CN113130593A - 显示装置及制造显示装置的方法 - Google Patents

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崔相虔
崔新逸
吴允祯
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Abstract

提供了显示装置及制造显示装置的方法。该显示装置包括：基础衬底；薄膜晶体管和电源线，位于基础衬底上；第一电极，位于基础衬底上并且电连接到薄膜晶体管；发光层和公共层，位于第一电极上；以及第二电极，位于公共层上。电源线包括：第一导电层；第二导电层，位于第一导电层上；以及第三导电层，位于第二导电层上。第三导电层在电源线的侧表面上比第二导电层突出更多，并且第二电极接触第二导电层的侧表面。

Description

显示装置及制造显示装置的方法
技术领域
本公开的示例实施例的各方面总体上涉及显示装置及制造显示装置的方法。更具体地，本公开的示例实施例的各方面涉及具有改善的显示品质的显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，随着显示技术进步，已生产出具有更小尺寸、更轻重量和优异性能的显示产品。阴极射线管(CRT)电视由于在性能和价格方面的许多期望特性，已被广泛用于显示装置。然而，近来，克服了CRT在小型化和/或便携性方面的缺点并且具有轻重量以及低功耗的诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光二极管显示装置的显示装置已受到关注。
有机发光二极管显示装置可包括：作为阳极的第一电极、作为阴极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发光层。在这种情况下，随着有机发光二极管显示装置变得更大，显示品质可由于第二电极的IR下降而劣化。
在本背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景的理解，并且因此，它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或多个示例实施例涉及能够在降低制造成本的同时防止或减少阴极的IR下降以提高显示品质的显示装置。
本公开的一个或多个示例实施例涉及制造显示装置的方法。
根据本公开的一个或多个示例实施例，显示装置包括：基础衬底；薄膜晶体管和电源线，位于基础衬底上；第一电极，位于基础衬底上并且电连接到薄膜晶体管；发光层和公共层，位于第一电极上；以及第二电极，位于公共层上。电源线包括：第一导电层；第二导电层，位于第一导电层上；以及第三导电层，位于第二导电层上。第三导电层在电源线的侧表面上比第二导电层突出更多，并且第二电极接触第二导电层的侧表面。
在一些实施例中，公共层可接触第二导电层的侧表面。
在一些实施例中，包括与公共层的材料相同的材料的第一覆盖部可位于电源线的第三导电层上，包括与第二电极的材料相同的材料的第二覆盖部可位于可在第三导电层上的第一覆盖部上，并且第三导电层上的第二覆盖部可与可连接到第二导电层的侧表面的第二电极间隔开。
在一些实施例中，公共层可包括在第一电极和发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及在发光层和第二电极之间的电子传输层和电子注入层。
在一些实施例中，显示装置还可包括下屏蔽电极，下屏蔽电极在基础衬底和薄膜晶体管之间，并且下屏蔽电极和电源线可位于同一层。
在一些实施例中，薄膜晶体管可包括栅电极，并且电源线可位于与栅电极的层相同的层。
在一些实施例中，电源线可在第一方向上从用于显示图像的显示区域延伸到外围区域，外围区域是与显示区域相邻的非显示区域。
在一些实施例中，电源线的第二导电层的侧表面可包括第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面，并且当在延伸穿过第一侧表面和第二侧表面的横截面中沿与电源线的宽度方向交叉的长度方向测量时，第二电极的与第二导电层的第一侧表面接触的一部分的接触长度可大于第二电极的与第二导电层的第二侧表面接触的一部分的接触长度。
在一些实施例中，电源线可在第一方向上延伸，电源线可包括在与第一方向交叉的第二方向上突出的接触部，并且第二电极可在接触部中接触第二导电层的侧表面。
在一些实施例中，在平面图中接触部可具有半圆形形状。
在一些实施例中，电源线的第二导电层可包括铝或铜。
根据本公开的一个或多个示例实施例，显示装置包括：基础衬底；第一电极，位于基础衬底上；公共层，位于第一电极上；第二电极，位于公共层上；以及电源线，位于基础衬底上。在电源线的横截面图中电源线包括在电源线的侧表面处的凹部，并且第二电极在电源线的凹部处与电源线的侧表面接触。
在一些实施例中，公共层可接触电源线的侧表面。
根据本公开的一个或多个示例实施例，制造显示装置的方法包括：在基础衬底上顺序地形成第一导电层、第二导电层和第三导电层；通过图案化第三导电层、第二导电层和第一导电层形成电源线；在形成有电源线的基础衬底上形成通孔绝缘层；在通孔绝缘层上形成第一电极；在形成有第一电极的通孔绝缘层上形成公共层；以及在公共层上形成第二电极。第三导电层在电源线的侧表面处比第二导电层突出更多，并且当形成第二电极时，第二电极接触第二导电层的侧表面。
在一些实施例中，第一导电层可包括钛，第二导电层可包括铝，并且第三导电层可包括钛，并且当形成电源线时，可通过干法蚀刻对第一导电层、第二导电层和第三导电层进行图案化以形成底切(undercut)。
在一些实施例中，第一导电层可包括钛，第二导电层可包括铝，并且第三导电层可包括钛，并且当形成第一电极时，可通过湿法蚀刻对第一电极进行图案化，并且可蚀刻第二导电层的一部分以在第三导电层和第二导电层的侧表面处形成底切。
在一些实施例中，第一导电层可包括钛，第二导电层可包括铜，并且第三导电层可包括钛，并且当形成电源线时，可通过湿法蚀刻对第一导电层、第二导电层和第三导电层进行图案化，以在第三导电层和第二导电层的侧表面处形成底切。
