CN112289945B - 显示面板及显示面板制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及显示面板制作方法，所述显示面板包括薄膜晶体管阵列层、辅助电极、垫高层、钝化层和像素定义层，所述垫高层设置于所述辅助电极上，所述钝化层上设置有第一开孔，所述第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部；在制作所述显示面板时，所述第一开孔的上述结构特征便于通过调整制作发光功能层的蒸镀角和制作阴极的蒸镀角，使发光功能层仅形成在纵向延伸部中，而不会完全遮盖所述辅助电极，并使阴极通过所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接，解决了现有技术中因发光功能层遮盖而导致阴极与辅助电极连接失效的问题。

Description

显示面板及显示面板制作方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板制作方法。

背景技术

OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示器具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、对比度高、宽视角等性能特点，以及可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优势，被业界认为最有发展潜力的显示器。

OLED显示器通常包括阵列基板及设置于阵列基板上的像素定义层；阵列基板中设置有薄膜晶体管器件，用于控制像素定义层的发光功能；像素定义层中设置有多个有机发光二极管器件，有机发光二极管器件是实现OLED显示器显示功能的关键元素；像素定义层包括阳极、设于阳极上的发光功能层、及设于发光功能层上的阴极，在阳极、发光功能层及阴极直接叠层的位置形成有机发光二极管器件；发光功能层和阴极均具有面型结构特征；面型的阴极厚度较薄，尺寸较大，从而表现出较大的电阻；阴极通电以后，电压在阴极上传导的过程中会产生明显的电压降，造成阴极上不同区域的电压不一致，进而影响显示的均匀性。现有技术解决阴极电压降问题的方法是：将阴极电性连接辅助电极，利用辅助电极来降低阴极的电阻。辅助电极通常设置于发光功能层和阴极的下层，在显示器制造过程中，通过蒸镀法形成面型的发光功能层之后，发光功能层会遮盖之后形成的阴极与辅助电极的搭接通道，造成阴极无法电性连接辅助电极，而使辅助电极失效。

发明内容

基于上述现有技中的不足，本申请提供一种显示面板及显示面板制作方法，通过在辅助电极上设置垫高层，使用于连通阴极和辅助电极的第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，所述第一开孔不会被发光功能层完全覆盖，从而保证了阴极与辅助电极连接通道的畅通，解决了现有技术中因发光功能层遮盖而导致阴极与辅助电极连接失败的问题。

本申请提供一种显示面板，包括：

薄膜晶体管阵列层；

辅助电极，设置于所述薄膜晶体管阵列层上；

垫高层，设置于所述辅助电极上，所述垫高层在所述薄膜晶体管层上的投影面积小于所述辅助电极在所述薄膜晶体管层上的投影面积；

钝化层，设置于所述薄膜晶体管层、所述辅助电极和所述垫高层上，所述钝化层上设置有第一开孔，所述第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部延伸至所述辅助电极的顶端，所述横向延伸部沿所述纵向延伸部的底部延伸至所述垫高层的侧端；

像素定义层，设置于所述钝化层上，包括阳极、设置于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极，所述阴极沿所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接。

根据本申请一实施例，所述横向延伸部使所述辅助电极、所述垫高层和所述钝化层之间形成侧凹形开孔，所述阴极伸入所述侧凹形开孔内。

根据本申请一实施例，所述发光功能层沿所述纵向延伸部延伸至所述辅助电极上。

根据本申请一实施例，制作所述垫高层的材料为氧化铟锌。

根据本申请一实施例，所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管，所述钝化层上还设置有第二开孔，所述阳极通过所述第二开孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接。

根据本申请一实施例，还包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的遮光层、设置于所述衬底基板上并覆盖所述遮光层的缓冲层、以及设置于所述像素定义层上的薄膜封装层，所述薄膜晶体管阵列层设置于所述缓冲层上。

