CN111081904A - 氧化石墨烯薄膜的制备方法、oled器件及制备方法 - Google Patents

氧化石墨烯薄膜的制备方法、oled器件及制备方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、一种OLED器件及制备方法，其中，所述OLED器件包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，所述空穴注入层为浓度范围为0.3～1mg/ml的氧化石墨烯层，所述空穴传输层为N,N′‑二苯基‑N,N′‑二(3‑甲苯基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺、1,4‑二(二苯胺基)联苯以及N,N′‑二苯基‑N,N′‑二(1‑萘基)‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺中的任意一种。

Description

氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法。
背景技术
随着OLED器件(Organic Light Emission Diode，有机电致发光器件)，具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，OLED器件的发光性能主要与功能层之间的能级匹配度相关。然而，传统的OLED器件的发光效率及稳定性较差，各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率。
综上所述，现有的OLED器件及制备方法，由于各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率。
发明内容
本申请实施例提供一种氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法，能够有效提升OLED器件的发光效率，以解决现有的OLED器件及制备方法，由于各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率的技术问题。
本申请实施例提供一种氧化石墨烯薄膜的制备方法，所述方法包括：
S10，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯水溶液，采用紫外光还原的方法将其初始浓度分散成第一浓度，制得第一氧化石墨烯溶液；
S20，将所述第一氧化石墨烯溶液放到超声清洗仪中，并在第一温度下进行水浴震荡；
S30，之后使用旋涂的方法将经过水浴震荡后的所述第一氧化石墨烯溶液涂布成氧化石墨烯薄膜。
在一些实施例中，所述S10中，所述第一浓度为所述初始浓度的0.06～0.2倍。
在一些实施例中，所述S20中，所述第一温度的范围为20～40℃，所述水浴震荡的时间范围为2～6h。
本申请实施例还提供一种OLED器件，包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其特征在于，所述空穴注入层为氧化石墨烯层，所述空穴传输层为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、1,4-二(二苯胺基)联苯以及N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的任意一种。
在一些实施例中，所述氧化石墨烯层中使用的氧化石墨烯溶液的浓度范围为0.3～1mg/ml。
本申请实施例还提供一种OLED器件的制备方法，所述方法包括：
S10，在清洗干净后的基底上采用磁控溅射的方法制备阳极得到阳极基板；
S20，采用紫外光还原的方法调节氧化石墨烯溶液的浓度，之后使用旋涂方式在所述阳极基板上涂布所述氧化石墨烯溶液，经干燥处理后得到空穴注入层；
S30，使用蒸镀工艺在所述空穴注入层依次沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
在一些实施例中，所述S20还包括：
S201，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯溶液，采用紫外光还原的方法调节所述氧化石墨烯溶液的浓度，制得第一氧化石墨烯溶液；
S202，将所述第一氧化石墨烯溶液经超声清洗仪水浴震荡2-6h且超声过程控温20～40℃后涂布于所述阳极基板上，经干燥处理后得到空穴注入层。
在一些实施例中，所述S201中，所述第一氧化石墨烯溶液的浓度范围为所述初始浓度的0.06～0.2倍。
在一些实施例中，所述S30中，所述发光层的蒸镀速率在
Figure BDA0002297954290000021
之间，所述电子注入层的蒸镀速率在
Figure BDA0002297954290000022
之间，所述阴极的蒸镀速率在
Figure BDA0002297954290000023
之间。
在一些实施例中，所述S30中，所述发光层的材料为三(8-羟基喹啉)铝，所述电子注入层的材料为LiF，所述阴极的材料为Al。
本申请实施例提供的氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法，分别选用不同浓度的氧化石墨烯溶液作为空穴注入层以及特定种类的空穴传输层，有利于空穴的注入与传输，进一步提升了OLED器件的发光效率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的氧化石墨烯薄膜的制备方法流程图。
图2为本申请实施例OLED器件的结构示意图。
图3为本申请实施例OLED器件的制备方法流程图。
图3A-图3C为图3所述OLED器件的制备方法的结构示意图。
