CN110085755A - 一种新型倒置型顶发射oled器件及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型倒置型顶发射OLED器件，包括基板、阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、发光层和空穴传输层；基板上不同的两个区域分别沉积阴极层和阳极层，基板上位于阴极层和阳极层之间设置有绝缘层，阴极层上依次沉积有电子注入层、电子传输层和发光层，发光层、绝缘层和阳极层上共同沉积空穴传输层。本发明通过对倒置型顶发射OLED器件的结构改进，使底反射阴极和发射阳极位于发光层的同侧，有效消除了倒置型顶发射结构的微腔效应，提高OLED器件的角度稳定性，从而提高了OLED器件的发光效率；同时本发明的结构能够采用ITO作为透明阳极，有效降低了成本，具有美好的应用前景。

Description

一种新型倒置型顶发射OLED器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示技术领域，具体为一种新型倒置型顶发射OLED器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)通常包括阳极、阴极和层夹在阳极和阴极之间的有机电致发光单元，有机电致发光单元至少包含空穴传输层(HTL)、发光层(EML)和电子传输层(ETL)。当在两个电极之间施加电场时，电子由负极注入，空穴由正极注入，在发光层中电子和空穴重新结合形成激发态，当激发态返回到基态时产生的能量发射光。OLED具有高图像质量、快速响应速度和宽视角的优点。
OLED根据光的出射方向不同，分为底发光器件和顶发光器件，其中底发光器件是从器件基板方向出射发射光，顶发光器件是从器件背向基板的方向出射发射光，由于底发光器件通常以生长在玻璃衬底上的透明的铟锡氧化物(ITO)为阳极，光从ITO/玻璃衬底一侧出射，如果采用有源驱动的方式来驱动显示器件，那么，像素的发光面积与驱动电路之间将会相互竞争，从而降低显示屏的开口率，不能达到较高的显示亮度；相反，顶发光器件的光由背向基板的方向出射，此时像素驱动电路制作在OLED下方，有效解决了显示发光面积和像素驱动电路之间相互竞争的问题，对开口率几乎没有影响，从根本上解决了开口率的问题，顶发光器件已经受到了广泛关注。
通常，OLED的阳极设置衬底上表面，这种常规结构为正置型OLED器件。而在实际应用中，低能耗的OLED显示器件通常采用有源矩阵背板，其中薄膜晶体管驱动电流流向OLED，但是薄膜晶体管的迁移率很低。因此，为了更好地实现有源驱动，OLED要求接在薄膜晶体管漏极与电源之间，这就要求OLED是底电极为阴极的倒置结构。
倒置型顶发射OLED的结构为依次沉积的衬底/阴极/电子传输层/发光层/空穴传输层/阳极，拥有底反射阴极和顶半透明阳极，但在制备能够用于大屏幕显示和照明的倒置顶发射白光器件时，底发射阴极和发射阳极位于发光层的两侧，光从发光层的出射方向有金属层，会与底部金属层形成微共振腔，产生微腔效应。由于微腔效应具有很强的视角依赖性，会使器件的发光光谱随着观看角度的不同而变化，并使器件的角度稳定性变差。
发明内容
为了解决现有技术中存在的不足，本发明提供一种新型倒置型顶发射OLED器件及其制备方法，本发明通过对倒置型顶发射OLED器件的结构改进，使底发射阴极和发射阳极位于发光层的同一侧，有效消除了倒置型顶发射结构的微腔效应，提高OLED器件的角度稳定性。
本发明提供一种新型倒置型顶发射OLED器件，包括基板、阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、发光层和空穴传输层；
基板上不同的两个区域分别沉积阴极层和阳极层，基板上位于阴极层和阳极层之间设置有绝缘层，阴极层上依次沉积有电子注入层、电子传输层和发光层，发光层、绝缘层和阳极层上共同沉积空穴传输层。
优选的，电子注入层的材料为LiF，电子注入层的厚度为4～6nm。
优选的，阴极层的材料为铝、锂和镁中的任意一种，阴极层的厚度为118～122nm。
优选的，还包括空穴注入层，空穴注入层沉积于阳极层和空穴传输层之间，空穴注入层的厚度为4～6nm。
优选的，电子传输层的厚度为44～47nm，发光层的厚度为2～3nm，空穴传输层的厚度为18～20nm。
优选的，阳极层的材料为ITO、金、银和镍中的任意一种，阳极层的厚度等于阴极层、电子注入层、电子传输层、发光层的厚度之和。
本发明还保护上述新型倒置型顶发射OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
S1、以玻璃为基板，将玻璃基板进行清洗、干燥和杀菌处理；
S2、在S1处理后的玻璃基板上旋涂光刻厚度为168～178nm的绝缘层，然后置于真空环境中，于3×10-4Pa的压力下在玻璃基板上的绝缘层两侧的区域进行金属材料的热蒸发沉积，分别沉积阴极层及阳极层；
S3、于3×10-4Pa的压力下，对应阴极层依次沉积电子传输层、发光层；然后对应发光层和阳极层的区域共同沉积空穴传输层；
S4、对应空穴传输层沉积封装层。
优选的，S1中玻璃基板的清洗、干燥和杀菌处理过程为：
使用洗涤剂、去离子水、丙酮和异丙醇依次冲洗玻璃基板，每次超声15～20min；然后用N2干燥，最后将清洁和干燥后的玻璃基板用UV臭氧处理5～10min进行杀菌。
优选的，S2、S3、S4和S5中的沉积速率为0.01-100
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