本申请还提供一种显示面板制作方法，包括以下步骤：

制作薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层上制作辅助电极；

在所述辅助电极上制作垫高层，使所述垫高层在所述薄膜晶体管层上的投影面积小于所述辅助电极在所述薄膜晶体管层上的投影面积；

制作覆盖所述薄膜晶体管阵列层、所述辅助电极和所述垫高层的钝化层；

在所述钝化层上形成第一开孔，所述第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部延伸至所述辅助电极的顶端，所述横向延伸部沿所述纵向延伸部的底部延伸至所述垫高层的侧端；

在所述钝化层上制作像素定义层，所述像素定义层包括阳极、设置于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极，所述阴极沿所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接。

根据本申请一实施例，在所述钝化层上形成所述第一开孔的方法包括以下步骤：

通过第一道刻蚀制程，沿纵向在所述钝化层上形成所述纵向延伸部，使部分所述辅助电极及部分所述垫高层通过所述纵向延伸部暴露；

通过第二道刻蚀制程，沿横向对所述垫高层进行刻蚀，形成伸入所述钝化层内部的所述横向延伸部。

根据本申请一实施例，制作所述垫高层的材料为氧化铟锌，所述第二道刻蚀制程使用的刻蚀液草酸溶液。

根据本申请一实施例，

制作所述发光功能层的方法为蒸镀法，沿第一蒸镀角进行蒸镀，使形成所述发光功能层的材料沉积于所述纵向延伸部内；

制作所述阴极的方法为蒸镀法，沿第二蒸镀角进行蒸镀，使形成所述阴极的材料沉积于所述纵向延伸部和所述横向延伸部内。

本申请的有益效果是：本申请提供的显示面板及显示面板制作方法，通过在辅助电极上设置垫高层，使形成在钝化层上的第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，在制作所述显示面板时，便于通过调整制作发光功能层的蒸镀角和制作阴极的蒸镀角，使发光功能层仅形成在纵向延伸部中，而不会完全遮盖所述辅助电极，并使阴极通过所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接；正是因为所述第一开孔同时具有纵向延伸部和横向延伸部，形成的所述发光功能层不会完全覆盖所述第一开孔，从而保证了阴极与辅助电极连接通道的畅通，解决了现有技术中因发光功能层遮盖而导致阴极与辅助电极连接失效的问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的显示面板结构示意图；

图2是本申请实施例提供的显示面板的钝化层结构示意图；

图3是本申请实施例提供的显示面板制作方法流程图；

图3a是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作垫高层后的结构示意图；

图3b是本申请实施例提供的显示面板制作方法中对钝化层进行第一道刻蚀制程后的结构示意图；

图3c是本申请实施例提供的显示面板制作方法中对钝化层进行第二道刻蚀制程后的结构示意图；

图3d是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作发光功能层后的结构示意图；

图3e是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作阴极后的结构示意图；

图3f是本申请实施例提供的显示面板制作方法中制作薄膜封装层后的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本申请实施例提供一种显示面板，包括辅助电极和设置于辅助电极上的垫高层，在所述垫高层的作用下，使形成在钝化层上的第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，设置于像素定义层中的阴极通过所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接；正是因为所述第一开孔同时具有纵向延伸部和横向延伸部，在形成所述阴极之前形成的发光功能层不会完全覆盖所述第一开孔，从而保证了阴极与辅助电极连接通道的畅通，解决了现有技术中因发光功能层遮盖而导致阴极与辅助电极连接失败的问题。

如图1所示，是本申请实施例提供的显示面板结构示意图。所述显示面板包括薄膜晶体管阵列层20、设置于所述薄膜晶体管阵列层20上的辅助电极30、设置于所述辅助电极30上的垫高层40、设置于所述薄膜晶体管层20、所述辅助电极30和所述垫高层40上的钝化层50、以及设置于所述钝化层50上像素定义层60。

