CN106531772B - Oled显示装置及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件中分别设置第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层，并且将所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层均采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，与传统的OLED显示装置相比，本发明的OLED显示装置中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的第一、第二、第三空穴传输层的厚度相等，因此可以采用一道普通金属掩膜板在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
由于OLED显示装置相对于LCD显示装置具有自发光，结构简单低成本，反应速度快、广视角、色饱和度高、对比度高、轻薄可卷曲等优点，越来越多的智能手机以及可穿戴设备，开始采用OLED显示装置。
OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
具体的，对于全彩显示OLED显示装置来说，其通常包括多个红、绿、蓝色OLED器件，所述红、绿、蓝色OLED器件的发光层分别为红、绿、蓝色发光层，为了使红、绿、蓝色OLED器件分别达到最优化的发光效率，一般将不同颜色OLED器件中的空穴传输层设置为不同的厚度，来调节红、绿、蓝光的光程，利用Fabry-Perot(法布里-珀罗)共振原理计算出最佳光程，使红、绿、蓝色发光层分别位于第二反波节的位置，从而发光效率达到最大。这就要求所述红、绿、蓝色OLED器件的空穴传输层需要采用三道不同的精密金属掩膜板(FMM，Fine MetalMask)并且通过三道蒸镀制程制备，从而增加了生产成本并延长了制程时间，同时由于制程的复杂性导致产品良率降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示装置，能够实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，并且生产成本低，制程简单。
本发明的目的还在于提供一种OLED显示装置的制作方法，能够实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，并且生产成本低，制程简单。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示装置，包括基板、设于所述基板上的像素定义层、设于所述像素定义层上的数个通孔、以及分别设于所述数个通孔内的数个红色OLED器件、数个绿色OLED器件及数个蓝色OLED器件；
所述红色OLED器件包括在所述基板上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层、第一金属层、第一PEDOT:PSS导电膜层、第二透明导电金属氧化物层、第一空穴注入层、第一空穴传输层、红色发光层、第一电子传输层、及第一阴极；所述第一透明导电金属氧化物层、第一金属层、第一PEDOT:PSS导电膜层及第二透明导电金属氧化物层共同构成第一阳极；
所述绿色OLED器件包括在所述基板上从下到上依次设置的第三透明导电金属氧化物层、第二金属层、第二PEDOT:PSS导电膜层、第四透明导电金属氧化物层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、绿色发光层、第二电子传输层、及第二阴极；所述第三透明导电金属氧化物层、第二金属层、第二PEDOT:PSS导电膜层及第四透明导电金属氧化物层共同构成第二阳极；
所述蓝色OLED器件包括在所述基板上从下到上依次设置的第五透明导电金属氧化物层、第三金属层、第三PEDOT:PSS导电膜层、第六透明导电金属氧化物层、第三空穴注入层、第三空穴传输层、蓝色发光层、第三电子传输层、及第三阴极；所述第五透明导电金属氧化物层、第三金属层、第三PEDOT:PSS导电膜层及第六透明导电金属氧化物层共同构成第三阳极。
所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层的材料相同，且折射率为ηP，所述第二、第四、第六透明导电金属氧化物层的材料相同，且折射率为ηI，所述第一、第二、第三空穴注入层的材料相同，且折射率为ηJ，所述第一、第二、第三空穴传输层的材料相同，且折射率为ηT，所述红色发光层发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层发出的蓝光的峰值波长为λB；
所述第一PEDOT:PSS导电膜层的厚度定义为dRP，所述第二透明导电金属氧化物层的厚度定义为dRI，所述第一空穴注入层的厚度定义为dRJ，所述第一空穴传输层36的厚度定义为dRT，所述dRP、dRI、dRJ、dRT之间的关系满足关系式(1)：
ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4 (1)；
其中，mR为自然数；
所述第二PEDOT:PSS导电膜层的厚度定义为dGP，所述第四透明导电金属氧化物层的厚度定义为dGI，所述第二空穴注入层的厚度定义为dGJ，所述第二空穴传输层的厚度定义为dGT，所述dGP、dGI、dGJ、dGT之间的关系满足关系式(2)：
ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4 (2)；
其中，mG为自然数；
所述第三PEDOT:PSS导电膜层的厚度定义为dBP，所述第六透明导电金属氧化物层的厚度定义为dBI，所述第三空穴注入层的厚度定义为dBJ，所述第三空穴传输层的厚度定义为dBT，所述dBP、dBI、dBJ、dBT之间的关系满足关系式(3)：
ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4 (3)；
其中，mB为自然数；
并且，dRI＝dGI＝dBI，dRJ＝dGJ＝dBJ，dRT＝dGT＝dBT，mR＝mG＝mB，由于λR、λG、λB互不相等，因此dRP、dGP、dBP互不相等。
所述像素定义层上的数个通孔均呈锥形，并且所述通孔的尺寸从远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端逐渐增大。
所述红色发光层包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为红色磷光染料，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)；
所述绿色发光层包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为绿色磷光染料，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3；
所述蓝色发光层中包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为AND，所述掺杂染料为蓝色荧光染料，所述蓝色荧光染料为BUBD-1；
所述CBP的结构式为
所述Ir(DBQ)2(acac)的结构式为
所述Ir(ppy)3的结构式为
所述BUBD-1的结构式为
所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层的材料为氧化铟锡；所述第一、第二、第三金属层的材料为银；
所述第一、第二、第三阴极的材料相同，均包括低功函数金属、低功函数金属与铜、金、银中的至少一种形成的合金、低功函数金属氮化物、以及低功函数金属氟化物中的至少一种；所述低功函数金属包括锂、镁、钙、锶、铝、铟中的至少一种；
所述第一、第二、第三空穴注入层的材料包括HAT(CN)6，所述HAT(CN)6的结构式为
所述第一、第二、第三电子传输层的材料相同，均包括BPhen，所述BPhen的结构式为
本发明还提供一种OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供基板，在所述基板上形成像素定义层，所述像素定义层上设有间隔设置的数个通孔，所述数个通孔在所述基板上限定出数个红色像素区域、数个绿色像素区域及数个蓝色像素区域；
在所述基板的红色像素区域、绿色像素区域及蓝色像素区域中分别形成第一、第三、第五透明导电金属氧化物层；
