KR101386055B1 - 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101386055B1
KR101386055B1 KR1020087030729A KR20087030729A KR101386055B1 KR 101386055 B1 KR101386055 B1 KR 101386055B1 KR 1020087030729 A KR1020087030729 A KR 1020087030729A KR 20087030729 A KR20087030729 A KR 20087030729A KR 101386055 B1 KR101386055 B1 KR 101386055B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
contact portion
layer
insulating layer
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020087030729A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090020622A (ko
Inventor
히로후미 후지오카
노부오 오자와
Original Assignee
소니 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 주식회사 filed Critical 소니 주식회사
Publication of KR20090020622A publication Critical patent/KR20090020622A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101386055B1 publication Critical patent/KR101386055B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명은, 보조 배선의 구성에 의하지 않고, 저소비 전력을 확보하는 동시에 표시 품질을 향상시키는 것이 가능한 발광 표시 장치를 제공한다. 제2 전극(20)과 보조 전극(18B) 사이를, 도전성의 컨택트부(15B)를 통하여 전기적으로 접속시킨다. 또한, 보조 배선(18B)의 일부만을, 컨택트부(15B)와 접속하도록 한다. 보조 배선(18B)의 표면이 산화되어도, 접속 저항의 증대가 회피된다. 또한, 컨택트부(15B)를 형성할 때, 레이트 아웃 상의 제한을 받지도 않는다.
발광 표시 장치, 컨택트부, 접속 저항

Description

발광 표시 장치 및 그 제조 방법{LUMINOUS DISPLAY DEVICE, AND ITS MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 상면 발광 방식의 발광 표시 장치 및 그와 같은 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 플랫 패널 디스플레이의 하나로서 유기 EL(Electro Luminescence) 현상을 이용하여 영상을 표시하는 유기 EL 표시 장치가 주목되고 있다. 이 유기 EL 표시 장치는 유기 발광 소자 자체의 발광 현상을 이용하고 있으므로 시야각이 넓고, 또한 소비 전력이 낮은 등의 우수한 특징을 구비하고 있다. 또한, 이 유기 EL 표시 장치는 고선명의 고속 비디오 신호에 대해서도 높은 응답성을 나타내므로, 특히 영상 분야 등에 있어서, 실용화를 향한 개발이 진행되고 있다.
유기 EL 표시 장치에 있어서의 구동 방식 중, 구동 소자로서 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)가 사용되는 액티브 매트릭스 방식은, 패시브 매트릭스 방식에 비해 응답성이나 해상력의 점에서 우수하고, 전술한 장점을 가지는 유기 EL 표시 장치에 있어서, 특히 적합한 구동 방식으로 고려되고 있다. 이 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치는, 유기 발광층을 포함하는 유기 EL 소자와 이 유기 EL 표시 소자를 구동시키기 위한 구동 소자(상기 박막 트랜지스터)가 설치된 구 동 패널을 가지고 있고, 이 구동 패널과 밀봉 패널이 유기 EL 소자를 협지하도록 하여, 서로 접착층에 의해 접합된 구성으로 되어 있다. 또한, 유기 EL 소자는, 한쌍의 전극 간에 유기 발광층이 형성된 구성으로 되어 있다.
유기 EL 표시 장치에는, 각 유기 EL 소자로부터의 광을 상기 구동 패널 측으로 사출(射出)하는 하면 발광(보텀 이미션) 방식과, 역으로 이 광을 상기 밀봉 패널 측으로 사출하는 상면 발광(탑 이미션) 방식이 있지만, 후자가 개구율을 높게 할 수 있으므로 개발의 주류로 되어 있다.
여기서, 상면 발광 방식의 유기 EL 표시 장치에서는, 광인출 측, 즉 밀봉 패널 측의 전극은, 각 유기 EL 소자에 공통의 전극인 동시에, 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide; 산화 인듐 주석) 등의 광투과성의 도전 재료에 의해 구성되어 있다. 그런데, 이와 같은 광투과성의 도전 재료는 통상의 금속 재료 등과 비교하여 저항율이 2~3 자리수 정도 높아져 있다. 따라서, 이 광인출 측의 전극에 인가된 전압이 면내에서 불균일해지므로, 각 유기 EL 소자 간의 발광 휘도에 위치 불균일이 생겨, 표시 품질이 저하되어 버리는 문제가 있었다.
그래서, 예를 들면, 하기 특허 문헌에는, 구동 패널 측의 전극과 같은 층에 같은 재료에 의해, 광인출 측의 전극과 접속하기 위한 보조 배선을 형성하도록 한 기술이 개시되어 있다.
특허 문헌 : 일본 특허출원 공개번호 2002-318556호 공보
이와 같이, 광인출 측의 전극에 비해 저항율이 낮은 재료에 의해 보조 배선을 형성하고, 이것을 광인출 측의 전극과 접속하도록 하면, 전술한 전극 전압의 면내 불균일성이 어느 정도 완화될 것으로도 생각할 수 있다.
그런데, 상기 특허 문헌의 기술에서는, 구동 패널 측의 전극 표면에 예를 들면, 알루미늄(Al) 합금을 사용하도록 한 경우, 그 전극과 동일 재료로 보조 배선을 형성하면, 보조 배선의 표면이 산화되기 쉬워져 버린다. 표면이 산화되면, 보조 배선과 광인출 측의 전극 간의 접속 저항이 증가하고, 이 부분에서 큰 전압 강하가 생기게 된다. 따라서, 이 전압 강하의 증가에 기인하여, 장치의 소비 전력도 증대하여 버린다.
이와 같이 종래의 기술에서는, 보조 배선의 구성에 의하지 않고 소비 전력의 증대가 생기지 않도록 하고, 광인출 측의 전극 전압의 면내 균일화를 실현하여 표시 품질을 향상시키는 것이 곤란했었다.
본 발명은, 이러한 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 보조 배선의 구성에 의하지 않고, 저소비 전력을 확보하는 동시에 표시 품질을 향상시키는 것이 가능한 발광 표시 장치, 및 그와 같은 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 발광 표시 장치는, 복수개의 구동 소자와 이들 구동 소자에 전기적으로 접속된 배선부를 구비한 것으로서, 구동 소자 및 배선부 상에 각 구동 소자와 대응하여 형성된 복수개의 제1 전극과, 이들 제1 전극 상에 각각 형성된 복수개의 발광부와, 이들 발광부로부터의 광을 투과할 수 있는 재료에 의해 형성되는 동시에 복수개의 발광부 상에 설치된 공통의 제2 전극과, 이 제2 전극보다 저저항의 보조 배선부와, 제2 전극과 보조 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 도전성의 컨택트부를 구비한 것이다.
본 발명의 발광 표시 장치에서는, 제2 전극과 보조 배선과의 사이가 도전성의 컨택트부를 통하여 전기적으로 접속되어 있으므로, 만일 보조 배선의 표면이 산화되어도, 접속 저항의 증대가 회피된다.
본 발명의 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 복수개의 구동 소자 및 배선부를 형성하여 이들 복수개의 구동 소자와 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 공정과, 구동 소자 및 배선부 상에 제1 도전층을 형성하는 공정과, 이 제1 도전층을 패터닝함으로써, 복수개의 구동 소자에 각각 대응하는 복수개의 제1 전극을 형성하는 동시에 보조 배선부를 형성하는 공정과, 제1 전극 상에 각각 발광부를 형성하는 공정과, 이들 복수개의 발광부 상에, 각 발광부로부터의 광을 투과할 수 있는 재료에 의해 제2 전극을 공통으로 형성하는 공정과, 도전성의 컨택트부를 형성하는 동시에 이 컨택트부에 의해 제2 전극과 보조 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 공정을 포함하고, 상기 보조 배선부를 제2 전극보다 저저항의 재료에 의해 형성하도록 한 것이다.
본 발명의 발광 표시 장치 및 발광 표시 장치의 제조 방법에서는, 1개의 도전층을 형성하는 동시에 이 도전층을 패터닝함으로써, 상기 배선부 및 컨택트부를 각각 형성하도록 하도록 하는 것이 바람직하다. 이와 같이 형성한 경우, 배선층과 컨택트부가 같은 공정에서 형성될 수 있기 때문에, 제조 공정이 간소화된다.
본 발명의 발광 표시 장치 또는 발광 표시 장치의 제조 방법에 의하면, 제2 전극과 보조 배선 간을 도전성의 컨택트부를 통하여 전기적으로 접속시키도록 했으므로, 만일 보조 배선의 표면이 산화되어도 접속 저항의 증대를 회피할 수 있다. 따라서, 보조 배선의 구성에 의하지 않고, 저소비 전력을 확보하는 동시에 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1에 나타낸 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1에 나타낸 발광 표시 장치의 제조 방법의 주요한 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 4에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 6은 비교예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 7은 전극 간에 흐르는 전류와 보조 배선에서의 전압 강하의 관계를 나타낸 특성도이다.
