CN105742332A - 一种电致发光显示器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种电致发光显示器件及其制作方法。其中，制作方法包括步骤：A、在已制作了底部电极的TFT平坦层上依次形成高导电层以及导电疏水膜；B、通过构图工艺将高导电层以及导电疏水膜图案化，使高导电层形成辅助电极；C、在TFT平坦层上形成包裹在高导电层以及导电疏水膜两侧的像素界定层；D、在发光区域的底部电极上形成电致发光层；E、最后沉积顶部透明电极以封装电致发光显示器件。本发明在TFT平坦层上制作辅助电极，并在辅助电极上端沉积一层导电疏水膜，防止发光元件的各功能层材料在辅助电极上沉积。利用本发明的制作工艺，可实现顶部透明电极与辅助电极的良好接触，进而提高发光器件的亮度均匀性，并且不会对顶部电极造成破坏。

Description

一种电致发光显示器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光显示器件及其制作方法。
背景技术
在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
有机电致发光二极管（OLED）具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点；量子点发光二极管（QLED）具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，所以二者是目前显示器件研究的两个主要方向。其中，顶发射型器件由于可以获得更大的开口率，近年来成为了业界研究的热点。但是，顶发射器件由于需要增加光的透过率，所以顶电极的厚度一般较薄，导致电极方阻较大，电压降严重，会引起显示器的发光不均匀现象。
为了改善顶发射型器件的发光均匀性，往往会引入与顶部透明电极相连通的辅助电极，通过辅助电极的高导电性来减小顶部透明电极的电压降，改善发光亮度的均匀性。由于辅助电极通常是不透光的，因此不能制作在发光区域上。根据辅助电极的制作位置，可以将辅助电极分为制作在TFT（薄膜晶体管）阵列上的下辅助电极以及制作在CF（彩色滤光片）上的上辅助电极。
对于制作在TFT阵列上的下辅助电极，一般是通过光刻工艺或者精细金属掩膜在顶部透明电极上制作，其对制作工艺的对位精度要求高。并且光刻工艺的显影、刻蚀、剥离等工序会对顶电极造成一定的破坏，而金属掩膜则会随着面板尺寸的增大在重力作用下形成应力弯曲，导致对位不准的问题。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电致发光显示器件及其制作方法，旨在解决现有的下辅助电极制作工艺会对顶电极造成破坏、以及对位不准的问题。
本发明的技术方案如下：
一种电致发光显示器件的制作方法，其中，包括步骤：
A、在已制作了底部电极的TFT平坦层上依次形成高导电层以及导电疏水膜；
B、通过构图工艺将高导电层以及导电疏水膜图案化，使高导电层形成辅助电极；
C、在TFT平坦层上形成包裹在高导电层以及导电疏水膜两侧的像素界定层；
D、在发光区域的底部电极上形成电致发光层；
E、最后沉积顶部透明电极以封装电致发光显示器件。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述高导电层为银、铜、铝、钼或它们的合金。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述导电疏水膜为碳纳米管经由表面氟化处理所得，或者碳纳米管与聚合物的复合薄膜。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述复合薄膜中，聚合物为橡胶或树脂。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述辅助电极与导电疏水膜的总厚度大于或等于像素界定层的厚度。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述电致发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层，其中发光层为有机发光层或量子点发光层。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述顶部透明电极为透明金属或导电氧化物。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述顶部透明电极同时沉积在电致发光层和辅助电极上。
所述的电致发光显示器的制作方法，其中，所述电致发光显示器件为正装结构或倒置结构。
一种电致发光显示器，其中，采用如上所述的制作方法制成。
有益效果：本发明通过在TFT平坦层上制作辅助电极，并在辅助电极上端沉积一层导电疏水膜，防止发光元件的各功能层材料在辅助电极上沉积。利用本发明的制作工艺，可实现顶部透明电极与辅助电极的良好接触，进而提高发光器件的亮度均匀性，并且不会对顶部电极造成破坏。
附图说明
图1为本发明一种电致发光显示器件的制作方法较佳实施例的流程图。
图2至图5为本发明一种电致发光显示器件在制作过程中不同阶段的剖视图。
图6为本发明中一种正装结构的电致发光显示器件的结构示意图。
图7为本发明中一种倒置结构的电致发光显示器件的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种电致发光显示器件及其制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明一种电致发光显示器件的制作方法较佳实施例的流程图，其包括步骤：
S1、在已制作了底部电极的TFT平坦层上依次形成高导电层以及导电疏水膜；
S2、通过构图工艺将高导电层以及导电疏水膜图案化，使高导电层形成辅助电极；
S3、在TFT平坦层上形成包裹在高导电层以及导电疏水膜两侧的像素界定层；
S4、在发光区域的底部电极上形成电致发光层；
S5、最后沉积顶部透明电极以封装电致发光显示器件。