在所述第一、第三、第五透明导电金属氧化物层上分别形成第一、第二、第三金属层；
在所述第一、第二、第三金属层上分别喷涂PEDOT:PSS水溶液，固化并去除水分后，形成第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层；
在所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层上分别沉积第二、第四、第六透明导电金属氧化物层；
所述红色像素区域中，从下到上依次层叠设置的第一透明导电金属氧化物层、第一金属层、第一PEDOT:PSS导电膜层及第二透明导电金属氧化物层共同构成第一阳极；
所述绿色像素区域中，从下到上依次层叠设置的第三透明导电金属氧化物层、第二金属层、第二PEDOT:PSS导电膜层及第四透明导电金属氧化物层共同构成第二阳极；
所述蓝色像素区域中，从下到上依次层叠设置的第五透明导电金属氧化物层、第三金属层、第三PEDOT:PSS导电膜层及第六透明导电金属氧化物层共同构成第三阳极；
步骤2、清洗所述第一、第二、第三阳极；
步骤3、在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三阳极上蒸镀第一、第二、第三空穴注入层；
在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三空穴注入层上蒸镀第一、第二、第三空穴传输层；
在三道不同的蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三空穴传输层上蒸镀红、绿、蓝色发光层；
在同一道蒸镀制程中分别在所述红、绿、蓝色发光层上蒸镀第一、第二、第三电子传输层；
在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三电子传输层上蒸镀第一、第二、第三阴极；
从而在所述像素定义层的数个通孔内分别对应所述红色像素区域、绿色像素区域、蓝色像素区域形成红色OLED器件、绿色OLED器件、及蓝色OLED器件。
所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层的材料相同，且折射率为ηP，所述第二、第四、第六透明导电金属氧化物层的材料相同，且折射率为ηI，所述第一、第二、第三空穴注入层的材料相同，且折射率为ηJ，所述第一、第二、第三空穴传输层的材料相同，且折射率为ηT，所述红色发光层发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层发出的蓝光的峰值波长为λB；
所述第一PEDOT:PSS导电膜层的厚度定义为dRP，所述第二透明导电金属氧化物层的厚度定义为dRI，所述第一空穴注入层的厚度定义为dRJ，所述第一空穴传输层的厚度定义为dRT，所述dRP、dRI、dRJ、dRT之间的关系满足关系式(1)：
ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4 (1)；
其中，mR为自然数；
所述第二PEDOT:PSS导电膜层的厚度定义为dGP，所述第四透明导电金属氧化物层的厚度定义为dGI，所述第二空穴注入层的厚度定义为dGJ，所述第二空穴传输层的厚度定义为dGT，所述dGP、dGI、dGJ、dGT之间的关系满足关系式(2)：
ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4 (2)；
其中，mG为自然数；
所述第三PEDOT:PSS导电膜层的厚度定义为dBP，所述第六透明导电金属氧化物层的厚度定义为dBI，所述第三空穴注入层的厚度定义为dBJ，所述第三空穴传输层的厚度定义为dBT，所述dBP、dBI、dBJ、dBT之间的关系满足关系式(3)：
ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4 (3)；
其中，mB为自然数；
并且，dRI＝dGI＝dBI，dRJ＝dGJ＝dBJ，dRT＝dGT＝dBT，mR＝mG＝mB，由于λR、λG、λB互不相等，因此dRP、dGP、dBP互不相等。
所述像素定义层上的数个通孔均呈锥形，并且所述通孔的尺寸从远离所述基板的一端向靠近所述基板的一端逐渐增大。
所述步骤1中，采用磁控溅射的方式沉积所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层以及所述第一、第二、第三金属层；
采用喷墨打印的方法在所述第一、第二、第三金属层上分别喷涂PEDOT:PSS水溶液。
所述红色发光层包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为红色磷光染料，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)；
所述绿色发光层包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为绿色磷光染料，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3；
所述蓝色发光层中包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为AND，所述掺杂染料为蓝色荧光染料，所述蓝色荧光染料为BUBD-1；
所述CBP的结构式为
所述Ir(DBQ)2(acac)的结构式为
所述Ir(ppy)3的结构式为
所述BUBD-1的结构式为
本发明的有益效果：本发明提供的一种OLED显示装置及其制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件中分别设置第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层，并且将所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层均采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，与传统的OLED显示装置相比，本发明的OLED显示装置中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的第一、第二、第三空穴传输层的厚度相等，因此可以采用一道普通金属掩膜板在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED显示装置的结构示意图；
图2为本发明的OLED显示装置的制作方法的流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明提供一种OLED显示装置，包括基板10、设于所述基板10上的像素定义层20、设于所述像素定义层20上的数个通孔21、以及分别设于所述数个通孔21内的数个红色OLED器件30、数个绿色OLED器件40及数个蓝色OLED器件50；
所述红色OLED器件30包括在所述基板10上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层31、第一金属层32、第一PEDOT:PSS导电膜层33、第二透明导电金属氧化物层34、第一空穴注入层35、第一空穴传输层36、红色发光层37、第一电子传输层38、及第一阴极39；所述第一透明导电金属氧化物层31、第一金属层32、第一PEDOT:PSS导电膜层33及第二透明导电金属氧化物层34共同构成第一阳极301；
所述绿色OLED器件40包括在所述基板10上从下到上依次设置的第三透明导电金属氧化物层41、第二金属层42、第二PEDOT:PSS导电膜层43、第四透明导电金属氧化物层44、第二空穴注入层45、第二空穴传输层46、绿色发光层47、第二电子传输层48、及第二阴极49；所述第三透明导电金属氧化物层41、第二金属层42、第二PEDOT:PSS导电膜层43及第四透明导电金属氧化物层44共同构成第二阳极401；
所述蓝色OLED器件50包括在所述基板10上从下到上依次设置的第五透明导电金属氧化物层51、第三金属层52、第三PEDOT:PSS导电膜层53、第六透明导电金属氧化物层54、第三空穴注入层55、第三空穴传输层56、蓝色发光层57、第三电子传输层58、及第三阴极59；所述第五透明导电金属氧化物层51、第三金属层52、第三PEDOT:PSS导电膜层53及第六透明导电金属氧化物层54共同构成第三阳极501。
