CN113871430A

CN113871430A - 显示面板及显示面板的制造方法、显示终端

Info

Publication number: CN113871430A
Application number: CN202111090449.8A
Authority: CN
Inventors: 唐甲
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2021-09-17
Filing date: 2021-09-17
Publication date: 2021-12-31
Also published as: WO2023039934A1

Abstract

本申请实施例公开了一种显示面板及显示面板的制造方法、显示终端。显示面板包括阵列基板、阵列设置于阵列基板上的发光器件，阵列基板包括辅助走线，发光器件包括第一电极，和设于第一电极上方的第二电极；其中，辅助走线为复合金属层结构，辅助走线的侧面开口形成底切结构，阵列基板具有一用于露出底切结构的凹槽，第二电极延伸至凹槽内，并通过接触底切结构内的部分金属层与辅助走线电性连接。本申请实施不需要额外增加制造工艺或光罩，就可以实现发光器件的第二电极与辅助走线的电性连接，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

Description

显示面板及显示面板的制造方法、显示终端

技术领域

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及显示面板的制造方法、显示终端。

背景技术

有机发光显示面板(OLED)已经广泛用于人们生活中，例如手机、电脑等的显示屏幕。随着显示技术的发展，大尺寸的有机发光显示面板(OLED)将逐渐应用，例如应用于电视等。然而，在大尺寸显示面板中，存在电压降的问题(IRdrop)，特别是发光器件的电极电压降的问题严重，导致显示面板各部位的电压不均匀，从而出现显示不均的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制造方法、显示终端，可以解决显示面板中发光器件的电极的电压降严重，显示面板各部位的电压不均匀，出现显示不均的问题。

本申请实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板、阵列设置于所述阵列基板上的发光器件，所述阵列基板包括辅助走线，所述发光器件包括第一电极，和设于所述第一电极上方的第二电极；

其中，所述辅助走线为复合金属层结构，所述辅助走线的侧面开口形成底切结构，所述阵列基板具有一用于露出所述底切结构的凹槽，所述第二电极延伸至所述凹槽内，并通过接触所述底切结构内的部分金属层与所述辅助走线电性连接。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助走线包括层叠设置的第一子金属层、第二子金属层、第三子金属层，所述第二子金属层相较于所述第一子金属层和所述第三子金属层内缩形成所述底切结构。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二电极接触连接所述辅助走线的第一子金属层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一电极与所述第二子金属层采用第一蚀刻液刻蚀，所述第一子金属层和所述第三子金属层采用第二蚀刻液刻蚀，所述第一蚀刻液不同于所述第二蚀刻液。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二电极和所述第二子金属层的材料包括铝、银、钼中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光器件包括设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光材料层，所述发光材料层避开所述底切结构设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏极层、栅极层、半导体层，所述源漏极层和所述栅极层中的其中之一与所述辅助走线位于同一层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述底切结构位于所述辅助走线的边缘。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述辅助走线包括连接块，所述连接块的宽度大于所述辅助走线其他部位的宽度，所述连接块包括通孔，所述凹槽露出所述通孔，所述底切结构位于所述连接块的通孔内。

本申请实施例还提供了一种显示面板的制造方法，包括如下制造步骤：

步骤S100：提供一基底，在所述基底上形成阵列基板的薄膜晶体管和辅助走线，在形成所述薄膜晶体管的源漏极层和栅极层中的其中之一时，同时形成所述辅助走线，所述辅助走线为复合金属层结构；

步骤S200：形成绝缘层，同时在所述绝缘层形成凹槽，所述凹槽露出所述辅助走线的边缘；

步骤S300：在所述绝缘层上形成第一金属层；

步骤S400：图案化所述第一金属层，同时形成发光器件的第一电极和所述凹槽内的辅助走线上的底切结构；

步骤S500：在所述第一电极上形成发光材料层，所述发光材料层避开所述底切结构设置；

步骤S600：在所发光材料层上形成所述发光器件的第二电极，所述第二电极通过接触所述底切结构内的部分所述复合金属层与所述辅助走线电性连接。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S400中，所述辅助走线包括层叠设置的第一子金属层、第二子金属层、第三子金属层，所述第二子金属层相较于所述第一子金属层和所述第三子金属层内缩形成所述底切结构。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S400中，所述第一电极与所述第二子金属层通过同一蚀刻液刻蚀，且刻蚀所述第一电极和所述第二子金属层时，所述第一子金属层和所述第三子金属层不被刻蚀。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤S500中，形成所述发光材料层的方法包括：