本发明的主要改进之处在于：辅助电极直接在TFT平坦层上形成，顶部透明电极是在制作好辅助电极之后形成，所以辅助电极制作过程中的显影、刻蚀、剥离等工序不会对顶部透明电极造成破坏，也避免了使用金属掩膜导致的对位不准的问题。并且本发明中，辅助电极上设有导电疏水膜，这样辅助电极与顶部透明电极之间通过导电疏水膜导通，该导电疏水膜既能够防止辅助电极上端半导体性质的材料的沉积，又能实现顶部透明电极与辅助电极之间的良好接触，从而有效改善顶发射型显示器的的发光均匀性。
如图2至图5所示，本发明的电致发光显示器件其制作流程是：
如图2所示，首先在TFT平坦层100上依次形成高导电层120以及导电疏水膜130，该TFT平坦层100上已经制作了底部电极110，所述高导电层120形成于底部电极110两侧，所述的导电疏水膜130沉积于高导电层120上部，再通过构图工艺将高导电层120以及导电疏水膜130图案化，从而使高导电层120形成所需形状和要求的辅助电极；
如图3所示，再形成像素界定层140，该像素界定层140形成于TFT平坦层100上，并且包裹在高导电层120以及导电疏水膜130两侧，这样相邻像素界定层140之间即可形成像素坑；
如图4所示，再在发光区域（即像素坑）的底部电极110上形成电致发光层150；
如图5所示，最后沉积顶部透明电极160以封装电致发光显示器件。
本发明中的高导电层120（即形成的辅助电极）优选电阻率较小的金属，金属布线可以是网状或者条状，金属材质可以是银、铜、铝、钼或它们的合金，这些材料的电阻率较小，有利于降低辅助电极与顶部透明电极之间的接触电阻。所述辅助电极的厚度优选为500nm-3000nm，例如1000nm。
所述导电疏水膜130为碳纳米管经由表面氟化处理所得，或者碳纳米管与聚合物的复合薄膜，在所述复合薄膜中，聚合物为橡胶或树脂。所述导电疏水膜130的厚度相比于辅助电极要小，优选为100nm-500nm，例如250nm。所述导电疏水膜130的疏水性可以通过紫外臭氧辐照处理时间来调整，具体可根据实际情况（如材料的需要）来调整处理时间，进而获得所需的疏水性。
另外，所述辅助电极（即前述的高导电层120）以及导电疏水膜130的总厚度大于或等于像素界定层140的厚度，这样在发光区域的底部电极110上形成电致发光层150时，可避免电致发光层150相关的材料沉积在辅助电极上。另外，所述顶部透明电极160优选同时沉积在电致发光层150和辅助电极上，这样顶部透明电极160更加均匀，而导电疏水膜130与顶部透明电极160也会良好接触。
所述电致发光层150包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层，其中发光层为有机发光层或量子点发光层。
本发明中的电致发光层150，其优选采用印刷工艺制备，例如采用喷墨打印的方式制备，有利于大面积生产，提高制作效率。本发明中的TFT平坦层100中，TFT为非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、高温多晶硅TFT或金属氧化物TFT。
所述顶部透明电极160为透明金属，或者导电氧化物，例如ITO、薄金属或石墨烯等。
另外，本发明中的电致发光显示器件既可以是如图6所示的正装结构，图6中，底部电极是阳极，顶部透明电极是透明阴极；所述电致发光显示器件也可以是如图7所示的倒置结构，图7中，底部电极是阴极，顶部透明电极是透明阳极。而电致发光显示器件的基板可以选用玻璃基板或柔性基板。
本发明还提供一种电致发光显示器，其采用如上所述的制作方法制成。
综上所述，本发明通过在TFT平坦层上制作辅助电极，并在辅助电极上端沉积一层导电疏水膜，防止发光元件的各功能层材料在辅助电极上沉积。利用本发明的制作工艺，可实现顶部透明电极与辅助电极的良好接触，进而提高发光器件的亮度均匀性，并且不会对顶部电极造成破坏。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种电致发光显示器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
A、在已制作了底部电极的TFT平坦层上依次形成高导电层以及导电疏水膜；
B、通过构图工艺将高导电层以及导电疏水膜图案化，使高导电层形成辅助电极；
C、在TFT平坦层上形成包裹在高导电层以及导电疏水膜两侧的像素界定层；
D、在发光区域的底部电极上形成电致发光层；
E、最后沉积顶部透明电极以封装电致发光显示器件。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述高导电层为银、铜、铝、钼或它们的合金。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述导电疏水膜为碳纳米管经由表面氟化处理所得，或者碳纳米管与聚合物的复合薄膜。
4.根据权利要求3所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述复合薄膜中，聚合物为橡胶或树脂。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述辅助电极与导电疏水膜的总厚度大于或等于像素界定层的厚度。
6.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述电致发光层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层，其中发光层为有机发光层或量子点发光层。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述顶部透明电极为透明金属或导电氧化物。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述顶部透明电极同时沉积在电致发光层和辅助电极上。
9.根据权利要求1所述的电致发光显示器的制作方法，其特征在于，所述电致发光显示器件为正装结构或倒置结构。
10.一种电致发光显示器，其特征在于，采用如权利要求1~9任一项所述的制作方法制成。
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