具体的，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53的材料相同，且折射率为ηP，所述第二、第四、第六透明导电金属氧化物层34、44、54的材料相同，且折射率为ηI，所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55的材料相同，且折射率为ηJ，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的材料相同，且折射率为ηT，所述红色发光层37发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层47发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层57发出的蓝光的峰值波长为λB；
所述第一PEDOT:PSS导电膜层33的厚度定义为dRP，所述第二透明导电金属氧化物层34的厚度定义为dRI，所述第一空穴注入层35的厚度定义为dRJ，所述第一空穴传输层36的厚度定义为dRT，所述dRP、dRI、dRJ、dRT之间的关系满足关系式(1)：
ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4 (1)；
其中，mR为自然数；
所述第二PEDOT:PSS导电膜层43的厚度定义为dGP，所述第四透明导电金属氧化物层44的厚度定义为dGI，所述第二空穴注入层45的厚度定义为dGJ，所述第二空穴传输层46的厚度定义为dGT，所述dGP、dGI、dGJ、dGT之间的关系满足关系式(2)：
ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4 (2)；
其中，mG为自然数；
所述第三PEDOT:PSS导电膜层53的厚度定义为dBP，所述第六透明导电金属氧化物层54的厚度定义为dBI，所述第三空穴注入层55的厚度定义为dBJ，所述第三空穴传输层56的厚度定义为dBT，所述dBP、dBI、dBJ、dBT之间的关系满足关系式(3)：
ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4 (3)；
其中，mB为自然数；
并且，通常情况下，dRI＝dGI＝dBI，dRJ＝dGJ＝dBJ，dRT＝dGT＝dBT，mR＝mG＝mB，由于λR、λG、λB互不相等，因此dRP、dGP、dBP互不相等，也即是说，本发明通过调节红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中的第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53的厚度来分别实现红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53均可以采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，与传统的OLED显示装置相比，本发明OLED显示装置的红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中的第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度相同，因此可以采用一道普通金属掩膜板(CMM，Common Metal Mask)在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间。
具体的，本发明的OLED显示装置中，所述第一、第二、第三阳极301、302、303均为反射电极，所述第一、第二、第三阴极39、49、59均为半透明电极，从而所述红、绿、蓝色OLED器件30、40、50均为顶发射OLED器件，本发明的OLED显示装置为顶发射OLED显示装置。
具体的，以上关系式(1)、(2)、(3)的推理过程为：
根据Fabry-Perot共振原理，为使顶发光OLED器件的发光效率达到最佳，所述顶发光OLED器件中从发光层到反射阳极的距离d需要满足以下关系式(4)：
[{(2m+1)/4}-(1/8)]λ<ηd<[{(2m+1)/4}+(1/8)]λ (4)；
其中，d表示从发光层到反射阳极的距离，η表示所述发光层与反射阳极之间的材料的折射率，λ表示发光层发出的光的峰值波长，m表示自然数。
进一步优选的，所述距离d满足以下关系式(5)：
[{(2m+1)/4}-(1/16)]λ＜ηd＜[{(2m+1)/4}+(1/16)]λ (5)；
由此得出，最优选的，所述距离d＝(2m+1)λ/(4η)。
具体到本发明的红/绿/蓝色OLED器件30/40/50中，从发光层到反射阳极的距离d等于位于所述金属层上方的PEDOT:PSS导电膜层、透明导电金属氧化物层、空穴注入层及空穴传输层的厚度之和。
具体到所述红色OLED器件30中，从红色发光层37到第一阳极301的距离dR＝dRP+dRI+dRJ+dRT，从而η*dR＝ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4。
具体到所述绿色OLED器件40中，从绿色发光层47到第二阳极401的距离dG＝dBP+dBI+dBJ+dBT，从而η*dG＝ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4。
具体到所述蓝色OLED器件50中，从蓝色发光层57到第三阳极501的距离dB＝dBP+dBI+dBJ+dBT，从而η*dB＝ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4。
具体的，所述基板10为透明刚性基板或透明柔性基板，所述透明刚性基板可以是玻璃基板，所述柔性基板的材料包括聚酯类化合物与聚酰亚胺类化合物中的至少一种。本发明实施例中，所述基板10为玻璃基板。
具体的，所述像素定义层20上的数个通孔21均呈锥形，并且所述通孔21的尺寸从远离所述基板10的一端向靠近所述基板10的一端逐渐增大。
具体的，所述像素定义层20为有机绝缘材料，优选为聚酰亚胺(PI)。
具体的，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层31、34、41、44、51、54的材料为氧化铟锡。
具体的，所述第一、第二、第三金属层32、42、52的材料为银。
具体的，所述PEDOT:PSS导电膜层的折射率为1.65，具有高电导率、高机械强度、高可见光透射率与优越的稳定性等优势，且为水溶性的高分子，易于制备和后处理及固化。
具体的，所述第一、第二、第三阴极39、49、59的材料相同，均包括低功函数金属、低功函数金属与铜、金、银中的至少一种形成的合金、低功函数金属氮化物、以及低功函数金属氟化物中的至少一种；所述低功函数金属包括锂、镁、钙、锶、铝、铟中的至少一种。
优选的，所述第一、第二、第三阴极39、49、59为镁银合金层、由镁银合金层与银层叠加构成的复合层、由氟化锂层或氮化锂层与银层叠加构成的复合层、或者由氟化锂层或氮化锂层与铝层叠加构成的复合层。本发明实施例中，所述第一、第二、第三阴极39、49、59为镁银合金层。
具体的，所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55的材料包括HAT(CN)6，所述HAT(CN)6的结构式为
具体的，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的材料包括merck公司的HTM081。
具体的，所述红色发光层37包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为红色磷光染料，优选的，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)。具体的，所述红色发光层37中，所述掺杂染料的浓度为3wt％-5wt％。
具体的，所述绿色发光层47包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为绿色磷光染料，优选的，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3。具体的，所述绿色发光层47中，所述掺杂染料的浓度为3wt％-15wt％，优选为3wt％-10wt％，更优选为5wt％-10wt％。