可选地，所述显示面板还包括衬底基板10、设置于所述衬底基板10上的遮光层71和第一极板72、设置于所述衬底基板10上并覆盖所述遮光层71的缓冲层70、设置于所述钝化层50上的平坦层80、以及设置于所述像素定义层60上的薄膜封装层90，所述薄膜晶体管阵列层20设置于所述缓冲层上，所述像素定义层60设置于所述平坦层80上。所述缓冲层70上还设置有第二极板21，所述第一极板72与所述第二极板21之间通过所述缓冲层70电性绝缘，所述第一极板72和所述第二极板21构成存储电容。

可选地，所述衬底基板10可以由玻璃等硬质材料制作而成，也可以由聚酰亚胺等柔性材料制作而成。所述遮光层71由不透光的金属材料制作而成，例如可以是钼、钛、铜等；所述第一极板72与所述遮光层71可以采用相同的材料制作。所述缓冲层70由氧化硅或氮化硅制作而成的单层会多层薄膜结构。

可选地，所述薄膜晶体管阵列层20包括多个薄膜晶体管20a；所述薄膜晶体管阵列层20包括设置于所述缓冲层70上的有源层22、设置于所述有源层22上的栅极绝缘层23、设置于所述栅极绝缘层23上的栅极24、设置于所述缓冲层70上并覆盖所述有源层22、所述栅极绝缘层23、所述栅极24的中间绝缘层27、以及设置于所述中间绝缘层27上的源极25和漏极26，其中所述源极25和所述漏极26通过设置于所述中间绝缘层27上的过孔与所述有源层22电性连接，所述漏极26通过所述中间绝缘层27和所述缓冲层70上的过孔与所述遮光层71电性连接。需要说明的是，所述有源层22、所述栅极绝缘层23、所述栅极24、所述中间绝缘层26、及所述阴阳极25共同构成所述薄膜晶体管20a。

可选地，所述辅助电极30设置于所述中间绝缘层27上。所述辅助电极30与所述源极25及所述漏极26处于同一金属层中，所述辅助电极30可以由钼、钛、铜等金属或合金制作而成。

所述垫高层40在所述薄膜晶体管层20上的投影面积小于所述辅助电极30在所述薄膜晶体管层20上的投影面积，从而使至少部分所述辅助电极30没有被所述垫高层40覆盖。可选地，所述垫高层40可以由氧化铟锌等材料制作而成，所述垫高层40容易被草酸等刻蚀液所刻蚀。

如图2所示，图2是本申请实施例提供的显示面板的钝化层结构示意图。所述钝化层50对应所述辅助电极30及所述垫高层40的位置设置有第一开孔51，所述第一开孔51具有纵向延伸部511和横向延伸部512，所述纵向延伸部511延伸至所述辅助电极30的顶端，所述横向延伸部512沿所述纵向延伸部511的底部延伸至所述垫高层40的侧端。应当理解的是，所述纵向延伸部511使所述辅助电极30暴露一部分区域，所述横向延伸部512沿平行于所述辅助电极30的方向进一步暴露所述辅助电极30，从而使所述辅助电极30从所述钝化层50中暴露较大的区域，便于与所述像素定义层60中的阴极形成电性连接。

进一步地，如图1及图2所示，所述横向延伸部512使所述辅助电极30、所述垫高层40和所述钝化层50之间形成侧凹形开孔。需要说明的是，在所述显示面板制程中，所述像素定义层60中的发光功能层62在制作时，通过调整发光功能层材料的蒸镀角度，使其不易沉积于所述横向延伸部512中，并保持所述纵向延伸部511和所述横向延伸部512之间的通道畅通；随后制作所述像素定义层60中的阴极63时，采用与发光功能层材料的蒸镀角度不同的蒸镀角进行阴极材料的蒸镀，使阴极材料更容易沿所述纵向延伸部511与所述横向延伸部512之间的通道沉积于所述横向延伸部512中，从而使所述阴极63伸入所述侧凹形开孔内，并与所述辅助电极30之间形成电性连接。

