CN104617235A - 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 - Google Patents

一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104617235A
CN104617235A CN201510087042.8A CN201510087042A CN104617235A CN 104617235 A CN104617235 A CN 104617235A CN 201510087042 A CN201510087042 A CN 201510087042A CN 104617235 A CN104617235 A CN 104617235A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene oxide
layer
electroplating
anode layer
oxide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510087042.8A
Other languages
English (en)
Inventor
吴海东
冯翔
蒋志亮
张晓晋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510087042.8A priority Critical patent/CN104617235A/zh
Publication of CN104617235A publication Critical patent/CN104617235A/zh
Priority to EP15851648.4A priority patent/EP3262700A4/en
Priority to PCT/CN2015/089925 priority patent/WO2016134595A1/en
Priority to US15/031,251 priority patent/US9806260B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/125—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using electrolytic deposition e.g. in-situ electropolymerisation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes

Abstract

本发明公开了一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置，该方法包括：在衬底基板上形成阳极层的图形；通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形。由于在阳极层的表面上设置氧化石墨烯层的图形，因此可以利用氧化石墨烯材料自身较高的功函数的性质作为辅助功能层，来降低空穴注入的势垒，提升有机电致发光显示器件空穴的注入和传输能力，从而提高器件的发光性能。

Description

一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置。
背景技术
目前，有机电致发光显示器件(Organic Electroluminesecent Display，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，已经逐渐成为显示领域的主流。
OLED器件的基本结构，包括：衬底基板，依次设置在衬底基板上的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，其发光原理为在分别对阳极层和阴极层通电压以形成电流时，阴极层中的电子经过电子注入层和电子传输层传输，而阳极层中的空穴经过空穴注入层和空穴传输层传输，之后电子和空穴在发光层复合形成电子-空穴对，激发发光层中的材料进行发光；其中，因氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)材料的化学性能稳定，导电率高，被广泛应用于器件的阳极层中，但其功函数仅有4.5eV-4.8eV左右，即使利用等离子体(Plasma)或臭氧环境紫外线(UV-OZONE)等物理方法处理后，其功函数也很难提高到5.0eV，这一数值仍然低于大部分空穴注入层或空穴传输层的最高已占有能级(Highest Occupied Molecular Oribital，HOMO)，使空穴的注入和传输能力大大降低，对显示器件的发光性能有很大影响。
因此，如何降低空穴注入的势垒，提升OLED器件空穴的注入和传输能力，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置，可以降低空穴注入势垒，提升OLED器件空穴的注入和传输能力，从而提高器件的发光性能。
因此，本发明实施例提供了一种有机电致发光显示器件的制作方法，包括：
在衬底基板上形成阳极层的图形；
通过电镀工艺在所述阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，通过电镀工艺在所述阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形，具体包括：
将形成有所述阳极层图形的所述衬底基板和一阴极放入盛有氧化石墨烯电镀液的电镀池中；
