CN107579105B - Oled显示面板的制备方法及oled显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，所述方法包括：在衬底基板上形成TFT层；在TFT层表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一过孔，第一过孔使漏极露出；在第一绝缘层上形成金属阴极层，在金属阴极层上形成第二过孔；在金属阴极层上形成第二绝缘层，第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽；在第一沟槽内形成OLED层；在第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，阳极层覆盖OLED层，且通过第三过孔和第一过孔与漏极形成电连接，每一阳极电极对应一独立子像素单元。本发明能够显著降低压降，提高显示面板显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示领域，特别是涉及一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板。
背景技术
有机发光二极体(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)显示技术，具有自发光、广视角、响应速度快、低耗电等优点而得到广泛关注。
有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，简称AMOLED)显示面板是通过薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)驱动OLED发光。
大尺寸高解析度有源矩阵有机发光二极体AMOLED显示面板开发方向为顶发射。图1是现有技术的OLED显示面板的剖面结构示意图，在TFT层上由下到上分别设置有阳极层103、OLED层102和阴极层101，阴极层101在OLED显示面板出光方向一侧，因此，阴极层101通常被由透明半导体材料而制成，但此阴极层101的阻抗很高，会有严重的压降产生，影响OLED显示面板的显示品质。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种OLED显示面板的制备方法及OLED显示面板，能够显著降低压降，提高OLED显示面板显示品质。
为解决上述主要技术问题，本发明提供一种OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成TFT层，所述TFT层包括源极、栅极和漏极；在所述TFT层表面形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成第一过孔，所述第一过孔使所述漏极露出；在所述第一绝缘层上形成金属阴极层，在所述金属阴极层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述第一过孔上方，所述第二过孔下表面宽度大于所述第一过孔上表面宽度；在所述金属阴极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽，所述第三过孔位于所述第一过孔上方，所述第三过孔下表面宽度小于所述第二过孔下表面宽度；在所述第一沟槽内形成OLED层，所述OLED层具有独立的子像素单元；在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，所述阳极层覆盖所述OLED层，且通过所述第三过孔和所述第一过孔与所述漏极形成电连接，每一所述阳极电极对应一独立子像素单元，其中，所述第二绝缘层使所述金属阴极层与所述阳极层之间形成间隔部。
其中，所述在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层的步骤具体包括：在第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层上设有第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第三过孔和第一沟槽的上方，且所述第三过孔和第一沟槽位于所述第二沟槽内；在所述第二沟槽内喷墨打印制备阳极层。
其中，所述阳极层的高度低于所述第三绝缘层的高度。
其中，所述阳极层为透明阳极层。
其中，所述透明阳极层使用纳米银或纳米铜材料制备。
其中，所述在所述第一沟槽内形成OLED层的具体步骤包括：在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层。
其中，所述在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层的步骤具体包括：在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层，使OLED层的高度低于第一沟槽的高度。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED显示面板，包括：衬底基板；和在所述衬底基板上依次形成的TFT层、第一绝缘层、金属阴极层、第二绝缘层、OLED层和具有独立的阳极电极的阳极层；其中，所述TFT层包括源极、栅极和漏极，所述OLED层具有独立的子像素单元，所述阳极层覆盖所述OLED层，且与所述漏极形成电连接，每一所述阳极电极对应一独立子像素单元，其中，所述第二绝缘层使所述金属阴极层与所述阳极层之间形成间隔部。
其中，所述OLED显示面板是通过以上所述的OLED显示面板的制备方法所制得。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的OLED显示面板的制备方法，在第一绝缘层上先形成金属阴极层，保证阴极层为低电阻，在OLED层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，每一阳极电极对应一独立子像素单元，这种制备方法制备的OLED显示面板能够显著降低压降，提高OLED显示面板显示品质。
