TWI447982B - 有機發光裝置 - Google Patents

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Description

有機發光裝置
本發明是有關於一種有機發光裝置，且特別是有關於一種反向有機發光裝置(inverted organic light emitting device，inverted OLED)。
隨著科技的進步，平面顯示器是近年來最受矚目的顯示技術。其中，有機電致發光顯示器因其自發光、無視角依存、省電、製程簡易、低成本、低溫度操作範圍、高應答速度以及全彩化等優點而具有極大的應用潛力，可望成為下一代的平面顯示器之主流。有機發光二極體主要是由一對電極以及有機發光層所構成。當電流通過透明陽極與金屬陰極間，使電子和電洞在有機發光層內結合而產生激子(exciton)時，有機發光層依照材料之特性而產生不同顏色之放光機制，進而達到發光顯示的效果。
一般來說，反向有機發光二極體(inverted OLED)具有依序配置於基底上的陰極層、電子傳輸層、有機發光層及陽極層，其適於與n型電晶體的汲極端連接，以在驅動時有較穩定的電性表現。然而，在反向有機發光二極體中，由於電子傳輸層是製作於下電極上，而下電極通常由相對穩定導體材料製成且具有較高的功函數，因此陰極層對於電子注入而言具有較高的能障，導致電極介面有崩潰或不穩定的現象。此外，由於電子的注入受限於較高能障，因此電子的注入數量與電洞的注入數量不均衡，導致無法有效結合放電。如此一來，有機發光二極體的發光效率不佳且壽命衰減。
本發明提供一種有機發光裝置，具有較佳的發光效率與穩定性。
本發明提出一種有機發光裝置，適於配置於一基板上，包括一陰極層、一緩衝層、一材料層、一有機發光層以及一陽極層。陰極層位於基板上。緩衝層位於陰極層上且與陰極層接觸，其中陰極層位於基板與緩衝層之間。材料層位於緩衝層上且與緩衝層接觸，其中緩衝層位於陰極層與材料層之間，緩衝層的最低未佔有分子軌域(Lowest Unoccupied Molecular Orbital,LUMO)與材料層的最高佔據分子軌域(Highest Occupied Molecular Orbital,HOMO)之間的差距小於2 eV。有機發光層位於材料層上。陽極層位於有機發光層上。
基於上述，本發明之有機發光裝置包括緩衝層，緩衝層配置於陰極層與材料層之間，且緩衝層的LUMO與材料層的HOMO之間的差距小於2 eV。如此一來，能降低陰極層與材料層之間的電子注入能障，以大幅提升有機發光裝置的發光效率與操作穩定性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
 【第一實施例】
圖1是根據本發明第一實施例之有機發光裝置的剖面示意圖。請參照圖1，有機發光裝置100適於配置於基板102上，包括陰極層110、緩衝層120、材料層130、有機發光層140以及陽極層150。有機發光裝置100為反向有機發光裝置。在本實施例中，有機發光裝置100例如是適於在顯示器的驅動電路系統中與n型電晶體的汲極端連接。
陰極層110位於基板102上。基板102之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、塑膠、可撓性塑膠或是不透光/反射材料等等，本發明不加此限定。陰極層110之材質可為透明導電材料或是不透明之導電材料，且陰極層110可以是單層結構或多層結構。所述透明導電材料包括金屬氧化物，諸如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物(諸如氧化鋅)、或者是上述至少二者之堆疊層。所述不透明導電材料包括金屬，諸如銀、鋁、鉬、銅或鈦，或其它合適的金屬。
緩衝層120位於陰極層110上且與陰極層110接觸，其中陰極層110位於基板102與緩衝層120之間。材料層130位於緩衝層120上且與緩衝層120接觸。詳言之，緩衝層120位於陰極層110與材料層130之間，且分別與陰極層110與材料層130接觸。其中，緩衝層120的最低未佔有分子軌域(LUMO)與材料層130的最高佔據分子軌域(HOMO)之間的差距小於2 eV。在本實施例中，材料層130例如是電子傳輸層。材料層130的形成方法例如是蒸鍍，其厚度例如是10 nm。緩衝層120之材料例如是有機材料，所述有機材料的LUMO例如是小於-4.0eV。此時，材料層130的HOMO較佳是大於-8.0eV。舉例來說，在本實施例中，緩衝層120之材料例如是包括HAT-CN，其具有以下結構，其LUMO約為-6.0 eV：
，材料層130例如是包括三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(tris(8-quinolinato-N1,08)-aluminum，Alq)、雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(Aluminum(III)bis-(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate，BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(bathophenanthroline，BCP)、三氧化銫釩的4,7-二苯基-1,10-鄰菲囉晽(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，Bphen)、4,4'-二(9-咔唑基)聯苯(4,4'-di(9-carbazolyl)biphenyl，CBP)或3-苯基-4-(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole，TAZ)，或其他具有電子傳輸特性且HOMO>-8.0eV的有機材料。
