KR102020484B1 - 유기 발광 장치 - Google Patents
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Abstract
애노드, 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층 및 상기 발광층과 애노드 사이에 위치하고 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5 eV의 일함수를 갖는 물질을 포함하는 30Å 내지 400Å 두께의 버퍼층을 포함하는 유기 발광 장치에 관한 것이다.
Description
유기 발광 장치에 관한 것이다.
유기 발광 장치(organic light emitting diode device)는 자발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타내므로 휴대용 전자 기기의 차세대 표시 장치로 주목받고 있다.
유기 발광 장치는 정공 주입 전극과, 유기 발광층 및 전자 주입 전극을 갖는 복수의 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diode)들을 포함한다. 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 생성된 여기자(exciton)가 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 발광이 이루어지며, 이를 이용하여 유기 발광 장치는 화상을 형성한다.
일 구현예는 성능이 개선된 대면적향 유기 발광 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 애노드, 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층, 및 상기 발광층과 애노드 사이에 위치하며 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질을 포함하는 30Å 내지 400Å 두께의 버퍼층을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다.
상기 버퍼층은 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질을 1:4 내지 4:1의 중량비로 포함할 수 있다.
상기 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질은 이테르븀(Yb), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함할 수 있다.
상기 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물은 LiF, NaF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 리튬퀴놀레이트 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 버퍼층과 상기 발광층 사이에 P형 물질이 도핑된 정공주입층을 더 포함할 수 있다.
상기 애노드는 투명 도전성 산화물을 포함하는 투명 도전층이거나, 8nm 내지 30nm 두께의 알루미늄(Al), 알루미늄-합금, 은(Ag), 은-합금 또는 이들의 조합을 포함하는 반투명 도전층일 수 있다.
상기 유기 발광 장치는 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 발광층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 유기막 층을 더 포함할 수 있다.
상기 유기 발광 장치는 발광 효율과 구동 특성이 우수하고, 스퍼터링 데미지를 줄여 대면적향 소자 제조시 애노드 전극을 스퍼터링 공정에 의해 형성할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 장치을 개략적으로 보여주는 단면도이고,
도 2는 실시예 1 및 비교예 4의 광 흡수율을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
도 2는 실시예 1 및 비교예 4의 광 흡수율을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 과장되게 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 장치의 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 유기 발광 장치는 기판(100), 상기 기판(100) 위에 형성되어 있는 하부 전극(200), 상기 하부 전극(200) 위에 형성되어 있는 발광층(206), 상기 발광층(206) 위에 형성되어 있는 버퍼층(212) 및 상기 버퍼층(212) 위에 형성되어 있는 상부 전극(214)을 포함한다.
하부 전극(200) 및 상부 전극(214) 중 하나는 애노드 전극이고 다른 하나는 캐소드 전극일 수 있다. 예컨대 하부 전극(200)이 캐소드 전극일 수 있고 상부 전극(214)이 애노드 전극일 수 있다.
상기 버퍼층(212)은 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질을 포함한다.
상기 버퍼층(212)은 투과율이 우수한 재료를 사용하므로 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 버퍼층(212)의 두께는 30Å 내지 400Å일 수 있다. 이와 같이 버퍼층(212)은 그 두께가 두껍지 않기 때문에 구동 특성을 향상시킬 수 있다. 상기 두께 범위 내에서 스퍼터링 공정시 유기층의 유기 물질들이 입을 수 있는 스퍼터 데미지를 줄이면서도 유기 발광 장치의 효율을 개선할 수 있다.
상기 버퍼층(212)은 이와 같이 비교적 낮은 일 함수(work function)를 갖는 물질을 포함함으로써 발광층으로 전자 주입을 용이하게 하고, 가시 광선 영역에서 굴절률 및 흡수율을 낮추어 광 투과도를 높일 수 있다.
상기 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물은 구체적인 예는 LiF, NaF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 리튬퀴놀레이트 등 또는 이들의 조합일 수 있고, 이에 한정되지 않는다.
상기 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질은 구체적으로 이테르븀(Yb), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 및 마그네슘과 은의 합금(Mg/Ag)과 같은 이들의 조합일 수 있고 이에 한정되지 않는다.