具体的，所述蓝色发光层57中包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为AND，所述掺杂染料为蓝色荧光染料，优选的，所述蓝色荧光染料为BUBD-1。具体的，所述蓝色发光层57中，所述掺杂染料的浓度为3wt％-5wt％。
具体的，所述CBP的结构式为
所述Ir(DBQ)2(acac)的结构式为
所述Ir(ppy)3的结构式为
所述BUBD-1的结构式为
具体的，所述红色发光层37发出的红光的峰值波长为612nm，所述绿色发光层47发出的绿光的峰值波长为512nm，所述蓝色发光层57发出的蓝光的峰值波长为468nm。
具体的，所述第一、第二、第三电子传输层38、48、58的材料相同，均包括BPhen，所述BPhen的结构式为
具体的，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层31、34、41、44、51、54的厚度为10nm-200nm，优选为10nm-100nm，更优选为10nm-50nm。
具体的，所述第一、第二、第三金属层32、42、52的厚度为80nm-300nm，优选为80nm-200nm，更优选为100nm-150nm。
具体的，所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55的厚度为5nm-30nm，优选为5nm-20nm，更优选为5nm-10nm。
具体的，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度为20nm-400nm，优选为50nm-300nm，更优选为50nm-200nm。
具体的，所述红色发光层37的厚度为10nm-30nm，优选为15nm-25nm，更优选为20nm-25nm。
具体的，所述绿色发光层47的厚度为10nm-50nm，优选为20nm-40nm，更优选为30nm-40nm。
具体的，所述蓝色发光层57的厚度为10nm-50nm，优选为20nm-40nm，更优选为30nm-40nm。
具体的，所述第一、第二、第三电子传输层38、48、58的厚度为5nm-50nm，优选为20nm-40nm，更优选为25nm-35nm。
上述OLED显示装置，通过在红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中分别设置第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53，并且将所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53均采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，与传统的OLED显示装置相比，本发明的OLED显示装置中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中的第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度相等，因此可以采用一道普通金属掩膜板(CMM)在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间。
请参阅图2，同时参阅图1，本发明还提供一种上述OLED显示装置的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供基板10，在所述基板10上形成像素定义层20，所述像素定义层20上设有间隔设置的数个通孔21，所述数个通孔21在所述基板10上限定出数个红色像素区域11、数个绿色像素区域12及数个蓝色像素区域13；
在所述基板10的红色像素区域11、绿色像素区域12及蓝色像素区域13中分别形成第一、第三、第五透明导电金属氧化物层31、41、51；
在所述第一、第三、第五透明导电金属氧化物层31、41、51上分别形成第一、第二、第三金属层32、42、52；
在所述第一、第二、第三金属层32、42、52上分别喷涂PEDOT:PSS水溶液，固化并去除水分后，形成第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53；
在所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53上分别沉积第二、第四、第六透明导电金属氧化物层34、44、54；
所述红色像素区域11中，从下到上依次层叠设置的第一透明导电金属氧化物层31、第一金属层32、第一PEDOT:PSS导电膜层33及第二透明导电金属氧化物层34共同构成第一阳极301；
所述绿色像素区域12中，从下到上依次层叠设置的第三透明导电金属氧化物层41、第二金属层42、第二PEDOT:PSS导电膜层43及第四透明导电金属氧化物层44共同构成第二阳极401；
所述蓝色像素区域13中，从下到上依次层叠设置的第五透明导电金属氧化物层51、第三金属层52、第三PEDOT:PSS导电膜层53及第六透明导电金属氧化物层54共同构成第三阳极501。
具体的，所述像素定义层20上的数个通孔21均呈锥形，并且所述通孔21的尺寸从远离所述基板10的一端向靠近所述基板10的一端逐渐增大。
具体的，所述步骤1中，采用磁控溅射的方式，在1×10-5Pa的真空下沉积所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层31、34、41、44、51、54，沉积速率为60nm/min。
具体的，所述步骤1中，采用喷墨打印的方法在所述第一、第二、第三金属层32、42、52上分别喷涂PEDOT:PSS水溶液。
具体的，所述步骤1中，采用磁控溅射的方式，在1×10-5Pa的真空下沉积所述第一、第二、第三金属层32、42、52，沉积速率为2400nm/min。
由于所述像素定义层20上的数个通孔21均呈锥形，并且所述通孔21的尺寸从远离所述基板10的一端向靠近所述基板10的一端逐渐增大，这样可以保证在采用磁控溅射的方式来形成所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层31、34、41、44、51、54及所述第一、第二、第三金属层32、42、52时，所述数个通孔21的孔壁上不会被溅射上靶材料，避免数个通孔21中对应的结构层经由通孔21的孔壁及像素定义层20的顶面相连接。
具体的，所述步骤1中，采用Kateeva公司的喷墨打印设备进行PEDOT:PSS水溶液的喷涂，PEDOT:PSS水溶液喷涂完成后，流平3分钟，采用256nm的紫外光进行固化并去除水分，形成第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53。
步骤2、清洗所述第一、第二、第三阳极301、401、501。
具体的，所述步骤2中，首先将带有所述第一、第二、第三阳极301、401、501的基板10在商用清洗剂(如洗洁精)中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮/乙醇(体积比1/1)混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水分，然后用紫外光和臭氧清洗，并采用低能阳离子束(氩气、氮气等离子体)轰击表面，得到洁净的第一、第二、第三阳极301、401、501。
步骤3、在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三阳极301、401、501上蒸镀第一、第二、第三空穴注入层35、45、55；
在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55上蒸镀第一、第二、第三空穴传输层36、46、56；
在三道不同的蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56上蒸镀红、绿、蓝色发光层37、47、57；
在同一道蒸镀制程中分别在所述红、绿、蓝色发光层37、47、57上蒸镀第一、第二、第三电子传输层38、48、58；
在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三电子传输层38、48、58上蒸镀第一、第二、第三阴极39、49、59；
从而在所述像素定义层20的数个通孔21内分别对应所述红色像素区域11、绿色像素区域12、蓝色像素区域13形成红色OLED器件30、绿色OLED器件40、及蓝色OLED器件50。
