JP4545780B2 - 有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、自発光する有機発光素子の上部透明電極の低抵抗化に関するものである。
自発光する有機エレクトロルミネセンス素子（以下「有機発光素子」という。）は、薄型表示装置、液晶表示装置の照明装置として期待されている。
有機発光表示装置は、基板上に画素を構成する複数の有機発光素子と、その有機発光素子を駆動する駆動層からなる。有機発光素子は、下部電極と上部透明電極に複数の有機層が挟まれた構造をとる。複数の有機層は、少なくとも、正孔を輸送する輸送層と、電子を輸送する輸送層と、正孔と電子が再結合する発光層とからなり、両電極間に電圧を印加することにより、電極から注入された正孔と電子が発光層で再結合して発光する。
一般的な構造では、輸送層は、表示パネル領域全体に形成し、複数の有機発光素子の輸送層として共通化する。この構成により、画素サイズ並のパターン化を要する層は発光層だけとなる。画素サイズ並のパターン化には、精密マスクを用いるのが一般的である。精密マスクは、マスク交換等による量産性の低下が問題となり、使用枚数を少なくするのが望ましい。
一般的な有機発光表示装置では、有機発光素子の上部透明電極はコモン電極として用いられる。そのため、複数の有機発光素子が発光する際には、表示パネル全体の電流が上部透明電極を流れる。この上部透明電極に、高抵抗な透明導電膜を用いた場合、電源に近い表示パネル外周部の有機発光素子からなる画素と、表示パネル中心部の有機発光素子からなる画素とでは、上部透明電極による配線抵抗により、印加される電圧のバラツキが起こり、その結果として、輝度のバラツキが発生する。
下記特許文献１では、上部透明電極を用いた有機発光表示装置の構成が開示されている。有機発光素子の下部電極と同層に補助配線を形成する。この補助配線と上部透明電極とを画素領域内で接続し、画素毎の配線抵抗のバラツキを低減させる。この補助配線と上部透明電極とを電気的に接続するためには、有機発光素子を構成する全ての有機層をコンタクト部で除去する必要がある。そのため、全ての有機層として、発光層を含む輸送層も精密マスクを用いて形成する必要が有り、量産性を低下させる問題が発生する。
特開２００４−２０７２１７号公報
本発明は、上部透明電極を有する有機発光素子を用いた有機発光表示装置において、上部透明電極の配線抵抗を低減させ、表示パネル内の輝度バラツキを低下させて、高画質の表示装置を提供することにある。
本発明は、基板上に、有機発光素子を駆動するための駆動素子を含む駆動層と有機発光素子とが順次積層され、前記有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうちの上部透明電極と、前記駆動層に形成した電流供給線とを電気的に接続する有機発光表示装置において、前記有機層のうちの発光層を除く有機層が表示領域全体に形成され、前記発光層を除く有機層の一部が、精密マスクを用いずに、除去されて、前記上部透明電極と電流供給線とが電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、有機発光素子を駆動するための駆動素子を含む駆動層と有機発光素子とが順次積層され、前記有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうちの上部透明電極と、前記一対の電極のもう一方の下部電極が形成された層に形成した電流供給線とを電気的に接続する有機発光表示装置において、前記有機層のうちの発光層を除く有機層が表示領域全体に形成され、前記発光層を除く有機層の一部が、精密マスクを用いずに、除去されて、前記上部透明電極と電流供給線とが電気的に接続されていることを特徴とする。
また、本発明は、基板上に、有機発光素子を駆動するための駆動素子を含む駆動層と有機発光素子とが順次積層され、前記有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうちの上部透明電極と、前記上部透明電極とは異なる層に形成した電流供給線とを電気的に接続する有機発光表示装置の製造方法において、
前記有機層のうちの発光層を除く有機層を表示領域全体に形成し、その後、前記上部透明電極と電流供給線とを電気的に接続する部分を、精密マスクを用いずに、除去することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法
以上、本発明によると、駆動層と同層又は下部電極と同層の金属層からなる電流供給線を、上部透明電極と接続して、上部透明電極の配線抵抗を低減させることで、表示パネル内の輝度バラツキが低減され、高画質な表示が可能となる。また、有機発光素子を構成する輸送層を、表示パネル表示領域全体に形成し、その後、接続部の輸送層を除去するため、精密マスク使用数が低減される。
以下、本発明において、有機発光素子とは、下記の構造をとるものをいう。すなわち、順次、基板／下部電極／第１注入層／第１輸送層／発光層／第２輸送層／第２注入層／上部電極／保護層又は封止基板（対向基板）から構成される。
下部電極と上部電極は２通りの組合せがある。まず、下部電極が陽極、上部電極が陰極の構成である。この場合、第１注入層、第１輸送層は、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層となる。また、第２輸送層、第２注入層は、それぞれ、電子輸送層、電子注入層となる。
他の組合せは、下部電極が陰極、上部電極が陽極の構成である。この場合、第１注入層、第１輸送層は、それぞれ、電子注入層、電子輸送層となる。また、第２輸送層、第２注入層は、それぞれ、正孔輸送層、正孔注入層となる。
上記構成において、第１注入層、或いは第２注入層を有さない構造も考えられる。また、第１輸送層、或いは第２輸送層が発光層に兼ねられる構造も考えられる。
上部電極と下部電極では、一方の電極が発光光の透過性を有し、他方の電極が発光光の反射性を有する組合せが望ましい。その場合、透過性を有する電極から光を取出すため、同電極を光取出し電極と称する。一方、反射性を有する電極を反射電極と称する。
上部電極が光取出し電極となる場合、トップエミッション構造と称する。一方、下部電極が光取出し電極となる場合、ボトムエミッション構造と称する。
ここで言う基板とは、絶縁性の材料であれば広い範囲から選択することが可能である。具体的には、ガラス、アルミナ焼結体等の無機材料、ポリイミド膜、ポリエステル膜、ポリエチレン膜、ポリフェニルレンスルフィド膜、ポリパラキシレン膜等の各種絶縁性プラスチック等が使用可能である。
また、上記絶縁性の材料を表面上に形成すれば、金属材料でも問題ない。具体的には、ステンレス、アルミ、銅、上記金属が含まれた合金が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
ここで言う陽極とは、正孔の注入効率を高める仕事関数の大きな導電膜が望ましい。具体的には、金，白金、が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
また、陽極として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムゲルマニウム等の２元系、或いは酸化インジウムスズ亜鉛等の３元系であってもよい。また、酸化インジウム以外にも酸化スズ、酸化亜鉛等を主成分とした組成であってもよい。また、ＩＴＯであれば、酸化インジウムに対して５−１０ｗｔ％の酸化スズを含む組成が良く用いられる。酸化物半導体の製造法は、スパッタ法、ＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。
ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜の仕事関数は、それぞれ、４．６ｅＶ、４．６ｅＶであるが、ＵＶオゾン照射、酸素プラズマ処理、等により、５．２ｅＶ程度まで増大させることが可能である。
ＩＴＯ膜では、スパッタ法において、基板温度を２００℃程度まで高めた条件で作製すると多結晶状態になる。多結晶状態では、結晶粒により、表面平坦性が悪いため、表面を研磨したものが望ましい。また、他の方法として、アモルファス状態で形成したものを加熱して多結晶状態にしたものが望ましい。
また、陽極は、前記正孔注入層を設けることにより、仕事関数を大きい材料を用いる必要がなくなり、通常の導電膜でよくなる。
具体的には、アルミニウム、インジウム、モリブテン、ニッケル、等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン、アモルファスシリコン、錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の無機材料が望ましい。
また、陽極を反射電極として用いる場合、金属膜の反射電極の上に透明導電膜を形成した積層膜も考えられる。各層は上記材料が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られるわけではなく、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
また、形成プロセスが簡便な塗布法を用いたポリアニリン，ポリチオフェン等の有機材料、導電性インクが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う正孔注入層とは、陽極と正孔輸送層の注入障壁を下げるため、適当なイオン化ポテンシャルを有する材料が望ましい。また、下地層の表面凹凸を埋める役割を果たすことが望ましい。具体的には、銅フタロシアニン、スターバーストアミン化合物、ポリアニリン、ポリチオフェン、酸化バナジウム、酸化モリブテン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、等が挙げられるが、これらに限定されない。
ここで言う正孔輸送層とは、正孔を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、正孔移動度が高い正孔輸送性材料からなることが望ましい。また、化学的に安定であることが望ましい。また、イオン化ポテンシャルが小さいことが望ましい。また、電子親和力が小さいことが望ましい。また、ガラス転移温度が高いことが望ましい。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾール）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（２−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｏ−ＭＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｍ−ＭＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−アミノ］−ベンゼン（ｐ−ＭＴＤＡＢ）、４，４’，４’’−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［ビフェニル−４−イル−（３−メチルフェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｐ−ＰＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［９，９−ジメチルフルオレン−２−イル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ＴＦＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾイル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、１，３，５−トリス−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）、１，３，５−トリス｛４−［メチルフェニル（フェニル）アミノ］フェニル｝ベンゼン（ＭＴＤＡＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ｐ−ＢＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルフルオレン−２，７−ジアミン（ＰＦＦＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−［１，１−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＦＦＤ）、（ＮＤＡ）ＰＰ、４−４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３−３’−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）が望ましい。もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
また、正孔輸送層は、上記正孔輸送性材料に酸化剤を含有して、陽極との障壁を低下させる、或いは電気伝導度を向上させることが望ましい。酸化剤の具体例としては、塩化第２鉄、塩化アンモニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のルイス酸化合物であり、トリニトロフルオレン等の電子受容性化合物である。もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う発光層とは、注入された正孔、電子が再結合し、材料固有の波長で発光する層をさす。発光層を形成するホスト材料自体が発光する場合とホストに微量添加したドーパント材料が発光する場合がある。具体的なホスト材料としては、ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）、骨格にベンゼン環を有するシロール誘導体（２ＰＳＰ）、トリフェニルアミン構造を両端に有するオキソジアゾール誘導体（ＥＭ２）、フェナンスレン基を有するペリノン誘導体（Ｐ１）、トリフェニルアミン構造を両端に有するオリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）、ペリレン誘導体（ｔＢｕ−ＰＴＣ）、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
次に、具体的なドーパント材料としては、キナクリドン、クマリン６、ナイルレッド、ルブレン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ジカルバゾール誘導体、ポルフィリン白金錯体（ＰｔＯＥＰ）、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う電子輸送層とは、電子を輸送し、発光層へ注入する役割を有する。そのため、電子移動度が高い電子輸送性材料からなることが望ましい。具体的には、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、亜鉛ベンゾチアゾール錯体、バソキュプロイン（ＢＣＰ）が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