유기 발광 장치에 포함된 유기 물질들은 스퍼터링 공정시 분해될 수 있는데, 상기 버퍼층(212)은 이러한 스퍼터 데미지(sputter damage)로부터 유기 물질들을 보호할 수 있다. 예를 들면, 도 1의 유기 발광 장치의 제조시 상부 전극(214)의 적층 공정이 수행되기 이전에 상기 버퍼층(212)이 존재하게 되는데, 이후 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 상부 전극(214)을 적층하게 되어도 버퍼층(212)이 존재하기 때문에 버퍼층(212) 하부에 위치하는 유기층의 유기 물질들을 스퍼터 데미지를 막아줄 수 있게 된다. 이와 같이 스퍼터링 데미지를 줄일 수 있게 되므로 대면적향 소자 제조시 상부 전극을 스퍼터링 공정에 의해 형성할 수 있다.
또한, 상기 버퍼층(212)은 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5 eV의 일함수를 갖는 물질을 약 1:4 내지 약 4:1의 중량비로 포함할 수 있다. 상기 버퍼층(212)이 2.6 내지 4.5 eV의 일함수를 갖는 물질에 투과율이 우수한 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물을 혼합하여 포함함으로써 버퍼층(212)의 유전상수(κ) 값을 낮출 수 있고, 상기 범위의 함량비로 포함할 때, 적절한 유전상수(κ) 값을 갖게 하여 흡수율을 낮추어 발광 효율을 우수하게 할 수 있다. 버퍼층(212)의 유전상수(κ)는 예컨대 약 0.1 이하일 수 있다.
상기 상부 전극(214)은 투명 도전층 또는 반투명 도전층일 수 있다. 투명 도전층은 예컨대 투명 도전성 산화물로 만들어진 전극일 수 있으며, 투명 도전성 산화물은 예컨대 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 또는 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO) 등을 들 수 있다. 반투명 도전층은 예컨대 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy) 또는 이들의 조합과 같은 금속층을 약 8nm 내지 30nm로 얇게 하여 형성할 수 있다.
발광층(206)은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들어지며, 예컨대 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
상기 발광층(206)과 버퍼층(212) 사이 또는 발광층(206)과 하부 전극(200) 사이에 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer) 및 정공 수송층(hole transport layer)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injection layer) 및 정공 주입층(hole injection layer) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다.
도 1의 유기 발광 장치는 발광층(206) 위에 전하 수송층(208) 및 전하 주입층(210)이 적층되어 있고, 그 위에 버퍼층(212)이 적층되어 포함된다. 또한 도 1의 유기 발광 장치는 하부 전극(200) 위에 전하 주입층(202) 및 전하 수송층(204)이 적층되어 있고, 그 위에 발광층(206)이 형성된 것이다. 전하 수송층(204, 208) 및 전하 주입층(202, 210)은 애노드와 캐소드의 위치에 달라질 수 있다. 예컨대 하부 전극(200)이 캐소드이고 상부 전극(214)이 애노드인 경우, 전하 주입층(202), 전하 수송층(204), 전하 수송층(208) 및 전하 주입층(210)은 각각 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층일 수 있다.
상기 전하 주입층(210)은 P형 물질이 도핑된 유기 물질을 포함할 수 있는데, 이와 같이 P형 물질이 도핑된 유기 물질을 포함하는 전하 주입층을 전술한 버퍼층(212)과 함께 포함하게 되면 유기 발광 장치의 구동 전압 및 발광 효율 측면에서 유리할 수 있다. 상기 P형 물질이 도핑된 유기 물질로서, 전자 주입성 물질에 전자 친화도가 매우 높은 -F, -CN 등의 치환기를 갖는 도판트를 함께 사용할 수 있다. 이와 같은 도판트를 함께 사용하여 전하 운반 밀도(charge carrier density)를 높이게 되므로 정공 주입에 매우 유리하게 된다.
상기 정공 주입성 물질의 비제한적인 예로는 구리 프탈로시아닌(CuPc) 또는 스타버스트(Starburst)형 아민류를 들 수 있다. 정공 수송 물질의 비제한적인 예로는 1,3,5-트리카바졸릴벤젠, 4,4'-비스카바졸릴비페닐, 폴리비닐카바졸, m-비스카바졸릴페닐, 4,4'-비스카바졸릴-2,2'-디메틸비페닐, 4,4',4"-트리(N-카바졸릴)트리페닐아민, 1,3,5-트리(2-카바졸릴페닐)벤젠, 1,3,5-트리스(2-카바졸릴-5-메톡시페닐)벤젠, 비스(4-카바졸릴페닐)실란, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD), N,N'-디페닐-N,N'-비스(1-나프틸)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민(NPB), IDE320 (이데미쯔사 제품), 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-N-(4-부틸페닐)디페닐아민) (poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl) diphenylamine)(TFB) 또는 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-co-비스-N,N-페닐-1,4-페닐렌디아민(poly(9,9 -dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl-bis-N,N-phenyl-1,4 -phenylenediamin) (PFB)등을 들 수 있다.