图4为以TPD作为空穴传输层而三种不同浓度氧化石墨烯作为空穴注入层的OLED器件的电致发光光谱图。。
图5为以TPD作为空穴传输层而三种不同浓度氧化石墨烯作为空穴注入层的OLED器件的电压亮度曲线图。
图6为以0.5mg/mL氧化石墨烯作为空穴注入层而三种不同材质作为空穴传输层的OLED器件的电致发光光谱图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本申请实施例针对现有的OLED器件及制备方法，由于各功能层之间的亲和性不强，使得各功能层之间的能级匹配度较差，从而直接影响OLED器件的发光效率的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
如图1所示，为本申请实施例氧化石墨烯薄膜的制备方法流程图。其中，所述方法包括：
S10，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯水溶液，采用紫外光还原的方法将其初始浓度分散成第一浓度，制得第一氧化石墨烯溶液。
具体的，所述S10还包括：
首先，通过商业途径获取特定浓度的氧化石墨烯水溶液，所述特定浓度可以为5mg/ml。之后，采用紫外光还原的方法将氧化石墨烯溶液的初始浓度分散成第一浓度，制得第一氧化石墨烯溶液，所述第一浓度的浓度为所述初始浓度的0.06～0.2倍。优选地，当所述初始浓度设定为5mg/ml时，所述第一浓度的范围为0.3mg/ml～1mg/ml。优选地，分别将初始浓度的氧化石墨烯溶液分散为溶液浓度为0.3mg/ml的氧化石墨烯溶液A、溶液浓度为0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液B以及溶液浓度为1mg/ml的氧化石墨烯溶液C。
S20，将所述第一氧化石墨烯溶液放到超声清洗仪中，并在第一温度下进行水浴震荡。
具体的，所述S20还包括：
之后将所述第一氧化石墨烯溶液放到超声清洗仪中，并在第一温度下进行水浴震荡；其中，所述第一温度的范围为20-40℃，所述水浴震荡的水浴时间范围为2～6h。优选地，所述第一氧化石墨烯溶液包括所述氧化石墨烯溶液A、所述氧化石墨烯溶液B以及所述氧化石墨烯溶液C。
S30，之后使用旋涂的方法将经过水浴震荡后的所述第一氧化石墨烯溶液涂布成氧化石墨烯薄膜。
具体的，所述S30还包括：
最后，使用旋涂的方法将经过水浴震荡后的所述第一氧化石墨烯溶液涂布成氧化石墨烯薄膜。优选地，所述氧化石墨烯薄膜包括由所述氧化石墨烯溶液A制备的薄膜、由所述氧化石墨烯溶液B制备的薄膜以及由所述氧化石墨烯溶液C制备的薄膜。
如图2所示，为本申请实施例OLED器件的结构示意图。其中，所述OLED器件10，包括层叠设置的基底11、阳极12、空穴注入层13、空穴传输层14、发光层15、电子传输层16、电子注入层17以及阴极18；所述空穴注入层13为氧化石墨烯层，所述空穴传输层14为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)、1,4-二(二苯胺基)联苯(DDB)以及N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)中的任意一种。
优选地，所述基底11为玻璃基底。
具体地，所述阳极12优选为ITO(氧化铟锡)。
具体地，所述氧化石墨烯层中的氧化石墨烯处于氧化状态时，会破坏石墨烯本身的sp2杂化共轭，导致缺少了自由移动的π电子，其处于绝缘状态，同时能带间隙很宽，大约3.5eV以上；所述氧化石墨烯层中的氧化石墨烯处于还原状态时，可以在共轭区域产生自由移动的π电子，其处于导电状态；选用氧化石墨烯作为空穴注入层能有效提高空穴的注入速率，从而提高OLED器件的出光速率。
具体地，所述氧化石墨烯层中使用的氧化石墨烯溶液的浓度范围为0.3mg/ml～1mg/ml。优选的，所述氧化石墨烯层中使用的氧化石墨烯溶液的浓度为0.3mg/ml或者0.5mg/ml或者1mg/ml。
具体地，所述发光层15的材质优选为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
具体地，所述电子传输层16的材质优选为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
具体地，所述电子注入层的材料优选为LiF。
具体地，所述阴极的材料优选为Al。
本申请实施例所提供的OLED器件，以不同浓度的氧化石墨烯薄膜作为空穴注入层且采用特定的空穴传输层，极大地提高了OLED器件的电导率，进一步提升了OLED器件的发光效率。
如图3所示，为本申请实施例OLED器件的制备方法流程图。其中，所述方法如下：
S10，在清洗干净后的基底21上采用磁控溅射的方法制备阳极22得到阳极基板。
具体的，所述S10还包括：
首先，提供一基底21，所述基底21优选为玻璃基底；将所述基底21用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上后，干燥备用。之后，在所述基底21上采用磁控溅射制备阳极22，得到阳极基板。所述阳极22的材质为导电ITO玻璃，溅射速率为0.2nm/s。之后，将所述阳极基板进行去离子水冲洗，然后用温水润洗30～50min，烘干，最后在离子清洗机中清洗6～15min，这里利用等离子处理是为了增加ITO表面功函数可增加至4-8eV以上，并提高所述阳极基板与后续有机功能层之间的界面接触，如图3A所示。
S20，采用紫外光还原的方法调节氧化石墨烯溶液的浓度，之后使用旋涂方式在所述阳极基板上涂布所述氧化石墨烯溶液，经干燥处理后得到空穴注入层23。
具体的，所述S20还包括：
