KR20230063993A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230063993A
KR20230063993A KR1020210148125A KR20210148125A KR20230063993A KR 20230063993 A KR20230063993 A KR 20230063993A KR 1020210148125 A KR1020210148125 A KR 1020210148125A KR 20210148125 A KR20210148125 A KR 20210148125A KR 20230063993 A KR20230063993 A KR 20230063993A
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박정선
곽혜진
박희민
이연화
황규환
김재익
이준구
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 메인서브층과 상기 메인서브층 아래에 배치된 하부서브층과 상기 메인서브층 상에 배치된 상부서브층을 포함하는 보조배선, 상기 보조배선에 인접하며 상기 보조배선의 측면과 대응하는 개구를 포함하는 격벽, 상기 보조배선과 인접한 제1전극, 상기 제1전극과 상기 보조배선 상의 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하며, 상기 보조배선의 상기 상부서브층은 상기 메인서브층의 측면과 상면이 만나는 지점으로부터 측 방향을 따라 돌출된 팁을 포함하고, 상기 격벽의 상단은 상기 보조배선의 상기 팁과 이격되고, 상기 제2전극은 상기 보조배선과 접촉하는, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display Apparatus}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기발광 표시 장치와 같은 표시 장치는 발광다이오드의 휘도 등을 제어하기 위해 트랜지스터들이 표시영역에 배치된다. 트랜지스터들은 전달된 데이터신호, 구동전압, 및 공통전압을 이용하여 대응하는 발광다이오드에서 소정의 색을 갖는 빛을 방출하도록 제어한다.
발광다이오드의 전극들 중 하나는 트랜지스터를 통해 소정의 전압을 인가받고, 다른 하나는 보조배선을 통해 전압을 인가받을 수 있다.
본 발명의 실시예들은 고품질의 이미지를 디스플레이할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에서는, 메인서브층, 상기 메인서브층 아래에 배치된 하부서브층, 및 상기 메인서브층 상에 배치된 상부서브층을 포함하는 보조배선; 상기 보조배선에 인접하고, 상기 보조배선의 측면과 대응하는 개구를 포함하는 격벽; 상기 보조배선과 인접한 제1전극; 상기 제1전극과 상기 보조배선 상의 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되며, 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하며, 상기 보조배선의 상기 상부서브층은 상기 메인서브층의 측면과 상면이 만나는 지점으로부터 측 방향을 따라 돌출된 팁을 포함하고, 상기 격벽의 상단은 상기 보조배선의 상기 팁과 이격되고, 상기 제2전극은 상기 보조배선과 접촉하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에서, 상기 보조배선의 폭 보다 큰 폭을 갖는 개구를 포함하는 제1절연층을 더 포함하며, 상기 보조배선의 일부 및 상기 격벽은 상기 제1절연층의 상기 개구 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 격벽의 두께는 상기 보조배선의 두께의 0.75배이거나 그보다 작을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2전극은 상기 보조배선과 접촉하는 제1부분 및 상기 격벽을 중심으로 상기 제1부분의 반대편에 위치하는 제2부분을 포함하고, 상기 제1부분과 상기 제2부분은, 상기 격벽 주변에서 서로 분리되되 상기 격벽의 상기 개구를 통해 서로 일체로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2전극은 상기 보조배선의 상기 메인서브층의 측면 및 상기 보조배선의 상기 하부서브층의 상면 중 적어도 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 메인서브층의 두께는 상기 상부서브층의 두께 및 상기 하부서브층의 두께 중 적어도 어느 하나 보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 메인서브층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부서브층 및 상기 하부서브층 중 적어도 어느 하나는, 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중간층은 상기 제1전극 및 상기 보조배선 상에 배치되되, 상기 중간층은, 상기 보조배선의 상면 상의 제1부분; 상기 격벽을 중심으로 상기 보조배선 측에 배치된 제2부분; 및 상기 격벽을 중심으로 상기 제2부분의 반대편에 위치하는 제3부분을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 중간층의 상기 제1부분과 상기 제2부분은, 상기 격벽 주변에서 서로 분리되되 상기 격벽의 상기 개구를 통해 서로 일체로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 관점에서는, 메인서브층, 상기 메인서브층 아래의 하부서브층, 및 상기 메인서브층 상의 상부서브층을 포함하는 보조배선을 형성하는 단계; 상기 보조배선에 인접하고, 상기 보조배선의 측면과 대응하는 개구를 갖는 격벽을 형성하는 단계; 상기 보조배선과 인접한 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극에 중첩하고 발광층을 포함하는 중간층을 형성하는 단계; 및 상기 중간층 및 상기 보조배선에 중첩하는 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 격벽을 형성하는 단계에서 상기 격벽의 상단은 상기 메인서브층의 측면과 상면이 만나는 지점으로부터 측 방향을 따라 돌출된 상기 상부서브층의 팁과 이격되고, 상기 제2전극을 형성하는 단계에서 상기 제2전극은 상기 상부서브층의 상기 팁의 하부에서 상기 보조배선과 접촉하는, 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
일 실시예에서, 상기 격벽을 형성하는 단계는 상기 보조배선을 형성하는 단계와 동시에 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 격벽을 형성하는 단계는 건식 식각 방법으로 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2전극을 형성하는 단계는 열증착 또는 스퍼터링(sputtering) 방법으로 수행될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 격벽의 두께는 상기 보조배선의 두께의 0.75배이거나 그보다 작을 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2전극은 상기 보조배선과 접촉하는 제1부분 및 상기 격벽을 중심으로 상기 제1부분의 반대편에 위치하는 제2부분을 포함하고, 상기 제1부분과 상기 제2부분은, 상기 격벽 주변에서 서로 분리되되 상기 격벽의 상기 개구를 통해 서로 일체로 연결될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2전극은 상기 보조배선의 상기 메인서브층의 측면 및 상기 보조배선의 상기 하부서브층의 상면 중 적어도 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 메인서브층의 두께는 상기 상부서브층의 두께 및 상기 하부서브층의 두께 중 적어도 어느 하나 보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 메인서브층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 상부서브층 및 상기 하부서브층 중 적어도 어느 하나는, 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 배선 저항에 따른 전압 강하를 개선하여 표시품질을 향상시킨 표시 장치를 제공할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 각 부화소들을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 색변환-투과층의 각 광학부들을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 발광다이오드 및 발광다이오드에 전기적으로 연결된 부화소회로를 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 공통전압공급선 및 구동전압공급선을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 보조배선 및 보조배선과 인접한 격벽을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 9는 도 7의 B-B'선에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서 층, 막, 영역, 판 등의 각종 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 상에" 있는 경우뿐 아니라 그 사이에 다른 구성요소가 개재된 경우도 포함한다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(DV)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)에 외측의 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(DV)는 표시영역(DA)에 x-y평면 상에서 2차원적으로 배열된 복수의 화소들의 어레이를 통해 이미지를 제공할 수 있다. 복수의 화소들은 제1화소, 제2화소, 및 제3화소를 포함하며, 이하에서는 설명의 편의상 제1화소가 적색 화소(Pr)이고, 제2화소가 녹색 화소(Pg)이며, 및 제3화소가 청색 화소(Pb)인 경우로 설명한다.
적색 화소(Pr), 녹색 화소(Pg), 및 청색 화소(Pb)는 각각 적색, 녹색, 및 청색의 빛을 방출할 수 있는 영역으로, 표시 장치(DV)는 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다.
비표시영역(NDA)은 이미지를 제공하지 않는 영역으로서, 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 화소회로들에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 또는 메인전압라인이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드가 포함할 수 있다.