对所述阴极和所述阳极层施加设定的电镀电压,经过设定的电镀时间在所述阳极层的图形上形成与所述阳极层的图形相同的氧化石墨烯层的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述电镀时间越长且所述电镀电压越大，所述氧化石墨烯电镀液的浓度越大，形成的所述氧化石墨烯层的厚度越厚。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述电镀时间为1s至1000s，所述电镀电压为1V至20V，所述氧化石墨烯电镀液的浓度为0.1mg/mL至100mg/mL，所述氧化石墨烯层的厚度为1nm至200nm。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述电镀时间为3min，所述电镀电压为5V，所述氧化石墨烯的浓度为2mg/mL，所述氧化石墨烯层的厚度小于或等于50nm。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述电镀时间为6min，所述电镀电压为5V，所述氧化石墨烯的浓度为2.5mg/mL，所述氧化石墨烯层的厚度小于或等于100nm。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述氧化石墨烯电镀液的溶剂为无机溶剂和醇类有机溶剂的共混溶剂。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述无机溶剂和醇类有机溶剂的体积比为1：99至1：1。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述醇类有机溶剂包括：甲醇、乙醇或异丙醇其中之一或组合；所述无机溶剂为去离子水。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，所述氧化石墨烯电镀液含有3,4-乙撑二氧噻吩聚合物和聚苯乙烯磺酸盐。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，通过电镀工艺在所述阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形之后，还包括：
通过氧等离子体法或臭氧环境紫外线法处理所述氧化石墨烯层。
本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述方法制作的有机电致发光显示器件，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的阳极层；还包括：
在所述阳极层上形成的氧化石墨烯层的图形。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件中，所述氧化石墨烯层作为空穴注入层或空穴传输层。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置，该方法包括：在衬底基板上形成阳极层的图形；通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形，由于在阳极层的表面上设置氧化石墨烯层的图形，因此利用利用氧化石墨烯材料自身较高的功函数的性质作为辅助功能层，来降低空穴注入的势垒，提升有机电致发光显示器件空穴的注入和传输能力，从而提高器件的发光性能。
附图说明
图1为本发明实施例提供的有机电致发光显示器件的制作方法流程图；
图2a为本发明实施例提供的有机电致发光显示器件的制作过程中的结构示意图；
图2b为本发明实施例提供的氧化石墨烯分子结构示意图；
图3a至图3c分别为本发明实施例提供的有机电致发光显示器件的结构示意图。
具体实施方式
氧化石墨烯材料，具有较高的功函数，超强的导电性，优良的空穴传输性能，十分适合作为光电子器件的辅助层来使用。
本发明实施例提供的有机电致发光显示器件的制作方法中正是利用氧化石墨烯材料作为辅助功能层，来降低空穴注入的势垒，提升有机电致发光显示器件空穴的注入和传输能力。
下面结合附图，对本发明实施例提供的有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
其中，附图中各膜层的厚度和形状不反映有机电致发光显示器件的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种有机电致发光显示器件的制作方法，如图1所示，包括以下步骤：
S101、在衬底基板上形成阳极层的图形；
S102、通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形。
在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，由于采用电镀的方法将氧化石墨烯薄膜制备在阳极层的表面，形成一层高质量的氧化石墨烯层，即在阳极层的表面上设置氧化石墨烯层的图形，通过氧化石墨烯层的引入，利用氧化石墨烯材料自身较高的功函数的性质，大约为4.7eV，作为辅助功能层，使阳极层界面的能级更加匹配，来降低空穴注入的势垒，提升有机电致发光显示器件空穴的注入和传输能力，从而提高器件的发光性能。
需要说明的是，具体地，制备氧化石墨烯层的方法有多种，包括旋涂法、滴膜法、磁控溅射法、电镀法等。由于旋涂法和滴膜法不好控制膜厚，也无法实现大面积，有孔洞，而且造成原材料浪费，又由于磁控溅射法成本太高且能量太大控制不好会破坏阳极层的表面，因此，本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中是采用电镀的方法来形成氧化石墨烯层的图形，相较于旋涂法、滴膜法、磁控溅射法，采用电镀的方法会易于实现大面积，节省材料，缩短生产节拍，适合量产线的工艺导入，并且，依靠电镀的原理，可以根据阳极层的分布实现图案化，不需要掩膜板的制作。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，步骤S102通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形，具体可以包括以下步骤：
首先，将形成有阳极层图形的衬底基板和一阴极放入盛有氧化石墨烯电镀液的电镀池中；
然后，对阴极和阳极层施加设定的电镀电压，经过设定的电镀时间，在阳极层的图形上形成与阳极层的图形相同的氧化石墨烯层的图形。
在具体实施时，如图2a所示，将形成有阳极层001图形的衬底基板002和一阴极003放入盛有氧化石墨烯电镀液的电镀池中，图2a中的黑点表示氧化石墨烯电镀液中的氧化石墨烯分子004；需要说明的是，阳极层001作为阳极，而作为阴极003的材料为金属导电材料，金属导电材料可以包括：铜、铝、铁等，在此不做限定。对阴极003和阳极层001施加设定的电镀电压后，氧化石墨烯电镀液中的氧化石墨烯分子004，如图2b所示，由于表面的含氧基团，如羟基、羧基、羰基等，带负电，在电镀的过程中氧化石墨烯分子004会被吸附在阳极层001的表面，因此，在阳极层001的图形上形成氧化石墨烯层的图形。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，在执行步骤S102通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形的过程中，可以通过电镀时间和电镀电压来控制形成在阳极层表面的氧化石墨烯层的厚度，具体地，设置的电镀时间越长且设置的电镀电压越大，氧化石墨烯电镀液的浓度越大，形成的氧化石墨烯层的厚度就会越厚。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，电镀时间可以设置为1s至1000s，电镀电压可以设置为1V至20V，氧化石墨烯电镀液的浓度可以配制为0.1mg/mL至100mg/mL，氧化石墨烯层的厚度可以为1nm至200nm，具体地，电镀时间、电镀电压、氧化石墨烯电镀液的浓度，以及氧化石墨烯层的厚度的各个范围标准之间互相独立，需根据实际情况确定各参数的最佳取值，在此不做限定。
