KR102642369B1 - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

제1 전하 생성층과 상부 전극을 전기적으로 절연시킬 수 있는 유기 발광 표시 장치는 발광 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 기판 상의 주변 영역에 배치되는 보조 전원 배선, 기판 상의 발광 영역에 배치되는 하부 전극, 발광 영역에서 하부 전극의 일부 및 주변 영역에서 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 화소 정의막, 화소 정의막 및 하부 전극 상에 배치되고, 보조 전원 배선을 노출시키는 제1 공통층, 제1 공통층 상에 배치되고, 보조 전원 배선을 노출시키며, 제1 발광층, 제1 발광층 상에 배치되는 제1 전하 생성층 및 제1 전하 생성층 상에 배치되는 제2 발광층을 포함하는 발광 구조물, 발광 구조물 상에 배치되고, 발광 구조물을 커버하며 보조 전원 배선을 노출시키는 제2 공통층 및 제2 공통층 상에 배치되고, 보조 전원 배선과 접촉하는 상부 전극을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 전하 생성층과 상부 전극이 단락되지 않을 수 있고, 발광 영역에서 백색광을 방출할 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 복수의 발광층들 및 복수의 전하 생성층들을 포함하는 탠덤 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다. 이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
최근 탠덤(tandem) 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 여기서, 탠덤 구조는 복수의 발광층들 및 복수의 전하 생성층들이 교번하여 적층되는 적층 구조를 가질 수 있고, 백색광을 방출할 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치가 대형화됨에 따라, 유기 발광 표시 장치의 캐소드 전극의 저항은 높아질 수 있다. 상기 캐소드 전극의 저항이 높아지는 경우, 전압 강하(IR drop)가 발생될 수 있고, 유기 발광 표시 장치에 포함된 복수의 화소들에 서로 다른 레벨의 전압이 인가되어 유기 발광 표시 장치의 휘도 불균일 또는 화질 불균일이 발생될 수 있다.
본 발명의 일 목적은 복수의 발광층들 및 복수의 전하 생성층들을 포함하는 탠덤 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 복수의 발광층들 및 복수의 전하 생성층들을 포함하는 탠덤 구조를 갖는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적들에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 주변 영역에 배치되는 보조 전원 배선, 상기 기판 상의 발광 영역에 배치되는 하부 전극, 상기 발광 영역에서 상기 하부 전극의 일부 및 상기 주변 영역에서 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 화소 정의막, 상기 화소 정의막 및 상기 하부 전극 상에 배치되고, 상기 보조 전원 배선을 노출시키는 제1 공통층, 상기 제1 공통층 상에 배치되고, 상기 보조 전원 배선을 노출시키며, 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되는 제1 전하 생성층 및 상기 제1 전하 생성층 상에 배치되는 제2 발광층을 포함하는 발광 구조물, 상기 발광 구조물 상에 배치되고, 상기 발광 구조물을 커버하며 상기 보조 전원 배선을 노출시키는 제2 공통층 및 상기 제2 공통층상에 배치되고, 상기 보조 전원 배선과 접촉하는 상부 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막과 상기 기판 사이에 개재되고, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제1 개구를 갖는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 정의막은 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제2 개구 및 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 제3 개구를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구는 중첩되고, 상기 제1 및 2 개구들의 측벽에서 상기 제1 공통층, 상기 제1 발광층, 상기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 발광층이 순서대로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에서 상기 제1 전하 생성층이 노출되지 않도록 상기 제2 공통층이 상기 제1 전하 생성층을 커버할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에서 상기 제2 공통층은 상기 제1 공통층의 단부, 상기 제1 발광층의 단부, 상기 제1 전하 생성층의 단부 및 상기 제2 발광층의 단부를 커버하며 상기 보조 전원 배선의 상면의 일부와 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 투명 전극막, 상기 제1 투명 전극막 상에 배치되는 반사 전극막 및 상기 반사 전극막 상에 배치되는 제2 투명 전극막을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보조 전원 배선과 상기 상부 전극 사이에 개재되는 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 도전 패턴은 상기 하부 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보조 전원 배선과 이격하여 배치되며, 상기 기판과 상기 하부 전극 사이에 개재되는 반도체소자를 더 포함하고, 상기 반도체 소자는 상기 기판 상에 배치되는 액티브층, 상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극, 상기 게이트전극 상에 배치되는 층간 절연층 및 상기 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극들 및 상기 보조 전원 배선은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 전극 상에 배치되는 봉지 기판 및 상기 봉지 기판의 저면에 배치되며, 상기 하부 전극과 중첩하는 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 구조물은 상기 제2 발광층 상에 배치되는 제2 전하 생성층 및 상기 제2 전하 생성층 상에 배치되는 제3 발광층을 더 포함하고, 상기 제2 공통층은 상기 제2 전하 생성층이 노출되지 않도록 커버할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 공통층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고, 상기 제2 공통층은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 발광 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계, 보조 전원 배선을 상기 기판 상의 주변 영역에 형성하는 단계, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제1 개구를 갖는 평탄화층을 상기 기판 상에 형성하는 단계, 하부 전극을 상기 평탄화층 상의 상기 발광 영역에 형성하는 단계, 상기 주변 영역에서 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제2 개구 및 상기 발광 영역에서 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 제3 개구를 갖는 화소 정의막을 상기 평탄화층 상에 형성하는 단계, 제1 공통층을 상기 화소 정의막, 상기 하부 전극 및 상기 보조 전원 배선 상에 형성하는 단계, 제1 발광층, 제1 전하 생성층 및 제2 발광층을 포함하는 발광 구조물을 제1 공통층 상에 형성하는 단계, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제1 공통층 및 상기 발광 구조물을 부분적으로 제거하는 단계, 상기 제1 공통층 및 상기 발광 구조물이 부분적으로 제거된 부분에서 상기 제1 전하 생성층이 노출되지 않도록 제2 공통층을 상기 화소 정의막, 상기 발광 구조물 및 상기 보조 전원 배선 상에 형성하는 단계, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제2 공통층을 부분적으로 제거하는 단계 및 상기 상부 전극을 상기 화소 정의막, 상기 발광 구조물 및 상기 보조 전원 배선 상에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제1 공통층 및 상기 발광 구조물을 부분적으로 제거하는 단계는 상기 보조 전원 배선 상에 제1 폭으로 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제2 공통층을 부분적으로 