JP5954162B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置及びその製造方法、並びに、電子機器に関する。

近年、フラットパネルディスプレイの１種である、有機ＥＬ（Electro Luminescence）現象を利用して画像を表示する有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）が注目されている。有機ＥＬ表示装置は有機ＥＬ素子自体の発光現象を利用しているために視野角が広く、また、消費電力が低いなどの優れた特徴を備えている。更には、有機ＥＬ表示装置は、高精細度の高速ビデオ信号に対して高い応答性を示すことから、特に映像分野等において実用化が進められている。また、有機発光材料が本来有する可撓性を利用して、基板としてプラスチック基板、特にプラスチックフィルム基板を用いることにより、有機ＥＬ表示装置は可撓性を有する表示装置としても注目されている。

有機ＥＬ表示装置における駆動方式のうち、駆動用回路を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）から構成するアクティブマトリクス方式は、パッシブマトリクス方式と比べて応答性や解像力の点で優れており、有機ＥＬ表示装置に特に適した駆動方式であると考えられている。アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置は、発光部、及び、発光部を駆動する駆動用回路から成る発光素子が２次元マトリクス状に配設された第１パネルを有する。そして、第１パネルと封止用パネルである第２パネルとが、発光素子を挟むように貼り合わされている。また、発光部は、第１電極、発光層を備えた有機層、及び、第２電極が積層された構造を有する。

有機ＥＬ表示装置には、発光素子からの光を第１パネル側に射出する下面発光（ボトムエミッション）方式と、第２パネル側に射出する上面発光（トップエミッション）方式とがあるが、後者の方が開口率を高くすることができるという利点がある。

上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、第２パネル側に位置する第２電極は、複数の発光素子に共通の電極であり（所謂ベタ電極であり）、例えばＩＺＯ（Indium Zinc Oxide ；酸化インジウム亜鉛）等の光透過性の導電材料から構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は、通常の金属材料等と比べて電気抵抗率が２〜３桁程度高い。その結果、第２電極に印加された電圧が第２電極の面内で不均一となり、発光素子の発光輝度に位置ばらつきが生じ、表示品質が低下するという問題がある。

このような問題を解決するために、第１電極が形成された絶縁層上に第２電極に接続された補助電極（補助配線）を形成する技術が、例えば、特開２００２−３１８５５６に開示されている。ここで、補助電極は、第１電極と同じ材料から構成されている。この特許公開公報に開示された技術において、第１電極及び補助電極を例えばアルミニウム（Ａｌ）やＡｌ合金から構成した場合、有機ＥＬ表示装置の製造工程において補助電極の表面が酸化され易い。そして、補助電極が酸化されると、第２電極の一部（第２電極延在部）を補助電極上に形成したとき、補助電極と第２電極との間の接触抵抗が増加する結果、電圧降下が生じる。そして、この電圧降下の増加に起因して、表示装置の消費電力が増加してしまう。

そこで、国際公開ＷＯ２００７／１４８５４０には、駆動用回路と同一層にコンタクト部を形成する技術が開示されている。コンタクト部は、表面が酸化され難く、且つ、第２電極と良好なオーミックコンタクトが取れる導電材料から構成されている。コンタクト部頂面に補助電極の端部が接触しており、第２電極延在部は、コンタクト部頂面から補助電極の上に亙り形成されている。

特開２００２−３１８５５６ 国際公開ＷＯ２００７／１４８５４０

ところで、国際公開ＷＯ２００７／１４８５４０に開示された技術は、補助電極と第２電極との間の接触抵抗の増加を防止する優れた技術ではあるが、表示装置の高精細化に伴い、コンタクト部頂面において補助電極の端部が接触する状態を確実に形成するための補助電極のパターニングに困難を伴う場合がある。

従って、本開示の目的は、コンタクト部を介して第２電極と補助電極とが確実に電気的に接続され得る構成、構造を有する表示装置、及び、係る表示装置を備えた電子機器、並びに、係る表示装置を製造するための製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
（ａ）基体上に設けられた駆動用回路、
（ｂ）駆動用回路及び基体を覆う第１絶縁層、
（ｃ）第１電極、発光層を備えた有機層、及び、第２電極が積層されて成る発光部、並びに、
（ｄ）第１電極を覆う第２絶縁層、
を備えた発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
発光素子は、更に、
（ｅ）補助電極層、及び、
（ｆ）基体上に形成されたコンタクト部、
を備えており、
第１電極は、第１絶縁層上に形成されており、且つ、第１絶縁層に設けられた第１開口部に形成された第１電極延在部を介して駆動用回路に電気的に接続されており、
有機層は、少なくとも、第２絶縁層に形成された第２開口部の底部に露出した第１電極の部分の上に形成されており、
第１絶縁層には、底部にコンタクト部が露出した第３開口部が形成されており、
少なくとも第２絶縁層には、底部にコンタクト部が露出した第４開口部が形成されており、
補助電極層は、第１電極と離間して、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り形成されており、
第２電極は、有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り形成されている。

上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の本開示の表示装置を備えている。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置の製造方法は、
駆動用回路、並びに、
第１電極、発光層を備えた有機層、及び、第２電極が積層されて成る発光部、
を備えた発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置の製造方法であって、
（Ａ）基体上に、駆動用回路及びコンタクト部を設けた後、
（Ｂ）駆動用回路、コンタクト部及び基体を覆う第１絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）駆動用回路の上方に位置する第１絶縁層の部分に、底部に駆動用回路の一部が露出した第１開口部を形成し、併せて、コンタクト部の上方に位置する第１絶縁層の部分に、凹部、及び、底部にコンタクト部が露出した第３開口部を形成し、その後、
（Ｄ）全面に導電材料層を形成した後、導電材料層をパターニングすることで、第１絶縁層上に第１電極を形成し、第１開口部内に第１電極延在部を形成し、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り、第１電極と離間した補助電極層を形成し、併せて、凹部の底部の少なくとも一部から導電材料層を除去し、次いで、
（Ｅ）露出した凹部の底部の部分に位置する第１絶縁層の部分を除去し、コンタクト部を露出させた後、全面に第２絶縁層を形成し、次いで、底部に第１電極が露出した第２開口部を第２絶縁層に形成し、併せて、凹部の底部の部分に露出したコンタクト部の部分に至る第４開口部を第２絶縁層に形成し、又は、
全面に第２絶縁層を形成し、次いで、凹部の上方に位置する第２絶縁層の部分を除去した後、更に、凹部の底部の部分に位置する第１絶縁層の部分を除去して、底部に第１電極が露出した第２開口部を第２絶縁層に形成し、併せて、凹部の底部の部分に露出したコンタクト部の部分に至る第４開口部を第２絶縁層及び第１絶縁層に形成した後、
（Ｆ）第２開口部の底部に露出した第１電極の部分から第２絶縁層の一部の上に亙り有機層を形成し、その後、
（Ｇ）有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り第２電極を形成する、
各工程から成る。

本開示の表示装置及びその製造方法、あるいは、本開示の電子機器によれば、補助電極層は、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り形成されている。即ち、補助電極層は、第３開口部の底部に露出したコンタクト部の部分の上に延在して形成されている。また、第２電極は、有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り形成されている。即ち、第２電極は、第４開口部の底部に露出したコンタクト部の部分の上に延在して形成されている。従って、コンタクト部を介して第２電極と補助電極層とを電気的に確実に接続することができる。また、たとえ、補助電極層の表面が酸化されたとしても、補助電極層と第２電極との間の電気抵抗が増加するといった現象が生じることがない。そして、これによって、低消費電力化を確実に確保できると共に、表示品質の向上を図ることが可能となるし、この優れた表示装置を用いることにより高性能の電子機器を実現することができる。