具体地，在一种实施方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，电镀时间可以设置为3min，电镀电压可以设置为5V，氧化石墨烯电镀液的浓度可以配制为2mg/mL，此时氧化石墨烯层的厚度会小于或等于50nm。
具体地，在另一种实施方式中，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，电镀时间可以设置为6min，电镀电压可以设置为5V，氧化石墨烯电镀液的浓度可以配制为2.5mg/mL，氧化石墨烯层的厚度可以小于或等于100nm。
以上两种实施方式都可以实现氧化石墨烯层的形成，可以需根据实际情况进行选择，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，为了改善氧化石墨烯材料在无机溶剂中分散能力差的缺点，利用氧化石墨烯材料在无机溶剂和醇类有机溶剂的共混溶剂中分散性能较好的特点，氧化石墨烯电镀液的溶剂可以为无机溶剂和醇类有机溶剂的共混溶剂，在进行电镀工艺之前，将适量氧化石墨烯材料加入到无机溶剂和醇类有机溶剂的共混溶剂中，经超声震荡大于2小时，会得到稳定的氧化石墨烯电镀液，然后将制备好的氧化石墨烯电镀液加入到电镀池中，以便进行下一步。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，醇类有机溶剂可以包括：甲醇、乙醇或异丙醇其中之一或组合；无机溶剂可以为去离子水，具体地，醇类有机溶剂和无机溶剂的选取，在此不作限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，无机溶剂和醇类有机溶剂的体积比可以为1：99至1：1，具体地，无机溶剂和醇类有机溶剂的体积比的范围标准，需根据实际情况来确定其最佳取值，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，氧化石墨烯电镀液可以含有3,4-乙撑二氧噻吩聚合物和聚苯乙烯磺酸盐。这样可以提高电镀液的导电率，使氧化石墨烯分子在电镀工艺中更容易吸附在阳极层的表面。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件的制作方法中，为了进一步增大氧化石墨烯层的功函数，在执行步骤S102通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形之后，还可以包括：通过氧等离子体法或臭氧环境紫外线法处理氧化石墨烯层。采用氧等离子体法或臭氧环境紫外线法可以进一步提高氧化石墨烯层的功函数，使氧化石墨烯层的功函数提高到5eV至5.2eV，从而进一步减小空穴注入的势垒，提升有机电致发光显示器件空穴的注入和传输能力。
本发明实施例提供的有机电致发光显示器件的制作方法的具体实现方式有多种，下面通过三个具体的实例对本发明实施例提供的有机电致发光显示器件的制作方法进行详细的说明。
实例一：
1、在衬底基板上形成阳极层的图形；
2、将形成有阳极层图形的衬底基板和一阴极放入2mg/mL浓度的氧化石墨烯电镀液的电镀池中，其中，氧化石墨烯电镀液的溶剂为水和甲醇，水和甲醇的体积比为1:2；
3、对阴极和阳极层施加5V的电镀电压，经过3min的电镀时间在阳极层的图形上形成厚度不超过50nm的氧化石墨烯层的图形。
至此，经过实例一提供的上述步骤1至3制作出了本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件。
实例二：
1、在衬底基板上形成阳极层的图形；
2、将形成有阳极层图形的衬底基板和一阴极放入2.5mg/mL浓度的氧化石墨烯电镀液的电镀池中，其中，氧化石墨烯电镀液的溶剂为水和甲醇，水和甲醇的体积比为1:1；
3、对阴极和阳极层施加5V的电镀电压，经过6min的电镀时间在阳极层的图形上形成厚度不超过100nm的氧化石墨烯层的图形。
至此，经过实例二提供的上述步骤1至3制作出了本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件。
实例三：
1、在衬底基板上形成阳极层的图形；
2、将形成有阳极层图形的衬底基板和一阴极放入2mg/mL浓度的氧化石墨烯电镀液的电镀池中，其中，氧化石墨烯电镀液的溶剂为水和甲醇，水和甲醇的体积比为1:1，且氧化石墨烯电镀液中加入了少量3,4-乙撑二氧噻吩聚合物：聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)，用来提高导电率；
3、对阴极和阳极层施加5V的电镀电压，经过3min的电镀时间在阳极层的图形上形成厚度不超过50nm的氧化石墨烯层的图形。
至此，经过实例三提供的上述步骤1至3制作出了本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件。
以上三种具体的实例，提供了不同的氧化石墨烯电解液浓度、水和甲醇的体积比、电镀电压、电镀时间，以及氧化石墨烯层的厚度，在电镀工艺中，可以根据实际需要确定各参数的最佳取值，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述方法制作的有机电致发光显示器件，由于该有机电致发光显示器件解决问题的原理与前述一种有机电致发光显示器件的制作方法相似，因此该有机电致发光显示器件的实施可以参见有机电致发光显示器件的制作方法的实施，重复之处不再赘述。
在具体实施时，本发明实施例提供的有机电致发光显示器件中，如图3a所示，包括：衬底基板100，设置在衬底基板100上的阳极层200；还可以包括：