また、電子輸送層は、上記電子輸送性材料に還元剤を含有して、陰極との障壁を低くすること、或いは電気伝導度を向上させることが望ましい。還元剤の具体例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸化物、希土類酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類ハロゲン化物、希土類ハロゲン化物、アルカリ金属と芳香族化合物で形成される錯体である。特に、好ましいアルカリ金属はＣｓ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋである。もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う電子注入層とは、陰極から電子輸送層への電子注入効率を向上させるために用いる。具体的には、弗化リチウム、弗化マグネシウム、弗化カルシウム、弗化ストロンチウム、弗化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムが望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
ここで言う陰極は、電子の注入効率を高める仕事関数の小さな導電膜が望ましい。具体的には、マグネシウム・銀合金、アルミニウム・リチウム合金、アルミニウム・カルシウム合金、アルミニウム・マグネシウム合金，金属カルシウムが挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
また、前述の電子注入層を設ければ、陰極の条件として、低仕事関数の材料を用いる必要がなくなり、一般的な金属材料を用いることが可能となる。具体的には、アルミニウム、インジウム、モリブテン、ニッケル、等の金属や、これら金属を用いた合金や、ポリシリコン、アモルファスシリコンが望ましい。
ここで言う保護層とは、上部電極上に形成され、大気内Ｈ2Ｏ、Ｏ2が上部電極、或いはその下の有機層に入りこむことを防ぐことを目的とする。
具体的に、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3等の無機材料やポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリメチルメタクリレート、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド等の有機材料が挙げられるが、これらの材料に限定されるわけではない。
本発明に係る有機発光表示装置は、上記有機発光素子を画素に用いることが望ましい。また、本発明に係る有機発光表示装置は、色変換層を用いることが望ましい。
ここで言う有機発光表示装置とは、有機発光素子を画素に用いた表示装置をさす。有機発光表示装置には、単純マトリクス有機発光表示装置とアクティブマトリクス有機発光表示装置がある。
単純マトリクス有機発光表示装置は、複数の陽極ラインと陰極ラインが交差した位置に正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の有機層が形成されており、各画素は１フレーム期間中、選択時間のみ点灯する。選択時間は、１フレーム期間を陽極ライン数で除した時間幅となる。
アクティブマトリクス有機発光表示装置では、各画素を構成する有機ＥＬ（発光）素子に、２〜４個の薄膜トランジスタのスイッチング素子及び容量から構成される駆動素子が接続されており、１フレーム期間中の全点灯が可能となる。そのため、輝度を高くする必要がなく、有機発光素子の寿命を長くすることが可能となる。
ここで言う画素とは、表示装置の画面の縦横に多数配置されて、表示領域において文字やグラフィックを表示する最小単位のものをいう。また、サブ画素とは、カラー表示を行う表示装置において、画素をさらに分割する最小単位のものをいう。カラー画像では、緑、赤、青の３色のサブ画素で構成される構造が一般的である。また、表示領域とは、表示装置において、画像が表示される領域をいう。
ここで言う電流供給線とは、有機ＥＬ素子と電源を接続する配線である。アクティブマトリクス有機発光表示装置では、第１の電流供給線は、電源とスイッチング素子のソース、ドレイン電極を介して、有機ＥＬ素子の下部電極を接続する配線である。次に、第２の電流供給線は、電源と各画素の共通電極となる上部電極を接続する配線である。
ここで言う色変換層とは、画素、或いはサブ画素となる有機発光素子において発光した光を他の色の光に変換する層をさす。色変換層の構成は、有機発光素子の上に積層する構造と対向基板上に積層する構造に分けられる。
有機発光素子の上に積層する構造では、画素或いはサブ画素部分となる有機発光素子の上に、直接、或いは保護層を介して色変換層を形成する。画素或いはサブ画素の間には、隣接画素或いはサブ画素からの発光により、色変換層が発光することを防止するために、ブラックマトリクスを形成する。ブラックマトリクスと色変換層の形成順は、特に指定がない。その上に、必要に応じて、保護層を形成する。
色変換層を対向基板に形成する構造では、上述した対向基板上に、ブラックマトリクス、色変換層、保護層を形成して、有機ＥＬ基板と貼り合わせる。その際、画素或いはサブ画素上に所定の色変換層が位置するよう、調整して、貼り合せる。
色変換層には、大別して、カラーフィルタ層とカラー変換層が挙げられる。カラーフィルタ層は、入射した光のスペクトルの一部を出射するものを指す。カラーフィルタの材料は、色素とバインダー樹脂を含有する。色素としては、赤色色素、青色色素、緑色素、等が挙げられる。
前記赤色色素の具体例としては、ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラセン系顔料、イソシンドリン系顔料、イソインドリノン系顔料、等が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
前記青色色素の具体例としては、銅フタロシアニン系顔料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料、等が望ましい。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
前記緑色色素の具体例としては、クマリン系顔料等が望ましい。
前記バインダー樹脂としては、可視光領域における透過率が５０％以上の透明な材料が望ましい。具体的には、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、等が挙げられる。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
カラーフィルタの形成方法には、染色法、顔料分散法、印刷法、電着法が挙げられるが、特にこれらに限定されない。
ここで言うカラー変換層は、入射した光により励起されて蛍光光を発する色変換蛍光層と出射スペクトルを補正する補正カラーフィルタ層からなる。
色変換蛍光層は、蛍光色素とバインダー樹脂を含有する。蛍光色素としては、赤色蛍光色素、緑色蛍光色素、等が挙げられる。