在另一實施例中，緩衝層120之材料例如是包括1,4,5,8-萘四甲酸二酐(1,4,5,8-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride，NTCDA)，其LUMO約為-4.7 eV，材料層130的HOMO例如是大於-5.7eV，諸如三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq)或雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(BAlq)，或其他具有電子傳輸特性且HOMO>-5.7eV的有機材料。在又一實施例中，緩衝層120之材料例如是包括四氟-四氰基對昆二甲烷(tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane，F4 -TCNQ)，其LUMO約為-5.3 eV，材料層130的HOMO例如是大於-7.3eV，諸如三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq)、雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(BCP)、三氧化銫釩的4,7-二苯基-1,10-鄰菲囉晽(Bphen)或4,4'-二(9-咔唑基)聯苯(CBP)，或其他具有電子傳輸特性且HOMO>-7.3eV的有機材料。
有機發光層140位於材料層130上。在本實施例中，有機發光層140可包括紅色有機發光圖案、綠色有機發光圖案、藍色有機發光圖案、其他顏色之發光圖案或是上述發光圖案之組合。
陽極層150位於有機發光層140上。在本實施例中，陽極層150的材料可以參照陰極層110的材料所述，於此不贅述，或任何適合的材料。在本實施例中，有機發光裝置100更包括電洞傳輸層142與電洞注入層144，其中電洞傳輸層142與電洞注入層144例如是依序堆疊於有機發光層140上且位於陽極層150與有機發光層140之間。詳言之，電洞傳輸層142例如是位於電洞注入層144與有機發光層140之間，電洞注入層144例如是位於電洞傳輸層142與陽極層150之間。當然，在其他實施例中，可以選擇性地設置電洞傳輸層142與電洞注入層144。換言之，在一實施例中，可以未設置電洞傳輸層142與電洞注入層144，或者是僅設置電洞傳輸層142與電洞注入層144中一者。
在本實施例中，於陰極層110與作為電子傳輸層的材料層130之間配置緩衝層120，且使緩衝層120的LUMO與材料層130的HOMO之間的差距小於2 eV。如此一來，可有效地降低位於陰極層介面之電子的注入能障，以增加陰極層介面的穩定性，且使電子的注入數量與電洞的注入數量達到均衡而有效結合放電。因此，能大幅增加有機發光裝置100的發光效率、操作穩定性以及使用壽命。
【第二實施例】
圖2是根據本發明第二實施例之有機發光裝置的剖面示意圖。請參照圖2，有機發光裝置100適於配置於基板102上，包括陰極層110、緩衝層120、材料層130、電子傳輸層132、有機發光層140以及陽極層150。陰極層110位於基板102上。
緩衝層120位於陰極層110上且與陰極層110接觸。陰極層110位於基板102與緩衝層120之間，換言之，此有機發光裝置100為反向有機發光裝置。材料層130位於緩衝層120上且與緩衝層120接觸。緩衝層120的最低未佔有分子軌域(LUMO)與材料層130的最高佔據分子軌域(HOMO)之間的差距小於2 eV。在本實施例中，材料層130為電子注入層，其例如是包括經導電性摻雜的無機材料或有機材料，諸如摻雜有鹼金屬或鹼土金屬的無機材料或有機材料。在本實施例中，緩衝層120的LUMO例如是小於-4.0eV，以及材料層130的HOMO較佳是大於-8.0eV。舉例來說，在本實施例中，緩衝層120之材料例如是包括HAT-CN，材料層130的HOMO例如是大於-8.0eV，諸如是可選擇性摻雜Li、Na、K、Ru、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba等鹼金屬或鹼土金屬的三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(tris(8-quinolinato-N1,08)-aluminum，Alq)、雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(Aluminum(III)bis-(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate，BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(bathophenanthroline，BCP)、三氧化銫釩的4,7-二苯基-1,10-鄰菲囉晽(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，Bphen)、4,4'-二(9-咔唑基)聯苯(4,4'-di(9-carbazolyl)biphenyl，CBP)或3-苯基-4-(1'-萘基)-5-苯基-1,2,4-三唑(3-(4-biphenyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole，TAZ)，或其他具有電子傳輸特性且HOMO>-8.0eV的有機材料。
在另一實施例中，緩衝層120之材料例如是包括1,4,5,8-萘四甲酸二酐(1,4,5,8-Naphthalenetetracarboxylic dianhydride)。材料層130的HOMO例如是大於-5.7eV，諸如是可選擇性摻雜Li、Na、K、Ru、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba等鹼金屬或鹼土金屬的三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq)或雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(BAlq)，或其他具有電子傳輸特性且HOMO>-5.7eV的有機材料。在又一實施例中，緩衝層120之材料例如是包括四氟-四氰基對昆二甲烷(tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane，F4 -TCNQ)。