在一些实施例中，当形成第二电极时，可通过在相对于垂直于基础衬底的方向倾斜了一角度的方向上沉积导电材料来形成第二电极。
在一些实施例中，公共层可接触第二导电层的侧表面。
在一些实施例中，公共层可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，并且该方法还可包括在形成公共层的电子传输层之前，在空穴传输层上形成发光层以与第一电极重叠。
根据本公开的一个或多个示例实施例的显示装置可包括基础衬底以及可设置在基础衬底上的薄膜晶体管和电源线。第一电极可设置在基础衬底上，并且可电连接到薄膜晶体管。发光层和公共层可设置在第一电极上，并且第二电极可设置在公共层上。电源线可包括第一导电层、设置在第一导电层上的第二导电层和设置在第二导电层上的第三导电层。第三导电层可比第二导电层的侧表面突出更多以形成底切。第二电极可接触(例如，直接接触)第二导电层的侧表面。因此，在显示装置中，可作为辅助线的电源线可连接到第二电极，而无需单独的激光钻孔工艺或使用掩模的单独的光学工艺，使得可提供能够在降低制造成本的同时防止或减小IR下降并且具有简化结构的显示装置。
附图说明
通过下面的参照附图的示例实施例的详细描述，本公开的以上和其他方面和特征对于本领域技术人员将变得更加显而易见。
图1是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的平面图。
图2是示出图1的显示装置的显示区域的横截面图。
图3是图2的显示装置中示出的部分“A”的放大图。
图4是示出图2的显示装置的发光结构的堆叠结构的放大图。
图5是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的显示区域的横截面图。
图6是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的显示区域的横截面图。
图7是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的电源线的放大图。
图8是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的显示区域中的电源线的平面图。
图9是沿图8中的线I-I’截取的横截面图。
图10A、图10B、图11A、图11B、图12、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A和图15B是示出根据一个或多个示例实施例的制造显示装置的方法的横截面图。
图16是示出根据一个或多个示例实施例的电子设备的框图。
图17A是示出图16的电子设备被实现为电视的示例的图。
图17B是示出图16的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中，相似的附图标记始终指相似的元件。然而，本公开可以各种不同的形式来实施，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，以使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的各方面和特征。因此，可不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的各方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，相似的附图标记表示相似的元件，并且因此，可不重复其描述。
在附图中，为了清楚起见，可夸大和/或简化元件、层和区的相对尺寸。为了便于解释，在本文中可使用空间相对术语，诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上”等，以描述如图中所示的一个元件或特征与另一个(多个)元件或另一个(多个)特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在还涵盖设备在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将随后被取向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“下面”能涵盖上方和下方这两个取向。设备可以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他取向)，并且应相应地解释本文中使用的空间相对描述语。
将理解的是，尽管在本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区、层和/或截面，但是这些元件、组件、区、层和/或截面不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区、层或截面与另一元件、组件、区、层或截面区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、组件、区、层或截面可被称为第二元件、组件、区、层或截面。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，该元件或层能直接在另一元件或层上，直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者可存在一个或多个中间元件或层。另外，也将理解的是，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它能够是两个元件或层之间的唯一的元件或层，或者也可存在一个或多个中间元件或层。