赤色蛍光色素の具体例としては、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン等のシアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３ブタジエニル］−ピリジウム−パークロレート等のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ等のローダミン系色素、或いはオキサジン系色素、等が挙げられる。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
緑色蛍光色素の具体例としては、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２’−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン等のクマリン色素、ベーシックイエロー等のクマリン色素系染料、ソルベントイエロー、等が挙げられる。また、もちろんこれらの材料に限られず、また、これらの材料を２種以上併用しても差し支えない。
本発明に係る有機発光表示装置の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、有機発光表示装置の画素の平面図、図２（ａ）は、図１に示すＡ−Ａ’線に沿う断面図、図２（ｂ）は、図１に示すＢ−Ｂ’線に沿う断面図、図３は、図１に示すＣ−Ｃ’線に沿う断面図、図４は、図１に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。
図１〜図４において、ガラス基板１１６上には、複数の走査線１０６が一定の間隔で配置されているとともに、各走査線に対して交差する方向に、画像情報を伝送するための信号線１０９が一定の間隔で配置されている。すなわち、各走査線１０６と各信号線１０９は格子状に配置され、各走査線１０６と各信号線１０９で囲まれた領域が、１画素分或いは１サブ画素分の表示領域になっている。さらに、ガラス基板１１６上には、電源に接続された複数の第１電流供給線１１０が、信号線１０９と平行になって配置されている。また、電源に接続された複数の第２電流供給線１２１が、走査線１０６と平行になって配置されている。走査線１０６、信号線１０９、第１電流供給線１１０、第２電流供給線１２１は、配線層に属する配線として、層間絶縁膜を介してガラス基板１１６上に形成されている。


配線層の上部側には、カラー画像の最小単位となる画素を構成する複数の有機発光素子が配置されている。各有機発光素子は、サブピクセル（サブ画素）として、図３に示すように、正孔輸送層５と発光層６，７，８と電子輸送層９とを含む有機層と、有機層を挟む下部電極２，３，４、上部透明電極１０を備えて構成されている。各画素に属する有機発光素子の下部電極２〜４は、駆動素子としてのトランジスタを介して、第１電流供給線１１０に接続され、各画素に属する有機発光素子の上部透明電極１０は、電源に接続された第２電流供給線１２１に接続されている。
また、ガラス基板１１６上には、各画素の有機層を駆動するための駆動層が形成されている。この駆動層は、駆動素子としての第１トランジスタ１０１と第２トランジスタ１０２と容量１０４とを備えて構成されている。第１トランジスタ１０１のゲート電極１０７は走査線１０６に接続され、ソース電極１１２は信号線１０９に接続され、ドレイン電極１１３は第２トランジスタのゲート電極１０７’と容量１０４の下部電極１０５に接続されている。第２トランジスタ１０２のドレイン電極１１３’は容量１０４の上部電極１０８と第１電流供給線１１０に接続され、ソース電極１１２’は下部電極２〜４に接続されている。
次に、上記構成による有機発光表示装置の製造方法について説明する。まず、ガラス基板１１６上に、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）を用いて、膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する。原料はＳｉ2Ｈ6であり、基板温度は４５０℃に設定されている。次に、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いて、膜全面をレーザアニール処理する。このレーザアニール処理は２段階に分けて行い、１回目、２回目の照射エネルギーは、それぞれ１８８ｍＪ／ｃｍ2、２９０ｍＪ／ｃｍ2であった。これにより、アモルファスシリコンが結晶化され、多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）となった。次に、多結晶シリコンを、ＣＦ4を用いたドライエッチングでパターン化し、図２に示すように、第１トランジスタ１０１の活性層１０３、第２トランジスタ１０２の活性層１０３’及び容量１０４の下部電極１０５を形成する。
次に、ゲート絶縁膜１１７として、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜を形成する。ＳｉＯ2膜はテトラエキシラン（ＴＥＯＳ）を原料として、プラズマ増強化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ法）で形成した。
次に、ゲート電極１０７、１０７’として、膜厚５０ｎｍのＴｉＷ膜をスパッタリング法により作製してパターンニングした。このとき併せて、走査線１０６、第２電流供給線１２１及び容量１０４の上部透明電極１０８もパターンニングした。
次に、イオン注入法により、ゲート絶縁膜１１７の上部から、パターン化された多結晶シリコン層に４×１０15イオン／ｃｍ2、エネルギー８０ｋｅＶのＰイオンを注入する。このとき、上部にゲート電極１０７、１０７’がある領域にはＰイオンは注入されず、活性領域１０３、１０３’となる。
次に、ガラス基板１１６を不活性Ｎ2雰囲気下で、３００℃、３時間加熱し、イオンを活性化してドーピングが有効に行われるようにする。多結晶シリコン（Ｐ−Ｓｉ）のイオン注入された領域は２ｋΩ／□の面抵抗値となる。その上に、第１層間絶縁膜１１８として、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を成膜する。この膜厚は２００ｎｍである。
次に、図２に示すように、活性層１０３、１０３’の両端上部のゲート絶縁膜１１７及び第１層間絶縁膜１１８に、コンタクトホール（図示省略）を形成する。さらに、第２トランジスタ１０２のゲート電極１０７’上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホール（図示省略）を形成する。また、容量１０４の上部電極１０８上部の第１層間絶縁膜１１８にコンタクトホール（図示省略）を形成する。
その上に、スパッタリング法にて、膜厚５００ｎｍのＡｌ膜を形成する。ホトリソグラフィ工程により、信号線１０９、第１電流供給線１１０を形成する。また、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２及びドレイン電極１１３、第２トランジスタ１０２のソース電極１１２’及びドレイン電極１１３’を形成する。
このようにして、容量１０４の下部電極１０５と第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３が接続され、第１トランジスタ１０１のソース電極１１２と信号線１０９とが接続される。また、第１トランジスタ１０１のドレイン電極１１３が第２トランジスタ１０２のゲート電極１０７’に接続され、第２トランジスタ１０２のドレイン電極１１３’が第１電流供給線１１０に接続される。また、容量１０４の上部電極１０８が第１電流供給線１１０に接続される。
