絶縁性を有する材料を含んで構成され、陰極端子40から陰極12に供給される電子の量を調節する電子調整層41とを有し、陰極12は、電子調整層41を介して陰極端子40と接続されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明の発光装置は、陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、前記陰極と前記陽極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、
前記陽極および前記発光層とは接しない部位に設けられ、前記陰極に電子を供給する陰極端子と、
絶縁性を有する材料を含んで構成され、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節する電子調整層とを有し、
前記陰極は、前記電子調整層を介して前記陰極端子と接続されていることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が抑制された発光素子を提供することができる。
これにより、電子調整層は、より確実に陰極端子から電子を受け取ることができるとともに、陰極へ供給する電子の量を調整でき、黒浮き現象を防止することができるとともに、発光させる際には、好適に電子を陰極に供給することができる。
これにより、発光装置全体としての駆動電圧を比較的低いものとすることができる。この結果、陰極と陽極との間に印加することを停止した際に、陰極端子と陽極との間にかかる電圧がより小さくなるため、黒浮き現象が好適に防止される。
これにより、補助陰極が陰極の電子の輸送をより効率よく補助することができ、発光装置の駆動電圧をより低いものとすることができる。
本発明の発光装置では、前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記陰極と前記発光層との間に、前記陰極の厚さ方向に、前記陰極の少なくとも一部とおよび前記発光層の少なくとも一部と重複するように設けられ、前記陰極から供給される電子の前記発光層への注入を促進する電子注入層とをさらに有し、
前記電子注入層と前記電子調整層とは、ともに、同一の材料を含んで構成されていることが好ましい。
これにより、電子調整層の一部が電子注入層を兼ねていない場合であっても、電子注入層と電子調整層とを同時に形成することが可能となる。
これにより、電子調整層と電子注入層とを一括で同時に形成できるため、効率よく発光装置が製造される。
本発明の発光装置では、前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加を停止するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を防止する程度の絶縁性を有していることが好ましい。
これにより、黒浮き現象が好適に防止される。
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を妨げない程度の絶縁性を有していることが好ましい。
これにより、黒浮き現象を防止しつつ、発光素子を発光させる際には、効率よく陰極端子から陰極へ電子が供給され、発光素子は、好適に発光する。
これらの材料は、十分に高い絶縁性を有するとともに、比較的薄い膜とした場合に、駆動電圧を印加すると電子がホール効果によって通過できる。すなわち、黒浮きの発生が好適に抑制されるとともに、駆動電圧印加時においては、好適に発光素子が発光する。
これらの材料は、十分に高い絶縁性を有するとともに、比較的薄い膜とした場合に、駆動電圧を印加すると電子がホール効果によって通過できる。すなわち、黒浮きの発生が好適に抑制されるとともに、駆動電圧印加時においては、好適に発光素子が発光する。
一般に、複数の発光層を有する発光素子は、駆動電圧が高くなりやすいため、電源が出力する電圧が高いものとなりやすく、このため黒浮き現象が発生しやすい。しかしながら、本発明では、電子調整層を有することにより、発光素子が複数の発光層を有していても、黒浮き現象が好適に防止される。
従来は、黒浮き現象が発生した場合には、複数の発光層のうち、より長い波長の光を放出する発光層が発光しやすくなり、黒浮き現象時において目的以外の色が発光素子から放出される場合があった。特に、発光素子全体として複数の発光層から全体として白色を発光する場合には、このような問題は顕著になる。しかしながら、本発明では、黒浮き現象自体が防止されているため、このような問題が防止されている。
前記陽極上に印加されることにより発光する発光層を形成する工程と、
平面視にて前記発光層および前記陰極端子と重複するように、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層を形成する工程と、
前記電子調整層上に陰極を形成する工程とを有し、
前記電子調整層は、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節するものであり、かつ、その一部が、前記陰極から前記発光層への電子の注入を促進する電子注入層として機能するように構成されていることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が抑制された発光装置を効率よく製造することのできる発光装置の製造方法を提供することができる。
これにより、黒浮き現象が防止され、高品位な画像を表示することができる表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、黒浮き現象が防止され、高品位な画像を表示することができる電子機器を提供することができる。
図1は、本発明を適用した発光装置の好適な実施形態を模式的に示す縦断面、図2は、本発明の表示装置の一例(ディスプレイ装置)を示す模式的断面図、図3は、図2に示す表示装置が備える発光装置の模式的な平面図である。なお、以下では、説明の都合上、図1〜図3中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。
発光素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)1は、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)を発光させて、白色発光するものである。