표시영역(DA)은 도 1에 도시된 바와 같이 사각형을 포함한 다각형의 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)은 가로의 길이가 세로의 길이 보다 큰 직사각형의 형상을 갖거나, 가로의 길이가 세로의 길이 보다 작은 직사각형의 형상을 갖거나, 정사각형의 형상을 가질 수 있다. 또는, 표시영역(DA)은 타원 또는 원형과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 각 화소들을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(DV)는 기판(100) 상의 회로층(200)을 포함할 수 있다. 회로층(200)은 제1 내지 제3화소회로(PC1, PC2, PC3)을 포함하며, 제1 내지 제3화소회로(PC1, PC2, PC3) 각각은 발광다이오드층(300)의 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 유기물을 포함하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 무기물을 포함하는 무기 발광다이오드일 수 있다. 무기발광다이오드는 무기물 반도체 기반의 재료들을 포함하는 PN 접합 다이오드를 포함할 수 있다. PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시켜 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있다. 전술한 무기발광다이오드는 수~수백 마이크로미터 또는 수~수백 나노미터의 폭을 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 발광다이오드(LED)는 양자점을 포함하는 발광다이오드일 수 있다. 전술한 바와 같이, 발광다이오드(LED)의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)는 동일한 색의 빛을 방출할 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에서 방출된 광(예컨대, 청색광 Lb)은 발광다이오드층(300) 상의 봉지층(400)을 지나 색변환-투과층(500)을 통과할 수 있다.
색변환-투과층(500)은 발광다이오드층(300)에서 방출된 빛(예, 청색광 Lb)의 색을 변환하거나 변환하지 않고 투과시키는 광학부들을 포함할 수 있다. 예컨대, 색변환-투과층(500)은 발광다이오드층(300)에서 방출된 빛(예, 청색광 Lb)을 다른 색의 빛으로 변환하는 색변환부들, 및 발광다이오드층(300)에서 방출된 빛(예, 청색광 Lb)을 색변환하지 않고 투과시키는 투과부를 포함할 수 있다. 색변환-투과층(500)은 적색의 화소(Pr)와 대응하는 제1색변환부(510), 녹색의 화소(Pg)와 대응하는 제2색변환부(520), 및 청색의 화소(Pb)에 대응하는 투과부(530)를 포함할 수 있다. 제1색변환부(510)는 청색광(Lb)을 적색의 광(Lr)으로 변환하고, 제2색변환부(520)는 청색광(Lb)을 녹색의 광(Lg)로 변환할 수 있다. 투과부(530)는 청색광(Lb)을 변환하지 않고 통과시킬 수 있다.
컬러층(600)은 색변환-투과층(500) 상에 배치될 수 있다. 컬러층(600)은 서로 다른 색의 제1 내지 제3컬러필터(610, 620, 630)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1컬러필터(610)는 적색의 컬러필터이고, 제2컬러필터(620)는 녹색의 컬러필터이며, 및 제3컬러필터(630)는 청색의 컬러필터일 수 있다.
색변환-투과층(500)에서 색변환된 빛 및 투과된 빛은 각각 제1 내지 제3컬러필터(610, 620, 630)를 통과하면서 색순도가 향상될 수 있다. 또한, 컬러층(600)은 외부의 광(예컨대, 표시 장치(DV)의 외부에서 표시 장치(DV)를 향해 입사하는 빛)이 반사되어 사용자에게 시인되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다.
컬러층(600) 상에는 투광성 기재층(700)을 포함할 수 있다. 투광성 기재층(700)은 글래스 또는 투광성 유기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 투광성 기재층(700)은 아크릴 계열의 수지와 같은 투광성 유기물을 포함할 수 있다.
일 실시예로서, 투광성 기재층(700)은 일종의 기판으로서, 투광성 기재층(700) 상에 컬러층(600) 및 색변환-투과층(500)이 형성된 후, 색변환-투과층(500)이 봉지층(400)과 마주보도록 일체화될 수 있다.
다른 실시예로서, 봉지층(400) 상에 색변환-투과층(500) 및 컬러층(600)이 순차적으로 형성된 후 투광성 기재층(700)이 컬러층(600) 상에 직접 도포 및 경화되어 형성될 수 있다. 일부 실시예로서, 투광성 기재층(700) 상에는 다른 광학적 필름, 예컨대 AR(anti-reflection) 필름 등이 배치될 수 있다.
전술한 구조를 갖는 표시 장치(DV)는 텔레비전, 광고판, 영화관용 스크린, 모니터, 태블릿 PC, 노트북 등과 같이 동영상 또는 정지영상을 표시할 수 있는 전자 기기를 포함할 수 있다.
도 3은 도 2의 색변환-투과층의 각 광학부들을 나타낸다.
도 3을 참조하면, 제1색변환부(510)는 입사되는 청색광(Lb)을 적색의 광(Lr)으로 변환할 수 있다. 제1색변환부(510)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제1감광성 폴리머(1151), 제1감광성 폴리머(1151)에 분산된 제1양자점(1152)들과 제1산란입자(1153)들을 포함할 수 있다.
제1양자점(1152)들은 청색광(Lb)에 의해 여기되어 청색광의 파장보다 긴 파장을 갖는 적색의 광(Lr)을 등방성으로 방출할 수 있다. 제1감광성 폴리머(1151)는 광 투과성을 갖는 유기 물질일 수 있다. 제1산란입자(1153)들은 제1양자점(1152)들에 흡수되지 못한 청색광(Lb)을 산란시켜 더 많은 제1양자점(1152)들이 여기되도록 함으로써, 색변환 효율을 증가시킬 수 있다. 제1산란입자(1153)들은 예를 들어, 산화 티타늄(TiO2)이나 금속 입자 등일 수 있다. 제1양자점(1152)들은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
제2색변환부(520)는 입사되는 청색광(Lb)을 녹색의 광(Lg)으로 변환할 수 있다. 제2색변환부(520)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제2감광성 폴리머(1161), 제2감광성 폴리머(1161)에 분산된 제2양자점(1162)들과 제2산란입자(1163)들을 포함할 수 있다.
제2양자점(1162)들은 청색광(Lb)에 의해 여기되어 청색광의 파장보다 긴 파장을 갖는 녹색의 광(Lg)을 등방성으로 방출할 수 있다. 제2감광성 폴리머(1161)는 광 투과성을 갖는 유기 물질일 수 있다.
제2산란입자(1163)들은 제2양자점(1162)들에 흡수되지 못한 청색광(Lb)을 산란시켜 더 많은 제2양자점(1162)들이 여기되도록 함으로써, 색변환 효율을 증가시킬 수 있다. 제2산란입자(1163)들은, 예를 들어, 산화 티타늄(TiO2)이나 금속 입자 등일 수 있다. 제2양자점(1162)들은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다.
일부 실시예로서, 제1양자점(1152) 및 제2양자점(1162)들과 동일한 물질일 수 있다. 이 경우, 제1양자점(1152)들의 크기는 제2양자점(1162)들의 크기 보다 클 수 있다.
투과부(530)는 투과부(530)로 입사하는 청색광(Lb)을 변환하지 않고 청색광(Lb)을 투과할 수 있다. 투과부(530)는 도 3에 도시된 바와 같이, 제3산란입자(1173)들이 분산된 제3 감광성 폴리머(1171)를 포함할 수 있다. 제3 감광성 폴리머(1171)는, 예를 들어, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 광 투과성을 갖는 유기 물질일 수 있으며, 제1 및 제2감광성 폴리머(1151, 1161)와 동일한 물질일 수 있다. 제3산란입자(1173)들은 청색광(Lb)을 산란시켜 방출할 수 있으며, 제1 및 제2산란입자(1153, 1163)들과 동일한 물질일 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 발광다이오드 및 발광다이오드에 전기적으로 연결된 화소회로를 나타낸 등가회로도이다. 도 4에 도시된 화소회로(PC)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 제1 내지 제3화소회로(PC1, PC2, PC3) 각각에 해당하고, 도 4의 발광다이오드(LED)는 앞서 도 2를 참조하여 설명한 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3)에 해당할 수 있다.