具体的，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53的材料相同，且折射率为ηP，所述第二、第四、第六透明导电金属氧化物层34、44、54的材料相同，且折射率为ηI，所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55的材料相同，且折射率为ηJ，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的材料相同，且折射率为ηT，所述红色发光层37发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层47发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层57发出的蓝光的峰值波长为λB；
所述第一PEDOT:PSS导电膜层33的厚度定义为dRP，所述第二透明导电金属氧化物层34的厚度定义为dRI，所述第一空穴注入层35的厚度定义为dRJ，所述第一空穴传输层36的厚度定义为dRT，所述dRP、dRI、dRJ、dRT之间的关系满足关系式(1)：
ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4 (1)；
其中，mR为自然数；
所述第二PEDOT:PSS导电膜层43的厚度定义为dGP，所述第四透明导电金属氧化物层44的厚度定义为dGI，所述第二空穴注入层45的厚度定义为dGJ，所述第二空穴传输层46的厚度定义为dGT，所述dGP、dGI、dGJ、dGT之间的关系满足关系式(2)：
ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4 (2)；
其中，mG为自然数；
所述第三PEDOT:PSS导电膜层53的厚度定义为dBP，所述第六透明导电金属氧化物层54的厚度定义为dBI，所述第三空穴注入层55的厚度定义为dBJ，所述第三空穴传输层56的厚度定义为dBT，所述dBP、dBI、dBJ、dBT之间的关系满足关系式(3)：
ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4 (3)；
其中，mB为自然数；
并且，通常情况下，dRI＝dGI＝dBI，dRJ＝dGJ＝dBJ，dRT＝dGT＝dBT，mR＝mG＝mB，由于λR、λG、λB互不相等，因此dRP、dGP、dBP互不相等。
具体的，所述步骤3中，所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55采用一道普通金属掩膜板(CMM)并且通过一道蒸镀制程制备；
所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56采用一张普通金属掩膜板(CMM)并且通过一道蒸镀制程制备；
所述红、绿、蓝色发光层37、47、57分别采用三张不同的精密金属掩膜板(FMM)并且通过三道不同的蒸镀制程制备；
所述第一、第二、第三电子传输层38、48、58采用一张普通金属掩膜板(CMM)并且通过一道蒸镀制程制备；
所述第一、第二、第三阴极39、49、59采用一张普通金属掩膜板(CMM)并且通过一道蒸镀制程制备。
具体的，所述普通金属掩膜板(CMM)为仅具有一个开孔的金属掩膜板，所述开孔对应于所述基板10上所有需要蒸镀的红色、绿色、蓝色像素区域11、12、13以及位于所有需要蒸镀的红色、绿色、蓝色像素区域11、12、13之间的像素定义层20。
由于所述像素定义层20上的数个通孔21均呈锥形，并且所述通孔21的尺寸从远离所述基板10的一端向靠近所述基板10的一端逐渐增大，这样可以保证在采用普通金属掩膜板(CMM)来蒸镀所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55、所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56、所述第一、第二、第三电子传输层38、48、58、及所述第一、第二、第三阴极39、49、59时，所述数个通孔21的孔壁上不会被蒸镀上靶材料，避免数个通孔21中对应的结构层经由通孔21的孔壁及像素定义层20的顶面相连接。
具体的，所述步骤3中，所有蒸镀制程在真空度为1×10-6至2×10-4Pa的真空腔内进行。
具体的，所述第一、第二、第三空穴注入层35、45、55的蒸镀速率为0.05nm/s。
具体的，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的蒸镀速率为0.1nm/s。
具体的，所述红色发光层37采用主体材料与掺杂染料双源共蒸的方式蒸镀而成，其中，所述主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，所述掺杂染料的蒸镀速率为0.003nm/s。
具体的，所述绿色发光层47采用主体材料与掺杂染料双源共蒸的方式蒸镀而成，其中，所述主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，所述掺杂染料的蒸镀速率为0.01nm/s。
具体的，所述蓝色发光层57采用主体材料与掺杂染料双源共蒸的方式蒸镀而成，其中，所述主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，所述掺杂染料的蒸镀速率为0.005nm/s。
具体的，所述第一、第二、第三电子传输层38、48、58的蒸镀速率为0.1nm/s。
具体的，上述OLED显示装置的制作方法中，各结构层的具体材料以及厚度范围的选择如前文所述，此处不再赘述。
具体的，当所述第一、第二、第三阴极39、49、59为镁银合金层时，所述第一、第二、第三阴极39、49、59的制备方法为：采用镁与银双源共蒸的方式蒸镀而成，其中，镁的蒸镀速率为0.09nm/s，银的蒸镀速率为0.01nm/s。
上述OLED显示装置的制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中分别设置第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53，并且将所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53均采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，与传统的OLED显示装置相比，本发明的OLED显示装置中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中的第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度相等，因此可以采用一道普通金属掩膜板(CMM)在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间。
以下通过本发明的实施例1与采用现有技术的对比例1的对比对本发明的OLED显示装置及其制作方法的优点进行分析：
实施例1
实施例1的OLED显示装置中：
所述红光OLED器件包括在所述基板10上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层31、第一金属层32、第一PEDOT:PSS导电膜层33、第二透明导电金属氧化物层34、第一空穴注入层35、第一空穴传输层36、红色发光层37、第一电子传输层38、及第一阴极39；
所述第一透明导电金属氧化物层31的厚度为20nm；所述第一金属层32的厚度为150nm；所述第一PEDOT:PSS导电膜层33的厚度为XR nm；所述第二透明导电金属氧化物层34的厚度为20nm；所述第一空穴注入层35的材料为HAT(CN)6，厚度为5nm；所述第一空穴传输层36的材料为HTM081，厚度为20nm；所述红色发光层37包括主体材料CBP与红色磷光染料Ir(DBQ)2(acac)，所述红色磷光染料Ir(DBQ)2(acac)的浓度为3wt％，所述红色发光层37的厚度为30nm；所述第一电子传输层38的材料为Bphen，厚度为20nm；所述第一阴极39为镁银合金层，所述镁银合金层中镁与银的质量比为9：1，所述第一阴极39的厚度为20nm；
所述绿色OLED器件40包括在所述基板10上从下到上依次设置的第三透明导电金属氧化物层41、第二金属层42、第二PEDOT:PSS导电膜层43、第四透明导电金属氧化物层44、第二空穴注入层45、第二空穴传输层46、绿色发光层47、第二电子传输层48、及第二阴极49；
