CN106206672A - Amoled器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种AMOLED器件及其制作方法。本发明的AMOLED器件的制作方法，采用喷墨打印的方法形成AMOLED器件的阳极，与传统的制作工艺相比，节省一道光罩，减少一道光刻制程，从而简化了AMOLED器件的制作工艺，降低生产成本。本发明的AMOLED器件，其阳极通过喷墨打印的方法形成，制作工艺简单，生产成本低。

Description

AMOLED器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED器件及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
AMOLED通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光层、设于发光层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层及设于电子注入层上的阴极。OLED显示器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED显示器件通常采用ITO像素电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。
虽然AMOLED具有自发光、高亮度、响应速度快、对比度高、无视角问题及可实现柔性显示等优点，然而，AMOLED的发展还存在很多制约因素，如技术成熟度低，良率低，配套不完善，材料价格高，背板制程复杂，光罩多，蓝光寿命低，制备工艺受限，及量产存在知识产权问题等等这些问题使得AMOLED的发展受到极大限制，因此，有必要对这些因素进行逐一改进。
图1为现有的AMOLED器件的结构示意图，如图1所示，所述AMOLED器件包括衬底100、设于所述衬底100上的栅极200、设于所述栅极200及衬底100上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的有源层400、设于所述有源层400及栅极绝缘层300上的刻蚀阻挡层500、设于所述刻蚀阻挡层500上的源漏极600、设于所述源漏极600及刻蚀阻挡层500上的平坦层700、设于所述平坦层700上的过孔710中的阳极800、以及设于所述阳极800上的发光层(未图示)与设于所述发光层上的阴极(未图示)。上述AMOLED器件中，所述栅极200、有源层400、刻蚀阻挡层500、源漏极600、平坦层700及阳极800等结构层均需通过一道沉积或涂布制程配合一道光罩制程实现，需要光罩数量较多，制程复杂，导致该AMOLED器件的制程时间长且生产成本低，因此有必要对此进行改进。
发明内容
本发明的目的在于提供一种AMOLED器件的制作方法，采用喷墨打印的方法形成AMOLED器件的阳极，简化了AMOLED器件的制作工艺，降低生产成本。
本发明的目的还在于提供一种AMOLED器件，其阳极通过喷墨打印的方法形成，制作工艺简单，生产成本低。
为实现上述目的，本发明提供一种AMOLED器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括衬底、设于所述衬底上的栅极、设于所述栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且对应于所述栅极上方的有源层、设于所述有源层及栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上的源极与漏极、设于所述源极、漏极及刻蚀阻挡层上的平坦层、以及设于所述平坦层上且对应于所述漏极上方的第一通孔；所述第一通孔至少暴露出所述漏极的一部分；
步骤2、采用喷墨打印的方法在所述TFT基板的平坦层上的第一通孔中形成阳极，所述阳极与所述漏极相接触；
步骤3、在所述阳极上形成发光层，在所述发光层及平坦层上形成阴极。
所述步骤2的喷墨打印方法采用的打印材料为分散有纳米金属颗粒的水溶液；所述纳米金属颗粒包括纳米银颗粒、纳米金颗粒及纳米铜颗粒中的至少一种。
所述第一通孔的孔壁的表面具有亲水性，所述漏极上被所述第一通孔暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层上位于所述第一通孔周边的区域的表面具有疏水性。
所述步骤1中，所述平坦层上还设有第二通孔，所述第二通孔对应于所述有源层上方设置，暴露出刻蚀阻挡层的一部分；
所述步骤2还包括：在形成所述阳极的同时，采用喷墨打印的方法在所述TFT基板的平坦层上的第二通孔中形成导电层；所述导电层为沟道遮蔽层或者顶栅极。
所述第二通孔的孔壁的表面具有亲水性，所述刻蚀阻挡层上被所述第二通孔暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层上位于所述第二通孔周边的区域的表面具有疏水性。
