CN112310310A - 有机发光二极管显示器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制作方法，包括：在衬底基板上制作辅助电极；对所述绝缘隔绝层进行图案化处理形成开口区；制作源极和漏极和金属牺牲层；制作钝化层和平坦层；制作阳极以及支撑层；对所述辅助电极区处的所述钝化层进行干法刻蚀，形成开口区，暴露出所述辅助电极；在所述辅助电极区处对所述金属牺牲层进行湿法刻蚀，形成底切结构，暴露出整个所述辅助电极；蒸镀有机发光层，在所述底切结构内部没有所述有机发光层；制作阴极，所述阴极部分覆盖所述辅助电极，所述阴极通过所述底切结构与所述辅助电极连接。

Description

有机发光二极管显示器及其制作方法

技术领域

本申请涉及一种显示器技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管显示器及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED)主要有可自主发光，可设置柔性屏，发光效率高，响应时间快等优点。与被动发光的液晶显示器(LCD)相比，自主发光的有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有响应速度快、对比度高、视角广等优点，并且容易实现柔性显示，因而被普遍应用。OLED显示器极有可能成为下一代显示技术的主流产品。目前OLED的阴极材料在实现较高透过率的同时，电阻都比较大，也即降低了其导电性，从而导致大尺寸OLED在显示时，产生较为严重的电压降(IR-drop)现象，现有的解决方式是增加辅助电极。

由于目前大尺寸OLED面板工作时显示中心与中心以外、四周边缘会有IR drop的问题(即压降导致最终的亮度不均)，因此需额外在背板上制作辅助电极，给压降较大的区域额外施加辅助，使整个面板工作时画面显示均一稳定。目前辅助电极的主要方案是在背板上制作底切结构，配合有机发光材料和阴极蒸镀角不同，使阴极与辅助源搭接，这种底切结构的制作并不容易，常见的是支撑柱，该支撑柱为一种有机材料，通过光刻完成，但是该支撑柱的成本高，以及本身是有机材料，形状稳定性不佳，对于大尺寸的量产良率有影响。而其他的底切结构的方案目前大都是理想结构模型，不具备量产实际。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本申请实施例提供一种有机发光二极管显示器及其制作方法，采用了新的底切结构，能够简化制程工序，提高生产效率。

本发明实施例提供了一种有机发光二极管显示器的制作方法，包括：

在衬底基板的绝缘隔绝层上制作辅助电极；

对所述绝缘隔绝层进行图案化处理，以使所述绝缘隔绝层形成开口区；

在所述绝缘隔绝层的开口区制作源极和漏极，在所述辅助电极上制作金属牺牲层；

制作钝化层和平坦层，对所述钝化层和所述平坦层进行图案化处理，在所述钝化层和所述平坦层上形成开口区；

制作阳极以及支撑层；

对所述辅助电极处的所述钝化层进行干法刻蚀，形成开口区，暴露出所述辅助电极；

在所述辅助电极区处对所述金属牺牲层进行湿法刻蚀，形成底切结构，暴露出整个所述辅助电极；

蒸镀有机发光层，其中所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极，在所述底切结构内部没有所述有机发光层；

在所述有机发光层上形成阴极，所述阴极部分覆盖所述辅助电极，所述阴极通过所述底切结构与所述辅助电极连接。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，在所述对所述钝化层和所述平坦层进行图案化处理中，在所述源极上方形成所述开口区，暴露出所述源极；在所述辅助电极上方形成所述开口区，暴露所述辅助电极上方的钝化层。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，所述阳极通过所述平坦层的所述开口区与所述源极相连接；所述支撑层设置在所述阳极的两侧以及所述金属牺牲层的上方。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，所述衬底基板包括玻璃基板和开关阵列层，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，所述薄膜晶体管为底发射薄膜晶体管或顶发射薄膜晶体管；所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或固相晶化薄膜晶体管。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，在所述辅助电极区处对所述金属牺牲层进行湿法刻蚀时，控制湿法刻蚀的时间，对所述金属牺牲层进行过度刻蚀，直至所述辅助电极全部暴露出来，在所述钝化层下方形成底切结构。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，所述辅助电极由透明导电层形成。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，在蒸镀有机发光层，其中所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极的步骤包括：

通过控制所述有机发光层的蒸镀源的蒸镀角度，使得所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极，在所述底切结构没有所述有机发光层。

根据本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法，在蒸镀所述阴极，所述阴极部分覆盖所述辅助电极的步骤包括：