도 4를 참조하면, 발광다이오드, 예컨대 발광다이오드(LED)의 제1전극(예, 애노드)은 화소회로(PC)에 연결되고, 발광다이오드(LED)의 제2전극(예, 캐소드)은 공통전압(ELVSS)을 제공하는 보조배선(240)에 연결될 수 있다. 발광다이오드(LED)는 화소회로(PC)로부터 공급되는 전류량에 상응하는 휘도로 발광할 수 있다.
도 4의 발광다이오드(LED)는 앞서 도 2에 도시된 제1 내지 제3발광다이오드(LED1, LED2, LED3) 각각에 해당하며, 도 4의 화소회로(PC)는 앞서 도 2에 도시된 제1 내지 제3화소회로(PC1, PC2, PC3) 각각에 해당할 수 있다.
화소회로(PC)는 데이터신호에 대응하여 구동전압(ELVDD)으로부터 발광다이오드(LED)를 경유하여 공통전압(ELVSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 화소회로(PC)는 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 제3트랜지스터(M3) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 제3트랜지스터(M3) 각각은, 산화물 반도체로 구성된 반도체층을 포함하는 산화물 반도체 트랜지스터거나, 폴리 실리콘으로 구성된 반도체층을 포함하는 실리콘 반도체 트랜지스터일 수 있다. 트랜지스터의 타입에 따라 제1전극은 소스전극 및 드레인전극 중 하나일 수 있고, 제2전극은 소스전극 및 드레인전극 중 다른 하나일 수 있다.
제1트랜지스터(M1)의 제1전극은 구동전압(ELVDD)을 공급하는 구동전압선(250)에 연결되고, 제2전극은 발광다이오드(LED)의 제1전극에 연결될 수 있다. 제1트랜지스터(M1)의 게이트전극은 제1노드(N1)에 연결될 수 있다. 제1트랜지스터(M1)는 제1노드(N1)의 전압에 대응하여 구동전압(ELVDD)으로부터 발광다이오드(LED)를 흐르는 전류량을 제어할 수 있다.
제2트랜지스터(M2)는 스위칭 트랜지스터일 수 있다. 제2트랜지스터(M2)의 제1전극은 데이터라인(DL)에 연결되고, 제2전극은 제1노드(N1)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(M2)의 게이트전극은 스캔라인(SL)에 연결될 수 있다. 제2트랜지스터(M2)는 스캔라인(SL)으로 주사신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터라인(DL)과 제1노드(N1)를 전기적으로 연결할 수 있다.
제3트랜지스터(M3)는 초기화 트랜지스터 및/또는 센싱 트랜지스터일 수 있다. 제3트랜지스터(M3)의 제1전극은 제2노드(N2)에 연결될 수 있고, 제2전극은 센싱라인(SEL)에 연결될 수 있다. 제3트랜지스터(M3)의 게이트전극은 제어라인(CL)에 연결될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 연결될 수 있다. 예컨대, 스토리지 커패시터(Cst)의 제1커패시터전극은 제1트랜지스터(M1)의 게이트전극에 연결되고, 스토리지 커패시터(Cst)의 제2커패시터전극은 발광다이오드(LED)의 제1전극에 연결될 수 있다.
도 4에서는 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 및 제3트랜지스터(M3)를 NMOS로 도시하였지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 제1트랜지스터(M1), 제2트랜지스터(M2), 및 제3트랜지스터(M3) 중 적어도 하나는 PMOS로 형성될 수 있다.
도 4에는 3개의 트랜지스터들이 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 화소회로(PC)는 4개 또는 그 이상의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 공통전압공급선 및 구동전압공급선을 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(DV)는 앞서 도 4를 참조하여 설명한 화소회로에 공통전압(ELVSS)를 공급하기 위한 공통전압공급선(10) 및 발광다이오드의 제2전극에 구동전압(ELVDD)을 공급하기 위한 구동전압공급선(20)을 포함할 수 있다. 공통전압공급선(10) 및 구동전압공급선(20)은 비표시영역(NDA)에 배치될 수 있다.
표시 장치(DV)의 형상은 기판(100)의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)의 외곽의 비표시영역(NDA)을 포함한다고 할 수 있으며, 이하에서는 설명의 편의상 기판(100)이 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)의 외곽의 비표시영역(NDA)을 포함하는 것으로 설명한다.
공통전압공급선(10)은 표시영역(DA)의 제1에지(E1)에 인접하게 배치된 제1공통전압입력부(11) 및 제2공통전압입력부(12)을 포함할 수 있다. 제1공통전압입력부(11) 및 제2공통전압입력부(12)는 x방향을 따라 상호 이격되되, 표시영역(DA)의 제2 내지 제4에지(E2, E3, E4)에 인접하게 배치된 제1 및 제3연장부(13, 14, 15)들을 통해 일체로 연결될 수 있다.
제1공통전압입력부(11) 및 제2공통전압입력부(12) 사이에는 적어도 하나의 제3공통전압입력부(16)가 배치될 수 있으며, 일 실시예로 도 5는 4개의 제3공통전압입력부(16)를 도시한다.
공통전압공급선(10)은 표시영역(DA)을 지나는 보조배선(240)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 보조배선(240)들은 각각 예컨대 도 5에 도시된 바와 같이 y방향을 따라 연장될 수 있다. 적어도 어느 하나의 보조배선(240)은 y방향을 따라 표시영역(DA)을 가로지르도록 연장되며 제1공통전압입력부(11) 및 제1공통전압입력부(11)와 마주보는 제2연장부(14)의 일부에 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 적어도 어느 하나의 보조배선(240)은 y방향을 따라 표시영역(DA)을 가로지르도록 연장되며 제2공통전압입력부(12) 및 제2공통전압입력부(12)와 마주보는 제2연장부(14)의 일부에 전기적으로 연결될 수 있다. 유사하게, 또 다른 적어도 하나의 보조배선(240)은 y방향을 따라 표시영역(DA)을 가로지르도록 연장되며 제3공통전압입력부(16) 및 제3공통전압입력부(16)와 마주보는 제2연장부(14)의 일부에 전기적으로 연결될 수 있다.
공통전압공급선(10)이 제1공통전압입력부(11) 및 제2공통전압입력부(12) 사이에 배치된 제3공통전압입력부(16)를 포함하는 경우, 제1공통전압입력부(11) 및 제2공통전압입력부(12)만 구비하는 경우에 비하여 공통전압공급선(10)을 통해 공급되는 전류 인가시 전류 밀도를 낮출 수 있고 발열을 억제할 수 있다.
구동전압공급선(20)은 비표시영역(NDA)에 위치하되, 표시영역(DA)의 제1에지(E1)에 인접한 구동전압공급부(21) 및 표시영역(DA)의 제3에지(E3)를 따라 연장된 상대부(counterpart, 22)를 포함할 수 있다. 구동전압공급부(21) 및 상대부(counterpart, 22)는 표시영역(DA)을 사이에 두고 표시영역(DA)의 양측에 배치될 수 있다.