도 8은 다른 비교예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 9는 제2 실시예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 9에 나타낸 발광 표시 장치의 제조 방법의 주요한 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 11은 도 10에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 12에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 14는 제3 실시예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 15는 도 14에 나타낸 발광 표시 장치의 제조 방법의 주요한 공정의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 16은 도 15에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 17은 도 16에 계속되는 공정을 나타낸 단면도이다.
도 18은 제3 실시예의 변형예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 19는 본 발명의 변형예에 관한 발광 표시 장치의 제조 방법에서 사용되는 마스터의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 20은 도 19에 나타낸 마스크를 사용한 경우에 대응하는 제1 실시예의 변형예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 21은 도 19에 나타낸 마스크를 사용한 경우에 대응하는 제2 실시예의 변형예에 관한 발광 표시 장치의 구성을 나타낸 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
[제1 실시예]
도 1 및 도 2는, 본 발명의 제1 실시예에 관한 발광 표시 장치(유기 EL 표시 장치(1)의 구성을 나타낸 것이며, 도 1은 평면 구성을 나타내고, 도 2는 도 1에 있 어서의 n-n선에 따른 단면 구성을 나타내고 있다.
이 유기 EL 표시 장치(1)는, 한쌍의 절연성의 투명 기판(10A, 10B) 사이에 다층막이 적층된 적층 구조를 이루고 있다. 구체적으로는, 투명 기판(10A) 측으로부터 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 실리콘막(13), 스토퍼 절연막(14) 및 배선층(15A)이 적층되어, 박막 트랜지스터(Tr)를 구성하고 있다. 또한, 박막 트랜지스터(Tr) 상에는, 패시베이션 절연막(16) 및 평탄화 절연막(17A)이 적층되어 있다. 이 평탄화 절연막(17A) 상에는, 박막 트랜지스터(Tr)의 형성 영역에 대응하여, 유기 EL 소자(EL)가 형성되어 있다.
각 유기 EL 소자(EL)는, 평탄화 절연막(17A) 측으로부터 제1 전극(18A), 유기 발광층(19) 및 제2 전극(20)의 차례로 적층된 적층 구조를 이루고 있다. 이 중, 제1 전극(18A) 및 유기 발광층(19)은, 평탄화 절연막(17A) 상의 전극 간 절연 막(21)에 의해 서로 분리되고, 예를 들면, 도 2에 나타낸 바와 같은 직사각형에 의해, 투명 기판(10A),(10B) 내에서 매트릭스형으로 배치되어 있다. 한편, 제2 전극(20)은, 각 유기 EL 소자(EL)에 대하여 공통의 전극이며, 도 2에 나타낸 바와 같이, 투명 기판(10A, 10B) 내에 일정하게 형성되어 있다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 각 박막 트랜지스터(Tr), 각 제1 전극(18A) 및 각 유기 발광층(19) 사이에 대응하는 영역에는, 제1 전극(18A)과 동일한 층에 보조 배선(18B)이 형성되어 있다. 또한, 평탄화 절연막(17A) 및 전극 간 절연막(21)에는, 이 보조 배선(18B)의 형성 영역의 일부(도 1 참조)에, 위가 넓고 아래가 좁게 설정된 테이퍼형의 개구가 형성되어 있다. 이 개구의 저부와 게이트 절연막(12)의 층간에서는, 배선층(15A)과 동일한 층에 도전성의 컨택트부(15B)가 형성되고, 이 컨택트부(15B) 상에서, 제2 전극(20)과 보조 배선(18B)이 전기적으로 접속되어 있다.
또한, 제2 전극(20) 상에는 보호막(23)이 일정하게 형성되고, 이 보호막(23)과 투명 기판(10B)의 층간에는, 밀봉 수지(17B)가 일정하게 형성되어 있다. 이와 같은 구성에 의해 유기 EL 표시 장치(1)는, 유기 발광층(19)으로부터 발해진 광을, 최종적으로 제2 전극(20) 측(투명 기판(10B) 측), 즉 위쪽으로 사출하도록 되어 있고, 이른바 상면 발광형의 구조를 이루고 있다.
투명 기판(10A, 10B)은, 예를 들면, 유리 재료나 플라스틱 재료 등의 절연성 재료에 의해 구성된다.
박막 트랜지스터(Tr)는, 각 유기 EL 소자(EL)를 발광 구동시키기 위한 구동 소자이다. 이 중, 게이트 전극(11)은, 예를 들면, 몰리브덴(Mo) 등에 의해 구성된다. 또한, 실리콘막(13)은 박막 트랜지스터(Tr)의 채널 영역을 형성하는 부분이며, 예를 들면, 비정질 실리콘막 등에 의해 구성된다.
배선층(15A)은, 박막 트랜지스터(Tr)의 게이트 전극 및 드레인 전극을 구성하는 동시에, 신호선 등의 배선으로서도 기능하고 있다. 이 배선층(15A)은, 후술하는 바와 같이, 컨택트부(15B)와 동일한 재료로 구성되어 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 표면이 쉽게 산화되지 않고, 제2 전극(20) 사이에서 양호한 접속(바람직하게는, 오믹 접속)을 취할 수 있는 도전성 재료에 의해 구성된다. 또한, 후술하는 바와 같이, 제1 전극(18A)에 대하여 높은 에칭 선택비를 나타낸 재료인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 티탄(Ti), 질화 티탄(TiN), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), ITO, IZO(Indium Zinc Oxide; 산화 인듐 아연) 또는 은(Ag), 또는 이들 금속 재료를 주성분으로 하는 합금 등을 들 수 있다. 또한, 이 배선층(15A)을, Ti/Al(알루미늄), Ti/Al/Ti, Ti/AlSi 합금), Ti/(AlSiCu 합금) 또는 Ti/(AlCe(세륨) 합금) 등의 Ti를 최상층으로 하는 다층막에 의해 구성하도록 해도 된다. 그리고, 배선층(15)의 구성 재료는, 제1 전극(18A)의 구성 재료나 에칭 방법 등에 의해 적당히 선택된다.
패시베이션 절연막(16)은, 박막 트랜지스터(Tr)를 보호하기 위한 것이며, 예를 들면, SiO2, SN 또는 SiON 중 적어도 1종으로 이루어지는 절연 재료에 의해 구성된다. 또한, 평탄화 절연막(17A)은, 층 구조를 평탄화하여 그 위에 유기 EL 소자(EL)를 형성하기 위한 것이며, 예를 들면, 감광성의 폴리이미드수지, 폴리벤즈옥사졸, 노볼락 수지, 폴리히드록시 스티렌 또는 아크릴 수지 등의 절연성 재료에 의해 구성된다.
유기 발광층(19)은, 도시하지 않은 정공(正孔) 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 차례로 퇴적시킨 것이며, 제1 전극(18A) 및 제2 전극(20)에 의해 협지되어 있다. 그리고, 이들 제1 전극(18A)과 제2 전극(20) 사이에 소정의 전압을 인가하면, 발광층 내에 주입된 정공 및 전자의 캐리어 재결합에 의해, 발광을 얻을 수 있게 되어 있다.
제1 전극(18A)은, 유기 발광층(19)에 전압을 인가하기 위한 전극(애노드 전 극 또는 음극 전극)인 동시에, 이 유기 발광층(19)으로부터의 광을 반사하여 위쪽으로 인도하기 위한 반사 전극으로서도 기능하고 있다. 따라서, 이 제1 전극(18A)은, 반사율이 높은 금속, 예를 들면, Al이나, AlNd(네오듐) 합금 또는 AlCe 합금 등의 Al을 주성분으로 하는 합금 등에 의해 구성된다. 그리고, 이와 같은 제1 전극(18A)의 구성 재료는, 표면이 산화되기 쉽다는 성질(표면 산화성)을 가지고 있다.
제2 전극(20)도, 유기 발광층(19)에 전압을 인가하기 위한 전극(애노드 전극 또는 음극 전극)이다. 제2 전극(20)은, 이 유기 발광층(19)으로부터의 광을 투과하여 위쪽으로 사출하기 위해, 투명 또는 반투명의 전극으로 되어 있다. 따라서, 이 제2 전극(20)은, 예를 들면, 투명 재료인 ITO나 IZO, 또는 반투명 재료인 Mg(마그네슘)Ag 합금이나 Cu, Ag, Mg, Al 등에 의해 구성된다.
보조 배선(18B)은, 전술한 바와 같이 각 박막 트랜지스터(Tr), 각 제1 전극(18A) 및 각 유기 발광층(19) 사이에 대응하는 영역에 형성되어 있고, 저항이 높은 투과성의 제2 전극(20)에 있어서의 전극 전압의 면내 불균일성을 억제하기 위한 것이다. 따라서, 이 보조 배선(18B)은 제2 전극(20)보다 저저항으로 되도록(예를 들면, 저항율이 낮은 재료에 의해) 구성되며, 구체적으로는, 전술한 제1 전극(18A)의 구성 재료와 동일한 재료에 의해 구성된다.