材料層130的HOMO例如是大於-7.3eV，諸如可選擇性摻雜Li、Na、K、Ru、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba等鹼金屬或鹼土金屬的三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq)、雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(BCP)、三氧化銫釩的4,7-二苯基-1,10-鄰菲囉晽(Bphen)或4,4'-二(9-咔唑基)聯苯(CBP)，或其他具有電子傳輸特性且HOMO>-7.3eV的有機材料。特別一提的是，雖然在上述的實施例中都是以材料層130包括有機材料為例，但材料層也可以是選擇性摻雜Li、Na、K、Ru、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba等鹼金屬或鹼土金屬的無機材料。換言之，本發明未對緩衝層120與材料層130的材料加以限制，只要緩衝層120的最低未佔有分子軌域(LUMO)與作為電子注入層的材料層130的最高佔據分子軌域(HOMO)之間的差距小於2 eV即可。
電子傳輸層132配置於作為電子注入層之材料層130與有機發光層140之間。在本實施例中，電子傳輸層132的材料可以與材料層130實質上相同但為未經摻雜的材料，或者是電子傳輸層132的材料也可以是所屬領域具有通常知識者所周知的其他材料，本發明未加以限制。
有機發光層140位於電子傳輸層132上。陽極層150位於有機發光層140上。其中，陰極層110、有機發光層140以及陽極層150的材料可以參照第一實施例中所述，於此不贅述。在本實施例中，有機發光裝置100更包括電洞傳輸層142與電洞注入層144，電洞傳輸層142例如是位於電洞注入層144與有機發光層140之間，電洞注入層144例如是位於電洞傳輸層142與陽極層150之間。當然，在其他實施例中，可以選擇性地設置電洞傳輸層142與電洞注入層144，本發明不以此為限。
在本實施例中，於陰極層110與作為電子傳輸層的材料層130之間配置緩衝層120，且使緩衝層120的LUMO與材料層130的HOMO之間的差距小於2 eV。如此一來，可有效地降低位於陰極層介面之電子的注入能障，以增加陰極層介面的穩定性，且使電子的注入數量與電洞的注入數量達到均衡而有效結合放電。因此，能大幅增加有機發光裝置100的發光效率、操作穩定性以及使用壽命。
以下列舉實驗例來驗證本發明的效果。
【實驗例】
為證明本發明之上述實施例中所述的有機發光裝置具有較佳的元件特性，使用實驗例與比較例作比較。其中，實驗例之有機發光裝置具有如圖1所示之結構，其中陰極層的材料為銦錫氧化物且功函數為5.0 eV，緩衝層的材料為F4 -TCNQ且LUMO為5.3 eV、厚度為10 nm，電子傳輸層的材料為摻雜有鋰離子的三(8-羥基喹啉)鋁錯合物(Alq:Li)，有機發光層的材料為mCP:Ir(ppy)3 ，電洞傳輸層的材料為TCTA，電洞注入層的材料為m-MTDATA:F4 -TCNQ，以及陽極層的材料為鋁。比較例之有機發光裝置的結構與實驗例之有機發光裝置的結構相似，其不同處僅在於比較例之有機發光裝置不包括緩衝層，其餘膜層均相同。實驗例與比較例之有機發光裝置是在初始亮度為4000 nits下以直流定電流源驅動的條件下進行操作穩定性測試，且藉由觀察有機發光裝置的使用壽命(lifetime，LT50)來判斷有機發光裝置的操作穩定性。
圖3為實驗例與比較例之有機發光裝置在初始亮度為4000 nits下以直流定電流源驅動的條件下的亮度(brightness)與時間的關係圖。由圖3可知，在此操作下，實驗例之有機發光裝置的使用壽命為約730小時，而比較例之有機發光裝置的使用壽命為約150小時。換言之，實驗例之有機發光裝置的使用壽命相較於比較例之有機發光裝置的使用壽命改善約4.8倍。因此，由以上實驗結果可知，在有機發光裝置中設置與陰極接觸的緩衝層能改善有機發光裝置的使用壽命，以提升有機發光裝置的操作穩定性。
綜上所述，本發明之有機發光裝置包括緩衝層，緩衝層配置於陰極層與材料層之間，且緩衝層的LUMO與材料層的HOMO之間的差距小於2 eV。材料層可以是電子傳輸層或電子注入層，因此緩衝層例如是位於陰極層與電子傳輸層之間或陰極層與電子注入層之間。如此一來，可有效地降低位於陰極層介面之電子的注入能障，以增加陰極層介面的穩定性，且使電子的注入數量與電洞的注入數量達到均衡而有效結合放電。因此，能大幅增加有機發光裝置的發光效率、操作穩定性以及使用壽命。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．有機發光裝置
102．．．基板
110‧‧‧陰極層
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧材料層
132‧‧‧電子傳輸層
140‧‧‧有機發光層
142‧‧‧電洞傳輸層
144‧‧‧電洞注入層
150‧‧‧陽極層
圖1是根據本發明第一實施例之有機發光裝置的剖面示意圖。
圖2是根據本發明第二實施例之有機發光裝置的剖面示意圖。
圖3為實驗例與比較例之有機發光裝置在初始亮度為4000 nits下以直流定電流源驅動的條件下的亮度與時間的關係圖。
100．．．有機發光裝置
102．．．基板
110．．．陰極層
120．．．緩衝層
130．．．材料層
140．．．有機發光層
142．．．電洞傳輸層
144．．．電洞注入層
150．．．陽極層

Claims (10)