言い換えすれば、発光素子1は、膜状の各層および電極によって構成され、正孔注入層4と正孔輸送層5と赤色発光層6と中間層7と青色発光層8と緑色発光層9と電子輸送層10と電子注入層11と陰極12とがこの順に積層で積層された積層体15が2つの電極間(陽極3と陰極12との間)に介挿されて構成されている。
また、陰極12は、膜状をなして発光素子1から延長されており、延長された部位の一部は、後述する陰極端子40および電子調整層41と重なって層をなしている。
そして、発光装置101は、電源25を除くその全体が基板(図示せず)上に設けられるとともに、封止部材(図示せず)で封止されている。
基板としては、実質的に透明(無色透明、着色透明または半透明)な透明基板、または不透明基板が挙げられる。
成された基板等が挙げられる。
このような基板の平均厚さは、特に限定されないが、0.1mm以上30mm以下であるのが好ましく、0.1mm以上10mm以下であるのがより好ましい。
なお、発光素子1が基板側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)の場合、基板には、光透過性が要求されるため、基板として透明基板を用いることができる。
なお、基板には、電源からの陽極端子43、陰極端子40への配線や、後述するスイッチング素子24等を備えた電子回路を有する電子回路層を備えておくこともできる。
(陽極)
陽極3は、後述する正孔注入層4を介して正孔輸送層5に正孔を注入する電極である。この陽極3の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。
このような陽極3の平均厚さは、特に限定されないが、10nm以上200nm以下であるのが好ましく、20nm以上100nm以下であるのがより好ましい。
陰極12は、後述する電子注入層11を介して電子輸送層10に電子を注入する電極である。
この陰極12の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極12の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
このような陰極12の平均厚さは、特に限定されないが、0.1nm以上1000nm以下であるのが好ましく、0.5nm以上500nm以下であるのがより好ましい。
特に、トップエミッション型の場合には0.5nm以上10nm以下であるのが好ましく、より最適には0.5nm以上5nm以下であるのが好ましい。
また、特に、ボトムエミッション型の場合には10nm以上500nm以下であるのが好ましく、より最適には50nm以上300nm以下であるのが好ましい。
正孔注入層4は、陽極3からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
この正孔注入層4の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンや、4,4’,4’’−トリス(N,N−フェニル−3−メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミン(m−MTDATA)、下記化1に示すN,N'−ビス−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)−N,N’−ジフェニル−ビフェニル−4−4'−ジアミン等が挙げられる。
なお、この正孔注入層4または後述する正孔輸送層5のどちらかは、省略することができる。
正孔輸送層5は、陽極3から正孔注入層4を介して注入された正孔を赤色発光層6まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層5の構成材料には、各種p型の高分子材料や、各種p型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができ、例えば、下記化2に示される化合物(N,N,N’ ,N’ −テトラキス−ビフェニル−3−イル−ビフェニル−4,4’−ジアミン)や、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,4’−ジアミン(TPD)等のテトラアリールベンジジン誘導体、テトラアリールジアミノフルオレン化合物またはその誘導体(アミン系化合物)等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、この正孔輸送層5または前述した正孔注入層4のどちらかは、省略することができる。
この赤色発光層(第1の発光層)6は、赤色(第1の色)に発光する第1の発光材料を含んで構成されている。
このように第1の色として比較的長い波長の光を用いることにより、最低非占有分子軌道(HOMO)と最高占有分子軌道(LUMO)とのエネルギー準位差(バンドギャップ)が比較的小さい発光材料を用いることができる。このようにバンドギャップが比較的小さい発光材料は、正孔や電子を捕獲しやすく、発光しやすい。したがって、陽極3側に赤色発光層6を設けることで、バンドギャップが大きく発光し難い青色発光層8や緑色発光層9を陰極12側とし、各発光層をバランスよく発光させることができる。
赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、下記化3に示すジベンゾ−テトラフェニルジインデノペリレン誘導体等のペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、2−(1,1−ジメチルエチル)−6−(2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル−1H,5H−ベンゾ(ij)キノリジン−9−イル)エテニル)−4H−ピラン−4H−イリデン)プロパンジニトリル(DCJTB)、4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)等を挙げられる。
また、赤色発光層6の平均厚さは、特に限定されないが、3nm以上30nm以下であるのが好ましく、5nm以上20nm以下であるのがより好ましい。これにより、発光素子1の各発光層をバランスよく発光させることができる。