通过控制所述有阴极的蒸镀源的蒸镀角度，使得所述阴极完全覆盖所述有机发光层，所述阴极在所述底切结构内部分覆盖所述辅助电极。

本发明实施例还提供一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器包括：

衬底基板，所述衬底基板包括玻璃基板和开关阵列层，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管；

辅助电极，所述辅助电极为透明导电层，所述辅助电极设置在所述衬底基板上；

源极、漏极和金属牺牲层；

钝化层和平坦层，所述钝化层和所述平坦层具有开口区；

阳极和支撑层，所述阳极通过所述开口区与所述源极相连接；

有机发光层，所述有机发光层设置在所述支撑层和所述阳极上，所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极；

阴极，所述阴极设置在所述有机发光层上，所述阴极部分覆盖所述辅助电极，并与所述辅助电极相连接；

其中，在所述辅助电极区具有底切结构，所述底切结构经过干法刻蚀掉所述钝化层，经过湿法刻蚀掉所述金属牺牲层而形成的；所述阴极在所述底切结构内与所述辅助电极相连接。

本发明的有益效果为：本发明实施例所提供的一种有机发光二极管显示器及其制作方法，通过在衬底基板的绝缘隔绝层上制作辅助电极，并制作辅助电极的图案化；对所述绝缘隔绝层进行图案化处理，使所述绝缘隔绝层形成开口区，在所述绝缘隔绝层的开口区制作源极和漏极，在所述辅助电极上制作金属牺牲层；然后在继续完成钝化层、平坦层、阳极以及支撑层的制作；然后通过使用刻蚀技术中，干法刻蚀的各向异性性质以及湿法刻蚀的各向同性的性质，完成位于辅助电极区的所述钝化层的干法刻蚀，然后利用湿法刻蚀的各向同性的性质将所述金属牺牲层刻蚀，并让所述金属牺牲层过度刻蚀，与所述钝化层、所述平坦层以及所述支撑层形成底切结构。由于所述钝化层以及所述金属牺牲层为无机材料，因此对于形成的底切结构形状的稳定性有保障。在后续的有机发光层的蒸镀以及阴极的蒸镀时，相应的调整蒸镀角度，可以使阴极通过所述底切结构与所述辅助电极相连接，从而完成辅助结构。在本发明实施例中通过设计制作新的底切结构，形成特殊的辅助电极方式，从而解决大尺寸OLED背板点亮时的电压降问题。在解决电压降问题的同时，还简化了制程工艺，提高了生产效率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第一步结构示意图；

图2为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第二步结构示意图；

图3为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第三步结构示意图；

图4为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第四步结构示意图；

图5为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第五步结构示意图；

图6为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第六步结构示意图；

图7为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第七步结构示意图；

图8为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第八步结构示意图；

图9为本实施例的有机发光二极管显示器的制作方法的第九步结构示意图；

图10为本实施例的有机发光二极管显示器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1-图9，为本发明实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法的示意图。

本实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法包括：

S1、在衬底基板10的绝缘隔绝层1021上制作辅助电极20；

例如，如图1所示，在衬底基板10的绝缘隔绝层1021上制作辅助电极20，在本实施例中，所述衬底基板10包括玻璃基板101和开关阵列层102，所述开关阵列层102包括多个薄膜晶体管。其中，所述薄膜晶体管为底发射薄膜晶体管或顶发射薄膜晶体管；所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或固相晶化薄膜晶体管等其他薄膜晶体管。所述辅助电极20由透明导电层形成。

S2、对所述绝缘隔绝层1021进行图案化处理，以使所述绝缘隔绝层1021形成开口区1022；

例如，如图2所示，对所述衬底基板10的所述绝缘隔绝层1021进行图案化处理，使得所述绝缘隔绝层1021形成开口区1022，所述开口区1022为过孔，所述开口区1022用于连接源极和漏极。

S3、在所述绝缘隔绝层1021的所述开口区1022制作源极302和漏极301，在所述辅助电极20上制作金属牺牲层303；

例如，如图3所示，在所述绝缘隔绝层1021的所述开口区1022制作源极302和漏极301，使得所述源极302和所述漏极301与下方的开关阵列层102相连接。在所述辅助电极20上制作金属牺牲层303，所述金属牺牲层303部分覆盖所述辅助电极20。