1、本发明通过对倒置型顶发射OLED器件的结构改进，使底反射阴极和发射阳极位于发光层的同侧，光从发光层的出射方向没有金属层，不会与底部金属层形成微共振腔，不会在器件内部产生较强的微腔效应，避免了微腔效应产生的视觉依赖性，从而使器件的观看角度稳定性更强；
2、本发明采用不适宜于普通倒置顶发射OLED器件阳极的ITO作为透明阳极，成本低廉；普通倒置顶发射OLED器件如果采用ITO作为阳极，在溅射ITO时需要加大功率，会对下面的有机层造成损伤，所以采用半透明阳极等方法来提高光输出率；而本发明在玻璃基板上沉积反射阳极，阳极与基板之间没有有机层，所以可以采用ITO作为透明阳极，有效降低成本。
附图说明
图1为本发明实施例1的顶发射OLED器件的结构图；
图2为本发明实施例5的顶发射OLED器件的结构图；
图3为本发明对比例的顶发射OLED器件的结构图；
图4为本发明实施例1与对比例的电压与外量子效率变化曲线。
图中：1、基板；2、阴极层；3、阳极层；4、电子注入层；5、电子传输层；6、发光层；7、空穴传输层。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明不限于这些实施例。
实施例1
本实施例提供一种新型倒置型顶发射OLED器件，如图1所示，包括基板1、阴极层2、阳极层3、电子注入层4、电子传输层5、发光层6和空穴传输层7；
基板1为玻璃基板，阴极层2为铝，阳极层3为ITO，电子注入层4为LiF，电子传输层5为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲(BCP)，发光层6为三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)，空穴传输层7为N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺(NPB)。
本实施例还提供该新型倒置型顶发射OLED器件的制备方法，包括以下步骤：
S1、以玻璃为基板，使用洗涤剂、去离子水、丙酮和异丙醇依次冲洗玻璃基板，每次清洗超声15min；然后用N2干燥，最后将清洁和干燥后的玻璃基板用UV臭氧处理5min进行杀菌；
S2、在S1处理后的玻璃基板上旋涂光刻厚度为172nm厚的聚酰亚胺绝缘层，然后将玻璃基板放入真空蒸发室，于3×10-4Pa的压力下在玻璃基板上的聚酰亚胺绝缘层两侧的区域进行金属材料的热蒸发沉积，分别沉积120nm厚的铝阴极层和172nm厚的ITO阳极层；
S3、于3×10-4Pa的压力下，对应铝阴极层依次沉积5nm厚的LiF电子注入层、45nm厚的BCP电子传输层和2nm厚的Ir(ppy)3发光层；然后对应Ir(ppy)3发光层和ITO阳极层的区域共同沉积20nm后的NPB空穴传输层；
S4、对应空穴传输层NPB沉积封装层。
实施例2
本实施例的结构和材料与实施例1的相同，不同的是阴极层的厚度为118nm，阳极层的厚度为168nm，电子注入层的厚度为4nm，电子传输层的厚度为44nm，发光层的厚度为2nm，空穴传输层的厚度为18nm。
本实施例与实施例1的制备方法相同。
实施例3
本实施例的结构和材料与实施例1的相同，不同的是阴极层的厚度为122nm，阳极层的厚度为178nm，电子注入层的厚度为6nm，电子传输层的厚度为47nm，发光层的厚度为3nm，空穴传输层的厚度为20nm。
本实施例与实施例1的制备方法相同。
实施例4
本实施例的结构与实施例1的相同，不同的是阴极层的材料为锂，阳极层的材料为金。
本实施例与实施例1的制备方法相同。
实施例5
本实施例的材料与实施例1的相同，不同的是在阳极层和空穴传输层之间加入了空穴注入层，如图2所示，空穴注入层的材料为MoO3，厚度为4nm，阳极层的厚度为168nm。
本实施例与实施例1的制备方法相同。
对比例
本对比例提供一种普通倒置型顶发射OLED器件，如图3所示，包括从下到上依次沉积的玻璃基板、反射阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和反射阳极，本对比例中材料、厚度以及制备方法与实施例1相同。
本发明的实施例1-实施例5的结构都具有较好的发光性能，我们以实施例1为例，将实施例1的结构和对比例的结构分别制备器件并对器件进行测试，图3为实施例1和对比例的器件的电压与外量子效率的变化曲线，如图4所示，与对比例相比，实施例1采用ITO作为透明阳极的新型结构的驱动电压变小，外量子效率(器件发射出的总光子数占注入载流子的百分比)提高了近两倍，说明实施例1的结构有效提高了OLED器件的发光效率。
以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，包括基板(1)、阴极层(2)、阳极层(3)、电子注入层(4)、电子传输层(5)、发光层(6)和空穴传输层(7)；
所述基板(1)上不同的两个区域分别沉积所述阴极层(2)和所述阳极层(3)，所述基板(1)上位于所述阴极层(2)和所述阳极层(3)之间设置有绝缘层，所述阴极层(2)上依次沉积有所述电子注入层(4)、所述电子传输层(5)和所述发光层(6)，所述发光层(6)、所述绝缘层和所述阳极层(3)上共同沉积有所述空穴传输层(7)。
2.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子注入层(4)的材料为LiF；所述电子注入层(4)的厚度为4～6nm。