中間層7は、前述した赤色発光層6と後述する青色発光層8との層間にこれらに接するように設けられている。そして、中間層7は、青色発光層8から赤色発光層6へ輸送される電子の量を調節する機能を有する。また、中間層7は、赤色発光層6から青色発光層8へ輸送される正孔の量を調節する機能を有する。また、中間層7は、赤色発光層6と青色発光層8との間で励起子のエネルギーが移動するのを阻止する機能を有する。この機能により、赤色発光層6および青色発光層8をそれぞれ効率よく発光させることができる。この結果、各発光層をバランスよく発光させることができ、発光素子1は目的とする色(本実施形態では白色)を発光することができるものとなるとともに、発光素子1の発光効率および発光寿命の向上を図ることができる。
一般に、電子と比較して正孔は、移動度が遅いが、中間層7が正孔輸送材料を含むことにより、正孔は円滑に中間層7から青色発光層8に受け渡され、各発光層がバランスよく発光しやすいものとなり、発光素子1は、目的とする色(白色)により確実に発光することができるとともに発光効率に優れたものとなる。
特に、ベンジジン系アミン誘導体のなかでも、中間層7に用いられるアミン系材料としては、2つ以上の芳香環基を導入したものが好ましく、テトラアリールベンジジン誘導体がより好ましい。このようなベンジジン系アミン誘導体としては、例えば、前記化2に示される化合物、N,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル〔1,1’−ビフェニル〕−4,4’−ジアミン(α−NPD)や、N,N,N’,N’−テトラナフチル−ベンジジン(TNB)などが挙げられる。
このようなアセン系材料としては、例えば、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体等が挙げられる。アントラセン誘導体としては、例えば、前記化4に示されるアントラセン誘導体等が挙げられる。テトラセン誘導体としては、例えば前記化5に示されるテトラセン誘導体等が挙げられる。
また、中間層7中におけるアセン系材料の含有量は、特に限定されないが、5wt%以上70wt%以下であるのが好ましく、10wt%以上60wt%以下であるのがより好ましく、20wt%以上50wt%以下であるのがさらに好ましい。
中間層7の平均厚さは、5nm以上40nm以下であるのが好ましく、10nm以上30nm以下であるのがより好ましい。
青色発光層(第2の発光層)8は、青色(第2の色)に発光する青色発光材料(第2の発光材料)を含んで構成されている。
このように第2の色として比較的短い波長の光を用いることにより、バンドギャップが比較的大きい発光材料を用いることができる。このようにバンドギャップが比較的大きい発光材料は、バンドギャップが比較的小さい発光材料と比較して正孔や電子を捕獲しにくい。しかしながら、青色発光層8がこのような位置に配置されることにより、正孔および電子が十分に青色発光層8に供給され、青色発光層8を十分に発光させることができる。また、中間層7と青色発光層8との界面付近において電子と正孔とが再結合して生成した励起子のエネルギーが効率よく青色発光層8の発光に用いられる。このため、各発光層は、バランスよく発光することができる。また、発光素子1に印加される電圧が微弱な場合や電圧が変化した場合であっても、各発光層の発光バランスが変化しにくいものとなる。
このような青色発光材料としては、特に限定されず、各種青色蛍光材料、青色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
青色発光層8が第2のホスト材料を含む場合、青色発光層8中における青色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.1wt%以上20wt%以下であるのが好ましく、2wt%以上15wt%以下であるのがより好ましい。青色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層6や後述する緑色発光層9の発光量とのバランスをとりつつ青色発光層8を発光させることができる。
また、青色発光層8の平均厚さは、特に限定されないが、5nm以上100nm以下であるのが好ましく、10nm以上50nm以下であるのがより好ましい。
緑色発光層(第3の発光層)9は、緑色(第3の色)に発光する緑色発光材料(第3の発光材料)を含んで構成されている。
このような緑色発光材料としては、特に限定されず、各種緑色蛍光材料、緑色燐光材料を1種または2種以上組み合わせて用いることができる。
緑色発光層9が第3のホスト材料を含む場合、緑色発光層9中における緑色発光材料の含有量(ドープ量)は、0.01wt%以上20wt%以下であるのが好ましく、1wt%以上15wt%以下であるのがより好ましい。緑色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができ、赤色発光層6や青色発光層8の発光量とのバランスをとりつつ緑色発光層9を発光させることができる。
また、緑色発光層9の平均厚さは、特に限定されないが、5nm以上100nm以下であるのが好ましく、10nm以上50nm以下であるのがより好ましい。
電子輸送層10は、陰極12から電子注入層11を介して注入された電子を緑色発光層9に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層10の構成材料(電子輸送材料)としては、例えば、下記化9に示すトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(Alq3)等の8−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層11は、陰極12からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
本実施形態では、電子注入層11は、後述する電子調整層41が延長されて、電子調整層41の厚さ方向に電子調整層41と発光層とが重複する部分において、電子注入層11を形成している。言い換えると、電子調整層41は、その一部が電子注入層11を兼ねている。これにより、電子調整層41と電子注入層11とを一括で同時に形成できるため、効率よく発光装置101が製造される。