図１は、実施例１の表示装置の概念図である。 図２Ａ及び図２Ｂは、実施例１の表示装置における駆動用回路の等価回路図である。 図３は、実施例１の表示装置の構成要素の配置状態の一部を模式的に示す図である。 図４は、実施例１の表示装置の模式的な一部断面図である。 図５は、実施例１の表示装置におけるコンタクト部を含む部分を拡大した模式的な一部断面図である。 図６Ａ、図６Ｂ及び図６Ｃは、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図７Ａ及び図７Ｂは、図６Ｃに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図８Ａ及び図８Ｂは、図７Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図９Ａ及び図９Ｂは、図８Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１０Ａ及び図１０Ｂは、図９Ｂに引き続き、実施例１の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１１Ａ及び図１１Ｂは、実施例２の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、図１１Ｂに引き続き、実施例２の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、図１２Ｂに引き続き、実施例２の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１４Ａ及び図１４Ｂは、図１３Ｂに引き続き、実施例２の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１５Ａ及び図１５Ｂは、実施例３の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１６Ａ及び図１６Ｂは、図１５Ｂに引き続き、実施例３の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１７Ａ及び図１７Ｂは、図１６Ｂに引き続き、実施例３の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１８Ａ及び図１８Ｂは、実施例４の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図１９Ａ及び図１９Ｂは、図１８Ｂに引き続き、実施例４の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図２０Ａ及び図２０Ｂは、図１９Ｂに引き続き、実施例４の表示装置の製造方法を説明するための、基体等の模式的な一部断面図である。 図２１Ａ及び図２１Ｂは、実施例５の表示装置の模式的な一部断面図である。 図２２は、実施例１〜実施例５の表示装置を有する表示装置モジュールの外観を表した斜視図である。 図２３は、実施例１〜実施例５の表示装置を有する電子機器であるテレビジョン受像機の外観を表した斜視図である。 図２４は、実施例１〜実施例５の表示装置を有する電子機器であるデジタルスチルカメラの外観を表した斜視図である。 図２５は、実施例１〜実施例５の表示装置を有する電子機器であるノート型パーソナルコンピュータの外観を表した斜視図である。 図２６は、実施例１〜実施例５の表示装置を有する電子機器であるビデオカメラの外観を表した斜視図である。 図２７は、実施例１〜実施例５の表示装置を有する電子機器である携帯電話機の外観を表した斜視図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、本開示の表示装置の製造方法、本開示の電子機器、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の表示装置及びその製造方法）
３．実施例２（実施例１の表示装置の製造方法の変形）
４．実施例３（実施例１の表示装置の製造方法の別の変形）
５．実施例４（実施例３の表示装置の製造方法の変形）
６．実施例５（実施例１〜実施例４の表示装置の変形）
７．実施例６（本開示の電子機器）、その他

［本開示の表示装置、本開示の表示装置の製造方法、本開示の電子機器、全般に関する説明］
本開示の表示装置、本開示の表示装置の製造方法、本開示の電子機器を総称して、以下、『本開示の表示装置等』と呼ぶ場合がある。本開示の表示装置等において、発光部として、具体的には、例えば、有機ＥＬ現象に基づき発光する発光部を挙げることができる。即ち、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）を挙げることができる。また、駆動用回路は、発光部を駆動可能な半導体素子から構成されていれば、基本的には限定されないが、具体的には、後述するように、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成することができる。また、以下の説明において、基体を『第１基板』と呼ぶ場合があるし、発光素子が設けられたパネル（基体を含む）を、便宜上、『第１パネル』と呼ぶ場合がある。更には、第１パネルに対して、発光素子を挟むように貼り合わされたパネルを、便宜上、『第２パネル』と呼ぶ場合がある。第２パネルは第２基板を備えている。表示装置は、発光素子を挟んで第１パネル（第１基板）と第２パネル（第２基板）とを貼り合わせることで作製されている。発光層からの光を第２パネルから出射する表示装置を、便宜上、『上面発光型の表示装置』と呼び、発光層からの光を第１パネルから出射する形態の表示装置を、便宜上、『下面発光型の表示装置』と呼ぶ場合がある。

本開示の表示装置等において、コンタクト部は、基体側から、少なくとも、第１コンタクト層及び第２コンタクト層の積層構造を有し；第２コンタクト層を構成する材料のエッチング速度は、第１電極を構成する材料のエッチング速度よりも遅い（即ち、同じエッチング条件において、第２コンタクト層を構成する材料は、第１電極を構成する材料よりもエッチングされ難い）形態とすることができる。そして、この場合、第２コンタクト層を構成する材料は、酸化され難い金属、又は、酸化され難い金属を含む材料から成る形態とすることが好ましく、これによって、補助電極層とコンタクト部、第２電極とコンタクト部との間の接触抵抗の増加を、より一層確実に回避することができる。更には、これらの形態において、第１コンタクト層を構成する材料は、第２コンタクト層を構成する材料よりも導電性の高い金属、又は、導電性の高い金属を含む材料から成る形態とすることが好ましく、これによって、補助電極層と第２電極との間の電気抵抗を一層低くすることができる。具体的には、限定するものではないが、第２コンタクト層は、モリブデン（Ｍｏ）又はチタン（Ｔｉ）を含む材料から成り；第１コンタクト層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む材料から成る形態とすることができる。

以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、駆動用回路は、ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から成り（即ち、具体的には、薄膜トランジスタから成り）；ソース／ドレイン電極はコンタクト部と同一の構成を有する形態とすることができる。尚、薄膜トランジスタは、ボトムゲート／トップコンタクト型とすることもできるし、ボトムゲート／ボトムコンタクト型とすることもできるし、トップゲート／トップコンタクト型とすることもできるし、トップゲート／ボトムコンタクト型とすることもできる。そして、この場合、コンタクト部の下には、少なくとも、ゲート電極を構成する層から成る第１層、及び、ゲート絶縁層を構成する層から成る第２層の積層構造が形成されている形態とすることができる。第１層が基体側に位置する。尚、このような形態にあっては、薄膜トランジスタは、ボトムゲート／トップコンタクト型である。下から第１層、第２層及びコンタクト部の積層構造は、より具体的には、ボトムゲート／トップコンタクト型のＴＦＴと同じ積層構造（ゲート電極／ゲート絶縁層／チャネル形成領域を構成する半導体層／ソース／ドレイン電極）とすることができ、これによって、表示装置の製造工程の簡素化を図ることができる。あるいは又、ソース／ドレイン電極を構成する材料及びコンタクト部を構成する材料は、同時にエッチング可能な材料から構成されていることが好ましい。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、第４開口部は、上部が広く、下部が狭い形状（即ち、所謂、順テーパ形状）を有する形態とすることが好ましい。あるいは又、第４開口部は、上部が広く、下部が狭い階段形状を有する形態とすることが好ましい。このような形状とすることで、第４開口部内に第２電極を形成する際、第２電極に断線が生じたり、第２電極の抵抗値が増加することを防止することができる。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、第１電極は、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含む材料から成り、発光層からの光を反射する形態とすることが好ましい。また、第１電極は、例えば、駆動用回路を覆うように、第１絶縁層上に設けられていることが好ましい。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、補助電極層を構成する材料は、第１電極を構成する材料と同じである形態とすることが好ましい。あるいは又、補助電極層を構成する材料及び第１電極を構成する材料は、同時にエッチング可能な材料から構成されていることが好ましい。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、第２電極は、発光層からの光を透過する形態とすることが好ましい。即ち、発光層からの光を第２パネルから出射する形態（上面発光型の表示装置）とすることが好ましい。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、第２電極は、複数の発光素子において共通である（即ち、所謂、ベタ電極である）形態とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、第１絶縁層上の補助電極層の部分は、離間した状態で、第１絶縁層上に形成された第１電極を囲んでいる形態とすることができる。

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、表示装置の表示領域の縁部に位置する補助電極層の部分は、表示装置の周辺部に設けられた給電部に、基体上に形成されたコンタクト部、及び、コンタクト部から延びる配線層を介して接続されている形態とすることができる。

また、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置の製造方法において、第１絶縁層における凹部、第１開口部及び第３開口部の形成は、少なくとも、フォトリソグラフィ技術に基づき行われ；フォトリソグラフィ技術においては、ハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクを用いる形態とすることができる。

以上に説明した好ましい形態を含む本開示の表示装置等において、基体は、表示装置に外部から侵入しようとする水分やガスを阻止する遮断性能が高く、耐溶剤性や耐候性に優れている材料から構成されていることが好ましく、無機材料や樹脂材料から成る基板から構成されていることが望ましい。基体を構成する基板として、具体的には、石英ガラス基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、リン酸ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、高歪点ガラス基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板等を挙げることができるし、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板を挙げることができる。あるいは又、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタラート（ＰＢＴ）、アセチルセルロース、テトラアセチルセルロース、ポリフェニレンスルフィド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリフッ化ビニリデン、ブロム化フェノキシ、ポリアミド、ポリイミド、ポリスチレン、ポリアリレート、ポリエステルスルホン等のポリスルホン、ポリオレフィンに例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。第２基板を構成する材料として、以上に説明した基体（第１基板）を構成する材料を挙げることができる。第１基板や第２基板は、単層構造を有していてもよいし、積層構造を有していてもよい。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。表示装置を上面発光型の表示装置とする場合、第２基板を構成する材料は、発光部からの光を透過する材料から構成すればよい。一方、表示装置を下面発光型の表示装置とする場合、第１基板を構成する材料は、発光部からの光を透過する材料から構成すればよい。