컨택트부(15B)는, 제2 전극(20)과 보조 배선(18B) 사이를, 예를 들면, 도 1에 나타낸 바와 같이 부분적으로 전기적 접속을 하기 위한 것이며, 전술한 바와 같이 배선층(15A)과 동일한 층에, 배선층(15A)과 동일 재료에 의해 형성된다. 즉, 표면이 쉽게 산화되지 않고, 제2 전극(20) 사이에서 양호한 접속(바람직하게는, 오믹 접속)을 취할 수 있는 도전성 재료이며, 또한 제1 전극(18A)에 대하여 높은 에칭 선택비를 나타내는 재료인 것이 바람직하다. 그리고, 제1 전극(18A)에 대하여 높은 에칭 선택비를 나타낸 재료로 하는 것은, 자세한 것은 후술하지만, 에칭에 의해 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)을 형성할 때, 컨택트부(15B)도 함께 에칭되지 않도록 하기 때문이다.
전극 간 절연막(21)은, 각 유기 EL 소자(EL)끼리를 분리하기 위한 것이며, 그 측면은 위가 넓고 아래가 좁게 설정된 테이퍼 형상으로 되어 있다. 여기서, 상기와 같은 테이퍼 형상은, 가급적 완만한 것이 바람직하다. 또한, 이 전극 간 절연막(21) 사이의 개구의 폭은, 컨택트부(15B)가 형성되어 있는 평탄화 절연막(17A)에서의 개구보다 넓어지도록 구성되며, 도 2에 나타낸 바와 같이, 제2 전극(20)이 이들 개구 부분에 있어서, 위가 넓고 아래가 좁은 계단형을 이루도록 되어 있다. 이와 같이 설정된 테이퍼 형상을 가급적 완만하게 하거나 개구 부분을 계단형으로 형성하는 것은, 자세한 것은 후술하지만, 그 쪽이 제2 전극(20)을 형성할 때 단선되거나 저항값 증가를 초래하거나 하는 것을 회피하기 위해서이다. 그리고, 이 전극 간 절연막(21)은, 예를 들면, 감광성의 폴리이미드수지 등의 절연성 재료에 의해 구성된다.
보호막(23)은, 제2 전극(20)을 보호하기 위한 것이며, 예를 들면, SiO2, SiN 또는 SION 중 적어도 1종으로 이루어지는 절연 재료에 의해 구성된다. 또한, 밀봉 수지(17B)는, 층 구조를 평탄화하여 투명 기판(10B)으로 협지하도록 하기 위한 것이다.
여기서, 박막 트랜지스터(Tr)가 본 발명에 있어서의 「구동 소자」의 1구체예에 대응하고, 유기 발광층(19)이 본 발명에 있어서의 「발광부」의 1구체예에 대응한다. 또한, 평탄화 절연막(17A) 및 전극 간 절연막(21)이 본 발명에 있어서의 「절연층」의 1구체예에 대응한다.
다음에, 도 3~도 5를 참조하여, 이 유기 EL 표시 장치(1)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 3~도 5는 각각, 유기 EL 표시 장치(1)의 제조 공정의 일부를 단면도로 나타낸 것이다.
먼저, 도 3 (A)에 나타낸 바와 같이, 전술한 재료로 이루어지는 투명 기판(10A) 상에, 예를 들면, 스퍼터법, 화학 기상 성장법(Chemical Vapor Deposition) 및 포토리소그래피법을 이용하여, 전술한 재료로 이루어지는 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 실리콘막(13), 스토퍼 절연막(14) 및 배선층(15A)을 상기 순서로 적층시켜, 예를 들면, 투명 기판(10A) 상에서 매트릭스형을 이루는 복수개의 박막 트랜지스터(Tr)를 각각 형성한다.
여기서, 배선층(15A)을 예를 들면, 스퍼터법에 의해 형성할 때, 이 배선층(15A)과 동일한 재료를 사용하여, 게이트 절연막(12) 상, 즉 배선층(15A)과 동일한 층에 있어서의, 도 1에 나타낸 바와 같은 박막 트랜지스터(Tr) 사이에 대응하는 영역의 일부에, 컨택트부(15B)를 함께 형성한다. 그리고, 이들 배선층(15A) 및 컨택트부(15B)의 재료는, 후술하는 금속층(18)의 에칭 방법에 의해 적당히 선택되고, 예를 들면, 후술하는 바와 같이 인산, 초산 및 초산의 혼합산을 사용하여 웨트 에칭에 의해 행하는 경우, Ti/Al/Ti의 다층막으로 할 수 있고, 이 경우의 막두께로서는, 예를 들면, Ti/Al/Ti= 50nm/500nm/50nm 정도로 한다. 그리고, Ti/Ai/Ti의 다층막의 경우, RiE(Reactive Ion Etching; 반응성 이온 에칭)에 의한 에칭 방법을 생각할 수 있지만, 이 경우에는 패턴 불량 결함이 발생하기 쉬우므로, 바람직하지 않다.
이어서, 동일하게 도 3 (A)에 나타낸 바와 같이, 이들 박막트랜지스터(Tr) 및 컨택트부(15B) 상에, 전술한 재료로 이루어지는 패시베이션 절연막(16)을, 예를 들면, CVD법에 의해 동일하게 형성한다.
다음에, 도 3 (B)에 나타낸 바와 같이, 패시베이션 절연막(16) 상에, 전술한 재료로 이루어지는 평탄화 절연막(17A)을, 예를 들면, 스핀 코트법이나 슬릿 코트법에 의해 동일하게 도포 형성한다. 그리고, 컨택트부(15B)에 대응하는 영역을 예를 들면, 포토리소그래피법에 따라 노광 및 현상을 행하여 개구를 형성하고, 그 후 소성을 행함으로써, 도면 중의 부호 P1으로 나타낸 바와 같은 테이퍼 형상의 측면을 가지는 개구를 형성한다. 이 때, 평탄화 절연막(17A)으로서 사용하는 감광성 수지에는, 이 경사가 가능한 한 완만하게 되도록 한 감광성 수지를 적당히 선택한다. 그리고, 이 경사를 보다 완만한 것으로 하기 위해 하프 톤 마스크를 사용하여 개구를 형성하거나, 이 개구 부분의 크기가 상이한 복수개의 마스크를 사용하여 복수회의 노광 처리를 행하도록 해도 된다. 그리고, 이와 같은 테이퍼 형상의 경사도는, 후에 형성할 제2 전극(20)의 막두께나 형성 방법에 따라 적당히 설정한다.
다음에, 도 4 (A)에 나타낸 바와 같이, 평탄화 절연막(17A) 및 컨택트부(15B) 상에, 예를 들면, 전술한 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 구성 재료(이 예에서는, 금속 재료)를 사용하여, 예를 들면, 스퍼터법에 의해 금속층(18)을, 예를 들면, 300nm 정도의 두께로 일정하게 형성한다.
다음에, 도 4 (B)에 나타낸 바와 같이, 금속층(18)을 예를 들면, 포토리소그래피법에 따라 선택적으로 에칭함으로써, 도 1 및 도 2에 나타낸 형상으로 이루어지는 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)을 각각 형성한다. 이 때, 제1 전극을 각 박막 트랜지스터(Tr)에 대응하는 위치에 형성하고, 보조 배선(18B)을 각 박막 트랜지스터(Tr) 사이에 대응하는 영역에 형성한다. 또한, 이 보조 배선(18B)의 일부가 컨택트부(15B)와 전기적으로 접속되도록 패터닝한다. 여기서, 컨택트부(15B)는, 전술한 바와 같이 금속층(18)에 대하여 에칭 선택비가 높은 재료로 구성되어 있으므로, 이 금속층(18)을 에칭할 때, 컨택트부(15B)도 함께 에칭될 우려는 없다. 그리고, 이 때의 에칭은, 예를 들면, 인산, 초산 및 초산의 혼합산을 사용한 웨트 에칭에 의해 행한다.
다음에, 도 5 (A)에 나타낸 바와 같이, 평탄화 절연막(17A), 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B) 상에, 전술한 재료로 이루어지는 전극 간 절연막(21)을, 예를 들면, 스핀 코트법이나 슬릿 코트법에 의해 동일하게 도포 형성하고, 예를 들면, 포토리소그래피법에 따라 소정의 형상, 즉 각 제1 전극(18A) 및 후에 형성할 각 유기 발광층(19)이 서로 분리되도록 패터닝한다. 또한, 이 때도 도면 중의 부호 P2로 나타낸 바와 같이, 컨택트부(15B)에 대응하는 영역을 예를 들면, 포토리소그래 피법에 따라 선택적으로 제거하고, 설정된 대로의 테이퍼 형상의 측면을 가지는 개구를 형성한다. 그리고, 마찬가지로 이 경사가 가급적 완만해지도록, 하프 톤 마스크를 사용하여 개구를 형성하거나, 이 개구 부분의 크기가 상이한 복수개의 마스크를 사용하여 복수회의 노광 처리를 행하도록 한다. 또한, 이 전극 간 절연막(21) 사이의 개구의 폭을, 평탄화 절연막(17A)에서의 개구보다 넓어지도록 구성하고, 개구부의 측면이 계단형으로 되도록 형성한다.