所述像素定义层60包括设置于所述平坦层80上的阳极61、设置于所述阳极61上的发光功能层62、及设置于所述发光功能层62上的阴极63，所述像素定义层60还包括界定层64，所述界定层64上设置有多个凹孔，所述阳极61、所述发光功能层62及所述阴极63在所述凹孔内直接叠层而形成发光结构60a；在所述凹孔外的区域，所述阳极61与所述发光功能层62之间被所述界定层64隔开，从而不形成所述发光结构60a。

进一步地，所述界定层64和所述平坦层80上均设置有与所述第一开孔51连通的开孔；所述发光功能层62沿所述界定层64和所述平坦层80上的开孔、及所述第一开孔51的所述纵向延伸部511延伸至所述辅助电极30上；所述阴极63沿所述界定层64和所述平坦层80上的开孔、及所述第一开孔51的所述纵向延伸部511和所述横向延伸部512延伸至所述辅助电极30上，并与所述辅助电极30电性连接。需要说明的是，在本申请实施例中，所述第一开孔51具有纵向延伸部511和横向延伸部512，在制作所述发光功能层62和所述阴极63时，可以采用不同的蒸镀角分别进行制作，使所述发光功能层62无法形成于所述横向延伸部512中，并使所述阴极63沿所述纵向延伸部511与所述横向延伸部512之间的通道制作，从而使所述阴极63与所述辅助电极30之间形成电性连接。

可选地，如图1和图2所示，所述钝化层50上还设置有第二开孔52，所述平坦层80上设置有与所述第二开孔52对应的开孔，所述阳极61通过所述平坦层80上的开孔、及所述第二开孔52与所述薄膜晶体管20a的漏极26电性连接，从而实现所述薄膜晶体管20a对所述发光结构60a的发光功能的控制。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板，包括辅助电极和设置于辅助电极上的垫高层，在所述垫高层的作用下，使形成在钝化层上的第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，在制作所述显示面板时，通过调整制作发光功能层的蒸镀角和制作阴极的蒸镀角，使发光功能层仅形成在纵向延伸部中，而不会完全遮盖所述辅助电极，并使阴极通过所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接；正是因为所述第一开孔同时具有纵向延伸部和横向延伸部，在形成所述阴极之前形成的发光功能层不会完全覆盖所述第一开孔，从而保证了阴极与辅助电极连接通道的畅通，解决了现有技术中因发光功能层遮盖而导致阴极与辅助电极连接失败的问题。

本申请实施例还提供一种显示面板制作方法，如图3所示，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：

步骤S1、参考图3a所示，制作薄膜晶体管阵列层20。

可选地，制作所述薄膜晶体管阵列层20之前还包括：在一衬底基板10上制作遮光层71和第一极板72；在所述衬底基板10上制作覆盖所述遮光层71和所述第一极板72的缓冲层70；所述缓冲层70上制作第二极板21，所述第一极板72与所述第二极板21之间形成存储电容。所述薄膜晶体管阵列层20制作于所述缓冲层70上。

可选地，所述薄膜晶体管阵列层20包括多个薄膜晶体管20a；所述薄膜晶体管阵列层20包括设置于所述缓冲层70上的有源层22、设置于所述有源层22上的栅极绝缘层23、设置于所述栅极绝缘层23上的栅极24、设置于所述缓冲层70上并覆盖所述有源层22、所述栅极绝缘层23、所述栅极24的中间绝缘层27、以及设置于所述中间绝缘层27上的源极25和漏极26，其中所述源极25和所述漏极26通过设置于所述中间绝缘层27上的过孔与所述有源层22电性连接，所述漏极26通过所述中间绝缘层27和所述缓冲层70上的过孔与所述遮光层71电性连接。需要说明的是，所述有源层22、所述栅极绝缘层23、所述栅极24、所述中间绝缘层26、及所述阴阳极25共同构成所述薄膜晶体管20a。

步骤S2、参考图3a所示，在所述薄膜晶体管阵列层20上制作辅助电极30。

可选地，所述辅助电极30设置于所述中间绝缘层27上；所述辅助电极30与所述源极25及所述漏极26可以通过同一道制作工艺制作而成，所述辅助电极30可以由钼、钛、铜等金属或合金制作而成。