所述第三透明导电金属氧化物层41的厚度为20nm；所述第二金属层42的厚度为150nm；所述第二PEDOT:PSS导电膜层43的厚度为XG nm；所述第四透明导电金属氧化物层44的厚度为20nm；所述第二空穴注入层45的材料为HAT(CN)6，厚度为5nm；所述第二空穴传输层46的材料为HTM081，厚度为20nm；所述绿色发光层47包括主体材料CBP与绿色磷光染料Ir(ppy)3，所述绿色磷光染料Ir(ppy)3的浓度为10wt％，所述绿色发光层47的厚度为30nm；所述第二电子传输层48的材料为Bphen，厚度为20nm；所述第二阴极49为镁银合金层，所述镁银合金层中镁与银的质量比为9：1，所述第二阴极49的厚度为20nm；
所述蓝色OLED器件50包括在所述基板10上从下到上依次设置的第五透明导电金属氧化物层51、第三金属层52、第三PEDOT:PSS导电膜层53、第六透明导电金属氧化物层54、第三空穴注入层55、第三空穴传输层56、蓝色发光层57、第三电子传输层58、及第三阴极59；
所述第五透明导电金属氧化物层51的厚度为20nm；所述第三金属层52的厚度为150nm；所述第三PEDOT:PSS导电膜层53的厚度为XB nm；所述第六透明导电金属氧化物层54的厚度为20nm；所述第三空穴注入层55的材料为HAT(CN)6，厚度为5nm；所述第三空穴传输层56的材料为HTM081，厚度为20nm；所述蓝色发光层57包括主体材料CBP与蓝色荧光染料BUBD-1，所述蓝色荧光染料BUBD-1的浓度为5wt％，所述蓝色发光层57的厚度为20nm；所述第三电子传输层58的材料为Bphen，厚度为20nm；所述第三阴极59为镁银合金层，所述镁银合金层中镁与银的质量比为9：1，所述第三阴极59的厚度为20nm；
为了使红、绿、蓝色发光层37、47、57分别位于反波节的位置，使得红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率分别达到最佳，在mR＝mG＝mB＝3的情况下根据前述关系式(1)、(2)、(3)分别计算出所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53的厚度为：XR＝229nm，XG＝183nm，XB＝158nm。
对比例1
对比例1的OLED显示装置中：
所述红光OLED器件包括在所述基板10上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层31、第一金属层32、第二透明导电金属氧化物层34、第一空穴注入层35、第一空穴传输层36、红色发光层37、第一电子传输层38、及第一阴极39；
所述第一透明导电金属氧化物层31的厚度为20nm；所述第一金属层32的厚度为150nm；所述第二透明导电金属氧化物层34的厚度为20nm；所述第一空穴注入层35的材料为HAT(CN)6，厚度为5nm；所述第一空穴传输层36的材料为HTM081，厚度为X1nm；所述红色发光层37包括主体材料CBP与红色磷光染料Ir(DBQ)2(acac)，所述红色磷光染料Ir(DBQ)2(acac)的浓度为3wt％，所述红色发光层37的厚度为30nm；所述第一电子传输层38的材料为Bphen，厚度为20nm；所述第一阴极39为镁银合金层，所述镁银合金层中镁与银的质量比为9：1，所述第一阴极39的厚度为20nm；
所述绿色OLED器件40包括在所述基板10上从下到上依次设置的第三透明导电金属氧化物层41、第二金属层42、第四透明导电金属氧化物层44、第二空穴注入层45、第二空穴传输层46、绿色发光层47、第二电子传输层48、及第二阴极49；
所述第三透明导电金属氧化物层41的厚度为20nm；所述第二金属层42的厚度为150nm；所述第四透明导电金属氧化物层44的厚度为20nm；所述第二空穴注入层45的材料为HAT(CN)6，厚度为5nm；所述第二空穴传输层46的材料为HTM081，厚度为X2nm；所述绿色发光层47包括主体材料CBP与绿色磷光染料Ir(ppy)3，所述绿色磷光染料Ir(ppy)3的浓度为10wt％，所述绿色发光层47的厚度为30nm；所述第二电子传输层48的材料为Bphen，厚度为20nm；所述第二阴极49为镁银合金层，所述镁银合金层中镁与银的质量比为9：1，所述第二阴极49的厚度为20nm；
所述蓝色OLED器件50包括在所述基板10上从下到上依次设置的第五透明导电金属氧化物层51、第三金属层52、第六透明导电金属氧化物层54、第三空穴注入层55、第三空穴传输层56、蓝色发光层57、第三电子传输层58、及第三阴极59；
所述第五透明导电金属氧化物层51的厚度为20nm；所述第三金属层52的厚度为150nm；所述第六透明导电金属氧化物层54的厚度为20nm；所述第三空穴注入层55的材料为HAT(CN)6，厚度为5nm；所述第三空穴传输层56的材料为HTM081，厚度为X3nm；所述蓝色发光层57包括主体材料CBP与蓝色荧光染料BUBD-1，所述蓝色荧光染料BUBD-1的浓度为5wt％，所述蓝色发光层57的厚度为20nm；所述第三电子传输层58的材料为Bphen，厚度为20nm；所述第三阴极59为镁银合金层，所述镁银合金层中镁与银的质量比为9：1，所述第三阴极59的厚度为20nm；
可以看出，对比例1与实施例1的区别在于：所述红、绿、蓝色OLED器件30、40、50中分别未设置第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53，并且所述第一空穴传输层36、第二空穴传输层46、第三空穴传输层56的厚度不等。
为了使红、绿、蓝色发光层37、47、57分别位于反波节的位置，使得红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度分别设置为：X1＝236nm，X2＝193nm，X3＝169nm。
在相同电压驱动下，并且用于显示相同画面时，所述实施例1与对比例1的OLED显示装置的画面亮度及色度数据分别如表1与表2所示：
表1.实施例1的OLED显示装置的画面亮度及色度数据
| 实施例1 | 亮度cd/m<sup>2</sup> | 色度CIE-X | 色度CIE-Y |
| W画面 | 165 | 0.300 | 0.313 |
| R画面 | 59 | 0.660 | 0.330 |
| G画面 | 158 | 0.237 | 0.711 |
| B画面 | 13 | 0.144 | 0.044 |
表2.对比例1的OLED显示装置的画面亮度及色度数据
| 对比例1 | 亮度cd/m<sup>2</sup> | 色度CIE-X | 色度CIE-Y |
| W画面 | 160 | 0.300 | 0.313 |
| R画面 | 57 | 0.671 | 0.329 |
| G画面 | 156 | 0.236 | 0.705 |
| B画面 | 12 | 0.144 | 0.044 |
从上述表1与表2中可以看出，所述实施例1与对比例1的OLED显示装置的显示性能基本相同，但是：
所述实施例1中，通过将所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53设置为不同的厚度，来实现红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层33、43、53均采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度相等，因此可以采用一道普通金属掩膜板(CMM)在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间；
所述对比例1中，通过将所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56设置为不同的厚度，来实现红、绿、蓝色OLED器件30、40、50的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56的厚度不同，因此所述第一、第二、第三空穴传输层36、46、56需要采用三道不同的精密金属掩膜板(FMM)并且通过三道蒸镀制程制备，因此生产成本高，且制程时间长；
因此，与对比例1相比，本发明的实施例1的优势在于减少了三道精密金属掩膜板(FMM)的使用，简化与优化了OLED蒸镀制程，在节约成本的同时大幅提高了产品良率。