제거하는 단계는 상기 보조 전원 배선 상에 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 레이저를 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 보조 전원 배선 상에 위치하는 상기 제2 공통층이 레이저 조사에 의해 제거되고, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에 위치하는 상기 제2 공통층에는 레이저가 조사되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구는 중첩되고, 상기 제1 및 2 개구들의 측벽에서 상기 제1 공통층, 상기 제1 발광층, 상기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 발광층이 순서대로 형성되며, 상기 제1 및 2 개구들의 측벽에서 상기 제1 전하 생성층이 노출되지 않도록 상기 제2 공통층이 상기 제1 전하 생성층을 커버할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 공통층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고, 상기 제2 공통층은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판을 제공하는 단계, 상기 하부 전극과 중첩하는 컬러 필터를 상기 봉지 기판의 저면에 형성하는 단계 및 상기 봉지 기판과 상기 기판을 밀봉 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 공통층이 제1 전하 생성층을 커버함으로써, 제1 전하 생성층과 상부 전극을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 전하 생성층과 상부 전극이 단락되지 않을 수 있고, 유기 발광 표시 장치는 발광 영역에서 백색광을 방출할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치가 보조 전원 배선을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치에서 발생될 수 있는 전압 강하 현상을 개선할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 제2 공통층이 제1 전하 생성층을 커버함으로써, 제1 전하 생성층과 상부 전극을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 전하 생성층과 상부 전극이 단락되지 않을 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 "A"부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 16은 도 15의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 전극을 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치의 "A"부분을 확대 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 기판(110), 반도체 소자(250), 보조 전원 배선(370), 평탄화층(270), 하부 전극(290), 화소 정의막(310), 제1 공통층(320), 발광 구조물(330), 제2 공통층(325), 상부 전극(340), 컬러 필터(380), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 발광 구조물(330)은 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(charge generating layer: CGL)(333) 및 제2 발광층(335)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 공통층(320)은 정공 주입층(hole injection layer: HIL)(321), 정공 수송층(hole transport layer: HTL)(322)을 포함할 수 있고, 제2 공통층(325)은 전자 수송층(electron transport layer: ETL)(326) 및 전자 주입층(electron injection layer: EIL)(327)을 포함할 수 있다.
발광 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함하는 기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 기판, 무알칼리(non-alkali) 기판 등을 포함할 수 있다. 선택적으로는, 기판(110)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(110)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다. 이 경우, 상기 폴리이미드 기판은제1 폴리이미드층, 배리어 필름층, 제2 폴리이미드층 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 폴리이미드 기판은 경질의 유리 기판 상에 제1 폴리이미드층, 배리어 필름층 및 제2 폴리이미드층이 적층된 구성을 가질 수 있다. 상기 폴리이미드 기판의 제2 폴리이미드층 상에 절연층(예를 들어, 버퍼층)을 배치한 후, 상기 절연층 상에 상부 구조물(예를 들어, 반도체 소자(250), 보조 전원 배선(370), 하부 전극(290), 제1 공통층(320), 발광 구조물(330), 제2 공통층(325), 상부 전극(340) 등)이 배치될 수 있다. 이러한 상부 구조물의 형성 후, 상기 경질의 유리 기판이 제거될 수 있다. 즉, 상기 폴리이미드 기판은 얇고 플렉서블하기 때문에, 상기 폴리이미드 기판 상에 상부 구조물을 직접 형성하기 어려울 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 상기 경질의 유리 기판을 이용하여 상부 구조물을 형성한 다음, 상기 유리 기판을 제거함으로써, 상기 폴리이미드 기판이 기판(110)으로 이용될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(110)의 유형에 따라 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)으로 구성될 수 있다.
액티브층(130)은 기판(110) 상의 발광 영역(10)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(130)은 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 기판(110) 상의 발광 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 절연층(150)은 액티브층(130)을 덮으며, 액티브층(130)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 알루미늄 산화물(AlOx), 알루미늄 질화물(AlNx), 탄탈륨 산화물(TaOx), 하프늄 산화물(HfOx), 지르코늄 산화물(ZrOx), 티타늄 산화물(TiOx) 등으로 구성될 수 있다.
게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 발광 영역(10)에서 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(170)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
게이트 절연층(150) 및 게이트 전극(170) 상의 발광 영역(10)에 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 발광 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있고, 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 층간 절연층(190)은 게이트 전극(170)을 덮으며, 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 배치될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 층간 절연층(190) 상의 발광 영역(10)에 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 일부를 관통하여 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 구성될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)의 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체 소자는 하부 게이트 구조로 구성될 수도 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)의 반도체 소자(250)가 발광 영역(10)에 배치되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자(250)는 주변 영역(20)에도 배치될 수 있다.
보조 전원 배선(370)이 층간 절연층(190) 상의 주변 영역(20)에 배치될 수 있다. 보조 전원 배선(370)은 반도체 소자(250)(예를 들어, 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230))와 이격하여 위치할 수 있다.
