CN111987242A - Oled面板的制作方法及显示装置 - Google Patents

Oled面板的制作方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111987242A
CN111987242A CN202010775524.3A CN202010775524A CN111987242A CN 111987242 A CN111987242 A CN 111987242A CN 202010775524 A CN202010775524 A CN 202010775524A CN 111987242 A CN111987242 A CN 111987242A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
anode layer
baking
forming
silver paste
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010775524.3A
Other languages
English (en)
Inventor
陈小童
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Original Assignee
TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd filed Critical TCL Huaxing Photoelectric Technology Co Ltd
Priority to CN202010775524.3A priority Critical patent/CN111987242A/zh
Publication of CN111987242A publication Critical patent/CN111987242A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H10K71/611—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes using printing deposition, e.g. ink jet printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请提供了一种OLED面板的制作方法及显示装置。所述方法包括步骤：提供一薄膜晶体管基板；在所述薄膜晶体管基板上形成一平坦化层；在所述平坦化层上形成一层纳米银浆；通过烘烤形成阳极层；以及在所述阳极层上依次形成后续的结构。本申请采用银浆或纳米银浆，用丝网印刷或涂布的方式，并利用银浆或纳米银浆液体的流动性，将平坦化层的孔填平，以形成目标图形，再通过烘烤形成导电阳极层，如此可以避免连接阳极驱动的孔附近因溶质富集而导致阳极层的膜层增厚以及影响面板显示品质。