在所述第一电极上蒸镀形成发光材料层，所述发光材料层的材料的蒸镀方向与所述底切结构的开口方向一致；或

在所述第一电极上喷墨形成发光材料层，所述发光材料层的不覆盖所述凹槽。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述步骤S600中，形成所述第二电极的方法包括：在所述发光材料层上形成所述第二电极，所述第二电极的材料的溅射方向指向所述底切结构的开口方向。

相应的，本申请实施例还提供了一种显示终端，包括终端主体和如上述任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。

本申请实施例中，显示面板的结构简单，可以降低显示面板中发光器件的电压降，不需要额外增加制造工艺或光罩，就可以实现发光器件的第二电极与辅助走线的电性连接，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请一实施例提供的一种显示面板的截面示意图；

图2是本申请一实施例提供的底切结构在辅助走线上的第一种位置的示意图；

图3是本申请一实施例提供的底切结构在辅助走线上的第二种位置的示意图；

图4至图11是本申请一实施例提供的显示面板的制造方法的过程示意图；

图12是本申请一实施例提供的显示面板的制造方法的制造步骤示意图；

图13是本申请一实施例提供的显示终端的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供了一种显示面板，包括阵列基板、阵列设置于阵列基板上的发光器件，阵列基板包括辅助走线，发光器件包括第一电极，和设于第一电极上方的第二电极；其中，阵列基板包括至少一个凹槽，辅助走线为复合金属层结构，辅助走线包括至少一个底切结构，凹槽露出底切结构，第二电极通过接触底切结构内的部分复合金属层与辅助走线电性连接。

本申请实施例提供了一种显示面板及显示面板的制作方法、显示终端。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

实施例一、

请参阅图1，图1为本申请实施例提供的一种显示面板100的截面示意图。

本申请实施例提供了一种显示面板100，显示面板100包括阵列基板10、阵列设置于阵列基板10上的发光器件50，阵列基板10包括辅助走线188，发光器件50包括第一电极21，和设于第一电极21上方的第二电极24；其中，辅助走线188为复合金属层结构，辅助走线188的侧面开口形成底切结构31，阵列基板10具有一用于露出底切结构31的凹槽30，第二电极24延伸至凹槽30内，并通过接触底切结构31内的部分金属层与辅助走线188电性连接。

具体的，阵列基板10包括至少一个凹槽30，辅助走线188为复合金属层结构，辅助走线188包括至少一个底切结构31(如图中虚线圈所示)，凹槽30露出底切结构31，第二电极24通过接触底切结构31内的部分金属层与辅助走线188电性连接。

具体的，发光器件50设置于阵列基板10上，发光器件50包括第一电极21、第二电极24，以及夹设在第一电极21和第二电极24之间的发光材料层23。发光器件50的第二电极24与阵列基板10上的辅助走线188电性连接，发光器件50的第二电极24的厚度非常小，阻抗比较大，因此电压降非常大(IRdrop)，辅助走线188的阻抗较小，将第二电极24与辅助走线188电性连接，可以消除显示面板100中发光器件50中的电极的电压降，避免显示面板各部位的电压不均匀，防止出现显示不均的问题。

具体的，第二电极24通过接触底切结构31内的部分复合金属层与辅助走线188电性连接，第二电极24不需要单独制作连接电极就可以与辅助走线188电性连接，简化的显示面板100的结构，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

在一些实施例中，辅助走线188包括层叠设置的第一子金属层181、第二子金属层182、第三子金属层183，第二子金属层182相较于第一子金属层181和第三子金属层183内缩形成底切结构31。