附图说明
图1是现有技术的OLED显示面板的剖面结构示意图；
图2是本发明OLED显示面板的制备方法的一实施方式的流程示意图；
图3是本发明形成OLED显示面板TFT层的一实施方式的剖面结构示意图；
图4是本发明形成OLED显示面板第一绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图；
图5是本发明形成OLED显示面板第一过孔的一实施方式的剖面结构示意图；
图6是本发明形成OLED显示面板金属阴极层的一实施方式的剖面结构示意图；
图7是本发明形成OLED显示面板第二绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图；
图8是本发明形成OLED显示面板OLED层的一实施方式的剖面结构示意图；
图9是本发明形成OLED显示面板的一实施方式的剖面结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明的较佳的实施方式，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是为了让公众对本发明的公开内容理解的更加清楚透彻。
如图2所示，图2是本发明OLED显示面板的制备方法的一实施方式的流程示意图。本实施方式的OLED显示面板的制备方法包括以下步骤：
步骤S201：在衬底基板上形成TFT层，TFT层包括源极、栅极和漏极。
参阅图3，图3是本发明形成OLED显示面板TFT层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，先在衬底基板301上形成金属膜层后，将金属膜层刻蚀成栅极302，然后在栅极302的表面形成栅极绝缘层303，其中，栅极绝缘层303包括氮化硅SiNx，非晶氧化硅SiOx中的至少一种。在栅极绝缘层303上的形成有源层304,再在有源层304上形成以一沟道分隔开的源极和漏极305，最后在栅极302、源极和漏极305形成以后，在薄膜晶体管的表面形成刻蚀阻挡层306。刻蚀阻挡层306露出源极和漏极305，最终形成TFT层。上述方法是现有的一种形成TFT层的方法，还可以有其他实施方式来形成TFT层，在此不做限定。
步骤S202：在TFT层表面形成第一绝缘层。
参阅图4，图4是本发明形成OLED显示面板第一绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在TFT层表面形成的第一绝缘层307材料为有机光阻材料。
步骤S203：在第一绝缘层上形成第一过孔，第一过孔使漏极露出。
参阅图5，图5是本发明形成OLED显示面板第一过孔的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，利用光罩对第一绝缘层307进行曝光处理，并利用显影液进行显影，以在第一绝缘层307上形成第一过孔3071，第一过孔3071使漏极305露出。应理解，本发明并不限定第一绝缘层307材料为有机光阻材料，还可以是其他材料层，只要能够形成绝缘层即可。
步骤S204：在第一绝缘层上形成金属阴极层，在金属阴极层上形成第二过孔，第二过孔位于第一过孔上方，第二过孔下表面宽度大于第一过孔上表面宽度。
参阅图6，图6是本发明形成OLED显示面板金属阴极层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在第一绝缘层307上的金属阴极层308是通过溅射一层金属形成的，在金属阴极层308上涂布一层光阻材料(图中未标示出来)，利用光罩对第一过孔3071上方的金属阴极层308表面的光阻层进行曝光处理，并利用显影液进行显影，再利用蚀刻工艺清除第一过孔3071上方的金属阴极层，形成第二过孔3081，使第二过孔3081下表面宽度大于第一过孔3071上表面宽度，最后对金属阴极层308上的光阻层进行曝光处理除去光阻材料。
步骤S205：在金属阴极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽，第三过孔位于第一过孔上方，第三过孔下表面宽度小于第二过孔下表面宽度。
参阅图7，图7是本发明形成OLED显示面板第二绝缘层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在金属阴极层308表面形成的第二绝缘层309材料为有机光阻材料。
在本实施方式中，利用光罩对第二绝缘层309进行曝光处理，并利用显影液进行显影，以在第二绝缘层上形成第三过孔3091与第一沟槽3092。第三过孔3091位于第一过孔3071上方，第三过孔3091下表面宽度小于第二过孔3081下表面宽度，第三过孔3091位于第二过孔3081内侧，且，第二绝缘层309的第三过孔3091区域下表面与第一绝缘层307的第一过孔3071区域上表面接触。应理解，本发明并不限定第二绝缘层309材料为有机光阻材料，还可以是其他材料层，只要能够形成绝缘层即可。
步骤S206：在第一沟槽内形成OLED层，所述OLED层具有独立的子像素单元。
参阅图8，图8是本发明形成OLED显示面板OLED层的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在第一沟槽3092内喷墨打印形成OLED层310，并进一步使OLED层310的高度低于第一沟槽3092的高度。
步骤S207：在第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，阳极层覆盖OLED层，且通过第三过孔和第一过孔与漏极形成电连接，每一阳极电极对应一独立子像素单元。