예를 들면, 유기 발광 표시 장치가 대형화되는 경우, 상부 전극의 저항이 높아질 수 있다. 상기 상부 전극의 저항이 높아지는 경우, 유기 발광 표시 장치에 전압 강하가 발생될 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 휘도 또는 화질의 불균일이 발생될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 전압 강하를 줄이기 위해 유기 발광 표시 장치(100)는 보조 전원 배선(370)을 더 포함할 수 있다. 보조 전원 배선(370)은 상부 전극(340)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 보조 전원 배선(370)은 저전원전압 배선일 수 있다. 즉, 보조 전원 배선(370)에 저전원 전압이 인가될 수 있고, 보조 전원 배선(370)은 상기 저전원 전압을 상부 전극(340)에 제공할 수 있다. 보조 전원 배선(370)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 보조 전원 배선(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlNx), 은을 함유하는 합금, 텅스텐(W), 텅스텐 질화물(WNx), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiNx), 탄탈륨 질화물(TaNx), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuxOy), 아연 산화물(ZnOx), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnOx), 인듐 산화물(InOx), 갈륨 산화물(GaOx), 인듐 아연 산화물(IZO) 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 보조 전원 배선(370)은 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 보조 전원 배선(370)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
층간 절연층(190), 소스 전극(210), 드레인 전극(230) 및 보조 전원 배선(370)의 일부 상에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 평탄화층(270)은 주변 영역(20)에서 보조 전원 배선(370)의 양측부를 덮을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 화소 정의막(310)과 기판(110) 사이에 개재될 수 있고, 평탄화층(270)은 주변 영역(20)에서 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시키는 제1 개구(360)를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등으로 구성될 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 발광 영역(10)에 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(290)은 발광 구조물(330)로부터 방출된 광을 기판(110)으로부터 봉지 기판(350)으로의 방향(예를 들어, 유기 발광 표시 장치(100)의 전면)으로 반사시킬 수 있도록 상부 전극(340)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 일부를 관통하여 드레인 전극(230)과 접속할 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(290) 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 하부 전극(290)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
화소 정의막(310)은 주변 영역(20)에 위치하는 보조 전원 배선(370)을 노출시키도록 하부 전극(290)의 일부 및 평탄화층(270) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 주변 영역(20)에서 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시키는 제2 개구(362) 및 발광 영역(10)에서 하부 전극(290)의 일부를 노출시키는 제3 개구(364)를 가질 수 있다. 여기서, 제1 개구(360) 및 제2 개구(362)는 중첩될 수 있다. 제2 개구(362)의 크기는 제1 개구(360)의 크기보다 클 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
제1 공통층(320)이 화소 정의막(310) 및 하부 전극(290) 상에 배치될 수 있고, 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제1 공통층(320)은 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제1 공통층(320)은 정공 주입층(321) 및 정공 수송층(322)을 포함할 수 있다. 정공 주입층(321)이 평탄화층(270) 상에 배치될 수 있고, 정공 주입층(321) 상에 정공 수송층(322)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 정공 주입층(321)은 (N-카바졸릴)트리페닐아민(TCTA), 4,4',4''-트리스[3-메틸페닐(페닐)아미노]트리페닐아민(m-MTDATA) 등의 정공 주입 물질을 포함할 수 있고, 정공 수송층(322)은 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), 4,4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), N,N-디-1-나프틸-N,N-디페닐-1,1-비페닐-4,4-디아민(NPD), N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 정공 수송 물질을 포함할 수 있다.
발광 구조물(330)이 제1 공통층(320) 상에 배치될 수 있고, 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시킬 수 있다. 발광 구조물(330)은 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서 제1 공통층(320) 상에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 발광 구조물(330)은 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(333) 및 제2 발광층(335)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서, 제1 공통층(320) 상에 제1 발광층(331)이 배치될 수 있고, 제1 발광층(331) 상에 제1 전하 생성층(333)이 배치될 수 있으며, 제1 전하 생성층(333) 상에 제2 발광층(335)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(330)은 탠덤(tandem) 구조를 가질 수 있다.
제1 발광층(331)은 제1 파장의 광 및 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광은 혼합되어 노란색 광이 될 수 있다. 예를 들면, 제1 파장의 광은 적색광일 수 있고, 제2 파장의 광은 녹색광일 수 있다. 제1 발광층(331)은 적색 발광 물질 및 청색 발광 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로 제1 파장의 광은 녹색광일 수 있고, 제2 파장의 광은 적색광일 수 있다.
제1 전하 생성층(333)은 n-type 아릴 아민계층 및 p-type 금속 산화물층을 포함할 수 있고, n-type 아릴 아민계층 및 p-type 금속 산화물층은 전압이 가해질 경우 산화-환원 반응이 발생하여 착체를 형성한 후 전하를 발생시킬 수 있다. 제1 전하 생성층(333)은 아릴 아민계의 유기 화합물, 금속, 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 불화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 아릴 아민계의 유기화합물은 α-NPD, 2-TNATA, TDATA, MTDATA, spiro-TAD, sprio-NPB 등을 포함할 수 있고, 상기 금속으로는 Cs, Mo, V, Ti, W, Ba 또는 Li 등을 포함할 수 있으며, 상기 금속 산화물, 금속 탄화물 및 금속 불화물은 Re2O7, MoO3, V2O5, WO3, TiO2, Cs2CO3, BaF, LiF, CsF 등을 포함할 수 있다.
제2 발광층(335)은 상기 제1 파장 및 상기 제2 파장과 다른 제3 파장의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 제3 파장의 광은 청색광일 수 있다. 제2 발광층(335)은 청색 발광 물질을 포함할 수 있다. 이와 같이, 제1 발광층(331)에서 방출되는 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광과 제2 발광층(335)에서 방출되는 제3 파장의 광은 서로 혼합되어 백색광을 구현할 수 있다. 선택적으로, 제1 발광층(331)이 노란색(yellow-Green) 인광 물질을 포함할 수 있고, 제2 발광층(335)이 청색(blue) 형광 물질을 포함할 수 있으며, 노란색(yellow-Green) 인광 물질 및 청색(blue) 형광 물질을 이용하여 노란색 광 및 청색광을 발생시킬 수 있고, 이들이 혼합되어 백색광이 구현될 수도 있다.