首先，通过商业途径获取初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯溶液，所述特定浓度可以为5mg/ml。之后，采用紫外光还原的方法将氧化石墨烯溶液的初始浓度分散成第一浓度，制得第一氧化石墨烯溶液，所述第一浓度的浓度为所述初始浓度的0.06～0.2倍。优选地，当所述初始浓度设定为5mg/ml时，所述第一浓度的范围为0.3mg/ml～1mg/ml。优选地，选取溶液浓度为0.3mg/ml的氧化石墨烯溶液A、溶液浓度为0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液B以及溶液浓度为1mg/ml的氧化石墨烯溶液C；之后分别将其放到超声清洗仪清洗仪水浴震荡2-6h，超声过程控温20-40℃。然后使用旋涂的方法将不同浓度的氧化石墨烯溶液(等量)分别涂布至三个所述阳极基板上，并制备三批此样品，经干燥处理后得到空穴注入层23，如图3B所示。
S30，使用蒸镀工艺在所述空穴注入层23依次沉积空穴传输层24、发光层25、电子传输层26、电子注入层27以及阴极28。
具体的，所述S30还包括：
首先，将旋涂了氧化石墨烯的所述阳极基板固定在掩膜板上，转移到真空蒸镀腔室内，使用分子泵抽真空，待真空度低于4.0×10-4Pa～6.5×10-4Pa时，在所述空穴注入层23上蒸镀空穴传输层24，所述空穴传输层24为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)、1,4-二(二苯胺基)联苯(DDB)以及N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)中的任意一种。之后，在所述空穴传输层24上依次蒸镀发光层25、电子传输层26、电子注入层27以及阴极28。最终得到不同氧化石墨烯浓度以及对应于不同的空穴传输层的OLED器件，如图3C所示。
其中，所述发光层25的蒸镀速率在
Figure BDA0002297954290000071
之间，所述发光层25的材料优选为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；所述电子传输层26的材料优选为三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)；所述电子注入层27的蒸镀速率在
Figure BDA0002297954290000072
之间，所述电子注入层的材料优选为LiF；所述阴极28的蒸镀速率在
Figure BDA0002297954290000081
之间，所述阴极28的材料优选为Al。
优选地，本申请实施例实施例所提供的OLED器件的制备方法，得到了9种不同实施例的OLED器件。具体如下：
OLED器件A1包括以0.3mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)为材料制备的空穴传输层；OLED器件A2包括以0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)为材料制备的空穴传输层；OLED器件A3包括以1mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(TPD)为材料制备的空穴传输层。
OLED器件B1包括以0.3mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以1,4-二(二苯胺基)联苯(DDB)为材料制备的空穴传输层；OLED器件B2包括以0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以1,4-二(二苯胺基)联苯(DDB)为材料制备的空穴传输层；OLED器件B3包括以1mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以1,4-二(二苯胺基)联苯(DDB)为材料制备的空穴传输层。
OLED器件C1包括以0.3mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)为材料制备的空穴传输层；OLED器件C2包括以0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)为材料制备的空穴传输层；OLED器件C3包括以1mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)为材料制备的空穴传输层。
如图4所示，为以TPD作为空穴传输层而三种不同浓度氧化石墨烯作为空穴注入层的OLED器件的电致发光光谱图；其中，横坐标为波长(wavelength，单位nm)，纵坐标为强度(intensity，单位为吸光度absorbance unit，简写a.u.)。由图4可知，此OLED器件的发光层为Alq3，不同浓度氧化石墨烯作为空穴注入层的OLED器件的电致发光光谱的峰位置都在502nm左右。因此，氧化石墨烯溶液的浓度对Alq3的电致发光峰没有太大的影响。
如图5所示，为以TPD作为空穴传输层而三种不同浓度氧化石墨烯作为空穴注入层的OLED器件的电压亮度曲线图；其中，横坐标为电压(voltage，单位V)，纵坐标为亮度(lumiance，单位为cd/m2)。由图5可知，此OLED器件的发光层为Alq3，在其他功能层不变的情况下，不同浓度氧化石墨烯作为空穴注入层的OLED器件的空穴注入能力不同，在电压小于或等于7V时，随着氧化石墨烯溶液的浓度增加，其发光能力增强。在电压大于7V左右时，0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液作为空穴注入层的OLED器件的空穴注入能力大于1mg/ml的氧化石墨烯溶液作为空穴注入层的OLED器件的空穴注入能力。当采用氧化石墨烯溶液的浓度为5mg/ml作为空穴注入层制备的OLED器件时，在电压在5～7V以后，亮度开始下降，因为器件的电流密度快速增加，可能是空穴注入能力增强引起的，但是电子注入水平没有得到提高，导致器件中的非辐射复合增加，OLED器件亮度下降。