具体的，辅助走线188包括多层金属结构，辅助走线188可以包括三层金属结构，辅助走线188包括叠设置的第一子金属层181、第二子金属层182、第三子金属层183，第二子金属层182相较于第一子金属层181和第三子金属层183内缩形成底切结构31，即在底切结构31中，第二子金属层182的宽度小于第一子金属层181的宽度和第三子金属层183的宽度。

具体的，辅助走线188为复合金属层结构，包括多层金属层结构，可以形成第二子金属层182相较于第一子金属层181和第三子金属层183内缩形成底切结构31，便于第二电极24电性连接辅助走线，第二电极24不需要单独制作连接电极就可以与辅助走线188电性连接，简化的显示面板100的结构，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

在一些实施例中，第二电极24接触连接辅助走线188的第一子金属层181。

具体的，第二电极24制作在发光材料层23之后，底切结构31中的第三子金属层183可以遮挡发光材料层23，防止发光材料层23形成在底切结构31内，以便第二电极24接触连接辅助走线188的第一子金属层181，使得第二电极24通过接触底切结构31内的第一子金属层181与辅助走线188电性连接。

在一些实施例中，第一电极21与第二子金属层182采用第一蚀刻液刻蚀，第一子金属层181和第三子金属层183采用第二蚀刻液刻蚀，第一蚀刻液不同于第二蚀刻液。

具体的，第一电极21与第二子金属层182采用同一蚀刻液刻蚀，在形成第一电极21时，可以用同一蚀刻液刻蚀第二子金属层182，同时第一子金属层181和第三子金属层183不被第一电极21的蚀刻液刻蚀，使得第二子金属层182内缩形成底切结构31，此外，在刻蚀形成第一电极21时同时形成底切结构31，不需要额外增加工艺或光罩，底切结构31的形成工艺简单，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

在一些实施例中，第二电极24和第二子金属层182的材料包括铝、银、钼中的至少一种。

具体的，第二电极24的可以为ITO、Ag、钼等材料的多层金属或合金，辅助走线188的材料可以为Ti/Al/Ti的三层金属结构，在现有显示面板100的材料使用基础上，就可以同时实现第二电极24的图案和底切结构31同时形成，不需要增加新的材料，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

具体的，第一电极21中包含Ag，辅助走线188的材料可以为Ti/Al/Ti的三层金属结构，由于第一电极21中的Ag的蚀刻液体系与Al的蚀刻液体系相同，Ag与Al蚀刻液体系均主要是硝酸、磷酸、醋酸等，蚀刻形成第一电极21时同时也会蚀刻辅助走线188的三层金属结构中的Al，Al被侧向刻蚀，形成开口189，从而形成底切结构31。

在一些实施例中，发光器件50包括设置于第一电极21和第二电极24之间的发光材料层23，发光材料层23避开底切结构31设置。

具体的，发光材料层23避开底切结构31设置，或发光材料层23不设置于底切结构31内，以方便第二电极24接触连接辅助走线188的第一子金属层181，使得第二电极24通过接触底切结构31内的第一子金属层181与辅助走线188电性连接。

具体的，可以通过蒸镀法形成发光材料层23，在第一电极21上蒸镀形成发光材料层23，发光材料层23的材料的蒸镀方向与底切结构31的开口189方向一致；此时，发光材料层23恰好没有覆盖底切结构31内的第一子金属层181。

具体的，可以通过喷墨法形成发光材料层23，在第一电极21上喷墨形成发光材料层23，发光材料层23不覆盖凹槽30。

在一些实施例中，阵列基板10包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源漏极层18、栅极层16、有源层14(半导体层)，源漏极层18和栅极层16中的其中之一与辅助走线188位于同一层。

具体的，源漏极层18和栅极层16中的其中之一与辅助走线188位于同一层，在形成源漏极层18或栅极层16时，同时形成了辅助走线188，不需要增加额外的工艺和光罩，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

下面结合图1详细描述一实施例中显示面板100的结构，显示面板100包括依次层叠设置的：基底11、遮光层12、缓冲层13、有源层14、栅极绝缘层15、栅极层16、第一绝缘层17、源漏极层18、第二绝缘层19、平坦层20、第一电极21、像素定义层22、发光材料层23、第二电极24，显示面板100的结构还可以包括覆盖在第二电极24上的封装层，显示面板100的层结构和层顺序不限于此，例如薄膜晶体管可以为顶栅结构或底栅结构，不做限定。