발광 구조물(330) 상에 제2 공통층(325)이 배치될 수 있고, 발광 구조물(330)을 커버하며 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제2 공통층(325)은 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서 발광 구조물(330) 상에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 공통층(325)은 전자 수송층(326) 및 전자 주입층(327)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서, 발광 구조물(330)(예를 들어, 제2 발광층(335)) 상에 전자 수송층(326)이 배치될 수 있고, 전자 수송층(326) 상에 전자 주입층(327)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서 제1 전하 생성층(333)이 노출되지 않도록 제2 공통층(325)이 제1 전하 생성층(333)을 커버할 수 있다. 다시 말하면, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서, 제2 공통층(325)은 제1 공통층(320)의 단부, 제1 발광층(331)의 단부, 제1 전하 생성층(333)의 단부 및 제2 발광층(335)의 단부를 커버하며 보조 전원 배선(370)의 상면의 일부와 접촉할 수 있다. 이에 따라, 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(333) 및 제2 발광층(335)을 포함하는 발광 구조물(330)이 배치될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)의 탠덤 구조가 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(333) 및 제2 발광층(335)으로 구성되는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 탠덤 구조는 제1 공통층(320), 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(333), 제2 발광층(335) 및 제2 공통층(325)으로 구성될 수도 있다.
예를 들면, 제2 공통층(325)이 제1 전하 생성층(333)을 커버하지 않는 경우, 제1 전하 생성층(333)은 노출될 수 있고, 제1 전하 생성층(333)과 상부 전극(340)이 직접적으로 접촉할 수 있다. 이러한 경우, 제1 전하 생성층(333)과 상부 전극(340)이 단락될 수 있고, 발광 영역(10)에서 백색광이 방출되지 않을 수 있다. 즉, 제2 공통층(325)이 제1 전하 생성층(333)을 커버함으로써, 제1 전하 생성층(333)과 상부 전극(340)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 전하 생성층(333)과 상부 전극(340)이 단락되지 않을 수 있고, 발광 영역(10)에서 백색광을 방출할 수 있다.
전자 수송층(326)은 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 2-(4-비페닐릴)-5-(4-터트-부틸페닐-1,3,4-옥시디아졸(PBD), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)-4-페닐페놀라토-알루미늄(BAlq), 바쏘쿠프로인(BCP), 트리아졸(TAZ), 페닐퀴노잘린(phenylquinozaline) 등의 전자 수송 물질을 포함할 수 있고, 전자 주입층(327)은 (N-카바졸릴)트리페닐아민 (TCTA), 4,4',4''-트리스[3-메틸페닐(페닐)아미노]트리페닐아민 (m-MTDATA), 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF) 등의 전자 주입 물질을 포함할 수 있다.
상부 전극(340)은 제2 공통층(325) 및 보조 전원 배선(370) 상에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 제2 공통층(325)을 커버하며 보조 전원 배선(370)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등으로 구성될 수 있다.
봉지 기판(350)이 상부 전극(340) 상에 배치될 수 있다. 봉지 기판(350)은 실질적으로 기판(110)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(350)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(350)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다. 이 경우, 유기 발광 표시 장치(100)의 가요성을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 무기층 및 적어도 하나의 유기층이 교대로 적층되는 구조를 가질 수 있다.
봉지 기판(350)의 저면에 하부 전극(290)과 중첩되도록 컬러 필터(380)가 배치될 수 있다. 컬러 필터(380)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 컬러 필터(380)는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지로 구성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)의 제2 공통층(325)이 제1 전하 생성층(333)을 커버함으로써, 제1 전하 생성층(333)과 상부 전극(340)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 전하 생성층(333)과 상부 전극(340)이 단락되지 않을 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역(10)에서 백색광을 방출할 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)가 보조 전원 배선(370)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(100)에서 발생될 수 있는 전압 강하 현상을 개선할 수 있다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 발광 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함하는 기판(510)이 제공될 수 있다. 기판(510)은 투명한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 기판(510)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 선택적으로는, 기판(510)은 연성을 갖는 투명 수지 기판으로 이루어질 수 있다. 기판(510)으로 이용될 수 있는 투명 수지 기판의 예로는 폴리이미드 기판을 들 수 있다.
기판(510) 상에는 버퍼층(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층은 기판(510)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(530)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(530)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 기판(510)의 표면이 균일하지 않을 경우, 기판(510)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 기판(510)의 유형에 따라 기판(510) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 형성되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(530)은 기판(510) 상의 발광 영역(10)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 액티브층(530)은 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다.
액티브층(530) 상에는 게이트 절연층(550)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 기판(510) 상의 발광 영역(10)에서 액티브층(530)을 덮을 수 있으며, 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(530)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 게이트 절연층(550)은 액티브층(530)을 덮으며, 액티브층(530)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(550)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(550)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 산탄화물, 실리콘 탄질화물, 실리콘 산탄화물, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 탄탈륨 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 티타늄 산화물 등을 포함할 수 있다.
게이트 전극(570)은 게이트 절연층(550) 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 발광 영역(10)에서 게이트 절연층(550) 중에서 하부에 액티브층(530)이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(570)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 게이트 전극(570)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 게이트 절연층(550) 및 게이트 전극(570) 상의 발광 영역(10)에 층간 절연층(590)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(590)은 발광 영역(10)에서 게이트 전극(570)을 덮을 수 있고, 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(590)은 게이트 전극(570)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(570)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 이와는 달리, 층간 절연층(590)은 게이트 전극(570)을 덮으며, 게이트 전극(570)의 프로파일을 따라 실질적으로 동일한 두께로 형성될 수도 있다. 층간 절연층(590)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)이 층간 절연층(590) 상의 발광 영역(10)에 형성될 수 있다. 소스 전극(610)은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(630)은 게이트 절연층(550) 및 층간 절연층(590)의 일부를 관통하여 액티브층(530)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 액티브층(530), 게이트 절연층(550), 게이트 전극(570), 층간 절연층(590), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 포함하는 반도체 소자(650)가 구성될 수 있다.