本发明还提供一种AMOLED器件，包括：衬底、设于所述衬底上的栅极、设于所述栅极及衬底上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且对应于所述栅极上方的有源层、设于所述有源层及栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层、设于所述刻蚀阻挡层上的源极与漏极、设于所述源极、漏极及刻蚀阻挡层上的平坦层、设于所述平坦层上且对应于所述漏极上方的第一通孔、设于所述第一通孔内且与所述漏极相接触的阳极、设于所述阳极上的发光层、以及设于所述发光层及平坦层上的阴极；
所述阳极采用喷墨打印的方式形成，所述阳极的材料包括纳米金属颗粒。
所述阳极采用分散有纳米金属颗粒的水溶液喷墨打印形成；所述纳米金属颗粒包括纳米银颗粒、纳米金颗粒及纳米铜颗粒中的至少一种。
所述第一通孔的孔壁的表面具有亲水性，所述漏极上被所述第一通孔暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层上位于所述第一通孔周边的区域的表面具有疏水性。
所述平坦层上还设有第二通孔，所述第二通孔对应于所述有源层上方设置，暴露出刻蚀阻挡层的一部分；所述第二通孔内设有导电层，所述导电层与所述阳极在同一制程中形成，材料相同；所述导电层为沟道遮蔽层或者顶栅极。
所述第二通孔的孔壁的表面具有亲水性，所述刻蚀阻挡层上被所述第二通孔暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层上位于所述第二通孔周边的区域的表面具有疏水性。
本发明的有益效果：本发明提供的一种AMOLED器件的制作方法，采用喷墨打印的方法形成AMOLED器件的阳极，与传统的制作工艺相比，节省一道光罩，减少一道光刻制程，从而简化了AMOLED器件的制作工艺，降低生产成本。本发明提供的一种AMOLED器件，其阳极通过喷墨打印的方法形成，制作工艺简单，生产成本低。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的AMOLED器件的结构示意图；
图2为本发明的AMOLED器件的制作方法的流程图；
图3为本发明的AMOLED器件的制作方法的步骤1的示意图；
图4-5为本发明的AMOLED器件的制作方法的步骤2的示意图；
图6为本发明的AMOLED器件的制作方法的步骤3的示意图暨本发明的AMOLED器件的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明首先提供一种AMOLED器件的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图3所示，提供一TFT基板10，所述TFT基板10包括衬底20、设于所述衬底20上的栅极21、设于所述栅极21及衬底20上的栅极绝缘层30、设于所述栅极绝缘层30上且对应于所述栅极21上方的有源层31、设于所述有源层31及栅极绝缘层30上的刻蚀阻挡层40、设于所述刻蚀阻挡层40上的源极41与漏极42、设于所述源极41、漏极42及刻蚀阻挡层40上的平坦层50、以及设于所述平坦层50上且对应于所述漏极42上方的第一通孔51；所述第一通孔51至少暴露出所述漏极42的一部分。
优选的，所述第一通孔51的孔壁的表面具有亲水性，所述漏极42上被所述第一通孔51暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层50上位于所述第一通孔51周边的区域的表面具有疏水性，从而使得下一制程中在所述第一通孔51内喷墨打印水性的打印材料时有利于打印材料汇聚于所述第一通孔51内。
具体的，所述平坦层50上还可以设有第二通孔52，所述第二通孔52对应于所述有源层31上方设置，暴露出刻蚀阻挡层40的一部分。
优选的，所述第二通孔52的孔壁的表面具有亲水性，所述刻蚀阻挡层40上被所述第二通孔52暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层50上位于所述第二通孔52周边的区域的表面具有疏水性，从而使得下一制程中在所述第二通孔52内喷墨打印水性的打印材料时有利于打印材料汇聚于所述第二通孔52内。
优选的，所述平坦层50上除所述第一通孔51与第二通孔52以外的区域的表面都具有疏水性。
具体的，以上各结构层表面的亲疏水性可以通过工艺处理实现，也可以通过各结构的材料的选择实现。
具体的，所述刻蚀阻挡层40设有分别对应于所述有源层31两侧的第三通孔45与第四通孔46，所述源极41、漏极42分别通过所述第三通孔45、第四通孔46与所述有源层31相接触。