다음에, 도 5 (B)에 나타낸 바와 같이, 각 제1 전극(18A) 상에 유기 발광층(19)을, 예를 들면, 진공 증착법에 의해 형성한다. 그리고, 이 유기 발광층(19), 전극 간 절연막(21), 평탄화 절연막(17A), 컨택트부(15B) 및 보조 배선(18B) 상에, 예를 들면, 진공 증착법에 의해 전술한 재료로 이루어지는 제2 전극(20)을, 예를 들면, 10nm 정도의 두께로 일정하게 형성한다.
최후에, 제2 전극(20) 상에, 예를 들면, CVD법에 의해 전술한 재료에 의해이루어지는 보호막(23)을 일정하게 형성하는 동시에 이 보호막(23) 상에 밀봉 수지(17B)를, 예를 들면, 적하 주입법에 의해 동일하게 형성하고, 이것을 전술한 재료로 이루어지는 투명 기판(10B)으로 끼워넣음으로써, 도 1 및 도 2에 나타낸 본 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)가 제조된다.
이 유기 EL 표시 장치(1)에서는, 배선층(15A) 및 박막 트랜지스터(Tr)를 통하여 제1 전극(18A)에 전압이 인가되면, 제2 전극(20)과의 사이의 전위차에 따른 휘도로 유기 발광층(19)이 발광한다. 이 유기 발광층(19)으로부터의 광은, 제1 전극(18A)에서 반사되면서 제2 전극을 투과함으로써, 도 2에 위쪽, 즉 투명 기 판(10B) 측으로 사출된다. 그리고, 각 화소에 배치된 유기 EL 소자(EL)로부터 화소 신호에 따른 광이 사출됨으로써, 유기 EL 표시 장치(1)에 소정의 화상이 표시된다.
여기서, 이 유기 EL 표시 장치(1)에서는, 제2 전극(20)과 보조 배선(18B) 사이가, 표면이 쉽게 산화되지 않고 제2 전극(20) 사이에서 양호한 접속(바람직하게는, 오믹 접속)을 취할 수 있는 도전성의 컨택트부(15B)를 통하여 전기적으로 접속되어 있으므로, 만일 제1 전극(18A)과 동일 재료로 이루어지는 보조 배선(18B)의 표면이 산화되었다고 해도, 이들 제2 전극(20)과 보조 배선(18B) 사이의 접속 저항의 증대가 회피된다.
이에 대하여, 예를 들면, 도 6에 나타낸 종래의 유기 EL 표시 장치(101)(비교예 1)에서는, 보조 배선(118B)이, 제1 전극(118A)과 동일한 층에 동일 재료에 의해 형성되는 동시에 제2 전극(120)과 직접 접속되어 있으므로 보조 배선(118B)의 표면이 산화되면, 제2 전극(120)과 보조 배선(118B) 사이의 접속 저항이 증대하여 버리게 된다.
따라서, 예를 들면, 도 7에 나타낸 바와 같이, 부호 G1O1로 나타낸 비교예 1에서는, 박막 트랜지스터(Tr)의 실사용 영역(드레인 전류 Id = 1μA~10μA 정도의 영역)에 있어서, 상기 접속 저항의 증대에 기인하여 약 1V의 전압 강하가 생기고 있는 것에 대하여, 부호 G1으로 나타낸 본 실시예에서는, 같은 실사용 영역에 있어서, 약 10μV~100μV 정도 밖에 전압 강하가 생기지 않고, 그 결과, 비교예 1과 비교하여 유기 EL 표시 장치 전체에서의 소비 전력이 대폭 감소하게 된다.
또한, 예를 들면, 도 8에 나타낸 바와 같이, 종래의 다른 유기 EL 표시 장치(201)(비교예 2)에서는, 보조 배선(218B)이 배선층(15A)과 동일한 층에 동일 재료에 의해 형성되어 있으므로, 상기한 바와 같은 접속 저항 증대의 문제는 회피되지만, 박막 트랜지스터(Tr)나 배선층(15A)에 의해 레이아웃 상의 제한을 받아, 보조 배선(218B)을 형성하는 것이 곤란하다. 그리고, 만일 보조 배선(218B)을 형성할 수 있었다고 해도, 각 배선 간의 거리가 매우 짧으므로, 이 보조 배선(218B)을 통한 배선 간의 쇼트 불량을 초래하기 쉬워, 장치의 수율이 저하되어 버리게 된다.
이에 대하여 본 실시예의 유기 EL 표시 장치(1)에서는, 보조 배선(18B)이 제1 전극(18A)과 동일한 층에 형성되는 동시에, 제1 전극(18A) 사이에 대응하는 영역에 위치하는 보조 배선(18B)의 일부만이 배선층(15A)과 동일 층의 컨택트부(15B)와 접속되어 있으므로, 이 컨택트부(15B)를 형성할 때, 박막 트랜지스터(Tr)나 배선층(15A)에 의해 레이아웃 상의 제한을 받을 우려는 없다.
이상과 같이, 본 실시예에서는, 제2 전극(2O)과 보조 배선(18B) 사이를 도전성의 컨택트부(15B)를 통하여 전기적으로 접속시키는 동시에, 보조 배선(18B)의 일부만을 이 컨택트부(15B)와 접속시키도록 했으므로, 보조 배선(18B)의 표면이 산화되어도 접속 저항의 증대를 회피할 수 있는 동시에, 컨택트부(15B)를 형성할 때 레이아웃 상의 제한을 받지 않는다. 따라서, 레이아웃 상의 자유도와 저소비 전력을 확보하면서, 유기 EL 표시 장치의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 컨택트부(15B)를 형성할 때 레이아웃 상의 제한을 받지도 않으므로, 무리한 레이아웃에 의해 배선층(15A) 사이에서 쇼트 불량 등이 생기지도 않고, 종 래의 유기 EL 표시 장치와 비교하여 제조 수율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 컨택트부(15B)를, 배선층(15A)과 동일 층에 동일 재료에 의해 형성하도록 했으므로, 이 컨택트부(15B)의 형성에 의해 제조 공정이 증가하지도 않고, 제조 비용도 유지할 수 있다. 즉, 배선층(15A)과 컨택트부(15B)를 같은 공정에서 형성할 수 있으므로, 후술하는 제2 실시예와 비교하여 제조 공정을 간소화할 수 있다.
또한, 컨택트부(15B)를, 제1 전극(18A)에 대하여 에칭 선택비가 높은 재료에 의해 형성하도록 했으므로, 금속층(18)을 에칭하여 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)을 형성할 때, 컨택트부(15B)도 함께 에칭해 버릴 우려도 없다. 따라서, 상기한 바와 같은 컨택트부(15B)를 확실하게 형성할 수 있다.
또한, 평탄화 절연막(17A) 및 전극 간 절연막(21)에 있어서의 개구의 측면을, 위가 넓고 아래가 좁게 설정된 테이퍼 형상으로 하는 동시에, 전극 간 절연막(21)에서의 개구의 폭 쪽이 평탄화 절연막(17A)에서의 개구의 폭보다 넓어지도록 했으므로, 이들 개구의 측면 부분에 있어서의 제2 전극(20)의 단선이나 저항값 증대를 회피하고, 이에 기인한 제조 수율의 저하도 회피하는 것이 가능해진다.
[제2 실시예]
다음에, 본 발명의 제2 실시예에 관한 발광 표시 장치에 대하여 설명한다. 그리고, 제1 실시예에 있어서의 구성 요소와 동일한 것에는 동일한 부호를 부여하고, 적당히 설명을 생략한다.
도 9는 본 실시예에 관한 발광 표시 장치(유기 EL 표시 장치(2))의 단면 구 성을 나타낸 것이다. 이 유기 EL 표시 장치(2)에서는, 컨택트부(22A)가, 배선층(15A)이 아니고 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18C)과 동일한 층에 형성되어 있다. 단, 이 컨택트부(22A)는, 이들 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18C)과는 별개의 재료에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 이 컨택트부(22A)로서는, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18C)의 에칭 시에 선택비가 커지도록 재료가 사용된다. 그리고, 제1 실시예와 마찬가지로, 제2 전극(20)과 보조 배선(18C) 사이가 컨택트부(22A)를 통하여 접속되어 있다. 그리고, 그 외의 부분의 구성에 대하여는, 제1 실시예에서 설명한 유기 EL 표시 장치(1)와 같다.
다음에, 도 10~도 13을 참조하여, 이 유기 EL 표시 장치(2)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 10~도 13은 각각, 유기 EL 표시 장치(2)의 제조 공정의 일부를 단면도로 나타낸 것이다.