구동전압공급선(20)은 표시영역(DA)을 가로지르는 구동전압선(250)들에 전기적으로 연결될 수 있다. 구동전압선(250)들은 각각 구동전압공급부(21)와 전기적으로 연결된 채 y방향을 따라 연장될 수 있다. 일부 실시예로서, 구동전압선(250)들은 구동전압선(250)들과 교차하도록 x방향을 따라 연장된 수평구동전압선(270)들과 전기적으로 연결될 수 있다. 구동전압선(250) 및 수평구동전압선(270)은 서로 다른 층 상에 배치되며, 이들 사이에 개재된 적어도 하나의 절연층을 관통하는 콘택홀을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 보조배선(240)들 중 적어도 어느 하나는 표시영역(DA)에서 발광다이오드의 제2전극에 전기적으로 연결될 수 있다.
도 6은 표시 장치에 배치된 복수의 발광다이오드들 중 제1발광다이오드(LED1)를 도시하고 있으나, 앞서 도 2를 참조하여 설명한 제2 및 제3발광다이오드(LED2, LED3, 도 2)도 도 6의 제1발광다이오드와 동일한 구조를 갖는다.
도 6을 참조하면, 기판(100) 상에 제1발광다이오드(LED1)가 배치된다. 기판(100)과 제1발광다이오드(LED1) 사이에는 제1발광다이오드(LED1)와 전기적으로 연결된 제1부화소회로(PC1)이 배치된다. 제1부화소회로(PC1)은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 복수의 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 6은 제1트랜지스터(M1)을 도시한다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트프로피오네이트 등을 포함할 수 있다 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 가요성을 가질 수 있다. 예컨대, 가요성을 갖는 기판(100)을 구비한 표시 장치는 휘어질 수 있거나(curved), 구부릴 수 있거나(bendable), 돌돌 말 수 있거나(rollable), 접을 수 있는 (foldable) 것과 같이 그 형상이 변경될 수 있다.
버퍼층(101)은 기판(100) 상에 배치되며 기판(100)으로부터 트랜지스터, 예컨대 제1트랜지스터(M1)을 향해 불순물이 침투하는 것을 방지할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(101)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 및/또는 실리콘산질화물과 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.
제1트랜지스터(M1)의 구동 반도체층(210)은 버퍼층(101) 상에 배치된다. 구동 반도체층(210)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 산화물 반도체는 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 구동 반도체층(210)은 폴리 실리콘을 포함하거나, 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 구동 반도체층(210)은 구동 게이트전극(220)에 중첩하는 채널영역(211), 채널영역(211)의 양측에 배치되며 불순물로 도핑되거나 도전화된 제1영역(212) 및 제2영역(213)을 포함할 수 있다. 제1영역(212) 및 제2영역(213) 중 어느 하나는 소스영역이고 나머지 하나는 드레인영역에 해당할 수 있다.
구동 게이트전극(220)은 게이트절연층(103)을 사이에 두고 반도체층(210)의 채널영역(211)과 중첩할 수 있다. 구동 게이트전극(220)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트절연층(103)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 및/또는 실리콘산질화물과 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.
연결전극(230)은 층간절연층(105) 상에 배치되며, 반도체층(210)의 제1영역(212) 및 제2영역(213) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 이와 관련하여, 도 6은 연결전극(230)이 제2영역(213)에 접속된 것을 도시한다. 제2영역(213)이 소스(또는 드레인)영역인 경우 연결전극(230)은 소스(또는 드레인)전극에 해당할 수 있다. 층간절연층(105)은 실리콘산화물, 실리콘산질화물과 같은 무기절연물을 포함할 수 있다. 층간절연층(105)은 상기의 재료를 포함하는 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 층간절연층(105)은 실리콘질화물층 및 그 하부의 실리콘산화물층을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
게이트절연층(103) 및 층간절연층(105)은 무기절연물을 포함하는 절연막으로, CVD(chemical vapor deposition) 또는 ALD(atomic layer deposition)를 통해 형성될 수 있다.
구동전압선(250)은 층간절연층(105) 상에 배치될 수 있으며, 연결전극(230)과 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있다. 연결전극(230) 및 구동전압선(250)은 복수의 서브층으로 형성될 수 있다. 예컨대, 연결전극(230)은 제1층(231), 제1층(231) 아래의 제2층(232), 및 제2층(232) 아래의 제3층(233)을 포함할 수 있다. 유사하게, 구동전압선(250)은 제1층(251), 제1층(251) 아래의 제2층(252), 및 제2층(252) 아래의 제3층(253)을 포함할 수 있다.
연결전극(230)의 제1층(231) 및 구동전압선(250)의 제1층(251)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및/또는 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함하는 금속층이거나, 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide), 갈륨아연산화물(GZO, Gallium zinc oxide), 및/또는 인듐아연산화물(IZO, Indium zinc oxide)과 같은 투명 도전성 산화물(TCO, Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있다.
연결전극(230)의 제2층(232) 및 구동전압선(250)의 제2층(252)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및/또는 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다.
연결전극(230)의 제3층(233) 및 구동전압선(250)의 제3층(253)은 인듐주석산화물(ITO)와 같은 투명 도전성 산화물(TCO)을 포함하거나, 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및/또는 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)에 배치된 보조배선(240)은 제1부화소회로(PC1)과 인접하게 배치될 수 있다. 보조배선(240)은 연결전극(230) 및/또는 구동전압선(250)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 이와 관련하여, 도 6은 보조배선(240)이 층간절연층(105) 상에 배치된 것을 도시한다. 다른 실시예에서, 보조배선(240)은 제1발광다이오드(LED1)의 제1전극(310)과 동일한 층 상에 배치될 수도 있다.
보조배선(240)은 복수의 도전층의 적층 구조를 가질 수 있다. 보조배선(240)은 메인서브층(242), 메인서브층(242) 상의 상부서브층(241), 및 메인서브층(242) 아래의 하부서브층(243)을 포함할 수 있다.
메인서브층(242)은 도전성 등을 고려하여, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및/또는 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 메인서브층(242)은 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다. 일부 실시예로서, 메인서브층(242)은 구리(Cu)를 포함하는 단일 층이거나, 알루미늄(Al)을 포함하는 단일 층일 수 있다.
하부서브층(243)은 메인서브층(242)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 하부서브층(243)은 도전성 및 점착성 등을 고려하여 선택될 수 있다. 예컨대, 하부서브층(243)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및/또는 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함하는 금속층이거나, 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide), 갈륨아연산화물(GZO, Gallium zinc oxide), 및/또는 인듐아연산화물(IZO, Indium zinc oxide)과 같은 투명 도전성 산화물(TCO, Transparent Conductive Oxide)을 포함할 수 있으며, 전술한 투명 도전성 산화물은 비정질이거나 결정질일 수 있다.
상부서브층(241)은 메인서브층(242) 상에 배치되며, 메인서브층(242)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 상부서브층(241)은 표시 장치의 제조 공정 중 메인서브층(242)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 상부서브층(241)은 인듐주석산화물(ITO)와 같은 투명 도전성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다. 상부서브층(241)은 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및/또는 텅스텐(W)과 같은 금속을 포함할 수 있다. 또는, 상부서브층(241)은 전술한 금속층과 투명 도전성 산화물층의 다층 구조일 수 있다. 일부 실시예에서, 상부서브층(241)은 하부서브층(243)과 동일한 물질을 포함할 수 있으나, 다른 실시예에서 상부서브층(241)은 하부서브층(243)과 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
보조배선(240)은 동일한 층 상에 배치된 연결전극(230) 및/또는 구동전압선(250)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 연결전극(230)의 제1층(231), 제2층(232), 및 제3층(233)은 각각, 보조배선(240)의 상부서브층(241), 메인서브층(242), 및 하부서브층(243)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 유사하게, 구동전압선(250)의 제1층(251), 제2층(252), 및 제3층(253)은 각각 보조배선(240)의 상부서브층(241), 메인서브층(242), 및 하부서브층(243)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
격벽(WL)은 보조배선(240)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 도 6에서는, 격벽(WL)이 보조배선(240)과 같이, 층간절연층(105) 상에 배치된 것을 도시한다. 예컨대, 격벽(WL)은 보조배선(240)의 일부와 마찬가지로 제1개구(107OP) 내에 위치할 수 있다. 격벽(WL)은 보조배선(240)의 양측(예컨대, 도 6에서의 좌측과 우측)에 배치되거나, 보조배선(240)의 일측에 인접하게 배치될 수 있다.