本文中所使用的措辞是出于描述特定实施例的目的，并且不旨在成为本公开的限制。如本文中所使用的，单数形式“一”和“一个”旨在也包括复数形式，但上下文另外明确指示的除外。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和“包含(including)”、“具有(has)”、“具有(have)”和“具有(having)”指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。诸如“……中的至少一个”的表述在一系列元件之后时，修饰整个系列的元件并且不修饰该系列中的个别元件。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语被用作近似的术语，并且不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，使用的“可”指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所使用的，术语“使用”、“使用中”和“使用的”可分别被认为与术语“利用”、“利用中”和“利用的”同义。
除非另有定义，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的那些)应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想的或过于刻板的意义来解释，但本文中明确地如此定义的除外。
图1是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的平面图。
参照图1，显示装置可包括显示区域DA和外围区域PA。
用于显示图像的多个像素PX可设置于显示区域DA处(例如，设置在显示区域DA中或设置在显示区域DA上)。像素PX可在第一方向D1上和在与第一方向D1交叉(例如，垂直于或基本上垂直于第一方向D1)的第二方向D2上以矩阵形式布置。多个像素PX中的每个可包括薄膜晶体管和发光结构。发光结构可包括电连接到薄膜晶体管的第一电极、设置在第一电极上的发光层和设置在发光层上的第二电极。
显示装置可包括电连接到像素PX以向其施加扫描信号的多条扫描线SL以及电连接到像素PX以向其施加数据信号的多条数据线DL。
显示装置还可包括多条电源线VL。电源线VL可在第一方向D1上延伸，并且可设置于显示区域DA处(例如，设置在显示区域DA中或设置在显示区域DA上)。尽管在图1中仅示出了一条电源线VL，但是，多条电源线VL可沿第二方向D2布置，并且多条电源线VL中的每条可在第一方向D1上延伸，但是本公开不限于此。
在这种情况下，为了驱动像素PX，可将第一电源电压ELVDD、第二电源电压ELVSS、初始化电压VINT等施加到像素PX。例如，第二电源电压ELVSS可被施加到电源线VL。
外围区域PA可以是非显示区域，在非显示区域处(例如，在非显示区域中或在非显示区域上)不显示图像，并且外围区域PA可与显示区域DA相邻以围绕显示区域DA(例如，围绕显示区域DA的周边)。用于驱动显示装置的驱动电路和/或用于检查显示装置的检查电路可设置在外围区域PA处(例如，设置在外围区域PA中或设置在外围区域PA上)。例如，电源线VL可在第一方向D1上从用于显示图像的显示区域DA延伸到对应于与显示区域DA相邻的非显示区域的外围区域PA，并且可连接到形成在外围区域PA处(例如，形成在外围区域PA中或形成在外围区域PA上)的测试焊盘。
通常，当大型有机发光二极管显示装置(例如，诸如电视)具有正面发光结构时，显示品质可由于作为阴极的第二电极的IR下降而劣化，并且为了防止或减少这样的IR下降，可形成辅助线。在这种情况下，可额外地执行单独的激光钻孔工艺、使用掩模的单独的接触孔形成工艺等，以将辅助线电连接到阴极。
根据本公开的一个或多个示例实施例，可作为辅助线的电源线VL可连接到第二电极，而无需执行单独的激光钻孔工艺或使用掩模的单独的光学工艺，使得可提供能够在降低制造成本的同时防止或减少IR下降并且具有简化结构的显示装置。
图2是示出图1的显示装置的显示区域的横截面图，图3是图2的显示装置中示出的部分“A”的放大图，并且图4是示出图2的显示装置的发光结构的堆叠结构的放大图。
参照图1至图4，显示装置可包括基础衬底100、下屏蔽电极BML、第一绝缘层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE、层间绝缘层130、源电极SE、漏电极DE、电源线VL、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180、公共层CL和薄膜封装层TFE。发光结构180可包括第一电极181、发光层EL和第二电极183。
基础衬底100可由透明或不透明的材料形成。例如，基础衬底100可包括石英衬底、合成石英衬底、氟化钙衬底、掺氟石英衬底(例如，F掺杂石英衬底)、钠钙玻璃衬底、无碱玻璃衬底等。在一些实施例中，基础衬底100可以是具有柔性的透明树脂衬底。可用作基础衬底100的透明树脂衬底的示例可包括聚酰亚胺衬底。
下屏蔽电极BML可设置在基础衬底100上。下屏蔽电极BML可与有源图案ACT重叠以用作用于防止或基本上防止构成薄膜晶体管TFT的有源图案ACT的电特性劣化的保护层。更详细地，下屏蔽电极BML可最小化或减小可由从基础衬底100的下部照射到(例如，照射进)薄膜晶体管TFT的有源图案ACT的激光束的流入引起的薄膜晶体管TFT的阈值电压的波动。下屏蔽电极BML可由具有低透光率的金属形成。
第一绝缘层110可设置在其上设置有下屏蔽电极BML的基础衬底100上。例如，第一绝缘层110可设置在基础衬底100上以覆盖下屏蔽电极BML。第一绝缘层110可防止或基本上防止金属原子和/或杂质从基础衬底100扩散到有源图案ACT中，并且可控制在用于形成有源图案ACT的结晶工艺期间的传热速率，以获得均匀或基本上均匀的有源图案ACT。
薄膜晶体管TFT的有源图案ACT可设置在第一绝缘层110上。有源图案ACT可包括非晶硅或多晶硅。在另一实施例中，有源图案ACT可包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种材料的氧化物。有源图案ACT可包括掺杂有杂质的漏极区和源极区以及设置在漏极区与源极区之间的沟道区。
