KR100809936B1 - 전계발광소자 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판;상기 기판 상에 위치하는 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 위치하는 정공주입층;상기 정공주입층 상에 위치하는 전자수용층;상기 전자수용층에 위치하는 발광층; 및상기 발광층 상에 위치하는 제 2 전극을 포함하며,상기 전자수용층은 전자친화도가 높은 수산기(-OH), 시안기(-CN) 및 할로겐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극과 정공주입층 사이에 위치하는 버퍼층을 더 포함하는 전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 버퍼층은 전자친화도가 높은 수산기(-OH), 시안기(-CN) 및 할로겐기로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 전자수용층의 최저 비점유 분자 궤도 준위와 상기 정공수송층의 최고 점유 분자 궤도 준위의 차이는 ±0.5eV 이내인 전계발광소자.
- 제 2 항에 있어서,상기 버퍼층의 최저 비점유 분자 궤도 준위와 상기 정공주입층의 최고 점유 분자 궤도 준위의 차이는 ±0.5eV 이내인 전계발광소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전자수용층 또는 버퍼층의 두께는 10 내지 100Å인 전계발광소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 발광층 및 제 2 전극 사이에, 전자 주입층 또는 전자수송층 중 어느 하나 이상이 개재된 전계발광소자.
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KR100809936B1 true KR100809936B1 (ko) | 2008-03-06 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102244198A (zh) * | 2011-05-24 | 2011-11-16 | 友达光电股份有限公司 | 有机发光装置 |
KR101146193B1 (ko) | 2010-02-23 | 2012-05-24 | 경희대학교 산학협력단 | 유기반도체소자 및 그 제조방법 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060049051A (ko) * | 2004-08-02 | 2006-05-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 개선된 휘도 안정성을 갖는 유기발광소자 |
KR20060102698A (ko) * | 2005-03-24 | 2006-09-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 이를 구비한평판표시장치 |
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2006
- 2006-10-09 KR KR1020060098183A patent/KR100809936B1/ko active IP Right Grant
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