격벽(WL)은 단면상에서 하부의 폭과 상부의 폭이 동일한 형상을 가질 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 격벽(WL)은 단면상에서 하부의 폭과 상부의 폭이 다른 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 격벽(WL)의 상부의 폭이 하부의 폭보다 작은 형상을 가질 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의상 격벽(WL)이 하부의 폭과 상부의 폭이 동일한 형상을 갖는 것으로 설명한다.
평탄화절연층(107)은 연결전극(230), 보조배선(240), 및 구동전압선(250) 상에 배치될 수 있다. 평탄화절연층(107)은 아크릴, BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide) 및/또는 HMDSO(Hexamethyldisiloxane) 등의 유기절연물을 포함할 수 있다.
평탄화절연층(107)은 보조배선(240)에 중첩하는 제1개구(107OP)를 포함한다. 제1개구(107OP)의 제1폭(W1)은 보조배선(240)의 제2폭(W2) 보다 크며, 따라서 제1개구(107OP)를 통해 그 아래의 절연층, 예컨대 층간절연층(105)의 상면의 일부가 노출될 수 있다.
평탄화절연층(107) 상의 제1전극(310)은 콘택홀(107CNT)을 통해 제1부화소회로(PC1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 제1전극(310)은 콘택홀(107CNT)을 통해 연결전극(230)에 접속될 수 있다.
제1전극(310)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 제1전극(310)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1전극(310)은 전술한 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물 (IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐산화물(In2O3), 인듐갈륨산화물 (IGO) 및 알루미늄아연산화물(AZO)과 같은 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 제1전극(310)은 ITO층, 은(Ag)층, ITO층의 3층 구조 일 수 있다.
뱅크층(111)은 제1전극(310) 상에 배치되며, 제1전극(310)의 가장자리를 커버할 할 수 있다. 뱅크층(111)은 제1전극(310)의 일 부분에 중첩하는 개구(이하, 발광개구라 함, 111EOP)를 포함한다. 발광개구(111EOP)는 제1전극(310)의 중심 부분은 노출할 수 있다. 뱅크층(111)은 유기물을 포함할 수 있다. 뱅크층(111)은 평탄화절연층(107)의 제1개구(107OP)와 중첩하는 제2개구(111OP)를 포함할 수 있다. 제2개구(111OP)의 제3폭(W3)은 제1개구(107OP)의 제1폭(W1) 보다 클 수 있다.
중간층(320)은 발광개구(111EOP)를 통해 제1전극(310)에 접촉할 수 있다. 중간층(320)은 유기물로 이루어진 층으로, 발광층을 포함할 수 있다.
제2전극(330)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2전극(330)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 제2전극(330)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
제1전극(310), 중간층(320) 및 제2전극(330)의 다층 구조를 포함하는 발광다이오드, 예컨대 제1발광다이오드(LED1)는 봉지층(400)으로 커버된다. 일 실시예로, 봉지층(400)은 제1무기봉지층(410), 제1무기봉지층(410) 상의 유기봉지층(420) 및 유기봉지층(420) 상의 제2무기봉지층(430)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(410, 430)은 각각 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 무기 절연물은 알루미늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 아연산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물 및/또는 실리콘산질화물을 포함할 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(410, 430)은 화학기상증착법을 통해 형성될 수 있다. 제1무기봉지층(410)은 상대적으로 스텝 커버리지(Step coverage)가 우수하므로 보조배선(240)과 격벽(WL)의 형상에도 불구하고, 보조배선(240) 및 격벽(WL)을 전체적으로 커버할 수 있다.
유기봉지층(420)은 폴리머(polymer) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 아크릴계 수지는 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다.
봉지층(400) 상에는 색변환-투과층(500) 및 컬러층(600)이 배치될 수 있다. 이와 관련하여 도 6은, 색변환-투과층(500)의 제1색변환부(510)이 제1발광다이오드(LED1)에 중첩하게 배치되고, 컬러층(600)의 제1컬러필터(610)이 제1발광다이오드(LED1)에 중첩하게 배치된 것을 도시한다. 제1색변환부(510) 및 제1컬러필터(610)는 각각 차광부(540, 640)에 의해 둘러싸일 수 있으며, 이와 관련하여 도 6은 제1색변환부(510) 및 제1컬러필터(610) 각각의 양측에 배치된 차광부(540, 640)를 도시한다. 차광부(540, 640)는 블랙 매트릭스와 같은 차광물질을 포함할 수 있으며, 보조배선(240)은 차광부(540, 640)에 중첩될 수 있다.
제2전극(330)은 표시영역(DA)에서 보조배선(240)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2전극(330)의 적어도 일부는 보조배선(240)과 직접 접촉할 수 있다.
중간층(320) 및 제2전극(330)은 표시영역(DA)에 해당하는 개구를 갖는 마스크를 이용하여 증착될 수 있는데, 돌출된 팁(T) 구조를 갖는 보조배선(240)의 형상에 의해 중간층(320)의 일부는 팁(T) 주변에서 단절 또는 분리될 수 있다. 제2전극(330) 아래에 형성되는 중간층(320)이 팁(T)에 의해 단절된 부분들을 포함하기에, 제2전극(330)의 일부는 보조배선(240)과 직접 접촉할 수 있다. 격벽(WL)이 보조배선(240) 주변에 배치되는 경우, 중간층(320)은 격벽(WL)에 의해 증착이 제한되기에, 중간층(320) 상에 형성되는 제2전극(330)과 보조배선(240)의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 격벽(WL)과 보조배선(240)을 중심으로 한 중간층(320) 및 제2전극(330)의 구조는 도 7 내지 도 9를 참고하여 자세히 설명한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 보조배선 및 보조배선과 인접한 격벽을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 8은 도 7의 A-A' 선에 따른 단면도이며, 도 9는 도 7의 B-B'선에 따른 단면도이다. 도 7은 도 6에 도시된 보조배선을 상부에서 바라본 평면도에 해당할 수 있다.
도 7을 참조하면, 격벽(WL)은 보조배선(240)과 인접하게 배치될 수 있다. 격벽(WL)은 앞서 설명한 바와 같이 평탄화절연층(107, 도 6)의 제1개구(107OP) 내에 위치할 수 있다. 격벽(WL)은 평면도에서 보조배선(240)의 양측 중 적어도 일 측을 따라 배치될 수 있으며, 도 7은 격벽(WL)이 보조배선(240)의 양측에 각각 배치된 것을 도시한다. 평탄화절연층의 제1개구(107OP)의 폭은, 보조배선(240)의 폭(x방향으로의 폭) 및 보조배선(240) 주변에 배치된 격벽(WL)(들)의 폭의 합 보다 크게 형성될 수 있다.