步骤2、如图4-5所示，采用喷墨打印的方法在所述TFT基板10的平坦层50上的第一通孔51中形成阳极61，所述阳极61与所述漏极42相接触。
优选的，所述步骤2的喷墨打印方法采用的打印材料为分散有纳米金属颗粒的水溶液。
优选的，所述纳米金属颗粒包括纳米银颗粒、纳米金颗粒及纳米铜颗粒中的至少一种。
优选的，在所述平坦层50上还设有第二通孔52的情况下，所述步骤2还可以包括：在形成所述阳极61的同时，采用喷墨打印的方法在所述TFT基板10的平坦层50上的第二通孔52中形成导电层62。
具体的，所述导电层62可以为沟道遮蔽层，用于防止外界光线对所述有源层31的沟道区域进行照射，避免TFT的电学性能受到影响；或者所述导电层62还可以为顶栅极，使TFT具有双栅极结构。
步骤3、如图6所示，在所述阳极61上形成发光层70，在所述发光层70及平坦层50上形成阴极80。
至此，完成AMOLED器件的制作。
上述AMOLED器件的制作方法，采用喷墨打印的方法形成AMOLED器件的阳极，与传统的制作工艺相比，节省一道光罩，减少一道光刻制程，从而简化了AMOLED器件的制作工艺，降低生产成本。
请参阅图6，基于上述制作方法，本发明还提供一种AMOLED器件，包括：衬底20、设于所述衬底20上的栅极21、设于所述栅极21及衬底20上的栅极绝缘层30、设于所述栅极绝缘层30上且对应于所述栅极21上方的有源层31、设于所述有源层31及栅极绝缘层30上的刻蚀阻挡层40、设于所述刻蚀阻挡层40上的源极41与漏极42、设于所述源极41、漏极42及刻蚀阻挡层40上的平坦层50、设于所述平坦层50上且对应于所述漏极42上方的第一通孔51、设于所述第一通孔51内且与所述漏极42相接触的阳极61、设于所述阳极61上的发光层70、以及设于所述发光层70及平坦层50上的阴极80；
所述阳极61采用喷墨打印的方式形成，所述阳极61的材料包括纳米金属颗粒。
具体的，所述阳极61采用分散有纳米金属颗粒的水溶液喷墨打印形成；优选的，所述纳米金属颗粒包括纳米银颗粒、纳米金颗粒及纳米铜颗粒中的至少一种。
优选的，所述第一通孔51的孔壁的表面具有亲水性，所述漏极42上被所述第一通孔51暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层50上位于所述第一通孔51周边的区域的表面具有疏水性。
具体的，所述平坦层50上还可以设有第二通孔52，所述第二通孔52对应于所述有源层31上方设置，暴露出刻蚀阻挡层40的一部分；所述第二通孔52内设有导电层62，所述导电层62与所述阳极61在同一制程中形成，材料相同。
优选的，所述第二通孔52的孔壁的表面具有亲水性，所述刻蚀阻挡层40上被所述第二通孔52暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层50上位于所述第二通孔52周边的区域的表面具有疏水性。
优选的，所述平坦层50上除所述第一通孔51与第二通孔52以外的区域的表面都具有疏水性。
具体的，所述导电层62可以为沟道遮蔽层，用于防止外界光线对所述有源层31的沟道区域进行照射，避免TFT的电学性能受到影响；或者所述导电层62还可以为顶栅极，使TFT具有双栅极结构。
具体的，所述刻蚀阻挡层40设有分别对应于所述有源层31两侧的第三通孔45与第四通孔46，所述源极41、漏极42分别通过所述第三通孔45、第四通孔46与所述有源层31相接触。
上述AMOLED器件，其阳极通过喷墨打印的方法形成，制作工艺简单，生产成本低。
以上AMOLED器件及其制作方法中，除阳极61与导电层62外，其余结构层的材料为：
所述衬底20为玻璃基板或塑料基板；
所述栅极21、源极41及漏极42的材料为金属，优选的，所述金属包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)中的至少一种；
所述栅极绝缘层30与刻蚀阻挡层40的材料分别包括氧化硅与氮化硅的至少一种；
所述有源层31的材料包括非晶硅、多晶硅及金属氧化物半导体中的至少一种；
所述平坦层50的材料为有机绝缘材料；
所述发光层70的材料为有机发光材料；
所述阴极80的材料包括金属及导电金属氧化物中的至少一种。
综上所述，本发明提供一种AMOLED器件及其制作方法。本发明的AMOLED器件的制作方法，采用喷墨打印的方法形成AMOLED器件的阳极，与传统的制作工艺相比，节省一道光罩，减少一道光刻制程，从而简化了AMOLED器件的制作工艺，降低生产成本。本发明的AMOLED器件，其阳极通过喷墨打印的方法形成，制作工艺简单，生产成本低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板(10)，所述TFT基板(10)包括衬底(20)、设于所述衬底(20)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及衬底(20)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于所述栅极(21)上方的有源层(31)、设于所述有源层(31)及栅极绝缘层(30)上的刻蚀阻挡层(40)、设于所述刻蚀阻挡层(40)上的源极(41)与漏极(42)、设于所述源极(41)、漏极(42)及刻蚀阻挡层(40)上的平坦层(50)、以及设于所述平坦层(50)上且对应于所述漏极(42)上方的第一通孔(51)；所述第一通孔(51)至少暴露出所述漏极(42)的一部分；