上面発光型の表示装置における第１電極（第１電極延在部を含む）、あるいは又、下面発光型の表示装置における第２電極（これらの電極を、便宜上、『光反射電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（光反射材料）として、光反射電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％乃至１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％乃至１質量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金、Ａｌ−Ｃｅ合金といったアルミニウム合金）を挙げることができるが、中でも、上述したとおり、アルミニウム（Ａｌ）又は銀（Ａｇ）を含む材料から成り、発光層からの光を反射する形態とすることが好ましい。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。光反射電極の厚さとして、５×１０^-8ｍ以上、２×１０^-6ｍ以下、好ましくは１×１０^-7ｍ以上、１×１０^-6ｍ以下、より好ましくは１×１０^-7ｍ以上、５×１０^-7ｍ以下を例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い反射膜上に、ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃（ＩＴＯ）やインジウム−亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、光反射電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

一方、上面発光型の表示装置における第２電極、あるいは又、下面発光型の表示装置における第１電極（これらの電極を、便宜上、『半光透過電極』と呼ぶ場合がある）を構成する材料（半光透過材料あるいは光透過材料）として、半光透過電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、銅（Ｃｕ）、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）との合金［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）］、マグネシウム−カルシウムとの合金（Ｍｇ−Ｃａ合金）、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）の合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）等の仕事関数の小さい金属あるいは合金を挙げることができ、中でも、Ｍｇ−Ａｇ合金が好ましく、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。あるいは又、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。半光透過電極の厚さとして、４ｎｍ乃至５０ｎｍ、好ましくは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、より好ましくは６ｎｍ乃至１２ｎｍを例示することができる。あるいは又、半光透過電極を、透明導電性酸化物、より具体的には、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウム・ドープの酸化亜鉛（ＧＺＯ）、Ｉｎ−ＧａＺｎＯ₄（ＩＧＺＯ）、インジウム−亜鉛複合酸化物（ＩＺＯ）、Ｆドープの酸化亜鉛（ＦＺＯ）を含む酸化亜鉛系材料；酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃（ＩＴＯ）、フッ素ドープＳｎＯ₂（ＦＴＯ）を含む酸化インジウム系材料；酸化錫（ＳｎＯ₂）、アンチモンドープのＳｎＯ₂（ＡＴＯ）、ＦドープのＳｎＯ₂（ＦＴＯ）を含む酸化錫系材料から構成することもできる。あるいは又、半光透過電極を、有機層側から、上述した導電材料から成る第１層と、上述した透明導電性酸化物から成る第２層（例えば、厚さ３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-6ｍ）との積層構造とすることもできる。積層構造とした場合、第１層の厚さを１ｎｍ乃至４ｎｍと薄くすることもできる。

第１電極や第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やＭＯＣＶＤ法、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、第１電極や第２電極を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、有機層の形成からこれらの電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。

本開示の表示装置等において、コンタクト部を第１コンタクト層及び第２コンタクト層の積層構造とする場合、前述したとおり、第２コンタクト層は、モリブデン（Ｍｏ）又はチタン（Ｔｉ）を含む材料から成り、第１コンタクト層は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む材料から成る形態とすることが好ましいが、このような形態に限定するものではない。第２コンタクト層を構成する材料として、その他、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等を挙げることができる。あるいは又、第２コンタクト層を、窒化物、ホウ化物、炭化物等から構成することもでき、具体的には、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化亜鉛（ＺｒＮ）、窒化バナジウム（ＶＮ）、ホウ化チタン（ＴｉＢ₂）、ホウ化亜鉛（ＺｒＢ₂）、ホウ化バナジウム（ＶＢ₂）、ホウ化ニオブ（ＮｂＢ₂）、ホウ化クロム（ＣｒＢ₂）、ホウ化タンタル（ＴａＢ₂）、ホウ化モリブデン（ＭｏＢ₅）、ホウ化タングステン（Ｗ₂Ｂ₅）、ホウ化ランタン（ＬａＢ₆）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化亜鉛（ＺｒＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化ニオブ（ＮｂＣ）、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化クロム（Ｃｒ₃Ｃ₂）、Ｍｏ₂Ｃ（炭化モリブデン）等から構成することができる。コンタクト部を単層構成とする場合、コンタクト部を構成する材料として、第２コンタクト層を構成する材料から、適宜、選択すればよい。また、第１コンタクト層の下に第３コンタクト層を更に形成してもよく、この場合、第３コンタクト層は、第２コンタクト層を構成するいずれかの材料から構成すればよい。コンタクト部の形成は、使用する材料に依存するが、周知の方法に基づき行うことができる。

第１絶縁層は、具体的には、例えば、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；酸化アルミニウム；感光性のポリイミド樹脂やノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて構成することができる。第１絶縁層の形成には、各種ＣＶＤ法、スパッタリング法を含む各種ＰＶＤ法、塗布法、各種印刷法等の公知のプロセスを利用することができる。発光素子からの光が第１絶縁層を通過するような構成、構造の下面発光型の表示装置にあっては、第１絶縁層は、発光部からの光に対して透明な材料から構成する必要があるし、駆動用回路は発光部からの光を遮らないように配置する必要がある。下面発光型の表示装置にあっては、第２電極の上方に駆動用回路を設けることも可能である。第１絶縁層の膜厚として、具体的には、例えば、１μｍ乃至１０μｍ、好ましくは１μｍ乃至５μｍ、より好ましくは１．５μｍ乃至４μｍを挙げることができる。第２絶縁層を構成する材料も、第１絶縁層を構成する材料から、適宜、選択すればよく、例えば、ポリイミド樹脂やノボラック樹脂等の絶縁性樹脂を挙げることができるし、第２絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスを利用することができる。

開口部の形成方法として、第１絶縁層を構成する材料、第２絶縁層を構成する材料にも依るが、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術（ドライエッチング技術あるいはウエットエッチング技術）の組合せ、フォトリソグラフィ技術と材料の露光、現像技術との組合せを挙げることができる。

有機層の上方には、有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けてもよい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法やＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、以下に示す材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。具体的には、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、より具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ_1-yＯ_y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができる。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような前述した透明導電性酸化物から構成すればよい。

ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から成る薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から駆動用回路を構成する場合、薄膜トランジスタの製造は、周知の方法に基づき行うことができる。

ゲート電極を構成する材料として、具体的には、例えば、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）を例示することができるし、また、これらの合金を例示することができる。あるいは又、多結晶シリコン等を挙げることもできる。ゲート電極は、単層構造を有していてもよいし、２層以上の積層構造（例えば、アルミニウム層とモリブデン層の２層構造）を有していてもよい。

また、ゲート絶縁層を構成する材料として、具体的には、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ、ＳｉＯＮや、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物等を挙げることができる。ここで、金属酸化物として、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、ＺｎＯ、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）、酸化テルル（ＴｅＯ₂）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ₂）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化タングステン（ＷＯ₃）、酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）等を挙げることができる。ＴｉＯ₂については、最も安定な構造であるルチル型であることが好ましいし、Ｇａ₂Ｏ₃については、最も安定な構造であるβ−Ｇａ₂Ｏ₃であることが好ましい。また、金属窒化物として、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等を挙げることができるし、金属酸窒化物として、例えば、酸化窒化アルミニウム、酸化窒化チタン等を挙げることができる。ゲート絶縁層は、単層構造を有していてもよいし、２層以上の積層構造を有していてもよい。

チャネル形成領域を構成する材料として、ポリシリコンやアモルファスシリコン、酸化物半導体を含む半導体材料を挙げることができる。酸化物半導体材料として、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）等の元素と酸素を含む化合物を挙げることができる。酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体であっても結晶性酸化物半導体であってもよく、非晶質酸化物半導体として、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）等を挙げることができるし、結晶性酸化物半導体として、ＺｎＯ、ＩＺＯ、インジウム−ガリウム複合酸化物（ＩＧＯ）等を挙げることができる。酸化物半導体から構成されたチャネル形成領域は、非晶質膜及び結晶化膜の積層構造を有していてもよく、この場合、ソース／ドレイン電極を結晶化膜に接して設けることが好ましい。