3.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述阴极层(2)的材料为铝、锂和镁中的任意一种，所述阴极层(2)的厚度为118～122nm。
4.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，还包括空穴注入层，所述空穴注入层沉积于所述阳极层(3)和空穴传输层(6)之间，所述空穴注入层的厚度为4～6nm。
5.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述电子传输层(5)的厚度为44～47nm，所述发光层(6)的厚度为2～3nm，所述空穴传输层(7)的厚度为18～20nm。
6.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述阳极层(3)的材料为ITO、金、银和镍中的任意一种，所述阳极层(3)的厚度等于所述阴极层(2)、所述电子注入层(4)、所述电子传输层(5)、所述发光层(6)的厚度之和。
7.如权利要求1所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、以玻璃为基板(1)，将玻璃基板进行清洗、干燥和杀菌处理；
S2、在S1处理后的玻璃基板上旋涂光刻厚度为168～178nm的绝缘层，然后置于真空环境中，于3×10-4Pa的压力下在玻璃基板上的绝缘层两侧的区域进行金属材料的热蒸发沉积，分别沉积阴极层(2)及阳极层(3)；
S3、于3×10-4Pa的压力下，对应阴极层依次沉积电子传输层(4)、发光层(5)，然后对应发光层(5)和阳极层(3)的区域共同沉积空穴传输层(6)；
S4、对应空穴传输层(6)沉积封装层。
8.如权利要求7所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件的制备方法，其特征在于，所述S1中玻璃基板的清洗、干燥和杀菌处理过程为：
使用洗涤剂、去离子水、丙酮和异丙醇依次冲洗玻璃基板，每次超声15～20min；然后用N2干燥，最后将清洁和干燥后的玻璃基板用UV臭氧处理5～10min进行杀菌。
9.如权利要求7所述的一种新型倒置型顶发射OLED器件，其特征在于，所述S2、S3和S4中的沉积速率为
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114302527A (zh) * 2021-12-23 2022-04-08 固安翌光科技有限公司 一种oled发光器件及其控制方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070164277A1 (en) * 2006-01-19 2007-07-19 Lg Electronics Inc. Organic light emitting display
CN101842919A (zh) * 2007-09-04 2010-09-22 全球Oled科技有限责任公司 制造顶发射型oled器件
CN101894918A (zh) * 2009-05-18 2010-11-24 精工爱普生株式会社 发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备
CN109004098A (zh) * 2018-08-03 2018-12-14 上海钥熠电子科技有限公司 一种新型oled器件及其显示、照明装置
CN208422959U (zh) * 2018-08-03 2019-01-22 上海钥熠电子科技有限公司 一种新型oled器件及其显示、照明装置
CN109411505A (zh) * 2017-08-17 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070164277A1 (en) * 2006-01-19 2007-07-19 Lg Electronics Inc. Organic light emitting display
CN101842919A (zh) * 2007-09-04 2010-09-22 全球Oled科技有限责任公司 制造顶发射型oled器件
CN101894918A (zh) * 2009-05-18 2010-11-24 精工爱普生株式会社 发光装置、发光装置的制造方法、显示装置和电子设备
CN109411505A (zh) * 2017-08-17 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法
CN109004098A (zh) * 2018-08-03 2018-12-14 上海钥熠电子科技有限公司 一种新型oled器件及其显示、照明装置
CN208422959U (zh) * 2018-08-03 2019-01-22 上海钥熠电子科技有限公司 一种新型oled器件及其显示、照明装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114302527A (zh) * 2021-12-23 2022-04-08 固安翌光科技有限公司 一种oled发光器件及其控制方法
CN114302527B (zh) * 2021-12-23 2023-09-01 固安翌光科技有限公司 一种oled发光器件及其控制方法

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