次に、第２層間絶縁膜１１９として、ＳｉＮｘ膜を成膜する。この膜厚は５００ｎｍである。上記ＳｉＮｘ膜の上に、平坦化膜として、有機絶縁膜を形成する場合もある。また、図２（ｂ）に示すように、第２トランジスタ１０２のドレイン電極１１２’上部にコンタクトホール（図示省略）を形成し、その上にスパッタリング法を用いて、厚さ１５０ｎｍのＣｒ膜を形成し、ホトリソグラフィ法を用いて下部電極２〜４を形成する。
次に、第３層間絶縁膜１２０として、膜厚２μｍのアクリル絶縁膜を形成する。また、図４に示すように、ホトリソグラフィ法を用いて第２電流供給線１２１と後述する上部透明電極１０を接続する部分となるコンタクトホール１２２、１２３、１２４を形成する。第３層間絶縁膜１２０で、下部電極２〜４端から３μｍ内側の部分まで覆った。これは、下部電極２〜４と後述する上部透明電極１０が短絡することを防止するためである。
本実施例では、第３層間絶縁膜にアクリル絶縁膜を用いたが、これに限定されず、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリメチルメタクリレート、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド等の有機絶縁材料が挙げられる。また、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、Ａｌ2Ｏ3等の無機材料を用いる事も可能である。また、有機絶縁膜上に無機絶縁膜を積層した構成も可能である。
次に、画素となる有機発光素子の構造を、図３を用いて説明する。下部電極２〜４まで形成したガラス基板１１６を、純水で超音波洗浄し、スピン乾燥させたあと、１２０℃のオーブンで３０分間乾燥させる。
次に、下部電極２上に、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍの４，４−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（以下、α−ＮＰＤと称する。）膜を形成する。α−ＮＰＤの蒸着速度を０．１５±０．０１ｎｍ／ｓｅｃとした。このα−ＮＰＤ膜は発光表示エリア全面に形成され、正孔輸送層５として機能する。
次に、各サブ画素での発光層の形成に関して説明する。下部電極２は、赤色発光色のサブ画素（以下「Ｒサブ画素」という。）として機能する。正孔輸送層５上に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム（以下「Ａｌｑ３」という。）及びクマリンを共蒸着した膜を形成する。このＡｌｑ３、クマリンの蒸着速度は、それぞれ０．２０±０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１±０．００５ｎｍ／ｓｅｃとした。上記共蒸着した膜はＲ発光層６として機能する。また、Ｒ発光層６の中で、クマリンが発光色を決定するドーパントとして機能する。Ａｌｑ３とクマリンの共蒸着膜は、サブ画素と同等のサイズの開口パターンを有する精密マスクを用いてパターン化する。
次に、下部電極３上に形成された、緑色発光色のサブ画素（以下「Ｇサブ画素」という。）について説明する。正孔輸送層５上に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのＡｌｑ３及びキナクリドンを共蒸着した膜を形成する。このＡｌｑ３、キナクリドンの蒸着速度は、それぞれ０．２０±０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１±０．００５ｎｍ／ｓｅｃとした。上記共蒸着した膜はＧ発光層７として機能する。また、Ｇ発光層の中で、キナクリドンが発光色を決定するドーパントとして機能する。Ａｌｑ３とキナクリドンの共蒸着膜は、サブ画素と同等のサイズの開口パターンを有する精密マスクを用いてパターン化する。
次に、下部電極４上に形成された、青色発光色のサブ画素（以下「Ｂサブ画素」という。）について説明する。正孔輸送層５上に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのＡｌｑ３及びスチリルアミン化合物１，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニル−４−アミノフェニルビニレン］−２，５−ジメトキシベンゼン（以下「ＤＳＡ」という。）を共蒸着した膜を形成する。このＡｌｑ３、ＤＳＡの蒸着速度は、それぞれ０．２０±０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．０１±０．００５ｎｍ／ｓｅｃとした。上記共蒸着した膜はＢ発光層８として機能する。また、Ｂ発光層８の中で、ＤＳＡが発光色を決定するドーパントとして機能する。Ａｌｑ３とＤＳＡの共蒸着膜は、サブ画素と同等のサイズの開口パターンを有する精密マスクを用いてパターン化する。
次に、各色発光層６〜８の上に、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのＡｌｑ３を蒸着した膜を形成する。このＡｌｑ３の蒸着速度を０．１５±０．０１ｎｍ／ｓｅｃとした。このＡｌｑ３膜は発光表示エリア全面に形成され、電子輸送層９として機能する。
次に、図４に示すように、第２電流供給線１２１と上部透明電極１０を接続するコンタクトホール部１２２、１２３、１２４での有機膜を除去する。本実施例では、発光表示エリア全面に、正孔輸送層５のα−ＮＰＤ膜と電子輸送層９のＡｌｑ３膜が蒸着されている。上記蒸着膜を除去する方法として、レーザアブレーションが挙げられる。有機材料が吸収する波長のレーザを用いる場合は、レーザ光吸収による有機材料の温度上昇により、昇華等で有機材料を除去する。次に、金属配線層に直接接続している有機材料では、レーザ照射により、金属配線層によって発生する熱で有機材料が除去する事が可能となる。レーザレーザアブレーションを行う場所としては、真空槽、乾燥Ｎ2雰囲気のグローブボックス等が挙げられる。
次に、電子輸送層９の上に、電子注入層としてＭｇとＡｇの混合膜を形成する。この場合、２元同時真空蒸着法を用いて蒸着速度を、それぞれ０．１４±０．０５ｎｍ／ｓ、０．０１±０．００５ｎｍ／ｓに設定し、膜厚１０ｎｍの膜を蒸着した。
次に、スパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＩｎ−Ｚｎ−Ｏ膜（以下「ＩＺＯ膜」という。）を形成する。この膜は上部透明電極１０として機能し、非晶酸化物膜である。このときのターゲットには、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８３であるターゲットを用いた。成膜条件は、Ａｒ：Ｏ2混合ガスを雰囲気として、真空度０．２Ｐａ、スパッタリング出力を２Ｗ／ｃｍ2とした。Ｍｇ：Ａｇ／Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ積層膜の透過率は６５％であった。
上部透明電極１０は、各画素領域内に設けられたコンタクトホール部１２２、１２３、１２４で、第２電流供給線１２１と電気的に接続される。
このようにして、ガラス基板１１６上に駆動層及び複数の有機発光素子が形成されたＴＦＴ基板１３が作製できる。
次に、ＴＦＴ基板１３を大気に曝すことなく、乾燥窒素ガスを循環させて、高露点を保った封止室に移動させる。
次に、上記封止室にガラス基板を導入する。このガラス基板は対向基板１４となる。ガラス基板による封止基板のエッジ部分に、シールディスペンサ装置を用いて光硬化樹脂を描画した（図示省略）。