具体的，第一电极21可以为阳极，第二电极24可以为阴极。

在本申请实施例中，不需要额外增加制造工艺或光罩，就可以实现第二电极24与辅助走线188的电性连接，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

实施例二、

本申请实施例与上述实施例相同或相似，本实施例进一步描述了底切结构31的位置。

请参阅图2、图3，图2为本申请实施例提出的底切结构31在辅助走线188上的第一种位置的示意图，图3为本申请实施例提出的底切结构31在辅助走线188上的第二种位置的示意图。

在一些实施例中，如图2所示，底切结构31位于辅助走线188的边缘。

具体的，显示面板100包括多个子像素，例如包括红色子像素311、绿色子像素321和蓝色子像素331，辅助走线188设置于相邻子像素之间，底切结构31位于辅助走线188的边缘，第二电极24可以很好的与底切结构31相连，而不影响各个子像素的开口率或发光面积。

具体的，底切结构31位于辅助走线188的一个边缘或两个边缘，在此不限定。

具体的，辅助走线的宽度为W，底切结构31中的开口189的宽度为d，即第二子金属层182相对于第一子金属层181和第三子金属层183的单侧内缩宽度为d，则d小于或等于W*2/3，这样可以保持底切结构31的稳定性，即使得底切结构31稳定设置；其中，底切结构31中开口189的宽度d大于0.5μm，可以提供开口189内足够的第一子金属层181的宽度，以便于第二电极24与底切结构31内的第一子金属层181接触搭接。

具体的，为了保证底切结构的稳定性，第三子金属层183的厚度大于或等于300埃。

在一些实施例中，如图3所示，辅助走线188包括连接块32，连接块32的宽度大于辅助走线188其他部位的宽度，连接块32包括通孔33，凹槽30露出通孔33，底切结构31位于连接块32的通孔33内。

具体的，显示面板100包括多个子像素，例如包括红色子像素311、绿色子像素321和蓝色子像素331，辅助走线188设置于相邻子像素之间，辅助走线188包括连接块32，连接块32的宽度大于辅助走线188其他部位的宽度，连接块32包括通孔33，凹槽30露出通孔33，底切结构31位于连接块32的通孔33内。

具体的，辅助走线188设置于相邻子像素之间，第二电极24可以很好的与底切结构31相连，而不影响各个子像素的开口率或发光面积。此为，底切结构31位于辅助走线188的连接块32的通孔33内，侧面开口189的朝向可以是任一个侧面方向，这样就可以设置第二电极24在任一方向与底切结构31电性连接，提高了第二电极与底切结构31连接的便利性。

实施例三、

本申请实施例还提供了一种上述实施例中显示面板100的制造方法。

请参阅图4至图11，图4至图11为显示面板100的制造方法的过程示意图，其中，图4为辅助走线188的一种制造过程示意图，图5为平坦层20的制造过程示意图，图6、图7和图8为发光器件50的第一电极21的制造过程示意图，图9为像素定义层22的制造过程示意图，图10为发光材料层23的制造过程示意图，图11为发光器件50的第二电极24的制造过程示意图。

请参阅12，图12为本申请实施例提供的显示面板100的制造方法的制造步骤的示意图。

本实施例提供的显示面板100的制造方法包括制造步骤：步骤S100、步骤S200、步骤S300、步骤S400、步骤S500、步骤S600。

步骤S100：提供一基底11，在基底11上形成阵列基板的薄膜晶体管145和辅助走线188，在形成薄膜晶体管的源漏极层18和栅极层16中的其中之一时，同时形成辅助走线188，辅助走线188为复合金属层结构。

具体的，如图4所示，在基底11上形成薄膜晶体管145，薄膜晶体管145包括有源层14、栅极绝缘层15、栅极层16、源漏极层18，在形成栅极层16和源漏极层18其中之一时同时形成辅助走线188，栅极层16和源漏极层18的其中之一与辅助走线188同时图案化形成。图4示意辅助走线188与源漏极层18同层设置，同一工艺形成。