먼저, 도 10 (A)에 나타낸 바와 같이, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 투명 기판(10A) 상에 박막 트랜지스터(Tr)를 형성하고, 그 위에 패시베이션 절연막(16)을 일정하게 형성한다. 단 제1 실시예과는 달리, 배선층(15A)과 동일한 층에, 컨택트부(22A)를 형성하지 않는다.
다음에, 도 10 (B)에 나타낸 바와 같이, 패시베이션 절연막(16) 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 평탄화 절연막(17A)을 일정하게 형성한다.
다음에, 도 11 (A)에 나타낸 바와 같이, 컨택트부(22A)를 형성하기 위한 금속층(22)을, 예를 들면, 스퍼터법에 의해, 예를 들면, 50nm 정도의 두께로 일정하게 형성한다. 그리고, 도 11 (B)에 나타낸 바와 같이, 예를 들면, 포토리소그래피 법에 따라 선택적으로 에칭함으로써, 제1 실시예와 마찬가지로 박막 트랜지스터(Tr) 간에 대응하는 영역의 일부에, 컨택트부(22A)를 형성한다.
다음에, 도 12 (A)에 나타낸 바와 같이, 이 컨택트부(22A) 및 평탄화 절연막(17A)의 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18C)을 형성하기 위한 금속층(22)을 일정하게 형성한다. 그리고, 도 12 (B)에 나타낸 바와 같이, 예를 들면, 포트리소그래피법에 따라 선택적으로 에칭함으로써, 박막 트랜지스터(Tr)의 형성 영역에 대응하여 제1 전극(18A)을 형성하고, 각 박막 트랜지스터(Tr) 사이에 대응하는 영역에 있어서 컨택트부(22A)와 부분적으로 전기적 접속하도록 하여, 보조 배선(18C)을 형성한다. 그리고, 이 금속층(22)의 에칭 시에도, 제1 실시예와 마찬가지로, 컨택트부(22A)는 금속층(22)에 대하여 에칭 선택비가 높은 재료에 의해 구성되어 있으므로, 컨택트부(22A)가 함께 에칭되어 버릴 우려는 없다.
다음에, 도 13 (A)에 나타낸 바와 같이, 평탄화 절연막(17A), 제1 전극(18A), 보조 배선(18C) 및 컨택트부(22A) 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 전극 간 절연막(21)을 소정의 형상, 즉 각 제1 전극(18A) 및 후에 형성할 각 유기 발광층(19)이 서로 분리되도록 형성한다. 또한, 이 때도 도면 중의 부호 P3로 나타낸 바와 같이, 컨택트부(22A)에 대응하는 영역을 예를 들면, 포토리소그래피법에 따라 선택적으로 제거하고, 설정된 바와 같은 테이퍼 형상의 측면을 가지는 개구를 형성한다. 그리고, 마찬가지로 이 경사가 가능한 한 완만하게 되도록, 하프 톤 마스크를 사용하여 개구를 형성하거나, 이 개구 부분의 크기가 상이한 복수개의 마스 크를 사용하여 복수회의 노광 처리를 행하도록 한다.
다음에, 도 13 (B)에 나타낸 바와 같이, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 각 제1 전극(18A) 상에 유기 발광층(19)을 형성한 후, 이 유기 발광층(19), 전극 간 절연막(21), 평탄화 절연막(17A) 및 컨택트부(22A) 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 제2 전극(20)을 일정하게 형성한다. 이 때도 마찬가지로, 전극 간 절연막(21)에 있어서의 개구의 설정되어 있는 테이퍼 형상의 경사각 등을 고려하여, 이 개구의 경사 부분에 제2 전극(20)이 단선되거나 저항값이 증대하거나 하지 않도록, 제2 전극(20)의 두께를 조정하도록 한다.
그리고, 최후에, 제2 전극(20) 상에 보호막(23) 및 밀봉 수지(17B)를 상기 순서로 일정하게 형성하고, 이것을 투명 기판(10B)으로 끼워넣음으로써, 도 9에 나타낸 본 실시예의 유기 EL 표시 장치(2)가 제조된다.
이상과 같이, 본 실시예에 있어서도, 제2 전극(20)과 보조 배선(18C) 사이를 도전성의 컨택트부(22A)를 통하여 접속시키도록 하는 동시에, 보조 배선(18C)의 일부만을 이 컨택트부(22A)와 접속시키도록 했으므로, 제1 실시예와 마찬가지의 작용 및 효과를 가진다. 즉, 보조 배선(18C)의 표면이 산화되어도 접속 저항의 증대를 회피할 수 있는 동시에 컨택트부(22A)를 형성할 때 레이아웃 상의 제한을 받지도 않으므로, 레이아웃 상의 자유도와 저소비 전력을 확보하면서 유기 EL 표시 장치의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
[제3 실시예]
다음에, 본 발명의 제3 실시예에 관한 발광 표시 장치에 대하여 설명한다. 그리고, 제1 및 제2 실시예에 있어서의 구성 요소와 동일한 것에는 동일한 부호를 부여하고, 적당히 설명을 생략한다.
도 14는 본 실시예에 관한 발광 표시 장치(유기 EL 표시 장치(3))의 단면 구성을 나타낸 것이다. 이 유기 EL 표시 장치(3)에서는, 배선층(15A) 및 컨택트부(15B)가 각각, 투명 기판(10A) 측으로부터 차례로, 층(15A1), (15A2), (15A3) 및 층(15B1), (15B2), (15B3)와 같이 적층된 다층막으로 되어 있다. 이들 다층막 중 적어도 최상층(예를 들면, 층(15A3), (15A2)나 층(15B3), (15B2))은, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 에칭 시에 선택비가 작아지도록 한(제1 전극(18A) 등에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타냄) 재료(예를 들면, Mo나 Al)에 의해 구성되는 동시에, 이와 같은 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 층의 하층(예를 들면, 층(15A2), (15A1)나 층(15B2), (15B1)에, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 에칭 시에 선택비가 커지도록 한(제1 전극(18A) 등에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타냄) 재료(예를 들면, Ti)에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 층(15A3), (A2), (A1) 및 층(15B3), (B2), (B1)의 순으로, 예를 들면, Mo/Al/Ti와 같이 구성된다. 이로써, 후술하는 바와 같이, 컨택트부(15B) 중 상층(이 경우, 층(15B3), (15B2)의 일부가, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 에칭 시에 선택적으로 제거되어 있다. 또한, 이 유기 EL 표시 장치(3)에서는, 도면 중 부호 P41로 나타낸 바와 같이, 전극 간 절연막(21)의 개구가, 평탄화 절연막(17A)의 개구보다 내측에 형성되도록 되어 있다. 그리고, 그 외의 부분의 구성에 대하여는 제1 실시예에서 설명한 유기 EL 표시 장치(1)와 같고, 제2 전극(20)과 보조 배선(18B) 간이 컨택트부(15B)를 통하여 접속되어 있다.
다음에, 도 15~도 17을 참조하여, 이 유기 EL 표시 장치(3)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 15~도 17은 각각, 유기 EL 표시 장치(3)의 제조 공정의 일부를 단면도로 나타낸 것이다.
먼저, 도 15 (A)에 나타낸 바와 같이, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 투명 기판(10A) 상에, 게이트 전극(11), 게이트 절연막(12), 실리콘막(13), 스토퍼 절연막(14) 및 배선층(15A)을 상기 순서로 적층시켜, 예를 들면, 투명 기판(10A) 상에서 매트릭스형을 이루는 복수개의 박막 트랜지스터(Tr)를 각각 형성한다. 또한, 이 배선층(15A)을 형성할 때, 이 배선층(15A)과 동일한 재료를 사용하여, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 컨택트부(15B)를 함께 형성한다. 단, 본 실시예에 있어서는, 이들 배선층(15A) 및 콘택트부(15B)를, 전술한 바와 같이, 층(15A1)~(15A3) 및 층(15B1)~(15B3)으로 이루어지는 다층막에 의해 형성한다. 구체적으로는, 후술하는 금속층(18)을 RIE 및 웨트 에칭의 조합에 의해 에칭할 경우, 예를 들면, Mo/Ai/Ti의 다층막으로 할 수 있으므로, 이 경우의 막두께로서는, 예를 들면, Mo/Ai/Ti= 50nm/500nm/50nm 정도로 한다. 그리고, 이들 박막 트랜지스터(Tr) 및 컨택트부(15B) 상에는, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 패시베이션 절연막(16)을 일정하게 형성한다.
다음에, 도 15 (B)에 나타낸 바와 같이, 패시베이션 절연막(16) 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 평탄화 절연막(17A)을 일정하게 형성한다. 그리고, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 컨택트부(15B)에 대응하는 영역에 대하여, 도면 중 부호 P5로 나타낸 바와 같이 설정된 테이퍼 형상의 측면을 가지는 개구를 형성한다.
다음에, 도 16 (A)에 나타낸 바와 같이, 평탄화 절연막(17A) 및 컨택트부(15B) 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 구성 재료를 사용하여 금속층(18)을 일정하게 형성한다.