在阳极层200上形成的氧化石墨烯层300的图形。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件中，利用氧化石墨烯层较高的功函数、超强的导电性以及较高的空穴迁移率，氧化石墨烯层300可以作为空穴注入层或空穴传输层；图3b示出了当氧化石墨烯层作为空穴注入层时，有机电致发光显示器件的结构示意图，图3b中的有机电致发光显示器件还包括空穴传输层400、发光层500、电子传输层600、电子注入层700、阴极层800；图3c示出了当氧化石墨烯层作为空穴传输层时，有机电致发光显示器件的结构示意图，图3c中的有机电致发光显示器件还包括发光层500、电子传输层600、电子注入层700、阴极层800。由此可以看出，空穴注入层在有机电致发光显示器件中不是必须增加的膜层。
在具体实施时，本发明实施例提供的有机电致发光显示器件中一般还会具有电子阻挡层、空穴阻挡层等其他膜层结构，有机电致发光显示器件可以为顶发射型有机电致发光显示器件，也可以为底射型有机电致发光显示器件，当有机电致发光显示器件为顶发射型有机电致发光显示器件时，该器件的阳极的材料可以为ITO/Ag/ITO，在阳极ITO/Ag/ITO上形成氧化石墨烯层；当有机电致发光显示器件为底发射型有机电致发光显示器件时，该器件的阳极的材料可以为ITO，在阳极ITO上形成氧化石墨烯层；有机电致发光显示器件的具体结构可以有多种实现方式，在此不做限定。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述有机电致发光显示器件，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。该显示装置的实施可以参见上述有机电致发光显示器件的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供的一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置，该方法包括：在衬底基板上形成阳极层的图形；通过电镀工艺在阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形，由于采用电镀的方法将氧化石墨烯薄膜制备在阳极层的表面，形成一层高质量的氧化石墨烯层，即在阳极层的表面上设置氧化石墨烯层的图形，通过氧化石墨烯层的引入，利用氧化石墨烯材料自身较高的功函数的性质作为辅助功能层，来降低空穴注入的势垒，提升有机电致发光显示器件空穴的注入和传输能力，从而提高器件的发光性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (14)

1.一种有机电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成阳极层的图形；
通过电镀工艺在所述阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过电镀工艺在所述阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形，具体包括：
将形成有所述阳极层图形的所述衬底基板和一阴极放入盛有氧化石墨烯电镀液的电镀池中；
对所述阴极和所述阳极层施加设定的电镀电压，经过设定的电镀时间在所述阳极层的图形上形成与所述阳极层的图形相同的氧化石墨烯层的图形。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述电镀时间越长且所述电镀电压越大，所述氧化石墨烯电镀液的浓度越大，形成的所述氧化石墨烯层的厚度越厚。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电镀时间为1s至1000s，所述电镀电压为1V至20V，所述氧化石墨烯电镀液的浓度为0.1mg/mL至100mg/mL，所述氧化石墨烯层的厚度为1nm至200nm。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电镀时间为3min，所述电镀电压为5V，所述氧化石墨烯的浓度为2mg/mL，所述氧化石墨烯层的厚度小于或等于50nm。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述电镀时间为6min，所述电镀电压为5V，所述氧化石墨烯的浓度为2.5mg/mL，所述氧化石墨烯层的厚度小于或等于100nm。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯电镀液的溶剂为无机溶剂和醇类有机溶剂的共混溶剂。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述无机溶剂和醇类有机溶剂的体积比为1：99至1：1。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述醇类有机溶剂包括：甲醇、乙醇或异丙醇其中之一或组合；所述无机溶剂为去离子水。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯电镀液含有3,4-乙撑二氧噻吩聚合物和聚苯乙烯磺酸盐。
11.如权利要求1-10任一项所述的方法，其特征在于，通过电镀工艺在所述阳极层的图形上形成氧化石墨烯层的图形之后，还包括：
通过氧等离子体法或臭氧环境紫外线法处理所述氧化石墨烯层。
12.一种如权利要求1-11任一项所述方法制作的有机电致发光显示器件，包括：衬底基板，设置在所述衬底基板上的阳极层；其特征在于，还包括：
在所述阳极层上形成的氧化石墨烯层的图形。
13.如权利要求12所述的有机电致发光显示器件，其特征在于，所述氧化石墨烯层作为空穴注入层或空穴传输层。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12或13所述的有机电致发光显示器件。
CN201510087042.8A 2015-02-25 2015-02-25 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 Pending CN104617235A (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510087042.8A CN104617235A (zh) 2015-02-25 2015-02-25 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
EP15851648.4A EP3262700A4 (en) 2015-02-25 2015-09-18 Organic light-emitting diode display device, manufacturing method thereof, and display apparatus