步骤2、采用喷墨打印的方法在所述TFT基板(10)的平坦层(50)上的第一通孔(51)中形成阳极(61)，所述阳极(61)与所述漏极(42)相接触；
步骤3、在所述阳极(61)上形成发光层(70)，在所述发光层(70)及平坦层(50)上形成阴极(80)。
2.如权利要求1所述的AMOLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤2的喷墨打印方法采用的打印材料为分散有纳米金属颗粒的水溶液；所述纳米金属颗粒包括纳米银颗粒、纳米金颗粒及纳米铜颗粒中的至少一种。
3.如权利要求2所述的AMOLED器件的制作方法，其特征在于，所述第一通孔(51)的孔壁的表面具有亲水性，所述漏极(42)上被所述第一通孔(51)暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层(50)上位于所述第一通孔(51)周边的区域的表面具有疏水性。
4.如权利要求2所述的AMOLED器件的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，所述平坦层(50)上还设有第二通孔(52)，所述第二通孔(52)对应于所述有源层(31)上方设置，暴露出刻蚀阻挡层(40)的一部分；
所述步骤2还包括：在形成所述阳极(61)的同时，采用喷墨打印的方法在所述TFT基板(10)的平坦层(50)上的第二通孔(52)中形成导电层(62)；所述导电层(62)为沟道遮蔽层或者顶栅极。
5.如权利要求4所述的AMOLED器件的制作方法，其特征在于，所述第二通孔(52)的孔壁的表面具有亲水性，所述刻蚀阻挡层(40)上被所述第二通孔(52)暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层(50)上位于所述第二通孔(52)周边的区域的表面具有疏水性。
6.一种AMOLED器件，其特征在于，包括：衬底(20)、设于所述衬底(20)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)及衬底(20)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应于所述栅极(21)上方的有源层(31)、设于所述有源层(31)及栅极绝缘层(30)上的刻蚀阻挡层(40)、设于所述刻蚀阻挡层(40)上的源极(41)与漏极(42)、设于所述源极(41)、漏极(42)及刻蚀阻挡层(40)上的平坦层(50)、设于所述平坦层(50)上且对应于所述漏极(42)上方的第一通孔(51)、设于所述第一通孔(51)内且与所述漏极(42)相接触的阳极(61)、设于所述阳极(61)上的发光层(70)、以及设于所述发光层(70)及平坦层(50)上的阴极(80)；
所述阳极(61)采用喷墨打印的方式形成，所述阳极(61)的材料包括纳米金属颗粒。
7.如权利要求6所述的AMOLED器件，其特征在于，所述阳极(61)采用分散有纳米金属颗粒的水溶液喷墨打印形成；所述纳米金属颗粒包括纳米银颗粒、纳米金颗粒及纳米铜颗粒中的至少一种。
8.如权利要求7所述的AMOLED器件，其特征在于，所述第一通孔(51)的孔壁的表面具有亲水性，所述漏极(42)上被所述第一通孔(51)暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层(50)上位于所述第一通孔(51)周边的区域的表面具有疏水性。
9.如权利要求7所述的AMOLED器件，其特征在于，所述平坦层(50)上还设有第二通孔(52)，所述第二通孔(52)对应于所述有源层(31)上方设置，暴露出刻蚀阻挡层(40)的一部分；所述第二通孔(52)内设有导电层(62)，所述导电层(62)与所述阳极(61)在同一制程中形成，材料相同；所述导电层(62)为沟道遮蔽层或者顶栅极。
10.如权利要求9所述的AMOLED器件，其特征在于，所述第二通孔(52)的孔壁的表面具有亲水性，所述刻蚀阻挡层(40)上被所述第二通孔(52)暴露的区域的表面具有亲水性，所述平坦层(50)上位于所述第二通孔(52)周边的区域的表面具有疏水性。
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