기판(100)은 유리 기판, 실리콘웨이퍼, 고분자 막 등으로 만들어질 수 있고, 기판(100) 위에 하부 전극(200)이 형성된다.
하부 전극(200)은 투명 도전층 또는 불투명 도전층일 수 있다. 투명 도전층인 경우는, 예컨대 ITO, IZO와 같은 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있으며 불투명 도전층인 경우는 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 은(Ag) 또는 이들의 조합과 같은 금속으로 이루어질 수 있다. 하부 전극(200)이 불투명 전극인 경우 기판(100)의 반대 측으로 빛을 내는 전면 발광(top emission)일 수 있고, 하부 전극(200)이 투명 전극인 경우 기판(100) 측 및 기판(100) 반대 측으로 양면 발광일 수 있다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
유기 발광 장치의 제작
실시예
1
유리 기판 위에 MgAg를 적층하고 패터닝하여 캐소드 전극을 형성하고 그 위에 정공주입층으로 CuPc와 F4-TCNQ를 증착하고, 그 위에 정공수송층으로 NPB를 증착한 다음, 그 위에 발광층으로 Alq3 (tris_8-hydroxyquinoline_ aluminum)에 쿠마린 6(coumarin 6)을 1중량% 도핑하여 공증착하고, 다시 그 위에 다시 전자수송층으로 Bepq2를 증착하였다. 이어서 그 위에 버퍼층으로 이테르븀(Yb) 및 LiF(증착속도 비 1:1)를 30Å의 두께로 공증착하고, 그 위에 은(Ag) 및 이테르븀(Yb)(증착속도 비 14:1)을 공증착하여 애노드 전극을 형성하였다.
실시예
2
Yb 및 LiF (증착속도 비 1:4)를 공증착하여 버퍼층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다.
실시예
3
Ag 및 Yb (증착속도 비 140:4)를 공증착하여 애노드 전극을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다.
비교예
1
버퍼층을 60Å의 두께로 공증착하여 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다.
비교예
2
유리 기판 위에 ITO를 적층하고 패터닝하여 애노드 전극을 형성한 후 정공주입층으로 CuPc를 증착하고, 그 위에 정공수송층으로 NPB를 증착한 다음, 그 위에 발광층으로 Alq3 (tris_8-hydroxyquinoline aluminum)에 쿠마린 6(coumarin 6)을 1중량% 도핑하여 공증착하고, 다시 그 위에 다시 전자수송층으로 Bepq2를 증착하고, 그 위에 전자주입층으로 리튬퀴놀레이트를 증착하였다. 이어서 Mg 및 은(Ag)을 증착하여 캐소드 전극을 형성하였다.
비교예
3
유리 기판 위에 ITO를 적층하고 패터닝하여 애노드 전극을 형성한 후 정공주입층으로 CuPc를 증착하고, 그 위에 정공수송층으로 NPB를 증착한 다음, 그 위에 발광층으로 Alq3 (tris_8-hydroxyquinoline_ aluminum)에 쿠마린 6(coumarin 6)을 1중량% 도핑하여 공증착하고, 다시 그 위에 다시 전자수송층으로 Bepq2를 증착하고, 그 위에 전자주입층으로 리튬퀴놀레이트를 증착하였다. 이어서 Mg 및 은(Ag)을 증착하여 캐소드 전극을 형성하였다.
비교예
4
전자수송층을 증착한 후 Yb 및 LiF를 차례로 증착하여 2층 구조의 Yb/LiF 버퍼층을 형성한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다.