  1. 一種有機發光裝置，適於配置於一基板上，包括：一陰極層，位於該基板上；一緩衝層，位於該陰極層上且與該陰極層接觸，其中該陰極層位於該基板與該緩衝層之間；一材料層，位於該緩衝層上且與該緩衝層接觸，其中該緩衝層位於該陰極層與該材料層之間，該緩衝層的最低未佔有分子軌域(LUMO)與該材料層的最高佔據分子軌域(HOMO)之間的差距小於2eV，其中該材料層的HOMO>-8.0eV，且該材料層包括雙(2-甲基-8-喹啉基)-4-苯基苯酚鋁(III)(Aluminum(III)bis-(2-methyl-8-quinolinato)-4-phenylphenolate，BAlq)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(bathophenanthroline，BCP)、三氧化銫釩的4,7-二苯基-1,10-鄰菲囉晽(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline，Bphen)或4,4'-二(9-咔唑基)聯苯(4,4'-di(9-carbazolyl)biphenyl，CBP)；一有機發光層，位於該材料層上；以及一陽極層，位於該有機發光層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該材料層為一電子傳輸層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該材料層為一電子注入層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機發光裝置，更包括一電子傳輸層，配置於該材料層與該有機發光層之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中 該緩衝層之材料包括一有機材料。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光裝置，其中該有機材料的LUMO<-4.0eV。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該緩衝層之材料包括HAT-CN，其具有以下結構： 。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包括一電洞注入層，位於該陽極層與該有機發光層之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，更包括一電洞傳輸層，位於該陽極層與該有機發光層之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該陰極層之材料包括銦錫氧化物、氧化鋅、銀、鋁、鉬、銅或鈦。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102255234B1 (ko) * 2014-04-04 2021-05-21 삼성전자주식회사 유기 광전 소자 및 이미지 센서
CN104393180A (zh) * 2014-10-17 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管及其制备方法、显示基板、显示装置
DE102017101077A1 (de) * 2017-01-20 2018-07-26 Osram Oled Gmbh Organisches elektronisches Bauelement
CN109935712A (zh) * 2017-12-15 2019-06-25 Tcl集团股份有限公司 Qled器件及其制备方法
KR20190140549A (ko) * 2018-06-11 2019-12-20 삼성디스플레이 주식회사 아민 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102618349B1 (ko) * 2018-09-21 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200733808A (en) * 2005-07-15 2007-09-01 Lg Chemical Ltd Organic light emitting device and method for manufacturing the same
US20090096352A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Spindler Jeffrey P Inverted oled device with improved efficiency
TW201041440A (en) * 2008-12-25 2010-11-16 Fuji Electric Holdings Organic EL element having cathode buffer layer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7449830B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
KR100809936B1 (ko) * 2006-10-09 2008-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 전계발광소자
WO2009125647A1 (ja) * 2008-04-11 2009-10-15 東レ株式会社 電子供与性有機材料、光起電力素子用材料および光起電力素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200733808A (en) * 2005-07-15 2007-09-01 Lg Chemical Ltd Organic light emitting device and method for manufacturing the same
US20090096352A1 (en) * 2007-10-16 2009-04-16 Spindler Jeffrey P Inverted oled device with improved efficiency
TW201041440A (en) * 2008-12-25 2010-11-16 Fuji Electric Holdings Organic EL element having cathode buffer layer

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