다음에, 도 16 (B)에 나타낸 바와 같이, 금속층(18)을 예를 들면, 포토리소그래피법에 따라 선택적으로 에칭하기 위해, 도면 중에 나타낸 바와 같은 선택적인 패턴으로 이루어지는 포토레지스트막(24)을, 금속층(18) 상에 형성한다. 그리고, 전술한 바와 같이 예를 들면, RIE 및 웨트 에칭의 조합에 의해 금속층(18)을 에칭함으로써, 예를 들면, 도 17 (A)에 나타낸 형상으로 이루어지는 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)이 각각 형성된다. 여기서, 컨택트부(15B) 중 상층 부분인 층(15B3), (15B2)는 각각, 전술한 바와 같이 금속층(18)에 대하여 에칭 선택비가 낮은 재료로 구성되어 있으므로, 이 금속층(18)을 에칭할 때, 이들 층(15B3), (15B2)의 일부(구체적으로는, 포토레지스트막(24)이 형성되지 않았던 부분)도 함께 에칭된다. 한편, 컨택트부(15B) 중 하층 부분인 층(15B1)은 전술한 바와 같이 금속층(18)에 대하여 에칭 선택비가 높은 재료로 구성되어 있으므로, 이 금속층(18)을 에칭할 때, 이 층(15B1)은 함께 에칭되지 않는다. 그리고, 이 에칭 시에는, 도면 중의 부호 P6로 나타낸 바와 같이, 사이드 에칭도 발생하도록 되어 있다.
다음에, 도 17 (B)에 나타낸 바와 같이, 평탄화 절연막(17A), 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B) 상에, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 전극 간 절연막(21)을 일 정하게 형성하고, 각 제1 전극(18A) 및 후에 형성할 각 유기 발광층(19)이 서로 분리되도록 패터닝한다. 이 때, 제1 실시예와 마찬가지로 하여 컨택트부(15B)에 대응하는 영역을 선택적으로 제거하고, 설정된 바와 같은 테이퍼 형상의 측면을 가지는 개구를 형성한다. 단, 본 실시예에서는, 도 17 (A) 중의 부호 P6로 나타낸 바와 같은 사이드 에칭이 생기고 있으므로, 후에 형성할 제2 전극(20)에 있어서의 단선이나 저항값 증대를 회피하기 위해, 도 17 (B) 중의 부호 P7로 나타낸 바와 같이, 전극 간 절연막(21) 사이의 개구를 평탄화 절연막(17A)의 개구보다 내측에 형성하도록 한다.
그 후에는, 제1 실시예와 마찬가지로 하여, 각 제1 전극(18A) 상에 유기 발광층(19)을 형성하고, 이 유기 발광층(19), 전극 간 절연막(21), 평탄화 절연막(17A), 컨택트부(15B) 및 보조 배선(18B) 상에 제2 전극(20)을 일정하게 형성한다. 그리고, 이 제2 전극(20) 상에 보호막(23)을 일정하게 형성하고, 이 보호막(23) 상에 밀봉 수지(17B)를 일정하게 형성하고, 이것을 투명 기판(10B)으로 끼워넣음으로써, 도 14에 나타낸 본 실시예의 유기 EL 표시 장치(3)가 제조된다.
이상과 같이, 본 실시예에 있어서도, 제2 전극(20)과 보조 배선(18B) 사이를 도전성의 컨택트부(15B)를 통하여 접속시키도록 하는 동시에, 보조 배선(18B)의 일부만을 이 컨택트부(15B)와 접속시키도록 했으므로, 제1 실시예와 마찬가지의 작용 및 효과를 갖는다. 즉, 보조 배선(18B)의 표면이 산화되어도 접속 저항의 증대를 회피할 수 있는 동시에 컨택트부(15B)를 형성할 때 레이아웃 상의 제한을 받지도 않으므로, 레이아웃 상의 자유도와 저소비 전력을 확보하면서 유기 EL 표시 장치의 표시 품질을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 배선층(15A) 및 컨택트부(15B)를 각각 다층막(층(15A1)~(15A3) 및 층(15B1)~(15B3))에 의해 형성하고, 이들 다층막 중 적어도 최상층을, 제1 전극(18A) 등에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성하는 동시에, 이와 같은 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 층의 하층을, 제1 전극(18A) 등에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성하도록 하였으므로, 컨택트부(15B) 중 상층(도 14의 경우, 층(15B3), (15B2))의 일부가 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 에칭 시에 선택적으로 제거될 뿐, 컨택트부(15B) 중 하층(도 14의 경우, 층(15B1))은, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 에칭 시에 선택적으로 제거될 우려가 없다. 따라서, 배선층(15A)이나 컨택트부(15B)를 다층막으로 함으로써, 그 다층막 중 일부의 층을, 제1 전극(18A) 등에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성할 수 있도록 되어, 제1 실시예에 비하여, 배선층(15A)이나 컨택트부(15B)의 재료 선택의 폭을 넓히는 것이 가능해진다. 따라서, 예를 들면, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 에칭 시에 에칭 불량이 쉽게 생기지 않는 재료를 선택하는 것 등이 가능해지고, 이 경우에는 수율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 평탄화 절연막(17A) 및 전극 간 절연막(21)에 있어서의 개구의 측면을, 위가 넓고 아래가 좁게 설정된 테이퍼 형상으로 하는 동시에, 전극 간 절연막(21)의 개구를, 평탄화 절연막(17A)의 개구보다 내측에 형성하도록 했으므로, 금속층(18)을 에칭할 때 생긴 사이드 에칭에 기인한 제2 전극(20)의 단선이나 저항값 증대를 회피하고, 이에 기인한 제조 수율의 저하도 회피하는 것이 가능해진다.
그리고, 본 실시예에서는, 도 14에 나타낸 유기 EL 표시 장치(3)와 같이, 배선층(15A) 및 컨택트부(15B)를 각각 다층막에 의해 형성하고, 이들 다층막 중 적어도 최상층을, 제1 전극(18A) 등에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성하는 동시에, 이와 같은 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 층의 하층을 제1 전극(18A) 등에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성하는 경우에 대하여 설명하였으나, 예를 들면, 도 18에 나타낸 유기 EL 표시 장치(4)와 같이, 배선층(15A) 및 컨택트부(15B)를 각각, 제1 전극(18A) 등에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 단층(예를 들면, 층(15A3) 및 층(15B3))에 의해 구성하는 동시에, 이들 층(15A3), (15B3)의 두께를, 제1 전극(18)의 패터닝 형성 시에 컨택트부(15B) 중 상층 부분만이 부분적으로 제거되도록(바꾸어 말하면, 컨택트부(15B)의 일부가 관통하여 제거되지 않을 정도의 두께로) 설정하도록 해도 된다. 이와 같이 구성한 경우도, 배선층(15A)이나 컨택트부(15B) 전체를, 제1 전극(18A) 등에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성할 수 있도록 되어, 제1 실시예와 비교하여 배선층(15A)이나 컨택트부(15B)의 재료 선택의 폭을 넓히는 것이 가능해진다. 그리고, 이 유기 EL 표시 장치(4)에 있어서도, 유기 EL 표시 장치(3)의 경우와 마찬가지로, 도면 중의 부호 P42로 나타낸 바와 같이, 평탄화 절연막(17A) 및 전극 간 절연막(21)에 있어서의 개구의 측면을 위가 넓고 아래가 좁게 설정된 테이퍼 형상으로 하는 동시에, 전극 간 절연막(21)의 개구를 평탄화 절연막(17A)의 개구보다 내측에 형성하도록 하는 것이 바람직하다.
이상, 제1 ~ 제3 실시예를 들어 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않고, 각종의 변형이 가능하다.
예를 들면, 상기 실시예에서 설명한 평탄화 절연막(17A)이나 전극 간 절연막(21)에 개구를 형성할 때, 예를 들면, 도 19 (A), (B)에 각각 나타낸 바와 같이, 노광광(11)을 통과시키는 부분이나 노광광(LO)을 차광하는 차광부(51, 61)에 더하여, 노광광(L21) 중 일부를 노광광(L22)으로서 부분적으로 투과시키는 부분 투과부(52, 62)를 가지는 하프 톤 마스크(5)나 그레이토 마스크(6)를 사용하도록 해도 된다. 또한, 예를 들면, 도 19 (C),(D)에 나타낸 바와 같이, 노광광(11)을 통과시키는 부분의 면적이 상이한 복수개의 마스크(이 예에서는, 2개의 마스크(7A, 7B))를 사용하여, 복수회로 나누어 노광하도록 해도 된다. 이들과 같이 구성한 경우, 예를 들면, 도 20이나 도 21에 각각 나타낸 유기 EL 표시 장치(1A, 2A)(각각, 제1 및 제2 실시예의 유기 EL 표시 장치(1, 2)의 변형예에 대응한다. 그리고, 제3 실시예의 유기 EL 표시 장치(3, 4)의 변형예에 대하여는 도시하지 않지만, 유기 EL 표시 장치(1A)의 경우와 마찬가지로 됨)와 같이, 평탄화 절연막(17A)이나 전극 간 절연막(21)에 있어서의 개구의 측면 부분을, 도면 중의 부호 P81, P82, P9로 나타낸 바와 같이 보다 다단의 계단형으로 형성할 수 있고, 이로써, 경사 각도를 보다 완만하게 하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 실시예에 있어서의 효과에 더하여, 또한 제2 전극(20)에서의 단선이나 저항값 증대의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 컨택트부의 형성 위치는, 상기 실시예에서 설명한 도 1, 도 9 등의 위치, 즉 배선층(15A)의 동일 층이나, 제1 전극(18A) 및 보조 배선(18B)의 동일 층에 한정되지 않고, 다른 층에 형성하도록 해도 된다.