Description

OLED面板的制作方法及显示装置
技术领域
本申请属于显示面板技术领域，尤其涉及一种OLED面板的制作方法及显示装置。
背景技术
有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)相对于液晶显示器(LCD)，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。目前，OLED的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程两种。其中，蒸镀制程在小尺寸应用较为成熟，该技术已经应用于量产中，而溶液制程主要包括了喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等OLED成膜方式。其中，喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化，被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。
随着人们对显示器件的性能要求的提高，显示器件的开口率被要求达到30％或者更大，因此用于连接阳极驱动的孔被设计进入发光区域。喷墨打印的溶液在干燥工艺过程中，溶液中的溶质富集并同步向阳极孔附近层移动，干燥结束后，靠近PLN孔附近的膜厚更厚且因溶质富集导致靠近阳极驱动的孔处干燥不佳，极易形成黑线或者小黑点，从而影响面板显示品质。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种OLED面板的制作方法，包括步骤：提供一薄膜晶体管基板；在所述薄膜晶体管基板上形成一平坦化层；在所述平坦化层上形成一层纳米银浆；通过烘烤形成阳极层；以及在所述阳极层上依次形成后续的结构。
进一步地，所述纳米银浆的溶质为银浆，所述纳米银浆的浓度为5％至20％。
进一步地，所述纳米银浆的溶剂还包括：分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂。
进一步地，所述纳米银浆的溶剂包括：水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油其中的一种或多种。
进一步地，在通过烘烤形成阳极层的步骤中，进一步包括步骤：对所述阳极层进行第一阶段烘烤；对所述阳极层进行第二阶段烘烤；以及对所述阳极层进行冷切。
进一步地，所述第一阶段烘烤的条件为，压力为10-100mTorr，烘烤的温度不超过100℃，烘烤的时间低于1小时；所述第二阶段烘烤的条件为，压力为10-100mTorr，烘烤的温度不超过100℃至200℃，烘烤的时间低于1小时至3小时；冷切的时间为20分钟至40分钟。
进一步地，在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中，进一步包括步骤：在所述阳极层上形成氧化铟锡层。
进一步地，在所述阳极层上形成氧化铟锡层的步骤之后，还包括步骤：在温度为220℃至250℃，对所述氧化铟锡层进行烘烤0.5小时至1.5小时。
进一步地，在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中，进一步包括步骤：在所述平坦化层上形成第一像素定义层；以及在所述第一像素定义层上形成第二像素定义层。
根据本申请的另一方面，本申请提供了一种显示装置，包括一显示面板，所述显示面板由上述任一所述的OLED面板的制作方法制作而成。
本申请采用银浆或纳米银浆，用丝网印刷或涂布的方式，并利用银浆或纳米银浆液体的流动性，将平坦化层的孔填平，以形成目标图形，再通过烘烤形成导电阳极层，如此可以避免连接阳极驱动的孔附近因溶质富集而导致阳极层的膜层增厚以及影响面板显示品质。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1、为本申请一实施例所提供的一种OLED面板的制作方法步骤流程图。
图2、为本申请所述实施例所提供的步骤S140的子步骤流程图。
图3、为本申请所述实施例所提供的步骤S150的子步骤流程图。
图4、为本申请所述实施例所提供的步骤S110的工艺流程图。
图5、为本申请所述实施例所提供的步骤S120的工艺流程图。
图6、为本申请所述实施例所提供的步骤S130的工艺流程图。
图7、为本申请所述实施例所提供的步骤S151的工艺流程图。
图8、为本申请所述实施例所提供的步骤S152的工艺流程图。
图9、为本申请所述实施例所提供的步骤S153的工艺流程图。
图10、为本申请另一实施例所提供一种显示装置结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本实施例中，所述模拟显示屏触摸单元与所述头部追踪单元连接，用于获取所述显示设备中的感应光标的移动路径。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
如图1所示，为本申请实施例所提供的OLED面板的制作方法步骤流程图，所述方法包括步骤：
结合参阅图4，步骤S110：提供一薄膜晶体管基板10。
在本申请实施例中，所述薄膜晶体管基板10包括：玻璃基板、缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层、源漏电极层、钝化层。
结合参阅图5，步骤S120：在所述薄膜晶体管基板10上形成一平坦化层20。
在本申请实施例中，通过涂布平坦化层20，并进行曝光，显影以及灰化形成图5所示的图案。
结合参阅图5，步骤S130：在所述平坦化层20上形成一层纳米银浆。
在本申请实施例中，所述纳米银浆的溶质为银浆，所述纳米银浆的浓度为5％至20％。所述纳米银浆的溶剂还包括：分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂。所述纳米银浆的溶剂包括：水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油其中的一种或多种。利用银浆或纳米银浆液体的流动性，将平坦化层20的孔填平，以形成目标图形。
参阅图2和图6，步骤S140：通过烘烤形成阳极层30。