步骤S200：形成绝缘层，同时在绝缘层形成凹槽30，凹槽30露出辅助走线188的边缘。

具体的，如图4、图5所示，在薄膜晶体管145上形成绝缘层，绝缘层包括凹槽30，凹槽30露出辅助走线188的边缘，为后续形成底切结构31做准备。

步骤S300：如图6所示在绝缘层上形成第一金属层211。

具体的，第一金属层211在后续步骤中图案化形成发光器件50的第一电极21。

步骤S400：图案化第一金属层211，同时形成发光器件50的第一电极21和凹槽30内的辅助走线188上的底切结构31。

具体的，如图7、图8所示，图案化第一金属层211的蚀刻液可以同时蚀刻辅助走线188中复合金属层中的部分层，具体的为中间层。

具体的，在第一金属层211上形成图案化的光阻层40，图案化的光阻层40的形状与需要形成的第一电极21的形状对应或大致相同(图案化的光阻层40的图案覆盖需要形成的第一电极21的部位)。

具体的，第二电极24的可以为ITO、Ag等材料的多层金属或合金，辅助走线188的材料可以为Ti/Al/Ti的三层金属结构，在现有显示面板100的材料使用基础上，就可以同时实现第二电极24的图案和底切结构31同时形成，不需要增加新的材料，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

步骤S500：如图10所示，在第一电极上形成发光材料层23，发光材料层23避开底切结构31设置。

具体的，发光材料层23避开底切结构31设置，或发光材料层23不设置与底切结构31内，以方便第二电极24接触连接辅助走线188的第一子金属层181，使得第二电极24通过接触底切结构31内的第一子金属层181与辅助走线188电性连接。

具体的，如图9所示，在形成发光材料层23之前还包括形成像素定义层22。

步骤S600：如图11所示，在所发光材料层23上形成发光器件50的第二电极24，第二电极24通过接触底切结构31内的部分复合金属层与辅助走线188电性连接。

在一些实施例中，在步骤S400中，辅助走线188包括层叠设置的第一子金属层181、第二子金属层182、第三子金属层183，第二子金属层182相较于第一子金属层181和第三子金属层183内缩形成底切结构。

具体的，辅助走线188包括多层金属结构，辅助走线188可有包括三层金属结构，辅助走线188包括叠设置的第一子金属层181、第二子金属层182、第三子金属层183，第二子金属层182相较于第一子金属层181和第三子金属层183内缩形成底切结构31，即在底切结构31中，第二子金属层182的宽度小于第一子金属层181的宽度和第三子金属层183的宽度。

在一些实施例中，在步骤S400中，第一电极21与第二子金属层182层通过同一蚀刻液刻蚀，且刻蚀第一电极21和第二子金属层182时，第一子金属层181和第三子金属层183不被刻蚀。

在一些实施例中，步骤S500中，形成发光材料层23的方法包括：在第一电极21上蒸镀形成发光材料层23，发光材料层23的材料的蒸镀方向与底切结构31的开口189方向一致；或在第一电极21上喷墨形成发光材料层23，发光材料层23的不覆盖凹槽30。

具体的，也可以通过喷墨印刷的方法形成发光材料层23，在第一电极21上喷墨形成发光材料层23，发光材料层23的不覆盖凹槽30。

在一些实施例中，在步骤S600中，形成第二电极24的方法包括：在发光材料层23上形成第二电极24，第二电极24的材料的溅射方向指向底切结构31的开口189内。

具体的，第二电极24的材料的溅射方向指向底切结构31的开口189内部的方向，这样第二电极24可以直接同时形成在底切结构31的内部，并与第一子金属层181接触，从而将第二电极24与辅助走线188电性连接。

在本申请实施例提供的显示面板的制造方法中，源漏极层18和栅极层16中的其中之一与辅助走线188位于同一层，在形成源漏极层18或栅极层16时，同时形成了辅助走线188，不需要增加额外的工艺和光罩，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