PCT/CN2015/089925 WO2016134595A1 (en) 2015-02-25 2015-09-18 Organic light-emitting diode display device, manufacturing method thereof, and display apparatus
US15/031,251 US9806260B2 (en) 2015-02-25 2015-09-18 Organic light-emitting diode display device, manufacturing method thereof, and display apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510087042.8A CN104617235A (zh) 2015-02-25 2015-02-25 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104617235A true CN104617235A (zh) 2015-05-13

Family

ID=53151588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510087042.8A Pending CN104617235A (zh) 2015-02-25 2015-02-25 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9806260B2 (zh)
EP (1) EP3262700A4 (zh)
CN (1) CN104617235A (zh)
WO (1) WO2016134595A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016134595A1 (en) * 2015-02-25 2016-09-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device, manufacturing method thereof, and display apparatus
CN110943175A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 湖北工业大学 一种金纳米颗粒和氧化石墨烯复合结构修饰的有机发光二极管及其制备方法
CN111081904A (zh) * 2019-12-02 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 氧化石墨烯薄膜的制备方法、oled器件及制备方法
CN111384264A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN113258013A (zh) * 2021-05-12 2021-08-13 北京京东方技术开发有限公司 一种量子点发光器件、显示装置和制作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110034242A (zh) * 2019-03-29 2019-07-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机电致发光器件、导电膜材料的制备方法和显示面板
CN114203923B (zh) * 2021-12-07 2023-12-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 空穴缓冲材料及其制备方法和oled器件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102583354A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 合肥工业大学 一种电镀沉积法制备石墨烯膜的方法
CN103345979A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 中国科学院微电子研究所 一种石墨烯导电薄膜的制备方法
KR20140019642A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 정은아 동결건조에 의한 그라핀 산화물 스폰지 제조방법
CN103824975A (zh) * 2014-02-27 2014-05-28 上海和辉光电有限公司 提升ito层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201008142D0 (en) * 2010-05-14 2010-06-30 Imp Innovations Ltd Device comprising graphene oxide film
JPWO2012002463A1 (ja) * 2010-06-30 2013-08-29 旭硝子株式会社 有機薄膜太陽電池及びその製造方法
KR20130078043A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 정공 수송층으로 그래핀 옥사이드를 포함하는 유기 일렉트로루미네센스 소자
KR101462901B1 (ko) * 2012-11-29 2014-11-20 성균관대학교산학협력단 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR101650705B1 (ko) 2013-05-21 2016-08-24 한국화학연구원 산화 그래핀 기반 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
CN104183774A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104183735A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种阳极及其制备方法和有机电致发光器件
US9478351B2 (en) 2013-05-24 2016-10-25 Keithley Instruments, Inc. Isolation transformer for use in isolated DC-to-DC switching power supply