步骤S3、参考图3a所示，在所述辅助电极30上制作垫高层40，使所述垫高层40在所述薄膜晶体管层20上的投影面积小于所述辅助电极30在所述薄膜晶体管层20上的投影面积。

可选地，制作所述垫高层40的方法为化学气相沉积法，所述垫高层40由氧化铟锌等材料制作而成。

步骤S4、参考图3b所示，制作覆盖所述薄膜晶体管阵列层20、所述辅助电极30和所述垫高层40的钝化层50。

可选地，所述钝化层50由氧化硅或氮化硅制作而成，形成的所述钝化层50的厚度为4000埃米～6000埃米。

步骤S5、参考图3b和图3c所示，在所述钝化层50上形成第一开孔51，所述第一开孔51具有纵向延伸部511和横向延伸部512，所述纵向延伸部511延伸至所述辅助电极30的顶端，所述横向延伸部512沿所述纵向延伸部511的底部延伸至所述垫高层40的侧端。

进一步地，在所述钝化层50上形成所述第一开孔51的方法包括以下步骤：

如图3b所示，通过第一道刻蚀制程，沿纵向在所述钝化层50上形成所述纵向延伸部511，使部分所述辅助电极30及部分所述垫高层40通过所述纵向延伸部511暴露；同时，通过所述第一道刻蚀制程，在所述钝化层50上形成第二开孔52，使所述漏极26通过所述第二开孔52暴露。

如图3c所示，通过第二道刻蚀制程，沿横向对所述垫高层40进行刻蚀，形成伸入所述钝化层50内部的所述横向延伸部512，进一步暴露所述辅助电极30。可选地，所述第二道刻蚀制程使用的刻蚀液为草酸溶液。

步骤S6、参考图3c、图3d和图3e所示，在所述钝化层50上制作像素定义层60，所述像素定义层60包括阳极61、设置于所述阳极61上的发光功能层62、及设置于所述发光功能层62上的阴极63，所述阴极63沿所述纵向延伸部511和所述横向延伸部512与所述辅助电极30电性连接。

进一步地，如图3c和图3d所示，制作所述发光功能层62的方法为蒸镀法，沿第一蒸镀角X进行蒸镀，使形成所述发光功能层62的材料沉积于所述纵向延伸部内511，而无法沉积于所述横向延伸部512内，并保持所述纵向延伸部511和所述横向延伸部512之间的通道畅通。

进一步地，如图3c和图3e所示，制作所述阴极63的方法为蒸镀法，沿第二蒸镀角Y进行蒸镀，使形成所述阴极63的材料沉积于所述纵向延伸部511和所述横向延伸部512内，进而使所述阴极63与所述辅助电极30之间形成电性连接。

可选地，制作所述像素定义层60之前，还包括在所述钝化层50上制作平坦层80，所述像素定义层60制作于所述平坦层80上。

可选地，所述像素定义层60还包括界定层64，所述界定层64上设置有多个凹孔，所述阳极61、所述发光功能层62及所述阴极63在所述凹孔内直接叠层，在所述凹坑外的区域，所述阳极61与所述发光功能层62之间被所述界定层64隔开。

可选地，所述界定层64和所述平坦层80上均设置有与所述第一开孔51连通的开孔，所述发光功能层62沿所述界定层64和所述平坦层80上的开孔、及所述第一开孔51的所述纵向延伸部511延伸至所述辅助电极30上；所述阴极63沿所述界定层64和所述平坦层80上的开孔、及所述第一开孔51的所述纵向延伸部511和所述横向延伸部512延伸至所述辅助电极30上，并与所述辅助电极30电性连接。所述平坦层80上设置有与所述第二开孔52连通的开孔，所述阳极61通过所述平坦层80上的开孔、及所述第二开孔52与所述薄膜晶体管20a的漏极26电性连接。