격벽(WL)은 보조배선(240)의 측면에 대응하는 적어도 하나의 개구(OP)를 가질 수 있다. 적어도 하나의 개구(OP)는 평탄화절연층(107, 도 6)의 제1개구(107OP) 내에 위치할 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 격벽(WL)이 보조배선(240)의 양측에 각각 배치된 경우, 어느 하나의 격벽(WL)의 개구(OP) 및 다른 하나의 격벽(WL)의 개구(OP)는 보조배선(240)을 중심으로 좌우 비대칭이게 위치할 수 있다. 예컨대, 보조배선(240)의 길이방향(y방향)과 교차하는 보조배선(240)의 길이방향(y방향)과 교차하는 도 7의 B-B'선을 따르는 단면을 보면, 보조배선(240)의 좌측에 위치한 격벽(WL)의 개구(OP)는 보조배선(240)의 우측에 위치한 격벽(WL)의 배리어부분(여기서 배리어부분이라 함은 개구가 아닌 격벽(WL)의 몸체의 일부분으로서 격벽(WL)에 해당하는 물질을 포함하는 물질부분을 나타냄)과 대응한다. 마찬가지로, 보조배선(240)의 우측에 위치한 격벽(WL)의 개구(OP)는 보조배선(240)의 좌측에 위치한 격벽(WL)의 배리어부분(여기서 배리어부분이라 함은 개구가 아닌 격벽(WL)의 몸체의 일부분으로서 격벽(WL)에 해당하는 물질을 포함하는 물질부분을 나타냄)과 대응한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 보조배선(240) 상에 형성되는 제2전극(330)은 격벽(WL), 예컨대 격벽(WL)의 배리어부분에 의해 분리 또는 단절될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이 제2전극(330)은 격벽(WL)의 일측에 배치되며 보조배선(240)에 접속된 부분(이하, 제1부분, 도 8의 330a) 및 격벽(WL)을 사이에 두고 제1부분(330a)의 반대편인 부분(제2부분, 도 8의 330b)을 포함할 수 있다. 제2전극(330)의 제1부분(330a)과 제2부분(330b)은 격벽(WL) 주변에서 서로 분리 또는 단절되어 있으나 도 9에 도시된 바와 같이 개구(OP)를 통해 서로 일체로 연결되므로, 보조배선(240)을 통해 공급되는 공통전압은 개구(OP)를 지나는 전기적패스를 통해 유기발광다이오드의 제2전극(330)에 전달될 수 있다.
보조배선(240)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 다층 구조를 가질 수 있다. 보조배선(240)은 메인서브층(242)과 메인서브층(242)의 위와 아래에 배치되는 상부서브층(241) 및 하부서브층(243)을 포함할 수 있다. 도 8을 참조하면, 보조배선(240)의 메인서브층(242)은 보조배선(240)의 대부분을 차지하는 서브층일 수 있다. 메인서브층(242)이 보조배선(240)의 대부분을 차지한다고 함은 중심부를 기준으로 메인서브층(242)의 두께(t2)가 보조배선(240) 전체 두께(tp)의 약 50% 이상임을 나타낼 수 있다. 일부 실시예로서, 메인서브층(242)의 두께(t2)는 중심부를 기준으로 보조배선(240)의 전체 두께(tp)의 약 60% 이상이거나, 약 70% 이상일 수 있다. 메인서브층(242)의 두께(t2)는 상부서브층(241) 및 하부서브층(243) 각각의 두께 보다 클 수 있다. 일 실시예로서, 메인서브층(242)은 1000Å 내지 약 15000Å의 두께를 가질 수 있다.
상부서브층(241)의 폭은 메인서브층(242)의 상면(242t)의 폭 보다 크게 형성될 수 있다. 다르게 말하면, 단면상에서, 상부서브층(241)은 메인서브층(242)의 측면(242s)과 상면(242t)이 만나는 지점으로부터 측 방향으로 돌출된 팁(T)을 포함할 수 있다.
하부서브층(243)의 폭은 메인서브층(242)의 하면의 폭 보다 크게 형성될 수 있다. 다르게 말하면, 단면상에서, 하부서브층(243)은 메인서브층(242)의 측면(242s)과 하면이 만나는 지점으로부터 측 방향으로 돌출된 부분을 포함할 수 있다.
보조배선(240)의 팁(T)은, 층간절연층(105) 상에 보조배선(240)을 형성하고, 제1개구(107OP)를 갖는 평탄화절연층(107)을 형성한 후, 제1개구(107OP)를 통해 노출된 보조배선(240)의 일부를 식각하여 형성할 수 있다. 식각 공정은 에천트를 이용한 습식 식각일 수 있다. 보조배선(240)의 식각은 평탄화절연층(107) 상에 제1전극(310, 도 6)을 형성하는 식각 공정과 함께 수행될 수 있다. 예컨대, 제1전극(310, 도 6)을 형성하는 식각 공정시 제1개구(107OP)를 통해 노출된 보조배선(240)의 일부가 식각되면서, 팁(T)을 갖는 보조배선(240)의 구조가 형성될 수 있다.
보조배선(240)의 메인서브층(242)의 물질은 상부서브층(241)의 물질과 식각 선택비가 다른 물질을 포함할 수 있다. 유사하게, 하부서브층(243)의 물질도 메인서브층(242)의 물질과 식각 선택비가 다른 물질을 포함할 수 있으며, 일부 실시예로서, 하부서브층(243)은 상부서브층(241)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 식각 공정에서 사용되는 에천트에 의해 메인서브층(242)이 상부서브층(241) 보다 과식각됨으로써, 상부서브층(241)에는 앞서 설명한 팁(T)이 형성될 수 있다.
격벽(WL)은 전술한 보조배선(240)의 일부를 식각하는 공정과 별개의 공정으로 형성할 수 있다. 예컨대, 격벽(WL)은 전술한 팁(T) 구조를 갖는 보조배선(240)을 형성한 이후, 별도의 마스크를 이용하여 증착될 수 있다. 격벽(WL)은 증착시 사용한 물질에 따라, 전도성이 없는 유기물 및/또는 무기물을 포함할 수 있다. 예컨대, 격벽(WL)은 폴리이미드, 아크릴, 실록산 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
격벽(WL)의 상단은 보조배선(240)의 팁(T)과 이격될 수 있다. 격벽(WL)의 상단은 상부서브층(241)의 팁(T)과 x방향 및 z방향으로 이격될 수 있다. 격벽(WL)의 상단이 보조배선(240)의 팁(T)과 이격되므로, 보조배선(240)과 격벽(WL) 사이 공간으로 제2전극(330)이 증착될 수 있는 통로를 확보할 수 있다. 격벽(WL)의 하단은 하부서브층(243)의 단부(x방향으로의 단부)와 이격되거나, 하부서브층(243)의 단부와 직접 접촉할 수 있다.
격벽(WL)의 두께(Hw)는 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.75배이거나 그보다 작을 수 있다. 여기서 보조배선(240)의 두께(Ht)라 함은 하부서브층(243), 메인서브층(242), 및 상부서브층(241)을 모두 포함한 전체 두께를 의미할 수 있다. 격벽(WL)의 두께(Hw)가 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.75배를 초과하는 경우, 보조배선(240)과 격벽(WL) 사이 공간으로 제2전극(330)이 증착되기 어려워 제2전극(330)과 보조배선(240)의 전기적 접속(예컨대, 컨택)이 이루어지지 않을 수 있다.
일부 실시예에서, 격벽(WL)의 두께(Hw)는 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.7배이거나 그보다 작을 수 있고 0.5배 이상일 수 있다(Ht×0.5 ≤ Hw ≤ Ht×0.7). 격벽(WL)의 두께(Hw)가 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.5배 보다 작은 경우, 격벽(WL)의 존재에도 불구하고 중간층(320)이 격벽(WL)에 의해 단절되지 않거나 분리되지 않을 수 있다.