KR101449658B1 (ko) * 2013-05-28 2014-10-15 한국과학기술연구원 금속 나노입자-산화 그래핀 복합체를 이용한 발광 파장 조절 재료 및 에너지 하비스팅 기술
CN104617235A (zh) * 2015-02-25 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102583354A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 合肥工业大学 一种电镀沉积法制备石墨烯膜的方法
KR20140019642A (ko) * 2012-08-07 2014-02-17 정은아 동결건조에 의한 그라핀 산화물 스폰지 제조방법
CN103345979A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 中国科学院微电子研究所 一种石墨烯导电薄膜的制备方法
CN103824975A (zh) * 2014-02-27 2014-05-28 上海和辉光电有限公司 提升ito层空穴注入效率的方法和显示器件的阳极结构

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016134595A1 (en) * 2015-02-25 2016-09-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device, manufacturing method thereof, and display apparatus
US9806260B2 (en) 2015-02-25 2017-10-31 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device, manufacturing method thereof, and display apparatus
CN110943175A (zh) * 2018-09-25 2020-03-31 湖北工业大学 一种金纳米颗粒和氧化石墨烯复合结构修饰的有机发光二极管及其制备方法
CN111384264A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN111384264B (zh) * 2018-12-29 2022-01-18 Tcl科技集团股份有限公司 一种复合薄膜、量子点发光二极管及其制备方法
CN111081904A (zh) * 2019-12-02 2020-04-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 氧化石墨烯薄膜的制备方法、oled器件及制备方法
CN113258013A (zh) * 2021-05-12 2021-08-13 北京京东方技术开发有限公司 一种量子点发光器件、显示装置和制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3262700A1 (en) 2018-01-03
WO2016134595A1 (en) 2016-09-01
EP3262700A4 (en) 2018-10-24
US20160372671A1 (en) 2016-12-22
US9806260B2 (en) 2017-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104617235A (zh) 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置
CN106129263B (zh) Oled显示器件及其制作方法
CN1855569B (zh) 有机半导体装置
CN108539043A (zh) 一种oled显示面板及其制造方法、显示装置
CN103000817B (zh) 一种柔性有机发光二极管
CN106340533B (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN103545345A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
US9006715B2 (en) Electronic device
CN102705790A (zh) 发光二极管显示背板及其制造方法、显示装置
CN106784389A (zh) 一种复合透明电极、有机发光二极管及其制备方法
CN103081159A (zh) 有机发光器件及其制备方法
CN113257854B (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN105355798A (zh) 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN104766930B (zh) Oled基板及其制备方法、显示装置
CN105118929A (zh) 电极结构和有机发光单元及其制造方法
CN105826483A (zh) 一种量子点发光二极管及其制备方法
CN104538421A (zh) Oled显示基板及其制造方法
CN102403462B (zh) 有机发光二极管及其制造方法
CN105742332A (zh) 一种电致发光显示器件及其制作方法
Hu et al. Ultra‐low resistivity copper mesh as embedded current collector layer for inkjet‐printed flexible electrochromic device realizing fast response and uniform coloration
CN103700673B (zh) 一种显示装置、阵列基板及其制作方法
CN104167497A (zh) 有机发光显示器件及其制备方法、显示装置
CN103503124A (zh) 薄膜晶体管元件及其制造方法、有机el显示元件及其制造方法、以及有机el显示装置
KR100996503B1 (ko) 전도성 고분자 투명전극을 이용한 ｏｌｅｄ 및 그 제조방법
CN103219463A (zh) 有机电子发光器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150513