在本申请实施例中，所述步骤S140具体包括如下步骤：
步骤S141：对所述阳极层30进行第一阶段烘烤。
在本申请实施例中，所述第一阶段烘烤的条件为，压力为10-100mTorr，烘烤的温度不超过100℃，烘烤的时间低于1小时。通过第一阶段烘烤，可以将所述纳米银浆的溶剂逐渐去除。
步骤S142：对所述阳极层30进行第二阶段烘烤。
在本申请实施例中，所述第二阶段烘烤的条件为，压力为10-100mTorr，烘烤的温度不超过100℃至200℃，烘烤的时间低于1小时至3小时。通过第二阶段烘烤，可以将所述纳米银浆硬化，以形成相应的结构。
步骤S143：对所述阳极层30进行冷切。
在本申请实施例中，冷切的时间为20分钟至40分钟。通过所述冷切操作，使得所述阳极层30迅速降温。
步骤S150：在所述阳极层30上依次形成后续的结构。
在本申请实施例中，请参阅图3，步骤S150具体包括如下步骤：
参阅图7，步骤S151：在所述阳极层30上形成氧化铟锡层40。
在本申请实施例中，为了匹配出更好的发光效果，在所述阳极层30上用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，简称PVD)溅镀一层氧化铟锡膜层。通过涂布光阻、曝光、显影、刻蚀，再在温度为220℃至250℃下，烘烤0.5小时至1.5小时，形成所述氧化铟锡层40。
结合参阅图8，步骤S152：在所述平坦化层20上形成第一像素定义层50。
在本申请实施例中，涂布一层第一像素定义层50，并对第一像素定义层50进行曝光、显影以及灰化处理。
结合参阅图9，步骤S153：在所述第一像素定义层50上形成第二像素定义层60。
在本申请实施例中，涂布一层第二像素定义层60，并对第二像素定义层60进行曝光、显影以及灰化处理。
本申请采用银浆或纳米银浆，用丝网印刷或涂布的方式，并利用银浆或纳米银浆液体的流动性，将平坦化层的孔填平，以形成目标图形，再通过烘烤形成导电阳极层，如此可以避免连接阳极驱动的孔附近因溶质富集而导致阳极层的膜层增厚以及影响面板显示品质。
如图10所示，为本申请实施例提供的显示装置结构示意图，所述显示装置300包括上述实施例所述的显示面板。
该显示装置300可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
当本实施例的显示装置300采用上述实施例所述的背光模组时，其显示效果更好。
当然，本实施例的显示装置300中还可以包括其他常规结构，如电源单元、显示驱动单元等。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种OLED面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
提供一薄膜晶体管基板；
在所述薄膜晶体管基板上形成一平坦化层；
在所述平坦化层上形成一层纳米银浆；
通过烘烤形成阳极层；以及
在所述阳极层上依次形成后续的结构。
2.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述纳米银浆的溶质为银浆，所述纳米银浆的浓度为5％至20％。
3.根据权利要求2所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述纳米银浆的溶剂还包括：分散剂、表面活性剂、交联剂、润湿剂或增稠剂。
4.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，所述纳米银浆的溶剂包括：水、水溶液、有机溶剂、无机溶剂、离子溶液、含盐溶液、超临界流体、油其中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在通过烘烤形成阳极层的步骤中，进一步包括步骤：
对所述阳极层进行第一阶段烘烤；
对所述阳极层进行第二阶段烘烤；以及
对所述阳极层进行冷切。
6.根据权利要求5所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，
所述第一阶段烘烤的条件为，压力为10-100mTorr，烘烤的温度不超过100℃，烘烤的时间低于1小时；
所述第二阶段烘烤的条件为，压力为10-100mTorr，烘烤的温度不超过100℃至200℃，烘烤的时间低于1小时至3小时；
冷切的时间为20分钟至40分钟。
7.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中，进一步包括步骤：
在所述阳极层上形成氧化铟锡层。
8.根据权利要求7所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述阳极层上形成氧化铟锡层的步骤之后，还包括步骤：
在温度为220℃至250℃，对所述氧化铟锡层进行烘烤0.5小时至1.5小时。
9.根据权利要求1所述的OLED面板的制作方法，其特征在于，在所述阳极层上依次形成后续的结构的步骤中，进一步包括步骤：
在所述平坦化层上形成第一像素定义层；以及
在所述第一像素定义层上形成第二像素定义层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括一显示面板，所述显示面板由如权利要求1至9任一所述的OLED面板的制作方法制作而成。
CN202010775524.3A 2020-08-05 2020-08-05 Oled面板的制作方法及显示装置 Pending CN111987242A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010775524.3A CN111987242A (zh) 2020-08-05 2020-08-05 Oled面板的制作方法及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010775524.3A CN111987242A (zh) 2020-08-05 2020-08-05 Oled面板的制作方法及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111987242A true CN111987242A (zh) 2020-11-24