일부 실시예에서, 격벽(WL)의 두께(Hw)는 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.65배이거나 그보다 작을 수 있고, 0.5배 이상일 수 있다. 일부 실시예에서, 격벽(WL)의 두께(Hw)는 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.75배이거나 그보다 작을 수 있고, 0.45배 이상일 수 있다. 일부 실시예에서, 격벽(WL)의 두께(Hw)는 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.7배이거나 그보다 작을 수 있고, 0.45배 이상일 수 있다. 일부 실시예에서, 격벽(WL)의 두께(Hw)는 보조배선(240)의 두께(Ht)의 0.65배이거나 그보다 작을 수 있고, 0.45배 이상일 수 있다.
중간층(320)은 발광층(322)을 포함하며, 발광층(322)의 아래 및/또는 위에 위치하는 기능층을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 8은 중간층(320)이 발광층(322), 발광층(322)의 아래에 배치된 제1기능층(321) 및 발광층(322)의 위에 배치된 제2기능층(323)을 포함하는 것을 도시한다.
중간층(320)은 증착의 방식으로 형성될 수 있다. 예컨대, 증착 공정은 열증착(thermal evaporation)일 수 있다. 증착 공정에서 중간층(320)을 이루는 물질은 기판(100, 도 6)에 수직인 방향(z방향) 및 이에 비스듬한 방향을 따라 진행할 수 있다. 예컨대, 중간층(320)은 z방향을 기준으로 소정의 입사각을 갖는 방향으로 증착될 수 있다.
이때, 보조배선(240)이 양측에 팁(T)을 갖는 처마구조 및 격벽(WL)에 의해 중간층(320)이 증착되지 않는 영역(이하, 증착 제한 영역)이 생기게 된다.
중간층(320)은 보조배선(240)의 팁(T) 구조에 의해 보조배선(240)을 중심으로 단절 또는 분리될 수 있다. 중간층(320)의 일부분(320R), 예컨대 제1기능층의 일부분(321R), 발광층의 일부분(322R), 및 제2기능층의 일부분(323R)은 상부서브층(241) 상면 상에 형성될 수 있다. 중간층(320)의 다른 부분(320S)은 보조배선(240)의 적어도 일측에 형성될 수 있으며, 도 8 및 도 9는 다른 부분(320S)이 보조배선(240)의 양측에 형성된 것을 도시한다.
중간층(320)의 다른 부분(320S)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 격벽(WL) 주변에서 단절 또는 분리될 수 있다. 중간층(320)의 다른 부분(320S)은 격벽(WL)을 중심으로 보조배선(240) 측에 배치된 제1부분(320a) 및 격벽(WL)을 사이에 두고 제1부분(320a)의 반대편에 위치하는 제2부분(320b)을 포함할 수 있다.
제1부분(320a)은 제1기능층의 제1부분(321a), 발광층의 제1부분(322a), 및 제2기능층의 제1부분(323a)을 포함할 수 있다. 제2부분(320b)은 제1기능층의 제2부분(321b), 발광층의 제1부분(322b), 및 제2기능층의 제1부분(323b)를 포함할 수 있다. 중간층(320)의 제1부분(320a)은 보조배선(240), 예컨대 메인서브층(242)의 측면(242s)에 직접 접촉할 수 있다.
중간층(320)의 다른 부분(320S)은 도 9에 도시된 바와 같이 격벽(WL)의 개구(OP)에서 단절되거나 분리되지 않을 수 있다. 도 9에 도시된 보조배선(240)의 좌측 부분을 참고하면, 중간층(320)의 다른 부분(320S)은 단절 또는 분리되지 않고 연속적으로 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 중간층(320)의 제1부분(320a) 및 제2부분(320b)은 격벽(WL) 주변에서 서로 분리되지만 개구(OP)를 통해 서로 일체로 연결된 구조를 가질 수 있다.
제2전극(330)은 중간층(320)과 같이, 기판(100, 도 6)에 수직한 방향(z방향) 및 이에 비스듬한 방향으로 증착될 수 있다. 예컨대, 제2전극(330)은 z방향을 기준으로 소정의 입사각을 갖는 방향으로 증착될 수 있다. 보조배선(240)이 팁(T)을 갖는 처마구조 및 격벽(WL)에 의해, 제2전극(330)이 증착되지 않는 영역(이하, 증착 제한 영역)이 생기게 된다.
제2전극(330)은 스퍼터링(sputtering) 방법으로 증착될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2전극(330)은 열증착 방법 또는 스퍼터링 방법으로 증착될 수 있다. 제2전극(330)을 증착할 때, 스퍼터링을 이용하는 경우, 열증착과 비교하여 증착되는 입자의 자유도가 상대적으로 높아, 팁(T)의 처마구조 및 격벽(WL)에 의해 제2전극(330)의 증착이 제한되는 증착 제한 영역이 줄어들 수 있다. 즉, 제2전극(330)과 보조배선(240) 사이의 접촉면적이 보다 넓게 형성될 수 있다.
제2전극(330)은 보조배선(240)의 팁(T) 구조에 의해 보조배선(240)을 중심으로 단절 또는 분리될 수 있다. 제2전극(330)의 일부분(330R)은 상부서브층(241)의 상면 상에 형성될 수 있다. 제2전극(330)의 다른 부분(330S)은 보조배선(240)의 적어도 일측에 형성될 수 있으며, 도 8 및 도 9는 보조배선(240)의 양측에 형성된 것을 도시한다.
제2전극(330)의 다른 부분(330S)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 격벽(WL) 주변에서 단절 또는 분리될 수 있다. 제2전극(330)의 다른 부분(330S)은 격벽(WL)을 중심으로 보조배선(240) 측에 배치된 제1부분(330a) 및 제1부분(330a)의 반대편에 위치하는 제2부분(330b)을 포함할 수 있다. 제2전극(330)의 제1부분(330a)은 보조배선(240)에 직접 접촉할 수 있다. 예컨대 제2전극(330)의 제1부분(330a)은 메인서브층(242)의 측면(242s) 및/또는 하부서브층(243)의 상면에 직접 접촉할 수 있다.
제2전극(330)의 제1부분(330a)은 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 메인서브층(242)의 측면(242s)과 접촉하여 제1접촉영역(CCR1)을 형성할 수 있다. 제1접촉영역(CCR1)은 z방향을 기준으로 중간층(320)의 제1부분(320a) 보다 위쪽에 위치할 수 있다. 제2전극(330)의 제1부분(330a)은 z방향을 기준으로 중간층(320)의 제1부분(320a) 보다 아래쪽에서 메인서브층(242)의 측면(242s)과 접촉하고 하부서브층(243)의 상면과 접촉하여 제2접촉영역(CCR2)을 형성할 수 있다.
제2전극(330)의 다른 부분(330S)은 도 9에 도시된 바와 같이 격벽(WL)의 개구(OP)에서 단절되거나 분리되지 않을 수 있다. 도 9에 도시된 보조배선(240)의 좌측 영역을 참조하면, 제2전극(330)의 다른 부분(330S)은 단절 또는 분리되지 않고 연속적으로 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제2전극(330)의 제1부분(330a) 및 제2부분(330b)은 격벽(WL) 주변에서 서로 분리되지만 개구(OP)를 통해 서로 일체로 연결된 구조를 가질 수 있다.