栅极绝缘层120可设置在有源图案ACT的沟道区上。栅极绝缘层120可包括无机绝缘材料，例如，诸如硅化合物和金属氧化物。栅极绝缘层120可包括多个层。
薄膜晶体管TFT的栅电极GE可设置在栅极绝缘层120上。栅电极GE可通过使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成。
层间绝缘层130可设置在其上设置有栅电极GE的有源图案ACT上以及设置在第一绝缘层110上。例如，层间绝缘层130可覆盖(例如，可充分地覆盖)第一绝缘层110上的有源图案ACT和栅电极GE，并且可具有平坦或基本上平坦的顶表面，而不在有源图案ACT和栅电极GE的周围产生差距(gap)。在另一实施例中，层间绝缘层130可沿着有源图案ACT和栅电极GE的轮廓以相同或基本上相同的厚度来设置，以覆盖第一绝缘层110上的有源图案ACT和栅电极GE。层间绝缘层130可包括多个层。
薄膜晶体管TFT的源电极SE和漏电极DE以及电源线VL可设置在层间绝缘层130上。源电极SE可通过穿过层间绝缘层130形成的接触孔电连接到有源图案ACT的源极区。漏电极DE可通过穿过层间绝缘层130形成的接触孔电连接到有源图案ACT的漏极区。漏电极DE可通过穿过层间绝缘层130和第一绝缘层110形成的接触孔电连接到下屏蔽电极BML。
源电极SE、漏电极DE和电源线VL可形成在同一层(例如，形成在同一层中或形成在同一层上)。电源线VL可包括第一导电层VL1、设置在第一导电层VL1上的第二导电层VL2和设置在第二导电层VL2上的第三导电层VL3。
在这种情况下，第三导电层VL3可比第二导电层VL2的侧表面突出更多，以形成底切(例如，参见图3)。换句话说，当从电源线VL的截面中沿电源线VL的宽度方向测量时，第二导电层VL2的宽度可小于(例如，少于)第三导电层VL3的宽度和第一导电层VL1的宽度。因此，在电源线VL的侧表面上，第三导电层VL3可比第二导电层VL2突出更多，使得可在电源线VL的侧表面上形成凹部RS。底切可通过统一地蚀刻和图案化第三导电层VL3、第二导电层VL2和第一导电层VL1的工艺，或者通过仅单独地蚀刻第二导电层VL2的侧表面的工艺来形成，并且底切可通过考虑第二导电层VL2可包括与第一导电层VL1和第三导电层VL3的材料不同的材料来形成。
例如，在实施例中，第一导电层VL1可包括钛，第二导电层VL2可包括铝，并且第三导电层VL3可包括钛。根据另一实施例，例如，第一导电层VL1可包括钛，第二导电层VL2可包括铜，并且第三导电层VL3可包括钛。然而，本公开不限于此。
通孔绝缘层140可设置在其上设置有源电极SE、漏电极DE和电源线VL的层间绝缘层130上。通孔绝缘层140可具有暴露电源线VL的开口，以允许电源线VL电连接到第二电极183。
第一电极181可设置在通孔绝缘层140上。第一电极181可通过穿过通孔绝缘层140形成的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。例如，在一些实施例中，第一电极181可通过接触孔电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极DE，但是本公开不限于此。
取决于显示装置的发光方案，第一电极181可通过使用反射材料或透射材料来形成。例如，第一电极181可包括铝、含铝合金、氮化铝、银、含银合金、钨、氮化钨、铜、含铜合金、镍、铬、氮化铬、钼、含钼合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等。这些材料可单独使用或彼此结合使用。在一些示例实施例中，第一电极181可具有包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
像素限定层PDL可设置在其上设置有第一电极181的通孔绝缘层140上。像素限定层PDL可通过使用有机材料、无机材料等来形成。例如，像素限定层PDL可通过使用光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、丙烯酸类树脂、硅酮化合物等来形成。根据一些示例实施例，可蚀刻像素限定层PDL以形成部分地暴露第一电极181的开口。可通过像素限定层PDL的开口来限定显示装置的发射区域和非发射区域。例如，像素限定层PDL的开口所位于的部分可对应于发射区域，并且非发射区域可对应于与像素限定层PDL的开口相邻的部分。
公共层CL和发光层EL可设置在通过像素限定层PDL的开口而暴露的第一电极181上。
在一些示例实施例中，公共层CL可具有包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL、电子注入层EIL等的多层结构。除了发光层EL之外，空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子传输层ETL和电子注入层EIL可公共地形成为对应于多个像素。公共层CL可接触(例如，直接接触)电源线VL的第二导电层VL2的侧表面。可在第三导电层VL3上设置包括与公共层CL的材料相同的材料的第一覆盖部CLa。
发光层EL的有机发射层可通过使用用于根据显示装置的每个像素生成不同颜色的光(例如，诸如红色光、绿色光和蓝色光)的适当的发光材料来形成。根据其他示例实施例，发光层EL的有机发射层可具有其中用于实现不同颜色的光(例如，诸如红色光、绿色光和蓝色光)的多种发光材料可彼此堆叠以发射白色光的结构。在这种情况下，上述发光结构可公共地形成为与多个像素对应，并且可通过滤色器层来对这些像素进行区分。
第二电极183可设置在像素限定层PDL、发光层EL和公共层CL上。取决于显示装置的发光方案，第二电极183可包括透射材料或反射材料。例如，第二电极183可包括铝、含铝合金、氮化铝、银、含银合金、钨、氮化钨、铜、含铜合金、镍、铬、氮化铬、钼、含钼合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、氧化锶钌、氧化锌、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化镓、氧化铟锌等。这些材料可单独使用或彼此结合使用。在一些示例实施例中，第二电极183可具有包括金属膜、合金膜、金属氮化物膜、导电金属氧化物膜和/或透明导电材料膜的单层结构或多层结构。