この電子注入層11の構成材料(電子注入材料)としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、CaF2、BaF2、SrF2、MgF2、BeF2等が挙げられる。
特に、本実施形態では、電子注入層11は、電子調整層41が延長されて形成されているため、電子調整層41と同一の材料で構成されている。これにより、電子調整層41の一部が電子注入層11を兼ねていない場合であっても、電子注入層11と電子調整層41とを同時に形成することが容易となる。
電子注入層11の平均厚さは、特に限定されないが、0.2nm以上10nm以下であるのが好ましく、0.5nm以上5nm以下であるのがより好ましい。
電源25は、陽極端子43および陰極端子40を介して陽極3と陰極12との間に駆動電圧を印加する。電源25は、発光に必要な駆動電圧の電気を供給している。
(陽極端子)
陽極端子43は、電源25と接続されており、電源25から供給される正孔を駆動用トランジスタ24を介して陽極3へ供給する。
陽極端子43の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
陰極端子40は、基板上において発光素子1とは離れた部位に、かつ電子調整層41と接するように設けられ、電源25と電気的に接続されている。陰極端子40は、電源25から供給される電子を陰極12へ供給する。
陰極端子40の構成材料としては、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rbまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
また、発光素子1に印加される駆動電圧の制御は、スイッチング素子24によって行われる。スイッチング素子24は、駆動用トランジスタであり、陽極3と電源25との間に設置され、動作することにより、陽極3と電源25とを導通させる。また、スイッチング素子24は、動作を解除されることにより、陽極3と電源25との導通を解除する。すなわち、スイッチング素子24は、陽極3と、陰極12との間に印加される駆動電圧の大きさを制御する。
そして、陰極端子40と陰極12との間には、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層41が陰極端子40および陰極12と接するように設けられている。そして、陰極12と陰極端子40とは、電子調整層41を介して接続されている。このような電子調整層41は、陰極端子40から陰極12に供給される電子の量を調節する機能を有する。
すなわち、スイッチング素子24の駆動が解除された際に、陽極3および陰極端子40の間には、本来、電圧がかからないように設定されている。しかしながら、実際には、陽極3および陰極端子40との間に微弱な電圧が印加される。このような状況下において、従来の発光装置では、陰極と陽極との間に微弱な電圧が印加され、発光素子が発光しやすかった。このため、従来の発光装置は、黒浮き現象の問題が発生しやすいものであった。
また、このような電子調整層41は、スイッチング素子24が駆動して、陽極3と陰極12との間に駆動電圧を印加しようとする際には、陰極端子40から陰極12への電子の移動を妨げない程度の絶縁性を有している。これにより、黒浮き現象が好適に防止される。
より具体的には、電子調整層41の平均厚さは、0.2nm以上10nm以下であることが好ましく、0.5nm以上5nm以下であることがより好ましい。これにより、陽極3および陰極12との間に駆動電圧を印加しようとする際には、電子調整層41を介して陰極端子40から陰極12へ電子がホール注入効果によって効率よく移動することができるとともに、スイッチング素子24によって陽極3と陰極12との間への電圧の印加が停止され、陽極3および陰極端子40との間に微弱な電圧が印加されている際には、電子が電子調整層41を通過することが防止される。
上述した中でも、絶縁性を有する材料は、Li2O、LiO、LiF等のリチウム化合物を含むことが好ましく、LiFを含むことがより好ましい。これにより、上述したような効果がより顕著なものとなる。
また、陰極12の電子調整層41と反対側の面には、陰極12の厚さ方向において陰極端子40と重複し、かつ、発光素子1と重複しない位置に、補助陰極42が設けられている。補助陰極42は、陰極12よりも導電性が高いものとなっており、陰極12の電子の輸送を補助する機能を有する。すなわち、陰極12には、発光素子1の積層体15への電子注入性が要求されるため、積層体15の構成によっては、導電性が十分には高い材料を用いることができず、発光装置101全体としての駆動電圧が比較的高くなる場合があるが、補助陰極42が陰極12の電子の輸送を補助することにより、発光装置101全体としての駆動電圧を比較的低いものとすることができる。この結果、陰極12と陽極3との間に印加することを停止いた際に、陰極端子40と陽極3との間にかかる電圧がより小さくなるため、黒浮き現象が好適に防止される。
また、補助陰極42は、陰極12と接触するようにして配置されている。これにより、補助陰極42が陰極12の電子の輸送をより効率よく補助することができ、発光装置101の駆動電圧をより低いものとすることができる。
また、補助陰極42の平均厚さは、特に限定されないが、10nm以上500nm以下であることが好ましく、100nm以上300nm以下であることがより好ましい。これにより、補助陰極42が陰極12の電子の輸送をより効率よく補助することができるとともに、補助陰極42が厚くなりすぎて、発光装置101の厚さが大きくなりすぎるのを防止することができる。
封止部材は、電源25を除く発光装置101の各部材を覆うように設けられ、これらを気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する(図示せず)。封止部材を設けることにより、発光装置101の信頼性の向上や、変質・劣化の防止(耐久性向上)等の効果が得られる。
また、封止部材は、平板状として、基板と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。