本開示の表示装置等において、ソース／ドレイン電極はコンタクト部と同一の構成を有することが好ましいが、これに限定するものではない。本開示の表示装置等においてソース／ドレイン電極をコンタクト部と異なる構成とする場合、ソース／ドレイン電極を構成する材料として、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ルテニウム（Ｒｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タングステン（Ｗ）及びニッケル（Ｎｉ）から成る群から選ばれる少なくとも１種類の金属を挙げることができる。金属化合物として、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、金属炭化物等を挙げることができ、より具体的には、ＺｎＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＩＺＯ、ＦＺＯを含む酸化亜鉛系材料；Ｉｎ₂Ｏ₃、ＩＴＯ、ＦＴＯを含む酸化インジウム系材料；ＳｎＯ₂、ＡＴＯ、ＦＴＯを含む酸化錫系材料；酸化ガリウム（Ｇａ₂Ｏ₃）；酸化テルル（ＴｅＯ₂）；酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ₂）；酸化カドミウム（ＣｄＯ）；酸化タングステン（ＷＯ₃）；酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）；ＣｕＡｌＯ₂；ＬａＣｕＯＳ；ＬａＣｕＯＳｅ；ＳｒＣｕ₂Ｏ₂；ＮｉＯ等を挙げることができる。

表示装置をカラー表示装置とする場合、１つの画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３つの副画素、あるいは、４つ以上の副画素から構成される。このようなカラー表示装置にあっては、赤色発光副画素を赤色光を発光する発光素子から構成し、緑色発光副画素を緑色光を発光する発光素子から構成し、青色発光副画素を青色光を発光する発光素子から構成してもよいし、上記の好ましい構成を含む上面発光型の表示装置において、第２基板はカラーフィルターを備えている構成とし、発光素子は白色光を発光する構成とし、各色発光副画素を、白色光を発光する発光素子とカラーフィルターとの組合せから構成してもよい。第２基板は遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成としてもよい。同様に、下面発光型の表示装置において、第１基板は、カラーフィルターや遮光膜（ブラックマトリクス）を備えている構成とすることができる。

１つの発光素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、又は、レクタングル配列を挙げることができる。また、複数の発光素子が集合して１つの画素（あるいは副画素）が構成されている形態にあっては、限定するものではないが、画素（あるいは副画素）の配列として、ストライプ配列を挙げることができる。

有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、上述したとおり、副画素が構成される。ここで、１画素は、上述したとおり、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。有機ＥＬ表示装置は、例えば、パーソナルコンピュータやビデオカメラ、デジタルスチルカメラを構成するモニター装置として使用することができるし、テレビジョン受像機や携帯電話、ＰＤＡ（携帯情報端末，Personal Digital Assistant）、ゲーム機器に組み込まれたモニター装置として使用することができる。あるいは又、電子ビューファインダー（Electronic View Finder，ＥＶＦ）や頭部装着型ディスプレイ（Head Mounted Display，ＨＭＤ）に適用することができる。あるいは又、その他、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置を挙げることができる。

有機層は、発光層（例えば、有機発光材料から成る発光層）を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等を『タンデムユニット』とする場合、有機層は、第１のタンデムユニット、接続層、及び、第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有していてもよく、これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザ光を照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができるし、有機層を、パターニングすること無く、全面に形成してもよい。

実施例１は、本開示の表示装置及びその製造方法に関する。実施例１の表示装置の概念図を図１に示し、実施例１の表示装置における駆動用回路の等価回路図を図２Ａ及び図２Ｂに示す。また、実施例１の表示装置における表示領域の構成要素の配置状態の一部を模式的に示す図を図３に示し、実施例１の表示装置における表示領域の模式的な一部断面図を図４に示し、実施例１の表示装置におけるコンタクト部を含む部分（図４において一点鎖線で囲まれた領域）を拡大した模式的な一部断面図を図５に示す。尚、図４は、図３におけるＡ−Ｂ線に沿った模式的な一部断面図であり、図５は、図３におけるＡ−Ｃ線に沿った模式的な一部断面図である。また、図３においては、第１電極、補助電極層、第１開口部の配置状態を示すが、第１電極、補助電極層、第１開口部を明示するために、これらに斜線を付した。

実施例１の表示装置は、具体的には、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）から構成されており、発光部は有機ＥＬ現象に基づき発光する。また、駆動用回路は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。

即ち、実施例１の表示装置１０は、
（ａ）基体（第１基板）２１上に設けられた駆動用回路３０、
（ｂ）駆動用回路３０及び基体（第１基板）２１を覆う第１絶縁層４１、
（ｃ）第１電極６１、発光層（図示せず）を備えた有機層６３、及び、第２電極６２が積層されて成る発光部６０、並びに、
（ｄ）第１電極６１を覆う第２絶縁層４２、
を備えた発光素子１１が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置である。ここで、発光素子１１は、更に、
（ｅ）補助電極層８１、及び、
（ｆ）基体（第１基板）２１上に形成されたコンタクト部７１、
を備えている。

そして、
第１電極６１は、第１絶縁層４１上に形成されており、且つ、第１絶縁層４１に設けられた第１開口部５１に形成された第１電極延在部６１Ａを介して駆動用回路３０に電気的に接続されており、
有機層６３は、少なくとも、第２絶縁層４２に形成された第２開口部５２の底部に露出した第１電極６１の部分の上に形成されており（具体的には、実施例１にあっては、第２絶縁層４２に形成された第２開口部５２の底部に露出した第１電極６１の部分から第２絶縁層４２の一部の上に亙り形成されており）、
第１絶縁層４１には、底部にコンタクト部７１が露出した第３開口部５３が形成されており、
少なくとも第２絶縁層４２には（実施例１にあっては、具体的には、第２絶縁層４２には）、底部にコンタクト部７１が露出した第４開口部５４が形成されており、
補助電極層８１は、第１電極６１と離間して、第１絶縁層４１上から第３開口部５３内に亙り形成されており、
第２電極６２は、有機層６３上から第２絶縁層４２上、更には、第４開口部５４内に亙り形成されている。

ここで、発光素子１１は、第１パネル２０に設けられており、第１パネル２０に対して、発光素子１１を挟むように第２パネル９０が貼り合わされている。第２パネル９０は第２基板９１を備えている。実施例１の表示装置は、発光層からの光を第２パネル９０から出射する上面発光型の表示装置である。

図１に示すように、表示装置１０は、第１基板２１の上に、平面形状が矩形の複数の発光素子１１（赤色を発光する赤色発光副画素１１Ｒ、緑色を発光する緑色発光副画素１１Ｇ、及び、青色を発光する青色発光副画素１１Ｂ）が２次元マトリクス状に配置された表示領域１０’を有するカラー表示装置である。そして、表示装置１０の周辺部１０”に、画像表示用のドライバである信号線駆動回路１２及び走査線駆動回路１３が設けられている。尚、赤色発光副画素１１Ｒにおける発光層は、例えば、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を混合した材料から構成することができるし、緑色発光副画素１１Ｇにおける発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉにクマリン６を混合した材料から構成することができるし、青色を発光する青色発光副画素１１Ｂにおける発光層は、例えば、ＤＰＶＢｉに４，４'−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニルを混合した材料から構成することができる。

図２Ａ及び図２Ｂは、駆動用回路３０の一例を示す等価回路図である。駆動用回路３０は、第１電極６１の下方に形成されており、駆動用トランジスタＴｒ₁、書込み用トランジスタＴｒ₂、及び、キャパシタ（保持容量）Ｃ_Sから構成されている。駆動用トランジスタＴｒ₁の一方のソース／ドレイン電極は、第１電源ライン１４（Ｖ_CC）に接続されており、他方のソース／ドレイン電極は、発光素子を構成する第１電極６１に接続されている。また、駆動用トランジスタＴｒ₁のゲート電極は、書込み用トランジスタＴｒ₂の他方のソース／ドレイン電極に接続されており、且つ、キャパシタＣ_Sの一端に接続されている。書込み用トランジスタＴｒ₂の一方のソース／ドレイン電極は信号線１２Ａに接続されており、書込み用トランジスタＴｒ₂のゲート電極は走査線１３Ａに接続されている。信号線１２Ａは、例えば、列方向に延び、走査線１３Ａは、例えば、行方向に延びている。信号線１２Ａと走査線１３Ａとが交差する領域が副画素に対応する。信号線１２Ａは信号線駆動回路１２に接続されており、信号線駆動回路１２から信号線１２Ａを介して書込み用トランジスタＴｒ₂に画像信号が供給される。走査線１３Ａは走査線駆動回路１３に接続されており、走査線駆動回路１３から走査線１３Ａを介して書込み用トランジスタＴｒ₂のゲート電極に走査信号が順次供給される。発光素子を構成する第２電極６２は、第２電源ライン１５（ＧＮＤ）に接続されている。尚、図２Ａに示した駆動用回路３０にあっては、駆動用トランジスタＴｒ₁はｐチャネル型のＴＦＴから構成されており、キャパシタＣ_Sの他端は、第１電源ライン１４に接続されている。一方、図２Ｂに示した駆動用回路３０にあっては、駆動用トランジスタＴｒ₁はｎチャネル型のＴＦＴから構成されており、キャパシタＣ_Sの他端は、駆動用トランジスタＴｒ₁の他方のソース／ドレイン電極及び発光素子を構成する第１電極６１に接続されている。