第二电极183可接触(例如，直接接触)电源线VL的第二导电层VL2的侧表面。包括与第二电极183的材料相同的材料的第二覆盖部183a可设置在第一覆盖部CLa上，第一覆盖部CLa设置在第三导电层VL3上。设置在第三导电层VL3上方的第二覆盖部183a可与连接到第二导电层VL2的侧表面的第二电极183间隔开。
薄膜封装层TFE可设置在第二电极183上。薄膜封装层TFE可防止或基本上防止湿气和/或氧气从外部渗透。薄膜封装层TFE可包括至少一层有机层和至少一层无机层。至少一层有机层和至少一层无机层可彼此交替地堆叠。例如，薄膜封装层TFE可包括第一无机层、第二无机层以及设置在第一无机层和第二无机层之间的有机层，但是本公开不限于此。在另一实施例中，代替薄膜封装层，可提供密封衬底以阻挡或基本上阻挡外部空气和/或湿气渗透到显示装置中。
通常，为了导电层之间的接触，执行通过使用激光钻孔来形成接触孔或通过使用单独的掩模来形成接触孔的工艺。
根据本实施例，电源线VL可在没有单独的激光钻孔工艺或使用掩模的单独的光学工艺的情况下连接到第二电极183，使得可提供能够在降低制造成本的同时防止或减少IR下降，并且具有简化结构的显示装置。
更详细地，在形成公共层CL并且形成第二电极183时，当从第三导电层VL3的端部朝向第二导电层VL2的侧表面提供沉积材料时的入射角的条件被适当地调节时，第二电极183可在比公共层CL的位置高的位置处形成在第二导电层VL2的侧表面上，使得第二电极183和电源线VL可彼此电连接。
图5是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的显示区域的横截面图。
除了电源线VL形成在与栅电极GE的层相同的层(例如，形成在与栅电极GE的层相同的层中或形成在与栅电极GE的层相同的层上)之外，图5中所示的显示装置与图1至图4中所示的显示装置相同或基本上相同。因此，可不重复其冗余的描述。
参照图5，显示装置可包括基础衬底100、下屏蔽电极BML、第一绝缘层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE、层间绝缘层130、源电极SE、漏电极DE、电源线VL、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180、公共层CL和薄膜封装层TFE。发光结构180可包括第一电极181、发光层EL和第二电极183。
层间绝缘层130和通孔绝缘层140可具有暴露电源线VL的开口，以允许电源线VL电连接到第二电极183。
电源线VL可包括第一导电层VL1、第二导电层VL2和第三导电层VL3(例如，参见图3)。第二电极183可接触(例如，直接接触)电源线VL的第二导电层VL2的侧表面。
图6是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的显示区域的横截面图。
除了电源线VL形成在与下屏蔽电极BML的层相同的层(例如，形成在与下屏蔽电极BML的层相同的层中或形成在与下屏蔽电极BML的层相同的层上)之外，图6中所示的显示装置与图1至图4中所示的显示装置相同或基本上相同。因此，可不重复其冗余的描述。
参照图6，显示装置可包括基础衬底100、下屏蔽电极BML、第一绝缘层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE、层间绝缘层130、源电极SE、漏电极DE、电源线VL、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180、公共层CL和薄膜封装层TFE。发光结构180可包括第一电极181、发光层EL和第二电极183。
第一绝缘层110、层间绝缘层130和通孔绝缘层140可具有暴露电源线VL的开口，以允许电源线VL电连接到第二电极183。
电源线VL可包括第一导电层VL1、第二导电层VL2和第三导电层VL3(例如，参见图3)。第二电极183可接触(例如，直接接触)电源线VL的第二导电层VL2的侧表面。
图7是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的电源线的放大图。
除了第二电极183接触(例如，直接接触)电源线VL的第二导电层VL2的第一侧表面和第二侧表面的形状可不同之外，图7中所示的显示装置与图1至图4中所示的显示装置相同或基本上相同。因此，可不重复其冗余的描述。
参照图7，显示装置可包括基础衬底100、下屏蔽电极BML、第一绝缘层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE、层间绝缘层130、源电极SE、漏电极DE、电源线VL、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180、公共层CL、第一覆盖部CLa、第二覆盖部183a和薄膜封装层TFE(例如，参见图2和图4至图7)。发光结构180可包括第一电极181、发光层EL和第二电极183(例如，参见图2和图4至图6)。
电源线VL可包括第一导电层VL1、第二导电层VL2和第三导电层VL3。电源线VL的第二导电层VL2可包括第一侧表面(例如，图7中的第二导电层VL2的右侧)和与第一侧表面相对的第二侧表面(例如，图7中的第二导电层VL2的左侧)。由底切形成的凹部RS可形成在第二导电层VL2的第一侧表面和第二侧表面处(例如，形成在第二导电层VL2的第一侧表面和第二侧表面中或形成在第二导电层VL2的第一侧表面和第二侧表面上)。
当在延伸穿过第一侧表面和第二侧表面的横截面中在与电源线VL的宽度方向交叉的长度方向上测量时，第二导电层VL2的第一侧表面上的第二导电层VL2与第二电极183之间的接触长度W1可大于第二导电层VL2的第二侧表面上的第二导电层VL2与第二电极183之间的接触长度W2。换句话说，第二电极183的与第二导电层VL2的第一侧表面接触的一部分的接触长度W1可大于第二电极183的与第二导电层VL2的第二侧表面接触的一部分的接触长度W2。