평가 1
실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 유기 발광 장치에 대하여 전류-전압-휘도(current-voltage-luminance: IVL)특성을 측정하였다. 실시예 1 및 비교예 1, 2에 따른 유기 발광 장치를 전원 공급기(power supplier) KEITHLEY 238 CURRENT SOURCE MEASURE UNIT 및 휘도측정기 PHOTO RESEARCH PR650을 이용하여 구동 전압을 변화시켜 각 전압에서의 전류 및 휘도를 측정하였다. IVL 특성 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 조건 | 구동전압 (V) |
전류밀도 (mA/cm2) |
휘도 (nit ) |
전류효율 (Cd/A) |
발광효율 (lm/W) |
색좌표 | 효율/y | |
| x | y | |||||||
| 실시예 1 | 4.5 | 13.1 | 632.8 | 4.8 | 3.4 | 0.131 | 0.064 | 75.784 |
| 6 | 57.7 | 2748.0 | 4.8 | 2.5 | 0.131 | 0.064 | 74.822 | |
| 비교예 1 | 5 | 10.6 | 581.4 | 5.5 | 3.5 | 0.101 | 0.175 | 31.515 |
| 6.5 | 43.8 | 2411.0 | 5.5 | 2.7 | 0.101 | 0.175 | 31.573 | |
| 비교예 2 | 4.5 | 7.4 | 380.3 | 5.1 | 3.6 | 0.129 | 0.070 | 73.165 |
| 6 | 35.9 | 1782.0 | 5.0 | 2.6 | 0.129 | 0.070 | 70.852 | |
평가 2
상기 실시예 1 내지 3과 비교예 3에 따른 유기 발광 장치의 발광 색 특성을 측정하였다. 발광 색 특성은 PR650 휘도계와 Keithley2400을 이용하여 측정하였다.
| 구분 | 적(R) | 녹(G) | 청(B) | W예상효율 | |||
| R_x | R효율 | G_x | G효율 | B_x | B효율 | ||
| 실시예 1 | 0.668 | 37.4 | 0.210 | 52.1 | 0.055 | 94.2 | 28.1 |
| 실시예 2 | 0.671 | 38.1 | 0.213 | 55.0 | 0.059 | 93.2 | 28.5 |
| 실시예 3 | 0.661 | 39.7 | 0.215 | 54.7 | 0.062 | 98.4 | 29.5 |
| 비교예 3 | 0.681 | 34.6 | 0.197 | 55.5 | 0.060 | 100.1 | 29.0 |
실시예 1 내지 3에 따른 유기 발광 장치는 비교예 3에 따른 유기 발광 장치와 유사한 정도의 발광 색 특성 및 백색 예상효율을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
평가 3
실시예 1 및 비교예 4에서 제작된 유기 발광 장치의 광 흡수율을 UV-visible spectrometer, PerkinElmer, LAMBDA 1050/950/850 UV/Vis & UV/Vis/NIR를 사용하여 측정하였고, 그 결과는 도 2에 나타내었다.
도 2는 실시예 1과 비교예 4에 따른 유기 발광 장치의 광 흡수율을 보여주는 그래프이다.
도 2를 참고하면, 실시예 1에 따른 유기 발광 장치는 비교예 4에 따른 유기 발광 장치와 비교하여 광흡수율이 낮은 것을 확인할 수 있다. 이로부터 실시예 1에 따른 유기 발광 장치가 비교예 4에 따른 유기 발광 장치보다 광 투과율이 높은 것을 알 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
100: 기판 200: 캐소드
202: 전자주입층 204: 전자수송층
206: 발광층 208: 정공수송층
210: 정공주입층 212: 버퍼층
214: 애노드
202: 전자주입층 204: 전자수송층
206: 발광층 208: 정공수송층
210: 정공주입층 212: 버퍼층
214: 애노드
Claims (7)
- 애노드,
캐소드,
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층 및
상기 발광층과 상기 애노드 사이에 위치하는 정공 주입층;
상기 정공 주입층과 상기 애노드 사이에 위치하고 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질을 포함하는 30Å 내지 400Å 두께의 버퍼층
을 포함하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 버퍼층은 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물 및 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질을 1:4 내지 4:1의 중량비로 포함하는 것인 발광 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 2.6 내지 4.5eV의 일함수를 갖는 물질은 이테르븀(Yb), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나를 포함하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 알칼리금속 또는 알칼리토금속의 옥사이드, 플루오라이드, 퀴놀레이트 또는 아세토아세테이트 화합물은 LiF, NaF, NaCl, CsF, Li2O, BaO, 리튬퀴놀레이트 또는 이들의 조합인 발광 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 버퍼층과 상기 발광층 사이에 P형 물질이 도핑된 정공주입층을 더 포함하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 애노드는 투명 도전성 산화물을 포함하는 투명 도전층이거나, 8nm 내지 30nm 두께의 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy) 또는 이들의 조합을 포함하는 반투명 도전층인 발광 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 발광 장치는 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 유기막 층을 더 포함하는 발광 장치.
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