本発明の発光装置の製造方法は、基板上に陽極3および陰極端子40を形成する工程と、陽極3上に印加されることにより発光する発光層を形成する工程と、平面視にて発光層および陰極端子40と重複するように、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層41を形成する工程と、電子調整層41上に陰極を形成する工程とを有している。そして、電子調整層41は、上述したように、陰極端子40から陰極12に供給される電子の量を調節するものであり、かつ、陰極12から発光層への電子の注入を促進する電子注入層11として機能するように構成されている。
これにより、上述したような発光装置101を効率よく製造することができる。特に、電子調整層41の一部が電子注入層11として機能するように構成することにより、電子注入層11と、電子調整層41とを一括して形成することができるため、生産性に優れている。
[1] まず、基板を用意し、陽極3を形成する。なお、必要であればこの基板上で、陽極3の下で、かつ所定の各画素毎に駆動用のトランジスタ回路を形成しても良い。
陽極3は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
[2] 次に、基板上の陽極3から離れた部位に、陰極端子40を形成する。
陰極端子40は、例えば、プラズマCVD、熱CVDのような化学蒸着法(CVD)、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
正孔注入層4は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔注入層4は、例えば、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料を、陽極3上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
また、本工程に先立って、陽極3の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極3の上面に親液性を付与すること、陽極3の上面に付着する有機物を除去(洗浄)すること、陽極3の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー100〜800W程度、酸素ガス流量50〜100mL/min程度、被処理部材(陽極3)の搬送速度0.5〜10mm/sec程度、基板の温度70〜90℃程度とするのが好ましい。
正孔輸送層5は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料を、正孔注入層4上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
赤色発光層6は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[6] 次に、赤色発光層6上に、中間層7を形成する。
中間層7は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
青色発光層8は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
[8] 次に、青色発光層8上に、緑色発光層9を形成する。
緑色発光層9は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
電子輸送層10は、例えば、真空蒸着等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層10は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層9上に供給した後、乾燥(脱溶媒または脱分散媒)することによっても形成することができる。
なお本実施形態では、電子調整層41の一部は、電子注入層11を兼ねており、電子調整層41の形成と同時に、電子輸送層10上に電子注入層11が一括して形成される。
電子調整層41は、例えば、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
[11] 次に、電子調整層41上に、陰極12を形成する。
陰極12は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
補助陰極42は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布法を用いて形成することができる。
[13] 次に、陽極端子43および陰極端子40を電源25と接続する。
[14] 最後に、得られた発光素子1、陰極12、電子調整層41、および補助陰極42を覆うように封止部材34を被せ、基板に接合する。
以上のような工程を経て、発光素子1を備えた発光装置101が得られる。
以上説明したような発光装置101は、例えば光源等として使用することができる。また、複数の発光素子1をマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置(本発明の表示装置)を構成することができる。
なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
(表示装置)
図2に示すディスプレイ装置(表示装置)100は、複数の発光素子1R、1G、1Bを備える発光装置101Aと、各発光素子1R、1G、1Bに対応して設けられたフィルタ部19R、19G、19Bを備えるカラーフィルタ102とを有している。
なお、本実施形態ではディスプレイ装置の駆動方式としてアクティブマトリックス方式を採用した例に説明するが、パッシブマトリックス方式を採用したものであってもよい。
各スイッチング素子24は、各発光素子1R、1G、1Bに対応して設けられ、各発光素子1R、1G、1Bを駆動するための駆動用トランジスタである。
このような各スイッチング素子24は、シリコンからなる半導体層241と、半導体層241上に形成されたゲート絶縁層242と、ゲート絶縁層242上に形成されたゲート電極243と、ソース電極244と、ドレイン電極245とを有している。