駆動用トランジスタＴｒ₁及び書込み用トランジスタＴｒ₂は、周知の構成、構造を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されている。図示したＴＦＴは、ボトムゲート／トップコンタクト型である。図４には、駆動用トランジスタＴｒ₁を図示するが、駆動用トランジスタＴｒ₁は、基体（第１基板）２１上に形成されたゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、チャネル形成領域を構成する半導体層３３、及び、ソース／ドレイン電極３４から構成されている。半導体層３３の上には、ソース／ドレイン電極３４のエッチング時、半導体層３３を保護するためのストッパ絶縁膜３５が形成されている。尚、ストッパ絶縁膜３５を構成する材料は、電気絶縁性を有する材料であれば基本的には限定されないが、反応性の低い安定した材料であることが好ましく、例えば、シリコン酸化物、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、チタン酸化物等を挙げることができる。そして、後述するように、ソース／ドレイン電極３４はコンタクト部７１と同一の構成を有する。尚、ゲート電極３１は、厚さ０．３μｍのアルミニウム層（下層）及び厚さ４０ｎｍのモリブデン層（上層）の積層構造を有する。また、ゲート絶縁層３２は厚さ０．４μｍのＳｉＯ₂から成り、半導体層３３は厚さ４０ｎｍのＩＧＺＯから成る。これらの薄膜トランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₂は、第１絶縁層４１によって被覆されている。尚、薄膜トランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₂と第１絶縁層４１との間に、酸化アルミニウム、酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料から成る保護膜を設けてもよい。

実施例１の表示装置１０において、第１基板２１及び第２基板９１は、透明なポリイミドフィルムから成る。また、第１絶縁層４１及び第２絶縁層４２は感光性のポリイミド樹脂から成る。更には、有機層６３は、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、あるいは又、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層から成るが、図面では１層で表示している。

上述したとおり、実施例１の表示装置は、発光層からの光を第２パネル９０から出射する上面発光型の表示装置であり、第２電極６２は発光層からの光を透過する。また、第２電極６２は、複数の発光素子１１において（より具体的には全ての発光素子１１において）、共通である。即ち、第２電極６２は、所謂、ベタ電極である。第１電極６１と第２電極６２とは、第２絶縁層４２によって分離、絶縁されている。また、第２電極６２と第２基板９１との間には、透明ポリイミド樹脂から成る封止層６４が形成されている。

薄膜トランジスタＴｒ₁，Ｔｒ₂と離間して基体（第１基板）２１上に形成されたコンタクト部７１は、基体側から、少なくとも、第１コンタクト層７１Ａ及び第２コンタクト層７１Ｂの積層構造（実施例１にあっては、第３コンタクト層７１Ｃ、第１コンタクト層７１Ａ及び第２コンタクト層７１Ｂの積層構造）を有する。尚、図５を除き、図面においては、コンタクト部７１を１層で表示している。そして、第２コンタクト層７１Ｂを構成する材料のエッチング速度は、第１電極６１を構成する材料のエッチング速度よりも遅い。また、第２コンタクト層７１Ｂを構成する材料は、酸化され難い金属、又は、酸化され難い金属を含む材料から成る。更には、第１コンタクト層７１Ａを構成する材料は、第２コンタクト層７１Ｂを構成する材料よりも導電性の高い金属、又は、導電性の高い金属を含む材料から成る。具体的には、第２コンタクト層７１Ｂ及び第３コンタクト層７１Ｃは、モリブデン（Ｍｏ）を含む材料（より具体的には、厚さ０．０５μｍのモリブデン層）から成る。一方、第１コンタクト層７１Ａは、アルミニウム（Ａｌ）を含む材料（より具体的には、厚さ０．５μｍのアルミニウム層）から成る。また、ソース／ドレイン電極３４は、上述したとおり、コンタクト部７１を構成する材料と同じ材料（Ｍｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層の積層構造）から成る。云い換えれば、ソース／ドレイン電極３４を構成する材料及びコンタクト部７１を構成する材料は、同時にエッチング可能な材料から構成されている。

また、第１電極６１は、アルミニウム（Ａｌ）を含む材料（具体的には、厚さ０．３μｍのＡｌ−Ｎｄ合金といったアルミニウム合金）から成り、発光層からの光を反射する。即ち、第１電極６１は光反射電極を構成する。第１電極６１は、駆動用回路３０を覆うように、第１絶縁層４１上に設けられている。一方、第２電極６２は厚さ１０ｎｍのＩＴＯから成る。

補助電極層８１は、第１絶縁層４１上に形成された部分８１Ａ、及び、第３開口部５３内に形成された部分８１Ｂから構成されている。そして、図３に示すように、第１絶縁層４１上に形成された補助電極層８１の部分８１Ａは、第１電極６１と離間した状態で、第１絶縁層４１上に形成された第１電極６１を囲んでいる。補助電極層８１を構成する材料は、第１電極６１を構成する材料と同じである。云い換えれば、補助電極層８１を構成する材料及び第１電極６１を構成する材料は、同時にエッチング可能な材料から構成されている。

表示装置１０の表示領域１０’の縁部に位置する補助電極層８１の部分は、表示装置１０の周辺部１０”に設けられた給電部（図１、図３、図４には図示せず）に、基体（第１基板）２１上に形成されたコンタクト部７１、及び、コンタクト部７１から延びる配線層（図１、図３、図４には図示せず）を介して接続されている。そして、給電部から配線層を介して、更には、補助電極層８１、コンタクト部７１を介して、第２電極６２に電圧が印加される。給電部、配線層、補助電極層８１、コンタクト部７１は、図２Ａ及び図２Ｂに示した第２電源ライン１５に含まれる。

発光部６０を構成する第１電極６１及び有機層６３は、第１絶縁層４１上に形成された第２絶縁層４２によって、隣接する発光部６０を構成する第１電極６１及び有機層６３と分離されている。第２開口部５２は、矩形の平面形状を有し、２次元マトリクス状に配列されている。また、第２絶縁層４２に形成され、コンタクト部７１が底部に露出した第４開口部５４は、上部が広く、下部が狭い形状（即ち、所謂、順テーパ形状）を有する。そして、第２電極６２と補助電極層８１とがコンタクト部７１を介して電気的に接続されている。

表示装置１０にあっては、薄膜トランジスタＴｒ₁を介して第１電極６１に電流が流されると、信号線１２Ａを介して送られてきた画像信号に応じた輝度に基づき発光層が発光する。この発光層からの光は、第１電極６１で反射される一方、第２電極６２及び封止層６４を透過し、第２基板９１から射出され、これによって、表示装置１０に所定の画像が表示される。

以下、基体等の模式的な一部断面図である図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、実施例１の表示装置１０の製造方法を説明する。

［工程−１００］
先ず、基体（第１基板）２１上に、駆動用回路３０及びコンタクト部７１を設ける。

具体的には、先ず、第１基板２１上に、周知の方法に基づきゲート電極３１を形成した後、周知の方法に基づき、全面にゲート絶縁層３２を形成する。次いで、周知の方法に基づき、ゲート絶縁層３２上に酸化物半導体から成る半導体層３３を形成する。こうして、図６Ａに示す構造を得ることができる。

半導体層３３を、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）から構成する場合、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛製のセラミックターゲットを用いたＤＣスパッタリング法に基づき、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスにおけるプラズマ放電にて半導体層３３を形成することができる。尚、プラズマ放電の前に真空容器内の真空度が１×１０^-4Ｐａ以下になるまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスの混合ガスを導入する。また、半導体層３３を、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）から構成する場合、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）製のセラミックターゲットを用いたＲＦスパッタリング法に基づき、又は、亜鉛製の金属ターゲットを用いたアルゴンガスと酸素ガスを含むガス雰囲気中でのＤＣスパッタリング法に基づき、半導体層３３を形成することができる。このとき、半導体層３３中のキャリア濃度は、アルゴンガスと酸素ガスの流量比に基づき制御することができる。

次に、必要に応じて、半導体層３３を所望の形状（例えば、島状）にパターニングする。パターニングにおいては、リン酸と酢酸と硝酸の混酸から成るエッチング液を用いてウエットエッチングを行えばよい。半導体層３３の形状は、基本的には限定されないが、例えば、ゲート電極３１及びその近傍を含む島状の形状とすればよい。次に、半導体層３３上に、例えば厚さ０．３μｍのストッパ絶縁膜３５を形成する。こうして、図６Ｂに示す構造を得ることができる。