这可在形成第二电极183时通过在相对于垂直于或基本上垂直于基础衬底100的方向倾斜了合适的角度(例如，预定角度)的方向上(例如，参见图7中的箭头)供给沉积材料来实现。
因此，可在第二导电层VL2的第一侧表面上确保用于将第二电极183电连接到电源线VL的接触区域。
图8是示出根据一个或多个示例实施例的显示装置的显示区域中的电源线的平面图，并且图9是沿图8中的线I-I’截取的横截面图。
除了电源线VL还包括接触部VLC之外，图8和图9所示的显示装置与图1至图4中所示的显示装置相同或基本上相同。因此，可不重复其冗余的描述。
显示装置可包括基础衬底100、下屏蔽电极BML、第一绝缘层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE、层间绝缘层130、源电极SE、漏电极DE、电源线VL、通孔绝缘层140、像素限定层PDL、发光结构180、公共层CL、第一覆盖部CLa、第二覆盖部183a和薄膜封装层TFE(例如，参见图2至图7)。发光结构180可包括第一电极181、发光层EL和第二电极183(例如，参见图2和图4至图6)。
电源线VL可包括第一导电层VL1、第二导电层VL2和第三导电层VL3(例如，参见图2至图3和图5至图7)。
电源线VL可在第一方向D1上延伸。电源线VL可包括在与第一方向D1交叉(例如，垂直于或基本上垂直于第一方向D1)的第二方向D2上突出的接触部VLC。换句话说，当在平面中观看时(例如，当在平面图中观看时)，接触部VLC可具有半圆形形状，并且可形成在电源线VL的在第二方向D2上的多侧(例如，两侧或相对侧)上，以作为一整体形成圆形。然而，本公开不限于此，并且在一些实施例中，接触部VLC可仅形成在电源线VL的(例如，在第二方向D2上的)一侧上以具有半圆形形状。
在接触部VLC中，第二电极183可接触(例如，可直接接触)第二导电层VL2的侧表面。当在平面图中观看时，接触部VLC可具有圆形形状。因此，可充分确保第二电极183能够与第二导电层VL2进行接触的区域。
图10A、图10B、图11A、图11B、图12、图13A、图13B、图14A、图14B、图15A和图15B是示出根据一个或多个示例实施例的制造显示装置的方法的横截面图。
概括地讲，制造显示装置的方法可包括：在基础衬底上顺序地形成第一导电层、第二导电层和第三导电层；通过图案化第三导电层、第二导电层和第一导电层来形成电源线；在形成有电源线的基础衬底上形成通孔绝缘层；在通孔绝缘层上形成第一电极；在形成有第一电极的通孔绝缘层上形成公共层；以及在公共层上形成第二电极。电源线的第三导电层可比第二导电层的侧表面突出更多，以形成底切。在第二电极的形成中，第二电极可接触(例如，可直接接触)第二导电层的侧表面。
更详细地，参照图10A和图10B，下屏蔽电极BML、第一绝缘层110、有源图案ACT、栅极绝缘层120、栅电极GE和层间绝缘层130可形成在基础衬底100上。
初步导电层CON可形成在层间绝缘层130上。
初步导电层CON可包括第一初步导电层CON1、设置在第一初步导电层CON1上的第二初步导电层CON2和设置在第二初步导电层CON2上的第三初步导电层CON3。
参照图11A和图11B，初步导电层CON可被图案化以形成源电极SE、漏电极DE和电源线VL。电源线VL可包括从第一初步导电层CON1形成的第一导电层VL1、从第二初步导电层CON2形成的第二导电层VL2和从第三初步导电层CON3形成的第三导电层VL3。
在这种情况下，例如，当第一导电层VL1包括钛，第二导电层VL2包括铝并且第三导电层VL3包括钛时，在电源线VL的形成期间，可通过干法蚀刻来图案化第一导电层VL1、第二导电层VL2和第三导电层VL3以形成底切。因此，可在电源线VL的侧表面上形成凹部RS。例如，凹部RS可形成在第二导电层VL2的侧表面处(例如，形成在第二导电层VL2的侧表面中或形成在第二导电层VL2的侧表面上)，使得第二导电层VL2的宽度小于第一导电层VL1的宽度和第三导电层VL3的宽度。
然而，本公开不限于此，并且根据另一实施例，例如，当第一导电层VL1包括钛，第二导电层VL2包括铜并且第三导电层VL3包括钛时，在电源线VL的形成期间，可通过湿法蚀刻来图案化第一导电层VL1、第二导电层VL2和第三导电层VL3，并且可通过对第二导电层VL2的选择性蚀刻来形成底切，以形成凹部RS。
根据又一实施例，例如，当第一导电层VL1包括钛，第二导电层VL2包括铝并且第三导电层VL3包括钛时，在下面将更详细描述的第一电极181的形成期间，可通过湿法蚀刻来图案化第一电极，并且可通过对第二导电层VL2的选择性蚀刻来形成底切。
参照图12，具有暴露电源线VL的开口的通孔绝缘层140可形成在其上形成有源电极SE、漏电极DE和电源线VL的层间绝缘层130上。第一电极181可形成在通孔绝缘层140上。像素限定层PDL可形成在其上形成有第一电极181的通孔绝缘层140上。
参照图13A和图13B，公共层CL和发光层EL可形成在其上形成有像素限定层PDL的通孔绝缘层140上。
公共层CL可形成在全部的基础衬底100上方(例如，形成在整个基础衬底100上方)。公共层CL可具有包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等的多层结构。
因为公共层CL形成在全部的基础衬底100上方(例如，形成在整个基础衬底100上方)，所以公共层CL可形成在电源线VL的第三导电层VL3的顶表面上(例如，参见第一覆盖部CLa)。因为底切形成在电源线VL的第三导电层VL3和第二导电层VL2之间，所以第二导电层VL2的侧表面的一部分可被暴露而不被第一覆盖部CLa和公共层CL覆盖(例如，参见OP)。
在形成公共层CL的电子传输层之前，可在空穴传输层上形成发光层EL，以与第一电极181重叠。