综上所述，本发明提供一种OLED显示装置及其制作方法，通过在红、绿、蓝色OLED器件中分别设置第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层，并且将所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层设置为不同的厚度来实现红、绿、蓝色OLED器件的发光效率分别达到最佳，所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层均采用喷墨打印方法制备，生产成本低，制程简单，与传统的OLED显示装置相比，本发明的OLED显示装置中分别设置于红、绿、蓝色OLED器件中的第一、第二、第三空穴传输层的厚度相等，因此可以采用一道普通金属掩膜板(CMM)在同一道蒸镀制程中形成，从而节约了三道精密金属掩膜板，降低生产成本，并且减少制程时间。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种OLED显示装置，其特征在于，包括基板(10)、设于所述基板(10)上的像素定义层(20)、设于所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)、以及分别设于所述数个通孔(21)内的数个红色OLED器件(30)、数个绿色OLED器件(40)及数个蓝色OLED器件(50)；
所述红色OLED器件(30)包括在所述基板(10)上从下到上依次设置的第一透明导电金属氧化物层(31)、第一金属层(32)、第一PEDOT:PSS导电膜层(33)、第二透明导电金属氧化物层(34)、第一空穴注入层(35)、第一空穴传输层(36)、红色发光层(37)、第一电子传输层(38)、及第一阴极(39)；所述第一透明导电金属氧化物层(31)、第一金属层(32)、第一PEDOT:PSS导电膜层(33)及第二透明导电金属氧化物层(34)共同构成第一阳极(301)；
所述绿色OLED器件(40)包括在所述基板(10)上从下到上依次设置的第三透明导电金属氧化物层(41)、第二金属层(42)、第二PEDOT:PSS导电膜层(43)、第四透明导电金属氧化物层(44)、第二空穴注入层(45)、第二空穴传输层(46)、绿色发光层(47)、第二电子传输层(48)、及第二阴极(49)；所述第三透明导电金属氧化物层(41)、第二金属层(42)、第二PEDOT:PSS导电膜层(43)及第四透明导电金属氧化物层(44)共同构成第二阳极(401)；
所述蓝色OLED器件(50)包括在所述基板(10)上从下到上依次设置的第五透明导电金属氧化物层(51)、第三金属层(52)、第三PEDOT:PSS导电膜层(53)、第六透明导电金属氧化物层(54)、第三空穴注入层(55)、第三空穴传输层(56)、蓝色发光层(57)、第三电子传输层(58)、及第三阴极(59)；所述第五透明导电金属氧化物层(51)、第三金属层(52)、第三PEDOT:PSS导电膜层(53)及第六透明导电金属氧化物层(54)共同构成第三阳极(501)；
所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层(33、43、53)的材料相同，且折射率为ηP，所述第二、第四、第六透明导电金属氧化物层(34、44、54)的材料相同，且折射率为ηI，所述第一、第二、第三空穴注入层(35、45、55)的材料相同，且折射率为ηJ，所述第一、第二、第三空穴传输层(36、46、56)的材料相同，且折射率为ηT，所述红色发光层(37)发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层(47)发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层(57)发出的蓝光的峰值波长为λB；
所述第一PEDOT:PSS导电膜层(33)的厚度定义为dRP，所述第二透明导电金属氧化物层(34)的厚度定义为dRI，所述第一空穴注入层(35)的厚度定义为dRJ，所述第一空穴传输层(36)的厚度定义为dRT，所述dRP、dRI、dRJ、dRT之间的关系满足关系式(1)：
ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4 (1)；
其中，mR为自然数；
所述第二PEDOT:PSS导电膜层(43)的厚度定义为dGP，所述第四透明导电金属氧化物层(44)的厚度定义为dGI，所述第二空穴注入层(45)的厚度定义为dGJ，所述第二空穴传输层(46)的厚度定义为dGT，所述dGP、dGI、dGJ、dGT之间的关系满足关系式(2)：
ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4 (2)；
其中，mG为自然数；
所述第三PEDOT:PSS导电膜层(53)的厚度定义为dBP，所述第六透明导电金属氧化物层(54)的厚度定义为dBI，所述第三空穴注入层(55)的厚度定义为dBJ，所述第三空穴传输层(56)的厚度定义为dBT，所述dBP、dBI、dBJ、dBT之间的关系满足关系式(3)：
ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4 (3)；
其中，mB为自然数；
并且，dRI＝dGI＝dBI，dRJ＝dGJ＝dBJ，dRT＝dGT＝dBT，mR＝mG＝mB，由于λR、λG、λB互不相等，因此dRP、dGP、dBP互不相等；
所述第一、第二、第三阳极(301、302、303)均为反射电极，所述第一、第二、第三阴极(39、49、59)均为半透明电极。
2.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)均呈锥形，并且所述通孔(21)的尺寸从远离所述基板(10)的一端向靠近所述基板(10)的一端逐渐增大。
3.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述红色发光层(37)包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为红色磷光染料，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)；
所述绿色发光层(47)包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为绿色磷光染料，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3；
所述蓝色发光层(57)中包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为AND，所述掺杂染料为蓝色荧光染料，所述蓝色荧光染料为BUBD-1；
所述CBP的结构式为
所述Ir(DBQ)2(acac)的结构式为
所述Ir(ppy)3的结构式为
所述BUBD-1的结构式为
4.如权利要求1所述的OLED显示装置，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层(31、34、41、44、51、54)的材料为氧化铟锡；所述第一、第二、第三金属层(32、42、52)的材料为银；
所述第一、第二、第三阴极(39、49、59)的材料相同，均包括低功函数金属、低功函数金属与铜、金、银中的至少一种形成的合金、低功函数金属氮化物、以及低功函数金属氟化物中的至少一种；所述低功函数金属包括锂、镁、钙、锶、铝、铟中的至少一种；
所述第一、第二、第三空穴注入层(35、45、55)的材料包括HAT(CN)6，所述HAT(CN)6的结构式为
所述第一、第二、第三电子传输层(38、48、58)的材料相同，均包括BPhen，所述BPhen的结构式为
5.一种OLED显示装置的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上形成像素定义层(20)，所述像素定义层(20)上设有间隔设置的数个通孔(21)，所述数个通孔(21)在所述基板(10)上限定出数个红色像素区域(11)、数个绿色像素区域(12)及数个蓝色像素区域(13)；
在所述基板(10)的红色像素区域(11)、绿色像素区域(12)及蓝色像素区域(13)中分别形成第一、第三、第五透明导电金属氧化物层(31、41、51)；
在所述第一、第三、第五透明导电金属氧化物层(31、41、51)上分别形成第一、第二、第三金属层(32、42、52)；
在所述第一、第二、第三金属层(32、42、52)上分别喷涂PEDOT:PSS水溶液，固化并去除水分后，形成第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层(33、43、53)；