보조 전원 배선(770)이 층간 절연층(590) 상의 주변 영역(20)에 형성될 수 있다. 보조 전원 배선(770)은 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)과 이격하여 형성될 수 있다. 보조 전원 배선(770)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 보조 전원 배선(770)은 금, 은, 알루미늄, 백금, 니켈, 티타늄, 팔라듐, 마그네슘, 칼슘, 리튬, 크롬, 탄탈륨, 몰리브데늄, 스칸듐, 네오디뮴, 이리듐, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 보조 전원 배선(370)은 다층 구조로 형성될 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(610), 드레인 전극(630) 및 보조 전원 배선(770)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 층간 절연층(590) 상에 전체적으로 예비 금속층이 형성될 수 있다. 상기 예비 금속층이 형성된 후, 상기 예비 금속층을 패터닝하여 소스 전극(610), 드레인 전극(630) 및 보조 전원 배선(770)이 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 층간 절연층(590), 소스 전극(610), 드레인 전극(630) 및 보조 전원 배선(670)의 일부 상에 평탄화층(670)이 형성될 수 있다. 평탄화층(670)은 주변 영역(20)에서 보조 전원 배선(770)의 양측부를 덮을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(670)은 주변 영역(20)에서 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시키는 제1 개구(760)를 가질 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(670)은 층간 절연층(590), 소스 전극(610) 및 드레인 전극(630)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(670)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(670)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(670)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(670)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(670)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실롯산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등으로 구성될 수 있다.
도 6을 참조하면, 하부 전극(690)은 평탄화층(670) 상의 발광 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(690)은 평탄화층(670)의 일부를 관통하여 드레인 전극(630)과 접속할 수 있다. 또한, 하부 전극(690)은 반도체 소자(650)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 하부 전극(690) 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 선택적으로, 하부 전극(690)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
화소 정의막(710)은 주변 영역(20)에 위치하는 보조 전원 배선(770)을 노출시키도록 하부 전극(690)의 일부 및 평탄화층(670) 상에 형성될 수 있다. 화소 정의막(710)은 하부 전극(690)의 양측부를 덮을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(710)은 주변 영역(20)에서 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시키는 제2 개구(762) 및 발광 영역(10)에서 하부 전극(690)의 일부를 노출시키는 제3 개구(764)를 가질 수 있다. 여기서, 제1 개구(760) 및 제2 개구(762)는 중첩될 수 있다. 제2 개구(762)의 크기는 제1 개구(760)의 크기보다 클 수 있다. 화소 정의막(710)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(710)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 예비 제1 공통층(820), 예비 제1 발광층(831), 예비 제1 전하 생성층(833) 및 예비 제2 발광층(835)이 순서대로 기판(510) 상에 전체적으로 형성될 수 있다. 예들 들면, 예비 제1 공통층(820)이 화소 정의막(710), 하부 전극(690) 및 보조 전원 배선(770) 상에 형성될 수 있고, 예비 제1 공통층(820) 상에 예비 제1 발광층(831)이 형성될 수 있으며, 예비 제1 발광층(831) 상에 예비 제1 전하 생성층(833)이 형성될 수 있고, 예비 제1 전하 생성층(833) 상에 예비 제2 발광층(835)이 형성될 수 있다. 예비 제1 공통층(820), 예비 제1 발광층(831), 예비 제1 전하 생성층(833) 및 예비 제2 발광층(835)이 형성된 후, 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시키도록 보조 전원 배선(770) 상에 제1 폭(W1)으로 레이저가 조사될 수 있다.
도 8을 참조하면, 제1 폭(W1)으로 레이저가 조사된 후, 제1 공통층(720) 및 제1 발광층(731), 제1 전하 생성층(733) 및 제2 발광층(735)을 포함하는 발광 구조물(730)이 형성될 수 있다.
제1 공통층(720)이 화소 정의막(710) 및 하부 전극(690) 상에 형성될 수 있고, 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제1 공통층(720)은 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에 형성될 수 있다. 제1 공통층(720)은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함할 수 있다(도 2 참조). 상기 정공 주입층이 평탄화층(670) 상에 형성될 수 있고, 상기 정공 주입층 상에 상기 정공 수송층이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 정공 주입층은 정공 주입 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 상기 정공 수송층은 정공 수송 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
발광 구조물(730)이 제1 공통층(720) 상에 형성될 수 있고, 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시킬 수 있다. 발광 구조물(730)은 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에서 제1 공통층(720) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에서, 제1 공통층(720) 상에 제1 발광층(731)이 형성될 수 있고, 제1 발광층(731) 상에 제1 전하 생성층(733)이 형성될 수 있으며, 제1 전하 생성층(733) 상에 제2 발광층(735)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(730)은 탠덤 구조를 가질 수 있다.
제1 발광층(731)은 제1 파장의 광 및 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광은 혼합되어 노란색 광이 될 수 있다. 예를 들면, 제1 파장의 광은 적색광일 수 있고, 제2 파장의 광은 녹색광일 수 있다. 선택적으로 제1 파장의 광은 녹색광일 수 있고, 제2 파장의 광은 적색광일 수 있다.
제1 전하 생성층(733)은 n-type 아릴 아민계층 및 p-type 금속 산화물층을 사용하여 형성될 수 있다. 제1 전하 생성층(733)은 아릴 아민계의 유기 화합물, 금속, 금속 산화물, 금속 탄화물, 금속 불화물 등으로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
제2 발광층(735)은 상기 제1 파장 및 상기 제2 파장과 다른 제3 파장의 광을 방출할 수 있다. 여기서, 제3 파장의 광은 청색광일 수 있다. 이와 같이, 제1 발광층(731)에서 방출되는 제1 파장의 광 및 제2 파장의 광과 제2 발광층(735)에서 방출되는 제3 파장의 광은 서로 혼합되어 백색광을 구현할 수 있다. 선택적으로, 제1 발광층(731)이 노란색 인광 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 제2 발광층(735)이 청색 형광 물질을 사용하여 형성될 수 있으며, 노란색 인광 물질 및 청색 형광 물질을 이용하여 노란색 광 및 청색광을 발생시킬 수 있고, 이들이 혼합되어 백색광이 구현될 수도 있다.