このような複数のスイッチング素子24を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層22が形成されている。
複数の陽極3は、平面視にてマトリクス状に配置され、画素電極を構成しており、各スイッチング素子24のドレイン電極245に導電部(配線)27により電気的に接続されている。
そして、平面視にて、各陽極3が配置された部位において、反射膜32、腐食防止膜33、陽極3、積層体15および陰極12が各発光素子1R、1G、1Bを構成する。
また、隣接する発光素子1R、1G、1B同士の間には、隔壁31が設けられている。
また、図3に示すように、平面視にて発光領域50の長手方向の両側には、略長方形の陰極端子40が発光領域50と垂直に設けられている。陰極端子40は、電子調整層41と接しており、電子調整層41を介して陰極12と接続されている。
このように構成された発光装置101Aには、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成された樹脂層35を介して、カラーフィルタ102が接合されている。
基板(封止基板)20は、各フィルタ部19R、19G、19Bおよび遮光層36を支持するものである。基板20には、透明基板が用いられる。
このような基板20の構成材料としては、基板20が光透過性を有するものであれば、特に限定されず、前述した基板21の構成材料と同様のものを用いることができる。
フィルタ部19Rは、発光素子1Rからの白色光WRを赤色に変換するものである。また、フィルタ部19Gは、発光素子1Gからの白色光WGを緑色に変換するものである。また、フィルタ部19Bは、発光素子1Bからの白色光WBを青色に変換するものである。このようなフィルタ部19R、19G、19Bを発光素子1R、1G、1Bと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。
このようなディスプレイ装置100(本発明の表示装置)は、前述したような発光装置を用いるため、黒浮き現象が防止され、高品位な画像を表示することができる信頼性の高いものとなっている。
なお、以上説明したようなディスプレイ装置100は、単色表示であってもよい。
また、以上説明したようなディスプレイ装置100(本発明の表示装置)は、各種の電子機器に組み込むことができる。
この図において、パーソナルコンピュータ1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ1100において、表示ユニット1106が備える表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
この図において、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述のディスプレイ装置100で構成されている。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリに転送・格納される。
例えば、上述した実施形態では、発光装置が陰極端子、電子調整層、陰極、陰極端子とがこの順に積層した構成を有していたが、これに限定されない。
例えば、発光装置は、図7〜図11のような構成とすることができる。
図8では、発光装置101Cにおいて、陰極12Aは、その厚さ方向において陰極端子40と重複しておらず、電子調整層41と比較して、発光素子1からの延長された部分が小さいものとなっている。また、補助陰極42Aは、電子調整層41の陰極端子40とは反対側に電子調整層41と接して設けられており、その一端が陰極12Aとその厚さ方向において重複しつつ、接触している。
図10では、発光装置101Eにおいて、補助陰極42Cは、電子調整層41と陰極端子40との間に介挿されている。
以上の発光装置101B〜101Fも、上述した発光装置101、101Aと同様の効果を奏する。なお、図7〜11においては、発光装置101、101Aと同一の構成については、同一の符号を付した。
また、前述した実施形態では、発光素子は、中間層を有するものとして説明したが、これに限定されず、中間層は、省略されてもよい。また、中間層は、必要に応じて、各発光層間に適宜設けることができる。
また、前述した実施形態では、発光素子は、基板と反対側から光を取り出す構成(トップエミッション型)であることとして説明したが、これに限定されず、発光素子は、基板側から光を取り出す構成(ボトムエミッション型)であってもよい。
1.発光装置の製造
(実施例)
<1> まず、スイッチング素子、反射層、(電蝕)保護層、陽極端子およびその他必要な配線が配された、トップエミッション用で、平均厚さ0.5mmの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ80nmのITO電極(陽極)を陽極端子と接続されるように形成した。
そして、基板をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、純水にて超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
陰極端子は、スパッタリング法によって形成した。
<3> 次に、ITO電極上に、前記化1に示すN,N’−ビス−(4−ジフェニルアミノ−フェニル)−N,N’−ジフェニル−ビフェニル−4−4’−ジアミンを真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ50nmの正孔注入層を形成した。
<5> 次に、正孔輸送層上に、赤色発光層の構成材料を真空蒸着法により蒸着させ、平均厚さ10nmの赤色発光層(第1の発光層)を形成した。赤色発光層の構成材料としては、赤色発光材料(ゲスト材料)として前記化3で表わされるジベンゾ−テトラフェニルジインデノペリレン誘導体を用い、ホスト材料として前記化5で表わされるビスビフェニリル−テトラセン誘導体を用いた。また、赤色発光層中の発光材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、1.0wt%とした。
<10> 次に、電子輸送層上および陰極端子上にかけて連続して、フッ化リチウム(LiF)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ1nmの電子調整層を形成した。このとき、電子調整層の一部として、電子輸送層上に電子注入層が形成された。