その後、半導体層３３上及びゲート絶縁層３２上にソース／ドレイン電極３４を形成する。併せて、ソース／ドレイン電極３４と離間して、基体（第１基板）２１上に、より具体的にはゲート絶縁層３２の延在部３２Ａの上に、コンタクト部７１を島状に形成する（図６Ｃ参照）。ソース／ドレイン電極３４及びコンタクト部７１の形成は、使用する材料に依るが、真空蒸着法やスパッタリング法等の各種ＰＶＤ法あるいは各種ＣＶＤ法と、エッチング法との組合せといった、周知の方法に基づき行うことができる。エッチング法として、リン酸と酢酸と硝酸の混酸から成るエッチング液を用いたウエットエッチング法を採用すればよい。尚、ソース／ドレイン電極３４及びコンタクト部７１の形成は、同じ工程にて行ってもよいし、別工程にて行ってもよい。

［工程−１１０］
次いで、駆動用回路３０、コンタクト部７１及び基体２１を覆う第１絶縁層４１を形成する。具体的には、感光性のポリイミド樹脂の溶液をスピンコート法やスリットコート法等により塗布することで、第１絶縁層４１を得ることができる。

［工程−１２０］
そして、駆動用回路３０の上方に位置する第１絶縁層４１の部分に、底部に駆動用回路３０の一部（具体的には、一方のソース／ドレイン電極３４あるいはその延在部）が露出した第１開口部５１を形成し、併せて、コンタクト部７１の上方に位置する第１絶縁層４１の部分に、凹部５５、及び、底部にコンタクト部７１が露出した第３開口部５３を形成する（図７Ａ参照）。具体的には、第１絶縁層４１に対して、露光処理及び現像処理を行い、第３開口部５３及び第１開口部５１を形成し、その後、第１絶縁層４１の焼成を行う。

尚、第１絶縁層４１における凹部５５、第１開口部５１及び第３開口部５３の形成は、少なくとも、フォトリソグラフィ技術に基づき行われ、フォトリソグラフィ技術においてはハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクを用いる。具体的には、第１絶縁層４１に対する露光処理において、凹部５５を形成するためのフォトマスクにおける光透過部はハーフトーン又はグレイトーンから構成されており、凹部５５がコンタクト部７１まで達することがないように、第１絶縁層４１に対する露光処理が行われる。即ち、凹部５５の底部とコンタクト部７１との間には第１絶縁層４１が厚さ方向に一部、残される一方、第１開口部５１及び第３開口部５３がコンタクト部７１まで達するように、第１絶縁層４１に対する露光処理が行われる。第１開口部５１、第３開口部５３、凹部５５を、順テーパ形状に形成することが好ましい。また、順テーパ形状は、出来るだけ緩やかな形状であることが望ましい。凹部５５の開口断面は、第１開口部５１、第３開口部５３の開口断面よりも広いことが好ましい。また、凹部５５の下方における第１絶縁層４１の部分４１Ａは、後の第１電極６１や補助電極層８１の形成のためのエッチング工程におけるコンタクト部７１の保護膜として機能する最小限度の厚さとすることが好ましい。このように、凹部５５の下方における第１絶縁層４１の部分４１Ａを薄くすることで、後の工程において、凹部５５の下方に位置する第１絶縁層４１の部分４１Ａの除去が容易となる。凹部５５の下方における第１絶縁層４１の部分４１Ａの厚さとして、例えば、０．１μｍ乃至１μｍ、好ましくは０．１μｍ乃至０．５μｍを例示することができる。

［工程−１３０］
次に、例えばスパッタリング法に基づき、全面に、アルミニウム合金から成る厚さ約０．３μｍの導電材料層６１’を形成した後（図７Ｂ参照）、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき導電材料層６１’をパターニングすることで、第１絶縁層４１上に第１電極６１を形成し、第１開口部５１内に第１電極延在部６１Ａを形成し、第１絶縁層４１上から第３開口部５３内に亙り、第１電極６１と離間した補助電極層８１を形成し、併せて、凹部５５の底部の少なくとも一部４１Ａの上の導電材料層６１’を除去する（図８Ａ参照）。尚、エッチングにおいては、例えば、リン酸と硝酸と酢酸の混酸から成るエッチング液を用いればよい。

凹部５５の底部にあっては、第１絶縁層４１の一部４１Ａでコンタクト部７１が被覆されているので、エッチングによってコンタクト部７１がエッチングされることを防ぐことができる。また、凹部５５の底部の一部及び側壁には、補助電極層８１が形成されている。これによって、補助電極層８１の面積が増加し、補助電極層全体の低抵抗化を図ることができる。但し、凹部５５の底部の一部及び側壁に補助電極層８１を形成することは、必須ではない。

［工程−１４０］
次いで、露出した凹部５５の底部の部分に位置する第１絶縁層４１の部分４１Ａを除去し、コンタクト部７１を露出させる（図８Ｂ参照）。具体的には、第１絶縁層４１の全面に対してアッシング処理を施す。これによって、露出した第１絶縁層４１は、表面から一定の厚さ分、除去される。

［工程−１５０］
その後、全面に第２絶縁層４２を形成し、次いで、底部に第１電極６１が露出した第２開口部５２を第２絶縁層４２に形成し、併せて、凹部５５の底部の部分に露出したコンタクト部７１の部分に至る第４開口部５４を第２絶縁層４２に形成する（図９Ａ参照）。具体的には、［工程−１１０］、［工程−１２０］と同様にして、感光性のポリイミド樹脂の溶液を、スピンコート法やスリットコート法等により塗布し、露光処理及び現像処理を行い、第２開口部５２及び第４開口部５４を形成し、その後、第２絶縁層４２の焼成を行う。

［工程−１６０］
次いで、第２開口部５２の底部に露出した第１電極６１の部分から第２絶縁層４２の一部の上に亙り、周知の方法に基づき有機層６３を形成する（図９Ｂ参照）。

［工程−１７０］
その後、有機層６３上から第２絶縁層４２上、更には、第４開口部５４内に亙り第２電極６２を形成する（図１０Ａ参照）。

［工程−１８０］
次に、第２電極６２の上に封止層６４を形成する。そして、例えば、真空雰囲気中で、封止層６４を介して、第１基板２１と第２基板９１とを貼り合わせる。こうして、図１０Ｂに模式的な一部断面図を示す表示装置１０を完成させることができる。

実施例１の表示装置において、補助電極層は、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り形成されている。即ち、補助電極層は、第３開口部の底部に露出したコンタクト部の部分の上に延在して形成されている。また、第２電極は、有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り形成されている。即ち、第２電極は、第４開口部の底部に露出したコンタクト部の部分の上に延在して形成されている。従って、コンタクト部を介して第２電極と補助電極層とを電気的に確実に接続することができる。また、たとえ、補助電極層の表面が酸化されたとしても、補助電極層と第２電極との間の電気抵抗が増加するといった現象が生じることがない。そして、これによって、低消費電力化を確実に確保できると共に、表示品質の向上を図ることが可能となるし、この優れた表示装置を用いることにより高性能の電子機器を実現することができる。

また、実施例１の表示装置の製造方法によれば、第１電極及び補助電極層を形成する際におけるエッチング工程において、コンタクト部は第１絶縁層で被覆された状態にあるので、コンタクト部がエッチングされることを防ぐことができる。しかも、コンタクト部とソース／ドレイン電極とを同一のエッチング液でエッチングすることが可能になるため、また、第１電極と補助電極層とを同一のエッチング液でエッチングすることが可能になるため、製造工程の簡素化を図ることができると共に、製造コストの低減を図ることが可能となる。また、コンタクト部を２層以上の積層構造とし、コンタクト部の頂面を耐酸化性の高い材料で構成することで、表示装置の製造時におけるコンタクト部の性能劣化を最小限に留めることができる。

尚、コンタクト部７１の下に、少なくとも、ゲート電極を構成する層から成る第１層、及び、ゲート絶縁層を構成する層から成る第２層の積層構造を形成してもよい。より具体的には、基体側から第１層、第２層及びコンタクト部７１の積層構造を、ボトムゲート／トップコンタクト型のＴＦＴと同じ積層構造（ゲート電極３１／ゲート絶縁層３２／半導体層３３／ストッパ絶縁膜３５／ソース／ドレイン電極３４、あるいは、ゲート電極３１／ゲート絶縁層３２／半導体層３３／ソース／ドレイン電極３４）としてもよい。そして、これによって、ＴＦＴの製造工程において、コンタクト部７１を同時に形成することができ、表示装置の製造工程の簡素化を図ることができる。