参照图14A和图14B，第二电极183可形成在公共层CL上。第二电极183可形成在全部的基础衬底100上方(例如，形成在整个基础衬底100上方)。换句话说，在一些实施例中，第二电极183可通过使用开口掩模来形成。
在这种情况下，第二电极183可接触(例如，可直接接触)电源线VL的第二导电层VL2的侧表面。当形成第二电极183时，第二电极183可通过具有合适的台阶覆盖(例如，具有优异的台阶覆盖)的工艺来形成，使得沉积材料可沉积在电源线VL的第三导电层VL3与第二导电层VL2之间的底切上。因此，第二覆盖部183a可形成在第一覆盖部CLa上。
例如，第二电极183可通过使用(热)原子层沉积(ALD)工艺等和/或一般的沉积工艺来形成。
参照图15A和图15B，可在第二电极183上形成薄膜封装层TFE，以使得可制造显示装置。在一些实施例中，显示装置的每个组件可通过如本领域普通技术人员已知的各种合适的工艺来形成。
图16是示出根据一个或多个示例实施例的电子设备的框图，图17A是示出图16的电子设备被实现为电视的示例的图，并且图17B是示出图16的电子设备被实现为智能电话的示例的图。
参照图16至图17B，电子设备500可包括处理器510、存储器设备520、存储设备530、输入/输出(I/O)设备540、电源550和显示装置560。这里，显示装置560可以是图1中所示的显示装置。另外，电子设备500还可包括用于与视频卡、声卡、存储器卡、通用串行总线(USB)设备、其他电子设备等通信的多个端口。在实施例中，如图17A中所示，电子设备500可被实现为电视。在另一实施例中，如图17B中所示，电子设备500可被实现为智能电话。然而，本公开不限于此，并且电子设备500可被实现为使用或包括显示装置560的任何合适的设备。例如，电子设备500可被实现为蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、计算机监视器、笔记本计算机、头戴式显示器(HMD)装置等。
处理器510可执行各种计算功能。处理器510可以是微处理器、中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)等。处理器510可经由地址总线、控制总线、数据总线等连接到其他组件。此外，处理器510可连接到扩展总线，例如，诸如外围组件互连(PCI)总线。存储器设备520可存储用于电子设备500的操作的数据。例如，存储器设备520可包括：至少一个非易失性存储器设备，例如，诸如可擦除可编程只读存储器(EPROM)设备、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)设备、闪存设备、相变随机存取存储器(PRAM)设备、电阻随机存取存储器(RRAM)设备、纳米浮栅存储器(NFGM)设备、聚合物随机存取存储器(PoRAM)设备、磁性随机存取存储器(MRAM)设备、铁电随机存取存储器(FRAM)设备等；和/或至少一个易失性存储器设备，例如，诸如动态随机存取存储器(DRAM)设备、静态随机存取存储器(SRAM)设备、移动DRAM设备等。存储设备530可包括固态驱动(SSD)设备、硬盘驱动(HDD)设备、CD-ROM设备等。I/O设备540可包括：输入设备，例如，诸如键盘、小键盘、鼠标设备、触摸板、触摸屏等；以及输出设备，例如，诸如打印机、扬声器等。电源550可为电子设备500的操作提供电力。
显示装置560可经由总线和/或其他通信链路连接到其他组件。在一些实施例中，I/O设备540可包括显示装置560。如上所述，显示装置560可包括基础衬底、设置在基础衬底上的薄膜晶体管和电源线、设置在基础衬底上并且与薄膜晶体管电连接的第一电极、设置在第一电极上的发光层和公共层以及设置在公共层上的第二电极。电源线可包括第一导电层、设置在第一导电层上的第二导电层和设置在第二导电层上的第三导电层。第三导电层可比第二导电层的侧表面突出更多，以形成底切。第二电极可接触(例如，可直接接触)第二导电层的侧表面。因此，在显示装置560中，可作为辅助线的电源线可在无需单独的激光钻孔工艺或使用掩模的单独的光学工艺的情况下连接到第二电极，使得可提供能够在降低制造成本的同时防止或减少IR下降，并且具有简化结构的显示装置。因为以上描述了本公开的这些方面和特征，所以将不重复冗余的描述。
本公开的示例实施例可应用于显示装置和包括显示装置的电子设备。例如，本公开的一个或多个示例实施例可应用于智能电话、蜂窝电话、视频电话、智能板、智能手表、平板PC、汽车导航系统、电视、计算机监视器、笔记本计算机、头戴式显示器装置等。
前述内容是示例实施例的说明，并且将不解释为对其限制。尽管已描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易领会到的是，在实质上不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中存在各种修改是可能的。因此，所有这样的修改旨在被包括在如权利要求及其等同物所限定的本公开的范围内。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且将不被解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例的修改以及其他实施例旨在被包括在所附的权利要求及其等同物的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
基础衬底；
薄膜晶体管和电源线，都位于所述基础衬底上；
第一电极，位于所述基础衬底上并且电连接到所述薄膜晶体管；
发光层和公共层，都位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述公共层上，
其中，所述电源线包括：
第一导电层；
第二导电层，位于所述第一导电层上；以及
第三导电层，位于所述第二导电层上，
其中，所述第三导电层在所述电源线的侧表面上比所述第二导电层突出更多，并且