중간층(320)은 도 9에 도시된 바와 같이 격벽(WL)의 개구(OP)에서 증착이 제한되지 않으므로, 제2전극(330)과 보조배선(240)의 접촉 면적은 감소할 수 있다. 격벽(WL)의 개구(OP)에서, 중간층(320)의 다른 부분(320S)은 하부절연층, 예컨대 층간절연층(105)의 상면과 하부서브층(243)의 상면의 일부를 커버할 수 있다. 그러나, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 격벽(WL) 주변에서 중간층(320)의 다른 부분(320S)은 서로 이격된 제1부분(320a) 및 제2부분(320b)을 포함하기에, 하부서브층(243)의 상면의 일부가 중간층(320)으로 커버되지 않은 채 노출될 수 있고, 중간층(320) 상에 형성되는 제2전극(330)이 하부서브층(243)의 상면의 일부와 직접 접촉하여 제2접촉영역(CCR2)을 형성할 수 있다. 제2접촉영역(CCR2)에 의해 제2전극(330)과 보조배선(240) 간의 접촉영역이 더 증가할 수 있다. 따라서, 제2전극(330)과 보조배선(240) 간의 접촉 저항이 감소할 수 있다.
반면, 개구(OP) 주변에서 제2전극(330)과 보조배선(240)(예컨대, 메인서브층(241)의 측면(241s))이 직접 접촉하는 제1접촉영역(CCR1')이 형성되지만 전술한 제2접촉영역(CCR2)에 해당하는 영역은 개구(OP)에 형성되지 않는다. 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이 개구(OP) 주변에서는 제1접촉영역(CCR1')만 형성되는데 반해, 격벽(WL) 주변에서는 제1접촉영역(CCR1) 및 제2접촉영역(CCR2)이 형성될 수 있다. 격벽(WL) 주변에서 제2전극(330)과 보조배선(240)의 접촉면적은 개구(OP)에서 제2전극(330)과 보조배선(240)의 접촉면적 보다 클 수 있다.
개구(OP)에서 제2전극(330)과 보조배선(240) 간의 제1접촉영역(CCR1')은 격벽(WL) 주변에서 제2전극(330)과 보조배선(240) 간의 제1접촉영역(CCR1)과 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 또는, 개구(OP)에서 제2전극(330)과 보조배선(240) 간의 제1접촉영역(CCR1')은 격벽(WL) 주변에서 제2전극(330)과 보조배선(240) 간의 제1접촉영역(CCR1) 보다 작을 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
240: 보조배선
241: 상부서브층
242: 메인서브층
243: 하부서브층
WL: 격벽
OP: 격벽의 개구
105: 층간절연층
107: 평탄화절연층
107OP: 제1개구
320: 중간층
330: 제2전극
T: 상부서브층의 팁

Claims (20)

  1. 메인서브층, 상기 메인서브층 아래에 배치된 하부서브층, 및 상기 메인서브층 상에 배치된 상부서브층을 포함하는 보조배선;
    상기 보조배선에 인접하고, 상기 보조배선의 측면과 대응하는 개구를 포함하는 격벽;
    상기 보조배선과 인접한 제1전극;
    상기 제1전극과 상기 보조배선 상의 제2전극; 및
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되며, 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하며,
    상기 보조배선의 상기 상부서브층은 상기 메인서브층의 측면과 상면이 만나는 지점으로부터 측 방향을 따라 돌출된 팁을 포함하고,
    상기 격벽의 상단은 상기 보조배선의 상기 팁과 이격되고,
    상기 제2전극은 상기 보조배선과 접촉하는, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보조배선의 폭 보다 큰 폭을 갖는 개구를 포함하는 제1절연층을 더 포함하며,
    상기 보조배선의 일부 및 상기 격벽은 상기 제1절연층의 상기 개구 내에 위치하는, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 격벽의 두께는 상기 보조배선의 두께의 0.75배이거나 그보다 작은, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극은
    상기 보조배선과 접촉하는 제1부분 및 상기 격벽을 중심으로 상기 제1부분의 반대편에 위치하는 제2부분을 포함하고,
    상기 제1부분과 상기 제2부분은,
    상기 격벽 주변에서 서로 분리되되 상기 격벽의 상기 개구를 통해 서로 일체로 연결된, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극은
    상기 보조배선의 상기 메인서브층의 측면 및 상기 보조배선의 상기 하부서브층의 상면 중 적어도 어느 하나와 직접 접촉하는, 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메인서브층의 두께는 상기 상부서브층의 두께 및 상기 하부서브층의 두께 중 적어도 어느 하나 보다 큰, 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 메인서브층은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 및 몰리브덴(Mo) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 상부서브층 및 상기 하부서브층 중 적어도 어느 하나는, 인듐주석산화물(ITO, Indium tin oxide), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 및 텅스텐(W) 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 중간층은 상기 제1전극 및 상기 보조배선 상에 배치되되,
    상기 중간층은,
    상기 보조배선의 상면 상의 제1부분;
    상기 격벽을 중심으로 상기 보조배선 측에 배치된 제2부분; 및
    상기 격벽을 중심으로 상기 제2부분의 반대편에 위치하는 제3부분을 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 중간층의 상기 제1부분과 상기 제2부분은,
    상기 격벽 주변에서 서로 분리되되 상기 격벽의 상기 개구를 통해 서로 일체로 연결된, 표시 장치.
  11. 메인서브층, 상기 메인서브층 아래에 배치된 하부서브층, 및 상기 메인서브층 상에 배치된 상부서브층을 포함하는 보조배선;
    상기 보조배선 상에 배치되되, 상기 보조배선에 중첩하는 제1개구를 포함하는 절연층;
    상기 보조배선의 일측에 배치되며 개구를 포함하는 격벽;
    상기 절연층 상에 배치되되 상기 보조배선과 인접한 제1전극;
    상기 제1전극과 상기 보조배선 상의 제2전극; 및
    상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재되며, 발광층을 포함하는 중간층;을 포함하며,
    상기 보조배선의 상기 상부서브층은 상기 메인서브층의 측면과 상면이 만나는 지점으로부터 측 방향을 따라 돌출된 팁을 포함하고,
    상기 격벽의 상단은 상기 보조배선의 상기 팁과 이격되고,
    상기 제2전극은 상기 보조배선과 접촉하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 절연층의 상기 제1개구 내에 위치하는, 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 보조배선의 타측에 배치되며 개구를 포함하는 추가 격벽을 더 포함하는, 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 추가 격벽의 개구와 상기 격벽의 개구는,
    상기 보조배선의 양측에 각각 위치하되, 상기 보조배선을 중심으로 비대칭적으로 배치된, 표시 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 절연층의 상기 제1개구의 폭은,
    상기 보조배선의 폭 및 상기 격벽의 폭의 합 보다 큰, 표시장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 격벽의 두께는 상기 보조배선의 두께의 0.75배이거나 그보다 작은, 표시 장치.
  17. 제11항에 있어서,
    상기 제2전극은
    상기 보조배선과 접촉하는 제1부분 및 상기 격벽을 중심으로 상기 제1부분의 반대편에 위치하는 제2부분을 포함하고,
    상기 제1부분과 상기 제2부분은,
    상기 격벽 주변에서 서로 분리되되 상기 격벽의 상기 개구를 통해 서로 일체로 연결된, 표시 장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제2전극은
    상기 보조배선의 상기 메인서브층의 측면 및 상기 보조배선의 상기 하부서브층의 상면 중 적어도 어느 하나와 직접 접촉하는, 표시 장치.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 메인서브층의 두께는 상기 상부서브층의 두께 및 상기 하부서브층의 두께 중 적어도 어느 하나 보다 큰, 표시 장치.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 메인서브층은 상기 상부서브층 및 상기 하부서브층과 서로 다른 물질을 포함하는, 표시 장치.
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