S4、制作钝化层40和平坦层50，对所述钝化层40和所述平坦层50进行图案化处理，在所述钝化层40和所述平坦层50上形成开口区501；

例如，如图4所示，制作钝化层40，所述钝化层40覆盖所述源极302、所述漏极301、所述辅助电极20以及所述金属牺牲层303；在所述钝化层40上制作所述平坦层50，所述平坦层50覆盖所述钝化层40。然后对所述钝化层40和所述平坦层50进行图案化处理，使得在所述钝化层40和所述平坦层50上形成开口区501，所述开口区501暴露出所述源极302。在所述辅助电极20上方形成另一开口区502，所述另一开口区502暴露所述辅助电极20上方的钝化层40。所述钝化层40和所述平坦层50可以是通过化学气相沉积方式沉积得到的，所述平坦层50为有机材料，其材料可以为聚酰亚胺材料。

S5、制作阳极601以及支撑层602；

例如，如图5所示，在所述平坦层50上方制作一层阳极601，所述阳极601材料为ITO-Ag-ITO，所述阳极601通过所述平坦层50的所述开口区501与所述源极302相连接。所述支撑层602设置在所述阳极601的两侧以及所述金属牺牲层303的上方。

S6、对所述辅助电极20处的所述钝化层40进行干法刻蚀，形成开口区603，暴露出所述辅助电极20；

例如，如图6所示，对所述辅助电极20处的所述钝化层40进行干法刻蚀，由于干法刻蚀具有各向异性的特性，位于所述辅助电极20处的所述钝化层40被刻蚀掉，形成开口区603，暴露出位于所述钝化层40下方的部分所述辅助电极20。

S7、在所述辅助电极20处对所述金属牺牲层303进行湿法刻蚀，形成底切结构70，暴露出整个所述辅助电极20；

例如，如图7所示，将位于所述辅助电极20处的所述金属牺牲层303进行湿法刻蚀，由于湿法刻蚀具有各向同性的性质，控制湿法刻蚀的时间，对所述金属牺牲层303进行过度刻蚀，直至被所述金属牺牲层303所覆盖的所述辅助电极20全部暴露出来。因此，经过干法刻蚀对所述钝化层40的处理以及湿法刻蚀对所述金属牺牲层303的处理，在所述辅助电极20处形成一个底切结构70。

S8、蒸镀有机发光层80，其中所述有机发光层80部分覆盖所述辅助电极20，在所述底切结构70内部没有所述有机发光层80；

例如，如图8所示，蒸镀有机发光层80，所有机发光层80覆盖所述支撑层602、所述阳极601以及部分覆盖所述辅助电极20。所述有机发光层80部分覆盖所述辅助电极20的步骤包括：

通过控制所述有机发光层80的蒸镀源的蒸镀角度，使得所述有机发光层80部分覆盖所述辅助电极20，在所述底切结构70没有所述有机发光层80。

S9、在所述有机发光层80上形成阴极90，所述阴极90部分覆盖所述辅助电极20，所述阴极90通过所述底切结构70与所述辅助电极20连接。

例如，如图9所示，在所述有机发光层80上蒸镀阴极材料以形成阴极90。在蒸镀所述阴极90时，所述阴极90部分覆盖所述辅助电极20的步骤包括：

通过控制所述有阴极90的蒸镀源的蒸镀角度，使得所述阴极90完全覆盖所述有机发光层80，所述阴极90在所述底切结构70内部分覆盖所述辅助电极20，以此来实现与所述辅助电极20的连接。

本实施例所提供的有机发光二极管显示器的制作方法可以应用在蒸镀背板上，也可以应用在喷墨打印背板上，在此不做限定，可以根据实际情况决定。

本发明实施例还提供一种有机发光二极管显示器，所述有机发光二极管显示器是使用了上述实施例的有机发光二极管显示器的制作方法所制成的。如图10所示，所述有机发光二极管显示器包括：

衬底基板10，所述衬底基板10包括玻璃基板101和开关阵列层102，所述开关阵列层102包括多个薄膜晶体管；

辅助电极20，所述辅助电极20为透明导电层，所述辅助电极20设置在所述衬底基板10上；

源极302、漏极301和金属牺牲层303；

钝化层40和平坦层50，所述钝化层40和所述平坦层50具有开口区；

阳极601和支撑层602，所述阳极601通过所述开口区与所述源极302相连接；

有机发光层80，所述有机发光层80设置在所述支撑层602和所述阳极601上，所述有机发光层80部分覆盖所述辅助电极20；

阴极90，所述阴极90设置在所述有机发光层80上，所述阴极90部分覆盖所述辅助电极20，并与所述辅助电极20相连接；

其中，在所述辅助电极20处具有底切结构70，所述底切结构70经过干法刻蚀掉所述钝化层40，经过湿法刻蚀掉所述金属牺牲层303而形成的；所述阴极90在所述底切结构70内与所述辅助电极20相连接。