其中，所述第二电极接触所述第二导电层的侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共层接触所述第二导电层的所述侧表面。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，包括与所述公共层的材料相同的材料的第一覆盖部位于所述电源线的所述第三导电层上，
其中，包括与所述第二电极的材料相同的材料的第二覆盖部位于所述第一覆盖部上，并且
其中，所述第三导电层上的所述第二覆盖部与连接到所述第二导电层的所述侧表面的所述第二电极间隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述公共层包括位于所述第一电极与所述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于所述发光层与所述第二电极之间的电子传输层和电子注入层。
5.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
下屏蔽电极，位于所述基础衬底与所述薄膜晶体管之间，
其中，所述下屏蔽电极与所述电源线位于同一层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述薄膜晶体管包括栅电极，并且所述电源线位于与所述栅电极的层相同的层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源线在第一方向上从用于显示图像的显示区域延伸到外围区域，所述外围区域是与所述显示区域相邻的非显示区域。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源线的所述第二导电层的所述侧表面包括第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面，并且
其中，当在延伸穿过所述第一侧表面和所述第二侧表面的横截面中沿与所述电源线的宽度方向交叉的长度方向测量时，所述第二电极的与所述第二导电层的所述第一侧表面接触的一部分的接触长度大于所述第二电极的与所述第二导电层的所述第二侧表面接触的一部分的接触长度。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源线在第一方向上延伸，
其中，所述电源线包括在与所述第一方向交叉的第二方向上突出的接触部，并且
其中，所述第二电极在所述接触部中接触所述第二导电层的所述侧表面。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述接触部在平面图中具有半圆形形状。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源线的所述第二导电层包括铝或铜。
12.一种显示装置，包括：
基础衬底；
第一电极，位于所述基础衬底上；
公共层，位于所述第一电极上；
第二电极，位于所述公共层上；以及
电源线，位于所述基础衬底上，
其中，在所述电源线的横截面图中，所述电源线包括在所述电源线的侧表面处的凹部，并且
其中，所述第二电极在所述电源线的所述凹部处接触所述电源线的所述侧表面。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述公共层接触所述电源线的所述侧表面。
14.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
在基础衬底上顺序地形成第一导电层、第二导电层和第三导电层；
通过图案化所述第三导电层、所述第二导电层和所述第一导电层形成电源线；
在形成有所述电源线的所述基础衬底上形成通孔绝缘层；
在所述通孔绝缘层上形成第一电极；
在形成有所述第一电极的所述通孔绝缘层上形成公共层；以及
在所述公共层上形成第二电极，
其中，所述第三导电层在所述电源线的侧表面处比所述第二导电层突出更多，并且
其中，当形成所述第二电极时，所述第二电极接触所述第二导电层的侧表面。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电层包括钛，所述第二导电层包括铝，并且所述第三导电层包括钛，并且
其中，当形成所述电源线时，通过干法蚀刻对所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层进行图案化以形成底切。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电层包括钛，所述第二导电层包括铝，并且所述第三导电层包括钛，并且
其中，当形成所述第一电极时，通过湿法蚀刻对所述第一电极进行图案化，并且蚀刻所述第二导电层的一部分以在所述第三导电层的侧表面和所述第二导电层的侧表面处形成底切。
17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一导电层包括钛，所述第二导电层包括铜，并且所述第三导电层包括钛，并且
其中，当形成所述电源线时，通过湿法蚀刻对所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层进行图案化，以在所述第三导电层的侧表面和所述第二导电层的侧表面处形成底切。
18.根据权利要求14所述的方法，其中，当形成所述第二电极时，通过在相对于与所述基础衬底垂直的方向倾斜了一角度的方向上沉积导电材料来形成所述第二电极。
19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述公共层接触所述第二导电层的侧表面。
20.根据权利要求14所述的方法，其中，所述公共层包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，并且
其中，所述方法还包括在形成所述公共层的所述电子传输层之前，在所述空穴传输层上形成发光层以与所述第一电极重叠。
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