<12> 次に、陰極上の陰極端子と重複する位置から陽極付近に係る部位に、陽極と重複しないようにして、Alを真空蒸着法により成膜した。これにより、Alで構成される平均厚さ100nmの補助陰極を形成した。
<13> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、発光素子が白色発光する図1に示すような発光装置を製造した。
前述した実施例の工程<10>において、電子調整層の形成を行わず、電子輸送層上に、フッ化リチウム(LiF)を真空蒸着法により成膜し、平均厚さ1nmの電子注入層を形成した。
また、前述した実施例の工程<11>において、電子注入層上から陰極端子上にかけて連続して、MgAgを真空蒸着法により成膜した。これにより、MgAgで構成される平均厚さ10nmの陰極を形成した。
以上の2点以外は、前記実施例と同様にして発光装置を製造した。
2−1.黒浮き現象の評価
実施例および比較例の発光装置について、直流電源を用いて作製した発光装置(パネル)の陰極端子と陽極端子との間に2.5Vの電圧を印加し、輝度計を用いて輝度(cd/m2)を測定した。なお、上記の電圧値は、スイッチング素子が陰極端子および陽極端子との間へ印加するのを停止した場合(黒表示させた場合)に、微弱な電圧が陰極端子と陽極端子との間に印加されたときに流れる電流値を仮定したものである。
この結果、実施例の発光装置では、輝度が0.004cd/m2であり、色度(x、y)が(0.59,0.40)であった。これに対し、比較例の発光装置では、輝度が0.02cd/m2であり、色度(x、y)が(0.65,0.33)であった。以上から、比較的小さい電流が流れた場合において、比較例の発光装置と比較し、実施例の発光装置は、黒浮き現象が抑制されているものであった。
なお、実際にパネル(発光装置)において最大輝度500cd/m2表示出来るように設定したところ、TFT回路全体には13.0Vの電圧が必要であった。その際、開発パネル(実施例の発光装置)では暗所コントラストが50000:1であった。従来パネル(比較例の発光装置)においては3000:1であった。
Claims (15)
- 陰極と、
陽極と、
前記陰極と前記陽極との間に設けられ、前記陰極と前記陽極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、
前記陽極および前記発光層とは接しない部位に設けられ、前記陰極に電子を供給する陰極端子と、
絶縁性を有する材料を含んで構成され、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節する電子調整層とを有し、
前記陰極は、前記電子調整層を介して前記陰極端子と接続されていることを特徴とする発光装置。 - 前記電子調整層の厚さ方向において、前記陰極端子と前記電子調整層とは、少なくとも一部が重複している請求項1に記載の発光装置。
- 前記陰極の厚さ方向において、前記陰極端子の少なくとも一部および前記陰極の少なくとも一部と重複するように配置され、前記陰極よりも導電性の高い材料で構成された補助陰極を有する請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記補助陰極は、前記陰極と接触するように配置されている請求項3に記載の発光装置。
- 前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記陰極と前記発光層との間に、前記陰極の厚さ方向に、前記陰極の少なくとも一部とおよび前記発光層の少なくとも一部と重複するように設けられ、前記陰極から供給される電子の前記発光層への注入を促進する電子注入層とをさらに有し、
前記電子注入層と前記電子調整層とは、ともに、同一の材料を含んで構成されている請求項1ないし4のいずれかに記載の発光装置。 - 前記電子調整層は、その厚さ方向に、前記発光層と重複するように設けられており、前記発光部の前記電子注入層を兼ねている請求項5に記載の発光装置。
- 前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加を停止するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を防止する程度の絶縁性を有している請求項1ないし6のいずれかに記載の発光装置。 - 前記陰極端子を介して前記陰極と前記陽極へ電圧を印加する電源と、
前記電源からの前記陰極端子および前記陽極へ印加する電圧の大きさを制御するスイッチング素子とをさらに有し、
前記電子調整層は、前記スイッチング素子が前記電源からの前記陰極および前記陽極への電圧の印加するように作動した際に、前記陰極端子から前記陰極への電子の移動を妨げない程度の絶縁性を有している請求項1ないし7のいずれかに記載の発光装置。 - 前記電子調整層は、強誘電体、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも1種を含んで構成されている請求項1ないし8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記電子調整層は、リチウム化合物を含んで構成されている請求項1ないし9のいずれかに記載の発光装置。
- 前記陰極と前記陽極との間には、複数の前記発光層が設けられている請求項1ないし10のいずれかに記載の発光装置。
- 複数の前記発光層は、互いに異なる色に発光する請求項1ないし11のいずれかに記載の発光装置。
- 基板上に陽極および陰極端子を形成する工程と、
前記陽極上に印加されることにより発光する発光層を形成する工程と、
平面視にて前記発光層および前記陰極端子と重複するように、絶縁性を有する材料を含んで構成された電子調整層を形成する工程と、
前記電子調整層上に陰極を形成する工程とを有し、
前記電子調整層は、前記陰極端子から前記陰極に供給される電子の量を調節するものであり、かつ、その一部が、前記陰極から前記発光層への電子の注入を促進する電子注入層として機能するように構成されていることを特徴とする発光装置の製造方法。 - 請求項1ないし12のいずれかに記載の発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