本发明实施例所提供的一种有机发光二极管显示器及其制作方法，通过在衬底基板的绝缘隔绝层上制作辅助电极，并制作辅助电极的图案化；对所述绝缘隔绝层进行图案化处理，使所述绝缘隔绝层形成开口区，在所述绝缘隔绝层的开口区制作源极和漏极，在所述辅助电极上制作金属牺牲层；然后在继续完成钝化层、平坦层、阳极以及支撑层的制作；然后通过使用刻蚀技术中，干法刻蚀的各向异性性质以及湿法刻蚀的各向同性的性质，完成位于辅助电极区的所述钝化层的干法刻蚀，然后利用湿法刻蚀的各向同性的性质将所述金属牺牲层刻蚀，并让所述金属牺牲层过度刻蚀，与所述钝化层、所述平坦层以及所述支撑层形成底切结构。由于所述钝化层以及所述金属牺牲层为无机材料，因此对于形成的底切结构形状的稳定性有保障。在后续的有机发光层的蒸镀以及阴极的蒸镀时，相应的调整蒸镀角度，可以使阴极通过所述底切结构与所述辅助电极相连接，从而完成辅助结构。在本发明实施例中通过设计制作新的底切结构，形成特殊的辅助电极方式，从而解决大尺寸OLED背板点亮时的电压降问题。在解决电压降问题的同时，还简化了制程工艺，提高了生产效率。

以上对本申请实施例所提供的一种有机发光二极管显示器及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的绝缘隔绝层上制作辅助电极；

对所述绝缘隔绝层进行图案化处理，以使所述绝缘隔绝层形成开口区；

在所述绝缘隔绝层的开口区制作源极和漏极，在所述辅助电极上制作金属牺牲层；

制作钝化层和平坦层，对所述钝化层和所述平坦层进行图案化处理，在所述钝化层和所述平坦层上形成开口区；

制作阳极以及支撑层；

对所述辅助电极区处的所述钝化层进行干法刻蚀，形成开口区，暴露出所述辅助电极；

在所述辅助电极区处对所述金属牺牲层进行湿法刻蚀，形成底切结构，暴露出整个所述辅助电极；

蒸镀有机发光层，其中所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极，在所述底切结构内部没有所述有机发光层；

在所述有机发光层上形成阴极，所述阴极部分覆盖所述辅助电极，所述阴极通过所述底切结构与所述辅助电极连接。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在所述对所述钝化层和所述平坦层进行图案化处理中，在所述源极上方形成所述开口区，暴露出所述源极；在所述辅助电极上方形成所述开口区，暴露所述辅助电极上方的钝化层。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述阳极通过所述平坦层的所述开口区与所述源极相连接；所述支撑层设置在所述阳极的两侧以及所述金属牺牲层的上方。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述衬底基板包括玻璃基板和开关阵列层，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管为底发射薄膜晶体管或顶发射薄膜晶体管；所述薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管或固相晶化薄膜晶体管。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在所述辅助电极区处对所述金属牺牲层进行湿法刻蚀时，控制湿法刻蚀的时间，对所述金属牺牲层进行过度刻蚀，直至所述辅助电极全部暴露出来，在所述钝化层下方形成底切结构。

7.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述辅助电极由透明导电层形成。

8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在蒸镀有机发光层，其中所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极的步骤包括：

通过控制所述有机发光层的蒸镀源的蒸镀角度，使得所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极，在所述底切结构没有所述有机发光层。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，在蒸镀所述阴极，所述阴极部分覆盖所述辅助电极的步骤包括：

通过控制所述有阴极的蒸镀源的蒸镀角度，使得所述阴极完全覆盖所述有机发光层，所述阴极在所述底切结构内部分覆盖所述辅助电极。

10.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器包括：

衬底基板，所述衬底基板包括玻璃基板和开关阵列层，所述开关阵列层包括多个薄膜晶体管；

辅助电极，所述辅助电极为透明导电层，所述辅助电极设置在所述衬底基板上；

源极、漏极和金属牺牲层；

钝化层和平坦层，所述钝化层和所述平坦层具有开口区；

阳极和支撑层，所述阳极通过所述开口区与所述源极相连接；

有机发光层，所述有机发光层设置在所述支撑层和所述阳极上，所述有机发光层部分覆盖所述辅助电极；

阴极，所述阴极设置在所述有机发光层上，所述阴极部分覆盖所述辅助电极，并与所述辅助电极相连接；

其中，在所述辅助电极区具有底切结构，所述底切结构经过干法刻蚀掉所述钝化层，经过湿法刻蚀掉所述金属牺牲层而形成的；所述阴极在所述底切结构内与所述辅助电极相连接。

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