도 9를 참조하면, 발광 구조물(730) 및 보조 전원 배선(770) 상에 예비 제2 공통층(825)이 형성될 수 있다. 예비 제2 공통층(825)이 형성된 후, 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시키도록 보조 전원 배선(770) 상에 제2 폭(W2)으로 레이저가 조사될 수 있다. 여기서, 제2 폭(W2)은 제1 폭(W1)보다 작을 수 있다. 예를 들면, 보조 전원 배선(770) 상에 위치하는 예비 제2 공통층(825)이 레이저 조사에 의해 제거될 수 있고, 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에 위치하는 예비 제2 공통층(825)에는 상기 레이저가 조사되지 않을 수 있다.
도 10을 참조하면, 제2 폭(W2)으로 레이저가 조사된 후, 제2 공통층(725)이 형성될 수 있다. 제2 공통층(725)은 발광 구조물(730) 상에 형성될 수 있고, 발광 구조물(730)을 커버하며 보조 전원 배선(770)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제2 공통층(725)은 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에서 발광 구조물(730) 상에 형성될 수 있다. 제2 공통층(725)은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에서, 제2 발광층(735) 상에 상기 전자 수송층이 형성될 수 있고, 전자 수송층(726) 상에 전자 주입층(727)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에서 제1 전하 생성층(733)이 노출되지 않도록 제2 공통층(725)이 제1 전하 생성층(733)을 커버할 수 있다. 다시 말하면, 제1 및 제2 개구들(760, 762)의 측벽에서, 제2 공통층(725)은 제1 공통층(720)의 단부, 제1 발광층(731)의 단부, 제1 전하 생성층(733)의 단부 및 제2 발광층(735)의 단부를 커버하며 보조 전원 배선(770)의 상면의 일부와 접촉할 수 있다.
상기 전자 수송층은 전자 수송 물질을 사용하여 형성될 수 있고, 상기 전자 주입층은 전자 주입 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 상부 전극(740)은 제2 공통층(725) 및 보조 전원 배선(770) 상에 형성될 수 있다. 상부 전극(740)은 제2 공통층(725)을 커버하며 보조 전원 배선(770)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 상부 전극(740)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다.
도 12를 참조하면, 봉지 기판(750)이 제공될 수 있다. 봉지 기판(750)은 실질적으로 기판(510)과 동일한 재료로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(750)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 또는 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 기판, 무알칼리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 봉지 기판(750)은 투명 무기 물질 또는 플렉서블 플라스틱으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 봉지 기판(750)은 연성을 갖는 투명 수지 기판을 포함할 수도 있다.
봉지 기판(750)의 저면에 하부 전극(690)과 중첩되도록 컬러 필터(780)가 형성될 수 있다. 컬러 필터(780)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 컬러 필터(780)는 황색 컬러 필터, 청남색 컬러 필터 및 자주색 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지를 사용하여 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 봉지 기판(750)과 기판(510)이 밀봉 결합될 수 있다. 이에 따라, 도 1에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다. 제2 공통층(725)이 제1 전하 생성층(733)을 커버함으로써, 제1 전하 생성층(733)과 상부 전극(740)을 전기적으로 절연시킬 수 있고, 이에 따라, 제1 전하 생성층(733)과 상부 전극(740)이 단락되지 않을 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)는 발광 영역(10)에서 백색광을 방출할 수 있다.
도 14는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 14에 예시한 유기 발광 표시 장치는 발광 구조물(1330)을 제외하면, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 14에 있어서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 14를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 보조 전원 배선(370), 평탄화층(270), 하부 전극(290), 화소 정의막(310), 제1 공통층(320), 발광 구조물(1330), 제2 공통층(325), 상부 전극(340), 컬러 필터(380), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 발광 구조물(330)은 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(333), 제2 발광층(335), 제2 전하 생성층(337) 및 제3 발광층(339)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 공통층(320)은 정공 주입층(321), 정공 수송층(322)을 포함할 수 있고, 제2 공통층(325)은 전자 수송층(326) 및 전자 주입층(327)을 포함할 수 있다.
발광 구조물(1330)이 제1 공통층(320) 상에 배치될 수 있고, 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시킬 수 있다. 발광 구조물(1330)은 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서 제1 공통층(320) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서, 제1 공통층(320) 상에 제1 발광층(331)이 배치될 수 있고, 제1 발광층(331) 상에 제1 전하 생성층(333)이 배치될 수 있으며, 제1 전하 생성층(333) 상에 제2 발광층(335)이 배치될 수 있고, 제2 발광층(335) 상에 제2 전하 생성층(337)이 배치될 수 있으며, 제2 전하 생성층(337) 상에 제3 발광층(339)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 발광 구조물(1330)은 탠덤 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 제1 발광층(331)은 적색 발광층을 포함할 수 있고, 제2 발광층(335)은 녹색 발광층을 포함할 수 있으며, 제3 발광층(339)은 청색 발광층을 포함할 수 있다. 상기 적색 발광층과 상기 녹색 발광층 사이에 제1 전하 생성층(333)이 개재될 수 있고, 상기 녹색 발광층과 상기 청색 발광층 사이에 제2 전하 생성층(337)이 개재될 수 있다. 이들이 혼합되어 백색광이 구현될 수 있다. 제1 발광층(331)은 적색 발광 물질을 포함할 수 있고, 제2 발광층(335)은 녹색 발광 물질을 포함할 수 있으며, 제3 발광층(339)은 청색 발광 물질을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 발광층(331)이 노란색 인광 물질을 포함할 수 있고, 제2 발광층(335)이 청색 형광 물질을 포함할 수 있으며, 제3 발광층(339)이 청색 형광 물질을 포함할 수도 있다. 이들이 혼합되어 백색광이 구현될 수 있다.