또한, 본 발명의 발광 표시 장치는, 상기 실시예에서 설명한 바와 같은 유기 EL 소자를 구비한 유기 EL 표시 장치에 한정되지 않고, 다른 발광 표시 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시예에 있어서 설명한 각 구성 요소의 재료 및 두께, 또는 성막 방법 및 성막 조건 등은 한정되지 않고, 다른 재료 및 두께라도 되고, 또 다른 성막 방법 및 성막 조건이라도 된다.
또한, 상기 실시예에서는, 유기 EL 표시 장치의 구성을 구체적으로 들어 설명하였으나, 모든 층을 구비할 필요는 없고, 또한 예를 들면, 투명 기판(10B) 측에 컬러 필터층을 형성하는 등하여, 다른 층을 구비하도록 해도 된다.

Claims (19)

  1. 복수개의 구동 소자와, 상기 구동 소자에 전기적으로 접속된 배선부를 구비한 발광 표시 장치로서,
    상기 구동 소자 및 상기 배선부 상에 형성된 도전층을 패터닝함으로써, 각 구동 소자와 대응하여 형성된 복수개의 제1 전극과,
    상기 제1 전극 상에 각각 형성된 복수개의 발광부와,
    상기 발광부로부터의 광을 투과할 수 있는 재료에 의해 형성되는 동시에 상기 복수개의 발광부 상에 설치된 공통의 제2 전극과,
    상기 제2 전극보다 저저항의 보조 배선부와,
    상기 제2 전극과 상기 보조 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 도전성의 컨택트부
    를 구비하고,
    상기 도전층은,
    그 적어도 최상층에 형성되는 동시에 상기 제1 전극에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 저에칭 선택성 막과,
    상기 저에칭 선택성 막의 하층에 형성되는 동시에 상기 제1 전극에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 고에칭 선택성 막을 포함하는 다층막에 의해 구성되며,
    상기 컨택트부에 있어서의 상기 저에칭 선택성 막이 부분적으로 제거되어 있는,
    발광 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 컨택트부와 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 평탄화 절연층 및 전극 간 절연층이 형성되고,
    상기 전극 간 절연층이 상기 평탄화 절연층 상에 형성되는 동시에, 상기 전극 간 절연층의 개구는 상기 평탄화 절연층의 개구보다 내측에 형성되어 있는, 발광 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 제1 전극에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성되며,
    상기 컨택트부 중 상층 부분이 부분적으로 제거되어 있는, 발광 표시 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 컨택트부와 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 평탄화 절연층 및 전극 간 절연층이 형성되고,
    상기 전극 간 절연층이 상기 평탄화 절연층 상에 형성되는 동시에, 상기 전극 간 절연층의 개구는 상기 평탄화 절연층의 개구보다 내측에 형성되어 있는, 발광 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 컨택트부와 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 절연층이 형성되고,
    상기 개구의 측면은 위가 넓고 아래가 좁은 계단형으로 형성되어 있는, 발광 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 컨택트부는 상기 제1 전극에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 구성되어 있는, 발광 표시 장치.
  10. 기판 상에 복수개의 구동 소자 및 배선부를 형성하여 이들 복수개의 구동 소자와 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 공정과,
    상기 구동 소자 및 상기 배선부 상에 도전층을 형성하는 공정과,
    상기 도전층을 패터닝함으로써, 상기 복수개의 구동 소자에 각각 대응하는 복수개의 제1 전극을 형성하고 보조 배선부를 형성하는 공정과,
    상기 제1 전극 상에 각각 발광부를 형성하는 공정과,
    상기 복수개의 발광부 상에, 각 발광부로부터의 광을 투과할 수 있는 재료에 의해 제2 전극을 공통으로 형성하는 공정과,
    도전성의 컨택트부를 형성하고, 상기 컨택트부에 의해 상기 제2 전극과 상기 보조 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 공정
    을 포함하고,
    상기 보조 배선부를 상기 제2 전극보다 저저항의 재료에 의해 형성하고,
    상기 도전층을, 상기 제1 전극에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 저에칭 선택성 막을 적어도 최상층으로 하는 동시에 상기 제1 전극에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타내는 재료로 이루어지는 고에칭 선택성 막을 상기 저에칭 선택성 막의 하층으로 하는 다층막에 의해 형성하는,
    발광 표시 장치의 제조 방법.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 전극과 상기 보조 배선부 사이를 전기적으로 접속하는 공정에 있어서, 이들 사이를 부분적으로 접속시키는, 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 제10항에 있어서,
    상기 컨택트부와 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 평탄화 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 평탄화 절연층과 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 전극 간 절연층을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 전극 간 절연층의 개구를 상기 평탄화 절연층의 개구보다 내측에 형성하는, 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 도전층을 상기 제1 전극에 대하여 낮은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 형성하는 동시에, 상기 도전층의 두께를 상기 제1 전극의 패터닝 형성 시에 상기 컨택트부 중 상층 부분만이 부분적으로 제거되도록 설정하는, 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 컨택트부와 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 평탄화 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 평탄화 절연층과 상기 제2 전극과의 층 사이에, 상기 컨택트부에 대응하는 영역에 각각 개구를 가지는 전극 간 절연층을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 전극 간 절연층의 개구를 상기 평탄화 절연층의 개구보다 내측에 형성하는, 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제10항에 있어서,
    상기 컨택트부와 상기 제2 전극의 층 사이에 절연층을 형성하는 공정과,
    상기 절연층에 있어서의 상기 컨택트부에 대응하는 영역을 선택적으로 제거함으로써, 위가 넓고 아래가 좁은 계단형의 측면을 이루는 개구를 형성하는 공정을 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 삭제
  19. 제10항에 있어서,
    상기 컨택트부를 상기 제1 전극에 대하여 높은 에칭 선택성을 나타내는 재료에 의해 형성하는, 발광 표시 장치의 제조 방법.