この封止基板１４とＴＦＴ基板１３を封止室内で貼り合せて圧着させた。封止基板１４外側に、発光素子全体にＵＶ光が当たらないよう遮光板を置き、封止基板１４側からＵＶ光を照射させて光硬化樹脂を硬化させた。
以上により、トップエミッション型カラー有機発光表示装置の構成方法及び製造方法を説明した。この有機発光表示装置の特徴は、駆動層を構成する走査線と同層に設けた第２電流供給線を設けて、上部透明電極と電気的に接続させる。この構造により、表示パネルの外周部と中心部での上部電極の抵抗による電圧降下差が低減し、電流値の差が３％となり、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例２を説明する。図５は、有機発光表示装置の画素の平面図、図６は、図５に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。本実施例は、第２電流供給線１３１を下部電極２〜４と同層で形成することを特徴とする。この構成により、コンタクトホール部周辺での上部透明電極１０の段切れが抑制される。
具体的には、ガラス基板１１６上に、第１トランジスタ１０１、第２トランジスタ１０２、容量１０４、信号線１０９、走査線１０６、第１電流供給線１１０、ゲート絶縁膜１１７、第１層間絶縁膜１１８、第２層間絶縁膜１１９、下部電極２〜４の形成法は、実施例１と同様である。
図６に示したように、第２電流供給線１３１は下部電極２と同層に形成する。その上に、第３層間絶縁膜１２０を形成し、サブ画素、コンタクトホール部を除去する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
次に、正孔輸送層５、Ｒ発光層６、Ｇ発光層７、Ｂ発光層８、電子輸送層９を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。次に、コンタクトホール１３２、１３３、１３４での正孔輸送層５、電子輸送層９、第３層間絶縁膜１２０を除去する。除去方法は、実施例１と同様である。
次に、その上に、上部透明電極１０を形成する。作製条件は実施例１と同様である。
以上により、上部透明電極１０は、第２電流供給線１３１と電気的に接続される。本実施例では、上部透明電極１０は、第３層間絶縁膜１２０のみを乗り越えるため、コンタクトホール部の段切れが抑制される。
対向基板１４及びＴＦＴ基板１３と対向基板１４の重ね合わせの作製方法及び作製条件は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例１と同様に、下部電極２〜４と同層に設けた第２電流供給線１３１と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続したため、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。また、上部透明電極１０は第３層間絶縁膜１２０のみを乗り越えるため、上部透明電極１０の段切れが抑制される。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例３を説明する。図７は、有機発光表示装置の画素の平面図、図８は、図７に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。本実施例は、走査線１０６と同層に形成した第２電流供給線１４１と上部透明電極１０とを、下部電極２〜４と同層の金属層を介して電気的に接続する。そのため、上部透明電極１０のコンタクトホール付近での段切れが抑制される。
具体的には、ガラス基板１１６上に、第１トランジスタ１０１、第２トランジスタ１０２、容量１０４、信号線１０９、走査線１０６、第２電流供給線１４１、第１電流供給線１１０、ゲート絶縁膜１１７、第１層間絶縁膜１１８、第２層間絶縁膜１１９を形成する。作製条件は、実施例１と同様である。
次に、コンタクトホール部１４２、１４３、１４４の第１層間絶縁膜１１８、第２層間絶縁膜１１９を除去する。次に、下部電極２〜４及び金属層１４５、１４６、１４７を形成する。下部電極２〜４の作製条件は実施例１と同様である。
次に、第３層間絶縁膜１２０を形成し、下部電極部２〜４及びコンタクトホール部１４２、１４３、１４４の部分を除去する。作製条件は、実施例１と同様である。
その上に、正孔輸送層５、Ｒ発光層６、Ｇ発光層７、Ｂ発光層８、電子輸送層９を形成し、正孔輸送層５及び電子輸送層９一部分を除去して、上部透明電極１０を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
対向基板１４及びＴＦＴ基板１３と対向基板１４の重ね合わせの作製方法及び作製条件は実施例１と同様である。
以上により、上部透明電極１０は、第２電流供給線１４１と金属層１４５、１４６、１４７を介して電気的に接続される。本実施例では、上部透明電極１０は、第３層間絶縁膜１２０のみを乗り越えるため、コンタクトホール部の段切れが抑制される。
本実施例では、実施例１と同様に、走査線１０６と同層に設けた第２電流供給線１４１と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続するので、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。また、上部透明電極１０は第３層間絶縁膜１２０のみを乗り越えるため、上部透明電極１０の段切れが抑制される。また、第２電流供給線１４１と下部電極２〜４が別層にあるため、画素の開口率を増大させることが可能となる。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例４を説明する。図９は、有機発光表示装置の画素の平面図、図１０（ａ）は図９に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図、図１０（ｂ）は図９に示すＥ−Ｅ’線に沿う断面図である。本実施例は、第２電流供給線１５１と上部透明電極１０をコンタクトホール部で電気的に接続するため、有機層５，９をライン状に除去することを特徴とする。
駆動層の形成方法は、実施例１と同様である。その上に、第３層間絶縁膜１２０、正孔輸送層５、Ｒ発光層６、Ｇ発光層７、Ｂ発光層８、電子輸送層９を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
次に、図１０（ａ）に示したように、第２電流供給線１５１と上部透明電極１０を電気的に接続するコンタクトホール部１５２、１５３、１５４の有機膜を除去する。除去範囲は、第２電流供給線１５１と平行にライン状に除去する。このように有機膜を除去しても、図１０（ｂ）に示したように、第２電流供給線１５１と上部透明電極１０は、第２層間絶縁膜１１９及び第３層間絶縁膜１２０により絶縁されているため、コンタクトホール部１５２、１５３、１５４のみで電気的に接続される。また、ライン状に除去する場合に、ライン状のスキャン方向は、信号線方向の１方向スキャンだけとなり、タクトタイムが短縮される利点を有する。
次に、その上に、上部透明電極１０形成し、対向基板１４及びＴＦＴ基板１３を貼り合せる。作製条件は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例１と同様に、走査線１０６と同層に設けた第２電流供給線１５１と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続したため、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。また、コンタクトホール部の有機膜をストライプ状に除去したため、タクトタイムが短縮され、生産性が向上した。