발광 구조물(1330) 상에 제2 공통층(325)이 배치될 수 있고, 발광 구조물(1330)을 커버하며 보조 전원 배선(370)의 일부를 노출시킬 수 있다. 제2 공통층(325)은 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서 발광 구조물(1330) 상에 배치될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제2 공통층(325)은 전자 수송층(326) 및 전자 주입층(327)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서, 발광 구조물(1330)(예를 들어, 제3 발광층(339)) 상에 전자 수송층(326)이 배치될 수 있고, 전자 수송층(326) 상에 전자 주입층(327)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서 제1 전하 생성층(333) 및 제2 전하 생성층(337)이 노출되지 않도록 제2 공통층(325)이 제1 전하 생성층(333) 및 제2 전하 생성층(337)을 커버할 수 있다. 다시 말하면, 제1 및 제2 개구들(360, 362)의 측벽에서, 제2 공통층(325)은 제1 공통층(320)의 단부, 제1 발광층(331)의 단부, 제1 전하 생성층(333)의 단부, 제2 발광층(335)의 단부, 제2 전하 생성층(337)의 단부 및 제3 발광층(339)의 단부를 커버하며 보조 전원 배선(370)의 상면의 일부와 접촉할 수 있다.
도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 16은 도 15의 유기 발광 표시 장치에 포함된 하부 전극을 설명하기 위한 단면도이다. 도 15에 예시한 유기 발광 표시 장치는 도전 패턴(390)을 제외하면, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 15 및 도 16에 있어서, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 기판(110), 반도체 소자(250), 보조 전원 배선(370), 평탄화층(270), 하부 전극(290), 도전 패턴(390), 화소 정의막(310), 제1 공통층(320), 발광 구조물(330), 제2 공통층(325), 상부 전극(340), 컬러 필터(380), 봉지 기판(350) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 발광 구조물(330)은 제1 발광층(331), 제1 전하 생성층(333), 제2 발광층(335), 제2 전하 생성층(337) 및 제3 발광층(339)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 공통층(320)은 정공 주입층(321), 정공 수송층(322)을 포함할 수 있고, 제2 공통층(325)은 전자 수송층(326) 및 전자 주입층(327)을 포함할 수 있다. 또한, 도 16에 도시된 바와 같이, 하부 전극(290)은 제1 투명 전극막(291), 반사 전극막(292) 및 제2 투명 전극막(293)을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 발광 영역(10)에 배치될 수 있다.
상기 유기 발광 표시 장치는 발광 영역(10)에서 상기 기판(110)으로부터 봉지 기판(350)으로의 방향으로 영상 이미지를 표시할 수 있다(예를 들어, 전면 발광 방식). 따라서, 하부 전극(290)은 광 반사층을 포함할 수 있다. 예를 들면, 도 16에 도시된 바와 같이, 하부 전극(290)은 다층 구조를 가질 수 있다. 상기 다층 구조는 제1 투명 전극막(291), 반사 전극막(292) 및 제2 투명 전극막(293)을 포함할 수 있다. 제1 투명 전극막(291)이 평탄화층(270) 상의 발광 영역(10)에 배치될 수 있고, 제1 투명 전극막(291) 상에 반사 전극막(292) 및 제2 투명 전극막(293)이 순서대로 배치될 수 있다. 여기서, 제1 투명 전극막(291)은 제1 두께를 가질 수 있고, 반사 전극막(292)은 상기 제1 두께보다 두꺼운 제2 두께를 가질 수 있으며, 제2 투명 전극막(293)은 상기 제1 두께를 가질 수 있다. 제1 투명 전극막(291) 및 제2 투명 전극막(293)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있고, 반사 전극막(292)은 제1 투명 전극막(291)과 제2 투명 전극막(293) 사이에 개재될 수 있다.
제1 투명 전극막(291)은 평탄화층(270)의 불균일한 상면을 덮을 수 있다. 제1 투명 전극막(291)이 평탄화층(270) 상에 배치됨으로써, 반사 전극막(292)의 형성을 도울 수 있다. 제2 투명 전극막(293)은 반사 전극막(292) 상에 배치됨으로써, 상기 유기 발광 표시 장치의 색좌표를 용이하게 조절할 수 있다. 반사 전극막(292)이 상기 광 반사층으로 기능할 수 있다. 반사 전극막(292)은 발광 구조물(330)에서 방출된 광을 상기 유기 발광 표시 장치의 전면으로 반사시킬 수 있다. 따라서, 반사 전극막(292)을 포함하는 하부 전극(290)은 실질적으로 불투명할 수 있다. 예를 들면, 반사 전극막(292)은 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물 등으로 구성될 수 있다. 제1 및 제2 투명 전극막들(291, 293) 각각은 실질적으로 투명할 수 있다. 예를 들면, 제1 및 제2 투명 전극막들(291, 293) 각각은 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
도전 패턴(390)은 보조 전원 배선(370)과 상부 전극(340) 사이에 개재될 수 있다. 도전 패턴(390)은 상부 전극(340)과 보조 전원 배선(370)의 접촉 특성을 개선시킬 수 있다.