KR1020087030729A 2006-06-19 2007-06-07 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 KR101386055B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006168906 2006-06-19
JPJP-P-2006-168906 2006-06-19
PCT/JP2007/061511 WO2007148540A1 (ja) 2006-06-19 2007-06-07 発光表示装置およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090020622A KR20090020622A (ko) 2009-02-26
KR101386055B1 true KR101386055B1 (ko) 2014-04-16

Family

ID=38833282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087030729A KR101386055B1 (ko) 2006-06-19 2007-06-07 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8115376B2 (ko)
JP (2) JP5228910B2 (ko)
KR (1) KR101386055B1 (ko)
CN (3) CN102881713B (ko)
TW (2) TW200809745A (ko)
WO (1) WO2007148540A1 (ko)

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1793266B1 (en) 2005-12-05 2017-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
CN102881713B (zh) * 2006-06-19 2016-05-25 株式会社日本有机雷特显示器 发光显示装置及其制造方法
JP4600786B2 (ja) * 2007-12-18 2010-12-15 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
US8692455B2 (en) 2007-12-18 2014-04-08 Sony Corporation Display device and method for production thereof
JP5267845B2 (ja) * 2008-03-05 2013-08-21 カシオ計算機株式会社 表示装置の製造方法
JP5151576B2 (ja) * 2008-03-14 2013-02-27 ソニー株式会社 有機発光素子の製造方法および有機発光表示装置、並びに自発光素子の製造方法および自発光表示装置
US8183763B2 (en) * 2008-07-08 2012-05-22 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
JP5435260B2 (ja) * 2009-04-03 2014-03-05 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法
US8655327B1 (en) * 2009-10-08 2014-02-18 West Corporation Method and apparatus of providing data service mobility
JP5593676B2 (ja) * 2009-10-22 2014-09-24 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法
KR101108160B1 (ko) * 2009-12-10 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101084195B1 (ko) * 2010-02-19 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101097338B1 (ko) * 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2012124258A1 (en) * 2011-03-11 2012-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method of light-emitting element
TWI555436B (zh) * 2011-04-08 2016-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及其製造方法
JP5535147B2 (ja) 2011-08-03 2014-07-02 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
US8912547B2 (en) 2012-01-20 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and semiconductor device
TWI479948B (zh) * 2012-02-29 2015-04-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 顯示面板及顯示裝置
CN103311265B (zh) * 2012-03-08 2016-05-18 群康科技(深圳)有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
JP5954162B2 (ja) * 2012-03-28 2016-07-20 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US9178174B2 (en) 2012-03-27 2015-11-03 Sony Corporation Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus
KR101560272B1 (ko) 2013-02-25 2015-10-15 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
JP6155856B2 (ja) * 2013-06-03 2017-07-05 住友化学株式会社 表示装置
KR102131248B1 (ko) * 2013-07-04 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5787015B2 (ja) * 2013-09-02 2015-09-30 大日本印刷株式会社 トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法
JP6211873B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-11 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6219656B2 (ja) * 2013-09-30 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2015069844A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102112844B1 (ko) * 2013-10-15 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
CN104716156A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
KR102166004B1 (ko) * 2013-12-17 2020-10-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR102315824B1 (ko) * 2014-06-27 2021-10-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US9806279B2 (en) * 2014-07-08 2017-10-31 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof
JP2016062885A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器
KR102320591B1 (ko) * 2014-10-30 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR102313362B1 (ko) * 2014-12-02 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
WO2016092881A1 (ja) * 2014-12-09 2016-06-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR20160084551A (ko) * 2015-01-05 2016-07-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102426691B1 (ko) * 2015-02-05 2022-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102393931B1 (ko) 2015-05-01 2022-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102515033B1 (ko) * 2015-05-29 2023-03-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102410426B1 (ko) * 2015-07-28 2022-06-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6535545B2 (ja) 2015-08-21 2019-06-26 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102351499B1 (ko) * 2015-08-31 2022-01-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102405695B1 (ko) 2015-08-31 2022-06-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102609932B1 (ko) * 2015-09-09 2023-12-04 이노럭스 코포레이션 디스플레이 디바이스
KR102452200B1 (ko) * 2015-09-30 2022-10-06 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR20180075589A (ko) 2015-10-26 2018-07-04 오티아이 루미오닉스 인크. 표면 상에 코팅을 패턴화하는 방법 및 패턴화된 코팅을 포함하는 디바이스
KR102465826B1 (ko) * 2015-10-29 2022-11-09 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102469949B1 (ko) * 2015-11-30 2022-11-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102578834B1 (ko) * 2015-11-30 2023-09-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6676998B2 (ja) * 2016-02-10 2020-04-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
EP3240036B1 (en) * 2016-04-29 2024-05-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR102693312B1 (ko) * 2016-09-30 2024-08-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102699551B1 (ko) * 2016-10-27 2024-08-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI600168B (zh) 2016-11-02 2017-09-21 律勝科技股份有限公司 薄膜電晶體的積層體結構
CN108074954B (zh) * 2016-11-15 2023-09-12 三星显示有限公司 显示设备
KR20180062284A (ko) * 2016-11-30 2018-06-08 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2018100559A1 (en) 2016-12-02 2018-06-07 Oti Lumionics Inc. Device including a conductive coating disposed over emissive regions and method therefor
KR20180077767A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치
JP2020518107A (ja) 2017-04-26 2020-06-18 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドＯｔｉ Ｌｕｍｉｏｎｉｃｓ Ｉｎｃ． 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス
WO2018211460A1 (en) 2017-05-17 2018-11-22 Oti Lumionics Inc. Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating
CN107359276B (zh) * 2017-08-28 2020-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层结构、显示装置及膜层结构的制备方法
US11751415B2 (en) 2018-02-02 2023-09-05 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
JP7179517B2 (ja) * 2018-03-01 2022-11-29 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置
CN108470749A (zh) 2018-03-07 2018-08-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
KR102688180B1 (ko) * 2018-04-20 2024-07-24 엘지디스플레이 주식회사 보조 전극을 포함하는 디스플레이 장치
JP7320851B2 (ja) 2018-05-07 2023-08-04 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド 補助電極を提供するための方法および補助電極を含むデバイス
JP7220084B2 (ja) * 2019-01-25 2023-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11730012B2 (en) 2019-03-07 2023-08-15 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20200113056A (ko) * 2019-03-20 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20220009961A (ko) 2019-04-18 2022-01-25 오티아이 루미오닉스 인크. 핵 생성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 디바이스
US12069938B2 (en) 2019-05-08 2024-08-20 Oti Lumionics Inc. Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same
KR20240134240A (ko) 2019-06-26 2024-09-06 오티아이 루미오닉스 인크. 광 회절 특성을 갖는 광 투과 영역을 포함하는 광전자 디바이스
US11832473B2 (en) 2019-06-26 2023-11-28 Oti Lumionics Inc. Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics
WO2021028800A1 (en) 2019-08-09 2021-02-18 Oti Lumionics Inc. Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition
CN110635066A (zh) * 2019-09-26 2019-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示基板及其制作方法、透明显示装置
KR20220037888A (ko) * 2020-09-18 2022-03-25 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
KR20220096854A (ko) * 2020-12-31 2022-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010091952A (ko) * 2000-03-09 2001-10-23 이데이 노부유끼 반도체 소자의 제조 및 연마 방법, 및 연마 장치
KR20030023331A (ko) * 2001-09-13 2003-03-19 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 제조방법
KR20040076214A (ko) * 2003-02-24 2004-08-31 소니 가부시키가이샤 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20060059722A (ko) * 2004-11-29 2006-06-02 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4485480B2 (ja) * 1999-03-23 2010-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2002293687A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Sony Corp 多結晶性ダイヤモンド薄膜及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法、これらの方法の実施に使用する装置、並びに電気光学装置
JP2002318556A (ja) 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004095482A (ja) * 2002-09-03 2004-03-25 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
KR20040025383A (ko) * 2002-09-19 2004-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP3922374B2 (ja) * 2002-09-25 2007-05-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、マトリクス基板、及び電子機器
JP4290953B2 (ja) * 2002-09-26 2009-07-08 奇美電子股▲ふん▼有限公司 画像表示装置、有機ｅｌ素子および画像表示装置の製造方法
JP4089544B2 (ja) * 2002-12-11 2008-05-28 ソニー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2004207084A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP4483245B2 (ja) * 2003-09-19 2010-06-16 ソニー株式会社 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
KR100581903B1 (ko) * 2004-03-09 2006-05-22 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치
US7423373B2 (en) * 2004-03-26 2008-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4691898B2 (ja) * 2004-04-15 2011-06-01 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
US7692378B2 (en) * 2004-04-28 2010-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including an insulating layer with an opening
JP2005327674A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
JP4639662B2 (ja) * 2004-06-25 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4450715B2 (ja) * 2004-10-08 2010-04-14 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型表示装置の製造方法
JP2006113376A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びアレイ基板
KR100579186B1 (ko) * 2004-10-15 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100712111B1 (ko) * 2004-12-14 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법
KR100624126B1 (ko) * 2005-04-27 2006-09-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
CN102881713B (zh) * 2006-06-19 2016-05-25 株式会社日本有机雷特显示器 发光显示装置及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010091952A (ko) * 2000-03-09 2001-10-23 이데이 노부유끼 반도체 소자의 제조 및 연마 방법, 및 연마 장치
KR20030023331A (ko) * 2001-09-13 2003-03-19 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 제조방법
KR20040076214A (ko) * 2003-02-24 2004-08-31 소니 가부시키가이샤 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20060059722A (ko) * 2004-11-29 2006-06-02 삼성에스디아이 주식회사 보조 전극 라인을 구비하는 유기전계발광소자 및 그의제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8115376B2 (en) 2012-02-14
US8598777B2 (en) 2013-12-03
CN102903734B (zh) 2015-07-15
CN102881713B (zh) 2016-05-25
US20130210312A1 (en) 2013-08-15
JP5348299B2 (ja) 2013-11-20
JP2012230928A (ja) 2012-11-22
TWI517127B (zh) 2016-01-11
US20120086328A1 (en) 2012-04-12
KR20090020622A (ko) 2009-02-26
US8747177B2 (en) 2014-06-10
CN102881713A (zh) 2013-01-16
CN102903734A (zh) 2013-01-30
CN101506862B (zh) 2012-12-12
US20100244664A1 (en) 2010-09-30
JP5228910B2 (ja) 2013-07-03
JPWO2007148540A1 (ja) 2009-11-19
TW200809745A (en) 2008-02-16
TW201239855A (en) 2012-10-01
TWI376669B (ko) 2012-11-11
CN101506862A (zh) 2009-08-12
WO2007148540A1 (ja) 2007-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101386055B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101635165B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US11476322B2 (en) Display device, method of manufacturing the display device, and electronic apparatus
US9076993B2 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
KR100667081B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US20060262052A1 (en) Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same
JP6019507B2 (ja) 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
CN110211994B (zh) 阵列基板及其制造方法、有机发光二极管显示器
JP5083677B2 (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
KR102122401B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR20150002119A (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR100635070B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2005116330A (ja) 有機発光素子の製造方法および有機発光素子並びに表示装置
KR20090131397A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190329

Year of fee payment: 6