本実施例では、レーザを用いて有機層５、９の除去を行った。精密マスク法を用いた形成法も可能である。図９に示した、除去部分１５５の紙面上側の領域（除去部分１５５から走査線１０６’の上側の除去部分(図示無し)）と除去部分１５５の下側の領域に、精密マスクを用いて、有機層５、９を形成する。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例５を説明する。図１１は、有機発光表示装置の画素の平面図、図１２は図１１に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。本実施例は、第２電流供給線１６１と上部透明電極１０をコンタクトホール部で電気的に接続するため、有機層５，９を除去するために、信号線１０９と平行な方向にレーザをスキャンすることを特徴とする。
駆動層の形成方法は、実施例１と同様である。その上に、第３層間絶縁膜１２０、正孔輸送層５、Ｒ発光層６、Ｇ発光層７、Ｂ発光層８、電子輸送層９を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
次に、第２電流供給線１６１と上部透明電極１０を電気的に接続するコンタクトホール部１６２、１６４、１６６の有機膜を除去する。信号線１０９、１０９'、１０９''上をレーザスキャンさせる。第３層間絶縁膜１２０に設けたコンタクトホール部１６２、１６５、１６６では、信号線に照射されたレーザ光が熱に変換され、その部分の有機材料が昇華されてなくなる。コンタクトホールがマスクとして機能する。一方、コンタクトホール部以外の信号線上では、第３層間絶縁膜１２０により、有機材料部の温度上昇が抑制されるため、有機材料は除去されない。よって、コンタクトホール部１６２、１６４、１６６のみで電気的に接続される。また、同手法では、ライン状のスキャン方向は、信号線方向の１方向スキャンだけとなり、タクトタイムが短縮され、ライン全体でなく、コンタクトホール部分のみ除去されるためレーザアブレーションを行う装置内に有機材料が飛散する量が低減され不良率を低下させる利点を有する。
一方、レーザ光強度、有機材料が吸光度の高い波長を選択することにより、信号線上の全ての有機材料を除去することは可能である。その場合でも、第２電流供給線１５１と上部透明電極１０は、第３層間絶縁膜１２０により絶縁されているため、コンタクトホール部１５２、１５３、１５４のみで電気的に接続される。
次に、その上に、上部透明電極１０形成し、対向基板１４及びＴＦＴ基板１３を貼り合せる。作製条件は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例２と同様に、下部電極２、３、４と同層に設けた第２電流供給線１６１と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続したため、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。また、コンタクトホール部の有機膜を、一方向のスキャンでかつコンタクトホール部のみの除去したため、タクトタイムが短縮され生産性が向上し、除去した有機材料による不良率の低下を実現した。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例６を説明する。図１３は、有機発光表示装置の画素の平面図、図１４は図１３に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。本実施例は、信号線１０９、第１電流供給線１１０と平行な配置の第２電流供給線１７１が上部透明電極１０とコンタクトホール部で電気的に接続することを特徴とする。
駆動層の形成方法は、第２電流供給線１７１の形成を除いて、実施例１と同様である。第２電流供給線１７１は、信号線１０９、第１電流供給線１１０の形成に用いたＡｌ膜を用いる。図１３に示したように、第１電流供給線１１０と隣接サブ画素の信号線１０９'の間に配置する。その上に、第３層間絶縁膜１２０、正孔輸送層５、Ｒ発光層６、Ｇ発光層７、Ｂ発光層８、電子輸送層９を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
次に、第２電流供給線１７１と上部透明電極１０を電気的に接続するコンタクトホール部１７２、１７３、１７４の有機膜を除去する。上記コンタクトホールは、第２層間絶縁膜１１９、第３層間絶縁膜１２０を除去する。
次に、その上に、上部透明電極１０形成し、対向基板１４及びＴＦＴ基板１３を貼り合せる。作製条件は実施例１と同様である。
本実施例では、信号線１０９、第１電流供給線１１０と同層に設けた第２電流供給線１６１と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続したため、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。また、第２層間絶縁膜と第３層間絶縁膜にコンタクトホールを設けるため、実施例１で示した、走査線と同層の第２電流供給線に上部電極を接続するより、不良率の低下を実現した。
また、実施例３で示した様に、コンタクトホール部に下部電極２、４、６と同層の金属材料を介して、上部透明電極１０と第２電流供給線１７１を接続させれば、更に不良率の低下を実現する。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例７を説明する。図１５は、有機発光表示装置の画素の平面図、図１６（ａ）は図１５に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図、図１６（ｂ）は図１５に示すＦ−Ｆ’線に沿う断面図、図１６（ｃ）は図１５に示すＧ−Ｇ’線に沿う断面図である。本実施例は、信号線１０９、第１電流供給線１１０、１８３を、それぞれ、信号線と走査線に平行な配置にして電気的に接続させ、第２電流供給線１８１、１８２を、それぞれ、信号線と走査線と平行な配置にして電気的に接続させ、各電流供給線を格子状に形成することを特徴とする。
駆動層の形成方法は、第１電流供給線及び第２電流供給線を複数の金属層に形成し、電気的に接続する事を除いて、実施例１と同様である。最初の第１電流供給線１１０の形成方法は、実施例１と同様である。次の第１電流供給線１８３は下部電極２、４、６と同層の金属材料を用いて、走査線１０６上に形成された。図１６（ｂ）に示したように、第１電流供給線１１０は第１電流供給線１８３と第２層間絶縁膜１１９に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続される。
第２電流供給線１８１の形成法は実施例６と同様である。電流供給線１８２は実施例１同様である。図１６（ｃ）に示したように、第２電流供給線１８１は第２電流供給線１８２と、第１層間絶縁膜１１８及び第２層間絶縁膜１１９に設けたコンタクトホールを介して電気的に接続される。その上に、第３層間絶縁膜１２０、正孔輸送層５、Ｒ発光層６、Ｇ発光層７、Ｂ発光層８、電子輸送層９を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
次に、第２電流供給線１８２と上部透明電極１０を電気的に接続するコンタクトホール部１８４、１８４'、１８４''の有機膜を除去する。上記コンタクトホールは、第３層間絶縁膜１２０を除去する。