在本申请实施例提供的显示面板的制造方法中，第一电极21与第二子金属层182采用第一蚀刻液刻蚀，在形成第一电极21时，可以用同一蚀刻液刻蚀第二子金属层182，同时第一子金属层181和第三子金属层183不被第一电极21的蚀刻液刻蚀，使得第二子金属层182内缩形成底切结构31，此外，在刻蚀形成第一电极21时同时形成底切结构31，不需要额外增加工艺或光罩，底切结构31的形成工艺简单，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

在本申请实施例提供的显示面板的制造方法中，发光材料层23避开底切结构31设置，或发光材料层23不设置于底切结构31内，以方便第二电极24接触连接辅助走线188的第一子金属层181，使得第二电极24通过接触底切结构31内的第一子金属层181与辅助走线188电性连接。

在本申请实施例提供的显示面板的制造方法中，第二电极24通过接触底切结构31内的部分复合金属层与辅助走线188电性连接，第二电极24不需要单独制作连接电极就可以与辅助走线188电性连接，简化的显示面板100的结构，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。辅助走线188为复合金属层结构，包括多层金属层结构，可以形成第二子金属层182相较于第一子金属层181和第三子金属层183内缩形成底切结构31，便于第二电极24电性连接辅助走线，第二电极24不需要单独制作连接电极就可以与辅助走线188电性连接，简化的显示面板100的结构，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

在本申请实施例提供的显示面板的制造方法中，不需要额外增加制造工艺或光罩，就可以实现发光器件50的第二电极24与辅助走线188的电性连接，简化了制作工艺，可以提升生产效率和节约成本。

实施例四、

本申请实施例还提供了一种显示终端1000，包括终端主体1001和上述实施例所述的任一项的显示面板100，终端主体1001与显示面板100组合为一体。

请参阅图13，图13为本申请实施例提供的显示终端1000的示意图。

以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制造方法、显示终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims

1.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板、阵列设置于所述阵列基板上的发光器件，所述阵列基板包括辅助走线，所述发光器件包括第一电极，和设于所述第一电极上方的第二电极；

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述辅助走线包括层叠设置的第一子金属层、第二子金属层、第三子金属层，所述第二子金属层相较于所述第一子金属层和所述第三子金属层内缩形成所述底切结构。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极接触连接所述辅助走线的第一子金属层。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极与所述第二子金属层采用第一蚀刻液刻蚀，所述第一子金属层和所述第三子金属层采用第二蚀刻液刻蚀，所述第一蚀刻液不同于所述第二蚀刻液。

5.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二电极和所述第二子金属层的材料包括铝、银、钼中的至少一种。

6.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光材料层，所述发光材料层避开所述底切结构设置。

7.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源漏极层、栅极层、半导体层，所述源漏极层和所述栅极层中的其中之一与所述辅助走线位于同一层。

8.如权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述底切结构位于所述辅助走线的边缘。

9.如权利要求1至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述辅助走线包括连接块，所述连接块的宽度大于所述辅助走线其他部位的宽度，所述连接块包括通孔，所述凹槽露出所述通孔，所述底切结构位于所述连接块的通孔内。

10.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括如下制造步骤：

步骤S300：在所述绝缘层上形成第一金属层；

11.如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S400中，所述辅助走线包括层叠设置的第一子金属层、第二子金属层、第三子金属层，所述第二子金属层相较于所述第一子金属层和所述第三子金属层内缩形成所述底切结构。

12.如权利要求11所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述步骤S400中，所述第一电极与所述第二子金属层通过同一蚀刻液刻蚀，且刻蚀所述第一电极和所述第二子金属层时，所述第一子金属层和所述第三子金属层不被刻蚀。

13.如权利要求10所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述步骤S500中，形成所述发光材料层的方法包括：

14.如权利要求13所述的显示面板的制造方法，其特征在于，

在所述步骤S600中，形成所述第二电极的方法包括：在所述发光材料层上形成所述第二电极，所述第二电极的材料的溅射方向指向所述底切结构的开口方向。

15.一种显示终端，其特征在于，包括终端主体和如权利要求1至9任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。