进一步地，如图3f所示，所述显示面板制作方法还包括在所述像素定义层60上制作薄膜封装层90的步骤。

综上所述，本申请实施例提供的显示面板制作方法，利用垫高层，在钝化层上制作具有纵向延伸部和横向延伸部的第一开孔，通过调整制作发光功能层的蒸镀角和制作阴极的蒸镀角，使发光功能层仅形成在纵向延伸部中，而不会完全遮盖所述辅助电极，并使阴极通过所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接；正是因为所述第一开孔同时具有纵向延伸部和横向延伸部，形成的发光功能层不会完全覆盖所述第一开孔，从而保证了阴极与辅助电极连接通道的畅通，解决了现有技术中因发光功能层遮盖而导致阴极与辅助电极连接失败的问题。

需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

薄膜晶体管阵列层；

辅助电极，设置于所述薄膜晶体管阵列层上；

垫高层，设置于所述辅助电极上，所述垫高层在所述薄膜晶体管层上的投影面积小于所述辅助电极在所述薄膜晶体管层上的投影面积；

钝化层，设置于所述薄膜晶体管层、所述辅助电极和所述垫高层上，所述钝化层上设置有第一开孔，所述第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部延伸至所述辅助电极的顶端，所述横向延伸部沿所述纵向延伸部的底部延伸至所述垫高层的侧端；

像素定义层，设置于所述钝化层上，包括阳极、设置于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极，所述阴极沿所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接；

其中，所述发光功能层在所述第一开孔內仅设置于所述纵向延伸部中，所述阴极在所述第一开孔內设置于所述纵向延伸部和所述横向延伸部中。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述横向延伸部使所述辅助电极、所述垫高层和所述钝化层之间形成侧凹形开孔，所述阴极伸入所述侧凹形开孔内。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光功能层沿所述纵向延伸部延伸至所述辅助电极上。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，制作所述垫高层的材料为氧化铟锌。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列层包括多个薄膜晶体管，所述钝化层上还设置有第二开孔，所述阳极通过所述第二开孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的遮光层、设置于所述衬底基板上并覆盖所述遮光层的缓冲层、以及设置于所述像素定义层上的薄膜封装层，所述薄膜晶体管阵列层设置于所述缓冲层上。

7.一种显示面板制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层上制作辅助电极；

在所述辅助电极上制作垫高层，使所述垫高层在所述薄膜晶体管层上的投影面积小于所述辅助电极在所述薄膜晶体管层上的投影面积；

制作覆盖所述薄膜晶体管阵列层、所述辅助电极和所述垫高层的钝化层；

在所述钝化层上形成第一开孔，所述第一开孔具有纵向延伸部和横向延伸部，所述纵向延伸部延伸至所述辅助电极的顶端，所述横向延伸部沿所述纵向延伸部的底部延伸至所述垫高层的侧端；

在所述钝化层上制作像素定义层，所述像素定义层包括阳极、设置于所述阳极上的发光功能层、及设置于所述发光功能层上的阴极，所述阴极沿所述纵向延伸部和所述横向延伸部与所述辅助电极电性连接；

其中，制作所述发光功能层的方法为蒸镀法，沿第一蒸镀角进行蒸镀，使形成所述发光功能层的材料沉积于所述纵向延伸部内；

制作所述阴极的方法为蒸镀法，沿第二蒸镀角进行蒸镀，使形成所述阴极的材料沉积于所述纵向延伸部和所述横向延伸部内。

8.根据权利要求7所述的显示面板制作方法，其特征在于，在所述钝化层上形成所述第一开孔的方法包括以下步骤：

通过第一道刻蚀制程，沿纵向在所述钝化层上形成所述纵向延伸部，使部分所述辅助电极及部分所述垫高层通过所述纵向延伸部暴露；

通过第二道刻蚀制程，沿横向对所述垫高层进行刻蚀，形成伸入所述钝化层内部的所述横向延伸部。

9.根据权利要求8所述的显示面板制作方法，其特征在于，制作所述垫高层的材料为氧化铟锌，所述第二道刻蚀制程使用的刻蚀液草酸溶液。

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