도전 패턴(390)과 하부 전극(290)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 즉, 도전 패턴(390)은 다층 구조로 구성될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 발광 영역 20: 주변 영역
100: 유기 발광 표시 장치 110, 510: 기판
130, 530: 액티브층 150, 550: 게이트 절연층
170, 570: 게이트 전극 190, 590: 층간 절연층
210, 610: 소스 전극 230, 630: 드레인 전극
250, 650: 반도체 소자 270, 670: 평탄화층
290, 690: 하부 전극 291: 제1 투명 전극막
292: 반사 전극막 293: 제2 투명 전극막
310, 710: 화소 정의막 320, 720: 제1 공통층
321: 정공 주입층 322: 정공 수송층
325, 725: 제2 공통층 326: 전자 수송층
327: 전자 주입층 330, 730, 1330: 발광 구조물
331, 771: 제1 발광층 333, 733: 제1 전하 생성층
335, 735: 제2 발광층 337: 제2 전하 생성층
339: 제3 발광층 340, 740: 상부 전극
350, 750: 봉지 기판 360, 760: 제1 개구
362, 762: 제2 개구 363, 764: 제3 개구
370, 790: 보조 전원 배선 380, 780: 컬러 필터
390: 도전 패턴 825: 예비 제2 공통층
831: 예비 제1 발광층 833: 예비 제1 전하 생성층
835: 예비 제2 발광층

Claims (20)

  1. 발광 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 상의 주변 영역에 배치되는 보조 전원 배선;
    상기 기판 상의 발광 영역에 배치되는 하부 전극;
    상기 주변 영역에서 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제2 개구를 갖는 화소 정의막;
    상기 화소 정의막과 상기 기판 사이에 배치되고, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제1 개구를 갖는 평탄화층;
    상기 화소 정의막 및 상기 하부 전극 상에 배치되고, 상기 보조 전원 배선을 노출시키는 제1 공통층;
    상기 제1 공통층 상에 배치되고, 상기 보조 전원 배선을 노출시키며, 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되는 제1 전하 생성층 및 상기 제1 전하 생성층 상에 배치되는 제2 발광층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 상에 배치되고, 상기 발광 구조물을 커버하며 상기 보조 전원 배선을 노출시키는 제2 공통층; 및
    상기 제2 공통층 상에 배치되고, 상기 보조 전원 배선과 접촉하는 상부 전극을 포함하며,
    상기 제1 개구 및 상기 제2 개구는 중첩되며, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에서 상기 제1 공통층, 상기 제1 발광층, 상기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 발광층이 순서대로 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 정의막은,
    상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 제3 개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에서 상기 제1 전하 생성층이 노출되지 않도록 상기 제2 공통층이 상기 제1 전하 생성층을 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에서 상기 제2 공통층은 상기 제1 공통층의 단부, 상기 제1 발광층의 단부, 상기 제1 전하 생성층의 단부 및 상기 제2 발광층의 단부를 커버하며 상기 보조 전원 배선의 상면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 전극은,
    상기 평탄화층 상에 배치되는 제1 투명 전극막;
    상기 제1 투명 전극막 상에 배치되는 반사 전극막; 및
    상기 반사 전극막 상에 배치되는 제2 투명 전극막을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보조 전원 배선과 상기 상부 전극 사이에 개재되는 도전 패턴을 더 포함하고,
    상기 도전 패턴은 상기 하부 전극과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조 전원 배선과 이격하여 배치되며, 상기 기판과 상기 하부 전극 사이에 개재되는 반도체 소자를 더 포함하고,
    상기 반도체 소자는,
    상기 기판 상에 배치되는 액티브층;
    상기 액티브층 상에 배치되는 게이트 절연층;
    상기 게이트 절연층 상에 배치되는 게이트 전극;
    상기 게이트 전극 상에 배치되는 층간 절연층; 및
    상기 층간 절연층 상에 배치되는 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극들 및 상기 보조 전원 배선은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전극 상에 배치되는 봉지 기판; 및
    상기 봉지 기판의 저면에 배치되며, 상기 하부 전극과 중첩하는 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조물은,
    상기 제2 발광층 상에 배치되는 제2 전하 생성층; 및
    상기 제2 전하 생성층 상에 배치되는 제3 발광층을 더 포함하고,
    상기 제2 공통층은 상기 제2 전하 생성층이 노출되지 않도록 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 공통층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고, 상기 제2 공통층은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 발광 영역 및 주변 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    보조 전원 배선을 상기 기판 상의 상기 주변 영역에 형성하는 단계;
    상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제1 개구를 갖는 평탄화층을 상기 기판 상에 형성하는 단계;
    하부 전극을 상기 평탄화층 상의 상기 발광 영역에 형성하는 단계;
    상기 주변 영역에서 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키는 제2 개구 및 상기 발광 영역에서 상기 하부 전극의 일부를 노출시키는 제3 개구를 갖는 화소 정의막을 상기 평탄화층 상에 형성하는 단계;
    제1 공통층을 상기 화소 정의막, 상기 하부 전극 및 상기 보조 전원 배선 상에 형성하는 단계;
    제1 발광층, 제1 전하 생성층 및 제2 발광층을 포함하는 발광 구조물을 상기 제1 공통층 상에 형성하는 단계;
    상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제1 공통층 및 상기 발광 구조물을 부분적으로 제거하는 단계;
    상기 제1 공통층 및 상기 발광 구조물이 부분적으로 제거된 부분에서 상기 제1 전하 생성층이 노출되지 않도록 제2 공통층을 상기 화소 정의막, 상기 발광 구조물 및 상기 보조 전원 배선 상에 형성하는 단계;
    상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제2 공통층을 부분적으로 제거하는 단계; 및
    상부 전극을 상기 화소 정의막, 상기 발광 구조물 및 상기 보조 전원 배선 상에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 개구 및 상기 제2 개구는 중첩되며, 상기 제1 및 제2 개구들의 측벽에서 상기 제1 공통층, 상기 제1 발광층, 상기 제1 전하 생성층 및 상기 제2 발광층이 순서대로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제1 공통층 및 상기 발광 구조물을 부분적으로 제거하는 단계는,
    상기 보조 전원 배선 상에 제1 폭으로 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 보조 전원 배선의 일부를 노출시키도록 상기 제2 공통층을 부분적으로 제거하는 단계는,
    상기 보조 전원 배선 상에 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭으로 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 보조 전원 배선 상에 위치하는 상기 제2 공통층이 레이저 조사에 의해 제거되고, 상기 제2 개구의 측벽에 위치하는 상기 제2 공통층에는 레이저가 조사되지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 및 2 개구들의 측벽에서 상기 제1 전하 생성층이 노출되지 않도록 상기 제2 공통층이 상기 제1 전하 생성층을 커버하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 14 항에 있어서, 상기 제1 공통층은 정공 주입층 및 정공 수송층을 포함하고, 상기 제2 공통층은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제 14 항에 있어서,
    봉지 기판을 제공하는 단계;
    상기 하부 전극과 중첩하는 컬러 필터를 상기 봉지 기판의 저면에 형성하는 단계; 및
    상기 봉지 기판과 상기 기판을 밀봉 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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