在所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层(33、43、53)上分别沉积第二、第四、第六透明导电金属氧化物层(34、44、54)；
所述红色像素区域(11)中，从下到上依次层叠设置的第一透明导电金属氧化物层(31)、第一金属层(32)、第一PEDOT:PSS导电膜层(33)及第二透明导电金属氧化物层(34)共同构成第一阳极(301)；
所述绿色像素区域(12)中，从下到上依次层叠设置的第三透明导电金属氧化物层(41)、第二金属层(42)、第二PEDOT:PSS导电膜层(43)及第四透明导电金属氧化物层(44)共同构成第二阳极(401)；
所述蓝色像素区域(13)中，从下到上依次层叠设置的第五透明导电金属氧化物层(51)、第三金属层(52)、第三PEDOT:PSS导电膜层(53)及第六透明导电金属氧化物层(54)共同构成第三阳极(501)；
步骤2、清洗所述第一、第二、第三阳极(301、401、501)；
步骤3、在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三阳极(301、401、501)上蒸镀第一、第二、第三空穴注入层(35、45、55)；
在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三空穴注入层(35、45、55)上蒸镀第一、第二、第三空穴传输层(36、46、56)；
在三道不同的蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三空穴传输层(36、46、56)上蒸镀红、绿、蓝色发光层(37、47、57)；
在同一道蒸镀制程中分别在所述红、绿、蓝色发光层(37、47、57)上蒸镀第一、第二、第三电子传输层(38、48、58)；
在同一道蒸镀制程中分别在所述第一、第二、第三电子传输层(38、48、58)上蒸镀第一、第二、第三阴极(39、49、59)；
从而在所述像素定义层(20)的数个通孔(21)内分别对应所述红色像素区域(11)、绿色像素区域(12)、蓝色像素区域(13)形成红色OLED器件(30)、绿色OLED器件(40)、及蓝色OLED器件(50)；
所述第一、第二、第三PEDOT:PSS导电膜层(33、43、53)的材料相同，且折射率为ηP，所述第二、第四、第六透明导电金属氧化物层(34、44、54)的材料相同，且折射率为ηI，所述第一、第二、第三空穴注入层(35、45、55)的材料相同，且折射率为ηJ，所述第一、第二、第三空穴传输层(36、46、56)的材料相同，且折射率为ηT，所述红色发光层(37)发出的红光的峰值波长为λR，所述绿色发光层(47)发出的绿光的峰值波长为λG，所述蓝色发光层(57)发出的蓝光的峰值波长为λB；
所述第一PEDOT:PSS导电膜层(33)的厚度定义为dRP，所述第二透明导电金属氧化物层(34)的厚度定义为dRI，所述第一空穴注入层(35)的厚度定义为dRJ，所述第一空穴传输层(36)的厚度定义为dRT，所述dRP、dRI、dRJ、dRT之间的关系满足关系式(1)：
ηP*dRP+ηI*dRI+ηJ*dRJ+ηT*dRT＝(2mR+1)λR/4 (1)；
其中，mR为自然数；
所述第二PEDOT:PSS导电膜层(43)的厚度定义为dGP，所述第四透明导电金属氧化物层(44)的厚度定义为dGI，所述第二空穴注入层(45)的厚度定义为dGJ，所述第二空穴传输层(46)的厚度定义为dGT，所述dGP、dGI、dGJ、dGT之间的关系满足关系式(2)：
ηP*dGP+ηI*dGI+ηJ*dGJ+ηT*dGT＝(2mG+1)λG/4 (2)；
其中，mG为自然数；
所述第三PEDOT:PSS导电膜层(53)的厚度定义为dBP，所述第六透明导电金属氧化物层(54)的厚度定义为dBI，所述第三空穴注入层(55)的厚度定义为dBJ，所述第三空穴传输层(56)的厚度定义为dBT，所述dBP、dBI、dBJ、dBT之间的关系满足关系式(3)：
ηP*dBP+ηI*dBI+ηJ*dBJ+ηT*dBT＝(2mB+1)λB/4 (3)；
其中，mB为自然数；
并且，dRI＝dGI＝dBI，dRJ＝dGJ＝dBJ，dRT＝dGT＝dBT，mR＝mG＝mB，由于λR、λG、λB互不相等，因此dRP、dGP、dBP互不相等；
所述第一、第二、第三阳极(301、302、303)均为反射电极，所述第一、第二、第三阴极(39、49、59)均为半透明电极。
6.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述像素定义层(20)上的数个通孔(21)均呈锥形，并且所述通孔(21)的尺寸从远离所述基板(10)的一端向靠近所述基板(10)的一端逐渐增大。
7.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，
所述步骤1中，采用磁控溅射的方式沉积所述第一、第二、第三、第四、第五、第六透明导电金属氧化物层(31、34、41、44、51、54)以及所述第一、第二、第三金属层(32、42、52)；
采用喷墨打印的方法在所述第一、第二、第三金属层(32、42、52)上分别喷涂PEDOT:PSS水溶液。
8.如权利要求5所述的OLED显示装置的制作方法，其特征在于，所述红色发光层(37)包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为红色磷光染料，所述红色磷光染料为Ir(DBQ)2(acac)；
所述绿色发光层(47)包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为CBP，所述掺杂染料为绿色磷光染料，所述绿色磷光染料为Ir(ppy)3；
所述蓝色发光层(57)中包括主体材料与掺杂染料，所述主体材料为AND，所述掺杂染料为蓝色荧光染料，所述蓝色荧光染料为BUBD-1；
所述CBP的结构式为
所述Ir(DBQ)2(acac)的结构式为
所述Ir(ppy)3的结构式为
所述BUBD-1的结构式为
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| CN114883508B (zh) * | 2022-07-08 | 2022-11-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102891265A (zh) * | 2012-09-28 | 2013-01-23 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled阳极的增反结构和oled阴极的增反结构 |
| CN103187434A (zh) * | 2013-04-01 | 2013-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法 |
| WO2015141143A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
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Family Cites Families (7)
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| CN102891265A (zh) * | 2012-09-28 | 2013-01-23 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled阳极的增反结构和oled阴极的增反结构 |
| CN103187434A (zh) * | 2013-04-01 | 2013-07-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法 |
| WO2015141143A1 (ja) * | 2014-03-20 | 2015-09-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機ｅｌ表示パネル、それを備えた表示装置および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
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