如图6所示，为以0.5mg/mL氧化石墨烯作为空穴注入层而三种不同材质作为空穴传输层的OLED器件的电致发光光谱图；其中，横坐标为波长(wavelength，单位nm)，纵坐标为强度(intensity，单位为吸光度absorbance unit，简写a.u.)。由图6可知，此OLED器件的发光层为Alq3，以0.5mg/mL为浓度的氧化石墨烯溶液作为空穴注入层，在其他功能层不变的情况下，不同材质的空穴传输层的OLED器件的空穴注入能力不同，其电荷传输性能为：
NPB>TPD>DDB。
综上所述，并结合图4～图6的实验结果可得出结论：以0.5mg/ml的氧化石墨烯溶液制备的空穴注入层以及以N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)为材料制备的空穴传输层的OLED器件B2具有最佳发光效率。
本申请实施例所提供的OLED器件及制备方法，综合比较了9种实施例的OLED器件中氧化石墨烯溶液的浓度以及空穴传输层的材质的选择对OLED器件发光效率的影响，有利于OLED器件在发光率上的提升。
本申请实施例所提供的氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法，分别选用不同浓度的氧化石墨烯溶液作为空穴注入层以及特定种类的空穴传输层，有利于空穴的注入与传输，进一步提升了OLED器件的发光效率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的氧化石墨烯薄膜的制备方法、OLED器件及制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯水溶液，采用紫外光还原的方法将其初始浓度分散成第一浓度，制得第一氧化石墨烯溶液；
S20，将所述第一氧化石墨烯溶液放到超声清洗仪中，并在第一温度下进行水浴震荡；
S30，之后使用旋涂的方法将经过水浴震荡后的所述第一氧化石墨烯溶液涂布成氧化石墨烯薄膜。
2.如权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S10中，所述第一浓度为所述初始浓度的0.06～0.2倍。
3.如权利要求1所述的氧化石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述第一温度的范围为20～40℃，所述水浴震荡的时间范围为2～6h。
4.一种OLED器件，包括层叠设置的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极，其特征在于，所述空穴注入层为氧化石墨烯层，所述空穴传输层为N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲苯基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺、1,4-二(二苯胺基)联苯以及N,N′-二苯基-N,N′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺中的任意一种。
5.如权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述氧化石墨烯层中使用的氧化石墨烯溶液的浓度范围为0.3～1mg/ml。
6.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，在清洗干净后的基底上采用磁控溅射的方法制备阳极得到阳极基板；
S20，采用紫外光还原的方法调节氧化石墨烯溶液的浓度，之后使用旋涂方式在所述阳极基板上涂布所述氧化石墨烯溶液，经干燥处理后得到空穴注入层；
S30，使用蒸镀工艺在所述空穴注入层依次沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
7.如权利要求6所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述S20还包括：
S201，提供一初始浓度为特定浓度的氧化石墨烯溶液，采用紫外光还原的方法调节所述氧化石墨烯溶液的浓度，制得第一氧化石墨烯溶液；
S202，将所述第一氧化石墨烯溶液经超声清洗仪水浴震荡2-6h且超声过程控温20～40℃后涂布于所述阳极基板上，经干燥处理后得到空穴注入层。
8.如权利要求7所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述S201中，所述第一浓度为所述初始浓度的0.06～0.2倍。
9.如权利要求6所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述S30中，所述发光层的蒸镀速率在
Figure FDA0002297954280000021
之间，所述电子注入层的蒸镀速率在
Figure FDA0002297954280000022
之间，所述阴极的蒸镀速率在
Figure FDA0002297954280000023
之间。
10.如权利要求6所述的OLED器件的制备方法，其特征在于，所述S30中，所述发光层的材料为三(8-羟基喹啉)铝，所述电子注入层的材料为LiF，所述阴极的材料为Al。
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