Family

ID=73444495

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010775524.3A Pending CN111987242A (zh) 2020-08-05 2020-08-05 Oled面板的制作方法及显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111987242A (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1851905A (zh) * 2006-05-11 2006-10-25 广辉电子股份有限公司 主动元件阵列基板及其制造方法
TW200741294A (en) * 2006-04-25 2007-11-01 Quanta Display Inc Active device array substrate and fabricating method thereof
CN101075532A (zh) * 2007-06-19 2007-11-21 中原工学院 内凹型下栅控阶梯阴极结构的平板显示器及其制作工艺
CN101582359A (zh) * 2009-06-25 2009-11-18 彩虹集团公司 一种底栅型fed下板的制作方法
CN104124179A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 上海和辉光电有限公司 显示器件的封装工艺及装置
CN106033764A (zh) * 2015-03-11 2016-10-19 上海和辉光电有限公司 Oled面板反射层及其制作方法
CN106648210A (zh) * 2016-10-19 2017-05-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN107092399A (zh) * 2017-05-12 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板及其制作方法、触控显示装置
CN108232028A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置及其制备方法
US20180219054A1 (en) * 2016-09-09 2018-08-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Amoled device and manufacturing method thereof
CN108365132A (zh) * 2018-02-07 2018-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种顶发光oled基板及其制备方法、oled显示面板
CN108598121A (zh) * 2018-04-27 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种双面显示基板及其制作方法、驱动电路及其驱动方法
CN109103333A (zh) * 2018-09-30 2018-12-28 苏州钱正科技咨询有限公司 一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法
CN110993796A (zh) * 2019-12-05 2020-04-10 徐州吴瑞信息科技有限公司 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN111063747A (zh) * 2019-12-25 2020-04-24 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种低成本欧姆接触电极的制备方法及太阳电池
CN111463248A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200741294A (en) * 2006-04-25 2007-11-01 Quanta Display Inc Active device array substrate and fabricating method thereof
CN1851905A (zh) * 2006-05-11 2006-10-25 广辉电子股份有限公司 主动元件阵列基板及其制造方法
CN101075532A (zh) * 2007-06-19 2007-11-21 中原工学院 内凹型下栅控阶梯阴极结构的平板显示器及其制作工艺
CN101582359A (zh) * 2009-06-25 2009-11-18 彩虹集团公司 一种底栅型fed下板的制作方法
CN104124179A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 上海和辉光电有限公司 显示器件的封装工艺及装置
CN106033764A (zh) * 2015-03-11 2016-10-19 上海和辉光电有限公司 Oled面板反射层及其制作方法
US20180219054A1 (en) * 2016-09-09 2018-08-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Amoled device and manufacturing method thereof
CN106648210A (zh) * 2016-10-19 2017-05-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN107092399A (zh) * 2017-05-12 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板及其制作方法、触控显示装置
CN108232028A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示装置及其制备方法
CN108365132A (zh) * 2018-02-07 2018-08-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种顶发光oled基板及其制备方法、oled显示面板
CN108598121A (zh) * 2018-04-27 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 一种双面显示基板及其制作方法、驱动电路及其驱动方法
CN109103333A (zh) * 2018-09-30 2018-12-28 苏州钱正科技咨询有限公司 一种具有致密有机薄膜的光伏电池及其制备方法
CN110993796A (zh) * 2019-12-05 2020-04-10 徐州吴瑞信息科技有限公司 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN111063747A (zh) * 2019-12-25 2020-04-24 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种低成本欧姆接触电极的制备方法及太阳电池
CN111463248A (zh) * 2020-04-10 2020-07-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9508933B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) device, manufacturing method thereof and display device
US9627461B2 (en) Array substrate, its manufacturing method and display device
US9825256B2 (en) Display panel having a top surface of the conductive layer coplanar with a top surface of the pixel define layer
CN102106186B (zh) 有机电致发光显示面板
WO2018209977A1 (zh) 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置
CN1976084A (zh) 有机半导体薄膜晶体管及其制造方法
US9929183B2 (en) Array substrate, manufacturing method of array substrate and display device
US11289512B2 (en) Substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
US9793366B2 (en) Array substrate, method of fabricating the same, display panel and display device
US9698380B2 (en) Electroluminescence display device with a protective layer and fabrication method thereof
CN112310310A (zh) 有机发光二极管显示器及其制作方法
JPWO2013179355A1 (ja) 発光素子およびトランジスタ
US20210399256A1 (en) Array substrate, method of manufacturing the same, and display device
WO2020232915A1 (zh) 一种显示面板及其制作方法、智能终端
US9659975B2 (en) Fabrication methods of transparent conductive electrode and array substrate
CN107302061B (zh) Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US11239293B2 (en) Array substrate, display panel, display device and method for preparing array substrate
CN101740726A (zh) 有机电致发光器件及其制造方法
CN105097673A (zh) Tft基板结构的制作方法
CN111987242A (zh) Oled面板的制作方法及显示装置
US11705461B2 (en) Display substrate, manufacturing method thereof, display panel and display device
US11469394B2 (en) Array substrate having enhanced light extraction efficiency, preparation method therefor, and display device
CN111769138B (zh) 阵列基板及其制造方法
US20180090721A1 (en) Laminated substrate for oled, method for producing oled display device using the same, and oled display device
JP4780255B1 (ja) 電気化学表示素子

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201124

RJ01 Rejection of invention patent application after publication