参阅图9，图9是本发明形成OLED显示面板的一实施方式的剖面结构示意图。在本实施方式中，在第二绝缘层309上形成具有独立的阳极电极的阳极层312的步骤具体包括：在第二绝缘309层上形成第三绝缘层311，第三绝缘层311上设有第二沟槽3111，第二沟槽3111位于第三过孔3091和第一沟槽3092的上方，且第三过孔3091和第一沟槽3092位于第二沟槽3111内；在第二沟槽3111内喷墨打印制备阳极层312。
在本实施方式中，在第二绝缘层309上表面形成的第三绝缘层311材料为有机光阻材料。
在本实施方式中，利用光罩对第三绝缘层311进行曝光处理，并利用显影液进行显影，以在第三绝缘层311上形成第二沟槽3111。应理解，本发明并不限定第三绝缘层311材料为有机光阻材料，还可以是其他材料层，只要能够形成绝缘层即可。
在本实施方式中，阳极层312的高度低于第三绝缘层311的高度，且阳极层312为透明阳极层。透明阳极层312使用纳米银或纳米铜材料制备。在其它实施方式中，阳极材料可以为其它任何适于打印制程的透明阳极材料，在此不做限定。
在本实施方式中，具有独立阳极电极的阳极层312覆盖OLED层310，且通过第三过孔3091和第一过孔3071与漏极305形成电连接，每一阳极电极对应一独立子像素单元。
在本实施方式中，第二绝缘层309的第三过孔3091区域下表面与第一绝缘层307的第一过孔3071区域上表面接触，第二绝缘层309使金属阴极层308与阳极层312之间形成间隔部，有效避免二者形成短路。
通过上述方法制得的OLED显示面板中，OLED显示面板包括衬底基板301和在衬底基板301上依次形成的TFT层、第一绝缘层307、金属阴极层308、第二绝缘层309、OLED层310和具有独立的阳极电极的阳极层312。其中，TFT层包括源极、栅极302和漏极305，阳极层312覆盖OLED层310，且与漏极305形成电连接。OLED层310具有独立的子像素单元，每一阳极电极对应一独立子像素单元。第二绝缘层309使金属阴极层308与阳极层312之间形成间隔部，有效避免二者形成短路。
区别于现有技术的情况，本发明的OLED显示面板的制备方法，在第一绝缘层上先形成金属阴极层，保证阴极层为低电阻，在OLED层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，每一阳极电极对应一独立子像素单元，这种制备方法制备的OLED显示面板能够显著降低压降，提高OLED显示面板显示品质。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.OLED显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成TFT层，所述TFT层包括源极、栅极和漏极；
在所述TFT层表面形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第一过孔，所述第一过孔使所述漏极露出；
在所述第一绝缘层上形成金属阴极层，在所述金属阴极层上形成第二过孔，所述第二过孔位于所述第一过孔上方，所述第二过孔下表面宽度大于所述第一过孔上表面宽度；
在所述金属阴极层上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层上设有第三过孔与第一沟槽，所述第三过孔位于所述第一过孔上方，所述第三过孔下表面宽度小于所述第二过孔下表面宽度；
在所述第一沟槽内形成OLED层，所述OLED层具有独立的子像素单元；
在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层，所述阳极层覆盖所述OLED层，且通过所述第三过孔和所述第一过孔与所述漏极形成电连接，每一所述阳极电极对应一独立子像素单元，其中，所述第二绝缘层使所述金属阴极层与所述阳极层之间形成间隔部。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成具有独立的阳极电极的阳极层的步骤具体包括：在第二绝缘层上形成第三绝缘层，所述第三绝缘层上设有第二沟槽，所述第二沟槽位于所述第三过孔和第一沟槽的上方，且所述第三过孔和第一沟槽位于所述第二沟槽内；
在所述第二沟槽内喷墨打印制备阳极层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述阳极层的高度低于所述第三绝缘层的高度。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述阳极层为透明阳极层。
5.根据权利要求4所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述透明阳极层使用纳米银或纳米铜材料制备。
6.根据权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一沟槽内形成OLED层的具体步骤包括：在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层的步骤具体包括：在所述第一沟槽内喷墨打印形成OLED层，使OLED层的高度低于第一沟槽的高度。
8.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底基板；和
在所述衬底基板上依次形成的TFT层、第一绝缘层、金属阴极层、第二绝缘层、OLED层和具有独立的阳极电极的阳极层；其中，所述TFT层包括源极、栅极和漏极，所述OLED层具有独立的子像素单元，所述阳极层覆盖所述OLED层，且与所述漏极形成电连接，每一所述阳极电极对应一独立子像素单元，其中，所述第二绝缘层使所述金属阴极层与所述阳极层之间形成间隔部。
9.根据权利要求8所述的一种OLED显示面板，其特征在于：所述OLED显示面板由权利要求1-7任一方法所制得。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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