実施例２は、実施例１の表示装置の製造方法の変形である。以下、基体等の模式的な一部断面図である図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ、図１２Ｂ、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ及び図１４Ｂを参照して、実施例２の表示装置の製造方法を説明する。尚、実施例１と実施例２では、薄膜トランジスタに対する第３開口部５３及び凹部５５の位置関係が異なっている。

［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１２０］と同様の工程を実行することで、図１１Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−２１０］
その後、実施例１の［工程−１３０］と同様の工程を実行することで、図１１Ｂ、図１２Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−２２０］
次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様の工程を実行することで、図１２Ｂに示す構造を得ることができ、更に、実施例１の［工程−１５０］〜［工程−１８０］と同様の工程を実行することで、図１３Ａ、図１３Ｂ、図１４Ａ、図１４Ｂに示す構造を得ることができる。

実施例３も、実施例１の表示装置の製造方法の変形である。以下、基体等の模式的な一部断面図である図１５Ａ、図１５Ｂ、図１６Ａ、図１６Ｂ、図１７Ａ及び図１７Ｂを参照して、実施例３の表示装置の製造方法を説明する。尚、実施例３の表示装置の製造方法は、第１絶縁層４１の部分４１Ａの除去、第２絶縁層４２における第４開口部５４の形成工程が、実施例１の表示装置の製造方法と異なっている。

［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１３０］と同様の工程を実行することで、図１５Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−３１０］
次に、全面に第２絶縁層４２を形成し、次いで、第２開口部５２を形成すると共に、凹部５５の上方に位置する第２絶縁層４２の部分を除去する（図１５Ｂ参照）。具体的には、実施例１の［工程−１５０］と同様の工程を実行する。但し、この工程にあっては、形成された第４開口部５４の底部には、凹部５５の底部の部分に位置する第１絶縁層４１の部分４１Ａが残存している。

［工程−３２０］
その後、凹部５５の底部の部分に位置する第１絶縁層４１の部分４１Ａを除去して、凹部５５の底部の部分に露出したコンタクト部７１の部分に至る第４開口部５４を第２絶縁層４２及び第１絶縁層４１に形成する。併せて、底部に第１電極６１が露出した第２開口部５２を第２絶縁層４２に形成する（図１６Ａ参照）。具体的には、第１絶縁層４１の全面に対してアッシング処理を施す。これによって、第４開口部５４の底部に露出した第１絶縁層４１の部分４１Ａは除去される。また、第２絶縁層４２の露出した部分も、表面から一定の厚さ分、除去される。

［工程−３３０］
次いで、実施例１の［工程−１６０］〜［工程−１８０］と同様の工程を実行することで、図１６Ｂ、図１７Ａ、図１７Ｂに示す構造を得ることができる。

実施例４は、実施例３の表示装置の製造方法の変形である。以下、基体等の模式的な一部断面図である図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０Ａ及び図２０Ｂを参照して、実施例４の表示装置の製造方法を説明する。尚、実施例３と実施例４では、実施例２と同様に、薄膜トランジスタに対する第３開口部５３及び凹部５５の位置関係が異なっている。

［工程−４００］
先ず、実施例３の［工程−３００］と同様の工程を実行することで、図１８Ａに示す構造を得ることができる。

［工程−４１０］
次いで、実施例３の［工程−３１０］〜［工程−３３０］と同様の工程を実行することで、図１８Ｂ、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２０Ａ、図２０Ｂに示す構造を得ることができる。

実施例５においては、実施例１〜実施例４において説明した表示装置における表示領域の縁部に位置する補助電極層の部分等の説明を行う。

図２１Ａに示すように、表示装置１０の表示領域１０’の縁部に位置する補助電極層８１の部分は、表示装置１０の周辺部１０”に設けられた給電部２３に、基体（第１基板）２１上に形成された、コンタクト部７１、及び、コンタクト部７１から延びる配線層２２を介して接続されている。これによって、給電部２３から配線層２２を介して、更には、補助電極層８１、コンタクト部７１を介して、第２電極６２に電圧が印加される。場合によっては、図２１Ｂに示すように、配線層２２の代わりに、コンタクト部７１を表示装置１０の周辺部１０”まで延在させ、コンタクト部７１の延在部を給電部としてもよい。

実施例６は、本開示の電子機器に関する。実施例１〜実施例５において得られた表示装置は、例えば、テレビジョン受像機、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置あるいはビデオカメラ等、外部から入力された画像信号や、表示装置の内部で生成された画像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

表示装置のモジュールの外観を図２２に示す。表示装置モジュールには、実施例１〜実施例５の表示装置１０が適用される。表示装置モジュールは、種々の電子機器に組み込まれる。表示装置モジュールにあっては、例えば、第１基板２１と第２基板９１とが貼り合わされた領域であって、表示装置１０の周辺部１０”には、信号線駆動回路１２や走査線駆動回路１３が配設されている。また、第２基板９１が貼り合わされていない領域１０Ａには、信号線駆動回路１２及び走査線駆動回路１３の配線が接続された外部接続端子（図示せず）が配されている。そして、外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板１６が取り付けられている。

実施例６の電子機器であるテレビジョン受像機の外観を図２３に示す。テレビジョン受像機は、例えば、フロントパネル３１０及びフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、映像表示画面部３００は、実施例１〜実施例５において説明した表示装置１０から構成されている。

また、実施例６の電子機器であるデジタルスチルカメラの外観を図２４に示す。デジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０及びシャッターボタン４４０を有しており、表示部４２０は、実施例１〜実施例５において説明した表示装置１０から構成されている。

更には、実施例６の電子機器であるノート型パーソナルコンピュータの外観を図２５に示す。ノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０、文字等の入力操作のためのキーボード５２０及び画像を表示する表示部５３０を有しており、表示部５３０は、実施例１〜実施例５において説明した表示装置１０から構成されている。

また、実施例６の電子機器であるビデオカメラの外観を図２６に示す。ビデオカメラは、例えば、本体部６１０、本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０、撮影時及び停止時のスタートストップ兼用スイッチ６３０及び表示部６４０を有しており、表示部６４０は、実施例１〜実施例５において説明した表示装置１０から構成されている。

更には、実施例６の電子機器である携帯電話機の外観を図２７に示す。携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０、サブディスプレイ７５０、ピクチャーライト７６０及びカメラ７７０を有している。ディスプレイ７４０又はサブディスプレイ７５０は、実施例１〜実施例５において説明した表示装置１０から構成されている。

以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した表示装置や電子機器の構成、構造、表示装置の製造方法はあくまでも例示に過ぎず、適宜、変更することができる。表示装置を無機ＥＬ表示装置とすることもでき、この場合、発光部における「有機層」を「無機層」と読み替えればよい。実施例１〜実施例５における発光層の構成を、白色光を出射する構成として、カラーフィルターを配設する構成とすることができる。

尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《表示装置》
基体上に設けられた駆動用回路、
駆動用回路及び基体を覆う第１絶縁層、
第１電極、発光層を備えた有機層、及び、第２電極が積層されて成る発光部、並びに、
第１電極を覆う第２絶縁層、
を備えた発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置であって、
発光素子は、更に、
補助電極層、及び、
基体上に形成されたコンタクト部、
を備えており、
第１電極は、第１絶縁層上に形成されており、且つ、第１絶縁層に設けられた第１開口部に形成された第１電極延在部を介して駆動用回路に電気的に接続されており、
有機層は、少なくとも、第２絶縁層に形成された第２開口部の底部に露出した第１電極の部分の上に形成されており、
第１絶縁層には、底部にコンタクト部が露出した第３開口部が形成されており、
少なくとも第２絶縁層には、底部にコンタクト部が露出した第４開口部が形成されており、
補助電極層は、第１電極と離間して、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り形成されており、
第２電極は、有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り形成されている表示装置。
［２］コンタクト部は、基体側から、少なくとも、第１コンタクト層及び第２コンタクト層の積層構造を有し、
第２コンタクト層を構成する材料のエッチング速度は、第１電極を構成する材料のエッチング速度よりも遅い［１］に記載の表示装置。
［３］第２コンタクト層を構成する材料は、酸化され難い金属、又は、酸化され難い金属を含む材料から成る［２］に記載の表示装置。
［４］第１コンタクト層を構成する材料は、第２コンタクト層を構成する材料よりも導電性の高い金属、又は、導電性の高い金属を含む材料から成る［２］又は［３］に記載の表示装置。
［５］第２コンタクト層は、モリブデン又はチタンを含む材料から成り、
第１コンタクト層は、アルミニウム、銀及び銅から成る群から選択された少なくとも１種類の金属を含む材料から成る［２］乃至［４］のいずれか１項に記載の表示装置。
［６］駆動用回路は、ゲート電極、ゲート絶縁層、チャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から成り、
ソース／ドレイン電極はコンタクト部と同一の構成を有する［１］乃至［５］のいずれか１項に記載の表示装置。
［７］コンタクト部の下には、少なくとも、ゲート電極を構成する層から成る第１層、及び、ゲート絶縁層を構成する層から成る第２層の積層構造が形成されている［６］に記載の表示装置。
［８］第４開口部は、上部が広く、下部が狭い形状を有する［１］乃至［７］のいずれか１項に記載の表示装置。
［９］第１電極は、アルミニウム又は銀を含む材料から成り、発光層からの光を反射する［１］乃至［８］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１０］補助電極層を構成する材料は、第１電極を構成する材料と同じである［１］乃至［９］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１１］第２電極は、発光層からの光を透過する［１］乃至［１０］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１２］第２電極は、複数の発光素子において共通である［１］乃至［１１］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１３］第１絶縁層上の補助電極層の部分は、離間した状態で、第１絶縁層上に形成された第１電極を囲んでいる［１］乃至［１２］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１４］表示装置の表示領域の縁部に位置する補助電極層の部分は、表示装置の周辺部に設けられた給電部に、基体上に形成されたコンタクト部、及び、コンタクト部から延びる配線層を介して接続されている［１］乃至［１３］のいずれか１項に記載の表示装置。
［１５］《電子機器》
［１］乃至［１４］のいずれか１項に記載の表示装置を備えている電子機器。
［１６］《表示装置の製造方法》
駆動用回路、並びに、
第１電極、発光層を備えた有機層、及び、第２電極が積層されて成る発光部、
を備えた発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置の製造方法であって、
基体上に、駆動用回路及びコンタクト部を設けた後、
駆動用回路、コンタクト部及び基体を覆う第１絶縁層を形成し、次いで、
駆動用回路の上方に位置する第１絶縁層の部分に、底部に駆動用回路の一部が露出した第１開口部を形成し、併せて、コンタクト部の上方に位置する第１絶縁層の部分に、凹部、及び、底部にコンタクト部が露出した第３開口部を形成し、その後、
全面に導電材料層を形成した後、導電材料層をパターニングすることで、第１絶縁層上に第１電極を形成し、第１開口部内に第１電極延在部を形成し、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り、第１電極と離間した補助電極層を形成し、併せて、凹部の底部の少なくとも一部から導電材料層を除去し、次いで、
露出した凹部の底部の部分に位置する第１絶縁層の部分を除去し、コンタクト部を露出させた後、全面に第２絶縁層を形成し、次いで、底部に第１電極が露出した第２開口部を第２絶縁層に形成し、併せて、凹部の底部の部分に露出したコンタクト部の部分に至る第４開口部を第２絶縁層に形成し、又は、
全面に第２絶縁層を形成し、次いで、凹部の上方に位置する第２絶縁層の部分を除去した後、更に、凹部の底部の部分に位置する第１絶縁層の部分を除去して、底部に第１電極が露出した第２開口部を第２絶縁層に形成し、併せて、凹部の底部の部分に露出したコンタクト部の部分に至る第４開口部を第２絶縁層及び第１絶縁層に形成した後、
第２開口部の底部に露出した第１電極の部分から第２絶縁層の一部の上に亙り有機層を形成し、その後、
有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り第２電極を形成する、
各工程から成る表示装置の製造方法。
［１７］第１絶縁層における凹部、第１開口部及び第３開口部の形成は、少なくとも、フォトリソグラフィ技術に基づき行われ、
フォトリソグラフィ技術においては、ハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクを用いる［１６］に記載の表示装置の製造方法。

１０・・・表示装置、１０’・・・表示装置の表示領域、１０”・・・表示装置の表示領域の周辺部、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ・・・発光素子、１２・・・信号線駆動回路、１２Ａ・・・信号線、１３・・・走査線駆動回路、１３Ａ・・・走査線、１４・・・第１電源ライン、１５・・・第２電源ライン、１６・・・フレキシブルプリント配線基板、２０・・・第１パネル、２１・・・基体（第１基板）、２２・・・配線層、２３・・・給電部、３０・・・駆動用回路、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３２Ａ・・・ゲート絶縁層の延在部、３３・・・チャネル形成領域を構成する半導体層、３４・・・ソース／ドレイン電極、３５・・・ストッパ絶縁膜、４１・・・第１絶縁層、４１Ａ・・・凹部の下方における第１絶縁層の部分、４２・・・第２絶縁層、５１・・・第１開口部、５２・・・第２開口部、５３・・・第３開口部、５４・・・第４開口部、５５・・・凹部、６０・・・発光部、６１・・・第１電極、６１Ａ・・・第１電極延在部、６１’・・・導電材料層、６２・・・第２電極、６３・・・有機層、６４・・・封止層、７１・・・コンタクト部、７１Ａ・・・第１コンタクト層、７１Ｂ・・・第２コンタクト層、７１Ｃ・・・第３コンタクト層、８１・・・補助電極層、８１Ａ・・・第１絶縁層上に形成された補助電極層の部分、８１Ｂ・・・第３開口部内に形成された補助電極層の部分、９０・・・第２パネル、９１・・・第２基板、３００・・・映像表示画面部、３１０・・・フロントパネル、３２０・・・フィルターガラス、４１０・・・フラッシュ部、４２０・・・表示部、４３０・・・メニュースイッチ、４４０・・・シャッターボタン、５１０・・・本体、５２０・・・キーボード、６３０・・・表示部、６１０・・・本体部、６２０・・・被写体撮影用のレンズ、６３０・・・スタートストップ兼用スイッチ、６４０・・・表示部、７１０・・・上側筐体、７２０・・・下側筐体、７３０・・・連結部（ヒンジ部）、７４０・・・ディスプレイ、７５０・・・サブディスプレイ、７６０・・・ピクチャーライト、７７０・・・カメラ、Ｔｒ₁・・・駆動用トランジスタ、Ｔｒ₂・・・書込み用トランジスタ、Ｃ_S・・・キャパシタ（保持容量）

Claims (2)

1. 駆動用回路、並びに、
   第１電極、発光層を備えた有機層、及び、第２電極が積層されて成る発光部、
   を備えた発光素子が２次元マトリクス状に配列されて成る表示装置の製造方法であって、
   基体上に、駆動用回路及びコンタクト部を設けた後、
   駆動用回路、コンタクト部及び基体を覆う第１絶縁層を形成し、次いで、
   駆動用回路の上方に位置する第１絶縁層の部分に、底部に駆動用回路の一部が露出した第１開口部を形成し、併せて、コンタクト部の上方に位置する第１絶縁層の部分に、凹部、及び、底部にコンタクト部が露出した第３開口部を形成し、その後、
   全面に導電材料層を形成した後、導電材料層をパターニングすることで、第１絶縁層上に第１電極を形成し、第１開口部内に第１電極延在部を形成し、第１絶縁層上から第３開口部内に亙り、第１電極と離間した補助電極層を形成し、併せて、凹部の底部の少なくとも一部から導電材料層を除去し、次いで、
   露出した凹部の底部の部分に位置する第１絶縁層の部分を除去し、コンタクト部を露出させた後、全面に第２絶縁層を形成し、次いで、底部に第１電極が露出した第２開口部を第２絶縁層に形成し、併せて、凹部の底部の部分に露出したコンタクト部の部分に至る第４開口部を第２絶縁層に形成し、又は、
   全面に第２絶縁層を形成し、次いで、凹部の上方に位置する第２絶縁層の部分を除去した後、更に、凹部の底部の部分に位置する第１絶縁層の部分を除去して、底部に第１電極が露出した第２開口部を第２絶縁層に形成し、併せて、凹部の底部の部分に露出したコンタクト部の部分に至る第４開口部を第２絶縁層及び第１絶縁層に形成した後、
   第２開口部の底部に露出した第１電極の部分から第２絶縁層の一部の上に亙り有機層を形成し、その後、
   有機層上から第２絶縁層上、更には、第４開口部内に亙り第２電極を形成する、
   各工程から成る表示装置の製造方法。
2. 第１絶縁層における凹部、第１開口部及び第３開口部の形成は、少なくとも、フォトリソグラフィ技術に基づき行われ、
   フォトリソグラフィ技術においては、ハーフトーンマスク又はグレイトーンマスクを用いる請求項１に記載の表示装置の製造方法。

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