- 請求項14に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013069041A1 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
JPWO2013069042A1 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
WO2021246127A1 (ja) * | 2020-06-02 | 2021-12-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5471937B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子、表示装置および電子機器 |
JP5609430B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2014-10-22 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置および電子機器 |
KR102065366B1 (ko) * | 2013-08-30 | 2020-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 |
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KR102480088B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2022-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점 발광 소자 |
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CN110085755A (zh) * | 2019-05-09 | 2019-08-02 | 陕西科技大学 | 一种新型倒置型顶发射oled器件及其制备方法 |
CN111584564B (zh) * | 2020-05-09 | 2022-08-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示面板制程方法 |
US11690241B2 (en) | 2020-05-09 | 2023-06-27 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED with auxiliary electrode contacting electron transport layer |
CN113948663A (zh) * | 2020-07-15 | 2022-01-18 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003178880A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2007287691A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Lg Electronics Inc | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2008234990A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7221095B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
CN101188246A (zh) * | 2006-11-15 | 2008-05-28 | 群康科技(深圳)有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管及其制造方法 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003178880A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-06-27 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機電界発光素子 |
JP2007287691A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Lg Electronics Inc | 有機el素子及びその製造方法 |
JP2008234990A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013069041A1 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
JPWO2013069042A1 (ja) * | 2011-11-07 | 2015-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
US9245939B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-01-26 | Joled Inc. | Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display apparatus |
US9472606B2 (en) | 2011-11-07 | 2016-10-18 | Joled Inc. | Organic electroluminescence display panel and organic electroluminescence display apparatus |
WO2021246127A1 (ja) * | 2020-06-02 | 2021-12-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
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