次に、その上に、上部透明電極１０形成し、対向基板１４及びＴＦＴ基板１３を貼り合せる。作製条件は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例２と同様に、下部電極２、３、４と同層に設けた第２電流供給線１８２と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続したため、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。また、第１電流供給線、第２電流供給線とも、信号線と走査線に平行な方向に格子状に配置したため、配線抵抗による輝度ばらつきが更に抑制され、その結果、スメア等による画質低下が抑制される。
本実施例では、第１電流供給線、第２電流供給線とも格子状に配置したが、第１電流供給線だけを格子状に配置する、或いは、第２電流供給線だけを格子状に配置する事も可能である。また、第１電流供給線を信号線と同層と下部電極と同層の組合せ、第２電流供給線を信号線と同層と走査線と同層の組合せも可能である。
次に、本発明に係る有機発光表示装置の実施例８を説明する。図１７は、有機発光表示装置の画素の平面図、図１８は図１７に示すＣ−Ｃ’線に沿う断面図、図１９は図１７に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図である。本実施例は、画素となる有機ＥＬ発光素子に白色発光素子を用い、対向基板にカラーフィルタを形成することを特徴とする。
駆動層の形成方法は、実施例１と同様である。その上に、第３層間絶縁膜１２０、正孔輸送層５を形成する。その上に、白色発光層(Ｗ発光層)１９５として、実施例１で示したＢ発光層とＲ発光層を積層する。成膜条件は、実施例１と同様である。
その上に、電子輸送層９、及び上部透明電極１０を形成する。これらの作製条件は実施例１と同様である。
次に、第２電流供給線１９１と上部透明電極１０を電気的に接続するコンタクトホール部１９２、１９３、１９４の有機膜を除去する。この時、正孔輸送層５、Ｗ発光層１９５、電子輸送層９を構成する有機材料を除去する。上記コンタクトホールは、第１層間絶縁膜１１８、第２層間絶縁膜１１９、及び第３層間絶縁膜１２０を除去する。次に、その上に、上部透明電極１０形成した。作製条件は実施例１と同様である。
対向基板１４には、カラーフィルタ１９６、１９７、１９８及びブラックマトリクス１９９を形成した。次に、対向基板１４とＴＦＴ基板１３を貼り合せる。作製条件は実施例１と同様である。
本実施例では、実施例２と同様に、下部電極２、３、４と同層に設けた第２電流供給線１８２と上部透明電極１０とを画素領域内部に接続したため、表示パネル内の輝度バラツキが抑制された。
本実施例では、Ｗ発光層をサブ画素毎にパターニングせず、他の輸送層５、９と同じく、表示領域全体に形成された構成をとり、上部透明電極１０と第２電流供給線１９１を電気的に接続するために、他の輸送層と同じく除去した。また、本実施例の構成は、実施例２〜７で用いた各技術を適用することが可能である。
有機発光表示装置の画素の平面図 図１に示すＡ−Ａ’線に沿う断面図及び図１に示すＢ−Ｂ’線に沿う断面図 図１に示すＣ−Ｃ’線に沿う断面図 図１に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図５に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図７に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図９に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図及び図９に示すＥ−Ｅ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図１１に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図１３に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図１５に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図、図１６に示すＦ−Ｆ’線に沿う断面図及び図１６に示すＧ−Ｇ’線に沿う断面図 他の有機発光表示装置の画素の平面図 図１７に示すＣ−Ｃ’線に沿う断面図 図１７に示すＤ−Ｄ’線に沿う断面図
符号の説明
２…Ｒ下部電極、３…Ｇ下部電極、４…Ｂ下部電極、５…正孔輸送層、６…Ｒ発光層、７…Ｇ発光層、８…Ｂ発光層、９…電子輸送層、１０…上部透明電極、１３…ＴＦＴ基板、１４…封止基板、１０１…第１トランジスタ、１０２…第２トランジスタ、１０３…第１トランジスタ１０１の活性層、１０３’…第２トランジスタ１０２の活性層、１０４…容量、１０５…容量の下部電極、１０６…走査線、１０７，１０７’…ゲート電極、１０８…容量の上部電極、１０９…信号線、１１０…第１電流供給線、１１２…第１トランジスタ１０１のソース電極、１１２’…第２トランジスタ１０２のソース電極、１１３…第１トランジスタ１０１のドレイン電極、１１３’…第２トランジスタ１０２のドレイン電極、１１６…ガラス基板、１１７…ゲート絶縁膜、１１８…第１層間絶縁膜、１１９…第２層間絶縁膜、１２０…第３層間絶縁膜、１２１，１３１，１４１，１５１…第２電流供給線、１２２，１２３，１２４，１３２，１３３，１３４，１４２，１４３，１４４，１５２，１５３，１５４…コンタクトホール、１４５，１４６，１４７…金属層、１５５…有機層除去部分

Claims (5)

  1. 基板上に、有機発光素子を駆動するための駆動素子を含む駆動層と有機発光素子とが順次積層され、前記有機発光素子の有機層を挟む一対の電極のうちの上部透明電極と、
    前記一対の電極のもう一方の下部電極が形成された層に形成した電流供給線とを電気的に接続する有機発光表示装置の製造方法において、
    信号線が前記電流供給線に垂直に配置され、
    前記信号線および前記電流供給線の交差する箇所上の絶縁膜にコンタクトホールが設けられ、
    前記有機層のうちの発光層を除く有機層を表示領域全体に形成し、
    その後、前記有機層の前記上部透明電極と電流供給線とを電気的に接続する部分を信号線に平行に、かつ、前記信号線上をレーザースキャンすることにより除去することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法において、
    前記有機層の一部をストライプ状に除去することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  3. 請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法において、
    前記有機層のコンタクトホール部分のみをドット状に除去することを特徴とする有機発光表示装置。
  4. 請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法において、
    前記上部透明電極と電流供給線とを金属層を介して電気的に接続することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
  5. 請求項１に記載の有機発光表示装置の製造方法において、
    前記電流供給線を格子状に形成することを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
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